KR101840878B1 - 유기발광 표시소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에서는, 제1 전극과 제2 전극 사이에 유기 발광층을 배치하고, 그 하부에 TFT를 형성하는 층간 구성물들이 적층된 유기발광 표시소자에 있어서, 상기 층간 구성물들은, 제1 굴절율을 갖는 제1층간 구성물과, 상기 제1 굴절율보다 낮은 굴절율을 갖는 제2 층간 구성물과, 상기 제1 층간 구성물 바로 위에 상기 제1 층간 구성물을 덮도록 형성되고, 상기 제1 굴절율보다 낮은 굴절율을 갖는 커플링층을 포함하고, 상기 제1 층간 구성물은 상기 커플링층에서 상기 제1 층간 구성물의 경계면으로 빛이 입사될 때, 빛의 진행 경로를 변경시키는 경사면 패턴을 포함하고 있는 유기발광 표시소자를 개시한다.
Description
본 발명은 아웃 커플링(out-coupling)을 향상한 유기발광 표시소자에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 유기발광 표시소자(Organic Light Emitting Diode Device: OLED), 액정표시 패널(Liquid Crystal Display Panel: LCD), 전기영동표시장치(Electro Phoretic Display; EPD) 및 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel: PDP) 등과 같은 디스플레이의 사용이 증가하고 있다.
이중 액정표시패널은 표시장치의 가장 일반적인 디스플레이로 각광을 받고 있으며, 유기발광 표시소자는 핸드폰과 같은 소형 통신기기에서 점차 자리를 확대화가고 있는 추세이다. 유기발광 표시소자는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자발광하기 때문에, 천연색을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 영상을 표시하는 디스플레이로써 적합하고, 저온 제작, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시소자로 주목받고 있다.
앞서 설명한 바와 같은 표시장치 중 일부는 박형화가 용이하여 텔레비전(TV)이나 비디오 등의 가전용 분야에서부터 노트북(Note book)이나 핸드폰과 등과 같은 휴대용 기기 분야 등으로 그 사용처가 다양해지고 있다. 또한, 최근에는 표시장치의 박형화와 더불어 연성을 부여하고자 하는 연구가 지속 되고 있다.
일반적으로, 유기발광 표시소자는 형광성 유기화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 전계 발광현상을 이용하여 영상을 표시한다. 지금의 유기발광 표시소자는 내부 전반사에 의해 빛이 밖으로 나오지 못하고 내부에서 약 80% 가량이 소멸되는 것으로 알려져 있다.
도 1은 유기발광 표시소자의 개략적인 구성을 보여준다. 지금의 유기발광 표시소자는 유기발광층(11)을 사이에 두고 정공과 전자를 각각 유기 발광층(11)으로 공급하는 양극(13)과 음극(15)이 위치하고, 그 위로 유리기판(17)이 배치된 형태를 이룬다. 그런데, 일반적으로 음극(15)을 이루고 있는 ITO의 굴절율은 1.8이고, 유리기판(17)의 굴절율은 1.5이기 때문에, 유기발광층(11)에서 만들어진 빛은 밀한 매질에서 소한 매질로 진행하게 된다. 스넬의 법칙에 의거해, 이 빛은 임계각 이상으로 둘 사이의 경계면에 입사되면 내부 전반사되므로, 빛이 밖으로 빠져나오지 못한다. 마찬가지로, 유리기판(17)의 굴절율은 1.5이고, 대기의 굴절율은 1.0이므로, 둘 사이의 경계면에서도 빛은 내부 전반사된다.
이상과 같은 이유로, 유기 발광층(11)에서 만들어진 빛은 내부 전반사로 인해서 아웃커플링되는 효율이 떨어지는 문제가 있다.
