KR101869954B1 - Surge Protection Device with EMP Protection and EMP PCI moudule - Google Patents

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KR101869954B1 KR1020180013813A KR20180013813A KR101869954B1 KR 101869954 B1 KR101869954 B1 KR 101869954B1 KR 1020180013813 A KR1020180013813 A KR 1020180013813A KR 20180013813 A KR20180013813 A KR 20180013813A KR 101869954 B1 KR101869954 B1 KR 101869954B1
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage

Abstract

The present invention relates to a surge protection device capable of EMP protection and, more particularly, to a surge protection device capable of EMP protection preventing high-frequency energy attributable to a surge voltage resulting from thunderstroke or the like or a pulse current injection (PCI) voltage attributable to EMP or the like from being induced to, for instance, an ESS battery accompanying charging control, a signal line, an AC power source, and a DC power source for various types of automatic control and photovoltaic power generation. According to the present invention, damage prevention can be significantly improved with regard to thunderstroke surge and PCI energy with respect to an ESS battery accompanying charging control and a DC power source for various types of automatic control and photovoltaic power generation currently in the spotlight, and thus the survivability of electric, electronic, and communication equipment can be ensured, natural disasters can be reduced, customer demands can be met, and a great contribution can be made to safety in the electrical and communications and consumer electronics industries.

Description

EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치와 EMP PCI 보호용 반도체모듈{Surge Protection Device with EMP Protection and EMP PCI moudule} A Surge Protection Device with EMP Protection and a Surge Protection Device with EMP PCI moudule

본 발명은 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치와 EMP PCI보호용 반도체모듈에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Surge 및 EMP 충격파(PCI, Pulse current injection)가 AC전원, 신호선로, 충전제어가 동반되는 ESS용 배터리 및 태양광발전, 각종 자동제어용 DC전원 등에 유도되는 것을 방지하는 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치와 EMP PCI보호용 반도체모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a surge protection device for protecting EMP and a semiconductor module for EMP PCI protection. More particularly, the present invention relates to a Surge and EMP shock (PCI, pulse current injection) battery for an ESS battery And a semiconductor device for EMP PCI protection, which are combined with a surge protection device that serves as an EMP protection for preventing induction in solar power generation, various kinds of automatic control DC power sources, and the like.

일반적으로 교류전원은 P, N극을 구분하고 있으며, 직류전원은 +극과 -극이 존재하는데, -극(B-)을 접지하는 것이 일반적이나 통신용 직류전원이나 지하선로 또는 지하시설의 방식(부식방지)용 직류전원의 경우 +극(B+)를 접지하는 경우도 존재한다.Generally, AC power sources are divided into P and N poles, and DC power sources have a + pole and a - pole. It is common to ground a pole (B-), but a communication DC power source, an underground line, In case of DC power supply for prevention of corrosion, + pole (B +) may be grounded.

상기한 직류전원에 있어 종래기술의 Surge 대책은 도 1 내지 도 2에 도시한 바와 같이, 전원선로(B+)와 접지(G)간에 직류전원용 SPD인 바리스터(10)를 구비함으로서 이루어진다.As a countermeasure against the surge of the conventional DC power source, the varistor 10, which is a DC power source SPD, is provided between the power line (B +) and the ground G as shown in FIGS.

그런데, 상기한 직류전원용 SPD인 바리스터를 전원선로와 접지간에 접속하는 구조 이외에 용량이 크고 가격이 저렴하며 방전전류대비 방전개시전압의 변폭이 작은 방전소자를 사용하기는 곤란하였다.However, it is difficult to use a discharge element having a large capacity, a low cost, and a small variation in the discharge start voltage as compared with the discharge current, in addition to the above structure in which the varistor, which is the direct current power source SPD, is connected between the power line and ground.

그리고, 상기한 종래 기술에 적용되는 바리스터는 도 3의 국제규격 IEC61643-331에 나타난 바와 같이, 리미트전압 특성이 전류에 따라 변동폭이 매우 큰 문제가 있었기 때문에 현재 각광받고 있는 첨단 배터리충전제어 시스템을 구비한 ESS용 배터리 시스템 및 태양광발전 시스템, 각종 제어시스템의 Surge 피해 보호에는 미흡한 문제가 발생하였다.As shown in the International Standard IEC61643-331 of FIG. 3, the varistor applied to the above-described conventional technique has a problem that the variation of the limit voltage characteristic varies greatly with the current. Therefore, there is an advanced battery charging control system There are insufficient problems to protect surge damage in one ESS battery system, PV system, and various control systems.

도 4에 도시한 바와 같이, 상기와 같은 문제로 인하여 국제기구인 IEEE에서는 기술집 1100-2005를 통해 'May or may not' 즉, 'SPD는 Surge에 대해 보호를 할 수도 있고 보호하지 못할 수도 있다'고 기술하고 있는 것이다. As shown in FIG. 4, due to the above-mentioned problems, the international organization IEEE may or may not protect Surge from May or may not through Survey 1100-2005 "He said.

다음은 종래 기술을 적용한 SPD의 문제점을 좀 더 면밀히 설명하도록 하겠다.Hereinafter, the problem of the SPD using the conventional technique will be described more closely.

일반적인 ESS배터리 시스템 및 태양광발전 등과 같은 직류전원에 바리스터 적용을 위한 설계시, 평상시 직류전압변동률에 여유도를 감안하여 바리스터의 리미트 전압은 그보다 상당부분 높은 값을 적용하는 바, 일반적으로 사용전압변동율에 1.2 ~ 1.4배를 적용하는 것이 상식이다.When designing a varistor for a DC power source such as a general ESS battery system and a photovoltaic power generation, a limit value of a varistor is considerably higher considering a margin for a DC voltage variation rate at a normal time, It is common sense to apply 1.2 to 1.4 times.

예를 들어, DC 800V용 태양광 발전의 경우, 최대 25%까지 즉, 1000V까지 변동할 수 있어 1.3배의 여유도를 감안하면 1300V가 되어 바리스터는 1350V급 리미트 전압(예를 들어, 1mA일 때)을 갖는 소자를 사용하는 것이 바람직하다 할 것이다.For example, in the case of a photovoltaic power generation system for 800V DC, the varistor may vary up to 25%, that is, up to 1000V, which is 1300V considering 1.3 times margin. Thus, the varistor has a 1350V limit voltage (for example, ) Is preferably used.

그런데, IEC61643-31 바리스터의 동작특성 그래프를 보면, 일반적인 바리스터는 정격전류가 3000A라면 이때는 리미트 전압의 약 2배나 되는 제한전압 특성을 나타내며 이를 초과하는 큰 전류에서는 기하급수적으로 제한전압이 악화 되어 40,000A에서는 7,000V의 제한전압이 나타날 수 있는데, 이는 보호를 해도 7,000V는 잔류전압으로 남아 장비에 데미지를 주게 된다. However, according to IEC61643-31 varistor operating characteristic graph, when the rated current is 3000A, the general varistor exhibits the limiting voltage characteristic that is about twice the limit voltage at this time. At the large current exceeding the limit voltage, the limiting voltage deteriorates to 40,000A , A limit voltage of 7,000V may appear, which will leave the remaining voltage at 7,000V to damage the equipment.

그렇다면, DC 800V용 태양광 발전설비에서 상기한 바와 같은 특성의 SPD를 적용한다면, 3,000A의 Surge 유입시 약 2,700V의 제한전압 특성을 가지며 40,000A의 과도 전류에서는 약 7,000V가 되어 보호를 해도 장비는 고장 날 수밖에 없어 도 4와 같이 Surge에 대하여 보호할 수도 있고 보호하지 못할 수도 있다고 설명하고 있는 것이 현실이다.If a SPD of the above-mentioned characteristic is applied to a photovoltaic power generation system for a DC 800V, if a surge of 3,000 A is inputted, it has a limiting voltage characteristic of about 2,700 V, and when the surge current of 40,000 A is about 7,000 V, It is a reality that the equipment is in danger of failing and it may be possible to protect or not protect Surge as shown in Fig.

한편, 상기와 같은 바리스터의 제한전압 특성에 비하여 방전형 소자인 가스방전관(Gas Discharge Tube)은 방전개시전압을 초과하는 Surge가 유입되면 즉시 방전하여 단락상태에 이르기 때문에 상기한 바리스터의 과도전류에 따른 특성변동(악화)은 상대적으로 아주 적은 편이다.In contrast, the gas discharge tube, which is a discharging device, has a short-circuited state when the surge exceeding the discharge start voltage is inputted, compared with the limiting voltage characteristic of the varistor as described above. Characteristic fluctuations (deterioration) are relatively small.

예를 들어, 방전개시전압이 1350V인 가스방전관은 이를 초과하는 Surge가 유입되면 즉시 방전(통상 허용오차 10%)하여 선로를 단락상태로 만들었다가 입력에 전원이 없어지면 방전을 멈추고 개방상태로 복귀하는 특징이 있다.For example, a discharge tube with a discharge start voltage of 1350V will immediately discharge (normally tolerate 10%) when surge exceeding the discharge voltage is applied, shorting the line. If the power is lost to the input, the discharge stops and returns to the open state Feature.

그러나, 문제점은 태양광발전 등과 같은 직류전원을 보면 통상 DC 800V/30A 수준의 전원이 상시 공급되고 있어 방전소자를 사용할 경우, 한번 Surge가 유입되어 방전이 시작되면 DC 800V/30A의 전류가 아크방전을 지속하는 속류 현상이 발생하여 2차 피해를 유발하는 문제가 있기 때문에 방전관을 적용할 수 없었다.However, when the DC power source such as photovoltaic power generation is viewed, a power supply of DC 800V / 30A is normally supplied. When the discharge element is used, once the surge flows, the DC 800V / The discharge tube can not be applied because there is a problem that the secondary current is generated due to the occurrence of the secondary current which continues the secondary discharge.

따라서, 본 발명에서는 바리스터를 적용할 때, 과전류에서는 제한전압 특성이 악화되는 것에 반하여 방전소자를 사용할 때에는 이러한 현상은 없으나, 속류 현상에 따른 2차 피해확산을 유발하는 문제로 인하여 방전소자를 사용할 수 없는 문제를 개선하여 방전소자를 직류 및 교류전원에 사용하는 기술을 제공하고자 한다.Accordingly, in the present invention, when the varistor is applied, the limiting voltage characteristic deteriorates in the overcurrent, but this phenomenon does not occur when the discharge element is used. However, due to the problem of causing secondary damage due to the flux phenomenon, And to provide a technique of using a discharge element for a direct current and an alternating current power source.

(선행문헌) 대한민국 공개특허 제10-2015-0059076호(2015.05.29)(Prior art) Korean Patent Laid-Open No. 10-2015-0059076 (May 27, 2015)

따라서 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 감안하여 제안된 것으로서, 본 발명의 제1 목적은 Surge 및 EMP 충격파(PCI, Pulse current injection)가 AC 전원은 물론, 신호선로, 충전제어가 동반되는 ESS용 배터리 및 태양광발전, 각종 자동제어용 DC 전원 등에 유도되는 것을 방지하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems occurring in the prior art, and it is a first object of the present invention to provide a surge and EMP shock pulse (PCI) ESS batteries, solar power generation, and various automatic control DC power sources.

