KR101895884B1 - 플라즈마 발생용 안테나 및 이를 사용하는 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 발생용 안테나 구조체는 고주파 전력을 인가받아 처리실 내에 플라즈마 생성을 유도하는 플라즈마 발생용 안테나 구조체이며, 적어도 하나의 코너부를 형성하도록 굴곡 형성된 안테나선을 포함하며, 상기 안테나선은 상기 코너부를 형성하는 부분이 다른 부분에 비해 외측에 위치하도록 형성된다.

Description

플라즈마 발생용 안테나 및 이를 사용하는 플라즈마 처리 장치{Antenna structure for plasma and plasma processing apparatus using the same}

본 발명은 플라즈마 발생용 안테나 및 이를 사용하는 플라즈마 처리 장치 에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 발생시켜 디스플레이 패널 등의 기판을 처리하는 플라즈마 발생용 안테나 및 이를 사용하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.

플라즈마를 이용하여 CVD(Chemical Vapor Deposition), 에칭(Etching) 등의 기판처리를 수행하는 장치에서는, 안테나를 포함한 장치에 고주파 전력을 인가하여 안테나 주변에 유도 전계를 형성시켜 플라즈마를 발생시키는 방식이 많이 적용되고 있다.

한편, 처리하는 기판의 대형화에 따라, 처리장치도 대형화되고 있으며, 대형화 된 기판의 균일한 처리를 위하여, 안테나를 복수로 구성되는 기판처리장치를 이용하는 것이 일반화되고 있다.

안테나를 복수로 구성하는 경우, 안테나의 임피던스 불균형이나 처리 장치 내의 환경 등의 문제로 각 안테나로 인가되는 고주파 전력이 서로 동일하지 않아 플라즈마가 영역별로 불균일하게 발생하거나, 각 안테나로 인가되는 고주파 전력이 서로 거의 동일하게 인가되더라도 처리 장치 내의 환경적인 문제 등으로 플라즈마가 불균일하게 발생하거나 기판의 처리가 균일하게 일어나지 않을 수 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 균일한 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생용 안테나 및 이를 사용하는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 발생용 안테나 구조체는 고주파 전력을 인가받아 처리실 내에 플라즈마 생성을 유도하는 플라즈마 발생용 안테나 구조체이며, 적어도 하나의 코너부를 형성하도록 굴곡 형성된 안테나선을 포함하며, 상기 안테나선은 상기 코너부를 형성하는 부분이 다른 부분에 비해 외측에 위치하도록 형성된다.

상기 안테나선의 상기 코너부는 상기 처리실 내에 수용된 피처리 기판과 오버랩되지 않도록 상기 피처리 기판의 코너의 외측에 위치할 수 있다.

상기 안테나선에서 상기 코너부를 제외한 부분은 상기 피처리 기판과 오버랩될 수 있다.

상기 안테나선은, 제1 코너부를 형성하는 제1 안테나선 및 제2 코너부를 형성하는 제2 안테나선을 포함하며, 상기 제1 코너부와 상기 제2 코너부는 상기 플라즈마 발생용 안테나 구조체의 최외곽에 위치하고, 상기 제1 안테나선의 일부는 상기 제2 안테나선의 내측에 위치할 수 있다.

상기 제1 안테나선은, 상기 제1 코너부, 상기 제1 코너부와 단차를 형성하는 제1 외측 변부 및 상기 제1 외측 변부와 단차를 형성하는 제1 내측 변부를 포함하고, 상기 제2 안테나선은, 상기 제2 코너부, 상기 제2 코너부와 단차를 형성하는 제2 외측 변부 및 상기 제2 외측 변부와 단차를 형성하는 제2 내측 변부를 포함하며, 상기 제1 내측 변부는 상기 제2 외측 변부의 내측에 위치할 수 있다.

상기 제1 외측 변부 중 일부는 상기 제2 외측 변부 중 일부와 일직선 상에 위치할 수 있다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는, 피처리 기판을 수용하는 처리실, 상기 처리실 내에 수용되는 상기 피처리 기판과 마주하도록 배치되는 안테나 구조체 및 상기 안테나 구조체와 상기 처리실 사이에 구비되는 윈도우를 포함하고, 상기 안테나 구조체는, 적어도 하나의 코너부를 형성하도록 굴곡 형성된 안테나선을 포함하며, 상기 안테나선은 상기 코너부를 형성하는 부분이 다른 부분에 비해 외측에 위치하도록 형성될 수 있다.

상기 안테나선의 상기 코너부는 상기 피처리 기판과 오버랩되지 않도록 상기 피처리 기판의 코너의 외측에 위치할 수 있다.

상기 안테나선에서 상기 코너부를 제외한 부분은 상기 피처리 기판과 오버랩될 수 있다.

상기 안테나선은, 제1 코너부를 형성하는 제1 안테나선 및 제2 코너부를 형성하는 제2 안테나선을 포함하며, 상기 제1 코너부와 상기 제2 코너부는 상기 안테나 구조체의 최외곽에 위치하고, 상기 제1 안테나선의 일부는 상기 제2 안테나선의 내측에 위치할 수 있다.

상기 제1 안테나선은, 상기 제1 코너부, 상기 제1 코너부와 단차를 형성하는 제1 외측 변부 및 상기 제1 외측 변부와 단차를 형성하는 제1 내측 변부를 포함하고, 상기 제2 안테나선은, 상기 제2 코너부, 상기 제2 코너부와 단차를 형성하는 제2 외측 변부 및 상기 제2 외측 변부와 단차를 형성하는 제2 내측 변부를 포함하며, 상기 제1 내측 변부는 상기 제2 외측 변부의 내측에 위치할 수 있다.

상기 제1 외측 변부 중 적어도 일부는 상기 제2 외측 변부 중 적어도 일부와 일직선 상에 위치할 수 있다.

상기 제1 안테나선은 상기 제1 외측 변부와 상기 제1 내측 변부를 연결하는 제1 변부 연결부를 포함하고, 상기 제2 안테나선은 상기 제2 외측 변부와 상기 제2 내측 변부를 연결하는 제2 변부 연결부를 포함할 수 있다.