본 발명은 이 같은 배경에서 창안된 것으로, 내부 전반사에 의해 빛이 소실되는 것을 줄인 유기발광 표시소자를 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시예에서는, 제1 전극과 제2 전극 사이에 유기 발광층을 배치하고, 그 하부에 TFT를 형성하는 층간 구성물들이 적층된 유기발광 표시소자에 있어서, 상기 층간 구성물들은, 제1 굴절율을 갖는 제1층간 구성물과, 상기 제1 굴절율보다 낮은 굴절율을 갖는 제2 층간 구성물과, 상기 제1 층간 구성물 바로 위에 상기 제1 층간 구성물을 덮도록 형성되고, 상기 제1 굴절율보다 낮은 굴절율을 갖는 커플링층을 포함하고, 상기 제1 층간 구성물은 상기 커플링층에서 상기 제1 층간 구성물의 경계면으로 빛이 입사될 때, 빛의 진행 경로를 변경시키는 경사면 패턴을 포함하고 있는 유기발광 표시소자를 개시한다.
상기 경사면 패턴은 빛이 상기 제1 층간 구성물에서 상기 제2 층간 구성물로 입사될 때, 그 경계면에서 내부 전반사가 일어나는 임계각 이하로 상기 빛을 굴절시킨다.
상기 경사면 패턴은 상기 제2층간 구성물에서 상기 커플링층을 향할수록 좁아지는 다각 기둥 형상을 이루고 있을 수 있다. 상기 다각 기둥 형상의 단면은 평형 사변형 모양을 이룰 수 있다.
상기 경사면 패턴은 섬형 스몰패턴들이 각각 독립적으로 배치된 형태를 이룰 수 있다.
상기 섬형 스몰패턴들은 제1 섬형 스몰패턴과 이에 이웃한 제2 섬형 스몰패턴 사이에 제3 섬형 스몰패턴이 더 배치되는 지그재그 배열을 이루거나, 상기 섬형 소몰패턴의 상부는 돌출면에 의해서 경사져 있을 수 있다.
상기 경사면 패턴은 상기 제1 층간 구성물의 표면에 형성된 요철을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서는, 굴절율이 큰 게이트 절연막에 경사면 패턴을 구비하고, 그 위에 게이트 절연막보다 낮은 굴절율을 갖는 커플링층을 배치함으로써, 빛이 밀한 매질에서 소한 매질로 진행되더라도 내부 전반사가 일어나지 않아 아웃 커플링의 효율을 향상시킬 수가 있다.
도 1은 종래기술을 설명하는 유기발광 표시소자의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시소자의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 유기발광 표시소자 중 서브픽셀의 표시영역에서 층간 굴절율을 보여준다.
도 4및 도 5는 게이트 절연막에 형성된 경사면 패턴에 의해 아웃 커플링이 일어나는 과정을 설명하는 모식도이다.
도 6은 경사면 패턴의 개략적인 평면 모습을 보여준다.
도 7은 도 6의 VII-VII 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 섬형 스몰패턴의 배열 모습을 설명하는 도면이다.
도 9는 섬형 스몰패턴의 상부에 경사면이 형성된 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 경사면 패턴이 게이트 절연막의 표면에 요철로 형성된 예를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시소자의 개략적인 단면도이다.
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도 6은 경사면 패턴의 개략적인 평면 모습을 보여준다.
도 7은 도 6의 VII-VII 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 섬형 스몰패턴의 배열 모습을 설명하는 도면이다.
도 9는 섬형 스몰패턴의 상부에 경사면이 형성된 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 경사면 패턴이 게이트 절연막의 표면에 요철로 형성된 예를 보여주는 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시소자의 개략적인 단면도이다.
도 2의 일 실시예서는 제 1 전극(150) 및 제 2 전극(170) 사이에 개재된 유기발광층(160)을 포함하고, 경사면 패턴(PP)을 갖는 게이트 절연막(105)과 층간 절연막(125) 사이에는 커플링층(115)이 배치된 형태를 이루고 있다.
기판(100)은 유리기판이 바람직하게 사용될 수 있으나, 플라스틱 또는 금속과 같은 재료로 형성될 수도 있다.
기판(100) 위에는 반도체층(110)이 각 서브필셀 단위로 배치되어 있다. 이 반도체층(110)은 비정질 실리콘으로 이뤄질 수 있으며, 비정질 실리콘을 애닐링(annealing)해 결정화한 다결정 실리콘으로 이뤄질 수도 있다.
