KR101897179B1 - Method for manufacturing metal phosphide nanocrystal - Google Patents

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Abstract

본 발명은 비배위성 용매, III족 양이온의 전구체, 제1리간드 및 제2리간드에 배위된 백린(white phosphorus)을 혼합하여 열분해 반응에 의해 나노크리스탈을 합성하는 나노크리스탈 합성단계 및 합성된 상기 나노크리스탈을 침전시키는 침전단계를 포함하는 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법에 관한 것으로, 입자크기가 1.5 내지 2nm이고, 430 내지 550nm의 파장의 발광영역(emission range)을 갖는 매직 사이즈드(magic-sized) 메탈 포스파이드 나노크리스탈, MxPy(x,y는 10 내지 100 사이의 정수)의 구조식을 가지며, 발광스펙트럼의 반값전폭(FWHM)이 100nm 이하이고, 적어도 코어에서 30%의 포토루미네선스(photoluminescence) 양자 수율을 가진 메탈 포스파이드 나노크리스탈을 제공할 수 있다.The present invention relates to a nanocrystal synthesis step of synthesizing nanocrystals by a pyrolysis reaction by mixing a nonpolar solvent, a precursor of a Group III cation, a first ligand and white phosphorus coordinated to a second ligand, The present invention relates to a method for producing a metal-phosphide nanocrystal having a particle size of 1.5 to 2 nm and a magic-sized particle having an emission range of a wavelength of 430 to 550 nm. (FWHM) of the luminescence spectrum is 100 nm or less, and at least 30% of the photoluminescence of the core is a metal phosphide nano-crystal, M x P y (x and y are integers of 10 to 100) it is possible to provide a metal-phosphide nano-crystal having photoluminescence quantum yield.

Description

메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조 방법{Method for manufacturing metal phosphide nanocrystal}METHOD FOR MANUFACTURING METAL PHOSPHIDE NANOCYSTAL [0001]

본 발명은 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조 방법에 관한 것으로 더욱 구체적으로는 메탈 포스파이드로 형성된 매직 사이즈드 특성 및 발광 특성을 갖는 나노크리스탈의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a metal-phosphide nanocrystal, and more particularly, to a method of manufacturing a nanocrystal having a magic-sized characteristic and a light-emitting property formed of metal phosphide.

나노크리스탈(Nanocrystal)은 나노 크기의 결정질 입자로서 나노 크기의 단결정 자체나 나노 크기의 단결정들이 집합된 형태이다. 나노크리스탈의 형태는 크게 차원에 따라 구분되는데, 0차원에 해당하는 점이나 단일 구(sphere), 1차원에 해당하는 나노선, 나노막대 등, 2차원에 해당하는 나노디스크 등이 있다.Nanocrystal is a nano-sized crystalline particle, in which nano-sized single crystals themselves or nano-sized single crystals are aggregated. The shape of nanocrystals is largely classified according to the dimension, such as a zero-dimensional point, a single sphere, a one-dimensional nanowire, and a nanorod, which are two-dimensional nanodiscs.

0차원에 해당하는 형태인 점은 양자점(Quantum Dot)이라고도 부르며 나노 크기의 단결정들이 집합된 형태로서 빛 등의 에너지로 에너지 준위를 높이면 빛을 방출하고, 입자의 크기에 따라 방출하는 빛의 파장이 달라지므로 색상을 조절할 수 있는 특징이 있다. The point that corresponds to the zero dimension is also called a quantum dot (Quantum Dot). It is a form in which nano-sized single crystals are gathered. It emits light when the energy level is increased by the energy of light and the wavelength of light emitted according to the size of the particle There is a feature that can adjust the color because it is different.

나노크리스탈은 일반적으로 카드뮴(Cd)을 포함한 다양한 무기물을 이용하여 제조된다. 그러나 카드뮴의 경우 독성이 매우 높기 때문에 인체 및 환경에 해롭고, 이에 따라 각종 규제에서 사용을 제한하고 있는 추세이다.Nanocrystals are typically made using a variety of minerals including cadmium (Cd). However, cadmium is harmful to humans and the environment due to its high toxicity, and thus it is in a trend to restrict its use in various regulations.

이러한 추세에 따라 카드뮴이 없는 친환경 나노크리스탈을 개발하고자 3-5 족 나노크리스탈 개발을 시도하고 있고, 이중 가장 활발히 연구가 진행되고 있는 나노크리스탈은 포스파이드(phosphide)를 이용한 나노크리스탈이다.In this trend, we are trying to develop 3-5 family nano crystals in order to develop eco-friendly nano crystals without cadmium. The most actively studied nano crystals are nano crystals using phosphide.

포스파이드 나노크리스탈을 합성할 때, 인원(phosphorus source)으로는 다양한 물질이 사용되고 있으며, 주로 Tris(trimethylsilyl)phosphine(TMSP) 또는 Tris(dimethylamino)phosphine(TDAP)을 사용하고 있다. 그러나 상기 인원 물질은 그 자체를 합성하기 위하여 반응성이 높은 Trimethylsilyl-halide 혹은 Dimethylamino-halide 계열의 물질을 이용해야 하고, 물질 자체가 액상이면서 반응성이 높기 때문에 TMSP 원액의 경우에는 해외 수입조차 금지된 상황이다.A variety of phosphorus sources are used to synthesize phosphide nanocrystals, mainly using Tris (trimethylsilyl) phosphine (TMSP) or Tris (dimethylamino) phosphine (TDAP). However, since the above-mentioned human material should be a highly reactive Trimethylsilyl-halide or dimethylamino-halide material, the material itself is liquid and highly reactive, so even TMSP raw material is prohibited from being imported overseas .

이에 인원 물질로 백린(white phophorus)을 사용하여 나노크리스탈을 합성할 수 있는 방법에 대한 연구가 진행중이다. 백린은 적인(red phophorus)을 승화시킨 물질로서, 백린을 나노크리스탈 합성 반응에 이용하면 기존의 TMSP, TDAP를 이용할 때보다 반응 속도가 느려지기 때문에 나노크리스탈 크기 조절이 상대적으로 수월해지고 이 때문에 밴드갭 조절까지 용이해 진다.In this study, a method for synthesizing nanocrystals using white phophorus as a material is under study. When white phosphorus is used for the synthesis of nanocrystals, the reaction rate is slower than that of the conventional TMSP and TDAP, so that the nanocrystal size is relatively easy to control. As a result, the band gap It is easy to adjust.

백린을 이용한 나노크리스탈의 제조방법에 관한 특허로는 한국등록특허 제10-0675963호 및 한국등록특허 제10-0549402호가 있는데, 상기 두 특허는 백린을 금속염 형태(Na3P)로 사용하여 염이 반응 후 침전되는 현상을 이용한 공침법을 사용하였다. 그러나 상기 특허들은 백린 자체도 반응성이 매우 좋은데, 다루기 힘 든 금속 나트륨을 사용하여 반응성이 큰 Na3P로 나노크리스탈을 합성하므로, 대량 생산에 어려움이 있고, NaXP(X<3)형태의 불순물이 수반되는 단점이 있으며, 나노크리스탈의 크기를 조절하지 못하는 한계가 있다.Korean Patent No. 10-0675963 and Korean Patent No. 10-0549402 disclose patents relating to a method for producing nanocrystals using white phosphorus. The two patents disclose that the salt is used as a metal salt (Na 3 P) The coprecipitation method using the phenomenon of precipitation after reaction was used. However, the above-mentioned patents are very good in reactivity with the white lignite itself. Since the nano crystal is synthesized with Na 3 P having high reactivity by using metal sodium which is difficult to handle, it is difficult to mass-produce Na x P (X <3) There is a disadvantage that it is accompanied by impurities, and there is a limitation that the size of the nano-crystal can not be controlled.

1. 한국등록특허 제10-0675963호 (2007.01.23)1. Korean Patent No. 10-0675963 (Jan. 23, 2007) 2. 한국등록특허 제10-0549402호 (2006.01.27)2. Korean Patent No. 10-0549402 (2006.01.27) 3. 한국공개특허 제10-2014-0075038호 (2014.06.19)3. Korean Patent Publication No. 10-2014-0075038 (June 19, 2014) 4. 미국등록특허 US 5,505,928 (1996.04.09)4. US registered patent US 5,505,928 (April 4, 1996)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 백린을 사용하면서도 안정적으로 반응시켜 매직 사이즈드 특성 및 발광 특성을 갖는 메탈 포스파이드 나노크리스탈을 제조하는 방법을 제공하는 것이다. Disclosure of Invention Technical Problem [8] Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method for producing metal-phosphide nanocrystals having a magic size characteristic and a light emission characteristic by reacting stably with whitin.

그러나 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 비배위성 용매, III족 양이온의 전구체, 하기 화학식 1의 제1리간드 및 하기 화학식 2의 제2리간드에 배위된 백린(white phosphorus)을 혼합하여 열분해 반응에 의해 나노크리스탈을 합성하는 나노크리스탈 합성단계(S1); 및 상기 나노크리스탈 합성단계(S1) 후 합성된 상기 나노크리스탈을 침전시키는 침전단계(S2);를 포함하는 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a nanocrystal for synthesizing nanocrystals by a pyrolysis reaction by mixing a nonpolar solvent, a precursor of a group III cation, a first ligand of the following general formula (1) and a white phosphorus coordinated to a second ligand of the general formula Synthesis step S1; And a precipitation step (S2) of precipitating the nanocrystals synthesized after the nanocrystal synthesis step (S1). The present invention also provides a method of manufacturing a metal-phosphide nanocrystal.

[화학식 1] RCOOH [Chemical Formula 1] RCOOH

(R은 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C20알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C14아릴기)(R is hydrogen, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 14 aryl group)

[화학식 2] PRnH3-n [Formula 2] PR n H 3-n

(R은 C10-C30알킬기, n은 1 내지 3의 정수)(R is a C 10 -C 30 alkyl group, and n is an integer of 1 to 3)

상기 나노크리스탈 합성단계(S1)는, 상기 비배위성 용매에 상기 III족 양이온의 전구체를 혼합하여 제1용액을 제조하는 단계(S111), 상기 화학식 1의 제1리간드를 포함하는 제2용액을 제조하고, 상기 제1용액과 제조된 상기 제2용액을 혼합하는 단계(S112), 상기 화학식 2의 제2리간드에 배위된 백린(white phosphorus)을 포함하는 제3용액을 제조하고 상기 제2용액이 혼합된 상기 제1용액과 제조된 상기 제3용액을 혼합하는 단계(S113) 및 상기 제1용액, 제2용액 및 제3용액의 혼합물을 가열하여 반응시키는 단계(S114)를 포함하여 나노크리스탈을 합성하는 단계이다. The nanocrystal synthesis step (S1) comprises: preparing a first solution (S111) by mixing the precursor of the group III cations to the non-degradable solvent; preparing a second solution containing the first ligand of the general formula (S112) mixing the first solution and the second solution to prepare a third solution containing white phosphorus coordinated to the second ligand of Formula (2), and mixing the second solution (S113) of mixing the first solution and the third solution, and a step (S114) of heating and reacting a mixture of the first solution, the second solution and the third solution (S114) .

또는 상기 나노크리스탈 합성단계(S1)는, 상기 비배위성 용매에 상기 III족 양이온의 전구체를 혼합하여 제조한 제1용액을 가열하는 단계(S121), 상기 화학식 1의 제1리간드를 포함하는 제2용액을 제조하고, 가열된 제1용액과 제조된 상기 제2용액을 혼합하는 단계 (S122), 상기 화학식 2의 제2리간드에 백린(white phosphorus)을 배위시켜 제3용액을 제조하고, 상기 제2용액이 혼합되어 있는 가열된 제1용액과 제조된 상기 제3용액을 혼합하는 단계(S123) 및 상기 제1용액, 제2용액 및 제3용액이 혼합된 혼합물의 온도를 유지하여 열분해 반응시키는 단계(S124)를 포함하여 나노크리스탈을 합성하는 단계이다.Or the nanocrystal synthesis step (S1) comprises: (S121) heating (S121) a first solution prepared by mixing the precursor of the group III cations to the non-dominant solvent, and a second step (S122) mixing the heated first solution with the prepared second solution, preparing a third solution by coordinating white phosphorus with the second ligand of the formula (2) (S123) mixing the heated first solution with the first solution, the second solution, and the third solution, and maintaining the temperature of the mixture of the first solution, the second solution, and the third solution, And synthesizing nanocrystals including step S124.

