KR101874495B1 - The inline type apparatus for depositing a protecing layer for oled - Google Patents

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Abstract

본원발명은 다수개의 리니어 소스를 병렬로 배열하고 기판을 인라인 방식으로 수평 이동시키면서 증착 공정을 진행하여 OLED 기판 상에 보호막용 무기막을 3nm/min 이상의 속도로 증착할 수 있는 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치는, 내부에 진공 상태를 형성할 수 있는 진공 챔버; 상기 진공 챔버 내부 하측에 설치되며, OLED 기판을 일측에서 타측으로 수평이동시키는 기판 수평 이동부; 상기 진공 챔버 내부 상측에 설치되며, 상기 기판 수평 이동부에 의하여 수평 이동되는 OLED 기판에 대하여 보호막을 원자층 증착하는 원자층 증착부;를 포함한다. The present invention relates to an OLED display device capable of depositing an inorganic film for a protective film at a rate of 3 nm / min or more on an OLED substrate by arranging a plurality of linear sources in parallel and horizontally moving the substrate in an in- The present invention relates to an in-line atomic layer deposition apparatus for depositing an OLED protective film on a substrate, comprising: a vacuum chamber capable of forming a vacuum state therein; A substrate horizontally moving unit installed below the vacuum chamber and horizontally moving the OLED substrate from one side to the other side; And an atomic layer deposition unit disposed on the upper side of the vacuum chamber and atomically depositing a protective layer on the OLED substrate horizontally moved by the substrate horizontal moving unit.

Figure R1020160128348
Figure R1020160128348

Description

ＯＬＥＤ 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치{THE INLINE TYPE APPARATUS FOR DEPOSITING A PROTECING LAYER FOR OLED}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an inline atomic layer deposition apparatus,

본원발명은 인라인 원자층 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다수개의 리니어 소스를 병렬로 배열하고 기판을 인라인 방식으로 수평 이동시키면서 증착 공정을 진행하여 OLED 기판 상에 보호막용 무기막을 3nm/min 이상의 속도로 증착할 수 있는 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치에 관한 것이다. The present invention relates to an in-line atomic layer deposition apparatus, and more particularly, to an in-line atomic layer deposition apparatus, in which a plurality of linear sources are arranged in parallel and a substrate is horizontally moved in an in- And more particularly, to an inline atomic layer deposition apparatus for depositing an OLED protective film.

OLED(Organic Light Emitting Diode)는 높은 색 재현율, 넓은 시야각, 얇고 가벼운 특성 때문에 모바일 기기뿐만 아니라, 대형 TV, 플렉서블 기기 등 활용도가 더욱 증대되고 있다. 그런데 OLED는 유기박막이기 때문에 LCD와는 달리 높은 수분이나 산소와 반응을 하여 내구성을 약화시키기 때문에 이를 보호할 수 있는 보호막(Passivation Layer) 또는 봉지막(Encapsulation Layer)이 필요하다. OLED (Organic Light Emitting Diode) is used not only for mobile devices but also for large TVs and flexible devices because of its high color reproduction rate, wide viewing angle and thin and light characteristics. However, since OLED is an organic thin film, unlike LCD, it reacts with high moisture or oxygen to weaken its durability. Therefore, a passivation layer or an encapsulation layer is needed to protect the OLED.

이러한 보호막 또는 봉지막으로는 유리 기판을 사용하거나 필름을 사용하는 등의 기술이 제시되어 있으나, OLED를 플렉서블 디스플레이(flexible display)로 사용하기 위해서는 상기 보호막 또는 봉지막이 박막(thin layer) 형태로 구현되어야 한다. 현재 이러한 박막 형태의 봉지막 또는 보호막으로는 금속산화물과 유기막을 다수층 적층하는 방식의 박막이 제시되고 있다. In order to use the OLED as a flexible display, the protective layer or the sealing layer must be formed in a thin layer form. do. Currently, such a thin film-type sealing film or protective film is proposed in which a plurality of layers of a metal oxide and an organic film are stacked.

여기에서 금속산화물 무기막은 수분과 산소의 투습을 막아주기 위하여 Al2O3 등의 금속 산화물을 스퍼터, PECVD, ALD 등을 이용하여 증착하고, 유기막은 증착장비 또는 잉크젯 장비 등을 이용하여 형성한다. Here, the metal oxide inorganic film is formed by depositing a metal oxide such as Al 2 O 3 or the like using sputtering, PECVD, ALD or the like in order to prevent moisture and oxygen from permeating the moisture, and the organic film is formed using a deposition apparatus or an ink jet apparatus.

이때 투습성을 결정하는 무기박막은 박막의 특성이 우수하고 단차피복성능(step coverage)이 높은 원자층 증착(ALD) 방법을 사용하고 있으나, 박막의 우수한 특성에 비하여 증착속도가 낮아 생산성이 낮은 문제점이 있다. At this time, the inorganic thin film which determines the moisture permeability has an atomic layer deposition (ALD) method which is excellent in the characteristics of the thin film and has high step coverage, but has a problem of low productivity due to the low deposition rate have.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 다수개의 리니어 소스를 병렬로 배열하고 기판을 인라인 방식으로 수평 이동시키면서 증착 공정을 진행하여 OLED 기판 상에 보호막용 무기막을 3nm/min 이상의 속도로 증착할 수 있는 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an OLED display device capable of depositing a protective film inorganic film at a rate of 3 nm / min or more on an OLED substrate by arranging a plurality of linear sources in parallel and horizontally moving the substrate in an in- And an inline atomic layer deposition apparatus for depositing a protective film.