반도체층(110) 위에는 이 반도체층(110)을 덮는 게이트 절연막(115)이 경사면 패턴(PP)을 포함해 형성돼 있다. 이 게이트 절연막(105)은 유리기판(100)의 굴절율보다 큰 제1 굴절율을 갖는 물질로 이뤄져 있다. 유리기판(100)의 굴절율이 1.5 이므로 이보다 크게, 일 예에서 게이트 절연막(105)은 실리콘 질화물(SiNx)로 형성될 수 있다. 실리콘 질화물의 굴절율은 1.8이다. 이 게이트 절연막(105)은 경사면(CL))을 이루고 있는 경사면 패턴(PP)을 포함해서 구성된다. 이 경사면 패턴(PP)은 각 서브픽셀별로 영상이 표시되는 표시영역(PA)에 대응하게 배치될 수 있고, 비표시영역(NPA)으로는 경사면 패턴(PP)이 없는 게이트 절연막(105)이 형성될 수 있다. 이 같은 경사면 패턴(PP)은 잘 알려진 포토리소그래피 공정을 통해서 패터닝될 수 있다.
그리고, 이 게이트 절연막(105)과 반도체층(110)을 덮으면서 커플링층(115)이 형성돼 있다. 이 커플링층(115)은 제1 굴절율보다 낮은 제2 굴절율을 갖는 물질, 일 예로 실리콘 산화물((SiO2)로 구성될 수 있는데, 실리콘 산화물의 굴절율은 실리콘 질화물의 굴절율보다 작은 1.5이다.
이 커플링층(115)과 경사면 패턴(PP)은 빛이 밀한 매질에서 소한 매질로 진행할 때, 빛의 진행 경로를 조정해서 내부 전반사가 일어나는 것을 방지해 빛의 아웃 커플링 효율을 증대시키게 된다. 이에 대해서는 아래에서 자세히 후술한다.
커플링층(115) 위에는 반도체층(110)과 중첩되게 위치하는 게이트 전극(120)이 형성된다. 이 게이트 전극(120)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이뤄질 수 있다.
게이트 전극(120) 위에는 게이트 전극(120)을 덮는 층간 절연막(125)이 형성될 수 있다. 이 실시예에서, 층간 절연막(125)은 커플링층(115)과 동일하거나 유사한 굴절율을 갖는 물질로 이뤄져, 커플링층(105)과 마찬가지로 실리콘 산화물로 이뤄질 수 있다.
이 층간 절연막(125) 위에는 소스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)이 형성된다. 여기서, 소스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)은 게이트 절연막(115) 및 층간 절연막(125)을 관통하는 콘택홀(130a, 130b)을 통해 반도체층(110)의 일 단에 각각 연결되어 있다. 이 같은 소스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 등으로 이뤄질 수 있다.
이상의 설명에서는 반도체층 위에 게이트 전극이 위치하는 탑(Top) 게이트형 박막 트랜지스터(TFT)를 개시하였지만, 이와는 달리 게이트 전극이 반도체층 아래에 위치하는 바텀(Bottom) 게이트형 박막 트랜지스터(TFT)로 이뤄질 수도 있다.
소스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b) 위에는 패시베이션막(140)이 위치한다. 이 패시베이션막(140)은 층간 절연막(125)과 동일하거나 유사한 굴절율을 갖는 물질로 이뤄져, 층간 절연막(125)과 마찬가지로 실리콘 산화물로 이뤄질 수 있다.
패시베이션막(140) 위에는 양극으로 사용되는 제 1 전극(150)이 위치한다. 제 1 전극(150)은 일함수가 큰 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전막으로 이뤄진다. 이 제1 전극(150)은 각 화소에 대응하게 패터닝되어 있다.
또한, 각 화소를 구분하고, 제 1 전극(105) 사이를 절연시키기 위하여 뱅크층(155)이 패시베이션막(140) 위에 형성된다. 이 뱅크층(155)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물로 이뤄진다. 뱅크층(155)에는 제 1 전극(150)을 노출시키는 개구부(157)가 형성돼 있으며, 이 개구부(157)를 따라 각 서브픽셀이 배치된다.
개구부(157)에는 유기 발광층(165)이 위치해, 각 서브픽셀별로 유기 발광층(165)이 형성된다. 이 유기 발광층(165)은 발광하는 색상에 따라 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층의 3색 구조로 배열될 수 있고, 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층의 서브픽셀이 모여 하나의 단위 픽셀을 이룬다.
