KR101835688B1

KR101835688B1 - 듀얼 인 라인 메모리 모듈(dimm) 커넥터

Info

Publication number: KR101835688B1
Application number: KR1020167030609A
Authority: KR
Inventors: 로버트 월터 베리 주니어; 리안 조셉 페닝턴; 요압 다니엘 헨더슨; 디브야 쿠마르
Original assignee: 퀄컴 인코포레이티드
Priority date: 2014-05-05
Filing date: 2015-04-14
Publication date: 2018-03-07
Also published as: KR20170002402A; US9722335B2; CN106462519A; EP3140747A1; US20150318627A1; JP6285571B2; JP2017515231A; WO2015171274A1; CN106462519B

Abstract

강화된 DIMM(dual in line memory module) 커넥터는 산업 표준 DIMM에 대한 표준 도전성 경로들 상의 시그널링에 대한 액세스를 제공하는 내부 도전성 경로들을 포함한다. 내부 도전성 경로들은 커넥터를 통해 표준 도전성 경로들과 직렬로 또는 병렬로 커플링된다. 인터포저 회로, 예컨대, 제어 회로 및/또는 보충 메모리 회로는 커넥터 상에 또는 그 내에 통합될 수 있다. 인터포저 회로는 메모리 제어기에 대한 도전성 경로로부터 DIMM 상의 불량 동적 랜덤 메모리(DRAM)를 선택적으로 디커플링하고 그 대신 도전성 경로들에 교체 DRAM을 커플링하도록 구성된 전계 효과 트랜지스터(FET) 스위칭 회로를 포함할 수 있다

Description

듀얼 인 라인 메모리 모듈(DIMM) 커넥터{DUAL IN LINE MEMORY MODULE (DIMM) CONNECTOR}

[0001] 본 개시는 일반적으로 메모리 설계 및 제조에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 개시의 일 양상은 강화된 DIMM(dual in line memory module) 커넥터에 관한 것이다.

[0002] 컴퓨터 및 셀룰러 전화들과 같은 전자 디바이스들은 일반적으로, 밀집되게 파퓰레이팅되는 하나 또는 그 초과의 회로 보드들 상에 장착되는 다수의 전자 컴포넌트들로 구성된다. 전자 디바이스들의 성능 특성들 및 기능성은 회로 보드 표면적 제약에 의해 제한될 수 있다. 특정 스케일의 컴포넌트들로부터 구성될 전자 디바이스에 새로운 특징들 또는 기능성들을 부가하는 것은 일반적으로, 디바이스에서 하나 또는 그 초과의 회로 보드들의 표면적을 증가시키거나, 또는 디바이스로부터의 다른 특징들 또는 기능성들을 제거하는 것을 수반한다.

[0003] 개인용 컴퓨터들, 워크스테이션들, 서버들 및 다수의 다른 범용 컴퓨터들 및 특수 목적 컴퓨터들은 흔히, 모듈들 또는 확장 카드들로서 흔히 지칭되는 다수의 별개의 회로 보드들에 커플링되는, 마더보드 또는 백플레인으로서 흔히 지칭되는 기본 회로 보드를 이용하여 구성된다. 마더보드는 일반적으로 그의 표면 상에 장착되는 다수의 산업 표준 커넥터들 및 표준 커넥터들에 커플링되는 다수의 도전성 경로들을 포함한다. 모듈들 또는 확장 카드들은 일반적으로, 에지 부분을 따라 노출된 도전성 콘택들의 세트를 포함하며, 이는 산업 표준 커넥터들의 각각의 도전성 경로들에 전기적으로 커플링되고 이와 메이팅하도록 배열된다.

[0004] 메모리 모듈 커넥터는, 회로 보드에 산업 표준 메모리 모듈을 기계적으로 보유하도록 구성된 커넥터 바디 및 커넥터 바디를 통해 연장하는 전기 경로들의 제 1 세트를 포함한다. 전기 경로들의 제 1 세트는 회로 보드에 산업 표준 메모리 모듈을 전기적으로 커플링하도록 구성된다. 메모리 모듈 커넥터는 또한 커넥터 바디 상의 로직 회로에 전기 경로들의 제 1 세트를 커플링하도록 구성된 전기 경로들의 제 2 세트를 포함한다.

[0005] 시스템은 메모리 제어기, 산업 표준 메모리 모듈(들)을 지원하는 커넥터를 포함한다. 커넥터는 주 및 보조 메모리 디바이스들의 핀 아웃(pin out)들에 액세스하고 라우팅하도록 동작 가능한 로직을 포함한다. 시스템은 또한 커넥터에 커플링된 리던던시 제어기(redundancy controller)를 포함한다. 리던던시 제어기는 메모리 제어기로부터의 요청에 대한 응답으로 장애 주 메모리 디바이스를 교체하기 위해 보조 메모리 디바이스를 활성화 및 리맵핑하도록 커넥터에 지시하게 동작 가능하다.

[0006] 메모리 모듈 커넥터를 제어하기 위한 방법은 커넥터 바디를 통해 연장하는 전기 경로들의 세트를 통해 회로 보드 상의 메모리 제어기 회로에 산업 표준 메모리 모듈을 기계적으로 커플링하는 단계를 포함한다. 커넥터 바디는 회로 보드에 산업 표준 메모리 모듈을 전기적으로 보유하도록 구성된다. 방법은 또한 커넥터 바디 상의 로직 회로에 전기 경로들의 제 1 세트를 커플링하는 것을 포함한다. 로직 회로는 산업 표준 메모리 모듈로의 그리고 이로부터의 시그널링들에 액세스하도록 구성된다.

[0007] 메모리 모듈 커넥터는 회로 보드에 산업 표준 메모리 모듈을 기계적으로 보유하기 위한 수단을 포함한다. 이 양상에 따른 메모리 모듈 커넥터는 또한 기계적으로 보유하는 수단을 통해 연장하는 전기 경로들의 제 1 세트를 포함한다. 전기 경로들의 제 1 세트는 회로 보드에 산업 표준 메모리 모듈을 전기적으로 커플링하도록 구성된다. 메모리 모듈 커넥터는 또한 기계적으로 보유하는 수단 상의 로직 회로에 전기 경로들의 제 1 세트를 커플링하도록 구성된 전기 경로들의 제 2 세트를 포함한다.

