KR101844987B1 - 넓은 파장 영역에서 분배 비율의 조절이 가능한 실리콘 칩 타입의 광 분배기 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 목적은 넓은 파장 영역(예, 1.2~1.96㎛)에서 출력되는 두 광의 분배 비율이 변하지 않으면서, 그 분배 비율을 원하는 값으로 조절할 수 있는 광 분배기를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 넓은 파장 영역에서 분배 비율의 조절이 가능한 실리콘 칩 타입의 광 분배기는, Si로 구성된 광 도파관을 SiO2로 둘러싸는 구조로 형성되며, 상기 광 도파관은 광이 입사되는 입사 광 도파관, 및 상기 입사 광 도파관으로 입사된 광을 받아서 출력하는 복수의 출력 광 도파관을 포함하며, 상기 입사 광 도파관과 상기 출력 광 도파관은 서로 중첩되는 영역에서 점진적으로 좁아지는 축소부분과 점진적으로 확장되는 확장부분을 가진다.

Description

넓은 파장 영역에서 분배 비율의 조절이 가능한 실리콘 칩 타입의 광 분배기 {on-chip type optical power splitter tailorable to splitting ratio in broadband}
본 발명은 실리콘 절연 칩(Silicon-On-Insulator chip, SOI chip)의 나노 스케일의 광 분배기(Optical beam splitter)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 넓은 파장 영역(예, 1.2~1.96㎛)에서 두 광의 분배 비율이 변하지 않으며, 분배 비율을 원하는 값으로 조절할 수 있는 광 분배기에 관한 것이다.
실리콘 절연 칩(SOI chip)에서 집적된 광 회로를 제작하는 것은 양자 광학이나, 광통신 및 양자 컴퓨팅 등에서 다양하게 활용될 수 있다. 따라서 최근 연구가 많이 되고 있는 분야이다. 이러한 연구에 있어서 필수적으로 선행되어야 하는 것이 있다.
예를 들면, 실리콘 절연 칩 위에서 거울이나 광 분배기(Optical beam splitter), 필터 및 광 서큘레이터(Optical circulator) 등의 광학 기기를 효율적으로 개발하는 것 등이다.
그 중 광 분배기는 들어오는 빛을 여러 갈래의 빛으로 나눠주는 역할을 한다. 따라서 광 분배기는 여러 채널에 빛을 분배하거나, 광 간섭계를 구성할 때 활용될 수 있다.
또한, 광 분배기를 이용해 광 도파관(Optical waveguide)을 따라 가는 빛의 아주 작은 부분만을 빼내어 도파관을 지나는 상태를 확인할 수도 있으므로 광 분배기는 광학 실험에 있어서 매우 유용한 장비이다.
기존의 자유공간광학(Free space optics)에서는 유리의 한 쪽 면에 코팅을 조절하여, 빛이 나가는 비율을 조절하는 방식으로 광 분배기를 만들 수 있었다. 그러나 실리콘 칩 위에서 집적된 광 회로에서는 자유공간에서와는 전혀 다른 방법으로 광 분배기를 설계해야 한다.
실리콘 절연 칩에서 광 집적회로를 구성할 때, 광 분배기는 일반적으로 Y형 교차(Y-junction), 방향성 결합기(Directional coupler) 및 다중모드 간섭기(Multimode interferometer)를 이용한다.
그러나 이들 방법에는 단점들이 있다. Y형 교차는 일반적으로 1dB(20%) 정도의 에너지 손실이 있고, 분배 비율을 바꾸기 어렵다는 단점을 가지고 있다. 방향성 결합기는 들어오는 빛의 파장에 따라 분배 비율이 달라지기 때문에 사용하고자 하는 빛의 파장마다 정교한 설계가 필요하다는 단점을 가지고 있다. 또한, 방향성 결합기는 그 크기가 다른 기기들에 비해 크다는 단점을 가지고 있다. 다중모드 간섭기는 역시 입사되는 빛의 파장에 따라 분배 비율이 달라진다는 단점을 가지고 있다.
