KR101856870B1 - Polymer composite with improved adhesion and method for producing thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a polymer composite, and a manufacturing method thereof. According to the manufacturing method of one embodiment of the present invention, the polymer composite can be formed by forming inorganic thin membrane on at least one surface of a polymer base material and processing radiation treatment on the inorganic thin membrane. Therefore, adhesion between the polymer base material and the inorganic thin membrane can be increased.

Description

접착력이 개선된 고분자 복합체 및 그 제조 방법{POLYMER COMPOSITE WITH IMPROVED ADHESION AND METHOD FOR PRODUCING THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a polymer composite having improved adhesion and a method of manufacturing the polymer composite.

본 발명은 고분자 기재의 적어도 일면에 형성된 무기 박막층에 방사선을 조사하여 고분자 기재와 무기 박막층 사이의 접착력이 증가된 고분자 복합체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a polymer composite having increased adhesion between a polymer substrate and an inorganic thin film layer by irradiating an inorganic thin film layer formed on at least one side of the polymer substrate with radiation, and a method for producing the same.

최근 에너지 저장 기술에 대한 관심이 갈수록 높아지고 있다. 휴대폰, 캠코더 및 노트북 PC, 나아가서는 전기 자동차의 에너지까지 적용분야가 확대되면서 전기화학소자의 연구와 개발에 대한 노력이 점점 구체화되고 있다. 전기화학소자는 이러한 측면에서 가장 주목 받고 있는 분야이고 그 중에서도 충방전이 가능한 2차 전지의 개발은 관심의 초점이 되고 있으며, 최근에는 이러한 전지를 개발함에 있어서 용량 밀도 및 비 에너지를 향상시키기 위하여 새로운 전극과 전지의 설계에 대한 연구개발로 진행되고 있다. Recently, interest in energy storage technology is increasing. As the application fields of cell phones, camcorders, notebook PCs and even electric vehicles are expanding, efforts for research and development of electrochemical devices are becoming more and more specified. The electrochemical device is one of the most attracting fields in this respect. Of these, the development of a rechargeable secondary battery has become a focus of attention. Recently, in developing such a battery, Research and development on the design of electrodes and batteries are underway.

리튬 2차 전지는 양극, 음극, 세퍼레이터 및 전해액으로 구성되고, 이러한 리튬 2차 전지는 작동 환경에 따라 오작동을 일으킬 수 있으며, 오작동시 과열로 인한 열폭주가 일어나 세퍼레이터가 분해될 경우에는 내부 단락으로 인하여 급격히 좁아진 전극의 전위차로 인한 전기 에너지 방출과 그로 인한 전해액의 기화로 내부 폭발을 일으키게 될 우려가 있다.The lithium secondary battery is composed of a positive electrode, a negative electrode, a separator, and an electrolyte. Such a lithium secondary battery may cause a malfunction according to an operating environment. If a thermal runaway occurs due to overheating during a malfunction, There is a possibility that an internal explosion may be generated due to the discharge of electric energy due to the potential difference of the electrode which is sharply narrowed and the vaporization of the electrolytic solution thereby.

리튬 2차 전지의 세퍼레이터 재료로서, 소형 모바일 기기에 적합한 기계적 특성 및 화학적 안정성을 가진 폴리올레핀(polyolefine)계 고분자 기재와 고분자 기재의 일면 또는 양면에 무기물 무기 박막층을 형성한 고분자 복합체를 주로 사용한다.As a separator material for a lithium secondary battery, a polyolefin-based polymer base material having mechanical properties and chemical stability suitable for small-sized mobile devices and a polymer composite in which an inorganic inorganic thin film layer is formed on one side or both sides of a polymer base material is mainly used.

그러나 고분자 복합체는 고온에서 열 수축이 일어나 고온 안정성이 취약하고, 중대형 전기화학 소자에 적용하기에는 기계적 강도가 약해 내부 단락의 위험이 있다. 즉, 과열로 인한 열폭주가 일어날 수 있으며 고분자 기재와 무기 박막층이 분리될 수 있다.However, the polymer composite has a low heat stability due to heat shrinkage at a high temperature, and there is a risk of an internal short circuit due to weak mechanical strength for application to medium and large electrochemical devices. That is, thermal runaway due to overheating can occur and the polymer substrate and the inorganic thin film layer can be separated.

고분자 복합체가 분리되면 내부 단락으로 인해 전위차가 급격히 좁아지게 되고 이에 따른 전기 에너지 방출과 전해액의 기화로 내부 폭발을 일으킬 우려가 생기게 된다.When the polymer complex is separated, the potential difference is rapidly narrowed due to an internal short circuit, resulting in a fear of internal explosion due to electric energy discharge and vaporization of the electrolyte.

또한, 고분자 기재와 무기 박막층 간에 긴밀한 결합을 이루어내기 힘들어 단단한 코팅 결과를 얻어내기 어렵다는 문제점이 있었다.Further, there is a problem that it is difficult to obtain a tight coating between the polymer substrate and the inorganic thin film layer, and it is difficult to obtain a hard coating result.

대한민국 특허등록공보 제 10-1506221 호, "고체 전해질-리튬 이온 전도성 고분자 복합 필름 제조 방법"Korean Patent Registration No. 10-1506221, "Solid Electrolyte-Method for Producing Lithium Ion Conducting Polymer Composite Film"

본 발명은 고분자 기재의 적어도 일면에 무기 박막층을 증착한 다음, 상기 무기 박막층에 방사선을 조사하여 상기 고분자 기재와 상기 무기 박막층 사이의 접착력이 증가된 고분자 복합체 및 그 제조 방법이 제공된다.The present invention provides a polymer composite in which an inorganic thin film layer is deposited on at least one surface of a polymer substrate, and then the adhesion between the polymer substrate and the inorganic thin film layer is increased by irradiating the inorganic thin film layer with radiation.

본 발명의 실시예에 의한 고분자 복합체 제조 방법은 고분자 기재의 적어도 일면에 무기 박막층을 증착하는 단계 및 상기 무기 박막층에 방사선을 조사하여 상기 고분자 기재와 상기 무기 박막층 사이의 화학적 결합을 통한 접착력을 증가시키는 단계를 포함한다.The method of producing a polymer composite according to an embodiment of the present invention includes the steps of depositing an inorganic thin film layer on at least one surface of a polymer substrate and irradiating the inorganic thin film layer with radiation to increase the adhesive force through chemical bonding between the polymer substrate and the inorganic thin film layer .

상기 방사선은 전자선(e-beam), 감마선(γ-rays) 또는 엑스선(x-ray)일 수 있다. The radiation may be e-beam, gamma-rays, or x-ray.

상기 방사선은 조사량이 1 kGy 내지 100 kGy일 수 있다.The radiation dose may be between 1 kGy and 100 kGy.

상기 무기 박막층은, SiO2 또는 Al2O3일 수 있다.The inorganic thin film layer may be SiO 2 or Al 2 O 3 .

상기 무기 박막층은 WO3, MnO2, Fe2O3, Fe3O4, BaTiO3, Pb(Zr,Ti)O3(PZT), HfO2, SrTiO3, CeO2, MgO, NiO, CaO, ZnO, ZrO2, Y2O3, 및 TiO2으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상일 수 있다.The inorganic thin film layer may be formed of a material selected from the group consisting of WO 3 , MnO 2 , Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , BaTiO 3 , Pb (Zr, Ti) O 3 (PZT), HfO 2 , SrTiO 3 , CeO 2 , MgO, NiO, ZrO 2 , Y 2 O 3 , and TiO 2 .

상기 무기 박막층을 증착하는 단계에서, 상기 무기 박막층은 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD), 화학 용액 성장법(chemical bath deposition; CBD) 및 열 증착법(thermal evaporation deposition) 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 형성될 수 있다.In the step of depositing the inorganic thin film layer, the inorganic thin film layer may be formed by a chemical vapor deposition (CVD) method, an atomic layer deposition (ALD) method, a chemical solution deposition method (CBD) thermal evaporation deposition, or the like.

상기 무기 박막층은 1 nm 내지 1 ㎛ 의 두께일 수 있다.The inorganic thin film layer may have a thickness of 1 nm to 1 占 퐉.

상기 고분자 기재는 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌 (polypropylene), 폴리스타이렌 (polystyrene), 폴리프로필렌테레프탈레이트(polypropylene terephthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutylene terephtalate), 폴리아크릴아마이드(Polyacrylamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리아세탈(polyacetal), 폴리아미드(polyamide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리이미드(polyimide) 폴리에테르에테르케톤(polyether ether ketone), 폴리에테르설폰(polyether sulfone), 폴리페닐렌옥사이드(polyphenylene oxide), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리에틸렌나프탈렌(polyethylene naphthalene) 및 폴리올레핀(polyolefine)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상일 수 있다.The polymeric substrate may be selected from the group consisting of polyethylene, polypropylene, polystyrene, polypropylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyacrylamide Polyacrylamide, polyester, polyacetal, polyamide, polycarbonate, polyimide, polyether ether ketone, polyether sulfone, At least one selected from the group consisting of polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, polyethylene naphthalene, and polyolefin can be used.

