KR101836765B1 - Organic Light Emitting Diode Display Device and Driving Method thereof - Google Patents

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Abstract

구동 트랜지스터의 문턱전압 보상과 넓은 입력전압 범위를 갖는 유기발광다이오드 표시장치와 그 구동방법이 개시된다. 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압을 유기발광소자의 발광 동작이 차단된 상태에서 입력하고, 유기발광소자의 발광시 구동 트랜지스터의 문턱전압에 따라 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압이 조정되어 구동 트랜지스터의 문턱전압 변화를 보상할 수 있으며, 발광시 구동 트랜지스터의 게이트와 소스 사이의 전압 감소로 인한 전류 감소와 기판 바이어스 효과에 따라 넓은 입력전압 범위를 갖는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.An organic light emitting diode display device having a threshold voltage compensation of a driving transistor and a wide input voltage range and a driving method thereof are disclosed. The gate-source voltage of the driving transistor is inputted in a state in which the light-emitting operation of the organic light-emitting element is cut off. When the organic light-emitting element emits light, the gate-source voltage of the driving transistor is adjusted according to the threshold voltage of the driving transistor, And an organic light emitting diode display device having a wide input voltage range according to a substrate bias effect and a current reduction due to a voltage drop between a gate and a source of a driving transistor upon light emission.

Description

유기발광다이오드 표시장치와 그 구동방법{Organic Light Emitting Diode Display Device and Driving Method thereof}[0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of driving the same,

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 구동 트랜지스터의 문턱전압 보상과 넓은 입력 전압 범위를 가지는 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device, and more particularly, to an organic light emitting diode display device having a threshold voltage compensation of a driving transistor and a wide input voltage range, and a driving method thereof.

최근 이동통신의 발달과 함께 생활환경의 변화에 따라 멀티미디어 장치는 보다 경량화된 저전력, 초박형의 디스플레이 장치를 요구하고 있다. 이러한 요구에 부흥하는 새로운 디스플레이 장치 중 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형이기 때문에 액정 표시 장치에 비해 시야각(Viewing Angle), 대조비(Contrast Ratio)등이 우수하며, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다.Background of the Invention [0002] With the recent development of mobile communication and a change in the living environment, a multimedia device is demanding a lighter, lower power, and thin display device. Among these new display devices, organic light emitting displays are self-emitting type, so they have better viewing angles and contrast ratios than liquid crystal display devices, and lightweight thin type can be used because no backlight is needed And is also advantageous in terms of power consumption.

유기 발광 표시 장치는 양극과 음극을 교차되도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는 패시브 매트릭스(Passive Matrix)방식과, 스위칭 트랜지스터에 의해 스위칭되는 구동 전압을 커패시터로 유지시켜 구동 트랜지스터에 인가함으로써 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하는 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로 구분될 수 있다.The organic light emitting display includes a passive matrix type in which an anode and a cathode are formed to intersect with each other and a line is selected and driven and a driving voltage switched by the switching transistor is held by a capacitor to be applied to a driving transistor, And an active matrix (active matrix) method for controlling the flowing current.

하지만, 종래 액티브 매티릭스 방식의 유기 발광 표시 장치는, 구동 트랜지스터의 문턱전압 특성이 유기 발광 표시 패널의 위치에 따라 다르게 나타나는 문제점이 있다. 이러한 문턱전압의 편차는, 박막 트랜지스터 형성공정의 공정 오차에 기인하는 것으로서, 각 화소의 구동 트랜지스터에 동일한 구동 전압을 인가하여도 유기 발광 소자에 흐르는 전류의 차이를 유발시켜 결과적으로 각 화소에 다른 휘도가 표시되게 한다.However, in the conventional active matrix organic light emitting display device, the threshold voltage characteristic of the driving transistor varies according to the position of the organic light emitting display panel. Such a deviation of the threshold voltage is caused by a process error in the thin film transistor forming process. Even if the same driving voltage is applied to the driving transistor of each pixel, a difference in current flowing in the organic light emitting element is caused. As a result, Is displayed.

즉, 구동 트랜지스터의 문턱전압 편차가 유기 발광 표시 패널 내에서 나타나게 되면 휘도의 균일성 불량 및 얼룩으로 시인되게 된다. 반면, 구동 트랜지스터의 문턱전압의 편차가 유기 발광 표시 패널별로 나타나게 되면 패널에 따라 다른 블랙 레벨과 화이트 레벨을 가지게 되므로 패널의 휘도 및 대조비 등 패널마다 패널의 특성이 일정하지 않게 된다. That is, when the threshold voltage deviation of the driving transistor appears in the organic light emitting display panel, the uniformity of brightness and the unevenness are visible. On the other hand, when the deviation of the threshold voltage of the driving transistor is displayed for each organic light emitting display panel, the panel has different black level and white level depending on the panel, so that the panel characteristics such as the brightness and the contrast ratio of the panel are not constant.

또한 좁은 입력 전압 범위에 따른 화질 저하 및 복잡한 화소 구조 때문에 높은 화소 밀도 구현에 문제가 발생된다. 여기서 입력 전압 범위란 전압기입형 유기발광 다이오드의 화소가 최소 밝기(블랙 레벨)의 입력 전압부터 최대 밝기(화이트 레벨)의 입력 전압까지의 범위를 뜻한다. 입력 전압 범위에 의해 계조에 따른 그레이 레벨(gray level)별 LSB 전압의 크기가 결정된다. 그레이 레벨별 LSB 전압이 작을수록 기입된 입력 전압의 변화에 따른 휘도 변화가 크다. 그러므로 입력 전압 범위는 기입된 입력 전압을 변화시키는 요소인 킥백(kick back) 전압과 누설 전류 등과 밀접한 관련이 있기 때문에 전압기입형 화소를 사용하는 디스플레이의 화질에 큰 영향을 미친다. 즉, 입력 전압 범위가 좁은 경우, 높은 계조를 표현하기 위해서는 그레이 레벨별 LSB 전압이 줄어든다. 이런 경우, 킥백 전압 또는 누설 전류와 같은 효과들에 의한 기입된 전압 변화에 의해 휘도 변화가 커 화질이 저하된다. 그에 반해 입력 전압 범위가 높은 경우, 높은 계조에서도 그레이 레벨별 LSB 전압이 크기 때문에, 킥백 전압 또는 누설 전류와 같은 효과들에 의한 영향이 적어 높은 화질을 유지할 수 있다.In addition, due to the image quality deterioration due to the narrow input voltage range and the complicated pixel structure, a problem arises in realizing high pixel density. Here, the input voltage range refers to a range from the input voltage of the minimum brightness (black level) to the input voltage of the maximum brightness (white level) of the voltage-written type organic light emitting diode pixel. The magnitude of the LSB voltage per gray level according to the gradation is determined by the input voltage range. The smaller the LSB voltage per gray level, the greater the change in luminance as the input voltage changes. Therefore, the input voltage range greatly affects the display quality of a display using a voltage-driven pixel because it is closely related to the kickback voltage and the leakage current, which are factors that change the written input voltage. That is, when the input voltage range is narrow, the LSB voltage per gray level is reduced in order to express a high gray level. In such a case, the luminance change is large and the picture quality is degraded by the written voltage change due to the effects such as the kickback voltage or the leakage current. On the other hand, if the input voltage range is high, since the LSB voltage per gray level is high even at a high gradation level, high image quality can be maintained because the effects of the kickback voltage or the leakage current are small.

한국특허공개 10-2009-0006057Korean Patent Publication No. 10-2009-0006057

본 발명은 구동 트랜지스터의 문턱전압 보상과 넓은 입력 전압 범위를 제공하며, 높은 화소 밀도를 위해 간단한 화소 회로를 갖는 유기발광다이오드 표시장치와 그 구동방법을 제공하는데 있다.The present invention provides an organic light emitting diode display device having a simple pixel circuit for high pixel density and a method of driving the same, which provides a threshold voltage compensation and a wide input voltage range of a driving transistor.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 유기발광다이오드; 상기 유기 발광 다이오드가 연결되는 소스와 상기 유기발광다이오드의 구동을 위한 전원 전압이 인가되는 드레인을 가지는 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 소스에 병렬 접속되고, 제어신호에 따라 인가되는 상기 게이트와 소스 사이의 전압을 한 프레임 시간동안 저장시키는 저장 커패시터; 상기 제어신호에 따른 스위칭 동작을 통해 상기 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 공급하기 위한 제1 스위칭 트랜지스터; 및 상기 제어신호에 따른 스위칭 동작을 통해 접지 전원을 상기 유기발광다이오드의 애노드 단자에 공급하기 위한 제2 스위칭 트랜지스터를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising: an organic light emitting diode; A driving transistor having a source to which the organic light emitting diode is connected and a drain to which a power supply voltage for driving the organic light emitting diode is applied; A storage capacitor connected in parallel to a gate and a source of the driving transistor and storing a voltage between the gate and the source applied in accordance with a control signal for one frame time; A first switching transistor for supplying the data voltage to the gate of the driving transistor through a switching operation according to the control signal; And a second switching transistor for supplying the ground power to the anode terminal of the organic light emitting diode through a switching operation according to the control signal.

상기 제2 스위칭 트랜지스터는 상기 구동 트랜지스터의 소스와 상기 유기발광다이오드의 상기 애노드 단자에 공통 접속될 수 있다.The second switching transistor may be connected in common to a source of the driving transistor and the anode terminal of the organic light emitting diode.

상기 제2 스위칭 트랜지스터는 상기 접지 전원과 스위칭시 상기 유기발광다이오드의 발광을 차단할 수 있다.The second switching transistor may cut off the light emission of the organic light emitting diode during switching with the ground power supply.

상기 제1 스위칭 트랜지스터 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터는 상기 제어신호에 따라 동시에 온/오프될 수 있다.The first switching transistor and the second switching transistor may be turned on / off simultaneously according to the control signal.

상기 데이터 전압은 상기 유기발광다이오드의 발광이 차단된 상태에서 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 공급될 수 있다.The data voltage may be supplied to the gate of the driving transistor in a state in which the emission of the organic light emitting diode is blocked.

상기 제어신호는, 상기 제1 스위칭 트랜지스터를 제어하는 제1 제어신호 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터를 제어하는 제2 제어신호를 포함할 수 있다.The control signal may include a first control signal for controlling the first switching transistor and a second control signal for controlling the second switching transistor.

상기 제1 스위칭 트랜지스터가 턴온되고 상기 제2 스위칭 트랜지스터는 턴오프됨에 따라 상기 저장 커패시터에 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압이 저장될 수 있다.The threshold voltage of the driving transistor may be stored in the storage capacitor as the first switching transistor is turned on and the second switching transistor is turned off.

상기 제어신호에 따른 스위칭 동작을 통해 상기 유기발광다이오드에 전류를 공급하는 제3 스위칭 트랜지스터; 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터가 연결되는 드레인과 상기 접지 전원이 연결되는 소스를 가지는 프로그래밍 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.A third switching transistor for supplying a current to the organic light emitting diode through a switching operation according to the control signal; And a programming transistor having a drain to which the second switching transistor is connected and a source to which the ground power is connected.

상기 제어신호는, 상기 제1 스위칭 트랜지스터 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터를 동시 제어하는 제1 제어신호와 상기 제3 스위칭 트랜지스터를 제어하는 제2 제어신호를 포함할 수 있다.The control signal may include a first control signal for simultaneously controlling the first switching transistor and the second switching transistor, and a second control signal for controlling the third switching transistor.

상기 제3 스위칭 트랜지스터는 상기 제2 제어신호에 의한 오프 동작에 의해 상기 유기발광다이오드의 발광이 차단될 수 있다.The third switching transistor may be turned off by the second control signal.

상기 구동 트랜지스터 및 상기 프로그래밍 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터 또는 PMOS 트랜지스터일 수 있다.The driving transistor and the programming transistor may be NMOS transistors or PMOS transistors.

상기 구동 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터이며, 상기 구동 트랜지스터의 소스에 연결되고, 스위칭 동작을 통해 상기 구동 트랜지스터에 상기 전원 전압을 인가하는 제3 스위칭 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.The driving transistor may be a PMOS transistor and may further include a third switching transistor connected to a source of the driving transistor and applying the power source voltage to the driving transistor through a switching operation.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 디스플레이 장치는 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 유기발광다이오드 표시장치를 포함하는 패널부; 상기 패널부로 입력 데이터 신호를 인가하는 데이터 드라이버; 상기 패널부로 게이트 신호를 인가하는 게이트 드라이버; 상기 유기발광다이오드에서 발광하는 광신호 및 온도를 감지하는 센서부; 및 상기 센서부에서 출력되는 신호를 인가받고 상기 인가되는 신호에 따라 상기 데이터 드라이버로 휘도 편차를 보상하는 신호를 전달하는 신호 제어부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device including: a panel unit including the organic light emitting diode display device according to any one of claims 1 to 12; A data driver for applying an input data signal to the panel unit; A gate driver for applying a gate signal to the panel unit; A sensor unit for sensing an optical signal emitted from the organic light emitting diode and a temperature; And a signal controller receiving a signal output from the sensor unit and transmitting a signal for compensating for the brightness deviation to the data driver according to the applied signal.

상기 센서부는, 상기 유기발광다이오드의 광신호 및 온도를 감지하는 센서; 상기 유기발광다이오드의 기준 휘도를 저장하는 메모리; 및 상기 센서에서 센싱된 상기 유기발광다이오드의 광신호 및 온도 정보를 상기 기준 휘도와 비교하여 연산처리 하는 연산기를 포함할 수 있다.Wherein the sensor unit comprises: a sensor for sensing an optical signal and temperature of the organic light emitting diode; A memory for storing a reference luminance of the organic light emitting diode; And an arithmetic unit for comparing the optical signal and the temperature information of the organic light emitting diode sensed by the sensor with the reference luminance and performing arithmetic processing.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법은 유기발광다이오드; 상기 유기발광다이오드가 연결되는 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 소스에 병렬 접속되고, 제어신호에 따라 인가되는 상기 게이트와 소스 사이에 전압을 한 프레임 시간동안 저장시키는 저장 커패시터; 상기 제어신호에 따라 스위칭 동작하는 제1 스위칭 트랜지스터; 및 상기 제어신호에 따라 스위칭 동작하는 제2 스위칭 트랜지스터를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법에 있어서, 상기 제어신호가 활성화되어 상기 데이터 전압이 인가되는 데이터 기입 단계; 및 상기 제어신호가 비활성화되고, 상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압에 의해 상기 유기발광다이오드가 발광하는 발광 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of driving an organic light emitting diode (OLED) display device including: an organic light emitting diode; A driving transistor connected to the organic light emitting diode; A storage capacitor connected in parallel to the gate and the source of the driving transistor and storing a voltage between the gate and the source applied in accordance with a control signal for one frame time; A first switching transistor for switching according to the control signal; And a second switching transistor switching according to the control signal, the method comprising: a data writing step of applying the data voltage by activating the control signal; And a light emitting step in which the control signal is inactivated and the organic light emitting diode emits light by a gate-source voltage of the driving transistor.

상기 제1 스위칭 트랜지스터 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터는 상기 제어신호에 따라 동시에 온/오프될 수 있다.The first switching transistor and the second switching transistor may be turned on / off simultaneously according to the control signal.

상기 데이터 기입 단계에서 상기 제2 스위칭 트랜지스터의 턴온에 의해 상기 유기발광다이오드는 발광 동작이 차단될 수 있다.The light emitting operation of the organic light emitting diode may be cut off by turning on the second switching transistor in the data writing step.

상기 상기 데이터 기입 단계는, 상기 제어신호에 의해 상기 제1 스위칭 트랜지스터 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터가 턴온되어, 상기 데이터 전압이 상기 유기발광다이오드의 발광이 차단된 상태에서 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 공급될 수 있다.The data writing step may include a step of controlling the first switching transistor and the second switching transistor by the control signal so that the data voltage is supplied to the gate of the driving transistor in a state in which the light emission of the organic light emitting diode is cut off .