전술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치는, 내부에 진공 상태를 형성할 수 있는 진공 챔버; 상기 진공 챔버 내부 하측에 설치되며, OLED 기판을 일측에서 타측으로 수평이동시키는 기판 수평 이동부; 상기 진공 챔버 내부 상측에 설치되며, 상기 기판 수평 이동부에 의하여 수평 이동되는 OLED 기판에 대하여 보호막을 원자층 증착하는 원자층 증착부;를 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an inline atomic layer deposition apparatus for depositing an OLED protective layer on a substrate, comprising: a vacuum chamber capable of forming a vacuum state therein; A substrate horizontally moving unit installed below the vacuum chamber and horizontally moving the OLED substrate from one side to the other side; And an atomic layer deposition unit disposed on the upper side of the vacuum chamber and atomically depositing a protective layer on the OLED substrate horizontally moved by the substrate horizontal moving unit.

그리고 본 발명에서 상기 원자층 증착부는, 다수개의 인라인 증착장치용 리니어 소스가 일정 간격 이격되어 설치되는 것이 바람직하다. In the present invention, it is preferable that the atomic layer deposition unit is provided with a plurality of linear sources for inline deposition apparatus spaced apart from each other by a predetermined distance.

또한 본 발명에서 상기 인라인 증착장치용 리니어 소스는, 중앙에 배치되며, 프리커서를 하측으로 분사하는 접지부; 상기 접지부의 좌측에 상기 접지부 방향으로 기울어져서 설치되며, 외부에서 공급되는 전원을 이용하여 공정 가스를 플라즈마화하여 하측으로 분사하는 제1 플라즈마 노즐부; 상기 접지부의 우측에 상기 접지부 방향으로 기울어져서 설치되며, 외부에서 공급되는 전원을 이용하여 공정 가스를 플라즈마화하여 하측으로 분사하는 제2 플라즈마 노즐부;를 포함하는 것이 바람직하다. Further, in the present invention, the linear source for the inline deposition apparatus may include: a grounding unit disposed at the center and spraying the precursor downward; A first plasma nozzle unit inclined toward the ground unit on the left side of the ground unit and configured to plasmaize the process gas using an external power source and jet the plasma gas downward; And a second plasma nozzle part installed to the right side of the grounding part in a direction inclined toward the grounding part and spraying the process gas into plasma using an external power source.

또한 본 발명에서 제1 플라즈마 노즐부는, 제1 하우징; 상기 제1 하우징의 하부에 결합되어 설치되는 제1 절연체; 상기 제1 절연체의 하면에 결합되어 설치되는 제1 전극부; 상기 제1 전극부의 하면 양측 가장자리에 서로 마주보도록 이격되어 설치되는 한 쌍의 제1 측방 자석 설치부; 상기 제1 에너드 전극의 하면 중앙에 설치되며, 상기 제1 측방 자석 설치부에 의하여 형성되는 공간을 2분할 하는 제1 중앙 자석 설치부; 상기 제1 측방 자석 설치부에 설치되는 제1 측방 자석; 상기 제1 중앙 자석 설치부에 설치되는 제1 중앙 자석; 상기 제1 전극부 하면에 설치되며, 상기 제1 측방 자석 설치부와 상기 제1 중앙 자석 설치부에 의하여 형성되는 공간에 각각 공정 가스를 공급하는 제1 공정 가스 공급부;를 구비하는 것이 바람직하다. Also, in the present invention, the first plasma nozzle unit may include: a first housing; A first insulator coupled to a lower portion of the first housing; A first electrode unit coupled to a lower surface of the first insulator; A pair of first lateral magnet mounting portions spaced apart from each other on both sides of a lower surface of the first electrode portion so as to face each other; A first center magnet mounting part installed at a center of a lower surface of the first electrode and dividing a space formed by the first lateral magnet mounting part into two; A first lateral magnet installed in the first lateral magnet mounting portion; A first center magnet installed on the first center magnet mounting portion; And a first process gas supply unit installed on a lower surface of the first electrode unit and supplying a process gas to a space formed by the first lateral magnet mounting unit and the first center magnet mounting unit.

또한 본 발명에 따른 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치에는, 상기 제1 전극부에 형성되며, 냉매가 순환하여 상기 제1 전극부을 냉각하는 제1 전극 냉각부; 상기 제1 측방 자석 설치부 하부에 설치되며, 냉매가 순환하여 상기 제1 측방 자석 설치부 및 제1 측방 자석을 냉각하는 제1 자석 냉각부;가 더 구비되는 것이 바람직하다. Further, an inline atomic layer deposition apparatus for depositing an OLED protective layer according to the present invention includes: a first electrode cooling unit formed in the first electrode unit and circulating a coolant to cool the first electrode unit; And a first magnet cooling part installed below the first lateral magnet mounting part and cooling the first lateral magnet mounting part and the first lateral magnet by circulating the refrigerant.

또한 본 발명에서 상기 제1 측방 자석은, 상기 제1 측방 자석 설치부의 내면에 N극부와 S극부가 상하 방향으로 일정 간격 이격되어 설치되는 것이 바람직하다. In the present invention, it is preferable that the first lateral magnets are disposed on the inner surface of the first lateral magnet mounting portion at regular intervals in the vertical direction.