즉, AC 전원, 신호선로, 충전제어가 동반되는 ESS용 배터리 및 태양광발전, 각종 자동제어용 DC전원 등에 예기치 않은 서지 및 EMP 충격파에 의한 과도한 에너지에 의한 피해를 방지하는 것이다.That is, it prevents damage due to excessive energy caused by unexpected surge and EMP shock wave to AC power, signal line, ESS battery accompanied with charge control, solar power generation, and various automatic control DC power sources.

본 발명이 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여, EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치(100)는,In order to achieve the object of the present invention, a surge protector (100)

입력측(L1) 라인과 부하측(L1') 라인 사이에 형성되고, 저항 또는 리액터로 구성되어 PCI 흡수부(400)와 연동하여 저항 또는 리엑터로 작동하고, PCI 흡수부(400)와의 시정수에 따라 입력측에서 공급되는 직류나 저주파 상용 교류는 부하측으로 공급시키고, 입력측에서 공급되는 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지는 부하측으로의 공급을 차단 시키는 저주파 결합부(200)와,And is formed between a line on the input side (L1) and a line on the load side (L1 ') and is constituted by a resistor or a reactor and operates as a resistor or a reactor in cooperation with the PCI absorber (400). According to the time constant with the PCI absorber A low frequency coupling unit 200 for supplying a direct current or a low frequency commercial AC supplied from the input side to the load side and for interrupting the supply to the load side of the surge voltage supplied from the input side or the high frequency energy generated by the PCI voltage,

입력측(L1) 라인과 접지(G) 라인 사이에 구성되며, 입력측(L1) 라인과 접지(G) 라인 사이에 서지 전압이나 PCI 전압의 고주파 전압이 인가되면 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 흡수하여 충전시키고, 충전이 멈추게 되면 방전하면서 충전되었던 고주파 에너지를 소진시키는 서지 흡수부(300)와,When a surge voltage or a high-frequency voltage of a PCI voltage is applied between the input side (L1) line and the ground (G) line, and the surge voltage or the PCI voltage is applied between the input side A surge absorption unit 300 for absorbing and charging the high frequency energy and discharging the charged high frequency energy when the charging stops,

부하측(L1') 라인과 접지(G) 라인 사이에 구성되며, 저주파 결합부(200)와 연동하여 캐패시터로 작동하고, 저주파 결합부(200)와의 시정수에 따라 직류 또는 저주파 상용 교류는 손실 없이 부하측으로 공급시키고, 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지는 흡수하여 부하측으로의 공급을 차단시키는 PCI 흡수부(400)를 포함한다.And operates as a capacitor in cooperation with the low frequency coupling section 200. The direct current or the low frequency commercial current flows in accordance with the time constant with the low frequency coupling section 200 without loss And a PCI absorber 400 for absorbing high frequency energy caused by a surge voltage or a PCI voltage to block supply to the load side.

이때, 상기 서지흡수부(300)는,At this time, the surge absorption unit 300,

입력측(L1) 라인과 접지(G) 라인 사이에 서지 전압이나 PCI 전압인 고주파 전압이 인가되면 인가된 고주파 전압에 의해 동작하여 고주파 전압에 의한 고주파 에너지가 에너지저장모듈(320)로 제공되어 충전되도록 하는 서지에너지검출제어모듈(310);When a surge voltage or a high-frequency voltage, which is a PCI voltage, is applied between the input side (L1) line and the ground (G) line, high frequency voltage generated by the high frequency voltage is supplied to the energy storage module 320 A surge energy detection control module 310;

서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 충전하는 에너지저장모듈(320);An energy storage module 320 for charging a high frequency energy due to a surge voltage or a PCI voltage;

상기 에너지저장모듈(320)에 연결 구성되어 에너지저장모듈(320)에 충전된 고주파 에너지를 소진시키는 에너지소거모듈(330);을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.And an energy erasing module 330 connected to the energy storage module 320 to exhaust the high frequency energy stored in the energy storage module 320.

이때, 상기 PCI 흡수부(400)은,At this time, the PCI absorption unit 400,

부하측(L1') 라인과 접지(G) 라인 사이에 입력되는 직류나 저주파 상용 교류의 전압 또는 서지 전압이나 PCI 전압의 파형을 정형하여 정, 역에 관계없이 항상 일정한 극성으로 웨이브트래킹모듈(430)로 제공하기 위한 파형정형모듈(420),The wave tracking module 430 forms a waveform of a DC voltage or a surge voltage or a PCI voltage inputted between the load side L1 'line and the ground (G) line, A waveform shaping module 420,

상기 파형정형모듈(420)에서 제공된 정형 된 파형으로부터 서지 전압 성분이나 PCI 전압 성분이 존재하는 시간 대역을 검출하고, 검출된 시간 대역에서 일정 펄스 폭을 갖는 펄스 폭 신호인 출력신호를 스위칭모듈(440)로 제공하기 위한 웨이브트래킹모듈(430),Detects a time band in which a surge voltage component or a PCI voltage component exists from the waveform formed by the waveform shaping module 420 and outputs an output signal that is a pulse width signal having a constant pulse width in the detected time band to the switching module 440 A wave-tracking module 430 for providing the wave-

상기 웨이브트래킹모듈(430)로부터 펄스 폭 신호인 출력 신호가 제공되면, 출력신호를 트리거 신호로 하여 충방전부(450)와 접속됨으로서, 유입되는 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 충방전부(450)로 흘려보내는 스위칭모듈(440)을 포함하여 구성되는 서지전압스위칭부(410)와;When the output signal of the pulse width signal is supplied from the wave tracking module 430, the output signal is connected to the charging unit 450 using the output signal as a trigger signal, and the high frequency energy due to the incoming surge voltage or the PCI voltage is supplied to the charging unit 450 A surge voltage switching unit 410 configured to include a switching module 440 that allows the surge voltage to flow to the switching unit 440;

상기 서지전압스위칭부(410)에서 제공되는 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 소멸시키는 충방전부(450);를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.And a charge and discharge unit 450 for dissipating high-frequency energy generated by the surge voltage or the PCI voltage provided by the surge voltage switching unit 410.

이상의 구성 및 작용을 지니는 본 발명에 따른 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치를 통해, Surge 및 EMP 충격파(PCI, Pulse current injection)가 AC전원, 신호선로, 충전제어가 동반되는 ESS용 배터리 및 태양광발전, 각종 자동제어용 DC전원 등에 유도되는 것을 방지하는 효과를 발휘하게 된다.Surge and EMP shock pulses (PCI) can be supplied to an AC power source, a signal line, an ESS battery accompanied with charging control, and a solar battery , Various automatic control DC power sources, and the like.

또한, 속류 현상에 따른 2차 피해 확산을 유발하는 문제로 인하여 방전형 소자를 사용할 수 없는 종래 기술의 단점을 개선하여 방전형 소자를 직류 및 교류 전원에 사용함으로써, 방전개시전압을 초과하는 Surge가 유입되면 즉시 방전(통상 허용오차 10%)하여 선로를 단락상태로 만들었다가 입력에 전원이 없어지면 방전을 멈추고 개방상태로 복귀하는 장점을 제공하게 된다.In addition, by solving the drawbacks of the prior art that the discharge device can not be used due to the problem of causing the secondary damage diffusing due to the flux phenomenon, the discharge device is used for the direct current and the alternating current power source, If there is an input, it will be discharged immediately (usually 10% tolerance) to short circuit the line, and if power is lost to the input, it will stop discharging and return to the open state.

따라서, 현재 각광받고 있는 충전제어가 동반되는 ESS용 배터리 및 태양광발전, 각종 자동제어용 DC전원에 대해 낙뢰 서지와 PCI에너지에 의한 피해예방 능력을 크게 향상시킬 수 있으므로 전기ㆍ전자ㆍ통신 장비의 생존성을 보장하여 자연재해 감소는 물론, 고객의 요구에 부응하고 전기통신 및 가전산업의 안전성 확보에 크게 기여할 수 있는 기초를 마련할 수 있게 된다.As a result, it is possible to greatly improve the ability to prevent damages caused by lightning surge and PCI energy for ESS battery, solar power generation, and various automatic control DC power sources, It will be possible to provide a basis for contributing to the reduction of natural disasters, meeting the needs of customers, and contributing to the safety of the telecommunication and home appliance industries.

도 1 내지 도 2는 종래의 직류전원에 있어 Surge 보호 장치를 나타낸 예시도이다.
도 3은 종래 기술에 적용되는 바리스터의 국제규격 IEC61643-331에 나타난 리미트 전압 특성을 나타낸 그래프이다.
도 4는 국제기구인 IEEE에서 발행한 기술집 1100-2005에 설명한 SPD의 문제점을 나타낸 예시도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치의 구성도이다.
도 6는 본 발명의 실시예에 따른 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치의 PCI 흡수부 구성 블록도이다.
도 7는 본 발명의 실시예에 따른 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치의 PCI 흡수부의 각 구성 예시도이다.
도 8는 파형정형모듈의 파형 정형과 웨이브트래킹모듈의 펄스 폭 신호를 나타낸 그래프.
도 9은 본 발명의 실시예에 따른 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치의 등가 회로도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치의 싱글 모드일 경우를 나타낸 구성 예시도이며, 도 11은 멀티 모드일 경우를 나타낸 구성 예시도이다.
FIG. 1 and FIG. 2 illustrate surge protection devices in a conventional DC power source.
Fig. 3 is a graph showing the limit voltage characteristics shown in the international standard IEC61643-331 of the varistor applied to the prior art.
4 is an exemplary view showing the problem of the SPD described in the IEEE 1100-2005 issued by the international organization IEEE.
5 is a configuration diagram of a surge protection device that also serves as EMP protection according to an embodiment of the present invention.
6 is a block diagram of a PCI absorptive portion of a surge protection device that also serves as EMP protection according to an embodiment of the present invention.
Fig. 7 is a diagram showing an example of the configuration of a PCI absorber of a surge protection device that also serves as EMP protection according to an embodiment of the present invention.
8 is a graph showing the waveform shaping of the waveform shaping module and the pulse width signal of the wave tracking module.
Fig. 9 is an equivalent circuit diagram of a surge protection device that also serves as EMP protection according to an embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration of a single mode of a surge protection device that combines EMP protection according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 11 illustrates an exemplary configuration of a multi mode.

이하의 내용은 단지 본 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만, 본 발명의 원리를 구현하고 본 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다.The following merely illustrates the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art will be able to devise various apparatuses which, although not explicitly described or illustrated herein, embody the principles of the invention and are included in the concept and scope of the invention.

또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 본 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.Furthermore, all of the conditional terms and embodiments listed herein are, in principle, only intended for the purpose of enabling understanding of the concepts of the present invention, and are not to be construed as limited to such specifically recited embodiments and conditions do.

정상 상용 교류나 직류 또는 통신 신호를 부하로 공급하는 선로에 낙뢰 등에 의한 서지(Surge)나 전자기 폭탄이나 핵폭발에 의한 EMP(Electromagnetic pulse)가 유입되면 서지(Surge)에너지나 PCI(Pulse Current Injection)에너지가 유입되는데 상기 서지(Surge) 에너지나 PCI(Pulse Current Injection) 에너지는 고주파 에너지이다.Surge energy or PCI (Pulse Current Injection) energy when a surge caused by a lightning strike or an electromagnetic pulse due to an electromagnetic bomb or a nuclear explosion flows into a line supplying normal AC, DC, or communication signals to a load, Surge energy and PCI (Pulse Current Injection) energy are high-frequency energy.