본 발명의 목적은 실리콘 절연 칩에서 크기가 작으며 효율적인 광 분배기를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 넓은 파장 영역(예, 1.2~1.96㎛)에서 출력되는 두 광의 분배 비율이 변하지 않으면서, 그 분배 비율을 원하는 값으로 조절할 수 있는 광 분배기를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 넓은 파장 영역에서 분배 비율의 조절이 가능한 실리콘 칩 타입의 광 분배기는, Si로 구성된 광 도파관을 SiO2로 둘러싸는 구조로 형성되며, 상기 광 도파관은 광이 입사되는 입사 광 도파관, 및 상기 입사 광 도파관으로 입사된 광을 받아서 출력하는 복수의 출력 광 도파관을 포함하며, 상기 입사 광 도파관과 상기 출력 광 도파관은 서로 중첩되는 영역에서 점진적으로 좁아지는 축소부분과 점진적으로 확장되는 확장부분을 가진다.
상기 출력 광 도파관은 중첩 영역에서 상기 입사 광 도파관의 일측 배치되는 고정출력 광 도파관, 및 상기 입사 광 도파관의 다른 일측에 배치되는 이동출력 광 도파관을 포함할 수 있다.
상기 고정출력 광 도파관의 확장되는 확장부분과 상기 입사 광 도파관의 좁아지는 축소부분 사이에 고정간극이 설정되고, 상기 이동출력 광 도파관의 확장되는 확장부분과 상기 입사 광 도파관의 좁아지는 축소부분 사이에 가변간극이 설정되어 출력되는 두 광의 비율을 조절할 수 있다.
상기 고정출력 광 도파관의 확장되는 확장부분과 상기 입사 광 도파관의 좁아지는 축소부분 사이에 설정된 고정간극은 상기 광 도파관 외부의 소멸파의 감쇠 길이 보다 길게 형성되어 입사되는 광의 파장에 영향을 받지 않을 수 있다.
상기 광은 1.2~1.96㎛의 파장 영역을 대상으로 할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 일 실시예는 Si로 구성된 광 도파관을 SiO2로 둘러싸는 구조로 형성하며, 입사 광 도파관과 (고정, 이동)출력 광 도파관을 중첩 영역에서 점진적으로 좁아지는 구조 부분과 점진적으로 확장되는 구조 부분으로 형성하고 고정, 가변간극을 형성하여, (이동)출력 광 도파관의 이동으로 가변간극을 조절하므로 실리콘 절연 칩 타입의 광 분배기에서, 넓은 파장 영역에서 광의 분배 비율을 조절할 수 있다.
즉, 일 실시예는 넓은 영역의 파장에서 (고정, 이동)출력 광 도파관으로 광의 분배 비율이 변하지 않으면서, (이동)출력 광 도파관으로의 광 분배 비율을 조절할 수 있다.
또한, 일 실시예는 소멸파를 이용하므로 광 도파관의 크기, 폭이나 물질이 바뀌어도 실리콘 절연 칩 위에서의 보편적인 광 분배기로 이용될 수 있다. 또한 일 실시예는 실리콘 절연 칩 위에서 다양한 광 집적회로를 설계할 때, 이용할 수 있으며, 다양한 채널로 광을 분배하거나, 광 도파관 내의 광 상태를 확인하거나, 간섭계를 만들 때에도 유용하게 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 넓은 파장 영역에서 분배 비율의 조절이 가능한 실리콘 칩 타입의 광 분배기의 사시도이다.
도 2는 도 1의 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 자른 단면도이다.
도 4은 도 2의 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 도 2의 Ⅴ-Ⅴ 선을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따른 단면의 입사 광 도파관으로 광이 입사되는 상태를 나타내고 있다.
