KR101838975B1 - 포토 디텍터 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR101838975B1
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김준동
박왕희
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인천대학교 산학협력단
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Abstract

포토 디텍터 및 그 제조 방법을 제공한다. 상기 포토 디텍터는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 투명 전도체막, 상기 투명 전도체막 상에 형성되는 제1 산화물 반도체막, 상기 제1 산화물 반도체막 상에 형성되는 SnS막 및 상기 SnS막 상에 형성되는 제2 산화물 반도체막을 포함한다.

Description

포토 디텍터 및 그 제조 방법{Photo detector and Method for fabricating the same}
본 발명은 포토 디텍터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 SnS를 이용한 투명 광전 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
SnS2는 크리스탈 구조의 다이렉트 밴드갭이 1.3~1.5eV, 인다이렉트 밴드 갭이 1.0~1.1 eV의 좁은 밴드 갭을 가진 n타입 반도체이지만, 이를 400℃에서 공정했을 때 기둥 모양의 입자를 가진 p타입 반도체인 SnS가 된다. 이때에 SnS 표면에는 어떠한 균열과 작은 구멍도 관찰되지 않는데, 이것은 태양 전지 및 광전소자 제조 시에 SnS를 이용하면 광 흡수에 있어 매우 유용한 이점을 갖는다는 것을 의미한다
SnS는 무독성이며 높은 흡수율을 가지며 주석(Sn)과 황(S)이 저가 범용소(common materials)이므로 최근에 태양 전지 및 광전소자 제작에 있어서 크나큰 이점이 있는 물질로 각광받고 있다. 특히, 기존의 태양 전지 및 광전소자 제조 방법은 높은 비용을 소모하므로, 이를 줄일 수 있는 SnS의 이용에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
미국등록공보 제 9362429호
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 동작 성능이 향상된 포토 디텍터를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 동작 성능이 향상된 포토 디텍터 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 디텍터는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 투명 전도체막, 상기 투명 전도체막 상에 형성되는 제1 산화물 반도체막, 상기 제1 산화물 반도체막 상에 형성되는 SnS막 및 상기 SnS막 상에 형성되는 제2 산화물 반도체막을 포함한다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 디텍터 제조 방법은 기판 상에 투명 전도체막을 형성하고, 상기 투명 전도체막 상에 제1 산화물 반도체막을 형성하고, 상기 제1 산화물 반도체막 상에 SnS막을 증착하고, 상기 SnS막 상에 제2 산화물 반도체막을 형성하는 것을 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 디텍터는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 투명 전도체막, 상기 투명 전도체막 상에 제1 두께로 형성되는 p형 산화물 반도체막, 상기 p형 산화물 반도체막 상에 제2 두께로 형성되는 SnS막 및 상기 SnS막 상에 제3 두께로 형성되는 n형 산화물 반도체막을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적 사항들은 상인 세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 포토 디텍터는 높은 흡수율과 낮은 반사율을 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 포토 디텍터는 높은 광응답과 빠른 광응답 속도를 가질 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 포토 디텍터를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 포토 디텍터 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 도면들이다.
도 9는 본 발명의 실시예 1의 단면을 설명하기 위한 FESEM(field emission scanning electron microscope) 사진이다.
도 10은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1의 파장에 따른 흡수도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 11은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1의 광 응답을 설명하기 위한 그래프이다.
도 12는 본 발명의 실시예 1의 광 응답 시간을 설명하기 위한 그래프이다.
도 13은 본 발명의 실시예 1의 반사도를 설명하기 위한 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below 또는 beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있으며, 이 경우 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 포토 디텍터를 설명한다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 포토 디텍터를 설명하기 위한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 포토 디텍터는 기판(100), 투명 전도체막(200), 제1 산화물 반도체막(300), SnS막(400), 제2 산화물 반도체막(500)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 실리콘 기판 또는 석영(quartz) 기판일 수 있다. 기판(100)은 예를 들어, p형 실리콘 기판일 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 기판(100)은 투명한 유연(flexible) 기판일 수 있다. 즉 기판(100)은 자유롭게 휘어졌다가 다시 복원되는 특성을 가질 수 있다. 이 경우, 기판(100)은 플라스틱 기판일 수 있다. 이 때, 기판(100)은 예를 들어, PET(polyethylene terephthalate) 또는 PI(Polyimide) 기판일 수 있다.