또한 본 발명에서 상기 제1 중앙 자석은, 상기 제1 중앙 자석 설치부에 N극부와 S극부가 인접하게 설치되는 것이 바람직하다. Further, in the present invention, it is preferable that the first center magnet has the N pole portion and the S pole portion adjacent to the first center magnet mounting portion.

또한 본 발명에서 상기 제2 플라즈마 노즐부는, 제2 하우징; 상기 제2 하우징의 하부에 결합되어 설치되는 제2 절연체; 상기 제2 절연체의 하면에 결합되어 설치되는 제2 전극부; 상기 제2 전극부의 하면 양측 가장자리에 서로 마주보도록 이격되어 설치되는 한 쌍의 제2 측방 자석 설치부; 상기 제2 전극부의 하면 중앙에 설치되며, 상기 제2 측방 자석 설치부에 의하여 형성되는 공간을 2분할 하는 제2 중앙 자석 설치부; 상기 제2 측방 자석 설치부에 설치되는 제2 측방 자석; 상기 제2 중앙 자석 설치부에 설치되는 제2 중앙 자석; 상기 제2 전극부 하면에 설치되며, 상기 제2 측방 자석 설치부와 상기 제2 중앙 자석 설치부에 의하여 형성되는 공간에 각각 공정 가스를 공급하는 제2 공정 가스 공급부;를 구비하는 것이 바람직하다. Further, in the present invention, the second plasma nozzle unit may include a second housing; A second insulator coupled to a lower portion of the second housing; A second electrode unit coupled to a lower surface of the second insulator; A pair of second lateral magnet mounting portions spaced apart from each other at opposite side edges of the lower surface of the second electrode portion so as to face each other; A second center magnet mounting part installed at a center of a lower surface of the second electrode part and dividing a space formed by the second lateral magnet mounting part into two; A second side magnet mounted on the second side magnet mounting portion; A second center magnet installed in the second center magnet mounting portion; And a second process gas supply unit installed on a lower surface of the second electrode unit and supplying a process gas to a space formed by the second lateral magnet mounting unit and the second lateral magnet mounting unit.

또한 본 발명에 따른 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치에서 상기 다수개의 인라인 증착장치용 리니어 소스 사이에는 양측의 공간을 분할하는 2중 격벽이 설치되고, 상기 2중 격벽에 의하여 형성되는 차단 공간에는 상기 인라인 증착장치용 리니어 소스가 설치되는 공간보다 낮은 압력으로 유지하는 것이 바람직하다. In addition, in the inline atomic layer deposition apparatus for depositing an OLED protective layer according to the present invention, a double barrier rib is provided between the linear sources for the plurality of inline deposition apparatuses, and a barrier rib formed by the double barrier ribs It is preferable to maintain the pressure lower than the space in which the linear source for the inline deposition apparatus is installed.

본 발명의 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치는, 다수개의 리니어 소스를 병렬로 배열한 진공 챔버 내에서 기판을 인라인 방식으로 수평 이동시키면서 증착 공정을 진행하여 OLED 기판 상에 보호막용 무기막을 3nm/min 이상의 속도로 증착할 수 있는 현저한 효과를 달성할 수 있다. The inline atomic layer deposition apparatus for depositing an OLED protective film according to the present invention is characterized in that an inorganic film for a protective film is deposited on an OLED substrate at a thickness of 3 nm or less by performing a deposition process while horizontally moving the substrate in an inline manner in a vacuum chamber in which a plurality of linear sources are arranged in parallel, min or more can be attained.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 증착장치용 리니어 소스의 구조를 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 증착장치용 리니어 소스의 작용 상태를 도시하는 도면이다.
도 4 내지 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 리니어 소스에 결합되는 배관라인들의 체결 상태를 도시하는 도면들이다.
도 7은 본 발명의 플라즈마 노즐부의 내부 구조를 도시하는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an in-line atomic layer deposition apparatus for depositing an OLED protective film according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing the structure of a linear source for an inline deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram showing an operational state of a linear source for an inline deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 4 to 6 are views showing a fastening state of piping lines coupled to a linear source according to an embodiment of the present invention. FIG.
7 is a cross-sectional view showing the internal structure of the plasma nozzle portion of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, a specific embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 실시예에 따른 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치(1)는 도 1에 도시된 바와 같이, 진공 챔버(200), 기판 수평 이동부(300) 및 원자층 증착부(100)를 포함하여 구성될 수 있다. The inline atomic layer deposition apparatus 1 according to the present embodiment includes a vacuum chamber 200, a substrate horizontal movement unit 300, and an atomic layer deposition unit 100, as shown in FIG. 1 Lt; / RTI >

먼저 상기 진공 챔버(200)는 내부에 진공 상태를 형성할 수 있는 것으로서, 본 실시예에 따른 원자층 증착장치(1)의 전체적인 외형을 이루며, 다른 구성요소들이 설치될 수 있는 공간 및 증착 공정이 이루어질 수 있는 환경을 제공한다. 상기 진공 챔버(200)에는 양측벽에 OLED 기판이 진입하거나 배출되기 위하여 통과할 수 있는 게이트(210, 230)가 형성되고, 상기 게이트(210, 230)는 게이트 밸브(220, 240)에 의하여 단속된다. The vacuum chamber 200 can form a vacuum state inside the vacuum chamber 200. The vacuum chamber 200 may be formed as a whole of the atomic layer deposition apparatus 1 according to the present embodiment, And provides an environment that can be achieved. Gates 210 and 230 are formed in both sides of the vacuum chamber 200 so as to pass through the OLED substrate to enter or exit the OLED substrate 200. The gates 210 and 230 are controlled by gate valves 220 and 240 do.

