KR101886324B1 - LED display structure and method of fabricating the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 성장용 기판; 상기 성장용 기판 상에 배치된 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층 구조를 포함하는 발광다이오드; 및 상기 성장용 기판 상에 상기 발광다이오드와 이격되어 배치되되 상기 발광다이오드와 전기적으로 직렬로 연결되어 상기 발광다이오드의 발광동작을 제어할 수 있으며, 제 2 도전형 반도체층, 활성층, 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층 구조를 포함하는 바이폴라 접합 트랜지스터;를 구비하는 LED 디스플레이 구조체를 제공한다. The present invention relates to a substrate for growth; A light emitting diode including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer structure disposed on the substrate for growth; And a second conductive type semiconductor layer, an active layer, a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, and a second conductive type semiconductor layer. And a bipolar junction transistor including a semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer structure.
Description
본 발명은 디스플레이 구조체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 LED 디스플레이 구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display structure and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an LED display structure and a method of manufacturing the same.
LED는 소비전력이 낮고 상대적으로 부피가 작으며 가용수명도 길기 때문에 디스플레이 장치의 유지비용을 절감할 수 있고, 다양한 색상으로 디스플레이를 연출할 수 있으며, 조광 강도도 손쉽게 조절할 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다.LEDs are widely used because they have a low power consumption, a relatively small volume, and a long usable life, which can reduce the maintenance cost of the display device, display a variety of colors, and easily adjust the intensity of illumination .
관련 선행기술로는 대한민국 등록공보 제1401077호(2014.05.22. 등록, 발명의 명칭 : LED를 이용한 디스플레이 장치)가 있다.A related prior art is the Korean Registered Publication No. 1401077 (registered name, invention: display device using LED) on May 22, 2014.
본 발명은 발광다이오드 및 발광다이오드의 동작을 효과적으로 제어할 수 있는 바이폴라 접합 트랜지스터가 효율적으로 구성 배치된 LED 디스플레이 구조체 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.An object of the present invention is to provide an LED display structure in which bipolar junction transistors capable of effectively controlling the operation of light emitting diodes and light emitting diodes are efficiently arranged and a method of manufacturing the same. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.
본 발명의 일 관점에 의한 LED 디스플레이 구조체가 제공된다. 상기 LED 디스플레이 구조체는 성장용 기판; 상기 성장용 기판 상에 배치된 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층 구조를 포함하는 발광다이오드; 및 상기 성장용 기판 상에 상기 발광다이오드와 이격되어 배치되되 상기 발광다이오드와 전기적으로 직렬로 연결되어 상기 발광다이오드의 발광동작을 제어할 수 있으며, 제 2 도전형 반도체층, 활성층, 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층 구조를 포함하는 바이폴라 접합 트랜지스터;를 구비한다. An LED display structure according to an aspect of the present invention is provided. The LED display structure includes a substrate for growth; A light emitting diode including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer structure disposed on the substrate for growth; And a second conductive type semiconductor layer, an active layer, a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, and a second conductive type semiconductor layer. And a bipolar junction transistor including a semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer structure.
상기 LED 디스플레이 구조체의 바이폴라 접합 트랜지스터에서 한 쌍의 상기 제 2 도전형 반도체층은 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 서로 이격되어 배치되되, 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이에 상기 활성층이 각각 개재되어 구성될 수 있다. In the bipolar junction transistor of the LED display structure, a pair of the second conductivity type semiconductor layers are spaced apart from each other on the first conductivity type semiconductor layer, and the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer The active layer may be interposed between the first electrode and the second electrode.