상기 발광 단계는, 상기 제1 스위칭 트랜지스터 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터가 오프되고, 상기 유기발광다이오드의 애노드 전압을 통해 형성되는 상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압에 의해 상기 유기발광다이오드가 발광 동작을 수행할 수 있다.In the light emitting step, the first switching transistor and the second switching transistor are turned off, and the organic light emitting diode performs the light emitting operation by the gate-source voltage of the driving transistor formed through the anode voltage of the organic light emitting diode can do.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법은 유기발광다이오드; 상기 유기발광다이오드가 연결되는 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 소스에 병렬 접속되고, 제어신호에 따라 인가되는 상기 게이트와 소스 사이에 전압을 한 프레임 시간동안 저장시키는 저장 커패시터; 상기 제어신호에 따른 스위칭 동작하는 제1 스위칭 트랜지스터; 및 상기 제어신호에 따라 스위칭 동작하는 제2 스위칭 트랜지스터를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법에 있어서, 상기 구동 트랜지스터의 게이트에는 기준전압이 인가되고, 소스에는 접지 전원이 연결되는 초기화 단계; 상기 저장 커패시터에 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압이 저장되는 문턱전압 샘플링 단계; 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 상기 데이터 전압이 인가되는 데이터 기입 단계; 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압에 의해 상기 유기발광다이오드의 밝기가 결정되는 발광 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of driving an organic light emitting diode (OLED) display device including: an organic light emitting diode; A driving transistor connected to the organic light emitting diode; A storage capacitor connected in parallel to the gate and the source of the driving transistor and storing a voltage between the gate and the source applied in accordance with a control signal for one frame time; A first switching transistor for switching according to the control signal; And a second switching transistor for switching in accordance with the control signal, the method comprising: initializing a gate of the driving transistor with a reference voltage and a source connected to a ground voltage; A threshold voltage sampling step of storing a threshold voltage of the driving transistor in the storage capacitor; A data writing step in which the data voltage is applied to a gate of the driving transistor; And a light emitting step in which the brightness of the organic light emitting diode is determined by a gate-source voltage of the driving transistor.

상기 제어신호는 상기 제1 스위칭 트랜지스터를 제어하는 제1 제어신호 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터를 제어하는 제2 제어신호를 포함할 수 있다.The control signal may include a first control signal for controlling the first switching transistor and a second control signal for controlling the second switching transistor.

상기 초기화 단계에서 상기 제2 스위칭 트랜지스터의 턴온에 의해 상기 유기발광다이오드는 발광 동작이 차단될 수 있다.The light emitting operation of the organic light emitting diode may be interrupted by turning on the second switching transistor in the initialization step.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법은 유기발광다이오드; 상기 유기발광다이오드가 연결되는 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 소스에 병렬 접속되고, 제1 제어신호에 따라 인가되는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트와 소스 사이의 전압을 한 프레임 시간동안 저장시키는 저장 커패시터; 상기 제1 제어신호에 따라 스위칭 동작하는 제1 스위칭 트랜지스터; 상기 제1 제어신호에 따라 스위칭 동작하는 제2 스위칭 트랜지스터; 제2 제어신호에 따라 스위칭 동작하는 제3 스위칭 트랜지스터; 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터와 연결되는 프로그래밍 트랜지스터를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법에 있어서, 상기 제1 제어신호가 활성화되어 상기 데이터 전압이 인가되는 데이터 기입 단계; 및 상기 제1 제어신호가 비활성화되고, 상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압에 의해 상기 유기발광다이오드가 발광하는 발광 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of driving an organic light emitting diode (OLED) display device including: an organic light emitting diode; A driving transistor connected to the organic light emitting diode; A storage capacitor connected in parallel to the gate and the source of the driving transistor and storing a voltage between the gate and the source of the driving transistor ND applied in accordance with the first control signal for one frame time; A first switching transistor switching according to the first control signal; A second switching transistor switching according to the first control signal; A third switching transistor switching according to a second control signal; And a programming transistor connected to the second switching transistor, the method comprising: a data writing step in which the first control signal is activated to apply the data voltage; And a light emitting step in which the first control signal is inactivated and the organic light emitting diode emits light by a gate-source voltage of the driving transistor.

상기 데이터 기입 단계는, 상기 제1 제어신호에 의해 상기 제1 스위칭 트랜지스터 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터가 턴온되고, 상기 제2 제어신호에 의해 상기 제3 스위칭 트랜지스터가 턴오프되어, 상기 데이터 전압이 상기 유기발광다이오드의 발광이 차단된 상태에서 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 공급될 수 있다.Wherein the data writing step is a step in which the first switching transistor and the second switching transistor are turned on by the first control signal and the third switching transistor is turned off by the second control signal, And may be supplied to the gate of the driving transistor in a state in which the emission of the organic light emitting diode is cut off.

상기 데이터 기입 단계에서 형성되는 상기 구동 트랜지스터의 소스전압은 상기 구동 트랜지스터와 상기 프로그래밍 트랜지스터의 상호컨덕턴스(transconductance)에 의해 형성되는 전압이 인가될 수 있다.A source voltage of the driving transistor formed in the data writing step may be a voltage formed by a transconductance of the driving transistor and the programming transistor.

상기 발광 단계는, 상기 제1 제어신호에 의해 상기 제1 스위칭 트랜지스터 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터가 턴오프되고, 상기 제2 제어신호에 의해 상기 제3 스위칭 트랜지스터가 턴온되어, 상기 유기발광다이오드의 애노드 전압을 통해 형성되는 상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압에 의해 상기 유기발광다이오드가 발광 동작을 수행할 수 있다.And the third switching transistor is turned on by the second control signal, and the anode of the organic light emitting diode is turned on by the first control signal, The organic light emitting diode can perform the light emitting operation by the gate-source voltage of the driving transistor formed through the voltage.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법은 유기발광다이오드; 상기 유기발광다이오드가 연결되는 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 소스에 병렬 접속되고, 제1 제어신호에 따라 인가되는 상기 게이트와 소스 사이에 전압을 한 프레임 시간동안 저장시키는 저장 커패시터; 상기 제1 제어신호에 따라 스위칭 동작하는 제1 스위칭 트랜지스터; 상기 제1 제어신호에 따라 스위칭 동작하는 제2 스위칭 트랜지스터; 및 제2 제어신호에 따라 스위칭 동작하는 제3 스위칭 트랜지스터를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법에 있어서, 상기 구동 트랜지스터의 게이트에는 기준전압이 인가되고, 드레인에는 접지 전원이 연결되는 초기화 단계; 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 상기 데이터 전압이 인가되는 데이터 기입 단계; 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압에 의해 상기 유기발광다이오드의 밝기가 결정되는 발광 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of driving an organic light emitting diode (OLED) display device including: an organic light emitting diode; A driving transistor connected to the organic light emitting diode; A storage capacitor connected in parallel to the gate and the source of the driving transistor and storing a voltage between the gate and the source applied in accordance with the first control signal for one frame time; A first switching transistor switching according to the first control signal; A second switching transistor switching according to the first control signal; And a third switching transistor for performing a switching operation according to a second control signal, the driving method comprising: an initializing step of applying a reference voltage to the gate of the driving transistor and a ground power source to the drain; A data writing step in which the data voltage is applied to a gate of the driving transistor; And a light emitting step in which the brightness of the organic light emitting diode is determined by a gate-source voltage of the driving transistor.

상기 초기화 단계는, 상기 제3 스위칭 트랜지스터가 턴오프 됨에 따라 상기 저장 커패시터에 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압이 저장되는 문턱전압 샘플링 단계를 더 포함할 수 있다.The initializing step may further include a threshold voltage sampling step in which the threshold voltage of the driving transistor is stored in the storage capacitor as the third switching transistor is turned off.

상기 초기화 단계에서 상기 제2 스위칭 트랜지스터의 턴온에 의해 상기 유기발광다이오드는 발광 동작이 차단될 수 있다.The light emitting operation of the organic light emitting diode may be interrupted by turning on the second switching transistor in the initialization step.

상기 발광 단계는, 상기 제3 스위칭 트랜지스터의 턴온에 의해 상기 구동 트랜지스터에 전원 전압이 인가되고, 상기 인가된 전원 전압에 의해 발생되는 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압에 의해 상기 유기발광다이오드가 발광 동작을 수행할 수 있다.Wherein the organic light emitting diode emits light by a gate-source voltage of a driving transistor generated by the applied power supply voltage, Can be performed.

본 발명에 따르면, 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압을 유기발광소자의 발광 동작이 차단된 상태에서 입력하고, 유기발광소자 발광시 구동 트랜지스터의 문턱전압에 따라 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압이 조정됨으로써 구동 트랜지스터의 문턱전압 변화를 보상할 수 있다.According to the present invention, the gate-source voltage of the driving transistor is input in a state in which the light emitting operation of the organic light emitting element is blocked, and the gate-source voltage of the driving transistor is adjusted in accordance with the threshold voltage of the driving transistor The threshold voltage change of the transistor can be compensated.

또한, 입력 데이터 전압에 따른 유기발광다이오드에 흐르는 발광 전류의 변화량이 감소됨으로써 넓은 입력 전압 범위를 가질 수 있고, 발광 전류를 조절하는 것이 가능하여 고화질을 얻을 수 있으며, 트랜지스터의 사이즈 변경을 통해 입력 데이터 전압 범위의 조절이 가능하다.Further, since the amount of change of the light emission current flowing through the organic light emitting diode according to the input data voltage is reduced, it is possible to have a wide input voltage range and to control the light emission current to obtain high image quality. The voltage range can be adjusted.

더 나아가, 화소 회로의 구성을 간단히 함으로써 높은 화소 밀도(PPI) 구현이 가능하며, 본 발명에 따른 화소구조들은 초소형 마이크로 디스플레이부터 대형 TV까지 대상의 크기에 상관없이 적용이 가능하다.Furthermore, the pixel structure of the pixel circuit according to the present invention can be applied regardless of the size of the object from the micro-miniature display to the large-sized TV.

본 발명의 기술적 효과들은 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other technical effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다.
도 2는 상기 도 1에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 구동 타이밍도이다.
도 3은 상기 도 1에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 상기 도 1의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 구동 트랜지스터를 PMOS 트랜지스터를 이용하여 구현한 회로도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다.
도 6는 상기 도 5에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 구동 타이밍도이다.
도 7은 상기 도 5에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8은 상기 도 5의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 구동 트랜지스터를 PMOS 트랜지스터를 이용하여 구현한 회로도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다.
도 10은 상기 도 9에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 구동 타이밍도이다.
도 11은 상기 도 9에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 12는 상기 도 9의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 구동 트랜지스터 및 프로그래밍 트랜지스터를 PMOS 트랜지스터를 이용하여 구현한 회로도이다.
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다.
도 14는 상기 도 13에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 구동 타이밍도이다.
도 15는 상기 도 13에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 16은 상기 도 13의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 구동 트랜지스터를 NMOS 트랜지스터를 이용하여 구현한 회로도이다.
도 17은 본 발명의 유기발광다이오드의 표시장치를 포함하는 디스플레이 장치를 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a circuit diagram showing pixels equivalently in an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
2 is a driving timing diagram for explaining the operation of the equivalent circuit shown in FIG.
3 is a flowchart for explaining the operation of the equivalent circuit shown in FIG.
FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a driving transistor of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of FIG. 1, using a PMOS transistor.
5 is a circuit diagram showing pixels equivalently in an organic light emitting diode display according to a second embodiment of the present invention.
6 is a driving timing chart for explaining the operation of the equivalent circuit shown in FIG.
7 is a flowchart for explaining the operation of the equivalent circuit shown in FIG.
FIG. 8 is a circuit diagram of a driving transistor of the organic light emitting diode display according to the second embodiment of FIG. 5, using a PMOS transistor. Referring to FIG.
9 is a circuit diagram showing pixels equivalently in an organic light emitting diode display according to a third embodiment of the present invention.
10 is a driving timing chart for explaining the operation of the equivalent circuit shown in Fig.
11 is a flowchart for explaining the operation of the equivalent circuit shown in Fig.
FIG. 12 is a circuit diagram of a driving transistor and a programming transistor of the organic light emitting diode display device according to the third embodiment of FIG. 9, using a PMOS transistor.
13 is a circuit diagram showing pixels equivalently in an organic light emitting diode display device according to a fourth embodiment of the present invention.
14 is a driving timing chart for explaining the operation of the equivalent circuit shown in Fig.
FIG. 15 is a flowchart for explaining the operation of the equivalent circuit shown in FIG.
FIG. 16 is a circuit diagram of an organic light emitting diode display device according to the fourth embodiment of FIG. 13, in which driving transistors are implemented using NMOS transistors.
17 is a view showing a display device including a display device of the organic light emitting diode of the present invention.

본 발명은 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

이하, 본 발명에 따른 실시 예들을 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Referring to the accompanying drawings, the same or corresponding components are denoted by the same reference numerals, .

제1 실시예First Embodiment

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다.FIG. 1 is a circuit diagram showing pixels equivalently in an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(100)는 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(ND), 저장 커패시터(CSTG), 제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)를 포함한다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting diode display 100 according to a first embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor ND, a storage capacitor CSTG, a first switching transistor ST1, And a second switching transistor ST2.

유기발광다이오드(OLED)는 발광층을 가지는 발광 다이오드로서, 애노드(Anode) 전극이 구동 트랜지스터(ND)의 소스에 연결되고, 캐소드(Cathode) 전극이 저전위 전압원(ELVSS)에 연결된다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(ND)로부터 구동 전류를 제공받아 빛을 방출한다.The organic light emitting diode (OLED) is a light emitting diode having a light emitting layer. An anode electrode is connected to the source of the driving transistor ND and a cathode electrode is connected to the low potential voltage source ELVSS. The organic light emitting diode OLED receives driving current from the driving transistor ND and emits light.

구동 트랜지스터(ND)는 드레인이 고전위 전압원(ELVDD)에 연결되고, 소스는 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극이 연결되며, 게이트에 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 출력 단자가 연결된다. 구동 트랜지스터(ND)는 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)를 통하여 게이트로 제공되는 데이터 전압(VDATA)에 응답하여 구동 전류를 유기발광다이오드(OLED)에 제공한다. 바람직하게는 제1 실시예에 따른 구동 트랜지스터(ND)는 NMOS 트랜지스터일 수 있다. 이러한 구동 트랜지스터(ND)는 PMOS 트랜지스터로도 구성될 수도 있으나 NMOS 트랜지스터와 PNMOS 트랜지스터는 서로 상보형(complementary)이므로 PMOS 트랜지스터의 동작과 전압 및 전류는 NMOS 트랜지스터와 반대가 될 수 있다.The driving transistor ND has a drain connected to the high potential source ELVDD, a source connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED, and an output terminal connected to the gate of the first switching transistor ST1. The driving transistor ND provides a driving current to the organic light emitting diode OLED in response to the data voltage VDATA provided to the gate through the first switching transistor ST1. Preferably, the driving transistor ND according to the first embodiment may be an NMOS transistor. The NMOS transistor and the PNMOS transistor are complementary to each other, so that the operation and voltage and current of the PMOS transistor may be opposite to that of the NMOS transistor.

저장 커패시터(CSTG)는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트와 소스에 병렬 접속되고, 제어신호에 따라 인가되는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트와 소스 사이의 전압을 한 프레임 시간동안 저장시킨다.The storage capacitor CSTG is connected in parallel to the gate and the source of the driving transistor ND and stores the voltage between the gate and the source of the driving transistor ND applied in accordance with the control signal for one frame time.

제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 입력단자가 데이터라인(DL)에 연결되고, 출력 단자가 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에 연결되며, 제어단자가 스캔라인(GL)에 연결된다. 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 스캔라인(GL)을 통해 제공되는 스캔신호(SCAN)에 응답하여 스위칭 동작을 통해 데이터 전압(VDATA)을 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에 제공한다.The first switching transistor ST1 has an input terminal connected to the data line DL, an output terminal connected to the gate of the driving transistor ND, and a control terminal connected to the scan line GL. The first switching transistor ST1 provides a data voltage VDATA to the gate of the driving transistor ND through a switching operation in response to a scan signal SCAN provided through the scan line GL.