일반적으로 서지(Surge) 에너지는 20KHz ~ 20MHz의 고주파 영역을 갖고, PCI(Pulse Current Injection)에너지 300MHz에 달하는 고주파 영역을 갖는다.Generally, the surge energy has a high frequency range of 20 KHz to 20 MHz and a high frequency range of 300 MHz of pulse current injection (PCI) energy.

이러한 고주파 에너지가 선로에 연결되어 있는 부하로 그대로 유입되면 부하에 치명적 문제(예: 파손이나 오동작 등)를 유발시키게 되는데, 본 발명의 EMP(Electromagnetic Pulse) 보호를 겸하는 서지 보호장치는 선로에 유입된 서지나 EMP에 의한 고주파 에너지가 부하에 전달되는 것을 방지하고자 하는 발명이다.When such high frequency energy flows into the load connected to the line as it is, it causes a fatal problem (for example, breakage or malfunction) in the load. In the surge protection device serving also as EMP (electromagnetic pulse) protection of the present invention, It is an invention to prevent high frequency energy caused by surge or EMP from being transmitted to the load.

<실시예><Examples>

본 발명의 실시예에 따른 EMP(Electromagnetic Pulse) 보호를 겸하는 서지 보호장치는,The surge protection device which also protects the EMP (electromagnetic pulse) according to the embodiment of the present invention,

입력측(L1) 라인과 부하측(L1') 라인 사이에 형성되고, 저항 또는 리액터로 구성되어 PCI 흡수부(400)와 연동하여 저항 또는 리엑터로 작동하고, PCI 흡수부(400)와의 시정수에 따라 입력측에서 공급되는 직류나 저주파 상용 교류는 부하측으로 공급시키고, 입력측에서 공급되는 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지는 부하측으로의 공급을 차단 시키는 저주파 결합부(200)와,And is formed between a line on the input side (L1) and a line on the load side (L1 ') and is constituted by a resistor or a reactor and operates as a resistor or a reactor in cooperation with the PCI absorber (400). According to the time constant with the PCI absorber A low frequency coupling unit 200 for supplying a direct current or a low frequency commercial AC supplied from the input side to the load side and for interrupting the supply to the load side of the surge voltage supplied from the input side or the high frequency energy generated by the PCI voltage,

입력측(L1) 라인과 접지(G) 라인 사이에 구성되며, 입력측(L1) 라인과 접지(G) 라인 사이에 서지 전압이나 PCI 전압의 고주파 전압이 인가되면 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 흡수하여 충전시키고, 충전이 멈추게 되면 방전하면서 충전되었던 고주파 에너지를 소진시키는 서지 흡수부(300)와,When a surge voltage or a high-frequency voltage of a PCI voltage is applied between the input side (L1) line and the ground (G) line, and the surge voltage or the PCI voltage is applied between the input side A surge absorption unit 300 for absorbing and charging the high frequency energy and discharging the charged high frequency energy when the charging stops,

부하측(L1') 라인과 접지(G) 라인 사이에 구성되며, 저주파 결합부(200)와 연동하여 캐패시터로 작동하고, 저주파 결합부(200)와의 시정수에 따라 직류 또는 저주파 상용 교류는 손실 없이 부하측으로 공급시키고, 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지는 흡수하여 부하측으로의 공급을 차단시키는 PCI 흡수부(400)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.And operates as a capacitor in cooperation with the low frequency coupling section 200. The direct current or the low frequency commercial current flows in accordance with the time constant with the low frequency coupling section 200 without loss And a PCI absorber 400 for absorbing high frequency energy caused by a surge voltage or a PCI voltage to cut off the supply to the load side.

상기 서지흡수부(300)는,The surge absorption unit 300 includes:

입력측(L1) 라인과 접지(G) 라인 사이에 서지 전압이나 PCI 전압인 고주파 전압이 인가되면 인가된 고주파 전압에 의해 동작하여 고주파 전압에 의한 고주파 에너지가 에너지저장모듈(320)로 제공되어 충전되도록 하는 서지에너지검출제어모듈(310);When a surge voltage or a high-frequency voltage, which is a PCI voltage, is applied between the input side (L1) line and the ground (G) line, high frequency voltage generated by the high frequency voltage is supplied to the energy storage module 320 A surge energy detection control module 310;

서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 충전하는 에너지저장모듈(320);An energy storage module 320 for charging a high frequency energy due to a surge voltage or a PCI voltage;

상기 에너지저장모듈(320)에 연결 구성되어 에너지저장모듈(320)에 충전된 고주파 에너지를 소진시키는 에너지소거모듈(330);을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.And an energy erasing module 330 connected to the energy storage module 320 to exhaust the high frequency energy stored in the energy storage module 320.

상기 PCI 흡수부(400)는,The PCI absorber 400 may include:

부하측(L1') 라인과 접지(G) 라인 사이에 입력되는 직류나 저주파 상용 교류의 전압 또는 서지 전압이나 PCI 전압의 파형을 정형하여 정, 역에 관계없이 항상 일정한 극성으로 웨이브트래킹모듈(430)로 제공하기 위한 파형정형모듈(420),The wave tracking module 430 forms a waveform of a DC voltage or a surge voltage or a PCI voltage inputted between the load side L1 'line and the ground (G) line, A waveform shaping module 420,

상기 파형정형모듈(420)에서 제공된 정형 된 파형으로부터 서지 전압 성분이나 PCI 전압 성분이 존재하는 시간 대역을 검출하고, 검출된 시간 대역에서 일정 펄스 폭을 갖는 펄스 폭 신호인 출력신호를 스위칭모듈(440)로 제공하기 위한 웨이브트래킹모듈(430),Detects a time band in which a surge voltage component or a PCI voltage component exists from the waveform formed by the waveform shaping module 420 and outputs an output signal that is a pulse width signal having a constant pulse width in the detected time band to the switching module 440 A wave-tracking module 430 for providing the wave-

상기 웨이브트래킹모듈(430)로부터 펄스 폭 신호인 출력 신호가 제공되면, 출력신호를 트리거 신호로 하여 충방전부(450)와 접속됨으로서, 유입되는 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 충방전부(450)로 흘려보내는 스위칭모듈(440)을 포함하여 구성되는 서지전압스위칭부(410)와;When the output signal of the pulse width signal is supplied from the wave tracking module 430, the output signal is connected to the charging unit 450 using the output signal as a trigger signal, and the high frequency energy due to the incoming surge voltage or the PCI voltage is supplied to the charging unit 450 A surge voltage switching unit 410 configured to include a switching module 440 that allows the surge voltage to flow to the switching unit 440;

상기 서지전압스위칭부(410)에서 제공되는 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 소멸시키는 충방전부(450);를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.And a charge and discharge unit 450 for dissipating high-frequency energy generated by the surge voltage or the PCI voltage provided by the surge voltage switching unit 410.

이하에서는, 본 발명에 의한 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치의 실시예를 통해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a description will be made in detail of an embodiment of a surge protection device that protects EMP according to the present invention.

일반적으로 낙뢰가 발생하면 뇌파가 발생 되고 발생 된 뇌파는 공기 중으로 전파되어 선로에 뇌전류에 의한 서지 에너지가 유도되고, EMP 폭발이나 핵폭발 등이 발생하면 전자기파인 EMP가 발생 되고 발생 EMP는 공기 중으로 전파되어 선로에 도달되면 플레밍의 오른손 법칙에 의해 PCI(Pulse Current Injection) 에너지가 유도된다.Generally, when lightning occurs, brain waves are generated, and the generated EEG is propagated into the air to induce surge energy by the brain current. When an EMP explosion or a nuclear explosion occurs, an electromagnetic wave EMP is generated and the generated EMP is propagated into the air Upon reaching the track, Fleming's right-hand rule induces PCI (Pulse Current Injection) energy.

이와 같이 낙뢰 등에 의한 서지 에너지나 EMP 폭발이나 핵폭발 등에 의한 PCI(Pulse Current Injection) 에너지는 고주파 에너지로 선로에 유입되고 유입된 고주파 에너지에 의해 선로에 부하로 연결된 ESS용 배터리 시스템의 충전제어 장치나, 태양광발전 시스템 및 각종 전기 관련 장치가 파손되거나 손상을 입을 수 있게 된다.In this way, PCI (Pulse Current Injection) energy caused by surge energy caused by lightning, EMP explosion, nuclear explosion, etc., is supplied to the charging control device of the ESS battery system connected to the line by the high- The photovoltaic power generation system and various electric devices may be damaged or damaged.

따라서, 본 발명에서는 상기한 바와 같이 예기치 않은 서지(Surge) 및 PCI 에너지와 같은 과도에너지 유입에 따른 피해를 예방하기 위한 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치를 제공하고자 한다.Accordingly, the present invention provides a surge protection device that combines EMP protection to prevent damage due to excessive energy input such as surge and PCI energy as described above.

본 발명에서는 AC, DC, 통신선로에 대한 기본적인 충격파 흡수 방법은 유사하므로 중복 설명을 피하고자 편의상 -극(B-)을 접지하는 경우로 하여 본 발명을 설명하기로 한다.In the present invention, since the basic shock wave absorbing method for AC, DC, and communication lines is similar, the present invention will be described as a case where the pole (B-) is grounded for convenience in order to avoid redundant explanation.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치의 구성도이다.5 is a configuration diagram of a surge protection device that also serves as EMP protection according to an embodiment of the present invention.

도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명인 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치(100)는 입력측 라인(L1, L2(또는 접지(G, 이하 접지(G)라 함)) 및 부하측 라인(L1', L2'(또는 접지(G)) 사이에 형성되게 된다.5, the surge protective device 100 which also serves as the EMP protection of the present invention includes input side lines L1 and L2 (or ground (G), hereinafter referred to as ground G) and load side lines L1 'and L2 (Or the ground G).

상기 서지 보호장치(100)는 저주파결합부(200), 서지흡수부(300), PCI 흡수부(400)을 포함하여 구성된다.The surge protector 100 includes a low frequency coupling unit 200, a surge absorption unit 300, and a PCI absorption unit 400.

이때, 상기 저주파결합부(200)는 입력측(L1) 라인과 부하측(L1') 라인 사이에 형성되며, 상기 서지흡수부(300)는 입력측(L1) 라인과 접지(G) 라인 사이에 형성되며, 상기 PCI 흡수부(400)은 부하측(L1') 라인과 접지(G) 라인 사이에 구성되는 것을 특징으로 한다.The low frequency coupling unit 200 is formed between the input side L1 and the load side L1 'and the surge absorption unit 300 is formed between the input side L1 and the ground G , And the PCI absorber 400 is formed between the load side L1 'line and the ground (G) line.

하기에서는 상기 저주파결합부(200), 서지흡수부(300), PCI 흡수부(400)에 대한 구성적 특징으로 구체적으로 설명하도록 하겠다.Hereinafter, the low frequency coupling unit 200, the surge absorption unit 300, and the PCI absorption unit 400 will be described in detail.

상기 저주파결합부(200)는 입력측(L1) 라인과 부하측(L1') 라인 사이에 형성되고, 저항 성분 또는 리액터 성분으로 구성되어 PCI 흡수부(400)와 연동하여 저항 또는 리엑터로 작동하고, PCI 흡수부(400)와의 시정수에 따라 입력측에서 공급되는 직류나 저주파 상용 교류는 부하측으로 공급시키고, 입력측에서 공급되는 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지는 부하측으로의 공급을 차단 시키는 기능을 수행한다.The low frequency coupling unit 200 is formed between the input side L1 and the load side L1 'and is composed of a resistance component or a reactor component. The low frequency coupling unit 200 operates as a resistor or a reactor in conjunction with the PCI absorption unit 400, The DC or low frequency AC supplied from the input side is supplied to the load side according to the time constant with the absorber 400 and the surge voltage supplied from the input side or the high frequency energy caused by the PCI voltage functions to cut off the supply to the load side .