상기 LED 디스플레이 구조체에서, 상기 발광다이오드를 구성하는 제 1 도전형 반도체층과 상기 바이폴라 접합 트랜지스터를 구성하는 제 1 도전형 반도체층은 동일한 공정으로 동시에 형성된 동일한 물질로 구성되며, 상기 발광다이오드를 구성하는 제 2 도전형 반도체층과 상기 바이폴라 접합 트랜지스터를 구성하는 제 2 도전형 반도체층은 동일한 공정으로 동시에 형성된 동일한 물질로 구성될 수 있다. In the LED display structure, the first conductive semiconductor layer constituting the light emitting diode and the first conductive semiconductor layer constituting the bipolar junction transistor are formed of the same material formed at the same time in the same process, The second conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer constituting the bipolar junction transistor may be formed of the same material formed at the same time by the same process.
상기 LED 디스플레이 구조체에서, 상기 성장용 기판은 사파이어 기판을 포함하고, 상기 제 1 도전형 반도체층은 p-GaN층을 포함하고, 상기 제 2 도전형 반도체층은 n-GaN층을 포함하고, 상기 활성층은 MQW(Multi Quantum Well)층을 포함할 수 있다. In the LED display structure, the growth substrate includes a sapphire substrate, the first conductive semiconductor layer includes a p-GaN layer, the second conductive semiconductor layer includes an n-GaN layer, The active layer may comprise a multi quantum well (MQW) layer.
상기 LED 디스플레이 구조체는 상기 성장용 기판 상에 상기 발광다이오드 및 상기 바이폴라 접합 트랜지스터와 이격되어 배치되되 상기 발광다이오드 및 상기 바이폴라 접합 트랜지스터와 전기적으로 병렬로 연결되는, 커패시터;를 더 구비할 수 있다. The LED display structure may further include a capacitor disposed on the growth substrate and spaced apart from the light emitting diode and the bipolar junction transistor and electrically connected in parallel with the light emitting diode and the bipolar junction transistor.
상기 LED 디스플레이 구조체에서, 상기 발광다이오드와 상기 바이폴라 접합 트랜지스터는 상기 성장용 기판의 면들 중에서 동일한 면 상에 배치될 수 있다. In the LED display structure, the light emitting diode and the bipolar junction transistor may be disposed on the same surface among the surfaces of the growth substrate.
본 발명의 다른 관점에 의한 LED 디스플레이 구조체의 제조방법이 제공된다. 상기 LED 디스플레이 구조체의 제조방법은 성장용 기판 상에 배치된 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층 구조를 포함하는 발광다이오드를 형성하는 단계; 및 상기 발광다이오드의 발광동작을 제어하기 위하여 상기 성장용 기판 상에 상기 발광다이오드와 이격되어 배치되되, 제 2 도전형 반도체층, 활성층, 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층 구조를 포함하는 바이폴라 접합 트랜지스터를 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 발광다이오드를 구성하는 제 1 도전형 반도체층과 상기 바이폴라 접합 트랜지스터를 구성하는 제 1 도전형 반도체층은 동일한 공정으로 동시에 적층되며, 상기 발광다이오드를 구성하는 제 2 도전형 반도체층과 상기 바이폴라 접합 트랜지스터를 구성하는 제 2 도전형 반도체층은 동일한 공정으로 동시에 적층된다. A method of manufacturing an LED display structure according to another aspect of the present invention is provided. The method of fabricating the LED display structure includes forming a light emitting diode including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer structure disposed on a substrate for growth; And a second conductivity type semiconductor layer, an active layer, a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer, the second conductivity type semiconductor layer being disposed on the growth substrate to control the light emitting operation of the light emitting diode. Wherein the first conductive semiconductor layer constituting the light emitting diode and the first conductive semiconductor layer constituting the bipolar junction transistor are simultaneously stacked in the same process, The second conductivity type semiconductor layer constituting the light emitting diode and the second conductivity type semiconductor layer constituting the bipolar junction transistor are simultaneously laminated by the same process.