상기 고분자 기재는 다공성인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 제조 방법.Wherein the polymer substrate is porous.

상기 고분자 기재의 두께는 1 ㎛ 내지 50 ㎛일 수 있다.The thickness of the polymer base material may be 1 [mu] m to 50 [mu] m.

본 발명의 실시예에 의한 고분자 복합체 제조 방법에 의해 전기화학소자용 고분자 복합체를 제조한다.A polymer composite for an electrochemical device is prepared by the method for producing a polymer composite according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따르면 고분자 복합체는 고분자 기재의 적어도 일면에 무기 박막층을 증착하고, 상기 무기 박막층에 방사선을 조사하여 상기 고분자 기재와 상기 무기 박막층 사이의 화학적 결합(공유결합)을 통한 접착력을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an inorganic thin film layer is deposited on at least one side of a polymer substrate, and the inorganic thin film layer is irradiated with radiation to improve adhesion force through chemical bonding (covalent bonding) between the polymer substrate and the inorganic thin film layer .

본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체는 고분자 기재 상에 무기 입자가 아닌 무기 박막층을 형성하여, 무기 박막층과 고분자 기재 간의 결착 특성을 향상시킬 수 있다.The polymer composite according to the embodiment of the present invention can improve the binding property between the inorganic thin film layer and the polymer substrate by forming an inorganic thin film layer which is not inorganic particles on the polymer substrate.

본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체는 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.The polymer composite according to the embodiment of the present invention can improve the thermal stability.

본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체는 리튬 2차 전지 등 전기화학 소자에 이용할 경우 전기화학 소자의 고율(high-rate) 충방전 특성을 향상시킬 수 있으며, 고온에서의 전기화학 소자의 안정성을 향상시킬 수 있다.The polymer composite according to an embodiment of the present invention can improve the high-rate charge / discharge characteristics of an electrochemical device when used in an electrochemical device such as a lithium secondary cell, and improve the stability of an electrochemical device at a high temperature .

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 무기 박막층이 일면에 형성된 고분자 복합체를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 무기 박막층이 양면에 형성된 고분자 복합체를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체의 구조를 도시한 도면이다.
도4a 내지 4d는 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체 표면의 주사전자현미경(SEM)을 도시한 이미지이다.
도 5는 비교예 1에 따른 고분자 복합체 표면의 주사전자현미경(SEM)을 도시한 이미지이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체의 열수축률 거동을 도시한 이미지이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체의 투과율을 도시한 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체(세퍼레이터)를 포함하는 리튬 2차 전지의 충방전 특성을 도시한 그래프이다.
1 is a cross-sectional view illustrating a polymer composite in which an inorganic thin film layer is formed on one side according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a polymer composite in which an inorganic thin film layer is formed on both sides according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a structure of a polymer composite according to an embodiment of the present invention.
4A to 4D are images showing a scanning electron microscope (SEM) of the surface of a polymer composite according to an embodiment of the present invention.
5 is an image showing a scanning electron microscope (SEM) of the surface of the polymer composite according to Comparative Example 1. Fig.
6 is an image showing the heat shrinkage rate behavior of the polymer composite according to the embodiment of the present invention.
7 is a graph showing transmittance of a polymer composite according to an embodiment of the present invention.
8 is a graph showing charge / discharge characteristics of a lithium secondary battery including a polymer composite (separator) according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and accompanying drawings, but the present invention is not limited to or limited by the embodiments.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. &Quot; comprises "and / or" comprising "when used in this specification do not exclude the presence or addition of one or more other elements, steps, or elements.

본 명세서에서 사용되는 "실시예", "예", "측면", "예시" 등은 기술된 임의의 양상(aspect) 또는 설계가 다른 양상 또는 설계들보다 양호하다거나, 이점이 있는 것으로 해석되어야 하는 것은 아니다.As used herein, the terms "embodiment," "example," "side," "example," and the like should be construed as advantageous or advantageous over any other aspect or design It does not.

또한, '또는' 이라는 용어는 배타적 논리합 'exclusive or'이기보다는 포함적인 논리합 'inclusive or'를 의미한다. 즉, 달리 언급되지 않는 한 또는 문맥으로부터 명확하지 않는 한, 'x가 a 또는 b를 이용한다'라는 표현은 포함적인 자연 순열들(natural inclusive permutations) 중 어느 하나를 의미한다.Also, the term 'or' implies an inclusive or 'inclusive' rather than an exclusive or 'exclusive'. That is, unless expressly stated otherwise or clear from the context, the expression 'x uses a or b' means any of the natural inclusive permutations.

또한, 본 명세서 및 청구항들에서 사용되는 단수 표현("a" 또는 "an")은, 달리 언급하지 않는 한 또는 단수 형태에 관한 것이라고 문맥으로부터 명확하지 않는 한, 일반적으로 "하나 이상"을 의미하는 것으로 해석되어야 한다.Also, the phrase "a" or "an ", as used in the specification and claims, unless the context clearly dictates otherwise, or to the singular form, .

아래 설명에서 사용되는 용어는, 연관되는 기술 분야에서 일반적이고 보편적인 것으로 선택되었으나, 기술의 발달 및/또는 변화, 관례, 기술자의 선호 등에 따라 다른 용어가 있을 수 있다. 따라서, 아래 설명에서 사용되는 용어는 기술적 사상을 한정하는 것으로 이해되어서는 안 되며, 실시예들을 설명하기 위한 예시적 용어로 이해되어야 한다.The terms used in the following description are chosen to be generic and universal in the art to which they are related, but other terms may exist depending on the development and / or change in technology, customs, preferences of the technician, and the like. Accordingly, the terminology used in the following description should not be construed as limiting the technical thought, but should be understood in the exemplary language used to describe the embodiments.

또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 설명 부분에서 상세한 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 아래 설명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌 그 용어가 가지는 의미와 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 이해되어야 한다.Also, in certain cases, there may be a term chosen arbitrarily by the applicant, in which case the detailed description of the meaning will be given in the corresponding description section. Therefore, the term used in the following description should be understood based on the meaning of the term, not the name of a simple term, and the contents throughout the specification.

한편, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의하여 한정되지 않는다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.On the other hand, the terms first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements are not limited by terms. Terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

또한, 막, 층, 구성 요청 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 층, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.Further, when a portion of a film, a layer, a configuration request, or the like is referred to as being "on" or "on" another portion, not only the case where the portion is directly on another portion but also another film, layer, And the like.

이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 무기 박막층의 일면에 형성된 고분자 복합체를 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a polymer composite formed on one side of an inorganic thin film layer according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 고분자 복합체는 고분자 기재(110)의 일면에 무기 박막층(120)이 형성되어 있다.1, in the polymer composite of the present invention, an inorganic thin film layer 120 is formed on one side of a polymer substrate 110.

고분자 기재(110)는 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌 (polypropylene), 폴리스타이렌 (polystyrene), 폴리프로필렌테레프탈레이트(polypropylene terephthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutylene terephtalate), 폴리아크릴아마이드(Polyacrylamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리아세탈(polyacetal), 폴리아미드(polyamide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리이미드(polyimide) 폴리에테르에테르케톤(polyether ether ketone), 폴리에테르설폰(polyether sulfone), 폴리페닐렌옥사이드(polyphenylene oxide), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리에틸렌나프탈렌(polyethylene naphthalene) 및 폴리올레핀(polyolefine)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The polymer substrate 110 may be formed of a material selected from the group consisting of polyethylene, polypropylene, polystyrene, polypropylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, poly Polyacrylamide, polyester, polyacetal, polyamide, polycarbonate, polyimide, polyether ether ketone, polyether sulfone, sulfone, sulfone, polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, polyethylene naphthalene, and polyolefin. The term " polyphenylene sulfide "

고분자 기재(110)는 상용 다공성 기재 또는 부직포(non-woven) 형태일 수 있다.The polymeric substrate 110 may be in the form of a commercially available porous substrate or non-woven.

고분자 기재(110)로 상용 기재가 사용될 수 있으며, 바람직하게는, 상용 폴리에틸렌(polyethylene) 또는 상용 폴리프로필렌 (polypropylene)이 사용될 수 있다. 상용 폴리에틸렌(polyethylene), 상용 폴리프로필렌 (polypropylene) 또는 이들의 조합으로 이루어진 고분자 기재(110)는 공극이 작기 때문에 고분자 기재(110)의 양면 및 내부에 무기 박막층(120)을 형성하는 것이 이온 전달 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.A commercially available substrate may be used as the polymer substrate 110, and commercially available polyethylene or commercially available polypropylene may be used. Since the polymer substrate 110 made of polyethylene, commercial polypropylene or a combination thereof has a small pore size, it is preferable that the inorganic thin film layer 120 is formed on both sides and inside of the polymer substrate 110, Can be further improved.

또한, 고분자 기재(110)는 연신 공정에 의해 제조되는 고분자의 기재 또는 나노 섬유의 교차에 의해 다공성 그물 구조로 형성되는 부직포 형태의 기재일 수 있다. Further, the polymer substrate 110 may be a substrate of a polymer produced by a stretching process or a nonwoven fabric-like substrate formed of a porous net structure by crossing of nanofibers.