제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 입력단자가 노드1(n1)에 연결되고, 출력 단자가 접지 전원(GND)에 연결되며, 제어단자가 스캔라인(GL)에 연결된다. 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 스캔라인(GL)을 통해 제공되는 스캔신호(SCAN)에 응답하여 스위칭 동작을 수행함으로써 노드1(n1)이 접지 전원(GND)과 연결될 수 있다. 즉, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴온에 의해 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작이 차단될 수 있다.The second switching transistor ST2 has an input terminal connected to the node 1 (n1), an output terminal connected to the ground power source (GND), and a control terminal connected to the scan line (GL). The second switching transistor ST2 performs the switching operation in response to the scan signal SCAN provided through the scan line GL so that the node 1 n1 can be connected to the ground power source GND. That is, the light emitting operation of the organic light emitting diode OLED can be cut off by turning on the second switching transistor ST2.

따라서, 스캔신호(SCAN)에 의해 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)와 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 동시에 턴온되면, 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 스위칭에 의해 입력되는 데이터 전압(VDATA)은, 스위칭시 접지 전원(GND)과 연결되는 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)에 기인하여 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작이 차단된 상태에서 저장 커패시터(CSTG)로 입력된다.Therefore, when the first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 are simultaneously turned on by the scan signal SCAN, the data voltage VDATA input by the switching of the first switching transistor ST1 is switched Is inputted to the storage capacitor CSTG in a state where the light emitting operation of the organic light emitting diode OLED is cut off due to the second switching transistor ST2 connected to the ground power supply GND.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(100)는 데이터 전압(VDATA)을 전달하는 데이터라인(DL) 및 스캔신호(SCAN)를 전달하는 스캔라인(GL)을 포함할 수 있다.The organic light emitting diode display 100 according to the first embodiment of the present invention includes a data line DL for transferring a data voltage VDATA and a scan line GL for transferring a scan signal SCAN .

데이터라인(DL)은 화소에 데이터 전압(VDATA)을 전달하고, 열 방향으로 뻗어 있으며 각 데이터라인(DL)들은 서로가 실질적으로 평행하다. 여기서 데이터 전압(VDATA)은 표시 데이터에 대응하는 전압이다.The data line DL carries the data voltage VDATA to the pixel, extends in the column direction, and each data line DL is substantially parallel to each other. Here, the data voltage VDATA is a voltage corresponding to the display data.

스캔라인(GL)은 화소에 스캔신호(SCAN)를 전달하고, 행 방향으로 뻗어 있으며 각 스캔라인(GL)들은 서로가 실질적으로 평행하다. 바람직하게는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(100)는 하나의 화소에 하나의 스캔라인(GL)을 포함하여, 하나의 스캔라인(GL)에 의한 스캔신호(SCAN)를 통해 제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 동시에 온/오프 제어될 수 있다.The scan line GL transmits a scan signal SCAN to the pixels, extends in the row direction, and each scan line GL is substantially parallel to each other. The organic light emitting diode display 100 according to the first embodiment of the present invention includes one scan line GL in one pixel to scan the scan signal SCAN by one scan line GL, The first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 can be turned on / off simultaneously.

상술한 바와같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(100)는 3개의 트랜지스터와 1개의 커패시터를 이용하여 종래에 비해 간단한 회로 구성이 가능하기 때문에 높은 화소 밀도(Pixel Per Inch, PPI) 구현이 가능하다. As described above, the organic light emitting diode display device 100 according to the first embodiment of the present invention uses three transistors and one capacitor to make a circuit configuration simpler than the conventional one, , PPI) can be implemented.

도 2는 상기 도 1에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 구동 타이밍도이다. 2 is a driving timing diagram for explaining the operation of the equivalent circuit shown in FIG.

도 3은 상기 도 1에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.3 is a flowchart for explaining the operation of the equivalent circuit shown in FIG.

도 2 및 도 3을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법을 단계적으로 설명한다.Referring to FIG. 2 and FIG. 3, a driving method of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention will be described step by step.

본 발명의 제1 실시예 따른 유기발광다이오드 표시장치(100)의 구동방법은 스캔신호(SCAN)가 활성화되어 데이터 전압(VDATA)이 인가되는 데이터 기입 단계(S110) 및 스캔신호(SCAN)가 비활성화되고, 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)에 의해 상기 유기발광다이오드(OLED)가 발광하는 발광 단계(S120)를 포함할 수 있다.The driving method of the organic light emitting diode display 100 according to the first embodiment of the present invention includes a data writing step S110 in which a scan signal SCAN is activated and a data voltage VDATA is applied and a scan signal SCAN are inactivated And the light emitting step (S120) in which the organic light emitting diode (OLED) emits light by the gate-source voltage (VGS) of the driving transistor (ND).

보다 구체적으로, 데이터 기입 단계(S110)는 도 2에서 제1 기간(T1)을 포함할 수 있다. 제1 기간(T1)에서는 스캔신호(SCAN)가 하이(high)레벨을 가지며, 스캔신호(SCAN)에 의해 제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 동시에 턴온 된다.More specifically, the data writing step S110 may include the first period T1 in FIG. In the first period T1, the scan signal SCAN has a high level, and the first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 are simultaneously turned on by the scan signal SCAN.

제1 스위칭 트랜지스터(ST1)가 턴온되면 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에 입력 전압인 데이터 전압(VDATA)이 제공되고, 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 턴온과 동시에 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 턴온 됨으로써 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 스위칭에 의해 노드(n1)는 접지 전원(GND)과 연결된다. 이에 따라 구동 트랜지스터(ND)의 소스전압(Vs) 즉, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)은 0V가 된다. 또한, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴온에 의해 구동 트랜지스터(ND)의 전류가 노드(n1)를 통해 접지 전원(GND)으로 흐르기 때문에 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작이 차단된다. When the first switching transistor ST1 is turned on, the data voltage VDATA, which is an input voltage, is supplied to the gate of the driving transistor ND. When the first switching transistor ST1 is turned on, the second switching transistor ST2 is turned on The node n1 is connected to the ground power source GND by switching of the second switching transistor ST2. Accordingly, the source voltage Vs of the driving transistor ND, that is, the anode voltage VANODE of the organic light emitting diode OLED becomes 0V. Also, since the current of the driving transistor ND flows through the node n1 to the ground power source GND by turning on the second switching transistor ST2, the light emitting operation of the organic light emitting diode OLED is interrupted.

따라서, 데이터 기입 단계(S110)에서는 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작이 차단된 상태에서 데이터 전압(VDATA)이 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에 공급되기 때문에 디스플레이의 명암비(contrast ratio)를 증가 시킬 수 있다.Therefore, in the data writing step S110, since the data voltage VDATA is supplied to the gate of the driving transistor ND in a state where the light emitting operation of the organic light emitting diode OLED is blocked, the contrast ratio of the display is increased .

발광 단계(S120)는 도 2에서 제2 기간(T2)을 포함할 수 있다. 제2 기간(T2)에서는 스캔신호(SCAN)가 로우(low)레벨을 가지며, 스캔신호(SCAN)에 의해 제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 동시에 턴오프 되고, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)을 통해 형성되는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스(VGS) 전압에 의해 유기발광다이오드(OLED)가 발광 동작을 수행한다.The light emitting step S120 may include a second period T2 in FIG. In the second period T2, the scan signal SCAN has a low level and the first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 are simultaneously turned off by the scan signal SCAN, The organic light emitting diode OLED performs the light emitting operation by the gate-source (VGS) voltage of the driving transistor ND formed through the anode voltage VANODE of the light emitting diode OLED.

발광 단계(S120)에서 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 발광 전류(IOLED)는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)에 의해 결정되므로, 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 발광 전류(IOLED)는 수학식 1과 같이 나타낼 수 있다.Since the light emitting current IOLED flowing to the organic light emitting diode OLED in the light emitting step S120 is determined by the gate-source voltage VGS of the driving transistor ND, the light emitting current IOLED flowing to the organic light emitting diode OLED ) Can be expressed by Equation (1).

Figure 112017040239909-pat00001
Figure 112017040239909-pat00001

여기서, W는 구동 트랜지스터(ND)의 채널폭(width), L은 구동 트랜지스터(ND)의 채널길이(length), Io는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)이 문턱전압(VTH)과 같을 때 구동 트랜지스터(ND)에 흐르는 전류(residual drain current), VGS는 구동 트랜지스터(ND)의 게이소-소스 전압, VTH는 구동 트랜지스터(ND)의 문턱전압, η는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS) 변화에 의해 변하는 전류의 변화 정도를 나타내는 상수(subthreshold slope factor), VT는 볼츠만 상수(Boltzmann constant)를 나타낸다.Here, W denotes a channel width of the driving transistor ND, L denotes a channel length of the driving transistor ND, Io denotes a gate-source voltage VGS of the driving transistor ND, VGS is the gate-source voltage of the driving transistor ND, VTH is the threshold voltage of the driving transistor ND, and? Is the drain current of the driving transistor ND, A subthreshold slope factor representing the degree of change of the current due to the change of the gate-source voltage VGS of the transistor Q1, and VT represents the Boltzmann constant.

수학식 1에 나타낸 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 발광 전류(IOLED)는 상술한 바와 같이 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)에 의해 결정되어지며, 이는 유기발광다이오드(OLED)의 밝기를 결정한다. 또한, 발광 단계(S120)에서는 스캔신호(SCAN)의 로우레벨에 의해 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 턴오프 되어, 접지 전원(GND)과 노드(n1)가 연결되지 않기 때문에 구동 트랜지스터(ND)의 전류가 유기발광다이오드(OLED)로 흐를 때 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)은 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 발광 전류(IOLED)에 의해 결정된다.The light emitting current IOLED flowing through the organic light emitting diode OLED shown in Equation 1 is determined by the gate-source voltage VGS of the driving transistor ND as described above, Determine the brightness. Since the second switching transistor ST2 is turned off by the low level of the scan signal SCAN in the light emitting step S120 and the ground power source GND and the node n1 are not connected, The anode voltage VANODE of the organic light emitting diode OLED is determined by the light emission current IOLED flowing through the organic light emitting diode OLED when the current of the organic light emitting diode OLED flows into the organic light emitting diode OLED.

따라서, 변화한 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)은 수학식 2와 같이 나타낼 수 있다.Therefore, the anode voltage VANODE of the changed organic light emitting diode OLED can be expressed by Equation (2).

Figure 112017040239909-pat00002
Figure 112017040239909-pat00002

여기서, ELVSS는 저전위 전압원, n은 유기발광소자의 특성을 나타내는 상수(empirical constant), IOLED는 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류, Is는 유기발광다이오드(OLED)에 역바이어스가 걸리면 흐르는 전류(reverse saturation current)를 나타낸다. IOLED is a current flowing to an organic light emitting diode (OLED), Is is a current flowing when a reverse bias is applied to the organic light emitting diode (OLED), and EL is a low potential voltage source, n is an empirical constant indicating the characteristics of the organic light emitting diode, (reverse saturation current).

이때 변화한 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)으로 인해 저장 커패시터(CSTG)와 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에서 발생된 기생 커패시턴스 간의 전기용량결합효과(Capacitive coupling effect)로 구동 트랜지스터(ND)의 게이트 전압(VG)이 변하게 되며, 변화한 구동 트랜지스터의 게이트 전압(VG)은 수학식 3과 같이 나타낼 수 있다.Due to the capacitive coupling effect between the storage capacitor CSTG and the parasitic capacitance generated at the gate of the driving transistor ND due to the anode voltage VANODE of the changed organic light emitting diode OLED, The gate voltage VG of the driving transistor is changed, and the gate voltage VG of the changed driving transistor can be expressed by Equation (3).

Figure 112017040239909-pat00003
Figure 112017040239909-pat00003

여기서, VDATA는 데이터 전압, CSTG는 저장 커패시터, CGATE,ND는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에서 발생된 기생 커패시턴스, VANODE는 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압을 나타낸다. Here, VDATA denotes a data voltage, CSTG denotes a storage capacitor, CGATE, ND denotes a parasitic capacitance generated at the gate of the driving transistor ND, and VANODE denotes an anode voltage of the organic light emitting diode OLED.

구동 트랜지스터(ND)의 게이트 전압(VG)이 수학식 3과 같이 결정되기 때문에, 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)은 수학식 4와 같이 나타낼 수 있다.The gate-source voltage VGS of the driving transistor ND can be expressed by the following equation (4), since the gate voltage VG of the driving transistor ND is determined as shown in equation (3).

Figure 112017040239909-pat00004
Figure 112017040239909-pat00004

따라서, 수학식 1과 수학식 4에 의해 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 발광 전류(IOLED)는 수학식 5와 같이 나타낼 수 있다.Accordingly, the light emission current IOLED flowing through the organic light emitting diode OLED according to Equations (1) and (4) can be expressed by Equation (5).

Figure 112017040239909-pat00005
Figure 112017040239909-pat00005

수학식 5를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(100)는 구동 트랜지스터(ND)의 문턱전압(VTH)이 공정 변화로 인해 변화하면 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작시에 구동 트랜지스터(ND)에서 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류의 크기 또한 변하여 문턱전압(VTH) 변화에 따른 발광전류의 변화를 보상할 수 있다. 즉, 수학식 4와 수학식 5에서와 같이 문턱전압(VTH)이 증가하면 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)이 감소하고, 이에 따라 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)이 증가하여 문턱전압(VTH) 증가에 의한 전류의 변화를 보상할 수 있고, 반대로 문턱전압(VTH)이 감소하면 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)이 증가하고, 이에 따라 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)이 감소하여 문턱전압(VTH) 감소에 의한 전류의 변화를 보상할 수 있다.Referring to Equation (5), the organic light emitting diode display 100 according to the first embodiment of the present invention is configured such that when the threshold voltage VTH of the driving transistor ND changes due to a process change, The magnitude of the current flowing from the driving transistor ND to the organic light emitting diode OLED also changes during the light emitting operation to compensate for the change in the light emitting current according to the change in the threshold voltage VTH. That is, as shown in Equations (4) and (5), when the threshold voltage VTH increases, the anode voltage VANODE of the organic light emitting diode OLED decreases and accordingly the gate-source voltage VGS The anode voltage VANODE of the organic light emitting diode OLED is increased when the threshold voltage VTH is decreased, The gate-source voltage VGS of the transistor ND is reduced and the change of the current due to the decrease of the threshold voltage VTH can be compensated.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(100)는 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)의 증가와 기판 바이어스 효과(Body effect)를 이용하여 작은 전류 레벨을 쉽게 제어 할 수 있는 넓은 입력전압 범위를 제공함으로써, 종래의 좁은 입력전압 범위 때문에 발생되는 화질 저하에 대한 문제를 해결할 수 있다. 즉, 데이터 기입 단계(S110)에서 인가되는 입력전압인 데이터 전압(VDATA)이 증가하게 되면, 발광 단계(S120)에서 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 발광 전류(IOLED)의 크기가 증가되고, 이에 따라 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)이 더욱 증가한다. 또한, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)이 증가함으로써 구동 트랜지스터(ND)의 소스와 기판 사이에 역바이어스가 발생되어 기판 바이어스 효과(Body Effect)에 의해 구동 트랜지스터(ND)의 문턱전압(VTH)이 상승한다. 따라서, 입력 전압인 데이터 전압(VDATA)에 의한 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 발광 전류(IOLED)의 변화량이 줄어들게 되므로 넓은 입력 전압 범위를 갖는다.The organic light emitting diode display 100 according to the first embodiment of the present invention can easily generate a small current level using an increase in the anode voltage VANODE of the organic light emitting diode OLED and a substrate bias effect By providing a wide input voltage range that can be controlled, the problem of picture quality degradation caused by the conventional narrow input voltage range can be solved. That is, when the data voltage VDATA, which is an input voltage applied in the data writing step S110, is increased, the size of the light emitting current IOLED flowing to the organic light emitting diode OLED in the light emitting step S120 is increased The anode voltage VANODE of the organic light emitting diode OLED is further increased. Further, since the anode voltage VANODE of the organic light emitting diode OLED increases, a reverse bias is generated between the source of the driving transistor ND and the substrate, and the threshold voltage of the driving transistor ND (VTH) increases. Therefore, the amount of change of the light emission current IOLED flowing through the organic light emitting diode OLED by the data voltage VDATA, which is an input voltage, is reduced, so that it has a wide input voltage range.