도 7은 중첩 영역에서 가변간극(d1)이 150nm인 경우, 광이 입사 광 도파관과 이동, 고정출력 광 도파관 사이의 가변, 고정간극(d1, d2)에 강하게 모이고, 이동, 고정출력 광 도파관에서의 광 상태를 나타내는 단면도(7a)(Ⅳ-Ⅳ선 참조)와 평면도(7b)(Ⅴ-Ⅴ선 참조)이다.
도 8은 중첩 영역에서 가변간극(d1)이 200nm인 경우, 광이 입사 광 도파관과 이동, 고정출력 광 도파관 사이의 가변, 고정간극(d1, d2)에 강하게 모이고, 이동, 고정출력 광 도파관에서의 광 상태를 나타내는 단면도(8a)(Ⅳ-Ⅳ선 참조)와 평면도(8b)(Ⅴ-Ⅴ선 참조)이다.
도 9는 중첩 영역에서 가변간극(d1)이 315nm인 경우, 광이 입사 광 도파관과 이동, 고정출력 광 도파관 사이의 가변, 고정간극(d1, d2)에 강하게 모이는 상태를 나타내는 단면도(9a)(Ⅳ-Ⅳ선 참조)와 평면도(9b)(Ⅴ-Ⅴ선 참조)이다.
도 10은 가변간극(d1)이 변화함에 따라 가변, 고정 출력 광 도파관으로 나가는 광의 비율을 나타낸 도표이다.
도 11은 가변간극(d1)을 증가시킴에 따라 발생하는 손실을 나타낸 도표이다.
도 12는 널리 사용되는 광 분배 비율인 50:50(a), 30:70(b), 10:90(c), 및 1:99(d)에서 입사 파장(1.2~1.96㎛(a), 1.25~1.6㎛(b), 1.32~1.65㎛(c), 1.42~1.71㎛(d))에서 분배 비율이 일반적으로 허용되는 오차범위(3%(a), 2%(b), 1%(c), 0.6%(d)) 내에서 변하지 않는 것을 보여준다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 넓은 파장 영역에서 분배 비율의 조절이 가능한 실리콘 칩 타입의 광 분배기의 사시도이고, 도 2는 도 1의 평면도이며, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 자른 단면도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 일 실시예의 광 분배기는 Si로 구성된 광 도파관을 SiO2로 둘러싸는 구조로 형성된다.
예를 들면, 실리콘 절연 칩에서 광 도파관의 구조는 먼저 SiO2 기판에 형성된 Si을 식각하여 Si 광 도파관을 만들고, Si 광 도파관 위에 SiO2를 증착하여 형성된다. 즉 최종적으로는 Si 광 도파관을 SiO2가 둘러싸는 구조로 형성된다.
Figure 112017103123215-pat00001
수학식 1을 얻을 때, 일 실시예에서 사용한 구조는 일반적으로 사용되는 폭 W=400nm과 두께 h=220nm인 광 도파관이다. 그러나 일 실시예의 구조는 그 폭(W)과 두께(h)가 변화하여도 같은 원리로 광의 분배 비율을 조절할 수 있다.
광 도파관은 광이 입사되는 입사 광 도파관(1), 및 입사 광 도파관(1)으로 입사된 광을 받아서 출력하는 복수의 출력 광 도파관(2)을 포함한다. 입사 광 도파관(1)과 출력 광 도파관(2)은 서로 중첩되는 영역에서 점진적으로 좁아지는 구조 부분과 점진적으로 확장되는 구조 부분을 가진다.
즉 광 분배기는 1개의 입사 광 도파관(1)와 2개의 출력 광 도파관(2)을 구비한다. 입사 광 도파관(1)과 출력 광 도파관(2)은 중첩 영역(OA)에서 함께 존재하며, 중첩 영역(OA, overlap area)에서는 점진적으로 좁아지는 구조 부분과 점진적으로 확장되는 구조 부분을 가진다.
