KR101903152B1 - 고상 반응을 이용한 염화우라늄의 제조방법 및 이를 위한 장치 - Google Patents

고상 반응을 이용한 염화우라늄의 제조방법 및 이를 위한 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (a) 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 교반하여 고상 반응시키는 단계; 및 (b) 상기 (a) 단계에서 고상 반응을 통해 생성된 암모니아 및 수소를 배기시키는 단계를 포함하는 염화우라늄의 제조방법 및 이를 위한 장치에 관한 것이다.

Description

고상 반응을 이용한 염화우라늄의 제조방법 및 이를 위한 장치{METHOD FOR MANUFACTURING URANIUM CHLORIDE USING SOLID-STATE REACTION AND APPARATUS THEROF}
본 발명은 고상 반응을 이용한 염화우라늄의 제조방법 및 이를 위한 장치에 관한 것이다.
파이로프로세싱 중 전해정련 공정은, 전해공정에서 금속 형태로 전환된 사용후 핵연료를 양극으로 사용하고 카본 전극을 음극으로 사용하여, 전해질 내에서 전기화학적인 방법으로 순수한 우라늄만을 회수하기 위한 공정이다. 이와 같은 전해정련 공정에서 순수한 우라늄만을 회수하기 위해서는 공정 초기의 전해질 내 일정 농도 이상의 염화우라늄(UCl3)이 존재하여야 하며, 이를 위해 UCl3를 제조하는 공정이 필요하다.
종래에는 UCl3를 제조하기 위한 방법으로, LiCl-KCl 공융염 하부 위치에 Cd 금속을, 우라늄 금속이 담긴 다공성 바스켓을 LiCl-KCl 공융염 중간 위치에 장입한 후, Cd 금속이 있는 하부 위치에만 염소 가스를 불어넣어 CdCl2를 생성시키고, 이 때 생성된 CdCl2가 다공성 바스켓 내의 우라늄 금속을 반응시켜 UCl3를 제조하였다. 이의 반응식은 하기 식 1 및 2와 같다.
Cd + Cl2 → CdCl2 (식 1)
3CdCl2 + 2U → 2UCl3 + 3Cd (식 2)
종래와 같이, UCl3를 제조하기 위해 LiCl-KCl 공융염 하부 위치에 Cd 금속을 사용 할 경우, 500℃ 이상의 공정 운전온도에서 수행되는 관계로, 상당량의 Cd 금속이 낮은 용융점 및 높은 휘발성으로 인하여 LiCl-KCl-UCl3 공융염 내로 쉽게 혼입되어 전해정련 공정 중에 Cd 증기가 불필요하게 발생되어 전해정련 장치 상부에 증착되는 문제점이 발생한다. 따라서, 전해정련 공정에 활용하기 위해서는, 최종 생성된 LiCl-KCl-UCl3 공융염에 존재하는 Cd 금속을 제거하기 위한 추가 공정이 필요한 문제점이 있다. 또한, Cd 금속이 미반응 우라늄 금속 표면에 침착되는 경우 더 이상 식 2와 같이 화학반응이 진행되지 않으므로 물리적인 방법으로 Cd를 제거해 주어야 하나 우라늄 표면에 침착된 Cd의 경우 쉽게 제거되지 않는다는 문제점과 화학반응을 용이하게 하기 위해 메쉬로 제작된 도가니를 사용할 경우 반응 후 크기가 작아진 우라늄 입자가 도가니 밖으로 빠져나가 손실될 수 있다는 문제점을 가지고 있다.
뿐만 아니라, 이와 같이 용융염 내에서 UCl3를 제조하면, 제조되는 UCl3 양에 비해 공정 규모가 과도하게 증가하고, 용융염에 따른 취급 특성을 고려해야 하며, 염소 가스 사용에 따른 안정성 및 부식 환경을 고려해야 하여 전해정련 장치의 재질을 선택하여야 하는 문제점이 있다.
미국 등록특허공보 제6,800,262호
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 용융염 및 염소 가스를 사용하지 않고, 낮은 공정온도에서 단순한 공정으로 염화우라늄을 제조하는 방법 등을 제공하고자 한다.