또한 본 발명은 상기 나노크리스탈 합성단계(S1) 후 합성된 상기 나노크리스탈을 침전시키는 침전단계(S2); 및 상기 침전된 나노크리스탈을 비극성 용매에 분산시키는 분산단계(S3);를 포함하는 메탈 포스파이드 나노크리스탈 콜로이드 용액의 제조방법을 제공한다. The present invention also relates to a method for preparing a nanocrystal, comprising: a precipitation step (S2) of precipitating the synthesized nanocrystal after the nanocrystal synthesis step (S1); And dispersing the precipitated nanocrystals in a non-polar solvent (S3).

또한 본 발명은 제조된 메탈 포스파이드 나노크리스탈 콜로이드 용액에 유기 리간드를 혼합하여 반응시킨 후, 쉘 성분 전구체를 첨가하여 메탈 포스파이드 나노크리스탈에 쉘 층을 형성하는 단계(S4);를 포함하는 메탈 포스파이드 코어/쉘 나노크리스탈의 제조방법을 제공한다.The present invention also relates to a method for manufacturing a metal foil, comprising the steps of: (S4) mixing and mixing an organic ligand with a prepared metal phosphide nanocrystal colloid solution, and then adding a shell component precursor to form a shell layer on the metal phosphide nano- To provide a method for producing a free core / shell nano crystal.

본 발명은 특정 원자 수로 이루어져 균일한 크기를 갖는 매직 사이즈드 특성을 가지며, 특정 파장의 발광 영역의 우수한 발광 특성을 갖는 메탈 포스파이드 나노크리스탈을 제공할 수 있다. The present invention can provide a metal-phosphide nanocrystal having a magic-sized characteristic with a uniform size and a good emission characteristic of a light-emitting region having a specific wavelength.

본 발명은 백린을 금속염 형태로 사용하지 않기 때문에 반응이 안정적이어서 대량 생산에 적합하고, 진공화(degassing) 온도를 조절함으로써 나노크리스탈의 크기를 쉽게 조절하여 발광 성능이 매우 우수한 메탈 포스파이드 나노크리스탈을 제조할 수 있다.Since the present invention does not use white phosphorus in the form of a metal salt, it is suitable for mass production because the reaction is stable. By adjusting the degassing temperature, the size of the nanocrystal can be easily controlled, and the metal phosphide nano- Can be manufactured.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 나노크리스탈 합성단계의 개략도를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 합성된 나노크리스탈의 UV-vis 흡수 및 PL 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 합성된 나노크리스탈의 대량합성이 이루어진 UV-vis 흡수 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 합성된 나노크리스탈의 합성 중 시간에 따른 UV-vis 흡수 스펙트럼을 나타낸 것이다.
1 is a schematic diagram of a nanocrystal synthesis step according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows UV-vis absorption and PL spectra of nano-crystals synthesized according to Examples and Comparative Examples of the present invention.
FIG. 3 shows UV-vis absorption spectra of mass synthesized nanocrystals synthesized according to Examples and Comparative Examples of the present invention.
FIG. 4 shows UV-vis absorption spectra over time of synthesized nanocrystals according to Examples and Comparative Examples of the present invention. FIG.

이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.Before describing the present invention in detail, it is to be understood that the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the scope of the invention, which is defined solely by the appended claims. shall. All technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art unless otherwise stated.

본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.Throughout this specification and claims, the word "comprise", "comprises", "comprising" means including a stated article, step or group of articles, and steps, , Step, or group of objects, or a group of steps.

한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.On the contrary, the various embodiments of the present invention can be combined with any other embodiments as long as there is no clear counterpoint. Any feature that is specifically or advantageously indicated as being advantageous may be combined with any other feature or feature that is indicated as being preferred or advantageous. Hereinafter, embodiments of the present invention and effects thereof will be described with reference to the accompanying drawings.

1. 메탈 1. Metal 포스파이드Phosphide 나노크리스탈의Nano-crystal 제조방법 Manufacturing method

본 발명의 일실시예에 따른 메탈 포스파이드 나노크리스탈(metal phosphide nanocrystal)의 제조방법은 열분해 반응을 이용하여 III족 원소(M)를 포함하는 포스파이드(phosphide)로 구성되는 매직 사이즈드(magic-sized) 특성 및 발광(luminescence) 특성을 갖는 나노크리스탈을 제조하는 방법이다. A method of fabricating a metal phosphide nanocrystal according to an embodiment of the present invention includes a step of forming a magic-nitride structure including a phosphide including a group III element (M) sized and luminescence properties of a nanocrystal.

본 발명에 따라 제조된 메탈 포스파이드 나노크리스탈은 특정 원자 수로 이루어져 일정한 크기를 갖는 매직 사이즈드 특성을 가지며, 특정 파장의 발광 영역을 갖는 발광 특성을 갖는다. The metal-phosphide nanocrystals produced according to the present invention have a magic-sized characteristic with a certain size and a certain emission wavelength, and have emission characteristics with a specific wavelength.

본 발명에 따른 메탈 포스파이드 나노크리스탈 제조방법은 비배위성 용매, III족 양이온의 전구체, 하기 화학식 1의 제1리간드 및 하기 화학식 2의 제2리간드에 배위된 백린을 혼합하여 열분해 반응에 의해 나노크리스탈을 합성하는 나노크리스탈 합성단계(S1)를 포함한다.The metal-phosphide nanocrystals according to the present invention are prepared by mixing a noviro solvent, a precursor of a group III cation, a first ligand represented by the following general formula (1) and a second ligand represented by the following general formula (S1). &Lt; / RTI &gt;

[화학식 1] RCOOH  [Chemical Formula 1] RCOOH

(이때, R은 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C20알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C14아릴기)(Wherein R is hydrogen, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 14 aryl group)

[화학식 2] PRnH3-n [Formula 2] PR n H 3-n

(이때, R은 C10-C30알킬기, n은 1 내지 3의 정수)(Wherein R is a C 10 -C 30 alkyl group, and n is an integer of 1 to 3)

본 발명의 일실시예에 따른 나노크리스탈 합성단계(S1)는 히트-업(heat-up) 방식의 제1 실시예 및 핫 인젝션(hot injection) 방식의 제2 실시예로 나누어 설명한다. 도 1에 본 발명의 일실시예에 따른 나노크리스탈 합성단계의 개략도를 나타내었다. The nanocrystal synthesis step S1 according to an embodiment of the present invention is divided into a first embodiment of a heat-up method and a second embodiment of a hot injection method. FIG. 1 shows a schematic view of a nanocrystal synthesis step according to an embodiment of the present invention.

제1 실시예에 따른 나노크리스탈 합성단계(S11)는 대량생산에 적합한 히트-업(heat-up) 방식으로서, 비배위성 용매에 III족 양이온의 전구체를 혼합하여 제1용액을 제조하는 단계(S111), 상기 제1용액과 화학식 1의 제1리간드를 포함하는 제2용액을 혼합하는 단계(S112) 및 상기 화학식 2의 제2리간드에 배위된 백린(white phosphorus)을 포함하는 제3용액을 제조하고, 제2용액이 혼합된 제1용액과 제3용액을 혼합하는 단계(S113) 및 제1용액, 제2용액과 제3용액의 혼합물을 가열하여 반응시키는 단계(S114)를 포함하여 나노크리스탈을 합성한다.The nanocrystal synthesis step S11 according to the first embodiment is a heat-up method suitable for mass production, and includes the steps of preparing a first solution by mixing a precursor of a group III cations to a non-dominant solvent (S111 (S112) mixing the first solution and the second solution containing the first ligand of Formula (1) and preparing a third solution containing white phosphorus coordinated to the second ligand of Formula (2) (S113) of mixing the first solution and the third solution in which the second solution is mixed, and a step (S114) of heating and reacting the mixture of the first solution, the second solution and the third solution (S114) .

제1용액을 제조하는 단계(S111)는 비배위성 용매에 III족 양이온의 전구체를 반응기에 넣어 혼합하는 단계이다. The step of preparing the first solution (S111) is a step of mixing the precursor of the Group III cations into the non-polar solvent into the reactor.

비배위성 용매는 2,6,10,15,19,23-Hexamethyltetracosane(Squalane), 1-octadecene(ODE), Trioctylamine(TOA), Tributylphosphine oxide, Octadecene, Octadecylamine, Trioctylphosphine(TOP) 및 Trioctylphosphine oxide(TOPO)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. 바람직하게는 1- octadecene(ODE)을 사용하는 것이 좋다. The non-sparing solvents are 2,6,10,15,19,23-hexamethyltetracosane (Squalane), 1-octadecene (ODE), trioctylamine (TOA), tributylphosphine oxide, octadecene, octadecylamine, trioctylphosphine (TOP) and trioctylphosphine oxide And the like. Preferably, 1-octadecene (ODE) is used.

III족 양이온의 전구체는, III족 원소의 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 클로라이드(chloride), 아세테이트(acetate), 미리스테이트(Myristate), 미리스테이트 아세테이트(Myristate Acetate), 미리스테이트 2 아세테이트(Myristate 2 Acetate), 트리메틸(Trimethyl), 알킬(Alkyl) 및 아릴(Aryl) 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. 바람직하게는 III족 원소는 인듐(Indium)인 것이 좋고, 더욱 바람직하게는 인듐 전구체는 아세틸아세토네이트 화합물인 것이 좋다. The precursors of the Group III cations are selected from the group consisting of acetylacetonate, chloride, acetate, Myristate, Myristate Acetate, Myristate 2 Acetate, ), Trimethyl, alkyl (Alkyl), and aryl (Aryl) compounds. Preferably, the Group III element is indium, and more preferably the indium precursor is an acetylacetonate compound.

또한 제1용액을 제조하는 단계(S111)는 비배위성 용매에 III족 양이온의 전구체를 반응기에 넣어 혼합한 후 진공화(degassing)하는 단계를 포함한다. 진공화는 반응기 내부의 공기 중 수분을 빼 주는 것으로서, 진공화 시 온도는 90 내지 120℃에서 실시되는 경우 발광 특성이 우수한, 즉 발광 강도가 높은 메탈 포스파이드 나노크리스탈을 제조할 수 있어 바람직하다.In addition, the step (S111) of preparing the first solution includes a step of mixing the precursor of the group III cations into the non-polar solvent, mixing the mixture, and then degassing the precursor. Vacuumization removes moisture from the air inside the reactor, and when the vacuum is carried out at a temperature of 90 to 120 ° C, metal phosphide nano-crystals having excellent light emission characteristics, that is, metal phosphide nano crystals having high light emission intensity can be produced.

상온과 달리 진공화 온도를 높일수록 III족 양이온의 전구체에서 양이온과 결합되어 있던 물질이 반응에 참여하는 양이 줄게 되어 큰 입자 크기의 나노크리스탈을 제조할 수 있다. 즉, 진공화 온도를 조절하여 제조되는 나노크리스탈의 입자 크기를 조절할 수 있다. 진공화 시간은 60분 이상 이루어지는 것이 좋다. Unlike at room temperature, the higher the vacuum temperature, the less the amount of the material bound to the cations in the precursor of the group III cations is reduced, so that nanocrystals of large particle size can be produced. That is, it is possible to control the particle size of nanocrystals produced by adjusting the vacuum temperature. The vacuuming time is preferably 60 minutes or longer.

또한 제1용액을 제조하는 단계(S111)는 진공화를 실시한 후 반응기 내부를 불활성 기체로 퍼징(purging)시킬 수 있고, 불활성 기체는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 제논 및 라돈으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 사용한다. In addition, the step (S111) of preparing the first solution may be carried out by purging the inside of the reactor with an inert gas after vacuuming, and the inert gas may be selected from the group consisting of helium, neon, argon, krypton, Or more.

또한 제1용액을 제조하는 단계(S111)는 상기 온도에서 진공화가 실시된 제1용액을 상온(15 내지 25℃)까지 식힘으로써 상온에서 제2용액 및 제3용액과 혼합되도록 한다. In addition, the step (S111) of preparing the first solution may be performed by mixing the second solution and the third solution at room temperature by cooling the vacuumed first solution to room temperature (15 to 25 DEG C).