기판(100)은 컬러가 전혀 없는 기판일 수 있다.
투명 전도체막(200)은 빛이 투과할 수 있는 투명한 막일 수 있다. 투명 전도체막(200)은 전기적으로 전도체일 수 있다. 투명 전도체막(200)은 예를 들어, ITO 또는 FTO를 포함할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다.
투명 전도체막(200)은 투명 기판(100)의 상면과 직접 접하고, 투명 기판(100)의 상면을 덮을 수 있다. 투명 전도체막(200)은 50nm의 두께로 형성될 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다.
투명 전도체막(200)의 상면은 제1 상면(200a) 및 제2 상면(200b)을 포함할 수 있다. 제2 상면(200b) 상에는 제1 산화물 반도체막(300), SnS막(400) 및 제2 산화물 반도체막(500)이 적층될 수 있다. 반대로, 제1 상면(200a)은 그 위에 아무런 구조 없이 노출될 수 있다. 투명 전도체막(200)은 후면 또는 전면 전극으로 사용되므로, 추후에 프로브 등이 접할 수 있는 영역이 필요하다. 이 때, 노출된 제1 상면(200a)이 전극의 패드와 같은 역할을 할 수 있다.
제1 산화물 반도체막(300)은 투명 전도체막(200) 상에 형성될 수 있다. 제1 산화물 반도체막(300)은 투명 전도체막(200)의 제2 상면(200b) 상에 형성될 수 있다. 제1 산화물 반도체막(300)은 p형 산화물 반도체막일 수 있다. 제1 산화물 반도체막(300)은 예를 들어, CuO 및 NiO 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 추후에 설명하겠지만, 제1 산화물 반도체막(300)은 리액티브 스퍼터링에 의해서 형성될 수 있다.
제1 산화물 반도체막(300)은 제1 두께(t1)로 형성될 수 있다. 이 때, 제1 두께(t1)는 10nm 내지 500nm일 수 있다. 제1 두께(t1)가 너무 크면 전체 장치의 투과도가 낮아지고, 제1 두께(t1)가 너무 작으면 광전 효과의 효율이 낮아질 수 있다.
SnS막은 제1 산화물 반도체막(300) 상에 형성될 수 있다. SnS막(400)은 투명 전도체막(200)의 제2 상면(200b)과 수직 방향으로 오버랩되지만, 제1 상면(200a)과는 수직 방향으로 오버랩되지 않는다.
SnS막은 SnS를 포함한다. 이 때, SnS는 p형 반도체 물질로서, 표면에 균열이나 작은 구멍 등이 형성되지 않을 수 있다. 이를 통해서, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 포토 디텍터의 광 흡수 효율을 대폭 상승시킬 수 있다.
SnS막(400)은 제2 두께(t2)로 형성될 수 있다. 제2 두께(t2)는 제1 두께(t1)보다 작을 수 있다. 제2 두께(t2)는 예를 들어, 1 내지 200nm일 수 있다. SnS막(400)이 1nm보다 작은 두께로 형성되는 것은 공정의 난이도 및 비용이 올라가고, 광흡수 효과가 낮아질 수 있고, 100nm보다 두껍게 형성되는 것은 장치의 집적도가 올라가고, 빛의 투과도가 낮아질 수 있다.
제2 산화물 반도체막(500)은 SnS막(400) 상에 형성될 수 있다. 제2 산화물 반도체막(500)은 투명 전도체막(200)의 제2 상면(200b)과 수직 방향으로 오버랩되지만, 제1 상면(200a)과는 수직 방향으로 오버랩되지 않는다.
제2 산화물 반도체막(500)은 n형 산화물 반도체막일 수 있다. 제2 산화물 반도체막(500)은 예를 들어, AZO 및 ZnO 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 추후에 설명하겠지만, 제2 산화물 반도체막(500)은 RF 스퍼터링에 의해서 형성될 수 있다.
제2 산화물 반도체막(500)은 제3 두께(t3)로 형성될 수 있다. 이 때, 제3 두께(t3)는 제1 두께(t1) 및 제2 두께(t2)보다 두꺼울 수 있다. 제3 두께(t3)는 10nm 내지 500nm일 수 있다. 제3 두께(t3)가 너무 크면 전체 장치의 투과도가 낮아지고, 제3 두께(t3)가 너무 작으면 광전 효과의 효율이 낮아질 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 포토 디텍터는 제1 산화물 반도체막(300)과 제2 산화물 반도체막(500)이 서로 p형과 n형으로서 이종접합을 이룰 수 있다. 이러한 제1 산화물 반도체막(300)과 제2 산화물 반도체막(500)의 이종 접합은 매우 안정적이고 빠른 광 응답 속도를 가질 수 있다.
