KR101866186B1 - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device Download PDF

Info

Publication number
KR101866186B1
KR101866186B1 KR1020110040935A KR20110040935A KR101866186B1 KR 101866186 B1 KR101866186 B1 KR 101866186B1 KR 1020110040935 A KR1020110040935 A KR 1020110040935A KR 20110040935 A KR20110040935 A KR 20110040935A KR 101866186 B1 KR101866186 B1 KR 101866186B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
common electrode
pixel electrode
conductive
Prior art date
Application number
KR1020110040935A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120122651A (en
Inventor
우종훈
최수석
김동국
임재형
강영민
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110040935A priority Critical patent/KR101866186B1/en
Publication of KR20120122651A publication Critical patent/KR20120122651A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101866186B1 publication Critical patent/KR101866186B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/13439Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13398Spacer materials; Spacer properties

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)

Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 낮은 전압에 의해 구동될 수 있는 USH(uniformly standing helix) 모드 액정표시장치에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 제 1 기판에 제 1 화소전극과 제 2 공통전극을 형성하고 제 2 기판에 제 2 화소전극과 제 2 공통전극을 형성함으로써, 전계의 수평성분을 극대화할 수 있어, USH 모드 액정의 구동전압을 낮출 수 있다.
또한, 본 발명의 USH 모드 액정표시장치는 패드부를 제 1 기판 상에만 형성해도, 도전성 패턴드 스페이서를 통해 제 2 기판으로 신호전압이 인가하도록 할 수 있어, 제 2 기판 상에 별도의 패드부를 구비하지 않아도 됨으로써, 공정비용 및 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.
The present invention relates to a liquid crystal display, and more particularly, to a uniformly standing helix (USH) mode liquid crystal display which can be driven by a low voltage.
A feature of the present invention is that the first pixel electrode and the second common electrode are formed on the first substrate and the second pixel electrode and the second common electrode are formed on the second substrate, the horizontal component of the electric field can be maximized, The driving voltage of the liquid crystal can be lowered.
In the USH mode liquid crystal display of the present invention, a signal voltage can be applied to the second substrate through the conductive patterned spacer even if the pad portion is formed only on the first substrate, and a separate pad portion is provided on the second substrate It is possible to improve the process cost and the efficiency of the process.

Description

액정표시장치{Liquid crystal display device}[0001] Liquid crystal display device [0002]

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 낮은 전압에 의해 구동될 수 있는 USH(uniformly standing helix) 모드 액정표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a liquid crystal display, and more particularly, to a uniformly standing helix (USH) mode liquid crystal display which can be driven by a low voltage.

최근 정보화 시대에 발맞추어 디스플레이(display) 분야 또한 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응해서 박형화, 경량화, 저소비전력화 장점을 지닌 평판표시장치(flat panel display device : FPD)로서 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 플라즈마표시장치(plasma display panel device : PDP), 전기발광표시장치(electroluminescence display device : ELD), 전계방출표시장치(field emission display device : FED) 등이 소개되어 기존의 브라운관(cathode ray tube : CRT)을 빠르게 대체하며 각광받고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, the display field has rapidly developed in line with the information age. In response to this trend, a flat panel display device (FPD) having a thinness, light weight, A plasma display panel (PDP), an electroluminescence display device (ELD), and a field emission display device (FED) : CRT).

이중에서도 액정표시장치는 동화상 표시에 우수하고 높은 콘트라스트비(contrast ratio)로 인해 노트북, 모니터, TV 등의 분야에서 가장 활발하게 사용되고 있다. Among these, liquid crystal display devices are excellent in moving picture display and are most actively used in the fields of notebook computers, monitors, TVs and the like due to their high contrast ratios.

이러한 액정표시장치에 이용되는 액정으로는 네마틱(nematic)액정, 스멕틱(smectic)액정 및 콜레스테릭(cholesteric) 액정 등이 있으며, 주로 네마틱 액정이 이용된다. The liquid crystal used in such a liquid crystal display device includes nematic liquid crystal, smectic liquid crystal, and cholesteric liquid crystal, and a nematic liquid crystal is mainly used.

한편, 이러한 액정표시장치는 응답속도가 낮아 잔상에 의한 화질의 저하 등이 수반된다. On the other hand, the response speed of such a liquid crystal display device is low, resulting in deterioration of image quality due to afterimage.

따라서, 최근에는 고속 응답속도를 갖는 액정표시장치에 대한연구가 활발히 진행되고 있고, 이에, USH(uniformly standing helix) 모드 액정을 포함하는 액정표시장치가 제안되고 있는데, USH 모드 액정은 바이메소겐(bimesogen) 액정이 극성(polarity)을 갖는 구조로 배열되기 때문에 응답속도가 매우 빠른 특징을 갖는다.Recently, a liquid crystal display device including a USH (uniformly standing helix) mode liquid crystal has been proposed, and a USH mode liquid crystal has been proposed as a bismuth bimesogen) liquid crystals are arranged in a structure having polarity, so that the response speed is very fast.

따라서, 액정표시장치의 응답속도를 향상시킬 수 있다.
Therefore, the response speed of the liquid crystal display device can be improved.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 종래 액정표시장치의 장점을 모두 갖고 단점이 보완된 액정표시장치의 제공을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device having all the merits of a conventional liquid crystal display device and compensating for the drawbacks.

즉, 응답속도와 시야각에서 우수한 특성을 가지며 동시에 명암비가 우수한 액정표시장치의 제공을 목적으로 한다. 또한, 낮은 전압에 의해 구동될 수 있는 액정표시장치를 제공하고자 하며, 공정의 비용 및 공정의 효율성이 향상된 액정표시장치를 제공하고자 한다.
That is, it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device having excellent characteristics in terms of response speed and viewing angle, and having excellent contrast ratio. Also, it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device which can be driven by a low voltage, and to provide a liquid crystal display device with improved process cost and process efficiency.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상에 위치하는 제 1 스위칭 소자와; 상기 제 1 기판 상에 위치하며 상기 제 1 스위칭 소자에 연결된 제 1 화소전극과; 상기 제 1 기판 상에 위치하며 상기 제 1 화소전극과 교대로 배열되는 제 1 공통전극과; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과; 상기 제 2 기판 상에 위치하는 제 2 스위칭 소자와; 상기 제 2 기판 상에 위치하며 상기 제 2 스위칭 소자에 연결된 제 2 화소전극과; 상기 제 2 기판 상에 위치하며 상기 제 2 화소전극과 교대로 배열되는 제 2 공통전극과; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 위치하는 액정층과; 상기 제 1 및 제 2 기판의 가장자리를 두르는 비표시영역에 위치하며, 상기 제 1 스위칭 소자와 상기 제 2 스위칭 소자를 전기적으로 연결하는 도전성 패턴드 스페이서를 포함하는 액정표시장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a liquid crystal display comprising: a first substrate; A first switching element located on the first substrate; A first pixel electrode located on the first substrate and connected to the first switching device; A first common electrode disposed on the first substrate and alternately arranged with the first pixel electrode; A second substrate facing the first substrate; A second switching element positioned on the second substrate; A second pixel electrode located on the second substrate and connected to the second switching element; A second common electrode disposed on the second substrate and alternately arranged with the second pixel electrode; A liquid crystal layer disposed between the first and second substrates; And a conductive patterned spacer located in a non-display area covering the edges of the first and second substrates and electrically connecting the first switching device and the second switching device.

이때, 상기 제 2 화소전극은 상기 제 1 화소전극과 대응하여 위치하고, 상기 제 2 공통전극은 상기 제 1 공통전극과 대응하여 위치하며, 외부로부터 상기 제 1 스위칭 소자로 인가되는 신호전압이 상기 도전성 패턴드 스페이서를 통해 상기 제 2 스위칭 소자로 인가된다. In this case, the second pixel electrode is located corresponding to the first pixel electrode, the second common electrode is located in correspondence with the first common electrode, and a signal voltage applied from the outside to the first switching element is the conductive And is applied to the second switching element through a patterned spacer.

그리고, 상기 제 1 화소전극과 상기 제 2 화소전극에는 동일한 제 1 전압이 인가되고, 상기 제 1 공통전극과 상기 제 2 공통전극에는 동일한 제 2 전압이 인가되며, 상기 제 1 기판 상에 위치하는 제 1 게이트 배선과; 상기 제 1 기판 상에 위치하며 상기 제 1 게이트 배선과 교차하는 제 1 데이터 배선과; 상기 제 2 기판 상에 위치하는 제 2 게이트 배선과; 상기 제 2 기판 상에 위치하며 상기 제 2 게이트 배선과 교차하는 제 2 데이터 배선을 포함하고, 상기 제 1 스위칭 소자는 상기 제 1 게이트 배선 및 상기 제 1 데이터 배선에 연결되고, 상기 제 2 스위칭 소자는 상기 제 2 게이트 배선 및 상기 제 2 데이터 배선에 연결된다. The same first voltage is applied to the first pixel electrode and the second pixel electrode, the same second voltage is applied to the first common electrode and the second common electrode, A first gate wiring; A first data line disposed on the first substrate and intersecting the first gate line; A second gate wiring disposed on the second substrate; And a second data line disposed on the second substrate and intersecting the second gate line, wherein the first switching device is connected to the first gate line and the first data line, Is connected to the second gate wiring and the second data wiring.