즉, 상기 저주파결합부(200)는 입력측(L1) 라인과 부하측(L1') 라인 사이에 리액터 또는 저항으로 구성되게 된다. 이때, 저주파결합부(200)는 저항보다는 리액터로 구성하는 것이 바람직하다.That is, the low-frequency coupling unit 200 is composed of a reactor or a resistor between a line on the input side (L1) and a line on the load side (L1 '). At this time, it is preferable that the low frequency coupling unit 200 is formed of a reactor rather than a resistor.

그리고 상기 저주파결합부(200)는 입력측에서 공급되는 직류나 저주파 상용 교류는 부하측으로 공급시키고, 입력측에서 공급되는 서지나 PCI 고주파 에너지는 부하측으로의 공급을 차단 시키는 기능을 수행하게 된다.The low-frequency coupling unit 200 supplies DC or low-frequency alternating current supplied from the input side to the load side, and surge supplied from the input side or PCI high-frequency energy to cut off supply to the load side.

상기 저주파결합부(200)는 리액터 또는 저항으로 구성되기 때문에 고주파수를 갖는 서지나 PCI 에너지의 통과를 차단하지만 직류나 저주파 상용 교류는 그대로 통과시키게 된다.Since the low-frequency coupling unit 200 is composed of a reactor or a resistor, it blocks the passage of surges or PCI energy having a high frequency, but allows direct current or low-frequency AC to pass therethrough.

상기 저주파결합부(200)에 의해 직류나 저주파 상용 교류는 통과되고 서지나 PCI 고주파 에너지는 차단되는 과정을 간단히 설명한다.The process of passing the direct current or the low frequency commercial AC by the low frequency coupling unit 200 and interrupting the surge or PCI high frequency energy is briefly described.

상기 저주파결합부(200)는 저항이나 리엑터로 구성되기 때문에 전기적으로 'R이나 L'로 동작하고, 후술할 PCI 흡수부(400)는 전기적으로 'C'로 동작하기 때문에 저주파결합부(200)와 PCI 흡수부(400)의 연동에 의해 시정수(T=RC 또는 LC)가 결정되고 결정된 시정수에 의해 작동 주파수(f=1/T)가 결정되어 결정된 작동 주파수 이하의 주파수를 갖는 직류나 저주파 상용 교류는 통과시키고 작동 주파수 이상의 주파수를 갖는 낙뢰 등에 의한 서지 전압이나 EMP 등에 의한 PCI 전압의 고주파 에너지는 차단시키는 것이다.Since the low frequency coupling unit 200 is formed of a resistor or a reactor, the low frequency coupling unit 200 electrically operates as 'R or L', and the PCI absorption unit 400, which will be described later, (T = RC or LC) is determined by interlocking the PCI absorption unit 400 and the operation frequency f = 1 / T is determined by the determined time constant, Frequency alternating current is passed and the high frequency energy of the PCI voltage due to the surge voltage or the EMP due to the lightning or the like having the frequency exceeding the operating frequency is blocked.

즉, 상기 저주파결합부(200)와 PCI 흡수부(400)에 의해 결정된 주파수값 보다 낮은 주파수의 직류 혹은 상용교류(60Hz)는 별다른 저항 즉, 손실 없이 저주파결합부(200)를 통과하여 부하측(L1')으로 공급되지만 결정된 주파수값 보다 높은 주파수의 서지나 PCI에 의한 고주파 에너지는 차단되게 된다.That is, the DC or commercial alternating current (60 Hz) having a frequency lower than the frequency determined by the low frequency coupling unit 200 and the PCI absorption unit 400 passes through the low frequency coupling unit 200 without any resistance, L1 '), but the surge at a frequency higher than the determined frequency value or the high frequency energy caused by the PCI is blocked.

예를 들어, 저주파결합부(200)와 PCI 흡수부(400)에 의해 결정된 주파수값이 200Hz라면, 이보다 낮은 주파수의 직류 혹은 상용교류는 저주파결합부를 통과하게 되고 이보다 높은 주파수를 갖는 서지 전압이나 PCI 전압은 차단되게 된다.For example, if the frequency value determined by the low frequency coupling unit 200 and the PCI absorption unit 400 is 200 Hz, a DC or commercial AC having a lower frequency will pass through the low frequency coupling unit and a surge voltage having a higher frequency or a PCI The voltage is cut off.

상기 서지흡수부(300)는 입력측(L1) 라인과 접지(G) 라인 사이에 구성되며, 입력측(L1) 라인과 접지(G) 라인 사이에 서지 전압이나 PCI 전압의 고주파 전압이 인가되면 고주파 에너지를 흡수하여 충전시키고, 충전이 멈추게 되면 방전하면서 충전되었던 고주파 에너지를 소진시키는 기능을 수행하게 된다.When the surge voltage or the high-frequency voltage of the PCI voltage is applied between the input side (L1) line and the ground (G) line, the surge absorption unit 300 is arranged between the input side L1 line and the ground And discharges the charged high frequency energy when the charging is stopped.

상기와 같은 구성적 특징을 제공하기 위하여 서지흡수부(300)는 서지에너지검출제어모듈(310), 에너지저장모듈(320), 에너지소거모듈(330)을 포함하여 구성되게 된다.The surge absorption unit 300 includes the surge energy detection control module 310, the energy storage module 320, and the energy elimination module 330 to provide the above-described configuration.

상기 서지에너지검출제어모듈(310)은 입력측(L1) 라인과 접지(G) 라인 사이에 서지 전압이나 PCI 전압인 고주파 전압이 인가되면 인가된 고주파 전압에 의해 동작하여 고주파 전압에 의한 고주파 에너지가 에너지저장모듈(320)로 제공되어 충전시키는 기능을 수행한다.When the surge voltage is applied between the input side (L1) line and the ground (G) line, the surge energy detection control module 310 operates by the applied high frequency voltage to generate high frequency energy And is provided to the storage module 320 to perform charging.

도 5와 도 9을 통해 상기 서지에너지검출제어모듈(310)의 동작 특성을 구체적으로 설명한다.Operation characteristics of the surge energy detection control module 310 will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 9. FIG.

본 발명에 있어서, 서지 흡수부(300)와 PCI 흡수부(400)는 캐패시터(C)로 동작하고, 저주파결합부(200)는 저주파 성분은 통과시키고 고주파 성분은 차단하는 스위치로 동작하기 때문에 도 5는 도 9과 같은 등가 회로로 표현 될 수 있다.In the present invention, since the surge absorption unit 300 and the PCI absorption unit 400 operate as a capacitor C and the low frequency coupling unit 200 operates as a switch that passes low frequency components and blocks high frequency components 5 can be expressed by an equivalent circuit as shown in Fig.

따라서, 상용 교류 전원이 인가되는 선로에 갑자기 서지가 인가되면, 도 5의 'b-c간에는 순간 단락상태'가 되지만, 'a-b간에는 큰 전압강하'가 나타나며, 이는 a-c간에 즉, 입력측의 L1 - G 간에 '높은 전압'으로 나타나게 된다.Therefore, when a surge is suddenly applied to a line to which a commercial AC power is applied, a short voltage short between 'bc' appears in 'bc' in FIG. 5, 'High voltage'.

높은 전압이 L1 - G 간에 걸리면, 평상시 저주파 상용 교류 전압이 인가되는 상태에서는 아무런 작동을 하지 않던 서지에너지검출제어모듈(310)이 작동하게 되는데, 서지에너지검출제어모듈(310)의 작동은 단락 상태를 의미한다. When a high voltage is applied between L1 and G, the surge energy detection control module 310 operates in a state where the low frequency commercial AC voltage is normally applied. When the surge energy detection control module 310 operates, .

따라서, 서지에너지검출제어모듈(310)이 단락 상태가 되면 L1 - G 간에 걸린 '높은 전압'을 유발시킨 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지가 에너지저장모듈(320)에 저장되는 한편, 에너지소거모듈(330)에서 설정된 시정수에 따라 소모되어 소진되는 것이다.Therefore, when the surge energy detection control module 310 is short-circuited, the surge voltage caused by the 'high voltage' across the L1 - G or the high frequency energy due to the PCI voltage is stored in the energy storage module 320, Is consumed and exhausted according to the time constant set in the module (330).

이때, 상기와 같은 기능을 수행하기 위하여 서지에너지검출제어모듈(310)은 가스봉입방전관, GCA(Gate Contol Arrestor) 소자, 반도체 스위칭 소자 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 한다.In order to perform the above function, the surge energy detection control module 310 is configured of any one of a gas-filled discharge tube, a GCA (Gate Control Arrestor) device, and a semiconductor switching device.

구체적으로 설명하면, 수동방전소자인 가스봉입방전관 또는 능동방전소자인 GCA(Gate Contol Arrestor) 소자 또는 반도체 스위칭 소자 중에서 선택적으로 적용하게 되는 것이다.More specifically, the present invention is selectively applied to a gas-filled discharge tube, which is a passive discharge element, or a GCA (Gate Control Arrestor) element, which is an active discharge element, or a semiconductor switching element.

또한, 상기 반도체 스위칭 소자는 SCR(silicon controlled rectifier), Triac, GTO(Gate turn off) 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.The semiconductor switching device may be one of a silicon controlled rectifier (SCR), a triac, and a gate turn off (GTO).

이 중에서 상기 능동방전소자인 GCA(Gate Contol Arrestor) 소자의 경우 게이트 트리거를 위한 서지 주파수 검출 및 제어회로를 구비하게 되는데, 이에 대한 구체적인 설명은 본 발명인이 출원하여 등록된 대한민국등록특허번호 10-0817485호인 '방전제어전극이 구비된 방전소자 및 그 제어회로'로 공개 된바, 생략하도록 하겠다.In the case of the GCA (Gate Contol Arrester) element as the active discharge element, a surge frequency detection and control circuit for gate triggering is provided. A detailed description thereof will be given in Korean Patent No. 10-0817485 A discharge element having a discharge control electrode and a control circuit thereof, which will be omitted here.

상기 서지에너지검출제어모듈(310)로 가스봉입방전관을 직류전원 선로(+, -) 즉, L1-G(L2) 간에 적용하는 경우를 예를 들어 설명한다.A description will be given of a case where the surge energy detection control module 310 applies a gas filled discharge tube between DC power lines (+, -), that is, L1-G (L2).

평상시 사용되는 직류 전압이 600V이고, 가스봉입방전관의 자기방전전압은 이보다 조금 높은 650V로 설정(방전유지전압은 300V)하는 경우, 상기 고주파 전압인 서지 전압이나 PCI 전압에 의해 입력단인 L1 - G 간에 걸리는 '높은 전압'이 650V보다 상승 되면 가스봉입방전관은 방전을 하게 되고, 에너지저장모듈(320)의 Energy storage Capacitor에 충전되는데, 에너지저장모듈(320)에 충전이 이루어질 때는 상기한 고주파의 '높은 전압'뿐만 아니라 직류 600V 성분도 함께 충전된다.When the normally used direct current voltage is 600V and the self discharge voltage of the gas filled discharge tube is set to 650V (discharge sustaining voltage is 300V), the surge voltage, which is the high frequency voltage, or the PCI voltage, When the 'high voltage' is higher than 650V, the gas-filled discharge tube discharges and is charged into the energy storage capacitor of the energy storage module 320. When the energy storage module 320 is charged, Voltage 'as well as a DC 600V component.

