KR101855786B1 - Epoxy resin compostion and printed circuit board comprising isolation layer using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 절연층을 포함하는 인쇄 회로 기판에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 의한 에폭시 수지 조성물은 에폭시 화합물 5 내지 40 중량%, 경화제 1 내지 30 중량% 및 무기 충전재 40 내지 92 중량%를 포함한다.
에폭시 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 나프탈렌 에폭시 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]

Figure 112016103086111-pat00023

(단 화학식 1에서 x는 하기 화학식 2로 표시되고, n은 1 내지 10 의 정수를 나타낸다.)
[화학식 2]
Figure 112016103086111-pat00024
The present invention relates to a printed circuit board comprising an epoxy resin composition and an insulating layer using the same. The epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention comprises 5 to 40% by weight of an epoxy compound, 1 to 30% by weight of a curing agent and 40 to 92% by weight of an inorganic filler.
The epoxy compound may include a naphthalene epoxy compound represented by the following formula (1).
[Chemical Formula 1]
Figure 112016103086111-pat00023

(Provided that in the general formula (1), x is represented by the following general formula (2), and n represents an integer of 1 to 10.)
(2)
Figure 112016103086111-pat00024

Description

에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 절연층을 포함하는 인쇄 회로 기판 {EPOXY RESIN COMPOSTION AND PRINTED CIRCUIT BOARD COMPRISING ISOLATION LAYER USING THE SAME}EPOXY RESIN COMPOSITION AND PRINTED CIRCUIT BOARD COMPRISING ISOLATION LAYER USING THE SAME Technical Field [1] The present invention relates to an epoxy resin composition,

에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 절연층을 포함하는 인쇄 회로 기판에 관한 것이다.An epoxy resin composition and an insulating layer using the epoxy resin composition.

현재의 자동차는 기존의 기계적인 요소에 전기/전자적인 요소가 추가 적용되어 정밀한 제어시스템을 구현하고 있으며, 자동차의 전기/전자적인 요소 및 장치들이 차지하는 역할이 매우 중요한 부분으로 인식되고 있다.Current automobiles are implemented with precise control systems by adding electric / electronic elements to existing mechanical elements and it is recognized that the role of electric / electronic elements and devices of automobiles is very important.

최근 전기차, 하이브리드 차 등 친환경 자동차들이 점차 개발됨에 따라 전기제어시스템의 고전압/고전류가 흐르는 전자소자부품들이 증가하고 있으며, 전자소자부품들에 대한 방열 요구가 점차 증대되고 있다.Recently, as eco-friendly vehicles such as electric cars and hybrid cars are gradually developed, the number of electronic device components flowing in high voltage / high current of the electric control system is increasing, and the demand for heat dissipation for electronic device components is gradually increasing.

이러한 전자소자부품의 발열 소자의 열을 방출하고자, 메탈 인쇄회로기판 (PCB, Printed Circuit Board)를 적용한다. 메탈 인쇄회로기판은 메탈 CCL(Copper Clad Laminate)라고도 불리며, 구리(Cu, Copper) 회로층과 절연층, 그리고 금속 기재가 적층되어 있는 것을 기본 형태로 한다.A metal printed circuit board (PCB) is applied to dissipate the heat of the heating element of the electronic component. The metal printed circuit board is also referred to as a metal CCL (Copper Clad Laminate), and has a basic form in which a copper (Cu, copper) circuit layer, an insulating layer, and a metal substrate are laminated.

인쇄회로기판은 전기 절연성 기판에 회로 패턴을 포함하는 것으로서, 인쇄회로기판 상에는 다양한 전기전자 소자들이 실장 될 수 있다. 전자 부품의 고집적화 및 고용량화에 따라, 전기전자 소자가 방출하는 열이 증가함에 따라 인쇄회로기판의 방열 문제와 신뢰성 수명에 대한 관심이 더욱 커지고 있다. The printed circuit board includes a circuit pattern on an electrically insulating substrate, and various electrical and electronic elements can be mounted on the printed circuit board. As heat dissipated by electric and electronic elements increases with the increase in the degree of integration and high capacity of electronic components, there is a growing interest in heat dissipation problems and reliability life of printed circuit boards.

따라서, 인쇄회로기판은 전자 부품의 발열 소자로부터의 열을 외부로 방출하기 위해 설계적으로 방열을 위한 구조와 함께 인쇄회로기판 자체에 방열성과 고신뢰성을 부여하려고 한다. 특히 인쇄회로기판의 방열성과 신뢰성에는 인쇄회로기판 내 절연층의 열전도율과 내열성이 큰 영향을 미친다. Accordingly, the printed circuit board is intended to give heat radiation and high reliability to the printed circuit board itself together with a structure for heat dissipation in order to radiate the heat from the heat generating element of the electronic component to the outside. Particularly, the thermal conductivity and the heat resistance of the insulating layer in the printed circuit board have a great influence on the heat dissipation and reliability of the printed circuit board.

인쇄회로기판의 높은 신뢰성과 동시에 우수한 열전도성을 가지는 절연층을 The insulating layer having high reliability of the printed circuit board and excellent thermal conductivity

얻기 위해서 일반적으로 에폭시 수지 조성물이 사용되고 있다. 이때, 방열 성능을 높이기 위하여 무기 충전재를 고밀도로 충전하여 방열 성능을 확보 할 수 있다. 그러나, 무기 충전재를 고밀도를 충전 시 절연층의 내전압 성능과 신뢰성에 영향을 미칠 수 있다.An epoxy resin composition is generally used. At this time, in order to enhance the heat radiation performance, the inorganic filler can be filled with high density to ensure the heat radiation performance. However, when the inorganic filler is charged at a high density, the withstand voltage performance and reliability of the insulating layer may be affected.

본 발명의 일 실시예는 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 절연층을 포함하는 인쇄 회로 기판을 제공한다. 구체적으로 방열 성능, 내전압 성능과 함께 절연층의 장기 신뢰성이 확보된 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 절연층을 포함하는 인쇄 회로 기판을 제공한다.One embodiment of the present invention provides a printed circuit board comprising an epoxy resin composition and an insulating layer using the epoxy resin composition. The present invention provides a printed circuit board comprising an epoxy resin composition and an insulating layer using the epoxy resin composition.

본 발명의 일 실시예에 의한 에폭시 수지 조성물은 에폭시 화합물 5 내지 40 중량%, 경화제 1 내지 30 중량% 및 무기 충전재 40 내지 92 중량%를 포함한다.The epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention comprises 5 to 40% by weight of an epoxy compound, 1 to 30% by weight of a curing agent and 40 to 92% by weight of an inorganic filler.

에폭시 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 나프탈렌 에폭시 화합물을 포함할 수 있다.The epoxy compound may include a naphthalene epoxy compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112016103086111-pat00001
Figure 112016103086111-pat00001

(단 화학식 1에서 x는 하기 화학식 2로 표시되고, n은 1 내지 10 의 정수를 나타낸다.)(Provided that in the general formula (1), x is represented by the following general formula (2), and n represents an integer of 1 to 10.)

[화학식 2](2)

Figure 112016103086111-pat00002
Figure 112016103086111-pat00002

에폭시 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 트리페닐메탄 노볼락 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다.The epoxy compound may further comprise a triphenylmethane novolak epoxy compound represented by the following formula (3).

[화학식 3](3)

Figure 112016103086111-pat00003
Figure 112016103086111-pat00003

(단 화학식 3에서 x는 상기 화학식 2로 표시되고, n은 1 내지 5의 정수를 나타내고, m은 1 내지 4의 정수를 나타내고, l은 0 내지 5의 정수를 나타낸다.)(Wherein, in the general formula (3), x is represented by the general formula (2), n represents an integer of 1 to 5, m represents an integer of 1 to 4, and 1 represents an integer of 0 to 5.)

에폭시 화합물은 비결정성 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다.The epoxy compound may further include an amorphous epoxy compound.

비결정성 에폭시 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 화합물을 포함할 수 있다.The amorphous epoxy compound may include a bisphenol A type epoxy compound represented by the following general formula (4).

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure 112016103086111-pat00004
Figure 112016103086111-pat00004

(단 화학식 4에서 x는 상기 화학식 2로 표시되고, n은 1 내지 5의 정수를 나타내고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원소, 히드록시기 또는 알킬기를 나타낸다.)(Wherein, in the general formula (4), x is represented by the general formula (2), n represents an integer of 1 to 5, and R 1 and R 2 each independently represent hydrogen, a halogen element, a hydroxy group or an alkyl group.

에폭시 화합물 100 중량부에 대하여 화학식 1로 표시되는 나프탈렌 에폭시 화합물을 30 내지 60 중량부, 화학식 3으로 표시되는 트리페닐메탄 노볼락 에폭시 화합물을 30 내지 60 중량부 및 화학식 4로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 화합물을 10 내지 40 중량부 포함할 수 있다.30 to 60 parts by weight of the naphthalene epoxy compound represented by the general formula (1), 30 to 60 parts by weight of the triphenylmethane novolak epoxy compound represented by the general formula (3), and the bisphenol A epoxy And 10 to 40 parts by weight of the compound.