제2용액을 혼합하는 단계(S112)는 상기 화학식 1의 제1리간드를 포함하는 제2용액을 제조하고, 상기 제조된 제1용액과 혼합하는 단계이다. 즉 제2용액을 상온의 제1용액이 들어있는 반응기에 넣어 혼합한다.The step (S112) of mixing the second solution is a step of preparing a second solution containing the first ligand of the formula (1) and mixing with the first solution. That is, the second solution is put into a reactor containing the first solution at room temperature and mixed.

제1리간드는 카르복실산(carboxylic acid) 계열 화합물, 포스폰산(phosphonic acid) 계열 화합물이거나, 상기 두 화합물의 혼합물을 사용한다. 더욱 구체적으로 카복실산 계열 화합물은 올레산(Oleic acid), 팔마틱산(Palmatic acid), 스테아릭산(Stearic aicd), 리놀렌산(Linoleic acid), 미리스틱산(Myristic aicd) 및 라우르산(Lauric acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있고, 포스폰산 계열 화합물은 헥실포스폰산 (Hexylphosphonic acid), 옥타데실포스폰산 (Octadecylphosphonic acid), 테트라데실포스폰산 (Tetradecylphosphonic acid), 헥사데실포스폰산 (hexadecylphosphonic acid), 데실포스폰산 (Decylphosphonic acid), 옥틸포스폰산 (Octylphosphonic acid) 및 부틸포스폰산 (Butylphosphonic acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. 바람직하게는 올레산 (Oleic acid) 을 사용하는 것이 좋다.The first ligand may be a carboxylic acid-based compound, a phosphonic acid-based compound, or a mixture of the two compounds. More specifically, the carboxylic acid-based compound is a compound of oleic acid, paletic acid, stearic acid, linoleic acid, myristic aicd and lauric acid. And the phosphonic acid-based compound may be at least one selected from the group consisting of hexylphosphonic acid, octadecylphosphonic acid, tetradecylphosphonic acid, hexadecylphosphonic acid, And may be at least one selected from the group consisting of decylphosphonic acid, octylphosphonic acid and butylphosphonic acid. It is preferable to use oleic acid.

제2용액이 혼합된 제1용액과 제3용액을 혼합하는 단계(S113)는 상기 화학식 2의 제2리간드에 백린(white phosphorus)을 배위시켜 제3용액을 제조하고, 제조된 제3용액을 상기 제1용액과 제2용액이 혼합된 혼합물과 혼합하는 단계이다. 즉 제3용액을 상온의 제1용액과 제2용액이 혼합된 혼합물이 들어있는 반응기에 넣어 혼합한다.The step (S113) of mixing the first solution and the third solution in which the second solution is mixed is a step of preparing a third solution by coordinating white phosphorus with the second ligand of the formula (2) And mixing the mixture with the mixture of the first solution and the second solution. That is, the third solution is put into a reactor containing a mixture of the first solution and the second solution at room temperature.

제2리간드의 종류에 따라 제조되는 나노크리스탈의 크기를 조절할 수 있다. 제2리간드는 알킬포스핀(alkylphosphine) 계열 화합물을 사용한다. 더욱 구체적으로 알킬포스핀 계열 화합물은 트리에틸 포스핀(triethyl phosphine), 트리부틸 포스핀(tributyl phosphine), 트리옥틸 포스핀(trioctyl phosphine), 트리페닐 포스핀(triphenyl phosphine) 및 트리시클로헥실 포스핀(tricyclohexyl phosphine)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. 바람직하게는 트리옥틸 포스핀(trioctyl phosphine)을 사용하는 것이 좋다. The size of nanocrystals produced according to the type of the second ligand can be controlled. The second ligand uses an alkylphosphine-based compound. More specifically, the alkylphosphine-based compounds include triethyl phosphine, tributyl phosphine, trioctyl phosphine, triphenyl phosphine, and tricyclohexyl phosphine (tricyclohexyl phosphine). It is preferable to use trioctyl phosphine.

상기 제2리간드에 백린(white phosphorus)을 첨가하여 제2리간드 화합물에 백린을 배위시킨다. 제2리간드에 백린을 배위시켜 제3용액을 제조한다. 제1리간드와 제2리간드에 배위된 백린의 비율은 백린 및 제1리간드의 몰비가 1:0.1 내지 1:10 범위 내 이도록 한다. 제2리간드에 배위된 백린에 대한 제1리간드의 몰비가 0.1 미만인 경우 제1용액 내의 III족 양이온의 전구체를 충분히 안정화시킬 수 없어 금속 형태로 석출되는 문제가 있고, 10 을 초과하는 경우 제1용액 내의 III족 양이온의 전구체가 과도하게 안정화되어 제2리간드에 배위된 백린과 반응을 하지 않는 문제가 있다. White phosphorus is added to the second ligand to coordinate the leucine to the second ligand compound. And the second ligand is coordinated with the wax to prepare a third solution. The ratio of the first ligand to the coordinated to the second ligand is such that the molar ratio of the first ligand to the first ligand is within the range of 1: 0.1 to 1:10. If the molar ratio of the first ligand to the phosphorus coordinated to the second ligand is less than 0.1, there is a problem that the precursor of the group III cations in the first solution can not be sufficiently stabilized, The precursor of the group III cations in the first ligand is excessively stabilized and does not react with the white ligand coordinated to the second ligand.

제2리간드에 백린을 첨가하는 경우, 백린이 제2리간드에 배위됨으로써 새로운 유기 복합체를 형성한 제3용액 형태로 제2용액이 혼합된 제1용액과 혼합한 후 가열하여 열분해 반응시킬 때 더욱 안정적인 반응이 가능하도록 한다. When white is added to the second ligand, the first ligand is coordinated with the first ligand to form a new organic complex, and then mixed with the first solution mixed with the second solution. Make the reaction possible.

상기 제조된 제1용액과 제3용액의 혼합 비율은 제1용액의 III족 양이온의 전구체 및 제2용액의 백린의 몰비가 1:0.1 내지 1:1 범위 내 이도록 혼합한다. III족 양이온의 전구체에 대한 백린의 몰비가 0.1 미만인 경우 나노크리스탈 합성 효율이 떨어지는 문제점이 있고, 1을 초과할 경우 발광 특성이 현저하게 떨어지는 문제점이 있다. The mixing ratio of the first solution to the third solution is such that the molar ratio of the precursor of the group III cations of the first solution and the white solution of the second solution is in the range of 1: 0.1 to 1: 1. When the molar ratio of the precursor to the precursor of the group III cations is less than 0.1, there is a problem that the synthesis efficiency of the nano-crystals is lowered, and when the mole ratio is more than 1, there is a problem that the luminescent properties are remarkably lowered.

제2용액이 혼합된 제1용액과 제3용액의 혼합물을 가열하여 반응시키는 단계(S114)는 제조된 제1용액 및 제2용액. 제3용액의 혼합물을 가열함으로써 열분해 반응을 일으키는 단계이다.The step (S114) of heating and reacting the mixture of the first solution and the third solution in which the second solution is mixed is performed in the first solution and the second solution. And the pyrolysis reaction is caused by heating the mixture of the third solution.

가열 온도는 250 내지 350℃ 이다. 더욱 구체적으로는 5 내지 10 ℃/min 의 속도로 가열하여 상기 범위의 온도에 도달하게 함으로써 열분해 반응을 일으킨다. 가열 온도가 150℃ 미만인 경우 충분한 열분해 반응이 일어나지 않는 문제가 있고, 400℃ 초과인 경우 반응 속도는 향상되지만 반응 물질이 변질되는 문제가 있다.The heating temperature is 250 to 350 占 폚. More specifically, it is heated at a rate of 5 to 10 占 폚 / min to reach a temperature within the above range, thereby causing a pyrolysis reaction. When the heating temperature is lower than 150 ° C., there is a problem that sufficient thermal decomposition reaction does not occur. When the heating temperature is higher than 400 ° C., the reaction rate is improved but the reaction material is deteriorated.

상기 온도로 가열한 후 20분 이상 가열된 온도를 유지하여 메탈 포스파이드 나노크리스탈을 합성한다. 20분 이상 가열된 온도를 유지하여야 일정한 크기를 갖는 매직 사이즈드 특성을 갖는 나노크리스탈이 합성된다.After heating to the above temperature, the metal phosphoride nanocrystals are synthesized by maintaining the heated temperature for 20 minutes or more. Nanocrystals with a magic size characteristic of a certain size are synthesized by maintaining the heated temperature for 20 minutes or more.

제2 실시예에 따른 나노크리스탈 합성단계(S12)는 소량 생산에 적합한 핫 인젝션(hot injection) 방식으로서, 비배위성 용매에 III족 양이온의 전구체를 혼합하여 제조한 제1용액을 가열하는 단계(S121), 상기 화학식 1의 제1리간드를 포함하는 제2용액을 가열된 제1용액과 혼합하는 단계(S122), 상기 화학식 2의 제2리간드에 백린(white phosphorus)을 배위시켜 제조한 제3용액을 제조하고, 상기 가열된 제2용액이 혼합되어 있는 제1용액과 제3용액을 혼합하는 단계(S123) 및 상기 제1용액, 제2용액 및 제3용액의 혼합물의 온도를 유지하여 열분해 반응시키는 단계(S124)를 포함하여 나노크리스탈을 합성한다. The nanocrystal synthesis step S12 according to the second embodiment is a hot injection method suitable for small volume production and includes heating a first solution prepared by mixing a precursor of a Group III cation to a non-conjugated solvent (S121 ), Mixing a second solution containing the first ligand of Formula 1 with a heated first solution (S122), mixing a third solution prepared by coordinating white phosphorus with the second ligand of Formula (2) (S123) mixing the first solution and the third solution in which the heated second solution is mixed, and maintaining the temperature of the mixture of the first solution, the second solution and the third solution, (S124) to synthesize nanocrystals.

제2 실시예에 따른 나노크리스탈 합성단계(S12)는 제1 실시예에 따른 나노크리스탈 합성단계(S11)와는 달리 제1용액과 제2용액, 제3용액을 혼합하기 이전에 제1용액을 가열한 후 가열된 온도에서 제2용액과 제3용액을 순차적으로 빠르게 투입하여 나노크리스탈을 합성한다.The nanocrystal synthesis step S12 according to the second embodiment is different from the nanocrystal synthesis step S11 according to the first embodiment in that the first solution is heated before the first solution, the second solution and the third solution are mixed And then the second solution and the third solution are rapidly injected at a heated temperature in rapid succession to synthesize nanocrystals.

제1용액을 가열하는 단계(S121)는 먼저 비배위성 용매에 III족 양이온의 전구체를 반응기에 넣어 혼합하여 제1용액을 제조한 후 제조된 제1용액을 가열하는 단계이다. The step of heating the first solution (S121) is a step of mixing the precursor of the group III cations into the non-saturated solvent into the reactor to mix the first solution and then heating the first solution.

비배위성 용매는 2,6,10,15,19,23-Hexamethyltetracosane(Squalane), 1-octadecene(ODE), Trioctylamine(TOA), Tributylphosphine oxide, Octadecene, Octadecylamine, Trioctylphosphine(TOP) 및 Trioctylphosphine oxide(TOPO)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. 바람직하게는 1- octadecene(ODE)을 사용하는 것이 좋다. The non-sparing solvents are 2,6,10,15,19,23-hexamethyltetracosane (Squalane), 1-octadecene (ODE), trioctylamine (TOA), tributylphosphine oxide, octadecene, octadecylamine, trioctylphosphine (TOP) and trioctylphosphine oxide And the like. Preferably, 1-octadecene (ODE) is used.

