KR101881408B1 - Substrate supporting holder and substrate processing apparatus using the same - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 171
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 20
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 20
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 8
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
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- H01L21/02046—Dry cleaning only
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
기판지지홀더 및 이를 사용한 기판처리장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판지지홀더 및 이를 사용한 기판처리장치는, 기판의 테두리부측 복수의 부위가 기판지지홀더에 지지된다. 그러면, 기판지지홀더와 접촉된 기판의 테두리부 복수의 부위를 제외한 기판의 전면(全面)이 균일하게 처리되므로, 기판의 막질이 향상되는 효과가 있을 수 있다. 그리고, 기판지지홀더에 지지되는 기판의 테두리부측이 비표시 영역 또는 더미 영역이면, 기판의 막질이 더욱 향상되는 효과가 있을 수 있다. 또한, 기판지지홀더의 프레임, 제1지지바, 제2지지바 및 지지부재의 직경 또는 부피가 상대적으로 크므로, 기판지지홀더를 용이하게 제작할 수 있는 효과가 있을 수 있다.A substrate support holder and a substrate processing apparatus using the same are disclosed. In the substrate holder and the substrate processing apparatus using the substrate holder according to the present invention, a plurality of sites on the edge of the substrate are supported by the substrate holder. Then, since the entire surface of the substrate except for a plurality of portions of the edge of the substrate which is in contact with the substrate support holder is treated uniformly, the film quality of the substrate can be improved. If the edge side of the substrate supported by the substrate holder is the non-display area or the dummy area, the film quality of the substrate may be further improved. Further, since the diameter, or the volume, of the frame, the first support bar, the second support bar, and the support member of the substrate support holder is relatively large, the substrate support holder can be easily manufactured.
Description
본 발명은, 기판의 이송 및 기판의 처리시, 기판이 탑재 지지되는 기판지지홀더 및 이를 사용한 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
기판처리장치는, 반도체 소자, 평판 디스플레이 또는 박막형 태양전지(Solar Cell) 등의 제조시 사용되며, 증착장치(Vapor Deposition Apparatus)와 어닐링장치(Annealing Apparstus) 장치로 대별된다.The substrate processing apparatus is used for manufacturing a semiconductor device, a flat panel display, or a thin-film solar cell, and is broadly divided into a vapor deposition apparatus and an annealing apparatus.
도 1은 종래의 기판처리장치의 개략 단면도로서, 이를 설명한다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional substrate processing apparatus, which will be described.
도시된 바와 같이, 종래의 기판처리장치는 기판(S)이 반입되어 처리되는 공간을 제공하는 챔버(11)를 포함하고, 챔버(11)의 내부에는 서셉터(Susceptor)(13)가 승강가능하게 설치된다. 그리고, 서셉터(13)에는 복수의 기판(S)이 탑재 지지지되는 트레이(15)가 탑재 지지된다.A conventional substrate processing apparatus includes a
트레이(15)는 글라스 또는 카본으로 형성되며, 로봇에 의하여 이송된다.The
기판처리장치의 지속적인 사용을 위해서는, 챔버(11)의 내면 및 챔버(11)의 내부에 설치된 부품들에 증착된 증착물질을 세정가스를 이용하여 세정한다. 이때, 트레이(15)의 표면이 세정가스에 의하여 손상되는 것을 방지하기 위하여, 트레이(15)의 표면을 알루미늄으로 용사(Thermal Spraying)하여 코팅한다. 그런데, 트레이(15)의 표면을 알루미늄으로 코팅하는데 많은 비용이 소요되어, 원가가 상승하는 단점이 있다.For continuous use of the substrate processing apparatus, the deposition material deposited on the inner surface of the
그리고, 글라스 또는 카본으로 형성된 트레이(15)의 경우, 상대적으로 열전도율이 낮다. 이로 인해, 트레이(15)를 챔버(11)로 이송하기 전에 로드락챔버 등에서 트레이(15)를 장시간 예열하여야 한다. 또한, 어느 하나의 공정 온도와 다른 하나의 공정 온도가 상이할 경우, 트레이(15)의 온도를 하강시키거나 상승시키는데 많은 시간이 소요된다. 이로 인해, 생산성이 저하되는 단점이 있다.In the case of the
상기와 같은 단점을 해소하기 위하여 와이어(Wire)로 기판을 접촉 지지하는 기판지지홀더가 개발되어 사용되고 있다.In order to solve the above-mentioned disadvantages, a substrate support holder for contacting and supporting a substrate with a wire has been developed and used.
그런데, 상기 기판지지홀더의 상기 와이어는 세정가스에 충분히 견딜 수 있어야 하므로, 알루미늄으로 형성된다.However, since the wire of the substrate support holder must be able to withstand the cleaning gas sufficiently, it is formed of aluminum.