경화제는 아민계 경화제, 페놀계 경화제, 산무수물계 경화제, 폴리메르캅탄계 경화제, 폴리아미노아미드계 경화제, 이소시아네이트계 경화제 및 블록 이소시아네이트계 경화제 중에서 선택되는 1종 이상이 될 수 있다.The curing agent may be at least one selected from an amine curing agent, a phenol curing agent, an acid anhydride curing agent, a polymercaptan curing agent, a polyaminoamide curing agent, an isocyanate curing agent and a block isocyanate curing agent.

무기 충전재는 알루미나, 질화붕소, 질화알루미늄, 알루미나, 질화붕소, 질화알루미늄, 결정 실리카 및 질화알루미늄 중에서 선택되는 1종 이상이 될 수 있다.The inorganic filler may be at least one selected from alumina, boron nitride, aluminum nitride, alumina, boron nitride, aluminum nitride, crystalline silica and aluminum nitride.

무기 충전재는 평균 입도가 0.1 내지 30㎛일 수 있다.The inorganic filler may have an average particle size of 0.1 to 30 占 퐉.

무기 충전재 100 중량부에 대하여 알루미나를 90 내지 93.5 중량부 및 질화붕소를 6.5 내지 10 중량부 포함할 수 있다.90 to 93.5 parts by weight of alumina and 6.5 to 10 parts by weight of boron nitride may be contained in 100 parts by weight of the inorganic filler.

에폭시 수지 조성물 100 중량부에 대하여 실란 커플링 첨가제를 0.1 내지 5 중량부 더 포함할 수 있다.0.1 to 5 parts by weight of a silane coupling additive may be further added to 100 parts by weight of the epoxy resin composition.

에폭시 수지 조성물의 유리 전이 온도는 120℃ 이상이 될 수 있다.The glass transition temperature of the epoxy resin composition may be 120 ° C or higher.

에폭시 수지 조성물의 열전도도는 2.0W/mK 내지 5.0W/mK가 될 수 있다.The thermal conductivity of the epoxy resin composition may be from 2.0 W / mK to 5.0 W / mK.

본 발명의 일 실시예에 의한 인쇄 회로 기판은 금속 기판, 금속 기판 상에 형성되는 절연층, 및 절연층 상에 형성되는 회로층을 포함한다.A printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes a metal substrate, an insulating layer formed on the metal substrate, and a circuit layer formed on the insulating layer.

절연층은 에폭시 화합물 5 내지 40 중량%, 경화제 1 내지 30 중량% 및 무기 충전재 40 내지 92 중량%를 포함할 수 있다.The insulating layer may comprise 5 to 40 wt% of an epoxy compound, 1 to 30 wt% of a curing agent, and 40 to 92 wt% of an inorganic filler.

에폭시 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 나프탈렌 에폭시 화합물을 포함할 수 있다.The epoxy compound may include a naphthalene epoxy compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112016103086111-pat00005
Figure 112016103086111-pat00005

(단 화학식 1에서 x는 하기 화학식 2로 표시되고, n은 1 내지 10 의 정수를 나타낸다.)(Provided that in the general formula (1), x is represented by the following general formula (2), and n represents an integer of 1 to 10.)

[화학식 2](2)

Figure 112016103086111-pat00006
Figure 112016103086111-pat00006

절연층은 박리 강도(peel strength)가 1.0Kgf/cm 내지 2.0Kgf/cm 이고, 항복 전압(Breakdown Voltage)이 5.0 내지 7.0 kV일 수 있다.The insulating layer may have a peel strength of 1.0 to 2.0 Kgf / cm and a breakdown voltage of 5.0 to 7.0 kV.

절연층은 200℃에서 1000시간 동안 열처리한 후, 박리 강도 저하율이 10% 이하이고, 항복 전압 저하율이 20% 이하일 수 있다.The insulating layer can be subjected to heat treatment at 200 占 폚 for 1000 hours, and then the rate of decrease in peel strength may be 10% or less and the rate of decrease in breakdown voltage may be 20% or less.

(단, 박리 강도 저하율은 ([열처리 후 박리강도]-[열처리 전 박리강도])/[열처리 전 박리강도]*100으로 계산되고, 항복 전압 상승율은 ([열처리 후 항복 전압]-[열처리 전 항복 전압])/[열처리 전 항복 전압]*100으로 계산된다)(Note that the rate of decrease in peel strength is calculated as ([Peel strength after heat treatment] - [Peel strength before heat treatment] / [Peel strength before heat treatment] * 100, Breakdown voltage]) / [breakdown voltage before heat treatment] * 100)

본 발명의 일 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물 및 인쇄 회로 기판은 절연층의 열전도도 향상과 다관능성의 에폭시 수지와 경화제 조성물을 사용함에 따라 절연층의 장기 신뢰성을 확보하였다.The epoxy resin composition and the printed circuit board according to an embodiment of the present invention have improved thermal conductivity of the insulating layer and secured the long-term reliability of the insulating layer by using the multi-functional epoxy resin and the curing agent composition.

절연층의 열전도율을 향상 시키기 위해서 결정성을 높이는 메조겐 구조를 포함하는 에폭시 수지를 사용하여 무기 충전재의 함량을 최소화하면서 절연층의 열전도율을 향상 시킬 수 있다.It is possible to improve the thermal conductivity of the insulating layer while minimizing the content of the inorganic filler by using an epoxy resin including a mesogen structure for enhancing the crystallinity in order to improve the thermal conductivity of the insulating layer.

전자 부품의 발열 소자의 작동 온도보다 높은 유리 전이 온도를 가지기 위해 에폭시 조성물에 다관능성 에폭시 수지를 사용하여 절연층의 유리전이온도 확보와 신뢰성 확보할 수 있다.In order to have a glass transition temperature higher than the operating temperature of the heating element of the electronic component, it is possible to secure the glass transition temperature and reliability of the insulating layer by using a polyfunctional epoxy resin in the epoxy composition.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 인쇄 회로 기판의 단면 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic cross-sectional view of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. However, it is to be understood that the present invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. It is intended that the disclosure of the present invention be limited only by the terms of the appended claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

어느 부분이 다른 부분의 "위에" 또는 "상에" 있다고 언급하는 경우, 이는 바로 다른 부분의 위에 또는 상에 있을 수 있거나 그 사이에 다른 부분이 수반될 수 있다. 대조적으로 어느 부분이 다른 부분의 "바로 위에" 있다고 언급하는 경우, 그 사이에 다른 부분이 개재되지 않는다.When referring to a portion as being "on" or "on" another portion, it may be directly on or over another portion, or may involve another portion therebetween. In contrast, when referring to a part being "directly above" another part, no other part is interposed therebetween.

본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한, C1 내지 C30 알킬기; C1 내지 C10 알킬실릴기; C3 내지 C30 시클로알킬기; C6 내지 C30 아릴기; C2 내지 C30 헤테로아릴기; C1 내지 C10 알콕시기; 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기; 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.As used herein, unless otherwise defined, "substituted" means a C1 to C30 alkyl group; C1 to C10 alkylsilyl groups; A C3 to C30 cycloalkyl group; A C6 to C30 aryl group; A C2 to C30 heteroaryl group; A C1 to C10 alkoxy group; A C1 to C10 trifluoroalkyl group such as a fluoro group and a trifluoromethyl group; Or cyano group.

본 명세서에서 "이들의 조합"이란 별도의 정의가 없는 한, 둘 이상의 치환기가 연결기로 결합되어 있거나, 둘 이상의 치환기가 축합하여 결합되어 있는 것을 의미한다. In the present specification, the term "combination thereof" means that two or more substituents are bonded to each other via a linking group or two or more substituents are condensed and bonded.

본 명세서에서 "알킬(alkyl)기"이란 별도의 정의가 없는 한, 어떠한 알켄기나 알킨기를 포함하고 있지 않은 "포화 알킬(saturated alkyl)기"; 또는 적어도 하나의 알켄(alkene)기 또는 알킨(alkyne)기를 포함하고 있는 "불포화 알킬(unsaturated alkyl)기"를 모두 포함하는 것을 의미한다. 상기 "알켄기"는 적어도 두 개의 탄소원자가 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합으로 이루어진 치환기를 의미하며, "알킨기" 는 적어도 두 개의 탄소원자가 적어도 하나의 탄소-탄소 삼중 결합으로 이루어진 치환기를 의미한다. 상기 알킬기는 분지형, 직쇄형 또는 환형일 수 있다. As used herein, unless otherwise defined, the term " alkyl group "means a" saturated alkyl group "which does not include any alkene or alkynyl group; Or an "unsaturated alkyl group" comprising at least one alkene group or alkyne group. Means a substituent in which at least two carbon atoms are composed of at least one carbon-carbon double bond, and "alkynyl group" means a substituent in which at least two carbon atoms are composed of at least one carbon-carbon triple bond . The alkyl group may be branched, straight-chain or cyclic.