III족 양이온의 전구체는, III족 원소의 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 클로라이드(chloride), 아세테이트(acetate), 미리스테이트(Myristate), 미리스테이트 아세테이트(Myristate Acetate), 미리스테이트 2 아세테이트(Myristate 2 Acetate), 트리메틸(Trimethyl), 알킬(Alkyl) 및 아릴(Aryl) 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. 바람직하게는 III족 원소는 인듐(Indium)인 것이 좋고, 더욱 바람직하게는 인듐 전구체는 아세틸아세토네이트 화합물인 것이 좋다. The precursors of the Group III cations are selected from the group consisting of acetylacetonate, chloride, acetate, Myristate, Myristate Acetate, Myristate 2 Acetate, ), Trimethyl, alkyl (Alkyl), and aryl (Aryl) compounds. Preferably, the Group III element is indium, and more preferably the indium precursor is an acetylacetonate compound.

또한 제1용액을 가열하는 단계(S121)는 비배위성 용매에 III족 양이온의 전구체를 반응기에 넣어 혼합한 후 진공화(degassing)하는 단계를 포함한다. 진공화는 반응기 내부의 공기에 포함된 수분을 빼주는 것으로서, 진공화 시 온도는 제한되지 않지만 90 내지 120℃에서 실시되는 경우 발광 특성이 우수한, 즉 발광 강도가 높은 메탈 포스파이드 나노크리스탈을 제조할 수 있어 바람직하다. In addition, the step of heating the first solution (S121) includes a step of mixing the precursor of the Group III cations into the non-polar solvent and mixing and degassing the mixture. Vacuumization removes moisture contained in the air inside the reactor. Although the temperature during vacuumization is not limited, when the reaction is carried out at 90 to 120 ° C, metal-phosphide nano-crystals having excellent luminescence characteristics, that is, .

상온과 달리 진공화 온도를 높일수록 III족 양이온의 전구체에서 양이온과 결합되어 있던 물질이 반응에 참여하는 양이 줄게 되어 큰 입자 크기의 나노크리스탈을 제조할 수 있다. 즉, 진공화 온도를 조절하여 제조되는 나노크리스탈의 입자 크기를 조절할 수 있다. 진공화 시간은 60분 이상 이루어지는 것이 좋다. Unlike at room temperature, the higher the vacuum temperature, the less the amount of the material bound to the cations in the precursor of the group III cations is reduced, so that nanocrystals of large particle size can be produced. That is, it is possible to control the particle size of nanocrystals produced by adjusting the vacuum temperature. The vacuuming time is preferably 60 minutes or longer.

또한 제1용액을 가열하는 단계(S121)는 진공화를 실시한 후 반응기 내부를 불활성 기체로 퍼징(purging)시킬 수 있고, 불활성 기체는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 제논 및 라돈으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 사용한다.Further, the step of heating the first solution (S121) may be performed by purging the inside of the reactor with an inert gas after vacuuming, and the inert gas may be selected from the group consisting of helium, neon, argon, krypton, Or more.

제1용액을 가열하는 단계(S121)는 제1 실시예에 따른 나노크리스탈 합성단계(S11)에서 진공화가 실시된 제1용액을 상온까지 식히는 것과는 달리 진공화가 실시된 온도에서 250 내지 350℃로 가열한다. 더욱 구체적으로는 10 내지 15 ℃/min 의 속도로 가열하여 상기 범위의 온도에 도달하게 한다. The step of heating the first solution (S121) is different from the cooling of the first solution subjected to the vacuumization in the nanocrystal synthesis step (S11) according to the first embodiment to a temperature of 250 to 350 ° C do. More specifically, it is heated at a rate of 10 to 15 DEG C / min to reach the temperature in the above range.

제2용액을 혼합하는 단계(S122)는 상기 화학식 1의 제1리간드를 포함하는 제2용액을 상기 범위의 온도로 가열된 제1용액에 빠르게 투입하여 혼합하는 단계이다.The step of mixing the second solution (S122) is a step of rapidly injecting the second solution containing the first ligand of the formula (1) into the first solution heated to the above-mentioned range and mixing the solution.

제2용액은 상기 화학식 1의 제1리간드를 포함한다. 제1리간드는 카복실산 계열 화합물이며 구체적인 예는 제1실시예에서 기술한 것과 동일하다.The second solution contains the first ligand of the above formula (1). The first ligand is a carboxylic acid-based compound, and specific examples thereof are the same as those described in the first embodiment.

제3용액을 혼합하는 단계(S123)는 상기 제2리간드에 백린(white phosphorus)을 첨가하여 제3용액을 제조하고, 상기 범위의 온도로 가열된 제2용액이 혼합된 제1용액에 제3용액을 빠르게 투입하는 단계이다. 제2리간드는 알킬포스핀(alkylphosphine) 계열 화합물을 사용한다. 알킬포스핀 계열 화합물의 구체적인 예는 제1실시예에서 기술한 것과 동일하다. The step of mixing the third solution (S123) comprises adding a white phosphorus to the second ligand to prepare a third solution, and adding a third solution to the first solution mixed with the second solution heated to the temperature within the range This is a step of rapidly injecting the solution. The second ligand uses an alkylphosphine-based compound. Specific examples of the alkylphosphine-based compound are the same as those described in the first embodiment.

제1리간드와 제2리간드에 배위된 백린의 비율은 백린 및 제1리간드의 몰비가 1:0.1 내지 1:10 범위 내 이도록 한다. 제2리간드에 배위된 백린에 대한 제1리간드의 몰비가 0.1 미만인 경우 제1용액 내의 III족 양이온의 전구체를 충분히 안정화시킬 수 없어 금속 형태로 석출되는 문제가 있고, 10 을 초과하는 경우 제1용액 내의 III족 양이온의 전구체가 과도하게 안정화되어 제2리간드에 배위된 백린과 반응을 하지 않는 문제가 있다. The ratio of the first ligand to the coordinated to the second ligand is such that the molar ratio of the first ligand to the first ligand is within the range of 1: 0.1 to 1:10. If the molar ratio of the first ligand to the phosphorus coordinated to the second ligand is less than 0.1, there is a problem that the precursor of the group III cations in the first solution can not be sufficiently stabilized, The precursor of the group III cations in the first ligand is excessively stabilized and does not react with the white ligand coordinated to the second ligand.

제2리간드에 백린을 첨가하는 경우, 백린이 제2리간드에 배위됨으로써 새로운 유기 복합체를 형성한 제3용액 형태로 제2용액이 혼합된 제1용액과 혼합한 후 가열하여 열분해 반응시킬 때 더욱 안정적인 반응이 가능하도록 한다.When white is added to the second ligand, the first ligand is coordinated with the first ligand to form a new organic complex, and then mixed with the first solution mixed with the second solution. Make the reaction possible.

상기 제조된 제1용액과 제3용액의 혼합 비율은 제1용액의 III족 양이온의 전구체 및 제3용액의 백린의 몰비가 1:0.1 내지 1:1 범위 내 이도록 혼합한다. III족 양이온의 전구체에 대한 백린의 몰비가 0.1 미만인 경우 나노크리스탈 합성 효율이 떨어지는 문제점이 있고, 1을 초과할 경우 발광 특성이 현저하게 떨어지는 문제점이 있다. The mixing ratio of the first solution and the third solution is such that the molar ratio of the precursor of the group III cations of the first solution and the white solution of the third solution is in the range of 1: 0.1 to 1: 1. When the molar ratio of the precursor to the precursor of the group III cations is less than 0.1, there is a problem that the synthesis efficiency of the nano-crystals is lowered, and when the mole ratio is more than 1, there is a problem that the luminescent properties are remarkably lowered.

열분해 반응시키는 단계(S124)는 250 내지 350℃로 가열된 제1용액에 제2용액과 빠르게 투입되고 곧바로 제3용액이 투입된 혼합물의 가열된 온도를 유지하여 고온에서 짧은 시간 동안 열분해 반응을 시켜 메탈 포스파이드 나노크리스탈을 합성하는 단계이다.The pyrolysis reaction (S124) is performed by rapidly introducing the second solution into the first solution heated at 250 to 350 ° C. and maintaining the heated temperature of the mixture in which the third solution is immediately introduced, thereby performing pyrolysis reaction at a high temperature for a short time, Phosphide nanocrystals are synthesized.

열분해 반응시키는 단계(S124)는 250 내지 350℃로 가열된 제1용액에 제2용액과 빠르게 투입되고 곧바로 제3용액을 투입한 뒤 20분 내지 60분 유지하여 열분해 반응을 통해 나노크리스탈을 합성한다. 20분 이상 온도를 유지하여야 나노크리스탈이 합성되며, 60분 이내로 특정 원자 수로 이루어져 일정한 크기를 갖는 매직 사이즈드 특성을 갖는 나노크리스탈이 합성된다.The step of performing the thermal decomposition reaction (S124) is carried out by rapidly introducing the second solution into the first solution heated to 250 to 350 ° C, immediately adding the third solution, holding the mixture for 20 to 60 minutes, and synthesizing nanocrystals through pyrolysis . The nanocrystals are synthesized by maintaining the temperature for 20 minutes or more, and within a period of 60 minutes, nanocrystals having a magic size characteristic of a certain size are synthesized.

본 발명에 따른 메탈 포스파이드 나노크리스탈 제조방법은 상기 나노크리스탈 합성단계(S1) 후 합성된 상기 나노크리스탈을 침전시키는 침전단계(S2)를 포함하여 침전된 나노크리스탈을 얻는다. The method for preparing a metal-phosphide nano-crystal according to the present invention includes a precipitation step (S2) for precipitating the nanocrystals synthesized after the nanocrystal synthesis step (S1) to obtain a precipitated nanocrystal.

본 발명의 일실시예에 따른 침전단계(S2)는 합성된 나노크리스탈이 포함된 용액에 반 용매(anti-solvent)를 첨가하여 나노크리스탈을 침전시키는 단계이다. In the precipitation step S2 according to an embodiment of the present invention, an anti-solvent is added to a solution containing the synthesized nanocrystal to precipitate the nanocrystal.

반 용매는 에탄올, 메탄올, 부탄올, 프로판올, 아이소프로필알코올, 테트라하이드로퓨란, 다이메틸설폭시드, 디메틸포름아미드 및 아세톤 등으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상일 수 있다.The semi-solvent may be any one or more selected from the group consisting of ethanol, methanol, butanol, propanol, isopropyl alcohol, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, dimethylformamide and acetone.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 메탈 포스파이드 나노크리스탈 콜로이드 용액의 제조방법은 본 발명에 따른 침전단계(S2)에서 얻은 침전된 나노크리스탈을 비극성 용매에 분산시키는 분산단계(S3)를 포함하여 메탈 포스파이드 나노크리스탈 콜로이드 용액을 제조한다. The method for preparing a metal-phosphide nanocrystalline colloid solution according to another embodiment of the present invention includes a dispersing step (S3) of dispersing the precipitated nanocrystals obtained in the precipitation step (S2) according to the present invention into a nonpolar solvent A metal-phosphide nano-crystal colloidal solution is prepared.

더욱 구체적으로 메탈 포스파이드 나노크리스탈 콜로이드 용액의 제조방법은 비배위성 용매, III족 양이온의 전구체, 상기 화학식 1의 제1리간드 및 상기 화학식 2의 제2리간드에 배위된 백린(white phosphorus)을 혼합하여 열분해 반응에 의해 나노크리스탈을 합성하는 나노크리스탈 합성단계(S1), 합성된 나노크리스탈을 침전시키는 침전단계(S2) 및 침전된 나노크리스탈을 비극성 용매에 분산시키는 분산단계(S3)를 포함한다.More specifically, a method for producing a metal-phosphide nanocrystalline colloid solution includes mixing a non-conjugated solvent, a precursor of a Group III cation, a first ligand of Formula 1, and white phosphorus coordinated to a second ligand of Formula 2, A nanocrystal synthesis step (S1) for synthesizing nanocrystals by a thermal decomposition reaction, a precipitation step (S2) for precipitating the synthesized nanocrystals, and a dispersion step (S3) for dispersing the precipitated nanocrystals in a nonpolar solvent.

본 발명의 일실시예에 따른 분산단계(S3)는 침전된 나노크리스탈을 비극성 용매에 분산시키는 단계로서, 콜로이드 상의 나노크리스탈을 제조할 수 있다. The dispersing step S3 according to an embodiment of the present invention is a step of dispersing the precipitated nanocrystals in a non-polar solvent, and can produce colloidal nanocrystals.