상기 윈도우를 지지하는 지지하는 프레임 구조체를 더 포함하고, 상기 안테나 구조체는 상기 제1 변부 연결부 및 상기 제2 변부 연결부가 상기 프레임 구조체의 상부에 위치하도록 배치될 수 있다.

상기 프레임 구조체는 십자 형상으로 교차하는 가로 프레임과 세로 프레임을 포함하고, 상기 제1 변부 연결부 및 상기 제2 변부 연결부는 상기 가로 프레임 및 상기 세로 프레임 중 적어도 하나의 상부에 위치할 수 있다.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.

피처리 기판의 중앙부와 코너부의 플라즈마 밀도 편차를 최소화하여 플라즈마 균일도를 향상시킬 수 있다.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략도이다.
도 2는 도 1의 프레임 구조체 및 윈도우를 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 구조체를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 안테나 구조체와 피처리 기판의 상호 배치 관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 도 3의 안테나 구조체와 프레임 구조체의 상호 배치 관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 전력 공급 및 모니터링 구조를 개략적으로 도시한 블록도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 개략도들을 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 본 발명에 도시된 각 도면에 있어서 각 구성 요소들은 설명의 편의를 고려하여 다소 확대 또는 축소되어 도시된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치 및 안테나 구조체를 설명하기 위한 도면들을 참고하여 본 발명에 대하여 설명하도록 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략도이고, 도 2는 도 1의 프레임 구조체 및 윈도우를 도시한 평면도이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 챔버(10)의 내부로 공정 가스를 공급하고 플라즈마를 발생시켜, 챔버(10) 내부에 위치하는 피처리 기판(S)을 처리하는 공정이 진행되는 장치이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 챔버(10), 스테이지(30), 윈도우(W), 프레임 구조체(50) 및 안테나 구조체(100)를 포함한다. 안테나 구조체(100)는 플라즈마 발생용 안테나 구조체를 지칭한다.

챔버(10)는 내부에 스테이지(30), 윈도우(W), 프레임 구조체(50) 및 안테나구조체(100)가 설치되는 공간이 형성된 밀폐 구조로 형성된다. 챔버(10)는 내벽이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 이루어질 수 있다.

도 1에 도시된 바와 같이, 스테이지(30)는 챔버(10) 내부의 하부에 위치한다. 스테이지(30)는 챔버(10) 내부로 반입된 피처리 기판(S)을 지지하도록 구성되며, 플라즈마의 이온이 피처리 기판(S)으로 끌려 오도록, 급전선(61)을 통해 바이어스용 고주파 전원(62)과 전기적으로 연결된다. 바이어스용 고주파 전원(62)은 6MHz의 고주파 전력을 스테이지(30)에 인가할 수 있다.

바이어스용 고주파 전원(62)과 스테이지(30) 사이에는 정합기(63)가 구비될 수 있다. 정합기(63)는 급전선(61)을 통해 바이어스용 고주파 전원(62)과 스테이지(30) 사이에서 임피던스 정합을 수행할 수 있다.

스테이지(30) 내에는 처리 중인 피처리 기판(S)의 온도를 제어하기 위해, 히터 및/또는 냉매 유로 등의 온도 조절 기구가 설치될 수 있다.

스테이지(30)는 스테이지 지지부(20)에 의해 지지될 수 있으며, 스테이지 지지부(20)는 챔버(10)의 기밀 상태를 유지한 채로 챔버(10)의 하부면을 관통하여 챔버(10)의 외부로 연장될 수 있다. 스테이지 지지부(20)는 챔버(10)의 외부에 배치되는 별도의 승강 기구를 통해 스테이지(30)를 챔버(10) 내부에서 승강시킬 수 있다.

스테이지(30)의 승강 동작에도 불구하고 챔버(10) 내부의 기밀 상태를 유지하고 외부 이물질이 챔버(10) 내부로 유입되는 것을 방지하기 위해, 스테이지 지지부(20)를 둘러싸도록 스테이지(30)와 챔버(10)의 하부면 사이에는 벨로우즈(40)가 구비될 수 있다.

한편, 챔버(10) 내부의 상부에는 윈도우(W)가 설치된다. 윈도우(W)는 챔버(10) 내의 상부 공간을 안테나 구조체(100)가 설치되는 안테나 설치 공간과 플라즈마가 생성되는 처리 공간으로 구획할 수 있다. 따라서, 윈도우(W)는 안테나 설치 공간의 바닥임과 동시에 처리 공간의 천정이 될 수 있다.

윈도우(W)는 세라믹, 석영 등의 유전체로 이루어지거나, 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같은 도전체로 이루어질 수 있다.

도 1에 도시된 바와 같이, 윈도우(W)는 프레임 구조체(50)에 의해 지지되어, 챔버(10)의 내부에 고정될 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이, 프레임 구조체(50)는 십자 형상으로 교차하는 가로 프레임(52)과 세로 프레임(51), 그리고 가로 프레임(52) 및 세로 프레임(51)을 지지하는 사각 프레임(53)을 포함한다.

그리고 윈도우(W)는 가로 프레임(52)과 세로 프레임(51)에 의해 구획된 공간 상에 각각 배치되는 복수의 분할 윈도우(W1, W2, W3, W4)로 구성될 수 있다.

도 2에 도시된 프레임 구조체(50) 및 윈도우(W1, W2, W3, W4)의 구성은 설명의 편의를 위해 도시한 일례일 뿐이고, 프레임 구조체(50)의 형상은 설계 필요에 의해 변형될 수 있으며, 이에 따라 윈도우(W1, W2, W3, W4)의 개수 및 분할 구성 역시 달라질 수 있다. 또한, 윈도우(W)는 분할되지 않고 프레임 구조체(50) 상에 안착 및 고정되는 방식으로 구성될 수도 있다.

한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 윈도우(W)의 상부에는 안테나 구조체(100)가 설치된다.

안테나 구조체(100)는 급전선(71)을 통해 고주파 전원(72)으로부터 고주파 전력을 공급받는다. 고주파 전원(72)은 13.56MHz의 고주파 전력을 안테나로 공급할 수 있다.

안테나 구조체(100)와 고주파 전원(72) 사이에는 정합기(73)가 구비되며, 정합기(73)는 급전선(71)을 통해 고주파 전원(72)과 안테나 구조체(100) 사이에서 임피던스 정합을 수행할 수 있다.

