KR101870413B1 - Method of manufacturing micro mirror - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소자영역과 상기 소자영역 주변의 주변영역을 포함하는 디바이스 기판에 대해, 전방면으로부터 요입된 제2트렌치를 상기 소자영역의 토션영역에 형성하는 단계와; 상기 제2트렌치가 형성된 디바이스 기판과 베이스 기판을, 상기 디바이스 기판의 전방면과 상기 베이스 기판의 후방면이 마주보도록 접합하여, 미러기판을 형성하는 단계와; 상기 미러기판의 베이스 기판에 대해, 상기 소자영역에 대응되는 부분을 제거하여 제1트렌치를 형성하는 단계와; 상기 제1트렌치가 형성된 상기 미러기판의 디바이스 기판을 가공하여 상기 소자영역에 미러부와 토션바를 포함하는 구동소자를 형성하는 단계를 포함하는 마이크로 미러 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a device substrate comprising an element region and a peripheral region around the element region, the method comprising: forming a second trench recessed from a front surface in a torsion region of the element region; Bonding the device substrate and the base substrate, on which the second trenches are formed, with the front surface of the device substrate and the rear surface of the base substrate facing each other to form a mirror substrate; Forming a first trench on the base substrate of the mirror substrate by removing a portion corresponding to the device region; And processing the device substrate of the mirror substrate on which the first trench is formed to form a driving element including a mirror portion and a torsion bar in the device region.

Description

마이크로 미러 제조방법{Method of manufacturing micro mirror}[0001] The present invention relates to a method of manufacturing a micro mirror,

본 발명은 마이크로 미러의 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of manufacturing a micromirror.

광소자 기술의 발전과 더불어 각종 정보의 입출력단 및 정보 전달의 매개체로 광을 사용하는 다양한 기술들이 대두되고 있는데, 바코드 스캐너(barcode scanner)나 기초적인 수준의 스캐닝 레이저 디스플레이(scanning laser display) 등과 같이 광원에서 출사된 광을 스캐닝하여 사용하는 기술을 대표적인 예로 들 수 있다. In addition to the development of optical device technology, a variety of technologies using light as an input / output unit of various information and as an intermediary for information transmission are being developed. Such as barcode scanner or basic level scanning laser display A typical example is a technique in which light emitted from a light source is scanned and used.

특히, 최근에는 높은 공간 분해능(High Spatial Resolution)의 광 스캐닝을 이용한 시스템이 개발되고 있으며, 이러한 시스템으로는 레이저 스캐닝(laser scanning)을 사용한 고해상도의 원색 재현력이 뛰어난 투사 방식 디스플레이 시스템(projection display system)이나 HUD(Head Up Display), 레이저 프린터 등이 있다. In particular, recently, a system using optical scanning with high spatial resolution has been developed. Such systems include a projection display system having a high-resolution primary color reproduction capability using laser scanning, , Head Up Display (HUD), and laser printer.

이러한 광 스캐닝 기술은 적용 사례에 따라 다양한 주사 속도(Scanning Speed)와 주사 범위(Scanning Range; 각변위; Angular displacement, Tilting Angle)를 가지는 스캐닝 미러가 요구되는데, 기존의 광 스캐닝은 갈바닉 미러(galvanic mirror)나 회전형 폴리곤 미러(rotating polygon mirror) 등 구동 되는 미러의 반사면과 입사광이 이루는 입사 각도를 조절하여 구현된다.In this optical scanning technique, a scanning mirror having various scanning speeds and scanning ranges (angular displacement, angular displacement, tilting angle) is required according to application examples. In the conventional optical scanning, a galvanic mirror ) Or a rotating polygon mirror and the angle of incidence between the reflecting surface of the mirror and the incident light.

갈바닉 미러를 사용하는 경우 수 내지 수십 헤르쯔(Hz) 정도의 주사 속도를 구현할 수 있으며, 폴리곤 미러를 사용하는 경우 수 킬로헤르쯔(kHz) 정도의 주사 속도를 구현하는 것이 가능하다. 즉, 폴리곤 미러의 경우 고속으로 회전하는 모터에 폴리곤 미러가 장착되어 있는 형태를 취하기 때문에, 주사 속도는 폴리곤 미러의 회전 각속도에 비례하며 이는 가동부 모터의 회전 속도에 의존하므로 통상의 모터 회전 속도의 한계로 인하여 주사 속도를 증가시키는데 한계가 있으며, 전체 시스템의 부피와 전력 소모를 감소시키기 어려운 단점이 있다. 또한, 구동 모터부의 기계적 마찰 소음을 근본적으로 해결하여야 하며, 복잡한 구조로 인해 원가 절감을 기대하기 어렵다.When a galvanic mirror is used, a scanning speed of about several to several tens of hertz (Hz) can be realized, and it is possible to realize a scanning speed of several kilohertz (kHz) when a polygon mirror is used. That is, in the case of the polygon mirror, since the polygon mirror is mounted on the motor rotating at a high speed, the scanning speed is proportional to the rotation angular speed of the polygon mirror, which depends on the rotating speed of the moving part motor, There is a limitation in increasing the scanning speed and it is difficult to reduce the volume and power consumption of the entire system. In addition, the mechanical friction noise of the drive motor unit must be fundamentally solved, and it is difficult to expect cost reduction due to the complicated structure.

반면, 마이크로 미러(micro mirror)를 사용한 광 스캐닝 장치의 경우 양방향 주사가 가능하고, 수십 kHz에 이르는 빠른 주사 속도를 구현할 수 있다. 이와 같은 마이크로 미러는 일반적으로 로렌츠힘(Lorentz Force)을 구동력으로 사용하게 된다.On the other hand, an optical scanning device using a micro mirror can perform bidirectional scanning and realize a scanning speed as fast as several tens of kHz. Such a micromirror generally uses a Lorentz force as a driving force.

마이크로 미러는 1축 또는 2축 스캐닝 구동을 하게 된다. 여기서, 2축 스캐닝 구동의 마이크로 미러와 관련하여, 기판의 중심부에 위치하는 미러부와, 미러부를 바깥에서 둘러싸는 김블로 칭하여지는 가동프레임이 구성된다. 여기서, 미러부와 가동프레임은 제1방향을 따라 연장된 토션바를 통해 연결되고, 가동프레임은 기판의 주변부와 제2방향을 따라 연장된 토션바를 통해 연결된다.The micromirror is driven by one-axis or two-axis scanning. Here, regarding the micromirror of the two-axis scanning drive, a movable part is formed by a mirror part located at the center of the substrate and a gimble for surrounding the mirror part from the outside. Here, the mirror portion and the movable frame are connected through a torsion bar extending along the first direction, and the movable frame is connected to the peripheral portion of the substrate via the torsion bar extending along the second direction.

미러부는 이와 연결된 토션바를 축으로 하여 가동프레임에 대해 1축으로 회전하고, 가동프레임은 이와 연결된 토션바를 축으로 하여 기판 주변부에 대해 1축으로 회전하게 된다. 이처럼, 회전축이 서로 수직한 2개의 토션바를 사용함에 따라, 마이크로 미러는 2축의 광 스캐닝을 수행할 수 있게 된다. The mirror unit is rotated by one axis with respect to the movable frame about the torsion bar connected to the mirror unit, and the movable frame is rotated by one axis with respect to the substrate peripheral part about the torsion bar connected to the movable frame. As described above, since the two torsion bars whose rotation axes are perpendicular to each other are used, the micromirror can perform optical scanning in two axes.

가동프레임이 구비되지 않고 미러부가 기판 주변부에 토션바를 통해 직접 연결된 마이크로 미러의 경우에는, 1축의 광 스캐닝이 수행될 수 있다. In the case of a micromirror in which the movable part is not provided and the mirror part is directly connected to the periphery of the substrate through the torsion bar, optical scanning in one axis can be performed.

한편, 위와 같은 구성을 갖는 마이크로 미러는, 절연막을 사이에 두고 핸들(handle) 기판과 디바이스층이 양측에 형성된 기판인 미러기판을 사용하여, 통상적인 반도체 제조 공정을 통해 제조된다. On the other hand, the micromirror having the above structure is manufactured through a typical semiconductor manufacturing process using a mirror substrate, which is a substrate on which handle and substrate are formed on both sides with an insulating film interposed therebetween.

이와 관련하여, 미러기판을 준비한 후, 핸들 기판에 대해 식각 공정을 진행하여 기판 주변부의 내측에 위치하는 내부 영역에 대해 제1트렌치를 형성하게 된다. 다음으로, 제1트렌치가 형성된 영역의 디바이스층에 식각 공정을 진행하여, 토션바가 형성될 영역에 대응하여 제2트렌치를 형성하게 된다. In this regard, after the mirror substrate is prepared, the etching process is performed on the handle substrate to form the first trench with respect to the inner region located inside the periphery of the substrate. Next, an etching process is performed on the device layer in the region where the first trench is formed, thereby forming the second trench corresponding to the region where the torsion bar is to be formed.

다음으로, 토션바 및 미러부가 형성되는 영역에 도전 패턴 등을 형성하고, 그 후에 미러부와 가동프레임 주변 중 토션바가 형성되지 않은 영역의 디바이스층을 제거하여 오픈(open)부를 형성한다. Next, a conductive pattern or the like is formed in the region where the torsion bar and the mirror portion are formed, and then the device portion in the region where the torsion bar is not formed in the periphery of the mirror portion and the movable frame is removed to form an open portion.