비극성 용매는 헥산, 톨루엔, 벤젠, 옥테인, 클로로포름, 클로로벤젠, 테트라히드로푸란(THF). 펜테인, 헵테인, 데케인, 염화메틸렌, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 디에틸에테르(diethyl ether), 사이클로헥세인 및 다이클로로벤젠으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상일 수 있다.Nonpolar solvents include hexane, toluene, benzene, octane, chloroform, chlorobenzene, tetrahydrofuran (THF). Is selected from the group consisting of pentane, heptane, decane, methylene chloride, 1,4-dioxane, diethyl ether, cyclohexane and dichlorobenzene. .

본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 코어/쉘 나노크리스탈의 제조방법은 상기 나노크리스탈 합성단계(S1), 상기 침전단계(S2) 및 상기 분산단계(S3)를 포함하여 얻은 메탈 포스파이드 나노크리스탈 콜로이드 용액에 유기 리간드를 혼합하여 반응시킨 후, 쉘 성분 전구체를 첨가하여 메탈 포스파이드 나노크리스탈에 쉘 층을 형성하는 단계(S4)를 포함한다. 쉘 층을 형성함으로써 나노크리스탈의 발광 강도를 현저하게 증가시킬 수 있다. A method of manufacturing a core / shell nanocrystal according to another embodiment of the present invention includes the steps of: (a) forming a metal-nano-crystal nanocrystal Mixing and reacting the colloidal solution with an organic ligand, and then adding a shell component precursor to form a shell layer on the metal-phosphide nanocrystal (S4). By forming the shell layer, the emission intensity of the nanocrystals can be remarkably increased.

유기 리간드는 TOP (trioctylphosphine), TOPO (trioctylphosphine oxide), 올레산 (oleic acid), 올레일아민 (oleylamine), 옥틸아민 (octylamine), 트리옥틸아민 (trioctyl amine), 헥사데실아민 (hexadecylamine), 옥탄티올 (octanethiol), 도데칸티올 (dodecanethiol), 헥실포스폰산 (HPA), 테트라데실포스폰산 (TDPA) 및 옥틸포스핀산 (OPA)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다.The organic ligand may be selected from the group consisting of trioctylphosphine (TOP), trioctylphosphine oxide (TOPO), oleic acid, oleylamine, octylamine, trioctylamine, hexadecylamine, octadecanol, octanethiol, dodecanethiol, hexylphosphonic acid (HPA), tetradecylphosphonic acid (TDPA), and octylphosphinic acid (OPA).

쉘 층은 ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaN, GaP, GaSb, GaS, GaSe, GaTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, InAs, InN, InP, InSb, InS, InSe, InTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, AlAs, AlN, AlP, AlSb, MgO, MgS, MgSe, MgTe, CdZnS, CdZnSe, CdSSe, CaO, CaS, CaSe, CaTe, GaAsP, GaTeSe, GaLnSe, SrO, SrS, SrSe, SrTe, InGaAs, InAsP, InSeTe, BaO, BaS, BaSe, BaTe 및 ZnSSe 로 구성되는 군에서 선택되는 층일 수 있다. The shell layer is made of ZnS, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaN, GaP, GaSb, GaS, GaSe, GaTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, InAs, InN, InP, InSb, InS, InSe, InTe, HgO, HgS , HgSe, HgTe, AlAs, AlN, AlP, AlSb, MgO, MgSe, MgTe, CdZnS, CdZnSe, CdSSe, CaO, CaS, CaTe, GaAsP, GaTeSe, GaLnSe, SrO, SrS, SrSe, SrTe, InGaAs , InAsP, InSeTe, BaO, BaS, BaSe, BaTe, and ZnSSe.

예를 들어 ZnSSe 쉘 층을 형성하는 경우 메탈 포스파이드 나노크리스탈 콜로이드 용액에 유기 리간드를 혼합하여 반응시킨 후 아연 전구체, 셀레늄 황 전구체를 첨가하여 메탈 포스파이드 코어에 ZnSSe 쉘 층을 형성한다.For example, when a ZnSSe shell layer is formed, an organic ligand is mixed and reacted with a metal phosphide nanocrystalline colloid solution, and then a zinc precursor and a selenium sulfur precursor are added to form a ZnSSe shell layer on the metal phosphide core.

아연 전구체는 이에 한정되지는 않으나, 디메틸 아연(dimethyl zinc), 디에틸 아연(diethyl zinc), 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 아세테이트 이수화물(Zinc acetate dihydrate), 아연 아세틸아세토네이트 (Zinc acetylacetonate), 아연 아세틸아세토네이트 수화물 (Zinc acetylacetonate hydrate), 아연 아이오다이드(Zinc iodide), 아연 브로마이드(Zinc bromide), 아연 클로라이드(Zinc chloride), 아연 플루오라이드(Zinc fluoride), 아연 플루오라이드 사수화물(Zinc fluoride tetrahydrate), 아연 카보네이트(Zinc carbonate), 아연 시아나이드(Zinc cyanide), 아연 나이트레이트(Zinc nitrate), 아연 나이트레이트 육수화물(Zinc nitrate hexahydrate), 아연 옥사이드(Zinc oxide), 아연 퍼옥사이드(Zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(Zinc perchlorate), 아연 퍼클로레이트 육수화물(Zinc perchlorate hexahydrate), 아연 설페이트(Zinc sulfate), 디페닐 아연(Diphenyl zinc), 아연 나프탈레이트 (Zinc naphthenate), 아연 올리에이트(Zinc oleate) 및 아연 스테레이트(Zinc stearate)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. Zinc precursors include, but are not limited to, dimethyl zinc, diethyl zinc, zinc acetate, zinc acetate dihydrate, zinc acetylacetonate, Zinc acetylacetonate hydrate, Zinc iodide, Zinc bromide, Zinc chloride, Zinc fluoride, Zinc fluoride, Zinc fluoride, tetrahydrate, zinc carbonate, zinc cyanide, zinc nitrate, zinc nitrate hexahydrate, zinc oxide, zinc peroxide ), Zinc perchlorate, zinc perchlorate hexahydrate, zinc sulfate, diphenylsulfate, Open (Diphenyl zinc), may be at least one that is selected from the group consisting of zinc naphthalate (Zinc naphthenate), zinc oleate (Zinc oleate) and zinc stearyl acrylate (Zinc stearate).

황 전구체는 이에 한정되지는 않지만, 황 분말, 트리메틸실릴설퍼(trimethylsilyl sulfur), 비스(트리메틸실릴)설파이드 및 알킬 티올(alkyl thiol)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다.The sulfur precursor may be, but is not limited to, one or more selected from the group consisting of sulfur powder, trimethylsilyl sulfur, bis (trimethylsilyl) sulfide, and alkyl thiol.

쉘 층을 형성하는 단계(S4)는 더욱 구체적으로 메탈 포스파이드 나노크리스탈 콜로이드 용액에 유기 리간드를 주입한 후 150 내지 250에서 10분 내지 1시간 동안 반응시킨다. 그 후 상기 용액에 쉘 성분 전구체 및 용매를 같은 온도에서 1 내지 20분 동안 서서히 주입한다. 여기에 반 용매를 첨가하여 코어/쉘(메탈 포스파이드/ZnS) 나노크리스탈을 침전시킬 수 있다. More specifically, the step (S4) of forming the shell layer is performed by injecting the organic ligand into the metal phosphide nanocrystal colloid solution and then reacting at 150 to 250 for 10 minutes to 1 hour. The shell component precursor and solvent are then slowly added to the solution at the same temperature for 1 to 20 minutes. A semi-solvent may be added to precipitate the core / shell (metal phosphide / ZnS) nanocrystals.

2. 매직 2. Magic 사이즈드Size 메탈  metal 포스파이드Phosphide 나노크리스탈Nano crystal

본 발명의 일실시예에 따라 제조된 나노크리스탈은 메탈 포스파이드 나노크리스탈로서 매직 사이즈드(magic-sized) 특성 및 발광(luminescence) 특성을 갖는다. 더욱 구체적으로 본 발명에 따라 제조된 메탈 포스파이드 나노크리스탈은 특정 원자 수로 이루어져 균일한 크기를 갖는 매직 사이즈드 특성을 가지며, 특정 파장의 발광 영역을 갖는 발광 특성을 갖는다. The nanocrystals fabricated according to one embodiment of the present invention are metal-phosphide nanocrystals having magic-sized and luminescence characteristics. More specifically, the metal-phosphide nanocrystal produced according to the present invention has a magic-sized characteristic with a uniform size and a luminescence characteristic with a light-emitting region of a specific wavelength.

나노크리스탈은 단결정 또는 다결정 배열된 원소로 이루어진 100nm 이하의 입자로서, 양자(quantum)로서 거동하여 동일한 원소로 이루어진 벌크 물질과는 다른 광학적, 전기적 특성을 나타낸다. 나노 크기의 입자로서 입자의 크기가 보어 반경(Bohr radius) 보다 작아 양자 제한 효과(quantum confinement effect)에 의해 불연속적인 밴드 갭(band gap)을 가지게 되며, 입자의 크기를 조절함으로써 광학적, 전기적 특성을 변화시킬 수 있다. Nanocrystals are particles of 100 nm or less made of monocrystalline or polycrystalline ordered elements and behave as quantum and exhibit optical and electrical properties different from bulk materials made of the same element. As nanoscale particles, the size of the particles is smaller than the Bohr radius, resulting in a discontinuous band gap due to the quantum confinement effect. By controlling the particle size, the optical and electrical characteristics Can be changed.

본 발명에 따른 메탈 포스파이드 나노크리스탈은 입자 크기가 1.5 내지 2nm인 범위 내에서 매직 사이즈드 특성을 갖는다. 여기서 매직 사이즈드 특성이라 함은 나노크리스탈이 성장함에 있어서 연속적으로 크기가 성장하여 연속적인 크기 분포를 갖는 것이 아니라, 성장함에 있어서 특정 크기에서 안정화되어 일정한 크기를 갖는 것을 의미한다. 여기서 일정한 크기라 함은 특정 크기의 메탈 포스파이드 나노크리스탈만이 존재하는 경우뿐만 아니라 특정 크기의 메탈 포스파이드 나노크리스탈이 다량 존재하고 상기 특정 크기 이외의 메탈 포스파이드 나노크리스탈이 소량 존재하는 경우를 포함한다.The metal-phosphide nanocrystals according to the present invention have a magic-sized characteristic within a range of particle sizes of 1.5 to 2 nm. Here, the term &quot; magic size characteristic &quot; means that the nanocrystal grows continuously in size and does not have a continuous size distribution, but is stabilized at a certain size and has a constant size when grown. Here, the predetermined size includes not only a case where only a metalphosphide nano-crystal of a specific size exists but also a case where metal phosphide nano-crystals of a specific size exist in a large amount and a small amount of metal phosphide nano- do.

또 다른 측면에서 본, 본 발명에 따른 나노크리스탈은 메탈 포스파이드 클러스터(clusters)를 포함하는 것으로서 메탈 포스파이드 클러스터의 집합체(aggregate)를 의미하는 것일 수 있다. 여기서 클러스터(cluster)는 단일 원자, 분자 또는 다른 종류의 원자가 수백 내지 수천 개 이내로 뭉쳐 있거나 결합되어 있는 입자를 의미하고, 메탈 포스파이드 클러스터는 메탈(metal) 원자와 포스포러스(phosphorus) 원자가 일정 비율로 결합되어 수백 내지 수천 개 이내로 결합되어 있는 입자를 의미한다. In another aspect, the nanocrystals according to the present invention include metal phosphide clusters and may refer to an aggregate of metal phosphide clusters. Here, a cluster means a particle in which a single atom, a molecule, or another kind of atom is clustered or bonded within a few hundred to several thousands, and the metal phosphide cluster has a metal atom and a phosphorus atom at a certain ratio Quot; means a particle which is combined and bound within hundreds to several thousands of particles.