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광다이오드 및 발광다이오드의 동작을 효과적으로 제어할 수 있는 바이폴라 접합 트랜지스터가 효율적으로 구성 배치된 LED 디스플레이 구조체 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention as described above, it is an object of the present invention to provide an LED display structure in which bipolar junction transistors capable of effectively controlling operations of light emitting diodes and light emitting diodes are efficiently arranged and a method of manufacturing the same . However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 구조체의 회로 구성을 도해하는 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 구조체의 구성을 도해하는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 구조체의 일부 구성을 도해하는 단면도이다. 1 is a circuit diagram illustrating a circuit configuration of an LED display structure according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view illustrating a configuration of an LED display structure according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a partial structure of an LED display structure according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, Is provided to fully inform the user. Also, for convenience of explanation, the components may be exaggerated or reduced in size.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 구조체의 회로 구성을 도해하는 회로도이다. 1 is a circuit diagram illustrating a circuit configuration of an LED display structure according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 구조체는 발광다이오드(10)와 발광다이오드(10)의 발광동작을 제어할 수 있는 제 1 바이폴라 접합 트랜지스터(20)를 포함한다. 제 1 바이폴라 접합 트랜지스터(20)는 발광다이오드(10)와 전기적으로 직렬로 연결될 수 있으며, 구동전압부(Vcc)와 발광다이오드(10) 사이에서 스위칭 역할을 수행할 수 있다. Referring to FIG. 1, an LED display structure according to an embodiment of the present invention includes a
본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 구조체는 발광다이오드(10) 및 제 1 바이폴라 접합 트랜지스터(20)와 전기적으로 병렬로 연결되는 커패시터(30)를 더 구비할 수 있다. 커패시터(30)는 소스전압부(Vs)와 연결되며, 커패시터(30) 및 소스전압부(Vs) 사이에 스위칭 역할을 수행할 수 있는 제 2 바이폴라 접합 트랜지스터(40)가 배치될 수 있다. 이에 따르면, 소스전압부(Vs)에 의하여 커패시터(30)가 충전될 수 있으며, 충방전을 수행하는 커패시터(30)가 발광다이오드(10) 및 제 1 바이폴라 접합 트랜지스터(20)와 전기적으로 병렬로 연결됨으로써 발광다이오드(10)의 동작을 효과적으로 제어할 수 있다. The LED display structure according to an embodiment of the present invention may further include a
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 구조체의 구성을 도해하는 평면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 구조체의 일부 구성을 도해하는 단면도이다. FIG. 2 is a plan view illustrating a configuration of an LED display structure according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a partial configuration of an LED display structure according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 3을 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 구조체는 성장용 기판(1); 성장용 기판(1) 상에 배치된 발광다이오드(10); 및 성장용 기판(1) 상에 발광다이오드(10)와 이격되어 배치되되 발광다이오드(10)와 전기적으로 직렬로 연결되어 발광다이오드(10)의 발광동작을 제어할 수 있는 제 1 바이폴라 접합 트랜지스터(20);를 구비할 수 있다. 1 to 3, an LED display structure according to an embodiment of the present invention includes a
