JP2003037268A - Semiconductor element and manufacturing method therefor - Google Patents

Semiconductor element and manufacturing method therefor

Info

Publication number
JP2003037268A
JP2003037268A JP2001223042A JP2001223042A JP2003037268A JP 2003037268 A JP2003037268 A JP 2003037268A JP 2001223042 A JP2001223042 A JP 2001223042A JP 2001223042 A JP2001223042 A JP 2001223042A JP 2003037268 A JP2003037268 A JP 2003037268A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light
semiconductor
light emitting
active layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001223042A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Kitamura
健 北村
Original Assignee
Minolta Co Ltd
ミノルタ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Minolta Co Ltd, ミノルタ株式会社 filed Critical Minolta Co Ltd
Priority to JP2001223042A priority Critical patent/JP2003037268A/en
Publication of JP2003037268A publication Critical patent/JP2003037268A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45Ohmic electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor element, in which the absorption of visible light of a semiconductor active layer is prevented and a thin film transistor and a light-emitting element are formed easily.
SOLUTION: For the light-emitting element 10 formed on a substrate 1, an n-type light-emitting layer 3 composed of n-type ZnO and a p-type light-emitting layer 4 composed of p-type ZnO and formed on a lower electrode 2 composed of ZnO and an upper electrode 5 composed of ITO is formed on the p-type light-emitting layer 4. For the thin film transistor 20, which switches the light- emitting element 10, the semiconductor active layer 13 composed of i-type ZnO is formed via an insulation layer 12 composed of SiO2 on a gate 11 composed of ZnO and a drain 15 and a source 16 composed of ITO are formed via a contact layer 14, composed of n-type ZnO on the semiconductor active layer 13.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は同一の基板上に発光素子と薄膜トランジスタ(TFT)とを形成した半導体素子及びその製造方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof to form a light emitting element and a thin film transistor (TFT) on the same substrate. 【0002】 【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス(EL) [0002] an organic electroluminescence (EL)
素子等の発光素子と、発光素子をスイッチングする薄膜トランジスタとを集積化した自発光型の半導体素子は、 A light emitting element such as element, a semiconductor element of self-luminous which integrates a thin film transistor for switching the light emitting element,
平面型ディスプレイ等に用いられる。 Used in flat display or the like. 【0003】薄膜トランジスタは、ガラス等の基板上に形成されたゲート上に絶縁層を介してアモルファスシリコンや多結晶シリコン等のシリコン系材料から成る半導体活性層が形成される。 [0003] The thin film transistor includes a semiconductor active layer made on a gate formed on a substrate of glass or the like through an insulating layer of a silicon-based material such as amorphous silicon or polycrystalline silicon is formed. 半導体活性層上にはコンタクト層を介してソース及びドレインが形成される。 Source and drain are formed through the contact layer on the semiconductor active layer. コンタクト層はソース及びドレインとのオーミック接合を確保するために設けられる。 Contact layer is provided in order to ensure ohmic contact between the source and drain. ゲートに電圧が印加されると、ソースとドレインとが電気的に繋がって薄膜トランジスタから成るスイッチング素子がONになる。 When a voltage is applied to the gate, the switching element and the source and drain is made of a thin film transistor connected to the electrical it is turned ON. 【0004】発光素子は、上部電極と下部電極との間に発光層が挟まれて構成されている。 [0004] light emitting element, the light emitting layer is formed is sandwiched between the upper electrode and the lower electrode. そして、スイッチング素子がONになると、発光素子の上部電極と下部電極との間に電圧が印加され、発光層が発光するようになっている。 When the switching element is turned ON, a voltage is applied between the upper electrode and the lower electrode of the light emitting element, a light-emitting layer is made to emit light. 【0005】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の従来の半導体素子によると、シリコン系の材料で形成された薄膜トランジスタの半導体活性層は可視光を吸収する。 [0005] The present invention is, however, according to the conventional semiconductor device described above, the semiconductor active layer of the TFT formed in the silicon material absorbs visible light. このため、外部からの可視光の入射による誤動作を防止するために遮光層を設ける必要があり、構造が複雑になる問題があった。 Therefore, it is necessary to provide a light shielding layer in order to prevent malfunction due to incidence of the visible light from the outside, there is a problem that the structure becomes complicated. 【0006】また、薄膜トランジスタのゲート、ソース、ドレイン及び発光素子の上部電極、下部電極は導電性材料であればよいため製造工程や製造装置の共通化が可能である。 [0006] In addition, the thin film transistor of the gate, the source, the upper electrode of the drain and the light emitting element, it is possible to standardize production for as long lower electrode is a conductive material step and manufacturing equipment. しかし、薄膜トランジスタのコンタクト層、半導体活性層及び発光素子の発光層はそれぞれ材料が異なるため製造工程や製造装置の共通化が困難であり、製造コストがかかる問題があった。 However, the contact layer of the thin film transistor, the light emitting layer of the semiconductor active layer and the light emitting device is difficult to respective common material is different for the manufacturing process and manufacturing apparatus, there is a problem that the manufacturing cost consuming. 【0007】本発明は、半導体活性層の可視光の吸収を防止することができるとともに、薄膜トランジスタと発光素子とを容易に形成することができる半導体素子を提供することを目的とする。 [0007] The present invention, it is possible to prevent the absorption of visible light of the semiconductor active layer, and an object thereof is to provide a semiconductor device and a thin film transistor and the light emitting element can be easily formed. また本発明は、薄膜トランジスタと発光素子とを有する半導体素子を容易に形成することができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of easily forming a semiconductor device having a thin film transistor and the light emitting element. 【0008】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために本発明の半導体素子は、可視光を透過する半導体活性層を有した薄膜トランジスタと、前記半導体活性層と主成分が同じ発光層を有する発光素子とを同一の基板上に形成したことを特徴としている。 [0008] The semiconductor device of the present invention in order to achieve the above object, according to an aspect of the thin film transistor having a semiconductor active layer which transmits visible light, the semiconductor active layer and the main component the same emission It is characterized by forming a light emitting element having a layer on the same substrate. この構成によると、半導体活性層と発光層とを同じ成膜装置によって形成することができるとともに、可視光の吸収のない薄膜トランジスタを有する自発光型の半導体素子が得られる。 According to this configuration, it is possible to form the semiconductor active layer and the light emitting layer by the same film forming apparatus, a self-luminous semiconductor device can be obtained with a thin film transistor with no absorption of visible light. 【0009】また本発明は、上記構成の半導体素子において、前記発光層が可視光を透過することを特徴としている。 [0009] The present invention provides a semiconductor device having the above structure, the light emitting layer is characterized in that transmits visible light. この構成によると、透明な自発光型の半導体素子を得ることが可能となる。 According to this configuration, it is possible to obtain a semiconductor device of a transparent self-luminous. 【0010】また本発明は、上記各構成の半導体素子において、前記半導体活性層及び前記発光層は酸化亜鉛を主成分とすることを特徴としている。 [0010] The present invention is a semiconductor device of the above construction, the semiconductor active layer and the light emitting layer is characterized by containing zinc oxide as a main component. この構成によると、紫外から青色の短波長の光を発光可能な半導体素子が得られる。 According to this configuration, capable of emitting light semiconductor device can be obtained a light blue short wavelength from ultraviolet. 【0011】また本発明は、上記各構成の半導体素子において、前記発光素子は電圧を印加する上部電極及び下部電極を有し、前記下部電極が酸化亜鉛を主成分とすることを特徴としている。 [0011] The present invention is a semiconductor device of the above configuration, the light emitting element has an upper electrode and a lower electrode for applying a voltage, the lower electrode is characterized in that zinc oxide as a main component. この構成によると、酸化亜鉛から成る下部電極は良好な結晶性を示し、下部電極がバッファ層となってその上に発光層が形成されることにより発光層の良好な発光特性が得られる。 According to this configuration, the lower electrode made of zinc oxide showed excellent crystallinity, good emission characteristics of the light emitting layer is obtained by the lower electrode emitting layer is formed thereon becomes a buffer layer. 【0012】また本発明の半導体素子の製造方法は、半導体活性層を有する薄膜トランジスタと、発光層を有する発光素子とを同一の基板上に形成した半導体素子の製造方法において、前記半導体活性層と前記発光層とが同じ主成分の材料から成ることを特徴としている。 [0012] The method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, a thin film transistor having a semiconductor active layer, in the manufacturing method of a semiconductor device and a light emitting element formed on the same substrate having a light emitting layer, wherein said semiconductor active layer a light emitting layer is characterized by comprising a material having the same main component. この構成によると、半導体活性層と発光層とを同じ成膜装置によって形成することができる。 According to this configuration, it is possible to form the semiconductor active layer and the light emitting layer by the same film deposition apparatus. 【0013】尚、本発明において、「主成分が同じ」という場合、半導体活性層及び発光層について構成材料が全く同じ場合だけでなく、それぞれの構成材料組成の化学量論比が互いに異なり互いに異なる物性を示す場合や、少なくとも一方の母材に副成分がドーピングされている場合をも含む。 [0013] In the present invention, referred to as "main component are the same", not only the material is exactly the same for the semiconductor active layer and a light-emitting layer, the stoichiometric ratio of each constituent material composition is different different from each other or it may exhibit physical properties, including a case where the sub-component is doped with at least one of the base metals. 例えば、i型の酸化亜鉛により半導体活性層を形成し、微量の不純物を母材の酸化亜鉛にドーピングしたり酸素を欠損させたりすることでn型の酸化亜鉛により発光層を形成した場合、半導体活性層及び発光層の主成分(酸化亜鉛)は同じである。 For example, if the semiconductor active layer is formed by i-type zinc oxide, trace impurities to form a light-emitting layer, n-type zinc oxide by or deficient oxygen or doped zinc oxide of the base metal, semiconductor the main component of the active layer and the light-emitting layer (zinc oxide) are the same. 【0014】 【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明する。 [0014] The embodiment will be described with reference to the accompanying drawings of the present invention in the following DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION. 図1、図2は第1実施形態の半導体素子を示す平面図及び回路図である。 1, FIG. 2 is a plan view and a circuit diagram showing a semiconductor device of the first embodiment. 本実施形態の半導体素子30は、平面型ディスプレイに搭載されている。 The semiconductor device 30 of the present embodiment is mounted on a flat display.
半導体素子30はマトリクス状に配列され、それぞれが平面型ディスプレイの一画素になっている。 The semiconductor element 30 is arranged in a matrix, each of which is one pixel of the flat display. 【0015】一画素の半導体素子30は、薄膜トランジスタ20と発光素子10とから成っている。 [0015] The semiconductor device 30 of one pixel is composed of a thin film transistor 20 light emitting element 10. 薄膜トランジスタ20(図2のT1〜T4に対応する)のゲート1 TFT 20 gate 1 (corresponding to T1~T4 in FIG. 2)
1(図2のGに対応する)は列選択線33に接続されている。 1 (corresponding to G in FIG. 2) is connected to the column selection line 33. 薄膜トランジスタ20のソース16(図2のSに対応する)は行選択線31に接続されている。 Source 16 of TFT 20 (corresponding to S in FIG. 2) is connected to the row selection line 31. 【0016】ゲート11がハイレベルの時、ソース16 [0016] When the gate 11 is at the high level, source 16
とドレイン15(図2のDに対応する)とが電気的に接続される。 And (corresponding to D in FIG. 2) drain 15 and are electrically connected. これにより、薄膜トランジスタ20がスイッチング素子として機能するようになっている。 Thus, the thin film transistor 20 is adapted to function as a switching element. ゲート1 Gate 1