이 중 적색 발광층은 CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 녹색 발광층은 CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 청색 발광층은 CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
패시베이션막(140) 위에 형성된 유기발광층(165)과 뱅크층(155) 위에는 제 2 전극(170)이 덮여져 있다. 제 2 전극(170)은 일함수가 낮은 금속들로 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 등을 사용할 수 있으며, 발광층으로부터 발광하는 빛을 제 1 전극(150) 방향으로 반사시킬 수 있도록 충분한 두께로 이뤄질 수 있다.
도 3은 상술한 유기발광 표시소자 중 서브픽셀의 표시영역(PA)에서 층간 굴절율을 보여준다. 표시 영역에서, 유기발광 표시소자는 기판(100), 게이트 절연막(105), 커플링층(115), 층간 절연막(125), 패시베이션막(140), 제1전극(150)의 순서로 적층된 구조를 이루고 있다.
이중, 기판(100)의 굴절율은 1.5이고, 게이트 절연막(105)의 굴절율은 1.8이고, 그 외 커플링층(115)과 층간 절연막(125)과 패시베이션막(140)의 굴절율은 모두 1.5이다. 따라서, 본 실시예처럼 배면 발광하는 유기발광 표시소자는 게이트 절연막(105)과 기판(100)의 계면에서 내부 전반사가 일어날 수 있다.
도 4는 게이트 절연막(105)에 형성된 경사면 패턴(PP)에 의해 아웃 커플링이 일어나는 과정을 설명하는 모식도이고, 도 5는 이의 경계면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 4및 도 5에서 예시된 바처럼, 경사면 패턴(PP)은 그 단면이 평행 사변형 모양을 이루고 있어, 기판(100)에 대해 소정의 경사 각도(α)를 이루는 비스듬한 경사면(CL)을 형성하고 있다. 한편, 게이트 절연막(105)을 덮고 있는 커플링층(115)의 굴절율(n1)은 1.5이고, 게이트 절연막(105)의 굴절율(n2)은 1.8이다.
경사면(CL)에 소정 각도(β)로 입사된 빛은 소한 매질에서 밀한 매질로 입사가 되기 때문에, 내부 전반사없이 게이트 절연막(105)으로 입사된다. 이때, 경사면(CL)에 법선(al)에 대해 제1 입사각(θ1)으로 입사된 빛은 제1 굴절각(θ2)을 이루며 진행하게 된다. 이때, 제1 입사각(θ1)과 제1 굴절각(θ2) 사이의 관계는 스넬의 법칙에 따라 "제1 입사각(θ1) > 제1 굴절각(θ2)"의 관계를 만족한다.
그리고, 이 빛은 게이트 절연막(105)과 기판(100) 사이의 경계면(BW)에 제2 제2 입사각(θ3)을 이루며 입사된 후, 경계면(BW)에서 제2 굴절각(θ4)을 이루며 굴절된다. 이때, 게이트 절연막(105)의 굴절율(n2)은 1.8인 반면에, 기판(100)의 굴절율(n3)은 1.5이기 때문에, 이 빛은 밀한 매질에서 소한 매질로 입사돼 제2 입사각(θ3)이 임계각을 넘어 경계면(BW)에 입사되면 내부 전반사가 일어나 빛이 소실된다. 하지만, 본 실시예에 따르면, 게이트절연막(105)의 굴절율(n2)보다 낮은 굴절율(n1)을 갖는 커플링층(115)으로 인해서 경사면(CL)을 통과한 빛은 법선(AL)에 가깝게 굴절되고, 경사면(CL) 또한 소정각도(α)로 기울어져 있어서 도 5에서 점선으로 도시한 빛의 경로처럼 경사면(CL) 때문에 빛의 실제 제1 입사각은 입사각(θ1)에서 경사면(CL)의 경사각도(α)를 뺀 크기에 해당하고 제1 굴절각 역시도 경사각도(α)를 뺀 크기에 해당한다. 따라서, 빛은 경사면에 의해서도 법선(AL)에 더 가깝게 굴절된다. 이에 따라, 빛이 게이트절연막(105)과 기판(100)의 경계면(BW)에 입사될 때, 제2 입사각((θ3)이 임계각을 넘지 못해 내부 전반사가 일어나지 않는다. 따라서, 빛이 밀한 매질에서 소한 매질로 진행하더라도 빛이 소실되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 도 6은 경사면 패턴(PP)의 개략적인 평면 모습을 보여준다. 도 6에서 예시하는 바처럼, 경사면 패턴(PP)은 섬형 스몰패턴(SP)의 집합이 nΧn행렬을 이루며 배치될 수 있다. 스몰패턴(SP) 각각은 종단면이 평행사변형을 이루는 육각 기둥의 형상을 이루고 있어, 스몰패턴(SP)의 측벽은 상술한 경사면(CL)처럼 경사지게 만들어져 있다.
