KR101856610B1 - Method to estimate electric charge accumulated on surface of substrate - Google Patents

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Abstract

기판상에 축적된 전하량 모니터링 방법이 개시된다. 전하량 모니터링 방법은 플라스마 공정 처리를 수행하는 공정 챔버 내부에 기설정된 대역의 주파수를 가진하고, 상기 가진된 주파수가 상기 공정 챔버 내부에서 반사된 반사 주파수를 측정하여 제1데이터들을 얻는 단계; 상기 가진된 주파수 대역 중 공진 주파수에 해당하는 상기 제1데이터로부터 제2데이터를 얻는 단계; 및 상기 제2데이터로부터 기판에 축적된 전하의 상대적인 변화를 판단하는 단계를 포함하되, 상기 제2데이터는 상기 공진 주파수에 해당하는 제1데이터 값의 1/2에 해당하는 주파수 대역에 대한 상기 공진 주파수의 비인 기판상에 축적된 전하량 모니터링 방법.A method for monitoring the amount of charge accumulated on a substrate is disclosed. The charge monitoring method comprising: obtaining a first data by measuring a reflected frequency of the excited frequency reflected inside the processing chamber, the frequency of which is preset within a process chamber for performing plasma processing; Obtaining second data from the first data corresponding to a resonance frequency in the excited frequency band; And determining a relative change of the charge stored in the substrate from the second data, wherein the second data includes a resonance frequency of the resonance frequency of the frequency band corresponding to a half of the first data value corresponding to the resonance frequency, Frequency ratio of the charge accumulated on the substrate.

Description

기판상에 축적된 전하량 모니터링 방법{METHOD TO ESTIMATE ELECTRIC CHARGE ACCUMULATED ON SURFACE OF SUBSTRATE} TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method for monitoring the amount of charge accumulated on a substrate,

본 발명은 기판상에 축적된 전하량을 모니터링 하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of monitoring the amount of charge accumulated on a substrate.

에칭 및 레지스트 제거를 위해 이온주입, 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 및 다른 플라즈마 관련 공정에서 반도체 웨이퍼가 대전입자에 노출된다. 이들 공정은 반도체 웨이퍼의 표면부근, 특히 반도체 웨이퍼의 절연막 내부에 전하를 축적한다. 세정공정에 있어서, 반도체 웨이퍼와 가스 또는 액체 세정제 사이의 마찰이 반도체 웨이퍼의 표면을 전기적으로 차지엎(charge up)한다.Semiconductor wafers are exposed to charged particles in ion implantation, plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) and other plasma related processes for etching and resist removal. These processes accumulate electric charge in the vicinity of the surface of the semiconductor wafer, particularly in the insulating film of the semiconductor wafer. In the cleaning process, friction between the semiconductor wafer and the gas or liquid cleaning agent electrically charges up the surface of the semiconductor wafer.

반도체 웨이퍼의 표면에서 과잉전하의 축적은 고전계를 생성해서 반도체 소자의 구조를 파괴하여 그 반도체 소자특성을 열화시키므로 반도체의 제조수율을 저하시킨다. 때문에, 웨이퍼 표면에 축적된 전하량의 모니터링이 요구된다.Accumulation of excess charges on the surface of the semiconductor wafer generates a high electric field to destroy the structure of the semiconductor element and deteriorate the characteristics of the semiconductor element, thereby lowering the yield of semiconductor manufacturing. Therefore, monitoring of the amount of charge accumulated on the wafer surface is required.

한국등록특허 특150416호Korea Patent No. 150416

본 발명의 실시예들은 기판 표면에 축적된 전하량을 모니터링 할 수 있는 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide a method of monitoring the amount of charge accumulated on a substrate surface.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판상에 축적된 전하량 모니터링 방법은 플라스마 공정 처리를 수행하는 공정 챔버 내부에 기설정된 대역의 주파수를 가진하고, 상기 가진된 주파수가 상기 공정 챔버 내부에서 반사된 반사 주파수를 측정하여 제1데이터들을 얻는 단계; 상기 가진된 주파수 대역 중 공진 주파수에 해당하는 상기 제1데이터로부터 제2데이터를 얻는 단계; 및 상기 제2데이터로부터 기판에 축적된 전하의 상대적인 변화를 판단하는 단계를 포함하되, 상기 제2데이터는 상기 공진 주파수에 해당하는 제1데이터 값의 1/2에 해당하는 주파수 대역에 대한 상기 공진 주파수의 비인 기판상에 축적된다.A method for monitoring the amount of charge accumulated on a substrate according to an embodiment of the present invention includes the steps of measuring a frequency of a predetermined frequency band within a process chamber for performing a plasma processing process, To obtain first data; Obtaining second data from the first data corresponding to a resonance frequency in the excited frequency band; And determining a relative change of the charge stored in the substrate from the second data, wherein the second data includes a resonance frequency of the resonance frequency of the frequency band corresponding to a half of the first data value corresponding to the resonance frequency, Frequency is accumulated on the substrate.