예를 들어, 고분자 기재(110)는 균일한 기공 크기 분포를 갖는 연속된 다공성 구조를 가질 수 있다.For example, the polymeric substrate 110 may have a continuous porous structure with a uniform pore size distribution.

이러한 다공성 고분자 기재(110)를 사용하면 전기화학 소자의 우수한 고율 충방전 특성 및 높은 이온 전달 특성을 나타낼 수 있다.Use of such a porous polymer substrate 110 can exhibit excellent high rate charge / discharge characteristics and high ion transfer characteristics of an electrochemical device.

또한, 고분자 기재(110)로 사용되는 부직포는 공극의 크기가 매우 크고, 무기 박막층(120)이 형성되는 뼈대 역할을 할 수 있다.In addition, the nonwoven fabric used as the polymer substrate 110 has a very large pore size and can serve as a skeleton in which the inorganic thin film layer 120 is formed.

또한, 고분자 기재(110)로 사용되는 부직포는 공극이 매우 크기 때문에, 부직포의 적어도 일면에 무기 박막층(120)을 형성한다면, 수십 나노미터 내지 수백 나노미터 크기의 공극을 갖는 무기 박막층(120)이 고분자 기재(110)의 내부에도 형성될 수 있다.If the inorganic thin film layer 120 is formed on at least one surface of the nonwoven fabric, the inorganic thin film layer 120 having voids of several tens to several hundreds of nanometers may be formed on the surface of the nonwoven fabric, May also be formed in the interior of the polymer substrate 110.

고분자 기재(110)의 두께(T1)는 1㎛ 내지 50㎛이며, 고분자 기재(110)의 두께(T1)가 1㎛ 이하 일 경우 기계적 물성을 유지하기가 어렵고, 50㎛을 초과할 경우에는 전기화학 소자 내에서 저항이 커지는 문제점이 있다.The thickness T1 of the polymer substrate 110 is 1 to 50 占 퐉 and it is difficult to maintain the mechanical properties when the thickness T1 of the polymer substrate 110 is 1 占 퐉 or less. There is a problem that resistance increases in a chemical device.

본 발명의 실시예에 따른 무기 박막층(120)은 WO3, MnO2, Fe2O3, Fe3O4, BaTiO3, Pb(Zr,Ti)O3(PZT), HfO2, SrTiO3, CeO2, MgO, NiO, CaO, ZnO, ZrO2, Y2O3, 및 TiO2으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상일 수 있다.The inorganic thin film layer 120 according to an embodiment of the present invention may be formed of a material selected from the group consisting of WO 3 , MnO 2 , Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , BaTiO 3 , Pb (Zr, Ti) O 3 (PZT), HfO 2 , SrTiO 3 , CeO 2 It can be MgO, NiO, CaO, ZnO, ZrO 2, Y 2 O 3, and at least one selected from the group consisting of TiO 2 or more.

바람직하게는, 무기 박막층(120)은 SiO2 또는 Al2O3일 수 있으며, 이로 인해, 전기화학적으로 안정되며 고분자 기재(110)에 용이하게 기상 증착이 가능하다.Preferably, the inorganic thin film layer 120 may be SiO 2 or Al 2 O 3 , thereby being electrochemically stable and allowing easy vapor deposition on the polymer substrate 110.

무기 박막층(120)의 두께(T2)는 1 nm 내지 1 ㎛인 것이 바람직하며, 무기 박막층(120)의 두께(T2)가 1 nm 이하일 경우 고온에서의 열적 특성을 유지할 수 없고, 1 ㎛를 초과하는 경우 무기 박막층(120)의 두께가 증가하여 전체적인 전기화학 소자의 저항을 높여 전기화학 소자의 성능을 저하시킬 우려가 있으며, 증착 공정 시간이 길어져 양산성을 저하시킬 수 있다.The thickness T2 of the inorganic thin film layer 120 is preferably 1 nm to 1 占 퐉 and when the thickness T2 of the inorganic thin film layer 120 is 1 nm or less, thermal characteristics at a high temperature can not be maintained, The thickness of the inorganic thin film layer 120 may be increased to increase the resistance of the electrochemical device as a whole, thereby deteriorating the performance of the electrochemical device. This may increase the deposition process time and decrease the mass productivity.

무기 박막층(120)은 고분자 기재(110)에 형성 시, 무기 박막층(120)이 확산되어 고분자 기재(110)의 내부로 침투하게 된다. 이로 인해, 무기 박막층(120)은 고분자 기재(110)의 외부 표면에도 형성이 되지만 내부에도 형성될 수 있다.When the inorganic thin film layer 120 is formed on the polymer substrate 110, the inorganic thin film layer 120 is diffused and permeates into the interior of the polymer substrate 110. Accordingly, the inorganic thin film layer 120 is formed on the outer surface of the polymer substrate 110, but may also be formed on the inside thereof.

본 발명의 일 실시예에 따라 고분자 기재(110)의 일면에만 무기 박막층(120)이 형성된 고분자 복합체에 대하여 설명하였으나, 고분자 기재(110)의 양면에 무기 박막층(120)을 형성할 수 있다. 고분자 기재(110)의 일면에만 무기 박막층(120)을 형성하는 경우, 공정이 단순하다는 장점이 있지만 고분자 복합체의 열적 안정성이 충분치 않을 수 있다. 그러나, 고분자 기재(110)의 양면에 무기 박막층(120)을 형성하는 경우, 공정이 다소 복잡하지만 상대적으로 고분자 복합체의 열적 안정성을 크게 향상시킬 수 있다.The inorganic thin film layer 120 may be formed on both sides of the polymer substrate 110. The inorganic thin film layer 120 may be formed on both sides of the polymer substrate 110. [ In the case where the inorganic thin film layer 120 is formed only on one side of the polymer substrate 110, the thermal stability of the polymer complex may not be sufficient although the process is simple. However, when the inorganic thin film layer 120 is formed on both surfaces of the polymer substrate 110, the process is somewhat complicated, but the thermal stability of the polymer composite material can be greatly improved.

이하에서는 고분자 기재(110)의 양면에 무기 박막층(120)이 형성된 고분자 복합체에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the polymer composite in which the inorganic thin film layer 120 is formed on both sides of the polymer substrate 110 will be described.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 무기 박막층이 양면에 형성된 고분자 복합체를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a polymer composite in which an inorganic thin film layer is formed on both sides according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 고분자 복합체는 고분자 기재(110)의 내부 또는 양면에 무기 박막층(120)이 형성되어 있다.Referring to FIG. 2, in the polymer composite of the present invention, an inorganic thin film layer 120 is formed on the inside or both sides of the polymer substrate 110.

고분자 기재(110)의 양면에 무기 박막층(120)을 형성하는 고분자 복합체의 구성요소는 도 1에서 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자 복합체와 동일한 기술적 구성요소를 포함할 수 있고, 중복되는 구성요소에 대해서는 중복 기재를 생략하기로 한다.The components of the polymer composite forming the inorganic thin film layer 120 on both sides of the polymer substrate 110 may include the same technical components as those of the polymer composite according to the embodiment of the present invention described above with reference to FIG. 1, Duplicate description will be omitted for the constituent elements.

고분자 기재(110)의 양면에 무기 박막층(120)이 형성되면, 고분자 기재(110)와 무기 박막층(120)의 접촉 면적을 크게 향상시킨다. 이로 인해, 고온에서의 고분자 복합체의 치수 안정성 및 내열성이 크게 향상된다.When the inorganic thin film layer 120 is formed on both sides of the polymer substrate 110, the contact area between the polymer substrate 110 and the inorganic thin film layer 120 is greatly improved. As a result, the dimensional stability and heat resistance of the polymer composite at high temperatures are greatly improved.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른, 무기 박막층을 포함하는 고분자 복합체의 제조하는 방법을 나타낸 흐름도이다.3 is a flow chart illustrating a method for producing a polymer composite including an inorganic thin film layer according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체의 제조하는 방법에 대해 설명하기로 한다.Referring to FIG. 3, a method for producing a polymer composite according to an embodiment of the present invention will be described.

먼저, 단계 S210은 고분자 기재의 적어도 일면에 무기 박막층을 증착하는 단계이다.First, Step S210 is a step of depositing an inorganic thin film layer on at least one side of the polymer substrate.

고분자 기재의 두께(T1)는 1㎛ 내지 50㎛인 것이 바람직하며, 고분자 기재의 두께(T1)가 1㎛ 이하 일 경우 기계적 물성을 유지하기가 어렵고, 50㎛을 초과할 경우에는 전기화학 소자의 성능 저하를 유발하는 저항층으로 작용하게 된다.It is preferable that the thickness T1 of the polymer base material is in the range of 1 탆 to 50 탆 and it is difficult to maintain the mechanical properties when the thickness T1 of the polymer base material is 1 탆 or less, And acts as a resistance layer that causes performance degradation.