상기 알킬기는 C1 내지 C20의 알킬기 일 수 있으며, 보다 구체적으로 C1 내지 C6인 저급 알킬기, C7 내지 C10인 중급 알킬기, C11 내지 C20의 고급 알킬기일 수 있다. The alkyl group may be a C1 to C20 alkyl group, more specifically a C1 to C6 lower alkyl group, a C7 to C10 intermediate alkyl group, or a C11 to C20 higher alkyl group.

예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 존재하는 것을 의미하며 이는 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.For example, C1 to C4 alkyl groups mean that from 1 to 4 carbon atoms are present in the alkyl chain, which includes methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, n-butyl, iso-butyl, sec-butyl and t- Indicating that they are selected from the group.

전형적인 알킬기에는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등이 있다.Typical examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an ethenyl group, a propenyl group, a butenyl group, a cyclopropyl group, Pentyl group, cyclohexyl group, and the like.

따라서, 몇몇 실시예들에서, 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 다른 정의가 없다면 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.
Thus, in some embodiments, well-known techniques are not specifically described to avoid an undesirable interpretation of the present invention. Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Whenever a component is referred to as "including" an element throughout the specification, it is to be understood that the element may include other elements, not the exclusion of any other element, unless the context clearly dictates otherwise. Also, singular forms include plural forms unless the context clearly dictates otherwise.

본 발명의 일 실시예에 의한 에폭시 수지 조성물은 에폭시 화합물 5 내지 40 중량%, 경화제 1 내지 30 중량% 및 무기 충전재 40 내지 92 중량%를 포함한다. 이하에서는 각 구성별로 구체적으로 설명한다.The epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention comprises 5 to 40% by weight of an epoxy compound, 1 to 30% by weight of a curing agent and 40 to 92% by weight of an inorganic filler. Hereinafter, each configuration will be described in detail.

에폭시 화합물은 에폭시 수지 조성물 100 중량%에 대하여 5 내지 40 중량% 포함된다. 전술한 범위로 포함됨으로써 절연층의 고신뢰성을 확보할 수 있다. 더욱 구체적으로 에폭시 화합물은 7 내지 20 중량% 포함될 수 있다.The epoxy compound is contained in an amount of 5 to 40% by weight based on 100% by weight of the epoxy resin composition. The high reliability of the insulating layer can be ensured by being included in the range described above. More specifically, the epoxy compound may be contained in an amount of 7 to 20% by weight.

본 발명의 일 실시예에서 에폭시 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 나프탈렌 에폭시 화합물을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the epoxy compound may include a naphthalene epoxy compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112016103086111-pat00007
Figure 112016103086111-pat00007

(단 화학식 1에서 x는 하기 화학식 2로 표시되고, n은 1 내지 10 의 정수를 나타낸다.)(Provided that in the general formula (1), x is represented by the following general formula (2), and n represents an integer of 1 to 10.)

[화학식 2](2)

Figure 112016103086111-pat00008
Figure 112016103086111-pat00008

화학식 1로 표시되는 나프탈렌 에폭시 화합물은 결정성을 높이는 메조겐 구조를 포함하기 때문에 무기 충전재의 함량을 최소화하면서 절연층의 열전도율을 향상 시킬 수 있다.Since the naphthalene epoxy compound represented by the general formula (1) includes a mesogen structure which enhances crystallinity, the thermal conductivity of the insulating layer can be improved while minimizing the content of the inorganic filler.

더욱 구체적으로 화학식 1에서 n은 2가 될 수 있다. n이 2인 경우, 나프탈렌 에폭시 화합물은 하기 화학식 5와 같이 표시될 수 있다.More specifically, in formula (1), n may be 2. When n is 2, the naphthalene epoxy compound may be represented by the following general formula (5).

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112016103086111-pat00009
Figure 112016103086111-pat00009

나프탈렌 에폭시 화합물은 상기 화학식 5로 표시되는 성분이 겔 투과 크로마토그래피의 면적 백분율값이 80%이상이고, 당량은 135 내지 160g/eq 이며, 융점이 45 내지 55℃일 수 있다.The naphthalene epoxy compound may have an area percentage of gel permeation chromatography of 80% or more, an equivalent weight of 135 to 160 g / eq, and a melting point of 45 to 55 ° C.

에폭시 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 트리페닐메탄 노볼락 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 트리페닐메탄 노볼락 에폭시 화합물을 더 포함함으로써 신뢰성을 더욱 높일 수 있고, 내전압, 유리 전이 온도 수치를 향상시킬 수 있다.The epoxy compound may further comprise a triphenylmethane novolak epoxy compound represented by the following formula (3). By further including a triphenylmethane novolak epoxy compound, reliability can be further increased and the withstand voltage and glass transition temperature can be improved.

[화학식 3](3)

Figure 112016103086111-pat00010
Figure 112016103086111-pat00010

(단 화학식 3에서 x는 상기 화학식 2로 표시되고, n은 1 내지 5의 정수를 나타내고, m은 1 내지 4의 정수를 나타내고, l은 0 내지 5의 정수를 나타낸다.)(Wherein, in the general formula (3), x is represented by the general formula (2), n represents an integer of 1 to 5, m represents an integer of 1 to 4, and 1 represents an integer of 0 to 5.)

더욱 구체적으로 화학식 3에서 n 및 m은 1일 수 있다.More specifically, in formula (3), n and m may be 1.

에폭시 화합물은 전술한 결정성 에폭시 화합물 외에도 비결정성 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 비결정성 에폭시 화합물을 더 포함함으로써 상온 안정성을 더욱 확보할 수 있다. The epoxy compound may further include an amorphous epoxy compound in addition to the above-described crystalline epoxy compound. By further containing an amorphous epoxy compound, stability at room temperature can be further secured.

비결정성 에폭시 화합물은, 예를 들면 비스페놀 A, 비스페놀 F, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디히드록시디페닐메탄, 4,4'-디히드록시디페닐술폰, 4,4'-디히드록시디페닐술피드, 4,4'-디히드록시디페닐케톤, 플루오렌비스페놀, 4,4'-비페놀,3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디히드록시비페닐, 2,2'-비페놀, 레조르신, 카테콜, t-부틸카테콜, 히드로퀴논, t-부틸히드로퀴논, 1,2-디히드록시나프탈렌, 1,3-디히드록시나프탈렌, 1,4-디히드록시나프탈렌, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 1,7-디히드록시나프탈렌, 1,8-디히드록시나프탈렌, 2,3-디히드록시나프탈렌, 2,4-디히드록시나프탈렌, 2,5-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 2,7-디히드록시나프탈렌, 2,8-디히드록시나프탈렌, 상기 디히드록시나프탈렌의 알릴화물 또는 폴리알릴화물, 알릴화비스페놀A, 알릴화비스페놀F, 알릴화페놀노볼락 등의 2가의 페놀류, 혹은 페놀노볼락, 비스페놀A노볼락, o-크레졸노볼락, m-크레졸노볼락, p-크레졸노볼락, 크실레놀노볼락, 폴리-p-히드록시스티렌, 트리스-(4-히드록시페닐)메탄, 1,1,2,2-테트라키스(4-히드록시페닐)에탄, 플루오로글리시놀, 피로갈롤, t-부틸피로갈롤, 알릴화피로갈롤, 폴리알릴화피로갈롤, 1,2,4-벤젠트리올, 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 페놀아랄킬수지, 나프톨아랄킬수지, 디시클로펜타디엔계 수지 등의3가 이상의 페놀류, 테트라브로모비스페놀A 등의 할로겐화비스페놀류 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나로부터 유도되는 글리시딜에테르화물일 수 있다.Examples of amorphous epoxy compounds include bisphenol A, bisphenol F, 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-4,4'-dihydroxydiphenylmethane, 4,4'-dihydroxydiphenyl Sulfone, 4,4'-dihydroxydiphenyl sulfide, 4,4'-dihydroxydiphenyl ketone, fluorene bisphenol, 4,4'-biphenol, 3,3 ', 5,5'-tetra Methyl 4,4'-dihydroxybiphenyl, 2,2'-biphenol, resorcin, catechol, t-butylcatechol, hydroquinone, t- butylhydroquinone, 1,2-dihydroxynaphthalene, 1 Dihydroxynaphthalene, 1,4-dihydroxynaphthalene, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 1,7-dihydroxynaphthalene, 1,8-dihydro Dihydroxynaphthalene, 2,4-dihydroxynaphthalene, 2,5-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, 2,7-dihydroxynaphthalene, 2, 8-dihydroxynaphthalene, allyl or polyallylate of the dihydroxynaphthalene, allylated bisphenol A, allylated Bisphenol F, and allylated phenol novolac; and divalent phenols such as phenol novolak, bisphenol A novolak, o-cresol novolac, m-cresol novolak, p- -Hydroxystyrene, tris- (4-hydroxyphenyl) methane, 1,1,2,2-tetrakis (4-hydroxyphenyl) ethane, fluoroglycinol, pyrogallol, Allylated pyrogallol, polyallylated pyrogallol, 1,2,4-benzenetriol, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, phenol aralkyl resin, naphthol aralkyl resin, dicyclopentadiene resin, etc. A trivalent or higher phenol, a halogenated bisphenol such as tetrabromobisphenol A, and a mixture selected from the foregoing.