도 4는 도 1의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 구동 트랜지스터를 PMOS 트랜지스터를 이용하여 구현한 회로도이다.FIG. 4 is a circuit diagram of a driving transistor of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of FIG. 1, using a PMOS transistor.

상술한 제1 실시예는 구동 트랜지스터(ND)를 NMOS 트랜지스터를 이용한 회로구성이었으나, 구동 트랜지스터(ND)를 PMOS 트랜지스터를 이용해도 동일한 동작 특성을 갖는 회로 구성이 가능하다. 즉, 구동 트랜지스터(PD)를 PMOS 트랜지스트를 이용한 회로는 도 4에서와 같이 구동 트랜지스터(PD)의 드레인이 저전위 전압원(ELVSS)에 연결되고, 소스는 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극이 연결되며, 게이트에는 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 출력 단자가 연결된다. 유기발광다이오드(OLED)는 캐소드 전극이 구동 트랜지스터(PD)의 소스에 연결되고, 애노드 전극이 고전위 전압원(ELVDD)에 연결된다. 또한, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 고전위 전압원(ELVDD)에 연결되게 구성함으로써 구동 트랜지스터(ND)를 NMOS 트랜지스터를 이용한 회로구성과 동일한 동작 특성을 가질 수 있다.The above-described first embodiment has a circuit configuration in which the driving transistor ND is an NMOS transistor, but a circuit configuration having the same operating characteristics can be realized even when the driving transistor ND is a PMOS transistor. 4, the drain of the driving transistor PD is connected to the low potential voltage source ELVSS, and the source of the driving transistor PD is connected to the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED And an output terminal of the first switching transistor ST1 is connected to the gate thereof. In the organic light emitting diode OLED, the cathode electrode is connected to the source of the driving transistor PD, and the anode electrode is connected to the high potential voltage source ELVDD. Further, by configuring the second switching transistor ST2 to be connected to the high potential source ELVDD, the driving transistor ND can have the same operation characteristics as the circuit configuration using the NMOS transistor.

제2 실시예Second Embodiment

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다.5 is a circuit diagram showing pixels equivalently in an organic light emitting diode display according to a second embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(200)는 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(ND), 저장 커패시터(CSTG), 제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)를 포함한다. 또한, 본 발명의 제2 실시예에는 데이터 전압(VDATA)을 전달하는 데이터라인(DL) 외에 제1 제어신호를 전달하는 스캔라인(GL) 및 제2 제어신호를 전달하는 초기화라인(IL)을 포함할 수 있다. 바람직하게는 제1 제어신호는 스캔신호(SCAN)일 수 있으며, 제2 제어신호는 초기화신호(INIT)일 수 있다.5, an organic light emitting diode display 200 according to a second exemplary embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode OLED, a driving transistor ND, a storage capacitor CSTG, a first switching transistor ST1, And a second switching transistor ST2. In the second embodiment of the present invention, a scan line GL for transferring a first control signal and an initialization line IL for transferring a second control signal are provided in addition to a data line DL for transferring a data voltage VDATA. . Preferably, the first control signal may be a scan signal SCAN, and the second control signal may be an initialization signal INIT.

유기발광다이오드(OLED)는 발광층을 가지는 발광 다이오드로서, 애노드(Anode) 전극이 구동 트랜지스터(ND)의 소스에 연결되고, 캐소드(Cathode) 전극이 저전위 전압원(ELVSS)에 연결된다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(ND)로부터 구동 전류를 제공받아 빛을 방출한다.The organic light emitting diode (OLED) is a light emitting diode having a light emitting layer. An anode electrode is connected to the source of the driving transistor ND and a cathode electrode is connected to the low potential voltage source ELVSS. The organic light emitting diode OLED receives driving current from the driving transistor ND and emits light.

구동 트랜지스터(ND)는 드레인에 고전위 전압원(ELVDD)이 연결되고, 소스에 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극이 연결되며, 게이트에 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 출력 단자가 연결된다. 구동 트랜지스터(ND)는 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)를 통하여 게이트로 제공되는 데이터 전압(VDATA)에 응답하여 구동 전류를 유기발광다이오드(OLED)에 제공한다. 바람직하게는 제2 실시예에 따른 구동 트랜지스터(ND)는 NMOS 트랜지스터일 수 있다. 이러한 구동 트랜지스터(ND)는 PMOS 트랜지스터로도 구성될 수도 있으나 NMOS 트랜지스터와 PNMOS 트랜지스터는 서로 상보형(complementary)이므로 PMOS 트랜지스터의 동작과 전압 및 전류는 NMOS 트랜지스터와 반대가 될 수 있다.The driving transistor ND has a drain connected to the high potential source ELVDD, a source connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED, and a gate connected to the output terminal of the first switching transistor ST1. The driving transistor ND provides a driving current to the organic light emitting diode OLED in response to the data voltage VDATA provided to the gate through the first switching transistor ST1. Preferably, the driving transistor ND according to the second embodiment may be an NMOS transistor. The NMOS transistor and the PNMOS transistor are complementary to each other, so that the operation and voltage and current of the PMOS transistor may be opposite to that of the NMOS transistor.

저장 커패시터(CSTG)는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트와 소스에 병렬 접속되고, 제어신호에 따라 인가되는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트와 소스 사이의 전압을 한 프레임 시간동안 저장시킨다.The storage capacitor CSTG is connected in parallel to the gate and the source of the driving transistor ND and stores the voltage between the gate and the source of the driving transistor ND applied in accordance with the control signal for one frame time.

제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 입력단자가 데이터라인(DL)에 연결되고, 출력 단자가 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에 연결되며, 제어단자가 제1 제어신호를 인가하는 스캔라인(GL)에 연결된다. 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 스캔라인(GL)을 통해 제공되는 스캔신호(SCAN)에 응답하여 스위칭 동작을 통해 데이터 전압(VDATA)을 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에 제공한다.The first switching transistor ST1 has an input terminal connected to the data line DL, an output terminal connected to the gate of the driving transistor ND, and a control terminal connected to the scan line GL for applying the first control signal . The first switching transistor ST1 provides a data voltage VDATA to the gate of the driving transistor ND through a switching operation in response to a scan signal SCAN provided through the scan line GL.

제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 입력단자가 노드1(n1)에 연결되고, 출력 단자가 접지 전원(GND)에 연결되며, 제어단자가 제2 제어신호를 인가하는 초기화라인(IL)에 연결된다. 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 초기화라인(IL)을 통해 제공되는 초기화신호(INIT)에 응답하여 스위칭 동작을 수행함으로써 노드1(n1)이 접지 전원(GND)과 연결될 수 있다. 즉, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴온에 의해 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작이 차단될 수 있다.The second switching transistor ST2 has an input terminal connected to the node 1 (n1), an output terminal connected to the ground power source GND, and a control terminal connected to the initialization line IL to which the second control signal is applied . The node 1 (n1) can be connected to the ground power source (GND) by performing the switching operation in response to the initialization signal INIT provided by the second switching transistor ST2 through the initialization line IL. That is, the light emitting operation of the organic light emitting diode OLED can be cut off by turning on the second switching transistor ST2.

따라서, 스캔신호(SCAN)와 초기화신호(INIT)가 동시에 하이레벨의 신호를 인가하면 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)와 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 턴온되며, 이에 따라 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 스위칭에 의해 입력되는 데이터 전압(VDATA)은, 스위칭시 접지 전원(GND)과 연결되는 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)에 기인하여 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작이 차단된 상태에서 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에 공급된다.Therefore, when the scan signal SCAN and the initialization signal INIT simultaneously apply a high level signal, the first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 are turned on, and accordingly, the first switching transistor ST1 is turned on. The data voltage VDATA input by the switching of the organic light emitting diode OLED is turned off in the state where the light emitting operation of the organic light emitting diode OLED is cut off due to the second switching transistor ST2 connected to the ground power supply GND at the time of switching. ND).

데이터라인(DL)은 화소에 데이터 전압(VDATA)을 전달하고, 열 방향으로 뻗어 있으며 각 데이터라인(DL)들은 서로가 실질적으로 평행하다. 여기서 데이터 전압(VDATA)은 표시 데이터에 대응하는 전압이다.The data line DL carries the data voltage VDATA to the pixel, extends in the column direction, and each data line DL is substantially parallel to each other. Here, the data voltage VDATA is a voltage corresponding to the display data.

스캔라인(GL)과 초기화라인(IL)은 화소에 각각 스캔신호(SCAN) 및 초기화신호(INIT)를 전달하고, 각각 행 방향으로 뻗어 있으며 각 스캔라인(GL)과 초기화라인(IL)들은 서로가 실질적으로 평행하다. 바람직하게는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 제1 제어신호인 스캔신호(SCAN)가 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)를 제어하며, 제2 제어신호인 초기화신호(INIT)가 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)를 제어할 수 있다.The scan line GL and the initialization line IL each transmit a scan signal SCAN and an initialization signal INIT to the pixels and extend in the row direction. Are substantially parallel. Preferably, the organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention controls the first switching transistor ST1 as a first control signal and the initialization signal INIT as a second control signal, The second switching transistor ST2 can be controlled.

상술한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(200)는 제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)를 제어하는 제어신호만 다르고, 화소 구조는 3개의 트랜지스터와 1개의 커패시터로 제1 실시예와 동일한 구성으로써, 간단한 회로 구성이 가능하기 때문에 종래에 비해 높은 화소 밀도(Pixel Per Inch, PPI) 구현이 가능하다.As described above, the organic light emitting diode display device 200 according to the second embodiment of the present invention differs only in the control signal for controlling the first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2, Transistors and one capacitor can have a simple circuit configuration with the same configuration as that of the first embodiment, so that a pixel density per pixel (PPI) can be realized as compared with the conventional one.

도 6은 상기 도 5에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 구동 타이밍도이다.6 is a driving timing chart for explaining the operation of the equivalent circuit shown in Fig.

도 7은 상기 도 5에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.7 is a flowchart for explaining the operation of the equivalent circuit shown in FIG.

도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(200)의 구동방법을 단계적으로 설명한다.6 and 7, a method of driving the organic light emitting diode display 200 according to the second embodiment of the present invention will be described step by step.

본 발명의 제2 실시예 따른 유기발광다이오드 표시장치(200)의 구동방법은 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에 기준전압(VREF)이 인가되고, 소스에는 접지 전원(GND)이 인가되는 초기화 단계(S210), 저장 커패시터(CSTG)에 구동 트랜지스터(ND)의 문턱전압(VTH)이 저장되는 문턱전압(VTH) 샘플링 단계(S220), 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에 데이터 전압(VDATA)이 인가되는 데이터 기입 단계(S230), 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스(VGS) 전압에 의해 유기발광다이오드(OLED)의 밝기가 결정되는 발광 단계(S240)를 포함할 수 있다.The driving method of the organic light emitting diode display device 200 according to the second embodiment of the present invention includes an initializing step in which a reference voltage VREF is applied to the gate of the driving transistor ND and a ground power source GND is applied to the source thereof A threshold voltage VTH sampling step S220 in which the threshold voltage VTH of the driving transistor ND is stored in the storage capacitor CSTG and a data voltage VDATA is applied to the gate of the driving transistor ND The data writing step S230 and the light emitting step S240 in which the brightness of the organic light emitting diode OLED is determined by the gate-source voltage VGS of the driving transistor ND.

보다 구체적으로, 초기화 단계(S210)는 도 5에서 제1 기간(T1)을 포함할 수 있다. 제1 기간(T1)에서는 스캔신호(SCAN)와 초기화신호(INIT)는 모두 하이레벨을 가지며, 스캔신호(SCAN)에 의해 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)가 턴온되고, 초기화신호(INIT)에 의해 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 턴온된다.More specifically, the initialization step S210 may include the first period T1 in FIG. In the first period T1, both the scan signal SCAN and the initialization signal INIT have a high level. The first switching transistor ST1 is turned on by the scan signal SCAN. By the initialization signal INIT, The second switching transistor ST2 is turned on.

제1 스위칭 트랜지스터(ST1)가 턴온되면 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에 입력 전압인 기준전압(VREF)이 제공되고, 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 턴온과 동시에 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 턴온됨으로써 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 스위칭에 의해 노드(n1)는 접지 전원(GND)과 연결된다. 이에 따라 구동 트랜지스터(ND)의 소스전압 즉, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)은 0V가 된다. 또한, 구동 트랜지스터(ND)의 전류가 노드(n1)를 통해 접지 전원(GND)으로 흐르기 때문에 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작이 차단된다.When the first switching transistor ST1 is turned on, the reference voltage VREF, which is an input voltage, is supplied to the gate of the driving transistor ND. When the first switching transistor ST1 is turned on and the second switching transistor ST2 is turned on The node n1 is connected to the ground power source GND by switching of the second switching transistor ST2. Accordingly, the source voltage of the driving transistor ND, that is, the anode voltage VANODE of the organic light emitting diode OLED becomes 0V. Also, since the current of the driving transistor ND flows through the node n1 to the ground power source GND, the light emitting operation of the organic light emitting diode OLED is cut off.

문턱전압(VTH) 샘플링 단계(S220)는 도 5에서 제2 기간(T2)을 포함할 수 있다. 제2 기간(T2)에서는 스캔신호(SCAN)는 하이레벨을 가지며, 초기화신호(INIT)는 로우레벨을 갖는다. 따라서, 스캔신호(SCAN)에 의해 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 턴온을 유지하며, 초기화신호(INIT)에 의해 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 턴오프 된다. 이때, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 턴오프 됨에 따라 구동 트랜지스터(ND)의 소스 전압(VS)은 0V에서 기준전압(VREF)과 구동 트랜지스터(ND) 문턱전압(VTH)의 차전압(VREF-VTH)으로 변경된다. 따라서, 문턱전압(VTH) 샘플링 단계(S220)에서 저장 커패시터(CSTG)에 구동 트랜지스터(ND)의 문턱전압(VTH)이 저장된다.The threshold voltage (VTH) sampling step S220 may include a second period T2 in FIG. In the second period T2, the scan signal SCAN has a high level and the initialization signal INIT has a low level. Therefore, the first switching transistor ST1 is turned on by the scan signal SCAN, and the second switching transistor ST2 is turned off by the initialization signal INIT. At this time, as the second switching transistor ST2 is turned off, the source voltage VS of the driving transistor ND is lowered from 0V to the difference voltage VREF-VREF between the reference voltage VREF and the threshold voltage VTH of the driving transistor ND, VTH). Therefore, the threshold voltage VTH of the driving transistor ND is stored in the storage capacitor CSTG in the threshold voltage VTH sampling step S220.

데이터 기입 단계(S230)는 도 5에서 제3 기간(T3)을 포함할 수 있다. 제3 기간(T3)에서는 스캔신호(SCAN)는 하이레벨, 초기화신호(INIT)는 로우레벨을 유지한다. 따라서, 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 턴온을 유지하며, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 턴오프를 유지한다. 또한, 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에 입력되는 입력 전압은 기준전압(VREF)에서 데이터 전압(VDATA)으로 변경되어 입력되며, 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)은 저장 커패시터(CSTG)와 유기발광다이오드의 커패시터(COLED) 간의 전기용량결합효과로 인해 수학식 6과 같이 나타낼 수 있다.The data writing step S230 may include a third period T3 in FIG. In the third period T3, the scan signal SCAN maintains a high level and the initialization signal INIT maintains a low level. Therefore, the first switching transistor ST1 maintains the turn-on state and the second switching transistor ST2 maintains the turn-off state. The input voltage input to the gate of the driving transistor ND is changed from the reference voltage VREF to the data voltage VDATA and the gate-source voltage VGS of the driving transistor ND is supplied to the storage capacitor CSTG ) And the capacitor (COLED) of the organic light emitting diode, as shown in Equation (6).