고분자 기재는 무기 박막층 형성 전에 산소 플라즈마를 이용하여 고분자 기재의 표면 및 기공 내부 표면에 친수성 작용기를 도입하는 것을 추가 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.The polymer substrate may further include, but is not limited to, introducing a hydrophilic functional group to the surface of the polymer substrate and the inner surface of the pores using an oxygen plasma before forming the inorganic thin film layer.

친수성 작용기는 -OH 또는 -COOH를 포함할 수 있다. 친수성 작용기는 무기 박막층 증착 시 사용되는 전구체와의 친화력 (affinity)을 향상시켜 방사선 조사의 효과를 극대화 시킬 수 있다.The hydrophilic functional group may comprise -OH or -COOH. The hydrophilic functional group can maximize the effect of irradiation by improving the affinity with the precursor used in the inorganic thin film layer deposition.

또한, 무기 박막층의 두께는 1 nm 내지 1 ㎛인 것이 바람직하다.The thickness of the inorganic thin film layer is preferably 1 nm to 1 占 퐉.

상기 무기 박막층의 두께가 1㎛ 이하일 경우 고온에서의 열적 특성을 유지할 수 없고, 1㎛를 초과하는 경우 무기 박막층의 두께가 증가하여 고분자 기재의 공극을 막아 저항 층으로 작용하여 전기화학 소자의 성능을 저하시킬 우려가 있으며, 무기물의 함량 증가로 인하여 고분자 기재가 브리틀(brittle)해 질 수 있다. When the thickness of the inorganic thin film layer is less than 1 탆, thermal characteristics at high temperature can not be maintained. When the thickness of the inorganic thin film layer exceeds 1 탆, the thickness of the inorganic thin film layer increases, There is a fear that the polymer substrate may become brittle due to an increase in the content of the inorganic substance.

무기 박막층은 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD), 화학 용액 성장법(chemical bath deposition; CBD) 및 열 증착법(thermal evaporation deposition) 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 형성될 수 있다.The inorganic thin film layer may be formed by at least one of chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), chemical bath deposition (CBD), and thermal evaporation deposition .

바람직하게는, 무기 박막층은 화학 기상 증착법 또는 원자층 증착법을 이용하여 형성될 수 있다.Preferably, the inorganic thin film layer can be formed using a chemical vapor deposition method or an atomic layer deposition method.

본 발명의 실시예에 따른 화학 기상 증착법 또는 또는 원자층 증착법은 상기 금속 박막층을 형성하기 위한 전구체로 SiCl4(silicon tetrachloride), TEMASi(tetrakis-ethyl-methyl-amino-Silcon), TiCl4(titanium chloride), TTIP(titanium-tetrakis-isoproproxide), TEMAT(tretrakis-ethyl-methyl TDMAT(tetrakis-ethyl-methyl-amino-Titanium), TDMAT(tetrakis-ethyl-methyl-amino-titanium), TDMAT(tetrakis-dimethyl-amino-titanium), TDEAT(tetrakis-diethyl-amino-titanium), TMA(Tri-methyl-Aluminum), MPTMA(methyl-Pyrrolidine-Tri-methyl-Aluminum), EPPTEA(ethyl-pyridine-triethyl-aluminum), EPPDMAH(ethyl-pyridine-dimethyl-aluminum hydridge), IPA(C3H7-O)3Al), TEMAH(tetrakis-ethyl-methyl-amino-hafnium), TEMAZ(Tetrakis-ethyl-methyl-amido-zirconium), TDMAH(tetrakis-dimethyl-amino-hafnium), TDMAZ(tetrakis-dimethyl-amino-zirconium), TDEAH(tetrakis-diethyl-amino-hafnium), TDEAZ(tetrakis-diethyl-amino-zirconium), HTB(hafnium tetra-tert-butoxide), ZTB(zirconium tetra-tert-butoxide), HfCl4(hafnium chloride), Ba(C5H7O2)2, Sr(C5H7O2)2, Ba(C11H19O2) 2, Sr(C11H19O2)2, Ba(C5HF6O2)2, Sr(C10H10F7O2)2, Ba(C10H10F7O2)2 , Sr(C10H10F7O2)2, Ba(C11H19O2)-CH3(OCH2CH2)4OCH3, Sr(C11H19O2)2-CH3(OCH2HC2)4OCH3), Ti(OC2H5)4, Ti(OC3H7)4, Ti(OC4H9)4, Ti(C11H19O2)2 (OC3H7)2, Ti(C11H19O2)2 (O(CH2)2OCH3)2, Pb(C5H7O2)2, Pb(C5HF6O2)2, Pb(C5H4F3O2)2, Pb(C11H19O2)2, Pb(C11H19O2)2, Pb(C2H5)4, La(C5H7O2)3, La(C5HF6O2)3, La(C5H4F3O2)3, La(C11H19O2)3, Zr(OC4H9)4, Zr(C5HF6O2)2, Zr(C5H4F3O2)4, Zr(C11H19O2)4, Zr(C11H19O2)2 (OCH3H7)2, TMSTEMAT(MeSiN=Ta(NEtMe)3), TBITEMAT(Me3CN=Ta(NEtME)3), TBTDET(Me3CN=Ta(Net2)3), PEMAT(Ta[N(CH3)(C2H5)]5), PDEAT(Ta[N(C2H5)2]5), PDMAT(Ta[N(CH3)2]5), TaF5 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 전구체를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.Chemical vapor deposition or, or atomic layer deposition according to embodiments of the present invention as a precursor for forming the metal thin film layer SiCl 4 (silicon tetrachloride), TEMASi (tetrakis-ethyl-methyl-amino-Silcon), TiCl 4 (titanium chloride ), TTIP (titanium-tetrakis-isopropoxide), TEMAT (tetrakis-ethyl-methyl-amino-titanium), TDMAT (tetrakis- amino-titanium, tetrakis-diethylamino-titanium, tri-methyl-aluminum, MPTMA, ethyl-pyridine-triethyl-aluminum, EPPDMAH (ethyl-pyridine-dimethyl-aluminum hydride), IPA (C 3 H 7 -O) 3 Al), TEMAH (tetrakis-ethyl-methyl- amino- hafnium), TEMAZ TDMAH (tetrakis-dimethylamino-hafnium), TDMAZ (tetrakis-dimethyl-amino-zirconium), TDEAH (tetrakis-diethylamino- hafnium), TDEAZ (tetrakis- diethylamino- zirconium), hafnium tetra-tert -butoxide), ZTB (zirconium tetra-tert-b utoxide), HfCl 4 (hafnium chloride ), Ba (C 5 H 7 O 2) 2, Sr (C 5 H 7 O 2) 2, Ba (C 11 H 19 O 2) 2, Sr (C 11 H 19 O 2) 2, Ba (C 5 HF 6 O 2) 2, Sr (C 10 H 10 F 7 O 2) 2, Ba (C 10 H 10 F 7 O 2) 2, Sr (C 10 H 10 F 7 O 2) 2, Ba (C 11 H 19 O 2) -CH 3 (OCH 2 CH 2) 4 OCH 3, Sr (C 11 H 19 O 2) 2 -CH 3 (OCH 2 HC 2) 4 OCH 3) , Ti (OC 2 H 5) 4, Ti (OC 3 H 7) 4, Ti (OC 4 H 9) 4, Ti (C 11 H 19 O 2) 2 (OC 3 H 7) 2, Ti (C 11 H 19 O 2) 2 (O (CH 2) 2 OCH 3) 2, Pb (C 5 H 7 O 2) 2, Pb (C 5 HF 6 O 2) 2, Pb ( C 5 H 4 F 3 O 2 ) 2, Pb (C 11 H 19 O 2) 2, Pb (C 11 H 19 O 2) 2, Pb (C2H 5) 4, La (C 5 H 7 O 2) 3 , La (C 5 HF 6 O 2) 3, La (C 5 H 4 F 3 O 2) 3, La (C 11 H 19 O 2) 3, Zr (OC 4 H 9) 4, Zr (C 5 HF 6 O 2) 2, Zr ( C 5 H 4 F 3 O 2) 4, Zr (C 11 H 19 O 2) 4, Zr (C 11 H 19 O 2) 2 (OCH 3 H 7) 2, TMSTEMAT ( MeSiN = Ta (NEtMe) 3) , TBITEMAT (Me 3 CN = Ta (NEtME) 3), TBTDET (Me 3 CN = Ta (Net 2) 3), PEMAT (Ta [N (CH 3) (C 2 H 5 ) 5 ], PDEAT (Ta [N (C 2 H 5 ) 2 ] 5 ), PDMAT (Ta [N (CH 3 ) 2 ] 5 , TaF 5 , Can include But, it is not limited.

본 발명의 실시예에 따른 화학 기상 증착법은 상온 및 상압에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.The chemical vapor deposition method according to an embodiment of the present invention may be performed at room temperature and atmospheric pressure, but the present invention is not limited thereto.