또한, 제1 산화물 반도체막(300)과 제2 산화물 반도체막(500) 사이에 위치한 SnS막(400)이 광 흡수를 높여줄 수 있다. 이에 대해서는 추후 실험예와 함께 더 자세히 설명한다.
또한, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 포토 디텍터는 가시광 투과도가 30%이상일 수 있다. 이를 통해서, 포토 디텍터로서의 활용이 가능할 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 포토 디텍터 제조 방법을 설명한다. 상술한 실시예와 중복되는 부분은 간략히 하거나 생략한다.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 포토 디텍터 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 도면들이다.
먼저 도 2를 참조하면, 기판(100)을 제공한다.
기판(100)은 추후에 적층될 구조를 지지하기 위해서 충분한 두께와 내구성을 가질 수 있다. 기판(100)은 예를 들어, p형 실리콘 또는 석영(내지 유리) 기판일 수 있다. 또는 기판(100)은 유연한 투명 플라스틱 기판일 수도 있다.
기판(100)은 아세톤, 메탄올 및 증류수로 초음파 세척을 수행할 수 있다. 이후, 기판(100)은 질소 공급으로 건조될 수 있다.
이어서, 도 3을 참조하면, 투명 전도체막(200)을 형성한다.
투명 전도체막(200)은 기판(100)의 상면에 형성될 수 있다. 투명 전도체막(200)은 DC 스퍼터링에 의해서 형성될 수 있다. 투명 전도체막(200)은 ITO 또는 FTO와 같은 투명 전도체를 포함할 수 있다.
투명 전도체막(200)의 상면은 제1 상면(200a) 및 제2 상면(200b)을 포함할 수 있다. 제2 상면(200b)은 추후에 다른 적층 구조가 형성되는 부분이고, 제1 상면(200a)은 노출되는 부분일 수 있다.
이어서, 도 4를 참조하면, 제1 상면(200a) 상에 외부 마스크(210)를 붙일 수 있다.
외부 마스크(210)는 크립톤 테이프일 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 외부 마스크(210)는 추후에 제1 상면(200a)을 외부로 노출시키기 위해서 적층 구조가 생기지 않도록 막는 차단막 기능을 한다.
이 때, 상기 외부 마스크(210)로 크립톤 테이프 대신에 섀도우 마스크나 포토 레지스트(Photoresist)를 사용할 수도 있고, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 차단 기능을 할 수 있는 물질이면 외부 마스크(210)로서 얼마든지 활용될 수 있다.
이어서, 도 5를 참조하면, 제2 상면(200b) 상에 제1 산화물 반도체막(300)을 형성한다.
제1 산화물 반도체막(300)은 제2 상면(200b)에만 형성되고, 제1 상면(200a)에는 형성되지 않을 수 있다. 제1 산화물 반도체막(300)은 p형 반도체 물질, 예를 들어, CuO 또는 NiO를 포함할 수 있다.
제1 산화물 반도체막(300)은 반도체 물질 타겟과 산소 가스 및 아르곤 가스를 이용하여 리액티브 스퍼터링에 의해서 형성될 수 있다. 상기 반도체 물질 타겟은 제1 산화물 반도체막(300)이 CuO인 경우에는 Cu 또는 CuO일 수 있고, 제1 산화물 반도체막(300)이 NiO인 경우에는 Ni 또는 NiO일 수 있다.
제1 산화물 반도체막(300)은 제1 두께(t1)로 형성될 수 있다. 제1 두께(t1)는 예를 들어, 10nm 내지 100nm일 수 있다.
이어서, 도 6을 참조하면, 제1 상면(200a) 상에 섀도우 마스크(220)를 형성한다.
섀도우 마스크(220)는 외부 마스크(210)를 제거하고 난 뒤에 제1 상면(200a)에 형성될 수 있다. 외부 마스크(210) 중 크립톤 테이프는 200℃이상에서 녹기 때문에 추후 SnS막(400)을 형성하는 공정에서 사용할 수 없을 수 있다. 이에 따라서, 섀도우 마스크(220)를 제1 상면(200a)에 형성할 수 있다.
