KR101838969B1 - Solar cell panel - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널은, 반도체 기판, 그리고 상기 반도체 기판에 형성되는 전극을 각기 포함하는 복수의 태양 전지; 및 상기 복수의 태양 전지를 연결하는 배선재를 포함한다. 상기 전극은 상기 배선재가 부착되는 패드부를 포함하는 버스바 라인을 포함한다. 상기 배선재는, 상기 패드부에 연결되는 제1 배선부와, 상기 패드부 이외의 부분에 위치하는 제2 배선부를 포함한다. 상기 제1 배선부의 두께가 상기 제2 배선부의 두께보다 크다. A solar cell panel according to an embodiment of the present invention includes: a plurality of solar cells each including a semiconductor substrate and electrodes formed on the semiconductor substrate; And a wiring material connecting the plurality of solar cells. The electrode includes a bus bar line including a pad portion to which the wiring material is attached. The wiring material includes a first wiring portion connected to the pad portion and a second wiring portion located in a portion other than the pad portion. And the thickness of the first wiring portion is larger than the thickness of the second wiring portion.

Figure R1020170058417
Figure R1020170058417

Description

태양 전지 패널{SOLAR CELL PANEL}Solar Cell Panel {SOLAR CELL PANEL}

본 발명은 태양 전지 패널에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는, 연결 구조를 개선한 태양 전지 패널에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solar cell panel, and more particularly, to a solar cell panel having improved connection structure.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다. With the recent depletion of existing energy sources such as oil and coal, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, solar cells are attracting attention as a next-generation battery that converts solar energy into electric energy.

이러한 태양 전지는 복수 개가 리본에 의하여 직렬 또는 병렬로 연결되고, 복수의 태양 전지를 보호하기 위한 패키징(packaging) 공정에 의하여 태양 전지 패널의 형태로 제조된다. 태양 전지 패널은 다양한 환경에서 장기간 동안 발전을 하여야 하므로 장기간 신뢰성이 크게 요구된다. 이때, 종래에는 복수의 태양 전지를 리본으로 연결하게 된다. A plurality of such solar cells are connected in series or in parallel by a ribbon, and are manufactured in the form of a solar cell panel by a packaging process for protecting a plurality of solar cells. Solar panels require long-term reliability because they must be developed for a long time in various environments. At this time, conventionally, a plurality of solar cells are connected by a ribbon.

그런데, 1.5mm 정도의 큰 폭을 가지는 리본을 사용하여 태양 전지를 연결하게 되면, 리본의 큰 폭에 의하여 광 손실 등이 발생할 수 있으므로 태양 전지에 배치되는 리본의 개수를 줄여야 한다. 그리고 리본의 부착 강도가 우수하지 않거나 리본에 의하여 태양 전지의 휘는 정도가 커질 수 있다. 이에 의하여 태양 전지 패널의 출력을 향상하는 데 한계가 있고, 리본이 떨어지거나 태양 전지가 손상되어 태양 전지 패널의 신뢰성이 저하될 수 있다.However, if a solar cell is connected using a ribbon having a large width of about 1.5 mm, since the large width of the ribbon may cause light loss, it is necessary to reduce the number of ribbons disposed in the solar cell. And the adhesion strength of the ribbon may not be excellent, or the degree of bending of the solar cell may be increased by the ribbon. Thereby, there is a limit in improving the output of the solar cell panel, and the reliability of the solar cell panel may be deteriorated because the ribbon is dropped or the solar cell is damaged.

특허문헌 KR 10-2008-0048952를 참고하면 태양 전지의 배선재 접착 방법에 대한 연구가 계속 되고 있다With reference to Patent Document KR 10-2008-0048952, studies on a method of bonding a wiring material to a solar cell have been continued

본 발명은 출력 및 신뢰성을 향상할 수 있는 태양 전지 패널을 제공하고자 한다. The present invention provides a solar cell panel capable of improving output and reliability.

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널은, 반도체 기판, 그리고 상기 반도체 기판에 형성되는 전극을 각기 포함하는 복수의 태양 전지; 및 상기 복수의 태양 전지를 연결하는 배선재를 포함한다. 상기 전극은 상기 배선재가 부착되는 패드부를 포함하는 버스바 라인을 포함한다. 상기 배선재는, 상기 패드부에 연결되는 제1 배선부와, 상기 패드부 이외의 부분에 위치하는 제2 배선부를 포함한다. 상기 제1 배선부의 두께가 상기 제2 배선부의 두께보다 크다. A solar cell panel according to an embodiment of the present invention includes: a plurality of solar cells each including a semiconductor substrate and electrodes formed on the semiconductor substrate; And a wiring material connecting the plurality of solar cells. The electrode includes a bus bar line including a pad portion to which the wiring material is attached. The wiring material includes a first wiring portion connected to the pad portion and a second wiring portion located in a portion other than the pad portion. And the thickness of the first wiring portion is larger than the thickness of the second wiring portion.

본 실시예에 따른 태양 전지 패널에서는, 배선재에서 패드부 위에 위치한 부분의 두께를 크게 하여 패드부와 배선재의 부착 특성을 향상할 수 있으며 접촉 저항을 줄일 수 있다. 그리고 배선재에서 패드부 위에 위치한 부분이 솔더 물질의 응집에 의하여 응집에 의하여 상대적으로 큰 직경, 폭 또는 두께를 가지는 라운드진 단면 형상을 가질 수 있어 반사 또는 난반사 특성을 향상할 수 있다. 이에 의하여 태양 전지 패널의 출력 및 신뢰성을 향상할 수 있다. 특히, 본 실시예에서는 배선재가 와이어 형태를 구비하여 부착 면적이 적은 경우에 적용되어 부착 특성, 반사 특성 등을 좀더 효과적으로 향상할 수 있다. In the solar cell panel according to the present embodiment, the thickness of the portion of the wiring material located on the pad portion can be increased to improve the attachment characteristics of the pad portion and the wiring material, and the contact resistance can be reduced. The portion of the wiring material located on the pad portion may have a rounded cross-sectional shape having a relatively large diameter, width, or thickness by agglomeration due to agglomeration of the solder material, thereby improving the reflection or diffuse reflection characteristic. Thus, the output and reliability of the solar cell panel can be improved. Particularly, in the present embodiment, the wiring material is provided in the form of a wire, so that it can be applied to a case where the mounting area is small, so that the mounting property, the reflection characteristic, and the like can be improved more effectively.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널을 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 잘라서 본 단면도이다.
도 3은 도 1의 태양 전지 패널에 포함되는 태양 전지 및 이에 연결된 배선재의 일 예를 도시한 부분 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시한 태양 전지 패널에 포함되며 배선재에 의하여 연결되는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 5는 도 4의 A 부분을 확대하여 도시한 부분 평면도이다.
도 6는 도 5에 도시한 제1 배선부 및 제2 배선부를 배선재의 길이 방향과 수직한 단면으로 잘라서 본 단면도이다.
도 7은 도 4의 VII-VII 선을 따라서 본 대략적인 단면도이다.
도 8은 패드부를 구비하는 버스바에 배선재를 부착하여 제조된 태양 전지 패널의 일부를 촬영한 사진이다. 1 is a perspective view illustrating a solar cell panel according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG.
3 is a partial cross-sectional view illustrating an example of a solar cell included in the solar cell panel of FIG. 1 and a wiring material connected thereto.
FIG. 4 is a perspective view schematically showing a first solar cell and a second solar cell included in the solar cell panel shown in FIG. 1 and connected by a wiring material.
5 is a partial plan view showing an enlarged view of a portion A in Fig.
Fig. 6 is a cross-sectional view of the first wiring portion and the second wiring portion shown in Fig. 5 cut along a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the wiring material.
Fig. 7 is a schematic sectional view taken along the line VII-VII in Fig. 4. Fig.
8 is a photograph of a part of a solar cell panel manufactured by attaching a wiring material to a bus bar having a pad portion.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it is needless to say that the present invention is not limited to these embodiments and can be modified into various forms.

도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다. In the drawings, the same reference numerals are used for the same or similar parts throughout the specification. In the drawings, the thickness, the width, and the like are enlarged or reduced in order to make the description more clear, and the thickness, width, etc. of the present invention are not limited to those shown in the drawings.

그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다. Wherever certain parts of the specification are referred to as "comprising ", the description does not exclude other parts and may include other parts, unless specifically stated otherwise. Also, when a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it also includes the case where another portion is located in the middle as well as the other portion. When a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "directly on" another portion, it means that no other portion is located in the middle.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널을 상세하게 설명한다. 이하에서 "제1", "제2" 등의 표현은 서로간의 구별을 위하여 사용한 것일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, a solar cell panel according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, the expressions "first "," second ", and the like are used for distinguishing between each other, and the present invention is not limited thereto.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널을 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 잘라서 본 단면도이다. FIG. 1 is a perspective view showing a solar cell panel according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view cut along a line II-II in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지 패널(100)은 복수의 태양 전지(150)와, 복수의 태양 전지(150)를 전기적으로 연결하는 배선재(142)를 포함한다. 그리고 태양 전지 패널(100)은 복수의 태양 전지(150)와 이를 연결하는 배선재(142)를 둘러싸서 밀봉하는 밀봉재(130)와, 밀봉재(130) 위에서 태양 전지(150)의 전면에 위치하는 전면 기판(110)과, 밀봉재(130) 위에서 태양 전지(150)의 후면에 위치하는 후면 기판(120)을 포함한다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. 1 and 2, the solar cell panel 100 according to the present embodiment includes a plurality of solar cells 150 and a wiring material 142 for electrically connecting the plurality of solar cells 150. The solar cell panel 100 includes a sealing member 130 that surrounds and seals a plurality of solar cells 150 and a wiring member 142 that connects the solar cells 150 and a front surface 130 that is positioned on the front surface of the solar cell 150 on the sealing member 130. [ A substrate 110 and a rear substrate 120 positioned on the back surface of the solar cell 150 on the sealing member 130. This will be explained in more detail.

먼저, 태양 전지(150)는, 태양 전지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환부와, 광전 변환부에 전기적으로 연결되어 전류를 수집하여 전달하는 전극을 포함할 수 있다. 그리고 복수 개의 태양 전지(150)는 배선재(142)에 의하여 전기적으로 직렬, 병렬 또는 직병렬로 연결될 수 있다. 구체적으로, 배선재(142)는 복수 개의 태양 전지(150) 중에서 이웃한 두 개의 태양 전지(150)를 전기적으로 연결한다. First, the solar cell 150 may include a photoelectric conversion unit that converts the solar cell into electric energy, and an electrode that is electrically connected to the photoelectric conversion unit and collects and transfers a current. The plurality of solar cells 150 may be electrically connected in series, parallel, or series-parallel by the wiring member 142. Specifically, the wiring material 142 electrically connects two neighboring solar cells 150 among the plurality of solar cells 150.

그리고 버스 리본(145)은 배선재(142)에 의하여 연결되어 하나의 열(列)을 형성하는 태양 전지(150)(즉, 태양 전지 스트링)의 배선재(142)의 양끝단을 교대로 연결한다. 버스 리본(145)은 태양 전지 스트링의 단부에서 이와 교차하는 방향으로 배치될 수 있다. 이러한 버스 리본(145)은, 서로 인접하는 태양 전지 스트링들을 연결하거나, 태양 전지 스트링 또는 태양 전지 스트링들을 전류의 역류를 방지하는 정션 박스(미도시)에 연결할 수 있다. 버스 리본(145)의 물질, 형상, 연결 구조 등은 다양하게 변형될 수 있고, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. The bus ribbons 145 are connected by the wiring members 142 to connect both ends of the wiring material 142 of the solar cell 150 (that is, the solar cell string) forming one row alternately. The bus ribbon 145 may be disposed at an end of the solar cell string and in a direction intersecting the end. These bus ribbons 145 may connect solar cell strings adjacent to each other, or may connect solar cell strings or solar cell strings to a junction box (not shown) that prevents current flow backward. The material, shape, connection structure, etc. of the bus ribbon 145 can be variously modified, and the present invention is not limited thereto.

밀봉재(130)는, 배선재(142)에 의하여 연결된 태양 전지(150)의 전면에 위치하는 제1 밀봉재(131)와, 태양 전지(150)의 후면에 위치하는 제2 밀봉재(132)를 포함할 수 있다. 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)는 수분과 산소의 유입되는 것을 방지하며 태양 전지 패널(100)의 각 요소들을 화학적으로 결합한다. 제1 및 제2 밀봉재(131, 132)는 투광성 및 접착성을 가지는 절연 물질로 구성될 수 있다. 일 예로, 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)로 에틸렌초산비닐 공중합체 수지(EVA), 폴리비닐부티랄, 규소 수지, 에스테르계 수지, 올레핀계 수지 등이 사용될 수 있다. 제1 및 제2 밀봉재(131, 132)를 이용한 라미네이션 공정 등에 의하여 후면 기판(120), 제2 밀봉재(132), 태양 전지(150), 제1 밀봉재(131), 전면 기판(110)이 일체화되어 태양 전지 패널(100)을 구성할 수 있다. The sealing material 130 includes a first sealing material 131 located on the front surface of the solar cell 150 connected by the wiring material 142 and a second sealing material 132 located on the rear surface of the solar cell 150 . The first sealing material 131 and the second sealing material 132 prevent moisture and oxygen from entering and chemically bind each element of the solar cell panel 100. The first and second sealing members 131 and 132 may be made of an insulating material having translucency and adhesiveness. For example, an ethylene-vinyl acetate copolymer resin (EVA), a polyvinyl butyral, a silicon resin, an ester-based resin, an olefin-based resin, or the like may be used for the first sealant 131 and the second sealant 132. The rear substrate 120, the second sealing material 132, the solar cell 150, the first sealing material 131 and the front substrate 110 are integrated by a lamination process using the first and second sealing materials 131 and 132, So that the solar cell panel 100 can be constructed.

전면 기판(110)은 제1 밀봉재(131) 상에 위치하여 태양 전지 패널(100)의 전면을 구성하고, 후면 기판(120)은 제2 밀봉재(132) 상에 위치하여 태양 전지(150)의 후면을 구성한다. 전면 기판(110) 및 후면 기판(120)은 각기 외부의 충격, 습기, 자외선 등으로부터 태양 전지(150)를 보호할 수 있는 절연 물질로 구성될 수 있다. 그리고 전면 기판(110)은 광이 투과할 수 있는 투광성 물질로 구성되고, 후면 기판(120)은 투광성 물질, 비투광성 물질, 또는 반사 물질 등으로 구성되는 시트로 구성될 수 있다. 일 예로, 전면 기판(110)이 유리 기판 등으로 구성될 수 있고, 후면 기판(120)이 TPT(Tedlar/PET/Tedlar) 타입을 가지거나, 또는 베이스 필름(예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET))의 적어도 일면에 형성된 폴리불화비닐리덴(poly vinylidene fluoride, PVDF) 수지층을 포함할 수 있다. The front substrate 110 is disposed on the first sealing material 131 to constitute the front surface of the solar cell panel 100 and the rear substrate 120 is disposed on the second sealing material 132 to form the front surface of the solar cell 150. [ Configure the rear. The front substrate 110 and the rear substrate 120 may be formed of an insulating material capable of protecting the solar cell 150 from external shock, moisture, ultraviolet rays, or the like. The front substrate 110 may be made of a light transmissive material through which light can be transmitted, and the rear substrate 120 may be made of a light transmissive material, a non-transmissive material, or a reflective material. For example, the front substrate 110 may be formed of a glass substrate or the like and the rear substrate 120 may have a TPT (Tedlar / PET / Tedlar) type or a base film (e.g., polyethylene terephthalate ) May include a polyvinylidene fluoride (PVDF) resin layer formed on at least one side of the substrate.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 및 제2 밀봉재(131, 132), 전면 기판(110), 또는 후면 기판(120)이 상술한 설명 이외의 다양한 물질을 포함할 수 있으며 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 전면 기판(110) 또는 후면 기판(120)이 다양한 형태(예를 들어, 기판, 필름, 시트 등) 또는 물질을 가질 수 있다. However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the first and second sealing materials 131 and 132, the front substrate 110, and the rear substrate 120 may include various materials other than those described above, and may have various shapes. For example, the front substrate 110 or the back substrate 120 may have various shapes (e.g., substrate, film, sheet, etc.) or materials.

도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널에 포함되는 태양 전지 및 이에 연결된 배선재의 일 예를 좀더 상세하게 설명한다. 3, a solar cell included in a solar cell panel according to an embodiment of the present invention and wiring materials connected thereto will be described in more detail.

도 3은 도 1의 태양 전지 패널에 포함되는 태양 전지 및 이에 연결된 배선재의 일 예를 도시한 부분 단면도이다.3 is a partial cross-sectional view illustrating an example of a solar cell included in the solar cell panel of FIG. 1 and a wiring material connected thereto.

도 3을 참조하면, 태양 전지(150)는, 반도체 기판(160)과, 반도체 기판(160)에 또는 반도체 기판(160) 위에 형성되는 도전형 영역(20, 30)과, 도전형 영역(20, 30)에 연결되는 전극(42, 44)을 포함한다. 도전형 영역(20, 30)은 제1 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(20) 및 제2 도전형을 가지는 제2 도전형 영역(30)을 포함할 수 있다. 전극(42, 44)은 제1 도전형 영역(20)에 연결되는 제1 전극(42) 및 제2 도전형 영역(30)에 연결되는 제2 전극(44)을 포함할 수 있다. 그 외 제1 및 제2 패시베이션막(22, 32), 반사 방지막(24) 등을 더 포함할 수 있다.3, a solar cell 150 includes a semiconductor substrate 160, conductive regions 20 and 30 formed on the semiconductor substrate 160 or on the semiconductor substrate 160, And 30, respectively. The conductive regions 20 and 30 may include a first conductive type region 20 having a first conductivity type and a second conductive type region 30 having a second conductive type. The electrodes 42 and 44 may include a first electrode 42 connected to the first conductive type region 20 and a second electrode 44 connected to the second conductive type region 30. The first and second passivation films 22 and 32, the antireflection film 24, and the like.