고주파 전원(72)으로부터 공급된 고주파 전력이 안테나 구조체(100)에 인가되면, 윈도우(W)를 통해 처리 공간 내에 유도 전계가 생성되고, 유도 전계에 의해 처리 공간으로 공급된 처리 가스는 플라즈마화되어 유도 결합 플라즈마가 생성된다.

도 1에 도시되지는 않았지만, 챔버(10)에는 외부로부터 공급된 처리 가스를 처리 공간으로 전달하는 가스 유로 및 샤워 헤드가 설치될 수 있다. 또한, 챔버(10)의 측벽에는 피처리 기판(S)이 반입/반출되는 게이트가 형성될 수 있다.

이하에서는 안테나 구조체에 대해 구체적으로 설명한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 구조체를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 구조체(100)는 센터 안테나부(110), 미들 안테나부(120) 및 에지 안테나부(130)를 포함한다.

센터 안테나부(110)는 안테나 구조체(100)의 중앙에 위치하고, 미들 안테나부(120)는 센터 안테나부(110)를 둘러싸도록 센터 안테나부(110)의 외측에 위치하며, 에지 안테나부(130)는 미들 안테나부(120)를 둘러싸도록 미들 안테나부(120)의 외측에 위치한다.

센터 안테나부(110)는 센터 전력 출력단(111b, 112b)으로부터 소용돌이 형상으로 외측 방향으로 연장되는 복수의 센터 안테나선(111, 112)을 포함한다. 그리고 센터 안테나부(110)의 최외측에 위치하는 각 센터 안테나선(111, 112)의 단부에는 센터 전력 입력단(111a, 112a)이 형성된다.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서는 센터 전력 출력단(111b, 112b)이 센터 안테나부(110)의 내측에 위치하고, 센터 전력 입력단(111a, 112a)이 센터 안테나부(110)의 외측에 위치하므로, 고주파 전력이 센터 안테나부(110)의 외측으로부터 내측으로 흐르게 된다.

실시예에 따라, 센터 전력 출력단(111b, 112b)이 센터 안테나부(110)의 외측에 위치하고, 센터 전력 입력단(111a, 112a)이 센터 안테나부(110)의 내측에 위치할 수 있으며, 이 경우 고주파 전력은 센터 안테나부(110)의 내측으로부터 외측으로 흐르게 된다.

센터 전력 출력단(111b, 112b)은 접지될 수 있다.

한편, 도 3에는 복수의 센터 안테나선(111, 112)이 센터 전력 출력단(111b, 112b)으로부터 반시계 방향으로 돌아나가는 형태의 소용돌이 형상으로 배치된 예를 도시하였지만, 실시예에 따라 복수의 센터 안테나선(111, 112)은 센터 전력 출력단(111b, 112b)으로부터 시계 방향으로 돌아나가는 형태의 소용돌이 형상으로 배치될 수도 있다.

또한, 도 3에는 복수의 센터 안테나선(111, 112)이 각각 별도의 센터 전력 출력단(111b, 112b)을 갖는 예를 도시하였으나, 실시예에 따라 복수의 센터 안테나선(111, 112)은 하나의 센터 전력 출력단을 공유할 수도 있다.

한편, 본 실시예에 따른 미들 안테나부(120)는 서로 분리된 2개의 안테나선(121, 122)을 포함한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 미들 안테나부(120)의 제1 안테나선(121)과 제2 안테나선(122)은 상호 동일 또는 대칭되도록 형성되어, 각각의 안테나선(121, 122)이 센터 안테나부(110)를 전체적으로 둘러싸도록 굴곡 형성된다. 그리고, 미들 안테나부(120)의 일부 영역에서는 제1 안테나선(121)이 외곽에 위치하고, 다른 일부 영역에서는 제2 안테나선(122)이 외곽에 위치한다.

보다 구체적으로 설명하면, 제1 안테나선(121)은 제1 외측 변부(121c), 제1 내측 변부(121d) 및 제1 변부 연결부(121e)를 포함한다. 그리고 제2 안테나선(122)은 제2 외측 변부(122c), 제2 내측 변부(122d) 및 제2 변부 연결부(122e)를 포함한다.

제1 외측 변부(121c)는 미들 안테나부(120)의 일측의 외곽을 형성하고, 제2 외측 변부(122c)는 미들 안테나부(120)의 타측의 외곽을 형성한다. 도 3을 기준으로 미들 안테나부(120)를 상하로 구분하였을 때, 제1 외측 변부(121c)는 미들 안테나부(120)의 상부 외곽을 형성하고, 제2 외측 변부(122c)는 미들 안테나부(120)의 하부 외곽을 형성한다.

그리고 제1 내측 변부(121d)는 제2 외측 변부(122c)의 내측에 위치하고, 제2 내측 변부(122d)는 제1 외측 변부(121c)의 내측에 위치한다.

도 3을 기준으로 미들 안테나부(120)의 좌측에서 제1 외측 변부(121c)와 제1 내측 변부(121d)가 단차를 이루며 함께 존재하는데, 제1 변부 연결부(121e)는 단차를 형성하는 제1 외측 변부(121c)와 제1 내측 변부(121d)를 연결한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1 변부 연결부(121e)는 제1 외측 변부(121c)와 제1 내측 변부(121d)를 비스듬히 연결하도록 형성될 수 있다. 또는 제1 변부 연결부(121e)는 제1 외측 변부(121c)및 제1 내측 변부(121d)와 대략 수직하게 형성되며 제1 외측 변부(121c)와 제1 내측 변부(121d)를 연결하도록 형성될 수도 있다.

제1 외측 변부(121c)의 단부에는 제1 미들 전력 출력단(121a)이 형성되고, 제1 내측 변부(121d)의 단부에 제1 미들 전력 입력단(121b)이 형성될 수 있다. 이 경우 제1 안테나선(121)으로 인가되는 고주파 전력은 제1 내측 변부(121d)의 단부를 통해 인가되어 제1 안테나선(121)을 따라 흐른 뒤에 제1 외측 변부(121c)의 단부를 통해 흘러 나갈 수 있다.