이때, 상기 제 1 데이터 배선 및 상기 제 1 스위칭 소자를 덮는 제 1 보호층과, 상기 제 2 데이터 배선 및 상기 제 2 스위칭 소자를 덮는 제 2 보호층을 포함하고, 상기 제 1 화소전극과 상기 제 1 공통전극은 상기 제 1 보호층 상에 위치하고, 상기 제 2 화소전극과 상기 제 2 공통전극은 상기 제 2 보호층 상에 위치하며, 상기 도전성 패턴드 스페이서는 상기 제 1 및 제 2 데이터배선과 상기 제 1 및 제 2 게이트배선 상에 위치하여, 상기 제 1 및 제 2 데이터배선과 상기 제 1 및 제 2 게이트배선은 각각 전기적으로 연결된다. A first passivation layer covering the first data line and the first switching device, and a second passivation layer covering the second data line and the second switching device, the first passivation layer covering the first data line and the first switching device, 1 common electrode is located on the first passivation layer, the second pixel electrode and the second common electrode are located on the second passivation layer, and the conductive patterned spacer is formed on the first and second data lines The first and second data lines and the first and second gate lines are electrically connected to each other.

또한, 상기 제 2 공통전극은 상기 제 1 공통전극과 전기적으로 연결되며, 상기 도전성 패턴드 스페이서는 도전볼을 포함하거나, 도전성금속막이 코팅된다. The second common electrode may be electrically connected to the first common electrode, and the conductive patterned spacer may include a conductive ball or may be coated with a conductive metal film.

그리고, 상기 도전성 패턴드 스페이서는 상기 도전성 패턴드 스페이서를 관통하는 다수의 홀을 포함하며, 상기 다수의 홀은 도전성물질이 충진되며, 상기 제 1 및 제 2 스위칭 소자에 대응되며 상기 제 1 및 제 2 기판 중 어느 하나에 위치하는 블랙매트릭스와; 상기 블랙매트릭스 상에 위치하는 컬러필터층을 포함한다. The conductive patterned spacers may include a plurality of holes passing through the conductive patterned spacers. The plurality of holes may be filled with a conductive material, and correspond to the first and second switching elements, A black matrix disposed on one of the two substrates; And a color filter layer disposed on the black matrix.

또한, 상기 제 2 화소전극은 상기 제 1 화소전극과 같거나 이보다 큰 폭을 갖고, 상기 제 2 공통전극은 상기 제 1 공통전극과 같거나 이보다 큰 폭을 가지며, 상기 액정층은 USH모드 액정이거나 블루상(blue phase) 모드 액정으로 이루어진다.
The second pixel electrode may have a width equal to or greater than the width of the first pixel electrode, the second common electrode may have a width equal to or greater than the width of the first common electrode, and the liquid crystal layer may be a USH mode liquid crystal Blue phase mode liquid crystal.

위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 제 1 기판에 제 1 화소전극과 제 2 공통전극을 형성하고 제 2 기판에 제 2 화소전극과 제 2 공통전극을 형성함으로써, 전계의 수평성분을 극대화할 수 있어, USH 모드 액정의 구동전압을 낮출 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, the first pixel electrode and the second common electrode are formed on the first substrate and the second pixel electrode and the second common electrode are formed on the second substrate, thereby maximizing the horizontal component of the electric field And the driving voltage of the USH mode liquid crystal can be lowered.

또한, 본 발명의 USH 모드 액정표시장치는 패드부를 제 1 기판 상에만 형성해도, 도전성 패턴드 스페이서를 통해 제 2 기판으로 신호전압이 인가하도록 할 수 있어, 제 2 기판 상에 별도의 패드부를 구비하지 않아도 됨으로써, 공정비용 및 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In the USH mode liquid crystal display of the present invention, a signal voltage can be applied to the second substrate through the conductive patterned spacer even if the pad portion is formed only on the first substrate, and a separate pad portion is provided on the second substrate It is possible to improve the process cost and the efficiency of the process.

또한, USH 모드 액정을 이용함으로써, 응답속도, 시야각, 명암비가 우수한 액정표시장치를 제공하는 효과가 있다.
Further, by using the USH mode liquid crystal, there is an effect of providing a liquid crystal display device excellent in response speed, viewing angle, and contrast ratio.

도 1은 본 발명에 따른 USH모드 액정표시장치에서 USH모드 액정의 구동 원리를 개략적으로 도시한 도면.
도 2a는 액정 배열 구조의 정면도이며, 도 2b는 액정의 등가 구조를 보여주는 단면도.
도 3은 일반적인 IPS 방식의 액정표시장치에서 USH 모드 액정이 구동되는 원리를 설명하기 위한 개략적인 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 USH 모드 액정층을 포함하는 액정표시장치의 다수의 화소영역을 개략적으로 도시한 단면도.
도 5a ~ 5d는 본 발명의 실시예에 따른 패턴드 스페이서의 다양한 모습을 개략적으로 도시한 도면.
도 6은 기판 상에 형성된 패턴드 스페이서를 개략적으로 도시한 평면도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 USH 모드 액정표시장치의 구동전압과 투과율 관계를 설명하기 위한 그래프.
도 8a ~ 8c는 본 발명의 실시예에 따른 USH 모드 액정표시장치의 응답속도를 설명하기 위한 그래프.
1 is a view schematically showing a driving principle of a USH mode liquid crystal in a USH mode liquid crystal display according to the present invention;
FIG. 2A is a front view of a liquid crystal array structure, and FIG. 2B is a sectional view showing an equivalent structure of a liquid crystal. FIG.
3 is a schematic cross-sectional view for explaining the principle of driving a USH mode liquid crystal in a general IPS type liquid crystal display device.
4 is a cross-sectional view schematically illustrating a plurality of pixel regions of a liquid crystal display device including a USH mode liquid crystal layer according to an embodiment of the present invention.
Figures 5A-5D schematically illustrate various aspects of a patterned spacer according to an embodiment of the present invention.
6 is a plan view schematically showing a patterned spacer formed on a substrate;
FIG. 7 is a graph for explaining a driving voltage and a transmittance relationship of a USH mode liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. FIG.
8A to 8C are graphs for explaining the response speed of the USH mode liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

본 발명의 액정표시장치는 변전효과(flexoelectric effect)를 이용하는 USH(uniformly standing helix) 모드인 것이 특징이다. USH모드 액정표시장치의 구동 원리를 도면을 참조하여 개략적으로 설명한다.The liquid crystal display of the present invention is characterized by being a USH (uniformly standing helix) mode using a flexoelectric effect. The driving principle of the USH mode liquid crystal display device will be schematically described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명에 따른 USH모드 액정표시장치에서 USH모드 액정의 구동 원리를 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 1 is a view schematically showing a driving principle of a USH mode liquid crystal in a USH mode liquid crystal display according to the present invention.

도시된 바와 같이, 전압 무인가(OFF) 상태에서 USH모드 액정은 짧은 피치(pitch)의 키랄 네마틱 (chiral nematic) 액정분자가 수십번 꼬여있는 나선형 구조를 가지며, 나선형 구조의 축, 즉 나선축은 광축(optical axis)에 평행하다.As shown, in the OFF state, the USH mode liquid crystal has a helical structure in which short pitch chiral nematic liquid crystal molecules are twisted twenty times, and the axis of the helical structure, that is, the helical axis, parallel to the optical axis.

한편, 전압 인가(ON) 상태에서 USH모드 액정의 광축이 틀어지게 되며 복굴절이 발현된다.On the other hand, when the voltage is applied (ON), the optical axis of the USH mode liquid crystal is turned off and birefringence is expressed.

도 2a는 액정 배열 구조의 정면도이며, 도 2b는 액정의 등가 구조를 보여주는 단면도이며, 도 3은 일반적인 IPS 방식의 액정표시장치에서 USH 모드 액정이 구동되는 원리를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. FIG. 2A is a front view of the liquid crystal array structure, FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating an equivalent structure of a liquid crystal, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining the principle of driving a USH mode liquid crystal in a general IPS type liquid crystal display.

도시된 바와 같이, USH모드 액정표시장치는 마주하는 제 1 및 제 2 기판(112, 114)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(112, 114) 사이에 위치하는 USH모드 액정(130)과, 제 1 및 제 2 기판(112, 114) 각각의 외측에 위치하는 제 1 및 제 2 편광판(미도시)으로 이루어진다.As shown in the figure, the USH mode liquid crystal display includes opposing first and second substrates 112 and 114, a USH mode liquid crystal 130 located between the first and second substrates 112 and 114, And first and second polarizing plates (not shown) positioned outside the first and second substrates 112 and 114, respectively.

