KR101854533B1 - Sensor for detecting gas including fluorine and method of manufacturing the sensor - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 불소계 가스 감지 장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 불소계 가스를 시각적 및 전기적으로 감지할 수 있다.The present invention relates to a fluorine-based gas sensing apparatus and a method of manufacturing the same, and is capable of visually and electrically sensing a fluorine-based gas.
불소계 가스는 디스플레이, 반도체 등의 생산 공정과 같은 다양한 산업 현장에서 이용된다. 이러한 불소계 가스는 낮은 농도라 할지라도 흡입하는 경우에는 매스꺼움을 유발하고 접촉하는 경우에는 동상이나 화상을 야기하는 등 인체에 매우 유독하다. The fluorine-based gas is used in various industrial fields such as display and semiconductor production processes. These fluorine-based gases cause nausea when inhaled, even at low concentrations, and are very toxic to humans, such as causing frostbite or burns when contacted.
하지만, 현재는 불소의 검지와 관련하여 전해질 용액을 이용하는 전기화학 전지의 형태로 수중의 불화물(Fluoride) 이온을 감지하는 형태의 센서가 대다수이다. However, the majority of sensors are in the form of electrochemical cells that use an electrolyte solution to detect fluoride ions in the water in connection with the detection of fluorine.
따라서 가스 형태의 불소를 검출할 수 있는 직관적인 검지 방식의 센서의 개발이 절실히 요구된다. Therefore, it is urgently required to develop an intuitive sensing type sensor capable of detecting fluorine in gas form.
본 발명의 일 목적은 수소 환원된 전이금속 산화물 색변화를 통해 불소계 가스를 감지하는 불소계 가스 감지 장치를 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a fluorine-based gas sensing apparatus for sensing a fluorine-based gas through a change in color of hydrogen-transferred transition metal oxide.
본 발명의 다른 목적은 상기 불소계 가스 감지 장치의 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the fluorine-based gas sensing device.
본 발명의 실시예에 따른 불소계 가스 감지 장치는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되고, 수소화된 전이금속 산화물을 포함하여 불소계 가스와 반응하는 경우 색이 변화하는 감지층을 포함할 수 있다. A fluorine-based gas sensing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a substrate; And a sensing layer disposed on the substrate, the sensing layer including a hydrogenated transition metal oxide and changing color when reacted with the fluorine-based gas.
일 실시예에 있어서, 상기 불소계 가스는 불화가스, 크세논 불화물 가스, 탄소 불화물 가스 또는 황 불화물 가스를 포함할 수 있다. In one embodiment, the fluorine-based gas may include a fluorine gas, a xenon fluoride gas, a carbon fluoride gas, or a sulfur fluoride gas.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 종이, 섬유, 고분자, 세라믹, 글라스 및 금속으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다. In one embodiment, the substrate may be formed of at least one material selected from the group consisting of paper, fibers, polymers, ceramics, glasses, and metals.
일 실시예에 있어서, 상기 전이금속 산화물은 텅스텐 산화물(WOx), 몰리브덴 산화물(MoOx) 및 니오븀 산화물(NbOx)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. In one embodiment, the transition metal oxide may include at least one selected from the group consisting of tungsten oxide (WOx), molybdenum oxide (MoOx), and niobium oxide (NbOx).
본 발명의 실시예에 따른 불소계 가스 감지 장치의 제조방법은 기판 상에 전이금속 산화물 박막을 형성하는 단계; 및 상기 전이금속 산화물 박막에 수소를 도핑하는 단계를 포함할 수 있다. A method of fabricating a fluorine-based gas sensing device according to an embodiment of the present invention includes: forming a transition metal oxide thin film on a substrate; And doping the transition metal oxide thin film with hydrogen.
일 실시예에 있어서, 상기 전이금속 산화물 박막은 텅스텐 산화물(WOx), 몰리브덴 산화물(MoOx) 및 니오븀 산화물(NbOx)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. In one embodiment, the transition metal oxide thin film may be formed of at least one selected from the group consisting of tungsten oxide (WOx), molybdenum oxide (MoOx), and niobium oxide (NbOx).