또는, 제1 외측 변부(121c)의 단부에 제1 미들 전력 입력단이 형성되고, 제1 내측 변부(121d)의 단부에는 제1 미들 전력 출력단이 형성될 수 있다. 이 경우 제1 안테나선(121)으로 인가되는 고주파 전력은 제1 외측 변부(121c)의 단부를 통해 인가되어 제1 안테나선(121)을 따라 흐른 뒤에 제1 내측 변부(121d)의 단부를 통해 흘러 나갈 수 있다.

다만, 유도 결합 플라즈마의 효과적인 발생을 위해 제1 안테나선(121)을 따라 흐르는 전류의 방향이 센터 안테나선(111, 112)을 따라 흐르는 전류의 방향과 동일한 방향이 되도록 하는 것이 바람직하다.

도 3을 기준으로 미들 안테나부(120)의 우측에서 제2 외측 변부(122c)와 제2 내측 변부(122d)가 단차를 이루며 함께 존재하는데, 제2 변부 연결부(122e)는 단차를 형성하는 제2 외측 변부(122c)와 제2 내측 변부(122d)를 연결한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 제2 변부 연결부(122e)는 제2 외측 변부(122c)와 제2 내측 변부(122d)를 비스듬히 연결하도록 형성될 수 있다. 또는 제2 변부 연결부(122e)는 제2 외측 변부(122c)및 제2 내측 변부(122d)와 대략 수직하게 형성되며 제2 외측 변부(122c)와 제2 내측 변부(122d)를 연결하도록 형성될 수도 있다.

제2 외측 변부(122c)의 단부에는 제2 미들 전력 출력단(122a)이 형성되고, 제2 내측 변부(122d)의 단부에는 제2 미들 전력 입력단(122b)이 형성될 수 있다. 이 경우 제2 안테나선(122)으로 인가되는 고주파 전력은 제2 내측 변부(122d)의 단부를 통해 인가되어 제2 안테나선(122)을 따라 흐른 뒤에 제2 외측 변부(122c)의 단부를 통해 흘러 나갈 수 있다.

또는, 제2 외측 변부(122c)의 단부에 제2 미들 전력 입력단이 형성되고, 제2 내측 변부(122d)의 단부에는 제2 미들 전력 출력단이 형성될 수 있다. 이 경우 제2 안테나선(122)으로 인가되는 고주파 전력은 제2 외측 변부(122c)의 단부를 통해 인가되어 제2 안테나선(122)을 따라 흐른 뒤에 제2 내측 변부(122d)의 단부를 통해 흘러 나갈 수 있다.

다만, 유도 결합 플라즈마의 효과적인 발생을 위해 제2 안테나선(122)을 따라 흐르는 전류의 방향이 센터 안테나선(111, 112)을 따라 흐르는 전류의 방향과 동일한 방향이 되도록 하는 것이 바람직하다.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1 미들 전력 출력단(121a)이 형성된 제1 외측 변부(121c)의 단부측은 제2 변부 연결부(122e)와 연결되는 제2 외측 변부(122c)의 일부와 일직선 상에 위치할 수 있으며, 제2 미들 전력 출력단(122a)이 형성된 제2 외측 변부(122c)의 단부측은 제1 변부 연결부(121e)와 연결되는 제1 외측 변부(121c)의 일부와 일직선 상에 위치할 수 있다.

한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 구조체(100)의 미들 안테나부(120)는 제1 안테나선(121)의 제1 미들 전력 출력단(121a)과 제1 미들 전력 입력단(121b)이 인접하여 위치한다. 그리고, 제2 안테나선(122)의 제2 미들 전력 출력단(122a)과 제2 미들 전력 입력단(122b)이 인접하여 위치한다.

전력 출력단(121a, 122a)은 고주파 전력이 흘러 나가는 곳으로 접지되는데, 일반적으로 접지와 가까운 부분에서 전압 강하가 발생한다. 그러나, 고주파 전력이 인가되는 전력 입력단(121b, 122b)을 전력 출력단(121a, 122a)에 인접하여 위치시킴으로서, 전압 강하에 따른 보상이 이루어지도록 하여 전압 강하에 따른 악영향을 최소화시킬 수 있다.

한편, 본 실시예에 따른 에지 안테나부(130)는 서로 분리된 4개의 안테나선(131, 132, 133, 134)을 포함한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 에지 안테나부(130)의 제1, 2, 3, 4 안테나선(131, 132, 133, 134)은 상호 동일 또는 대칭되도록 형성되어 각각의 안테나선(131, 132, 133, 134)이 미들 안테나부(120)의 절반 정보를 둘러싸도록 굴곡 형성된다.

각 안테나선(131, 132, 133, 134)은 다른 2개의 안테나선과 중첩되도록 배치되어 전체적으로 에지 안테나부(130)가 미들 안테나부(120)를 둘러싸도록 한다. 그리고 각각의 안테나선(131, 132, 133, 134)의 일부는 에지 안테나부(130)의 외곽에 위치한다.

보다 구체적으로 설명하면, 제1 안테나선(131)은 제1 외측 변부(131a, 131c), 제1 코너부(131b), 제1 내측 변부(131d), 제1 변부 연결부(131e) 및 제1 코너 연결부(131f)를 포함한다. 유사하게 제2 안테나선은 제2 외측 변부(132a, 132c), 제2 코너부(132b), 제2 내측 변부(132d), 제2 변부 연결부(132e) 및 제2 코너 연결부(132f)를 포함하고, 제3 안테나선은 제3 외측 변부(133a, 133c), 제3 코너부(133b), 제3 내측 변부(133d), 제3 변부 연결부(133e) 및 제3 코너 연결부(133f)를 포함하고, 제4 안테나선은 제4 외측 변부(134a, 134c), 제4 코너부(134b), 제4 내측 변부(134d), 제4 변부 연결부(134e) 및 제4 코너 연결부(134f)를 포함한다.

제1 안테나선(131)의 제1 외측 변부(131a, 131c)는 제1 수평 외측 변부(131a)와 제1 수직 외측 변부(131c)를 포함한다.