위와 같은 공정을 통해 광 스캐닝 동작을 하는 마이크로 미러를 제조하게 된다.The micromirror that performs the optical scanning operation is manufactured through the above process.

그런데, 종래의 마이크로 미러를 제조하는 공정에 따르면, 주요 구성 중 하나인 토션바를 형성함에 있어 그 두께 공차가 커 수율이 저하되는 문제가 발생하게 된다. However, according to the conventional process of manufacturing the micromirror, there is a problem that the thickness tolerance of the torsion bar, which is one of the main components, is large and the yield is low.

이와 관련하여, 종래의 제조 방법에 따르면, 미러기판에 대해 기판의 두께 방향으로 수회의 식각 공정을 진행함으로써 토션바를 형성하게 되는데, 이처럼 수회의 식각 공정에 의해 토션바의 두께 공차는 커지게 된다. In this regard, according to the conventional manufacturing method, the torsion bar is formed by performing several etching processes in the thickness direction of the substrate with respect to the mirror substrate. The thickness tolerance of the torsion bar is increased by this etching process.

그런데, 토션바는 광 스캐닝 동작의 핵심적인 구성 요소로서 토션바의 동작 특성은 실질적으로 두께에 의존하게 된다. 이러한바, 종래의 제조 방법에 의하면 토션바의 두께 공차가 커지게 되고, 이로 인해 결과적으로 제품 수율의 저하가 유발된다.
However, the torsion bar is a key component of the optical scanning operation, and the operating characteristic of the torsion bar is substantially dependent on the thickness. As a result, according to the conventional manufacturing method, the thickness tolerance of the torsion bar becomes large, which results in deterioration of the product yield.

본 발명은 토션바의 두께 공차를 최소화하여 제품 수율을 향상시킬 수 있는 마이크러 미러 제조방법을 제공하는 것에 과제가 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a micromirror manufacturing method capable of minimizing the thickness tolerance of a torsion bar and improving the product yield.

전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 소자영역과 상기 소자영역 주변의 주변영역을 포함하는 디바이스 기판에 대해, 전방면으로부터 요입된 제2트렌치를 상기 소자영역의 토션영역에 형성하는 단계와; 상기 제2트렌치가 형성된 디바이스 기판과 베이스 기판을, 상기 디바이스 기판의 전방면과 상기 베이스 기판의 후방면이 마주보도록 접합하여, 미러기판을 형성하는 단계와; 상기 미러기판의 베이스 기판에 대해, 상기 소자영역에 대응되는 부분을 제거하여 제1트렌치를 형성하는 단계와; 상기 제1트렌치가 형성된 상기 미러기판의 디바이스 기판을 가공하여 상기 소자영역에 미러부와 토션바를 포함하는 구동소자를 형성하는 단계를 포함하는 마이크로 미러 제조방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a device substrate comprising a device region and a peripheral region surrounding the device region, the method comprising: forming a second trench recessed from a front surface in a torsion region of the device region; Wow; Bonding the device substrate and the base substrate, on which the second trenches are formed, with the front surface of the device substrate and the rear surface of the base substrate facing each other to form a mirror substrate; Forming a first trench on the base substrate of the mirror substrate by removing a portion corresponding to the device region; And processing the device substrate of the mirror substrate on which the first trench is formed to form a driving element including a mirror portion and a torsion bar in the device region.

여기서, 상기 미러기판을 형성하는 단계는, 적어도 하나에 실리콘 절연막이 형성된 상기 디바이스 기판의 전방면과 상기 베이스 기판의 후방면에 대해, ?(wet) 공정과 플라즈마 처리 공정을 진행하는 단계와; 상기 플라즈마 처리된 상기 디바이스 기판의 전방면과 상기 베이스 기판의 후방면을, 상기 적어도 하나의 실리콘 절연막을 사이에 두고 맞붙인 후 상온이나 상기 상온보다 높은 제1온도에서 가접합을 하는 단계와; 상기 가접합 단계 후에, 상기 제1온도보다 높은 600도 이상의 제2온도에서 가열하여 상기 디바이스 기판과 상기 베이스 기판을 접합하는 단계를 포함할 수 있다. The step of forming the mirror substrate may include a step of performing a wet process and a plasma process on the front surface of the device substrate and the rear surface of the base substrate on which at least one silicon insulating film is formed; Bonding the front surface of the plasma-treated device substrate and the rear surface of the base substrate to each other with the at least one silicon insulating film sandwiched therebetween, followed by bonding at a room temperature or a first temperature higher than the normal temperature; And bonding the device substrate and the base substrate by heating at a second temperature higher than the first temperature by 600 degrees or more after the bonding step.

상기 제1트렌치를 형성하기 전에, 상기 미러기판의 베이스 기판의 전방과 디바이스 기판의 후방을 일정 두께 식각하는 단계를 포함할 수 있다. Etching a predetermined thickness of the front surface of the base substrate of the mirror substrate and the rear surface of the device substrate before forming the first trench.

상기 식각된 베이스 기판의 전방면과 디바이스 기판의 후방면에 절연막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. And forming an insulating film on the front surface of the etched base substrate and the rear surface of the device substrate.

상기 미러기판의 후방면의 절연막 상에 전류 패스를 형성하는 도전 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제1트렌치를 통해 노출된 디바이스 기판 전방의 매몰절연막 상에, 상기 소자영역의 미러영역에 대응하여 반사막을 형성하는 단계와; 상기 미러영역 주변의 오픈영역에 대해, 상기 제1트렌치를 통해 노출된 디바이스 기판을 제거하여 오픈부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. Forming a conductive pattern for forming a current path on the insulating film on the rear surface of the mirror substrate; Forming a reflective film on the buried insulating film in front of the device substrate exposed through the first trench, corresponding to a mirror region of the device region; And removing the device substrate exposed through the first trench with respect to the open region around the mirror region to form an open portion.

상기 미러기판의 디바이스 기판 후방면의 토션영역에 대해, 압전물질을 도핑하여 토션 센싱부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. And forming a torsion sensing unit by doping a piezoelectric material with respect to a torsion region on the rear surface of the device substrate of the mirror substrate.

상기 구동소자는, 상기 소자영역의 중심영역에 위치하는 미러부와, 상기 미러부 주변을 둘러싸는 가동프레임과, 제1방향을 따라 연장되어 상기 미러부와 가동프레임을 연결하는 제1토션바와, 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 연장되어 상기 가동프레임과 상기 주변영역에 대응되는 상기 미러기판의 주변부를 연결하는 제2토션바를 포함할 수 있다. A first torsion bar extending along a first direction and connecting the mirror part to the movable frame; a second torsion bar extending from the first torsion bar to the movable frame; And a second torsion bar extending along a second direction intersecting with the first direction and connecting a peripheral portion of the mirror substrate corresponding to the movable frame and the peripheral region.

상기 제1토션바에 대응되는 상기 제2트렌치와, 상기 제2토션바에 대응되는 상기 제2트렌치의 두께는 동일하거나 상이할 수 있다.
The thickness of the second trench corresponding to the first torsion bar and the thickness of the second trench corresponding to the second torsion bar may be the same or different.

본 발명에 따르면, 마이크로 미러를 형성함에 있어, 상대적으로 얇은 두께의 디바이스 기판에 대해 해당 기판에 형성될 구동소자들에 대응하도록 특히 토션바에 대응하도록 트렌치를 형성하여 선가공하고, 선가공된 디바이스 기판을 베이스 기판에 접합한 후에 구동소자를 형성하기 위한 후처리 공정을 진행하게 된다.According to the present invention, in forming a micromirror, a trench is formed and corresponding to a torsion bar corresponding to driving elements to be formed on a substrate with a relatively thin thickness, A post-treatment process for forming a driving device is performed after bonding the substrate to the base substrate.

이처럼, 토션바가 형성될 디바이스 기판 부분에 트렌치를 미리 형성함으로써, 토션바의 두께 제어가 보다 손쉽게 이루어질 수 있게 되어 토션바의 두께 공차를 최소화할 수 있게 된다. 따라서, 제품 수율이 상당한 정도로 개선될 수 있게 된다.Thus, by previously forming the trench in the device substrate portion where the torsion bar is to be formed, the thickness control of the torsion bar can be more easily performed, and the thickness tolerance of the torsion bar can be minimized. Thus, the product yield can be improved to a considerable extent.

또한, 회전축이 서로 다른 토션바에 대해 그 두께를 달리하여 형성하는 경우에, 이에 대한 대응이 보다 손쉽게 이루어질 수 있게 된다. 즉, 두께를 달리 형성하더라도, 토션바의 두께 제어가 용이한 바, 두께가 다른 토션바의 형성시 두께 공차는 종래에 비해 더욱더 향상될 수 있게 된다.In addition, when the rotating shafts are formed with different thicknesses with respect to different torsion bars, it is possible to more easily cope with this. That is, even if the thickness is different, the thickness control of the torsion bar is easy, and the thickness tolerance in forming the torsion bars having different thicknesses can be further improved as compared with the conventional one.