일 실시예에 있어서, 상기 기판 상에 전이금속 산화물 박막을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 전이금속 산화물 나노 분말들을 도포하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 전이금속 산화물 박막에 수소를 도핑하는 단계는 상기 전이금속 산화물 박막에 대해 수소 분위기에서 자외선을 조사하는 단계를 포함할 수 있다. In one embodiment, forming the transition metal oxide thin film on the substrate may comprise applying transition metal oxide nanocrystals onto the substrate, wherein the step of doping the transition metal oxide thin film with hydrogen comprises: And irradiating the transition metal oxide thin film with ultraviolet light in a hydrogen atmosphere.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 상에 전이금속 산화물 박막을 형성하는 단계는 수열합성법을 이용하여 상기 기판 상에 전이금속 산화물 나노 구조체들을 성장시키는 단계를 포함할 수 있고, 상기 전이금속 산화물 박막에 수소를 도핑하는 단계는 상기 전이금속 산화물 박막에 대해 수소 분위기에서 자외선을 조사하는 단계를 포함할 수 있다. In one embodiment, forming the transition metal oxide thin film on the substrate may include growing the transition metal oxide nanostructures on the substrate using hydrothermal synthesis, wherein the transition metal oxide thin film has a hydrogen May include irradiating ultraviolet light in a hydrogen atmosphere to the transition metal oxide thin film.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 상에 전이금속 산화물 박막을 형성하는 단계는 스퍼터링 방법으로 상기 기판 상에 전이금속 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 전이금속 산화물 박막에 수소를 도핑하는 단계는 상기 전이금속 산화물 박막에 대해 수소 분위기에서 자외선을 조사하는 단계를 포함할 수 있다. In one embodiment, forming the transition metal oxide thin film on the substrate may include forming a transition metal oxide thin film on the substrate by a sputtering method, wherein the transition metal oxide thin film is doped with hydrogen Step may include irradiating the transition metal oxide thin film with ultraviolet light in a hydrogen atmosphere.
본 발명의 불소계 가스 감지 장치에 따르면, 수소화된 전이금속 산화물을 포함하는 감지층의 색변화를 통해 불소계 가스를 신속하고 정확하게 감지할 수 있다. According to the fluorine-based gas sensing apparatus of the present invention, the fluorine-based gas can be quickly and accurately detected through the color change of the sensing layer including the hydrogenated transition metal oxide.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 불소계 가스 감지 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 수소 도핑 전의 텅스텐 산화물 박막(‘’수소 도핑 후의 텅스텐 산화물 박막('UV-treated') 및 XeF2 가스 노출된 텅스텐 산화물 박막(‘’에 대한 이미지들이다.
도 3은 FTO(Fluorine doped Tin Oxide) 기판 상에 형성된 수소 도핑 전의 텅스텐 산화물 박막(‘’수소 도핑 후의 텅스텐 산화물 박막('UV-treated') 및 XeF2 가스 노출된 텅스텐 산화물 박막(‘’에 대한 광 투과도 측정 그래프이다.
도 4는 글라스(Glass) 기판 상에 형성된 수소 도핑 전의 텅스텐 산화물 박막(‘’수소 도핑 후의 텅스텐 산화물 박막('UV-treated') 및 XeF2 가스 노출된 텅스텐 산화물 박막(‘’에 대한 광 투과도 측정 그래프이다.1 is a view for explaining a fluorine-based gas sensing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows images of a tungsten oxide thin film before hydrogen doping ('' Tungsten oxide thin film after hydrogen doping ('UV-treated') and XeF 2 gas exposed tungsten oxide thin film ('').
FIG. 3 is a graph showing the results of a hydrogen-doped tungsten oxide thin film formed on a FTO (Fluorine doped Tin Oxide) substrate ('' hydrogen doped tungsten oxide thin film ('UV-treated') and XeF 2 gas exposed tungsten oxide thin film Light transmittance measurement graph.