제1 수평 외측 변부(131a)와 제1 수직 외측 변부(131c)의 사이에는 제1 코너부(131b)가 형성된다. 제1 코너부(131b)는 에지 안테나부(130)의 코너 중 하나를 형성하며 다른 코너부(132b, 132c, 132d)와 함께 에지 안테나부(130)의 최외곽을 형성한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1 코너부(131b)는 제1 수평 외측 변부(131a) 및 제1 수직 외측 변부(131c)에 비해 외측에 위치하도록 형성된다. 즉, 제1 코너부(131b) 중 제1 수평 외측 변부(131a)와 평행한 부분은 제1 수평 외측 변부(131a)와 단차를 형성하고, 제1 코너부(131b) 중 제1 수직 외측 변부(131c)와 평행한 부분은 제1 수직 외측 변부(131c)와 단차를 형성한다. 제1 코너부(131b)는 에지 안테나부(130)의 우측 상부 코너를 형성한다.

제1 코너 연결부(131f)는 제1 수평 외측 변부(131a) 및 제1 수직 외측 변부(131c)을 제1 코너부(131b)와 연결한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 코너 연결부(131f)는 제1 수평 외측 변부(131a), 제1 수직 외측 변부(131c) 및 제1 코너부(131b)를 대략 수직하게 연결할 수 있다. 또는 실시예에 따라 제1 코너 연결부(131f)는 제1 수평 외측 변부(131a), 제1 수직 외측 변부(131c) 및 제1 코너부(131b)에 비스듬하게 연결될 수도 있다.

도 3을 기준으로 에지 안테나부(130)의 우측에서 제1 내측 변부(131d)는 제1 수직 외측 변부(131c)와 단차를 이루도록 배치된다. 제1 내측 변부(131d)는 제1 수직 외측 변부(131c) 보다 에지 안테나부(130)의 내측에 위치하며, 제1 변부 연결부(131e)는 단차를 형성하는 제1 수직 외측 변부(131c)와 제1 내측 변부(131d)를 연결한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1 변부 연결부(131e)는 제1 수직 외측 변부(131c)와 제1 내측 변부(131d)를 비스듬히 연결하도록 형성될 수 있다. 또는 제1 변부 연결부(131e)는 제1 수직 외측 변부(131c)및 제1 내측 변부(131d)와 대략 수직하게 형성되며 제1 수직 외측 변부(131c)와 제1 내측 변부(131d)를 연결하도록 형성될 수도 있다.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1 수직 외측 변부(131c)는 제2 안테나선(132)의 제2 수직 외측 변부(132a)와 일직선 상에 위치할 수 있다. 그리고 제1 수평 외측 변부(131a)는 제4 안테나선(134)의 제4 수평 외측 변부(134c)와 일직선 상에 위치할 수 있다.

제1 내측 변부(131d)는 제2 안테나선(132)의 내측에 위치한다. 보다 구체적으로 제1 내측 변부(131d)는 제2 안네타선(132)의 제2 외측 변부(132a, 132c) 및 제2 코너부(132b)의 내측에 위치한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1 수평 외측 변부(131a)의 단부에는 제1 에지 전력 입력단(131h)이 형성되고, 제1 내측 변부(131d)의 단부에는 제1 에지 전력 출력단(131i)이 형성될 수 있다. 이 경우 제1 안테나선(131)으로 인가되는 고주파 전력은 제1 수평 외측 변부(131a)의 단부를 통해 인가되어 제1 안테나선(131)을 따라 흐른 뒤에 제1 내측 변부(131d)의 단부를 통해 흘러 나갈 수 있다.

또는, 제1 수평 외측 변부(131a)의 단부에 제1 에지 전력 출력단(131i)이 형성되고, 제1 내측 변부(131d)의 단부에 제1 에지 전력 입력단(131h)이 형성될 수 있다. 이 경우 제1 안테나선(131)으로 인가되는 고주파 전력은 제1 내측 변부(131d)의 단부를 통해 인가되어 제1 안테나선(131)을 따라 흐른 뒤에 제1 수평 외측 변부(131a)의 단부를 통해 흘러 나갈 수 있다.

다만, 유도 결합 플라즈마의 효과적인 발생을 위해 제1 안테나선(131)을 따라 흐르는 전류의 방향이 미들 안테나부(120)의 안테나선들(121, 122)을 따라 흐르는 전류의 방향과 동일한 방향이 되도록 하는 것이 바람직하다.

에지 안테나부(130)의 제2 안테나선(132), 제3 안테나선(133) 및 제4 안테나선(134)은 상술한 제1 안테나선(131)과 동일하거나 대칭되도록 형성되므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.

제2 안테나선(132)은 제1 안테나선(131)을 시계 방향으로 90도 회전시킨 형태와 유사하다. 제2 수직 외측 변부(132a)는 제1 안테나선(131)의 제1 내측 변부(131d)의 외측에 위치하고, 제2 코너부(132b)는 에지 안테나부(130)의 우측 하부의 최외각을 형성하며 우측 하부 코너를 형성한다. 제2 내측 변부(132d)는 제3 안테나선(133)의 제3 외측 변부(133a, 133c) 및 제3 코너부(133b)의 내측에 위치한다. 제2 수직 외측 변부(132a)는 제1 안테나선(131)의 제1 수직 외측 변부(131c)와 일직선 상에 위치하고, 제2 수평 외측 변부(132c)는 제3 안테나선(133)의 제3 수평 외측 변부(133a)와 일직선 상에 위치할 수 있다.

제3 안테나선(133)은 제1 안테나선(131)을 시계 방향으로 180도 회전시킨 형태와 유사하다. 제3 수평 외측 변부(133a)는 제2 안테나선(132)의 제2 내측 변부(132d)의 외측에 위치하고, 제3 코너부(133b)는 에지 안테나부(130)의 좌측 하부의 최외각을 형성하며 좌측 하부 코너를 형성한다. 그리고 제3 내측 변부(133d)는 제4 안테나선(134)의 제4 외측 변부(134a, 134c) 및 제4 코너부(134b)의 내측에 위치한다. 제3 수직 외측 변부(133c)는 제4 안테나선(134)의 제4 수직 외측 변부(134a)와 일직선 상에 위치하고, 제3 수평 외측 변부(133a)는 제2 안테나선(132)의 제2 수평 외측 변부(132c)와 일직선 상에 위치할 수 있다.