이러한 구조에서는 광의 기본 모드(fundamental mode)가 입사 광 도파관(1)과 출력 광 도파관(2)의 사이에 설정되는 간극에서 강하게 모이게 된다. 간극에 모여있는 광의 세기는 소멸파(Evanescent wave)의 세기에 비례하게 되는데, 이는 간극이 커지면 지수함수를 따라 감소하는 성질을 가진다.
따라서 간극의 크기를 조절함으로써 간극에 모여있는 광의 세기를 조절할 수 있고, 결국에는 2개의 출력 광 도파관(2)에서 출력되는 광의 비율을 조절할 수 있게 된다.
소멸파를 이용해 광을 분배하는 경우, 소멸파의 형태는 입사되는 광의 파장에 따라 변하게 되기 때문에 입사되는 광의 파장에 따라 분배 비율이 달라질 수 있다.
그러나 일 실시예에서는 광 도파관 사이에 설정되는 간극의 크기가 소멸파의 감쇠 길이(Decaying length)보다 크게 만들어주므로 파장에 따른 소멸파의 형태에 영향을 최대한 줄여 줄 수 있다. 따라서 일 실시예의 광 분배기는 넓은 파장 영역, 즉 통신영역의 파장대(1.26~1.675㎛)보다 더 넓은 영역에서 광의 분배 비율을 일정하게 유지할 수 있다.
도 4은 도 2의 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 자른 단면도이고, 도 5는 도 2의 Ⅴ-Ⅴ 선을 따라 자른 단면도이다. 도 3 내지 도 5를 참조하면, 출력 광 도파관(2)은 중첩 영역(OA)에서 입사 광 도파관(1)의 일측 배치되는 고정출력 광 도파관(21), 및 입사 광 도파관(1)의 다른 일측에 배치되는 이동출력 광 도파관(22)을 포함한다. 즉, 고정, 이동출력 광 도파관(21, 22)은 입사 광 도파관(1)을 사이에 두고 양측에 배치된다.
중첩 영역(OA)에서, 입사 광 도파관(1)은 광의 진행 방향을 따라 점진적으로 좁아지는 축소부분(11)을 가지고, 고정, 이동출력 광 도파관(21, 22)은 광의 진행 방향을 따라 점진적으로 확장되는 확장부분(211, 221)을 가진다.
고정출력 광 도파관(21)의 확장부분(211)과 입사 광 도파관(1)의 축소부분(11) 사이에 고정간극(d2)은 설정된다. 그리고 이동출력 광 도파관(22)의 확장부분(221)과 입사 광 도파관(1)의 축소부분(11) 사이에 가변간극(d1)이 설정되어서, 출력되는 두 광의 비율을 조절한다. 확장부분(211, 221)을 경유한 고정, 이동출력 광 도파관(21, 22)는 입사 광 도파관(1)과 동일한 폭(W)과 두께(h)을 가진다.
또한, 고정출력 광 도파관(21)의 확장부분(211)과 입사 광 도파관(1)의 축소부분(11) 사이에 설정된 고정간극(d2)은 광 도파관 외부의 소멸파의 감쇠 길이 보다 길게 형성되므로 입사되는 광의 파장에 영향을 받지 않게 된다.
도 1 내지 도 5를 참조하여 일례를 들면, 고정간극(d2)는 150nm로 고정되어 있고, 가변간극(d1)은 원하는 광 분배 비율에 따라 조정된다. 그리고 입사 광 도파관(1)과 출력 광 도파관(2)이 함께 존재하는 중첩 영역(OA)의 길이(L)는 15㎛이다.
이때, 고정간극(d2)은 일 실시예의 광 도파관 구조에서 소멸파의 감쇠 길이보다 약간 크게 설정된다. 따라서 입사하는 광의 파장에 의한 영향을 줄였으며, 큰 간극으로 인한 광 에너지의 손실은 길이(L)를 길게 하므로 보상된다.