성장용 기판(1)은 사파이어 기판을 포함할 수 있다. 성장용 기판(1)으로 사파이어 기판이 적용된 경우, 상기 사파이어 기판은, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001과 4.758Å이며, C면, A면, R면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 사용될 수 있다. The
이외에도, 성장용 기판(1)은, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN을 포함할 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다. 또한, 이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 사용될 수 있으나, 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 가격적인 측면에서 유리하다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 그 상에 형성되는 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가할 수 있다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 따라서, 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다. 여기서, 상기 버퍼층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.In addition, the substrate for
발광다이오드(10)는 제 1 도전형 반도체층(12), 활성층(14), 제 2 도전형 반도체층(16) 구조를 포함한다. 제 1 도전형 반도체층(12)은 성장용 기판(1) 상에 에피택셜 성장에 의하여 형성될 수 있다. 활성층(14)은, 예를 들어, MQW(Multi Quantum Well)층을 포함할 수 있다. The
본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 구조체에서 제 1 도전형은 P형일 수 있으며, 제 2 도전형은 N형일 수 있으며, 이하에서는 이에 준하여 설명한다. 이 경우, 제 1 도전형 반도체층(12)은 P-GaN층일 수 있으며, 제 2 도전형 반도체층(16)은 N-GaN층일 수 있다. 다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니며, 이와 반대로, 제 1 도전형은 N형일 수 있으며, 제 2 도전형은 P형인 경우에도 적용될 수 있음은 명백하다. In the LED display structure according to an embodiment of the present invention, the first conductivity type may be P type, and the second conductivity type may be N type, which will be described below. In this case, the first conductivity
제 1 바이폴라 접합 트랜지스터(20)는 제 2 도전형 반도체층(26a), 활성층(24a), 제 1 도전형 반도체층(22), 활성층(24b), 제 2 도전형 반도체층(26b) 구조를 포함할 수 있다. 제 1 바이폴라 접합 트랜지스터(20)에서 제 2 도전형 반도체층들(26a, 26b)은 제 1 도전형 반도체층(22) 상에 서로 이격되어 배치되되, 제 1 도전형 반도체층(22)과 제 2 도전형 반도체층(26a) 사이에 활성층(24a)이 개재되며, 제 1 도전형 반도체층(22)과 제 2 도전형 반도체층(26b) 사이에 활성층(24b)이 개재되어 구성될 수 있다. 즉, 제 1 도전형 반도체층(22) 상에 한 쌍의 활성층/제 2 도전형 반도체층의 스택 구조체가 서로 이격되어 배치되는 구성을 제공할 수 있다.The first
예를 들어, 제 1 도전형 반도체층(22)이 P-GaN층이며, 제 2 도전형 반도체층(26a, 26b)이 N-GaN층이며, 활성층(24a, 24b)이 MQW(Multi Quantum Well)층인 경우, 제 1 바이폴라 접합 트랜지스터(20)는 N-GaN/MQW/P-GaN/MQW/N-GaN 구조의 NPN 트랜지스터일 수 있다. For example, when the first conductivity
한편, 노출된 제 1 도전형 반도체층(22)에 게이트 전압이 인가되며, 제 2 도전형 반도체층(26b)에 소스 전압이 인가되며, 또 다른 제 2 도전형 반도체층(26a)은 발광다이오드(10)의 제 2 도전형 반도체층(16)과 전기적으로 연결될 수 있다. On the other hand, a gate voltage is applied to the exposed first conductivity
본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 구조체에서, 발광다이오드(10)를 구성하는 제 1 도전형 반도체층(12)과 제 1 바이폴라 접합 트랜지스터(20)를 구성하는 제 1 도전형 반도체층(22)은 동일한 공정으로 동시에 형성된 동일한 물질로 구성되며, 발광다이오드(10)를 구성하는 제 2 도전형 반도체층(16)과 제 1 바이폴라 접합 트랜지스터(20)를 구성하는 제 2 도전형 반도체층(26a, 26b)은 동일한 공정으로 동시에 형성된 동일한 물질로 구성될 수 있다. In the LED display structure according to an embodiment of the present invention, the first
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 구조체의 제조방법 측면에서는, 발광다이오드(10)를 구성하는 제 1 도전형 반도체층(12)과 제 1 바이폴라 접합 트랜지스터(20)를 구성하는 제 1 도전형 반도체층(22)은 동일한 공정으로 동시에 형성되며, 발광다이오드(10)를 구성하는 제 2 도전형 반도체층(16)과 제 1 바이폴라 접합 트랜지스터(20)를 구성하는 제 2 도전형 반도체층(26a, 26b)은 동일한 공정으로 동시에 형성될 수 있다. That is, in the method of manufacturing an LED display structure according to an embodiment of the present invention, the first