이때 상기 Energy storage Capacitor인 에너지저장모듈(320)의 충전이 진행됨에 따라 에너지저장모듈(320) 양단의 전압이 상승하고, 이때 상기 서지에너지검출제어모듈(310)인 가스봉입방전관의 전압이 상기 고주파 전압인 서지 전압이나 PCI 전압에 의해 입력단인 L1 - G 간에 걸리는 '높은 전압'에서 감소하여 방전유지전압 300V에 다다르면 스스로 방전을 멈추고 이에 따라 에너지저장모듈(320)도 충전을 멈추게 되고, 에너지저장모듈(320)에 연결 접속된 에너지소거모듈(330)을 통해 방전하면서 충전되었던 에너지는 소진 되어진다.At this time, as the charging of the energy storage module 320 as the energy storage capacitor progresses, the voltage across the energy storage module 320 rises. At this time, the voltage of the gas filling discharge tube, which is the surge energy detection control module 310, When the discharge sustaining voltage reaches 300 V, the discharge is stopped by itself, and accordingly, the energy storage module 320 also stops charging. As a result, The energy that has been discharged while being discharged through the energy-eliminating module 330 connected to the battery 320 is exhausted.

상기 에너지저장모듈(320)은 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 충전하는 에너지 저장수단의 특징을 갖는 것으로, 바람직하게는 에너지 스토리지 커패시터(Energy storage Capacitor)로 구성되는 것을 특징으로 한다.The energy storage module 320 is characterized by an energy storing means for charging a high frequency energy caused by a surge voltage or a PCI voltage, and is preferably an energy storage capacitor.

그리고 상기 에너지소거모듈(330)은 에너지저장모듈(320)에 연결 구성되어 에너지저장모듈(320)에 충전된 고주파 에너지를 소진시키는 기능을 수행하게 된다.The energy elimination module 330 is connected to the energy storage module 320 and performs a function of exhausting the high frequency energy stored in the energy storage module 320.

상기와 같은 기능을 수행하기 위하여 저항 성분인 에너지소거모듈(330)을 에너지저장모듈(320)에 연결 구성시켜 에너지저장모듈에 충전된 고주파 에너지를 소진시키게 되는 것이다.In order to perform the above function, the energy elimination module 330, which is a resistance component, is connected to the energy storage module 320 to exhaust the high frequency energy charged in the energy storage module.

상기 PCI 흡수부(400)는 부하측(L1') 라인과 접지(G) 라인 사이에 구성되며, 저주파 결합부(200)와 연동하여 캐패시터로 작동하고, 저주파 결합부(200)와의 시정수에 따라 직류 또는 저주파 상용 교류는 손실 없이 부하측으로 공급시키고, 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지는 흡수하여 부하측으로의 공급을 차단시키는 기능을 수행하게 된다.The PCI absorber 400 is formed between a load L1 'line and a ground G line and operates as a capacitor in cooperation with the low frequency coupler 200 and is connected to the low frequency coupler 200 according to the time constant with the low frequency coupler 200 DC or low frequency commercial AC is supplied to the load side without loss and absorbs high frequency energy due to surge voltage or PCI voltage to cut off the supply to the load side.

상기한 작동 시정수에 따라 동작하는 구체적인 설명은 후술하도록 하겠다.A detailed description of the operation according to the above-mentioned operation time constant will be described later.

상기와 같은 구성적 특징으로 제공하기 위하여, 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 PCI 흡수부(400)는 파형정형모듈(420), 웨이브트래킹모듈(430), 스위칭모듈(440)을 포함하는 서지전압스위칭부(410)와 충방전부(450)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.6, the PCI absorption unit 400 includes a waveform shaping module 420, a wave tracking module 430, and a surge module 440 including a switching module 440, A voltage switching unit 410 and a charge / discharge unit 450.

이때, 서지전압스위칭부(410)를 구성하는 파형정형모듈(420), 웨이브트래킹모듈(430), 스위칭모듈(440)은 반도체 소자를 포함한 개별 칩(Chip)으로 구성되되, 리드 프레임 공법으로 하나의 반도체모듈로 제조하는 것을 특징으로 한다.The waveform shaping module 420, the wave tracking module 430 and the switching module 440 constituting the surge voltage switching unit 410 are formed of individual chips including semiconductor devices, Of the semiconductor module.

예를 들어, 서지전압스위칭부(410)를 구성하는 파형정형모듈(420), 웨이브트래킹모듈(430), 스위칭모듈(440)은 각각의 기능을 수행하는 반도체 소자를 조립하여 구비할 수 있으나, 부피와 공수가 커지는 단점이 있다. 따라서, 바람직한 본 발명의 실시 예에서는 상기 여러 반도체 소자로 구비된 칩(Chip)을 리드 프레임 공법으로 하나의 반도체 모듈로 제조하는 것을 특징으로 한다.For example, the waveform shaping module 420, the wave tracking module 430, and the switching module 440, which constitute the surge voltage switching unit 410, may include a semiconductor device for performing the respective functions, There is a disadvantage that the volume and the air volume become large. Accordingly, in a preferred embodiment of the present invention, a chip formed of the semiconductor devices is fabricated into a single semiconductor module by a lead frame method.

그리고 서지전압스위칭부(410)의 출력에는 충방전부(450) 즉, 부하를 구성하게 된다.The output of the surge voltage switching unit 410 constitutes a charging unit 450, that is, a load.

상기와 같은 서지전압스위칭부(410)와 충방전부(450)를 통해, 20KHz ~~300MHz 범위 내의 고주파 광대역인 서지(Surge) 에너지나 PCI 에너지를 제거하게 된다.Surge energy or PCI energy, which is a high-frequency broadband within a range of 20 KHz to 300 MHz, is removed through the surge voltage switching unit 410 and the charge / discharge unit 450 as described above.

구체적으로 설명하면, 상기 파형정형모듈(420)은 부하측(L1') 라인과 접지(G) 라인 사이에 입력되는 직류나 저주파 상용 교류의 전압 또는 서지 전압이나 PCI 전압의 파형을 정형하여 정, 역에 관계없이 항상 일정한 극성으로 웨이브트래킹모듈(430)로 제공하게 된다.Specifically, the waveform shaping module 420 forms a waveform of a DC voltage or a surge voltage or a PCI voltage, which is input between a load side L1 'line and a ground (G) line, The wave tracking module 430 is always provided with a constant polarity regardless of the polarity.

즉, 상기 파형정형모듈(420)은 선로에 입력되는 전원이나 신호의 극성을 한 방향으로 정형해 주는 기능을 수행하는 것이며, 바람직하게는 도 7에 도시한 바와 같이, 다이오드(Diode) 브리지로 구성되는 것을 특징으로 한다.That is, the waveform shaping module 420 performs a function of shaping the polarity of the power or signal input to the line in one direction. Preferably, as shown in FIG. 7, the waveform shaping module 420 includes a diode bridge .

예를 들어, 파형정형모듈(420)은 상용교류 60Hz 전압이 인가되는 상태에서 어느 순간에 낙뢰 등에 의한 고주파 서지 전압이나 EMP 등에 의한 고주파 PCI 전압이 중첩되어 유입되면 상용 교류 전압 파형과 고주파 서지 전압이나 PCI 전압 파형 모두를 정형하여 정, 역에 관계없이 항상 일정한 극성으로 웨이브트래킹모듈(430)에 보내준다.For example, the waveform shaping module 420 generates a commercial AC voltage waveform and a high frequency surge voltage when a high frequency surge voltage due to a lightning stroke or the like and a high frequency PCI voltage due to EMP are superimposed and flowed at a certain moment in a state where a commercial AC 60 Hz voltage is applied All of the PCI voltage waveforms are shaped and sent to the wave tracking module 430 at a constant polarity regardless of the positive or negative polarity.

도 8에는 파형정형모듈(420)에 의해 파형이 정형 된 저주파 상용 교류 전압 파형과 고주파 서지 전압나 PCI 전압의 파형이 중첩된 파형이 도시되어 있다.8 shows a waveform in which the waveform of the low frequency commercial AC voltage waveform in which the waveform is shaped by the waveform shaping module 420 and the waveform of the high frequency surge voltage or the PCI voltage are superimposed.

상기 웨이브트래킹모듈(430)은 상기 파형정형모듈(420)에서 제공된 정형 된 파형으로부터 서지 전압 성분이나 PCI 전압 성분이 존재하는 시간 대역을 검출하고, 검출된 시간 대역에서 일정 펄스 폭을 갖는 펄스 폭 신호인 출력신호를 스위칭모듈(440)로 제공하게 된다.The wave tracking module 430 detects a time band in which a surge voltage component or a PCI voltage component exists from the waveforms provided from the waveform shaping module 420 and outputs a pulse width signal having a predetermined pulse width in the detected time band. Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 440 &lt; / RTI &gt;

상기 웨이브트래킹모듈(430)에 의한 서지 전압 성분이나 PCI 전압 성분이 존재하는 시간 대역의 검출은 상용 교류 전압의 진폭보다 훨씬 큰 진폭을 갖는 고주파 서지 전압이나 고주파 PCI 전압의 진폭이 존재하는 시간 검출을 의미한다.Detection of the time band in which the surge voltage component or the PCI voltage component exists by the wave tracking module 430 can be detected by detecting the presence of the amplitude of the high frequency surge voltage or the high frequency PCI voltage having an amplitude much larger than the amplitude of the commercial AC voltage it means.

또한, 상기 펄스 폭 신호인 출력신호의 펄스 폭은 도 8에 도시된 바와 같이 서지 전압 성분이나 PCI 전압 성분이 존재하는 시간 구간에 해당하는 펄스 폭을 의미한다.The pulse width of the output signal, which is the pulse width signal, refers to a pulse width corresponding to a time interval in which a surge voltage component or a PCI voltage component exists, as shown in FIG.

즉, 상기 웨이브트래킹모듈(430)은 평상시의 직류 전원이나 50Hz/60Hz 사용 교류 전원 또는 일반적인 통신 신호는 지연된 신호와 지연되지 않은 신호 간 흔들림이 작아 스위칭모듈(440)을 트리거 할 수 있는 펄스 폭 신호를 출력하지 못하지만, 낙뢰 등에 의한 서지 전압이나 EMP 등에 의한 PCI 전압 등과 같은 과도전압은 지연된 신호와 지연되지 않은 신호 간 충분한 흔들림이 존재하기 때문에 스위칭모듈(440)을 트리거 할 수 있는 펄스 폭 신호를 출력하는 '래치' 기능을 수행하게 된다.That is, since the wave tracking module 430 is less susceptible to fluctuation between the delayed signal and the non-delayed signal than the normal DC power source, 50 Hz / 60 Hz AC power source, or general communication signal, the pulse tracking signal that can trigger the switching module 440 A transient voltage such as a surge voltage due to a lightning stroke or a PCI voltage due to an EMP or the like causes a sufficient fluctuation between a delayed signal and a delayed signal so that a pulse width signal capable of triggering the switching module 440 is output To perform the 'latch' function.