도 6은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따른 단면의 입사 광 도파관으로 광이 입사되는 상태를 나타내고 있다. 도 7은 중첩 영역에서 가변간극(d1)이 150nm인 경우, 광이 입사 광 도파관과 이동, 고정출력 광 도파관 사이의 가변, 고정간극(d1, d2)에 강하게 모이고, 이동, 고정 출력 광 도파관에서의 광 상태를 나타내는 단면도(7a)와 평면도(7b)이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 가변간극(d1)이 150nm일 때, 광이 입사 광 도파관(1)과 이동, 고정출력 광 도파관 사이(22, 21)의 가변, 고정간극(d1, d2)에 강하게 모이는 상태를 나타내고 있다(7a 참조). 그리고 가변, 고정간극(d1, d2)의 후방에서, 이동, 고정출력 광 도파관(21, 22)에서의 광 상태를 나타내고 있다(7b 참조).
도 8은 중첩 영역에서 가변간극(d1)이 200nm인 경우, 광이 입사 광 도파관과 이동, 고정출력 광 도파관 사이의 가변, 고정간극(d1, d2)에 강하게 모이고, 이동, 고정출력 광 도파관에서의 광 상태를 나타내는 단면도(8a)(Ⅳ-Ⅳ선 참조)와 평면도(8b)(Ⅴ-Ⅴ선 참조)이다.
도 6 및 도 8을 참조하면, 가변간극(d1)이 200nm일 때, 광이 입사 광 도파관(1)과 이동, 고정출력 광 도파관(22, 21) 사이의 가변, 고정간극(d1, d2)에 강하게 모이는 상태를 나타내고 있다(8a 참조). 그리고 가변, 고정간극(d1, d2)의 후방에서, 이동, 고정출력 광 도파관(22, 21)에서의 광 상태를 나타내고 있다(8b 참조).
도 9는 중첩 영역에서 가변간극(d1)이 315nm인 경우, 광이 입사 광 도파관과 이동, 고정출력 광 도파관 사이의 가변, 고정간극(d1, d2)에 강하게 모이는 상태를 나타내는 단면도(9a)(Ⅳ-Ⅳ선 참조)와 평면도(9b)(Ⅴ-Ⅴ선 참조)이다.
도 6 및 도 9를 참조하면, 가변간극(d1)이 315nm일 때, 광이 입사 광 도파관(1)과 이동, 고정출력 광 도파관(22, 21) 사이의 가변, 고정간극(d1, d2)에 강하게 모이는 상태를 나타내고 있다(8a 참조). 그리고 가변, 고정간극(d1, d2)의 후방에서, 이동, 고정출력 광 도파관(22, 21)에서의 광 상태를 나타내고 있다(8b 참조).
도 7a 내지 도 9a에 도시된 바와 같이, 가변간극(d1)이 멀어지면 가변간극(d1)에 모이는 광의 세기가 약해지고, 고정간극(d2)에 모이는 광의 세기가 커지는 것을 볼 수 있다. 이때, 광의 세기가 변하는 정도는 소멸파가 감소하는 지수함수로 표현될 수 있고, 이에 따라 출력되는 두 광의 비율이 결정되게 된다.
도 7b 내지 도 9b에 도시된 바와 같이, 가변간극(d1)이 150, 200, 300nm로 증가함에 따라 광의 분배 비율이 달라지는 것을 확인할 수 있다. 이때에도, 가변간극(d1)이 멀어지면 가변간극(d1)에 모이는 광의 세기가 약해지고, 고정간극(d2)에 모이는 광의 세기가 커지는 것을 알 수 있다.
도 10은 가변간극(d1)이 변화함에 따라 이동, 고정출력 광 도파관으로 나가는 광의 비율을 나타낸 도표이다. 도 10을 참조하면, 가변간극(d1)이 고정간극(d2)과 같은 150nm일 때는 50:50의 분배 비율을 갖는다.
가변간극(d1)이 커지면서 이동출력 광 도파관(22)으로 나가는 광의 세기는 지수함수를 따라 감소하며, 고정출력 광 도파관(21)으로 나가는 광의 세기는 지수함수를 따라 증가하게 된다.