그러나, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 일 구현 예로, (a) 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 교반하여 고상 반응시키는 단계; 및 (b) 상기 (a) 단계에서 고상 반응을 통해 생성된 암모니아 및 수소를 배기시키는 단계를 포함하는 염화우라늄의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 다른 구현 예로, 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 고상 반응시키기 위한 반응용기; 상기 반응용기 내부에 장입되고, 상기 우라늄 금속 및 상기 고상 염화암모늄을 교반하기 위한 교반기; 상기 반응용기를 가열하기 위한 히터; 및 상기 고상 반응을 통해 생성된 암모니아 및 수소를 배기하기 위한 배기관을 포함하는 염화우라늄의 제조장치를 제공한다.
본 발명은 용융염 및 염소 가스를 사용하지 않고, 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 교반하여 고상 반응시킴으로써 염화우라늄을 제조할 수 있는 것을 특징으로 하는바, 단순 공정에 의해 불순물 없이 고순도의 우라늄 염화물을 높은 공정 효율로 제조할 수 있고, 원료 및 생성물의 취급이 매우 용이한 이점이 있다. 또한, 상기 고상 반응은 낮은 공정 운전 온도에서 수행되기 때문에, 생성물이 염화물 형태임에도 불구하고 장치의 부식에 따른 문제점이 낮아, 장치의 재질을 선택할 수 있는 폭이 넓은 이점이 있다.
또한, 상기 고상 반응을 통해 생성된 암모니아 및 수소의 농도를 실시간으로 측정함으로써, 공정의 진행 정도를 실시간으로 모니터링할 수 있어 공정 제어가 용이한 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 고상 반응을 이용한 염화우라늄을 제조하기 위한 장치를 도시한 그림이다.
도 2는 실시예 1에 따라 제조된 염화우라늄을 X선 회절 분석한 결과를 나타낸 그래프이다.
본 발명자들은 종래 UCl3를 제조하기 위한 방법의 문제점을 극복하기 위해, 용융염 및 염소 가스를 사용하는 대신, 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 교반하여 고상 반응시킴으로써, 종래 문제점을 극복하여 단순 공정에 의해 불순물 없이 고순도의 우라늄 염화물을 높은 공정 효율로 제조할 수 있음을 확인하고, 본 발명을 완성하였다.
본 명세서 내 “고상 반응”이라 함은 고체상 물질 사이에서 일어나는 반응을 말하는 것으로, 비교적 낮은 온도에서 수행될 수 있는 이점을 가진다.
본 명세서 내 “우라늄 염화물”이라 함은 순수한 우라늄만을 회수하기 위한 전해정련 공정의 공정 초기의 전해질 내 존재하는 물질로서, UCl3 및 UCl4를 모두 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
고상 반응을 이용한 염화우라늄의 제조방법
본 발명은 (a) 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 교반하여 고상 반응시키는 단계; 및 (b) 상기 (a)에서 고상 반응을 통해 생성된 암모니아 및 수소를 배기시하는 단계를 포함하는 염화우라늄의 제조방법을 제공한다.
선택적으로, 본 발명은 상기 (b) 단계에서 배기된 암모니아 및 수소의 농도를 측정하여 고상 반응의 종료 시점을 결정하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
먼저, 본 발명에 따른 고상 반응을 이용한 염화우라늄의 제조방법은 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 교반하여 고상 반응시키는 단계[(a) 단계]를 포함한다.
구체적으로, 상기 고상 염화암모늄은 염화암모늄을 열처리함으로써 준비될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 열처리는 염화암모늄 내에 존재하는 수분 및 불순물 등을 제거하기 위한 전처리 공정으로서, 상기 열처리는 120℃ 내지 200℃의 온도에서 수행되는 것이 바람직하고, 140℃ 내지 160℃의 온도에서 수행되는 것이 보다 바람직하나, 이에 한정되지 않는다. 이러한 열처리를 통해 준비된 고상 염화암모늄은 수분 함유량은 10 중량% 이하, 바람직하게 1 중량% 이하일 수 있으므로, 후술하는 고상 반응을 효과적으로 수행할 수 있다.