다음으로 상기 기판 수평 이동부(300)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 진공 챔버(200) 내부 하측에 설치되며, OLED 기판(S)을 일측에서 타측으로 수평이동시키는 구성요소이다. 이 기판 수평 이동부(300)에 의하여 OLED 기판(S)이 수평 이동하면서 원자층 증착 공정이 다수번 반복하여 이루어지는 것이다. 이렇게 하나의 OLED 기판(S)이 한 진공 챔버(200) 내에서 수평 이동하면서 원자층 증착 공정이 다수번 이루어지면 증착되는 무기막의 두께를 대폭 증가시킬 수 있는 장점이 있다. 이는 후술하는 원자층 증착부(100)의 독특한 구조에 의하여 달성될 수 있다. Next, as shown in FIG. 1, the substrate horizontal shifting unit 300 is installed below the vacuum chamber 200 and horizontally moves the OLED substrate S from one side to the other side. The substrate horizontal moving part 300 moves the OLED substrate S horizontally, and the atomic layer deposition process is repeated many times. When the one OLED substrate S is horizontally moved in one vacuum chamber 200 and the atomic layer deposition process is performed a plurality of times, the thickness of the inorganic film deposited can be greatly increased. This can be achieved by the unique structure of the atomic layer deposition unit 100 described below.

다음으로 상기 원자층 증착부(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 진공 챔버(200) 내부 상측에 설치되며, 상기 기판 수평 이동부(300)에 의하여 수평 이동되는 OLED 기판에 대하여 보호막을 원자층 증차방법으로 형성하는 구성요소이다. 즉, 본 실시예에서 상기 원자층 증착부(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 다수개의 인라인 증착장치용 리니어 소스가 일정 간격 이격되어 설치되는 구조를 가진다. 따라서 동일한 원자층 증착 공정이 반복되어 하나의 기판에 대하여 수행될 수 있는 것이다. 1, the atomic layer deposition unit 100 is installed on the inside of the vacuum chamber 200, and a protective film is formed on the OLED substrate horizontally moved by the substrate horizontal movement unit 300 It is a component that is formed by atomic layer deposition method. That is, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, the atomic layer deposition unit 100 has a structure in which a plurality of linear sources for in-line deposition apparatus are spaced apart from each other by a predetermined distance. Thus, the same atomic layer deposition process can be repeated and performed on one substrate.

이를 위하여 본 실시예에서 상기 원자층 증착부(100)를 상기 인라인 증착장치용 리니어 소스(100)와 동일시하여 설명하며, 상기 인라인 증착 장치용 리니어 소스(100)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 접지부(110), 제1 플라즈마 노즐부(120) 및 제2 플라즈마 노즐부(130)를 포함하여 구성될 수 있다. In this embodiment, the atomic layer deposition unit 100 is identical to the linear source 100 for the inline deposition apparatus, and the linear source 100 for the inline deposition apparatus is formed as shown in FIG. 2 A ground unit 110, a first plasma nozzle unit 120, and a second plasma nozzle unit 130.

먼저 상기 접지부(110)는 도 3에 도시된 바와 같이, 중앙에 접지부(116)에 의하여 접지된 상태로 배치되며, 프리커서(precursor)를 하측으로 분사하는 구성요소이다. 따라서 상기 접지부(110)에는 도 3, 7에 도시된 바와 같이, 외부에 설치되는 프리커서 공급원(도면에 미도시)과 연결되는 전구체 공급라인(140)이 연결되며, 전구체를 지속적으로 공급받으면서 전구체 분사 노즐(118)을 통하여 하측으로 분사한다. As shown in FIG. 3, the grounding unit 110 is grounded by a grounding unit 116 at the center, and is a component that injects a precursor downward. Therefore, as shown in FIGS. 3 and 7, the grounding unit 110 is connected to a precursor supply line 140 connected to a precursor supply source (not shown in the figure) provided outside, And is injected downward through the precursor injection nozzle 118.

본 실시예에서 상기 전구체 분사 노즐(118)은 긴 라인 형태로 전구체를 하측으로 분사할 수 있는 구조를 가진다. In this embodiment, the precursor injection nozzle 118 has a structure capable of injecting the precursor downward in the form of a long line.

다음으로 상기 제1 플라즈마 노즐부(120)는 도 3, 4에 도시된 바와 같이, 상기 접지부(110)의 좌측에 상기 접지부(110) 방향으로 일정 각도 기울어져서 설치되며, 외부에서 공급되는 전원을 이용하여 공정 가스를 플라즈마화하여 하측으로 분사하는 구성요소이다. 3 and 4, the first plasma nozzle unit 120 is installed on the left side of the ground unit 110 at a predetermined angle in the direction of the ground unit 110, And is a constituent element that uses a power source to inject the process gas into a plasma and discharge it to the lower side.

따라서 본 실시예에서 상기 제1 플라즈마 노즐부(120)는 구체적으로 도 3, 4에 도시된 바와 같이, 제1 하우징(121), 제1 절연체(122), 제1 전극부(123), 제1 측방 자석 설치부(124), 제1 중앙자석 설치부(125), 제1 측방 자석(126), 제1 중앙 자석(127) 및 제1 공정가스 공급부(128)를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다. 3 and 4, the first plasma nozzle unit 120 includes a first housing 121, a first insulator 122, a first electrode unit 123, It is preferable to include the one side magnet mounting portion 124, the first center magnet mounting portion 125, the first side magnet 126, the first center magnet 127 and the first process gas supply portion 128 Do.