1がローレベルの時、薄膜トランジスタ20はOFFとなる。 When 1 is low, the thin film transistor 20 is turned OFF. 【0017】また、ドレイン15は発光素子20の下部電極2に接続されている。 Further, the drain 15 is connected to the lower electrode 2 of the light emitting element 20. 発光素子10の上部電極5は電流源である駆動電源線32に接続されている。 The upper electrode 5 of the light emitting element 10 is connected to a driving power supply line 32 is a current source. 従って、行ドライブ回路35によって一の行選択線31にローレベルの信号が与えられると、その行選択線31に接続されている薄膜トランジスタ(例えばT1、T2)が選択される。 Therefore, the signal line drive circuit 35 by the low level to a row select line 31 is provided, a thin film transistor connected to the row select line 31 (e.g. T1, T2) are selected. 【0018】所定の画素が接続された列選択線33に列ドライブ回路36によって信号電圧を印加すると、所定の画素の発光素子20の下部電極2と上部電極5との間に電圧が印加される。 [0018] When a predetermined pixel applies a signal voltage by the column drive circuit 36 ​​to the column selection line 33 connected, a voltage is applied between the lower electrode 2 and the upper electrode 5 of the light emitting element 20 of a given pixel . これにより、所定の位置の発光素子10(図2のLに対応する)が発光する。 Thus, the light emitting element 10 at a predetermined position (corresponding to L in FIG. 2) emits light. そして、行ドライブ回路35によって隣接する行選択線31に順次信号電圧が印加されて各行の所定の画素が発光して1画面が形成されるようになっている。 Then, a predetermined pixel of each row is applied sequentially signal voltage to the row select line 31 adjacent is adapted to one screen by light emission is formed by the row drive circuit 35. 【0019】図3は半導体素子30の断面図を示している。 [0019] Figure 3 shows a cross-sectional view of a semiconductor device 30. 半導体素子30はサファイヤから成る基板1上に発光素子10及び薄膜トランジスタ20が形成されている。 The semiconductor element 30 is the light-emitting element 10 and the TFT 20 are formed on a substrate 1 made of sapphire. 発光素子10は、n型のZnO(酸化亜鉛)から成る下部電極2上にn型のZnOから成るn型発光層3及びp型のZnOから成るp型発光層4が形成されている。 Light emitting element 10, the p-type light-emitting layer 4 made of n-type ZnO n-type light-emitting layer 3 and the p-type ZnO made of n-type ZnO on the lower electrode 2 made of zinc oxide () is formed. p型発光層4上にはITO(酸化インジウム錫)から成る上部電極5が形成されている。 On the p-type light-emitting layer 4 and an upper electrode 5 made of ITO (indium tin oxide) is formed. 【0020】薄膜トランジスタ20はZnOから成るゲート11上にSiO 2から成る絶縁層12を介してi型のZnOから成る半導体活性層13が形成されている。 The thin film transistor 20 is a semiconductor active layer 13 made of i-type ZnO with the insulating layer 12 made of SiO 2 on the gate 11 made of ZnO is formed.
半導体活性層13上には、n型のZnOから成るコンタクト層14を介してITOから成るドレイン15及びソース16が形成されている。 On the semiconductor active layer 13, drain 15 and source 16 consisting of ITO through the contact layer 14 made of n-type ZnO are formed. また、ドレイン15は発光素子10の下部電極2に接続されている。 The drain 15 is connected to the lower electrode 2 of the light emitting element 10. 【0021】上記構成の半導体素子30の製造方法を図4〜図12を参照して以下に説明する。 [0021] will be described below with reference to FIGS. 4-12 the method for manufacturing the semiconductor device 30 having the above structure. 図4、図5は下部電極形成工程を示している。 4, FIG. 5 shows a lower electrode forming step. 図4に示すように、基板1上にはn型のZnO膜22がパルスレーザーデポジション(Pulsed Laser Deposition:以下、「PLD」という)等の方法により成膜される。 As shown in FIG. 4, ZnO film 22 of n-type on the substrate 1 is pulsed laser deposition (Pulsed Laser Deposition: hereinafter, referred to as "PLD") is deposited by a method such as. 【0022】PLDは、レーザーを真空チャンバー内に置かれたターゲット物質の表面に断続的に照射し、ターゲットの構成物質を励起状態で放出させ、その飛散粒子を対向に設置された基板上に堆積させて薄膜を形成する方法である。 The PLD has a laser intermittently onto the surface of the target material placed in a vacuum chamber, to release constituent of target excited state, deposition of the scattering particles on a substrate placed in face it is a method of forming a thin film by. 高融点の物質の成膜が可能、装置の自由度が高い、結晶性の優れた膜を得やすい等の特徴を有している。 Possible formation of high melting point material, a high degree of freedom in device has a feature, such as to obtaining a crystalline film having excellent. 【0023】サファイアから成る基板1上にZnOを成膜するとエピタキシャル成長させることができる。 [0023] can be epitaxially grown and the formation of the ZnO on the substrate 1 made of sapphire. Zn Zn
O膜22は電極に使用されるので、低抵抗にするためにAl、B、Ga、In等の不純物をドーピングして形成される。 Since O film 22 is used for the electrode, Al in order to lower the resistance, B, Ga, is formed by doping impurities such as In. 【0024】ZnO膜22上には、レジスト21がスピンナー等により塗布され、所定形状に露光現像してパターニングされる。 [0024] On the ZnO film 22, the resist 21 is applied by a spinner or the like, and is patterned by exposure and development into a predetermined shape. そして、図5に示すように、RIE(R Then, as shown in FIG. 5, RIE (R
eactive Ion Etching)等の方法によりZnO膜22をエッチングした後、レジスト21を除去する。 After the ZnO film 22 was etched by eactive Ion Etching) method or the like, the resist 21 is removed. これにより、下部電極2及びゲート11が形成される。 Thus, the lower electrode 2 and the gate 11 are formed. 【0025】図6、図7は絶縁膜/活性層形成工程を示している。 FIG. 6, FIG. 7 shows an insulating film / active layer forming step. 図6に示すように、下部電極2及びゲート1 As shown in FIG. 6, the lower electrode 2 and the gate 1
1上にはプラズマCVD等の方法によりSiO 2膜23 SiO 2 film 23 by a method such as plasma CVD on top 1
が成膜される。 There is formed. SiO 2膜23上には、略真性半導体(i型半導体)から成るi−ZnO膜24がPLD等により成膜される。 On the SiO 2 film 23, i-ZnO layer 24 made of a substantially intrinsic semiconductor (i type semiconductor) is formed by PLD, and the like. 通常ZnOは酸素欠損に基づく準位の存在によりn型の導電性を示す。 Usually ZnO shows n-type conductivity due to the presence of level based on oxygen deficiency. しかし、成膜時に酸素ラジカル等を導入することで酸素の欠損を補償でき、真性半導体に近いZnO膜を成膜することができる。 However, deficiency of oxygen can compensate for by introducing oxygen radicals and the like at the time of film formation, it is possible to form a ZnO film close to the intrinsic semiconductor. 【0026】i−ZnO膜24上には、レジスト21がスピンナー等により塗布され、所定形状に露光現像してパターニングされる。 [0026] On i-ZnO layer 24, resist 21 is applied by a spinner or the like, and is patterned by exposure and development into a predetermined shape. そして、図7に示すように、RI Then, as shown in FIG. 7, RI
E等の方法によりSiO 2膜23及びi−ZnO膜24 SiO 2 film by a method E such 23 and i-ZnO layer 24
をエッチングした後、レジスト21を除去する。 The after etching, the resist 21 is removed. これにより、絶縁層12及び半導体活性層13が形成される。 Thus, the insulating layer 12 and the semiconductor active layer 13 is formed. 【0027】図8、図9はn型半導体膜形成工程を示している。 FIG. 8, FIG. 9 shows a n-type semiconductor film forming step. 図8に示すように、半導体活性層13及び下部電極2上には、n型半導体から成るn−ZnO膜25がPLD等により成膜される。 As shown in FIG. 8, on the semiconductor active layer 13 and the lower electrode 2, n-ZnO film 25 made of n-type semiconductor is deposited by PLD or the like. 上記のように、n型のZn As described above, n-type Zn
O膜は酸素欠損または不純物の添加により容易に形成することができる。 O film can be easily formed by addition of oxygen deficiency or impurities. 【0028】n−ZnO膜25上には、レジスト21がスピンナー等により塗布され、所定形状に露光現像してパターニングされる。 [0028] On n-ZnO layer 25, resist 21 is applied by a spinner or the like, and is patterned by exposure and development into a predetermined shape. そして、図9に示すように、RI Then, as shown in FIG. 9, RI
E等の方法によりn−ZnO膜25をエッチングした後、レジスト21を除去する。 After etching the n-ZnO layer 25 by a method E or the like to remove the resist 21. これにより、n型発光層3及びコンタクト層14が形成される。 Thus, n-type light-emitting layer 3 and the contact layer 14 is formed. 【0029】尚、n−ZnO膜25のエッチングにより半導体活性層13がオーバーエッチングされ、膜厚が薄くなって所望の特性が得られない場合がある。 [0029] Incidentally, the semiconductor active layer 13 by etching the n-ZnO layer 25 is over-etched, it may not be obtained a desired characteristic film thickness becomes thinner. このため、半導体活性層13となるi−ZnO膜24の膜厚を予め厚くしておくとより望ましい。 Thus, more desirable when advance increasing the thickness of the i-ZnO layer 24 serving as the semiconductor active layer 13. 【0030】図10、図11はp型半導体膜形成工程を示している。 FIG. 10, FIG. 11 shows a p-type semiconductor film forming step. 図10に示すように、n型発光層3及びコンタクト層14上には、p型半導体から成るp−ZnO As shown in FIG. 10, on the n-type light-emitting layer 3 and the contact layer 14, p-ZnO consisting of p-type semiconductor
膜26がPLD等により成膜される。 Film 26 is deposited by PLD or the like. ZnOは亜酸化窒素をプラズマ化してチャンバー内に導入することにより、酸素欠損を補償するのと同時にアクセプターとしてNを導入することができる。 ZnO can introduce N by introducing into the chamber by plasma nitrous oxide, simultaneously as the acceptor and to compensate the oxygen deficiency. これに加えて、Gaを少量添加したZnOターゲットを用いることでGaとNとが同時に導入され、p型のZnO膜を形成することができる。 In addition, the introduction Ga and N at the same time by using a ZnO target added a small amount of Ga, it is possible to form the p-type ZnO film. 【0031】p−ZnO膜26上には、レジスト21がスピンナー等により塗布され、所定形状に露光現像してパターニングされる。 [0031] On p-ZnO film 26, the resist 21 is applied by a spinner or the like, and is patterned by exposure and development into a predetermined shape. そして、図11に示すように、R Then, as shown in FIG. 11, R
IE等の方法によりp−ZnO膜26をエッチングした後、レジスト21を除去する。 After etching the p-ZnO film 26 by a method IE like, the resist 21 is removed. これにより、p型発光層4が形成される。 Thus, p-type light-emitting layer 4 is formed. 従って、n型発光層3及びp型発光層4によりpn接合が形成され、発光ダイオードが構成される。 Therefore, pn junction by n-type light-emitting layer 3 and a p-type light-emitting layer 4 is formed, the light emitting diode is constructed. 【0032】図12は上部電極形成工程を示している。 [0032] Figure 12 shows an upper electrode forming step.
p型発光層4及びコンタクト層14上には、ITO膜2 On the p-type light-emitting layer 4 and the contact layer 14, ITO film 2
7がプラズマCVD等により成膜される。 7 is deposited by plasma CVD or the like. ITO膜27 ITO film 27
上には、レジスト21がスピンナー等により塗布され、 The upper resist 21 is applied by a spinner or the like,
所定形状に露光現像してパターニングされる。 It is patterned by exposure and development into a predetermined shape. そして、 And,
RIE等の方法によりITO膜27をエッチングした後、レジスト21を除去する。 After the ITO film 27 was etched by a method such as RIE, the resist 21 is removed. これにより、前述の図3 Thus, the above-described FIG. 3
に示すように、上部電極5、ドレイン15、ソース16 As shown in the upper electrode 5, a drain 15, source 16
が形成され、半導体素子30が得られる。 There is formed, the semiconductor device 30 is obtained. 【0033】下部電極2、上部電極5、ゲート11、ドレイン15及びソース16は、In、Al、Cr等の金属薄膜により形成してもよい。 The lower electrode 2, the upper electrode 5, a gate 11, drain 15 and source 16, an In, Al, may be formed by a metal thin film such as Cr. また、透明に形成する場合には、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫等の酸化物材料や、AZO(酸化アルミニウム亜鉛)等を用いてもよい。 Further, in the case of transparent forms are zinc oxide, indium oxide, or oxide materials such as tin oxide, AZO may be used (aluminum oxide, zinc), or the like. 【0034】また、薄膜トランジスタ20はゲート11 [0034] In addition, the thin film transistor 20 gate 11
が下方に配され、ドレイン15及びソース16が上方に配された所謂ボトムゲート型になっているが、ゲート1 There is disposed below, but the drain 15 and source 16 is turned so-called bottom gate type disposed over the gate 1
1が上方に配され、ドレイン15及びソース16が下方に配された所謂トップゲート型にしてもよい。 1 is arranged above the drain 15 and source 16 may be a so-called top gate type disposed downward. 【0035】図13は第2実施形態の半導体素子31を示す断面図である。 [0035] FIG. 13 is a sectional view showing a semiconductor device 31 of the second embodiment. 説明の便宜上、前述の図1〜図12 For convenience of explanation, the foregoing FIGS. 1-12
に示す第1実施形態と同一の部分には同一の符号を付している。 It is denoted by the same reference numerals as those of the first embodiment shown in FIG. 第1実施形態と異なる点は、半導体活性層13 It is different from the first embodiment, the semiconductor active layer 13
の上面にSiNから成るストッパ層17を設けている点である。 In that the it is provided with a stopper layer 17 made of SiN on the upper surface. その他の構成は第1実施形態と同一である。 Other structures are the same as the first embodiment. 【0036】図14はストッパ層形成工程を示している。 FIG. 14 shows a stopper layer forming step. 前述の図7に示す絶縁膜/活性層形成工程の後、S After the insulating film / active layer forming step shown in FIG. 7 described above, S