한편, 도 6과 같이 경사면 패턴(PP)이 섬형 스몰패턴(SP)으로 이뤄지면, 도 7에서 예시하는 바처럼, 게이트 절연막(115)으로 입사되는 빛은 2가지의 진행 경로를 갖게 된다. 첫번째 진행 경로의 빛(L1)은 상술한 바와 같이 섬형 스몰패턴(SP)의 경사면(CL)에 입사된 후 진행하게 되어, 내부 전반사가 일어나지 않는다. 또한, 제2 진행 경로의 빛(L2)은 섬형 스몰패턴(SP)을 경유하지 않고 바로 커플링층(115)에서 기판(100)으로 진행하게 되는데, 커플링층(115)의 굴절율은 1.5이고, 기판(100)의 굴절율도 1.5이므로, 이 경로의 빛 역시 내부전반사 없이 추출할 수가 있다.
이상 설명한 바처럼, 상술한 실시예에 따르면, 굴절율이 큰 게이트 절연막(105)에 경사면 패턴(PP)을 구비하고, 그 위에 게이트 절연막(105)보다 낮은 굴절율을 갖는 커플링층(115)을 배치함으로써, 빛이 밀한 매질에서 소한 매질로 진행되더라도 내부 전반사가 일어나지 않으며, 아웃 커플링의 효율을 향상시킬 수가 있다.
한편, 도 6의 실시예에서는 섬형 스몰패턴(SP)의 집합이 nΧn행렬을 이루며 배치된 형태를 설명하고 있는데, 도 8에서와 같이 지그재그 패턴으로 배열될 수도 있다. 이처럼 섬형 스몰패턴(SP)의 집합이 지그재그 패턴으로 배치되면, 섬형 스몰패턴(SP)과 섬형 스몰패턴(SP) 사이에도 다른 섬형 스몰패턴(SP)을 배치할 수 있어 단위 면적당 배치되는 섬형 스몰패턴(SP)의 개수를 도 6의 실시예보다 많이 배치할 수가 있어서, 층간 단차를 줄이는 한편, 아웃커플링 효율 역시 증대시킬 수 있다.
상술한 실시예에서는 섬형 스몰패턴(SP)의 3차원 모습이 단면이 4각형인 육각 기둥 형상으로 형성되는 것을 설명하였지만, 육각형, 팔각형과 같이 다각형 형태를 이루며 측면이 경사져 있는 형태라면 어떠한 형태로 가능하다.
도 9는 상술한 섬형 스몰패턴(SP)의 다른 실시 형태를 보여준다. 도 6을 통해서 설명한 섬형 스몰패턴(SP)과 비교해서, 섬형 스몰패턴(SP)의 상부에 돌출면(UD)이 형성된 것을 제외하고는 도 6의 섬형 스몰패턴(SP)과 동일한 형태로 구현된다. 이 형태의 섬형 스몰패턴(SP)은 돌출면(UD)에 의해 상부에도 경사면이 형성된다. 따라서, 상술한 제1의 진행경로(L1)를 설명한 바와 동일한 이유로, 제3의 진행경로(L3)의 빛 밀한 매질에서 소한 매질로 빛이 입사되더라도 소실없이 아웃커플링을 할 수가 있다.