[0008] 다음의 상세한 설명이 더 양호하게 이해될 수 있도록, 본 개시의 특징들 및 기술적 이점들을 오히려 광범위하게 약술하였다. 본 개시의 부가적인 특징들 및 이점들은 아래에서 설명될 것이다. 본 개시가 본 개시의 동일한 목적을 수행하기 위해 다른 구조들을 설계하거나 또는 변형하기 위한 기초로서 용이하게 이용될 수 있다는 것이 당업자들에 의해 인식되어야 한다. 또한, 이러한 등가의 구성들이 첨부된 청구항들에서 설명되는 본 개시의 교시들로부터 벗어나지 않는다는 것이 당업자들에 의해 인식될 것이다. 추가의 목적들 및 이점들과 함께, 본 개시의 구조 및 동작 방법 둘 다에 관하여, 본 개시의 특징이라 여겨지는 신규한 특징들은 첨부된 도면과 관련하여 고려될 때 다음의 설명으로부터 더 잘 이해될 것이다. 그러나 도면들 각각은 단지 예시 및 설명의 목적을 위해 제공되며 본 개시의 한계들의 정의로서 의도되지 않는다는 것이 명시적으로 이해될 것이다.

[0009] 본 개시의 보다 완전한 이해를 위해, 첨부 도면들과 함께 이루어지는 이하의 설명이 이제 참조된다.
[0010] 도 1a는 종래의 산업 표준 DIMM(dual in-line memory module) 및 DIMM 커넥터의 예시이다.
[0011] 도 1b는 종래의 산업 표준 DIMM 커넥터의 예시이다.
[0012] 도 2는 기본 인쇄 회로 보드 상의 종래의 산업 표준 DIMM 및 DIMM 커넥터의 예시이다.
[0013] 도 3a 및 도 3b는 본 개시의 양상에 따른, 인터포저 회로를 포함하는 강화된 DIMM 커넥터의 예시들이다.
[0014] 도 4는 본 개시의 양상들에 따른, 표준 도전성 경로들과 직렬로 커플링되는 인터포저 회로를 포함하는 강화된 DIMM 커넥터의 측 단면도이다.
[0015] 도 5는 본 개시의 양상들에 따른, 표준 도전성 경로들과 병렬로 커플링되는 인터포저 회로를 포함하는 강화된 DIMM 커넥터의 측 단면도이다.
[0016] 도 6은 본 개시의 양상들에 따른, 스페어 DRAM 방식을 구현하도록 구성된 전계 효과 트랜지스터(FET) 스위치들을 포함하는 강화된 DIMM 커넥터에 커플링되는 DIMM의 개략도이다.
[0017] 도 7은 본 개시의 양상들에 따라 메모리 모듈을 제어하기 위한 방법을 예시하는 프로세스 흐름도이다.
[0018] 도 8은 본 개시의 구성이 유리하게 이용될 수 있는 예시적인 무선 통신 시스템을 도시하는 블록도이다.
[0019] 도 9는 일 구성에 따른 메모리 시스템 컴포넌트의 회로, 레이아웃 및 로직 설계를 위해 이용되는 설계 워크스테이션을 예시하는 블록도이다.

[0020] 첨부된 도면들과 관련하여 아래에서 기술되는 상세한 설명은 다양한 구성들의 설명으로서 의도되며 본원에서 설명되는 개념들이 실시될 수 있는 유일한 구성들만을 나타내도록 의도되는 것은 아니다. 상세한 설명은 다양한 개념들의 완전한 이해를 제공하기 위해서 특정 세부사항들을 포함한다. 그러나 이들 개념들은 이들 특정 세부사항들 없이 실시될 수 있음이 당업자에게 명백할 것이다. 일부 인스턴스들에서, 잘-알려진 구조들 및 컴포넌트들은 이러한 개념들을 모호하게 하는 것을 피하기 위해 블록도 형태로 도시된다. 본원에서 설명된 바와 같이, "및/또는"이란 용어의 이용은 "포괄적 OR"를 나타내도록 의도되며, "또는"이란 용어의 이용은 "배타적 OR"를 나타내도록 의도된다.

[0021] 본 개시의 양상들에 따라, 인터포저 회로는 DIMM(dual in-line memory module) 커넥터의 표면 상에 구성되거나 DIMM 커넥터의 바디 내에 임베딩된다. 인터포저 회로는 커넥터에 설치된 DIMM으로의 및/또는 이로부터의 임의의 시그널링에 액세스하도록 DIMM 커넥터의 도전성 경로들에 커플링된다. 개시된 DIMM 커넥터는 표준 DIMM들에 커플링하기 위해 산업 표준 도체 어레인지먼트들 및 물리적 치수들에 따를 수 있다. 본 개시의 양상들에 따라 인터포저 회로를 DIMM 커넥터 상에 또는 DIMM 커넥터 바디 내에 포함시키는 것은, 컴퓨팅 디바이스의 물리적 크기를 증가시킴 없이, 부가적인 성능이 컴퓨팅 디바이스 상에 포함되도록 허용한다. DIMM 커넥터 상의 개시된 신호 인터페이스는 다수의 방식으로 DIMM으로 또는 이로부터 제어 신호들 및/또는 데이터 신호들과 같은 아웃고잉 또는 인커밍 신호들을 레버리지하는 방식을 제공한다.

[0022] 본 개시의 양상에 따라, 인터포저 회로를 포함하는 강화된 DIMM 커넥터는 메모리 에러들의 효과를 완화할 수 있다. 메모리 밀도가 다수의 전자 디바이스들 및 컴퓨터 시스템들에서 계속 높아짐에 따라, 단일 및 다중 비트 에러들과 같은 메모리 에러들의 가능성이 또한 증가한다. 다양한 에러 정정 기술들이 전자 디바이스들 및 컴퓨터들에서 에러들을 식별하고 정정하기 위해 안출되었다. 서버 설계들 및 다른 컴퓨터 디바이스들에서 널리 이용되는, 특정한 이전에 알려진 에러 정정 기술들은 식별을 위해 메모리 제어기에 에러 정정 코드들을 제공하고 그리고/또는 단일 비트 메모리 에러들을 정정할 수 있는 특수 DIMM의 이용을 수반한다.

[0023] 주문식(custom) DIMM들이 또한 보다 복잡한 에러 핸들링 기술들을 구현하기 위해 이전에 이용되었다. 그럼에도, 부가적인 에러 정정 기능성을 제공하기 위해 주문식 DIMM들의 이용은 표준 DIMM들을 이용하는 것보다 훨씬 더 비싸다. 또한, 시스템 설계에서 주문식 DIMM들의 이용은 예를 들어, 단일 DIMM 벤더에 대한 시스템 설계를 시도하고 그리고/또는 DIMM 시스템 아키텍처를 제한함으로써 비용을 부가할 수 있다. 본 개시의 양상에 따른, 커넥터 장착 제어 회로를 포함하는 강화된 DIMM 커넥터는, 상당한 비용을 부가하고 컴퓨팅 디바이스 내의 부가적인 공간을 소비함 없이 컴퓨팅 디바이스에서 단일 비트 에러들 및 다중 비트 에러들의 불리한 효과들을 감소시킬 수 있는 에러 보호 방식들의 구현을 용이하게 한다.