더욱이, 본 발명의 경우에는 반도체 제조에 통상적으로 사용되는 SOI 형태의 기판을 미러기판으로 사용할 수 있다. 이에 따라, 마이크로 미러를 제조함에 있어, 별도의 특별한 공정 설계가 요구되지 않고 기존의 실리콘 가공 파운드리(foundry) 설비를 사용할 수 있게 되므로, 양산이 매우 용이하고 제조 단가가 절감될 수 있다.
Furthermore, in the case of the present invention, a substrate of SOI type commonly used in semiconductor manufacturing can be used as a mirror substrate. Accordingly, in manufacturing a micromirror, a special process design is not required and an existing silicon processing foundry facility can be used, so that mass production is very easy and manufacturing cost can be reduced.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광 스캐닝 장치의 마이크로 미러를 개략적으로 도시한 사시도.
도 2는 도 1의 절단선 II-II를 따라 도시한 단면도.
도 3a 내지 3h는 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 미러 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도.1 is a perspective view schematically showing a micro mirror of an optical scanning device according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 1. FIG.
3A to 3H are cross-sectional views schematically showing a method of manufacturing a micromirror according to an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광 스캐닝 장치의 마이크로 미러를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 절단선 II-II를 따라 도시한 단면도이다. FIG. 1 is a perspective view schematically showing a micro mirror of an optical scanning device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along a cutting line II-II in FIG.

본 발명의 실시예에 따른 광 스캐닝 장치의 마이크로 미러(100)는, 마이크로 미러(100)의 외부에 위치하며 자기장을 형성하는 자기장발생부(미도시)에서 형성된 자기장과 상호 작용하는 전기장을 형성하고, 이로 인해 발생되는 로렌쯔힘을 가동력으로 사용하여 마이크로 스캐닝 동작을 하는 구성에 해당된다. The micromirror 100 of the optical scanning device according to the embodiment of the present invention forms an electric field that is located outside the micromirror 100 and interacts with a magnetic field formed in a magnetic field generating unit (not shown) , And a micro scanning operation is performed using Lorentz force generated as a result of this.

이하에서는, 설명의 편의를 위해, 2축 구동의 마이크로 미러(100)를 예로 들어 설명한다. 물론, 본 발명의 실시예는 1축 구동의 마이크로 미러에 대해서도 적용될 수 있음은 자명하다.Hereinafter, for convenience of explanation, the micro mirror 100 of a two-axis drive will be described as an example. Of course, it is obvious that the embodiment of the present invention can be applied to a mono-axis driven micromirror.

도 1 및 2를 참조하면, 마이크로 미러(100)는 평면적으로 볼 때 2축 스캐닝 구동을 수행하는 소자들이 형성되는 소자영역(EA)과, 소자영역(EA) 주변을 둘러싸는 주변영역(SA)을 포함할 수 있다.1 and 2, the micromirror 100 includes an element region EA in which elements performing two-axis scanning driving are formed in a plan view, a peripheral region SA surrounding the element region EA, . ≪ / RTI >

소자영역(EA)에는 2축 스캐닝 구동을 수행하는 소자들로서 미러부(210)와, 가동프레임(220)과, 토션바(230)를 포함할 수 있다. The element region EA may include a mirror portion 210, a movable frame 220, and a torsion bar 230 as elements for performing two-axis scanning driving.

미러부(210)는 입사되는 광을 반사하는 미러 기능을 수행하는 구성으로서, 이는 가동프레임(220)과 탄성체(230)를 통해 연결될 수 있다. 여기서, 설명의 편의를 위해, 미러부(210)와 가동프레임(220)을 연결하는 토션바(230)를 제1토션바(231)라고 한다. The mirror unit 210 has a function of mirroring the incident light. The mirror unit 210 may be connected to the movable frame 220 through the elastic member 230. Here, for convenience of explanation, the torsion bar 230 connecting the mirror unit 210 and the movable frame 220 is referred to as a first torsion bar 231.

제1토션바(231)는 미러부(210)의 서로 마주보는 양측으로부터, 이들 양측 각각에 대응하는 가동프레임(220)의 내부 양측으로 연장되도록 형성되어 있다.The first torsion bars 231 are formed so as to extend from opposite sides of the mirror portion 210 to opposite sides of the movable frame 220 corresponding to both sides thereof.

한편, 미러부(210)와 가동프레임(220) 사이의 영역으로서, 제1토션바(231)가 형성된 영역을 제외한 영역에는, 마이크로 미러(100)의 평면에 수직한 방향을 따라 개방된 오픈부(OP)가 형성된다. 설명의 편의를 위해, 제1토션바(231) 주변의 오픈부(OP)를 제1오픈부(OP1)라고 한다.On the other hand, in the region between the mirror portion 210 and the movable frame 220, except for the region where the first torsion bar 231 is formed, an open portion, which is opened along the direction perpendicular to the plane of the micromirror 100, (OP) is formed. For convenience of explanation, the open portion OP around the first torsion bar 231 is referred to as a first open portion OP1.

제1토션바(231)는 제1방향으로서, 예를 들면, x축 방향을 따라 연장될 수 있다. 이에 따라, 미러부(210)는 제1토션바(231)를 통해, x축을 회전축으로 하여 회전 운동을 할 수 있게 된다.The first torsion bar 231 may extend, for example, along the x-axis direction as a first direction. Accordingly, the mirror unit 210 can rotate through the first torsion bar 231 with the x axis as the rotation axis.

가동프레임(220)은 미러 주변부(240)와 토션바(230)를 통해 연결될 수 있다. 여기서, 설명의 편의를 위해, 가동프레임(220)과 미러 주변부(240)를 연결하는 토션바(230)를 제2토션바(232)라고 한다. The movable frame 220 may be connected to the mirror periphery 240 through a torsion bar 230. Here, for convenience of explanation, the torsion bar 230 connecting the movable frame 220 and the mirror peripheral part 240 is referred to as a second torsion bar 232.

여기서, 미러 주변부(240)는, 마이크로 미러(100)의 소자영역(EA) 주변의 주변영역(SA)에 위치하는 구성에 해당된다. Here, the mirror peripheral portion 240 corresponds to a structure located in the peripheral region SA around the element region EA of the micromirror 100.

제2토션바(232)는 가동프레임(220)의 서로 마주보는 외부 양측으로부터, 이들 양측 각각에 대응하는 미러 주변부(240)의 내부 양측으로 연장되도록 형성되어 있다.The second torsion bars 232 are formed so as to extend from the opposite outer sides of the movable frame 220 to the inner sides of the mirror periphery 240 corresponding to the both sides thereof.

한편, 가동프레임(220)과 미러 주변부(240) 사이의 영역으로서, 제2토션바(232)가 형성된 영역을 제외한 영역에는, 마이크로 미러(100)의 평면에 수직한 방향을 따라 개방된 오픈부(OP)가 형성된다. 설명의 편의를 위해, 제2토션바(232) 주변의 오픈부(OP)를 제2오픈부(OP2)라고 한다.On the other hand, in the region between the movable frame 220 and the mirror peripheral portion 240, except for the region where the second torsion bar 232 is formed, an open portion (not shown) along the direction perpendicular to the plane of the micro- (OP) is formed. For convenience of explanation, the open portion OP around the second torsion bar 232 is referred to as a second open portion OP2.

제2토션바(231)는 제1방향과 수직하게 교차하는 제2방향으로서, 예를 들면, y축 방향을 따라 연장될 수 있다. 이에 따라, 가동프레임(220)은 제2토션바(232)를 통해, y축을 회전축으로 하여 회전 운동을 할 수 있게 된다.The second torsion bar 231 may extend in a second direction perpendicular to the first direction, for example, along the y-axis direction. Accordingly, the movable frame 220 can rotate through the second torsion bar 232 with the y-axis as a rotation axis.

이처럼, 가동프레임(220)은 y축을 회전축으로 하여 회전 운동을 하게 됨으로써, 이와 같은 가동프레임(220)의 회전 운동에 의해 이와 연결된 미러부(210) 또한 y축 방향의 회전 운동을 할 수 있게 된다.In this way, the movable frame 220 rotates about the y-axis as a rotation axis, so that the mirror unit 210 connected to the movable frame 220 can be rotated in the y-axis direction by the rotation of the movable frame 220 .

따라서, 결과적으로 미러부(210)는 서로 수직한 회전축을 갖는 제1 및 2토션바(231, 232)에 의해, x축 및 y축의 2축 스캐닝 동작을 수행할 수 있게 된다. As a result, the mirror unit 210 can perform the two-axis scanning operation of the x and y axes by the first and second torsion bars 231 and 232 having the rotation axes perpendicular to each other.

한편, 마이크로 미러(100)에는, 자기장과 상호 작용을 하기 위한 전기장 발생을 위해 전류 패스(path)로서 도전 패턴(121)이 형성된다. On the other hand, in the micromirror 100, a conductive pattern 121 is formed as a current path for generation of an electric field for interacting with a magnetic field.

미러 주변부(240)에는 전류가 입력되는 입력단자와 전류가 출력되는 출력단자가 구성될 수 있다. 도전 패턴(121)의 일끝단에 위치하는 입력단자를 통해 입력된 전류는, 미러 주변부(240)로부터 가동프레임(220)과 미러부(210)를 거쳐 재차 미러 주변부(240)로 돌아 나와, 도전 패턴(121)의 타끝단에 위치하는 출력단자로 출력된다. The mirror peripheral part 240 may include an input terminal to which a current is input and an output terminal to which a current is output. The current input through the input terminal located at one end of the conductive pattern 121 is returned from the mirror peripheral portion 240 to the mirror peripheral portion 240 via the movable frame 220 and the mirror portion 210, And is output to the output terminal located at the other end of the pattern 121.