따라서, 상기 웨이브트래킹모듈(430)은 직류 전원이나 50Hz/60Hz 상용 교류 전원 또는 통신 신호일 경우에는 스위칭모듈(440)로 펄스 폭 신호인 출력 신호를 제공하지 않지만, 서지 전압이나 PCI 전압과 같은 과도 전압일 경우에 이를 감지하여 스위칭모듈(440)로 일정 펄스 폭을 갖는 펄스 폭 신호인 출력 신호를 전달하는 것이다.Accordingly, the wave tracking module 430 does not provide an output signal, which is a pulse width signal, to the switching module 440 when it is a direct current power source or a 50 Hz / 60 Hz commercial AC power or communication signal. However, when the surge voltage, The switching module 440 transmits the output signal, which is a pulse width signal having a predetermined pulse width, to the switching module 440.

도 7에 도시한 바와 같이, 상기 파형정형모듈(420)은 다이오드(Diode) 브리지로 구성되고, 상기 웨이브트래킹모듈(430)은 Comp, R1, C1을 포함하도록 구성될 수 있으며, 이 경우 웨이브트래킹모듈(430)의 Comp (-) 단자에는 R1과 C1이 연결되게 된다.As shown in FIG. 7, the waveform shaping module 420 may be configured as a diode bridge, and the wave tracking module 430 may be configured to include Comp, R1, and C1. In this case, R1 and C1 are connected to the Comp (-) terminal of the module 430.

상기의 구성을 예를 들어, 파형정형모듈(420)과 웨이브트래킹모듈(430)의 동작 특성을 설명한다.For example, the operation characteristics of the waveform shaping module 420 and the wave tracking module 430 will be described.

예를 들어, 60Hz, 220V인 상용교류 전압이 인가되고 있는 상태에서 어느 순간에 서지가 중첩되어 A방향으로 유입되면, 파형정형모듈(420)인 다이오드(Diode) 브리지(BD1)를 통해 상용 교류 전압과 중첩된 서지 전압은 정류(정형)되어 웨이브트래킹모듈(430)의 구성인 Comp (+) 입력단자에 공급되는 동시에 웨이브트래킹모듈(430)의 구성인 R1과 C1을 거쳐 평활 되고 지연되어 Comp (-)단자에도 공급된다.For example, when a commercial AC voltage of 60 Hz or 220 V is applied and the surge is superimposed at any moment and flows in the A direction, a commercial AC voltage (hereinafter referred to as &quot; AC voltage &quot;) flows through a diode bridge (+) Input terminal, which is a component of the wave tracking module 430, and is smoothed and delayed through R1 and C1, which are components of the wave tracking module 430, -) terminal.

구체적으로 설명하면, 웨이브트래킹모듈(430)의 구성인 Comp (+) 단자에는 정류된 상용 교류 전압(도 8의 231)이 인가되고, Comp (-) 단자에는 R1과 C1에 따른 시정수 만큼 지연된 정류된 상용 교류 전압(도 8의 232)이 인가되고 있는 상태에서 만약, 어느 순간에 펄스(Pulse) 성분의 서지(도 8의 233) 전압이 유입되면, 정류된 서지 전압은 Comp (+) 단자에 정류된 상용교류 전압 성분에 중첩되어 인가되지만 Comp (-) 단자에는 R1과 C1에 따른 시정수에 따라 서지 전압 성분은 평활 되어 시정수 만큼 지연된 상용교류 전압 성분만 인가되는 것이다.More specifically, the rectified commercial AC voltage (231 in FIG. 8) is applied to the Comp (+) terminal which is a component of the wave tracking module 430 and the Comp (-) terminal is delayed by the time constant If the surge voltage (233 in FIG. 8) of the pulse component flows at any moment while the rectified commercial AC voltage (232 in FIG. 8) is applied, the rectified surge voltage is applied to the Comp The surge voltage component is smoothed according to the time constant according to R1 and C1, and only the commercial AC voltage component delayed by the time constant is applied to the Comp (-) terminal.

따라서, Comp는 이를 비교하여 서지 펄스가 존재하는 시간 구간에 해당하는 펄스 폭을 갖는 펄스 폭 신호(234)인 출력신호를 출력하게 되며, 펄스 폭 신호인 출력신호는 스위칭모듈(440)의 구성인 SW1의 게이트 트리거 신호가 되어 A-B로 유입된 서지 전압에 의한 고주파 에너지를 충방전부(450)의 구성인 R2로 흘려 소멸하게 하는 것이다.Therefore, Comp compares the output signal with the pulse width signal 234 having the pulse width corresponding to the time period in which the surge pulse exists, and outputs the pulse width signal as an output signal of the switching module 440 The gate trigger signal of SW1 causes the high frequency energy caused by the surge voltage flowing into AB to flow to R2, which is the configuration of the charging unit 450, to be destroyed.

상기 스위칭모듈(440)은 상기 웨이브트래킹모듈(430)에 의해 제공된 출력 신호를 트리거 신호로 하여 충방전부(450)를 접속시켜 유입되는 서지 전압의 고주파 에너지를 충방전부(450)로 흘려보내는 기능을 수행하게 되는 것이다.The switching module 440 has a function of connecting the charging unit 450 with the output signal provided by the wave tracking module 430 as a trigger signal and allowing the high frequency energy of the applied surge voltage to flow to the charging unit 450 .

즉, 스위칭모듈(440)은 웨이브트래킹모듈(430)로부터 트리거 신호인 펄스 폭 신호가 전달되면 펄스 폭에 해당하는 시간(서지 전압이나 PCI 전압이 존재하는 시간) 동안 스위칭 온 되어(도통되어) 충방전부(450)를 접속(스위칭)시켜 입력(A, B)라인에 유입되는 서지나 PCI 고주파 에너지를 충방전부(450)에 제공하여 소멸시키게 하는 기능을 수행하는 것이다.That is, when the pulse width signal as the trigger signal is transmitted from the wave tracking module 430, the switching module 440 is switched on (conducted) for a time corresponding to the pulse width And performs a function of connecting (turning on) the front part 450 and providing surge or PCI high frequency energy flowing into the input (A, B) line to the charging part 450 to be destroyed.

이때, 상기 충방전부(450)는 상기 스위칭모듈(440)이 트리거 신호인 펄스 폭 신호에 의해 도통되어 인가되는 서지 전압에 의한 고주파 에너지를 소멸시키게 되는 것이다.At this time, the charging unit 450 is energized by the pulse width signal which is the trigger signal of the switching module 440, and the high frequency energy due to the surge voltage applied thereto is destroyed.

또한, 상기 충방전부(450)는 저항(R), 인덕턴스(L), 커패시터(C), 전압제한소자 중 어느 하나 내지 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하며, 도 7에서는 충방전부(450)가 저항으로 구성되는 예시를 보이고 있다.The charging and discharging unit 450 is formed of any one or combination of a resistor R, an inductance L, a capacitor C and a voltage limiting device. In FIG. 7, As shown in FIG.

한편, 도면에 도시되어 있지는 않지만 상기 충방전부(450)는 에너지 스토리지인 커패시터(Energy storage Capacitor)와 저항을 병렬로 접속하여 구성될 수 있다. 이 경우 에너지 스토리지 커패시터(Energy storage Capacitor)를 통해 서지 에너지를 충전한 후, 병렬로 접속된 저항을 통해 방전하면서 에너지를 소진하게 되는 것이다.Meanwhile, although not shown in the drawing, the charging and discharging unit 450 may be configured by connecting an energy storage capacitor and a resistor in parallel. In this case, the surge energy is charged through the energy storage capacitor, and the energy is discharged while discharging through the resistor connected in parallel.

상기 PCI 흡수부(400)와 상기 저주파결합부(200)는 상호 연동 작용에 대역 필터로 작동하게 된다. 즉, 상기 PCI 흡수부(400)와 상기 저주파결합부(200)는 상호 연동 작용에 의한 시정수에 따라 직류 또는 60Hz의 상용 교류는 손실 없이 저주파결합부를 통과하여 부하측으로 공급시키거나, 서지 전압이나 PCI 전압의 고주파 전압은 부하측으로 공급을 차단 시키게 되는데, 이에 대하여 구체적으로 설명하도록 하겠다.The PCI absorption unit 400 and the low frequency coupling unit 200 operate as a band filter for interlocking operation. In other words, the PCI absorber 400 and the low-frequency coupling unit 200 can supply DC or 60-Hz commercial AC through the low-frequency coupling unit to the load side without loss, The high-frequency voltage of the PCI voltage interrupts the supply to the load side, which will be described in detail.

본 발명에서 상기 저주파결합부(200)는 저항이나 리엑터로 구성되기 때문에 저항 성분(R 또는 L))으로 작용하고, 상기 PCI 흡수부(400)는 캐패시터(C)로 작용하기 때문에 작동 시정수는 T=0.7RC(또는 0.7LC)의 값이 된다.Since the low frequency coupling part 200 functions as a resistance component R or L because it is constituted by a resistor or a reactor and the PCI absorption part 400 functions as a capacitor C, T = 0.7RC (or 0.7LC).

상기 PCI 흡수부(400)와 상기 저주파결합부(200)는 상호 연동 작용에 의해 결정된 시정수 T에 의해 f=1/T로 환산되는 주파수가 결정된다.The frequency at which f = 1 / T is converted by the time constant T determined by the interlocking action of the PCI absorption unit 400 and the low frequency coupling unit 200 is determined.

상기 결정된 주파수 f=1/T은 상기 PCI 흡수부(400)와 상기 저주파결합부(200)가 대역 필터로 작동시 필터링 주파수를 의미하는 것이다.The determined frequency f = 1 / T means a filtering frequency when the PCI absorption unit 400 and the low frequency coupling unit 200 operate as a band-pass filter.

그리고 상기 시정수식에서 시정수 계수를 0.7로 한 것은 본 발명이 적용되는 환경이 직류 또는 상용교류 60Hz 수준의 주파수와 20KHz ~ 20MHz의 서지 주파수나 300MHz에 달하는 PCI 주파수를 구분하기 위한 것으로, 상기 20KHz ~ 20MHz의 서지 주파수나 300MHz에 달하는 PCI 주파수는 매우 넓은 주파수 대역이기 때문에 예민한 값이 필요한 게 아니라 평탄한 특성이 더 중요하므로 시정수 계수를 0.7로 제시하여 설명 하였으며, 본 발명에서는 이에 한정되지는 않는다.The time constant coefficient is set to 0.7 in the above time equation to distinguish between the frequency of the DC or commercial alternating current of 60 Hz and the surge frequency of 20 kHz to 20 MHz or the PCI frequency of 300 MHz. Since a surge frequency of 20 MHz or a PCI frequency reaching 300 MHz is a very wide frequency band, a precise value is not required but a flat characteristic is more important. Therefore, the time constant coefficient is described as 0.7, and the present invention is not limited thereto.

따라서 상기 저주파결합부(200)와 PCI 흡수부(400)에 의해 결정된 주파수 값보다 낮은 주파수의 직류나 상용교류 60Hz는 별다른 저항 즉, 손실 없이 저주파결합부(200)를 통과하여 부하측(L1)으로 공급되고, 20 kHz ~ 20MHz에 달하는 서지 전압이나 300MHz에 달하는 PCI 전압 성분은 저주파결합부(200)의 저항 성분(저항 또는 리엑턴스)에 의해 저항을 받아 통과하지 못하는 것이다.The DC or commercial alternating current of 60 Hz lower than the frequency determined by the low frequency coupling part 200 and the PCI absorption part 400 passes through the low frequency coupling part 200 without any resistance or loss, And a surge voltage ranging from 20 kHz to 20 MHz or a PCI voltage component reaching 300 MHz can not pass through resistance due to the resistance component (resistance or reactance) of the low frequency coupling section 200.