무기 박막층 형성을 위한 화학 기상 증착법은 산화 분위기에서 수행될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 무기 산화물 박막 형성을 위한 화학 기상 증착법은 CVD 반응기 내에 고분자 기재를 넣은 후 적절한 무기물 전구체와 산소-함유 기체를 함께 공급하여 반응시켜 고분자 기재의 외부 표면 및 기공 표면에 나노미터 수준의 두께로 무기 산화물 박막이 형성되도록 하는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.The chemical vapor deposition method for forming the inorganic thin film layer may be performed in an oxidizing atmosphere, but may not be limited thereto. For example, a chemical vapor deposition method for forming an inorganic oxide thin film may be performed by depositing a polymer substrate in a CVD reactor and then supplying an appropriate inorganic precursor and an oxygen-containing gas together to react to form a nanometer-level thickness on the outer surface and pore surface of the polymer substrate To form an inorganic oxide thin film on the substrate.

상기 산소-함유 기체는 수증기, 산소, 공기, 오존, 또는 이들의 조합들을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.The oxygen-containing gas may include, but is not limited to, water vapor, oxygen, air, ozone, or combinations thereof.

무기 박막층을 형성하기 위한 화학 기상 증착법은 통상적으로 무기 산화물 박막층 형성에 사용되는 무기물 전구체 및 반응 조건을 이용할 수 있으며, 기존 고분자 복합체의 우수한 기계적 물성을 계승하면서 열적 특성을 동시에 향상시키는 방법으로서 무기 산화물 박막이 형성된 고분자 복합체를 제조할 수 있는 조건이라면 특별히 제한 없이 사용될 수 있다.The chemical vapor deposition method for forming the inorganic thin film layer can utilize the inorganic precursor and the reaction conditions conventionally used for the formation of the inorganic oxide thin film layer. In addition, as a method for simultaneously improving the thermal properties while inheriting excellent mechanical properties of the existing polymer composite, Can be used without particular limitation as long as it is a condition capable of producing the polymer complex in which the polymer is formed.

원자층 증착법은 일반적으로, 기판 표면과의 화학적인 결합을 이용하여 전구체(분자)를 기판의 표면에 화학 흡착시킨 후 흡착된 전구체를 표면 화학반응을 통하여 다음 전구체와 치환, 연소, 수소화(protonation) 등의 반응을 시켜 흡착과 치환을 번갈아 진행(사이클을 반복)하기 때문에, 초미세 층간(layer-by-layer) 증착이 가능하고 산화물을 최대한 얇게 쌓을 수 있는 특징이 있다.Atomic layer deposition is generally performed by chemically adsorbing a precursor (molecule) onto the surface of a substrate using a chemical bond with the substrate surface, and then substituting, burning, and protonating the adsorbed precursor through a surface chemical reaction with the next precursor. (Cyclic repetition). Thus, it is possible to deposit a layer-by-layer, and the oxide can be deposited as thin as possible.

본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착법은 저온 원자층 증착법 (Low Temperature Atomic Layer Deposition)을 통하여 금속산화물 박막을 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The atomic layer deposition method according to an embodiment of the present invention can form a metal oxide thin film through a low temperature atomic layer deposition method, but is not limited thereto.

상기 저온 원자층 증착법이 약 25℃ 내지 약 100℃ 미만의 온도 범위에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The low-temperature atomic layer deposition may be performed at a temperature ranging from about 25 캜 to less than about 100 캜, but is not limited thereto.

무기 박막층은 비교적 저온에서 증착되므로, 고온의 공정을 수행하는 경우에서 나타날 수 있는, 다공성 고분자 기재의 기공 붕괴 및 파티클 발생을 방지할 수 있다.Since the inorganic thin film layer is deposited at a relatively low temperature, it is possible to prevent pore collapse and particle generation of the porous polymer substrate, which may occur in the case of performing a high temperature process.

저온 원자층 증착법을 사용하여 고분자 기재의 표면 및 기공 내부 표면에 무기 박막층을 나노미터 수준의 두께로 형성함으로써, 종래의 고분자 복합체의 우수한 기계적 물성 및 높은 이온 이동성을 보유하면서 열적 특성을 향상시키고 전지 내 작용하는 전기적 저항을 줄이면서 고밀도 충전이 가능한 얇은 두께의 고분자 복합체을 제조할 수 있다.By forming the inorganic thin film layer to a thickness of nanometer level on the surface of the polymer substrate and the surface of the pores using the low-temperature atomic layer deposition method, the thermal characteristics can be improved while maintaining the excellent mechanical properties and high ion mobility of the conventional polymer composite, It is possible to produce a polymer composite of a thin thickness capable of high-density charging while reducing the electrical resistance acting thereon.

아울러, 이를 구비한 전기화학 소자는 소자 내 한정된 전극 활물질의 부피를 증가시켜 고용량화가 가능하다.In addition, the electrochemical device having such an electrochemical device can increase the volume of a limited electrode active material in the device, thereby increasing the capacity.

또한, 원자층 증착법은 100℃ 이상의 고온의 경우, 공정 중에 고분자 복합체 자체에 손상이 가게 되고 고분자 복합체의 수축이 일어나는 반면, 저온의 경우, 고분자 복합체의 수축 현상이 나타나지 않는다. 일반적으로 100℃ 이상에서 원자층 증착법을 사용하는 종래의 공정과 달리, 저온, 즉, 75℃ 이하 또는 70℃ 이하의 저온 원자층 증착법을 사용하여 무기물 전구체의 화학분해 반응을 일으켜 부기 박막층(무기 산화물층)이 기재 상에 조밀하게 잘 형성될 수 있으며, 이러한 저온 원자층 증착법에 의하여 형성된 고분자 복합체는 두께 변화가 나타나지 않는다.In the atomic layer deposition method, when the temperature is higher than 100 ° C, the polymer complex itself is damaged during the process and the polymer complex shrinks, whereas at low temperatures, the polymer composite does not shrink. In general, unlike the conventional process using atomic layer deposition at a temperature of 100 ° C or higher, a low temperature atomic layer deposition process at a low temperature, that is, below 75 ° C or 70 ° C is used to cause a chemical decomposition reaction of an inorganic precursor, Layer) can be densely formed on the substrate, and the polymer composite formed by such low-temperature atomic layer deposition does not show a change in thickness.

본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체는 고분자 기재 상에 무기 입자가 아닌 무기 박막층을 형성하여, 무기 박막층과 고분자 기재 간의 결착 특성을 향상시킬 수 있다.The polymer composite according to the embodiment of the present invention can improve the binding property between the inorganic thin film layer and the polymer substrate by forming an inorganic thin film layer which is not inorganic particles on the polymer substrate.

이후, 단계 S220은 무기 박막층에 방사선을 조사하여 상기 고분자 기재와 상기 무기 박막층 사이의 접착력을 증가시키는 단계를 진행한다.Thereafter, in step S220, the step of irradiating the inorganic thin film layer with radiation is performed to increase the adhesive force between the polymer substrate and the inorganic thin film layer.

상기 방사선은 전자선(e-beam), 감마선(γ-rays) 또는 엑스선(x-ray)일 수 있으며, 바람직하게는 전자선(e-beam)이 사용될 수 있다.The radiation may be e-beam, gamma-rays or x-ray, and preferably an e-beam may be used.

상기 방사선은 조사량이 1 kGy 내지 100 kGy일 수 있으며, 바람직하게는 10kGy 내지 50kGy일수 있다.The radiation dose may be from 1 kGy to 100 kGy, preferably from 10 kGy to 50 kGy.

방사선 조사량이 1 kGy 미만이면 방사선에 의한 결합이 진행되지 않는 문제점이 있고, 100 kGy 을 초과하면 고분자 복합체가 파괴되는 문제점이 있다.If the irradiation dose is less than 1 kGy, there is a problem that the binding by radiation does not proceed, and when the irradiation dose is more than 100 kGy, the polymer complex is destroyed.

상기 무기 박막층은 방사선 조사에 의해서 고분자 기재와 무기 박막층 계면에 Si-O-C, Si-O-Si 또는 Si-CH3 화학적 결합이 생성되는 결합 반응이 일어난다. 상기 화학적 공유 결합으로 인해 고분자 기재와 무기 박막층 간의 결합력을 증가시킬 수 있다.The inorganic thin film layer undergoes a bonding reaction in which a Si-OC, Si-O-Si or Si-CH 3 chemical bond is formed at the interface between the polymer substrate and the inorganic thin film layer by irradiation of radiation. Due to the chemical covalent bond, the bonding force between the polymer substrate and the inorganic thin film layer can be increased.

즉, 방사선 조사는 고분자 기재와 무기 박막층의 결착성을 향상시키고, 박리 현상 및 열수축률을 감소시키며, 내열성이 우수한 고분자 복합체를 제조할 수 있다.That is, the irradiation with the radiation can improve the binding property between the polymer substrate and the inorganic thin film layer, reduce the peeling phenomenon and the heat shrinkage rate, and can produce a polymer composite excellent in heat resistance.

또한, 상기 방사선 조사선량이 증가될수록 고분자 복합체의 열수축률이 감소되어 고분자 복합체의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다. 하지만 과량의 방사선은 고분자 필름의 고분자 사슬을 파괴시킴으로써 복합체의 열적 안정성을 오히려 해칠 수 있다.In addition, as the radiation dose is increased, the heat shrinkage ratio of the polymer composite decreases, thereby improving the thermal stability of the polymer composite. Excess radiation, however, can damage the thermal stability of the composite by destroying the polymer chains of the polymer film.