iN膜をプラズマCVD等により成膜する。 iN film is formed by plasma CVD or the like. そして、レジストをスピンナー等により塗布し、所定形状に露光現像してパターニングする。 Then, resist is applied by a spinner or the like, and patterned by exposure and development into a predetermined shape. その後、RIE等の方法によりSiN膜をエッチングし、レジストを除去する。 Thereafter, the SiN film is etched by a method such as RIE, the resist is removed. これにより、半導体活性層13の上面にストッパ層17が形成される。 Thus, the stopper layer 17 is formed on the upper surface of the semiconductor active layer 13. 【0037】コンタクト層14を形成するn−ZnO膜25(図8参照)のエッチング時において、使用するガスによりRIEは選択性を持たせることができるためストッパ層17を設けることにより半導体活性層13がオーバーエッチングされない。 [0037] In the etching of the n-ZnO layer 25 to form the contact layer 14 (see FIG. 8), the semiconductor active layer by the gas used RIE is to provide a stopper layer 17 it is possible to impart selectivity 13 but not over-etching. これにより、薄膜トランジスタ20の特性劣化を防止することができる。 Thus, it is possible to prevent deterioration of the characteristics of the thin film transistor 20. 【0038】第1、第2実施形態によると、薄膜トランジスタ20の半導体活性層13がi型のZnOにより形成されている。 [0038] According to the first and second embodiments, the semiconductor active layer 13 of the TFT 20 is formed by the i-type ZnO. i型のZnOは透明材料であるため、可視光を透過する。 Since the i-type ZnO is transparent material to transmit visible light. 従って、半導体活性層13の可視光の吸収がないため、遮光層がなくても外光を吸収することによる誤動作を防止することができる。 Therefore, since there is no absorption of visible light of the semiconductor active layer 13, it is possible to prevent a malfunction caused by even without the light shielding layer absorbs external light. 【0039】そして、半導体活性層13がi型のZnO [0039] Then, ZnO semiconductor active layer 13 is an i-type
から成り、発光素子10の発光層(3、4)がn型及びp型のZnOから成るため半導体活性層13及び発光層(3、4)の成膜装置を共通化することができる。 From made, it is possible to share the film formation apparatus of the semiconductor active layer 13 and the light emitting layer for light-emitting layer (3, 4) is made of n-type and p-type ZnO of the light emitting element 10 (3,4). これにより、遮光層を設けることなく外光の吸収による誤動作を防止できる自発光型の半導体素子を簡単に製造することができる。 This makes it possible to easily manufacture the semiconductor device of the self-luminous preventing malfunctions due to absorption of external light without providing a light shielding layer. 【0040】更に、各電極、コンタクト層、絶縁層を透明な材料(ITO、ZnO、SiO [0040] Furthermore, each electrode contact layer, the insulating layer a transparent material (ITO, ZnO, SiO 2 )により形成し、 Formed by 2),
透明なサファイア基板を用いているので半導体素子全体が透明に形成されている。 Entire semiconductor element is formed transparent so that a transparent sapphire substrate. これにより、例えば自動車のフロントガラス等の一部に上記各実施形態の半導体素子を取り付けて情報を表示させることができ、半導体素子の使用用途を拡大することができる。 Thus, for example, a part of such an automobile windshield by attaching a semiconductor element of each of the above embodiments can display information, it is possible to expand the intended use of the semiconductor device. 【0041】また、ZnOは青色光の発光材料として一般に知られるGaNとほぼ同じバンドギャップを持ち、 Further, ZnO has almost the same band gap as GaN, commonly known as a light-emitting material for blue light,
励起子結合エネルギーがGaNより大きい。 Exciton binding energy is greater than GaN. このため、 For this reason,
ZnOから成る発光ダイオードはGaNから成る発光ダイオードよりも高い発光効率で青色光を発光させることができる。 Light emitting diodes made of ZnO can emit blue light with high luminous efficiency than light emitting diodes made of GaN. また、ZnOにCdやMg等の不純物を添加することによってバンドギャップを制御でき、青色等の可視光の発光も可能である。 Further, to control the band gap by adding impurities such as Cd and Mg in ZnO, it is also possible emission of visible light such as blue. 【0042】上記各実施形態によると、紫外から青色の短波長光を発光できる自発光型の半導体素子を簡単に製造することができる。 [0042] According to the embodiments described above, it is possible to easily manufacture the semiconductor device of the self light emitting type capable of emitting blue light of short wavelength light from ultraviolet. 従って、データ通信の情報密度を増大させることができる光通信装置等を容易に構成することができる。 Therefore, it is possible to easily configure an optical communication device or the like capable of increasing the information density of the data communication. また、自発光型の半導体素子を搭載した自発光型の平面型ディスプレイを容易に構成することができる。 Further, the flat display of self-emission type in which a semiconductor element mounted in the self-luminous type can be easily configured. 【0043】上記各実施形態において、基板1の材料としてサファイアを用いている。 [0043] In the above embodiment uses a sapphire as a material for the substrate 1. サファイア基板を用いるとZnOをエピタキシャル成長させることができ、結晶性の良好なn型半導体を容易に形成することができる。 Using a sapphire substrate of ZnO can be epitaxially grown, it is possible to easily form a good n-type semiconductor crystalline.
また、サファイアに替えてガラスから成る基板を用いると安価に半導体素子を形成することができる。 Further, it is possible to form a low cost semiconductor device when using a substrate made of glass instead of sapphire. 【0044】この場合に、ガラスは結晶性を持たないが、下部電極2をZnOで形成し、バッファ層として機能させることにより結晶性の良好な発光層(3、4)を形成することができる。 [0044] In this case, the glass does not have crystallinity, it is possible to lower electrode 2 is formed with ZnO, forming crystals of good luminous layer by function as a buffer layer (3, 4) . 即ち、ZnOは、ガラス基板上に成膜してもc軸配向した結晶が容易に得られ、膜厚が厚くなるに従って配向性が良好になる。 That, ZnO can be deposited on a glass substrate c-axis oriented crystal can be easily obtained, in orientation becomes good as the film thickness increases. このため、下部電極2の膜厚を1000Å以上成膜することにより、発光層の下地となる下部電極2がバッファ層となって発光層となるn型のZnOを結晶性よく成膜することができる。 Therefore, by forming more than 1000Å thickness of the lower electrode 2, the n-type ZnO to the lower electrode 2 serving as a base of the light emitting layer is a light emitting layer is a buffer layer to be good crystallinity deposition it can. 【0045】半導体素子全体が透明ではなくなるが、基板1の材料としてシリコンを用いても安価に半導体素子を形成することができる。 The entire semiconductor device but is not transparent, it is possible to form a low cost semiconductor device using silicon as the material of the substrate 1. この場合も上記と同様に、下部電極2をZnOで形成してバッファ層として機能させることによって結晶性の良好な発光層(3、4)を形成することができる。 Also in this case, as described above, it can be formed with good crystallinity emitting layer (3, 4) by functioning as a buffer layer to form a lower electrode 2 in ZnO. 【0046】尚、上記の具体的実施形態には以下の構成を有する発明が含まれている。 [0046] Incidentally, the specific embodiments described above are included inventions having the following configurations. 【0047】(1)可視光を透過する半導体活性層を有した薄膜トランジスタと、前記半導体活性層と主成分が同じ発光層を有する発光素子とをサファイアから成る同一の基板上に形成したことを特徴とする半導体素子。 Wherein a thin film transistor having a semiconductor active layer, said semiconductor active layer and the main component was formed on the same substrate comprising a light emitting element having the same emission layer of sapphire that transmits [0047] (1) visible light semiconductor element to be. この構成によると、半導体活性層が外光を吸収することによる誤動作を防止して自発光できる半導体素子を容易に得ることができるとともに、結晶性の良好な発光層を容易に得ることができる。 According to this configuration, it is possible to the semiconductor active layer with a semiconductor device capable to self-luminous prevent malfunction due to absorb external light can be easily obtained, to easily obtain crystals having good light emitting layer. 【0048】(2)可視光を透過する半導体活性層を有した薄膜トランジスタと、前記半導体活性層と主成分が同じ発光層を有する発光素子とをガラスから成る同一の基板上に形成したことを特徴とする半導体素子。 [0048] (2) wherein a thin film transistor having a semiconductor active layer which transmits visible light, that the light-emitting element in which the semiconductor active layer and the main component have the same light-emitting layer was formed on the same substrate made of glass semiconductor element to be. この構成によると、半導体活性層が外光を吸収することによる誤動作を防止して自発光できる半導体素子を容易且つ安価に得ることができる【0049】(3)半導体活性層を有する薄膜トランジスタと、発光層を有する発光素子とを同一の基板上に形成した半導体素子の製造方法において、前記半導体活性層と前記発光層とは主成分が同じ材料から成るとともに、前記薄膜トランジスタ薄膜の一の積層膜と前記発光層の一の積層膜とを同時に形成したことを特徴とする半導体素子の製造方法。 According to this configuration, a thin film transistor having the [0049] can be obtained easily and inexpensively a semiconductor device capable to self-luminous prevent malfunction due to (3) a semiconductor active layer semiconductor active layer absorbs external light emission the method of manufacturing a semiconductor device and a light emitting element formed on the same substrate having the layer, the with the main component and the semiconductor active layer and the light emitting layer is made of the same material, said as one of the laminated film of the thin film transistor thin film method of manufacturing a semiconductor device characterized by forming a first laminated film of the light emitting layer simultaneously. 【0050】この構成によると、例えば、薄膜トランジスタのコンタクト層と発光素子の発光層や、薄膜トランジスタのゲートと発光素子の下部電極や、薄膜トランジスタのドレイン及びソースと発光素子の上部電極等をそれぞれ同じ材料にして同時に成膜し、製造工数を削減することができる。 [0050] According to this configuration, for example, light-emitting layer and the contact layer and the light-emitting element of the thin film transistor, and the lower electrode of the gate and the light emitting element of the thin film transistor, each of the same material and the upper electrode or the like of the drain and source and the light emitting element of the thin film transistor deposited simultaneously Te, it is possible to reduce manufacturing man-hour. 【0051】 【発明の効果】請求項1の発明の半導体素子によると、 [0051] [Effect of the Invention] According to the semiconductor device of the invention of claim 1,
薄膜トランジスタの半導体活性層が可視光を透過し、該半導体活性層及び発光素子の発光層の主成分が同じであるので、半導体活性層及び発光層を同じ成膜装置により形成することができる。 It transmits visible light semiconductor active layer of the thin film transistor, since the main component of the light-emitting layer of the semiconductor active layer and the light-emitting element is the same, it is possible to form the semiconductor active layer and the light emitting layer by the same film deposition apparatus. 従って、半導体活性層が外光を吸収することによる誤動作を防止して自発光できる半導体素子を容易に得ることができる。 Therefore, it is possible to the semiconductor active layer to obtain a semiconductor device capable to self-luminous prevent malfunction due to absorb external light easily. 【0052】また請求項2の発明の半導体素子によると、発光素子の発光層が可視光を透過するので、自発光できる透明な半導体素子を形成することが可能となる。 [0052] Also in the semiconductor device of the invention of claim 2, the light emitting layer of the light emitting device so transmits visible light, it is possible to form a transparent semiconductor element can be self-luminous.
これにより、自発光型の半導体素子の使用用途を拡大することができる。 Thus, it is possible to expand the intended use of the semiconductor device of the self-luminous. 【0053】また請求項3の発明の半導体素子によると、薄膜トランジスタの半導体活性層及び発光素子の発光層の主成分が酸化亜鉛から成るので、半導体活性層及び発光層を同じ成膜装置により形成することができ、紫外から青色の短波長の光を自発光できる半導体素子を容易に得ることができる。 [0053] Also in the semiconductor device of the invention of claim 3, since the main component of the light-emitting layer of the semiconductor active layer and the light emitting element of the thin film transistor made of zinc oxide, a semiconductor active layer and the light emitting layer is formed by the same film deposition apparatus it is possible, the semiconductor device from the ultraviolet can self-emitting light in the blue short wavelength can be easily obtained. これにより、データ通信の情報密度を増大させることができる光通信装置や、自発光型の半導体素子を搭載した自発光型の平面型ディスプレイを容易に構成することができる。 Thus, the optical communication apparatus that can increase the information density of the data communication, the flat display of self-emission type in which a semiconductor element mounted in the self-luminous type can be easily configured. 【0054】また請求項4の発明の半導体素子によると、発光素子の下部電極が酸化亜鉛から成るので、発光層を形成する面の結晶性を確保することができ、安価なガラス基板等の上に発光素子を形成することができる。 [0054] Also in the semiconductor device of the invention of claim 4, since the lower electrode of the light emitting element is made of zinc oxide, it is possible to secure the crystallinity of the surface for forming the light emitting layer, on such inexpensive glass substrates it is possible to form the light-emitting element. 【0055】また請求項5の発明の半導体素子の製造方法によると、半導体活性層及び発光素子の発光層の主成分が同じであるので、半導体活性層及び発光層を同じ成膜装置により形成することができる。 [0055] The method for fabricating a semiconductor device of the invention of claim 5, since the main component of the light-emitting layer of the semiconductor active layer and the light-emitting element is the same, the semiconductor active layer and the light emitting layer is formed by the same film deposition apparatus be able to. これにより、製造コストを削減することができる。 This makes it possible to reduce manufacturing costs.