반도체 기판(160)은 단일 반도체 물질(일 예로, 4족 원소)를 포함하는 결정질 반도체로 구성될 수 있다. 일 예로, 반도체 기판(160)은 단결정 또는 다결정 반도체(일 예로, 단결정 또는 다결정 실리콘)로 구성될 수 있다. 특히, 반도체 기판(160)은 단결정 반도체(예를 들어, 단결정 반도체 웨이퍼, 좀더 구체적으로는, 단결정 실리콘 웨이퍼)로 구성될 수 있다. 그러면, 태양 전지(150)가 결정성이 높아 결함이 적은 단결정 반도체로 구성되는 반도체 기판(160)을 기반으로 하게 된다. 이에 따라 태양 전지(150)가 우수한 전기적 특성을 가질 수 있다.The semiconductor substrate 160 may be composed of a crystalline semiconductor including a single semiconductor material (for example, a Group 4 element). In one example, the semiconductor substrate 160 may be composed of a single crystal or polycrystalline semiconductor (e.g., single crystal or polycrystalline silicon). In particular, the semiconductor substrate 160 may be composed of a single crystal semiconductor (for example, a single crystal semiconductor wafer, more specifically, a single crystal silicon wafer). Then, the solar cell 150 is based on the semiconductor substrate 160 made of a single crystal semiconductor having a high crystallinity and few defects. Accordingly, the solar cell 150 can have excellent electrical characteristics.

반도체 기판(160)의 전면 및/또는 후면은 텍스쳐링(texturing)되어 요철을 가질 수 있다. 요철은, 일 예로, 외면이 반도체 기판(160)의 (111)면으로 구성되며 불규칙한 크기를 가지는 피라미드 형상을 가질 수 있다. 텍스쳐링에 의해 반도체 기판(160)의 전면 등에 요철이 형성되어 전면의 표면 거칠기가 증가되면, 반도체 기판(160)의 전면 등을 통하여 입사되는 광의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 베이스 영역(10)과 제1 또는 제2 도전형 영역(20, 30)에 의하여 형성된 pn 접합까지 도달하는 광량을 증가시킬 수 있어, 광 손실을 최소화할 수 있다. 본 실시예에서는 반도체 기판(160)의 전면 및 후면 각각에 요철이 형성되는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 반도체 기판(160)의 전면 및 후면 중 적어도 어느 하나에 요철이 형성될 수도 있고 전면 및 후면에 요철이 형성되지 않을 수도 있다. The front surface and / or the rear surface of the semiconductor substrate 160 may be textured to have irregularities. The irregularities may be, for example, a pyramid shape having an irregular size, whose outer surface is composed of the (111) surface of the semiconductor substrate 160. If the surface roughness of the front surface of the semiconductor substrate 160 is increased by texturing, the reflectance of light incident through the front surface of the semiconductor substrate 160 may be reduced. Accordingly, the amount of light reaching the pn junction formed by the base region 10 and the first or second conductivity type regions 20 and 30 can be increased, so that the optical loss can be minimized. In this embodiment, the irregularities are formed on the front surface and the rear surface of the semiconductor substrate 160, respectively. However, the present invention is not limited thereto. Therefore, concavities and convexities may be formed on at least one of the front surface and the rear surface of the semiconductor substrate 160, and irregularities may not be formed on the front surface and the rear surface.

본 실시예에서 반도체 기판(160)은 제1 또는 제2 도전형 도펀트가 낮은 도핑 농도로 도핑되어 제1 또는 제2 도전형을 가지는 베이스 영역(10)을 포함한다. 이때, 반도체 기판(160)의 베이스 영역(10)은 이와 동일한 도전형을 가지는 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30) 중 하나보다 낮은 도핑 농도, 높은 저항 또는 낮은 캐리어 농도를 가질 수 있다. 일 예로, 본 실시예에서 베이스 영역(10)은 제2 도전형을 가질 수 있다. In this embodiment, the semiconductor substrate 160 includes a base region 10 having a first or second conductivity type doped with a first or second conductivity type dopant at a low doping concentration. At this time, the base region 10 of the semiconductor substrate 160 may have a lower doping concentration, higher resistance, or lower carrier concentration than one of the first and second conductivity type regions 20 and 30 having the same conductivity type . As an example, the base region 10 may have a second conductivity type in this embodiment.

그리고 반도체 기판(160)은 제1 도전형 영역(20) 및 제2 도전형 영역(30)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 반도체 기판(160)을 구성하는 베이스 영역(10)과 도전형 영역(20, 30)은 반도체 기판(160)의 결정 구조를 가지면서 도전형, 도핑 농도 등이 서로 다른 영역이다. 예를 들어, 반도체 기판(160)에서 제1 도전형 도펀트를 포함하여 제1 도전형을 가지는 영역이 제1 도전형 영역(20)으로 정의되고, 제2 도전형 도펀트를 낮은 도핑 농도로 포함하여 제2 도전형을 가지는 영역이 베이스 영역(10)으로 정의되며, 제2 도전형 도펀트를 베이스 영역(10)보다 높은 도핑 농도로 포함하여 제2 도전형을 가지는 영역이 제2 도전형 영역(30)으로 정의될 수 있다. The semiconductor substrate 160 may include a first conductive type region 20 and a second conductive type region 30. The base region 10 and the conductive regions 20 and 30 constituting the semiconductor substrate 160 in the present embodiment are regions having a crystal structure of the semiconductor substrate 160 and different conductivity types and doping concentrations. For example, in a semiconductor substrate 160, a region including a first conductive dopant and having a first conductivity type is defined as a first conductive type region 20, and a second conductive type dopant is included at a low doping concentration A region having a second conductivity type is defined as a base region 10 and a region having a second conductivity type is doped with a doping concentration higher than that of the base region 10 by a second conductivity type dopant ). ≪ / RTI >

제1 및 제2 도전형 영역(20, 30)은 반도체 기판(160)의 전면 및 후면에서 각기 전체적으로 형성될 수 있다. 여기서 전체적으로 형성되었다 함은 빈틈 없이 모두 형성된 것뿐 아니라 불가피하게 일부 영역이 형성되지 않는 것도 포함한다. 이에 의하여 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30)을 충분한 면적으로 별도의 패터닝 없이 형성할 수 있다. The first and second conductivity type regions 20 and 30 may be formed as a whole on the front surface and the rear surface of the semiconductor substrate 160. Here, the term " entirely formed " includes not only a complete formation but also a partial formation of an unavoidable region. Thus, the first and second conductivity type regions 20 and 30 can be formed with a sufficient area without additional patterning.

제1 도전형 영역(20)은 베이스 영역(10)과 pn 접합을 형성하는 에미터 영역을 구성할 수 있다. 제2 도전형 영역(30)은 후면 전계(back surface field)를 형성하는 후면 전계 영역을 구성할 수 있다. 후면 전계 영역은 반도체 기판(160)의 표면(좀더 정확하게는, 반도체 기판(160)의 후면)에서 재결합에 의하여 캐리어가 손실되는 것을 방지하는 역할을 한다. The first conductivity type region 20 may form an emitter region that forms a pn junction with the base region 10. [ The second conductive type region 30 may form a back electric field region forming a back surface field. The rear electric field area serves to prevent carriers from being lost by recombination on the surface of the semiconductor substrate 160 (more precisely, the rear surface of the semiconductor substrate 160).

본 실시예에서는 도전형 영역(20, 30)이 반도체 기판(160)의 내부로 도펀트를 도핑하여 형성되어 반도체 기판(160)의 일부를 구성하는 도핑 영역인 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 도전형 영역(20) 및 제2 도전형 영역(30) 중 적어도 하나가 반도체 기판(160) 위에 별도의 층으로 구성되는 비정질, 미세 결정 또는 다결정 반도체층 등으로 구성될 수도 있다. 그 외에도 다양한 변형이 가능하다. In this embodiment, the conductive regions 20 and 30 are formed by doping a dopant into the semiconductor substrate 160 to form a doping region constituting a part of the semiconductor substrate 160. However, the present invention is not limited thereto. Therefore, at least one of the first conductive type region 20 and the second conductive type region 30 may be formed of an amorphous, microcrystalline or polycrystalline semiconductor layer or the like, which is formed on the semiconductor substrate 160 as a separate layer. Other variations are possible.

그리고 본 실시예에서 제1 도전형 영역(20) 및 제2 도전형 영역(30)이 각기 전체적으로 균일한 도핑 농도를 가지는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 다른 실시예로, 제1 도전형 영역(20) 및 제2 도전형 영역(30) 중 적어도 하나가 선택적 구조(selective structure)를 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 도전형 영역(20, 30) 중에서 전극(42, 44)과 인접한 부분에서 높은 도핑 농도 및 낮은 저항을 가지며, 그 외의 부분에서 낮은 도핑 농도 및 높은 저항을 가질 수 있다. 또 다른 실시예로, 제2 도전형 영역(30)이 국부적 구조(local structure)를 가질 수 있다. 국부적 구조에서는 제2 도전형 영역(30)이 제2 전극(44)이 형성된 부분에 대응하여 국부적으로 형성될 수 있다. In this embodiment, the first conductivity type region 20 and the second conductivity type region 30 have a homogeneous structure having a uniform doping concentration as a whole. However, the present invention is not limited thereto. Thus, in another embodiment, at least one of the first conductive type region 20 and the second conductive type region 30 may have a selective structure. In the selective structure, it is possible to have a high doping concentration and a low resistance in the portions adjacent to the electrodes 42 and 44 among the conductive type regions 20 and 30, and a low doping concentration and a high resistance in other portions. In yet another embodiment, the second conductivity type region 30 may have a local structure. In the local structure, the second conductivity type region 30 may be locally formed corresponding to the portion where the second electrode 44 is formed.

제1 도전형 영역(20)에 포함되는 제1 도전형 도펀트가 n형 또는 p형의 도펀트일 수 있고, 베이스 영역(10) 및 제2 도전형 영역(30)에 포함되는 제2 도전형 도펀트가 p형 또는 n형의 도펀트일 수 있다. p형의 도펀트로는 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등의 3족 원소를 사용할 수 있고, n형의 도펀트로는 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등의 5족 원소를 사용할 수 있다. 베이스 영역(10)의 제2 도전형 도펀트와 제2 도전형 영역(30)의 제2 도전형 도펀트는 서로 동일한 물질일 수도 있고 서로 다른 물질일 수도 있다. The first conductivity type dopant included in the first conductivity type region 20 may be an n type or a p type dopant and the second conductivity type dopant included in the base region 10 and the second conductivity type region 30 May be a p-type or n-type dopant. As the p-type dopant, a Group 3 element such as boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga) or indium (In) , Bismuth (Bi), and antimony (Sb). The second conductive dopant in the base region 10 and the second conductive dopant in the second conductive type region 30 may be the same material or different materials.

일 예로, 제1 도전형 영역(20)이 p형을, 베이스 영역(10) 및 제2 도전형 영역(30)이 n형을 가질 수 있다. 제1 도전형 영역(20)과 베이스 영역(10)에 의하여 형성된 pn 접합에 광이 조사되면, 광전 효과에 의해 생성된 전자가 반도체 기판(160)의 후면 쪽으로 이동하여 제2 전극(44)에 의하여 수집되고, 정공이 반도체 기판(160)의 전면 쪽으로 이동하여 제1 전극(42)에 의하여 수집된다. 이에 의하여 전기 에너지가 발생한다. 그러면, 전자보다 이동 속도가 느린 정공이 반도체 기판(160)의 후면이 아닌 전면으로 이동하여 변환 효율을 향상할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 영역(10) 및 제2 도전형 영역(30)이 p형을 가지고 제1 도전형 영역(20)이 n형을 가지는 것도 가능하다. For example, the first conductivity type region 20 may have a p-type, the base region 10 and the second conductivity type region 30 may have an n-type. When the pn junction formed by the first conductivity type region 20 and the base region 10 is irradiated with light, electrons generated by the photoelectric effect move toward the rear surface of the semiconductor substrate 160, And holes are collected toward the front side of the semiconductor substrate 160 and collected by the first electrode 42. Thereby, electric energy is generated. Then, holes having a slower moving speed than electrons may move to the front surface of the semiconductor substrate 160, rather than the rear surface thereof, thereby improving the conversion efficiency. However, the present invention is not limited thereto, and it is also possible that the base region 10 and the second conductivity type region 30 have a p-type and the first conductivity type region 20 has an n-type.

반도체 기판(160)의 표면 위에는 제1 및 제2 패시베이션막(22, 32), 반사 방지막(24) 등의 절연막이 형성될 수 있다. 이러한 절연막은 별도로 도펀트를 포함하지 않는 언도프트 절연막으로 구성될 수 있다. The first and second passivation films 22 and 32 and the anti-reflection film 24 may be formed on the surface of the semiconductor substrate 160. Such an insulating film may be composed of an undoped insulating film which does not contain a dopant separately.

좀더 구체적으로는, 반도체 기판(160)의 전면 위에, 좀더 정확하게는 반도체 기판(160)에 형성된 제1 도전형 영역(20) 위에 재1 패시베이션막(22)이 형성(일 예로, 접촉)되고, 제1 패시베이션막(22) 위에 반사 방지막(24)이 형성(일 예로, 접촉)될 수 있다. 그리고 반도체 기판(160)의 후면 위에, 좀더 정확하게는 반도체 기판(160)에 형성된 제2 도전형 영역(30) 위에 제2 패시베이션막(32)이 형성(일 예로, 접촉)될 수 있다. More specifically, a re-passivation film 22 is formed (e.g., contacted) on the front surface of the semiconductor substrate 160, more precisely on the first conductive region 20 formed in the semiconductor substrate 160, An antireflection film 24 may be formed (e.g., in contact) on the first passivation film 22. The second passivation film 32 may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate 160 and more precisely on the second conductive type region 30 formed on the semiconductor substrate 160. [

제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)은 제1 전극(42)에 대응하는 부분(좀더 정확하게는, 제1 개구부(102)가 형성된 부분)을 제외하고 실질적으로 반도체 기판(160)의 전면 전체에 형성될 수 있다. 이와 유사하게 제2 패시베이션막(32)은 제2 전극(44)에 대응하는 부분(좀더 정확하게는, 제2 개구부(104)가 형성된 부분)을 제외하고 실질적으로 반도체 기판(160)의 후면 전체에 형성될 수 있다. The first passivation film 22 and the antireflection film 24 are substantially formed on the semiconductor substrate 160 except for the portion corresponding to the first electrode 42 (more precisely, the portion where the first opening portion 102 is formed) Can be formed on the entire front surface. Similarly, the second passivation film 32 is formed on the entire rear surface of the semiconductor substrate 160 except the portion corresponding to the second electrode 44 (more precisely, the portion where the second opening 104 is formed) .

제1 및 제2 패시베이션막(22, 32)은 제2 도전형 영역(20, 30)에 접촉하여 형성되어 도전형 영역(20, 30)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다. 이에 의하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. 반사 방지막(24)은 반도체 기판(160)의 전면으로 입사되는 광의 반사율을 감소시킨다. 이에 의하여 반도체 기판(160)의 전면을 통해 입사되는 광의 반사율이 낮추는 것에 의하여 베이스 영역(10)과 제1 도전형 영역(20)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달되는 광량을 증가시킬 수 있다. 이에 따라 태양 전지(150)의 단락 전류(Isc)를 증가시킬 수 있다. 이와 같이 패시베이션막(32, 22) 및 반사 방지막(24)에 의해 태양 전지(150)의 개방 전압과 단락 전류를 증가시켜 태양 전지(150)의 효율을 향상할 수 있다.The first and second passivation films 22 and 32 are formed in contact with the second conductivity type regions 20 and 30 to immobilize defects existing in the surface or bulk of the conductive type regions 20 and 30. Accordingly, it is possible to increase the open-circuit voltage (Voc) of the solar cell 150 by removing recombination sites of the minority carriers. The antireflection film 24 reduces the reflectance of light incident on the front surface of the semiconductor substrate 160. Accordingly, the amount of light reaching the pn junction formed at the interface between the base region 10 and the first conductive type region 20 can be increased by lowering the reflectance of light incident through the entire surface of the semiconductor substrate 160. Accordingly, the short circuit current Isc of the solar cell 150 can be increased. In this way, the efficiency of the solar cell 150 can be improved by increasing the open-circuit voltage and the short-circuit current of the solar cell 150 by the passivation films 32 and 22 and the anti-reflection film 24.