특히, 미러부 및 가동프레임(210, 220) 각각에서는 도전 패턴(121)이, 예를 들면, 루프 형태를 갖도록 형성될 수 있으며, 이에 따라 로렌쯔힘이 발생하여 미러부 및 가동프레임(210, 220)이 동작할 수 있게 된다. Particularly, in each of the mirror part and the movable frame 210, 220, the conductive pattern 121 may be formed to have a loop shape, for example, so that a La Lorentz force is generated so that the mirror part and the movable frame 210 ) Can be operated.

그리고, 미러부(210)에는 입사되는 광을 반사하는 특성을 갖는 반사막(121)이 형성될 수 있다. A reflection film 121 having a property of reflecting incident light may be formed on the mirror 210.

또한, 토션바(230)에는 회전 정도 즉 토션 정도를 센싱하기 위한 토션 센싱부(141)가 형성될 수 있다. 토션 센싱부(141)는, 예를 들면, 압전효과(piezoelectric effect)를 갖는 압전소자를 사용하여 구성될 수 있다. 토션 센싱부(141)는 토션 정보를 나타내는 전기적 신호를 발생시키게 되며, 이와 같이 발생된 전기적 신호를 전달하는 신호배선이 미러 주변부(240)로 연장되도록 형성될 수 있고, 별도의 센싱 출력 단자를 통해 외부로 해당 전기적 신호가 출력될 수 있다. In addition, the torsion bar 230 may be provided with a torsion sensing unit 141 for sensing the degree of rotation, i.e., the degree of torsion. The torsion sensing unit 141 may be constructed using, for example, a piezoelectric element having a piezoelectric effect. The torsion sensing unit 141 generates an electrical signal indicative of torsion information. The signal wiring for transmitting the electrical signal thus generated may be formed to extend to the mirror peripheral portion 240, and may be formed through a separate sensing output terminal The corresponding electrical signal can be output to the outside.

전술한 바와 같은 구성을 갖는 마이크로 미러(100)의 단면 구조에 대해 도 2를 더욱 참조하여 설명한다.The sectional structure of the micromirror 100 having the above-described structure will be described with reference to FIG.

마이크로 미러(100)는, 입사된 광이 반사되어 방출되는 방향을 기준으로 전방에 위치하는 핸들 기판 즉 베이스 기판(110a)과, 베이스 기판(110a)의 후방에 위치하는 기판 즉 디바이스 기판(110b)을 포함할 수 있다. 베이스 기판(110a)과 디바이스 기판(110b) 사이에는 절연 특성을 갖는 적층막으로서 매몰절연막(116)이 형성될 수 있다.The micromirror 100 includes a handle substrate or base substrate 110a positioned forward in reference to the direction in which the incident light is reflected and emitted and a substrate or device substrate 110b located behind the base substrate 110a, . ≪ / RTI > An amorphous insulating film 116 may be formed as a laminated film having an insulating property between the base substrate 110a and the device substrate 110b.

베이스 기판(110a)은 마이크로 미러(100)의 전체적인 골격을 형성하고 구동 소자들의 지지체로서 기능하게 된다. 디바이스 기판(110b)은 실질적으로 구동 소자들이 형성되는 구조물로서 기능하게 된다.The base substrate 110a forms the overall skeleton of the micromirror 100 and functions as a support for driving elements. The device substrate 110b substantially functions as a structure in which driving elements are formed.

베이스 기판(110a)은 반도체 물질로 이루어지며, 특히 실리콘으로 이루어지는 것이 바람직한데, 이에 한정되지는 않는다. 또한, 디바이스 기판(110b)은 반도체 물질로 이루어지며, 특히 실리콘으로 이루어지는 것이 바람직한데, 이에 한정되지는 않는다.The base substrate 110a is made of a semiconductor material, and is preferably made of silicon, but is not limited thereto. In addition, the device substrate 110b is made of a semiconductor material, and is preferably made of silicon, but is not limited thereto.

매몰절연막(120)은 베이스 기판(110a)과 디바이스 기판(110b) 사이에 위치하며, 이를 통해 베이스 기판(110a)과 디바이스 기판(110b)이 서로 접합될 수 있게 된다. 이와 관련하여, 베이스 기판(110a)과 디바이스 기판(110b) 중 적어도 하나의 기판면에 절연막이 형성된 상태에서, 절연막이 내면에 위치하도록 하여 이들을 서로 합착한 후, 일정 온도 이상에서 열처리를 하게 되게 된다. 이에 따라, 베이스기판(110a)와 디바이스 기판(110b)은 매몰절연막(116)을 매개로 하여 서로 접합될 수 있게 된다. The buried insulating film 120 is positioned between the base substrate 110a and the device substrate 110b so that the base substrate 110a and the device substrate 110b can be bonded to each other. In this regard, in a state where an insulating film is formed on the substrate surface of at least one of the base substrate 110a and the device substrate 110b, the insulating film is positioned on the inner surface, . Thus, the base substrate 110a and the device substrate 110b can be bonded to each other via the buried insulating film 116. [

설명의 편의를 위해, 위와 같이 접합된 베이스 기판 및 디바이스 기판(110a, 110b)은 미러기판(110)이라 한다. 여기서, 기판이 실리콘으로 이루어진 미러기판(110)은 소위 SOI(silicon on insulator) 기판이라고 불리워지며, 본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, SOI 기판을 사용한 경우를 예로 든다.For convenience of explanation, the base substrate and the device substrates 110a and 110b bonded together as described above are referred to as a mirror substrate 110. [ Here, the mirror substrate 110 made of silicon is called a so-called SOI (silicon on insulator) substrate. In the embodiment of the present invention, for convenience of explanation, a case of using an SOI substrate is taken as an example.

미러기판(110)의 소자영역(EA)에는, 전술한 구동 소자들로서 미러부(210)와, 가동프레임(220)과, 토션바(230)가 형성된다. 특히, 이와 같은 구동 소자들은 디바이스 기판(110b)에 구성되며, 소자영역(EA)에 대응하는 베이스기판(110a) 부분은 제거되어 제1트렌치(Tr1)가 형성된다. 이와 같은 제1트렌치(Tr1)를 통해, 전술한 구동 소자들은 전방측으로 노출된 상태를 갖게 된다. In the element region EA of the mirror substrate 110, the mirror portion 210, the movable frame 220, and the torsion bar 230 are formed as the aforementioned driving elements. Particularly, such driving devices are formed in the device substrate 110b, and the portion of the base substrate 110a corresponding to the device region EA is removed to form the first trench Tr1. Through such a first trench Tr1, the above-mentioned driving elements are exposed to the front side.

소자영역(EA)의 중심영역에는 미러부(210)가 구성되는데, 미러부(210)는 이의 구조체로서 기능하는 디바이스 기판(110b)과, 디바이스 기판(110b)의 일면으로서 전방면에 위치하는 반사막(131)을 포함할 수 있다. 한편, 미러부(210)의 디바이스 기판(110b)의 타면으로서 후방면 상 즉 절연막(117) 외면 상에 도전 패턴(121)이 형성될 수 있다.The mirror portion 210 includes a device substrate 110b that functions as a structure of the device portion EA and a reflective portion 210b that is a front surface of the device substrate 110b, (131). On the other hand, the conductive pattern 121 may be formed on the rear surface, that is, on the outer surface of the insulating film 117 as the other surface of the device substrate 110b of the mirror unit 210. [

소자영역(EA)에서 미러부(210)의 주변을 따르는 프레임영역에는 가동프레임(220)이 구성된다. 가동프레임(220)은 이의 구조체로서 기능하는 디바이스 기판(110b)을 포함할 수 있고, 디바이스 기판(110b)의 후방면에는 도전 패턴(121)이 형성될 수 있다.A movable frame 220 is formed in a frame region along the periphery of the mirror portion 210 in the element region EA. The movable frame 220 may include a device substrate 110b that functions as a structure of the movable frame 220 and a conductive pattern 121 may be formed on a rear surface of the device substrate 110b.

한편, 소자영역(EA)의 중심영역과 이를 둘러싸는 프레임영역 사이에는 제1토션바(231)와 제1오픈부(OP1)가 구성된다. The first torsion bar 231 and the first open portion OP1 are formed between the central region of the device region EA and the surrounding frame region.

제1토션바(231)는 제1방향을 따라 소자영역(EA)의 중심영역의 양측에서 외측으로 연장된 영역 즉 제1토션영역에 형성되며, 제1토션바(231)는 이의 구조체로서 기능하는 디바이스 기판(110b)을 포함할 수 있고, 디바이스 기판(110b)의 후방에는 도전 패턴(121)이 형성될 수 있다. 제1토션바(231)의 도전 패턴(121)은, 미러부(210)의 도전 패턴(121)과 가동프레임(220)의 도전 패턴을 연결하게 된다. The first torsion bar 231 is formed in a region extending outward from both sides of the central region of the element region EA along the first direction, that is, in the first torsion region. The first torsion bar 231 functions as its structure And a conductive pattern 121 may be formed on the rear side of the device substrate 110b. The conductive pattern 121 of the first torsion bar 231 connects the conductive pattern 121 of the mirror part 210 and the conductive pattern of the movable frame 220.

더욱이, 제1토션바(231)에는, 디바이스 기판(110b)의 후방면에서 내부로 압전물질이 도핑된 형태의 토션 센싱부(141)가 형성될 수 있다.Furthermore, the first torsion bar 231 may be provided with a torsion sensing unit 141 in which a piezoelectric material is doped from the rear surface of the device substrate 110b.