USH모드 액정(130)은 바이메소겐(bimesogen) 액정이 극성(polarity)을 갖는 구조로 배열되기 때문에 응답속도가 매우 빠른 특징을 갖는다.The USH mode liquid crystal 130 has a very fast response speed because the bimesogen liquid crystal is arranged in a structure having polarity.

전술한 바와 같이, USH모드 액정(130)은 짧은 피치(pitch)의 키랄 네마틱 (chiral nematic) 액정분자가 수십번 꼬여있는 나선형 구조를 가지며, 나선형 구조의 축, 즉 나선축은 빛의 진행 방향(z방향)에 평행하다.As described above, the USH mode liquid crystal 130 has a helical structure in which short pitch chiral nematic liquid crystal molecules are twisted twenty times, and the axis of the helical structure, that is, the helical axis, z direction).

또한 액정(130)은 z방향의 굴절율이 z방향에 각각 수직한 x, y방향의 굴절율보다 작고, x, y방향의 굴절율은 서로 동일하다.(nz<nx=ny) Further, the liquid crystal 130 has a refractive index in the z direction smaller than that in the x and y directions perpendicular to the z direction, and refractive indices in the x and y directions are equal to each other (nz <nx = ny)

즉, 정면 시야각에서 광학적 등방성(optical isotropic property)을 갖게 되고, 전압 무인가시에 정면 시야각에서 복굴절이 발현되지 않으며 뛰어난 블랙(black) 특성을 얻을 수 있는 장점을 갖는다. That is, it has an optical isotropic property at a front viewing angle, has an advantage that excellent birefringence is not exhibited at a front viewing angle and excellent black characteristic can be obtained when a voltage is not applied.

따라서, 명암비가 높은 장점을 갖는다.Therefore, it has an advantage of high contrast ratio.

이러한 USH모드 액정(130)은 전압 무인가시 광학적으로 등방이고, 전압 인가에 의해 전압 인가 방향으로 복굴절성을 발생시킴으로써, 이 성질로부터 USH모드 액정(130)의 투과율을 제어하기 위해서는 제 1 및 제 2 편광판(미도시)을 서로의 편광축이 수직하게 배치하고, 기판(112, 114)의 면내 방향(가로방향)으로 전계를 인가하는 것이 필요하다. In order to control the transmittance of the USH mode liquid crystal 130 from this property by generating birefringence in a voltage application direction by applying a voltage, the USH mode liquid crystal 130 is optically isotropic in voltage, It is necessary to arrange the polarizing plates (not shown) perpendicularly to each other and apply an electric field in the in-plane direction (horizontal direction) of the substrates 112 and 114.

따라서, USH모드 액정표시장치는 기본적으로 횡전계 방식(in-plane switching mode)의 전극 구조가 적합하다. Therefore, the USH mode liquid crystal display device basically has an electrode structure of an in-plane switching mode.

여기서, USH모드 액정표시장치의 USH 모드 액정(130)이 구동되는 원리를 설명하기 위한 개략적인 단면도인 도 3을 참조하면, 마주하는 제 1 및 제 2 기판(112, 114)과, 제 1 및 제 2 기판(112, 114) 사이에 USH 모드 액정층(130)이 개재되어 있으며, 제 1 기판(112) 상에는 서로 교대로 배열되는 화소전극(121)과 공통전극(124)이 배열되어 있다.3, which is a schematic cross-sectional view for explaining the principle of driving the USH mode liquid crystal 130 of the USH mode liquid crystal display device, the first and second substrates 112 and 114 facing each other, A USH mode liquid crystal layer 130 is interposed between the second substrates 112 and 114 and pixel electrodes 121 and common electrodes 124 arranged alternately on the first substrate 112 are arranged.

이와 같은 USH모드 액정표시장치는 전극(121, 124) 구조가 횡전계 방식으로, 넓은 시야각을 얻을 수 있다. In such a USH mode liquid crystal display device, the structure of the electrodes 121 and 124 is a transverse electric field system, and a wide viewing angle can be obtained.

한편, 본 발명의 USH모드 액정표시장치는 USH 모드 액정층(130)에 수십 볼트/㎛나 그 이상의 강한 전계를 인가하는 것이 필요하다. Meanwhile, in the USH mode liquid crystal display device of the present invention, it is necessary to apply a strong electric field of several tens of volts / μm or more to the USH mode liquid crystal layer 130.

즉, USH 모드 액정층(130)은 화소전극(121)과 공통전극(124) 사이에서 발생하는 전계에 의해 구동되는데, 이러한 전계는 기판(112, 114)에 수평한 성분뿐 아니라 이에 수직한 성분을 포함하게 된다. That is, the USH mode liquid crystal layer 130 is driven by an electric field generated between the pixel electrode 121 and the common electrode 124. This electric field is applied not only to the horizontal components on the substrates 112 and 114, .

따라서, USH 모드 액정층(130)을 구동하는데 필요한 수평 전계를 얻기 위해서는, 화소전극(121)과 공통전극(124) 사이에 보다 큰 전계를 형성하여야 한다. Therefore, in order to obtain the horizontal electric field necessary for driving the USH mode liquid crystal layer 130, a larger electric field must be formed between the pixel electrode 121 and the common electrode 124. [

즉, 높은 구동 전압이 요구되는 문제가 있다. That is, there is a problem that a high driving voltage is required.

따라서, 본 발명은 높은 구동전압의 상승을 해결하기 위하여, 수평전계를 극대화한 액정표시장치를 제공하는데, 이에 대해 아래 도 4를 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다. Accordingly, the present invention provides a liquid crystal display device in which a horizontal electric field is maximized in order to solve a rise in a high driving voltage, which will be described in detail with reference to FIG. 4 below.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 USH 모드 액정층을 포함하는 액정표시장치의 다수의 화소영역을 개략적으로 도시한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view schematically showing a plurality of pixel regions of a liquid crystal display device including a USH mode liquid crystal layer according to an embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 본 발명의 USH모드 액정표시장치(100)는 하부기판인 제 1 기판(112)과 상부기판인 제 2 기판(114)이 서로 이격되어 대향하고 있으며, 제 1 및 제 2 기판(112, 114)은 USH 모드 액정층(130)을 사이에 두고 대면 합착되어 구성된다. As shown in the drawings, the USH mode liquid crystal display 100 of the present invention includes a first substrate 112 as a lower substrate and a second substrate 114 as an upper substrate, (112, 114) are formed by facing each other with the USH mode liquid crystal layer (130) interposed therebetween.

이때, 본 발명의 USH모드 액정표시장치(100)는 높은 구동전압이 상승되는 것을 방지하기 위하여, 하부기판인 제 1 기판(112) 상에는 제 1 박막트랜지스터(Tr1)가 형성되며, 상부기판인 제 2 기판(112) 상에는 제 2 박막트랜지스터(Tr2)가 형성되는 것을 특징으로 한다. In order to prevent the high driving voltage from rising, the USH mode liquid crystal display 100 according to the present invention includes a first thin film transistor Tr1 formed on a first substrate 112 as a lower substrate, And a second thin film transistor (Tr2) is formed on the second substrate (112).

즉, 제 1 기판(112) 상에는 소정간격 이격되어 평행하게 구성된 다수의 제 1 게이트배선(116)과 제 1 게이트배선(116)에 근접하여 제 1 게이트배선(116)과 평행하게 구성된 제 1 공통배선(미도시)과, 제 1 게이트배선(116)과 제 1 공통배선(미도시)과 교차하며 특히 제 1 게이트배선(116)과는 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 제 1 데이터배선(미도시)이 구성되어 있다. That is, on the first substrate 112, a plurality of first gate wirings 116, which are arranged parallel and spaced apart from each other by a predetermined distance, and a first common wiring (not shown) arranged parallel to the first gate wirings 116, (Not shown) that intersects the first gate wiring 116 and the first common wiring (not shown), particularly intersects the first gate wiring 116, (Not shown).

이때, 각 화소영역(P)의 제 1 게이트배선(116)과 제 1 데이터배선(미도시)의 교차지점인 스위칭영역(TrA)에는 제 1 박막트랜지스터(Tr1)가 형성되며, 실질적으로 화상이 구현되는 표시영역(AA)에는 제1 화소전극(121)과 제 1 공통전극(124)이 형성되어 있다. At this time, the first thin film transistor Tr1 is formed in the switching region TrA, which is the intersection of the first gate wiring 116 and the first data wiring (not shown) in each pixel region P, The first pixel electrode 121 and the first common electrode 124 are formed in the display area AA.