【図面の簡単な説明】 【図1】 本発明の第1実施形態の半導体素子を示す平面図である。 It is a plan view showing a semiconductor device of the first embodiment of the BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] present invention. 【図2】 本発明の第1実施形態の半導体素子を示す回路図である。 2 is a circuit diagram showing a semiconductor device of the first embodiment of the present invention. 【図3】 本発明の第1実施形態の半導体素子を示す断面図である。 3 is a cross-sectional view showing a semiconductor device of the first embodiment of the present invention. 【図4】 本発明の第1実施形態の半導体素子の下部電極形成工程を示す図である。 Is a diagram illustrating a lower electrode forming step of the semiconductor device of the first embodiment of the present invention; FIG. 【図5】 本発明の第1実施形態の半導体素子の下部電極形成工程を示す図である。 5 is a diagram showing a lower electrode forming step of the semiconductor device of the first embodiment of the present invention. 【図6】 本発明の第1実施形態の半導体素子の絶縁膜/活性層形成工程を示す図である。 6 is a diagram showing an insulating film / active layer forming step of the semiconductor device of the first embodiment of the present invention. 【図7】 本発明の第1実施形態の半導体素子の絶縁膜/活性層形成工程を示す図である。 7 is a diagram showing an insulating film / active layer forming step of the semiconductor device of the first embodiment of the present invention. 【図8】 本発明の第1実施形態の半導体素子のn型半導体膜形成工程を示す図である。 8 is a diagram showing an n-type semiconductor film formation process of the semiconductor device of the first embodiment of the present invention. 【図9】 本発明の第1実施形態の半導体素子のn型半導体膜形成工程を示す図である。 9 is a diagram showing an n-type semiconductor film formation process of the semiconductor device of the first embodiment of the present invention. 【図10】 本発明の第1実施形態の半導体素子のp型半導体膜形成工程を示す図である。 10 is a diagram showing a p-type semiconductor film formation process of the semiconductor device of the first embodiment of the present invention. 【図11】 本発明の第1実施形態の半導体素子のp型半導体膜形成工程を示す図である。 11 is a diagram showing a p-type semiconductor film formation process of the semiconductor device of the first embodiment of the present invention. 【図12】 本発明の第1実施形態の半導体素子の上部電極形成工程を示す図である。 12 is a diagram showing the upper electrode formation step of the semiconductor device of the first embodiment of the present invention. 【図13】 本発明の第2実施形態の半導体素子を示す断面図である。 13 is a sectional view showing a semiconductor device of the second embodiment of the present invention. 【図14】 本発明の第2実施形態の半導体素子のストッパ層形成工程を示す図である。 14 is a diagram showing a stopper layer formation process of a semiconductor device of the second embodiment of the present invention. 【符号の説明】 1 基板2 下部電極3 n型発光層4 p型発光層5 上部電極10 発光素子11 ゲート12 絶縁層13 半導体活性層14 コンタクト層15 ドレイン16 ソース20 薄膜トランジスタ30、40 半導体素子31 行選択線32 駆動電源線33 列選択線35 行ドライブ回路36 列ドライブ回路 [EXPLANATION OF SYMBOLS] 1 substrate 2 lower electrode 3 n-type light-emitting layer 4 p-type light-emitting layer 5 upper electrode 10 light-emitting element 11 gate 12 insulating layer 13 semiconductor active layer 14 contact layer 15 drain 16 source 20 TFT 30, 40 semiconductor device 31 row select line 32 drive power supply line 33 column selecting line 35, line drive circuit 36 ​​row drive circuit