한편, 제1토션바(231)의 디바이스 기판(110b) 부분의 두께(t3)는, 미러부 및 가동프레임(210, 220)의 디바이스 기판(110b) 부분의 두께(t2)에 비해 작게 형성되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 제1토션바(231)의 디바이스 기판(110b) 부분에 대해 전방면에서 후방면 방향으로 부분적 식각을 진행할 수 있으며, 이에 의해 제1토션바(231)의 디바이스 기판(110b) 부분에는 내부로 요입된 제2트렌치(Tr2)가 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1토션바(231)는 디바이스 기판(110b)의 두께(t2)에 비해 얇은 두께(t3)를 가질 수 있다.The thickness t3 of the device substrate 110b of the first torsion bar 231 is smaller than the thickness t2 of the mirror substrate 210 and the device substrate 110b of the movable frames 210 and 220 . The first torsion bar 231 may be partially etched from the front side to the rear side of the device substrate 110b so that the device substrate 110b of the first torsion bar 231 A second trench Tr2 which is recessed inside can be formed. Accordingly, the first torsion bar 231 may have a thickness t3 that is thinner than the thickness t2 of the device substrate 110b.

제1오픈부(OP1)는, 중심영역과 프레임영역 사이의 영역 중 제1토션영역을 제외한 영역인 제1오픈영역에 형성된다. 즉, 제1오픈영역은 디바이스 기판(110b)이 상하로 제거됨으로써, 디바이스 기판(110b)이 관통된 상태의 제1오픈부(OP1)가 형성된다.The first open portion OP1 is formed in the first open region which is a region excluding the first torsion region among the regions between the center region and the frame region. That is, in the first open region, the device substrate 110b is vertically removed, thereby forming the first open portion OP1 with the device substrate 110b penetrated.

한편, 소자영역(EA)에서 프레임영역의 주변을 따르는 주변영역(SA)에는 미러 주변부(240)가 구성된다. 미러 주변부(240)는 이의 구조체로서 기능하는 디바이스 기판(110b) 및 그 전방의 베이스 기판(110a)을 포함할 수 있고, 디바이스 기판(110b)의 후방면에는 도전 패턴(121)이 형성될 수 있다. 더욱이, 디바이스 기판(110b)에는 도전 패턴(121)의 끝단에 위치하여 전류가 입력되고 출력되는 입력단자와 출력단자가 구성될 수 있다. On the other hand, in the peripheral region SA along the periphery of the frame region in the element region EA, the mirror peripheral portion 240 is formed. The mirror peripheral portion 240 may include a device substrate 110b serving as a structure thereof and a base substrate 110a located in front of the device substrate 110b and a conductive pattern 121 may be formed on the rear surface of the device substrate 110b . Furthermore, an input terminal and an output terminal, which are located at the ends of the conductive pattern 121 and are inputted and output current, may be formed in the device substrate 110b.

한편, 소자영역(EA)의 프레임영역과 이를 둘러싸는 주변영역(SA) 사이에는 제2토션바(232)와 제2오픈부(OP2)가 구성된다. A second torsion bar 232 and a second open portion OP2 are formed between the frame region of the device region EA and the surrounding region SA surrounding the device region EA.

제2토션바(232)는 제2방향을 따라 소자영역(EA)의 프레임영역의 양측에서 외측으로 연장된 영역 즉 제2토션영역에 형성되며, 제2토션바(232)는 이의 구조체로서 기능하는 디바이스 기판(110b)을 포함할 수 있고, 디바이스 기판(110b)의 후방면에는 도전 패턴(121)이 형성될 수 있다. 제2토션바(232)의 도전 패턴(121)은, 가동프레임(220)의 도전 패턴(121)과 미러 주변부(240)의 도전 패턴(121)을 연결하게 된다. The second torsion bar 232 is formed in a region extending outward from both sides of the frame region of the element region EA, that is, in the second torsion region along the second direction, and the second torsion bar 232 functions as its structure And a conductive pattern 121 may be formed on the rear surface of the device substrate 110b. The conductive pattern 121 of the second torsion bar 232 connects the conductive pattern 121 of the movable frame 220 and the conductive pattern 121 of the mirror peripheral portion 240.

더욱이, 제2토션바(232)에는, 디바이스 기판(110b)의 후방면에서 내부로 압전물질이 도핑된 형태의 토션 센싱부(141)가 형성될 수 있다.Furthermore, the second torsion bar 232 may be formed with a torsion sensing unit 141 in which a piezoelectric material is doped from the rear surface of the device substrate 110b.

한편, 제2토션바(232)의 디바이스 기판(110b) 부분의 두께(t3)는, 미러부 및 가동프레임(210, 220)의 디바이스 기판(110b) 부분의 두께(t2)에 비해 작게 형성되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 제1토션바(231)와 마찬가지로, 부분적 식각을 진행하여 내부로 요입된 트렌치(Tr2)가 형성될 수 있다. The thickness t3 of the portion of the device substrate 110b of the second torsion bar 232 is formed to be smaller than the thickness t2 of the portion of the device substrate 110b of the mirror portion and the movable frames 210 and 220 . For this, as in the first torsion bar 231, the trench Tr2 recessed into the interior can be formed by performing partial etching.

한편, 본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 제1 및 2토션바(231, 232)가 동일한 두께(t3)를 갖는 경우를 예로 든다. 이와 달리, 구동 특성에 따라, 제1 및 2토션바(231, 232)가 서로 다른 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 즉, 제1 및 2토션바(231, 232) 각각을 정의하는 제2트렌치(Tr2)를 서로 다른 두께로 형성할 수 있다.On the other hand, in the embodiment of the present invention, for convenience of explanation, the first and second torsion bars 231 and 232 have the same thickness t3. Alternatively, the first and second torsion bars 231 and 232 may be formed to have different thicknesses depending on driving characteristics. That is, the second trenches Tr2 defining the first and second torsion bars 231 and 232 may be formed to have different thicknesses.

제2오픈부(OP2)는, 프레임영역과 주변영역(SA) 사이의 영역 중 제2토션영역을 제외한 영역인 제2오픈영역에 형성된다. 즉, 제2오픈영역은 디바이스 기판(110b)이 상하로 제거됨으로써, 제1오픈부(OP1)과 동일하게 디바이스 기판(110b)이 관통된 상태의 제2오픈부(OP2)가 형성된다.The second open portion OP2 is formed in the second open region which is the region excluding the second torsion region among the regions between the frame region and the surrounding region SA. That is, in the second open region, the device substrate 110b is vertically removed, thereby forming the second open portion OP2 with the device substrate 110b penetrating like the first open portion OP1.

한편, 전술한 바와 같은 구성을 갖는 마이크로 미러(100)를 형성함에 있어, 본 발명의 실시예에서는, 베이스 기판(110a)과 디바이스 기판(110b)을 접합하기 전의 단계에서 토션바(231, 232)에 대응하는 제2트렌치(Tr2)를 형성하게 된다. In forming the micromirror 100 having the above-described structure, the torsion bars 231 and 232 are formed at the stage before the base substrate 110a and the device substrate 110b are bonded, A second trench Tr2 corresponding to the second trench Tr2 is formed.

즉, 구동 소자를 형성하기 위한 공정 전에, 디바이스 기판(110b)에 토션바(231, 232) 형성을 위한 제2트렌치(Tr2)를 미리 형성하게 된다. 이에 따라, 토션바(231, 232)의 두께 제어가 보다 용이하게 되어, 토션바(231, 232)의 두께 공차가 최소화될 수 있게 된다. 따라서, 제품 수율이 효과적으로 향상될 수 있게 된다.That is, the second trench Tr2 for forming the torsion bars 231 and 232 is previously formed on the device substrate 110b before the process for forming the driving device. This makes it easier to control the thickness of the torsion bars 231 and 232 so that the thickness tolerance of the torsion bars 231 and 232 can be minimized. Therefore, the product yield can be effectively improved.

이하, 전술한 바와 같은 특징을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 미러(100)의 제조 방법에 대해 도 3을 더욱 참조하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the micromirror 100 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

도 3a 내지 3h는 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 미러 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.3A to 3H are cross-sectional views schematically showing a method of manufacturing a micromirror according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 3a를 참조하면, 기판 양면으로서 전방면 및 후방면에 절연막(111)이 형성된 디바이스 기판(110b)를 준비한다. 여기서, 디바이스 기판(110b)이 실리콘 물질로 이루어진 경우, 해당 기판(110b)에 대해 제1산화 공정을 진행할 수 있으며, 이에 따라 해당 기판(110b)의 양면에는 실리콘산화막으로 이루어진 절연막(111)이 형성될 수 있다. First, referring to FIG. 3A, a device substrate 110b having insulating films 111 formed on front and rear surfaces as both surfaces of a substrate is prepared. When the device substrate 110b is made of a silicon material, a first oxidation process can be performed on the substrate 110b. Thus, an insulating film 111 made of a silicon oxide film is formed on both surfaces of the substrate 110b .