구체적으로 비결정성 에폭시 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 화합물을 포함할 수 있다.Specifically, the amorphous epoxy compound may include a bisphenol A type epoxy compound represented by the following formula (4).

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure 112016103086111-pat00011
Figure 112016103086111-pat00011

(단 화학식 4에서 x는 상기 화학식 2로 표시되고, n은 1 내지 5의 정수를 나타내고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원소, 히드록시기 또는 알킬기를 나타낸다.)(Wherein, in the general formula (4), x is represented by the general formula (2), n represents an integer of 1 to 5, and R 1 and R 2 each independently represent hydrogen, a halogen element, a hydroxy group or an alkyl group.

더욱 구체적으로 화학식 4에서 n은 1이고, R1 및 R2는 알킬기가 될 수 있다. 더욱 구체적으로 R1 및 R2는 메틸기가 될 수 있다.More specifically, in the general formula (4), n is 1, and R 1 and R 2 may be an alkyl group. More specifically, R 1 and R 2 may be a methyl group.

에폭시 화합물이 전술한 화학식 1로 표시되는 나프탈렌 에폭시 화합물, 화학식 3으로 표시되는 트리페닐메탄 노볼락 에폭시 화합물 및 화학식 4로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 화합물을 모두 포함하는 경우, 에폭시 화합물 100 중량부에 대하여 화학식 1로 표시되는 나프탈렌 에폭시 화합물을 30 내지 60 중량부, 화학식 3으로 표시되는 트리페닐메탄 노볼락 에폭시 화합물을 30 내지 60 중량부 및 화학식 4로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 화합물을 10 내지 40 중량부 포함할 수 있다. 나프탈렌 에폭시 화합물 및 트리페닐메탄 노볼락 에폭시 화합물이 너무 적게 포함되면, 내전압, 유리 전이 온도 특성이 열악해지는 문제가 발생할 수 있다. 나프탈렌 에폭시 화합물 및 트리페닐메탄 노볼락 에폭시 화합물이 너무 많이 포함되면, 열전도도나 내열성 면에서 문제가 발생할 수 있다.
When the epoxy compound contains both the naphthalene epoxy compound represented by the formula (1), the triphenylmethane novolac epoxy compound represented by the formula (3) and the bisphenol A type epoxy compound represented by the formula (4) 30 to 60 parts by weight of the naphthalene epoxy compound represented by the formula (1), 30 to 60 parts by weight of the triphenylmethane novolak epoxy compound represented by the formula (3) and 10 to 40 parts by weight of the bisphenol A type epoxy compound represented by the formula . When the naphthalene epoxy compound and the triphenylmethane novolac epoxy compound are contained in too small amounts, the withstand voltage and the glass transition temperature characteristics may deteriorate. If the naphthalene epoxy compound and the triphenylmethane novolac epoxy compound are contained too much, problems may arise in terms of thermal conductivity and heat resistance.

경화제는 에폭시 수지 조성물 100 중량%에 대하여 1 내지 30 중량% 포함된다. 전술한 범위로 포함됨으로써 절연층의 고신뢰성을 확보할 수 있다. 더욱 구체적으로 경화제는 3 내지 10 중량% 포함될 수 있다.The curing agent is contained in an amount of 1 to 30% by weight based on 100% by weight of the epoxy resin composition. The high reliability of the insulating layer can be ensured by being included in the range described above. More specifically, the curing agent may be contained in an amount of 3 to 10% by weight.

경화제는 아민계 경화제, 페놀계 경화제, 산무수물계 경화제, 폴리메르캅탄계 경화제, 폴리아미노아미드계 경화제, 이소시아네이트계 경화제 및 블록 이소시아네이트계 경화제 중에서 선택되는 1종 이상이 될 수 있다.The curing agent may be at least one selected from an amine curing agent, a phenol curing agent, an acid anhydride curing agent, a polymercaptan curing agent, a polyaminoamide curing agent, an isocyanate curing agent and a block isocyanate curing agent.

아민계 경화제의 다른 예는, 지방족 아민류, 폴리에테르폴리아민류, 지환식 아민류, 방향족 아민류 등일 수 있으며, 지방족 아민류로서는, 에틸렌디아민, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노프로판, 헥사메틸렌디아민, 2,5-디메틸헥사메틸렌디아민, 트리메틸헥사메틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 이미노비스프로필아민, 비스(헥사메틸렌)트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, 펜타에틸렌헥사민, N-히드록시에틸에틸렌디아민, 테트라(히드록시에틸)에틸렌디아민 등을 들 수 있다. 폴리에테르폴리아민류로서는, 트리에틸렌글리콜디아민, 테트라에틸렌글리콜디아민, 디에틸렌글리콜비스(프로필아민), 폴리옥시프로필렌디아민, 폴리옥시프로필렌트리아민류 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나일 수 있다. 지환식 아민류로서는, 이소포론디아민, 메타센디아민, N-아미노에틸피페라진, 비스(4-아미노-3-메틸디시클로헥실)메탄, 비스(아미노메틸)시클로헥산, 3,9-비스(3-아미노프로필)2,4,8,10-테트라옥사스피로(5,5)운데칸, 노르보르넨디아민 등을 들 수 있다. 방향족 아민류로서는, 테트라클로로-p-크실렌디아민, m-크실렌디아민, p-크실렌디아민, m-페닐렌디아민, o-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 2,4-디아미노아니솔, 2,4-톨루엔디아민, 2,4-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-1,2-디페닐에탄, 2,4-디아미노디페닐술폰, m-아미노페놀, m-아미노벤질아민, 벤질디메틸아민, 2-디메틸아미노메틸)페놀, 트리에탄올아민, 메틸벤질아민, α-(m-아미노페닐)에틸아민, α-(p-아미노페닐)에틸아민, 디아미노디에틸디메틸디페닐메탄, α,α'-비스(4-아미노페닐)-p-디이소프로필벤젠 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나일 수 있다. 구체적으로 아민계 경화제는, 디아미노디페닐메탄(diamino diphenyl methane)일 수 있다.Other examples of the amine-based curing agent may be aliphatic amines, polyether polyamines, alicyclic amines, aromatic amines and the like. Examples of the aliphatic amines include ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, (Hexamethylene) triamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, pentaethylenehexamine, tetraethylenepentamine, pentaerythritol tetramine, tetraethylenepentamine, pentaerythritol hexamine, N-hydroxyethylethylenediamine, tetra (hydroxyethyl) ethylenediamine, and the like. Examples of the polyether polyamines include triethylene glycol diamine, tetraethylene glycol diamine, diethylene glycol bis (propylamine), polyoxypropylene diamine, polyoxypropylene triamine, and mixtures thereof. Examples of the alicyclic amines include isophoronediamine, methadecenediamine, N-aminoethylpiperazine, bis (4-amino-3-methyldicyclohexyl) methane, bis (aminomethyl) cyclohexane, 3,9- -Aminopropyl) 2,4,8,10-tetraoxaspiro (5,5) undecane, norbornenediamine, and the like. Examples of the aromatic amines include tetrachloro-p-xylenediamine, m-xylenediamine, p-xylenediamine, m-phenylenediamine, o-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 2,4- , 4-toluenediamine, 2,4-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamino-1,2-diphenylethane, 2,4- (M-aminophenyl) ethylamine, [alpha] - (p-amino) benzylamine, benzyldimethylamine, benzyldimethylamine, 2-dimethylaminomethyl) phenol, triethanolamine, methylbenzylamine, Phenyl) ethylamine, diaminodiethyldimethyldiphenylmethane,?,? '- bis (4-aminophenyl) -p-diisopropylbenzene and mixtures thereof. Specifically, the amine-based curing agent may be diamino diphenyl methane.