フロントページの続き Fターム(参考) 5C094 AA31 BA03 BA29 CA19 DA14 DA15 DB04 EA04 EA05 EA07 EB02 FB12 FB14 FB15 5F041 AA42 BB26 CA02 CA12 CA46 CA55 CA57 CA67 CA74 CA82 CA88 CB13 CB33 DB08 FF06 FF14 5F110 AA16 BB01 CC01 CC05 CC07 DD02 DD04 DD05 EE01 EE02 EE03 EE04 EE07 EE42 FF02 FF30 GG04 GG35 GG42 HK01 HK02 HK03 HK04 HK07 HK11 HK21 HK35 NN12 NN24 NN35 NN71 Front page of the continued F-term (reference) 5C094 AA31 BA03 BA29 CA19 DA14 DA15 DB04 EA04 EA05 EA07 EB02 FB12 FB14 FB15 5F041 AA42 BB26 CA02 CA12 CA46 CA55 CA57 CA67 CA74 CA82 CA88 CB13 CB33 DB08 FF06 FF14 5F110 AA16 BB01 CC01 CC05 CC07 DD02 DD04 DD05 EE01 EE02 EE03 EE04 EE07 EE42 FF02 FF30 GG04 GG35 GG42 HK01 HK02 HK03 HK04 HK07 HK11 HK21 HK35 NN12 NN24 NN35 NN71