여기에서 상기 제1 하우징(121)은 도 3, 4에 도시된 바와 같이, 하측에 상기 제1 절연체(122)가 설치될 수 있는 공간을 제공하며, 외부와 연결되는 전원선, 냉매라인 및 공정가스 공급 라인 등이 설치될 수 있는 공간도 제공한다. 또한 상기 제1 하우징(121)의 상측은 도 3에 도시된 바와 같이, 후술하는 설치 플레이트(150)에 결합되어 진공 챔버(도면에 미도시) 내측에 설치된다. As shown in FIGS. 3 and 4, the first housing 121 is provided with a space in which the first insulator 122 can be installed on the lower side, and includes a power line, a refrigerant line, Gas supply lines and the like can be installed. 3, the upper side of the first housing 121 is coupled to a mounting plate 150, which will be described later, and is installed inside a vacuum chamber (not shown).

다음으로 상기 제1 절연체(122)는 도 3, 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 하우징(121)의 하부에 결합되어 설치되며, 하측에 결합되는 제1 전극부(123)과 상측의 하우징(121)을 절연시키는 역할을 한다. 그리고 상기 제1 절연체(122)에는 도 4에 도시된 바와 같이, 냉매라인이 통과할 수 있도록 관통공이 형성될 수도 있다. 3 and 4, the first insulator 122 is coupled to a lower portion of the first housing 121 and includes a first electrode 123 coupled to the lower side, (121). As shown in FIG. 4, a through hole may be formed in the first insulator 122 to allow the refrigerant line to pass therethrough.

다음으로 상기 제1 전극부(123)은 도 3, 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 절연체(122)의 하면에 결합되어 설치되며, 외부에서 공급되는 교류 전원이 연결되는 구성요소이다. 본 실시예에서 상기 제1 전극부(123) 상부에는 후술하는 제1 냉각부(171)가 설치될 수 있도록 냉각부 설치홈이 형성될 수 있으며, 하부에는 제1 중앙자석 설치부(125)가 결합될 수 있는 중앙자석 설치홈이 형성된다. 3 and 4, the first electrode unit 123 is coupled to a lower surface of the first insulator 122 and is connected to an external AC power source. In the present embodiment, the first electrode unit 123 may be provided with a cooling unit mounting groove for mounting a first cooling unit 171, which will be described later, and a first center magnet mounting unit 125 may be provided below the first electrode unit 123 A central magnet mounting groove that can be engaged is formed.

다음으로 상기 제1 측방자석 설치부(124)는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 전극부(123)의 하면 양측 가장자리에 서로 마주보도록 이격되어 한 쌍으로 설치된다. 따라서 상기 한 쌍의 제1 측방 자석 설치부(124)에 의하여 도 3, 4에 도시된 바와 같이, 일정한 내부 공간이 형성되며, 이 공간 내에서 플라즈마가 발생하게 된다. As shown in FIG. 3, the first lateral magnet mounting portions 124 are disposed on opposite sides of the lower surface of the first electrode portion 123 so as to face each other. Therefore, as shown in FIGS. 3 and 4, a certain inner space is formed by the pair of first lateral magnet mounting portions 124, and plasma is generated in the space.

다음으로 상기 제1 측방 자석(126)은 도 3, 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 측방자석 설치부(124) 내면에 설치되며, 자기장을 발생시키는 구성요소이다. 구체적으로 상기 제1 측방 자석(126)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 측방 자석 설치부(124)의 내면에 N극부(126a)와 S극부(126b)가 상하 방향으로 일정 간격 이격되어 설치되는 구조를 가지는 것이 자기장을 상하 방향으로 길게 형성할 수 있어서 바람직하다. Next, the first lateral magnet 126 is installed on the inner surface of the first lateral magnet mounting portion 124 as shown in FIGS. 3 and 4, and generates a magnetic field. More specifically, the first lateral magnet 126 is configured such that an N-pole portion 126a and an S-pole portion 126b are arranged on the inner surface of the first lateral magnet mounting portion 124 at regular intervals It is preferable to have a structure that is provided so as to be spaced apart, because the magnetic field can be formed long in the vertical direction.

다음으로 상기 제1 중앙자석 설치부(125)는 도 3, 4에 도시된 바와 같이, 상기 제2 전극부(123)의 하면 중앙에 설치되며, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제2 측방 자석 설치부(124)에 의하여 형성되는 공간을 2분할 하는 구성요소이다. 따라서 상기 제2 중앙 자석 설치부(125)에는 중앙 자석(127)이 설치될 뿐만아니라, 후술하는 제1 공정 가스 공급부(128)도 설치된다. 3 and 4, the first center magnet mounting portion 125 is installed at the center of the lower surface of the second electrode portion 123, and as shown in FIG. 7, And divides the space formed by the magnet mounting portion 124 into two parts. Accordingly, not only the center magnet 127 but also a first process gas supply unit 128, which will be described later, is installed in the second center magnet installation unit 125.