페놀계 경화제는, 예를 들면 비스페놀A, 비스페놀F, 4,4'-디히드록시디페닐메탄, 4,4'-디히드록시디페닐에테르, 1,4-비스(4-히드록시페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-히드록시페녹시)벤젠, 4,4'-디히드록시디페닐술피드, 4,4'-디히드록시디페닐케톤, 4,4'-디히드록시디페닐술폰, 4,4'-디하이드록시디페닐에스터, 4,4'-디히드록시비페닐, 2,2'-디히드록시비페닐, 10-(2,5-디히드록시페닐)-10H-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 페놀노볼락, 비스페놀A 노볼락, o-크레졸노볼락, m-크레졸노볼락, p-크레졸노볼락, 크실레놀노볼락, 폴리-p-히드록시스티렌, 히드로퀴논, 레조르신, 카테콜, t-부틸카테콜, t-부틸히드로퀴논, 플루오로글리시놀, 피로갈롤, t-부틸피로갈롤, 알릴화피로갈롤, 폴리알릴화피로갈롤, 1,2,4-벤젠트리올, 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 1,2-디히드록시나프탈렌, 1,3-디히드록시나프탈렌, 1,4-디히드록시나프탈렌, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 1,7-디히드록시나프탈렌, 1,8-디히드록시나프탈렌, 2,3-디히드록시나프탈렌, 2,4-디히드록시나프탈렌, 2,5-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 2,7-디히드록시나프탈렌, 2,8-디히드록시나프탈렌, 상기 디히드록시나프탈렌의 알릴화물 또는 폴리알릴화물, 알릴화비스페놀A, 알릴화비스페놀F, 알릴화페놀노볼락, 알릴화피로갈롤 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나일 수 있다. 더욱 구체적으로 페놀계 경화제는 페놀노볼락일 수 있다.Examples of the phenolic curing agent include bisphenol A, bisphenol F, 4,4'-dihydroxydiphenylmethane, 4,4'-dihydroxydiphenyl ether, 1,4-bis (4-hydroxyphenoxy ) Benzene, 1,3-bis (4-hydroxyphenoxy) benzene, 4,4'-dihydroxydiphenyl sulfide, 4,4'-dihydroxydiphenyl ketone, 4,4'- 4,4'-dihydroxydiphenyl ester, 4,4'-dihydroxybiphenyl, 2,2'-dihydroxybiphenyl, 10- (2,5-dihydroxyphenyl ) -10H-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, phenol novolak, bisphenol A novolac, o- cresol novolak, m- cresol novolac, p- cresol novolac, , Poly-p-hydroxystyrene, hydroquinone, resorcin, catechol, t-butyl catechol, t-butyl hydroquinone, fluoroglycinol, pyrogallol, t- butyl pyrogallol, allyl pyrogallol, polyallyl 1,2,4-benzenetriol, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 1,2-dihydroxynaphthalene, 1,3-di Dihydroxynaphthalene, 1,8-dihydroxynaphthalene, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 1,8-dihydroxynaphthalene, , 3-dihydroxynaphthalene, 2,4-dihydroxynaphthalene, 2,5-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, 2,7-dihydroxynaphthalene, 2,8- Allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated phenol novolacs, allylated pyrogallol, and mixtures thereof. [0031] The present invention also provides a process for producing the above-mentioned dihydroxynaphthalene. More specifically, the phenolic curing agent may be phenol novolak.

산무수물계 경화제는, 예를 들면 도데세닐무수숙신산, 폴리아디핀산무수물, 폴리아젤라인산무수물, 폴리세바신산무수물, 폴리(에틸옥타데칸이산)무수물, 폴리(페닐헥사데칸이산)무수물, 메틸테트라히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로무수프탈산, 헥사히드로무수프탈산, 무수메틸하이믹산, 테트라히드로무수프탈산, 트리알킬테트라히드로무수프탈산, 메틸시클로헥센디카르본산무수물, 메틸시클로헥센테트라카르본 산무수물, 무수프탈산, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산, 벤조페논테트라카르본산무수물, 에틸렌글리콜비스 트리멜리테이트, 무수헤트산, 무수나딕산, 무수메틸나딕산, 5-(2,5-디옥소테트라히드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-시클로헥산-1,2-디카르본산무수물, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌숙신산이무수물, 1-메틸-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌숙신산이무수물 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나일 수 있다.Examples of the acid anhydride-based curing agent include dodecenylsuccinic anhydride, polyadipic acid anhydride, polyazelaic anhydride, poly sebacic anhydride, poly (ethyloctadecanedioic) anhydride, poly (phenylhexadecanedioic) anhydride, methyltetrahydro There may be mentioned phthalic anhydride, phthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhydromic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, methylcyclohexene dicarboxylic anhydride, methylcyclohexene tetracarboxylic anhydride, phthalic anhydride , Anhydrous trimellitic acid, anhydrous pyromellitic acid, benzophenonetetracarboxylic anhydride, ethylene glycol bistrimellitate, anhydrous hic acid, anhydrous nadic acid, methylnadic anhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydro- 3-cyclohexane-1,2-dicarboxylic anhydride, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalenesuccinic acid anhydride, 1 -Methyl-dicarboxy -1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalenesuccinic acid anhydride and mixtures thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 고온 분해 온도가 높은 페놀계 경화제를 사용할 수 있으며, 2 종류 이상의 경화제를 혼합하여 사용할 수도 있다.
According to one embodiment of the present invention, a phenol-based curing agent having a high decomposition temperature at a high temperature may be used, or two or more kinds of curing agents may be mixed and used.

무기 충전재는 에폭시 수지 조성물 100 중량%에 대하여 40 내지 92 중량% 포함된다. 전술한 범위로 포함됨으로써 우수한 열전도도 및 내전압 특성을 확보할 수 있다. 더욱 구체적으로 무기 충전재는 70 내지 85 중량% 포함될 수 있다.The inorganic filler is contained in an amount of 40 to 92% by weight based on 100% by weight of the epoxy resin composition. By being included in the range described above, it is possible to secure excellent thermal conductivity and withstand voltage characteristics. More specifically, the inorganic filler may be contained in an amount of 70 to 85% by weight.

무기 충전재는 알루미나, 질화붕소, 질화알루미늄, 알루미나, 질화붕소, 질화알루미늄, 결정 실리카 및 질화알루미늄 중에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 알루미나 및 질화 붕소를 포함할 수 있다. The inorganic filler may include at least one selected from alumina, boron nitride, aluminum nitride, alumina, boron nitride, aluminum nitride, crystalline silica and aluminum nitride. More specifically alumina and boron nitride.

무기 충전재가 알루미나 및 질화 붕소를 포함하는 경우, 무기 충전재 100 중량부에 대하여 알루미나를 90 내지 93.5 중량부 및 질화붕소를 6.5 내지 10 중량부 포함할 수 있다. 질화 붕소를 너무 적게 포함할 시, 열전도도 면에서 문제가 생길 수 있다. 질화 붕소를 너무 많이 포함할 시, 질화 붕소 부피로 인한 박리 강도 및 내전압 면에서 문제가 발생할 수 있다. 더욱 구체적으로 알루미나를 92.5 내지 93.5 중량부 및 질화붕소를 6.5 내지 7.5 중량부 포함할 수 있다.When the inorganic filler comprises alumina and boron nitride, 90 to 93.5 parts by weight of alumina and 6.5 to 10 parts by weight of boron nitride may be contained per 100 parts by weight of the inorganic filler. If the amount of boron nitride is too small, there may be a problem in terms of thermal conductivity. If too much boron nitride is contained, a problem may arise in terms of peel strength and withstand voltage due to the boron nitride volume. More specifically, 92.5 to 93.5 parts by weight of alumina and 6.5 to 7.5 parts by weight of boron nitride may be contained.

무기 충전재는 평균 입도가 0.1 내지 30㎛인 것을 사용할 수 있다. 평균 입도가 너무 작으면, 비표면적이 넓어 유전율이 높아지고 열전도도가 낮아질 수 있다. 평균 입도가 너무 크면, 열전도도 면에서 문제가 생길 수 있다. 더욱 구체적으로 무기 충전재는 평균 입도가 2 내지 20㎛일 수 있다.
The inorganic filler having an average particle size of 0.1 to 30 占 퐉 may be used. If the average particle size is too small, the specific surface area may be wide and the dielectric constant may be increased and the thermal conductivity may be lowered. If the average particle size is too large, problems may arise in the thermal conductivity. More specifically, the inorganic filler may have an average particle size of from 2 to 20 mu m.

본 발명의 일 실시예에 의한 에폭시 수지 조성물은 전술한 필수 성분 외에도 첨가제가 더 포함될 수 있다. 구체적으로 에폭시 수지 조성물 100 중량부에 대하여 실란 커플링 첨가제를 0.1 내지 5 중량부 더 포함할 수 있다.
The epoxy resin composition according to one embodiment of the present invention may further include additives in addition to the above-described essential components. Specifically, 0.1 to 5 parts by weight of a silane coupling additive may be added to 100 parts by weight of the epoxy resin composition.

전술한 성분으로 구성된 에폭시 수지 조성물의 유리 전이 온도는 120℃ 이상이 될 수 있다. 또한, 열전도도는 2.0W/mK 내지 5.0W/mK가 될 수 있다.
The glass transition temperature of the epoxy resin composition composed of the above-described components may be 120 ° C or higher. Further, the thermal conductivity may be 2.0 W / mK to 5.0 W / mK.

본 발명의 일 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 인쇄 회로 기판에 적용될 수 있다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄 회로 기판(100)의 단면도이다.The epoxy resin composition according to one embodiment of the present invention can be applied to a printed circuit board. 1 is a cross-sectional view of a printed circuit board 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1에서 나타나듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄 회로 기판(100)은 금속 기판(10), 금속 기판(10) 상에 형성되는 절연층(20), 및 절연층(20) 상에 형성되는 회로층(30)을 포함한다.1, a printed circuit board 100 according to an embodiment of the present invention includes a metal substrate 10, an insulating layer 20 formed on the metal substrate 10, and an insulating layer 20 formed on the insulating layer 20 And a circuit layer (30) formed thereon.

금속 기판(10)은 구리, 알루미늄, 니켈, 금, 백금 및 이들로부터 선택된 합금으로 이루어질 수 있다. 구체적으로 알루미늄 함금 계열 5052계열 또는 열처리된 6061계열 알루미늄 합금을 사용할 수 있다.The metal substrate 10 may be made of copper, aluminum, nickel, gold, platinum and alloys thereof. Specifically, aluminum alloy series 5052 series or heat treated 6061 series aluminum alloy can be used.