또한, 상기 제1데이터들을 얻는 단계는 상기 공정 챔버 내부에서 플라스마 방전이 중단된 상태에서 상기 제1데이터들을 얻는 제1단계; 상기 공정 챔버 내부에서 플라스마 방전이 진행되는 동안 상기 제1데이터들을 얻는 제2단계; 및 상기 공정 챔버 내부에서 플라스마의 방전과 중단이 반복되는 동안, 상기 플라스마가 방전된 상태에서 상기 제1데이터들을 얻고, 플라스마 방전이 중단된 상태에서 상기 제1데이터들을 얻는 제3단계를 포함할 수 있다.The obtaining of the first data may include: a first step of obtaining the first data in a state where the plasma discharge is stopped in the process chamber; A second step of obtaining the first data while the plasma discharge progresses within the process chamber; And a third step of obtaining the first data while the plasma is being discharged while repeating the discharge and interruption of the plasma within the process chamber and obtaining the first data in a state in which the plasma discharge is interrupted have.

본 발명의 실시예들에 의하면, 기판 표면에 축적된 전하량 모니터링을 통해 전하의 과잉 축적으로 인한 문제를 해결할 수 있다.According to embodiments of the present invention, it is possible to solve the problem caused by excessive accumulation of charges through monitoring the amount of charge accumulated on the surface of the substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전하량 모니터링 장치를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 Q-factor를 산출하는 과정을 나타내는 그래프이다.
도 3은 공명 피크(resonance peak)와 Q-factor의 상대적 변화에 따른 plasma like layer의 영향을 나타내는 그래프이다.
도 4는 plasma like layer를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제1데이터를 얻는 과정을 나타내는 그래프이다.FIG. 1 is a schematic view of a charge amount monitoring apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
2 is a graph illustrating a process of calculating a Q-factor according to an embodiment of the present invention.
3 is a graph showing the influence of the plasma like layer on the relative change of the resonance peak and the Q-factor.
4 is a view showing a plasma like layer.
5 is a graph illustrating a process of obtaining first data according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판상에 축적된 전하량 모니터링 방법을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method of monitoring a charge amount accumulated on a substrate according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전하량 모니터링 장치를 간략하게 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a schematic view of a charge amount monitoring apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

도 1을 참조하면, 전하량 모니터링 장치(100)는 공정 처리에 제공된 기판 표면에 축적된 전하량을 모니터링한다. 전하량 모니터링 장치(100)는 공정 처리부(10)와 전하량 모니터링부(20)를 포함한다. Referring to Figure 1, the charge monitoring device 100 monitors the amount of charge accumulated on the substrate surface provided in the process. The charge monitoring apparatus 100 includes a process processing unit 10 and a charge quantity monitoring unit 20.

공정 처리부(10)는 기판(W)에 대한 공정 처리를 수행한다. 공정 처리부(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W) 처리를 수행할 수 있다. 공정 처리부(10)는 플라스마 에칭 공정을 수행할 수 있다. 공정 처리부(10)는 공정 챔버(11), 상부 전극(12), 하부 전극(13), 그리고 전원(14)을 포함한다.The process processing unit 10 performs processing on the substrate W. [ The processing section 10 can perform the processing of the substrate W by using the plasma. The process processing unit 10 may perform a plasma etching process. The process processing section 10 includes a process chamber 11, an upper electrode 12, a lower electrode 13, and a power source 14.