그리고 상기 제1 중앙 자석(127)은 상기 제1 중앙자석 설치부(125)에 설치되며 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 측방 자석(126)과 함께 자기장을 발생시키는 구성요소이다. 상기 제1 중앙 자석(127)은 구체적으로 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 중앙 자석 설치부(125)에 N극부(127a)와 S극부(127b)가 인접하게 설치되는 것이, 공정가스 공급 초기에 매우 강한 밀도의 자기장을 발생시킬 수 있어서 바람직하다. The first center magnet 127 is installed on the first center magnet mounting part 125 and generates a magnetic field together with the first lateral magnet 126 as shown in FIG. 3, the first central magnet 127 is provided such that the N pole portion 127a and the S pole portion 127b are adjacent to the first center magnet mounting portion 125, It is possible to generate a magnetic field with a very high density at the initial stage of the supply.

다음으로 상기 제1 공정가스 공급부(128)는 도 2, 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 전극부(123) 하면에 설치되며, 상기 제1 측방 자석 설치부(124)와 상기 제1 중앙 자석 설치부(125)에 의하여 형성되는 공간에 각각 공정 가스를 공급하는 구성요소이다. 이 제1 공정 가스 공급부(128)에 의하여 외부에서 공정가스가 플라즈마 발생 공간으로 유입되며, 유입된 공정 가스는 상기 제1 전극부(123)에 인가된 전원에 의하여 전기장과 상기 제1 측방자석(126)과 제1 중앙 자석(127)에 의하여 발생하는 자기장에 의하여 반응성이 강한 플라즈마화하여 기판(S) 방향으로 분사된다. 2 and 3, the first process gas supply unit 128 is installed on the bottom surface of the first electrode unit 123, and the first lateral magnet mounting unit 124 and the first center electrode And supplies the process gas to the space formed by the magnet mounting portion 125, respectively. The process gas is introduced from the outside into the plasma generating space by the first process gas supply unit 128. The introduced process gas is supplied to the first electrode unit 123 by the electric power applied to the first electrode unit 123, 126 and the first central magnet 127, and is injected in the direction of the substrate S in a highly reactive plasma.

다음으로 본 실시예에 따른 상기 제1 플라즈마 노즐부(120)에는 도 2, 3에 도시된 바와 같이, 제1, 2 전극 냉각부(171, 172)가 더 구비되는 것이 바람직하다. 상기 제1 전극 냉각부(171)는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 전극부(123)에 형성되며, 냉매가 순환하여 상기 제1 전극부(123)을 냉각하는 구성요소이다. 그리고 상기 제1 자석 냉각부(172)는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 측방 자석 설치부(124) 하부에 설치되며, 도 5에 도시된 바와 같이, 별도의 냉매 공급라인(174)에 의하여 냉매가 공급되며, 냉매가 순환하여 상기 제1 측방 자석 설치부(124) 및 제1 측방 자석(126)을 냉각하는 구성요소이다. 본 실시예에서 이렇게 제1 전극 냉각부(171)와 제1 자석 냉각부(172)로 나누어 냉각부(170)를 구성함으로써, 더 효과적으로 각 구성요소들을 냉각할 수 있는 장점이 있다. 2 and 3, first and second electrode cooling units 171 and 172 may be further included in the first plasma nozzle unit 120 according to the present embodiment. As shown in FIG. 3, the first electrode cooling unit 171 is formed on the first electrode unit 123, and is a component that circulates the coolant to cool the first electrode unit 123. 3, the first magnet cooling part 172 is installed below the first lateral magnet mounting part 124, and as shown in FIG. 5, a separate refrigerant supply line 174, And the refrigerant is circulated to cool the first lateral magnet mounting portion 124 and the first lateral magnet 126. [ In this embodiment, the cooling unit 170 is divided into the first electrode cooling unit 171 and the first magnet cooling unit 172, thereby cooling each component more effectively.

다음으로 상기 제2 플라즈마 노즐부(130)는 도 2, 3에 도시된 바와 같이, 상기 접지부(110)의 우측에 상기 접지부(110) 방향으로 기울어져서 설치되며, 외부에서 공급되는 전원을 이용하여 공정 가스를 플라즈마화하여 하측으로 분사하는 구성요소이다. 본 실시예에서 상기 제2 플라즈마 노즐부(130)는 실질적으로 구체적인 구성이 제1 플라즈마 노즐부(120)와 동일하므로 이에 대한 반복 설명은 생략한다. 2 and 3, the second plasma nozzle unit 130 is installed at a right side of the ground unit 110 in a direction inclined toward the ground unit 110, and a power source supplied from the outside Is used as a component for converting the process gas into plasma and injecting the process gas downward. In the present embodiment, the second plasma nozzle unit 130 has substantially the same structure as the first plasma nozzle unit 120, and thus a repetitive description thereof will be omitted.

본 실시예에 따른 인라인 증착장치용 리니어 소스(100)에서는 도 3에 도시된 바와 같이, 제1, 2 플라즈마 노즐부(120, 130)가 각각 중앙에 배치되는 상기 접지부(110) 방향으로 기울어진 상태로 설치된다. 따라서 상기 제1, 2 플라즈마 노즐부(120, 130)에서 분사되는 플라즈마는 도 2에 도시된 바와 같이, 하측의 일정한 영역(P)으로 집중되고, 이 영역(P)을 기판(S)이 지나가면서 효과적인 증착이 이루어지는 것이다. In the linear source 100 for an inline deposition apparatus according to the present embodiment, the first and second plasma nozzle units 120 and 130 are inclined toward the grounding unit 110, As shown in FIG. 2, the plasma sprayed from the first and second plasma nozzle units 120 and 130 is concentrated in the lower constant region P, and the region S passes through the substrate S So that effective deposition can be achieved.