그러면, 기판을 처리하기 위한 플라즈마의 발생시, 상기 와이어는 접지의 기능을 하는 서셉터와 접촉되어 접지의 기능을 하므로, 상기 와이어의 주위에 플라즈마가 밀집된다. 이로 인해, 상기 와이어와 인접한 기판의 부위와 상기 와이어와 이격된 기판의 부위에 불균일한 막이 증착되므로, 막질이 저하되는 단점이 있다. 기판이 태양전지용 기판일 경우, 광변환 효율이 저하되는 단점이 있다.Then, when a plasma for processing the substrate is generated, the wire comes into contact with the susceptor functioning as the ground and functions as a ground, so that the plasma is densely packed around the wire. As a result, a non-uniform film is deposited on a portion of the substrate adjacent to the wire and a portion of the substrate spaced apart from the wire. When the substrate is a solar cell substrate, there is a disadvantage in that the light conversion efficiency is lowered.
상기 와이어로 인해 기판의 막질이 저하되는 것을 방지하기 위해서는, 상기 와이어의 직경을 대단히 작게 형성하여야 한다. 이로 인해, 기판지지홀더의 제작이 어려운 단점이 있다.In order to prevent the film from deteriorating due to the wire, the diameter of the wire must be very small. As a result, it is difficult to manufacture the substrate holder.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 모든 문제점들을 해결할 수 있는 기판지지홀더 및 이를 사용한 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate holder and a substrate processing apparatus using the same, which can solve all the problems of the related art.
본 발명의 다른 목적은 기판의 막질이 저하되는 것을 방지할 수 있는 기판지지홀더 및 이를 사용한 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.It is another object of the present invention to provide a substrate holder and a substrate processing apparatus using the same, which can prevent deterioration of film quality of the substrate.
본 발명의 또 다른 목적은 용이하게 제작할 수 있는 기판지지홀더 및 이를 사용한 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.It is still another object of the present invention to provide a substrate holder and a substrate processing apparatus using the substrate holder.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 지지용 기판지지홀더는, 외곽을 형성하는 프레임; 상호 간격을 가지는 복수개로 마련되어 상기 프레임의 내부에 형성되고, 제1방향을 향하면서 상기 프레임의 내부를 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 구획하는 제1지지바; 상호 간격을 가지는 복수개로 마련되어 상기 프레임의 내부에 형성되고, 상기 제2방향을 향하면서 상기 프레임의 내부를 상기 제1방향으로 구획하며, 상기 제1지지바와 작용하여 상기 프레임의 내부를 기판이 위치되는 복수의 구획된 공간으로 구획하는 제2지지바; 상기 제1지지바 및 상기 제2지지바에 각각 설치되며, 상기 프레임의 구획된 공간에 위치되는 기판의 테두리부측을 받쳐서 지지하는 지지부재를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate holder for supporting a substrate, comprising: a frame forming an outer frame; A first support bar provided inside the frame and dividing the frame into a first direction and a second direction orthogonal to the first direction; Wherein the first support bar and the second support bar are spaced apart from each other in the first direction so as to face the first frame, A second support bar dividing the space into a plurality of partitioned spaces; And a support member which is installed on the first support bar and the second support bar and which supports the edge of the substrate positioned in the divided space of the frame.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판이 반입되어 처리되는 공간을 제공하며, 일측면에는 출입구가 형성된 챔버; 상기 챔버의 하측 부위에 승강가능하게 설치된 서셉터; 내부에 복수의 기판이 상호 구획되어 지지되는 구획된 공간이 형성되고, 상기 출입구를 출입하면서 상기 서셉터의 상면측에 탑재 지지되는 기판지지홀더를 포함하며, 각 기판은 테두리부측 복수의 부위가 상기 기판지지홀더에 지지되어 상기 서셉터의 상면과 이격될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a chamber provided with a space through which a substrate is carried and processed, A susceptor provided at a lower portion of the chamber so as to be able to move up and down; And a substrate support holder mounted on the upper surface side of the susceptor, the substrate support holder having a plurality of portions on the rim side of the substrate, And can be supported by the substrate support holder and spaced apart from the upper surface of the susceptor.
본 발명의 실시예에 따른 기판지지홀더 및 이를 사용한 기판처리장치는, 기판의 테두리부측 복수의 부위가 기판지지홀더에 지지된다. 그러면, 기판지지홀더와 접촉된 기판의 테두리부 복수의 부위를 제외한 기판의 전면(全面)이 균일하게 처리되므로, 기판의 막질이 향상되는 효과가 있을 수 있다.In the substrate holder and the substrate processing apparatus using the substrate holder according to the embodiment of the present invention, a plurality of sites on the edge of the substrate are supported by the substrate holder. Then, since the entire surface of the substrate except for a plurality of portions of the edge of the substrate which is in contact with the substrate support holder is treated uniformly, the film quality of the substrate can be improved.
그리고, 기판지지홀더에 지지되는 기판의 테두리부측이 비표시 영역 또는 더미 영역이면, 기판의 막질이 더욱 향상되는 효과가 있을 수 있다.If the edge side of the substrate supported by the substrate holder is the non-display area or the dummy area, the film quality of the substrate may be further improved.
또한, 기판지지홀더의 프레임, 제1지지바, 제2지지바 및 지지부재의 직경 또는 부피가 상대적으로 크므로, 기판지지홀더를 용이하게 제작할 수 있는 효과가 있을 수 있다.Further, since the diameter, or the volume, of the frame, the first support bar, the second support bar, and the support member of the substrate support holder is relatively large, the substrate support holder can be easily manufactured.