일례로, 패시베이션막(22, 32) 또는 반사 방지막(24)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 제1 또는 제2 패시베이션막(22, 32)은, 도전형 영역(20, 30)이 n형을 가지는 경우에는 고정 양전하를 가지는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등을 포함할 수 있으며, p형을 가지는 경우에는 고정 음전하를 가지는 알루미늄 산화막 등을 포함할 수 있다. 일 예로, 반사 방지막(24)은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. For example, the passivation films 22 and 32 or the antireflection film 24 may be formed of a material selected from the group consisting of a silicon nitride film, a silicon nitride film containing hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, MgF 2 , ZnS, TiO 2 and CeO 2 And may have a multilayer structure in which any one single film or two or more films selected is combined. For example, the first or second passivation film 22, 32 may include a silicon oxide film having a fixed positive charge, a silicon nitride film, or the like when the conductive type regions 20, 30 have an n type, An aluminum oxide film having a fixed negative charge, and the like. In one example, the antireflective film 24 may comprise silicon nitride.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 패시베이션막(22, 32), 그리고 반사 방지막(24)이 다양한 물질을 포함할 수 있다. 그리고 반도체 기판(160)의 전면 및/또는 후면 위에 적층되는 절연막의 적층 구조 또한 다양한 변형이 가능하다. 예를 들어, 상술한 적층 순서와 다른 적층 순서로 절연막이 적층될 수 있다. 또는, 상술한 제1 및 제2 패시베이션막(22, 32) 및 반사 방지막(24) 중 적어도 하나를 구비하지 않거나, 상술한 제1 및 제2 패시베이션막(22, 32) 및 반사 방지막(24) 이외의 다른 절연막을 구비할 수도 있다. 그 외에도 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and the passivation films 22 and 32 and the anti-reflection film 24 may include various materials. The laminated structure of the insulating film stacked on the front surface and / or the rear surface of the semiconductor substrate 160 can also be variously modified. For example, the insulating film may be stacked in a stacking order different from the stacking order described above. Or the above-described first and second passivation films 22 and 32 and the antireflection film 24, which do not have at least one of the above-described first and second passivation films 22 and 32 and the antireflection film 24, It is also possible to provide another insulating film. Other variations are possible.

제1 전극(42)은 반도체 기판(160)의 전면에 위치한 절연막(예를 들어, 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24))에 형성된 제1 개구부(102)를 통하여 제1 도전형 영역(20)에 전기적으로 연결된다. 제2 전극(44)은 반도체 기판(160)의 후면에 위치한 절연막(예를 들어, 제2 패시베이션막(32))에 형성된 제2 개구부(104)를 통하여 제2 도전형 영역(30)에 전기적으로 연결된다. 일 예로, 제1 전극(42)은 제1 도전형 영역(20)에 접촉하고, 제2 전극(44)은 제2 도전형 영역(30)에 접촉할 수 있다. The first electrode 42 is electrically connected to the first conductive type via the first opening 102 formed in the insulating film (for example, the first passivation film 22 and the antireflection film 24) And is electrically connected to the region 20. The second electrode 44 is electrically connected to the second conductivity type region 30 through the second opening 104 formed in the insulating film (for example, the second passivation film 32) located on the rear surface of the semiconductor substrate 160 Lt; / RTI > For example, the first electrode 42 may contact the first conductivity type region 20 and the second electrode 44 may contact the second conductivity type region 30.

제1 및 제2 전극(42, 44)은 다양한 물질(일 예로, 금속 물질)로 구성되며 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 제1 및 제2 전극(42, 44)의 형상에 대해서는 추후에 다시 설명한다. The first and second electrodes 42 and 44 may be formed of various materials (for example, a metal material) and may have various shapes. The shape of the first and second electrodes 42 and 44 will be described later.

이와 같이 본 실시예에서는 태양 전지(150)의 제1 및 제2 전극(42, 44)이 일정한 패턴을 가져 태양 전지(150)가 반도체 기판(160)의 전면 및 후면으로 광이 입사될 수 있는 양면 수광형(bi-facial) 구조를 가진다. 이에 의하여 태양 전지(150)에서 사용되는 광량을 증가시켜 태양 전지(150)의 효율 향상에 기여할 수 있다.As described above, in this embodiment, the first and second electrodes 42 and 44 of the solar cell 150 have a predetermined pattern, so that the solar cell 150 can receive light from the front and back surfaces of the semiconductor substrate 160 It has a bi-facial structure. Accordingly, the amount of light used in the solar cell 150 can be increased to contribute to the efficiency improvement of the solar cell 150.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제2 전극(44)이 반도체 기판(160)의 후면 쪽에서 전체적으로 형성되는 구조를 가지는 것도 가능하다. 또한, 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30), 그리고 제1 및 제2 전극(42, 44)이 반도체 기판(160)의 일면(일 예로, 후면) 쪽에 함께 위치하는 것도 가능하며, 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30) 중 적어도 하나가 반도체 기판(160)의 양면에 걸쳐서 형성되는 것도 가능하다. 즉, 상술한 태양 전지(150)는 일 예로 제시한 것에 불과할 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.However, the present invention is not limited thereto, and it is also possible that the second electrode 44 is formed entirely on the rear side of the semiconductor substrate 160. It is also possible that the first and second conductivity type regions 20 and 30 and the first and second electrodes 42 and 44 are located on one side (for example, the rear side) of the semiconductor substrate 160, It is also possible that at least one of the first and second conductivity type regions 20 and 30 is formed over both sides of the semiconductor substrate 160. That is, the solar cell 150 described above is merely an example, and the present invention is not limited thereto.

상술한 태양 전지(150)는 제1 전극(42) 또는 제2 전극(44) 위에 위치(일 예로, 접촉)하는 배선재(142)에 의하여 이웃한 태양 전지(150)와 전기적으로 연결되는데, 이에 대해서는 도 1 내지 도 3과 함께 도 4를 참조하여 좀더 상세하게 설명한다.The solar cell 150 described above is electrically connected to the neighboring solar cell 150 by the wiring member 142 positioned (for example, in contact with) the first electrode 42 or the second electrode 44, Will be described in more detail with reference to FIG. 4 together with FIGS. 1 to 3. FIG.

도 4는 도 1에 도시한 태양 전지 패널(100)에 포함되며 배선재(142)에 의하여 연결되는 제1 태양 전지(151)와 제2 태양 전지(152)를 개략적으로 도시한 사시도이다. 도 4에서 제1 및 제2 태양 전지(151, 152)는 반도체 기판(160)과 전극(42, 44)을 위주로 개략적으로만 도시하였다.4 is a perspective view schematically illustrating a first solar cell 151 and a second solar cell 152 included in the solar cell panel 100 shown in FIG. 1 and connected by a wiring material 142. FIG. In FIG. 4, the first and second solar cells 151 and 152 are schematically shown only on the semiconductor substrate 160 and the electrodes 42 and 44, respectively.

도 4에 도시한 바와 같이, 복수 개의 태양 전지(150) 중에서 서로 이웃한 두 개의 태양 전지(150)(일 예로, 제1 태양 전지(151)와 제2 태양 전지(152))가 배선재(142)에 의하여 연결될 수 있다. 이때, 배선재(142)는, 제1 태양 전지(151)의 전면에 위치한 제1 전극(42)과 제1 태양 전지(151)의 일측(도면의 좌측 하부)에 위치하는 제2 태양 전지(152)의 후면에 위치한 제2 전극(44)을 연결한다. 그리고 다른 배선재(1420a)가 제1 태양 전지(151)의 후면에 위치한 제2 전극(44)과 제1 태양 전지(151)의 다른 일측(도면의 우측 상부)에 위치할 다른 태양 전지의 전면에 위치한 제1 전극(42)을 연결한다. 그리고 또 다른 배선재(1420b)가 제2 태양 전지(152)의 전면에 위치한 제1 전극(42)과 제2 태양 전지(152)의 일측(도면의 좌측 하부)에 위치할 또 다른 태양 전지의 후면에 위치한 제2 전극(44)을 연결한다. 이에 의하여 복수 개의 태양 전지(150)가 배선재(142, 1420a, 1420b)에 의하여 서로 하나의 열을 이루도록 연결될 수 있다. 이하에서 배선재(142)에 대한 설명은 서로 이웃한 두 개의 태양 전지(150)를 연결하는 모든 배선재(142, 1420a, 1420b)에 각기 적용될 수 있다. 4, two solar cells 150 (for example, the first solar cell 151 and the second solar cell 152) which are adjacent to each other among the plurality of solar cells 150 are connected to the wiring member 142 ). The wiring member 142 is electrically connected to the first electrode 42 positioned on the front surface of the first solar cell 151 and the second solar cell 152 positioned on one side The second electrode 44 located on the rear side of the second electrode 44 is connected. And the other wiring material 1420a is electrically connected to the second electrode 44 located on the rear surface of the first solar cell 151 and the other electrode on the other side of the first solar cell 151 The first electrode 42 is connected. Another wiring material 1420b is disposed between the first electrode 42 located on the front surface of the second solar cell 152 and the rear surface of another solar cell positioned on one side The second electrode 44 is connected to the second electrode 44. Accordingly, the plurality of solar cells 150 can be connected to each other by the wiring materials 142, 1420a, and 1420b. Hereinafter, the description of the wiring material 142 can be applied to all the wiring materials 142, 1420a, and 1420b that connect the two adjacent solar cells 150 to each other.

본 실시예에서 배선재(142)는, 제1 태양 전지(151)의 전면에서 제1 전극(42)(좀더 구체적으로는, 제1 전극(42)의 버스바 라인(도 5의 참조부호 42b, 이하 동일))에 연결되면서 제1 가장자리(161)로부터 이에 반대되는 제2 가장자리(162)을 향해 길게 이어지는 제1 부분과, 제2 태양 전지(152)의 후면에서 제2 전극(44)(좀더 구체적으로는, 제2 전극(44)의 버스바 라인)에 연결된 상태로 제1 가장자리(161)로부터 이에 반대되는 제2 가장자리(162)를 향해 길게 이어지는 제2 부분과, 제1 태양 전지(151)의 제2 가장자리(162)의 전면으로부터 제2 태양 전지(152)의 후면까지 연장되어 제1 부분과 제2 부분을 연결하는 제3 부분을 포함할 수 있다. 이에 의하여 배선재(142)가 제1 태양 전지(151)의 일부 영역에서 제1 태양 전지(151)를 가로지른 후에 제2 태양 전지(152)의 일부 영역에서 제2 태양 전지(152)를 가로질러 위치할 수 있다. 이와 같이 배선재(142)가 제1 및 제2 태양 전지(151, 152)보다 작은 폭을 가지면서 제1 및 제2 태양 전지(151, 152)의 일부(일 예로, 버스바 라인(42b))에 대응하는 부분에서만 형성되어 작은 면적에 의해서도 제1 및 제2 태양 전지(151, 152)를 효과적으로 연결할 수 있다.In this embodiment, the wiring material 142 is formed on the front surface of the first solar cell 151 by the first electrode 42 (more specifically, the bus bar line of the first electrode 42 (reference numeral 42b in Fig. 5, A second portion 162 extending from the first edge 161 to the opposite second edge 162 and a second portion extending from the rear surface of the second solar cell 152 to the second electrode 44 A second portion extending from the first edge 161 to the opposite second edge 162 while being connected to the second electrode 44 (specifically, the bus bar line of the second electrode 44) And a third portion extending from the front surface of the second edge 162 of the second solar cell 152 to the rear surface of the second solar cell 152 and connecting the first portion and the second portion. As a result, after the wiring member 142 traverses the first solar cell 151 in a partial area of the first solar cell 151, the second solar cell 152 traverses the second solar cell 152 in a partial area of the second solar cell 152 Can be located. As described above, the wiring member 142 has a smaller width than the first and second solar cells 151 and 152, and a part (for example, the bus bar line 42b) of the first and second solar cells 151 and 152, The first and second solar cells 151 and 152 can be effectively connected even by a small area.

일 예로, 배선재(142)는 제1 및 제2 전극(42, 44)에서 버스바 라인(42b) 위에서 버스바 라인(42b)에 접촉하면서 버스바 라인(42b)을 따라 길게 이어지도록 배치될 수 있다. 이에 의하여 배선재(142)와 제1 및 제2 전극(42, 44)이 연속적으로 접촉되도록 하여 전기적 연결 특성을 향상할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 버스바 라인(42b을 구비하지 않는 것도 가능하며 이 경우에는 배선재(142)가 핑거 라인(도 5의 참조부호 42a)과 교차하는 방향으로 복수 개의 핑거 라인(42a)을 가로질러 복수 개의 핑거 전극(42a)에 접촉 및 연결되도록 배치될 수도 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. The wiring member 142 may be arranged to extend along the bus bar line 42b while contacting the bus bar line 42b on the bus bar line 42b at the first and second electrodes 42 and 44 have. Thus, the wiring material 142 and the first and second electrodes 42 and 44 are continuously contacted with each other, thereby improving electrical connection characteristics. However, the present invention is not limited thereto. The bus bar line 42b may be omitted. In this case, the wiring material 142 may extend across the plurality of finger lines 42a in the direction crossing the finger lines 42a, 42a, but the present invention is not limited thereto.

각 태양 전지(150)의 일면을 기준으로 볼 때 배선재(142)는 복수 개 구비되어 이웃한 태양 전지(150)의 전기적 연결 특성을 향상할 수 있다. 특히, 본 실시예에서는 배선재(142)가 기존에 사용되던 상대적으로 넓은 폭(예를 들어, 1mm 내지 2mm)을 가지는 리본보다 작은 폭을 가지는 와이어로 구성되어, 각 태양 전지(150)의 일면 기준으로 기존의 리본의 개수(예를 들어, 2개 내지 5개)보다 많은 개수의 배선재(142)를 사용한다.A plurality of wiring materials 142 may be provided on the basis of one surface of each solar cell 150 to improve the electrical connection characteristics of the neighboring solar cells 150. Particularly, in this embodiment, the wiring material 142 is composed of a wire having a width smaller than that of a ribbon having a relatively wide width (for example, 1 mm to 2 mm) (For example, 2 to 5) of the number of the conventional ribbons 142 are used.

일 예로, 배선재(142)는 금속으로 이루어진 코어층(142a)과, 코어층(142a)의 표면에 얇은 두께로 코팅되며 솔더 물질을 포함하여 전극(42, 44)과 솔더링이 가능하도록 하는 솔더층(142b)을 포함할 수 있다. 일 예로, 코어층(142a)은 Ni, Cu, Ag, Al을 주요 물질(일 예로, 50wt% 이상 포함되는 물질, 좀더 구체적으로 90wt% 이상 포함되는 물질)로 포함할 수 있다. 솔더층(142b)은 Pb, Sn, SnIn, SnBi, SnPb, SnPbAg, SnCuAg, SnCu 등의 물질을 주요 물질로 포함할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 코어층(142a) 및 솔더층(142b)이 다양한 물질을 포함할 수 있다. The wiring member 142 includes a core layer 142a made of metal and a solder layer 142b that is thinly coated on the surface of the core layer 142a and includes solder material to enable soldering with the electrodes 42 and 44. [ (142b). For example, the core layer 142a may include Ni, Cu, Ag, Al as a main material (for example, at least 50 wt% or more specifically at least 90 wt%). The solder layer 142b may include a material such as Pb, Sn, SnIn, SnBi, SnPb, SnPbAg, SnCuAg, or SnCu as a main material. However, the present invention is not limited thereto, and the core layer 142a and the solder layer 142b may include various materials.

이와 같이 기존의 리본보다 작은 폭을 가지는 와이어를 배선재(142)로 사용하면 재료 비용을 크게 절감할 수 있다. 그리고 배선재(142)가 리본보다 작은 폭을 가지므로 배선재(142)를 충분한 개수로 구비하여 캐리어의 이동 거리를 최소화함으로써 태양 전지 패널(100)의 출력을 향상할 수 있다. As described above, when a wire having a width smaller than that of the conventional ribbon is used as the wiring material 142, the material cost can be greatly reduced. Since the width of the wiring member 142 is smaller than that of the ribbons, a sufficient number of the wiring members 142 can be provided to minimize the movement distance of the carriers, thereby improving the output of the solar cell panel 100.

또한, 본 실시예에 따른 배선재(142)를 구성하는 와이어는 라운드진 부분을 포함할 수 있다. 즉, 배선재(142)를 구성하는 와이어가 원형, 타원형, 또는 곡선으로 이루어진 단면 또는 라운드진 단면을 가질 수 있다. 이에 의하여 배선재(142)가 반사 또는 난반사를 유도할 수 있다. 이에 의하여 배선재(142)를 구성하는 와이어의 라운드진 면에서 반사된 광이 태양 전지(150)의 전면 또는 후면에 위치한 전면 기판(110) 또는 후면 기판(120) 등에 반사 또는 전반사되어 태양 전지(150)로 재입사되도록 할 수 있다. 이에 의하여 태양 전지 패널(100)의 출력을 효과적으로 향상할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 배선재(142)를 구성하는 와이어가 사각형 등의 다각형의 형상을 가질 수 있으며 그 외의 다양한 형상을 가질 수 있다.Further, the wire constituting the wiring material 142 according to the present embodiment may include rounded portions. That is, the wire constituting the wiring material 142 may have a round cross section, an elliptic cross section, or a round cross section or a round cross section. Thus, the wiring material 142 can induce reflection or diffuse reflection. The light reflected from the rounded surface of the wire constituting the wiring member 142 is reflected or totally reflected on the front substrate 110 or the rear substrate 120 located on the front or rear surface of the solar cell 150, ). ≪ / RTI > Thus, the output of the solar cell panel 100 can be effectively improved. However, the present invention is not limited thereto. Therefore, the wire constituting the wiring member 142 may have a polygonal shape such as a quadrangle, or may have various other shapes.