본 발명에 따른 메탈 포스파이드 클러스터는 메탈(metal) 원자와 포스포러스(phosphorus) 원자가 특정 비율로 결합되어 MxPy(x,y는 10 내지 100 사이의 정수)구조식으로 나타낼 수 있으며, 상기 x, y가 상기 범위 내의 특정 정수일 때 안정한 구조를 갖는다. 따라서 메탈 포스파이드 클러스터의 성장 시, 특정 정수, 즉 특정 원자수로 이루어진 메탈 포스파이드 클러스터가 균일한 크기로 얻어지는 매직 사이즈드 특성을 나타낸다. The metal-phosphide clusters according to the present invention can be represented by a structural formula of M x P y (where x and y are integers between 10 and 100) by combining a metal atom and a phosphorus atom at a specific ratio, , and has a stable structure when y is a specific integer within the above range. Therefore, when growing a metal-phosphide cluster, a metal-phosphate cluster having a specific integer, that is, a specific atom number, is obtained in a uniform size.

본 발명에 따른 메탈 포스파이드 나노크리스탈은 1.5 내지 2nm인 범위 내의 특정 크기를 갖는 메탈 포스파이드 클러스터를 포함하여 균일한 크기 분포를 갖는 매직 사이즈드 특성을 갖는다.The metal-phosphide nano-crystal according to the present invention has a magic-sized characteristic with a uniform size distribution including a metal-phosphide cluster having a specific size within a range of 1.5 to 2 nm.

여기서 균일한 크기 분포라 함은 특정 크기의 메탈 포스파이드 클러스터들 만이 존재하는 경우뿐만 아니라 특정 크기의 메탈 포스파이드 클러스터들이 다량 존재하고 상기 특정 크기 이외의 메탈 포스파이드 클러스터들이 소량 존재하는 경우를 포함하는 의미로 사용되었다.Here, the uniform size distribution includes not only a case where only metal foam clusters of a certain size exist but also a case where a large amount of metal phosphide clusters of a certain size exists and a small amount of metal phosphide clusters other than the specific size exists It was used as a meaning.

또한 본 발명에 따른 매직 사이즈드 메탈 포스파이드 나노크리스탈은 시간에 따른 나노크리스탈의 UV-vis 흡수 스펙트럼이 입자의 연속적인 성장을 보이지 않고 성장함에 있어서 특정 크기에서 안정화되어 일정한 크기를 갖기 때문에 불연속적으로 성장하는 클러스터의 특성을 갖는다.In addition, since the UV-vis absorption spectrum of the nanocrystals according to the present invention grows without continuous growth of the particles, the magic-sized metal-phosphide nano-crystal according to the present invention is stabilized at a specific size and has a constant size, And has the characteristics of growing clusters.

또한 본 발명에 따른 매직 사이즈드 메탈 포스파이드 나노크리스탈은 430 내지 550nm 파장의 발광 영역(emission range)을 갖는 발광 특성을 갖는다. 본 발명에 따른 메탈 포스파이드 나노크리스탈은 입자의 크기가 1.5 내지 2nm 로서 매우 작아 에너지를 흡수하여 여기(excitation) 상태로 된 후 흡수한 에너지(빛)를 다시 내놓으면서 특정 파장의 빛을 방출하는 발광(luminescence)을 하게 되는데 이때의 발광 파장은 430 내지 550nm 로서 청록색 계열의 빛을 내는 발광 특성을 갖는다. Also, the magic-sized metal-phosphide nano-crystal according to the present invention has a luminescence characteristic with an emission range of 430 to 550 nm. The metal-phosphide nano-crystal according to the present invention has a particle size of 1.5 to 2 nm, which is very small and absorbs energy, becomes an excitation state, emits energy (light) absorbed again and emits light of a specific wavelength (luminescence). At this time, the emission wavelength is in the range of 430 to 550 nm and has a luminescence characteristic of emitting a cyan light.

또한 본 발명에 따른 메탈 포스파이드 나노크리스탈은 균일한 크기의 매직 사이즈드 특성에 의하여 발광 스펙트럼 측정 시, 발광 파장 영역에서의 반치전폭(Full width at half maximum, FWHM)이 100nm 이하로서 발광 색의 순도가 우수하고, 완화된 조건에서의 발광이 가능하다. Further, the metal-phosphide nano-crystal according to the present invention has a full width at half maximum (FWHM) in an emission wavelength region of 100 nm or less and a purity of emission color And light emission under relaxed conditions is possible.

또한 본 발명에 따른 메탈 포스파이드 나노크리스탈은 쉘 층을 제외한 코어에서 30% 이상의 포토루미네선스(photoluminescence) 양자 수율(quantum yield)을 갖는다. 양자 수율은 흡수한 광자의 개수에 대한 발광 시 방출한 광자의 개수의 비율을 의미하는 것으로 본 발명에 따른 메탈 포스파이드 나노크리스탈은 쉘 층이 없이도 적어도 코어에서 30% 이상의 양자 수율을 갖는다. In addition, the metal-phosphide nanocrystals according to the present invention have a photoluminescence quantum yield of 30% or more in a core excluding the shell layer. The quantum yield means the ratio of the number of emitted photons to the number of photons absorbed. The metal-phosphide nano-crystal according to the present invention has a quantum yield of at least 30% in the core even without a shell layer.

또한 본 발명에 따른 메탈 포스파이드 나노크리스탈은 2.5 내지 3.0 eV 의 밴드 갭 에너지(band gap energy, Eg)를 갖는다. 나노크리스탈 내의 전자는 나노크리스탈을 구성하는 메탈 및 포스포러스 원자의 상호 작용에 의해 상기 원자 고유의 에너지 준위보다 넓은 에너지 밴드(energy band)를 형성하게 된다. 나노크리스탈을 이루는 원자와 원자의 간격은 매우 작기 때문에 원자 궤도를 순환하는 전자는 인접한 원자의 영향을 받게 되고, 이러한 영향으로 인한 전자의 속도 증감은 전자의 운동 에너지를 변화시킨다. 이로 인하여 나노크리스탈에서는 전자가 가질 수 있는 에너지 값의 범위가 넓어져 일정한 폭을 갖는 에너지 밴드를 형성한다. Also, the metal-phosphide nanocrystal according to the present invention has a band gap energy (E g ) of 2.5 to 3.0 eV. The electrons in the nanocrystals form an energy band that is wider than the energy level of the atoms due to the interaction of the metal and the phosphorus atoms constituting the nanocrystal. Since the spacing between atoms and atoms of nano-crystals is very small, the electrons circulating in the atomic orbit are affected by adjacent atoms, and the increase or decrease of the electrons by this influence changes the kinetic energy of electrons. In the nanocrystals, therefore, the range of energy values that electrons can have is broadened to form energy bands having a constant width.

넓어진 에너지 밴드를 형성하는 나노크리스탈은 원자의 간격이 가까워짐에 따라 넓어진 에너지 밴드가 겹쳐지게 되는데, 가전자(valence electron)로 형성된 낮은 에너지 밴드를 가전대역(valence band), 비어 있는 전자 궤도로 형성된 높은 에너지 밴드를 전도대역(conduction band)이라 하고, 이 두 대역의 간격을 밴드 갭 에너지(band gap energy, Eg)라고 한다. The nanoscale crystals forming the broadened energy band overlap with broader energy bands as the spacing of the atoms becomes closer to each other. The low energy band formed by the valence electron is called the valence band, the high band formed by the vacant electron orbit The energy band is called the conduction band, and the interval between these two bands is called the band gap energy (E g ).

즉 본 발명에 따른 메탈 포스파이드 나노크리스탈은 1.5 내지 2.0nm 범위 내의 균일한 입자 크기를 갖는 매직 사이즈드 특성을 가지며, 2.5 내지 3.0 eV 의 상대적으로 넓은 밴드 갭 에너지를 가져 430 내지 550nm 의 넓은 발광 파장 영역을 갖는다. That is, the metal-phosphide nano-crystal according to the present invention has a magic-sized characteristic with a uniform particle size in the range of 1.5 to 2.0 nm, has a relatively wide band gap energy of 2.5 to 3.0 eV, Area.

또한 본 발명은 코어/쉘 나노크리스탈로서, 본 발명에 따른 매직 사이즈드 특성을 갖는 메탈 포스파이드 클러스터 코어의 표면에 쉘 층을 더 포함하는 매직 사이즈드 메탈 포스파이트 코어/쉘 나노크리스탈을 제공한다. The present invention also provides a magic sized metal phosphite core / shell nanocrystal that further comprises a shell layer on the surface of a metal-phosphide cluster core having magic-sized characteristics according to the present invention as core / shell nanocrystals.

쉘 층은 ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaN, GaP, GaSb, GaS, GaSe, GaTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, InAs, InN, InP, InSb, InS, InSe, InTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, AlAs, AlN, AlP, AlSb, MgO, MgS, MgSe, MgTe, CdZnS, CdZnSe, CdSSe, CaO, CaS, CaSe, CaTe, GaAsP, GaTeSe, GaLnSe, SrO, SrS, SrSe, SrTe, InGaAs, InAsP, InSeTe, BaO, BaS, BaSe, BaTe 및 ZnSSe 로 구성되는 군에서 선택되는 층일 수 있다. The shell layer is made of ZnS, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaN, GaP, GaSb, GaS, GaSe, GaTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, InAs, InN, InP, InSb, InS, InSe, InTe, HgO, HgS , HgSe, HgTe, AlAs, AlN, AlP, AlSb, MgO, MgSe, MgTe, CdZnS, CdZnSe, CdSSe, CaO, CaS, CaTe, GaAsP, GaTeSe, GaLnSe, SrO, SrS, SrSe, SrTe, InGaAs , InAsP, InSeTe, BaO, BaS, BaSe, BaTe, and ZnSSe.

본 발명은 또한 복수의 매직 사이즈드 클러스터를 포함하는 조성물로서, 본 발명에 따른 매직 사이즈드 메탈 포스파이드 클러스터를 포함하는 나노크리스탈 조성물을 제공한다. 나노크리스탈 조성물은 매직 사이즈드 특성을 갖는 메탈 포스파이드 클러스터가 비극성 용매에 분산된 용액일 수 있다. The present invention also provides a composition comprising a plurality of magically sized clusters, which nanocrystal compositions comprise a magically sized metal phosphide cluster according to the present invention. The nanocrystal composition may be a solution in which metal phosphide clusters having a magic size characteristic are dispersed in a non-polar solvent.

본 발명에 따른 메탈 포스파이드 나노크리스탈 조성물은 1.5 내지 2nm인 범위 내에서 1 이상 또는 2 이상의 특정 크기를 갖는 메탈 포스파이드 클러스터들을 포함하여 불연속적인 크기 분포를 갖는다. The metal-phosphide nanocrystal composition according to the present invention has a discontinuous size distribution including metal-phosphide clusters having one or more specific sizes within a range of 1.5 to 2 nm.

여기서 불연속적인 크기 분포라 함은 1 이상 또는 2 이상의 특정 크기를 갖는 메탈 포스파이드 클러스터들 만이 존재하는 경우뿐만 아니라 1 이상 또는 2 이상의 특정 크기를 갖는 메탈 포스파이드 클러스터들이 다량 존재하고, 상기 특정 크기 이외의 메탈 포스파이드 클러스터들이 소량 존재하는 경우를 포함하는 의미로 사용되었다.Here, the discontinuous size distribution refers to not only the case where only metalphosphide clusters having at least one or more specific sizes are present but also metal phosphide clusters having at least one specific size or two or more specific sizes exist in a large amount, Of metal-phosphide clusters were present in a small amount.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명 하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 요지에 따라 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. It is to be understood that the scope of the present invention is not limited by these examples in accordance with the gist of the present invention, and it is to be understood by those skilled in the art that the present invention is not limited thereto It will be obvious.