공정 챔버(11)는 내부에 공간이 형성된다. 공정 챔버(11)의 내부는 기판(W) 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 하부 전극(12)은 공정 챔버(11)의 내부에 위치한다. 하부 전극(12)은 기판(W)보다 큰 반경을 갖는 플레이트로 제공될 수 있다. 하부 전극(12)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 하부 전극(12)은 접지될 수 있다.The process chamber 11 has a space formed therein. The interior of the process chamber 11 provides a space in which the substrate W process is performed. The lower electrode 12 is located inside the process chamber 11. The lower electrode 12 may be provided with a plate having a larger radius than the substrate W. [ On the upper surface of the lower electrode 12, a substrate W is placed. The lower electrode 12 may be grounded.

하부 전극(12)의 상부에는 상부 전극(13)이 위치한다. 상부 전극(13)은 하부 전극(12)과 마주하여 위치한다. 상부 전극(13)은 전원(14)과 전기적으로 연결된다. 전원(14)에서 발생된 고주파 전력은 상부 전극(13)에 인가된다. 상부 전극(13)에 인가된 고주파 전력은 상부 전극(13)과 하부 전극(12) 사이 공간으로 공급된 공정 가스를 방전시킨다. 공정 가스는 방전되어 플라스마 상태로 변환되며, 기판(W) 처리에 제공된다. 공정 가스가 여기되는 과정, 그리고 플라스마가 기판을 처리하는 과정에서 기판(W) 표면에는 전하가 축적된다.The upper electrode 13 is located on the lower electrode 12. The upper electrode 13 is located opposite the lower electrode 12. The upper electrode 13 is electrically connected to the power supply 14. The high-frequency power generated in the power supply 14 is applied to the upper electrode 13. The high frequency power applied to the upper electrode 13 discharges the process gas supplied into the space between the upper electrode 13 and the lower electrode 12. [ The process gas is discharged and converted to a plasma state, and is provided for the substrate W processing. Charges accumulate on the surface of the substrate W during the process gas excitation and during the plasma processing of the substrate.

전하량 모니터링부(20)는 기판 표면에 축적된 전하량을 모니터링한다. 전하량 모니터링부는 안테나(21), 계측부(22), 그리고 연산부(23)를 포함한다. The charge quantity monitoring unit 20 monitors the amount of charge accumulated on the substrate surface. The charge amount monitoring unit includes an antenna 21, a measuring unit 22, and a calculating unit 23.

안테나(21)는 그 끝단이 공정 챔버(11)의 내부에 위치한다. 안테나(21)는 공정 챔버(11)의 측벽을 통해 공정 챔버(11)의 내부에 제공될 수 있다. 이와 달리, 안테나(21)는 공정 챔버(11)의 바닥벽을 통해 공정 챔버(11)의 내부에 제공될 수 있다. 안테나(21)는 그 끝단이 고리 형상으로 구부러질 수 있다. 안테나(21)는 코일(coil) 또는 로드(rod) 형상을 가질 수 있다.The end of the antenna 21 is located inside the process chamber 11. The antenna 21 may be provided inside the process chamber 11 through the side wall of the process chamber 11. Alternatively, the antenna 21 may be provided inside the process chamber 11 through the bottom wall of the process chamber 11. [ The end of the antenna 21 can be bent in an annular shape. The antenna 21 may have the shape of a coil or a rod.

계측부(22)는 안테나(21)에 기설정된 대역의 주파수를 인가한다. 안테나(21)에 전달된 주파수는 공정 챔버(11) 내부에 인가되며, 공정 챔버(11)의 내벽과 기판(W) 표면 등에서 반사된다. 반사된 주파수는 안테나(21)를 통해 계측부(22)에 전달되며, 계측부(22)는 반사된 주파수를 계측한다.The measuring unit 22 applies a frequency of a predetermined band to the antenna 21. [ The frequency transmitted to the antenna 21 is applied to the inside of the process chamber 11 and reflected from the inner wall of the process chamber 11 and the surface of the substrate W or the like. The reflected frequency is transmitted to the measuring unit 22 via the antenna 21, and the measuring unit 22 measures the reflected frequency.