본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 구조체는 성장용 기판(1) 상에 발광다이오드(10) 및 바이폴라 접합 트랜지스터(20)와 이격되어 배치되되 발광다이오드(10) 및 바이폴라 접합 트랜지스터(20)와 전기적으로 병렬로 연결되는, 커패시터(30)를 더 구비할 수 있다. The LED display structure according to an embodiment of the present invention includes a
한편, 도 3에서는, 예시적으로, 성장용 기판(1) 상에 발광다이오드(10) 및 제 1 바이폴라 접합 트랜지스터(20)가 서로 이격되어 배치되는 구성을 도해하였으나, 제 2 바이폴라 접합 트랜지스터(40)도 성장용 기판(1) 상에 발광다이오드(10)와 이격되어 배치되는 구성으로 제공될 수 있다. 3 illustrates a configuration in which the
본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 구조체에서는 상술한 발광다이오드(10), 바이폴라 접합 트랜지스터(20, 40) 및 커패시터(30)가 성장용 기판(1)의 면들 중에서 동일한 면 상에 배치될 수 있다. In the LED display structure according to an embodiment of the present invention, the above-described
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다. While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
1 : 성장용 기판
10 : 발광다이오드
12, 22 : 제 1 도전형 반도체층
14, 24a, 24b : 활성층
16, 26a, 26b : 제 2 도전형 반도체층
20, 40 : 바이폴라 접합 트랜지스터
30 : 커패시터1: Growth substrate
10: Light emitting diode
12, and 22: a first conductivity type semiconductor layer
14, 24a, 24b:
16, 26a, 26b: the second conductivity type semiconductor layer
20, 40: bipolar junction transistor
30: Capacitor
Claims (6)
상기 성장용 기판(1) 상에 배치된 제 1 도전형 반도체층(12), 활성층(14), 제 2 도전형 반도체층(16) 구조를 포함하는 발광다이오드(10); 및
상기 성장용 기판(1) 상에 상기 발광다이오드(10)와 이격되어 배치되되 상기 발광다이오드(10)와 전기적으로 직렬로 연결되어 상기 발광다이오드의 발광동작을 제어할 수 있으며, 제 2 도전형 반도체층(26a), 활성층(24a), 제 1 도전형 반도체층(22), 활성층(24b), 제 2 도전형 반도체층(26b) 구조를 포함하는 바이폴라 접합 트랜지스터(20);를 구비하며,
상기 성장용 기판 상에 상기 발광다이오드(10) 및 상기 바이폴라 접합 트랜지스터(20)와 이격되어 배치되되 상기 발광다이오드(10) 및 상기 바이폴라 접합 트랜지스터(20)와 전기적으로 병렬로 연결되는, 커패시터(30);를 더 구비하되,
상기 커패시터(30)는 상기 바이폴라 접합트랜지스터(20)의 베이스에 연결되어 상기 바이폴라 접합트랜지스터(20)의 온오프를 제어함으로써 상기 발광다이오드(10)의 동작을 제어하며,
상기 바이폴라 접합 트랜지스터(20)에서, 한 쌍의 상기 제 2 도전형 반도체층(26a, 26b)이 상기 제 1 도전형 반도체층(22) 상에 서로 이격되어 배치되되, 상기 제 1 도전형 반도체층(22)과 한 쌍의 상기 제 2 도전형 반도체층(26a, 26b) 사이에 서로 이격되어 배치된 한 쌍의 상기 활성층(24a, 24b)이 각각 개재되어 구성되며,
서로 이격된 한 쌍의 상기 제 2 도전형 반도체층(26a, 26b)과 서로 이격된 한 쌍의 상기 활성층(24a, 24b)사이에 노출된 제 1 도전형 반도체층(22)에 게이트 전압이 인가되며, 한 쌍의 상기 제 2 도전형 반도체층(26a, 26b)의 어느 하나(26b)에 소스 전압이 인가되며,
상기 바이폴라 접합 트랜지스터(20)를 구성하는 한 쌍의 상기 제 2 도전형 반도체층(26a, 26b)의 다른 하나(26a)는 상기 발광다이오드(10)를 구성하는 상기 제 2 도전형 반도체층(16)과 전기적으로 연결되며,
상기 발광다이오드를 구성하는 제 1 도전형 반도체층(12)과 상기 바이폴라 접합 트랜지스터를 구성하는 제 1 도전형 반도체층(22)은 동일한 공정으로 동시에 형성된 동일한 물질로 구성되며, 상기 발광다이오드를 구성하는 활성층(14)과 상기 바이폴라 접합 트랜지스터를 구성하는 활성층(24a, 24b)은 동일한 공정으로 동시에 형성된 동일한 물질로 구성되며, 상기 발광다이오드를 구성하는 제 2 도전형 반도체층(16)과 상기 바이폴라 접합 트랜지스터를 구성하는 제 2 도전형 반도체층(26a, 26b)은 동일한 공정으로 동시에 형성된 동일한 물질로 구성되며,
상기 제 1 도전형이 P형이고 상기 제 2 도전형이 N형인 경우 상기 바이폴라 접합 트랜지스터는 NPN 트랜지스터이고, 상기 제 1 도전형이 N형이고 상기 제 2 도전형이 P형인 경우 상기 바이폴라 접합 트랜지스터는 PNP 트랜지스터인,
LED 디스플레이 구조체.A growth substrate (1);
A light emitting diode 10 including a structure of a first conductivity type semiconductor layer 12, an active layer 14, and a second conductivity type semiconductor layer 16 disposed on the growth substrate 1; And