Figure 112017040239909-pat00006
Figure 112017040239909-pat00006

여기서, CSTG는 저장 커패시터, COLED는 유기발광다이오드(OLED)의 커패시터, VDATA는 데이터 전압, VREF는 기준전압, VTH는 문턱전압을 나타낸다. Here, CSTG denotes a storage capacitor, COLED denotes a capacitor of an organic light emitting diode (OLED), VDATA denotes a data voltage, VREF denotes a reference voltage, and VTH denotes a threshold voltage.

발광 단계(S240)는 도 5에서 제4 기간(T4)을 포함할 수 있다. 제4 기간(T4)에서는 스캔신호(SCAN)는 로우레벨을 가지며, 초기화신호(INIT)는 로우레벨을 유지한다. 따라서, 스캔신호(SCAN)에 의해 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 턴오프 되고, 초기화신호(INIT)에 의해 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 턴오프를 유지한다. 발광 단계(S240)에서는 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)와 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 모두 턴오프 되기 때문에 데이터 기입 단계(S230)에서 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)에 의해 결정된 발광 전류(IOLED)가 유기발광다이오드(OLED)에 흐르게 된다. 따라서, 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 발광 전류(IOLED)는 수학식 1과 수학식 6을 이용하여 수학식 7과 같이 나타낼 수 있다.The light emission step S240 may include a fourth period T4 in FIG. In the fourth period T4, the scan signal SCAN has a low level and the initialization signal INIT maintains a low level. Therefore, the first switching transistor ST1 is turned off by the scan signal SCAN, and the second switching transistor ST2 is kept turned off by the initialization signal INIT. Since both the first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 are turned off in the light emitting step S240, The light emission current IOLED flows into the organic light emitting diode OLED. Therefore, the light emission current IOLED flowing through the organic light emitting diode OLED can be expressed by Equation (7) using Equations (1) and (6).

Figure 112017040239909-pat00007
Figure 112017040239909-pat00007

여기서, W는 구동 트랜지스터(ND)의 채널폭(width), L은 구동 트랜지스터(ND)의 채널길이(length), Io는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)이 문턱전압(VTH)과 같을 때 구동 트랜지스터(ND)에 흐르는 전류(residual drain current),η는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS) 변화에 의해 변하는 전류의 변화 정도를 나타내는 상수(subthreshold slope factor), VT는 볼츠만 상수(Boltzmann constant)를 나타낸다.Here, W denotes a channel width of the driving transistor ND, L denotes a channel length of the driving transistor ND, Io denotes a gate-source voltage VGS of the driving transistor ND, Is a residual drain current, and is a subthreshold slope factor indicating the degree of change of the current due to the change of the gate-source voltage VGS of the driving transistor ND, VT represents the Boltzmann constant.

수학식 6과 수학식 7을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(200)는 구동 트랜지스터(ND)의 문턱전압(VTH)이 공정 변화로 인해 변하더라도 이와 무관하게 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 발광 전류(IOLED)가 결정된다. 즉, 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)이 수학식 6에서 이미 문턱전압(VTH) 값을 샘플링 하므로, 수학식 7에서는 문턱전압(VTH) 수식이 제거된다. 따라서, 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 발광 전류(IOLED)를 나타내는 수학식 7에서처럼, 공정변화로 인해 구동 트랜지스터(ND)의 문턱전압(VTH)이 변하더라도 이와 무관하게 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 발광 전류(IOLED)가 결정되므로 문턱전압(VTH) 변화에 따른 발광전류(IOLED)의 변화를 보상할 수 있다.Referring to Equations (6) and (7), the organic light emitting diode display device 200 according to the second embodiment of the present invention can be constructed such that, even if the threshold voltage VTH of the driving transistor ND varies due to a process variation The light emission current IOLED flowing through the organic light emitting diode OLED is determined. That is, since the gate-source voltage VGS of the driving transistor ND already samples the threshold voltage VTH in Equation 6, the equation (7) eliminates the threshold voltage VTH. Therefore, even if the threshold voltage VTH of the driving transistor ND changes due to the process change, as shown in Equation 7, which represents the light emission current IOLED flowing through the organic light emitting diode OLED, Since the flowing light emission current IOLED is determined, the change in the light emission current IOLED due to the change in the threshold voltage VTH can be compensated.

또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치(200)는 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)의 증가와 기판 바이어스 효과(Body effect)를 이용하여 작은 전류 레벨을 쉽게 제어 할 수 있는 넓은 입력전압 범위를 제공함으로써, 종래의 좁은 입력전압 범위 때문에 발생되는 화질 저하 및 높은 화소 밀도 구현에 대한 문제를 해결할 수 있다.In addition, the display device 200 according to the second embodiment of the present invention can easily control a small current level by using an increase in the anode voltage VANODE of the organic light emitting diode OLED and a substrate bias effect By providing a wide input voltage range, it is possible to solve the problem of image degradation and high pixel density realization caused by the conventional narrow input voltage range.

도 8은 도 5의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 구동 트랜지스터를 PMOS 트랜지스터를 이용하여 구현한 회로도이다.FIG. 8 is a circuit diagram illustrating a driving transistor of the organic light emitting diode display according to the second embodiment of FIG. 5, using a PMOS transistor. Referring to FIG.

상술한 제2 실시예는 구동 트랜지스터(ND)를 NMOS 트랜지스터를 이용한 회로구성이었으나, 구동 트랜지스터(ND)를 PMOS 트랜지스터를 이용해도 동일한 동작 특성을 갖는 회로 구성이 가능하다. 즉, 구동 트랜지스터(PD)를 PMOS 트랜지스트를 이용한 회로는 도 8에서와 같이 구동 트랜지스터(PD)의 드레인이 저전위 전압원(ELVSS)에 연결되고, 소스는 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극이 연결되며, 게이트에는 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 출력 단자가 연결된다. 유기발광다이오드(OLED)는 캐소드 전극이 구동 트랜지스터(PD)의 소스에 연결되고, 애노드 전극이 고전위 전압원(ELVDD)에 연결된다. 또한, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 고전위 전압원(ELVDD)에 연결되게 구성함으로써 구동 트랜지스터(ND)를 NMOS 트랜지스터를 이용한 회로구성과 동일한 동작 특성을 가질 수 있다.The above-described second embodiment has a circuit configuration in which the driving transistor ND is an NMOS transistor, but a circuit configuration having the same operating characteristics can be realized even if the driving transistor ND is a PMOS transistor. 8, the drain of the driving transistor PD is connected to the low potential voltage source ELVSS, and the source of the driving transistor PD is connected to the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED And an output terminal of the first switching transistor ST1 is connected to the gate thereof. In the organic light emitting diode OLED, the cathode electrode is connected to the source of the driving transistor PD, and the anode electrode is connected to the high potential voltage source ELVDD. Further, by configuring the second switching transistor ST2 to be connected to the high potential source ELVDD, the driving transistor ND can have the same operation characteristics as the circuit configuration using the NMOS transistor.

제3 실시예Third Embodiment

도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다.9 is a circuit diagram showing pixels equivalently in an organic light emitting diode display according to a third embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(300)는 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(ND), 저장 커패시터(CSTG), 제1 스위칭 트랜지스터(ST1), 제2 스위칭 트랜지스터(ST2), 제3 스위칭 트랜지스터(ST3) 및 프로그래밍 트랜지스터(NP)를 포함한다.9, an organic light emitting diode display 300 according to a third exemplary embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode OLED, a driving transistor ND, a storage capacitor CSTG, a first switching transistor ST1, A second switching transistor ST2, a third switching transistor ST3, and a programming transistor NP.

유기발광다이오드(OLED)는 발광층을 가지는 발광 다이오드로서, 애노드(Anode) 전극이 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)에 연결되고, 캐소드(Cathode) 전극이 저전위 전압원(ELVSS)에 연결된다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(ND)로부터 구동 전류를 제공받아 빛을 방출한다.The organic light emitting diode (OLED) is a light emitting diode having a light emitting layer. The anode electrode is connected to the third switching transistor ST3, and the cathode electrode is connected to the low potential voltage source ELVSS. The organic light emitting diode OLED receives driving current from the driving transistor ND and emits light.

구동 트랜지스터(ND)는 드레인이 고전위 전압원(ELVDD)에 연결되고, 소스는 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)에 연결되며, 게이트는 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 출력 단자에 연결된다. 구동 트랜지스터(ND)는 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)를 통하여 게이트로 제공되는 데이터 전압(VDATA)에 응답하여 구동 전류를 유기발광다이오드(OLED)에 제공한다.The driving transistor ND has a drain connected to the high potential voltage source ELVDD, a source connected to the third switching transistor ST3, and a gate connected to the output terminal of the first switching transistor ST1. The driving transistor ND provides a driving current to the organic light emitting diode OLED in response to the data voltage VDATA provided to the gate through the first switching transistor ST1.

저장 커패시터(CSTG)는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트와 소스에 병렬 접속되고, 제어신호에 따라 인가되는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트와 소스 사이의 전압을 한 프레임 시간동안 저장시킨다.The storage capacitor CSTG is connected in parallel to the gate and the source of the driving transistor ND and stores the voltage between the gate and the source of the driving transistor ND applied in accordance with the control signal for one frame time.

제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 입력단자가 데이터라인(DL)에 연결되고, 출력 단자가 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에 연결되며, 제어단자가 스캔라인(GL)에 연결된다. 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 스캔라인(GL)을 통해 제공되는 제1 제어신호인 스캔신호(SCAN)에 응답하여 스위칭 동작을 통해 데이터 전압(VDATA)을 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에 제공한다.The first switching transistor ST1 has an input terminal connected to the data line DL, an output terminal connected to the gate of the driving transistor ND, and a control terminal connected to the scan line GL. The first switching transistor ST1 provides a data voltage VDATA to the gate of the driving transistor ND through a switching operation in response to a scan signal SCAN which is a first control signal provided through the scan line GL .

제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 입력단자가 구동 트랜지스터(ND)의 소스에 연결되고, 출력단자가 프로그래밍 트랜지스터(NP)의 드레인에 연결되며, 제어단자가 스캔라인(GL)에 연결된다. 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 스캔라인(GL)을 통해 제공되는 제1 제어신호인 스캔신호(SCAN)에 응답하여 스위칭 동작을 수행함으로써 구동 트랜지스터(ND)와 프로그래밍 트랜지스터(NP)를 연결시킬 수 있다.The second switching transistor ST2 has an input terminal connected to the source of the driving transistor ND and an output terminal connected to the drain of the programming transistor NP and a control terminal connected to the scan line GL. The second switching transistor ST2 performs a switching operation in response to a scan signal SCAN which is a first control signal provided through the scan line GL to thereby connect the drive transistor ND and the programming transistor NP have.

제3 스위칭 트랜지스터(ST3)는 입력단자가 구동 트랜지스터(ND)의 소스에 연결되고, 출력단자가 유기발광다이오드(OLED)의 애노드에 연결되며, 제어단자가 에미션라인(EL)에 연결된다. 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)가 에미션라인(EL)에 의해 제공되는 제2 제어신호인 에미션신호(EM)에 응답하여 스위칭 동작을 수행함으로써 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)에 의해 결정되는 발광 전류(IOLED)를 유기발광다이오드(OLED)에 제공한다. 또한, 오프 동작에 의해 유기발광다이오드에 흐르는 전류를 차단함으로써 유기발광다이오드의 발광을 차단할 수 있다.The third switching transistor ST3 has an input terminal connected to the source of the driving transistor ND and an output terminal connected to the anode of the organic light emitting diode OLED and a control terminal connected to the emission line EL. The third switching transistor ST3 performs the switching operation in response to the emission signal EM which is the second control signal provided by the emission line EL so that the gate-source voltage VGS of the driving transistor ND becomes " To the organic light emitting diode (OLED). Further, by cutting off the current flowing through the organic light emitting diode by the OFF operation, the light emission of the organic light emitting diode can be cut off.

프로그래밍 트랜지스터(NP)는 드레인이 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)에 연결되고, 소스는 접지 전원(GND)과 연결되며, 게이트는 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 출력단자에 연결된다. 프로그래밍 트랜지스터(NP)는 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 스위칭 동작에 의해 구동 트랜지스터(ND)의 소스와 연결되어 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)을 프로그래밍 한다. 바람직하게는 제3 실시예에 따른 구동 트랜지스터(ND) 및 프로그래밍 트랜지스터(NP)는 NMOS 트랜지스터일 수 있다. 이러한 구동 트랜지스터(ND)는 PMOS 트랜지스터로도 구성될 수도 있으나 NMOS 트랜지스터와 PNMOS 트랜지스터는 서로 상보형(complementary)이므로 PMOS 트랜지스터의 동작과 전압 및 전류는 NMOS 트랜지스터와 반대가 될 수 있다.The programming transistor NP has a drain connected to the second switching transistor ST2, a source connected to the ground power supply GND, and a gate connected to the output terminal of the first switching transistor ST1. The programming transistor NP is connected to the source of the driving transistor ND by the switching operation of the second switching transistor ST2 to program the gate-source voltage VGS of the driving transistor ND. Preferably, the driving transistor ND and the programming transistor NP according to the third embodiment may be NMOS transistors. The NMOS transistor and the PNMOS transistor are complementary to each other, so that the operation and voltage and current of the PMOS transistor may be opposite to that of the NMOS transistor.

데이터라인(DL)은 화소에 데이터 전압(VDATA)을 전달하고, 열 방향으로 뻗어 있으며 각 데이터라인(DL)들은 서로가 실질적으로 평행하다. 여기서 데이터 전압(VDATA)은 표시 데이터에 대응하는 전압이다.The data line DL carries the data voltage VDATA to the pixel, extends in the column direction, and each data line DL is substantially parallel to each other. Here, the data voltage VDATA is a voltage corresponding to the display data.

스캔라인(GL)과 에미션라인(EL)은 화소에 각각 제1 제어신호인 스캔신호(SCAN) 및 제2 제어신호인 에미션신호(EM)를 전달하고, 각각 행 방향으로 뻗어 있으며 각 스캔라인(GL)과 에미션라인(EL)들은 서로가 실질적으로 평행하다. 바람직하게는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(300)는 제1 제어신호인 스캔신호(SCAN)가 제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)를 제어하며, 제2 제어신호인 에미션신호(EM)가 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)를 제어할 수 있다.The scan line GL and the emission line EL are connected to a scan signal SCAN and a second control signal EM which are respectively transmitted as a first control signal and a second control signal to the pixels, The lines GL and the emission lines EL are substantially parallel to each other. Preferably, the organic light emitting diode display 300 according to the third embodiment of the present invention controls the first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 in response to a scan signal SCAN, which is a first control signal, And the emission signal EM as the second control signal can control the third switching transistor ST3.

도 10은 상기 도 9에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 구동 타이밍도이다.10 is a driving timing chart for explaining the operation of the equivalent circuit shown in Fig.

도 11는 상기 도 9에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.11 is a flowchart for explaining the operation of the equivalent circuit shown in Fig.

도 10 및 도 11을 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법을 단계적으로 설명한다.10 and 11, a method of driving the organic light emitting diode display according to the third embodiment of the present invention will be described step by step.

본 발명의 제3 실시예 따른 유기발광다이오드 표시장치(300)의 구동방법은 스캔신호(SCAN)가 활성화되어 데이터 전압(VDATA)이 인가되는 데이터 기입 단계(S310) 및 스캔신호(SCAN)가 비활성화되고, 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)에 의해 유기발광다이오드(OLED)가 발광하는 발광 단계(S320)를 포함할 수 있다.A method of driving the organic light emitting diode display 300 according to the third embodiment of the present invention includes a data write step S310 in which a scan signal SCAN is activated and a data voltage VDATA is applied and a scan signal SCAN are inactivated And a light emitting step (S320) in which the organic light emitting diode (OLED) emits light by the gate-source voltage (VGS) of the driving transistor (ND).