[0024] 도 1a-1b 및 도 2는, 일반적으로 PCB(printed circuit board)(104) 상에 장착되는 일련의 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 집적 회로들(102)을 포함하는 산업 표준 타입의 모듈인 DIMM(dual in-line memory module)(100)를 도시한다. PCB(104) 상의 도전성 경로들에 의해 집적 회로들(102)에 커플링되는 전기 콘택들(106)은 DIMM 커넥터(108)의 각각의 도전성 단자들과의 메이팅을 위해 DIMM(100)의 에지를 따라 표준 어레인지먼트로 이격된다. 전기 콘택들(106)은 흔히 DIMM 커넥터(108)의 도전성 단자들의 2개의 별개의 행들과의 메이팅을 위해 PCB(104)의 양 측들 상에 로케이팅된다.

[0025] DIMM 커넥터(108)는 마더보드와 같은 기본 인쇄 회로 보드(PCB)에 DIMM들(100)을 제거 가능하게 커플링하도록 구성된 산업 표준 커넥터들이다. 도 1b에서 도시된 바와 같이, DIMM 커넥터(108)는, 커넥터 바디(110) 및 커넥터 바디(110)를 통해 연장하는 다수의 도전성 단자들(112)을 포함한다. 도전성 단자들(112) 각각은 일반적으로 메이팅 부분(114) 및 솔더 부분(115)을 포함한다. 메이팅 부분들은 DIMM(100)의 대응하는 전기 콘택(106)과 접촉하도록 커넥터 바디(110)의 슬롯(116) 내에 배열된다. 산업 표준 DIMM 커넥터들은 DIMM(100)의 두 측들 상의 대응하는 콘택들 간에 전기 인터페이스를 제공하기 위해 슬롯(116)의 각각의 측 상에 배열되는 콘택들의 별개의 세트들을 포함할 수 있다.

[0026] 도 1b 및 도 2에서 도시된 바와 같이, DIMM 커넥터(108)는 일반적으로, DIMM 커넥터(108)의 도전성 단자들(112) 각각의 솔더 부분(115)을 마더보드(200)의 도전성 경로들에 납땜함으로써 마더보드(200)와 같은 기본 PCB에 영구적으로 커플링된다. DIMM 커넥터들(108)은 또한 스냅 암들(118) 또는 기계적 파스너너들과 같은 기계적 수단에 의해 마더보드(200)에 커플링될 수 있다. 이 기계적 부착은 마더보드(200)의 표면 상에 DIMM 커넥터(108)를 안전하게 로케이팅하고 마더보드(200)의 도전성 경로들에 도전성 단자들(112)의 솔더 부분들(115)을 커플링하는 솔더 접합부들로부터의 스트레인(strain)을 완화한다.

[0027] 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 개시의 일 양상은, 여기서 인터포저 회로(302)로서 지칭되는 주문식 집적 회로(IC)와 강화된 DIMM 커넥터(300)의 표준 콘택들 간에 보충 콘택들을 제공하도록 구성된 강화된 DIMM 커넥터(300)를 포함한다. 인터포저 회로(302) 상에 장착되는 커넥터는 예를 들어, 제어 회로 및/또는 하나 또는 그 초과의 보조 DRAM(dynamic random access memory) 어레이들과 같은 로직 회로를 포함할 수 있다. 일 예에서, 보충 콘택들의 세트는 인터포저 회로(302)가, 강화된 DIMM 커넥터(300)에 장착되는 DIMM들로 신호들을 송신하고 그리고/또는 이로부터 신호들을 수신하는 것을 허용한다.

[0028] 본 개시의 양상에 따라, 강화된 DIMM 커넥터(300)는 마더보드 또는 백플레인과 같은 기본 PCB와 DIMM 상의 메모리 간의 시그널링 중 일부 또는 전부에 대한 액세스를 제공한다. 강화된 DIMM 커넥터(300)의 바디(304) 상에 인터포저 회로(302)를 로케이팅함으로써, 기본 PCB 또는 DIMM 상의 어떠한 부가적인 공간도 제어 회로에 의해 소비되지 않는다.

[0029] 도 4는, 인터포저 회로(402)가 커넥터를 통해 연장하는 도전성 경로들(406, 406')과 직렬로 커플링되는, 본 개시의 양상에 따른 강화된 DIMM 커넥터(400)의 측 단면도 예시이다. 도전성 경로(406, 406')는 강화된 DIMM 커넥터(400)에 설치된 DIMM과 기본 PCB 간에 커플링을 제공한다. 예를 들어, 도전성 경로(406, 406')는 산업 표준 어레인지먼트로 배열될 수 있다. 도전성 경로들(406, 406')과 직렬로 인터포저 회로(402)를 커플링하는 것은, 인터포저 회로(402)가 예를 들어, 데이터(DQ) 및 데이터 스트로브(DQS)와 같은, DIMM으로의 및/또는 이로부터의 신호들에 능동적으로 액세스하는 것을 허용한다.

[0030] 도 5는, 인터포저 회로(502)가 커넥터를 통해 연장하는 도전성 경로들(506, 506')과 병렬로 커플링되는, 본 개시의 양상에 따른 강화된 DIMM 커넥터(500)의 측 단면도 예시이다. 도전성 경로(506, 506')는 강화된 DIMM 커넥터(500)에 설치된 DIMM과 기본 PCB 간에 커플링을 제공하고 예를 들어, 산업 표준 어레인지먼트로 배열될 수 있다. 도전성 경로(506, 506')와 병렬로 인터포저 회로(502)를 커플링하는 것은, 인터포저 회로(502)가 예를 들어, 커맨드 및 어드레스 신호들과 같은, DIMM으로의 및/또는 이로부터의 신호들에 수동적으로 액세스하도록 허용한다.

[0031] 본 개시의 다른 양상에 따라, 강화된 DIMM 커넥터는 도 4에서 도시된 바와 같이 인터포저 회로와 직렬로 커플링되는 하나 또는 그 초과의 도전성 경로들(406, 406') 및 도 5에서 도시된 바와 같이, 인터포저 회로와 병렬로 커플링되는 하나 또는 그 초과의 도전성 경로들(506, 506')을 포함할 수 있다.