그리고, 제 1 기판(112)과 마주보는 제 2 기판(114)의 내면으로는 소정간격 이격되어 평행하게 구성된 다수의 제 2 게이트배선(216)과 제 2 게이트배선(216)에 근접하여 제 2 게이트배선(216)과 평행하게 구성된 제 2 공통배선(미도시)과, 제 2 게이트배선(216)과 제 2 공통배선(미도시)과 교차하며 특히 제 2 게이트배선(216)과는 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 제 2 데이터배선(미도시)이 구성되어 있다. A plurality of second gate wirings 216 and a plurality of second gate wirings 216 are formed on the inner surface of the second substrate 114 facing the first substrate 112 and spaced apart from each other by a predetermined distance. (Not shown) configured to be parallel with the gate wiring 216 and a second common wiring (not shown) that intersects the second gate wiring 216 and the second common wiring And a second data line (not shown) for defining the pixel region P are formed.

그리고, 각 화소영역(P)의 제 2 게이트배선(216)과 제 2 데이터배선(미도시)의 교차지점인 스위칭영역(TrA)에는 제 2 박막트랜지스터(Tr2)가 형성되며, 실질적으로 화상이 구현되는 표시영역(AA)에는 제2 화소전극(221)과 제 2 공통전극(224)이 형성되어 있다. The second thin film transistor Tr2 is formed in the switching region TrA which is the intersection of the second gate wiring 216 and the second data wiring (not shown) of each pixel region P, A second pixel electrode 221 and a second common electrode 224 are formed in the display area AA.

이때, 제 2 박막트랜지스터(Tr2)는 제 1 박막트랜지스터(Tr1)에 대응하여 위치한다. At this time, the second thin film transistor Tr2 is located corresponding to the first thin film transistor Tr1.

여기서, 제 1 및 제 2 박막트랜지스터(Tr1, Tr2)는 각각 제 1 및 제 2 게이트전극(111, 211), 제 1 및 제 2 게이트절연막(113, 213), 제 1 및 제 2 반도체층(115, 215), 제 1 및 제 2 소스 및 드레인전극(117, 217, 118, 218)으로 이루어지며, 제 1 및 제 2 공통전극(124, 224)은 제 1 및 제 2 공통배선(미도시)과 연결되어 있다.The first and second thin film transistors Tr1 and Tr2 are connected to the first and second gate electrodes 111 and 211 and the first and second gate insulating films 113 and 213 and the first and second semiconductor layers The first and second common electrodes 124 and 224 are formed of first and second common wirings (not shown), first and second common wirings 115 and 215, first and second source and drain electrodes 117 and 217, 118 and 218, ).

이때, 제 1 및 제 2 반도체층(115, 215)은 각각 순수 비정질 실리콘의 제 1 및 제 2 액티브층(115a, 215a)과 불순물을 포함하는 비정질 실리콘의 제 1 및 제 2 오믹콘택층(115b, 215b)으로 구성된다. At this time, the first and second semiconductor layers 115 and 215 are formed of the first and second active layers 115a and 215a of pure amorphous silicon and the first and second ohmic contact layers 115b and 115b of amorphous silicon containing impurities, , And 215b.

그리고, 제 1 및 제 2 박막트랜지스터(Tr1, Tr2)를 포함하는 각 제 1 및 제 2 기판(112, 114)의 전면에는 제 1 및 제 2 보호층(119, 219)이 형성되어 있으며, 제 1 및 제 2 화소전극(121, 221)은 각각 제 1 및 제 2 박막트랜지스터(Tr1, Tr2)의 제 1 및 제 2 드레인전극(118, 218)과 전기적으로 연결된다. The first and second protective layers 119 and 219 are formed on the front surfaces of the first and second substrates 112 and 114 including the first and second thin film transistors Tr1 and Tr2, 1 and the second pixel electrodes 121 and 221 are electrically connected to the first and second drain electrodes 118 and 218 of the first and second thin film transistors Tr1 and Tr2, respectively.

그리고, 표시영역(AA)의 제 1 및 제 2 화소전극(121, 221)의 일측에는 각각 일정간격 이격하여 제 1 및 제 2 공통전극(124, 224)이 형성되어 횡전계를 이루게 된다. The first and second common electrodes 124 and 224 are formed on one side of the first and second pixel electrodes 121 and 221 of the display area AA at predetermined intervals to form a transverse electric field.

이러한 제 1 및 제 2 화소전극(121, 221)과 제 1 및 제 2 공통전극(124, 224)은 도면에 잘 나타나지는 않았지만 다수개가 구비되어, 다수개가 서로 나란하게 교대로 엇갈려 배치되어 구성된다.Although the first and second pixel electrodes 121 and 221 and the first and second common electrodes 124 and 224 are not shown in the drawing, a plurality of the first and second pixel electrodes 121 and 221 and the common electrodes 124 and 224 are alternately arranged in a staggered arrangement .

이와 같은 구성에 의하면, 서로 대응되는 위치의 제 1 및 제 2 화소전극(121, 221)은 등전위를 이루고 또한 서로 대응되는 위치의 제 1및 제 2 공통전극(124, 224)은 등전위를 이루기 때문에, 제 1 및 제 2 화소전극(121, 221)을 잇는 등전위선과 제 1 및 제 2 공통전극(124, 224)을 잇는 등전위선 사이에서 전계가 발생하게 된다. According to such a configuration, the first and second common electrodes 124 and 224 at the positions where the first and second pixel electrodes 121 and 221 at the positions corresponding to each other are at the same potential, An electric field is generated between the equipotential lines connecting the first and second pixel electrodes 121 and 221 and the equipotential lines connecting the first and second common electrodes 124 and 224.

이러한 전계는 제 1 및 제 2 기판(112, 114)에 평행한 수평 성분이 극대화되고 제 1 및 제 2 기판(112, 114)에 수직한 수직 성분이 최소화된다. 즉, 서로 마주하는 제 1 및 제 2 화소전극(121, 221)과 서로 마주하는 제 1 및 제 2 공통전극(124, 224)에 의해 동일 평면 상에 교대로 배열되는 화소전극(121, 221)과 공통전극(124, 224)이 반복적으로 적층된 상태가 될 수 있기 때문에, 수평 전계 성분이 극대화된다. This electric field maximizes the horizontal component parallel to the first and second substrates 112 and 114 and minimizes the vertical component perpendicular to the first and second substrates 112 and 114. That is, the pixel electrodes 121 and 221 alternately arranged on the same plane by the first and second common electrodes 124 and 224 facing the first and second pixel electrodes 121 and 221 facing each other, And the common electrodes 124 and 224 can be repeatedly stacked, so that the horizontal electric field component is maximized.

이를 통해, 제 1 및 제 2 기판(112, 114) 사이에 개재되어 있는 USH 모드 액정층(130)으로 강한 수평 전계가 인가되게 된다.As a result, a strong horizontal electric field is applied to the USH mode liquid crystal layer 130 interposed between the first and second substrates 112 and 114.

따라서, 높은 구동전압을 요하는 USH 모드 액정층(130)을 강한 수평 전계에 의해 구동시킴으로써, 명암비, 시야각 및 빠른 응답속도를 얻을 수 있다. Therefore, by driving the USH mode liquid crystal layer 130 requiring a high driving voltage by a strong horizontal electric field, a contrast ratio, a viewing angle, and a fast response speed can be obtained.

특히 제 1 및 제 2 화소전극(121, 221)과 제 1 및 제 2 공통전극(124, 224)을 마주하는 제 1 및 제 2 기판(112, 114) 각각에 서로 대응되도록 위치시킴으로써, 수평 전계를 더욱 극대화할 수 있어 구동전압을 낮출 수 있다. By locating the first and second pixel electrodes 121 and 221 and the first and second common electrodes 124 and 224 so as to correspond to the first and second substrates 112 and 114 facing each other, The driving voltage can be lowered.

이때, 제 2 기판(114) 상에 형성된 제 2 화소전극(221)은 제 1 기판(112) 상에 형성된 제 1 화소전극(121)에 대응하여 위치하고, 동일한 폭을 갖도록 형성된다. 한편, 제 1 및 제 2 기판(112, 114)의 합착 마진을 고려할 때, 제 2 화소전극(221)은 제 1 화소전극(121) 보다 큰 폭을 가질 수도 있다. At this time, the second pixel electrode 221 formed on the second substrate 114 is positioned to correspond to the first pixel electrode 121 formed on the first substrate 112 and has the same width. The second pixel electrode 221 may have a larger width than the first pixel electrode 121 in consideration of the cohesion margin of the first and second substrates 112 and 114.

그리고, 제 2 공통전극(224)은 제 1 공통전극(124)에 대응하여 위치하며 동일한 폭을 가질 수 있으며, 이 또한 제 1 및 제 2 기판(112, 114)의 합착마진을 고려하여 제 2 공통전극(224)의 폭을 제 1 공통전극(124)의 폭이 비해 더욱 큰 폭을 갖도록 형성할 수도 있다. The second common electrode 224 may be positioned corresponding to the first common electrode 124 and may have the same width. In addition, the second common electrode 224 may have the same width as that of the second common electrode 224, The width of the common electrode 224 may be formed to have a larger width than the width of the first common electrode 124.