본 실시예에서 태빙 공정 이전의 배선재(142)의 폭(또는 직경)(도 6의 참조부호 W, 이하 동일)이 250um 내지 500um일 수 있다. 참고로, 본 실시예에서 솔더층(142b)의 두께는 매우 작은 편이며 태빙 이후에는 배선재(142)의 위치에 따라 다양한 두께를 가질 수 있으므로 태밍 공정 이전의 배선재(142)의 폭(W)은 태빙 공정 이후에 중심을 지나는 코어층(142a)의 폭(또는 직경)으로 볼 수 있다. 이러한 폭(W)을 가지는 와이어 형태의 배선재(142)에 의해서 태양 전지(150)에서 생성한 전류를 외부 회로(예를 들어, 버스 리본 또는 정션 박스의 바이패스 다이오드) 또는 또 다른 태양 전지(150)로 효율적으로 전달할 수 있다. 본 실시예에서는 배선재(142)가 별도의 층, 필름 등에 삽입되지 않은 상태로 태양 전지(150)의 전극(42, 44) 위에 각기 개별적으로 위치하여 고정될 수 있다. 배선재(142)의 폭(W)이 250um 미만이면, 배선재(142)의 강도가 충분하지 않을 수 있고, 전극(42, 44)의 연결 면적이 매우 적어 전기적 연결 특성이 좋지 않고 부착력이 낮을 수 있다. 배선재(142)의 폭(W)이 500um를 초과하면, 배선재(142)의 비용이 증가하고 배선재(142)가 태양 전지(150)의 전면으로 입사되는 광의 입사를 방해하여 광 손실(shading loss)이 증가할 수 있다. 또한, 배선재(142)에서 전극(42, 44)과 이격되는 방향으로 가해지는 힘이 커져 배선재(142)와 전극(42, 44) 사이의 부착력이 낮을 수 있고 전극(42, 44) 또는 반도체 기판(160)에 균열 등의 문제를 발생시킬 수 있다. 일 예로, 배선재(142)의 폭(W)은 350um 내지 450um(특히, 350um 내지 400um)일 수 있다. 이러한 범위에서 전극(42, 44)과의 부착력을 높이면서 출력을 향상할 수 있다.In this embodiment, the width (or diameter) (W in FIG. 6, the same applies hereinafter) of the wiring material 142 before the tableting process may be 250 um to 500 um. For reference, the thickness of the solder layer 142b in this embodiment is very small. Since the thickness of the solder layer 142b may vary depending on the position of the wiring material 142 after the taping, the width W of the wiring material 142 before the tempering process (Or diameter) of the core layer 142a passing through the center after the tableting process. The current generated by the solar cell 150 is electrically connected to an external circuit (for example, a bypass diode of a bus ribbon or a junction box) by another wire type wiring material 142 having such a width W or another solar cell 150 ). ≪ / RTI > In this embodiment, the wiring material 142 can be individually positioned and fixed on the electrodes 42 and 44 of the solar cell 150 without being inserted into a separate layer, film, or the like. If the width W of the wiring material 142 is less than 250 탆, the strength of the wiring material 142 may be insufficient and the connecting area of the electrodes 42 and 44 may be very small, resulting in poor electrical connection characteristics and low adhesion . If the width W of the wiring material 142 exceeds 500 mu m, the cost of the wiring material 142 increases and the wiring material 142 hinders the incidence of light incident on the front surface of the solar cell 150, Can be increased. The force exerted in the direction in which the wiring member 142 is spaced apart from the electrodes 42 and 44 becomes large so that the adhesion between the wiring member 142 and the electrodes 42 and 44 may be low and the electrodes 42 and 44, It is possible to cause a problem such as cracks in the resin layer 160. In one example, the width W of the wiring material 142 may be in the range of 350 袖 m to 450 袖 m (particularly, 350 袖 m to 400 袖 m). The output can be improved while increasing the adhesion with the electrodes 42 and 44 in this range.

일 예로, 태빙 공정 이전에 배선재(142)에서 솔더층(142b)의 두께가 코어층(142a)의 폭의 20% 이하(일 예로, 40um 이하, 예를 들어, 5um 내지 40um)(좀더 구체적으로 10% 이하)로 작은 편이다. 이때, 솔더층(142b)의 두께가 5um 미만이면 태빙 공정이 원활하게 이루어지지 않을 수 있다. 그리고 솔더층(142b)의 두께가 60um를 초과하면 재료 비용이 증가하고 코어층(142a)의 폭이 작아져서 배선재(142)의 강도가 저하될 수 있다. 그리고 태빙 공정에 의하여 배선재(142)가 태양 전지(150)에 부착된 이후에는, 도 6에 도시한 바와 같이, 솔더층(142b)의 두께, 폭 등이 위치에 따라 달라질 수 있다. 이에 대해서는 추후에 좀더 상세하게 설명한다. For example, the thickness of the solder layer 142b in the wiring material 142 before the tableting process is 20% or less (e.g., 40um or less, for example, 5um to 40um) of the width of the core layer 142a 10% or less). At this time, if the thickness of the solder layer 142b is less than 5 탆, the tableting process may not be performed smoothly. If the thickness of the solder layer 142b exceeds 60 mu m, the material cost increases and the width of the core layer 142a becomes small, so that the strength of the wiring material 142 may be lowered. After the wiring material 142 is attached to the solar cell 150 by the tableting process, the thickness, width, etc. of the solder layer 142b may vary depending on the position, as shown in FIG. This will be described in more detail later.

이때, 배선재(142)의 개수가 태양 전지(150)의 일면을 기준으로 6개 내지 33개일 수 있다. 좀더 구체적으로, 배선재(142)의 폭(W)이 250um 이상, 300um 미만일 때, 배선재(142)의 개수가 15개 내지 33개일 수 있다. 배선재(142)의 폭(W)이 300um 이상, 350um 미만일 때, 배선재(142)의 개수가 10개 내지 33개일 수 있다. 배선재(142)의 폭(W)이 350um 이상, 400um 미만일 때, 배선재(142)의 개수가 8개 내지 33개일 수 있다. 배선재(142)의 폭(W)이 400um 내지 500um일 때, 배선재(142)의 개수가 6개 내지 33개일 수 있다. 그리고 배선재(142)의 폭(W)이 350um 이상이면, 배선재(142)의 개수가 15개를 초과하여도 태양 전지 패널(100)의 출력이 더 이상 증가하기 어렵다. 그리고 배선재(142)의 개수가 많아지면 태양 전지(150)에 부담을 줄 수 있다. 이를 고려하여, 배선재(142)의 폭(W)이 350um 이상, 400um 미만일 때, 배선재(142)의 개수가 8개 내지 15개일 수 있다. 배선재(142)의 폭(W)이 400um 내지 500um일 때, 배선재(142)의 개수가 6개 내지 15개일 수 있다. 이때, 태양 전지 패널(100)의 출력을 좀더 향상하기 위하여 배선재(142)의 개수를 10개 이상(일 예로, 12개 내지 13개)으로 포함할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 배선재(142)의 개수 및 이에 따른 버스바 라인(42b)의 개수가 다른 값을 가질 수 있다. At this time, the number of the wiring materials 142 may be 6 to 33 based on one surface of the solar cell 150. More specifically, when the width W of the wiring material 142 is 250um or more and less than 300um, the number of the wiring materials 142 may be 15 to 33. [ When the width W of the wiring material 142 is 300 袖 m or more and less than 350 袖 m, the number of the wiring materials 142 may be 10 to 33. When the width W of the wiring material 142 is 350um or more and less than 400um, the number of the wiring materials 142 may be 8 to 33. [ When the width W of the wiring material 142 is 400 탆 to 500 탆, the number of the wiring materials 142 may be 6 to 33. If the width W of the wiring member 142 is 350 m or more, the output of the solar cell panel 100 is hardly increased even if the number of the wiring members 142 exceeds 15. If the number of the wiring materials 142 increases, the solar cell 150 may be burdened. In consideration of this, when the width W of the wiring material 142 is 350um or more and less than 400um, the number of the wiring materials 142 may be 8 to 15. When the width W of the wiring material 142 is 400 탆 to 500 탆, the number of the wiring materials 142 may be 6 to 15. At this time, in order to further improve the output of the solar cell panel 100, the number of the wiring materials 142 may be 10 or more (for example, 12 to 13). However, the present invention is not limited to this, and the number of the wiring materials 142 and the number of the bus bar lines 42b may have different values.

이때, 배선재(142)의 피치(또는 버스바 라인(42b)의 피치)가 4.75mm 내지 26.13mm일 수 있다. 이는 배선재(142)의 폭(W) 및 개수를 고려한 것이다. 예를 들어, 배선재(142)의 폭(W)이 250um 이상, 300um 미만일 때, 배선재(142)의 피치가 4.75mm 내지 10.45mm일 수 있다. 배선재(142)의 폭(W)이 300um 이상, 350um 미만일 때, 배선재(142)의 피치가 4.75mm 내지 15.68mm일 수 있다. 배선재(142)의 폭(W)이 350um 이상, 400um 미만일 때, 배선재(142)의 피치가 4.75mm 내지 19.59mm일 수 있다. 배선재(142)의 폭(W)이 400um 내지 500um일 때, 배선재(142)의 피치가 4.75mm 내지 26.13mm일 수 있다. 좀더 구체적으로, 배선재(142)의 폭(W)이 350um 이상, 400um 미만일 때, 배선재(142)의 피치가 10.45mm 내지 19.59mm일 수 있다. 배선재(142)의 폭(W)이 400um 내지 500um일 때, 배선재(142)의 피치가 10.45mm 내지 26.13mm일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 배선재(142)의 피치 및 이에 따른 버스바 라인(42b)의 피치가 다른 값을 가질 수 있다. At this time, the pitch of the wiring material 142 (or the pitch of the bus bar line 42b) may be 4.75 mm to 26.13 mm. This is in consideration of the width W and the number of the wiring material 142. For example, when the width W of the wiring material 142 is 250um or more and less than 300um, the pitch of the wiring material 142 may be 4.75mm to 10.45mm. When the width W of the wiring material 142 is 300 袖 m or more and less than 350 袖 m, the pitch of the wiring material 142 may be 4.75 mm to 15.68 mm. When the width W of the wiring material 142 is 350um or more and less than 400um, the pitch of the wiring material 142 may be 4.75mm to 19.59mm. When the width W of the wiring material 142 is 400 to 500 mu m, the pitch of the wiring material 142 may be 4.75 mm to 26.13 mm. More specifically, when the width W of the wiring material 142 is more than 350um and less than 400um, the pitch of the wiring material 142 may be 10.45mm to 19.59mm. When the width W of the wiring material 142 is 400 to 500 mu m, the pitch of the wiring material 142 may be 10.45 mm to 26.13 mm. However, the present invention is not limited to this, and the pitch of the wiring material 142 and the pitch of the bus bar line 42b may have different values.

본 실시예에서는 제1 전극(42)(또는 제2 전극(44)), 배선재(142), 전극 영역(도 5의 참조부호 EA) 등이 제1 방향(핑거 라인(42a)과 평행한 방향) 및 제2 방향(버스바 라인(42b) 또는 배선재(142)와 평행한 방향)에서 서로 대칭되도록 위치할 수 있다. 이에 의하여 전류 흐름을 안정적으로 구현할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In this embodiment, the first electrode 42 (or the second electrode 44), the wiring material 142, the electrode region (EA in FIG. 5), and the like are arranged in the first direction And the second direction (the direction parallel to the bus bar line 42b or the wiring member 142). Thus, current flow can be stably implemented. However, the present invention is not limited thereto.

도 1 내지 도 4와 함께 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널(100)에 적용될 수 있는 태양 전지(150)의 전극(42, 44) 및 이에 부착된 배선재(142)의 일 예를 상세하게 설명한다. 명확한 이해를 위하여 배선재(142)를 일점 괘선으로 도시하였다. 이하에서는 도 5를 참조하여 제1 전극(42)을 기준으로 상세하게 설명한 후에 제2 전극(44)을 설명한다.The electrodes 42 and 44 of the solar cell 150 that can be applied to the solar cell panel 100 according to the embodiment of the present invention and the wiring material 142 attached thereto An example will be described in detail. For clarity of understanding, the wiring material 142 is shown by a ruled line. Hereinafter, the second electrode 44 will be described in detail with reference to the first electrode 42 with reference to FIG.

도 5는 도 4의 A 부분을 확대하여 도시한 부분 평면도이다. 5 is a partial plan view showing an enlarged view of a portion A in Fig.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예에서 제1 전극(42)은 제1 방향(도면의 가로 방향)으로 연장되며 서로 평행하게 위치하는 복수의 핑거 라인(42a)을 포함한다. 그리고 핑거 라인(42a)과 교차(일 예로, 직교)하는 제2 방향(도면의 세로 방향)으로 연장되어 배선재(142)가 연결 또는 부착되는 버스바 라인(42b)을 더 포함할 수 있다. 버스바 라인(42b)은 배선재(142)에 대응하여 배치될 수 있으므로 버스바 라인(42b)의 개수, 피치 등에 대해서는 배선재(142)의 개수, 피치 등에 대한 설명이 그대로 적용될 수 있다. 이하에서는 복수의 버스바 라인(42b) 중에 인접한 두 개의 버스바 라인(42b) 사이 또는 버스바 라인(42b)과 이에 인접한 태양 전지(150)의 가장자리 사이를 각기 전극 영역(EA)이라 칭한다. 본 실시예에서 배선재(142)가 태양 전지(150)의 일면을 기준으로 복수 개(일 예로, 6개 이상) 구비되므로 전극 영역(EA)이 복수 개(즉, 배선재(142)의 개수보다 하나 많은 개수)로 구비될 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 5, in this embodiment, the first electrode 42 includes a plurality of finger lines 42a extending in a first direction (the transverse direction of the drawing) and positioned parallel to each other. And a bus bar line 42b extending in a second direction (longitudinal direction in the figure) that intersects (for example, orthogonal) with the finger line 42a and to which the wiring material 142 is connected or attached. Since the bus bar lines 42b can be arranged corresponding to the wiring materials 142, the description of the number and pitch of the wiring materials 142 can be applied as they are to the number and pitch of the bus bar lines 42b. Hereinafter, between the two adjacent bus bar lines 42b in the plurality of bus bar lines 42b, or between the bus bar line 42b and the edge of the solar cell 150 adjacent thereto, is referred to as an electrode area EA. Since the number of the electrode regions EA is more than one (that is, one of the number of the wiring members 142 is equal to or greater than the number of the wiring members 142) because the wiring members 142 are provided in the present embodiment on the basis of one surface of the solar cell 150 A large number).

복수의 핑거 라인(42a)은 균일한 폭 및 피치를 가지면서 서로 이격될 수 있다. 도면에서는 핑거 라인(42a)이 제1 방향으로 서로 나란히 형성되어 태양 전지(150)의 메인 가장자리(특히, 제1 및 제2 가장자리(161, 162))와 평행한 것을 예시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The plurality of finger lines 42a may be spaced apart from each other with a uniform width and pitch. Although the finger lines 42a are parallel to the main edges of the solar cell 150 (particularly, the first and second edges 161 and 162) in the first direction, But is not limited thereto.

일 예로, 제1 전극(42)의 핑거 라인(42a)은 35um 내지 120um의 폭을 가질 수 있다. 그리고 제1 전극(42)의 핑거 라인(42a)은 1.2mm 내지 2.8mm의 피치를 가질 수 있고, 핑거 라인(42a)과 교차하는 방향에서 핑거 라인(42a)의 개수가 55개 내지 130개일 수 있다. 이러한 폭 및 피치는 쉬운 공정 조건에 의하여 형성될 수 있으며 광전 변환에 의하여 생성된 전류를 효과적으로 수집하면서도 핑거 라인(42a)에 의한 쉐이딩 손실(shading loss)를 최소화하도록 한정된 것이다. 이러한 핑거 라인(42a)의 두께는 공정 시에 쉽게 형성할 수 있고 원하는 비저항을 가질 수 있는 범위일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 핑거 라인(42a)의 폭, 피치 등은 공정 조건의 변화, 태양 전지(150)의 크기, 핑거 라인(42a)의 구성 물질 등에 따라 다양하게 변화될 수 있다.In one example, the finger line 42a of the first electrode 42 may have a width of 35 um to 120 um. The finger line 42a of the first electrode 42 may have a pitch of 1.2 mm to 2.8 mm and the number of the finger lines 42a may be 55 to 130 in a direction crossing the finger line 42a. have. These widths and pitches can be formed by easy process conditions and are limited to effectively collect current generated by photoelectric conversion while minimizing shading losses due to finger line 42a. The thickness of this finger line 42a may be in a range that can easily be formed in the process and have a desired specific resistance. However, the present invention is not limited thereto, and the width, pitch and the like of the finger line 42a may be variously changed according to changes in process conditions, the size of the solar cell 150, the material of the finger line 42a, and the like.

이때, 배선재(142)의 폭(W)(좀더 구체적으로는, 코어층(142a)의 폭)은 핑거 라인(42a)의 피치보다 작을 수 있고, 핑거 라인(42a)의 폭보다 클 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능하다.At this time, the width W (more specifically, the width of the core layer 142a) of the wiring material 142 may be smaller than the pitch of the finger line 42a and may be larger than the width of the finger line 42a. However, the present invention is not limited thereto and various modifications are possible.