[0032] 본 개시의 양상들에 따른, 강화된 DIMM 커넥터 상의 인터포저 회로는 커넥터에 삽입되는 DIMM의 메모리 회로로의 및/또는 이로부터의 신호들에 액세스하고 라우팅하도록 동작 가능한 로직 회로를 포함할 수 있다. 예시적인 구현에서, 로직은 에러 정정 기능성 및/또는 리던던시를 제공하기 위해 주 및 보조 메모리 디바이스들 간의 도전성 경로들에 액세스하고 라우팅하도록 동작 가능하다. 주 메모리 디바이스 및/또는 보조 메모리 디바이스는 커넥터에 설치되는 DIMM 상에 로케이팅될 수 있다. 대안적으로, 본 개시의 양상에 따라, 보조 메모리 디바이스는 예를 들어, 인터포저 회로에 통합될 수 있다.

[0033] 개시된 DIMM 커넥터의 일 예시적인 구현에서, 에러 정정 방식을 구현하기 위한 인터포저 회로는 개시된 DIMM 커넥터의 바디에 직접 장착되는 집적 회로(IC)의 제어 회로를 포함한다. 에러 방지를 제공하기 위해 커넥터 장착 제어 회로를 이용하는 이 예는, 컴퓨팅 디바이스 내의 부가적인 공간을 소비함 없이 컴퓨팅 디바이스에서 단일 비트 에러들 및 다중 비트 에러들의 불리한 효과들을 감소시킬 수 있다.

[0034] 개시된 DIMM 커넥터의 다른 예시적인 구현에서, 인터포저 회로는 스페어(apare) DRAM(dynamic random access memory) 회로를 메모리 시스템에 부가하도록 구성된다. 스페어 DRAM 회로는 예를 들어, DIMM 상의 불량 DRAM에 대해 능동적으로 교체될 수 있다. DRAM의 이러한 동적 교체는 컴퓨팅 디바이스의 물리적 크기를 증가시키거나 주문식 DIMM 솔루션에 의존함 없이 DIMM 상에서 단일 비트 에러들 및 다중 비트 에러들의 효과들을 완화한다.

[0035] 본 개시의 양상에 따라, 강화된 DIMM 커넥터를 이용하여 구현될 수 있는 DRAM 교체 방식의 예가 도 6을 참조하여 설명된다. 이 예에서, 다수의 DRAM 칩들(602)을 포함하는 표준 DIMM(600)은 강화된 DIMM 커넥터(604) 상에 설치된다. 강화된 DIMM 커넥터(604)는 예를 들어, 마더보드 또는 백플레인과 같은 인쇄 회로 보드 상에 장착될 수 있는 메모리 제어기 회로(606)에 커플링된다. 인터포저 회로는 다수의 전계 효과 트랜지스터(FET) 스위치들을 포함하고 강화된 DIMM 커넥터(604) 내에 장착되거나 포함된다. FET 스위치들(608)의 제 1 서브세트는 표준 DIMM(600) 상의 각각의 DRAM 칩(602)을 메모리 제어기 회로(606)에 커플링하는 도전성 경로들과 직렬로 커플링된다. FET 스위치들(609)의 제 2 서브세트는 메모리 제어기 회로(606)에 하나 또는 그 초과의 스페어 DRAM들(610)을 커플링하는 도전성 경로들과 직렬로 커플링된다. 제 1 서브세트의 각각의 FET 스위치(608)는 제 2 서브세트의 대응하는 FET 스위치(609)를 갖는다.

[0036] 본 개시의 양상에 따라, 스페어 선택 회로(612)는 FET 스위치들(608, 609)의 각각 상의 인에이블 입력에 커플링된다. 스페어 선택 로직 회로는 메모리 제어기 회로(606)로부터 불량 DRAM 칩(602)을 디커플링하도록 제 1 서브세트의 FET 스위치들(608) 중 하나를 턴 오프하고, 동시에 메모리 제어기 회로(606)에 스페어 RAM 칩(610)을 커플링하도록 제 2 서브세트의 대응하는 FET 스위치(609)를 턴 온하는 스페어 선택 신호를 생성하도록 구성된다. 일 구현에서, 스페어 DRAM 칩(610)은 예를 들어, 강화된 DIMM 커넥터 상에 장착되거나 포함될 수 있다. 다른 구현에서, 스페어 DRAM 칩은 예를 들어, 메모리 제어기에 분리 가능하게 커플링되는 다른 DIMM 상에 또는 인쇄 회로 보드 상에 장착될 수 있다.

[0037] 일 예에서, 커넥터 장착 제어 회로는 보조 DRAM들을 활용하기 위해 커넥터 외부에 DRAM 신호들의 서브세트를 전달하는 리던던시 제어기를 포함할 수 있다. 리던던시 제어기는 강화된 DIMM 커넥터 내에 로케이팅되는 보조 DRAM에 DRAM 신호들의 서브세트를 전달할 수 있다. 일 예에서, 리던던시 제어기는 어느 보조 DRAM들이 이용중인지를 파악하기 위한 지속성 스토리지를 포함한다.

[0038] 본 개시의 양상에 따라, 로직 회로는 강화된 DIMM 커넥터를 통해 시그널링에 액세스하고 그리고/또는 재라우팅하도록 구성된다. 액세스되는 신호 경로들은 강화된 DIMM 커넥터에서 콘택들의 특정한 미리 결정된 세트로 하드와이어링되고(hardwired) 그리고/또는 예를 들어, 강화된 DIMM 커넥터 상의 로직 회로에 의해 제어되는 다수의 FET 스위치들을 통해 라우팅될 수 있다. 개시된 DIMM 커넥터는 단일의 강화된 DIMM 커넥터 상에 다수의 스페어 DRAM들을 수용하도록 스케일 업(scale up)될 수 있다. 부가적인 산업 표준 DIMM 커넥터들 및/또는 강화된 DIMM 커넥터들은 마더보드 또는 백플레인과 같은 인쇄 회로 보드에 스페어 DRAM들을 커플링하도록 메모리 시스템에 포함될 수 있다.

[0039] 본 개시의 양상에 따라, 메모리 시스템은 산업 표준 DIMM들 및 개시된 강화된 DIMM 커넥터들을 포함하도록 구성될 수 있다. 산업 표준 DIMM들 각각은 현재 개시된 강화된 DIMM 커넥터들 중 각각의 것에 안착될 수 있다. 다른 예에서, 산업 표준 DIMM들의 서브세트의 각각은 현재 개시된 강화된 DIMM 커넥터들의 각각의 것에 안착될 수 있는 반면에, 나머지는 산업 표준 커넥터들에 안착될 수 있다. 일부 메모리 구현들에서, 본 개시의 양상에 따라, 메모리 시스템은, 예를 들어, 개시된 강화된 DIMM 커넥터의 단일의 것 상에 안착되는 모듈들을 포함할 수 있다.