한편, 서지(Surge)에 대한 규격 KS C IEC61643-11 및 KS C IEC61000-4-5를 바탕으로 서지(Surge) 모의시험 규격을 보면 서지를 발생시키기 위한 에너지는 20uF의 Energy storage Capacitor라는 사실이다.On the other hand, based on the Surge Standard Specification KS C IEC61643-11 and KS C IEC61000-4-5, it is true that the energy required to generate the surge is 20uF Energy Storage Capacitor.

그리고 본 발명의 상기 서지에너지검출제어모듈(310) 및 서지전압스위칭부(410)는 직류, 저주파 사용 교류 전원 등의 인가시인 평상시에 절연을 유지하다가 낙뢰 등에 의한 서지 전압이나 EMP 등에 의한 PCI 전압이 유입될 때에는 에너지저장모듈(320)과 충방전부(450)에 그 에너지를 저장하는 기능을 가지므로 평상시에는 전력소비나 신호 손실이 없게 하는 특징이 있는 것이다.The surge energy detection control module 310 and the surge voltage switching unit 410 of the present invention maintain insulation at normal times when a direct current, low frequency use AC power source, etc. are applied, and the surge voltage and ESP The energy storage module 320 and the charge / discharge unit 450 have a function of storing the energy, so that there is no power consumption or signal loss at normal times.

다음은 본 발명인 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치의 적용 사례들을 구체적으로 설명하도록 하겠다.Hereinafter, the application examples of the surge protection device that combines the EMP protection of the present invention will be described in detail.

도 10에 도시한 바와 같이, 싱글 모드일 경우에는 입력측(L1, L2)과 부하측(L1', L2')간에 저주파결합부(200)을 각각 구성하고, 전원측 선로 양단(L1-L2)에 서지흡수부(300)를 구성하고, 부하측 선로양단(L1'-L2')에 PCI 흡수부(400)을 구성하게 된다.As shown in FIG. 10, in the single mode, the low frequency coupling portion 200 is formed between the input side L1 and the input side L1 and the load side L1 'and L2' The absorber 300 and the PCI absorber 400 at both ends of the load-side line L1'-L2 '.

이는 전원선 또는 신호선 뿐만 아니라 접지선을 통한 서지(Surge) 및 PCI 유입을 방호하는데에도 상당한 장점을 발휘하게 된다.This has significant advantages in protecting the surge and PCI inflow through the ground wire as well as the power line or signal line.

또한, 도 11에 도시한 바와 같이, 다수의 선로(L1, L2, L3,,,Ln)에 상기 저주파결합부(200), 서지흡수부(300), PCI 흡수부(400)을 구성할 경우에는 즉, 멀티 모드일 경우에는 입력측(L1, L2, L3,,,Ln) 라인과 부하측(L1', L2', L3',,,Ln') 라인 사이에 저주파결합부(200)를 각각 구성하며, 입력측 각각의 선로와 접지간(L1-G, L2-G, L3-G,,,Ln-G)에 서지흡수부(300)를 각각 구성하고, 부하측 각각의 선로와 접지간(L1'-G, L2'-G, L3'-G,,,Ln'-G)에 각각 PCI 흡수부(400)을 구성하는 것을 특징으로 한다.11, when the low frequency coupling unit 200, the surge absorption unit 300, and the PCI absorption unit 400 are configured in a plurality of lines L1, L2, L3,, and Ln A low frequency coupling unit 200 is provided between the input side L 1, L 2, L 3, Ln and the load side L 1 ', L 2', L 3 ', Ln' And a surge absorbing part 300 is formed between each of the lines on the input side and the ground L1-G, L2-G, L3-G, -G, L2'-G, L3'-G, and Ln'-G, respectively.

이는 다수의 전원 입력을 가지는 태양광 충전 및 다상 입력을 가지는 전원에 도입할 경우에 Surge 및 PCI 유입을 방호하는데 유리한 특성을 가지게 된다. This has the advantageous properties of protecting the Surge and PCI inflow when introduced into a power supply with solar charging and multi-phase input with multiple power inputs.

상기와 같은 구성에 의하면, 서지(Surge) 및 EMP 충격파(PCI, Pulse current injection)가 AC전원, 신호선로, 충전제어가 동반되는 ESS용 배터리 및 태양광발전, 각종 자동제어용 DC 전원과 신호선 등에 유도되는 것을 방지하는 효과를 발휘하게 된다.According to the above configuration, the surge and the EMP shock pulse (PCI) are induced to the AC power, the signal line, the ESS battery accompanied with the charge control, the solar power, It is possible to obtain the effect of preventing the

또한, 본 발명의 EMP PCI보호용 반도체모듈은 상술한 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치의 서지 흡수부(300)을 반도체 모듈화한 것으로 구성과 동작 특성은 상술한 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치의 서지 흡수부(300)와 동일하고 아래의 구성적 특징을 갖는다.In addition, the semiconductor module for EMP PCI protection of the present invention is constituted by forming the surge absorption section 300 of the surge protection device that also functions as the EMP protection as a semiconductor module, and the operation characteristics are the same as those of the surge absorption section (300) and has the following structural features.

본 발명의 EMP PCI보호용 반도체모듈은,The EMP PCI protection semiconductor module of the present invention comprises:

라인(L1')과 접지(G) 라인 사이에 입력되는 직류나 저주파 상용 교류의 전압 또는 서지 전압이나 PCI 전압의 파형을 정형하여 정, 역에 관계없이 항상 일정한 극성으로 웨이브트래킹모듈(430)로 제공하기 위한 파형정형모듈(420),A waveform of a DC voltage or a surge voltage or a PCI voltage inputted between the line L1 'and the ground (G) line is shaped so that the wave tracking module 430 A waveform shaping module 420 for providing the waveform shaping module 420,

상기 파형정형모듈(420)에서 제공된 정형 된 파형으로부터 서지 전압 성분이나 PCI 전압 성분이 존재하는 시간 대역을 검출하고, 검출된 시간 대역에서 일정 펄스 폭을 갖는 펄스 폭 신호인 출력신호를 스위칭모듈(440)로 제공하기 위한 웨이브트래킹모듈(430),Detects a time band in which a surge voltage component or a PCI voltage component exists from the waveform formed by the waveform shaping module 420 and outputs an output signal that is a pulse width signal having a constant pulse width in the detected time band to the switching module 440 A wave-tracking module 430 for providing the wave-

상기 웨이브트래킹모듈(430)로부터 펄스 폭 신호인 출력 신호가 제공되면, 출력신호를 트리거 신호로 하여 충방전부(450)를 접속시킴으로써, 유입되는 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 충방전부(450)로 흘려보내는 스위칭모듈(440)을 포함하여 구성되는 서지전압스위칭부(410)와;When the output signal of the pulse width signal is provided from the wave tracking module 430, the output signal is used as a trigger signal to connect the charging unit 450 to thereby supply the high frequency energy due to the surge voltage or the PCI voltage to the charging unit 450 A surge voltage switching unit 410 configured to include a switching module 440 that allows the surge voltage to flow through the switching unit 440;

상기 서지전압스위칭부(410)에서 제공되는 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 소멸시키는 충방전부(450);를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a charging and discharging unit 450 for dissipating high-frequency energy generated by the surge voltage or the PCI voltage provided by the surge voltage switching unit 410.

상기 EMP PCI보호용 반도체모듈을 구성하는 세부적인 구성요소인 파형정형모듈(420)과 웨이브트래킹모듈(430)과 스위칭모듈(440)과 충방전부(450)의 동작 특성은 상술한 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치의 서지 흡수부(300)와 동일하고 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치 부분에서 이미 설명된바 구체적인 설명은 생략하기로 한다.The operation characteristics of the waveform shaping module 420, the wave tracking module 430, the switching module 440, and the charge and discharge unit 450, which are components of the EMP PCI protection semiconductor module, As described above in the surge protecting device part which is the same as the surge absorbing part 300 of the protecting device and also serves as EMP protection, a detailed description will be omitted.

또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It should be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.

100 : EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치
200 : 저주파결합부
300 : 서지흡수부
400 : PCI 흡수부
100: Surge protection device for EMP protection
200: Low frequency coupling part
300: surge absorption unit
400: PCI absorber

Claims (14)

EMP(Electromagnetic Pulse) 보호를 겸하는 서지 보호장치에 있어서,
입력측(L1) 라인과 부하측(L1') 라인 사이에 형성되고, 저항 또는 리액터로 구성되어 PCI 흡수부(400)와 연동하여 저항 또는 리엑터로 작동하고, PCI 흡수부(400)와의 시정수에 따라 입력측에서 공급되는 직류나 저주파 상용 교류는 부하측으로 공급시키고, 입력측에서 공급되는 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지는 부하측으로의 공급을 차단 시키는 저주파 결합부(200)와,
입력측(L1) 라인과 접지(G) 라인 사이에 구성되며, 입력측(L1) 라인과 접지(G) 라인 사이에 서지 전압이나 PCI 전압의 고주파 전압이 인가되면 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 흡수하여 충전시키고, 충전이 멈추게 되면 방전하면서 충전되었던 고주파 에너지를 소진시키는 서지 흡수부(300)와,
부하측(L1') 라인과 접지(G) 라인 사이에 구성되며, 저주파 결합부(200)와 연동하여 캐패시터로 작동하고, 저주파 결합부(200)와의 시정수에 따라 직류 또는 저주파 상용 교류는 손실 없이 부하측으로 공급시키고, 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지는 흡수하여 부하측으로의 공급을 차단시키는 PCI 흡수부(400)를 포함하여 구성되며,

상기 서지 흡수부(300)는,
입력측(L1) 라인과 접지(G) 라인 사이에 서지 전압이나 PCI 전압인 고주파 전압이 인가되면 인가된 고주파 전압에 의해 동작하여 고주파 전압에 의한 고주파 에너지가 에너지저장모듈(320)로 제공되어 충전되도록 하는 서지에너지검출제어모듈(310);
서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 충전하는 에너지저장모듈(320);
상기 에너지저장모듈(320)에 연결 구성되어 에너지저장모듈(320)에 충전된 고주파 에너지를 소진시키는 에너지소거모듈(330);을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치.
1. A surge protection device for protecting an EMP (Electromagnetic Pulse)
And is formed between a line on the input side (L1) and a line on the load side (L1 ') and is constituted by a resistor or a reactor and operates as a resistor or a reactor in cooperation with the PCI absorber (400). According to the time constant with the PCI absorber A low frequency coupling unit 200 for supplying a direct current or a low frequency commercial AC supplied from the input side to the load side and for interrupting the supply to the load side of the surge voltage supplied from the input side or the high frequency energy generated by the PCI voltage,
When a surge voltage or a high-frequency voltage of a PCI voltage is applied between the input side (L1) line and the ground (G) line, and the surge voltage or the PCI voltage is applied between the input side A surge absorption unit 300 for absorbing and charging the high frequency energy and discharging the charged high frequency energy when the charging stops,
And operates as a capacitor in cooperation with the low frequency coupling section 200. The direct current or the low frequency commercial current flows in accordance with the time constant with the low frequency coupling section 200 without loss And a PCI absorber 400 for absorbing high frequency energy caused by a surge voltage or a PCI voltage to cut off supply to the load side,