또한 본 실시예에서는 상기 제1, 2플라즈마 노즐부(120, 130)가 좌우 대칭 형상으로 설치되므로, 기판(S)이 좌우에서 왕복하면서 공정을 다수번 반복할 수 있는 장점도 있다. In addition, since the first and second plasma nozzle units 120 and 130 are symmetrically arranged in this embodiment, the substrate S can reciprocate from side to side, and the process can be repeated many times.

다음으로 본 실시예에 따른 인라인 원자층 증착장치(1)에는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 다수개의 인라인 증착장치용 리니어 소스 사이에는 양측의 공간을 분할하는 2중 격벽(400)이 설치되는 것이 바람직하다. 즉, 다수개의 리니어 소스(100)가 설치되되, 각 리니어 소스 사이 공간은 서로 격리되어 하나의 리니어 소스에서 발생한 기체가 다른 리니어 소스가 설치되어 있는 공간으로 이동할 수 없는 구조를 가진다. Next, as shown in FIG. 1, in the inline atomic layer deposition apparatus 1 according to the present embodiment, a double barrier rib 400 for dividing spaces on both sides is installed between the linear sources for the plurality of inline deposition apparatuses . That is, a plurality of linear sources 100 are provided, and the spaces between the linear sources are isolated from each other, so that the gas generated from one linear source can not move to a space where the other linear sources are installed.

따라서 각 리니어 소스(100) 사이에는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 2중 격벽(400)에 의하여 차단 공간(C)이 형성된다. 그리고 각 차단 공간(C)에는 상기 인라인 증착장치용 리니어 소스(100)가 설치되는 공간(O) 즉 상기 진공 챔버(200) 내부 중 공정이 이루어지는 공간(O)보다 낮은 압력으로 펌핑(pumping)이 이루어진다. 이는 일명 디퍼렌셀(differential) 펌핑이라 하며, 차단 공간(C)의 압력을 다른 진공 챔버의 공간(O)보다 낮게 유지하여 차단 공간(O)을 통과하여 기체가 다른 공간으로 이동하지 못하도록 하는 것이다. Therefore, as shown in FIG. 1, a blocking space C is formed between the linear sources 100 by the double barrier ribs 400. The space O in which the linear source 100 for the inline deposition apparatus is installed, that is, the space O in which the process is performed in the vacuum chamber 200, . This is a so-called differential pumping and maintains the pressure of the blocking space C lower than the space O of the other vacuum chamber so as to prevent the gas from moving to another space through the blocking space O.

1 : 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치
100 : 원자층 증착부(리니어 소스)
200 : 진공 챔버
300 : 기판 수평 이동부
S : OLED 기판
110 : 접지부
120 : 제1 플라즈마 노즐부
130 : 제2 플라즈마 노즐부1: an inline atomic layer deposition apparatus for depositing an OLED protective film according to an embodiment of the present invention
100: atomic layer deposition unit (linear source)
200: vacuum chamber
300: substrate horizontal moving part
S: OLED substrate
110:
120: a first plasma nozzle part
130: second plasma nozzle part

Claims (9)