[0040] 본 개시의 양상에 따라 메모리 모듈을 제어하기 위한 방법이 도 7을 참조하여 설명된다. 방법(700)은 블록(702)에서, 전기 경로들의 제 1 세트를 통해 회로 보드 상의 메모리 제어기 회로에 산업 표준 메모리 모듈을 전기적으로 커플링하는 것을 포함한다. 전기 경로들의 제 1 세트는 회로 보드에 산업 표준 메모리 모듈을 기계적으로 보유하도록 구성되는 커넥터 바디를 통해 연장한다. 블록(704)에서, 방법(700)은 또한 커넥터 바디 상의 로직 회로에 전기 경로들의 제 1 세트를 커플링하는 것을 포함한다. 로직 회로는, 예를 들어, 산업 표준 메모리 모듈로의 그리고 이로부터의 시그널링들에 액세스하도록 구성된다.

[0041] 본 개시의 양상에 따라, 방법(700)은 블록(706)에서 로직 회로에 스페어 선택 신호 경로를 커플링하는 것 그리고 블록(708)에서 스페어 선택 신호 경로 상에서 메모리 제어기로부터 스페어 선택 신호를 수신하는 것을 포함할 수 있다. 방법은 또한 블록(710)에서, 스페어 선택 신호를 수신하는 것에 대한 응답으로 커넥터 바디를 통해 연장하는 데이터 경로들의 제 2 세트를 통해 데이터 경로들의 제 1 세트에 스페어 DRAM을 커플링하는 것을 포함한다. 블록(712)에서, 방법(700)은 스페어 선택 신호를 수신하는 것에 대한 응답으로 데이터 경로들의 제 1 세트로부터 산업 표준 메모리 모듈 상의 불량 DRAM을 디커플링하는 것을 포함한다.

[0042] 본 개시의 양상에 따라, 방법(700)은 또한 블록(714)에서, DRAM(dynamic random access memory) 장애들에 대해 표준 메모리 모듈들을 검사하는 것 그리고, 블록(716)에서 DRAM의 장애를 검출하는 것에 대한 응답으로 로직 회로에 스페어 선택 신호를 송신하는 것을 포함할 수 있다.

[0043] 본 개시의 일 양상에서, 메모리 모듈 커넥터는 회로 보드에 산업 표준 메모리 모듈을 기계적으로 보유하기 위한 수단을 포함한다. 메모리 모듈 커넥터는 또한 기계적으로 보유하는 수단을 통해 연장하는 전기 경로들의 제 1 세트를 포함한다. 일 양상에서, 기계적으로 보유하는 수단은 커넥터 바디(110)이다. 다른 양상에서, 상술된 수단은 상술된 수단에 의해 인용된 기능들을 수행하도록 구성된 임의의 구조일 수 있다. 특정한 수단이 기술되었지만, 모든 개시된 수단이 개시된 구성들을 실시하는데 요구되는 것은 아니라는 것이 당업자에 의해 인지될 것이다. 또한, 특정한 잘 알려진 수단들은 본 개시로의 초점을 유지하기 위해 설명되지 않았다.

[0044] 도 8은 본 개시의 양상이 유리하게 이용될 수 있는 예시적인 무선 통신 시스템(800)을 도시하는 블록도이다. 예시 목적을 위해, 도 8은 3개의 원격 유닛들(820, 830 및 850) 및 2개의 기지국들(840)을 도시한다. 무선 통신 시스템들은 훨씬 더 많은 원격 유닛들 및 기지국들을 가질 수 있다는 것이 인지될 것이다. 원격 유닛들(820, 830, 및 850)은 개시된 강화된 DIMM 커넥터 장치를 포함하는 IC 디바이스들(825A, 825C 및 825B)을 포함한다. 기지국들, 스위칭 디바이스들 및 네트워크 장비와 같은 다른 디바이스들이 또한 개시된 강화된 DIMM 커넥터 장치를 포함할 수 있다는 것이 인지될 것이다. 도 8은 기지국(840)으로부터 원격 유닛들(820, 830, 및 850)로의 순방향 링크 신호들(880) 및 원격 유닛들(820, 830, 및 850)로부터 기지국들(840)로의 역방향 링크 신호들(890)을 도시한다.

[0045] 도 8에서, 원격 유닛(820)은 모바일 전화로 도시되며, 원격 유닛(830)은 휴대용 컴퓨터로서 도시되며, 원격 유닛(850)은 무선 로컬 루프 시스템에서 고정 위치 원격 유닛으로서 도시된다. 예를 들어, 원격 유닛들은, 모바일 폰들, 핸드-헬드 개인용 통신 시스템들(PCS) 유닛들, 휴대용 데이터 유닛들, 예컨대, 개인용 데이터 보조기기들, GPS 인에이블 디바이스들, 네비게이션 디바이스들, 셋톱 박스들, 음악 재생기들, 비디오 재생기들, 엔터테인먼트 유닛들, 고정 위치 데이터 유닛들, 예컨대, 검침 장비 또는 데이터 또는 컴퓨터 명령들을 저장 또는 리트리브하는 다른 디바이스들, 또는 이들의 결합일 수 있다. 도 8이 본 개시의 교시들에 따른 메모리 원격 유닛들을 도시하지만, 본 개시는 이러한 예시적으로 도시된 유닛들에 제한되지 않는다. 본 개시의 양상들은 강화된 DIMM 커넥터 장치를 포함하는 다수의 디바이스들에서 적합하게 이용될 수 있다.

[0046] 도 9는 위에서 개시된 강화된 DIMM 커넥터 장치와 같은 메모리 시스템 컴포넌트의 회로, 레이아웃 및 로직 설계를 위해 이용되는 설계 워크스테이션을 예시하는 블록도이다. 설계 워크스테이션(900)은 운영 체제 소프트웨어, 지원 파일 및 카덴스(Cadence) 또는 OrCAD와 같은 설계 소프트웨어를 포함하는 하드 디스크(901)를 포함한다. 설계 워크스테이션(900)은 또한 강화된 DIMM 커넥터 장치와 같은 반도체 컴포넌트(912) 또는 회로(910)의 설계를 용이하게 하기 위한 디스플레이(902)를 포함한다. 저장 매체(904)는 회로 설계(910) 또는 반도체 컴포넌트(912)를 유형으로(tangibly) 저장하기 위해 제공된다. 회로 설계(910) 또는 반도체 컴포넌트(912)는 GDSII 또는 GERBER와 같은 파일 포멧으로 저장 매체(904) 상에 저장될 수 있다. 저장 매체(904)는 CD-ROM, DVD, 하드 디스크, 플래시 메모리 또는 다른 적절한 디바이스일 수 있다. 또한, 설계 워크스테이션(900)은 저장 매체(904)로부터 입력을 수용하거나 저장 매체(904)에 출력을 기록하기 위한 드라이브 장치(903)를 포함한다.