다음으로, 도 3b에 도시한 바와 같이, 마스크 공정을 진행하여, 디바이스 기판(110b)의 전방면에 위치하는 절연막(111)을 패터닝하게 된다. 이와 같은 마스크 공정은, 포토마스크와 포토레지스트를 사용한 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통해 진행된다. 이와 같은 패터닝된 절연막(111)은, 제1 및 2토션바(231, 232)가 형성될 영역 즉 제1 및 2토션영역에 대응하여 제거된다. Next, as shown in FIG. 3B, the masking process is performed to pattern the insulating film 111 located on the front surface of the device substrate 110b. Such a mask process proceeds through a photolithography process using a photomask and a photoresist. The patterned insulating film 111 is removed corresponding to the regions where the first and second torsion bars 231 and 232 are to be formed, that is, the first and second torsion regions.

이와 같이 패터닝된 절연막(111)을 식각 마스크로 하여 식각 공정을 진행하게 된다. 여기서, 식각 공정으로서 방향성을 갖는 식각 공정이 사용되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 물에 희석된 KOH를 에칭 용액으로 사용한 습식 식각이 사용될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다. The etching process is performed using the patterned insulating film 111 as an etching mask. Here, it is preferable that an etching process having directionality is used as the etching process. For this, wet etching using water-diluted KOH as an etching solution may be used, but is not limited thereto.

이와 같은 식각 공정 즉 제1식각 공정은 디바이스 기판(110b)을 두께 방향으로 일부분 제거하는 것으로서, 제1식각 공정에 의해 디바이스 기판(110b)의 전방면에는 내부로 요입된 트렌치(Tr2)로서 제2트렌치(Tr2)가 제1 및 2토션영역에 형성된다.The etching process, that is, the first etching process is a process of partially removing the device substrate 110b in the thickness direction. The trench Tr2 recessed inward is formed on the front surface of the device substrate 110b by the first etching process. A trench Tr2 is formed in the first and second trench regions.

다음으로, 도 3c에 도시한 바와 같이, 제2트렌치(Tr2)가 형성된 디바이스 기판(110b)에 대해, 제2트렌치(Tr2)를 덮는 절연막(112)을 형성한다. 이와 관련하여, 디바이스 기판(110b)에 대해 제2산화 공정을 진행함으로써, 제2트렌치(Tr2)를 덮는 산화 실리콘으로 이루어진 절연막(112)이 형성될 수 있게 된다.Next, as shown in Fig. 3C, the insulating film 112 covering the second trench Tr2 is formed on the device substrate 110b on which the second trench Tr2 is formed. In this regard, by performing the second oxidation process on the device substrate 110b, the insulating film 112 made of silicon oxide covering the second trench Tr2 can be formed.

결과적으로, 제2산화 공정에 의해 디바이스 기판(110b)의 전방면 전체는 실질적으로 산화실리콘으로 이루어진 절연막(111, 112)으로 덮여질 수 있게 된다. As a result, the entire front surface of the device substrate 110b can be covered with the insulating films 111 and 112 made of silicon oxide by the second oxidation process.

다음으로, 도 3d에 도시한 바와 같이, 베이스 기판(110a)과 디바이스 기판(110b)을, 제2트렌치(Tr2)가 형성된 전방면이 베이스 기판(110a)에 접촉하는 형태로, 서로 맞붙인 후 접합할 수 있다. Next, as shown in Fig. 3D, the base substrate 110a and the device substrate 110b are bonded to each other in such a manner that the front surface on which the second trench Tr2 is formed is in contact with the base substrate 110a Can be bonded.

이와 관련하여 예를 들면, SDB(silicon direct bonding) 방법에 의해 두 기판(110a, 110b)은 서로 접합될 수 있다. 즉, 두 기판(110a, 110b) 중 적어도 하나 이상의 기판에 대해 실리콘 산화물로 이루어진 절연막을 형성하고, 그 후에 두 기판(110a, 110b)의 표면을 ?(wet) 공정과 플라즈마 처리 공정을 수행하여 친수성으로 만들어 준다. 그 후에, 두 기판(110a, 110b)의 위치를 정렬(align)하여 맞붙인 후, 일차적으로 상온이나 상온 보다 높은 소정의 온도 즉 제1온도로 상승시켜 가접합을 하고, 그 후에 제1온도보다 높은 제2온도로서 예를 들면 600도 이상의 고온에서 소정 시간 가열함으로써, 기판 상호간의 실리콘 산화물의 확산을 통해 접합이 이루어지도록 할 수 있다. In this regard, for example, the two substrates 110a and 110b may be bonded to each other by a silicon direct bonding (SDB) method. That is, an insulating film made of silicon oxide is formed on at least one of the two substrates 110a and 110b, and then the surface of the two substrates 110a and 110b is subjected to a wet process and a plasma process, . Thereafter, the positions of the two substrates 110a and 110b are aligned and fused together, and thereafter the bonded substrates are first bonded to each other at a predetermined temperature or a first temperature higher than room temperature or room temperature, It is possible to achieve bonding through diffusion of silicon oxide between the substrates by heating at a high second temperature, for example, at a high temperature of 600 DEG C or higher for a predetermined time.

여기서, 접합 전의 베이스 기판(110a)의 전방면과 후방면에는 산화 공정을 통해 절연막(113)이 형성될 수 있다. Here, the insulating film 113 may be formed on the front surface and the rear surface of the base substrate 110a before the bonding by an oxidation process.

위와 같은 공정을 통해, 절연막을 사이에 두고 접합된 베이스 기판 및 디바이스 기판(110a, 110b) 즉 미러기판(110)이 형성된다. Through the above process, the base substrate and the device substrates 110a and 110b, that is, the mirror substrate 110, which are bonded with the insulating film interposed therebetween, are formed.

여기서, 베이스 기판 및 디바이스 기판(110a, 110b)의 접합면에 위치하는 절연막을 매몰절연막(116)이라고 한다.Here, the insulating film located on the bonding surfaces of the base substrate and the device substrates 110a and 110b is referred to as a buried insulating film 116.

위와 같은 공정을 통해, 내부에 제2트렌치(Tr2)가 미리 형성된 미러 기판(110)이 형성된다.Through the above process, the mirror substrate 110 in which the second trench Tr2 is formed in advance is formed.

다음으로, 도 3e에 도시한 바와 같이, 미러기판(110)에 대해 전방면 및 후방면으로부터 일정 두께 만큼 전체적으로 제거하는 식각 공정이 수행된다. 즉, 미러기판(110)을 구성하는 디바이스 기판(110b)에 대해 후방면으로부터 일정 두께 만큼 제거하고, 또한 베이스 기판(110a)의 전방면으로부터 일정 두께 만큼 제거한다. 이와 같이 두께 감소를 위한 식각 공정으로서 CMP(chemical mechanical polishing) 공정이 사용될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.Next, as shown in FIG. 3E, an etching process for removing the mirror substrate 110 entirely by a predetermined thickness from the front surface and the rear surface is performed. That is, a predetermined thickness is removed from the rear surface of the device substrate 110b constituting the mirror substrate 110, and a predetermined thickness is removed from the front surface of the base substrate 110a. The CMP (chemical mechanical polishing) process may be used as the etching process for reducing the thickness, but the present invention is not limited thereto.

이와 관련하여 예를 들면, 식각 공정이 진행된 후의 미러기판(110)의 베이스 기판(110a)은 대략 400um의 두께를 갖게 되며, 디바이스 기판(110b)은 대략 80um의 두께를 갖게 되는데, 이에 한정되지는 않는다.In this regard, for example, after the etching process, the base substrate 110a of the mirror substrate 110 has a thickness of about 400 um, and the device substrate 110b has a thickness of about 80 um. Do not.

이처럼, 미러기판(110)에 대한 전체적인 식각 공정을 통해 미러기판(110)은 제1두께(t1)를 갖게 된다. 이와 같은 미러 기판(110)의 제1두께(t1)는 실질적으로 마이크로 미러(100)의 두께에 해당된다. In this manner, the mirror substrate 110 has the first thickness t1 through the entire etching process on the mirror substrate 110. [ The first thickness t1 of the mirror substrate 110 corresponds to the thickness of the micromirror 100 substantially.

한편, 위와 같은 공정을 통해 생성된 미러 기판(110)에 있어, 디바이스 기판(110b)은 제2두께(t2)를 갖게 되며, 이와 같은 제2두께(t2)는 실질적으로 구동소자들 중 미러부(210)와 가동프레임(220)의 두께에 해당된다. On the other hand, in the mirror substrate 110 produced through the above process, the device substrate 110b has the second thickness t2, and the second thickness t2 is substantially equal to the thickness Corresponds to the thickness of the movable frame 210 and the movable frame 220.

특히, 제2트렌치(Tr2)가 형성된 영역 즉 제1 및 2토션영역의 디바이스 기판(110b)은 제3두께(t3)를 갖게 되며, 이와 같은 제3두께(t3)는 실질적으로 제1 및 2토션바(231, 232)의 두께에 해당된다.Particularly, the device substrate 110b in the region where the second trench Tr2 is formed, that is, the first and second torsion regions, has a third thickness t3, and such a third thickness t3 substantially corresponds to the first and second Corresponds to the thickness of the torsion bars 231 and 232.

위와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 상대적으로 두꺼운 두께의 미러기판(110)에 대해 다수의 마스크 공정을 진행하여 구동소자를 형성하기 전에, 상대적으로 얇은 두께의 디바이스 기판(110b)에 대해 구동소자들 특히 제1 및 2토션바(231, 232)의 두께에 부합하는 두께를 갖도록 선가공하게 된다.As described above, according to the embodiment of the present invention, a plurality of mask processes are performed on the mirror substrate 110 having a relatively thick thickness to drive the relatively thin device substrate 110b before the driving device is formed. The thicknesses of the first and second torsion bars 231 and 232 are adjusted.