일 예로, 버스바 라인(42b)은 전극 영역(EA) 내에서 제1 가장자리(161)에 인접한 부분으로부터 제2 가장자리(162)에 인접한 부분까지 연속적으로 형성될 수 있다. 앞서 언급한 바와 같이 버스바 라인(42b)은 이웃한 태양 전지(150)와의 연결을 위한 배선재(142)가 위치하는 부분에 대응하도록 위치할 수 있다. 이러한 버스바 라인(42b)은 배선재(142)에 일대일 대응하도록 구비될 수 있다. 이에 따라 본 실시예에서 태양 전지(150)의 일면을 기준으로 버스바 라인(42b)이 배선재(142)와 동일한 개수로 구비될 수 있다. In one example, the bus bar line 42b may be formed continuously from the portion adjacent to the first edge 161 to the portion adjacent to the second edge 162 in the electrode region EA. As described above, the bus bar line 42b may be positioned so as to correspond to the portion where the wiring material 142 for connection with the neighboring solar cell 150 is located. These bus bar lines 42b may be provided so as to correspond one-to-one to the wiring members 142. [ Accordingly, in this embodiment, the bus bar lines 42b may be provided in the same number as that of the wiring material 142 with reference to one surface of the solar cell 150. [

버스바 라인(42b)은, 전극 영역(EA) 내에서 배선재(142)가 연결되는 방향을 따라 상대적으로 좁은 폭을 가지면서 길게 이어지는 라인부(421)와, 라인부(421)보다 넓은 폭을 가져 배선재(142)와의 연결 면적을 증가시키는 패드부(422)를 구비할 수 있다. 좁은 폭의 라인부(421)에 의하여 태양 전지(150)로 입사하는 광을 막는 면적을 최소화할 수 있고, 넓은 폭의 패드부(422)에 의하여 배선재(142)와 버스바 라인(42b)의 부착력을 향상하고 접촉 저항을 줄일 수 있다. 패드부(422)는 라인부(421)보다 넓은 폭을 가져 실질적으로 배선재(142)가 부착되는 영역이다. 라인부(421)에는 배선재(142)가 부착될 수도 있고, 라인부(421)에 배선재(142)가 부착되지 않은 상태로 배선재(142)가 라인부(421) 위에 놓여진 상태일 수도 있다. The bus bar line 42b includes a line portion 421 having a relatively narrow width along the direction in which the wiring member 142 is connected in the electrode region EA and a line portion 422 having a width wider than the line portion 421 And a pad portion 422 for increasing the area of connection with the wiring material 142. It is possible to minimize the area for blocking the light incident on the solar cell 150 by the narrow width line portion 421 and to reduce the width of the wiring member 142 and the bus bar line 42b by the wide width pad portion 422. [ The adhesion force can be improved and the contact resistance can be reduced. The pad portion 422 has a width larger than that of the line portion 421 and is a region to which the wiring material 142 is substantially attached. The wiring member 142 may be attached to the line portion 421 or may be in a state where the wiring member 142 is placed on the line portion 421 without the wiring member 142 being attached to the line portion 421. [

제1 방향에서 측정되는 패드부(422)의 폭(W11)은 라인부(421) 및 핑거 라인(42a)의 폭보다 각기 클 수 있다. The width W11 of the pad portion 422 measured in the first direction may be greater than the width of the line portion 421 and the finger line 42a.

본 실시예에서 배선재(142)에 대응하도록 버스바 라인(42b)의 라인부(421)가 구비되는 것을 예시하였다. 좀더 구체적으로, 기존에는 배선재(142)에 대응하여 핑거 라인(42a)보다 매우 큰 폭을 가지는 버스바 전극이 위치하였는데, 본 실시예에서는 폭이 버스바 전극보다 매우 작은 버스바 라인(42b)의 라인부(421)가 위치한다. 본 실시예에서 라인부(421)는 복수의 핑거 라인(42a)을 연결하여 일부 핑거 라인(42a)이 단선될 경우 캐리어가 우회할 수 있는 경로를 제공할 수 있다. The line portion 421 of the bus bar line 42b is provided so as to correspond to the wiring material 142 in this embodiment. More specifically, a bus bar electrode having a width much larger than that of the finger line 42a is disposed corresponding to the wiring member 142. In this embodiment, the width of the bus bar line 42b The line portion 421 is located. In this embodiment, the line unit 421 may connect a plurality of finger lines 42a to provide a path through which the carrier can bypass when some finger lines 42a are disconnected.

본 명세서에서 버스바 전극은 리본에 대응하도록 핑거 라인에 교차하는 방향으로 형성되며 핑거 라인의 폭의 12배 이상(보통 15배 이상)의 폭을 가지는 전극부를 지칭한다. 버스바 전극은 상대적으로 큰 폭을 가지므로 보통 2개 정도 3개의 개수로 형성된다. 그리고 본 실시예에서의 버스바 라인(42b)의 라인부(421)는 배선재(142)에 대응하도록 핑거 라인(42a)과 교차하는 방향으로 형성되며 핑거 라인(42a)의 폭의 10배 이하의 폭을 가지는 전극부를 지칭할 수 있다. Herein, the bus bar electrode refers to an electrode portion formed in a direction crossing the finger line to correspond to the ribbon and having a width of 12 times or more (usually 15 times or more) the width of the finger line. Since the bus bar electrode has a relatively large width, it is usually formed by two or three electrodes. The line portion 421 of the bus bar line 42b in this embodiment is formed in a direction intersecting with the finger line 42a so as to correspond to the wiring material 142, Electrode portion having a width can be referred to.

일 예로, 라인부(421)의 폭(W12)이 핑거 라인(42a)의 폭의 0.5배 내지 10배일 수 있다. 상기 비율이 0.5배 미만이면, 라인부(421)의 폭(W12)이 적어져 라인부(421)에 의한 효과가 충분하지 않을 수 있다. 상기 비율이 10배를 초과하면, 라인부(421)의 폭(W12)이 커져서 광 손실이 커질 수 있다. 특히, 본 실시예에서는 배선재(142)를 많은 개수로 구비하므로 라인부(421) 또한 많은 개수로 구비되어 광 손실이 더 커질 수 있다. 좀더 구체적으로는, 라인부(421)의 폭(W12)이 핑거 라인(42a)의 폭의 0.5배 내지 7배일 수 있다. 상기 비율을 7배 이하로 하여 광 손실을 좀더 줄일 수 있다. 일 예로, 광 손실을 참조하면 라인부(421)의 폭(W12)이 핑거 라인(42a)의 폭의 0.5배 내지 4배일 수 있다. 좀더 구체적으로 라인부(421)의 폭(W12)이 핑거 라인(42a)의 폭의 0.5배 내지 2배일 수 있다. 이러한 범위에서 태양 전지(150)의 효율을 크게 향상할 수 있다. In one example, the width W12 of the line portion 421 may be 0.5 to 10 times the width of the finger line 42a. If the ratio is less than 0.5 times, the width W12 of the line portion 421 is reduced and the effect of the line portion 421 may not be sufficient. If the ratio exceeds 10 times, the width W12 of the line portion 421 becomes large and the light loss can be increased. In particular, since the wiring member 142 is provided in a large number in this embodiment, the number of the line portions 421 is also increased, and the optical loss can be further increased. More specifically, the width W12 of the line portion 421 may be 0.5 to 7 times the width of the finger line 42a. The above ratio can be reduced to 7 times or less to further reduce the optical loss. For example, referring to the optical loss, the width W12 of the line portion 421 may be 0.5 to 4 times the width of the finger line 42a. More specifically, the width W12 of the line portion 421 may be 0.5 to 2 times the width of the finger line 42a. In this range, the efficiency of the solar cell 150 can be greatly improved.

또는, 라인부(42b)의 폭(W12)이 배선재(142)의 폭(W)(좀더 구체적으로는, 코어층(142a)의 폭(W))보다 작을 수 있다. 배선재(142)가 원형, 타원형 또는 라운드진 형상을 가지는 경우에 배선재(142)의 하부에서 라인부(421)에 접촉하는 폭 또는 면적이 크지 않으므로, 라인부(421)의 폭(W12)을 배선재(142)의 폭(W)보다 작게 할 수 있기 때문이다. 이와 같이 라인부(421)의 폭(W12)을 상대적으로 작게 하면 제1 전극(42)의 면적을 줄여 제1 전극(42)의 재료 비용을 절감할 수 있다. Or the width W12 of the line portion 42b may be smaller than the width W of the wiring material 142 (more specifically, the width W of the core layer 142a). The width W12 of the line portion 421 is set to be smaller than the width W2 of the wiring portion 142 in the width direction of the wiring member 142. In the case where the wiring member 142 has a circular, Can be made smaller than the width (W) of the protrusion (142). By reducing the width W12 of the line portion 421 as described above, it is possible to reduce the area of the first electrode 42 and reduce the material cost of the first electrode 42. [

일 예로, 배선재(142)의 폭(W)에 대한 라인부(421)의 폭(W12)의 비율이 0.07보다 크고 1보다 작을 수 있다. 상기 비율이 0.07 미만이면, 라인부(421)의 폭(W12)이 너무 적어 전기적 특성 등이 저하될 수 있다. 상기 비율이 1 이상이면, 라인부(421)과의 접촉 특성 등을 크게 향상하지 못하면서 제1 전극(42)의 면적만을 늘려 광 손실 증가, 재료 비용 증가 등의 문제가 있다. 일 예로, 광 손실, 재료 비용 등을 좀더 고려하면, 상기 비율이 1:0.1 내지 1:0.5(좀더 구체적으로 1:0.1 내지 1:0.3)일 수 있다. The ratio of the width W12 of the line portion 421 to the width W of the wiring material 142 may be larger than 0.07 and smaller than 1. [ If the ratio is less than 0.07, the width W12 of the line portion 421 is too small and the electrical characteristics and the like may be lowered. If the ratio is more than 1, the contact property with the line portion 421 can not be greatly improved, but only the area of the first electrode 42 is increased to increase the light loss and the material cost. For example, in consideration of optical loss, material cost, etc., the ratio may be 1: 0.1 to 1: 0.5 (more specifically, 1: 0.1 to 1: 0.3).

또는, 라인부(421)의 폭(W12)이 490um 이하(일 예로, 30um 내지 350um)일 수 있다. 라인부(421)의 폭(W12)이 35um 미만이면, 라인부(421)의 폭(W12)이 너무 적어 전기적 특성 등이 저하될 수 있다. 라인부(421)의 폭(W12)이 350um를 초과(특히, 490 um를 초과)하면, 라인부(421)과의 접촉 특성 등을 크게 향상하지 못하면서 제1 전극(42)의 면적만을 늘려 광 손실 증가, 재료 비용 증가 등의 문제가 있다. 일 예로, 광 손실, 재료 비용 등을 좀더 고려하면, 라인부(421)의 폭(W12)이 35um 내지 200um(좀더 구체적으로 35um 내지 120um)일 수 있다. Alternatively, the width W12 of the line portion 421 may be 490um or less (for example, 30um to 350um). If the width W12 of the line portion 421 is less than 35 mu m, the width W12 of the line portion 421 may be too small to reduce the electrical characteristics and the like. If the width W12 of the line portion 421 exceeds 350 mu m (particularly, exceeds 490 mu m), the contact property with the line portion 421 can not be greatly improved, There is a problem such as an increase in loss and an increase in material cost. For example, considering the light loss, the material cost, etc., the width W12 of the line portion 421 may be in the range of 35 袖 m to 200 袖 m (more specifically, 35 袖 m to 120 袖 m).

또는, 라인부(421)의 폭(W12)이 패드부(422)의 폭(W11)의 36% 이하(일 예로, 25% 이하)일 수 있다. 이는 패드부(422)와 배선재(142)의 부착력을 향상하면서 라인부(421)에 의한 쉐이딩 손실을 최소화할 수 있는 범위로 한정된 것이다. Alternatively, the width W12 of the line portion 421 may be 36% or less (for example, 25% or less) of the width W11 of the pad portion 422. This is limited to a range in which shading loss due to the line portion 421 can be minimized while improving adhesion between the pad portion 422 and the wiring material 142. [

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 라인부(421)의 폭(W12)은 광전 변환에 의하여 생성된 전류를 효과적으로 전달하면서도 쉐이딩 손실을 최소화하는 범위 내에서 다양한 변형이 가능하다. 그리고 라인부(421)가 별도로 구비되지 않는 것도 가능하다. However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the width W12 of the line portion 421 can be variously modified within a range that minimizes the shading loss while effectively transmitting the current generated by the photoelectric conversion. It is also possible that the line unit 421 is not separately provided.

그리고 패드부(422)의 폭(W11)은 라인부(421)의 폭(W12)보다 크고, 배선재(142)의 폭(W)과 같거나 그보다 클 수 있다. 패드부(422)는 배선재(142)와의 접촉 면적을 늘려 배선재(142)와의 부착력을 향상하기 위한 부분이므로, 라인부(421)보다 큰 폭을 가지고 배선재(142)와 같거나 이보다 큰 폭을 가지는 것이다. The width W11 of the pad portion 422 is greater than the width W12 of the line portion 421 and may be equal to or larger than the width W of the wiring member 142. [ The pad portion 422 is a portion for increasing the contact area with the wiring material 142 to improve the adhesion with the wiring material 142. The width of the pad portion 422 is set to be larger than that of the line portion 421, will be.

일 예로, 배선재(142)의 폭(W) : 패드부(422)의 폭(W11)의 비율이 1:1 내지 1:5일 수 있다. 상기 비율이 1:1 미만이면, 패드부(422)의 폭(W11)이 충분하지 않아 패드부(422)와 배선재(142)의 부착력이 충분하지 않을 수 있다. 상기 비율이 1:5를 초과하면, 패드부(422)에 의하여 광이 손실되는 면적이 늘어나서 쉐이딩 손실이 클 수 있다. 부착력, 광 손실 등을 좀더 고려하면, 상기 비율이 1:2 내지 1:4(좀더 구체적으로 1:2.5 내지 1:4)일 수 있다. For example, the ratio of the width W of the wiring member 142 to the width W11 of the pad portion 422 may be 1: 1 to 1: 5. If the ratio is less than 1: 1, the width W11 of the pad portion 422 is not sufficient and the adhesion force between the pad portion 422 and the wiring material 142 may be insufficient. If the ratio is more than 1: 5, an area where light is lost by the pad portion 422 is increased, and the shading loss may be large. The ratio may be 1: 2 to 1: 4 (more specifically, 1: 2.5 to 1: 4).

또는, 일 예로, 패드부(422)의 폭(W11)이 0.25mm 내지 2.5mm(일 예로, 0.5mm 내지 2mm)일 수 있다. 패드부(422)의 폭(W11)이 0.25mm 미만이면, 배선재(142)와의 접촉 면적이 충분하지 않아 패드부(422)와 배선재(142)의 부착력이 충분하지 않을 수 있다. 패드부(422)의 폭(W11)이 2.5mm를 초과하면, 패드부(422)에 의하여 광이 손실되는 면적이 늘어나서 쉐이딩 손실이 클 수 있다. 배선재(142)와의 부착력 및 쉐이딩 손실을 좀더 고려하면 패드부(422)의 폭(W11)이 0.5mm 내지 2mm일 수 있다. Alternatively, for example, the width W11 of the pad portion 422 may be 0.25 mm to 2.5 mm (for example, 0.5 mm to 2 mm). If the width W11 of the pad portion 422 is less than 0.25 mm, the contact area between the pad portion 422 and the wiring member 142 may be insufficient because the contact area with the wiring member 142 is insufficient. If the width W11 of the pad portion 422 exceeds 2.5 mm, the area where light is lost by the pad portion 422 is increased and the shading loss may be large. The width W11 of the pad portion 422 may be 0.5 mm to 2 mm in consideration of the adhesion with the wiring material 142 and the shading loss.

그리고 패드부(422)의 길이는 핑거 라인(42a)의 폭보다 클 수 있다. 예를 들어, 패드부(422)의 길이가 0.035mm 내지 30mm일 수 있다. 패드부(422)의 길이가 0.035mm 미만이면, 배선재(142)와의 접촉 면적이 충분하지 않아 패드부(422)와 배선재(142)의 부착력이 충분하지 않을 수 있다. 패드부(422)의 길이가 30mm를 초과하면, 패드부(422)에 의하여 광이 손실되는 면적이 늘어나서 쉐이딩 손실이 클 수 있다. The length of the pad portion 422 may be greater than the width of the finger line 42a. For example, the length of the pad portion 422 may be 0.035 mm to 30 mm. If the length of the pad portion 422 is less than 0.035 mm, the contact area with the wiring material 142 is not sufficient and the adhesion between the pad portion 422 and the wiring material 142 may not be sufficient. If the length of the pad portion 422 exceeds 30 mm, the area where light is lost by the pad portion 422 is increased and the shading loss may be large.

또는, 일 예로, 핑거 라인(42a)의 폭 : 패드부(422)의 길이의 비율이 1:1.1 내지 1:20일 수 있다. 이러한 범위 내에서 패드부(422)와 배선재(142)의 부착 면적을 증가시켜 패드부(422)와 배선재(142)의 부착력을 향상할 수 있다.Or, as an example, the ratio of the width of the finger line 42a to the length of the pad portion 422 may be 1: 1.1 to 1:20. The adhesion area between the pad portion 422 and the wiring material 142 can be increased by increasing the area of attachment of the pad portion 422 and the wiring material 142 within this range.

또는, 일 예로, 배선재(142)의 폭(W) : 패드부(422)의 길이의 비율이 1:1 내지 1:10일 수 있다. 상기 비율이 1:1 미만이면, 패드부(422)의 길이가 충분하지 않아 패드부(422)와 배선재(142)의 부착력이 충분하지 않을 수 있다. 상기 비율이 1:10를 초과하면, 패드부(422)에 의하여 광이 손실되는 면적이 늘어나서 쉐이딩 손실이 클 수 있다. 부착력, 광 손실 등을 좀더 고려하면, 상기 비율이 1:3 내지 1:6일 수 있다. Alternatively, for example, the ratio of the width W of the wiring member 142 to the length of the pad portion 422 may be 1: 1 to 1:10. If the ratio is less than 1: 1, the length of the pad portion 422 is not sufficient and the adhesion force between the pad portion 422 and the wiring material 142 may not be sufficient. If the ratio exceeds 1:10, the area where light is lost by the pad portion 422 increases and the shading loss may be large. Considering the adhesion, light loss and the like, the ratio may be 1: 3 to 1: 6.