한편, 상기 고상 염화암모늄은 입자 형태의 입상일 수 있는데, 후술하는 고상 반응의 최적화를 고려하여, 0.1mm 내지 10mm인 것이 바람직하고, 0.5mm 내지 5mm인 것이 더욱 바람직하나, 이에 한정되지 않는다. 이때, 상기 고상 염화암모늄은 열처리를 통해 전처리된 상태인바, 수분 및 불순물 등에 의해 뭉쳐진 정도가 크지 않고, 균질한 상태로 존재하는 것으로 볼 수 있다.
또한, 상기 고상 반응을 위해, 상기 우라늄 금속 및 상기 고상 염화암모늄은 혼합되어, 반응용기에 투입될 수 있다. 상기 반응용기는 히터에 의해 가열된 반응장치 내에 장입될 수 있다.
상기 고상 반응은 상기 우라늄 금속 및 상기 고상 염화암모늄을 원료로 하고, 우라늄 염화물, 암모니아 및 수소를 생성물로 하는 것으로, 하기 식 1 및/또는 식 2에 의해 수행될 수 있다:
U + 3NH4Cl → UCl3 + 3NH3 + 1.5H2 (식 1),
U + 4NH4Cl → UCl4 + 4NH3 + 2H2 (식 2).
100℃ 내지 300℃의 온도 조건에서, 상기 식 1은 -67 kcal 내지 -63 kcal의 자유에너지를 가지고, 상기 식 2는 -57 kcal 내지 -93 kcal의 자유에너지를 가지는 것으로, 이러한 범위 내에서 온도가 증가함에 따라 반응성이 증가하는 경향을 가진다.
상기 고상 반응은 상기 우라늄 금속 및 상기 고상 염화암모늄을 저속으로 교반함으로써 수행될 수 있는데, 상기 저속 교반은 20rpm 내지 50rpm의 속도로 이루어질 수 있다. 이와 같은 저속 교반을 유지하기 위해서는 교반기에 감속 모터가 구비될 수 있다. 또한, 상기 교반기로 경사형 날개를 가진 임펠러가 구비된 교반기를 사용함으로써, 고체상 물질들 간에 상하 교반을 효과적으로 수행시킬 수 있어, 공정 효율을 보다 높일 수 있다.
또한, 상기 고상 반응은 비활성가스 분위기 하에 100ppm 이하의 수분 및 산소 농도 조건에서 수행됨으로써, 생성물이 염화물 형태임에도 불구하고 불순물 없이 고순도의 우라늄 염화물을 높은 공정 효율로 제조할 수 있다. 구체적으로, 상기 고상 반응은 고순도(>99.999%)의 아르곤 가스 분위기 하에 수행될 수 있다.
또한, 상기 고상 반응은 200℃ 내지 300℃의 온도에서 수행되는 것이 바람직하고, 250℃ 내지 300℃의 온도에서 수행되는 것이 보다 바람직하나, 이에 한정되지 않는다. 이때, 고상 반응의 온도가 너무 낮은 경우에는, 반응성이 저하되는 문제점이 있고, 고상 반응의 온도가 300℃를 초과하는 경우에는, 염화암모늄이 휘발되어 미반응 우라늄 금속이 증가되는 문제점이 있다.
다음으로, 본 발명에 따른 고상 반응을 이용한 염화우라늄의 제조방법은 상기 (a) 단계에서 고상 반응을 통해 생성된 암모니아 및 수소를 배기시키는 단계[(b) 단계]를 포함한다.
선택적으로, 본 발명에 따른 고상 반응을 이용한 염화우라늄의 제조방법은 (c) 상기 (b)에서 배기된 암모니아 및 수소의 농도를 측정하여 고상 반응 종료 시점을 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 고상 반응을 통해 생성된 암모니아 및 수소는 배기관을 이용하여 배기될 수 있다. 효과적인 배기를 위해서는 상기 고상 반응이 이루어지는 반응 장치 내부를 음압 조건으로 유지시킬 필요가 있고, 이러한 음압 조건으로 유지하기 위해서는 배기관에 펌프 또는 가스배기용 팬과 같은 가스배기장치가 장착되는 것이 바람직하나, 이에 한정되지 않는다. 상기 배기된 암모니아 및 수소의 농도를 측정하기 위해, 농도 측정기를 추가로 포함할 수 있는데, 농도 측정기를 통해 암모니아 및 수소의 농도를 측정할 수 있다.