이하에서는, 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체를 세퍼레이터로 사용하는 전기화학 소자에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, an electrochemical device using a polymer composite according to an embodiment of the present invention as a separator will be described.

본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체는 전기화학 소자용 세퍼레이터로 사용될 수 있으며, 전기화학 소자는 전극, 구체적으로 양극과 음극 사이에 세페레이터가 배치되어 있다.The polymer composite according to an embodiment of the present invention can be used as a separator for an electrochemical device, and an electrochemical device includes an electrode, specifically, a separator disposed between an anode and a cathode.

상기 전기화학 소자는 당 기술 분야에 알려진 통상적인 방법에 따라 제조될 수 있으며, 양극과 음극 사이에 본 발명의 세퍼레이터를 개재시켜 조립한 후 전해액을 주입함으로써 제조될 수 있다.The electrochemical device may be manufactured by a conventional method known in the art, and may be manufactured by assembling the positive electrode and the negative electrode with the separator of the present invention interposed therebetween, and then injecting an electrolyte solution.

상기 전극으로는 특별히 제한되지 않으며, 당업계에 알려진 통상적인 방법에 따라 전극 활물질 슬러리를 집전체에 도포하여 제조할 수 있다. The electrode is not particularly limited, and can be produced by applying an electrode active material slurry to a current collector according to a conventional method known in the art.

양극 활물질은 리튬망간산화물, 리튬코발트산화물, 리튬니켈산화물, 리튬철산화물 또는 이들을 조합한 리튬복합산화물이 이용될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.As the cathode active material, lithium manganese oxide, lithium cobalt oxide, lithium nickel oxide, lithium iron oxide, or a lithium composite oxide in combination thereof may be used, but the present invention is not limited thereto.

상기 음극 활물질은 리튬 금속 또는 리튬 합금, 탄소, 석유코크(petroleum coke), 활성화 탄소(activated carbon), 그래파이트(graphite), 기타 탄소류 또는 이들을 조합한 리튬 흡착물질이 이용될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The negative electrode active material may be lithium metal or a lithium alloy, carbon, petroleum coke, activated carbon, graphite, other carbon materials, or a lithium adsorbing material in combination thereof. Do not.

상기 양극 전류 집전체는 알루미늄, 니켈 또는 이들의 조합에 의하여 제조되는 호일이 이용될 수 있으며, 음극 전류 집전체는 구리, 금, 니켈 또는 구리 합금 또는 이들의 조합에 의하여 제조되는 호일이 이용될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The anode current collector may be a foil made of aluminum, nickel or a combination thereof, and a cathode current collector may be a foil made of copper, gold, nickel, or a copper alloy or a combination thereof But is not limited thereto.

상기 전해액은 A+B-와 같은 구조의 염으로서, A+는 Li+, Na+, K+와 같은 알칼리 금속 양이온 또는 이들의 조합으로 이루어진 이온을 포함하고, B-는 PF6-, BF4-, Cl-, Br-, I-, ClO4-, AsF6-, CH3CO2-, CF3SO3-, N(CF3SO2)2-, C(CF2SO2)3-와 같은 음이온 또는 이들의 조합으로 이루어진 이온을 포함하는 염이 프로필렌 카보네이트(propylene carbonate), 에틸렌 카보네이트(ethylene carbonate), 디에틸카보네이트(diethyl carbonate), 디메틸카보네이트(dimethyl carbonate), 디프로필카보네이트(dipropyl carbonate), 디메틸설폭사이드(dimethlyl sulfoxide), 아세토니트릴(acetonitrile), 디메톡시에탄(dimethoxyethane), 디에톡시에탄(diethoxyethane), 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran), N-메틸-2-피롤리돈(n-methyl-2-pyrrolidone), 에틸메틸카보네이트(ethylmethyl carbonate), 감마 부티로락톤 (γ-butyrolactone) 또는 이들의 혼합물로 이루어진 유기 용매에 용해 또는 해리된 것이 이용될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.Wherein A + is an alkali metal cation such as Li +, Na +, K +, or an ion consisting of a combination thereof, and B- is an ion selected from the group consisting of PF 6 -, BF 4 -, Cl- , Br-, I-, ClO 4 - , AsF 6 -, CH 3 CO 2 -, CF 3 SO 3 -, N (CF 3 SO 2) 2 -, C (CF 2 SO 2) 3 - and such an anion or A salt containing an ion comprising a combination of these is selected from the group consisting of propylene carbonate, ethylene carbonate, diethyl carbonate, dimethyl carbonate, dipropyl carbonate, The reaction is carried out in the presence of a base such as dimethlyl sulfoxide, acetonitrile, dimethoxyethane, diethoxyethane, tetrahydrofuran, n-methyl-2-pyrrolidone ), Ethylmethyl carbonate, gamma-butyrolactone, or a mixture thereof But it can be used to the dissolved or dissociated in an organic solvent consisting of, but not limited thereto.

상기 세퍼레이터는 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체가 사용될 수 있으며, 고분자 복합체는 도 1과 동일하므로, 중복되는 구성요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.The polymer composite according to an embodiment of the present invention may be used as the separator, and the polymer composite is the same as that of FIG. 1, so that the description of the overlapping components will be omitted.

본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체를 세퍼레이터로 사용한다면 전기화학 소자의 고율(high-rate) 충방전 특성을 향상시킬 수 있다.If the polymer composite according to the embodiment of the present invention is used as a separator, the high-rate charge-discharge characteristics of the electrochemical device can be improved.

상기 전해액은 전기화학 소자의 제조 공정 및 요구 물성에 따라 공정 시 적절한 단계에서 주입될 수 있고, 구체적으로는 전지의 조립 전 또는 조립 최종 단계에서 주입될 수 있다.The electrolyte solution can be injected at an appropriate stage in the process depending on the manufacturing process and required properties of the electrochemical device, and specifically, before the assembly of the battery or at the final stage of assembly.

상기 전기화학 소자는 권취(winding) 공정 이외에도, 세퍼레이터와 전극의 적층(lamination) 및 스택(stack) 공정과 접음(folding) 공정으로도 제조될 수 있다.In addition to the winding process, the electrochemical device may also be fabricated by lamination and stacking processes of a separator and electrodes, and a folding process.

상기 전기화학 소자로는 특별히 한정되지는 않으나, 모든 종류의 1차 전지, 2차 전지, 연료 전지, 태양 전지 또는 슈퍼 캐패시터 소자와 같은 캐패시터(capacitor) 등에 사용될 수 있다.The electrochemical device is not particularly limited, but may be used for all kinds of capacitors such as a primary cell, a secondary cell, a fuel cell, a solar cell, or a super capacitor device.

특히, 상기 2차 전지는 리튬 금속 2차 전지, 리튬 이온 2차 전지, 리튬 폴리머 2차 전지, 리튬 이온 폴리머 2차 전지 등을 포함할 수 있다.In particular, the secondary battery may include a lithium metal secondary battery, a lithium ion secondary battery, a lithium polymer secondary battery, and a lithium ion polymer secondary battery.

고분자 복합체의 제조예Production Example of Polymer Complex

[비교예1][Comparative Example 1]

폴리에틸렌(polyethylene) 고분자를 용융 압출하여 플로우(flow) 성형 분리막을 제조한 다음, 결정화 열 처리를 통한 연신에 의해 두께가 16㎛ 정도 되는, 1㎛ 내외의 고분자 기재를 제조하였다. 상기 고분자 기재(기공도 47.9%)를 20W 산소 플라즈마 하에서 3분 동안 처리하였다. 80 ℃의 반응용기(chamber) 내에서 실리콘 전구체인 실리콘 테트라클로라이드(SiCl4)가 담긴 용기에 4분 동안 넣어 두어 공기중의 수분과 만나 무기산화물인 SiO2 필름을 다공성 기재 양면에 코팅하였다. 이 때 무기 박막층은 기재의 표면뿐만 아니라 내부 기공을 형성하는 고분자 표면까지 코팅이 가능하다. 무기 박막층의 두께는 1㎛ 이하로 형성되었고, 이에 따라 총 16㎛ 내지 17㎛의 두께를 가지는 고분자 복합체가 제조되었다.A polyethylene polymer was melt-extruded to prepare a flow-molded separator. The polymer substrate was stretched through crystallization heat treatment to prepare a polymer base material having a thickness of about 16 탆 and a thickness of about 1 탆. The polymer substrate (porosity of 47.9%) was treated for 3 minutes under 20W oxygen plasma. (SiCl 4 ) as a silicon precursor in a reaction chamber at 80 ° C. for 4 minutes to cooperate with moisture in the air to coat both surfaces of the porous substrate with an inorganic oxide SiO 2 film. At this time, the inorganic thin film layer can be coated not only on the surface of the base material but also on the polymer surface forming the internal pores. The thickness of the inorganic thin film layer was formed to be 1 탆 or less, whereby a polymer composite having a total thickness of 16 탆 to 17 탆 was produced.