하나의 버스바 라인(42b)에서 패드부(422)는 6개 내지 24개(일 예로, 12개 내지 22개) 배치될 수 있다. 복수 개의 패드부(422)는 간격을 두고 배치될 수도 있다. 일 예로, 2개 내지 10개의 핑거 라인(42a)마다 하나씩 위치할 수 있다. 이에 의하면 버스바 라인(42b)과 배선재(142)의 접착 면적이 증가하는 부분을 규칙적으로 구비하여 버스바 라인(42b)과 배선재(142)와의 부착력을 향상할 수 있다. 또는, 두 개의 패드부(422) 사이의 거리가 서로 다른 값을 가지도록 복수 개의 패드부(422)가 배치될 수 있다. 특히, 다른 부분(즉, 버스바 라인(42b)의 중앙 부분)보다 큰 힘이 작용하는 버스바 라인(42b)의 단부에서 패드부(422)가 높은 밀도로 배치될 수 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다.In one bus bar line 42b, the pad portions 422 may be arranged in a number of 6 to 24 (for example, 12 to 22). The plurality of pad portions 422 may be spaced apart. For example, one finger may be placed for each of two to ten finger lines 42a. According to this, the portion where the area of the bonding of the bus bar line 42b and the wiring material 142 increases is regularly provided, so that the adhesion force between the bus bar line 42b and the wiring material 142 can be improved. Alternatively, a plurality of pad portions 422 may be disposed such that distances between the two pad portions 422 are different from each other. In particular, the pad portion 422 can be arranged at a high density at the end of the bus bar line 42b where a larger force is applied than the other portion (i.e., the central portion of the bus bar line 42b). Various other variations are possible.

상술한 설명에서는 도 5를 참조하여 제1 전극(42)을 위주로 하여 설명하였다. 제2 전극(44)은 제1 전극(42)의 핑거 라인(42a) 및 버스바 라인(42b)에 각기 대응하는 핑거 라인 및 버스바 라인을 포함할 수 있다. 제1 전극(42)의 핑거 라인(42a) 및 버스바 라인(42b)에 대한 내용은 그대로 제2 전극(44)의 핑거 라인 및 버스바 라인에 적용될 수 있다. 이때, 제1 전극(42)에 관련된 제1 도전형 영역(20)에 대한 설명은, 제2 전극(44)에 관련된 제2 도전형 영역(30)에 대한 설명일 수 있다. 그리고 제1 전극(42)에 관련된 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24), 그리고 개구부(102)에 대한 설명은, 제2 전극(44)에 관련된 제2 패시베이션막(30), 그리고 개구부(104)에 대한 설명일 수 있다. In the above description, the first electrode 42 is mainly described with reference to FIG. The second electrode 44 may include a finger line and a bus bar line corresponding to the finger line 42a and the bus bar line 42b of the first electrode 42, respectively. The contents of the finger line 42a and the bus bar line 42b of the first electrode 42 can be applied to the finger line and the bus bar line of the second electrode 44 as they are. The description of the first conductivity type region 20 related to the first electrode 42 may be a description of the second conductivity type region 30 related to the second electrode 44. [ The description of the first passivation film 22 and the antireflection film 24 and the opening 102 related to the first electrode 42 is made by referring to the second passivation film 30 related to the second electrode 44, It may be a description of the opening 104.

이때, 제1 전극(42)의 핑거 라인(42a), 그리고 버스바 라인(42b)의 라인부(421) 및 패드부(442)의 폭(W12, W11), 피치, 개수 등은 제2 전극(44)의 핑거 라인, 그리고 버스바 라인의 라인부 및 패드부의 폭, 피치, 개수 등과 서로 동일할 수도 있다. 또는, 제1 전극(42)의 핑거 라인(42a), 그리고 버스바 라인(42b)의 라인부(421) 및 패드부(422)의 폭(W12, W11), 피치, 개수 등은 제2 전극(44)의 핑거 라인, 그리고 버스바 라인의 라인부 및 패드부의 폭, 피치, 개수 등과 서로 다를 수 있다. 일 예로, 상대적으로 광의 입사가 적은 제2 전극(44)의 전극부의 폭이 이에 대응하는 제1 전극(42)의 전극부의 폭보다 클 수 있고, 제2 전극(44)의 핑거 라인의 피치가 이에 대응하는 제1 전극(42)의 핑거 라인(42a)의 피치보다 작을 수 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. 다만, 제1 전극(42)의 버스바 라인(42b)의 개수 및 피치는 각기 제2 전극(44)의 버스바 라인의 개수 및 피치와 동일할 수 있다. 또한, 제1 전극(42)과 제2 전극(44)의 평면 형상이 서로 다른 것도 가능하다. 예를 들어, 제2 전극(44)이 반도체 기판(160)의 후면에 전체적으로 형성되는 것도 가능하다. 그 의 다양한 변형이 가능하다. The widths W12 and W11 of the line portions 421 and the pad portions 442 of the first electrode 42 and the bus bar line 42b and the pitches and the number of the pad portions 442 are the same as those of the first electrode 42, Pitch, number, etc. of the line portions and the pad portions of the bus bar lines, and the finger lines of the bus bar lines. The widths W12 and W11 of the line portion 421 and the pad portion 422 of the bus bar line 42b and the pitch and the number of the first electrode 42 and the bus bar line 42b are different from each other, Pitch, number and the like of the line portions and the pad portions of the bus bar lines, and the finger lines of the bus bar lines. For example, the width of the electrode portion of the second electrode 44 may be larger than the width of the electrode portion of the first electrode 42 corresponding to the second electrode 44, May be smaller than the pitch of the finger line 42a of the first electrode 42 corresponding thereto. Various other variations are possible. However, the number and the pitch of the bus bar lines 42b of the first electrode 42 may be the same as the number and the pitch of the bus bar lines of the second electrode 44, respectively. Also, the first electrode 42 and the second electrode 44 may have different planar shapes. For example, the second electrode 44 may be formed entirely on the rear surface of the semiconductor substrate 160. Various variations thereof are possible.

본 실시예에서 제1 태양 전지(151)과 제2 태양 전지(152)를 연결하는 배선재(142)는 태빙 공정에 의하여 전극(42, 44)에 부착될 수 있다. 상술한 바와 같이 와이어 형태의 배선재(142)를 구비하면 태양 전지 패널(100)의 출력 향상의 효과를 나타낼 수 있다. 그런데, 배선재(142)가 종래보다 얇은 폭을 가지므로, 배선재(142)와 전극(42, 44)의 부착 면적이 적어 부착력이 충분하지 않을 수 있다. 더욱이 배선재(142)(특히, 코어층(142a))가 원형, 타원형 또는 곡선을 가지는 라운드진 단면을 구비하게 되면, 전극(42, 44)과의 부착 면적이 더 작아지므로 전극(42, 44)과의 부착력이 높지 않을 수 있다. 이를 고려하여 본 실시예에서는 버스바(42b)의 형상 및 태빙 공정 이후의 배선재(142)의 형상, 연결 구조 등을 제어하는 것에 의하여 전극(42, 44)과 배선재(142)의 연결 특성을 향상하고 배선재(142)에 의한 반사 또는 난반사를 증가시킨다. 이를 도 5와 함께 도 6을 참조하여 상세하게 설명한다. 이하에서는 제1 전극(42)을 기준으로 설명하며, 동일 또는 유사한 내용이 제2 전극(44)에 적용될 수 있다.In this embodiment, the wiring material 142 connecting the first solar cell 151 and the second solar cell 152 can be attached to the electrodes 42 and 44 by a tableting process. When the wire-shaped wiring material 142 is provided as described above, the effect of improving the output of the solar cell panel 100 can be exhibited. However, since the wiring material 142 has a thinner width than that of the conventional wiring material 142, the adhesion area between the wiring material 142 and the electrodes 42 and 44 may be insufficient. Further, if the wiring member 142 (in particular, the core layer 142a) has a rounded cross section having a circular shape, an elliptical shape, or a curved line, the area of attachment to the electrodes 42 and 44 becomes smaller, May not be high. In consideration of this, in this embodiment, the connection characteristics of the electrodes 42 and 44 and the wiring material 142 are improved by controlling the shape of the bus bar 42b and the shape and the connection structure of the wiring material 142 after the tabletting process And the reflection or diffused reflection by the wiring material 142 is increased. This will be described in detail with reference to FIG. 5 together with FIG. Hereinafter, the first electrode 42 will be used as a reference, and the same or similar contents may be applied to the second electrode 44.

도 6의 (a)는 제1 배선부(1421)를 배선재(142)의 길이 방향과 수직한 단면으로 잘라서 본 단면도이고, 도 6의 (b)는 제2 배선부(1422)를 배선재(142)의 길이 방향과 수직한 단면으로 잘라서 본 단면도이다. 도 7은 도 4의 VII-VII 선을 따라서 본 대략적인 단면도이다. 그리고 참조를 위하여 실제로 패드부(422)를 구비하는 버스바(42b)에 배선재(142)를 부착하여 제조된 태양 전지 패널의 일부를 촬영한 사진을 도 8에 첨부하였다. 도 6는 도 5에 도시한 제1 배선부 및 제2 배선부를 배선재의 길이 방향과 수직한 단면으로 잘라서 본 단면도이다.6A is a cross-sectional view of the first wiring portion 1421 taken along a section perpendicular to the longitudinal direction of the wiring material 142. FIG. 6B is a cross-sectional view of the second wiring portion 1422, Sectional view taken along a section perpendicular to the longitudinal direction of the frame. Fig. 7 is a schematic sectional view taken along the line VII-VII in Fig. 4. Fig. 8 is a photograph of a part of the solar cell panel manufactured by attaching the wiring material 142 to the bus bar 42b having the pad portion 422 for reference. Fig. 6 is a cross-sectional view of the first wiring portion and the second wiring portion shown in Fig. 5 cut along a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the wiring material.

태빙 공정에서는, 일 예로, 외면에 플럭스층이 위치하는 배선재(142)를 태양 전지(150)의 전극(42, 44)(예를 들어, 버스바(42b)) 위에 위치시킨 상태에서 열 및 압력을 가하는 솔더링 공정을 수행한다. 그러면, 열에 의하여 솔더 물질로 구성된 솔더층(142b)이 용융된 후에 굳는 것에 의하여 배선재(142)가 전극(42, 44)에 고정되어 부착된다. 이에 의하여 배선재(142)가 전극(42, 44)에 전기적으로 연결되고 물리적으로 고정된다. 플럭스층은 전극(42, 44)의 산화를 방지하기 위하여 사용되는 것이나, 플럭스층이 필수적인 것은 아니며 생략될 수도 있다. In the tableting process, for example, in a state where the wiring material 142 having the flux layer on the outer surface thereof is placed on the electrodes 42 and 44 (for example, the bus bar 42b) of the solar cell 150, The soldering process is performed. Then, the solder layer 142b composed of the solder material is melted and hardened by the heat, and the wiring material 142 is fixed and attached to the electrodes 42 and 44 by being hardened. As a result, the wiring material 142 is electrically connected to the electrodes 42 and 44 and is physically fixed. The flux layer is used to prevent oxidation of the electrodes 42 and 44, but the flux layer is not essential and may be omitted.

이때, 솔더 물질을 포함하는 솔더층(142b)은 용융된 상태에서 물질에 따라 다른 젖음성을 가진다. 즉, 솔더층(142b) 또는 솔더 물질은 금속을 주성분으로 포함하는 패드부(422)에는 큰 젖음성을 가지는 반면, 반도체 물질을 포함하는 반도체 기판(160) 또는 태양 전지(150)의 외면을 구성하며 절연 물질을 구비하는 절연층(예를 들어, 제1 및 제2 패시베이션막(22, 32) 및/또는 반사 방지막(24))에는 작은 젖음성을 가진다. At this time, the solder layer 142b including the solder material has different wettability depending on the material in the melted state. That is, the solder layer 142b or the solder material has a large wettability to the pad portion 422 containing metal as a main component, while it constitutes the outer surface of the semiconductor substrate 160 including the semiconductor material or the solar cell 150 (For example, the first and second passivation films 22 and 32 and / or the antireflection film 24) having an insulating material have small wettability.

이에 따라 상대적으로 넓은 폭(W11)을 가지는 패드부(422) 위에는 용융된 솔더 물질이 모여서 넓게 퍼져서 위치하게 되고, 상대적으로 작은 폭(W12)을 가지는 라인부(421)(또는 라인부(421)를 구비하지 않을 경우에는 반도체 기판(160) 또는 절연층) 위에는 용융된 솔더 물질이 위치하지 않으려고 한다. 이에 따라 솔더링 공정이 완료된 이후에 패드부(422) 위에 위치하는 배선재(142)의 제1 배선부(1421)에는 용융된 솔더 물질이 많이 응집된 상태로 굳어서 솔더층(142b)을 형성한다. 반면, 패드부(422) 이외의 영역(예를 들어, 라인부(421) 또는 패드부(422) 사이의 영역)에서는 용융된 솔더 물질이 많이 잔류하지 않은 상태로 굳어서 솔더층(142b)을 형성한다. 이에 따라 제1 배선부(1421)와 제2 배선부(1422)의 형상이 서로 달라지게 된다. 본 실시예에서는 버스바(42b)가 큰 폭을 가지는 패드부(422)를 구비하도록 하여 이러한 솔더층(142b)의 특성을 이용하여 배선재(142)의 부착 특성, 반사 특성 등을 향상하고자 한다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. The molten solder material is gathered and spread widely over the pad portion 422 having a relatively wide width W11 and the line portion 421 (or the line portion 421) having a relatively small width W12 is positioned, The molten solder material is not located on the semiconductor substrate 160 or the insulating layer. Accordingly, after the soldering process is completed, the solder layer 142b is formed in the first wiring part 1421 of the wiring material 142 located on the pad part 422 by hardening the molten solder material in a large amount. On the other hand, in the region other than the pad portion 422 (for example, the region between the line portion 421 and the pad portion 422), the molten solder material hardens in a state where a large amount of solder material remains, do. Accordingly, the shapes of the first wiring portion 1421 and the second wiring portion 1422 are different from each other. In this embodiment, the bus bar 42b is provided with a pad portion 422 having a large width to improve the attachment characteristics, reflection characteristics, and the like of the wiring material 142 by using the characteristics of the solder layer 142b. This will be explained in more detail.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 제1 배선부(1421)의 두께(T1)가 제2 배선부(1422)의 두께(T2)보다 크고, 제1 배선부(1421)의 상부면(제1 배선부(1421)에서 태양 전지(150)로부터 멀리 위치한 면)이 제2 배선부(1422)의 상부면(제2 배선부(1422)에서 태양 전지(150)로부터 멀리 위치한 면)보다 외부를 향하여 돌출된 위치에 위치하게 된다. 6 to 8, the thickness T1 of the first wiring portion 1421 is greater than the thickness T2 of the second wiring portion 1422 and the thickness T1 of the first wiring portion 1421 is larger than the thickness T2 of the second wiring portion 1422, (The surface located farther from the solar cell 150 in the wiring portion 1421) than the upper surface (the surface located farther from the solar cell 150 in the second wiring portion 1422) of the second wiring portion 1422 And is located at the protruded position.

일 예로, 제2 배선부(1422)의 두께(T2) : 제1 배선부(1421)의 두께(T1) 비율이 1:1.05 내지 1:1.5일 수 있다. 본 명세서에서 제1 배선부(1421)의 두께(T1)는 제1 배선부(1421)에서 가장 두꺼운 부분의 두께(또는 패드부(422)의 중심을 지나는 단면에서 제1 배선부(1421)에서 두께)일 수 있고, 제2 배선부(1422)의 두께(T2)는 제2 배선부(1422)에서 가장 얇은 부분(또는 제2 배선부(1422)의 중심, 예를 들어, 인접한 두 개의 패드부(422) 사이의 중심)의 두께일 수 있다. 상기 비율이 1:1.05 미만이면, 제1 배선부(1421)의 두께가 충분하지 않아 제1 배선부(1421)와 패드부(422)의 연결 특성이 저하될 수 있고 제1 배선부(1421)에 의한 반사 향상 효과가 충분하지 않을 수 있다. 코어층(142a)의 폭(W)(또는 직경 또는 두께)는 제1 배선부(1421)와 제2 배선부(1422)에서 동일하므로 상기 비율이 1:1.5를 초과하기는 어려울 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 상기 비율이 다양한 값을 가질 수 있다. For example, the ratio of the thickness T2 of the second wiring portion 1422 to the thickness T1 of the first wiring portion 1421 may be 1: 1.05 to 1: 1.5. The thickness T1 of the first wiring portion 1421 is equal to the thickness of the thickest portion of the first wiring portion 1421 (or the thickness of the first wiring portion 1421) And the thickness T2 of the second wiring portion 1422 may be a thickness of the thinnest portion of the second wiring portion 1422 (or the center of the second wiring portion 1422, for example, Portion 422). ≪ / RTI > If the ratio is less than 1: 1.05, the thickness of the first wiring part 1421 is not sufficient and the connection characteristics between the first wiring part 1421 and the pad part 422 may be deteriorated, The effect of improving the reflection caused by the light may not be sufficient. Since the width W (or diameter or thickness) of the core layer 142a is the same in the first wiring portion 1421 and the second wiring portion 1422, it is difficult for the ratio to exceed 1: 1.5. However, the present invention is not limited thereto, and the ratio may have various values.