계측부(22)는 공정 챔버(11) 내부에 인가된 인가 주파수와 공정 챔버(11)등에서 반사된 반사 주파수로부터 제1데이터를 산출한다. 실시예에 의하면, 계측부(22)는 VNA(Vector Network Analyzer)를 포함하고, 제1데이터는 S-파리미터(parameter)를 포함한다. S-파라미터는 두 개의 복합 전원의 비이다. 하나의 전원은 포트 리시버(port receiver)에서 측정되고, 다른 하나의 전원은 레퍼런스 리시버(reference receiver)에서 측정될 수 있다.The measuring unit 22 calculates the first data from the application frequency applied inside the process chamber 11 and the reflection frequency reflected from the process chamber 11 or the like. According to the embodiment, the measuring unit 22 includes a VNA (Vector Network Analyzer), and the first data includes an S-parameter. The S-parameter is the ratio of the two combined power sources. One power source may be measured at the port receiver and the other power source may be measured at the reference receiver.

연산부(23)는 계측부(22)에서 제1데이터를 수신하며, 수신된 제1데이터를 바탕으로 제2데이터를 산출한다. 제2데이터는 Q-factor을 포함한다. Q-factor는 아래와 같은 방법에 의해 산출된다.The calculating unit 23 receives the first data from the measuring unit 22, and calculates the second data based on the received first data. The second data includes a Q-factor. The Q-factor is calculated by the following method.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 Q-factor를 산출하는 과정을 나타내는 그래프이다. 도 2를 참조하면, 그래프는 계측부에서 제공된다. 그래프의 가로축은 계측부(22)에 수신된 주파수를 나타내고, 세로축은 S-파라미터를 나타낸다. 그래프에는 2개의 그래프가 도시된다. 하나의 그래프(G1)는 플라스마 발생이 오프(OFF) 되었을 때의 S-파라미터 값들이고, 다른 하나의 그래프(G2)는 플라스마 발생이 온(ON) 되었을 때의 S-파라미터 값들이 나타난다. 주파수는 특정 대역에 걸쳐 나타나므로, S-파라미터 값들은 주파수의 크기에 따라 변한다. 그래프(G1, G2)들은 대체로 공진 주파수(Resonant Frequency, F1, F2)를 기준으로 좌우가 대칭되는 형상을 가진다. 플라스마 발생이 오프(OFF) 되었을 때, 공진 주파수(F1)에서의 S-파라미터 값이 플라스마 발생이 온(ON) 되었을 때의 공진 주파수(F2)에서의 S-파라미터 값보다 크게 나타난다. 연산부(23)는 각 그래프에서 Q-factor를 산출한다. 연산부(23)가 Q-factor를 산출하는 방법은 동일하므로, 제1그래프(G1)에서 Q-factor를 산출하는 과정을 예를 들어 설명한다. 연산부(23)는 공진 주파수(F1)에서 S-파라미터 값(S1)의 1/2에 해당하는 값(S2)을 산출한다. 그리고, 연산부(23)는 제1그래프(G1)에서 S-파라미터 값(S1)의 1/2에 해당하는 값(S2)을 갖는 주파수의 대역 폭(Wd)을 산정한다. 제1그래프(G1)에는 S-파라미터 값(Sr)의 1/2에 해당하는 값(S2)을 갖는 주파수 값이 두 개(F3, F4) 나타나며, 연산부(23)는 이들 주파수의 폭(Wd=│F4-F3│)을 산출한다. Q-factor는 아래 식에 의해 계산된다.2 is a graph illustrating a process of calculating a Q-factor according to an embodiment of the present invention. Referring to Fig. 2, a graph is provided in the metrology section. The horizontal axis of the graph represents the frequency received by the measuring unit 22, and the vertical axis represents the S-parameter. Two graphs are shown in the graph. One graph G1 is the S-parameter values when the plasma generation is OFF and the other graph G2 shows the S-parameter values when the plasma generation is ON. Since the frequency appears over a certain band, the S-parameter values vary with the magnitude of the frequency. The graphs G1 and G2 are symmetrically symmetrical with respect to a resonant frequency (F1, F2). The S-parameter value at the resonance frequency F1 becomes larger than the S-parameter value at the resonance frequency F2 when the plasma generation is turned ON when the plasma generation is OFF. The calculating unit 23 calculates a Q-factor in each graph. Since the calculation method of the Q-factor by the operation unit 23 is the same, the process of calculating the Q-factor in the first graph G1 will be described as an example. The calculating unit 23 calculates a value S2 corresponding to 1/2 of the S-parameter value S1 at the resonance frequency F1. The operation unit 23 calculates the bandwidth Wd of the frequency having the value S2 corresponding to 1/2 of the S-parameter value S1 in the first graph G1. The first graph G1 shows two frequency values F3 and F4 having a value S2 corresponding to 1/2 of the S-parameter value Sr and the calculating unit 23 calculates the width Wd = | F4-F3 |). The Q-factor is calculated by the following equation.