내부에 진공 상태를 형성할 수 있는 진공 챔버;
상기 진공 챔버 내부 하측에 설치되며, OLED 기판을 일측에서 타측으로 수평이동시키는 기판 수평 이동부;
상기 진공 챔버 내부 상측에 다수개의 인라인 증착장치용 리니어 소스가 일정 간격 이격되는 구조로 설치되며, 상기 기판 수평 이동부에 의하여 수평 이동되는 OLED 기판에 대하여 보호막을 원자층 증착방법으로 증착하는 원자층 증착부;를 포함하며,
상기 인라인 증착장치용 리니어 소스는,
중앙에 배치되며, 프리커서를 하측으로 분사하는 접지부;
상기 접지부의 좌측에 상기 접지부 방향으로 기울어져서 설치되며, 외부에서 공급되는 전원을 이용하여 공정 가스를 플라즈마화하여 하측으로 분사하는 제1 플라즈마 노즐부;
상기 접지부의 우측에 상기 접지부 방향으로 기울어져서 설치되며, 외부에서 공급되는 전원을 이용하여 공정 가스를 플라즈마화하여 하측으로 분사하는 제2 플라즈마 노즐부;를 포함하고,
제1 플라즈마 노즐부는,
제1 하우징;
상기 제1 하우징의 하부에 결합되어 설치되는 제1 절연체;
상기 제1 절연체의 하면에 결합되어 설치되는 제1 전극부;
상기 제1 전극부의 하면 양측 가장자리에 서로 마주보도록 이격되어 설치되는 한 쌍의 제1 측방 자석 설치부;
상기 제1 전극부의 하면 중앙에 설치되며, 상기 제1 측방 자석 설치부에 의하여 형성되는 공간을 2분할 하는 제1 중앙 자석 설치부;
상기 제1 측방 자석 설치부에 설치되는 제1 측방 자석;
상기 제1 중앙 자석 설치부에 설치되는 제1 중앙 자석;
상기 제1 전극부 하면에 설치되며, 상기 제1 측방 자석 설치부와 상기 제1 중앙 자석 설치부에 의하여 형성되는 공간에 각각 공정 가스를 공급하는 제1 공정 가스 공급부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치. A vacuum chamber capable of forming a vacuum state therein;
A substrate horizontally moving unit installed below the vacuum chamber and horizontally moving the OLED substrate from one side to the other side;
A plurality of linear sources for in-line deposition apparatuses are disposed on the upper side of the vacuum chamber, and the substrate is horizontally moved by the substrate horizontal moving unit, and a protective layer is deposited on the substrate by atomic layer deposition Comprising:
The linear source for the inline deposition apparatus includes:
A grounding part disposed at the center and injecting the precursor downward;
A first plasma nozzle unit inclined toward the ground unit on the left side of the ground unit and configured to plasmaize the process gas using an external power source and jet the plasma gas downward;
And a second plasma nozzle part installed to the right of the grounding part in a direction inclined toward the grounding part and spraying the process gas into a plasma using an external power source,
The first plasma nozzle unit includes:
A first housing;
A first insulator coupled to a lower portion of the first housing;
A first electrode unit coupled to a lower surface of the first insulator;
A pair of first lateral magnet mounting portions spaced apart from each other on both sides of a lower surface of the first electrode portion so as to face each other;
A first center magnet mounting part installed at a center of a lower surface of the first electrode part and dividing a space formed by the first lateral magnet mounting part into two;
A first lateral magnet installed in the first lateral magnet mounting portion;
A first center magnet installed on the first center magnet mounting portion;
And a first process gas supply unit installed on a lower surface of the first electrode unit and supplying a process gas to a space formed by the first lateral magnet mounting unit and the first central magnet mounting unit Inline atomic layer deposition apparatus with OLED protection layer deposition. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 전극부에 형성되며, 냉매가 순환하여 상기 제1 전극부을 냉각하는 제1 전극 냉각부;
상기 제1 측방 자석 설치부 하부에 설치되며, 냉매가 순환하여 상기 제1 측방 자석 설치부 및 제1 측방 자석을 냉각하는 제1 자석 냉각부;가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치. The method according to claim 1,
A first electrode cooling unit formed on the first electrode unit and circulating the coolant to cool the first electrode unit;
And a first magnet cooling part installed below the first lateral magnet mounting part and cooling the first lateral magnet mounting part and the first lateral magnet by circulating the refrigerant. Atomic layer deposition apparatus. 제5항에 있어서, 상기 제1 측방 자석은,
상기 제1 측방 자석 설치부의 내면에 N극부와 S극부가 상하 방향으로 일정 간격 이격되어 설치되는 것을 특징으로 하는 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치. 6. The magnetron according to claim 5,
Wherein the N-pole portion and the S-pole portion are spaced apart from each other by a predetermined distance in the vertical direction on the inner surface of the first lateral magnet mounting portion. 제5항에 있어서, 상기 제1 중앙 자석은,
상기 제1 중앙 자석 설치부에 N극부와 S극부가 인접하게 설치되는 것을 특징으로 하는 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치. 6. The magnetron according to claim 5,
Wherein the N-pole portion and the S-pole portion are adjacent to each other in the first center magnet mounting portion. 제1항에 있어서, 제2 플라즈마 노즐부는,
제2 하우징;
상기 제2 하우징의 하부에 결합되어 설치되는 제2 절연체;
상기 제2 절연체의 하면에 결합되어 설치되는 제2 전극부;
상기 제2 전극부의 하면 양측 가장자리에 서로 마주보도록 이격되어 설치되는 한 쌍의 제2 측방 자석 설치부;
상기 제2 전극부의 하면 중앙에 설치되며, 상기 제2 측방 자석 설치부에 의하여 형성되는 공간을 2분할 하는 제2 중앙 자석 설치부;
상기 제2 측방 자석 설치부에 설치되는 제2 측방 자석;
상기 제2 중앙 자석 설치부에 설치되는 제2 중앙 자석;
상기 제2 전극부 하면에 설치되며, 상기 제2 측방 자석 설치부와 상기 제2 중앙 자석 설치부에 의하여 형성되는 공간에 각각 공정 가스를 공급하는 제2 공정 가스 공급부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치. The plasma processing apparatus according to claim 1,
A second housing;
A second insulator coupled to a lower portion of the second housing;
A second electrode unit coupled to a lower surface of the second insulator;
A pair of second lateral magnet mounting portions spaced apart from each other at opposite side edges of the lower surface of the second electrode portion so as to face each other;
A second center magnet mounting part installed at a center of a lower surface of the second electrode part and dividing a space formed by the second lateral magnet mounting part into two;
A second side magnet mounted on the second side magnet mounting portion;
A second center magnet installed in the second center magnet mounting portion;
And a second process gas supply unit installed on a lower surface of the second electrode unit and supplying a process gas to a space formed by the second lateral magnet mounting unit and the second lateral magnet mounting unit, Inline atomic layer deposition apparatus with OLED protection layer deposition. 제1항에 있어서,
상기 다수개의 인라인 증착장치용 리니어 소스 사이에는 양측의 공간을 분할하는 2중 격벽이 설치되고,
상기 2중 격벽에 의하여 형성되는 차단 공간에는 상기 인라인 증착장치용 리니어 소스가 설치되는 공간보다 낮은 압력으로 유지하는 것을 특징으로 하는 OLED 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치. The method according to claim 1,
Wherein a plurality of inline deposition apparatuses are provided with a double barrier rib for dividing spaces on both sides,
Wherein the blocking space formed by the double barrier ribs maintains a pressure lower than a space in which the linear source for the inline deposition apparatus is installed.
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