상술하였듯이, 섀도우 마스크(220)가 외부 마스크(210)로 사용된 경우라면 본 증착 단계에서 교체되지 않고 계속 유지될 수도 있다..만일 포토 레지스트가 외부 마스크(210)로 사용된 경우라면, 알코올 세정으로 제거되고, 섀도우 마스크(220)가 새로이 형성될 수도 있다. 즉, 각각의 형성 공정에 적합한 물질이 외부 마스크(210)로 이용될 수 있다면 그 물질의 종류나 순서는 제한되지 않는다.
도면에서는, 제1 상면(200a)에 섀도우 마스크(220)를 바로 형성하는 것으로 하였지만, 외부 마스크(210)의 재질에 따라서, 외부 마스크(210)를 제거하지 않고, 그 위에 섀도우 마스크(220)를 형성하는 것도 가능할 수 있다.
이어서, 도 7을 참조하면, 제1 산화물 반도체막(300) 상에 SnS막(400)을 형성한다.
SnS막(400)은 제2 두께(t2)로 형성될 수 있다. 제2 두께(t2)는 제1 두께(t1)보다 작을 수 있다. 제2 두께(t2)는 예를 들어, 1 내지 200nm일 수 있다.
SnS막(400)은 스퍼터링 타겟을 SnS2로 하여 400 내지 500℃에서 증착 공정을 진행한다. 상기 온도가 400℃ 미만이면 SnS2 타겟이 SnS로 변하지 않을 수 있고, 온도가 500℃ 초과인 경우 다른 구조에 열손상이 가해질 수 있다.
이어서, 도 8을 참조하면, SnS막(400) 상에 제2 산화물 반도체막(500)을 형성한다.
제2 산화물 반도체막(500)은 n형 반도체 물질, 예를 들어, AZO 또는 ZnO를 포함할 수 있다.
제2 산화물 반도체막(500)은 반도체 물질 타겟을 이용하여 RF 스퍼터링에 의해서 형성될 수 있다.
제2 산화물 반도체막(500)은 제3 두께(t3)로 형성될 수 있다. 제3 두께(t3)는 제1 두께(t1) 및 제2 두께(t2)보다 두꺼울 수 있다. 예를 들어, 제3 두께(t3)는 10nm 내지 500nm 일 수 있다.
이어서, 도 1을 참조하면, 섀도우 마스크(220)를 제거한다.
이에 따라서, 투명 전도체막(200)의 제1 상면(200a)이 노출될 수 있다.
실시예 1
두께 500μm의 석영 기판을 기판(100)으로 사용하였다. 상기 기판은 아세톤, 메탄올, 증류수로 초음파 세척되고, 질소 건조되었다. 투명 전도체막(200)은 50nm의 ITO막으로 증착되었다.
제1 산화물 반도체막(300)은 NiO막으로 증착되었다. 이 때, 크립톤 테이프를 이용해서 ITO막의 제1 상면(200a)에 NiO막이 형성되는 것을 방지했다.
NiO막은 산소 가스와 아르곤 가스를 동시에 주입하여 리액티브 스퍼터링으로 증착되었고, 50nm의 두께로 형성되었다.
SnS막은 SnS2를 타겟으로 사용하고 400℃에서 형성되었다. SnS막의 두게는 5nm로 하였다. 이 때, 섀도우 마스크를 이용해서 ITO막의 제1 상면(200a)을 가려주고 SnS막을 형성하였다.
제2 산화물 반도체막(500)은 120nm의 두께의 ZnO막으로 증착되었다. 상기 ZnO막은 RF 스퍼터링에 의해서 증착되었다.
비교예 1
SnS막을 형성하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
도 9는 본 발명의 실시예 1의 단면을 설명하기 위한 FESEM(field emission scanning electron microscope) 사진이다.
도 9를 참조하면, ZnO막, SnS막, NiO막, ITO막 및 석영 기판의 단면이 잘 형성되어 있음을 확인할 수 있다. 상기 구조의 단면은 고르고 일정한 좋은 형태로 나타나있다.
실험예 1
실시예 1 및 비교예 1의 파장에 따른 흡수도를 측정하였다.