보다 구체적으로, 데이터 기입 단계(S310)는 도 8에서 제1 기간(T1)을 포함할 수 있다. 제1 기간(T1)에서는 스캔신호(SCAN)가 하이레벨을 가지며, 에미션신호(EM)는 로우레벨을 갖는다. 따라서, 스캔신호(SCAN)에 의해 제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 동시에 턴온 되며, 에미션신호(EM)에 의해 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)는 턴오프 된다.More specifically, the data writing step S310 may include the first period T1 in FIG. In the first period T1, the scan signal SCAN has a high level, and the emission signal EM has a low level. Therefore, the first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 are simultaneously turned on by the scan signal SCAN, and the third switching transistor ST3 is turned off by the emission signal EM.

제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 턴온되고, 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)가 턴오프된다. 이에 따라 구동 트랜지스터(ND)의 전류가 접지 전원(GND)으로 흐르기 때문에 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작이 차단된다.The first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 are turned on and the third switching transistor ST3 is turned off. Accordingly, since the current of the driving transistor ND flows to the ground power source GND, the light emitting operation of the organic light emitting diode OLED is cut off.

따라서, 데이터 기입 단계(S310)에서는 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작이 차단된 상태에서 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에 데이터 전압(VDATA)이 인가된다. 또한, 구동 트랜지스터(ND)의 소스에는 구동 트랜지스터(ND)와 프로그래밍 트랜지스터(NP)의 상호컨턱턴스(transconductance)에 의해 결정되는 전압이 인가되기 때문에 구동 트랜지스터(ND)의 소스 전압(VS)은 수학식 8과 같이 나타낼 수 있다. Therefore, in the data writing step S310, the data voltage VDATA is applied to the gate of the driving transistor ND in a state where the light emitting operation of the organic light emitting diode OLED is blocked. Since the voltage determined by the transconductance of the driving transistor ND and the programming transistor NP is applied to the source of the driving transistor ND, the source voltage VS of the driving transistor ND is mathematical Can be expressed by Equation (8).

Figure 112017040239909-pat00008
Figure 112017040239909-pat00008

여기서, gm,NP는 프로그래밍 트랜지스터(NP)의 상호컨덕턴스, gm,ND는 구동 트랜지스터(ND)의 상호컨덕턴스를 나타낸다.Here, gm and NP denote the mutual conductance of the programming transistor NP, gm and ND denote the mutual conductance of the driving transistor ND.

즉, 제3 실시예 따른 유기발광다이오드 표시장치(300)는 데이터 기입 단계(S310)에서 구동 트랜지스터(ND)의 소스에 0V가 인가되는 제1 실시예와 달리 프로그래밍 트랜지스터(NP)에 의해 0V보다 높은 전압이 인가된다.That is, the organic light emitting diode display 300 according to the third embodiment differs from the first embodiment in that 0V is applied to the source of the driving transistor ND in the data writing step S310, A high voltage is applied.

따라서, 데이터 기입 단계(S310)에서 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)은 수학식 9와 같이 나타낼 수 있다.Therefore, in the data writing step S310, the gate-source voltage VGS of the driving transistor ND can be expressed by Equation (9).

Figure 112017040239909-pat00009
Figure 112017040239909-pat00009

발광 단계(S320)는 도 8에서 제2 기간(T2)을 포함할 수 있다. 제2 기간(T2)에서는 스캔신호(SCAN)가 로우레벨을 가지며, 에미션신호(EM)가 하이레벨을 갖는다. 따라서, 스캔신호(SCAN)에 의해 제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 턴오프되며, 에미션신호(EM)에 의해 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)는 턴온된다. The light emission step S320 may include a second period T2 in FIG. In the second period T2, the scan signal SCAN has a low level, and the emission signal EM has a high level. Therefore, the first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 are turned off by the scan signal SCAN, and the third switching transistor ST3 is turned on by the emission signal EM.

제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 턴오프되고, 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)가 턴온됨에 따라 데이터 기입 단계(S310)에서 형성된 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)에 의한 발광 전류(IOLED)가 유기발광다이오드(OLED)에 흐르게 되며, 이때 구동 트랜지스터(ND)의 소스 전압(VS)은 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)으로 변경된다. 변경된 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)으로 인해 저장 커패시터(CSTG)와 구동 트랜지스터(ND)의 게이트에서 발생된 기생 커패시턴스(CGATE) 간의 전기용량결합효과로 구동 트랜지스터(ND)의 게이트 전압(VG)이 변하게 되며, 변화한 구동 트랜지스터(ND)의 게이트 전압(VG)은 수학식 10과 같이 나타낼 수 있다.The first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 are turned off and the gate-source voltage of the driving transistor ND formed in the data writing step S310 as the third switching transistor ST3 is turned on The source voltage VS of the driving transistor ND is changed to the anode voltage VANODE of the organic light emitting diode OLED. Due to the capacitance coupling effect between the storage capacitor CSTG and the parasitic capacitance CGATE generated at the gate of the driving transistor ND due to the anode voltage VANODE of the modified organic light emitting diode OLED, The gate voltage VG of the driving transistor ND is changed, and the gate voltage VG of the changed driving transistor ND can be expressed by the following equation (10).

Figure 112017040239909-pat00010
Figure 112017040239909-pat00010

구동 트랜지스터(ND)의 소스 전압이 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)으로 변경되기 때문에 수학식 10에 의해 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)은 수학식 11과 같이 나타낼 수 있다.Since the source voltage of the driving transistor ND is changed to the anode voltage VANODE of the organic light emitting diode OLED, the gate-source voltage VGS of the driving transistor ND can be expressed by Equation (10) .

Figure 112017040239909-pat00011
Figure 112017040239909-pat00011

따라서, 수학식 1과 수학식 11에 의해 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 발광 전류(IOLED)는 수학식 12와 같이 나타낼 수 있다. 즉, 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(300)는 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)을 통해 형성되는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)에 의해 유기발광다이오드(OLED)가 발광 동작을 수행할 수 있다.Therefore, the light emission current IOLED flowing through the organic light emitting diode OLED according to Equations (1) and (11) can be expressed by Equation (12). That is, the organic light emitting diode display 300 according to the third embodiment emits light by the gate-source voltage VGS of the driving transistor ND formed through the anode voltage VANODE of the organic light emitting diode OLED, The diode OLED can perform the light emitting operation.

Figure 112017040239909-pat00012
Figure 112017040239909-pat00012

수학식 12를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(300)는 제1 실시예에서와 같이 구동 트랜지스터(ND)의 문턱전압(VTH)이 공정 변화로 인해 변화하면 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작시에 구동 트랜지스터(ND)에서 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류의 크기 또한 변하여 문턱전압(VTH) 변화에 따른 발광전류(IOLED)의 변화를 보상할 수 있다.Referring to Equation (12), in the OLED display 300 according to the third embodiment of the present invention, when the threshold voltage VTH of the driving transistor ND changes due to a process change as in the first embodiment The magnitude of the current flowing from the driving transistor ND to the organic light emitting diode OLED also changes during the light emitting operation of the organic light emitting diode OLED to compensate for the change in the light emitting current IOLED due to the change in the threshold voltage VTH .

또한, 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(300)는 데이터 기입 단계(S310)에서 구동 트랜지스터(ND)의 소스에 0V가 인가되는 제1 실시예와 달리 프로그래밍 트랜지스터(NP)와 구동 트랜지스터(ND)의 상호컨덕턴스에 의해 0V보다 높은 전압이 구동 트랜지스터(ND)의 소스에 인가된다. 따라서, 제1 실시예에 비해 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)이 작아져 발광 단계(S320)에서 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류(IOLED)가 작아지게 된다. 즉, 입력 데이터 전압(VDATA)에 의한 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 발광 전류(IOLED)의 변화가 줄어들어 제1 실시예에 비해 더 넓은 입력 데이터 전압(VDATA) 범위를 가질 수 있다.The organic light emitting diode display 300 according to the third embodiment differs from the first embodiment in that 0V is applied to the source of the driving transistor ND in the data writing step S310, A voltage higher than 0 V is applied to the source of the driving transistor ND by the mutual conductance of the driving transistor ND. Therefore, the gate-source voltage VGS of the driving transistor ND becomes smaller than that of the first embodiment, so that the current IOLED flowing to the organic light emitting diode OLED in the light emitting step S320 becomes smaller. That is, the variation of the light emission current IOLED flowing through the organic light emitting diode OLED by the input data voltage VDATA is reduced, so that the input data voltage VDATA can be wider than in the first embodiment.

도 12는 도 9의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 구동 트랜지스터 및 프로그래밍 트랜지스터를 PMOS 트랜지스터를 이용하여 구현한 회로도이다.FIG. 12 is a circuit diagram of a driving transistor and a programming transistor implemented by a PMOS transistor in the organic light emitting diode display according to the third embodiment of FIG.

상술한 제3 실시예는 구동 트랜지스터(ND) 및 프로그래밍 트랜지스터(NP)를 NMOS 트랜지스터를 이용한 회로구성이었으나, 구동 트랜지스터(ND)와 프로그래밍 트랜지스터(NP)를 PMOS 트랜지스터를 이용해도 동일한 동작 특성을 갖는 회로 구성이 가능하다. 즉, 도 12에서와 같이 구동 트랜지스터(PD)의 드레인이 저전위 전압원(ELVSS)에 연결되고, 소스는 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)(도 12에 추가함)에 연결되며, 게이트에는 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)에 연결된다. 유기발광다이오드(OLED)는 캐소드 전극이 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)에 연결되고, 애노드 전극이 고전위 전압원(ELVDD)에 연결된다. 또한, 프로그래밍 트랜지스터(PP)의 소스가 고전위 전압원(ELVDD)에 연결되게 구성함으로써 구동 트랜지스터(ND) 및 프로그래밍 트랜지스터(NP)를 NMOS 트랜지스터를 이용한 회로구성과 동일한 동작 특성을 가질 수 있다.The driving transistor ND and the programming transistor NP may be replaced by a circuit having the same operation characteristic even if a PMOS transistor is used as the driving transistor ND and the programming transistor NP, Configuration is possible. 12, the drain of the driving transistor PD is connected to the low potential voltage source ELVSS, the source of the driving transistor PD is connected to the third switching transistor ST3 (added in FIG. 12) And is connected to the transistor ST1. In the organic light emitting diode OLED, the cathode electrode is connected to the third switching transistor ST3, and the anode electrode is connected to the high potential voltage source ELVDD. Further, by configuring the source of the programming transistor PP to be connected to the high potential source ELVDD, the driving transistor ND and the programming transistor NP can have the same operation characteristics as the circuit configuration using the NMOS transistor.

제4 실시예Fourth Embodiment

도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다.13 is a circuit diagram showing pixels equivalently in an organic light emitting diode display device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(400)는 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(PD), 저장 커패시터(CSTG), 제1 스위칭 트랜지스터(ST1), 제2 스위칭 트랜지스터(ST2) 및 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)를 포함한다.13, the organic light emitting diode display 400 according to the fourth exemplary embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode OLED, a driving transistor PD, a storage capacitor CSTG, a first switching transistor ST1, A second switching transistor ST2, and a third switching transistor ST3.

유기발광다이오드(OLED)는 발광층을 가지는 발광 다이오드로서, 애노드 전극이 구동 트랜지스터(PD)의 드레인에 연결되고, 캐소드(Cathode) 전극이 저전위 전압원(ELVSS)에 연결된다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(PD)로부터 구동 전류를 제공받아 빛을 방출한다.The organic light emitting diode (OLED) is a light emitting diode having a light emitting layer. The anode electrode is connected to the drain of the driving transistor PD, and the cathode electrode is connected to the low potential voltage source ELVSS. The organic light emitting diode OLED emits light by receiving driving current from the driving transistor PD.

구동 트랜지스터(PD)는 소스가 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)를 통해 고전위 전압원(ELVDD)에 연결되고, 드레인이 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 연결되며, 게이트는 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 출력 단자에 연결된다. 구동 트랜지스터(PD)는 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)를 통하여 게이트로 제공되는 데이터 전압(VDATA)에 응답하여 구동 전류를 유기발광다이오드(OLED)에 제공한다. 바람직하게는 제4 실시예에 따른 구동 트랜지스터(PD)는 PMOS 트랜지스터일 수 있다. 이러한 구동 트랜지스터(PD)는 NMOS 트랜지스터로도 구성될 수도 있으나 PMOS 트랜지스터와 NNMOS 트랜지스터는 서로 상보형(complementary)이므로 NMOS 트랜지스터의 동작과 전압 및 전류는 PMOS 트랜지스터와 반대가 될 수 있다.The source of the driving transistor PD is connected to the high potential source ELVDD through the third switching transistor ST3, the drain thereof is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED, and the gate thereof is connected to the first switching transistor ST1 ). The driving transistor PD provides a driving current to the organic light emitting diode OLED in response to the data voltage VDATA provided to the gate through the first switching transistor ST1. Preferably, the driving transistor PD according to the fourth embodiment may be a PMOS transistor. Although the driving transistor PD may be formed of an NMOS transistor, the PMOS transistor and the NNMOS transistor are complementary to each other, so that the operation and voltage and current of the NMOS transistor may be opposite to that of the PMOS transistor.

저장 커패시터(CSTG)는 구동 트랜지스터(PD)의 게이트와 소스에 병렬 접속되고, 제어신호에 따라 인가되는 구동 트랜지스터(PD)의 게이트와 소스 사이의 전압을 한 프레임 시간동안 저장시킨다.The storage capacitor CSTG is connected in parallel to the gate and the source of the driving transistor PD and stores the voltage between the gate and the source of the driving transistor PD applied in accordance with the control signal for one frame time.

제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 입력단자가 데이터라인(DL)에 연결되고, 출력 단자가 구동 트랜지스터(PD)의 게이트에 연결되며, 제어단자가 제1 제어신호를 인가하는 스캔라인(GL)에 연결된다.The first switching transistor ST1 has an input terminal connected to the data line DL, an output terminal connected to the gate of the driving transistor PD, and a control terminal connected to the scan line GL for applying the first control signal .

제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 입력단자가 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 단자에 연결되고, 출력 단자가 접지 전원(GND)에 연결되며, 제어단자가 제1 제어신호를 인가하는 스캔라인(GL)에 연결된다. 따라서 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 스캔라인(GL)을 통해 제공되는 스캔신호(SCAN)에 응답하여 스위칭 동작을 수행함으로써 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 단자가 접지 전원(GND)과 연결될 수 있다. 즉, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴온에 의해 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작이 차단될 수 있다.The second switching transistor ST2 has an input terminal connected to the anode terminal of the organic light emitting diode OLED, an output terminal connected to the ground power source GND, a control terminal connected to the scan line GL . The second switching transistor ST2 performs a switching operation in response to the scan signal SCAN provided through the scan line GL so that the anode terminal of the organic light emitting diode OLED can be connected to the ground power source GND . That is, the light emitting operation of the organic light emitting diode OLED can be cut off by turning on the second switching transistor ST2.

제3 스위칭 트랜지스터(ST3)는 입력단자가 고전위 전압원(ELVDD)에 연결되고, 출력단자가 구동 트랜지스터(PD)의 소스에 연결되며, 제어단자가 에미션라인(EL)에 연결된다. 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)가 에미션라인(EL)에 의해 제공되는 제2 제어신호인 에미션신호(EM)에 응답하여 스위칭 동작을 수행함으로써 고전위 전압원(ELVDD)에 의한 전원 전압을 구동 트랜지스터(PD)에 제공한다.The third switching transistor ST3 has an input terminal connected to the high potential source ELVDD, an output terminal connected to the source of the driving transistor PD, and a control terminal connected to the emission line EL. The third switching transistor ST3 performs the switching operation in response to the emission signal EM which is the second control signal provided by the emission line EL so that the power source voltage by the high potential voltage source ELVDD is applied to the driving transistor (PD).