상기 측정된 암모니아 및 수소의 농도를 측정하여 고상 반응 종료 시점을 결정할 수 있다. 예컨대, 상기 배기된 암모니아 및 수소가 더 이상 검출되지 않는 시점을 고상 반응 종료 시점으로 결정할 수 있다.
고상 반응을 이용한 염화우라늄을 제조하기 위한 장치
본 발명은 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 고상 반응시키기 위한 반응용기가 장입된 반응장치; 상기 반응용기 내부에 장입되고, 상기 우라늄 금속 및 상기 고상 염화암모늄을 교반하기 위한 교반기; 상기 반응용기를 가열하기 위한 히터; 및 상기 고상 반응을 통해 생성된 암모니아 및 수소를 배기하기 위한 배기관을 포함하는 염화우라늄의 제조장치를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 고상 반응을 이용한 염화우라늄을 제조하기 위한 장치를 도시한 그림이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 구현 예에 따른 고상 반응을 이용한 염화우라늄을 제조하기 위한 장치는 반응장치(100), 교반기(200), 히터(300) 및 배기관(400)을 포함한다.
먼저, 본 발명의 일 구현 예에 따른 고상 반응을 이용한 염화우라늄을 제조하기 위한 장치(10)는 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 고상 반응시키기 위한 반응용기(110)가 장입된 반응장치(100)를 포함한다.
구체적으로, 상기 반응장치(100)는 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 고상 반응시키기 위한 것으로, 반응용기(110)가 장입된 것을 특징으로 한다.
보다 구체적으로, 상기 반응용기(110)는 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 투입하기 위한 것으로, 상기 반응용기(110)는 히터(300)에 의해 가열된 반응장치(100) 내에 장입된다. 상기 반응용기(110)를 상기 반응장치(100) 내에 장입시킨 후 고정하기 위해서는, 고정되는 위치에 반응용기 거치대(120)가 설치될 수 있다.
상기 반응장치(100)는 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 고상 반응시키기 위해, 비활성가스 분위기 하에 100ppm 이하의 수분 및 산소 농도 조건을 유지할 수 있는데, 이를 위해, 상기 반응장치(100)를 덮는 반응장치 플랜지(130)가 구비되고, 상기 반응장치 플랜지(130)에는 홀이 형성되어, 교반기(200) 및 배기관(400)이 관통될 수 있다. 이로써, 생성물이 염화물 형태임에도 불구하고 불순물 없이 고순도의 우라늄 염화물을 높은 공정 효율로 제조할 수 있다.
또한, 상기 반응장치(100)는 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 고상 반응시키기 위해, 200 내지 300의 온도 조건을 유지할 수 있는데, 이와 같은 온도 범위에서 반응성을 향상시키면서도, 염화암모늄이 휘발되는 것을 방지할 수 있다.
상기 반응용기(110) 및 상기 반응장치(100)는 최대 300℃의 온도 조건에서도 부식되지 않고 열적 안정성을 보유한 재질을 선택할 수 있는데, 생성물이 염화물 형태임에도 불구하고 장치의 부식에 따른 문제점이 낮아, 장치의 재질을 선택할 수 있는 폭이 넓은 이점이 있다. 구체적으로, 상기 반응용기 및 상기 반응장치는 동일한 재질일 수 있고, 석영 재질인 것이 바람직하나, 이에 한정되지 않는다.
다음으로, 본 발명의 일 구현 예에 따른 고상 반응을 이용한 염화우라늄을 제조하기 위한 장치(10)는 상기 반응용기(110) 내부에 장입되고, 상기 우라늄 금속 및 상기 고상 염화암모늄을 교반하기 위한 교반기(200)를 포함한다.