제4 안테나선(134)은 제1 안테나선(131)을 시계 방향으로 270도 회전시킨 형태와 유사하다. 제4 수직 외측 변부(134a)는 제3 안테나선(133)의 제2 내측 변부(132d)의 외측에 위치하고, 제4 코너부(134b)는 에지 안테나부(130)의 좌측 상부의 최외각을 형성하며 좌측 상부 코너를 형성한다. 그리고 제4 내측 변부(134d)는 제1 안테나선(131)의 제1 외측 변부(131a, 131c) 및 제1 코너부(131b)의 내측에 위치한다. 제4 수직 외측 변부(134a)는 제3 안테나선(133)의 제3 수직 외측 변부(133c)와 일직선 상에 위치하고, 제4 수평 외측 변부(134c)는 제1 안테나선(131)의 제1 수평 외측 변부(131a)와 일직선 상에 위치할 수 있다.

한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 구조체(100)의 에지 안테나부(130)는 제1 안테나선(131)의 제1 에지 전력 입력단(131h)과 제3 안테나선(133)의 제3 에지 전력 출력단(133i)이 인접하여 위치하고, 제2 안테나선(132)의 제2 에지 전력 입력단(132h)과 제4 안테나선(134)의 제4 에지 전력 출력단(134i)이 인접하여 위치하고, 제3 안테나선(133)의 제3 에지 전력 입력단(133h)과 제1 안테나선(131)의 제1 에지 전력 출력단(131i)이 인접하여 위치하고, 제4 안테나선(134)의 제4 에지 전력 입력단(134h)과 제2 안테나선(132)의 제2 에지 전력 출력단(132i)이 인접하여 위치한다.

이는 미들 안테나부(120)에 대한 설명에서 전술한 바와 같이, 전력 출력단(131i, 132i, 133i, 134i)에서 발생할 수 있는 전압 강하에 따른 보상이 이루어지도록 하기 위함이다.

도 4는 도 3의 안테나 구조체와 피처리 기판의 상호 배치 관계를 개략적으로 도시한 평면도다.

도 4에 도시된 바와 같이, 안테나 구조체(100)의 센터 안테나부(110)와 미들 안테나부(120)는 피처리 기판(S)과 오버랩된다.

그리고, 도 4에 도시된 바와 같이, 에지 안테나부(130)의 코너부(131b, 132b, 133b, 134b)는 피처리 기판(S)과 오버랩되지 않도록 피처리 기판(S)의 코너의 외측에 위치한다. 즉, 피처리 기판(S)의 코너와 오프셋을 형성한다. 오프셋은 안테나 구조체(100)를 피처리 기판(S)의 일면에 수직한 방향으로 투영한 상태에서 간극(g)이 존재하는 것을 의미한다.

에지 안테나부(130)의 코너부(131b, 132b, 133b, 134b)를 제외한 외측 변부(131a, 131c, 132a, 132c, 132a, 132c, 132a, 132c)와 내측 변부(131d, 132d, 133d, 134d)는 피처리 기판(S)에 오버랩될 수 있다. 또는 실시예에 따라 각 외측 변부(131a, 131c, 132a, 132c, 132a, 132c, 132a, 132c)는 피처리 기판(S)과 오프셋을 형성하거나 피처리 기판(S)의 에지에 접하도록 배치되고, 각 내측 변부(131d, 132d, 133d, 134d)는 피처리 기판(S)과 오버랩될 수 있다. 또는 실시예에 따라 각 외측 변부(131a, 131c, 132a, 132c, 132a, 132c, 132a, 132c)는 피처리 기판(S)과 오프셋을 형성하고 각 내측 변부(131d, 132d, 133d, 134d)는 피처리 기판(S)과 오프셋을 형성하거나 피처리 기판(S)의 에지에 접하도록 배치될 수 있다.

오버랩은 안테나 구조체(100)를 피처리 기판(S)의 일면에 수직한 방향으로 투영한 상태에서 겹쳐지는 것을 의미한다.

종래의 플라즈마 처리 장치는 피처리 기판에 대한 플라즈마 처리 시에, 피처리 기판의 코너 부분에서 플라즈마 밀도가 저하되는 현상이 빈번하게 발행하였다. 그러나 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 구조체(100) 및 플라즈마 처리 장치(1)는 에지 안테나부(130)의 코너부(131b, 132b, 133b, 134b)가 피처리 기판(S)의 코너와 외측 방향으로 오프셋을 형성하도록 구성되어, 피처리 기판(S)의 코너 부분을 처리하는 플라즈마 밀도를 보강시킨다. 따라서, 피처리 기판(S)의 중앙부의 플라즈마 밀도와 피처리 기판(S)의 코너부의 플라즈마 밀도 편차를 줄여 피처리 기판(S)에 대한 균일한 플라즈마 처리를 가능케 한다.

도 5는 도 3의 안테나 구조체와 프레임 구조체의 상호 배치 관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 미들 안테나부(120)의 제1 변부 연결부(121e)와 제2 변부 연결부(122e), 에지 안테나부(130)의 제1 변부 연결부(131e), 제2 변부 연결부(132e), 제3 변부 연결부(133e) 및 제4 변부 연결부(134e)가 프레임 구조체(50)의 가로 프레임(52) 또는 세로 프레임(51)과 오버랩되도록 가로 프레임(52) 또는 세로 프레임(51)의 상부에 위치하도록 배치된다.

이는 각 변부 연결부(121e, 122e, 131e, 132e, 133e, 134e)에 인접하여 위치하는 전력 입력단(121b, 121a, 131h, 132h, 133h, 134h)과 전력 출력단(121a, 121b, 131i, 132i, 133i, 134i)에서 발생할 수 있는 영향 또는 안테나선의 굴절을 일으키는 각 변부 연결부(121e, 122e, 131e, 132e, 133e, 134e)의 형상으로부터 발생할 수 있는 영향 등에 의해 안테나 구조체(100)가 생성하는 전기장에 부정적인 영향을 방지하기 위함이다.

즉, 각 변부 연결부(121e, 122e, 131e, 132e, 133e, 134e)를 가로 프레임(52) 또는 세로 프레임(51)의 상부에 위치시켜, 각 변부 연결부(121e, 122e, 131e, 132e, 133e, 134e)에서 발생하는 전기장이 가로 프레임(52) 또는 세로 프레임(51)에 의해 차단되도록 한다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 전력 공급 및 모니터링 구조를 개략적으로 도시한 블록도이다.