Figure 112011100363065-pat00001

Figure 112011100363065-pat00001

도 3은 공명 피크(resonance peak)와 Q-factor의 상대적 변화에 따른 plasma like layer의 영향을 나타내는 그래프이다.3 is a graph showing the influence of the plasma like layer on the relative change of the resonance peak and the Q-factor.

도 3을 참조하면, 그래프의 가로축은 plasma like layer의 두께를 나타내고, 세로축은 공명 주파수와 Q-factor의 상대적인 변화를 나타낸다. plasma like layer는 도 4와 같이 플라스마가 형성되는 영역(PA)과 기판(W)의 경계 영역에 형성되는 plasma layer(PL)이다. 그리고, 별 문양(★)들은 plasma like layer 두께에 대한 공명 주파수의 상대적인 변화를 나타내고, 원 문양(●)들은 plasma like layer의 두께에 대한 Q-factor의 상대적인 변화를 나타낸다. 그래프는 plasma like layer의 두께가 커질수록 공명 주파수와 Q-factor값의 상대적 변화가 커지는 것으로 이해된다.
Referring to FIG. 3, the abscissa of the graph represents the thickness of the plasma like layer, and the ordinate represents the relative change of the resonance frequency and Q-factor. The plasma like layer is a plasma layer (PL) formed in a boundary region between a region (PA) in which a plasma is formed and a substrate (W) as shown in FIG. The asterisks (★) represent the relative change of the resonance frequency with respect to the plasma-like layer thickness, and the circle symbols (●) represent the relative change of the Q-factor with respect to the thickness of the plasma like layer. The graph shows that as the thickness of the plasma like layer increases, the relative change in resonant frequency and Q-factor value increases.

본 발명의 일 실시예에 따른 축적 전하량 모니터링 방법은 서로 다른 조건에서 제1데이터들을 얻을 수 있다.The accumulated charge amount monitoring method according to an embodiment of the present invention can obtain first data under different conditions.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제1데이터를 얻는 과정을 나타내는 그래프이다. 도 5를 참조하면, 먼저 플라스마 방전이 오프(off)된 상태에서 제1 S-파라미터(S11 1)를 얻는다(M1). 그리고, 플라스마 방전이 온(on)된 상태에서 제2 S-파라미터(S11 2)를 얻는다(M2). 그리고, 플라스마 방전이 온(on)과 오프(off)가 반복되는 상태에서, 제3 S-파라미터(S11 3)와 제4 S-파라미터(S11 4)를 얻는다(M3). 제3 S-파라미터(S11 3)는 플라스마 방전이 오프(off) 상태에서 계측되고, 제4 S-파라미터(S11 4)는 플라스마 방전이 온(on) 상태에서 계측된다. 5 is a graph illustrating a process of obtaining first data according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, a first S-parameter S 11 1 is obtained in a state in which the plasma discharge is off (M1). Then, the second S-parameter S 11 2 is obtained while the plasma discharge is on (M2). And, in a state in which a plasma discharge on (on) and off (off) is repeated to obtain a second parameter 3 S- (S 11 3) and a 4 parameter S- (S 11 4) (M3) . Claim 3 S- parameters (S 11 3) is a plasma discharge is measured by the Off (off) state, the 4 S- parameters (S 11 4) is measured in a state in which the plasma discharge on (on).