도 1은 종래의 기판처리장치의 개략 단면도.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치의 정단면도.
도 3은 기판을 제거한 도 2의 평단면도.
도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 기판지지홀더 및 서셉터의 사시도.
도 5는 도 4의 "P"부 확대도.
도 6은 도 4의 결합 단면도.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치로 기판을 반입하는 것을 보인 도.
도 8a는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장치의 기판지지홀더의 사시도.
도 8b는 도 8a의 "Q"부 확대도.
도 9a는 본 발명의 제3실시예에 따른 기판처리장치의 기판지지홀더 및 서셉터의 사시도.
도 9b는 도 9a의 결합 평면도.
도 10a는 본 발명의 제4실시예에 따른 기판처리장치의 기판지지홀더 및 서셉터의 사시도.
도 10b는 도 10a의 결합 평면도.1 is a schematic sectional view of a conventional substrate processing apparatus;
2 is a front sectional view of a substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a plan sectional view of Fig. 2 with the substrate removed. Fig.
Figure 4 is a perspective view of the substrate support holder and susceptor shown in Figures 2 and 3;
5 is an enlarged view of a portion "P"
Figure 6 is a cross-sectional view of the connection of Figure 4;
Figures 7A-7D illustrate the loading of a substrate into a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
8A is a perspective view of a substrate holder of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention;
8B is an enlarged view of a portion "Q" in Fig. 8A.
9A is a perspective view of a substrate holder and a susceptor of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
Figure 9b is a top view of the coupling of Figure 9a.
10A is a perspective view of a substrate holder and a susceptor of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention;
Figure 10B is a top view of the coupling of Figure 10A.
본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.It should be noted that, in the specification of the present invention, the same reference numerals as in the drawings denote the same elements, but they are numbered as much as possible even if they are shown in different drawings.
한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.Meanwhile, the meaning of the terms described in the present specification should be understood as follows.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.The word " first, "" second," and the like, used to distinguish one element from another, are to be understood to include plural representations unless the context clearly dictates otherwise. The scope of the right should not be limited by these terms.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the terms "comprises" or "having" does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.It should be understood that the term "at least one" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item and the third item" means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item and the second item among the first item, Means any combination of items that can be presented from more than one.
"및/또는"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및/또는 제3항목"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 또는 제3항목들 중 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.It should be understood that the term "and / or" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "first item, second item and / or third item" may include not only the first item, the second item or the third item but also two of the first item, Means a combination of all items that can be presented from the above.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결된다 또는 설치된다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 설치될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결된다 또는 설치된다"라고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 이웃하는"과 "∼에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected or installed" to another element, it may be directly connected or installed with the other element, although other elements may be present in between. On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected or installed" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. On the other hand, other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.