The light emitting diode 10 may be disposed on the growth substrate 1 so as to be spaced apart from the light emitting diode 10 and electrically connected to the light emitting diode 10 in series to control the light emitting operation of the light emitting diode. And a bipolar junction transistor 20 including a layer 26a, an active layer 24a, a first conductive semiconductor layer 22, an active layer 24b, and a second conductive semiconductor layer 26b,
A capacitor 30 which is disposed on the growth substrate and is disposed in a spaced relation to the light emitting diode 10 and the bipolar junction transistor 20 and is electrically connected in parallel with the light emitting diode 10 and the bipolar junction transistor 20; ),
The capacitor 30 is connected to the base of the bipolar junction transistor 20 to control the operation of the light emitting diode 10 by controlling on / off of the bipolar junction transistor 20,
In the bipolar junction transistor 20, a pair of the second conductivity type semiconductor layers 26a and 26b are disposed apart from each other on the first conductivity type semiconductor layer 22, A pair of active layers 24a and 24b disposed between the pair of second conductivity type semiconductor layers 26a and 26b and spaced apart from each other,
A gate voltage is applied to the first conductivity type semiconductor layer 22 exposed between a pair of the second conductivity type semiconductor layers 26a and 26b spaced from each other and a pair of the active layers 24a and 24b spaced from each other A source voltage is applied to one of the pair of the second conductivity type semiconductor layers 26a and 26b,
The other one of the pair of second conductive type semiconductor layers 26a and 26b constituting the bipolar junction transistor 20 is connected to the second conductive type semiconductor layer 16 constituting the light emitting diode 10 ),
The first conductive semiconductor layer 12 constituting the light emitting diode and the first conductive semiconductor layer 22 constituting the bipolar junction transistor are formed of the same material formed at the same time in the same process, The active layer 14 and the active layers 24a and 24b constituting the bipolar junction transistor are formed of the same material formed at the same time in the same process and the second conductive semiconductor layer 16 constituting the light emitting diode, The second conductive type semiconductor layers 26a and 26b constituting the first conductive type semiconductor layer 26 are composed of the same material formed simultaneously in the same step,
The bipolar junction transistor is an NPN transistor when the first conductivity type is P type and the second conductivity type is N type, and when the first conductivity type is N type and the second conductivity type is P type, A PNP transistor,
LED display structure.
상기 발광다이오드와 상기 바이폴라 접합 트랜지스터는 상기 성장용 기판의 면들 중에서 동일한 면 상에 배치되는, LED 디스플레이 구조체.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitting diode and the bipolar junction transistor are disposed on the same plane among the surfaces of the growth substrate.
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