또는, 앞서 설며한 바와 같이 코어층(142a)의 폭(W)이 250um 내지 500um일 때, 제2 배선부(1422)의 두께(T2)가 250um 내지 580um이며, 제1 배선부(1421)의 두께(T1)가 265.5um 내지 870um일 수 있다. 이러한 범위는 태빙 공정 이전의 솔더층(142b)의 두께, 패드부(422)의 폭 등을 고려하여 제1 배선부(1421)에 의한 효과를 향상할 수 있는 범위로 한정된 것이다. The thickness T2 of the second wiring portion 1422 is 250um to 580um when the width W of the core layer 142a is 250um to 500um as described above and the thickness T2 of the first wiring portion 1421 The thickness T1 may be from 265.5 um to 870 um. This range is limited to a range where the effect of the first wiring portion 1421 can be improved in consideration of the thickness of the solder layer 142b before the tableting process, the width of the pad portion 422, and the like.

그러나 본 발명이 상술한 제1 배선부(1421)의 두께(T1), 제2 배선부(1422)의 두께(T2)의 수치 범위, 비율 등에 한정되는 것은 아니다. However, the present invention is not limited to the numerical range and ratio of the thickness T1 of the first wiring portion 1421 and the thickness T2 of the second wiring portion 1422 described above.

이때, 제1 배선부(1421)의 코어층(142a)과 제2 배선부(1422)의 코어층(142a)의 두께는 동일 또는 극히 유사하므로, 제1 배선부(1421)의 솔더층(142b)의 두께가 제2 배선부(1422)의 솔더층(142b)의 두께보다 클 수 있다. 여기서, 제1 배선부(1421)의 솔더층(142b)의 두께는 제1 배선부(1421)에서 가장 두꺼운 부분에서의 솔더층(142b)의 두께를 모두 합한 값이다. 그리고 제2 배선부(1422)의 솔더층(142b)의 두께는 제2 배선부(1422)에서 가장 얇은 부분에서 솔더층(142b)의 두께를 모두 합한 값이다. Since the thickness of the core layer 142a of the first wiring portion 1421 and the thickness of the core layer 142a of the second wiring portion 1422 are the same or extremely similar to each other, the solder layer 142b of the first wiring portion 1421 May be larger than the thickness of the solder layer 142b of the second wiring portion 1422. [ Here, the thickness of the solder layer 142b of the first wiring portion 1421 is a sum of the thicknesses of the solder layer 142b at the thickest portion of the first wiring portion 1421. The thickness of the solder layer 142b of the second wiring portion 1422 is a sum of the thickness of the solder layer 142b at the thinnest portion of the second wiring portion 1422. [

이때, 제1 배선부(1421)의 코어층(142a)은 패드부(422)에 직접 접촉하여 부착될 수 있다. 또는 제1 배선부(1421)의 코어층(142a)과 패드부(422) 사이에 솔더층(142b)의 제1 하부 부분(A1)이 잔류할 수 있으나 그 두께는 크지 않을 수 있다. 예를 들어, 제1 하부 부분(A1)의 두께(T11)가 10um 이하(예를 들어, 5um 이하, 일 예로, 1um 이하)일 수 있다. 이는 패드부(422)에 인접한 부분에서는 용융된 솔더 물질이 패드부(422)에 높은 젖음성을 가지므로 패드부(422)의 전체 면적을 따라 패드부(422)에 전체적으로 퍼진 상태에서 굳었기 때문이다. 또한, 부착 특성을 향상하기 위하여 태빙 공정 시 배선재(142)를 태양 전지(150) 쪽으로 가압하여 부착하기 때문에 제1 하부 부분(A1)이 위치하지 않거나 있더라도 작은 두께를 가지게 된다. At this time, the core layer 142a of the first wiring portion 1421 can be directly contacted to the pad portion 422 and attached thereto. Or the first lower part A1 of the solder layer 142b may remain between the core layer 142a of the first wiring part 1421 and the pad part 422 but the thickness thereof may not be large. For example, the thickness T11 of the first lower portion A1 may be 10um or less (for example, 5um or less, for example, 1um or less). This is because the molten solder material in the portion adjacent to the pad portion 422 has a high wettability to the pad portion 422 and thus is hardened in a state that the solder material is entirely spread over the pad portion 422 along the entire area of the pad portion 422 . In addition, since the wiring material 142 is pressed and attached to the solar cell 150 during the tableting process in order to improve the adhesion characteristics, the first lower part A1 is not located or has a small thickness.

그리고 코어층(142a) 위에서 태양 전지(150)에 멀리 위치하는 제1 배선부(1421)의 솔더층(142b)의 제1 상부 부분(B1)의 두께(T12)가 제1 하부 부분(A1)의 두께(T11)보다 클 수 있다. 상술한 바와 같이 제1 하부 부분(A1)이 위치하지 않거나 작은 두께로 위치하게 되므로 패드부(422) 위에 응집한 대부분의 용융된 솔더 물질이 제1 상부 부분(B1)에서 위치하게 된다. 이에 의하여 제1 상부 부분(B1)이 외부를 향하여 볼록하게 돌출된 곡면을 가지게 되는데, 이에 대해서는 추후에 좀더 상세하게 설명한다. 일 예로, 제1 상부 부분(B1)의 두께(T12)가 12.5um 내지 290um일 수 있다. The thickness T12 of the first upper portion B1 of the solder layer 142b of the first wiring portion 1421 far from the solar cell 150 on the core layer 142a is greater than the thickness T12 of the first lower portion A1, May be greater than the thickness (T11) As described above, since the first lower part A1 is not located or is located at a small thickness, most of the molten solder material agglomerated on the pad part 422 is positioned in the first upper part B1. As a result, the first upper portion B1 has a convexly protruding curved surface toward the outside, which will be described later in more detail. In one example, the thickness T12 of the first upper portion B1 may be between 12.5 um and 290 um.

그리고 제2 배선부(1422)의 코어층(142a)은 라인부(421)에 직접 접촉하여 부착되거나 라인부(421)에 직접 접촉하되 고정되지 않은 상태로 놓여질 수 있다. 또는 제2 배선부(1422)의 코어층(142a)과 라인부(421) 사이에 솔더층(142b)의 제2 하부 부분(A2)이 잔류할 수 있으나 그 두께는 크지 않을 수 있다. 예를 들어, 제2 하부 부분(A2)의 두께(T21)이 10um 이하(예를 들어, 5um 이하, 일 예로, 1um 이하)일 수 있다. 이는 제2 배선부(1422)의 코어층(142a)의 하부에 위치하던 솔더 물질이 용융된 다음에는 젖음성이 큰 패드부(422)로 흘러서 패드부(422)에 응집하므로 라인부(421) 위에는 많은 양의 솔더 물질이 위치하지 않은 상태로 굳었기 때문이다. 또한, 부착 특성을 향상하기 위하여 태빙 공정 시 배선재(142)를 태양 전지(150) 쪽으로 가압하여 부착하기 때문에 제2 하부 부분(A2)이 위치하지 않거나 있더라도 작은 두께를 가지게 된다. The core layer 142a of the second wiring portion 1422 may be directly in contact with the line portion 421 or may be in direct contact with the line portion 421 but not in the fixed state. Or the second lower portion A2 of the solder layer 142b may remain between the core layer 142a of the second wiring portion 1422 and the line portion 421 but the thickness thereof may not be large. For example, the thickness T21 of the second lower portion A2 may be less than or equal to 10 um (e.g., less than or equal to 5 um, such as less than or equal to 1 um). This is because the solder material located under the core layer 142a of the second wiring portion 1422 melts and then flows into the pad portion 422 having high wettability and coheres on the pad portion 422, This is because a large amount of solder material is hardened without being placed. In addition, since the wiring material 142 is pressed toward the solar cell 150 during the tableting process in order to improve the adhesion characteristics, the second lower portion A2 is not located or has a small thickness.

그리고 코어층(142a) 위에서 태양 전지(150)에 멀리 위치하는 제2 배선부(1422)의 솔더층(142b)의 제2 상부 부분(B2)의 두께(T22)가 제2 하부 부분(A2)의 두께(T21)와 같거나 그보다 클 수 있다. 이는 제2 배선부(1422)의 상부에 위치한 솔더층(142b)이 용융되어 하부로 흘러내린 후에 패드부(422) 쪽으로 흘러갔기 때문인데, 제2 배선부(1422)의 하부보다는 상부에서 유동되는 양이 적을 수 있기 때문이다. 일 예로, 상부 부분에 위치한 솔더층(142b)의 두께가 40um 이하(예를 들어, 10um 이하)일 수 있다.The thickness T22 of the second upper portion B2 of the solder layer 142b of the second wiring portion 1422 located far from the solar cell 150 on the core layer 142a is greater than the thickness T22 of the second lower portion A2, The thickness T21 may be greater than or equal to the thickness T21. This is because the solder layer 142b located on the upper part of the second wiring part 1422 melts and flows down to the lower part and flows toward the pad part 422. The solder layer 142b flows above the lower part of the second wiring part 1422 This is because the amount can be small. For example, the thickness of the solder layer 142b located at the upper portion may be 40um or less (e.g., 10um or less).

그리고 제2 상부 부분(B2)의 두께(T22)는 제1 상부 부분(B1)의 두께(T12)보다 작을 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 제1 상부 부분(B1)에서는 용융된 물질이 응집되어 제2 상부 부분(B2)보다 두꺼운 두께를 가지기 때문이다. 상술한 바와 같이 제1 하부 부분(B1)과 제2 하부 부분(B2)이 형성되지 않거나 작은 두께를 가지므로, 제1 배선부(1421)의 제1 두께(T1)와 제2 배선부(1422)의 제2 두께(T2)의 차이는 실제로 제1 상부 부분(B1)의 두께(T12)과 제2 상부 부분(B2)의 두께(T22)의 차이일 수 있다. 이에 따라 일 예로, 제1 상부 부분(B1)의 두께(T12)과 제2 상부 부분(B2)의 두께(T22)의 차이가 12.5um 내지 290um일 수 있다. And the thickness T22 of the second upper portion B2 may be smaller than the thickness T12 of the first upper portion B1. As described above, in the first upper portion B1, the molten material coagulates to have a thicker thickness than the second upper portion B2. The first thickness T1 of the first wiring portion 1421 and the first thickness T1 of the second wiring portion 1422 are set to be equal to each other since the first lower portion B1 and the second lower portion B2 are not formed or have a small thickness, The difference between the second thickness T2 of the first upper portion B1 and the thickness T2 of the second upper portion B2 may be the difference between the thickness T12 of the first upper portion B1 and the thickness T22 of the second upper portion B2. Thus, for example, the difference between the thickness T12 of the first upper portion B1 and the thickness T22 of the second upper portion B2 may be between 12.5 um and 290 um.

그러나 본 발명이 상술한 제1 하부 부분(B1)의 두께(T11), 제1 상부 부분(A1)의 두께(T12), 제2 하부 부분(B2)의 두께(T21), 제2 상부 부분(A2)의 두께(T22)의 수치 범위, 비율 등에 한정되는 것은 아니다. However, in the present invention, the thickness T11 of the first lower portion B1, the thickness T12 of the first upper portion A1, the thickness T21 of the second lower portion B2, A2), and the thickness (T22).

상술한 설명에서는 라인부(421)가 구비되는 경우를 예시로 하여 설명하였다. 그러나 패드부(422) 사이에 라인부(421)가 구비되지 않고 핑거 라인(42a)만 위치하거나 핑거 라인(42a)도 구비되지 않을 수 있다. 이 경우에는 제2 배선부(1422)의 코어층(142a)이 핑거 라인(42a), 절연층 등에 직접 접촉하거나 핑거 라인(42a) 또는 절연층 위에 얇은 두께의 제2 하부 부분(B2)이 잔류할 수 있다. In the above description, the case where the line portion 421 is provided has been described as an example. However, the line portion 421 is not provided between the pad portions 422, only the finger line 42a may be located, or the finger line 42a may not be provided. In this case, the core layer 142a of the second wiring portion 1422 directly contacts the finger line 42a, the insulating layer, or the like, or the thin second bottom portion B2 remains on the finger line 42a or the insulating layer can do.

그리고 제1 배선부(1421)는, 길이 방향에 수직한 단면으로 볼 때, 태양 전지(150)로부터 멀리 위치한 부분에서는 코어층(142a)의 형상에 따라 태양 전지(150)에 가까워질수록 폭이 증가하게 되고, 태양 전지(150)에 인접한 부분에서도 용융된 솔더 물질이 흘러서 옆으로 퍼진 상태로 굳은 솔더층(142b)에 의하여 폭이 증가하는 형상을 가지게 된다. The width of the first wiring portion 1421 as it approaches the solar cell 150 according to the shape of the core layer 142a at a portion located away from the solar cell 150 in a section perpendicular to the longitudinal direction And the melted solder material flows in the portion adjacent to the solar cell 150 and has a shape in which the width is increased by the hardened solder layer 142b in a state spreading laterally.

좀더 구체적으로는, 길이 방향에 수직하는 제1 배선부(1421)의 단면에서 태양 전지(150)로부터 멀리 위치한 부분이 외부를 향하여 볼록하게 돌출된 곡면으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 길이 방향에 수직하는 제1 배선부(1421)의 단면에서 태양 전지(150)로부터 멀리 위치한 부분이 대략적인 반원형 또는 반타원형 형상을 가질 수 있다. 그러면, 제1 배선부(1421)의 볼록하게 돌출된 부분에서 광이 반사 또는 난반사되어 전면 기판(110)으로 향하게 되고 전면 기판(110)에서 전반사(total reflection) 되어 다시 태양 전지(150)로 향하게 된다. 이에 의하여 광을 재사용할 수 있어 사용되는 광량을 증가시킬 수 있다. More specifically, a portion of the first wiring portion 1421, which is perpendicular to the longitudinal direction, located away from the solar cell 150 may be formed as a curved surface protruding outwardly toward the outside. For example, a portion of the first wiring portion 1421, which is perpendicular to the longitudinal direction, located far from the solar cell 150 in the cross section may have a substantially semicircular or semi-elliptical shape. The light is reflected or diffused by the convexly protruding portion of the first wiring portion 1421 to be directed toward the front substrate 110 and totally reflected from the front substrate 110 to be directed toward the solar cell 150 do. Thus, light can be reused and the amount of light used can be increased.

그리고 길이 방향에 수직하는 제1 배선부(1421)의 단면에서 태양 전지(150)에 인접한 부분은 외부를 향하여 오목한 형상의 곡면을 가지고 태양 전지(150)를 향하면서 폭이 증가할 수 있다. 이에 의하여 길이 방향에 수직하는 제1 배선부(1421)의 단면에서 태양 전지(150)에 인접한 부분과 태양 전지(150)로부터 멀리 위치한 부분 사이에 변곡점(IP)이 위치하게 된다. 이는 용융된 솔더 물질이 패드부(422)의 전체 면적의 대부분에 걸쳐 퍼진 상태로 굳었기 때문이다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 배선부(1421)의 단면이 다양한 형상을 가질 수 있다. A portion of the first wiring portion 1421 perpendicular to the longitudinal direction of the solar cell 150 adjacent to the solar cell 150 may have a concave curved surface facing outward and may have a width increasing toward the solar cell 150. The inflection point IP is located between the portion of the first wiring portion 1421 perpendicular to the longitudinal direction and the portion of the first wiring portion 1421 adjacent to the solar cell 150 and the portion of the first wiring portion 1421 located away from the solar cell 150. This is because the molten solder material is hardened in a state spread over most of the entire area of the pad portion 422. [ However, the present invention is not limited thereto, and the cross section of the first wiring portion 1421 may have various shapes.

이때, 태양 전지(150)에 인접한 부분(즉, 전극(42, 44)에 접촉되는 부분)에서의 제1 배선부(1421)의 제1 폭(W1)이 패드부(422)의 폭(W11)과 유사한 정도의 큰 값을 가져 코어층(142a)의 폭(W)보다 클 수 있다. At this time, the first width W1 of the first wiring portion 1421 in the portion adjacent to the solar cell 150 (that is, the portion contacting the electrodes 42 and 44) is larger than the width W11 of the pad portion 422 The width W of the core layer 142a may be larger than the width W of the core layer 142a.

일 예로, 제1 배선부(1421)의 제1 폭(W1)이 라인부(421)의 폭(W12)보다는 크고 패드부(422)의 폭(W11)과 같거나 그보다 작은 값을 가질 수 있다. 일 예로, 제1 배선부(142)의 제1 폭(W1)이 0.25mm 내지 2.5mm(일 예로, 0.5mm 내지 2mm)일 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 용융된 솔더 물질은 반도체 기판(160) 또는 절연층에 대한 젖음성이 작아 패드부(422) 바깥으로는 많이 흘러내리지 않기 때문이다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. The first width W1 of the first wiring portion 1421 may be equal to or less than the width W12 of the line portion 421 and the width W11 of the pad portion 422 . For example, the first width W1 of the first wiring portion 142 may be 0.25 mm to 2.5 mm (for example, 0.5 mm to 2 mm). As described above, the molten solder material has a low wettability with respect to the semiconductor substrate 160 or the insulating layer, so that much of the molten solder material does not flow out of the pad portion 422. However, the present invention is not limited thereto.