도 10은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1의 파장에 따른 흡수도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 10을 참조하면, 실시예 1의 포토 디텍터가 비교예 1의 포토 디텍터에 비해서 모든 파장 영역에서 더 높은 흡수도를 가짐을 확인할 수 있다. 특히, 자외선 영역에서의 흡수도가 가시광 영역 및 적외선 영역에 비해서 상당히 높은 것을 확인할 수 있다. 이는 본 발명의 실시예 1의 포토 디텍터가 자외선 포토 디텍터로서의 높은 효율을 가짐을 알려주는 좋은 증거이다.
실험예 2
실시예 1 및 실시예 2의 광 응답비 및 광 응답 속도를 측정하였다.
광 응답비(photoresponse ratio)는 다음의 식에 의해서 정의될 수 있다.
Figure 112016122101918-pat00001
도 11은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1의 광 응답을 설명하기 위한 그래프이고, 도 12는 본 발명의 실시예 1의 광 응답 시간을 설명하기 위한 그래프이다. 도 13은 본 발명의 실시예 1의 반사도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 11 내지 도 13을 참조하면, 상기 광 응답비의 수식을 이용하면, 비교예 1의 포토 디텍터의 광 응답비는 2357%이고, 실시예 1의 포토 디텍터의 광 응답비는 훨신 높은 6643%로 계산된다. 이는 실시예 1의 SnS막이 모든 파장에서 반사도가 1% 미만이고(도 13 참조) 비교예 1에 비해서 흡수율이 월등하게 높기 때문이다. 이에 따라서, 실시예 1은 상대적으로 더 많은 광자를 흡수하여 더 많은 전자를 생성시킬 수 있다. 이러한 생성된 많은 전자는 더 큰 전류를 형성할 수 있어 광 응답비가 높아질 수 있다.
도 12를 참조하면, 실시예 1의 포토 디텍터는 130μs의 상승시간과 71 μs의 하강시간을 광 응답 속도를 가질 수 있다. 기존의 ZnO 기반의 포토 디텍터들은 수초 단위의 매우 낮은 광 응답 속도(Al/ZnO/NiO/ITO/Glass의 경우 1.7~1.9s, Al/ZnO/NiO/ITO/Quartz의 경우 1.4~6.4s)를 가지므로 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 포토 디텍터는 매우 빠른 광 응답 속도를 가짐을 확인할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 포토 디텍터는 SnS막을 포함하고, 이러한 SnS막의 추가에 의해서 매우 낮은 반사도, 매우 높은 흡수도, 매우 큰 광 응답 및 매우 빠른 광 응답 속도를 가질 수 있다.
이상 실험예 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판 200: 투명 전도체막
300: 제1 산화물 반도체막 400: SnS막
500: 제2 산화물 반도체막

Claims (22)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성되는 투명 전도체막;
    상기 투명 전도체막 상에 형성되는 제1 산화물 반도체막;
    상기 제1 산화물 반도체막 상에 형성되는 SnS막; 및
    상기 SnS막 상에 형성되는 제2 산화물 반도체막을 포함하는 포토 디텍터.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 산화물 반도체막은 p형이고, 상기 제2 산화물 반도체막은 n형인 포토 디텍터.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 산화물 반도체막은 CuO 및 NiO 중 어느 하나를 포함하는 포토 디텍터.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 산화물 반도체막은 AZO 및 ZnO 중 어느 하나를 포함하는 포토 디텍터.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 기판은 투명 기판인 포토 디텍터.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 투명 기판은 유리 기판 또는 플라스틱 기판인 포토 디텍터.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 SnS막의 두께는 1 내지 100nm인 포토 디텍터.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 포토 디텍터의 가시광 투과도는 30% 이상인 포토 디텍터.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 투명 전도체막은 ITO 또는 FTO 중 어느 하나를 포함하는 포토 디텍터.
  10. 기판 상에 투명 전도체막을 형성하고,
    상기 투명 전도체막 상에 제1 산화물 반도체막을 형성하고,
    상기 제1 산화물 반도체막 상에 SnS막을 증착하고,
    상기 SnS막 상에 제2 산화물 반도체막을 형성하는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 투명 전도체막의 상면은 제1 및 제2 상면을 포함하고,
    상기 제1 산화물 반도체막을 형성하는 것은,
    상기 제1 상면에 외부 마스크를 이용하여 상기 제2 상면을 노출시키고,
    상기 제2 상면에 상기 제1 산화물 반도체막을 형성하는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 SnS막을 증착하는 것은,
    상기 SnS막을 200 내지 500℃에서 증착하는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 SnS막을 증착하는 것은,
    상기 제1 상면에 섀도우 마스크를 형성하고,
    상기 SnS막을 증착하고,
    상기 섀도우 마스크를 제거하는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 산화물 반도체막을 형성하는 것은,
    산소와 아르곤 가스를 동시에 주입하여 리액티브 스퍼터링을 수행하는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 산화물 반도체막은 NiO 또는 CuO를 포함하는 포토 디텍터 제조 방법.