특히 많이 쓰이는 30:70, 10:90, 1:99의 분배 비율은 가변간극(d1)을 200nm, 315 nm 및 590nm로 조절하여 얻을 수도 있다.
도 11은 가변간극(d1)을 증가시킴에 따라 발생하는 손실을 나타낸 도표이다. 도 11을 참조하면, 가변간극(d1)이 증가시켜도 손실이 0.003%로 매우 작은 값을 유지할 수 있다.
도 12는 널리 사용되는 광 분배 비율인 50:50(a), 30:70(b), 10:90(c), 및 1:99(d)에서 입사 파장(1.2~1.96㎛(a), 1.25~1.6㎛(b), 1.32~1.65㎛(c), 1.42~1.71㎛(d))에서 분배 비율이 일반적으로 허용되는 오차범위(3%(a), 2%(b), 1%(c), 0.6%(d)) 내에서 변하지 않는 것을 보여준다. 도 12를 참조하면, 종래기술에 따른 실리콘 절연 칩 위에서의 광 분배기로 사용되던 방향성 결합기 및 다중모드 간섭기의 단점이 보완되었음을 보여준다.
수학식 1은 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 얻은 이동출력 광 도파관(22)과 입사 광 도파관(1) 사이의 가변간극(d1)과 분배 비율(R)과의 관계식이다. 여기서, 분배 비율(R)은 이동출력 광 도파관(22)으로 나가는 광의 세기를 나타낸 값으로 0.5부터 0.004의 사이의 값을 가진다. 고정출력 광 도파관(21)과 입사 광 도파관(1) 사이의 고정간극(d2)은 150nm로 고정되어 있다
이 수학식 1에 따라 본 발명의 일 실시예에서와 같은 구조에서는 원하는 분배 비율(R)이 결정 되었을 경우, 가변간극(d1)이 손쉽게 결정되어 광 분배기를 제작할 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
1: 입사 광 도파관 2: 출력 광 도파관
11: 축소부분 21: 고정출력 광 도파관
22: 이동출력 광 도파관 211, 221: 확장부분
d1: 가변간극 d2: 고정간극
h: 두께 L: 길이
OA: 중첩 영역(overlap area) W: 폭

Claims (5)

  1. Si로 구성된 광 도파관을 SiO2로 둘러싸는 구조로 형성되며,
    상기 광 도파관은
    광이 입사되는 입사 광 도파관, 및
    상기 입사 광 도파관으로 입사된 광을 받아서 출력하는 복수의 출력 광 도파관을 포함하며,
    상기 입사 광 도파관과 상기 출력 광 도파관은
    서로 중첩되는 영역에서 점진적으로 좁아지는 축소부분과 점진적으로 확장되는 확장부분을 각각 가지고,
    상기 출력 광 도파관은
    중첩 영역에서 상기 입사 광 도파관의 일측 배치되는 고정출력 광 도파관, 및
    상기 입사 광 도파관의 다른 일측에 배치되는 이동출력 광 도파관
    을 포함하는 광 분배기.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 고정출력 광 도파관의 확장되는 확장부분과 상기 입사 광 도파관의 좁아지는 축소부분 사이에 고정간극이 설정되고,
    상기 이동출력 광 도파관의 확장되는 확장부분과 상기 입사 광 도파관의 좁아지는 축소부분 사이에 가변간극이 설정되어 출력되는 두 광의 비율을 조절하는 광 분배기.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 고정출력 광 도파관의 확장되는 확장부분과 상기 입사 광 도파관의 좁아지는 축소부분 사이에 설정된 고정간극은
    상기 광 도파관 외부의 소멸파의 감쇠 길이 보다 길게 형성되는 광 분배기.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 광은
    1.2~1.96㎛의 파장 영역을 대상으로 하는 광 분배기.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005128419A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Nec Corp 光導波路構造およびその作製方法

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