< 실시예 1: 히트-업(Heat-up) 방식 >&Lt; Example 1: Heat-up method >

Round flask에 1-octadecene(ODE) 4ml, Indium acetylacetonate (In(acac)3) 0.5mmol 를 넣어 제1용액을 제조하고 110에서 1시간 동안 진공화한 후 혼합물을 상온까지 식혔다. 상온의 제1 용액에 제2용액인 Oleic acid 3.0 mmol 을 혼합하고, 제3용액인 Trioctylphosphine(TOP) 에 배위된 white phosphorus 0.25 mmol 을 혼합한 후 질소분위기 하에서 30분 만에 상온에서 275℃까지 가열하였다. 275℃에서 30분 동안 온도를 유지시켜준 후 다시 상온까지 온도를 낮추어 식히고 메탄올과 아세톤의 10:1 혼합 용매로 합성된 나노크리스탈을 침전시킨 후 washing을 통해 InP 나노크리스탈을 수득하였다. 수득한 InP 나노크리스탈을 헥산에 분산시켜 InP 나노크리스탈 콜로이드 용액을 제조하였다.The first solution was prepared by placing 4 ml of 1-octadecene (ODE) and 0.5 mmol of Indium acetylacetonate (In (acac) 3) in a round flask and vacuuming for 1 hour at 110 ° C. The mixture was then cooled to room temperature. 3.0 mmol of the second solution, Oleic acid, was mixed with 0.25 mmol of white phosphorus coordinated to the third solution, trioctylphosphine (TOP), and then heated from room temperature to 275 ° C for 30 minutes in a nitrogen atmosphere Respectively. After maintaining the temperature at 275 ° C for 30 minutes, the temperature was lowered to room temperature again, and the solution was cooled. Nano-crystals synthesized from a mixed solvent of methanol and acetone 10: 1 were precipitated and washed to obtain InP nano-crystals. The obtained InP nanocrystals were dispersed in hexane to prepare an InP nanocrystalline colloidal solution.

< 실시예 2 : 핫 인젝션(Hot injection) 방식 >&Lt; Example 2: Hot injection method >

Round flask에 1-octadecene(ODE) 4ml, Indium acetylacetonate (In(acac)3) 0.5mmol 를 넣어 제1용액을 제조하고 110℃에서 1시간동안 진공화시킨다. 제조된 제1용액을 질소분위기 하에서 20분 만에 110℃에서 275℃까지 가열하였다. 제2용액인 Oleic acid 3.0 mmol 과 제3용액인 Trioctylphosphine(TOP) 에 배위된 white phosphorus 0.25 mmol 을 상기 제조된 제1용액과 혼합한 후 275℃에서 30분 동안 온도를 유지시켜준 후 다시 상온까지 온도를 낮추어 식히고 메탄올과 아세톤의 10:1 혼합 용매로 나노크리스탈을 침전시킨 후 washing을 통해 InP 나노크리스탈을 수득하였다. 수득한 InP 나노크리스탈을 헥산에 분산시켜 InP 나노크리스탈 콜로이드 용액을 제조하였다.4 ml of 1-octadecene (ODE) and 0.5 mmol of Indium acetylacetonate (In (acac) 3) are added to the round flask, and the first solution is prepared and vacuumed at 110 ° C for 1 hour. The prepared first solution was heated to 110 ° C and 275 ° C in 20 minutes under a nitrogen atmosphere. 3.0 mmol of oleic acid as the second solution and 0.25 mmol of white phosphorus coordinated to the third solution of trioctylphosphine (TOP) were mixed with the first solution, and the temperature was maintained at 275 ° C for 30 minutes. The temperature was lowered to cool, the nanocrystals were precipitated with a 10: 1 mixed solvent of methanol and acetone, and then washed to obtain InP nano-crystals. The obtained InP nanocrystals were dispersed in hexane to prepare an InP nanocrystalline colloidal solution.

< 비교예 1 >&Lt; Comparative Example 1 &

0.5 mmol의 In(acetylacetonate)3, 1.25 mmol의 올레산(oleic acid) 및 4 mL의 ODE를 3 neck flask에 넣고, 상온(15 내지 25℃)에서 진공화(degassing)한 후 Ar 퍼징(purging)을 실시하였다. 그 후, 2.84 mL의 Tributylphosphine(TBP)와 0.242 mmol의 백린(white phosphorus)을 혼합한 용액을 넣고, 온도를 300℃로 올려 30분 간 반응을 진행하였다. 30분이 지난 후 온도를 내리고, 부탄올과 아세톤의 3:1 혼합 용매로 나노크리스탈을 침전시킨 후 washing을 통해 InP 나노크리스탈을 수득하였다. 수득한 InP 나노크리스탈을 헥산에 분산시켜 InP 나노크리스탈 콜로이드 용액을 제조하였다.0.5 mmol of In (acetylacetonate) 3, 1.25 mmol of oleic acid and 4 mL of ODE were placed in a 3 neck flask and degassed at room temperature (15-25 ° C) followed by Ar purging Respectively. Then, a solution prepared by mixing 2.84 mL of tributylphosphine (TBP) and 0.242 mmol of white phosphorus was added, and the temperature was raised to 300 ° C., and the reaction was continued for 30 minutes. After 30 minutes, the temperature was lowered and the nano-crystals were precipitated with a 3: 1 mixed solvent of butanol and acetone, followed by washing to obtain InP nano-crystals. The obtained InP nanocrystals were dispersed in hexane to prepare an InP nanocrystalline colloidal solution.

< 비교예 2 >&Lt; Comparative Example 2 &

0.5 mmol의 In(acetylacetonate)3, 1.25 mmol의 올레산(oleic acid) 및 4 mL의 ODE를 3 neck flask에 넣고, 상온(15 내지 25℃)에서 진공화(degassing)한 후 Ar 퍼징(purging)을 실시했으며, 300℃로 온도를 올렸다.0.5 mmol of In (acetylacetonate) 3, 1.25 mmol of oleic acid and 4 mL of ODE were placed in a 3 neck flask and degassed at room temperature (15-25 ° C) followed by Ar purging And the temperature was raised to 300 ° C.

상기 용액의 온도가 300℃에 도달하면, 2.84 mL의 Tributylphosphine(TBP)와 0.242 mmol의 백린(white phosphorus)을 혼합한 용액을 주사기를 이용하여 상기 용액에 빠르게 주입한 후, 30분 간 반응을 진행시켜 나노크리스탈을 합성했다. 30분이 지난 후 온도를 내리고, 부탄올과 아세톤의 3:1 혼합 용매로 나노크리스탈을 침전시킨 후 washing을 통해 InP 나노크리스탈을 수득하였다. 수득한 InP 나노크리스탈을 헥산에 분산시켜 InP 나노크리스탈 콜로이드 용액을 제조하였다.When the temperature of the solution reached 300 ° C., a solution prepared by mixing 2.84 mL of tributylphosphine (TBP) and 0.242 mmol of white phosphorus was rapidly injected into the solution using a syringe, and the reaction was continued for 30 minutes To synthesize nano crystals. After 30 minutes, the temperature was lowered and the nano-crystals were precipitated with a 3: 1 mixed solvent of butanol and acetone, followed by washing to obtain InP nano-crystals. The obtained InP nanocrystals were dispersed in hexane to prepare an InP nanocrystalline colloidal solution.

< 실험예 1 : UV-vis 흡수 스펙트럼 및 PL 스펙트럼 측정>&Lt; Experimental Example 1: UV-vis absorption spectrum and PL spectrum measurement >

상기 실시예에 따라 합성된 나노크리스탈의 발광 특성을 측정하기 위하여 UV-vis 흡수 스펙트럼 및 포토루미네선스(Photoluminescence, PL) 스펙트럼을 분광광도계(Cary Eclipse, VARIAN)로 측정하였다. 도 2에 상기 실시예에 따라 합성된 나노크리스탈의 UV-vis 흡수 및 PL 스펙트럼을 나타내었으며, 도 3에 본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 합성된 나노크리스탈의 대량합성이 이루어진 UV-vis 흡수 스펙트럼을 나타내었다. 도 3에 나타나는 것과 같이 대량 합성 시에도 나노크리스탈의 크기나 크기 분포가 변함없이 유지됨을 알 수 있다. The UV-vis absorption spectrum and the photoluminescence (PL) spectrum of the synthesized nanocrystals were measured by a spectrophotometer (Cary Eclipse, VARIAN). FIG. 2 shows UV-vis absorption and PL spectra of nanocrystals synthesized according to the above examples. FIG. 3 shows UV-vis absorption of nanocrystals synthesized according to Examples and Comparative Examples of the present invention. Spectrum. As shown in FIG. 3, it can be seen that the size and size distribution of nanocrystals are maintained unchanged even during mass synthesis.

< 실험예 2: 합성 중 시간에 따른 나노크리스탈의 UV-vis 흡수 스펙트럼 ><Experimental Example 2: UV-vis absorption spectrum of nanocrystals over time during synthesis>

상기 실시예 1에 따라 합성 중 시간에 따른 나노크리스탈의 UV-vis 흡수 스펙트럼을 도 4에 나타내었다. 도 4에 나타나는 것과 같이 합성 시간이 30분인 경우에 특정 파장 영역에서 높은 흡수 피크를 갖는 입자가 합성된 것을 확인할 수 있다. The UV-vis absorption spectrum of nanocrystals over time during synthesis according to Example 1 is shown in FIG. As shown in FIG. 4, when the synthesis time is 30 minutes, it is confirmed that particles having a high absorption peak in a specific wavelength range are synthesized.

전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects, and the like illustrated in the above-described embodiments can be combined and modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

Claims (18)