[0047] 저장 매체(904) 상에 레코딩된 데이터는, 특정 로직 회로 구성들, 포토리소그래피 마스크들을 위한 패턴 데이터, 또는 전자 빔 리소그래피와 같은 직렬 기록 툴들에 대한 마스크 패턴 데이터를 포함할 수 있다. 데이터는 추가로, 타이밍도들 또는 로직 시뮬레이션들과 연관되는 넷(net) 회로들과 같은 로직 검증 데이터를 포함할 수 있다. 저장 매체(904) 상에 데이터를 제공하는 것은 반도체 웨이퍼들을 설계하기 위한 프로세스들의 수를 감소시킴으로써 회로 설계(910) 또는 반도체 컴포넌트(912)의 설계를 용이하게 한다.

[0048] 펌웨어 및/또는 소프트웨어 구현에 대해, 방법론들은, 본원에서 설명되는 기능들을 수행하는 모듈들(예를 들어, 프로시저들, 함수들 등)로 구현될 수 있다. 명령들을 유형으로 실현하는 머신-판독 가능 매체는 본원에서 설명되는 방법론들을 구현하는데 이용될 수 있다. 예를 들어, 소프트웨어 코드들은 메모리에 저장되고 프로세서 유닛에 의해 실행될 수 있다. 메모리는 프로세서 유닛 내에 또는 프로세서 유닛 외부에서 구현될 수 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "메모리"라는 용어는 장기, 단기, 휘발성, 비휘발성 또는 다른 메모리의 타입들을 지칭하며, 메모리의 특정 타입이나 메모리들의 개수, 또는 메모리가 저장되는 매체들의 타입으로 제한되는 것은 아니다.

[0049] 펌웨어 및/또는 소프트웨어로 구현되는 경우, 기능들은 컴퓨터 판독 가능 매체 상의 하나 또는 그 초과의 명령들 또는 코드로서 저장될 수 있다. 예들은, 컴퓨터 프로그램으로 인코딩된 컴퓨터-판독 가능 매체들 및 데이터 구조로 인코딩된 컴퓨터-판독 가능 매체들을 포함한다. 컴퓨터-판독 가능 매체들은 물리적 컴퓨터 저장 매체들을 포함한다. 저장 매체는 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 이용 가능한 매체일 수 있다. 한정이 아닌 예시로, 이러한 컴퓨터 판독 가능 매체는 RAM, ROM, EEPROM, CD-ROM이나 다른 광 디스크 저장소, 자기 디스크 저장소 또는 다른 자기 저장 디바이스들, 또는 명령들이나 데이터 구조들의 형태로 원하는 프로그램 코드를 전달 또는 저장하는데 사용될 수 있으며 컴퓨터에 의해 액세스 가능한 다른 매체를 포함할 수 있고, 본 명세서에서 사용된 것과 같은 디스크(disk 및 disc)는 콤팩트 디스크(CD: compact disc), 레이저 디스크(laser disc), 광 디스크(optical disc), 디지털 다기능 디스크(DVD: digital versatile disc), 플로피 디스크(floppy disk) 및 블루레이 디스크(Blu-ray disc)를 포함하며, 여기서 디스크(disk)들은 보통 데이터를 자기적으로 재생하는 한편, 디스크(disc)들은 데이터를 레이저들에 의해 광학적으로 재생한다. 이들의 결합들은 또한 컴퓨터 판독 가능 매체들의 범위 내에 포함되어야 한다.

[0050] 컴퓨터 판독 가능 매체 상의 저장 외에도, 명령들 및/또는 데이터는 통신 장치에 포함되는 전송 매체들 상의 신호들로서 제공될 수 있다. 예를 들어, 통신 장치는 명령 및 데이터를 나타내는 신호들을 갖는 트랜시버를 포함할 수 있다. 명령 및 데이터는 하나 이상의 프로세서들이 청구항들에 약술된 기능들을 구현하게 하도록 구성된다.

[0051] 본원에서 설명되는 강화된 DIMM 커넥터들을 포함하는 메모리 디바이스들은 개인용 컴퓨터, GPS 인에이블 디바이스들, 네비게이션 디바이스들, 셋톱 박스들, 음악 재생기들, 비디오 재생기들, 엔터테인먼트 유닛들, 고정 위치 데이터 유닛들, 예컨대, 검침 장비 또는 데이터 또는 컴퓨터 명령들을 저장 또는 리트리브하는 임의의 다른 디바이스들, 또는 이들의 임의의 결합 내에 포함될 수 있다는 것이 인지되어야 한다. 이에 따라, 본 개시의 양상들은 본원에서 개시된 MTJ(magnetic tunnel junction) 저장 엘리먼트들을 갖는 메모리를 포함하는 능동 집적 회로를 포함하는 임의의 디바이스에서 적합하게 이용될 수 있다.

[0052] 또한, 다양한 메모리 시스템들 및 디바이스들은 본원에서 개시된 바와 같은 강화된 DIMM 커넥터의 어레이를 포함할 수 있다는 것이 인지되어야 한다. 부가적으로, 본원에서 개시된 강화된 DIMM 커넥터들은 예를 들어, 네트워크 서버 애플리케이션들과 같은 다양한 다른 애플리케이션들에서 이용될 수 있다. 이에 따라, 위의 개시 중 일부가 자립형 강화된 DIMM 커넥터를 논의하지만, 다양한 양상들은 강화된 DIMM 커넥터가 포함되는 디바이스들을 포함할 수 있다는 것이 인지될 것이다.

[0053] 이에 따라, 양상들은 프로세서에 의해 실행될 때, 프로세서 및 임의의 다른 협력 엘리먼트들을, 명령들에 의해 제공된, 본원에서 설명되는 기능성들을 수행하기 위한 머신으로 변환하는 명령들을 구현하는 머신-판독 가능 매체들 또는 컴퓨터-판독 가능 매체들을 포함할 수 있다.