FIG. 4 is a graph showing the light transmittance of a tungsten oxide thin film before hydrogen doping ('' hydrogen doped tungsten oxide thin film ('UV-treated') and XeF 2 gas exposed tungsten oxide thin film Graph.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises ", or" having ", and the like, are intended to specify the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, or combinations thereof, , Steps, operations, elements, or combinations thereof, as a matter of principle, without departing from the spirit and scope of the invention.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 불소계 가스 감지 장치를 설명하기 위한 도면이다. 1 is a view for explaining a fluorine-based gas sensing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 불소계 가스 감지 장치(100)는 기판(110) 및 감지층(120)을 포함할 수 있다. 상기 불소계 가스는 불소 원소(F)를 포함하는 가스로서, XeF2, XeF4, XeF6 등의 크세논 불화물 가스, CF4 등과 같은 탄소 불화물 가스, SF6 등과 같은 황 불화물 가스를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, a fluorine-based
상기 기판(110)으로는 다양한 물질 및 구조의 기판이 사용될 수 있고, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 상기 기판(110)으로는 종이, 섬유, 고분자, 세라믹, 글라스, 금속 등으로 이루어진 기판이 사용될 수 있다. As the substrate 110, substrates of various materials and structures may be used, and there is no particular limitation. For example, the substrate 110 may be a substrate made of paper, fiber, polymer, ceramic, glass, metal, or the like.
상기 감지층(120)은 상기 기판(110)의 일면 상에 박막 형태로 배치되고, 상기 불소가스에 노출되는 경우에 색변화를 일으킬 수 있다. 즉, 상기 불소계 가스 감지 장치(100)는 상기 감지층(120)의 색변화를 통해 불소 가스를 감지할 수 있다. The sensing layer 120 is disposed in a thin film on one side of the substrate 110 and may cause a color change when exposed to the fluorine gas. That is, the fluorine-based
일 실시예에 있어서, 상기 감지층(120)은 수소화된 전이금속 산화물을 포함할 수 있다. 본 발명에 있어서 ‘수소화된 전이금속 산화물’이라 함은 수소가 도핑된 전이금속산화물을 의미하는 것으로서, 도핑된 수소 이온은 전이금속 산화물 내부의 산소 이온 또는 전이금속 이온과 결합될 수 있다. In one embodiment, the sensing layer 120 may comprise a hydrogenated transition metal oxide. In the present invention, the term 'hydrogenated transition metal oxide' means a transition metal oxide doped with hydrogen, and the doped hydrogen ion may be combined with an oxygen ion or a transition metal ion in the transition metal oxide.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 전이금속 산화물은 텅스텐 산화물(WOx), 몰리브덴 산화물(MoOx), 니오븀 산화물(NbOx) 등을 포함할 수 있다. 이러한 전이금속 산화물들은 수소 이온의 삽입에 의해 색깔을 띨 수 있다. 예를 들면, 밝고 투명한 청색을 띄는 삼산화 텅스텐(WO3)에 수소가 도핑되는 경우에는 감청색으로 색변화가 일어나고, 투명 무색을 띄는 삼산화 몰리브덴(MoO3)에 수소가 도핑되는 경우에는 파란색으로 색변화가 일어나며, 연한 파란색을 띄는 오산화니오븀(Nb2O5)에 수소가 도핑되는 경우에는 노랑색으로 색변화가 일어날 수 있다. 이러한 색변화는 수소의 도핑으로 인하여 전이금속 산화물 내부에 주입된 전자들이 전이금속 이온을 환원시킬 뿐만 아니라 고체 전이금속 산화물 내부에 폴라론(polaron)을 형성하여 페르미 에너지 준위의 변화를 야기하고, 그 결과, 근적외선 또는 가시광선의 흡수량이 증가하기 때문에 발생하는 것으로 판단된다. In one embodiment of the present invention, the transition metal oxide may include tungsten oxide (WOx), molybdenum oxide (MoOx), niobium oxide (NbOx), and the like. These transition metal oxides can be colored by the insertion of hydrogen ions. For example, when hydrogen is doped in bright and transparent blue tungsten trioxide (WO 3 ), the color changes to royal blue, and when hydrogen is doped in molybdenum trioxide (MoO 3 ) which is transparent and colorless, When the light blue doped niobium pentoxide (Nb2O5) is doped with hydrogen, the color change to yellow may occur. This color change causes the electrons injected into the transition metal oxide not only to reduce the transition metal ions due to the doping of hydrogen but also to cause a change in the Fermi energy level by forming a polaron in the solid transition metal oxide, As a result, it is judged that this is caused by an increase in absorption amount of near-infrared rays or visible rays.