이하에서는, 본 발명의 실시예들에 따른 기판지지홀더 및 이를 사용한 기판처리장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate holder and a substrate processing apparatus using the substrate holder according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제1실시예First Embodiment
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치의 정단면도이고, 도 3은 기판을 제거한 도 2의 평단면도이다.FIG. 2 is a front sectional view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a plan sectional view of FIG. 2 with a substrate removed.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치는 기판(S)이 반입(搬入)되어 처리되는 공간을 제공하는 챔버(110)를 포함할 수 있고, 챔버(110)는 상면이 개방된 챔버 월(Wall)(111)과 챔버 월(111)의 개방된 상면에 결합된 리드(Lid)(115)를 포함할 수 있다.As shown, the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention may include a
챔버 월(111)의 상면에 리드(115)가 결합되므로, 챔버(110)의 내부 하측 부위는 챔버 월(111)의 내부 하측 부위이고, 챔버(110)의 내부 상측 부위는 리드(115)측 임은 당연하다.The inner lower portion of the
챔버 월(111)의 일측면에는 복수의 기판(S)이 탑재 지지된 후술할 기판지지홀더(200)가 출입하는 출입구(111a)가 형성될 수 있고, 챔버 월(111)의 하면측에는 가스 등을 배출시키기 위한 배출구(111b)가 형성될 수 있다.An
챔버(110)의 상면인 리드(115)의 상면에는 가스공급부로부터 공정가스를 공급받는 가스공급관(121)이 설치될 수 있고, 챔버(110)의 내부 상측인 리드(115)측에는 챔버(110)의 내부 하측 부위로 공정가스를 균일하게 분사하는 샤워헤드(125)가 설치될 수 있다. 이때, 샤워헤드(125)는 플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 전극의 기능을 할 수 있다.A
챔버(110)의 내부 하측 부위에는 기판지지홀더(200)를 매개로 기판(S)이 탑재 지지되는 서셉터(130)가 설치될 수 있고, 서셉터(130)는 모터 또는 실린더 등과 같은 구동수단에 의하여 승강 및 회전가능하게 설치될 수 있다.A
서셉터(130)는 플라즈마 전극인 샤워헤드(125)의 상대 전극의 기능을 할 수 있고, 서셉터(130)의 내부에는 기판(S)을 처리하기 위한 공정 중에 기판(S)을 적절하게 가열하기 위한 히터 등이 설치될 수 있다. 서셉터(130)는 상기 구동수단의 구동축을 통하여 접지될 수 있다.The
챔버(110)의 외측에는 샤워헤드(125)와 접속되어 샤워헤드(125)에 RF(Radio Frequency) 전원 등을 인가하기 위한 전원장치(141) 및 임피던스를 정합하기 위한 매처(145)가 설치될 수 있다.A
챔버(110)의 외측에 적재 보관된 기판(S)은 기판지지홀더(200)에 탑재 지지되어 챔버(110)로 반입되거나, 챔버(110)로부터 반출된다. 챔버(110) 외측의 기판지지홀더(200)는 로봇에 의하여 챔버(110)의 내부로 이송되어 서셉터(130)에 탑재되거나, 서셉터(130)에 탑재된 기판지지홀더(200)는 로봇에 의하여 챔버(110)의 외부로 이송된다.The substrate S stored on the outside of the
기판지지홀더(200)에 대하여 도 2 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 기판지지홀더 및 서셉터의 사시도이고, 도 5는 도 4의 "P"부 확대도이고, 도 6은 도 4의 결합 단면도이다.The
도시된 바와 같이, 기판지지홀더(200)는 기판(S)을 지지할 수 있고, 기판지지홀더(200)의 내부에는 복수의 구획된 공간(210a)이 형성될 수 있다. 기판(S)은 기판지지홀더(200)의 구획된 공간(210a)에 위치되어 상호 구획될 수 있고, 테두리부측이 각각 지지될 수 있다. 그리하여, 기판지지홀더(200)가 서셉터(130)에 탑재 지지되었을 때, 기판(S)의 하면은 서셉터(130)의 상면과 이격될 수 있다.The
기판지지홀더(200)는 프레임(210), 제1지지바(220), 제2지지바(230) 및 지지부재(240)를 포함할 수 있다.The
프레임(210)은 사각형상으로 형성될 수 있으며, 서셉터(130)가 상승하면 서셉터(130)의 측면 상측 부위를 감쌀 수 있다. 즉, 서셉터(130)가 상승하면, 서셉터(130)의 측면 상측 부위는 프레임(210)의 내부에 삽입될 수 있다.The
제1지지바(220)는 상호 간격을 가지는 복수개로 마련되어 프레임(210)의 내부에 형성될 수 있으며, 제1방향인 챔버(110)의 좌우 방향을 향하면서 프레임(210)의 내부를 제2방향인 챔버(110)의 전후 방향으로 구획할 수 있다. 상기 제1방향이 챔버(110)의 좌우 방향이고, 상기 제2방향이 챔버(110)의 전후 방향이므로, 상기 제1방향과 상기 제2방향은 직교함은 당연하다.The first support bars 220 may be formed in a plurality of spaced apart spaces and may be formed in the
제2지지바(230)는 상호 간격을 가지는 복수개로 마련되어 프레임(210)의 내부에 형성될 수 있으며, 챔버(110)의 전후 방향을 향하면서 프레임(210)의 내부를 챔버(110)의 좌우 방향으로 구획할 수 있다. 그리하여, 제1지지바(220)와 제2지지바(230)의 작용에 의하여, 프레임(210)의 내부는 복수의 구획된 공간(210a)으로 구획되고, 프레임(210)의 구획된 공간(210a)에 기판(S)이 위치되어 지지된다.The second support bars 230 may be formed in a plurality of spaced apart portions of the
제1지지바(220) 및 제2지지바(230)는 각각 봉 형상으로 형성될 수 있으며, 알루미늄으로 형성될 수 있다. 그리고, 제1지지바(220)와 제2지지바(230)는, 프레임(210)을 기준으로, 동일 높이에 위치될 수 있다. 제1지지바(220)와 제2지지바(230)를 일체로 형성하거나, 제1지지바(220)와 제2지지바(230)의 교차 부위를 벤딩시키면, 제1지지바(220)와 제2지지바(230)를 동일 높이인 동일 평면상에 위치시킬 수 있다.Each of the first supporting