[실시예 1][Example 1]

폴리에틸렌(polyethylene) 고분자를 용융 압출하여 플로우(flow) 성형 분리막을 제조한 다음, 결정화 열 처리를 통한 연신에 의해 두께가 16㎛ 정도 되는, 1㎛ 내외의 고분자 기재를 제조하였다. 상기 고분자 기재 (기공도 47.9%)를 20W 산소 플라즈마 하에서 3분 동안 처리하였다. 80 ℃의 증착용 챔버(chamber) 내에서 실리콘 전구체인 실리콘 테트라클로라이드(SiCl4)를 기상 증착 공정을 통하여 무기산화물인 SiO2 필름을 고분자 기재 양면에 코팅하였다. 이 때 무기 박막층은 기재의 표면뿐만 아니라 내부 기공을 형성하는 고분자 표면까지 코팅이 가능하다. 이 무기 박막층의 두께는 1㎛ 이하로 형성되었고, 이에 따라 총 16㎛ 내지 17㎛의 두께를 가지는 고분자 복합체가 제조되었다. 여기에 전자선(e-beam)을 5kGy 조사하였고, 이 때 빔 에너지는 1.14 MeV, 빔 전류는 6.7 mA, 조사속도는 10 m/min으로 진행되었다. 총 16㎛ 내지 17㎛의 두께를 유지하는 고분자 복합체가 제조된다.A polyethylene polymer was melt-extruded to prepare a flow-molded separator. The polymer substrate was stretched through crystallization heat treatment to prepare a polymer base material having a thickness of about 16 탆 and a thickness of about 1 탆. The polymer substrate (porosity of 47.9%) was treated for 3 minutes under 20W oxygen plasma. The silicon tetrachloride (SiCl 4) a silicon precursor in increased wear in the chamber (chamber) of 80 ℃ was coated with the SiO 2 film of the inorganic oxide by the vapor deposition process on both sides of the polymer substrate. At this time, the inorganic thin film layer can be coated not only on the surface of the base material but also on the polymer surface forming the internal pores. The thickness of the inorganic thin film layer was formed to be 1 탆 or less, whereby a polymer composite having a total thickness of 16 탆 to 17 탆 was produced. The electron beam (e-beam) was irradiated at 5 kGy. At this time, the beam energy was 1.14 MeV, the beam current was 6.7 mA, and the irradiation speed was 10 m / min. Thereby producing a polymer composite having a total thickness of 16 탆 to 17 탆.

[실시예 2][Example 2]

[실시예 1]에서 제조된 고분자 복합체에 전자선(e-beam)을 10kGy 조사를 조사한 것을 제외하고는, [실시예 1]과 동일한 방법으로 고분자 복합체를 제조하였다.A polymer composite was prepared in the same manner as in [Example 1], except that the polymer composite prepared in [Example 1] was irradiated with 10 kGy electron beam (e-beam).

[실시예 3][Example 3]

[실시예 1]에서 제조된 고분자 복합체에 전자선(e-beam)을 20kGy 조사를 조사한 것을 제외하고는, [실시예 1]과 동일한 방법으로 고분자 복합체를 제조하였다.A polymer composite was prepared in the same manner as in [Example 1], except that the polymer composite prepared in [Example 1] was irradiated with 20 kGy electron beam (e-beam).

[실시예 4][Example 4]

[실시예 1]에서 제조된 고분자 복합체에 전자선(e-beam)을 30kGy 조사를 조사한 것을 제외하고는, [실시예 1]과 동일한 방법으로 고분자 복합체를 제조하였다.A polymer composite was prepared in the same manner as in [Example 1], except that the polymer composite prepared in [Example 1] was irradiated with an electron beam (e-beam) at 30 kGy irradiation.

리튬 2차 전지의 제작Manufacture of lithium secondary battery

LiCoO2 90 중량%, 카본 블랙 6 중량%, 그리고 폴리비닐리덴플루오라이드(PVdF) 4 중량%를 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)에 첨가하여 슬러리를 제조하였다. 상기 슬러리를 두께가 20 ㎛인 알루미늄 박막에 도포 및 건조 후, 롤 프레스(roll press)를 실시하여 양극을 제조하였다.A slurry was prepared by adding 90% by weight of LiCoO 2 , 6% by weight of carbon black and 4% by weight of polyvinylidene fluoride (PVdF) to N-methyl-2-pyrrolidone (NMP). The slurry was coated on an aluminum thin film having a thickness of 20 탆, dried, and then rolled to produce a positive electrode.

흑연화 메조카본 마이크로비즈(MCMB) 94 중량% 및 폴리비닐리덴플루오라이드(PVdF) 6 중량%를 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)에 첨가하여 슬러리를 제조하였다. 상기 슬러리를 두께가 10 ㎛인 구리 박막에 도포 및 건조 후, 롤 프레스(roll press)를 실시하여 음극을 제조하였다.94% by weight of graphitized mesocarbon microbeads (MCMB) and 6% by weight of polyvinylidene fluoride (PVdF) were added to N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) to prepare a slurry. The slurry was applied to a copper foil having a thickness of 10 탆, dried, and then rolled to produce a negative electrode.

상기 양극, 상기 음극, 그리고 제조된 고분자 복합체(세퍼레이터)를 스택(stack)공정으로 조립하였고, 여기에 에틸렌 카보네이트(EC), 에틸메틸 카보네이트(EMC) 및 디에틸렌 카보네이트(DEC)가 1:1:1 의 부피비로 혼합된 용매에 1M의 LiPF6를 용해시킨 전해액을 주입하여, 리튬 2차 전지를 제작하였다.(EC), ethylmethyl carbonate (EMC), and diethylene carbonate (DEC) were mixed in a ratio of 1: 1: 1 by weight, and the positive electrode, the negative electrode and the prepared polymer composite (separator) 1, LiPF 6 was dissolved in a mixed solvent to prepare a lithium secondary battery.

이하에서는, 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체의 특성에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, the characteristics of the polymer composite according to the embodiment of the present invention will be described.

평가evaluation

평가 1: 고분자 복합체의 접착력 분석Evaluation 1: Adhesion analysis of polymer complex

[표 1]은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체의 무기 박막층(SiO2)의 접착력을 도시한 표이다.Table 1 is a table showing the adhesive strength of the inorganic thin film layer (SiO 2 ) of the polymer composite according to the embodiment of the present invention.

[표 1]을 참조하면, 비교예 1의 고분자 복합체보다 전자선을 조사하여 형성된 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체(실시예 1 내지 실시예 4)의 접착력 값이 증가되는 것을 알 수 있다.Referring to Table 1, it can be seen that the adhesion value of the polymer composite (Examples 1 to 4) according to the embodiment of the present invention formed by irradiating the electron beam with respect to the polymer composite of Comparative Example 1 is increased.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체는 전자선의 조사량이 커질수록 고분자 필름의 고분자 사슬의 분자와 무기 박막층(SiO2) 사이의 결착력(binding strength)이 향상되는 것을 알 수 있다.In addition, in the polymer composite according to the embodiment of the present invention, the binding strength between the molecules of the polymer chain of the polymer film and the inorganic thin film layer (SiO 2 ) is improved as the dose of electron beam is increased.

비교예 1Comparative Example 1 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 접착력(인장강도)Adhesion (tensile strength) 10N/mm10 N / mm 12N/mm12 N / mm 15N/mm15 N / mm 20N/mm20 N / mm 24N/mm24 N / mm

평가 2: 고분자 복합체의 주사전자현미경(SEM) 분석Evaluation 2: Scanning electron microscope (SEM) analysis of polymer complex

도4a 내지 도 4d는 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체 표면의 주사전자현미경(SEM)을 도시한 이미지이다.4A to 4D are images showing a scanning electron microscope (SEM) of the surface of a polymer composite according to an embodiment of the present invention.

도 5는 비교예 1에 따른 고분자 복합체 표면의 주사전자현미경(SEM)을 도시한 이미지이다.5 is an image showing a scanning electron microscope (SEM) of the surface of the polymer composite according to Comparative Example 1. Fig.

도4a 내지 도 4d 및 도 5를 참고하면, 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 4에 따른 고분자 복합체의 표면은 무기 박막층(SiO2)가 균일하게 코팅이 되어 있음을 알 수 있으며, 전자선의 조사에 의해서 고분자 복합체의 표면 특성이 크게 변화하지 않음을 알 수 있다. Referring to FIGS. 4A to 4D and FIG. 5, it can be seen that the surface of the polymer composite according to Examples 1 to 4 of the present invention is uniformly coated with the inorganic thin film layer (SiO 2 ) It can be seen that the surface properties of the polymer composite do not change significantly.

평가 3: 고분자 복합체의 열수축률 분석Evaluation 3: Thermal Shrinkage Analysis of Polymer Complex

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체의 열수축률 거동을 도시한 이미지이다.6 is an image showing the heat shrinkage rate behavior of the polymer composite according to the embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 실시예 1 내지 실시예 4 및 비교예 1의 폴리머 복합체를 140℃에서 0.5 시간 보관 시의 열수축률 거동을 확인한 다음, 추가로 상기 폴리머 복합체에 150℃에서 0.5 시간 보관 시 열수축 거동을 확인하였다.Referring to FIG. 6, the polymer composite of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 was examined for the heat shrinkage rate behavior when it was stored at 140 ° C for 0.5 hours. Further, when the polymer composite was stored at 150 ° C for 0.5 hours, The behavior was confirmed.