구체적으로, 상기 교반기(200)는 상기 우라늄 금속 및 상기 고상 염화암모늄을 교반하기 위한 것으로, 상기 반응용기(119) 내부에 장입된 것을 특징으로 한다. 상기 교반은 저속 교반일 수 있고, 20rpm 내지 50rpm의 속도로 수행되는 것이 바람직한바, 이러한 저속 교반을 위해, 상기 교반기(200)의 상단에 감속모터(220)를 구비할 수 있다. 또한, 상기 교반기(200)는 고체상 물질들 간에 상하 교반을 효과적으로 수행시켜 공정 효율을 보다 높일 수 있도록, 상기 교반기(200)의 하단에 경사형 날개(211)를 가진 임펠러(210)를 구비할 수 있다. 이때, 경사형 날개(211)는 세로축을 기준으로 약 40° 내지 약 50°를 유지함으로써, 고체상 물질들 간에 상하 교반을 효과적으로 수행시켜 미반응 잔류물이 바닥에 존재하는 것을 최소화할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 일 구현 예에 따른 고상 반응을 이용한 염화우라늄을 제조하기 위한 장치(10)는 상기 반응용기(110)를 가열하기 위한 히터(300)를 포함한다.
구체적으로, 상기 히터(300)는 상기 반응용기(110)를 가열하여 고상 반응이 원활하게 수행되도록 하는 역할을 하는 것으로, 상기 히터(300)는 상기 반응 용기(110)가 장입된 반응장치(100)를 전부 또는 일부 둘러싸도록 배치될 수 있다. 상기 히터(300)는 상기 고상 반응이 200℃ 내지 300℃의 온도에서 수행될 수 있도록, 상기 반응용기(100)를 가열할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 일 구현 예에 따른 고상 반응을 이용한 염화우라늄을 제조하기 위한 장치(10)는 상기 고상 반응을 통해 생성된 암모니아 및 수소를 배기하기 위한 배기관(400)을 포함한다.
구체적으로, 상기 배기관(400)은 상기 고상 반응을 통해 생성된 암모니아 및 수소를 배기하기 위한 것으로, 상기 배기관(400)은 상기 반응장치(100)와 연결될 수 있다. 상기 배기관(400)은 암모니아 및 수소를 효과적으로 배기하기 위해서 상기 반응장치(100) 내부를 음압 조건으로 유지할 필요가 있고, 이러한 음압 조건으로 유지하기 위해서는 상기 배기관(400)에 배기장치(410)가 장착될 수 있다. 상기 배기장치(410)로는 펌프 또는 가스배기용 팬이 사용될 수 있다. 그밖에, 상기 배기관(400)은 암모니아 및 수소의 배기 정도를 조절하기 위한 밸브를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 상기 배기관(400) 내 암모니아 및 수소의 농도를 측정하기 위한 농도 측정기(420)를 추가로 포함할 수 있는데, 이러한 농도 측정기(420)를 통해 암모니아 및 수소의 농도를 측정하여 고상 반응 종료 시점을 결정할 수 있다. 예컨대, 상기 배기관(400) 내 암모니아 및 수소가 더 이상 검출되지 않는 시점을 고상 반응 종료 시점으로 결정할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 용융염 및 염소 가스를 사용하지 않고, 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 교반하여 고상 반응시킴으로써 염화우라늄을 제조할 수 있는 것을 특징으로 하는바, 단순 공정에 의해 불순물 없이 고순도의 우라늄 염화물을 높은 공정 효율로 제조할 수 있고, 원료 및 생성물의 취급이 매우 용이한 이점이 있다. 또한, 상기 고상 반응은 낮은 공정 운전온도에서 수행되기 때문에, 장치의 부식에 따른 문제점이 낮아, 장치의 재질을 선택할 수 있는 폭이 넓은 이점이 있다.
또한, 상기 고상 반응을 통해 생성된 암모니아 및 수소의 농도를 실시간으로 측정함으로써, 공정의 진행 정도를 실시간으로 모니터링할 수 있어 공정 제어가 용이한 이점이 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 하기 실시예에 의해 본 발명의 내용이 한정되는 것은 아니다.
[ 실시예 ]
실시예 1
염화암모늄(출처: 동양제철화학, 순도: 99%)을 약 150℃에서 열처리하여 수분을 제거함으로써, 약 1mm 크기의 입상 염화암모늄을 준비하였다.