[0054] 위의 개시가 예시적인 양상들을 도시하지만, 다양한 변화들 및 변형들이 첨부된 청구항들에 의해 정의된 본 개시의 범위로부터 벗어남 없이 본원에서 이루어질 수 있다는 것이 주의되어야 한다. 본원에서 설명되는 양상들에 따른 방법 청구항들의 기능들, 단계들 및/또는 동작들이 임의의 특정한 순서로 수행될 필요가 없다. 또한, 양상들의 엘리먼트들이 단수로 설명되거나 청구될 수 있지만, 단수로의 제한이 명시적으로 언급되지 않는 한 복수가 고려된다.

[0055] 본 개시 및 그의 이점들이 상세히 설명되었지만, 다양한 변화, 교체 및 변경은 첨부된 청구항들에 의해 정의된 바와 같은 본 개시의 기술로부터 벗어남 없이 이루어질 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 상관적 용어들, 예컨대, "위", "아래", "상단" 및 "하단"이 기판 또는 전자 디바이스에 관하여 이용된다. 물론, 기판 또는 전자 디바이스가 반전되는 경우, 위는 아래가 되고, 상단은 하단이 되며, 그 반대도 가능하다. 부가적으로, 측방향들로 배향되는 경우, "위", "아래", "상단" 및 "하단"이라는 용어들은 예를 들어, 기판 또는 전자 디바이스의 측면들을 지칭할 수 있다.

[0056] "예시적인"이라는 단어는 "예시, 실례 또는 예증으로서 역할하는 것"을 의미하는 것으로 사용된다. "예시적인" 것으로서 본 명세서에 설명되는 임의의 양상은, 반드시 다른 양상들에 비해 바람직하거나 유리한 것으로 해석되는 것은 아니다. 마찬가지로, "본 개시의 양상들"이라는 용어는 본 개시의 모든 양상들이 논의된 특징, 장점 또는 동작 모드를 포함할 것을 요구하진 않는다. 본 명세서에서 이용된 용어는 특정 양상들만을 설명하기 위한 것이며 본 개시의 양상들을 제한하려고 의도되지 않는다.

[0057] 본원에서 이용되는 바와 같이, 단수 형태는 문맥이 달리 명확히 표시하지 않으면, 복수 형태들을 또한 포함하도록 의도된다. 용어들 "포함한(comprises)", "포함하는(comprising)", "포함하다(includes)" 및/또는 "포함하는(including)"은 본 명세서에 이용될 때, 서술된 특징들, 정수들, 단계들, 동작들, 엘리먼트들 및/또는 컴포넌트들의 존재를 특정하지만, 하나 이상의 다른 특징들, 정수들, 단계들, 동작들, 엘리먼트들, 컴포넌트들 및/또는 그들의 그룹들의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다는 것이 추가로 이해될 것이다.

[0058] 또한, 본 출원의 범위는 명세서에서 설명된 프로세스, 머신, 제조, 물질의 조성물, 수단, 방법들 및 단계들의 특정한 구성들로 제한되도록 의도되지 않는다. 당업자가 본 개시로부터 쉽게 인지할 바와 같이, 여기서 설명된 대응하는 구성들과 실질적으로 동일한 결과를 달성하거나 실질적으로 동일한 기능을 수행하는, 현재 존재하거나 추후에 개발될 프로세스들, 머신들, 제조, 물질의 조성물, 수단들, 방법들, 또는 단계들이 본 개시에 따라 활용될 수 있다. 따라서 첨부된 청구항들은 이러한 프로세스들, 머신들, 제조, 물질의 조성물, 수단들, 방법들, 또는 단계들이 그의 범위 내에 포함하는 것으로 의도된다.