금속 기판(10) 상에는 본 발명의 일 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물로 이루어진 절연층(20)이 형성된다. 절연층(20)은 금속 기판(10)과 회로층(30) 사이를 절연하는 역할을 한다. 전술하였듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 절연층(20)은 방열 성능, 내전압 성능과 함께 장기 신뢰성이 확보되어, 우수한 인쇄 회로 기판(100)을 제공할 수 있게 된다. 절연층의 구성에 대해서는 에폭시 수지 조성물과 관련하여 상세하게 설명하였으므로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.On the metal substrate 10, an insulating layer 20 made of an epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention is formed. The insulating layer 20 serves to insulate the metal substrate 10 from the circuit layer 30. As described above, the insulating layer 20 according to an embodiment of the present invention can provide a printed circuit board 100 with excellent heat dissipation performance, withstand voltage performance, and long-term reliability. Since the constitution of the insulating layer has been described in detail with respect to the epoxy resin composition, a duplicate description will be omitted.

절연층(20)은 박리 강도(peel strength)가 1.0Kgf/cm 내지 2.0Kgf/cm 이고, 항복 전압(Breakdown Voltage)이 5.0 내지 7.0 kV이 될 수 있다.The insulating layer 20 may have a peel strength of 1.0 to 2.0 Kgf / cm and a breakdown voltage of 5.0 to 7.0 kV.

또한, 절연층(20)은 200℃에서 1000시간 동안 열처리한 후, 박리 강도 저하율이 10% 이하이고, 항복 전압 상승율이 20% 이하일 수 있다.Further, the insulating layer 20 may be subjected to a heat treatment at 200 占 폚 for 1000 hours, and then the rate of decrease in peel strength may be 10% or less and the rate of breakdown voltage increase may be 20% or less.

이 때, 박리 강도 저하율은 ([열처리 후 박리강도]-[열처리 전 박리강도])/[열처리 전 박리강도]*100으로 계산되고, 항복 전압 상승율은 ([열처리 후 항복 전압]-[열처리 전 항복 전압])/[열처리 전 항복 전압]*100으로 계산된다.In this case, the rate of decrease in peel strength is calculated as ([Peel strength after heat treatment] - [Peel strength before heat treatment] / [Peel strength before heat treatment] * 100, Breakdown voltage] / [breakdown voltage before heat treatment] * 100.

절연층(20) 상에는 회로층(30)이 형성된다. 회로층(30)은 구리, 니켈 등의 금속으로 이루어질 수 있으며, 일정한 패턴을 이룰 수 있다.
On the insulating layer 20, a circuit layer 30 is formed. The circuit layer 30 may be made of a metal such as copper, nickel, or the like, and may have a uniform pattern.

이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments and comparative examples of the present invention will be described. However, the following examples are only a preferred embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the following examples.

실시예Example 1 One

하기 화학식 5로 표시되는 나프탈렌 에폭시 화합물 4.20 중량%, 하기 화학식 6으로 표시되는 트리페닐메탄 노볼락 에폭시 화합물(단, n은 2이다.), 하기 화학식 7로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 화합물 2.10중량%를 에폭시 화합물로 준비하였다. 4.20% by weight of a naphthalene epoxy compound represented by the following formula (5), a triphenylmethane novolak epoxy compound (wherein n is 2) represented by the following formula (6), 2.10% by weight of a bisphenol A type epoxy compound represented by the following formula Was prepared as an epoxy compound.

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112016103086111-pat00012

Figure 112016103086111-pat00012

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure 112016103086111-pat00013
Figure 112016103086111-pat00013

[화학식 7](7)

Figure 112016103086111-pat00014
Figure 112016103086111-pat00014

첨가제로서, 실란계 커플링제 1 중량%를 첨가하고, 무기 충전제로서 알루미나(Al2O3 , 평균 직경 약 15㎛) 76.84 중량% 및 질화붕소(평균 직경 약 15㎛) 5.38 중량%첨가하고, 경화제로서 페놀 노볼락 5.88 중량%를 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 6061계열 알루미늄 합금판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 실시예 1의 에폭시 수지 조성물을 얻었다.
1% by weight of a silane coupling agent was added as an additive, and 76.84% by weight of alumina (Al 2 O 3 , average diameter of about 15 μm) and 5.38% by weight of boron nitride (average diameter of about 15 μm) 5.88% by weight of phenol novolak was added and stirred for 2 hours. The solution having been stirred was coated on a 6061 series aluminum alloy plate and then pressurized at 150 DEG C for 1 hour and 30 minutes to obtain an epoxy resin composition of Example 1.

실시예Example 2 내지 6 2 to 6

실시예 1과 동일하게 실시하되, 각 성분의 함량을 하기 표 1에서 정리한 것과 같이 변경하였다.
The same procedure as in Example 1 was carried out except that the content of each component was changed as summarized in Table 1 below.

실시예Example 7 7

실시예 1과 동일하게 실시하되, 트리페닐메탄 노볼락 에폭시 화합물 대신 하기 화학식 8로 표시되는 비페닐 페놀 노볼락 에폭시 화합물을 사용하였으며, 각 성분의 함량을 하기 표 2에서 정리한 것과 같이 변경하였다.Except that the biphenyl phenol novolac epoxy compound represented by the following formula (8) was used in place of the triphenylmethane novolak epoxy compound, and the content of each component was changed as summarized in Table 2 below.

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure 112016103086111-pat00015
Figure 112016103086111-pat00015

실시예Example 8 8

실시예 1과 동일하게 실시하되, 경화제로서 페놀 노볼락 대신 디아미노 디페닐 메탄을 사용하였으며, 각 성분의 함량을 하기 표 2에서 정리한 것과 같이 변경하였다.
The same procedure as in Example 1 was carried out except that diaminodiphenylmethane was used instead of phenol novolac as a curing agent and the content of each component was changed as summarized in Table 2 below.

실시예Example 9 9

실시예 1과 동일하게 실시하되, 무기충전제로서 질화붕소 없이 알루미나만을 82.62 중량%을 사용하였으며, 각 성분의 함량을 하기 표 2에서 정리한 것과 같이 변경하였다.
The procedure of Example 1 was repeated except that 82.62% by weight of alumina was used as the inorganic filler without boron nitride, and the content of each component was changed as summarized in Table 2 below.

실시예Example 10 10

실시예 1과 동일하게 실시하되, 각 성분의 함량을 하기 표 2에서 정리한 것과 같이 변경하였다.
The same procedure as in Example 1 was carried out except that the content of each component was changed as summarized in Table 2 below.

실시예Example 11 11

실시예 1과 동일하게 실시하되, 각 성분의 함량을 하기 표 2에서 정리한 것과 같이 변경하였다.
The same procedure as in Example 1 was carried out except that the content of each component was changed as summarized in Table 2 below.

비교예Comparative Example 1 One

실시예 1과 동일하게 실시하되, 나프탈렌 에폭시 화합물 대신 하기 화학식 9로 표시되는 비페닐 에폭시 화합물을 사용하였고, 트리페닐메탄 노볼락 에폭시 화합물 대신 상기 화학식 8로 표시되는 비페닐 페놀 노볼락 에폭시 화합물을 사용하였으며, 각 성분의 함량을 하기 표 2에서 정리한 것과 같이 변경하였다.Except that a biphenyl epoxy compound represented by the following formula (9) was used instead of the naphthalene epoxy compound, and a biphenyl phenol novolac epoxy compound represented by the above formula (8) was used instead of the triphenylmethane novolac epoxy compound And the content of each component was changed as summarized in Table 2 below.

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure 112016103086111-pat00016
Figure 112016103086111-pat00016

비교예Comparative Example 2 2

실시예 1과 동일하게 실시하되, 나프탈렌 에폭시 화합물을 사용하지 아니하였고, 트리페닐메탄 노볼락 에폭시 화합물 대신 상기 화학식 8로 표시되는 비페닐 페놀 노볼락 에폭시 화합물을 사용하였으며, 각 성분의 함량을 하기 표 2에서 정리한 것과 같이 변경하였다.
Except that naphthalene epoxy compounds were not used and the biphenylphenol novolak epoxy compounds represented by the above formula 8 were used instead of triphenylmethane novolac epoxy compounds. 2, as shown in Fig.