그 다음, 도 2에 도시된 반응용기가 장입된 반응장치, 교반기, 히터 및 배기관을 포함하는 장치를 이용하여 고상 반응을 통해 염화우라늄을 제조하였다. 이때, 염화우라늄의 제조는 고순도(>99.999%)의 아르곤 가스로 채워진 글러브박스 내에서 수행되었다. 구체적으로, 우라늄 금속(펠렛 형태) 및 입상 염화암모늄을 혼합한 후, 석영 재질의 반응용기에 투입하였고, 이를 히터에 의해 약 275℃로 가열된 석영 재질의 반응장치 내에 장입하였다. 이때, 우라늄 금속(펠렛 형태) 및 입상 염화암모늄은 하기 식 1의 고상 반응에 따른 화학적 당량으로 혼합하였다:
U + 3NH4Cl → UCl3 + 3NH3 + 1.5H2 (식 1).
약 45° 경사형 날개를 가진 임펠러가 구비된 교반기를 이용하여 혼합된 우라늄 금속 및 입상 염화암모늄을 약 30 rpm의 속도로 상하 교반하여 상기 식 1의 고상 반응을 진행시켰다. 이후, 배기관을 이용하여 생성된 암모니아 및 수소를 배기시킨 후, 그 농도를 측정하였다. 암모니아 및 수소가 더 이상 검출되지 않는 시점을 고상 반응 종료 시점으로 결정함으로써, 염화우라늄을 최종 제조하였다.
도 4는 실시예 1에 따라 제조된 염화우라늄을 X선 회절 분석한 결과를 나타낸 그래프로서, 염화우라늄의 형태는 UCl3 및 UCl4인 것으로 확인된다. 이때, UCl4는 부반응에 의해 생성된 것으로 볼 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 염화우라늄의 제조장치, 100: 반응장치,
110: 반용용기, 120: 반응용기 거치대,
130: 반응장치 플랜지, 200: 교반기,
210: 임펠러, 211: 경사형 날개,
220: 감속모터, 300: 히터,
400: 배기관, 410: 배기장치,
420: 농도 측정기

Claims (10)

  1. 용융염 및 염소 가스를 사용하지 않는 염화우라늄의 제조방법으로서,
    (a) 우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 교반하여 고상 반응시키는 단계; 및
    (b) 상기 (a) 단계에서 고상 반응을 통해 생성된 암모니아 및 수소를 배기시키는 단계를 포함하고,
    상기 (a) 단계에서 고상 반응은 비활성가스 분위기 하에 100ppm 이하의 수분 및 산소 농도 조건과, 200 내지 300 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는,
    염화우라늄의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (a) 단계에서 고상 염화암모늄은 염화암모늄을 120℃ 내지 200℃의 온도에서 열처리함으로써 준비되는 것인
    염화우라늄의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 (a) 단계에서 교반은 20rpm 내지 50rpm의 속도로 수행되는 것인
    염화우라늄의 제조방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서,
    (c) 상기 (b) 단계에서 배기된 암모니아 및 수소의 농도를 측정하여 고상 반응의 종료 시점을 결정하는 단계를 추가로 포함하는
    염화우라늄의 제조방법.
  7. 용융염 및 염소 가스를 사용하지 않고 염화우라늄을 제조할 수 있는 염화우라늄의 제조장치로서,
    우라늄 금속 및 고상 염화암모늄을 비활성가스 분위기 하에 100ppm 이하의 수분 및 산소 농도 조건과, 200 내지 300 ℃의 온도에서 고상 반응시키기 위한 반응용기가 장입된 반응장치;
    상기 반응용기 내부에 장입되고, 상기 우라늄 금속 및 상기 고상 염화암모늄을 교반하기 위한 교반기;
    상기 반응용기를 가열하기 위한 히터; 및
    상기 고상 반응을 통해 생성된 암모니아 및 수소를 배기하기 위한 배기관을 포함하는
    염화우라늄의 제조장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 배기관에는 배기장치가 장착된 것인
    염화우라늄의 제조장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 배기관 내 암모니아 및 수소의 농도를 측정하기 위한 농도 측정기를 추가로 포함하는
    염화우라늄의 제조장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 교반기는 경사형 날개를 가진 임펠러를 구비하는
    염화우라늄의 제조장치.
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