  16. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 산화물 반도체막을 형성하는 것은 RF 스퍼터링을 수행하는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제2 산화물 반도체막은 AZO 또는 ZnO를 포함하는 포토 디텍터 제조 방법.
  18. 기판;
    상기 기판 상에 형성되는 투명 전도체막;
    상기 투명 전도체막 상에 제1 두께로 형성되는 p형 산화물 반도체막;
    상기 p형 산화물 반도체막 상에 제2 두께로 형성되는 SnS막; 및
    상기 SnS막 상에 제3 두께로 형성되는 n형 산화물 반도체막을 포함하는 포토 디텍터.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘을 포함하는 포토 디텍터.
  20. 제18 항에 있어서,
    상기 제2 두께는 상기 제1 및 제3 두께보다 작은 포토 디텍터.
  21. 제20 항에 있어서,
    상기 제1 두께는 상기 제3 두께보다 작은 포토 디텍터.
  22. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 두께는 10 내지 500nm이고,
    상기 제2 두께는 1 내지 200nm이고,
    상기 제3 두께는 10 내지 500nm인 포토 디텍터.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200097942A (ko) * 2019-02-11 2020-08-20 인천대학교 산학협력단 포토디텍터 및 그 제조 방법
CN114527028A (zh) * 2022-01-20 2022-05-24 浙江大学 基于硫化锡基材料修饰的qcm传感器及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012222351A (ja) * 2011-04-01 2012-11-12 Aisin Seiki Co Ltd 硫化スズアンチモンに基づく吸収体層を有する固体型光電池デバイス
US20140318623A1 (en) * 2013-04-30 2014-10-30 Alliance For Sustainable Energy, Llc Photovoltaic semiconductor materials based on alloys of tin sulfide, and methods of production

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012222351A (ja) * 2011-04-01 2012-11-12 Aisin Seiki Co Ltd 硫化スズアンチモンに基づく吸収体層を有する固体型光電池デバイス
US20140318623A1 (en) * 2013-04-30 2014-10-30 Alliance For Sustainable Energy, Llc Photovoltaic semiconductor materials based on alloys of tin sulfide, and methods of production

Non-Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Biswajit Ghosh et al., "Fabrication of the SnS/ZnO heterojunction for PV applications using electrodeposited ZnO films", Semicond. Sci. Technol., Vol.24, 025024 *
Daisuke Kawade et al., "Fabrication of visible-light transparent solar cells composed of NiO/NixZn1-xO/ZnO heterostructures", P hys. Status Solidi C, Vol.12, pp.785-788 *
Junfeng Chao et al., "Tin sulfide nanoribbons as high performance photoelectrochemical cells, flexible photodetectors", RSC Advances, Vol.3, pp.2746 *
X.L.Zhang et al., "High photo-responsivity ZnO UV detectors fabricated by RF reactive sputtering", Mater. Res. Bull., Vol.48, pp.305-309 *
김현기 외, "ITO 나노와이어 기반의 투명 산화물 반도체 광전소자", J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng, Vol. 28, pp.808-812 *
학회지(2012.10.26.) *
학회지(2012.12.18.) *
학회지(2014.09.19.) *
학회지(2015.12.) *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200097942A (ko) * 2019-02-11 2020-08-20 인천대학교 산학협력단 포토디텍터 및 그 제조 방법
KR102220589B1 (ko) * 2019-02-11 2021-03-02 인천대학교 산학협력단 포토디텍터 및 그 제조 방법
CN114527028A (zh) * 2022-01-20 2022-05-24 浙江大学 基于硫化锡基材料修饰的qcm传感器及其制备方法
CN114527028B (zh) * 2022-01-20 2024-05-28 浙江大学 基于硫化锡基材料修饰的qcm传感器及其制备方法

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