본 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 안테나 구조체(100)로 고주파 전력이 공급되는 급전선(71)이 정합기(73)를 거친 후, 각 안테나부(110, 120, 130)로 분기된다.

도 6에 도시된 바와 같이, 급전선(71)은, 에지 안테나부(130)와 연결되는 제1 서브 급전선(71a), 센터 안테나부(110)와 연결되는 제2 서브 급전선(71b), 그리고 미들 안테나부(120)와 연결되는 제3 서브 급전선(71c)으로 분기된다.

그리고, 각 서브 급전선(71a, 71b, 71c)에는 가변 커패시터(C1, C2, C3)와 각 서브 급전선(71a, 71b, 71c)으로 흐르는 전력에 대한 정보를 출력하는 출력 포트(T1, T2, T3)가 연결된다.

제1 가변 커패시터(C1)는 제1 서브급전선(71a)과 직렬 연결되며, 제1 가변 커패시터(C1)의 정전 용량을 변화시켜, 제1 서브급전선(71a)을 통해 에지 안테나부(130)로 인가되는 제1 고주파 전력을 다른 안테나부(110, 120)로 인가되는 고주파 전력에 대해 독립적으로 제어할 수 있다.

제1 출력 포트(T1)로 출력되는 제1 고주파 전력에 대한 정보는 제1 고주파 전력의 전압, 전류 및 위상차를 포함할 수 있다. 제1 출력 포트(T1)를 통해 출력되는 제1 고주파 전력의 위상차는 기준 전력에 대한 제1 고주파 전력의 위상차일 수 있으며, 기준 전력은 미리 설정된 기준값이거나, 고주파 전원(72)에서 출력되는 전력이거나, 각 서브급전선(71a, 71b, 71c) 중 어느 하나를 통해 흐르는 고주파 전력이 될 수 있다.

제2 가변 커패시터(C2)는 제2 서브급전선(71b)과 직렬 연결되며, 제2 가변 커패시터(C2)의 정전 용량을 변화시켜, 제2 서브급전선(71b)을 통해 센터 안테나부(110)로 인가되는 제2 고주파 전력을 다른 안테나부(120, 130)로 인가되는 고주파 전력에 대해 독립적으로 제어할 수 있다.

제2 출력 포트(T2)로 출력되는 제2 고주파 전력에 대한 정보는 제2 고주파 전력의 전압, 전류 및 위상차를 포함할 수 있다. 제2 출력 포트(T2)를 통해 출력되는 제2 고주파 전력의 위상차는 기준 전력에 대한 제2 고주파 전력의 위상차일 수 있다.

제3 가변 커패시터(C3)는 제3 서브급전선(71c)과 직렬 연결되며, 제3 가변 커패시터(C3)의 정전 용량을 변화시켜, 제3 서브급전선(71c)을 통해 미들 안테나부(120)로 인가되는 제3 고주파 전력을 다른 안테나부(110, 130)로 인가되는 고주파 전력에 대해 독립적으로 제어할 수 있다.

제3 출력 포트(T3)로 출력되는 제3 고주파 전력에 대한 정보는 제3 고주파 전력의 전압, 전류 및 위상차를 포함할 수 있다. 제3 출력 포트(T3)를 통해 출력되는 제3 고주파 전력의 위상차는 기준 전력에 대한 제3 고주파 전력의 위상차일 수 있다.

한편, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 각 출력 포트(T1, T2, T3)와 연결되는 모니터링부(80)를 포함한다.

모니터링부(80)는 각 출력 포트(T1, T2, T3)로부터 출력된 제1 고주파 전력, 제2 고주파 전력 및 제3 고주파 전력에 대한 정보를 시각적으로 표현할 수 있다.

사용자가 모니터링부(80)를 통해 각 고주파 전력에 대한 정보를 모니터링할 수 있도록, 모니터링부(80)는 각 고주파 전력에 대한 정보를 수치로서 표현할 뿐만 아니라, 각 안테나부(110, 120, 130)의 상대적인 위치 관계가 도시된 안테나 이미지 상에 각 고주파 전력의 흐름 또는 분포가 전압/전류의 크기에 따라 다른 색상으로 표현되는 이미지로 표현될 수 있다.

또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 각 가변 커패시터(C1, C2, C3)와 연결되는 제어부(90)를 포함한다.

제어부(90)는 사용자의 조작에 의해 각 가변 커패시터(C1, C2, C3)의 정전 용량을 제어한다.

사용자는 모니터링부(80)를 통해 각 안테나부(110, 120, 130)에 흐르는 각 고주파 전력에 대한 정보를 확인하고, 제어부(90)를 통해 각 가변 커패시터(C1, C2, C3)의 정전 용량을 제어하여 제1 고주파 전력, 제2 고주파 전력 및 제3 고주파 전력을 독립적으로 제어할 수 있다.

센터 안테나부(110), 미들 안테나부(120) 및 에지 안테나부(130)에 흐르는 고주파 전력을 실시간으로 확인하고, 즉각적으로 각 고주파 전력을 제어할 수 있으므로, 처리 공간 내에 발생하는 플라즈마의 분포/밀도를 실시간으로 제어하는 것이 가능하다.

특히, 에지 안테나부(130)에 흐르는 제1 고주파 전력은 피처리 기판(S)의 가장자리 부분을 처리하는 플라즈마의 밀도와 관련되고, 센터 안테나부(110)에 흐르는 제2 고주파 전력은 피처리 기판(S)의 중앙부를 처리하는 플라즈마 밀도와 관련되며, 미들 안테나부(120)에 흐르는 제3 고주파 전력은 피처리 기판(S)의 중앙부와 가장자리 사이 영역을 처리하는 플라즈마 밀도와 관련된다.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 피처리 기판(S)의 각 영역별 플라즈마 분포/밀도를 실시간으로 제어할 수 있으므로, 기판 처리 환경에 따라 플라즈마의 분포/밀도를 변화시켜 최적화된 플라즈마를 처리 공간 내에 생성시킬 수 있다.