Claims

메모리 모듈 커넥터(memory module connector)로서,
산업 표준 메모리 모듈을 기계적으로 보유하도록 구성되는 커넥터 바디 ― 상기 커넥터 바디는 기본 인쇄 회로 보드(base printed circuit board)에 직접 커플링됨 ―;
상기 커넥터 바디를 통해 연장하고 그리고 상기 기본 인쇄 회로 보드에 상기 산업 표준 메모리 모듈을 전기적으로 커플링하도록 구성되는 전기 경로들의 제 1 세트;
로직 회로에 상기 전기 경로들의 제 1 세트를 커플링하기 위해 구성되는 전기 경로들의 제 2 세트; 및
상기 로직 회로를 포함하는 집적 회로
를 포함하고,
상기 집적 회로는 상기 커넥터 바디 상에 직접 장착되고(mounted),
상기 로직 회로는 상기 산업 표준 메모리 모듈의 주(primary) 메모리 디바이스와 보조(secondary) 메모리 디바이스 사이에서 상기 전기 경로들의 제 1 세트 상에서 신호들을 라우팅하도록 동작가능하고, 그리고 상기 주 메모리 디바이스의 장애(failure)에 응답하여 상기 주 메모리 디바이스를 대체하기 위해 상기 보조 메모리 디바이스를 활성화하고 그리고 리맵핑(remap)하도록 동작가능한,
메모리 모듈 커넥터.
제 1 항에 있어서,
상기 로직 회로는 DRAM(dynamic random access memory) 에러 검출을 수행하도록 구성되는,
메모리 모듈 커넥터.
제 1 항에 있어서,
셋톱 박스, 음악 재생기, 비디오 재생기, 엔터테인먼트 유닛, 내비게이션 디바이스, 컴퓨터, 휴대용 데이터 유닛 ,및/또는 고정 위치 데이터 유닛에 통합되는,
메모리 모듈 커넥터.
시스템으로서,
메모리 제어기;
적어도 하나의 산업 표준 메모리 모듈을 지원하는 커넥터 바디 ― 상기 커넥터 바디는 기본 인쇄 회로 보드에 직접 커플링됨 ―;
로직 회로를 포함하는 집적 회로 ― 상기 집적 회로는 상기 커넥터 바디 상에 직접 장착되고, 그리고 복수의 주 및 보조 메모리 디바이스들의 핀 아웃(pin out)들에 액세스하고 그리고 상기 핀 아웃들을 라우팅하도록 동작가능함 ―; 및
상기 커넥터 바디에 커플링되는 리던던시(redundancy) 제어기
를 포함하고,
상기 리던던시 제어기는 상기 메모리 제어기로부터의 요청에 응답하여 장애(failing) 주 메모리 디바이스를 대체하기 위해 상기 보조 메모리 디바이스들을 활성화하고 그리고 리맵핑하도록 상기 로직 회로에 지시하게 동작가능한,
시스템.
제 4 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 산업 표준 메모리 모듈은 산업 표준 DIMM(dual in-line memory module)을 포함하고; 그리고
상기 주 및 보조 메모리 디바이스들은 DRAM(dynamic random access memory)을 포함하는,
시스템.
제 5 항에 있어서,
상기 리던던시 제어기는 상기 커넥터 바디 외부의 보조 DRAM들에 DRAM 신호들의 서브세트를 공급하도록 동작가능한,
시스템.
제 5 항에 있어서,
상기 리던던시 제어기는 상기 커넥터 바디 내부에 로케이팅되는 보조 DRAM들에 DRAM 신호들의 서브세트를 공급하도록 동작가능한,
시스템.
제 4 항에 있어서,
상기 리던던시 제어기는 에러 정정 코드들을 이용하여 DRAM(dynamic random access memory) 장애를 검출하도록 동작가능한,
시스템.
제 4 항에 있어서,
상기 리던던시 제어기는 상기 보조 메모리 디바이스들 중 어느 것들이 이용중인지를 표시하는 지속성 스토리지(persistent storage)를 포함하는,
시스템.
제 4 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 산업 표준 메모리 모듈 각각은 상기 커넥터 바디에 안착되는(seated),
시스템.
제 4 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 산업 표준 메모리 모듈들의 서브세트는 상기 커넥터 바디에 안착되는 반면, 나머지는 산업 표준 커넥터들에 안착되는,
시스템.
제 4 항에 있어서,
상기 커넥터 바디 상의 상기 로직 회로에 커플링되고 그리고 상기 핀 아웃들에 액세스하고 그리고 상기 핀 아웃들을 라우팅하도록 구성되는 적어도 하나의 전계 효과 트랜지스터(FET) 스위치
를 더 포함하는,
시스템.
제 4 항에 있어서,
셋톱 박스, 음악 재생기, 비디오 재생기, 엔터테인먼트 유닛, 내비게이션 디바이스, 컴퓨터, 휴대용 데이터 유닛, 및/또는 고정 위치 데이터 유닛에 통합되는,
시스템.
메모리 모듈 커넥터를 제어하기 위한 방법으로서,
커넥터 바디를 통해 연장하는 전기 데이터 경로들의 제 1 세트를 통해 기본 인쇄 회로 보드 상의 메모리 제어기 회로에 산업 표준 메모리 모듈을 전기적으로 커플링하는 단계 ― 상기 커넥터 바디는 상기 산업 표준 메모리 모듈을 기계적으로 보유하도록 구성되고, 상기 커넥터 바디는 상기 기본 인쇄 회로 보드에 직접 커플링됨 ―;
상기 커넥터 바디 상에 직접 장착되는 집적 회로의 로직 회로에 상기 전기 데이터 경로들의 제 1 세트를 커플링하는 단계 ― 상기 로직 회로는 상기 산업 표준 메모리 모듈로의 그리고 상기 산업 표준 메모리 모듈로부터의 시그널링에 액세스하기 위해 구성됨 ― ;
상기 로직 회로에 스페어(apare) 선택 신호 경로를 커플링하는 단계;
상기 스페어 선택 신호 경로 상에서 상기 메모리 제어기 회로로부터 상기 로직 회로에서 스페어 선택 신호를 수신하는 단계;
상기 스페어 선택 신호를 수신하는 것에 응답하여 상기 커넥터 바디를 통해 연장하는 전기 데이터 경로들의 제 2 세트를 통해 상기 전기 데이터 경로들의 제 1 세트에 스페어 DRAM(dynamic random access memory)을 커플링하는 단계; 및
상기 스페어 선택 신호를 수신하는 것에 응답하여 상기 전기 데이터 경로들의 제 1 세트로부터 상기 산업 표준 메모리 모듈 상의 불량(defective) DRAM을 커플링해제(decouple)하는 단계
를 포함하는,
메모리 모듈 커넥터를 제어하기 위한 방법.
제 14 항에 있어서,
DRAM(dynamic random access memory) 장애들에 대해 상기 산업 표준 메모리 모듈을 검사하는 단계;
상기 DRAM의 장애를 검출하는 것에 응답하여 상기 메모리 제어기 회로로부터 상기 로직 회로에 상기 스페어 선택 신호를 전송하는 단계
를 더 포함하는,
메모리 모듈 커넥터를 제어하기 위한 방법.
제 14 항에 있어서,
셋톱 박스, 음악 재생기, 비디오 재생기, 엔터테인먼트 유닛, 내비게이션 디바이스, 컴퓨터, 휴대용 데이터 유닛, 및/또는 고정 위치 데이터 유닛에 상기 메모리 모듈 커넥터를 통합하는 단계
를 더 포함하는,
메모리 모듈 커넥터를 제어하기 위한 방법.
메모리 모듈 커넥터로서,
산업 표준 메모리 모듈을 기계적으로 보유하기 위한 수단 ― 상기 기계적으로 보유하기 위한 수단은 기본 인쇄 회로 보드에 직접 커플링됨 ― ;
상기 기계적으로 보유하기 위한 수단을 통해 연장하고 그리고 상기 기본 인쇄 회로 보드에 상기 산업 표준 메모리 모듈을 전기적으로 커플링하도록 구성되는 전기 경로들의 제 1 세트;
로직 회로에 상기 전기 경로들의 제 1 세트를 커플링하기 위해 구성되는 전기 경로들의 제 2 세트; 및
상기 로직 회로를 포함하는 집적 회로 ― 상기 집적 회로는 상기 기계적으로 보유하기 위한 수단 상에 직접 장착되고, 상기 로직 회로는 상기 산업 표준 메모리 모듈의 주 메모리 디바이스와 보조 메모리 디바이스 사이에서 상기 전기 경로들의 제 1 세트 상에서 신호들을 라우팅하도록 동작가능함 ―; 및
상기 기계적으로 보유하기 위한 수단에 커플링되는 리던던시 제어기
를 포함하고,
상기 리던던시 제어기는 상기 주 메모리 디바이스의 장애에 응답하여 상기 주 메모리 디바이스를 대체하기 위해 상기 보조 메모리 디바이스를 활성화하고 그리고 리맵핑하도록 상기 로직 회로에 지시하게 동작가능한,
메모리 모듈 커넥터.
제 17 항에 있어서,
상기 로직 회로는 DRAM(dynamic random access memory) 에러 검출을 수행하도록 구성되는,
메모리 모듈 커넥터.
제 17 항에 있어서,
셋톱 박스, 음악 재생기, 비디오 재생기, 엔터테인먼트 유닛, 내비게이션 디바이스, 컴퓨터, 휴대용 데이터 유닛, 및/또는 고정 위치 데이터 유닛에 통합되는,
메모리 모듈 커넥터.