그리고, 제 2 기판(114)의 제 2 화소전극(221)과 제 2 공통전극(224) 상부에는 평탄화층(141)이 형성되고, 평탄화층(141) 상에는 제 2 박막트랜지스터(Tr2)와 제 2 게이트배선(216) 그리고 제 2 데이터배선(미도시)에 대응하여 빛을 차단하기 위한 블랙매트릭스(143)가 위치한다. A planarization layer 141 is formed on the second pixel electrode 221 and the second common electrode 224 of the second substrate 114. The second thin film transistor Tr2 and the second thin film transistor Tr2 are formed on the planarization layer 141. [ And a black matrix 143 for blocking light corresponding to the second gate wiring 216 and the second data wiring (not shown).

여기서, 제 2 박막트랜지스터(Tr2)와 제 2 게이트배선(216) 그리고 제 2 데이터배선(미도시)은 제 1 기판(112) 상에 형성된 제 1 박막트랜지스터(Tr1)와 제 1 게이트배선(116) 그리고 제 1 데이터배선(미도시)에 대응하여 위치하고 있기 때문에, 제 2 기판(114) 상에 형성되는 블랙매트릭스(143)는 제 1 박막트랜지스터(Tr1)와 제 1 게이트배선(116) 그리고 제 1 데이터배선(미도시)에 대응하여 위치하게 된다. The second thin film transistor Tr2 and the second gate wiring 216 and the second data wiring (not shown) are connected to the first thin film transistor Tr1 and the first gate wiring 116 The black matrix 143 formed on the second substrate 114 is electrically connected to the first thin film transistor Tr1 and the first gate wiring 116 and the second thin film transistor Tr1, 1 data lines (not shown).

또한, 평탄화층(141) 상에는 각 화소영역(P)에 대응하여 적, 녹, 청색의 컬러필터(145)가 형성되어 있으며, 도시하지는 않았지만 블랙매트릭스(143)와 컬러필터(145) 상부에는 오버코트층(미도시)이 형성된다. A red, green and blue color filter 145 is formed on the planarization layer 141 in correspondence with each pixel region P and an overcoat 145 is formed on the black matrix 143 and the color filter 145 A layer (not shown) is formed.

이때, 블랙매트릭스(143)와 컬러필터(145)가 제 2 박막트랜지스터(Tr2) 상부로 형성되는 것을 일예로 하였으나, 이와 달리 블랙매트릭스(143)와 컬러필터(145)는 제 2 기판(114) 상에 형성되고, 제 2 박막트랜지스터(Tr2) 등이 블랙매트릭스(143)와 컬러필터(145) 상부에 형성될 수도 있다. In this case, the black matrix 143 and the color filter 145 are formed on the second substrate 114 and the black matrix 143 and the color filter 145 are formed on the second thin film transistor Tr2, And the second thin film transistor Tr2 or the like may be formed on the black matrix 143 and the color filter 145. [

또한, 블랙매트릭스(143)와 컬러필터(145)는 제 1 기판(112) 상에 형성할 수도 있는데, 이때 블랙매트릭스(143)와 컬러필터(145)는 제 1 박막트랜지스터(Tr1) 상부로 형성될 수도 있다. The black matrix 143 and the color filter 145 may be formed on the first substrate 112. The black matrix 143 and the color filter 145 may be formed on the first thin film transistor Tr1 .

한편, 표시영역(AA)의 외곽의 비표시영역(NA)은 외부로 노출되는데, 즉, 제 1 기판(112)은 제 2 기판(114)에 비해 큰 면적을 가지고 있어 이들의 합착 시 제 1 기판(112)의 가장자리가 외부로 노출되는데, 여기에는 제 1 및 제 2 박막트랜지스터(Tr1, Tr2)에 신호전압을 인가하기 위한 패드부(PA)가 구비된다. The first substrate 112 has a larger area than the second substrate 114. The first substrate 112 has a larger area than the second substrate 114, The edge of the substrate 112 is exposed to the outside, and a pad portion PA for applying a signal voltage to the first and second thin film transistors Tr1 and Tr2 is provided.

패드부(PA)에는 제 1 및 제 2 게이트 및 데이터배선(116, 216, 미도시)과 연결되는 게이트 및 데이터패드전극(220, 미도시)이 구비된다. The pad portion PA is provided with a gate and a data pad electrode 220 (not shown) connected to the first and second gates and data lines 116 and 216 (not shown).

그리고, 표시영역(AA)의 가장자리를 두르는 비표시영역(NA)에는 USH 모드 액정층(130)의 누설을 방지하기 위해 양 기판(112, 114)의 가장자리를 따라 씰패턴(seal pattern : 230)이 형성된다. A seal pattern 230 is formed along the edges of both substrates 112 and 114 to prevent leakage of the USH mode liquid crystal layer 130 in the non-display area NA covering the edge of the display area AA. .

그리고, 제 1 및 제 2 기판(112, 114) 사이에는 두 기판(112, 114) 간의 일정한 셀갭을 유지시키기 위해 패턴드 스페이서(250)가 형성되는데, 본 발명의 패턴드 스페이서(250)는 도전성을 가져, 제 2 기판(114) 상에 형성된 제 2 박막트랜지스터(Tr2)로 신호전압을 인가하기 위하여 제 1 기판(112) 상에 형성된 패드부(PA)와 전기적으로 연결된다. A patterned spacer 250 is formed between the first and second substrates 112 and 114 to maintain a constant cell gap between the two substrates 112 and 114. The patterned spacer 250 of the present invention has conductivity And is electrically connected to the pad portion PA formed on the first substrate 112 in order to apply a signal voltage to the second thin film transistor Tr2 formed on the second substrate 114. [

즉, 본 발명의 USH 모드 액정표시장치(100)는 높은 구동전압이 상승되는 것을 방지하기 위하여, 제 1 기판(112)과 제 2 기판(114)에 각각 제 1 및 제 2 박막트랜지스터(Tr1, Tr2)를 형성함에도, 각각의 제 1 및 제 2 박막트랜지스터(Tr1, Tr2)에 신호전압을 인가하기 위한 패드부(PA)는 제 1 기판(112) 상에만 형성하여, 제 2 기판(114) 상에 형성된 제 2 박막트랜지스터(Tr2)는 도전성 패턴드 스페이서(250)를 통해 신호전압을 전달받도록 하는 것이다. That is, the USH mode liquid crystal display 100 according to the present invention has the first and second thin film transistors Tr1 and Tr2 connected to the first substrate 112 and the second substrate 114, respectively, A pad portion PA for applying a signal voltage to each of the first and second thin film transistors Tr1 and Tr2 is formed only on the first substrate 112 and the second substrate 114 is formed only on the first substrate 112. [ And the second thin film transistor Tr2 formed on the second conductive layer 250 receives the signal voltage through the conductive patterned spacer 250. [

도전성 패턴드 스페이서(250)는 표시영역(AA)의 네 가장자리를 모두 두르도록 비표시영역(NA)에 형성하는 것이 바람직한데, 비표시영역(NA) 상에 연장되어 있는 각 게이트 및 데이터배선(116, 216, 미도시) 상에 형성된다. The conductive patterned spacers 250 are preferably formed in the non-display area NA so as to cover all the four edges of the display area AA. The conductive patterned spacers 250 are formed on the gate and data wirings 116, 216, not shown).

즉, 제 1 기판(112)과 제 2 기판(114) 상에 형성된 제 1 및 제 2 게이트배선(116, 216)과 제 1 및 제 2 데이터배선(미도시)은 도전성 패턴드 스페이서(250)를 통해 서로 전기적으로 연결된다. The first and second gate wirings 116 and 216 and the first and second data wirings (not shown) formed on the first substrate 112 and the second substrate 114 are electrically connected to the conductive patterned spacers 250, Respectively.

따라서 제 1 기판(112) 상에 제 1 게이트 및 데이터배선(116, 미도시)에 흐르는 신호전압을 제 2 기판(114) 상의 제 2 게이트 및 데이터배선(216, 미도시)으로 전달되도록 한다. Accordingly, a signal voltage flowing through the first gate and the data line 116 (not shown) on the first substrate 112 is transmitted to the second gate and the data line 216 (not shown) on the second substrate 114.

이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 본 발명의 USH 모드 액정표시장치(100)는 제 1 기판(112) 상에 구비된 패드부(PA)로부터 인가되는 신호전압이 제 1 기판(112) 상의 제 1 박막트랜지스터(Tr1)와 제 2 기판(114) 상의 제 2 박막트랜지스터(Tr2)에 동시에 공급된다. The USH mode liquid crystal display 100 according to the present invention can be described in more detail with reference to FIG. 1, in which a signal voltage applied from a pad portion PA provided on a first substrate 112 is applied to a first thin film transistor (Tr1) on the second substrate 114 and the second thin film transistor Tr2 on the second substrate 114 simultaneously.