지지부재(240)는 제1지지바(220) 및 제2지지바(230)에 각각 복수개 설치 고정될 수 있다. 지지부재(240)의 상측 부위는 제1지지바(220) 및 제2지지바(230)에 각각 설치 고정될 수 있고, 하측 부위는 프레임(210)의 구획된 공간(210a)에 위치될 수 있다. 프레임(210)의 구획된 공간(210a)에 위치된 지지부재(240)의 하측 부위에 프레임(210)의 구획된 공간(210a)에 위치된 기판(S)의 테두리부가 접촉 지지될 수 있다. 그리고, 지지부재(240)의 하면은 서셉터(130)의 상면과 접촉할 수 있다.A plurality of
지지부재(240)는 세라믹으로 형성될 수 있으며, 결합관(241)과 지지부(245)를 포함할 수 있다.The
결합관(241)은 제1지지바(220) 및 제2지지바(230)의 외면에 결합 고정될 수 있다. 지지부(245)는 결합관(241)의 외면에 형성되어 하측으로 돌출되며, 상단부측은 결합관(241)에 결합되고 하측 부위에는 기판(S)의 테두리부측이 지지될 수 있다.The
지지부(245)는 블럭 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 지지부(245)는 사각블럭 형상으로 형성되어 결합관의 외면에서 하측으로 연장된 연장블럭(245a)과 연장블럭(245a)의 하단부 일측면 및 타측면에서 외측으로 각각 돌출된 지지블럭(245b)을 포함할 수 있다. 이때, 지지블럭(245b)은 결합관(241)의 반경 방향을 향할 수 있으며, 지지블럭(245b)의 상면에 기판(S)의 테두리부측이 탑재 지지될 수 있다.The
프레임(210)의 어느 하나의 구획된 공간(210a)은 상호 대향하는 제1지지바(220)와 상호 대향하는 제2지지바(230)에 의하여 형성된다. 이때, 프레임(210)의 어느 하나의 구획된 공간(210a)을 형성하는 상호 대향하는 제1지지바(220)에는 2개의 지지부재(245)가 각각 설치되고, 상호 대향하는 제2지지바(230)에는 2개의 지지부재(245)가 설치되는 것이 바람직하다. 그러면, 기판(S)의 테두리부 8군데 부위가 지지부재(245)의 지지블럭(245b)에 지지되므로, 지지블럭(245b)에 접촉 지지되는 기판(S)의 부위를 최소화하면서 기판(S)을 안정되게 지지할 수 있다.One of the divided
기판(S)을 흡착하여 프레임(210)의 구획된 공간(210a)에 기판(S)을 위치시키거나, 프레임(210)의 구획된 공간(210a)에 위치 지지된 기판(S)을 공간(210a)으로부터 꺼낼 수 있다.The substrate S is sucked to place the substrate S in the divided
본 발명의 제1실시예에 따른 기판지지홀더 및 이를 사용한 기판처리장치는, 기판(S)의 테두리부측 복수의 부위가 기판지지홀더(200)에 지지된다. 그러면, 기판지지홀더(200)와 접촉된 기판(S)의 테두리부 복수의 부위를 제외한 기판(S)의 전면(全面)이 균일하게 처리되므로, 기판(S)의 막질이 향상된다. 기판(S)이 태양전지용 기판(S)일 경우, 광변환 효율이 향상된다. 이때, 기판지지홀더(200)에 지지되는 기판(S)의 테두리부측이 비표시 영역 또는 더미 영역이면, 기판(S)의 막질이 더욱 향상될 수 있다.The substrate support holder and the substrate processing apparatus using the substrate support holder according to the first embodiment of the present invention are supported on the
그리고, 기판지지홀더(200)의 프레임(210), 제1지지바(220), 제2지지바(230) 및 지지부재(240)의 직경 또는 부피가 상대적으로 크므로, 기판지지홀더(200)를 용이하게 제작할 수 있다.Since the diameter or the volume of the
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치로 기판을 반입하는 것을 보인 도로서, 이를 설명한다.FIGS. 7A to 7D illustrate the loading of the substrate into the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
도 7a에 도시된 바와 같이, 서셉터(130)가 하강된 상태를 최초의 상태라 가정한다. 최초의 상태에서, 기판(S)을 서셉터(130)에 탑재하기 위해서는, 도 7b에 도시된 바와 같이, 복수의 기판(S)이 탑재 지지된 기판지지홀더(200)의 프레임(210)을 로봇(50)으로 지지하여, 챔버(110)로 이송한 다음, 기판지지홀더(200)를 서셉터(130)의 상측에 위치시킨다.As shown in Fig. 7A, it is assumed that the state in which the
그 후, 도 7c에 도시된 바와 같이, 서셉터(130)를 상승시켜, 서셉터(130)의 상면에 기판지지홀더(200)의 지지부재(240)의 하면이 접촉되게 한다. 서셉터(130)의 상면과 지지부재(240)의 하면이 접촉되면, 서셉터(130)의 측면 상측 부위가 프레임(210)의 내부에 삽입된다.7C, the
그리고, 도 7d에 도시된 바와 같이, 로봇(50)을 챔버(110)의 외측으로 빼낸 다음, 서셉터(130)를 공정 위치로 이동한 후, 기판(S)을 처리하면 된다.7D, the
기판(S)을 챔버(110)로부터 반출하기 위해서는, 도 7d에 도시된 상태에서, 로봇(50)으로 기판지지홀더(200)의 프레임(210)을 지지한 다음, 서셉터(130)를 하강시킨다. 그 후, 로봇(50)을 챔버(110)로부터 빼내면 된다.In order to carry the substrate S out of the
제2실시예Second Embodiment
도 8a는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장치의 기판지지홀더의 사시도이고, 도 8b는 도 8a의 "Q"부 확대도로서, 제1실시예와의 차이점만을 설명한다.FIG. 8A is a perspective view of a substrate holder of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 8B is an enlarged view of the "Q" portion of FIG. 8A, and only differences from the first embodiment are described.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장치의 기판지지홀더(300)의 제1지지바(320)와 제2지지바(330)는, 프레임(310)을 기준으로, 상이한 높이에 위치될 수 있다.The
이때, 제1지지바(320)에 설치된 지지부재(340)의 지지부(345)와 제2지지바(330)에 설치된 지지부재(340)의 지지부(345)는 제1지지바(320)와 제2지지바(330)의 높이 차와 대응되는 높이 차를 가질 수 있다.The