도 10은 상술한 실시예들과 다르게 경사면 패턴(PP)이 표면에 요철로 형성된 예를 보여준다. 도 10에서 예시하는 바처럼, 상술한 바와 마찬가지로 기판(100) 위로는 게이트 절연막(105)이 형성돼 있고, 그 위에는 게이트 절연막(105)보다 낮은 굴절율을 갖는 커플링층(115)이 형성돼 있다.
그리고, 게이트 절연막(105)의 표면은 요철의 산과 골로 인해서 표면에 상술한 바와 유사한 형태의 경사면(CL)이 형성돼 있다. 이처럼, 게이트 절연막(105)의 표면에 요철을 형성해 경사면(CL)을 형성하게 되면, 상술한 섬형 스몰패턴과 비교해서 형성하기가 쉽다는 장점이 있다.
이상의 실시예들에서는 유기발광 표시소자를 이루는 층간 구성물 중, 게이트 절연막(105)이 기판(100)보다 상대적으로 높은 굴절율을 갖는 경우에, 내부 전반사가 일어나지 않도록 게이트 절연막(105) 바로 위에 게이트 절연막(105)보다 굴절율이 낮은 커플링층(115)을 형성하는 한편, 게이트 절연막(105)에 경사면 패턴(PP)을 형성하는 경우를 하나의 실시예로 설명을 하였다. 그렇지만 본 발명이 이 형태에 국한돼 구현되는 것은 아니고, 다른 층간 구성물에서도 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어서, 층간 절연막(125)이 게이트 절연막(105)보다 상대적으로 큰 굴절율을 갖는 경우에는 층간 절연막(125) 바로 위에 층간 절연막(125)보다 낮은 굴절율을 갖는 커플링층이 배치되고, 이에 맞춰 층간 절연막(125)에는 상술한 경사면패턴이 형성될 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
Claims (9)
- 제1 전극과 제2 전극 사이에 유기 발광층을 배치하고, 그 하부에 TFT를 형성하는 층간 구성물들이 적층된 유기발광 표시소자에 있어서, 상기 층간 구성물들은,
제1 굴절율을 갖는 제1층간 구성물과,
상기 제1 굴절율보다 낮은 굴절율을 갖는 제2 층간 구성물과,
상기 제1 층간 구성물 바로 위에 상기 제1 층간 구성물을 덮도록 형성되고, 상기 제1 굴절율보다 낮은 굴절율을 갖는 커플링층을 포함하고,
상기 제1 층간 구성물은 상기 커플링층에서 상기 제1 층간 구성물의 경계면으로 빛이 입사될 때, 빛의 진행 경로를 변경시키는 경사면 패턴을 포함하고,
상기 경사면 패턴은, 상기 빛의 진행 경로를 제1진행방향으로 변경시키는 측벽의 경사면과 제2진행방향으로 변경시키는 상부의 돌출면을 갖는 섬형 스몰패턴을 포함하는 유기발광 표시소자. - 제1항에 있어서,
상기 경사면 패턴은 빛이 상기 제1 층간 구성물에서 상기 제2 층간 구성물로 입사될 때, 그 경계면에서 내부 전반사가 일어나는 임계각 이하로 상기 빛을 굴절시키는 유기발광 표시소자. - 제1항에 있어서,
상기 경사면 패턴은 상기 제2층간 구성물에서 상기 커플링층을 향할수록 좁아지는 다각 기둥 형상을 이루고 있는 유기발광 표시소자. - 제3항에 있어서,
상기 다각 기둥 형상의 단면은 평형 사변형 모양을 이루고 있는 유기발광 표시소자. - 제3항에 있어서,
상기 경사면 패턴은 섬형 스몰패턴들이 각각 독립적으로 배치된 형태를 이루고 있는 유기발광 표시소자. - 제5항에 있어서,
상기 섬형 스몰패턴들은 제1 섬형 스몰패턴과 이에 이웃한 제2 섬형 스몰패턴 사이에 제3 섬형 스몰패턴이 더 배치되는 지그재그 배열을 이루고 있는 유기발광 표시소자. - 삭제
- 제3항에 있어서,
상기 경사면 패턴은 상기 제1 층간 구성물의 표면에 형성된 요철을 포함하는 유기발광 표시소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1 층간 구성물은 게이트 절연막이고, 상기 제2 층간 구성물은 기판인 유기발광 표시소자.
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