데이터라인(DL)은 화소에 데이터 전압(VDATA)을 전달하고, 열 방향으로 뻗어 있으며 각 데이터라인(DL)들은 서로가 실질적으로 평행하다. 여기서 데이터 전압(VDATA)은 표시 데이터에 대응하는 전압이다.The data line DL carries the data voltage VDATA to the pixel, extends in the column direction, and each data line DL is substantially parallel to each other. Here, the data voltage VDATA is a voltage corresponding to the display data.

스캔라인(GL)과 에미션라인(EL)은 화소에 각각 제1 제어신호인 스캔신호(SCAN) 및 제2 제어신호인 에미션신호(EM)를 전달하고, 각각 행 방향으로 뻗어 있으며 각 스캔라인(GL)과 에미션라인(EL)들은 서로가 실질적으로 평행하다. 바람직하게는 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(400)는 제1 제어신호인 스캔신호(SCAN)가 제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)를 제어하며, 제2 제어신호인 에미션신호(EM)가 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)를 제어할 수 있다.The scan line GL and the emission line EL are connected to a scan signal SCAN and a second control signal EM which are respectively transmitted as a first control signal and a second control signal to the pixels, The lines GL and the emission lines EL are substantially parallel to each other. Preferably, the organic light emitting diode display 400 according to the fourth embodiment of the present invention controls the first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 in response to a scan signal SCAN as a first control signal And the emission signal EM as the second control signal can control the third switching transistor ST3.

도 14는 상기 도 13에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 구동 타이밍도이다.14 is a driving timing chart for explaining the operation of the equivalent circuit shown in Fig.

도 15는 상기 도 13에 도시된 등가 회로의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.FIG. 15 is a flowchart for explaining the operation of the equivalent circuit shown in FIG.

도 14 및 도 15를 참조하여, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법을 단계적으로 설명한다.Referring to FIGS. 14 and 15, a driving method of an organic light emitting diode display according to a fourth embodiment of the present invention will be described step by step.

본 발명의 제4 실시예 따른 유기발광다이오드 표시장치(400)의 구동방법은 구동 트랜지스터(PD)의 게이트에는 기준전압(VREF)이 인가되고, 소스에는 접지 전원(GND)이 연결되는 초기화 단계(S410a), 구동 트랜지스터(PD)의 게이트에 데이터 전압(VDATA)이 인가되는 데이터 기입 단계(S420), 구동 트랜지스터(PD)의 게이트-소스 전압(VGS)에 의해 유기발광다이오드(OLED)의 밝기가 결정되는 발광 단계(S430)를 포함한다. 또한, 초기화 단계(S410a)는 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)가 턴오프 됨에 따라 저장 커패시터(CSTG)에 구동 트랜지스터(PD)의 문턱전압(VTH)이 저장되는 문턱전압 샘플링 단계(S410b)를 더 포함할 수 있다.The driving method of the organic light emitting diode display device 400 according to the fourth embodiment of the present invention is an initialization step in which the reference voltage VREF is applied to the gate of the driving transistor PD and the ground power source GND is connected to the source thereof A data writing step S420 in which a data voltage VDATA is applied to the gate of the driving transistor PD and a gate-source voltage VGS of the driving transistor PD to determine the brightness of the organic light emitting diode OLED (S430). The initializing step S410a further includes a threshold voltage sampling step S410b in which the threshold voltage VTH of the driving transistor PD is stored in the storage capacitor CSTG as the third switching transistor ST3 is turned off can do.

보다 구체적으로, 초기화 및 문턱전압 샘플링 단계(S410)에서는 도 11에서 제1 기간(T1)을 포함할 수 있다. 제1 기간(T1)에서는 우선 스캔신호(SCAN)와 에미션신호(EM)가 모두 로우레벨을 가지며, 스캔신호(SCAN)에 의해 제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 턴온되고, 에미션신호(EM)에 의해 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)가 턴온된다. 제1 스위칭 트랜지스터(ST1), 제2 스위칭 트랜지스터(ST2) 및 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)가 모두 턴온됨으로써 구동 트랜지스터(PD)의 게이트에는 기준전압(VREF)이 인가되고, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 단자는 접지 전원(GND)과 연결되어 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작을 차단한다.More specifically, the initialization and threshold voltage sampling step S410 may include the first period T1 in FIG. In the first period T1, both the scan signal SCAN and the emission signal EM have a low level and the first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 are turned off by the scan signal SCAN And the third switching transistor ST3 is turned on by the emission signal EM. When the first switching transistor ST1, the second switching transistor ST2 and the third switching transistor ST3 are both turned on, the reference voltage VREF is applied to the gate of the driving transistor PD, and the organic light emitting diode OLED, The anode terminal of the organic light emitting diode OLED is connected to the ground power source GND to block the light emitting operation of the organic light emitting diode OLED.

또한, 구동 트랜지스터(PD)의 게이트에 기준전압(VREF)이 인가되면, 스캔신호(SCAN)는 로우레벨을 유지하고 에미션신호(EM)는 하이레벨로 변경됨으로써 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)가 턴오프된다. 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)가 턴오프 됨에 따라 구동 트랜지스터(PD)의 소스 전압(VS)이 VREF-VTH로 변경되어 저장 커패시터(CSTG)에 구동 트랜지스터(PD)의 문턱전압(VTH)이 저장된다.When the reference voltage VREF is applied to the gate of the driving transistor PD, the scan signal SCAN maintains the low level and the emission signal EM changes to the high level, so that the third switching transistor ST3 Off. The source voltage VS of the driving transistor PD is changed to VREF-VTH as the third switching transistor ST3 is turned off and the threshold voltage VTH of the driving transistor PD is stored in the storage capacitor CSTG .

데이터 기입 단계(S420)는 도 11에서 제2 기간(T2)을 포함할 수 있다. 제2 기간(T2)에서는 스캔신호(SCAN)는 로우레벨, 에미션신호(EM)는 하이레벨을 유지한다. 따라서, 제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 턴온을 유지하며, 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)는 턴오프를 유지한다. 또한, 구동 트랜지스터(PD)의 게이트에 입력되는 입력 전압은 기준전압(VREF)에서 데이터 전압(VDATA)으로 변경되어 입력되며, 구동 트랜지스터(PD)의 소스 전압(VS)은 저장 커패시터(CSTG)와 구동 트랜지스터(PD)의 소스에서 발생된 기생 커패시턴스(Csource) 간의 전기용량결합효과로 인해 수학식 13과 같이 나타낼 수 있다.The data writing step S420 may include the second period T2 in FIG. In the second period T2, the scan signal SCAN maintains a low level and the emission signal EM maintains a high level. Accordingly, the first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 maintain the turn-on state, and the third switching transistor ST3 maintains the turn-off state. The input voltage input to the gate of the driving transistor PD is changed from the reference voltage VREF to the data voltage VDATA and the source voltage VS of the driving transistor PD is applied to the storage capacitor CSTG (13) due to the capacitive coupling effect between the parasitic capacitance (Csource) generated at the source of the driving transistor (PD).

Figure 112017040239909-pat00013
Figure 112017040239909-pat00013

발광 단계(S430)는 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)의 턴온에 의해 구동 트랜지스터(PD)에 전원 전압(ELVDD)이 인가되고, 인가된 전원 전압(ELVDD)에 의해 발생되는 구동 트랜지스터(PD)의 게이트-소스 전압(VGS)에 의해 유기발광다이오드(OLED)가 발광 동작을 수행할 수 있다. In the light emitting step S430, the power source voltage ELVDD is applied to the driving transistor PD by turning on the third switching transistor ST3, and the gate of the driving transistor PD, which is generated by the applied power source voltage ELVDD, The organic light emitting diode OLED can perform the light emitting operation by the source voltage VGS.

즉, 발광 단계(S430)는 도 11에서 제3 기간(T3)을 포함할 수 있다. 제3 기간(T3)에서는 스캔신호(SCAN)는 하이레벨을 가지며, 에미션신호(EM)는 로우레벨을 갖는다. 따라서, 스캔신호(SCAN)에 의해 제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 턴오프 되고, 에미션신호(EM)에 의해 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)는 턴온 된다.That is, the light emission step S430 may include the third period T3 in FIG. In the third period T3, the scan signal SCAN has a high level and the emission signal EM has a low level. Therefore, the first switching transistor ST1 and the second switching transistor ST2 are turned off by the scan signal SCAN, and the third switching transistor ST3 is turned on by the emission signal EM.

제3 스위칭 트랜지스터(ST3)가 턴온됨으로써 구동 트랜지스터(PD)의 소스 전압(VS)은 다시 고전위 전압원(ELVDD)에서 인가되는 전압으로 변경되고, 구동 트랜지스터(PD)의 게이트 전압은 저장 커패시터(CSTG)와 구동 트랜지스터(PD)의 소스에서 발생된 기생 커패시턴스(CGATE,PD) 간의 전기용량결합효과로 인해 수학식 14와 같이 나타낼 수 있다.The third switching transistor ST3 is turned on so that the source voltage VS of the driving transistor PD is changed to a voltage applied in the high potential voltage source ELVDD and the gate voltage of the driving transistor PD is switched to the storage capacitor CSTG And the parasitic capacitances CGATE and PD generated from the source of the driving transistor PD, as shown in Equation (14).

Figure 112017040239909-pat00014
Figure 112017040239909-pat00014

또한, 구동 트랜지스터(PD)의 게이트-소스 전압(VGS)은 수학식 15와 같이 나타낼 수 있다.Further, the gate-source voltage VGS of the driving transistor PD can be expressed by Equation (15).

Figure 112017040239909-pat00015
Figure 112017040239909-pat00015

Figure 112017040239909-pat00016
Figure 112017040239909-pat00016

따라서, 수학식 1과 수학식 15에 의해 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 발광 전류(IOLED)는 수학식 16과 같이 나타낼 수 있다.Accordingly, the light emission current IOLED flowing through the organic light emitting diode OLED according to Equations (1) and (15) can be expressed by Equation (16).

Figure 112017040239909-pat00017
Figure 112017040239909-pat00017

수학식 16에서와 같이 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 발광 전류(IOLED) 수식의 (1-α)ELVDD에 의해 IR-drop현상에 의한 전원 전압(ELVDD) 감소에 따른 발광 전류(IOLED) 변화량을 감소시킬 수 있다. 즉, 구동 트랜지스터(PD)의 소스에 전원이 연결되는 경우, 전원선의 기생 저항 성분에 의해 전원 전압(ELVDD)이 감소하는 IR-drop현상이 발생되지만 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(400)는 IR-drop에 의해 전원 전압(ELVDD)이 감소하더라도 수학식 16의 (1-α)ELVDD에 의해 1보다 작은 값이 감소하므로 IR-drop현상에 의한 전원 전압(ELVDD) 감소에 따른 발광 전류(IOLED) 변화량을 감소시킬 수 있다.The amount of change in the light emission current IOLED due to the reduction of the power supply voltage ELVDD due to the IR-drop phenomenon is calculated by (1-a) ELVDD in the formula of the light emission current IOLED flowing through the organic light emitting diode OLED, . That is, when the power source is connected to the source of the driving transistor PD, an IR-drop phenomenon occurs in which the power supply voltage ELVDD is reduced by the parasitic resistance component of the power supply line. However, in the organic light emitting diode according to the fourth embodiment of the present invention, Even if the power supply voltage ELVDD decreases due to IR drop, the display apparatus 400 decreases the value less than 1 by (1 -?) ELVDD in Equation 16, so that the power supply voltage ELVDD decreases The amount of change in the light emission current IOLED depending on the amount of light emission can be reduced.

본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(400)는 구동 트랜지스터(ND)의 문턱전압(VTH)이 공정 변화로 인해 변하더라도 (1-α)VTH에 의해 1보다 작은 값이 변하게 되므로 문턱전압 변화에 의한 발광 전류(IOLED) 변화를 보상할 수 있다.The organic light emitting diode display 400 according to the fourth embodiment of the present invention changes the value less than 1 by (1-a) VTH even if the threshold voltage VTH of the driving transistor ND varies due to a process change So that it is possible to compensate for the change in the light emission current (IOLED) due to the change in the threshold voltage.

또한, 발광 단계(S430)에서 인가되는 구동 트랜지스터(PD)의 게이트-소스 전압(VGS)은 입력되는 데이터 전압(VDATA)보다 작은 값이므로, 입력 데이터 전압(VDATA)에 의한 발광 전류(IOLED) 변화가 감소한다. 따라서, 넓은 입력전압 범위를 제공함으로써, 종래의 좁은 입력전압 범위 때문에 발생되는 화질 저하에 대한 문제를 해결할 수 있다.Since the gate-source voltage VGS of the driving transistor PD applied in the light emission step S430 is smaller than the input data voltage VDATA, a change in the light emission current IOLED due to the input data voltage VDATA . Thus, by providing a wide input voltage range, it is possible to solve the problem of picture quality degradation caused by the conventional narrow input voltage range.

도 16은 도 13의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 구동 트랜지스터를 NMOS 트랜지스터를 이용하여 구현한 회로도이다.FIG. 16 is a circuit diagram of an organic light emitting diode display device according to a fourth embodiment of FIG. 13, in which driving transistors are implemented using NMOS transistors.

상술한 제4 실시예는 구동 트랜지스터(PD)를 PMOS 트랜지스터를 이용한 회로구성이었으나, 구동 트랜지스터(ND)를 NMOS 트랜지스터를 이용해도 동일한 동작 특성을 갖는 회로 구성이 가능하다. 즉, 도 16에서와 같이 구동 트랜지스터(ND)의 드레인이 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극에 연결되고, 소스는 제3 스위칭 트랜지스터(ST3)를 통해 저전위 전압원(ELVSS)에 연결되며, 게이트에는 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)에 연결된다. 유기발광다이오드(OLED)는 캐소드 전극이 구동 트랜지스터(ND)의 드레인에 연결되고, 애노드 전극이 고전위 전압원(ELVDD)에 연결된다. 또한, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)가 고전위 전압원(ELVDD)에 연결되게 구성함으로써 구동 트랜지스터(ND)를 PMOS 트랜지스터를 이용한 회로구성과 동일한 동작 특성을 가질 수 있다.In the fourth embodiment described above, the driving transistor PD has a circuit configuration using a PMOS transistor. However, even if the driving transistor ND is an NMOS transistor, a circuit configuration having the same operational characteristics is possible. 16, the drain of the driving transistor ND is connected to the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED, the source of the driving transistor ND is connected to the low potential voltage source ELVSS through the third switching transistor ST3, Is connected to the first switching transistor ST1. In the organic light emitting diode OLED, the cathode electrode is connected to the drain of the driving transistor ND, and the anode electrode is connected to the high potential voltage source ELVDD. Further, by configuring the second switching transistor ST2 to be connected to the high potential source ELVDD, the driving transistor ND can have the same operation characteristics as the circuit configuration using the PMOS transistor.

도 17은 본 발명의 유기발광다이오드의 표시장치를 포함하는 디스플레이 장치를 나타내는 도면이다.17 is a view showing a display device including a display device of the organic light emitting diode of the present invention.