비배위성 용매, III족 양이온의 전구체, 제1리간드 및 제2리간드에 배위된 백린(white phosphorus)을 혼합하여 열분해 반응에 의해 나노크리스탈을 합성하는 나노크리스탈 합성단계(S1); 및
상기 나노크리스탈 합성단계(S1) 후 합성된 상기 나노크리스탈을 침전시키는 침전단계(S2);를 포함하며,
상기 제1리간드는 카르복실산(carboxylic acid) 계열 화합물이고,
상기 제2리간드는 트리에틸 포스핀(triethyl phosphine), 트리부틸 포스핀(tributyl phosphine), 트리옥틸 포스핀(trioctyl phosphine), 트리페닐 포스핀(triphenyl phosphine) 및 트리시클로헥실 포스핀(tricyclohexyl phosphine)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 알킬포스핀(alkylphosphine) 계열 화합물인 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법.
(S1) a nanocrystal synthesis step (S1) of synthesizing nanocrystals by a thermal decomposition reaction by mixing a nonpolar solvent, a precursor of a Group III cation, a first ligand and white phosphorus coordinated to a second ligand; And
And a precipitation step (S2) of precipitating the synthesized nanocrystal after the nanocrystal synthesis step (S1)
Wherein the first ligand is a carboxylic acid-based compound,
Wherein the second ligand is selected from the group consisting of triethyl phosphine, tributyl phosphine, trioctyl phosphine, triphenyl phosphine, and tricyclohexyl phosphine. Wherein the metal phosphide nanocrystal is at least one selected from the group consisting of alkylphosphine compounds.
제1항에 있어서,
상기 나노크리스탈 합성단계(S1)는,
상기 비배위성 용매에 상기 III족 양이온의 전구체를 혼합하여 제1용액을 제조하는 단계(S111),
상기 제1리간드를 포함하는 제2용액을 제조하고, 상기 제1용액과 제조된 상기 제2용액을 혼합하는 단계(S112),
상기 제2리간드에 배위된 백린(white phosphorus)을 포함하는 제3용액을 제조하고 상기 제2용액이 혼합된 상기 제1용액과 제조된 상기 제3용액을 혼합하는 단계(S113) 및
상기 제1용액, 제2용액 및 제3용액의 혼합물을 가열하여 반응시키는 단계(S114)를 포함하여 나노크리스탈을 합성하는 단계인 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법.
The method according to claim 1,
The nanocrystal synthesis step (S1)
A step (S111) of preparing a first solution by mixing the precursor of the Group III cations to the non-deliverable solvent,
Preparing a second solution containing the first ligand, mixing the first solution and the second solution, S112,
Preparing a third solution containing white phosphorus coordinated to the second ligand, mixing the first solution mixed with the second solution and the prepared third solution (S113), and
And a step (S114) of heating and reacting a mixture of the first solution, the second solution and the third solution to synthesize nano-crystals.
제2항에 있어서,
상기 제1용액을 제조하는 단계(S111)는 상기 제조된 제1용액을 반응기 내에서 90 내지 120℃에서 진공화하는 단계를 더 포함하는 단계인 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the step (S111) of preparing the first solution further comprises a step of evacuating the first solution in the reactor at 90 to 120 ° C.
제3항에 있어서,
상기 제1용액을 제조하는 단계(S111)는 상기 진공화된 제1용액을 상온까지 식히는 단계를 더 포함하여 상기 혼합하는 단계(S112)에서 상온의 제1용액과 상기 제2용액을 혼합하는 단계인 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법.
The method of claim 3,
The step of preparing the first solution S111 may further include cooling the vacuumed first solution to a room temperature so that the first solution and the second solution at room temperature are mixed in the mixing step S112 Wherein the method comprises the steps of:
제2항에 있어서,
상기 반응시키는 단계(S114)는 상기 제1용액, 제2용액 및 제3용액의 혼합물을 250 내지 350℃로 가열하고 20 분 내지 60 분 동안 온도를 유지하여 열분해 반응시키는 단계인 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법.
3. The method of claim 2,
The step of reacting (S114) comprises heating the mixture of the first solution, the second solution and the third solution to 250 to 350 DEG C and maintaining the temperature for 20 to 60 minutes to decompose the metal, &Lt; / RTI &gt;
제1항에 있어서,
상기 나노크리스탈 합성단계(S1)는,
상기 비배위성 용매에 상기 III족 양이온의 전구체를 혼합하여 제조한 제1용액을 가열하는 단계(S121),
상기 제1리간드를 포함하는 제2용액을 제조하고, 가열된 제1용액과 제조된 상기 제2용액을 혼합하는 단계 (S122),
상기 제2리간드에 백린(white phosphorus)을 배위시켜 제3용액을 제조하고, 상기 제2용액이 혼합되어 있는 가열된 제1용액과 제조된 상기 제3용액을 혼합하는 단계(S123) 및
상기 제1용액, 제2용액 및 제3용액이 혼합된 혼합물의 온도를 유지하여 열분해 반응시키는 단계(S124)를 포함하여 나노크리스탈을 합성하는 단계인 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법.
The method according to claim 1,
The nanocrystal synthesis step (S1)
(S121) heating the first solution prepared by mixing the precursor of the group III cations to the non-saturated solvent,
Preparing a second solution containing the first ligand, mixing the heated first solution with the second solution (S122)
(S123) mixing the heated first solution mixed with the second solution and the prepared third solution to form a third solution by coordinating white phosphorus with the second ligand, and
And a step (S124) of maintaining the temperature of the mixed mixture of the first solution, the second solution and the third solution to perform thermal decomposition reaction, thereby synthesizing the nanocrystals.
제6항에 있어서,
상기 제1용액을 가열하는 단계(S121)는 상기 제조된 제1용액을 반응기 내에서 90 내지 120℃에서 진공화하는 단계를 더 포함하는 단계인 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법.
The method according to claim 6,
Wherein the step of heating the first solution (S121) further comprises a step of evacuating the produced first solution at 90 to 120 占 폚 in a reactor.
제7항에 있어서,
상기 제1용액을 가열하는 단계(S121)는 상기 진공화된 제1용액을 250 내지 350℃로 가열하는 단계로서, 상기 제2용액을 혼합하는 단계(S122)에서 상기 가열된 제1용액과 상기 제2용액이 혼합되도록 하는 단계인 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법.
8. The method of claim 7,
The step of heating the first solution (S121) may include heating the vacuumed first solution to a temperature of 250 to 350 DEG C, wherein the heated first solution and the heated solution are mixed in the step (S122) Thereby allowing the second solution to be mixed.
제6항에 있어서,
상기 반응시키는 단계(S124)는 상기 제2용액이 혼합된 상기 제1용액과 상기 제3용액의 혼합물을 온도를 20 분 내지 60 분 동안 유지하여 열분해 반응시키는 단계인 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법.
The method according to claim 6,
The step of reacting (S124) comprises a step of subjecting the mixture of the first solution and the third solution mixed with the second solution to a thermal decomposition reaction by maintaining the temperature for 20 minutes to 60 minutes, thereby producing a metal-phosphide nanocrystal .
제2항에 있어서,
상기 혼합하는 단계(S113)는 상기 제1용액의 III족 양이온의 전구체 및 상기 제3용액의 백린의 몰비가 1:0.1 내지 1:1 범위로 혼합되도록 상기 제2용액이 혼합된 상기 제1용액과 제조된 상기 제3용액을 혼합하는 단계인 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법.
3. The method of claim 2,
The mixing step (S113) comprises mixing the first solution mixed with the second solution so that the molar ratio of the precursor of the group III cations of the first solution and the white solution of the third solution is in the range of 1: 0.1 to 1: And mixing the prepared third solution with the metal solution.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 비배위성 용매는 2,6,10,15,19,23-Hexamethyltetracosane(Squalane), 1-octadecene(ODE), Trioctylamine(TOA), Tributylphosphine oxide, Octadecene, Octadecylamine, Trioctylphosphine(TOP) 및 Trioctylphosphine oxide(TOPO)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상인 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법.
The method according to claim 1,
The non-polar solvents include but are not limited to 2,6,10,15,19,23-hexamethyltetracosane (Squalane), 1-octadecene (ODE), trioctylamine (TOA), tributylphosphine oxide, octadecene, octadecylamine, trioctylphosphine ). &Lt; / RTI &gt;
제1항에 있어서,
상기 III족 양이온의 전구체는 III족 원소의 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 클로라이드(chloride), 아세테이트(acetate), 미리스테이트(Myristate), 미리스테이트 아세테이트(Myristate Acetate), 미리스테이트 2 아세테이트(Myristate 2 Acetate), 트리메틸(Trimethyl), 알킬(Alkyl) 및 아릴(Aryl) 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법.
The method according to claim 1,
The precursor of the Group III cations is selected from the group consisting of acetylacetonate, chloride, acetate, Myristate, Myristate Acetate, Myristate 2 Acetate, ), Trimethyl, alkyl (Alkyl), and aryl (Aryl) compounds.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 침전단계(S2)는 상기 합성된 나노크리스탈이 포함된 용액에 에탄올, 메탄올, 부탄올, 프로판올, 아이소프로필알코올, 테트라하이드로퓨란, 다이메틸설폭시드, 디메틸포름아미드 및 아세톤 등으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 반 용매(anti-solvent)를 첨가하여 침전된 나노크리스탈을 수득하는 단계인 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법.
The method according to claim 1,
The precipitation step S2 may be carried out by adding the nanocrystal solution selected from the group consisting of ethanol, methanol, butanol, propanol, isopropyl alcohol, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, dimethylformamide and acetone to the synthesized nanocrystal- And adding an anti-solvent containing at least one of the metals to obtain a precipitated nanocrystal.
비배위성 용매, III족 양이온의 전구체, 제1리간드 및 제2리간드에 배위된 백린(white phosphrous)을 혼합하여 열분해 반응에 의해 나노크리스탈을 합성하는 나노크리스탈 합성단계(S1);
상기 나노크리스탈 합성단계(S1) 후 합성된 상기 나노크리스탈을 침전시키는 침전단계(S2); 및
상기 침전된 나노크리스탈을 비극성 용매에 분산시키는 분산단계(S3);를 포함하며,
상기 제1리간드는 카르복실산(carboxylic acid) 계열 화합물이고,
상기 제2리간드는 트리에틸 포스핀(triethyl phosphine), 트리부틸 포스핀(tributyl phosphine), 트리옥틸 포스핀(trioctyl phosphine), 트리페닐 포스핀(triphenyl phosphine) 및 트리시클로헥실 포스핀(tricyclohexyl phosphine)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 알킬포스핀(alkylphosphine) 계열 화합물인 메탈 포스파이드 나노크리스탈 콜로이드 용액의 제조방법.
(S1) of synthesizing nanocrystals by a pyrolysis reaction by mixing a nonpolar solvent, a precursor of a Group III cation, a first ligand and white phosphors coordinated to a second ligand;
A precipitation step (S2) of precipitating the synthesized nanocrystal after the nanocrystal synthesis step (S1); And
And a dispersing step (S3) of dispersing the precipitated nanocrystals in a nonpolar solvent,
Wherein the first ligand is a carboxylic acid-based compound,
Wherein the second ligand is selected from the group consisting of triethyl phosphine, tributyl phosphine, trioctyl phosphine, triphenyl phosphine, and tricyclohexyl phosphine. Wherein the metal phosphide nanocrystalline colloid solution is at least one selected from the group consisting of alkylphosphine compounds.
제16항에 있어서,
상기 비극성 용매는 헥산, 톨루엔, 벤젠, 옥테인, 클로로포름, 클로로벤젠, 테트라히드로푸란(THF). 펜테인, 헵테인, 데케인, 염화메틸렌, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 디에틸에테르(diethyl ether), 사이클로헥세인 및 다이클로로벤젠으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 메탈 포스파이드 나노크리스탈 콜로이드 용액의 제조방법.
17. The method of claim 16,
The nonpolar solvent is hexane, toluene, benzene, octane, chloroform, chlorobenzene, tetrahydrofuran (THF). At least one selected from the group consisting of pentane, heptane, decane, methylene chloride, 1,4-dioxane, diethyl ether, cyclohexane and dichlorobenzene &Lt; / RTI &gt; wherein the method comprises the steps of:
비배위성 용매, III족 양이온의 전구체, 제1리간드 및 제2리간드에 배위된 백린(white phosphrous)을 혼합하여 열분해 반응에 의해 나노크리스탈을 합성하는 나노크리스탈 합성단계(S1);
상기 나노크리스탈 합성단계(S1) 후 합성된 상기 나노크리스탈을 침전시키는 침전단계(S2);
상기 침전된 나노크리스탈을 비극성 용매에 분산시켜 메탈 포스파이드 나노크리스탈 콜로이드 용액을 얻는 분산단계(S3); 및
상기 메탈 포스파이드 나노크리스탈 콜로이드 용액에 유기 리간드를 혼합하여 반응시킨 후, 쉘 성분 전구체를 첨가하여 메탈 포스파이드 나노크리스탈에 쉘 층을 형성하는 단계(S4);를 포함하며,
상기 제1리간드는 카르복실산(carboxylic acid) 계열 화합물이고,
상기 제2리간드는 트리에틸 포스핀(triethyl phosphine), 트리부틸 포스핀(tributyl phosphine), 트리옥틸 포스핀(trioctyl phosphine), 트리페닐 포스핀(triphenyl phosphine) 및 트리시클로헥실 포스핀(tricyclohexyl phosphine)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 알킬포스핀(alkylphosphine) 계열 화합물인 메탈 포스파이드 코어/쉘 나노크리스탈의 제조방법.
(S1) of synthesizing nanocrystals by a pyrolysis reaction by mixing a nonpolar solvent, a precursor of a Group III cation, a first ligand and white phosphors coordinated to a second ligand;
A precipitation step (S2) of precipitating the synthesized nanocrystal after the nanocrystal synthesis step (S1);
A dispersing step (S3) of dispersing the precipitated nanocrystals in a non-polar solvent to obtain a metal-phosphide nanocrystalline colloid solution; And
(S4) mixing and reacting the metal-phosphide nanocrystal colloid solution with an organic ligand, and then adding a shell component precursor to form a shell layer on the metal-phosphide nanocrystal,
Wherein the first ligand is a carboxylic acid-based compound,
Wherein the second ligand is selected from the group consisting of triethyl phosphine, tributyl phosphine, trioctyl phosphine, triphenyl phosphine, and tricyclohexyl phosphine. Wherein the metal phosphide core / shell nanocrystal is at least one selected from the group consisting of alkylphosphine compounds.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101525524B1 (en) * 2013-09-26 2015-06-03 삼성전자주식회사 Nanocrystal particles and processes for synthesizing the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5505928A (en) 1991-11-22 1996-04-09 The Regents Of University Of California Preparation of III-V semiconductor nanocrystals
KR100549402B1 (en) 2003-05-22 2006-02-03 한국화학연구원 Preparation method of indium phosphide nano particles quantum dot
KR100675963B1 (en) 2004-12-22 2007-01-29 한국화학연구원 Preparation method of indium phosphide nano particles quantum dot
KR101644053B1 (en) 2012-12-07 2016-08-01 삼성전자 주식회사 Processes for synthesizing nanocrystals and nanocrystal compositions

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101525524B1 (en) * 2013-09-26 2015-06-03 삼성전자주식회사 Nanocrystal particles and processes for synthesizing the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Chem. Mater 2015, 27. 1432~1441(2015.01.30.)

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