본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

1: 유도 결합 플라즈마 처리 장치 10: 챔버
20: 스테이지 지지부 30: 스테이지
50: 프레임 구조체 51: 세로 프레임
52: 가로 프레임 53: 사각 프레임
61, 71: 급전선 62, 72: 고주파 전원
63, 73: 정합기 71a, 71b, 71c: 서브급전선
80: 모니터링부 90: 제어부
100: 안테나 구조체 110: 센터 안테나부
111, 112: 센터 안테나선 120: 미들 안테나부
121, 131: 제1 안테나선 122, 132: 제2 안테나선
130: 에지 안테나부 133: 제3 안테나선
134: 제4 안테나선 C1, C2, C3: 가변 커패시터
S: 피처리 기판 T1, T2, T3: 출력 포트
W, W1, W2, W3, W4: 윈도우

Claims (15)

1. 고주파 전력을 인가받아 처리실 내에 플라즈마 생성을 유도하는 플라즈마 발생용 안테나 구조체에 있어서,
   플라즈마 발생용 안테나 구조체의 최외곽을 형성하는 변부 및 코너부의 적어도 일부를 형성하도록 굴곡 형성된 안테나선을 포함하며,
   상기 안테나선은 상기 코너부를 형성하는 부분이 상기 변부를 형성하는 부분과 단차를 이루며 상기 변부를 형성하는 부분에 비해 외측에 위치하도록 형성되고
   상기 안테나선의 상기 변부를 형성하는 부분은 상기 처리실 내에 수용된 피처리 기판과 오버랩되도록 위치하고,
   상기 안테나선의 상기 코너부를 형성하는 부분은 상기 피처리 기판과 오버랩되지 않도록 상기 피처리 기판의 코너의 외측에 위치하는, 플라즈마 발생용 안테나 구조체.
2. 삭제
3. 삭제
4. 제1항에 있어서,
   상기 코너부는 제1 코너부 및 제2 코너부를 포함하고
   상기 안테나선은,
   상기 제1 코너부를 형성하는 제1 안테나선 및 상기 제2 코너부를 형성하는 제2 안테나선을 포함하며,
   상기 제1 안테나선의 일부는 상기 제2 안테나선의 내측에 위치하는, 플라즈마 발생용 안테나 구조체.
5. 제4항에 있어서,
   상기 제1 안테나선은,
   상기 제1 코너부, 상기 제1 코너부와 단차를 형성하는 제1 외측 변부 및 상기 제1 외측 변부와 단차를 형성하는 제1 내측 변부를 포함하고,
   상기 제2 안테나선은,
   상기 제2 코너부, 상기 제2 코너부와 단차를 형성하는 제2 외측 변부 및 상기 제2 외측 변부와 단차를 형성하는 제2 내측 변부를 포함하며,
   상기 제1 내측 변부는 상기 제2 외측 변부의 내측에 위치하는, 플라즈마 발생용 안테나 구조체.
6. 제5항에 있어서,
   상기 제1 외측 변부 중 일부는 상기 제2 외측 변부 중 일부와 일직선 상에 위치하는, 플라즈마 발생용 안테나 구조체.
7. 피처리 기판을 수용하는 처리실;
   상기 처리실 내에 수용되는 상기 피처리 기판과 마주하도록 배치되는 안테나 구조체 및
   상기 안테나 구조체와 상기 처리실 사이에 구비되는 윈도우를 포함하고,
   상기 안테나 구조체는,
   상기 안테나 구조체의 최외곽을 형성하는 변부 및 코너부의 적어도 일부를 형성하도록 굴곡 형성된 안테나선을 포함하며,
   상기 안테나선은 상기 코너부를 형성하는 부분이 상기 변부를 형성하는 부분과 단차를 이루며 상기 변부를 형성하는 부분에 비해 외측에 위치하도록 형성되고,
   상기 안테나선의 상기 변부를 형성하는 부분은 상기 피처리 기판과 오버랩되도록 위치하고,
   상기 안테나선의 상기 코너부를 형성하는 부분은 상기 피처리 기판과 오버랩되지 않도록 상기 피처리 기판의 코너의 외측에 위치하는, 플라즈마 처리 장치.
8. 삭제
9. 삭제
10. 제7항에 있어서,
    상기 코너부는 제1 코너부 및 제2 코너부를 포함하고,
    상기 안테나선은,
    상기 제1 코너부를 형성하는 제1 안테나선 및 상기 제2 코너부를 형성하는 제2 안테나선을 포함하며,
    상기 제1 안테나선의 일부는 상기 제2 안테나선의 내측에 위치하는, 플라즈마 처리 장치.
11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 안테나선은,
    상기 제1 코너부, 상기 제1 코너부와 단차를 형성하는 제1 외측 변부 및 상기 제1 외측 변부와 단차를 형성하는 제1 내측 변부를 포함하고,
    상기 제2 안테나선은,
    상기 제2 코너부, 상기 제2 코너부와 단차를 형성하는 제2 외측 변부 및 상기 제2 외측 변부와 단차를 형성하는 제2 내측 변부를 포함하며,
    상기 제1 내측 변부는 상기 제2 외측 변부의 내측에 위치하는, 플라즈마 처리 장치.
12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 외측 변부 중 적어도 일부는 상기 제2 외측 변부 중 적어도 일부와 일직선 상에 위치하는, 플라즈마 처리 장치.
13. 제11항에 있어서,
    상기 제1 안테나선은 상기 제1 외측 변부와 상기 제1 내측 변부를 연결하는 제1 변부 연결부를 포함하고,
    상기 제2 안테나선은 상기 제2 외측 변부와 상기 제2 내측 변부를 연결하는 제2 변부 연결부를 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
14. 제13항에 있어서,
    상기 윈도우를 지지하는 지지하는 프레임 구조체를 더 포함하고,
    상기 안테나 구조체는 상기 제1 변부 연결부 및 상기 제2 변부 연결부가 상기 프레임 구조체의 상부에 위치하도록 배치되는, 플라즈마 처리 장치.
15. 제14항에 있어서,
    상기 프레임 구조체는 십자 형상으로 교차하는 가로 프레임과 세로 프레임을 포함하고,
    상기 제1 변부 연결부 및 상기 제2 변부 연결부는 상기 가로 프레임 및 상기 세로 프레임 중 적어도 하나의 상부에 위치하는, 플라즈마 처리 장치.

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