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 可視光を透過する半導体活性層を有した薄膜トランジスタと、前記半導体活性層と主成分が同じ発光層を有する発光素子とを同一の基板上に形成したことを特徴とする半導体素子。 [Claims 1. A thin film transistor having a semiconductor active layer which transmits visible light, said semiconductor active layer and the main component was formed and a light emitting element on the same substrate having the same emission layer the semiconductor device characterized. 【請求項2】 前記発光層が可視光を透過することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。 2. A semiconductor device according to claim 1, wherein the light emitting layer is characterized in that transmits visible light. 【請求項3】 前記半導体活性層及び前記発光層は酸化亜鉛を主成分とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体素子。 3. A semiconductor device according to claim 1 or claim 2 wherein the semiconductor active layer and the light emitting layer is characterized by containing zinc oxide as the main component. 【請求項4】 前記発光素子は電圧を印加する上部電極及び下部電極を有し、前記下部電極が酸化亜鉛を主成分とすることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体素子。 Wherein said light emitting element has an upper electrode and a lower electrode for applying a voltage, according to any one of claims 1 to 3, wherein the lower electrode is characterized in that a main component of zinc oxide semiconductor element of. 【請求項5】 半導体活性層を有する薄膜トランジスタと、発光層を有する発光素子とを同一の基板上に形成した半導体素子の製造方法において、 前記半導体活性層と前記発光層とが同じ主成分の材料から成ることを特徴とする半導体素子の製造方法。 A thin film transistor having a 5. A semiconductor active layer, in the manufacturing method of a semiconductor device and a light emitting element formed on the same substrate having a light emitting layer, the semiconductor active layer and the light emitting layer and the same main components the method of manufacturing a semiconductor device characterized in that it consists of.
JP2001223042A 2001-07-24 2001-07-24 Semiconductor element and manufacturing method therefor Pending JP2003037268A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001223042A JP2003037268A (en) 2001-07-24 2001-07-24 Semiconductor element and manufacturing method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001223042A JP2003037268A (en) 2001-07-24 2001-07-24 Semiconductor element and manufacturing method therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003037268A true JP2003037268A (en) 2003-02-07