상기 감지층(120)은 다양한 방법으로 상기 기판(110) 상에 형성될 수 있다. The sensing layer 120 may be formed on the substrate 110 in various ways.
일 실시예에 있어서, 상기 감지층(120)은 용액합성법을 이용하여 제조된 전이금속 나노 분말들을 상기 기판(110) 상에 도포한 후 수소 분위기에서 자외선(UV)을 조사하여 상기 전이금속 산화물 나노 분말들에 수소를 도핑시킴으로써 형성될 수 있다. In one embodiment, the sensing layer 120 is formed by applying transition metal nanopowders prepared by solution synthesis to the substrate 110, and then irradiating ultraviolet (UV) light in a hydrogen atmosphere to form the transition metal oxide nano- Can be formed by doping powders with hydrogen.
다른 실시예에 있어서, 상기 감지층(120)은 상기 기판(110) 상에 수열합성법을 이용하여 전이금속 산화물의 나노구조체를 성장시킨 후 수소 분위기에서 자외선(UV)을 조사하여 상기 전이금속 산화물 나노 구조체들에 수소를 도핑시킴으로써 형성될 수 있다.In another embodiment, the sensing layer 120 may be formed by growing a nanostructure of a transition metal oxide on a substrate 110 using a hydrothermal synthesis method, and then irradiating ultraviolet (UV) light in a hydrogen atmosphere to form the transition metal oxide nano- Lt; RTI ID = 0.0 > hydrogen. ≪ / RTI >
또 다른 실시예에 있어서, 상기 감지층(120)은 상기 기판(110) 상에스퍼터링의 방법으로 전이금속 산화물 박막을 형성한 후 수소 분위기에서 자외선(UV)을 조사하여 상기 전이금속 산화물에 수소를 도핑시킴으로써 형성될 수 있다.In another embodiment, the sensing layer 120 may be formed by forming a transition metal oxide thin film on the substrate 110 by sputtering, and then irradiating ultraviolet (UV) light in a hydrogen atmosphere to form hydrogen in the transition metal oxide For example.
상기 감지층(120)의 수소 도핑된 전이금속 산화물은 상기 불소계 가스에 노출되는 경우, 상기 도핑된 수소가 불소 이온으로 치환될 수 있고, 그 결과 수소 도핑에 의해 환원된 전이금속 이온이 다시 산화되어 상기 감지층(120)의 색변화를 야기할 수 있다. 예를 들면, 상기 수소화된 전이금속 산화물이 상기 불소계 가스에 노출되는 경우, 전기 음성도가 높은 불소 이온들 중 일부는 수소 이온 자리에 침투하여 산소 이온 또는 전이금속 이온과 결합하고, 다른 일부는 수소 이온과 반응하여 불화수소 가스를 생성할 수 있다. 그 결과, 불소계 가스에 노출된 수소화된 전이금속 산화물은 색변화를 야기할 수 있고, 본 발명의 실시예에 따른 불소계 가스 감지 장치(100)는 이러한 수소화된 전이금속 산화물의 색변화를 통해 불소계 가스를 감지할 수 있다. When the hydrogen-doped transition metal oxide of the sensing layer 120 is exposed to the fluorine-based gas, the doped hydrogen may be replaced with fluorine ions, and as a result, the transition metal ions reduced by hydrogen doping are oxidized again The color of the sensing layer 120 may be changed. For example, when the hydrogenated transition metal oxide is exposed to the fluorine-based gas, some of the fluorine ions having a high electronegativity penetrate into the hydrogen ion sites and bind to the oxygen ions or the transition metal ions, Hydrogen fluoride gas can be generated by reacting with ions. As a result, the hydrogenated transition metal oxide exposed to the fluorine-based gas may cause a color change, and the fluorine-based
도 2는 수소 도핑 전의 텅스텐 산화물 박막(‘’수소 도핑 후의 텅스텐 산화물 박막('UV-treated') 및 XeF2 가스 노출된 텅스텐 산화물 박막(‘’에 대한 이미지들이다. FIG. 2 shows images of a tungsten oxide thin film before hydrogen doping ('' Tungsten oxide thin film after hydrogen doping ('UV-treated') and XeF 2 gas exposed tungsten oxide thin film ('').