조성물Composition 실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 실시예4Example 4 실시예 5Example 5 실시예 6Example 6 조성Furtherance 에폭시 화합물Epoxy compound 나프탈렌 에폭시Naphthalene epoxy 4.24.2 3.23.2 5.185.18 4.714.71 2.12.1 4.24.2 비페닐 에폭시Biphenyl epoxy -- -- -- -- -- -- 트리페닐메탄 노볼락 에폭시Triphenylmethane novolak epoxy 4.24.2 5.335.33 3.113.11 4.714.71 4.24.2 2.12.1 비페닐 페놀 노볼락 에폭시Biphenyl phenol novolac epoxy -- -- -- -- -- -- 비스페놀 A형 에폭시Bisphenol A epoxy 2.12.1 2.132.13 2.072.07 2.362.36 4.24.2 4.24.2 경화제Hardener 페놀 노볼락Phenol novolac 5.885.88 5.725.72 6.036.03 6.596.59 5.885.88 5.885.88 디아미노 디페닐 메탄Diaminodiphenylmethane -- -- -- -- -- -- 무기 충전제Inorganic filler Al2O3 Al 2 O 3 76.8476.84 76.8476.84 76.8476.84 74.9974.99 76.8476.84 76.8476.84 질화붕소Boron nitride 5.785.78 5.785.78 5.785.78 5.645.64 5.785.78 5.785.78 첨가제additive 실란계 커플링제Silane coupling agent 1One 1One 1One 1One 1One 1One

조성물Composition 실시예 7Example 7 실시예 8Example 8 실시예 9Example 9 실시예 10Example 10 실시예 11Example 11 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 조성Furtherance 에폭시 화합물Epoxy compound 나프탈렌 에폭시Naphthalene epoxy 4.24.2 4.24.2 4.24.2 4.24.2 4.24.2 -- -- 비페닐 에폭시Biphenyl epoxy -- -- -- -- -- 4.24.2 -- 트리페닐메탄 노볼락 에폭시Triphenylmethane novolak epoxy -- 4.24.2 4.24.2 4.24.2 4.24.2 -- -- 비페닐 페놀 노볼락 에폭시Biphenyl phenol novolac epoxy 4.24.2 -- -- -- -- 4.24.2 4.24.2 비스페놀 A형 에폭시Bisphenol A epoxy 2.12.1 2.12.1 2.12.1 2.12.1 2.12.1 2.12.1 6.36.3 경화제Hardener 페놀 노볼락Phenol novolac 5.885.88 -- 5.885.88 5.885.88 5.885.88 5.885.88 5.885.88 디아미노 디페닐 메탄Diaminodiphenylmethane -- 5.885.88 -- -- -- -- -- 무기 충전제Inorganic filler Al2O3 Al 2 O 3 76.8476.84 76.8476.84 82.6282.62 73.6273.62 8888 76.8476.84 76.8476.84 질화붕소Boron nitride 5.785.78 5.785.78 -- 99 -- 5.785.78 5.785.78 첨가제additive 실란계 커플링제Silane coupling agent 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One

실험예Experimental Example

실시예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 2로부터 얻은 조성물을 경화시켰다.The compositions obtained from Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 2 were cured.

하기 방법으로, 박리 강도(Peel strength), 항복 전압(Breakdown Voltage), 납땜 저항(Solder resistance), 열전도도(Thermal conductivity), 유리 전이 온도(Glass transition temp), 박리 강도 저하율 및 항복 전압 저하율을 측정하여 하기 표 3 및 표 4에 나타내었다.The following methods were used to measure the peel strength, breakdown voltage, solder resistance, thermal conductivity, glass transition temp, reduction rate of peel strength, Are shown in Tables 3 and 4 below.

박리 강도 : Y.M.RTC사의 장비 YM-DL100을 사용하여 동박 10mm 패턴을 90도 각도로 50mm/min 속도로 60mm 길이를 박리강도(peel strength) 측정하였다. Peel Strength: The peel strength of the copper foil 10 mm pattern was measured at a rate of 50 mm / min and a length of 60 mm at an angle of 90 degrees using a YM-DL100 instrument manufactured by Y.M.RTC.

항복 전압 : 내전압은 KIKUSUI사의 장비 TOS5101를 사용하여 회로기판의 동박의 주위를 에칭하여, 지름 25mm의 원형부분을 남긴 후에 절연유 중에 침지시키고, 실온에서 교류 전압을 동박과 알루미늄판 사이에 인가시켜 ASTM-D149에 의거하여 내전압을 측정하였다. Breakdown voltage: The withstand voltage was obtained by etching the periphery of the copper foil on the circuit board using KIKUSUI equipment TOS5101, leaving a circular part with a diameter of 25 mm, immersing it in insulating oil, applying an AC voltage between the copper foil and the aluminum plate at room temperature, The withstand voltage was measured based on D149.

납땜 저항 : IPC-TM-650 2.4.13에 의거하여 메탈인쇄회로기판을 50mm*50mm 사이즈로 절단 후 288℃ 온도의 납땜조 위로 띄운 뒤 동박이나 절연층이 부품 또는 박리되는 시간을 측정하였다. Soldering Resistance: According to IPC-TM-650 2.4.13, the metal printed circuit board was cut into 50mm * 50mm size and placed on the soldering bath at 288 ℃, and the time for the parts or peeling of the copper foil or insulating layer was measured.

열전도도 : 열전도도 측정은 Mentor Graphics사의 T3Ster DynTIM 장비를 이용하였다. 열전도도 측정을 위해 절연층을 두께별(75, 100, 115㎛)로 12.7mm 원형으로 가공하여, ASTM-D5470에 의거하여 열전도도를 측정하였다. Thermal conductivity: The thermal conductivity was measured using a T3Ster DynTIM instrument from Mentor Graphics. For the measurement of thermal conductivity, the insulating layer was processed into a 12.7-mm circle with thicknesses (75, 100, and 115 탆), and the thermal conductivity was measured according to ASTM-D5470.

유리 전이 온도 : 유리전이온도는 동적점탄성 측정장치(DMA)로 측정할 수 있다. 장치는 Mettler Toledo사의 DMA 1 장비를 이용하여 승온 속도 3℃/min , 측정 주파수 1Hz로 측정하였다. Glass Transition Temperature: The glass transition temperature can be measured with a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA). The device was measured using a DMA 1 instrument from Mettler Toledo at a heating rate of 3 ° C / min and a measurement frequency of 1 Hz.

박리 강도 저하율 : 경화시킨 조성물을 200℃에서 1000시간 동안 열처리한 후, 박리 강도를 측정하고, ([열처리 후 박리강도]-[열처리 전 박리강도])/[열처리 전 박리강도]*100으로 계산하였다.Percent reduction in peel strength: The cured composition was heat-treated at 200 占 폚 for 1000 hours, and then the peel strength was measured and calculated as ((Peel strength after heat treatment - Peel strength before heat treatment) / Respectively.

항복 전압 저하율 : 경화시킨 조성물을 200℃에서 1000시간 동안 열처리한 후, 항복 전압을 측정하고, ([열처리 후 항복 전압]-[열처리 전 항복 전압])/[열처리 전 항복 전압]*100으로 계산하였다.Breakdown voltage lowering rate: The cured composition was heat treated at 200 ° C for 1000 hours, and then the breakdown voltage was measured and calculated as ([Breaking voltage after heat treatment] - [Breakdown voltage before heat treatment]] / [Breakdown voltage before heat treatment] * 100 Respectively.

물성평가 데이터Property evaluation data 실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 실시예4Example 4 실시예 5Example 5 실시예 6Example 6 박리 강도
(kgf/cm@Cu 2oz)
Peel strength
(kgf / cm @ Cu 2 oz)
1.81.8 1.751.75 1.751.75 1.851.85 1.81.8 1.81.8
항복 전압(kV)Breakdown voltage (kV) 6.76.7 6.56.5 6.56.5 66 66 66 납땜 저항
(min@288℃)
Soldering Resistance
(min @ 288 < 0 > C)
5050 5050 5050 5050 5050 5050
열전도도
(W/mK)
Thermal conductivity
(W / mK)
2.52.5 2.52.5 2.52.5 2.42.4 2.52.5 2.52.5
유리 전이 온도(℃)Glass transition temperature (캜) 150150 155155 155155 150150 130130 135135 박리 강도
저하율(%)
Peel strength
Decrease rate (%)
00 00 00 00 1010 1515
항복 전압 저하율(%)Breakdown voltage drop rate (%) 1515 1515 1515 1515 3030 2525

물성평가 데이터Property evaluation data 실시예 7Example 7 실시예 8Example 8 실시예 9Example 9 실시예 10Example 10 실시예 11Example 11 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 박리 강도
(kgf/cm@Cu 2oz)
Peel strength
(kgf / cm @ Cu 2 oz)
1.71.7 1.91.9 22 1One 1.81.8 1.71.7 1.61.6
항복 전압(kV)Breakdown voltage (kV) 6.36.3 6.36.3 6.46.4 6.36.3 6.26.2 6.36.3 55 납땜 저항
(min@288℃)
Soldering Resistance
(min @ 288 < 0 > C)
5050 5050 5050 5050 5050 5050 5050
열전도도
(W/mK)
Thermal conductivity
(W / mK)
2.42.4 2.52.5 1.81.8 3.23.2 2.72.7 2.42.4 22
유리 전이 온도(℃)Glass transition temperature (캜) 140140 175175 150150 150150 150150 145145 135135 박리 강도 저하율(%)Decrease rate of peel strength (%) 55 1515 55 55 1010 55 1010 항복 전압 저하율(%)Breakdown voltage drop rate (%) 2525 4040 2020 2020 4545 3030 3535

표 3 및 표 4에서 나타나듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 박리 강도, 항복 전압, 납땜 저항, 열전도도, 유리 전이 온도, 박리 강도 저하율 및 항복 전압 저하율 등 다양한 물성 면에서 우수함을 확인할 수 있었다.As shown in Table 3 and Table 4, the epoxy resin composition according to one embodiment of the present invention is excellent in various physical properties such as peel strength, breakdown voltage, soldering resistance, thermal conductivity, glass transition temperature, reduction rate of peel strength, .