Family

ID=19056438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001223042A Pending JP2003037268A (en) 2001-07-24 2001-07-24 Semiconductor element and manufacturing method therefor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003037268A (en)

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311702A (en) * 2003-04-07 2004-11-04 Sumitomo Heavy Ind Ltd Thin film transistor and manufacturing method thereof
JP2005277339A (en) * 2004-03-26 2005-10-06 Ricoh Co Ltd Vertical transistor and light emitting device
JP2006019400A (en) * 2004-06-30 2006-01-19 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting device and its manufacturing method
JP2006165531A (en) * 2004-11-10 2006-06-22 Canon Inc Method of manufacturing field effect transistor
JP2006186319A (en) * 2004-11-10 2006-07-13 Canon Inc Light emitting device and indicating device
WO2006132439A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Casio Computer Co., Ltd Thin film transistor having channel comprising zinc oxide and manufacturing method thereof
JP2007027566A (en) * 2005-07-20 2007-02-01 Ricoh Co Ltd Vertical transistor and light emitting element
JP2007096055A (en) * 2005-09-29 2007-04-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2007165861A (en) * 2005-11-15 2007-06-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2007194596A (en) * 2005-12-20 2007-08-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, display device, electronic equipment and method of manufacturing the semiconductor device
JP2007286150A (en) * 2006-04-13 2007-11-01 Idemitsu Kosan Co Ltd Electrooptical device, and tft substrate for controlling electric current and method of manufacturing the same
JP2008060099A (en) * 2006-08-29 2008-03-13 Casio Comput Co Ltd Thin-film transistor and manufacturing method therefor
JP2008078512A (en) * 2006-09-22 2008-04-03 Casio Comput Co Ltd Method of producing semiconductor device
JP2008519292A (en) * 2004-11-02 2008-06-05 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Method and a display using the row and column drivers zinc oxide are integrated by combining the organic light emitting diode
US7417263B2 (en) 2003-02-25 2008-08-26 Rohm Co., Ltd. Transparent electrode
JP2008535205A (en) * 2006-02-02 2008-08-28 カシオ計算機株式会社 Thin film transistor and its manufacturing method
JP2009010362A (en) * 2007-05-31 2009-01-15 Canon Inc Manufacturing method of thin film transistor using oxide semiconductor
WO2009034953A1 (en) * 2007-09-10 2009-03-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Thin film transistor
JP2009152633A (en) * 2005-11-15 2009-07-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing liquid crystal display device
JP2009260378A (en) * 2005-09-29 2009-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device
CN101640219A (en) * 2008-07-31 2010-02-03 株式会社半导体能源研究所 Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN101640221A (en) * 2008-07-31 2010-02-03 株式会社半导体能源研究所 Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7863607B2 (en) 2007-06-14 2011-01-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
JP2011054946A (en) * 2009-08-07 2011-03-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
WO2011055475A1 (en) * 2009-11-05 2011-05-12 パナソニック株式会社 Solid-state imaging device
US20120187438A1 (en) * 2011-01-26 2012-07-26 Hwan Hee Jeong Light emitting device and fabricating method thereof
US8716061B2 (en) 2008-11-07 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014132660A (en) * 2009-07-18 2014-07-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
JP2014222764A (en) * 2008-07-31 2014-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
JP2014239242A (en) * 2009-09-16 2014-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
JP2015092624A (en) * 2009-06-30 2015-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
JP2015164213A (en) * 2010-08-27 2015-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
JP2016036043A (en) * 2008-11-13 2016-03-17 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
JP2016054325A (en) * 2010-02-05 2016-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
JP2016131239A (en) * 2008-09-19 2016-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device manufacturing method
JP2016174186A (en) * 2016-06-27 2016-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 Manufacturing method of semiconductor device
JP2017028314A (en) * 2010-07-02 2017-02-02 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
CN106409684A (en) * 2009-06-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 Method of manufacturing semiconductor device
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
JP2017130667A (en) * 2008-11-07 2017-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 Transistor
KR20180049600A (en) * 2016-11-03 2018-05-11 주식회사 그라피아 LED display structure and method of fabricating the same
US10128381B2 (en) 2008-09-01 2018-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxygen rich gate insulating layer

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150900A (en) * 1998-11-17 2000-05-30 Japan Science & Technology Corp Transistor and semiconductor device
JP2000244015A (en) * 1999-02-23 2000-09-08 Murata Mfg Co Ltd Light emitting element

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150900A (en) * 1998-11-17 2000-05-30 Japan Science & Technology Corp Transistor and semiconductor device
JP2000244015A (en) * 1999-02-23 2000-09-08 Murata Mfg Co Ltd Light emitting element