즉, 외부전원(미도시)으로부터 패드부(PA)를 통해 제 1 기판(112) 상의 제 1 게이트배선(116)으로 제 1 및 제 2 박막트랜지스터(Tr1, Tr2)의 온(on)/오프(off) 신호가 순차적으로 스캔 인가되면, 제 1 게이트배선(116)으로 인가된 신호는 도전성 패턴드 스페이서(250)를 통해 제 2 기판(114) 상의 제 2 게이트배선(216)으로 인가된다. That is, the on / off states of the first and second thin film transistors Tr1 and Tr2 from the external power source (not shown) to the first gate wiring 116 on the first substrate 112 through the pad portion PA, a signal applied to the first gate wiring 116 is applied to the second gate wiring 216 on the second substrate 114 through the conductive patterned spacers 250. In this case,

이에, 선택된 화소영역(P)의 제 1 및 제 2 화소전극(121, 221)과 제 1 및 제 2 데이터배선(미도시)에 화상신호가 전달되면, 제 1 및 제 2 화소전극(121, 221)은 등전위를 이루고, 제 1 및 제 2 공통전극(124, 224) 또한 등전위를 이뤄, 제 1 및 제 2 화소전극(121, 221)을 잇는 등전위선과 제 1 및 제 2 공통전극(124, 224)을 잇는 등전위선 사이에 전계가 발생하게 된다. When image signals are transmitted to the first and second pixel electrodes 121 and 221 of the selected pixel region P and the first and second data lines (not shown), the first and second pixel electrodes 121 and 122, 221 are equipotential and the first and second common electrodes 124 and 224 are equipotential so that an equal potential line connecting the first and second pixel electrodes 121 and 221 and the first and second common electrodes 124 and 224, An electric field is generated between the equipotential lines connecting the electrodes 224 and 224.

따라서, 이들 사이의 전계에 의해 그 사이의 USH 모드 액정층(130)의 광축이 틀어져 복굴절이 발현되면서, 이에 따른 빛의 투과율 변화로 여러 가지 화상을 표시하게 되는 것이다. Therefore, the optical axis of the USH mode liquid crystal layer 130 is interrupted by the electric field therebetween, and birefringence is manifested, and various images are displayed due to the change of the light transmittance.

이때, 전계는 제 1 및 제 2 기판(112, 114)에 평행한 수평 성분이 극대화되고 제 1 및 제 2 기판(112, 114)에 수직한 수직 성분이 최소화되어, 제 1 및 제 2 기판(112, 114) 사이에 개재되어 있는 USH 모드 액정층(130)으로 강한 수평 전계가 인가되게 된다.At this time, the electric field is maximized in the horizontal component parallel to the first and second substrates 112 and 114 and the vertical component perpendicular to the first and second substrates 112 and 114 is minimized, A strong horizontal electric field is applied to the USH mode liquid crystal layer 130 interposed between the liquid crystal layer 130 and the USH mode liquid crystal layer 130 interposed therebetween.

따라서, 본 발명의 USH 모드 액정표시장치(100)는 제 1 기판(112)과 제 2 기판(114)에 각각 제 1 및 제 2 박막트랜지스터(Tr1, Tr2)를 형성함에도, 각각의 제 1 및 제 2 박막트랜지스터(Tr1, Tr2)에 신호전압을 인가하기 위한 패드부(PA)는 제 1 기판(112) 상에만 형성하여, 제 2 기판(114) 상에 형성된 제 2 박막트랜지스터(Tr2)는 도전성 패턴드 스페이서(250)를 통해 신호전압을 전달받도록 한다. Therefore, although the USH mode liquid crystal display 100 of the present invention has the first and second thin film transistors Tr1 and Tr2 formed on the first substrate 112 and the second substrate 114 respectively, The pad portion PA for applying a signal voltage to the second thin film transistors Tr1 and Tr2 is formed only on the first substrate 112 and the second thin film transistor Tr2 formed on the second substrate 114 is formed And receives the signal voltage through the conductive patterned spacers 250.

도 5a ~ 5d는 본 발명의 실시예에 따른 도전성 패턴드 스페이서의 다양한 모습을 개략적으로 도시한 도면이다. 5a to 5d are schematic views showing various aspects of the conductive patterned spacer according to the embodiment of the present invention.

도 5a에 도시한 바와 같이 제 1 및 제 2 게이트배선(116a, 216a) 또는 제 1 및 제 2 데이터배선(116b, 216b)을 전기적으로 연결하는 도전성 패턴드 스페이서(250)는 자체가 도전성물질로 이루어지거나, 도 5b에 도시한 바와 같이 도전볼(251)과 같은 도전성물질을 포함하도록 형성될 수도 있다. The conductive patterned spacers 250 electrically connecting the first and second gate wirings 116a and 216a or the first and second data wirings 116b and 216b are formed of a conductive material Or may be formed to include a conductive material such as conductive balls 251 as shown in FIG. 5B.

또한, 도 5c에 도시한 바와 같이 도전성 패턴드 스페이서(250)를 관통하는 홀(253)을 포함하도록 형성하고, 홀(253)에 도전성물질(255)이 충진되도록 형성하는 것 또한 가능하며, 이때, 도전성 패턴드 스페이서(250)는 벤조사이클로부텐(BCB), 포토아크릴(photo acryl), 포토레지스트로 이루어질 수 있다. It is also possible to form the hole 253 penetrating through the conductive patterned spacer 250 and to fill the hole 253 with the conductive material 255 as shown in FIG. , And the conductive patterned spacers 250 may be made of benzocyclobutene (BCB), photo acryl, and photoresist.

이때, 도면상에는 도전성 패턴드 스페이서(250)가 제 1 및 제 2 기판(112, 114)에 각각 형성된 두 서로 접촉하는 구성을 갖도록 도시하였으나, 도전성 패턴드 스페이서(250)는 제 1 및 제 2 기판(112, 114) 중 어느 하나의 기판 상에 형성하는 것 또한 가능하다. Although the conductive patterned spacers 250 are illustrated as being in contact with the first and second substrates 112 and 114, the conductive patterned spacers 250 may be formed on the first and second substrates 112 and 114, It is also possible to form them on any one of the substrates 112 and 114.

또한, 도 5d에 도시한 바와 같이 도전성금속막(259)이 코팅된 구조로 이루어질 수도 있다. Further, as shown in FIG. 5D, the conductive metal film 259 may be coated.

도 6은 기판 상에 형성된 도전성 패턴드 스페이서를 개략적으로 도시한 평면도이다. 6 is a plan view schematically showing a conductive patterned spacer formed on a substrate.

도시한 바와 같이, 기판(도 5d의 112, 114)의 비표시영역(도 4의 NA)의 게이트배선(116a) 및/또는 데이터배선(116b) 상에 도전성 패턴드 스페이서(250)를 형성하는데, 여기서 도전성 패턴드 스페이서(250)는 내부에 다수의 홀(253)이 형성되며, 홀(253)에는 도전성물질(255)이 충진된 구조를 일예로 설명하도록 하겠다. As shown, a conductive patterned spacer 250 is formed on the gate wiring 116a and / or the data wiring 116b in the non-display area (NA in FIG. 4) of the substrate (112 and 114 in FIG. 5D) Here, the conductive patterned spacer 250 has a plurality of holes 253 formed therein, and the conductive material 255 is filled in the holes 253.

이때, 서로 이웃하는 게이트배선(116a) 및/또는 데이터배선(116b) 상에 형성되는 도전성 패턴드 스페이서(250)는 사이 간격이 매우 좁기 때문에 지그재그 형상의 2열로 배열되도록 하는 것이 바람직하다. At this time, it is preferable that the conductive patterned spacers 250 formed on the neighboring gate wirings 116a and / or the data wirings 116b are arranged in two rows of staggered shapes because the spacing is very narrow.

이를 통해, 보다 넓은 면적을 갖는 도전성 패턴드 스페이서(250)를 형성할 수 있다. Thus, the conductive patterned spacers 250 having a wider area can be formed.

도전성 패턴드 스페이서(250)의 면적이 넓을수록, 제 2 기판(도 5d의 114) 상의 제 2 박막트랜지스터(도 4의 Tr2)로 보다 안정적으로 신호를 전달할 수 있다. As the area of the conductive patterned spacers 250 is wider, signals can be more stably transmitted to the second thin film transistors (Tr2 in FIG. 4) on the second substrate (114 in FIG. 5D).

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 USH 모드 액정표시장치의 구동전압과 투과율 관계를 설명하기 위한 그래프이다. FIG. 7 is a graph for explaining the relationship between the driving voltage and the transmittance of the USH mode liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 일반적인 USH 모드 액정을 포함하는 IPS 방식 액정표시장치(A)에 비해 본 발명의 USH 모드 액정표시장치(B)는 제 1 및 제 2 기판에 각각 형성되는 제 1 및 제 2 화소전극과 제 1 및 제 2 공통전극에 의해 전계를 형성함으로써, 구동 전압이 낮아지는 것을 확인할 수 있다. As shown in the figure, the USH mode liquid crystal display device B of the present invention is different from the IPS mode liquid crystal display device A including a general USH mode liquid crystal in that the USH mode liquid crystal display device B includes first and second pixels It is confirmed that the driving voltage is lowered by forming the electric field by the electrode and the first and second common electrodes.