도 2를 참조하면, 수소를 도핑하기 전의 텅스텐 산화물은 밝고 투명한 회색에 가까운 색을 띄나 수소 도핑된 텅스텐 산화물은 감청색을 나타냄을 확인할 수 있다. 그리고 수소 도핑된 텅스텐 산화물을 XeF2에 노출시키는 경우 다시 밝고 투명한 색으로 변색됨을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 2, it can be seen that the tungsten oxide before doping with hydrogen has a color that is close to bright and transparent gray, while the hydrogen-doped tungsten oxide shows a royal blue color. When the hydrogen-doped tungsten oxide is exposed to XeF2, it turns out to be a bright and transparent color.
도 3은 FTO(Fluorine doped Tin Oxide) 기판 상에 형성된 수소 도핑 전의 텅스텐 산화물 박막(‘’수소 도핑 후의 텅스텐 산화물 박막('UV-treated') 및 XeF2 가스 노출된 텅스텐 산화물 박막(‘’에 대한 광 투과도 측정 그래프이고, 도 4는 글라스(Glass) 기판 상에 형성된 수소 도핑 전의 텅스텐 산화물 박막(‘’수소 도핑 후의 텅스텐 산화물 박막('UV-treated') 및 XeF2 가스 노출된 텅스텐 산화물 박막(‘’에 대한 광 투과도 측정 그래프이다.FIG. 3 is a graph showing the results of a hydrogen-doped tungsten oxide thin film formed on a FTO (Fluorine doped Tin Oxide) substrate ('' hydrogen doped tungsten oxide thin film ('UV-treated') and XeF 2 gas exposed tungsten oxide thin film FIG. 4 is a graph showing the transmittance of a tungsten oxide thin film ('UV-treated' after hydrogen doping and a tungsten oxide thin film exposed to XeF 2 gas) formed on a glass substrate, ≪ / RTI >
도 3 및 도 4를 참조하면, 수소 도핑된 텅스텐 산화물 박막을 XeF2에 노출시키는 경우, 가시광선 및 적외선 영역에서 광투과도가 현저하게 감소함을 확인할 수 있다. 이는 불소 이온이 텅스텐 산화물의 텅스텐 이온과 결합하는 경우, 밴드갭(Band gap)이 증가하기 때문인 것으로 판단된다. Referring to FIGS. 3 and 4, when the hydrogen-doped tungsten oxide thin film is exposed to XeF 2 , the light transmittance is significantly reduced in the visible and infrared regions. This is considered to be because the band gap increases when the fluorine ion is bonded to the tungsten ion of the tungsten oxide.
본 발명의 불소계 가스 감지 장치(100)에 따르면, 수소화된 전이금속 산화물을 포함하는 감지층(120)의 색변화를 통해 불소계 가스를 신속하고 정확하게 감지할 수 있다. According to the fluorine-based
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.