다음으로, 도 3f에 도시한 바와 같이, 미러 기판(110)의 전방면 및 후방면에 대해 절연막(117)을 형성하는 공정을 진행하게 된다. 이와 같은 절연막(117)은, 예를 들면 제3산화 공정을 진행함으로써 미러 기판(110)의 전방면 및 후방면 즉 베이스 기판(110a)의 전방면과 디바이스 기판(110b)의 후방면에 형성될 수 있다. Next, as shown in FIG. 3F, the process of forming the insulating film 117 is performed on the front surface and the rear surface of the mirror substrate 110. The insulating film 117 may be formed on the front and rear surfaces of the mirror substrate 110, that is, the front surface of the base substrate 110a and the rear surface of the device substrate 110b, for example, .

한편, 절연막(117)은 다중층 구조를 가질 수 있는데, 예를 들면, 위와 같은 제3산화 공정을 통해 산화실리콘막을 형성하고, 그 외면에 질화실리콘막을 더욱 형성하여, 이중층 구조의 절연막(117)을 미러기판(110)의 전방면 및 후방면에 형성할 수 있다.The insulating film 117 may have a multilayer structure. For example, a silicon oxide film may be formed through the third oxidation process as described above, and a silicon nitride film may be further formed on the outer surface of the silicon oxide film to form a double- May be formed on the front surface and the rear surface of the mirror substrate 110.

다음으로, 도 3g에 도시한 바와 같이, 미러기판(110)에 대해 마스크 공정을 진행하여, 미러기판(110b)의 전방면에 위치하는 절연막(117)을 패터닝하게 된다. 이와 같은 마스크 공정은, 포토마스크와 포토레지스트를 사용한 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통해 진행된다. 이와 같은 패터닝된 절연막(117)은, 소자영역(EA)에 대응하여 제거된다.Next, as shown in Fig. 3G, the masking process is performed on the mirror substrate 110 to pattern the insulating film 117 located on the front surface of the mirror substrate 110b. Such a mask process proceeds through a photolithography process using a photomask and a photoresist. Such a patterned insulating film 117 is removed corresponding to the element region EA.

이와 같이 패터닝된 절연막(117)을 식각 마스크로 하여 식각 공정을 진행하게 된다. 여기서, 식각 공정으로서 방향성을 갖는 식각 공정이 사용되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 예를 들면 물에 희석된 KOH나 TMAH(tetramethylammonium hydroxide)를 에칭 용액으로 사용한 습식 식각이 사용될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다. 다른 예로서, 실리콘 딥에칭 (즉, silicon deep RIE) 공정에 의해 트렌치를 형성할 수도 있다.The etching process is performed using the patterned insulating film 117 as an etching mask. Here, it is preferable that an etching process having directionality is used as the etching process. For this purpose, wet etching using, for example, water-diluted KOH or tetramethylammonium hydroxide (TMAH) as the etching solution may be used, but is not limited thereto. As another example, a trench may be formed by a silicon deep etching (i.e., silicon deep RIE) process.

이와 같은 식각 공정 즉 제2식각 공정은 실질적으로 소자영역(EA)의 베이스 기판(110a) 부분을 두께 방향으로 모두 제거하는 것으로서, 제2식각 공정에 의해 소자영역(EA)의 매몰절연막(116)이 전방 방향으로 노출될 수 있게 된다. 즉, 소자영역(EA)의 디바이스 기판(110b)의 전방면에 형성된 절연막(116)이 노출될 수 있게 된다. The second etching process substantially removes the base substrate 110a portion of the device region EA in the thickness direction. The second etching process substantially eliminates the buried insulating film 116 in the device region EA, So that it can be exposed in the forward direction. That is, the insulating film 116 formed on the front surface of the device substrate 110b of the element region EA can be exposed.

이에 따라, 미러기판(110)에는 소자영역(EA)에 해당되는 베이스 기판(110a)이 제거되어 내부로 요입된 형상의 제1트렌치(Tr1)가 형성된다. Accordingly, the base substrate 110a corresponding to the element region EA is removed from the mirror substrate 110, and the first trench Tr1 having the shape recessed therein is formed.

다음으로, 도 3h에 도시한 바와 같이, 미러기판(110)의 후방면 상으로서 디바이스 기판(110b) 후방의 절연막(117) 상에 전류 패스를 위한 도전 패턴(121)을 형성하게 된다. 이와 같은 도전 패턴(121)은 마스크 공정을 통해 형성될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.Next, as shown in FIG. 3H, a conductive pattern 121 for current passing is formed on the insulating film 117 on the rear side of the device substrate 110b as the rear surface of the mirror substrate 110. FIG. The conductive pattern 121 may be formed through a mask process, but is not limited thereto.

도전 패턴(121)은 소자영역 및 주변영역(EA, SA)에 형성되며, 주변영역(SA)에는 도전 패턴(121)의 끝단에 연결된 입력단자 및 출력단자가 형성될 수 있다.The conductive pattern 121 is formed in the element region and the peripheral regions EA and SA and an input terminal and an output terminal connected to the end of the conductive pattern 121 may be formed in the peripheral region SA.

전술한 바와 같은 공정을 통해, 소자영역(EA)의 프레임영역에는 도전 패턴(121)이 형성된 가동프레임(220)이 형성될 수 있다. Through the above-described process, the movable frame 220 in which the conductive pattern 121 is formed can be formed in the frame region of the element region EA.

특히, 소자영역(EA)의 제1 및 2토션영역에는 도전 패턴(121)이 형성된 제1 및 2토션바(231, 232)가 형성될 수 있다. Particularly, first and second torsion bars 231 and 232 having conductive patterns 121 may be formed in the first and second torsion regions of the device region EA.

한편, 전술한 도전 패턴(121)의 형성 전에, 제2트렌치(Tr2)가 형성된 영역 즉 제1 및 2토션바(231, 232)가 형성될 제1 및 2토션영역에 대해, 절연막(117) 내측의 디바이스 기판(110b) 후방면에 불순물인 압전물질을 도핑하는 공정을 진행하여, 해당 영역에 압저항체를 형성할 수 있다. 즉, 디바이스 기판(110b)의 후방면으로부터 일정 두께만큼 압전물질을 도핑함으로써, 제1 및 2토션영역에 압저항체로 이루어진 토션 센싱부(141)가 형성될 수 있다. On the other hand, before the above-described conductive pattern 121 is formed, the insulating film 117 is formed on the regions where the second trenches Tr2 are formed, that is, the first and second torsion regions where the first and second torsion bars 231 and 232 are to be formed, A process of doping the rear surface of the device substrate 110b on the inner side with a piezoelectric material as an impurity may be performed to form a piezoelectric resistor in the corresponding region. That is, by doping a piezoelectric material by a predetermined thickness from the rear surface of the device substrate 110b, the first and second torsion regions may be formed with a torsion sensing unit 141 composed of a piezoresistor.

그리고, 미러부(210)가 형성되는 소자영역(EA)의 중앙영역에는, 디바이스 기판(110b)의 전방의 매몰절연막(116) 상에 광 반사를 위한 반사막(131)을 형성하게 된다. 이와 같은 반사막(131)은 마스크 공정을 통해 형성될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다. 반사막(131)으로서는 고반사 특성을 갖는 물질로서, Al과 같은 금속물질이나 유전체가 사용될 수 있다. A reflective film 131 for light reflection is formed on the embedded insulating film 116 in front of the device substrate 110b in the central region of the device region EA where the mirror portion 210 is formed. The reflective film 131 may be formed through a mask process, but is not limited thereto. As the reflective film 131, a metal material such as Al or a dielectric material may be used as the material having high reflective properties.

여기서, 반사막(131)을 형성하는 공정은 도전 패턴(121)을 형성하는 공정 전에 수행될 수도 있다.Here, the step of forming the reflective film 131 may be performed before the step of forming the conductive pattern 121.

전술한 바와 같은 공정을 통해, 소자영역(EA)의 중앙영역 즉 미러영역에는 도전 패턴(121)과 반사막(131)이 형성된 미러부(210)가 형성될 수 있다. A mirror portion 210 in which the conductive pattern 121 and the reflective film 131 are formed may be formed in a central region of the device region EA, that is, a mirror region.

다음으로, 소자영역(EA) 중 제1 및 2오픈영역에 대응되는 디바이스 기판(110b) 부분에 대해 해당 부분이 관통되도록 식각 공정을 진행하여 제1 및 2오픈부(OP1, OP2)를 형성하게 된다.Next, the first and second open portions OP1 and OP2 are formed by etching the corresponding portion of the device substrate 110b corresponding to the first and second open regions of the device region EA do.

전술한 바와 같은 공정을 통해, 미러부(210)와 가동프레임(220)과 제1 및 2토션바(231, 232)를 포함하는 마이크로 미러(100)가 형성될 수 있다.The micromirror 100 including the mirror portion 210, the movable frame 220, and the first and second torsion bars 231 and 232 can be formed through the above-described process.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 마이크로 미러를 형성함에 있어, 상대적으로 얇은 두께의 디바이스 기판에 대해 해당 기판에 형성될 구동소자들에 대응하도록 특히 토션바에 대응하도록 트렌치를 형성하여 선가공하고, 선가공된 디바이스 기판을 베이스 기판에 접합한 후에 구동소자를 형성하기 위한 후처리 공정을 진행하게 된다.As described above, according to the embodiment of the present invention, in forming the micromirror, a trench is formed so as to correspond to driving elements to be formed on a substrate of a relatively thin device substrate, After the processed device substrate is bonded to the base substrate, a post-treatment process for forming a driving device is performed.