제1 배선부(1421)는 평면으로 볼 때, 도 5의 확대원에 도시한 바와 같이, 패드(422)의 대부분을 채우는 원형, 타원형 또는 라운드진 형상으로 구성될 수 있다. The first wiring portion 1421 may be formed in a circular shape, an elliptical shape, or a round shape to fill most of the pads 422, as shown in the enlargement circle in FIG.

그리고 제2 배선부(1422)는, 길이 방향에 수직한 단면으로 볼 때, 태양 전지(150)로부터 멀리 위치한 부분에서는 코어층(142a)의 형상에 따라 태양 전지(150)에 가까워질수록 폭이 증가하게 되고, 태양 전지(150)에 인접한 부분에는 코어층(142a)의 형상에 대응하도록 태양 전지(150)에 가까워질수록 폭이 감소하는 형상을 가지게 된다. 이는 라인부(421)의 폭(W12)이 코어층(142a)의 폭(W)보다 작으므로 융융된 솔더 물질이 해당 라인부(421)에 인접한 패드부(422)로 흘러들어가고 라인부(421) 주변에 위치한 반도체 기판(160) 또는 절연층 위에는 위치하지 않은 상태로 굳었기 때문이다. The width of the second wiring portion 1422 as it approaches the solar cell 150 according to the shape of the core layer 142a at a portion located away from the solar cell 150 in a section perpendicular to the longitudinal direction And the width of the portion adjacent to the solar cell 150 decreases as the distance from the solar cell 150 increases to correspond to the shape of the core layer 142a. This is because the width W12 of the line portion 421 is smaller than the width W of the core layer 142a so that the melted solder material flows into the pad portion 422 adjacent to the line portion 421, Because it is not located on the semiconductor substrate 160 or the insulating layer located in the vicinity of the semiconductor substrate 160.

일 예로, 제2 배선부(1422)의 외표면은, 길이 방향에 수직한 단면으로 볼 때, 전체적으로 라운드진 형상을 가지면서 볼록한 형상의 곡면으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 배선부(1422)의 외표면은 대략적인 원형 또는 타원형의 일부로 이루어질 수 있다. 그리고 제2 배선부(1422)의 평면 형상은, 도 5의 확대원에 도시한 바와 같이, 균일한 폭을 가지면서 길게 이어지는 라인 형상을 가질 수 있다. For example, the outer surface of the second wiring portion 1422 may have a curved surface having a generally rounded shape and a convex shape when viewed in a cross section perpendicular to the longitudinal direction. For example, the outer surface of the second wiring portion 1422 may be a substantially circular or elliptical portion. The planar shape of the second wiring portion 1422 may have a long line shape having a uniform width as shown in the enlargement circle in Fig.

이때, 태양 전지(150)에 인접한 부분(즉, 전극(42, 44)에 접촉되는 부분)에서의 제2 배선부(1422)의 제2 폭(W2)이 라인부(421)의 폭(W12)과 유사한 정도의 작은 값을 가져 코어층(142a)의 폭(W)보다 작을 수 있다. At this time, the second width W2 of the second wiring portion 1422 in the portion adjacent to the solar cell 150 (that is, the portion contacting the electrodes 42 and 44) is larger than the width W12 of the line portion 421 And may be smaller than the width W of the core layer 142a.

일 예로, 제2 배선부(1422)의 제2 폭(W2)이 라인부(421)의 폭(W12)과 같거나 그보다 작은 값을 가질 수 있다. 일 예로, 제2 배선부(1422)의 제2 폭(W2)이 490um 이하(일 예로, 30um 내지 350um)일 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 솔더 물질은 반도체 기판(160)에 대한 젖음성이 작아 라인부(421) 바깥으로는 많이 흘러내리지 않기 때문이다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. For example, the second width W2 of the second wiring portion 1422 may be equal to or smaller than the width W12 of the line portion 421. [ For example, the second width W2 of the second wiring portion 1422 may be 490um or less (for example, 30um to 350um). This is because the wettability of the solder material with respect to the semiconductor substrate 160 is small and the solder material does not flow much outside the line portion 421 as described above. However, the present invention is not limited thereto.

이에 따라 제1 배선부(1421)의 제1 폭(W1)이 제2 배선부(1422)의 제2 폭(W2)보다 클 수 있다. 일 예로, 제2 배선부(1422)의 제2 폭(W2)이 제1 배선부(1421)의 제1 폭(W1)의 36% 이하(일 예로, 25% 이하)일 수 있다. 이는 패드부(422)의 폭(W11)과 라인부(421)의 폭(W12)을 고려한 값으로 한정된 것이다. The first width W1 of the first wiring portion 1421 may be larger than the second width W2 of the second wiring portion 1422. [ For example, the second width W2 of the second wiring portion 1422 may be 36% or less (e.g., 25% or less) of the first width W1 of the first wiring portion 1421. [ This is limited to a value considering the width W11 of the pad portion 422 and the width W12 of the line portion 421. [

본 실시예에서 제1 배선부(1421)의 제1 폭(W1)보다 제1 배선부(1421)의 두께(T1)가 작을 수 있다. 제1 배선부(1421)의 제1 폭(W1)이 제1 배선부(1421)의 두께(T1)와 같거나 이보다 작으면 제1 배선부(1421)가 부착된 부분에서 태양 전지(150)에 가해지는 스트레스가 커져서 결함 또는 균열(crack)이 발생할 수 있다. The thickness T1 of the first wiring portion 1421 may be smaller than the first width W1 of the first wiring portion 1421 in this embodiment. If the first width W1 of the first wiring portion 1421 is equal to or less than the thickness T1 of the first wiring portion 1421, The stress to be applied to the substrate may be increased, and a defect or a crack may occur.

일 예로, 제1 배선부(1421)의 제1 폭(W1) : 제1 배선부(1421)의 두께(T1)의 비율이 1:0.3 내지 1:0.6일 수 있다. 상기 비율이 1:0.6을 초과하면, 제1 배선부(1421)가 부착된 부분에서 태양 전지(150)에 가해지는 스트레스가 커져서 결합 또는 균열이 방지할 수 있다. 상기 비율이 1:0.3 미만이면, 제1 배선부(1421)의 두께(T1)가 충분하지 않아 제1 배선부(1421)와 전극(42, 44)의 연결 특성이 충분하지 않을 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 상기 비율이 다양한 값을 가질 수 있다. For example, the ratio of the first width W1 of the first wiring portion 1421 to the thickness T1 of the first wiring portion 1421 may be 1: 0.3 to 1: 0.6. If the ratio is more than 1: 0.6, the stress applied to the solar cell 150 at the portion where the first wiring portion 1421 is attached becomes large, so that bonding or cracking can be prevented. If the ratio is less than 1: 0.3, the thickness T1 of the first wiring part 1421 is not sufficient and the connection characteristics between the first wiring part 1421 and the electrodes 42 and 44 may not be sufficient. However, the present invention is not limited thereto, and the ratio may have various values.

이와 같이 라인부(421)보다 넓은 폭을 가져 실질적으로 배선재(142)가 부착되는 패드부(422)에 위치하는 제1 배선부(1421)의 두께(T1)를 크게 하면, 패드부(422) 위에 위치하는 배선재(142)의 부피를 최대화할 수 있다. 그러면, 패드부(422)와 배선재(142)의 부착 특성을 향상할 수 있으며 접촉 저항을 줄일 수 있다. 그리고 패드부(422) 위에 위치한 제1 배선부(1421)가 응집에 의하여 상대적으로 큰 직경, 제1 폭(W1) 또는 두께를 가지는 단면을 가질 수 있어 제1 배선부(1421)에 의한 반사 또는 난반사 특성을 향상할 수 있다. 이에 의하여 태양 전지 패널(100)의 출력을 향상할 수 있다. If the thickness T1 of the first wiring portion 1421 located in the pad portion 422 to which the wiring material 142 is attached is wider than the line portion 421, The volume of the wiring material 142 positioned above can be maximized. Thus, the adhesion properties of the pad portion 422 and the wiring material 142 can be improved and the contact resistance can be reduced. The first wiring portion 1421 located on the pad portion 422 may have a relatively large diameter, a first width W1, or a thickness of a cross section due to agglomeration, so that reflection by the first wiring portion 1421 The diffuse reflection characteristic can be improved. Thus, the output of the solar cell panel 100 can be improved.

상술한 바에 따른 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects and the like according to the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

150: 태양 전지
42: 제1 전극
44: 제2 전극
42a: 핑거 라인
42b: 버스바 라인
421: 라인부
422: 패드부
142: 배선재
1421: 제1 배선부
1422: 제2 배선부 150: Solar cell
42: first electrode
44: Second electrode
42a: Finger line
42b: bus bar line
421:
422:
142: wiring material
1421: first wiring portion
1422: second wiring portion

Claims (20)

반도체 기판, 그리고 상기 반도체 기판의 전면에 형성되는 전면 전극, 상기 반도체 기판의 후면에 형성되는 후면 전극을 각기 포함하는 복수의 태양 전지; 및
상기 복수의 태양 전지 중 이웃한 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지에 대해,
상기 제1 태양 전지의 전면 전극과 상기 제2 태양 전지의 후면 전극을 전기적으로 연결하는 복수의 배선재;를 포함하고,
상기 전면 전극 또는 후면 전극은 상기 배선재가 부착되는 복수의 패드부를 포함하고,
상기 복수의 배선재는 각각 단면이 원형 또는 타원형상을 가지는 금속 코어층과 상기 코어층의 외면에 위치하는 솔더층을 포함하고,
상기 배선재는, 상기 복수의 패드부에 연결되는 제1 배선부와, 상기 패드부 이외의 부분에 위치하는 제2 배선부를 포함하고,
상기 제1 배선부의 상기 금속 코어층 상부에 형성된 상기 솔더층의 제1 상부 부분 두께가 상기 제2 배선부의 상기 금속 코어층 상부에 형성된 상기 솔더층의 제2 상부 부분 두께보다 크며, 상기 배선재는 6개 내지 33개인 태양 전지 패널. A plurality of solar cells each including a front surface electrode formed on a front surface of the semiconductor substrate and a rear surface electrode formed on a rear surface of the semiconductor substrate; And
For the neighboring first solar cell and the second solar cell of the plurality of solar cells,
And a plurality of wiring members electrically connecting the front electrode of the first solar cell and the rear electrode of the second solar cell,
Wherein the front electrode or the rear electrode includes a plurality of pad portions to which the wiring material is attached,
Wherein the plurality of wiring materials each include a metal core layer having a circular or elliptical cross section and a solder layer located on an outer surface of the core layer,
Wherein the wiring material includes a first wiring portion connected to the plurality of pad portions and a second wiring portion located in a portion other than the pad portion,
The thickness of the first upper portion of the solder layer formed on the upper portion of the metal core layer of the first wiring portion is larger than the thickness of the second upper portion of the solder layer formed on the upper portion of the metal core layer of the second wiring portion, To 33 solar cell panels. 제1항에 있어서,
상기 제2 배선부의 두께 : 상기 제1 배선부의 두께 비율이 1:1.05 내지 1:1.5인 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
And the thickness of the second wiring portion: the thickness ratio of the first wiring portion is 1: 1.05 to 1: 1.5. 제1항에 있어서,
상기 패드부에 인접한 상기 제1 배선부의 폭보다 상기 제1 배선부의 두께가 작은 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
Wherein a thickness of the first wiring portion is smaller than a width of the first wiring portion adjacent to the pad portion. 제3항에 있어서,
상기 패드부에 인접한 상기 제1 배선부의 폭 : 상기 제1 배선부의 두께의 비율이 1:0.3 내지 1:0.6인 태양 전지 패널. The method of claim 3,
Wherein a ratio of a width of the first wiring portion adjacent to the pad portion to a thickness of the first wiring portion is 1: 0.3 to 1: 0.6. 제1항에 있어서,
상기 제1 배선부에서 상기 코어층과 상기 패드부 사이에 상기 솔더층이 위치하지 않거나, 상기 코어층과 상기 패드부 사이에 위치하는 상기 솔더층의 하부 부분의 두께가 상기 태양 전지에서 멀리 위치하는 상기 솔더층의 상부 부분의 두께보다 작은 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
The solder layer is not located between the core layer and the pad portion in the first wiring portion or the thickness of the lower portion of the solder layer located between the core layer and the pad portion is far from the solar cell Wherein the thickness of the upper portion of the solder layer is smaller than the thickness of the upper portion of the solder layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 배선부에서 상기 태양 전지에서 멀리 위치하는 상기 솔더층의 상부 부분의 두께가 상기 제2 배선부에서 상기 태양 전지에서 멀리 위치하는 상기 솔더층의 상부 부분의 두께보다 큰 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
Wherein a thickness of an upper portion of the solder layer located away from the solar cell in the first wiring portion is larger than a thickness of an upper portion of the solder layer located farther from the solar cell in the second wiring portion. 제1항에 있어서,
상기 코어층의 폭이 250um 내지 500um인,
태양 전지 패널.The method according to claim 1,
Wherein the core layer has a width of 250 mu m to 500 mu m,
Solar panels. 제7항에 있어서,
상기 제1 배선부의 두께가 265.5um 내지 870um이며,
상기 제2 배선부의 두께가 250um 내지 580um인 태양 전지 패널. 8. The method of claim 7,
Wherein the first wiring portion has a thickness of 265.5 um to 870 um,
And the thickness of the second wiring portion is 250um to 580um. 제1항에 있어서,
상기 제1 배선부는 상기 태양 전지에 인접한 부분에서 상기 태양 전지에 가까워질수록 폭이 점진적으로 커지고,
상기 제2 배선부는 상기 태양 전지에 인접한 부분에서 상기 태양 전지에 가까워질수록 폭이 점진적으로 작아지는 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
The width of the first wiring portion gradually increases from the portion adjacent to the solar cell toward the solar cell,
And the width of the second wiring portion gradually decreases from the portion adjacent to the solar cell toward the solar cell. 제1항에 있어서,
길이 방향에 수직하는 상기 제1 배선부의 단면에서 상기 태양 전지와 멀리 위치하는 부분과 상기 태양 전지에 인접한 부분 사이에 변곡점이 위치하는 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
Wherein an inflection point is located between a portion of the first wiring portion that is perpendicular to the longitudinal direction and a portion of the first wiring portion that is located far from the solar cell and a portion of the first wiring portion that is adjacent to the solar cell. 제1항에 있어서,
길이 방향에 수직하는 상기 제1 배선부의 단면에서 상기 태양 전지와 멀리 위치하는 부분의 외면이 외부를 향하여 볼록한 곡면으로 이루어지는 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
Wherein an outer surface of a portion of the end portion of the first wiring portion perpendicular to the longitudinal direction and located far from the solar cell is a convex curved surface facing outward. 제11항에 있어서,
길이 방향에 수직하는 상기 제1 배선부의 단면에서 상기 태양 전지와 멀리 위치하는 부분이 반원형 또는 반타원형의 형상을 가지는 태양 전지 패널. 12. The method of claim 11,
Wherein a portion of the first wiring portion remote from the solar cell in a cross section perpendicular to the longitudinal direction has a semicircular or semi-elliptic shape. 제1항에 있어서,
상기 태양 전지에 인접한 상기 제1 배선부의 폭이 상기 태양 전지에 인접한 상기 제2 배선부의 폭보다 큰 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
Wherein a width of the first wiring portion adjacent to the solar cell is larger than a width of the second wiring portion adjacent to the solar cell. 제13항에 있어서,
상기 태양 전지에 인접한 상기 제1 배선부의 폭에 대한 상기 태양 전지에 인접한 상기 제2 배선부의 폭이 36% 이하인 태양 전지 패널. 14. The method of claim 13,
Wherein a width of the second wiring portion adjacent to the solar cell with respect to a width of the first wiring portion adjacent to the solar cell is 36% or less. 제1항에 있어서,
상기 전면 전극 및 후면 전극은 상기 패드부보다 작은 폭을 가지는 라인부를 더 포함하고,
상기 제2 배선부가 상기 라인부 위에 위치하며,
상기 배선재가, 코어층과, 상기 코어층의 외면에 위치하는 솔더층을 포함하고,
상기 코어층의 직경이 상기 라인부의 폭보다 큰 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
Wherein the front electrode and the rear electrode further include a line portion having a smaller width than the pad portion,
The second wiring portion is located on the line portion,
Wherein the wiring material includes a core layer and a solder layer located on an outer surface of the core layer,
Wherein a diameter of the core layer is larger than a width of the line portion. 제15항에 있어서,
상기 태양 전지에 인접한 상기 제1 배선부의 폭이 상기 패드부와 같거나 그보다 작고 상기 라인부의 폭보다 큰 태양 전지 패널. 16. The method of claim 15,
Wherein a width of the first wiring portion adjacent to the solar cell is equal to or smaller than a width of the pad portion and larger than a width of the line portion. 제15항에 있어서,
상기 태양 전지에 인접한 상기 제2 배선부의 폭이 상기 라인부와 같거나 그보다 작은 태양 전지 패널. 16. The method of claim 15,
Wherein a width of the second wiring portion adjacent to the solar cell is equal to or smaller than a width of the line portion. 제15항에 있어서,
상기 라인부의 폭이 490um 미만이고,
상기 패드부의 폭이 0.5mm 내지 2mm인 태양 전지 패널. 16. The method of claim 15,
Wherein the width of the line portion is less than 490 탆,
Wherein a width of the pad portion is 0.5 mm to 2 mm. 삭제delete 삭제delete
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