상술한 방법으로 얻어 진 제1 내지 제4S-파라미터(S11 1 내지 S11 4)들로부터 각각 Q-factor를 산출한다. 제1S-파라미터(S11 1)로부터 제1 Q-factor(Q1)이 산출되고, 제2S-파라미터(S11 2)로부터 제2 Q-factor(Q2)가 산출되고, 제3 S-파라미터(S11 3)로부터 제3 Q-factor(Q3)가 산출되고, 제4S-파라미터(S11 4)로부터 제4 Q-factor(Q4)가 산출된다. 아래의 식을 이용하여 플라스마 처리에 의해 기판 표면에 축적되는 전하량의 상대적인 비(α)를 알 수 있다.The first to fourth S-parameters (S 11 1 To S 11 4 ), respectively. The 1S- parameters claim 1 Q-factor (Q1) is calculated, the first 2 Q-factor (Q2) from 2S- parameter (S 11 2) from (S 11 1) is calculated, a 3 S- parameters ( S being the output Q-factor is 3 (Q3) from 11 3), the first parameter 4S- (the Q-factor 4 (Q4) from the 11 S 4) is calculated. The relative ratio (alpha) of the amount of charge accumulated on the surface of the substrate by the plasma treatment can be found using the following equation.

Figure 112011100363065-pat00002
Figure 112011100363065-pat00002

α는 기판 표면에 축적되는 전하량을 추측할 수 있는 하나의 자료가 된다.
α is one piece of data that can be used to estimate the amount of charge accumulated on the substrate surface.

상술한 전하량 모니터링 방법은 플라스마를 이용한 다양한 공정, 예컨대 애싱 공정, 증착 공정, 그리고 세정 공정에도 적용할 수 있다.
The charge amount monitoring method described above can be applied to various processes using plasma, such as an ashing process, a deposition process, and a cleaning process.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 전하량 모니터링 장치 10: 공정 처리부
11: 공정 챔버 12, 13: 전극
14: 전원 20: 전하량 모니터링부
21: 안테나 22: 계측부
23: 연산부100: Charge amount monitoring apparatus 10: Process processing section
11: process chamber 12, 13: electrode
14: power supply 20: charge amount monitoring unit
21: antenna 22:
23:

Claims (2)

기판 처리 챔버에 인가된 주파수 및 반사된 주파수를 측정해 기판상에 축적된 전하량을 모니터링 하는 방법에 있어서,
플라스마 공정 처리를 수행하는 공정 챔버 내부에 기설정된 대역의 주파수를 가진하고, 상기 가진된 주파수가 상기 공정 챔버 내부에서 반사된 반사 주파수를 측정하여 제1데이터들을 얻는 단계;
상기 가진된 주파수 대역 중 공진 주파수에 해당하는 상기 제1데이터로부터 제2데이터를 얻는 단계; 및
상기 제2데이터로부터 기판에 축적된 전하의 상대적인 변화를 판단하는 단계를 포함하되,
상기 제2데이터는
상기 공진 주파수에 해당하는 제1데이터 값의 1/2에 해당하는 주파수 대역에 대한 상기 공진 주파수의 비인 기판상에 축적된 전하량 모니터링 방법.A method for monitoring the amount of charge accumulated on a substrate by measuring a frequency and a reflected frequency applied to a substrate processing chamber,
Obtaining a first data having a frequency of a predetermined band within a process chamber for performing a plasma processing process and measuring a reflection frequency at which the excited frequency is reflected within the process chamber;
Obtaining second data from the first data corresponding to a resonance frequency in the excited frequency band; And
Determining a relative change in charge stored in the substrate from the second data,
The second data
Wherein the ratio of the resonance frequency to the frequency band corresponding to 1/2 of the first data value corresponding to the resonance frequency is accumulated on the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 제1데이터들을 얻는 단계는
상기 공정 챔버 내부에서 플라스마 방전이 중단된 상태에서 상기 제1데이터들을 얻는 제1단계;
상기 공정 챔버 내부에서 플라스마 방전이 진행되는 동안 상기 제1데이터들을 얻는 제2단계; 및
상기 공정 챔버 내부에서 플라스마의 방전과 중단이 반복되는 동안, 상기 플라스마가 방전된 상태에서 상기 제1데이터들을 얻고, 플라스마 방전이 중단된 상태에서 상기 제1데이터들을 얻는 제3단계를 포함하는 기판상에 축적된 전하량 모니터링 방법.The method according to claim 1,
The step of obtaining the first data
A first step of obtaining the first data in a state where the plasma discharge is stopped in the process chamber;
A second step of obtaining the first data while the plasma discharge progresses within the process chamber; And
And a third step of obtaining the first data while the plasma is discharged and obtaining the first data while the plasma discharge is interrupted while the discharge and interruption of the plasma are repeated within the process chamber The method comprising the steps of:
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