실시예 1 내지 실시예 4 및 비교예 1은 열수축률 거동에 있어서, 큰 차이를 보임을 알 수 있었다. 비교예 1의 고분자 복합체는 원래 형태를 알아볼 수 없을 정도로 열수축을 보인 반면, 실시예 1 내지 실시예 4의 고분자 복합체는 비교적 미비한 열수축 거동을 나타내었다. 특히, 실시예 4의 경우에는 열수축 거동이 거의 없는 것을 확인할 수 있다. 이는 전자선에 의하여 무기 박막층(SiO2)과 고분자 기재의 결합력이 강화되어 열 특성이 크게 향상됨을 의미한다.It can be seen that Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 show a large difference in the heat shrinkage rate behavior. The polymer composite of Comparative Example 1 exhibited insufficient heat shrinkage to an undetectable form, whereas the polymer composite of Examples 1 to 4 exhibited relatively poor heat shrinkage behavior. Particularly, in the case of Example 4, it can be confirmed that there is almost no heat shrinkage behavior. This means that the bonding strength between the inorganic thin film layer (SiO 2 ) and the polymer substrate is enhanced by the electron beam, and the thermal characteristic is greatly improved.

평가 4: 고분자 복합체의 투과율 및 접착력 평가Evaluation 4: Evaluation of transmittance and adhesion of polymer composite

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체의 FT-IR(Fourier transform infrared spectroscopy) 흡수 거동을 도시한 그래프이다.FIG. 7 is a graph showing Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) absorption behavior of a polymer composite according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참고하면, 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 4에 따른 고분자 복합체는 비교예 1과 비교하여, Si-O-C, Si-O-Si 또는 Si-CH3 결합이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 즉, 고분자 기재와 무기 박막층 간의 접착력이 증가되는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 7, it can be confirmed that the polymer composite according to Examples 1 to 4 of the present invention has Si-OC, Si-O-Si or Si-CH 3 bonds increased as compared with Comparative Example 1 . That is, it can be confirmed that the adhesion between the polymer substrate and the inorganic thin film layer is increased.

또한, 방사선 조사량이 증가될수록, 무기물 박막과 고분자 필름의 결착력이 우수하게 되어 고분자 복합체의 열적 특성이 우수해 짐을 확인할 수 있다.In addition, as the irradiation dose is increased, the binding property between the inorganic thin film and the polymer film is improved, and the thermal characteristics of the polymer composite are improved.

평가 5: 리튬 2차 전지의 고율 충방전 특성Evaluation 5: High-rate charge / discharge characteristics of lithium secondary battery

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 복합체(세퍼레이터)를 포함하는 리튬 2차 전지의 충방전 특성을 도시한 그래프이다.8 is a graph showing charge / discharge characteristics of a lithium secondary battery including a polymer composite (separator) according to an embodiment of the present invention.

리튬 2차 전지를 0.2C에서 4.3V까지 충전 후, 각각 0.2C, 0.5C, 1C, 1.5C, 2C 및 3C에서 3.0V로 방전하였고, 상기 충전은 초기 정전류의 20%에서 컷 오프 하였다.After the lithium secondary battery was charged from 0.2C to 4.3V, it was discharged at 3.0V at 0.2C, 0.5C, 1C, 1.5C, 2C and 3C, respectively, and the charge was cut off at 20% of the initial constant current.

도 8을 참고하면, 비교예 1의 세퍼레이터에 비해 본 발명의 실시예에 따른 실시예 1 내지 실시예 4의 세퍼레이터의 고율 충방전 특성이 우수하다는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 8, it can be seen that the separators of Examples 1 to 4 according to the embodiment of the present invention had a higher rate of charge / discharge characteristics than the separator of Comparative Example 1.

특히, 실시예 3 및 실시예 4에서 가장 우수한 충방전 특성을 보이는 것을 확인할 수 있다. 이는 전자선 조사가 SiO2 무기 박막이 보다 균일하게 다공성 고분자 필름 표면에 위치하게 함으로써 액체 전해질과의 접촉을 원활하게 하여 2차 전지의 성능을 크게 향상 시킨다.Particularly, it can be confirmed that the most excellent charge-discharge characteristics are shown in Examples 3 and 4. This is because the electron beam irradiation causes the SiO 2 inorganic thin film to be more uniformly placed on the surface of the porous polymer film, thereby facilitating the contact with the liquid electrolyte, thereby greatly improving the performance of the secondary battery.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. This is possible.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims, as well as the claims.

110 : 고분자 기재 120 : 무기 박막층
T1 : 고분자 기재의 두께 T2 : 무기 박막층의 두께
110: polymer substrate 120: inorganic thin film layer
T1: thickness of the polymer substrate T2: thickness of the inorganic thin film layer

Claims (11)

다공성 고분자 기재에 산소 플라즈마 처리하는 단계;
상기 산소 플라즈마 처리된 다공성 고분자 기재의 적어도 일면에 무기 박막층을 증착하는 단계; 및
상기 무기 박막층에 방사선을 조사하여 상기 고분자 기재와 상기 무기 박막층 사이의 접착력을 증가시키는 단계;
를 포함하고,
상기 방사선은 조사량이 1 kGy 내지 100 kGy인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 제조 방법.
Oxygen plasma treatment of the porous polymeric substrate;
Depositing an inorganic thin film layer on at least one side of the oxygen plasma treated porous polymer substrate; And
Irradiating the inorganic thin film layer with radiation to increase the adhesive force between the polymer substrate and the inorganic thin film layer;
Lt; / RTI >
Wherein the radiation has an irradiation dose of 1 kGy to 100 kGy.
제1항에 있어서,
상기 방사선은 전자선(e-beam), 감마선(γ-rays) 또는 엑스선(x-ray)인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the radiation is electron beam (e-beam), gamma-rays, or x-ray.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 무기 박막층은, SiO2 또는 Al2O3인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 제조 방법.
The method according to claim 1,
The inorganic thin film layer may be formed of SiO 2 or Al 2 O 3 .
제1항에 있어서,
상기 무기 박막층은, WO3, MnO2, Fe2O3, Fe3O4, BaTiO3, Pb(Zr,Ti)O3(PZT), HfO2, SrTiO3, CeO2, MgO, NiO, CaO, ZnO, ZrO2, Y2O3, 및 TiO2으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 제조 방법.
The method according to claim 1,
The inorganic thin film layer may be formed of a material selected from the group consisting of WO 3 , MnO 2 , Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , BaTiO 3 , Pb (Zr, Ti) O 3 (PZT), HfO 2 , SrTiO 3 , CeO 2 , MgO, , ZrO 2 , Y 2 O 3 , and TiO 2 .
제1항에 있어서,
상기 무기 박막층을 증착하는 단계에서,
상기 무기 박막층은 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD), 화학 용액 성장법(chemical bath deposition; CBD) 및 열 증착법(thermal evaporation deposition) 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 제조 방법.
The method according to claim 1,
In the step of depositing the inorganic thin film layer,
The inorganic thin film layer may be formed by at least one of chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), chemical solution deposition (CBD), and thermal evaporation deposition Wherein the polymer matrix is formed by using the polymer matrix.
제1항에 있어서,
상기 무기 박막층은 1 nm 내지 1 ㎛ 의 두께인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the inorganic thin film layer has a thickness of 1 nm to 1 占 퐉.
제1항에 있어서,
상기 다공성 고분자 기재는 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌 (polypropylene), 폴리스타이렌 (polystyrene), 폴리프로필렌테레프탈레이트(polypropylene terephthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutylene terephtalate), 폴리아크릴아마이드(Polyacrylamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리아세탈(polyacetal), 폴리아미드(polyamide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리이미드(polyimide) 폴리에테르에테르케톤(polyether ether ketone), 폴리에테르설폰(polyether sulfone), 폴리페닐렌옥사이드(polyphenylene oxide), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리에틸렌나프탈렌(polyethylene naphthalene) 및 폴리올레핀(polyolefine)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 고분자 복합체 제조 방법.
The method according to claim 1,
The porous polymer base material may be at least one selected from the group consisting of polyethylene, polypropylene, polystyrene, polypropylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, Polyacrylamide, polyester, polyacetal, polyamide, polycarbonate, polyimide, polyether ether ketone, polyether sulfone, And at least one selected from the group consisting of polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, polyethylene naphthalene, and polyolefine.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 다공성 고분자 기재의 두께는 1 ㎛ 내지 50 ㎛인 고분자 복합체 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the porous polymer substrate has a thickness of 1 占 퐉 to 50 占 퐉.
제1항, 제2항, 제4항 내지 제8항 및 제10항 중에서 선택된 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 전기화학소자용 고분자 복합체.A polymer composite for an electrochemical device produced by the method according to any one of claims 1, 2, 4 to 8, and 10.
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