100: 불소계 가스 감지 장치 110: 기판
120: 감지층 100: fluorine gas sensing device 110: substrate
120: sensing layer
Claims (9)
상기 기판 상에 배치되고, 수소화된 전이금속 산화물을 포함하여 불소계 가스와 반응하는 경우 색이 변화하는 감지층을 포함하고,
상기 전이금속 산화물 박막은 텅스텐 산화물(WOx), 몰리브덴 산화물(MoOx) 및 니오븀 산화물(NbOx)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 불소계 가스 감지 장치.Board; And
And a sensing layer disposed on the substrate and containing a hydrogenated transition metal oxide and changing color when reacted with the fluorine-based gas,
Wherein the transition metal oxide thin film is formed of at least one selected from the group consisting of tungsten oxide (WOx), molybdenum oxide (MoOx), and niobium oxide (NbOx).
상기 불소계 가스는 불화가스, 크세논 불화물 가스, 탄소 불화물 가스 또는 황 불화물 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 불소계 가스 감지 장치.The method according to claim 1,
Wherein the fluorine-based gas comprises fluorine gas, xenon fluoride gas, carbon fluoride gas, or sulfur fluoride gas.
상기 기판은 종이, 섬유, 고분자, 세라믹, 글라스 및 금속으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 불소계 가스 감지 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate is formed of at least one material selected from the group consisting of paper, fiber, polymer, ceramic, glass, and metal.
상기 전이금속 산화물 박막에 수소를 도핑하는 단계를 포함하고,
상기 전이금속 산화물 박막은 텅스텐 산화물(WOx), 몰리브덴 산화물(MoOx) 및 니오븀 산화물(NbOx)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 불소계 가스 감지 장치의 제조방법.
Forming a transition metal oxide thin film on the substrate; And
Doping the transition metal oxide thin film with hydrogen,
Wherein the transition metal oxide thin film is formed of at least one selected from the group consisting of tungsten oxide (WOx), molybdenum oxide (MoOx), and niobium oxide (NbOx).
상기 기판 상에 전이금속 산화물 박막을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 전이금속 산화물 나노 분말들을 도포하는 단계를 포함하고,
상기 전이금속 산화물 박막에 수소를 도핑하는 단계는 상기 전이금속 산화물 박막에 대해 수소 분위기에서 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불소계 가스 감지 장치의 제조방법.6. The method of claim 5,
Wherein forming the transition metal oxide thin film on the substrate comprises applying the transition metal oxide nanocrystals onto the substrate,
Wherein the step of doping the transition metal oxide thin film with hydrogen comprises irradiating the transition metal oxide thin film with ultraviolet light in a hydrogen atmosphere.
상기 기판 상에 전이금속 산화물 박막을 형성하는 단계는 수열합성법을 이용하여 상기 기판 상에 전이금속 산화물 나노 구조체들을 성장시키는 단계를 포함하고,
상기 전이금속 산화물 박막에 수소를 도핑하는 단계는 상기 전이금속 산화물 박막에 대해 수소 분위기에서 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불소계 가스 감지 장치의 제조방법.6. The method of claim 5,
Wherein forming the transition metal oxide thin film on the substrate includes growing the transition metal oxide nanostructures on the substrate using hydrothermal synthesis,
Wherein the step of doping the transition metal oxide thin film with hydrogen comprises irradiating the transition metal oxide thin film with ultraviolet light in a hydrogen atmosphere.
상기 기판 상에 전이금속 산화물 박막을 형성하는 단계는 스퍼터링 방법으로 상기 기판 상에 전이금속 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 전이금속 산화물 박막에 수소를 도핑하는 단계는 상기 전이금속 산화물 박막에 대해 수소 분위기에서 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불소계 가스 감지 장치의 제조방법.
6. The method of claim 5,
Wherein forming the transition metal oxide thin film on the substrate includes forming a transition metal oxide thin film on the substrate by a sputtering method,
Wherein the step of doping the transition metal oxide thin film with hydrogen comprises irradiating the transition metal oxide thin film with ultraviolet light in a hydrogen atmosphere.
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