The surge absorption unit 300 includes:
When a surge voltage or a high-frequency voltage, which is a PCI voltage, is applied between the input side (L1) line and the ground (G) line, high frequency voltage generated by the high frequency voltage is supplied to the energy storage module 320 A surge energy detection control module 310;
An energy storage module 320 for charging a high frequency energy due to a surge voltage or a PCI voltage;
And an energy erasing module 330 connected to the energy storage module 320 for consuming high frequency energy charged in the energy storage module 320. The surge protection device according to claim 1,
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 서지에너지검출제어모듈(310)은,
가스봉입방전관, GCA 소자, 반도체 스위칭 소자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하고,
상기 반도체 스위칭 소자는 SCR(silicon controlled rectifier), Triac, GTO(Gate turn off) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치.
The method according to claim 1,
The surge energy detection control module (310)
A gas-filled discharge tube, a GCA element, and a semiconductor switching element,
Wherein the semiconductor switching device is one of a silicon controlled rectifier (SCR), a triac, and a gate turn off (GTO).
제 1항에 있어서,
상기 에너지저장모듈(320)은,
에너지 스토리지 커패시터(Energy storage Capacitor)로 구성되는 것을 특징으로 하는 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치.
The method according to claim 1,
The energy storage module (320)
And an energy storage capacitor. 2. The surge protector according to claim 1,
제 1항에 있어서,
상기 PCI 흡수부(400)는,
부하측(L1') 라인과 접지(G) 라인 사이에 입력되는 직류나 저주파 상용 교류의 전압 또는 서지 전압이나 PCI 전압의 파형을 정형하여 정, 역에 관계없이 항상 일정한 극성으로 웨이브트래킹모듈(430)로 제공하기 위한 파형정형모듈(420),
상기 파형정형모듈(420)에서 제공된 정형 된 파형으로부터 서지 전압 성분이나 PCI 전압 성분이 존재하는 시간 대역을 검출하고, 검출된 시간 대역에서 일정 펄스 폭을 갖는 펄스 폭 신호인 출력신호를 스위칭모듈(440)로 제공하기 위한 웨이브트래킹모듈(430),
상기 웨이브트래킹모듈(430)로부터 펄스 폭 신호인 출력 신호가 제공되면, 출력신호를 트리거 신호로 하여 충방전부(450)를 접속시킴으로써, 유입되는 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 충방전부(450)로 흘려보내는 스위칭모듈(440)을 포함하여 구성되는 서지전압스위칭부(410)와;
상기 서지전압스위칭부(410)에서 제공되는 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 소멸시키는 충방전부(450);를 포함하여 구성되는 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치.
The method according to claim 1,
The PCI absorber 400 may include:
The wave tracking module 430 forms a waveform of a DC voltage or a surge voltage or a PCI voltage inputted between the load side L1 'line and the ground (G) line, A waveform shaping module 420,
Detects a time band in which a surge voltage component or a PCI voltage component exists from the waveform formed by the waveform shaping module 420 and outputs an output signal that is a pulse width signal having a constant pulse width in the detected time band to the switching module 440 A wave-tracking module 430 for providing the wave-
When the output signal of the pulse width signal is provided from the wave tracking module 430, the output signal is used as a trigger signal to connect the charging unit 450 to thereby supply the high frequency energy due to the surge voltage or the PCI voltage to the charging unit 450 A surge voltage switching unit 410 configured to include a switching module 440 that allows the surge voltage to flow to the switching unit 440;
And a charging and discharging unit 450 for extinguishing the high frequency energy caused by the surge voltage or the PCI voltage provided by the surge voltage switching unit 410. The surge protection device also has an EMP protection function.
제 1항에 있어서,
다수의 선로(L1, L2, L3,,,Ln)에 상기 저주파결합부(200), 서지흡수부(300), PCI 흡수부(400)을 구성할 경우에,
입력측(L1, L2, L3,,,Ln) 라인과 부하측(L1', L2', L3',,,Ln') 라인 사이에 저주파결합부(200)를 각각 구성하며, 입력측 각각의 선로와 접지간(L1-G, L2-G, L3-G,,,Ln-G)에 서지흡수부(300)를 각각 구성하고, 부하측 각각의 선로와 접지간(L1'-G, L2'-G, L3'-G,,,Ln'-G)에 각각 PCI 흡수부(400)을 구성하는 것을 특징으로 하는 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치.
The method according to claim 1,
When the low frequency coupling portion 200, the surge absorption portion 300 and the PCI absorption portion 400 are formed on the plurality of lines L1, L2, L3,, Ln,
A low frequency coupling section 200 is formed between the input side lines L1, L2, L3, ..., Ln and the load side lines L1 ', L2', L3 ',, Ln'(L1'-G,L2'-G,L2'-G,L2'-G, and Ln-G) constituting the surge absorption parts 300, L3'-G, Ln'-G, Ln'-G, and Ln'-G, respectively.
제 5항에 있어서,
상기 충방전부(450)는,
저항(R), 인덕턴스(L), 커패시터(C), 전압제한소자 중 어느 하나 내지 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치.
6. The method of claim 5,
The charging and discharging unit 450 includes:
And a voltage limiting element. The surge protection device also serves as an EMP protection device. The surge protection device according to claim 1, wherein the resistor R, the inductance L, the capacitor C,
제 5항에 있어서,
상기 충방전부(450)는,
에너지 스토리지 커패시터(Energy storage Capacitor)와 저항을 병렬로 접속하여 구성되는 것을 특징으로 하는 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치.
6. The method of claim 5,
The charging and discharging unit 450 includes:
Wherein the energy storage capacitor and the resistor are connected in parallel to each other.
제 5항에 있어서,
서지전압스위칭부(410)의 파형정형모듈(420), 웨이브트래킹모듈(430), 스위칭모듈(440)은,
반도체 소자를 포함한 칩(Chip)으로 구성되되, 리드 프레임 공법으로 하나의 반도체모듈화 하여 제조되는 것을 특징으로 하는 EMP 보호를 겸하는 서지 보호장치.
6. The method of claim 5,
The waveform shaping module 420, the wave tracking module 430, and the switching module 440 of the surge voltage switching unit 410,
A surge protector combined with an EMP protection, wherein the surge protector is made of a chip including a semiconductor element, and is manufactured by forming a semiconductor module by a lead frame method.
EMP(Electromagnetic Pulse) 보호를 위한 EMP PCI보호용 반도체 모듈에 있어서,
라인(L1')과 접지(G) 라인 사이에 입력되는 직류나 저주파 상용 교류의 전압 또는 서지 전압이나 PCI 전압의 파형을 정형하여 정, 역에 관계없이 항상 일정한 극성으로 웨이브트래킹모듈(430)로 제공하기 위한 파형정형모듈(420),
상기 파형정형모듈(420)에서 제공된 정형 된 파형으로부터 서지 전압 성분이나 PCI 전압 성분이 존재하는 시간 대역을 검출하고, 검출된 시간 대역에서 일정 펄스 폭을 갖는 펄스 폭 신호인 출력신호를 스위칭모듈(440)로 제공하기 위한 웨이브트래킹모듈(430),
상기 웨이브트래킹모듈(430)로부터 펄스 폭 신호인 출력 신호가 제공되면, 출력신호를 트리거 신호로 하여 충방전부(450)를 접속시킴으로써, 유입되는 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 충방전부(450)로 흘려보내는 스위칭모듈(440)을 포함하여 구성되는 서지전압스위칭부(410)와;
상기 서지전압스위칭부(410)에서 제공되는 서지 전압이나 PCI 전압에 의한 고주파 에너지를 소멸시키는 충방전부(450);를 포함하여 구성되는 EMP PCI 보호용 반도체모듈.
A semiconductor module for EMP PCI protection for EMP (Electromagnetic Pulse) protection,
A waveform of a DC voltage or a surge voltage or a PCI voltage inputted between the line L1 'and the ground (G) line is shaped so that the wave tracking module 430 A waveform shaping module 420 for providing the waveform shaping module 420,
Detects a time band in which a surge voltage component or a PCI voltage component exists from the waveform formed by the waveform shaping module 420 and outputs an output signal that is a pulse width signal having a constant pulse width in the detected time band to the switching module 440 A wave-tracking module 430 for providing the wave-
When the output signal of the pulse width signal is provided from the wave tracking module 430, the output signal is used as a trigger signal to connect the charging unit 450 to thereby supply the high frequency energy due to the surge voltage or the PCI voltage to the charging unit 450 A surge voltage switching unit 410 configured to include a switching module 440 that allows the surge voltage to flow to the switching unit 440;
And a charge and discharge unit 450 for dissipating high frequency energy caused by a surge voltage or a PCI voltage provided by the surge voltage switching unit 410. [
제 10항에 있어서,
상기 웨이브트래킹모듈(430)은,
평상시의 직류 전원이나 저주파 사용 교류 전원만 인가되는 경우에는 일정 펄스 폭을 갖는 펄스 폭 신호인 출력신호를 스위칭모듈(440)로 제공하지 않고,
낙뢰 등에 의한 서지 전압이나 EMP 등에 의한 PCI 전압 등과 같은 과도전압이 인가되는 경우에는 서지 전압 성분이나 PCI 전압 성분이 존재하는 시간 대역에서 일정 펄스 폭을 갖는 펄스 폭 신호인 출력신호를 스위칭모듈(440)로 제공하는 래치 기능을 제공하는 것을 특징으로 하는 EMP PCI 보호용 반도체모듈.
11. The method of claim 10,
The wave tracking module 430,
When only a normal DC power source or low frequency use AC power source is applied, an output signal which is a pulse width signal having a constant pulse width is not provided to the switching module 440,
When a transient voltage such as a surge voltage due to a lightning stroke or a PCI voltage due to EMP or the like is applied, an output signal, which is a pulse width signal having a constant pulse width in a time band in which a surge voltage component or a PCI voltage component exists, And a latch function for providing a latch function to the EMP PCI protection semiconductor module.
제 10항에 있어서,
상기 충방전부(450)는,
저항(R), 인덕턴스(L), 커패시터(C), 전압제한소자 중 어느 하나 내지 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 EMP PCI 보호용 반도체모듈.
11. The method of claim 10,
The charging and discharging unit 450 includes:
Wherein the EMP protection circuit comprises any one or combination of a resistor (R), an inductance (L), a capacitor (C), and a voltage limiting element.
제 10항에 있어서,
상기 충방전부(450)는,
에너지 스토리지 커패시터(Energy storage Capacitor)와 저항을 병렬로 접속하여 구성되는 것을 특징으로 하는 EMP PCI 보호용 반도체모듈
11. The method of claim 10,
The charging and discharging unit 450 includes:
And an energy storage capacitor and a resistor connected in parallel.
제 10항에 있어서,
상기 서지전압스위칭부(410)의 파형정형모듈(420)과 웨이브트래킹모듈(430)과 스위칭모듈(440)은 반도체 소자를 포함한 칩(Chip)으로 구성되되, 리드 프레임 공법으로 하나의 반도체모듈화 하여 제조되는 것을 특징으로 하는 EMP PCI보호용 반도체모듈.
11. The method of claim 10,
The waveform shaping module 420, the wave tracking module 430 and the switching module 440 of the surge voltage switching unit 410 are composed of a chip including a semiconductor device, Wherein the EMP protection semiconductor module comprises:
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