Cited By (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7948003B2 (en) 2003-02-25 2011-05-24 Rohm Co., Ltd. Transparent electrode
US7417263B2 (en) 2003-02-25 2008-08-26 Rohm Co., Ltd. Transparent electrode
JP2004311702A (en) * 2003-04-07 2004-11-04 Sumitomo Heavy Ind Ltd Thin film transistor and manufacturing method thereof
JP2005277339A (en) * 2004-03-26 2005-10-06 Ricoh Co Ltd Vertical transistor and light emitting device
JP4698160B2 (en) * 2004-03-26 2011-06-08 株式会社リコー Vertical transistor and the light emitting element
JP2006019400A (en) * 2004-06-30 2006-01-19 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting device and its manufacturing method
JP2008519292A (en) * 2004-11-02 2008-06-05 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Method and a display using the row and column drivers zinc oxide are integrated by combining the organic light emitting diode
JP4861330B2 (en) * 2004-11-02 2012-01-25 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Display and a manufacturing method thereof including an organic light emitting diode
JP2006165531A (en) * 2004-11-10 2006-06-22 Canon Inc Method of manufacturing field effect transistor
JP2006186319A (en) * 2004-11-10 2006-07-13 Canon Inc Light emitting device and indicating device
US8212252B2 (en) 2004-11-10 2012-07-03 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7585698B2 (en) 2005-06-10 2009-09-08 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
US7566904B2 (en) 2005-06-10 2009-07-28 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
KR100908557B1 (en) * 2005-06-10 2009-07-20 가시오게산키 가부시키가이샤 A thin film transistor and its manufacturing method having a channel containing zinc oxide
WO2006132439A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Casio Computer Co., Ltd Thin film transistor having channel comprising zinc oxide and manufacturing method thereof
JP2007027566A (en) * 2005-07-20 2007-02-01 Ricoh Co Ltd Vertical transistor and light emitting element
US8466463B2 (en) 2005-09-29 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9099562B2 (en) 2005-09-29 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8790959B2 (en) 2005-09-29 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10304962B2 (en) 2005-09-29 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8629069B2 (en) 2005-09-29 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2007096055A (en) * 2005-09-29 2007-04-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8669550B2 (en) 2005-09-29 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8274077B2 (en) 2005-09-29 2012-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2009260378A (en) * 2005-09-29 2009-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device
US8796069B2 (en) 2005-09-29 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2010010721A (en) * 2005-11-15 2010-01-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Diode and active matrix display device
JP2007165861A (en) * 2005-11-15 2007-06-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2009152633A (en) * 2005-11-15 2009-07-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing liquid crystal display device
JP2011086954A (en) * 2005-11-15 2011-04-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
JP2007194596A (en) * 2005-12-20 2007-08-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, display device, electronic equipment and method of manufacturing the semiconductor device
US7981734B2 (en) 2006-02-02 2011-07-19 Kochi Industrial Promotion Center Manufacturing method of thin film transistor including low resistance conductive thin films
JP2008535205A (en) * 2006-02-02 2008-08-28 カシオ計算機株式会社 Thin film transistor and its manufacturing method
JP4928464B2 (en) * 2006-02-02 2012-05-09 カシオ計算機株式会社 Thin film transistor and its manufacturing method
JP2007286150A (en) * 2006-04-13 2007-11-01 Idemitsu Kosan Co Ltd Electrooptical device, and tft substrate for controlling electric current and method of manufacturing the same
JP2008060099A (en) * 2006-08-29 2008-03-13 Casio Comput Co Ltd Thin-film transistor and manufacturing method therefor
JP2008078512A (en) * 2006-09-22 2008-04-03 Casio Comput Co Ltd Method of producing semiconductor device
JP2009010362A (en) * 2007-05-31 2009-01-15 Canon Inc Manufacturing method of thin film transistor using oxide semiconductor
US7863607B2 (en) 2007-06-14 2011-01-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
JPWO2009034953A1 (en) * 2007-09-10 2010-12-24 出光興産株式会社 Thin film transistor
WO2009034953A1 (en) * 2007-09-10 2009-03-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Thin film transistor
US9087745B2 (en) 2008-07-31 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9496406B2 (en) 2008-07-31 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2010056542A (en) * 2008-07-31 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP2016165009A (en) * 2008-07-31 2016-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
CN101640221A (en) * 2008-07-31 2010-02-03 株式会社半导体能源研究所 Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8624237B2 (en) 2008-07-31 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN101640219A (en) * 2008-07-31 2010-02-03 株式会社半导体能源研究所 Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10326025B2 (en) 2008-07-31 2019-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016096348A (en) * 2008-07-31 2016-05-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
CN105514124A (en) * 2008-07-31 2016-04-20 株式会社半导体能源研究所 Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8729544B2 (en) 2008-07-31 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102569189A (en) * 2008-07-31 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102544109A (en) * 2008-07-31 2012-07-04 株式会社半导体能源研究所 Semiconductor device
JP2017022411A (en) * 2008-07-31 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
JP2014222764A (en) * 2008-07-31 2014-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
US9111804B2 (en) 2008-07-31 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2016096347A (en) * 2008-07-31 2016-05-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
CN102842585A (en) * 2008-07-31 2012-12-26 株式会社半导体能源研究所 Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10128381B2 (en) 2008-09-01 2018-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxygen rich gate insulating layer
JP2016131239A (en) * 2008-09-19 2016-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device manufacturing method
US10032796B2 (en) 2008-09-19 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2017130667A (en) * 2008-11-07 2017-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 Transistor
US8716061B2 (en) 2008-11-07 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2016036043A (en) * 2008-11-13 2016-03-17 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
CN106409684A (en) * 2009-06-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 Method of manufacturing semiconductor device
US10090171B2 (en) 2009-06-30 2018-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9831101B2 (en) 2009-06-30 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2015092624A (en) * 2009-06-30 2015-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
US9576795B2 (en) 2009-06-30 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014132660A (en) * 2009-07-18 2014-07-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US9263472B2 (en) 2009-07-18 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2011054946A (en) * 2009-08-07 2011-03-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP2015173265A (en) * 2009-08-07 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
US8912541B2 (en) 2009-08-07 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9935202B2 (en) 2009-09-16 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device comprising oxide semiconductor layer
JP2014239242A (en) * 2009-09-16 2014-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
US8704321B2 (en) 2009-11-05 2014-04-22 Panasonic Corporation Solid-state imaging device
WO2011055475A1 (en) * 2009-11-05 2011-05-12 パナソニック株式会社 Solid-state imaging device
US9991288B2 (en) 2010-02-05 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9728555B2 (en) 2010-02-05 2017-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2016054325A (en) * 2010-02-05 2016-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
US9837544B2 (en) 2010-07-02 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor layer
JP2017028314A (en) * 2010-07-02 2017-02-02 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
JP2015164213A (en) * 2010-08-27 2015-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
JP2017069578A (en) * 2010-08-27 2017-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
CN102623481B (en) * 2011-01-26 2016-05-25 Lg伊诺特有限公司 The light emitting device and manufacturing method thereof
US20120187438A1 (en) * 2011-01-26 2012-07-26 Hwan Hee Jeong Light emitting device and fabricating method thereof
US9281341B2 (en) 2011-01-26 2016-03-08 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and fabricating method thereof
CN102623481A (en) * 2011-01-26 2012-08-01 Lg伊诺特有限公司 Light emitting device and fabricating method thereof
EP2482318A1 (en) * 2011-01-26 2012-08-01 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device and fabricating method thereof
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
JP2016174186A (en) * 2016-06-27 2016-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 Manufacturing method of semiconductor device
KR20180049600A (en) * 2016-11-03 2018-05-11 주식회사 그라피아 LED display structure and method of fabricating the same
KR101886324B1 (en) * 2016-11-03 2018-08-20 주식회사 그라피아 LED display structure and method of fabricating the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101787735B1 (en) Semiconductor device
CN100454570C (en) Method for manufacturing display device
KR101065407B1 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
US7176620B2 (en) Organic light-emitting device, organic light-emitting display apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
US6630784B2 (en) Electroluminescence display apparatus having an opaque anode electrode and manufacturing method thereof
CN100431165C (en) Display device and method for manufacturing the same
JP5274147B2 (en) Flat panel display including the thin film transistor and the thin film transistor
JP4608170B2 (en) Active drive type organic el display device and manufacturing method thereof
KR100564197B1 (en) Electroluminesence display device and manufacturing method thereof
US7094624B2 (en) Active matrix organic electroluminescent display device and fabricating method thereof
US20040188685A1 (en) Thin film transistor and fabrication method thereof
US6921918B2 (en) Active matrix organic electroluminescent display device simplifying fabricating process
KR100963104B1 (en) Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display device having the thin film transistor
JP4247967B2 (en) The organic electroluminescent device and a manufacturing method thereof
EP1191820A1 (en) Active organic el device and method of manufacture thereof
US7989314B2 (en) Method of manufacturing a flexible device and method of manufacturing a flexible display
JP4091481B2 (en) Active matrix organic light emitting device and a manufacturing method thereof
US7741640B2 (en) Top-emission organic light-emitting display device
US7057340B2 (en) Organic electroluminescence display device
JP4089858B2 (en) Semiconductor device
CN101299895B (en) Organic light-emitting display and manufacture method thereof
JP3276930B2 (en) Transistor and semiconductor device
KR100941850B1 (en) Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display device having the thin film transistor
EP2216840B1 (en) Organic light emitting diode display
US7323723B2 (en) Semiconductor light-emitting device using phosphors for performing wavelength conversion

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20050613

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080425

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110725

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110802

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111206