이처럼, 토션바가 형성될 디바이스 기판 부분에 트렌치를 미리 형성함으로써, 토션바의 두께 제어가 보다 손쉽게 이루어질 수 있게 되어 토션바의 두께 공차를 최소화할 수 있게 된다. 따라서, 제품 수율이 상당한 정도로 개선될 수 있게 된다.Thus, by previously forming the trench in the device substrate portion where the torsion bar is to be formed, the thickness control of the torsion bar can be more easily performed, and the thickness tolerance of the torsion bar can be minimized. Thus, the product yield can be improved to a considerable extent.

또한, 회전축이 서로 다른 토션바에 대해 그 두께를 달리하여 형성하는 경우에, 이에 대한 대응이 보다 손쉽게 이루어질 수 있게 된다. 즉, 두께를 달리 형성하더라도, 토션바의 두께 제어가 용이한 바, 두께가 다른 토션바의 형성시 두께 공차는 종래에 비해 더욱더 향상될 수 있게 된다.In addition, when the rotating shafts are formed with different thicknesses with respect to different torsion bars, it is possible to more easily cope with this. That is, even if the thickness is different, the thickness control of the torsion bar is easy, and the thickness tolerance in forming the torsion bars having different thicknesses can be further improved as compared with the conventional one.

더욱이, 본 발명의 경우에는 반도체 제조에 통상적으로 사용되는 SOI 형태의 기판을 미러기판으로 사용할 수 있다. 이에 따라, 마이크로 미러를 제조함에 있어, 별도의 특별한 공정 설계가 요구되지 않고 기존의 실리콘 가공 파운드리(foundry) 설비를 사용할 수 있게 되므로, 양산이 매우 용이하고 제조 단가가 절감될 수 있다.
Furthermore, in the case of the present invention, a substrate of SOI type commonly used in semiconductor manufacturing can be used as a mirror substrate. Accordingly, in manufacturing a micromirror, a special process design is not required and an existing silicon processing foundry facility can be used, so that mass production is very easy and manufacturing cost can be reduced.

전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
The embodiment of the present invention described above is an example of the present invention, and variations are possible within the spirit of the present invention. Accordingly, the invention includes modifications of the invention within the scope of the appended claims and equivalents thereof.

100: 마이크로 미러 110: 미러기판
110a: 베이스 기판 110b: 디바이스 기판
116: 매몰절연막 210: 미러부
220: 가동프레임 231: 제1토션바
232: 제2토션바 240: 미러 주변부100: micro mirror 110: mirror substrate
110a: Base substrate 110b: Device substrate
116: an amorphous insulating film 210:
220: movable frame 231: first torsion bar
232: second torsion bar 240: mirror periphery

Claims (8)

소자영역과 상기 소자영역 주변의 주변영역을 포함하는 디바이스 기판에 대해, 전방면으로부터 요입된 제2트렌치를 상기 소자영역의 토션영역에 형성하는 단계와;
상기 제2트렌치가 형성된 디바이스 기판과 베이스 기판을, 상기 디바이스 기판의 전방면과 상기 베이스 기판의 후방면이 마주보도록 접합하여, 미러기판을 형성하는 단계와;
상기 미러기판의 베이스 기판에 대해, 상기 소자영역에 대응되는 부분을 모두 제거하여 제1트렌치를 형성하는 단계와;
상기 제1트렌치가 형성된 상기 미러기판의 디바이스 기판을 가공하여 상기 소자영역에 미러부와 토션바를 포함하는 구동소자를 형성하는 단계
를 포함하고,
상기 구동소자는, 상기 소자영역의 중심영역인 미러영역에 위치하는 미러부와, 상기 미러부 주변을 둘러싸는 가동프레임과, 제1방향을 따라 연장되어 상기 미러부와 가동프레임을 연결하는 제1토션바와, 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 연장되어 상기 가동프레임과 상기 주변영역에 대응되는 상기 미러기판의 주변부를 연결하는 제2토션바를 포함하고,
상기 베이스 기판은, 상기 제1트렌치를 통해 상기 디바이스 기판의 소자영역을 모두 노출하고 상기 디바이스 기판의 주변부를 덮도록 형성되며,
상기 미러부는 상기 제1토션바 보다 두꺼운 두께를 갖고,
상기 제1토션바에 대응되는 상기 제2트렌치와, 상기 제2토션바에 대응되는 상기 제2트렌치의 두께는 동일하며,
상기 구동소자를 형성하는 단계에서,
상기 미러기판의 후방면의 절연막 상에 전류 패스를 형성하는 도전 패턴이 형성되고,
상기 제1트렌치를 통해 노출된 디바이스 기판 전방의 매몰절연막 상에 상기 미러영역에 대응하여 반사막이 형성되고,
상기 미러영역 주변의 오픈영역에 대해 상기 제1트렌치를 통해 노출된 디바이스 기판을 제거하여 오픈부가 형성되는
마이크로 미러 제조방법.
Forming, in a trench region of the device region, a second trench recessed from the front surface, for a device substrate including an element region and a peripheral region around the element region;
Bonding the device substrate and the base substrate, on which the second trenches are formed, with the front surface of the device substrate and the rear surface of the base substrate facing each other to form a mirror substrate;
Forming a first trench on the base substrate of the mirror substrate by removing all portions corresponding to the device region;
Forming a driving element including a mirror portion and a torsion bar in the device region by processing a device substrate of the mirror substrate on which the first trench is formed
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The driving element includes a mirror portion located in a mirror region which is a center region of the element region, a movable frame which surrounds the mirror portion, a first movable portion which extends along the first direction and connects the mirror portion and the movable frame, And a second torsion bar extending along a second direction intersecting with the first direction and connecting a peripheral portion of the mirror substrate corresponding to the movable frame and the peripheral region,
Wherein the base substrate is formed to expose all the element regions of the device substrate through the first trench and cover the peripheral portion of the device substrate,
Wherein the mirror portion has a thickness greater than that of the first torsion bar,
The thickness of the second trench corresponding to the first torsion bar and the thickness of the second trench corresponding to the second torsion bar are the same,
In the step of forming the driving element,
A conductive pattern for forming a current path is formed on the insulating film on the rear surface of the mirror substrate,
A reflective film corresponding to the mirror region is formed on the buried insulating film in front of the device substrate exposed through the first trench,
The device substrate exposed through the first trench with respect to the open region around the mirror region is removed to form an open portion
A method for manufacturing a micromirror.
제 1 항에 있어서,
상기 미러기판을 형성하는 단계는,
적어도 하나에 실리콘 절연막이 형성된 상기 디바이스 기판의 전방면과 상기 베이스 기판의 후방면에 대해, ?(wet) 공정과 플라즈마 처리 공정을 진행하는 단계와;
상기 플라즈마 처리된 상기 디바이스 기판의 전방면과 상기 베이스 기판의 후방면을, 상기 적어도 하나의 실리콘 절연막을 사이에 두고 맞붙인 후 상온이나 상기 상온보다 높은 제1온도에서 가접합을 하는 단계와;
상기 가접합 단계 후에, 상기 제1온도보다 높은 600도 이상의 제2온도에서 가열하여 상기 디바이스 기판과 상기 베이스 기판을 접합하는 단계를 포함하는
마이크로 미러 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein forming the mirror substrate comprises:
Performing a wet process and a plasma process on a front surface of the device substrate and a rear surface of the base substrate, the silicon substrate having at least one silicon insulating film formed thereon;
Bonding the front surface of the plasma-treated device substrate and the rear surface of the base substrate to each other with the at least one silicon insulating film sandwiched therebetween, followed by bonding at a room temperature or a first temperature higher than the normal temperature;
And bonding the device substrate and the base substrate by heating at a second temperature higher than the first temperature by at least 600 degrees after the bonding step
A method for manufacturing a micromirror.
제 2 항에 있어서,
상기 제1트렌치를 형성하기 전에, 상기 미러기판의 베이스 기판의 전방과 디바이스 기판의 후방을 일정 두께 식각하는 단계
를 포함하는 마이크로 미러 제조방법.
3. The method of claim 2,
Etching a predetermined thickness of the front surface of the base substrate of the mirror substrate and the rear surface of the device substrate before forming the first trenches
≪ / RTI >
제 3 항에 있어서,
상기 식각된 베이스 기판의 전방면과 디바이스 기판의 후방면에 절연막을 형성하는 단계를 포함하는
마이크로 미러 제조방법.
The method of claim 3,
And forming an insulating film on the front surface of the etched base substrate and the rear surface of the device substrate
A method for manufacturing a micromirror.
삭제delete 제 4 항에 있어서,
상기 미러기판의 디바이스 기판 후방면의 토션영역에 대해, 압전물질을 도핑하여 토션 센싱부를 형성하는 단계
를 포함하는 마이크로 미러 제조방법.
5. The method of claim 4,
Forming a torsion sensing portion by doping a piezoelectric material with respect to a torsion region on the rear surface of the device substrate of the mirror substrate;
≪ / RTI >
삭제delete 삭제delete
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