특히, 에폭시 화합물, 경화제, 무기 충전재를 특정 종류로 특정량 사용한 실시예 1 내지 실시예 4가 더욱 우수한 물성을 확보할 수 있음을 확인할 수 있었다.In particular, it was confirmed that Examples 1 to 4, in which a specific amount of an epoxy compound, a curing agent, and an inorganic filler were used in specific amounts, can secure more excellent physical properties.

본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims. As will be understood by those skilled in the art. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

100 : 인쇄 회로 기판, 10 : 금속 기판,
20 : 절연층, 30 : 회로층
100: printed circuit board, 10: metal substrate,
20: insulating layer, 30: circuit layer

Claims (15)

에폭시 화합물 5 내지 40 중량%,
페놀계 경화제 1 내지 30 중량% 및
질화 붕소를 포함하는 무기 충전재 40 내지 92 중량%를 포함하고,
상기 에폭시 화합물은 에폭시 화합물 100 중량부에 대하여 하기 화학식 1로 표시되는 나프탈렌 에폭시 화합물을 30 내지 60 중량부, 하기 화학식 3으로 표시되는 트리페닐메탄 노볼락 에폭시 화합물을 30 내지 60 중량부 및 비결정성 에폭시 화합물을 10 내지 40 중량부 포함하는 에폭시 수지 조성물.
[화학식 1]
Figure 112017121967963-pat00017

(단 화학식 1에서 x는 하기 화학식 2로 표시되고, n은 1 내지 10 의 정수를 나타낸다.)
[화학식 2]
Figure 112017121967963-pat00018

[화학식 3]
Figure 112017121967963-pat00026

(단 화학식 3에서 x는 상기 화학식 2로 표시되고, n은 1 내지 5의 정수를 나타내고, m은 1 내지 4의 정수를 나타내고, l은 0 내지 5의 정수를 나타낸다.)
5 to 40% by weight of an epoxy compound,
1 to 30% by weight of a phenolic curing agent and
And 40 to 92% by weight of an inorganic filler containing boron nitride,
Wherein the epoxy compound comprises 30 to 60 parts by weight of a naphthalene epoxy compound represented by the following formula (1) based on 100 parts by weight of the epoxy compound, 30 to 60 parts by weight of a triphenylmethane novolak epoxy compound represented by the following formula (3) And 10 to 40 parts by weight of a compound.
[Chemical Formula 1]
Figure 112017121967963-pat00017

(Provided that in the general formula (1), x is represented by the following general formula (2), and n represents an integer of 1 to 10.)
(2)
Figure 112017121967963-pat00018

(3)
Figure 112017121967963-pat00026

(Wherein, in the general formula (3), x is represented by the general formula (2), n represents an integer of 1 to 5, m represents an integer of 1 to 4, and 1 represents an integer of 0 to 5.)
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 비결정성 에폭시 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 수지 조성물.
[화학식 4]
Figure 112017121967963-pat00020

(단 화학식 4에서 x는 상기 화학식 2로 표시되고, n은 1 내지 5의 정수를 나타내고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원소, 히드록시기 또는 알킬기를 나타낸다.)
The method according to claim 1,
Wherein the amorphous epoxy compound comprises a bisphenol A type epoxy compound represented by the following formula (4).
[Chemical Formula 4]
Figure 112017121967963-pat00020

(Wherein, in the general formula (4), x is represented by the general formula (2), n represents an integer of 1 to 5, and R 1 and R 2 each independently represent hydrogen, a halogen element, a hydroxy group or an alkyl group.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 무기 충전재는 평균 입도가 0.1 내지 30㎛인 에폭시 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the inorganic filler has an average particle size of 0.1 to 30 占 퐉.
제1항에 있어서,
상기 무기 충전재는 무기 충전재 100 중량부에 대하여 알루미나를 90 내지 93.5 중량부 및 질화붕소를 6.5 내지 10 중량부 포함하는 에폭시 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the inorganic filler comprises 90 to 93.5 parts by weight of alumina and 6.5 to 10 parts by weight of boron nitride based on 100 parts by weight of the inorganic filler.
제1항에 있어서,
상기 에폭시 수지 조성물 100 중량부에 대하여 실란 커플링 첨가제를 0.1 내지 5 중량부 더 포함하는 에폭시 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the epoxy resin composition further comprises 0.1 to 5 parts by weight of a silane coupling additive based on 100 parts by weight of the epoxy resin composition.
제1항에 있어서,
상기 에폭시 수지 조성물의 유리 전이 온도는 120℃ 이상인 에폭시 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the epoxy resin composition has a glass transition temperature of 120 ° C or higher.
제1항에 있어서,
상기 에폭시 수지 조성물의 열전도도는 2.0W/mK 내지 5.0W/mK인 에폭시 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the epoxy resin composition has a thermal conductivity of 2.0 W / mK to 5.0 W / mK.
금속 기판,
상기 금속 기판 상에 형성되는 절연층, 및
상기 절연층 상에 형성되는 회로층을 포함하며,
상기 절연층은 에폭시 화합물 5 내지 40 중량%,
페놀계 경화제 1 내지 30 중량% 및
질화붕소를 포함하는 무기 충전재 40 내지 92 중량%를 포함하고,
상기 에폭시 화합물은 에폭시 화합물 100 중량부에 대하여 하기 화학식 1로 표시되는 나프탈렌 에폭시 화합물을 30 내지 60 중량부, 하기 화학식 3으로 표시되는 트리페닐메탄 노볼락 에폭시 화합물을 30 내지 60 중량부 및 비결정성 에폭시 화합물을 10 내지 40 중량부 포함하는 인쇄 회로 기판.
[화학식 1]
Figure 112017121967963-pat00021

(단 화학식 1에서 x는 하기 화학식 2로 표시되고, n은 1 내지 10 의 정수를 나타낸다.)
[화학식 2]
Figure 112017121967963-pat00022

[화학식 3]
Figure 112017121967963-pat00027

(단 화학식 3에서 x는 상기 화학식 2로 표시되고, n은 1 내지 5의 정수를 나타내고, m은 1 내지 4의 정수를 나타내고, l은 0 내지 5의 정수를 나타낸다.)
Metal substrate,
An insulating layer formed on the metal substrate, and
And a circuit layer formed on the insulating layer,
Wherein the insulating layer comprises 5 to 40% by weight of an epoxy compound,
1 to 30% by weight of a phenolic curing agent and
And 40 to 92% by weight of an inorganic filler containing boron nitride,
Wherein the epoxy compound comprises 30 to 60 parts by weight of a naphthalene epoxy compound represented by the following formula (1) based on 100 parts by weight of the epoxy compound, 30 to 60 parts by weight of a triphenylmethane novolak epoxy compound represented by the following formula (3) And 10 to 40 parts by weight of a compound.
[Chemical Formula 1]
Figure 112017121967963-pat00021

(Provided that in the general formula (1), x is represented by the following general formula (2), and n represents an integer of 1 to 10.)
(2)
Figure 112017121967963-pat00022

(3)
Figure 112017121967963-pat00027

(Wherein, in the general formula (3), x is represented by the general formula (2), n represents an integer of 1 to 5, m represents an integer of 1 to 4, and 1 represents an integer of 0 to 5.)
제13항에 있어서,
상기 절연층은 박리 강도(peel strength)가 1.0Kgf/cm 내지 2.0Kgf/cm 이고, 항복 전압(Breakdown Voltage)이 5.0 내지 7.0 kV인 인쇄 회로 기판.
14. The method of claim 13,
Wherein the insulating layer has a peel strength of 1.0 Kgf / cm to 2.0 Kgf / cm and a breakdown voltage of 5.0 to 7.0 kV.
제14항에 있어서,
상기 절연층은 200℃에서 1000시간 동안 열처리한 후, 박리 강도 저하율이 10% 이하이고, 항복 전압 저하율이 20% 이하인 인쇄 회로 기판.
(단, 박리 강도 저하율은 ([열처리 후 박리강도]-[열처리 전 박리강도])/[열처리 전 박리강도]*100으로 계산되고, 항복 전압 상승율은 ([열처리 후 항복 전압]-[열처리 전 항복 전압])/[열처리 전 항복 전압]*100으로 계산된다)
15. The method of claim 14,
Wherein the insulating layer is subjected to a heat treatment at 200 캜 for 1000 hours, wherein the rate of decrease in peel strength is 10% or less and the rate of decrease in breakdown voltage is 20% or less.
(Note that the rate of decrease in peel strength is calculated as ([Peel strength after heat treatment] - [Peel strength before heat treatment] / [Peel strength before heat treatment] * 100, Breakdown voltage]) / [breakdown voltage before heat treatment] * 100)
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