도 8a ~ 8c는 본 발명의 실시예에 따른 USH 모드 액정표시장치의 응답속도를 설명하기 위한 그래프이다.8A to 8C are graphs for explaining the response speed of the USH mode liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

도 8a는 일반적인 IPS 방식 액정표시장치의 응답속도를 나타낸 그래프이며, 도 8b는 USH 모드 액정을 포함하는 일반적인 IPS 방식 액정표시장치의 응답속도를 나타낸 그래프이며, 도 8c는 본 발명의 실시예에 따른 USH 모드 액정표시장치의 응답속도를 나타낸 그래프이다. 8A is a graph showing a response speed of a general IPS type liquid crystal display device, FIG. 8B is a graph showing a response speed of a general IPS type liquid crystal display device including a USH mode liquid crystal, and FIG. 7 is a graph showing the response speed of the USH mode liquid crystal display device.

설명에 앞서, 응답속도는 휘도가 90으로부터 10으로 떨어질 때 Ton(on display timer)과 Toff(off display timer) 값을 통해 나타낼 수 있다. Prior to the description, the response speed can be expressed through Ton (on display timer) and Toff (off display timer) values when the luminance falls from 90 to 10.

도시한 바와 같이, 일반적인 IPS 방식 액정표시장치는 디스플레이의 휘도가 90으로부터 10으로 떨어지는데 까지의 응답속도가 10.1ms이며, USH 모드 액정을 포함하는 IPS 방식 액정표시장치는 0.9ms의 응답속도를 가지나, 본 발명의 USH 모드 액정표시장치는 0.5ms의 응답속도를 갖는 것을 확인할 수 있다. As shown in the figure, a typical IPS type liquid crystal display device has a response speed of 10.1 ms until the luminance of the display drops from 90 to 10, and the IPS type liquid crystal display device including the USH mode liquid crystal has a response speed of 0.9 ms, The USH mode liquid crystal display of the present invention has a response speed of 0.5 ms.

즉, 본 발명의 USH 모드 액정표시장치는 제 1 및 제 2 기판에 각각 형성되는 제 1 및 제 2 화소전극과 제 1 및 제 2 공통전극에 의해 전계를 형성함으로써, 응답속도가 낮아지는 것을 확인할 수 있다.That is, the USH mode liquid crystal display device of the present invention confirms that the response speed is lowered by forming the electric field by the first and second pixel electrodes and the first and second common electrodes respectively formed on the first and second substrates .

전술한 바와 같이, 본 발명의 USH 모드 액정표시장치는 제 1 기판에 제 1 화소전극과 제 2 공통전극을 형성하고 제 2 기판에 제 2 화소전극과 제 2 공통전극을 형성함으로써, 전계의 수평성분을 극대화할 수 있어, USH 모드 액정의 구동전압을 낮출 수 있다. As described above, in the USH mode liquid crystal display device of the present invention, the first pixel electrode and the second common electrode are formed on the first substrate and the second pixel electrode and the second common electrode are formed on the second substrate, The component can be maximized, and the driving voltage of the USH mode liquid crystal can be lowered.

또한, 본 발명의 USH 모드 액정표시장치는 패드부를 제 1 기판 상에만 형성해도, 도전성 패턴드 스페이서를 통해 제 2 기판으로 신호전압이 인가하도록 할 수 있다. In the USH mode liquid crystal display of the present invention, the signal voltage may be applied to the second substrate through the conductive patterned spacers even if the pad portion is formed only on the first substrate.

이를 통해, 제 2 기판 상에 별도의 패드부를 구비하지 않아도 됨으로써, 공정비용 및 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다. Accordingly, it is unnecessary to provide a separate pad portion on the second substrate, thereby improving the process cost and process efficiency.

한편, 본 발명의 액정층은 USH 모드 액정에 국한되지 않는다. 블루상(blue phase) 모드 액정을 포함하는 액정표시장치에도 적용가능하며, 또한 일반적인 IPS모드 액정표시장치에서도 전술한 전극의 구조에 의해 구동 전압을 감소시킬 수있다. On the other hand, the liquid crystal layer of the present invention is not limited to the USH mode liquid crystal. Blue phase mode liquid crystal, and in a general IPS mode liquid crystal display device, the driving voltage can be reduced by the structure of the above-described electrode.

또한, 정전압이 인가되는 공통배선 및 공통전극 없이 횡전계를 형성할 수 있는 IPS모드 액정표시장치에도 적용가능한데, 즉, 공통전극을 삭제하고 서로 이웃하는 화소전극을 통해 전계를 형성하는 것이다.Further, the present invention is also applicable to an IPS mode liquid crystal display device capable of forming a horizontal electric field without applying a common wiring and a common electrode to which a constant voltage is applied, that is, the common electrode is eliminated and an electric field is formed through neighboring pixel electrodes.

이러한 IPS 모드 액정표시장치에서는 공통전극을 포함하는 액정표시장치에 비해 2배의 전압을 액정층으로 인가되도록 할 수 있어, 본 발명의 전극의 구조를 포함할 경우 더욱 구동 전압을 감소시킬 수 있다. In such an IPS mode liquid crystal display device, a voltage twice as high as that of a liquid crystal display device including a common electrode can be applied to the liquid crystal layer, and when the structure of the electrode of the present invention is included, the driving voltage can be further reduced.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.

100 : USH모드 액정표시장치, 111, 211 : 제 1 및 제 2 게이트전극
213, 213 : 제 1 및 제 2 게이트절연막, 115, 215 : 제 1 및 제 2 반도체층(115a, 215a : 제 1 및 제 2 액티브층, 115b, 215b : 제 1 및 제 2 오믹콘택층)
117, 217 : 제 1 및 제 2 소스전극, 118, 218 : 제 1 및 제 2 드레인전극
119, 219 : 제 1 및 제 2 보호층
121, 221 : 제 1 및 제 2 화소전극, 124, 224 : 제 1 및 제 2 공통전극
112, 114 : 제 1 및 제 2 기판, 130 : USH 모드 액정층
141 : 평탄화층, 143 : 블랙매트릭스, 145 : 컬러필터
220 : 게이트패드전극, 230 : 씰패턴, 250 : 도전성 패턴드 스페이서
100: USH mode liquid crystal display, 111, 211: first and second gate electrodes
A first and a second semiconductor layers 115a and 215a (first and second active layers, 115b and 215b: first and second ohmic contact layers)
117, 217: first and second source electrodes, 118, 218: first and second drain electrodes
119, 219: first and second protective layers
121, 221: first and second pixel electrodes, 124, 224: first and second common electrodes
112, 114: first and second substrates, 130: USH mode liquid crystal layer
141: planarization layer, 143: black matrix, 145: color filter
220: Gate pad electrode, 230: Seal pattern, 250: Conductive patterned spacer

Claims (13)