즉, 제1지지바(320)가 제2지지바(330) 보다 상측에 위치된다고 가정하면, 제1지지바(320)의 설치된 지지부재(340)의 지지부(345)는 제2지지바(330)에 설치된 지지부재(340)의 지지부(345) 보다 높이를 높게 형성될 수 있다. 그러면, 제1지지바(320)에 설치된 지지부(345)의 하면과 제2지지바(330)에 설치된 지지부(345)의 하면은 서셉터(130)(도 2 참조)의 상면과 접촉할 수 있다.That is, assuming that the
제3실시예Third Embodiment
도 9a는 본 발명의 제3실시예에 따른 기판처리장치의 기판지지홀더 및 서셉터의 사시도이고, 도 9b는 도 9a의 결합 평면도로서, 제1실시예와의 차이점만을 설명한다.FIG. 9A is a perspective view of a substrate holder and a susceptor of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 9B is a plan view of the coupling of FIG. 9A, and only differences from the first embodiment are described.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 기판처리장치의 서셉터(180)의 상면에는 복수의 안내핀(181)이 설치될 수 있다. 안내핀(181)은 서셉터(180)의 가장자리를 따라 설치될 수 있으며, 서셉터(180)의 상측에 위치되는 기판지지홀더(200)의 제1지지바(220) 및 제2지지바(230)가 놓이는 위치를 안내할 수 있다.As shown in the figure, a plurality of guide pins 181 may be provided on the upper surface of the
즉, 안내핀(181)은 프레임(210)과 최외곽에 위치된 제1지지바(220) 사이 및 프레임(210)과 최외곽에 위치된 제2지지바(230) 사이를 통과하여, 제1지지바(220) 및 제2지지바(230)가 놓이는 위치를 안내할 수 있다. 제1지지바(220) 및 제2지지바(230)가 놓이는 위치가 안내되면, 서셉터(180) 상에 기판(S)이 놓이는 위치가 안내됨은 당연하다.That is, the
본 발명의 제3실시예를 본 발명의 제2실시예에도 적용할 수 있음은 당연하다.It is a matter of course that the third embodiment of the present invention is also applicable to the second embodiment of the present invention.
제4실시예Fourth Embodiment
도 10a는 본 발명의 제4실시예에 따른 기판처리장치의 기판지지홀더 및 서셉터의 사시도이고, 도 10b는 도 10a의 결합 평면도로서, 이를 설명한다.FIG. 10A is a perspective view of a substrate holder and a susceptor of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 10B is a plan view of the coupling of FIG. 10A.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 기판처리장치의 서셉터(190)의 상면에는 기판지지홀더(200)의 제1지지바(220) 및 제2지지바(230)가 각각 삽입되는 삽입로(193)가 각각 함몰 형성될 수 있고, 서셉터(190)의 상면에는 기판(S)이 안치(安置)되는 안치홈(195)이 형성될 수 있다.As shown in the figure, on the upper surface of the
그러면, 삽입로(193)와 안치홈(195)으로 인하여, 서셉터(190)의 상면에는 삽입로(193) 및 안치홈(195)을 형성하는 격벽(197)이 형성된다. 이때, 격벽(197)에는 기판지지홀더(200)의 지지부재(240)의 지지부(245)의 지지블럭(245b)의 일측이 삽입되는 삽입홈(197a)이 형성될 수 있다. 그리고, 지지블럭(245b)의 타측은 안치홈(195)에 위치되어 기판(S)을 지지할 수 있다.A
본 발명의 제4실시예를 본 발명의 제2실시예에도 적용할 수 있음은 당연하다.It is needless to say that the fourth embodiment of the present invention is also applicable to the second embodiment of the present invention.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
110: 챔버
130: 서셉터
200: 기판지지홀더
210: 프레임
220: 제1지지바
230: 제2지지바
240: 지지부재110: chamber
130: susceptor
200: substrate holder
210: frame
220: first support bar
230: second support bar
240: support member
Claims (15)
상호 간격을 가지는 복수개로 마련되어 상기 프레임의 내부에 형성되고, 제1방향을 향하면서 상기 프레임의 내부를 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 구획하는 제1지지바;
상호 간격을 가지는 복수개로 마련되어 상기 프레임의 내부에 형성되고, 상기 제2방향을 향하면서 상기 프레임의 내부를 상기 제1방향으로 구획하며, 상기 제1지지바와 작용하여 상기 프레임의 내부를 기판이 위치되는 복수의 구획된 공간으로 구획하는 제2지지바;
일측은 상기 제1지지바 및 상기 제2지지바를 감싸는 형태로 각각 설치되고, 타측은 상기 제1지지바 및 상기 제2지지바의 하측으로 돌출되어 상기 프레임의 구획된 공간에 위치되는 기판의 테두리부측을 받쳐서 지지하는 지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지홀더.A frame forming an outer frame;
A first support bar provided inside the frame and dividing the frame into a first direction and a second direction orthogonal to the first direction;
Wherein the first support bar and the second support bar are spaced apart from each other in the first direction so as to face the first frame, A second support bar dividing the space into a plurality of partitioned spaces;
A first supporting bar and a second supporting bar, and the other side of the first supporting bar and the second supporting bar protrudes from the lower side of the first supporting bar and the second supporting bar, And a supporting member for supporting and supporting the side portion.
상기 지지부재는,
상기 제1지지바 및 상기 제2지지바의 외면에 결합되는 결합관;
상기 결합관의 외면에 형성되어 하측으로 돌출되며, 자신의 하측 부위에 기판의 테두리부측이 지지되는 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지홀더.The method according to claim 1,
Wherein the support member comprises:
A coupling tube coupled to an outer surface of the first support bar and the second support bar;
And a support portion formed on an outer surface of the coupling tube and protruding downward, the support portion being supported at an edge portion side of the substrate at a lower portion thereof.
상기 지지부는,
상기 결합관의 외면에서 하측으로 연장된 연장블럭;
상기 연장블럭의 하단부 일측면 및 타측면에서 외측으로 돌출되고, 상기 결합관의 반경 방향을 향하며, 상기 기판의 테두리부측이 지지되는 지지블럭을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지홀더.3. The method of claim 2,
The support portion
An extension block extending downward from an outer surface of the coupling pipe;
And a support block protruding outward from one side surface and the other side surface of the lower end of the extension block and facing the radial direction of the coupling pipe, the edge of the substrate being supported by the support block.
상기 제1지지바와 상기 제2지지바는, 상기 프레임을 기준으로, 동일 높이에 위치된 것을 특징으로 하는 기판지지홀더. 3. The method of claim 2,
Wherein the first support bar and the second support bar are positioned at the same height with respect to the frame.
상기 제1지지바와 상기 제2지지바는, 상기 프레임을 기준으로, 상이한 높이에 위치된 것을 특징으로 하는 기판지지홀더. 3. The method of claim 2,
Wherein the first support bar and the second support bar are positioned at different heights relative to the frame.
상기 제1지지바에 설치된 상기 지지부재의 상기 지지부와 상기 제2지지바에 설치된 상기 지지부재의 상기 지지부는 상기 제1지지바와 상기 제2지지바의 높이 차와 대응되는 높이 차를 가지고,
상기 제1지지바에 설치된 상기 지지부재의 상기 지지부의 하면과 상기 제2지지바에 설치된 상기 지지부재의 상기 지지부의 하면은, 상기 프레임을 기준으로, 동일한 높이에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판지지홀더.6. The method of claim 5,
The support portion of the support member provided on the first support bar and the support portion of the support member provided on the second support bar have a height difference corresponding to a height difference between the first support bar and the second support bar,
Wherein the lower surface of the support portion of the support member provided on the first support bar and the lower surface of the support portion of the support member provided on the second support bar are positioned at the same height with respect to the frame.
상기 챔버의 하측 부위에 승강가능하게 설치된 서셉터;
내부에 복수의 기판이 상호 구획되어 지지되는 구획된 공간이 형성되고, 상기 출입구를 출입하면서 상기 서셉터의 상면측에 탑재 지지되는 기판지지홀더를 포함하며,
상기 기판지지홀더는,
상기 서셉터가 상승하면 상기 서셉터의 측면 상측 부위를 감싸는 프레임,
상호 간격을 가지는 복수개로 마련되어 상기 프레임의 내부에 형성되고, 상기 챔버의 좌우 방향을 향하면서 상기 프레임의 내부를 상기 챔버의 전후 방향으로 구획하는 제1지지바;
상호 간격을 가지는 복수개로 마련되어 상기 프레임의 내부에 형성되고, 상기 챔버의 전후 방향을 향하면서 상기 프레임의 내부를 상기 챔버의 좌우 방향으로 구획하며, 상기 제1지지바와 작용하여 상기 프레임의 내부를 상기 기판지지홀더의 구획된 공간인 구획된 공간으로 구획하는 제2지지바;
상측 부위는 상기 제1지지바 및 상기 제2지지바를 감싸는 형태로 각각 설치되고, 하측 부위는 상기 제1지지바 및 상기 제2지지바의 하측으로 돌출되어 하면이 상기 서셉터의 상면과 접촉하며, 상기 프레임의 구획된 공간에 위치되는 기판의 테두리부측을 받쳐서 지지하는 복수의 지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber for providing a space in which the substrate is carried and processed, the chamber having an inlet formed at one side thereof;
A susceptor provided at a lower portion of the chamber so as to be able to move up and down;
And a substrate support holder which is formed in a partitioned space in which a plurality of substrates are partitioned and supported and which is mounted on and supported by the top surface of the susceptor,
Wherein the substrate support holder comprises:
A frame surrounding the upper side of the susceptor when the susceptor rises,
A first support bar provided in a plurality of spaced apart from each other and formed inside the frame and dividing the inside of the frame into the front and back directions of the chamber while facing the left and right direction of the chamber;
The chamber is divided into a plurality of chambers and spaced apart from each other in a lateral direction of the chamber. The chambers are formed in the chamber, A second support bar dividing the substrate support holder into a divided space which is a divided space;
And a lower portion of the lower portion protrudes to a lower side of the first support bar and the second support bar so that the lower surface of the lower support portion contacts the upper surface of the susceptor And a plurality of support members for supporting and supporting the frame side portion of the substrate positioned in the divided space of the frame.
상기 지지부재는,
상기 제1지지바 및 상기 제2지지바의 외면에 결합되는 결합관;
상기 결합관의 외면에 형성되어 하측으로 돌출되며, 하면은 상기 서셉터와 접촉하고 하측 부위에는 기판의 테두리부측이 접촉 지지되는 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.8. The method of claim 7,
Wherein the support member comprises:
A coupling tube coupled to an outer surface of the first support bar and the second support bar;
And a support portion formed on an outer surface of the coupling tube and protruding downward, wherein the lower surface is in contact with the susceptor and the lower edge portion is in contact with the edge of the substrate.
상기 지지부는,
상기 결합관의 외면에서 하측으로 연장된 연장블럭;
상기 연장블럭의 하측 부위 일측면 및 타측면에서 외측으로 돌출되고, 상기 결합관의 반경 방향을 향하며, 하면은 상기 서셉터와 접촉하고 상면에는 상기 기판의 테두리부측이 접촉 지지되는 지지블럭을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.10. The method of claim 9,
The support portion
An extension block extending downward from an outer surface of the coupling pipe;
And a support block protruding outward from one side and the other side of the lower side of the extension block and facing the radial direction of the coupling tube, the lower surface being in contact with the susceptor, And the substrate processing apparatus.
상기 제1지지바와 상기 제2지지바는, 상기 프레임을 기준으로, 동일 높이에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.10. The method of claim 9,
Wherein the first support bar and the second support bar are positioned at the same height with respect to the frame.
상기 제1지지바와 상기 제2지지바는, 상기 프레임을 기준으로, 상이한 높이에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.10. The method of claim 9,
Wherein the first support bar and the second support bar are positioned at different heights with respect to the frame.
상기 제1지지바에 설치된 상기 지지부재의 상기 지지부와 상기 제2지지바에 설치된 상기 지지부재의 상기 지지부는 상기 제1지지바와 상기 제2지지바의 높이 차와 대응되는 높이 차를 가지면서 하면이 상기 서셉터의 상면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.13. The method of claim 12,
Wherein the support portion of the support member provided on the first support bar and the support portion of the support member provided on the second support bar have a height difference corresponding to a height difference between the first support bar and the second support bar, Wherein the upper surface of the susceptor is in contact with the upper surface of the susceptor.
상기 서셉터의 상면에는 상기 서셉터의 상측에 위치되는 상기 제1지지바 및 상기 제2지지바가 놓이는 위치를 안내하는 복수의 안내핀이 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.8. The method of claim 7,
Wherein a plurality of guide pins for guiding a position of the first support bar and the second support bar, which are located on the upper side of the susceptor, are provided on the upper surface of the susceptor.
상기 서셉터의 상면에는 상기 제1지지바 및 상기 제2지지바가 각각 삽입되는 삽입로가 각각 함몰 형성되고,
상기 서셉터의 상면에는 상기 기판이 안치(安置)되는 안치홈이 형성되며,
상기 삽입로 및 상기 안치홈을 형성하는 상기 서셉터의 격벽에는 상기 기판이 지지되는 상기 지지부재의 하측 부위 일측이 삽입되는 삽입홈이 형성되며,
상기 삽입홈에 삽입된 상기 지지부재의 하측 부위 타측은 상기 안치홈에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.8. The method of claim 7,
Wherein the susceptor has an upper surface formed with an insertion path into which the first support bar and the second support bar are respectively inserted,
An upper surface of the susceptor is provided with an installation groove on which the substrate is placed,
Wherein an inserting groove is formed in a partition wall of the susceptor forming the insertion path and the mounting groove to insert one side of a lower portion of the supporting member,
And the other side of the lower portion of the support member inserted into the insertion groove is located in the seat groove.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160105884A KR101881408B1 (en) | 2016-08-22 | 2016-08-22 | Substrate supporting holder and substrate processing apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160105884A KR101881408B1 (en) | 2016-08-22 | 2016-08-22 | Substrate supporting holder and substrate processing apparatus using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180021407A KR20180021407A (en) | 2018-03-05 |
KR101881408B1 true KR101881408B1 (en) | 2018-07-23 |
Family
ID=61726693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160105884A KR101881408B1 (en) | 2016-08-22 | 2016-08-22 | Substrate supporting holder and substrate processing apparatus using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101881408B1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004281907A (en) | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Olympus Corp | Large substrate holder |
KR101015389B1 (en) | 2009-05-26 | 2011-02-22 | 주식회사 테스 | Substrate treating apparatus |
JP2013513933A (en) * | 2009-12-11 | 2013-04-22 | カーゲーテー・グラフィート・テヒノロギー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | Substrate support |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100113774A (en) * | 2009-04-14 | 2010-10-22 | 주식회사 테스 | Substrate processing apparatus |
KR20120022179A (en) * | 2010-09-01 | 2012-03-12 | 주식회사 테스 | A tray to transfer substrate and substrate processing apparatus having the same |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004281907A (en) | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Olympus Corp | Large substrate holder |
KR101015389B1 (en) | 2009-05-26 | 2011-02-22 | 주식회사 테스 | Substrate treating apparatus |
JP2013513933A (en) * | 2009-12-11 | 2013-04-22 | カーゲーテー・グラフィート・テヒノロギー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | Substrate support |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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