일반적으로 유기발광다이오드(OLED)는 장시간 동안 구동하면 열화현상에 의해 휘도가 떨어지는 특성을 가지고 있다. 또한, 주변 온도에 따라 유기발광다이오드(OLED)의 전기적 특성이 변화하여 온도에 따라 휘도 편차가 발생하게 된다. 따라서 본 발명에 따른 유기발광다이오드의 표시장치를 포함하는 디스플레이 장치(500)는 도 17에 도시한 바와 같이 제1 실시예 내지 제4 실시예 중 어느 하나의 유기발광다이오드의 표시장치를 포함하는 패널부(510), 상기 패널부(510)로 입력 데이터 신호를 인가하는 데이터 드라이버(520), 상기 패널부(510)로 게이트 신호를 인가하는 게이트 드라이버(530), 상기 패널부(510)에서 발광하는 광신호 및 온도를 감지하는 센서부(540) 및 상기 센서부(540)에서 출력되는 신호를 인가받고 상기 데이터 드라이버(520)로 데이터 전압 제어 신호를 전달하는 신호제어부(550)를 포함할 수 있다. 또한, 센서부(540)는 유기발광다이오드(OLED)의 광신호 및 온도 등을 감지할 수 있는 센서(541), 기준이 되는 유기발광다이오드(OLED)의 휘도를 저장하는 메모리(542) 및 감지된 유기발광다이오드(OLED)의 광신호 및 온도 등에 대한 신호와 유기발광다이오드(OLED)의 기준 휘도를 비교하여 연산 처리하는 연산기(543)를 포함할 수 있다. 여기서 센서부(540)의 센서(541)는 광센서나 온도센서로 한정하지 않는다.Generally, organic light emitting diodes (OLEDs) have characteristics in which the luminance decreases due to deterioration when driven for a long time. In addition, the electric characteristics of the organic light emitting diode (OLED) change depending on the ambient temperature, and a luminance variation occurs depending on the temperature. Accordingly, the display device 500 including the display device of the organic light emitting diode according to the present invention can be applied to a panel including the display device of any one of the first to fourth embodiments as shown in FIG. A data driver 520 for applying an input data signal to the panel unit 510, a gate driver 530 for applying a gate signal to the panel unit 510, And a signal controller 550 for receiving a signal output from the sensor unit 540 and transmitting a data voltage control signal to the data driver 520 have. The sensor unit 540 includes a sensor 541 for sensing the optical signal and temperature of the organic light emitting diode OLED, a memory 542 for storing the luminance of the reference organic light emitting diode (OLED) And an arithmetic operation unit 543 for comparing the reference light intensity of the organic light emitting diode (OLED) with a signal related to an optical signal and temperature of the organic light emitting diode (OLED). Here, the sensor 541 of the sensor unit 540 is not limited to the optical sensor or the temperature sensor.

센서부(540)는 유기발광다이오드(OLED)의 휘도가 온도나 빛과 같은 외부 요인으로 인해 메모리(542)에 저장하고 있는 유기발광다이오드(OLED)의 기준 휘도와 편차가 발생하게 되면 연산기(543)를 통해 감지한 정보와 메모리의 정보를 비교하여 제어신호를 신호제어부(550)로 전달한다.When the luminance of the organic light emitting diode OLED deviates from the reference luminance of the organic light emitting diode OLED stored in the memory 542 due to external factors such as temperature or light, And transmits the control signal to the signal controller 550. The signal controller 550 receives the control signal from the memory controller 550,

신호제어부(550)는 센서부(540)의 출력 신호를 전달받아 데이터 드라이버(520)로 입력 데이터 전압 제어 신호(DCS)를 전달한다. 입력 데이터 전압 제어 신호를 입력 받은 데이터 드라이버(520)는 화소에 유기발광다이오드(OLED)의 휘도 편차를 보상할 수 있는 조정된 입력 데이터 전압을 전달한다.The signal controller 550 receives the output signal of the sensor unit 540 and transmits the input data voltage control signal DCS to the data driver 520. The data driver 520 receiving the input data voltage control signal delivers the adjusted input data voltage to the pixel to compensate for the luminance deviation of the organic light emitting diode OLED.

상기와 같이 본 발명에 따른 디스플레이 장치(500)는 유기발광다이오드(OLED)의 휘도 편차를 감지하는 센서부(540)와 유기발광다이오드(OLED)의 휘도에 따라 입력 데이터 전압을 조정하는 신호제어부(550)를 이용하여 주변 빛이나 온도 또는 공정 편차 등으로 인한 유기발광다이오드(OLED)의 휘도 편차를 보상할 수 있다.As described above, the display device 500 according to the present invention includes a sensor unit 540 for detecting a luminance deviation of the organic light emitting diode OLED, a signal controller 540 for adjusting the input data voltage according to the brightness of the organic light emitting diode OLED, 550) can compensate for the luminance deviation of the organic light emitting diode (OLED) due to ambient light, temperature, process variations, and the like.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광다이오드의 표시장치는 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)이 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작이 차단된 상태에서 입력되기 때문에 명암비를 증가시킬 수 있으며, 유기발광다이오드(OLED) 발광시 구동 트랜지스터(ND)의 문턱전압(VTH) 변화에 따라 구동 트랜지스터(ND)의 게이트-소스 전압(VGS)을 조정함으로써 구동 트랜지스터(ND)의 문턱전압(VTH) 변화를 보상할 수 있다.As described above, since the gate-source voltage VGS of the driving transistor ND is inputted while the light emitting operation of the organic light emitting diode OLED is blocked, the display apparatus of the organic light emitting diode according to the present invention increases the contrast ratio And adjusts the gate-source voltage VGS of the driving transistor ND in accordance with a change in the threshold voltage VTH of the driving transistor ND when the organic light emitting diode OLED emits light, (VTH) variation.

또한, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압(VANODE)의 증가와 기판 바이어스 효과(Body effect)를 이용하여 작은 전류 레벨을 쉽게 제어 할 수 있는 넓은 입력전압 범위를 제공함으로써 종래의 좁은 입력전압 범위 때문에 발생되는 화질 저하에 대한 문제를 해결할 수 있다.Further, by providing a wide input voltage range that can easily control a small current level by using an increase in the anode voltage (VANODE) of the organic light emitting diode (OLED) and a substrate bias effect (Body effect), the conventional narrow input voltage range It is possible to solve the problem of deterioration in image quality that is generated.

더 나아가 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치를 포함하는 디스플레이 장치에 있어서 유기발광다이오드(OLED)의 휘도 편차를 감지하는 센서부(540)와 유기발광다이오드(OLED)의 휘도에 따라 입력 데이터 전압을 조정하는 신호제어부(550)를 이용하여 빛이나 주변 온도 또는 공정 편차 등으로 인한 유기발광다이오드(OLED)의 휘도 편차를 보상할 수 있다.Further, in the display device including the organic light emitting diode display of the present invention, the sensor unit 540 for detecting the luminance deviation of the organic light emitting diode (OLED) and the input data voltage may be adjusted according to the brightness of the organic light emitting diode The luminance deviation of the organic light emitting diode (OLED) due to light, ambient temperature, process variation, or the like can be compensated by using the signal controller 550.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.It should be noted that the embodiments of the present invention disclosed in the present specification and drawings are only illustrative of specific examples for the purpose of understanding and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.

OLED : 유기발광다이오드 ND : NMOS 구동 트랜지스터
NP : NMOS 프로그래밍 트랜지스터 PD : PMOS 구동 트랜지스터
PP : PMOS 프로그래밍 트랜지스터 CSTG : 저장 커패시터
ST1 : 제1 스위칭 트랜지스터 ST2 : 제2 스위칭 트랜지스터
ST3 : 제3 스위칭 트랜지스터 DL : 데이터라인
GL : 스캔라인 IL : 초기화라인
EL : 에미션라인 510 : 패널부
520 : 데이터 드라이버 530 : 게이트 드라이버
540 : 센서부 541 : 센서
542 : 메모리 543 : 연산기
550 : 신호제어부OLED: organic light emitting diode ND: NMOS driving transistor
NP: NMOS programming transistor PD: PMOS driving transistor
PP: PMOS programming transistor CSTG: storage capacitor
ST1: first switching transistor ST2: second switching transistor
ST3: Third switching transistor DL: Data line
GL: scan line IL: initialization line
EL: Emission line 510: Panel section
520: Data driver 530: Gate driver
540: Sensor part 541: Sensor
542: memory 543:
550: Signal control section

Claims (15)

유기발광다이오드;
상기 유기 발광 다이오드가 연결되는 소스와 상기 유기발광다이오드의 구동을 위한 전원 전압이 인가되는 드레인을 가지는 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 게이트와 소스에 병렬 접속되고, 제1 제어신호에 따라 인가되는 상기 게이트와 소스 사이의 전압을 한 프레임 시간동안 저장시키는 저장 커패시터;
상기 제1 제어신호에 따른 스위칭 동작을 통해 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 공급하기 위한 제1 스위칭 트랜지스터;
상기 제1 제어신호에 따른 스위칭 동작을 통해 접지 전원을 상기 유기발광다이오드의 애노드 단자에 공급하기 위한 제2 스위칭 트랜지스터;
제2 제어신호에 따른 스위칭 동작을 통해 상기 유기발광다이오드에 전류를 공급하는 제3 스위칭 트랜지스터; 및
상기 제2 스위칭 트랜지스터가 연결되는 드레인, 상기 접지 전원이 연결되는 소스 및 상기 제1 스위칭 트랜지스터와 연결되는 게이트를 가지는 프로그래밍 트랜지스터를 포함하고,
상기 제2 스위칭 트랜지스터의 스위칭 동작에 의해 상기 프로그래밍 트랜지스터가 동작되며,
상기 제1 제어신호가 활성화될 때 상기 제2 제어신호는 비활성화되고, 상기 제1 제어신호가 비활성화될 때 상기 제2 제어신호는 활성화되는 것인 유기발광다이오드 표시장치.Organic light emitting diodes;
A driving transistor having a source to which the organic light emitting diode is connected and a drain to which a power supply voltage for driving the organic light emitting diode is applied;
A storage capacitor connected in parallel to the gate and the source of the driving transistor and storing a voltage between the gate and the source applied in accordance with the first control signal for one frame time;
A first switching transistor for supplying a data voltage to a gate of the driving transistor through a switching operation according to the first control signal;
A second switching transistor for supplying a ground voltage to the anode terminal of the organic light emitting diode through a switching operation according to the first control signal;
A third switching transistor for supplying a current to the organic light emitting diode through a switching operation according to a second control signal; And
And a programming transistor having a drain connected to the second switching transistor, a source connected to the ground power source, and a gate connected to the first switching transistor,
The programming transistor is operated by the switching operation of the second switching transistor,
Wherein the second control signal is deactivated when the first control signal is activated and the second control signal is activated when the first control signal is deactivated. 제1항에 있어서,
상기 제2 스위칭 트랜지스터는 입력단자가 상기 구동 트랜지스터의 소스에 연결되고, 출력단자가 상기 프로그래밍 트랜지스터에 연결되는 것인 유기발광다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the second switching transistor has an input terminal connected to the source of the driving transistor and an output terminal connected to the programming transistor. 제1항에 있어서,
상기 프로그래밍 트랜지스터는 상기 제2 스위칭 트랜지스터의 스위칭 동작에 의해 상기 구동 트랜지스터의 소스와 연결되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압을 프로그래밍 하는 것인 유기발광다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the programming transistor is connected to the source of the driving transistor by a switching operation of the second switching transistor to program a gate-source voltage of the driving transistor. 제1항에 있어서,
상기 프로그래밍 트랜지스터와 상기 구동 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터인 것인 유기발광다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the programming transistor and the driving transistor are NMOS transistors. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 제어신호에 의해 상기 프로그래밍 트랜지스터와 상기 구동 트랜지스터가 연결되는 것인 유기발광다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
And the programming transistor and the driving transistor are connected by the first control signal. 제1항에 있어서,
상기 제3 스위칭 트랜지스터는 상기 제2 제어신호에 의한 오프 동작에 의해 상기 유기발광다이오드의 발광을 차단하는 것인 유기발광다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
And the third switching transistor blocks the light emission of the organic light emitting diode by an OFF operation by the second control signal. 제1항에 있어서,
상기 제2 스위칭 트랜지스터는 상기 구동 트랜지스터의 소스와 상기 유기발광다이오드의 상기 애노드 단자에 공통 접속되는 것인 유기발광다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
And the second switching transistor is connected in common to the source of the driving transistor and the anode terminal of the organic light emitting diode. 제1항에 있어서,
상기 제2 스위칭 트랜지스터는 상기 접지 전원과 스위칭시 상기 유기발광다이오드의 발광을 차단하는 것인 유기발광다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
And the second switching transistor blocks light emission of the organic light emitting diode when the organic light emitting diode is switched to the ground power supply. 제1항에 있어서,
상기 데이터 전압은 상기 유기발광다이오드의 발광이 차단된 상태에서 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 것인 유기발광다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the data voltage is supplied to a gate of the driving transistor in a state in which the light emission of the organic light emitting diode is blocked. 유기발광다이오드; 상기 유기발광다이오드가 연결되는 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 소스에 병렬 접속되고, 제1 제어신호에 따라 인가되는 구동 트랜지스터의 게이트와 소스 사이의 전압을 한 프레임 시간동안 저장시키는 저장 커패시터; 상기 제1 제어신호에 따라 스위칭 동작하는 제1 스위칭 트랜지스터; 상기 제1 제어신호에 따라 스위칭 동작하는 제2 스위칭 트랜지스터; 제2 제어신호에 따라 스위칭 동작하는 제3 스위칭 트랜지스터; 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터가 연결되는 드레인과 접지 전원이 연결되는 소스를 가지는 프로그래밍 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 스위칭 트랜지스터의 스위칭 동작에 의해 상기 프로그래밍 트랜지스터가 동작되는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법에 있어서,
상기 제1 제어신호가 활성화되고 상기 제2 제어신호는 비활성화 되어, 데이터 전압이 인가되는 데이터 기입 단계; 및
상기 제1 제어신호는 비활성화되고 상기 제2 제어신호가 활성화 되어, 상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압에 의해 상기 유기발광다이오드가 발광하는 발광 단계를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.Organic light emitting diodes; A driving transistor connected to the organic light emitting diode; A storage capacitor connected in parallel to the gate and the source of the driving transistor and storing a voltage between the gate and the source of the driving transistor applied in accordance with the first control signal for one frame time; A first switching transistor switching according to the first control signal; A second switching transistor switching according to the first control signal; A third switching transistor switching according to a second control signal; And a programming transistor having a drain connected to the second switching transistor and a source connected to a ground power, and the programming transistor is operated by a switching operation of the second switching transistor. As a result,
A data writing step in which the first control signal is activated and the second control signal is inactivated to apply a data voltage; And
Wherein the first control signal is inactivated and the second control signal is activated so that the organic light emitting diode emits light by a gate-source voltage of the driving transistor. 제11항에 있어서, 상기 데이터 기입 단계는,
상기 제1 제어신호에 의해 상기 제1 스위칭 트랜지스터 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터가 턴온되고, 상기 제2 제어신호에 의해 상기 제3 스위칭 트랜지스터가 턴오프되어, 상기 데이터 전압이 상기 유기발광다이오드의 발광이 차단된 상태에서 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 것인 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.12. The method according to claim 11,
The first switching transistor and the second switching transistor are turned on by the first control signal and the third switching transistor is turned off by the second control signal so that the data voltage is lower than the light emission of the organic light emitting diode And is supplied to the gate of the driving transistor in a cut-off state. 제11항에 있어서,
상기 데이터 기입 단계에서 형성되는 상기 구동 트랜지스터의 소스전압은 상기 구동 트랜지스터와 상기 프로그래밍 트랜지스터의 상호컨덕턴스(transconductance)에 의해 형성되는 전압이 인가되는 것인 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.12. The method of claim 11,
Wherein a source voltage of the driving transistor formed in the data writing step is a voltage formed by a transconductance of the driving transistor and the programming transistor. 제11항에 있어서, 상기 데이터 기입 단계에서,
상기 프로그래밍 트랜지스터는 상기 제2 스위칭 트랜지스터의 스위칭 동작에 의해 상기 구동 트랜지스터의 소스와 연결되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압을 프로그래밍 하는 것인 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.12. The method according to claim 11, wherein in the data writing step,
Wherein the programming transistor is connected to a source of the driving transistor by a switching operation of the second switching transistor to program a gate-source voltage of the driving transistor. 제11항에 있어서, 상기 발광 단계는,
상기 제1 제어신호에 의해 상기 제1 스위칭 트랜지스터 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터가 턴오프되고, 상기 제2 제어신호에 의해 상기 제3 스위칭 트랜지스터가 턴온되어, 상기 유기발광다이오드의 애노드 전압을 통해 형성되는 상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압에 의해 상기 유기발광다이오드가 발광 동작을 수행하는 것인 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.12. The method of claim 11,
The first switching transistor and the second switching transistor are turned off by the first control signal and the third switching transistor is turned on by the second control signal to be formed through the anode voltage of the organic light emitting diode Wherein the organic light emitting diode performs a light emitting operation by a gate-source voltage of the driving transistor.
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