제 1 기판과;
상기 제 1 기판 상에 위치하며, 서로 교차하는 제 1 게이트배선 및 제 1 데이터배선과 연결되는 제 1 스위칭 소자와;
상기 제 1 기판 상에 위치하며 상기 제 1 스위칭 소자에 연결된 제 1 화소전극과;
상기 제 1 기판 상에 위치하며 상기 제 1 화소전극과 교대로 배열되는 제 1 공통전극과;
상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과;
상기 제 2 기판 상에 위치하며, 서로 교차하는 제 2 게이트배선 및 제 2 데이터배선과 연결되는 제 2 스위칭 소자와;
상기 제 2 기판 상에 위치하며 상기 제 2 스위칭 소자에 연결된 제 2 화소전극과;
상기 제 2 기판 상에 위치하며 상기 제 2 화소전극과 교대로 배열되는 제 2 공통전극과;
상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 위치하는 액정층과;
상기 제 1 및 제 2 기판의 가장자리를 두르는 비표시영역에 위치하며, 상기 제 1 스위칭 소자와 상기 제 2 스위칭 소자를 전기적으로 연결하는 제 1 및 제 2 도전성 패턴드 스페이서
를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 도전성 패턴드 스페이서는 각각 상기 제 1 게이트배선 및 상기 제 2 게이트배선과 상기 제 1 데이터배선 및 제 2 데이터배선을 전기적으로 연결하며,
상기 제 1 및 제 2 도전성 패턴드 스페이서는 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 가장자리를 따라 두르는 씰패턴 내측으로 위치하며,
상기 제 1 게이트배선에 이웃하여 제 3 게이트배선이 더욱 위치하며, 상기 제 2 게이트배선에 이웃하여 제 4 게이트배선이 더욱 위치하며,
상기 제 1 데이터배선에 이웃하여 제 3 데이터배선이 더욱 위치하며, 상기 제 2 데이터배선에 이웃하여 제 4 데이터배선이 더욱 위치하며,
상기 제 1 및 제 2 게이트배선을 연결하는 상기 제 1 도전성 패턴드 스페이서는 상기 제 3 및 제 4 게이트배선을 연결하는 제 3 도전성 패턴드 스페이서와 지그재그 형상으로 배열되며,
상기 제 1 및 제 2 데이터배선을 연결하는 상기 제 2 도전성 패턴드 스페이서는 상기 제 3 및 제 4 데이터배선을 연결하는 제 4 도전성 패턴드 스페이서와 지그재그 형상으로 배열되는 액정표시장치.
A first substrate;
A first switching element located on the first substrate and connected to a first gate wiring and a first data wiring intersecting with each other;
A first pixel electrode located on the first substrate and connected to the first switching device;
A first common electrode disposed on the first substrate and alternately arranged with the first pixel electrode;
A second substrate facing the first substrate;
A second switching element located on the second substrate and connected to a second gate wiring and a second data wiring intersecting with each other;
A second pixel electrode located on the second substrate and connected to the second switching element;
A second common electrode disposed on the second substrate and alternately arranged with the second pixel electrode;
A liquid crystal layer disposed between the first and second substrates;
And first and second conductive pattern spacers located in a non-display area covering the edges of the first and second substrates and electrically connecting the first switching element and the second switching element,
Wherein the first and second conductive patterned spacers electrically connect the first gate wiring and the second gate wiring to the first data wiring and the second data wiring, respectively,
Wherein the first and second conductive patterned spacers are located inside the seal pattern covering the edges of the first substrate and the second substrate,
A third gate wiring is further located adjacent to the first gate wiring, a fourth gate wiring is further located adjacent to the second gate wiring,
A third data line is further located adjacent to the first data line, a fourth data line is further located adjacent to the second data line,
Wherein the first conductive patterned spacer connecting the first and second gate wirings is arranged in a staggered pattern with a third conductive patterned spacer connecting the third and fourth gate wirings,
And the second conductive pattern spacers connecting the first and second data wirings are arranged in a staggered pattern with fourth conductive pattern spacers connecting the third and fourth data wirings.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 화소전극은 상기 제 1 화소전극과 대응하여 위치하고, 상기 제 2 공통전극은 상기 제 1 공통전극과 대응하여 위치하는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the second pixel electrode is located corresponding to the first pixel electrode, and the second common electrode is located corresponding to the first common electrode.
제 1 항에 있어서,
외부로부터 상기 제 1 스위칭 소자로 인가되는 신호전압이 상기 제 1 내지 제 4 도전성 패턴드 스페이서를 통해 상기 제 2 스위칭 소자로 인가되는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
And a signal voltage applied from the outside to the first switching element is applied to the second switching element through the first to fourth conductive patterned spacers.
제 3 항에 있어서,
상기 제 1 화소전극과 상기 제 2 화소전극에는 동일한 제 1 전압이 인가되고, 상기 제 1 공통전극과 상기 제 2 공통전극에는 동일한 제 2 전압이 인가되는 액정표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the same first voltage is applied to the first pixel electrode and the second pixel electrode, and the same second voltage is applied to the first common electrode and the second common electrode.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 데이터 배선 및 상기 제 1 스위칭 소자를 덮는 제 1 보호층과, 상기 제 2 데이터 배선 및 상기 제 2 스위칭 소자를 덮는 제 2 보호층을 포함하고,
상기 제 1 화소전극과 상기 제 1 공통전극은 상기 제 1 보호층 상에 위치하고, 상기 제 2 화소전극과 상기 제 2 공통전극은 상기 제 2 보호층 상에 위치하는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
A first protective layer covering the first data line and the first switching element and a second protective layer covering the second data line and the second switching element,
Wherein the first pixel electrode and the first common electrode are located on the first passivation layer and the second pixel electrode and the second common electrode are located on the second passivation layer.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 공통전극은 상기 제 1 공통전극과 전기적으로 연결되는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
And the second common electrode is electrically connected to the first common electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 4 도전성 패턴드 스페이서는 도전볼을 포함하거나, 도전성금속막이 코팅되는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first to fourth conductive patterned spacers include conductive balls or are coated with a conductive metal film.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 4 도전성 패턴드 스페이서는 상기 제 1 내지 제 4 도전성 패턴드 스페이서를 관통하는 다수의 홀을 포함하며, 상기 다수의 홀은 도전성물질이 충진되는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first to fourth conductive patterned spacers include a plurality of holes passing through the first to fourth conductive patterned spacers, and the plurality of holes are filled with a conductive material.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 스위칭 소자에 대응되며 상기 제 1 및 제 2 기판 중 어느 하나에 위치하는 블랙매트릭스와;
상기 블랙매트릭스 상에 위치하는 컬러필터층을 포함하는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
A black matrix corresponding to the first and second switching elements and positioned on one of the first and second substrates;
And a color filter layer disposed on the black matrix.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 화소전극은 상기 제 1 화소전극과 같거나 이보다 큰 폭을 갖고, 상기 제 2 공통전극은 상기 제 1 공통전극과 같거나 이보다 큰 폭을 갖는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the second pixel electrode has a width equal to or greater than that of the first pixel electrode, and the second common electrode has a width equal to or greater than the width of the first common electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 액정층은 USH모드 액정이거나 블루상(blue phase) 모드 액정인 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the liquid crystal layer is a USH mode liquid crystal or a blue phase mode liquid crystal.
KR1020110040935A 2011-04-29 2011-04-29 Liquid crystal display device KR101866186B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110040935A KR101866186B1 (en) 2011-04-29 2011-04-29 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110040935A KR101866186B1 (en) 2011-04-29 2011-04-29 Liquid crystal display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120122651A KR20120122651A (en) 2012-11-07
KR101866186B1 true KR101866186B1 (en) 2018-06-12

Family

ID=47508879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110040935A KR101866186B1 (en) 2011-04-29 2011-04-29 Liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101866186B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110376805A (en) * 2019-07-22 2019-10-25 深圳市华星光电技术有限公司 A kind of liquid crystal display panel and its display device
CN114089568A (en) * 2020-07-29 2022-02-25 京东方科技集团股份有限公司 Electronic paper display screen, preparation method thereof and display device
CN112666764A (en) * 2020-12-30 2021-04-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Liquid crystal display panel, manufacturing method thereof and display device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005227760A (en) * 2004-01-16 2005-08-25 Sharp Corp Display element and display device
JP2009109657A (en) * 2007-10-29 2009-05-21 Nec Lcd Technologies Ltd Liquid crystal display device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990052401A (en) * 1997-12-22 1999-07-05 김영환 Liquid crystal display
KR100736114B1 (en) * 2000-05-23 2007-07-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 IPS mode Liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR100698047B1 (en) * 2003-04-19 2007-03-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 In-Plane Switching Mode Liquid Crystal Display Device and the Method for Manufacturing the same
KR20060037514A (en) * 2004-10-28 2006-05-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crystal display device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005227760A (en) * 2004-01-16 2005-08-25 Sharp Corp Display element and display device
JP2009109657A (en) * 2007-10-29 2009-05-21 Nec Lcd Technologies Ltd Liquid crystal display device

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
F. Castles et al., "Flexoelectro-optic properties of chiral nematic liquid crystals in the uniform standing helix configuration", 2009, Physical Review E 80, 031709 *
F. Castles et al., "Flexoelectro-optic properties of chiral nematic liquid crystals in the uniform standing helix configuration", Physical Review E 80, 031709, 2009 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120122651A (en) 2012-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4543006B2 (en) Liquid crystal display element and manufacturing method thereof
KR100698047B1 (en) In-Plane Switching Mode Liquid Crystal Display Device and the Method for Manufacturing the same
KR100741890B1 (en) Liquid crystal display device of in-plane switching and method for fabricating the same
KR100643039B1 (en) In-Plane Switching Mode Liquid Crystal Display Device
KR100836495B1 (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
KR20090006705A (en) Liquid crystal display device and method for fabrication thereof
KR100731045B1 (en) Liquid crystal display device of in-plane switching and method for fabricating the same
KR100760940B1 (en) Liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR101866186B1 (en) Liquid crystal display device
KR100875188B1 (en) Transverse electric field type liquid crystal display device and its manufacturing method
US7414688B2 (en) In-plane switching LCD panel
KR100577299B1 (en) Liquid Crystal Display Device
KR20100066220A (en) Liquid crystal display device controllable viewing angle and method of fabricating the same
KR20050025446A (en) Liquid crystal display device
KR20080078993A (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing of the same
KR101888446B1 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP4636626B2 (en) Liquid crystal display element
KR102426496B1 (en) Liquid crystal display device
KR20080003040A (en) In-plane-switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof
KR20050067908A (en) Color filter array substrate
KR100918651B1 (en) Liquid Crystal Display Device in In-Plane Switching mode and method for Manufacturing the same
KR100840680B1 (en) Inplane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR20060001248A (en) Liquid crystal display device
KR20060114561A (en) In-plane switching mode liquid crystal display device
KR20090056641A (en) In-plane switching liquid crystal display and method for fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant