KR101827497B1 - Substrate inspection device - Google Patents
Substrate inspection device Download PDFInfo
- Publication number
- KR101827497B1 KR101827497B1 KR1020160115702A KR20160115702A KR101827497B1 KR 101827497 B1 KR101827497 B1 KR 101827497B1 KR 1020160115702 A KR1020160115702 A KR 1020160115702A KR 20160115702 A KR20160115702 A KR 20160115702A KR 101827497 B1 KR101827497 B1 KR 101827497B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- unit
- substrate
- laser beam
- light
- amount
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/1717—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated with a modulation of one or more physical properties of the sample during the optical investigation, e.g. electro-reflectance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N2021/1738—Optionally different kinds of measurements; Method being valid for different kinds of measurement
- G01N2021/1742—Optionally different kinds of measurements; Method being valid for different kinds of measurement either absorption or reflection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8812—Diffuse illumination, e.g. "sky"
- G01N2021/8816—Diffuse illumination, e.g. "sky" by using multiple sources, e.g. LEDs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 레이저를 이용한 기판검사장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 레이저빔의 직진성과 레이저빔의 확산성에 따른 광량의 변화 차이를 이용하여 기판의 표면은 물론 기판의 저면에 발생된 이물질을 검출하고 검출된 이물질의 위치를 정확하게 파악할 수 있는 레이저를 이용한 기판검사장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for inspecting a substrate using a laser, and more particularly to a system and method for detecting a foreign substance generated on a surface of a substrate as well as a bottom surface of a substrate by using a difference in the amount of light depending on the straightness of the laser beam and the diffusibility of the laser beam And more particularly, to a substrate inspection apparatus using a laser capable of precisely grasping a position of a detected foreign substance.
최근 휴대전화, PDA, PMP, MP3 플레이어 등 다양한 휴대단말기는 양호한 품질의 영상을 제공하기 위해 이들에 적용되는 디스플레이 기판은 대형화되고 있는 추세이다. 휴대단말기 자체의 경박화와 이에 적용되는 디스플레이 기판의 대형화 요구를 충족시키기 위하여, 디스플레이 기판과 별도로 마련되는 키 버튼 대신 디스플레이 기판 자체에 사용자의 입력을 가능하게 하는 터치스크린 방식이 주로 채용되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, a variety of portable terminals, such as mobile phones, PDAs, PMPs, and MP3 players, have been getting larger in size to provide good quality images. In order to meet a demand for miniaturization of the portable terminal itself and enlargement of the display substrate to be applied thereto, a touch screen system which allows a user to input on a display substrate itself is used instead of a key button provided separately from the display substrate.
이러한 기판은 제조 공정 또는 취급 과정에서 기판 표면에 스크래치, 돌출 등과 같은 이물질이 발생할 수 있는데, 작업자의 육안 검사뿐만 아니라 카메라와 광학계를 포함한 기판 자동검사장치를 이용한 검사를 통해 기판의 결함을 검사하고 있다.Such a substrate may cause foreign substances such as scratches and protrusions on the surface of the substrate during a manufacturing process or a handling process. In this case, defects of the substrate are inspected through not only visual inspection of the operator but also automatic inspection of the substrate including a camera and an optical system .
하지만, 종래와 같은 기판검사장치에서는 광학계가 기판을 바라보도록 설치되어야 하므로, 전체 장비의 크기가 커지는 단점이 있었고, 기판의 뒷면을 검사하기 위해서는 광학계를 반대 방향에 설치하거나 기판을 뒤집어야 하는 문제가 있었다.However, in the conventional substrate inspection apparatus, there is a drawback that the size of the entire apparatus is increased because the optical system is installed so as to face the substrate. In order to inspect the back surface of the substrate, there is a problem that the optical system must be installed in the opposite direction or the substrate must be turned upside down there was.
본 발명의 목적은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 레이저빔의 직진성과 레이저빔의 확산성에 따른 광량의 변화 차이를 이용하여 기판의 표면은 물론 기판의 저면에 발생된 이물질을 검출하고 검출된 이물질의 위치를 정확하게 파악할 수 있는 레이저를 이용한 기판검사장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to solve the problems of the prior art, and it is an object of the present invention to detect a foreign substance generated on the surface of a substrate as well as a surface of a substrate by using a difference in light amount depending on the straightness of the laser beam and the diffusivity of the laser beam, And a substrate inspection apparatus using the laser.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 바람직한 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 레이저를 이용한 기판검사장치는 기판에 발생된 이물질을 검사하는 기판검사장치이고, 상기 기판의 간헐적 이동에 대응하여 상기 기판이 지지되는 정반유닛; 제1레이저빔을 발산하는 제1발광부와, 상기 제1레이저빔이 수광되는 제1수광부와, 상기 제1수광부에서 수광되는 상기 제1레이저빔의 광량을 검출하는 제1검출부를 포함하는 제1측정유닛; 제1수광부에서 이격되어 상기 제1레이저빔과 평행한 제2레이저빔을 발산하는 제2발광부와, 상기 제1발광부에서 이격되어 상기 제2레이저빔이 수광되는 제2수광부와, 상기 제2수광부에서 수광되는 제2레이저빔의 광량을 검출하는 제2검출부를 포함하는 제2측정유닛; 상기 정반유닛에 대응하여 상기 제1측정유닛과 상기 제2측정유닛을 상대 이동시키는 위치이동유닛; 및 상기 정반유닛에서 상기 기판이 지지되는 영역에 대응하여 제1측정시간에 따라 상기 제1검출부에서 검출되는 상기 제1레이저빔의 광량 변화와, 제2측정시간에 따라 상기 제2검출부에서 검출되는 상기 제2레이저빔의 광량 변화를 이용하여 상기 기판의 표면과 상기 기판의 저면 중 이물질의 위치를 결정하는 위치지시유닛;을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate inspection apparatus for inspecting a foreign substance generated on a substrate, the apparatus comprising: A support base unit supported by the support base; A first light emitting section for emitting a first laser beam, a first light receiving section for receiving the first laser beam, and a first detecting section for detecting an amount of light of the first laser beam received by the first light receiving section 1 measuring unit; A second light emitting unit which is spaced apart from the first light receiving unit and emits a second laser beam parallel to the first laser beam, a second light receiving unit which is spaced apart from the first light emitting unit and receives the second laser beam, A second measuring unit including a second detecting unit for detecting an amount of light of the second laser beam received by the second light receiving unit; A position moving unit for relatively moving the first measurement unit and the second measurement unit in correspondence with the surface mount unit; And a control unit for controlling the light quantity change of the first laser beam detected by the first detection unit in accordance with the first measurement time corresponding to the region where the substrate is supported in the surface plate unit and the light amount change detected by the second detection unit And a position indicating unit for determining a position of a foreign matter on a surface of the substrate and a bottom surface of the substrate by using a change in light amount of the second laser beam.
여기서, 상기 위치지시유닛은, 상기 제1측정시간과 상기 제2측정시간을 카운트하는 설정카운트부; 상기 제1측정시간에 따라 상기 제1레이저빔의 광량 변화를 매칭시키고 상기 제2측정시간에 따라 상기 제2레이저빔의 광량 변화량을 매칭시키는 변위매칭부; 시간에 따른 광량 변화의 변곡부를 이용하여 이물질의 위치를 도출하고, 이물질의 위치에 대응하는 시간변화량과 광량 변화량을 도출하는 위치도출부; 및 상기 위치도출부에서 도출되는 시간변화량과 광량 변화량을 이용하여 상기 기판의 표면과 상기 기판의 저면 중 이물질의 오검출 여부와 이물질의 위치를 결정하는 위치지시부;를 포함한다.Here, the position indicating unit may include: a setting counting unit counting the first measuring time and the second measuring time; A displacement matching unit for matching the light amount change of the first laser beam according to the first measurement time and matching the light amount variation amount of the second laser beam according to the second measurement time; A position deriving unit for deriving a position of the foreign object by using the bent portion of the light amount change with time and deriving a time variation amount and a light amount variation amount corresponding to the position of the foreign matter; And a position indicator for determining whether or not the foreign object is misidentified on the surface of the substrate and the bottom surface of the substrate and the position of the foreign substance using the time variation amount and the light amount variation amount derived from the position derivation unit.
여기서, 상기 위치지시부에 있어서, 이물질의 폭(w)은 t와 v의 곱으로 나타내고, 이물질의 높이(h) 또는 이물질의 높이(h)의 제곱은 s와 비례한다. 여기서, t는 이물질의 위치에 대응하여 상기 위치도출부에서 도출되는 상기 제1측정시간에 따른 시간변화량 또는 상기 제2측정시간에 따른 시간변화량이고, s는 이물질의 위치에 대응하여 상기 위치도출부에서 도출되는 상기 제1측정시간에 따른 광량 변화량 또는 상기 제2측정시간에 따른 광량 변화량이며, v는 상기 제1측정유닛의 이동속도 또는 상기 제2측정유닛의 이동속도이다.Here, in the position indication portion, the width w of the foreign matter is represented by the product of t and v, and the square of the height h of the foreign matter or the height h of the foreign matter is proportional to s. Here, t is a time variation amount in accordance with the first measurement time or a time variation amount in accordance with the second measurement time derived from the position derivation unit in correspondence with the position of the foreign object, s is a time variation amount in accordance with the position of the foreign substance, And v is a movement speed of the first measurement unit or a movement speed of the second measurement unit. The light amount change amount is a light amount change amount according to the first measurement time or a light amount change amount according to the second measurement time derived from the first measurement unit.
여기서, 상기 위치지시부는, 이물질의 폭과 이물질의 높이 사이의 비율로 상기 기판의 표면과 상기 기판의 저면 중 이물질의 오검출 여부와 이물질의 위치를 최종 결정한다.Here, the position indication unit finally determines whether or not the foreign object on the surface of the substrate and the bottom surface of the substrate are erroneously detected and the position of the foreign matter at a ratio between the width of the foreign matter and the height of the foreign matter.
여기서, 상기 위치지시유닛은, 상기 기판의 간헐적 이동 상태 및 상기 제1측정시간과 상기 제1측정유닛의 이동속도 또는 상기 기판의 간헐적 이동 상태 및 상기 제2측정시간과 상기 제2측정유닛의 이동속도를 바탕으로 상기 기판의 이동 방향에 대한 이물질의 검출좌표를 도출하는 위치확인부;를 더 포함한다.Here, the position indicating unit may be configured to measure the positional relationship between the intermittent moving state of the substrate and the moving speed of the first measuring unit or the intermittent moving state of the substrate and the movement of the second measuring unit And a position confirming unit for deriving a detection coordinate of a foreign object with respect to the movement direction of the substrate based on the velocity.
여기서, 상기 정반유닛은, 상기 기판이 지지되는 영역에 대응하여 통기공이 관통 형성되는 지지정반; 상기 통기공을 통해 공기를 흡착하는 기판흡착부; 상기 통기공을 통해 공기를 배출시키는 기판플로팅부;를 포함하고, 상기 위치지시유닛은, 상기 기판의 간헐적 이동에 대응하여 상기 기판흡착부 또는 상기 기판플로팅부의 동작을 제어한다.Here, the support base includes a support base through which a vent hole is formed to correspond to a region where the substrate is supported; A substrate adsorption unit for adsorbing air through the vent hole; Wherein the position indicating unit controls the operation of the substrate attracting unit or the substrate floating unit in response to intermittent movement of the substrate.
본 발명에 따른 레이저를 이용한 기판검사장치는 상기 정반유닛에서 상기 기판이 지지되는 영역과, 이물질에 대응하여 상기 제1검출부에서 검출되는 상기 제1레이저빔의 광량과, 이물질에 대응하여 상기 제2검출부에서 검출되는 상기 제2레이저빔의 광량과, 이물질의 상대 위치를 이용하여 상기 기판에서 이물질의 좌표를 계산하는 좌표도출유닛;을 더 포함한다.The apparatus for inspecting a substrate using a laser according to the present invention is characterized in that the substrate inspecting apparatus using laser comprises a region in which the substrate is supported in the surface plate unit and a light amount of the first laser beam detected by the first detecting unit in correspondence with a foreign substance, And a coordinate derivation unit for calculating the coordinates of the foreign substance on the substrate using the light amount of the second laser beam detected by the detection unit and the relative position of the foreign substance.
본 발명에 따른 레이저를 이용한 기판검사장치에 따르면, 레이저빔의 직진성과 레이저빔의 확산성에 따른 광량의 변화 차이를 이용하여 기판의 표면은 물론 기판의 저면에 발생된 이물질을 검출하고 검출된 이물질의 위치 및 좌표를 정확하게 파악할 수 있다. 특히, 전체 장비의 크기가 커지는 것을 방지하고, 기판의 반전 없이도 기판의 저면에 위치한 이물질까지도 간편하게 이물질을 검출함은 물론 검출된 이물질의 위치를 정확하게 파악할 수 있다.According to the apparatus for inspecting a substrate using a laser according to the present invention, it is possible to detect a foreign substance generated on the surface of the substrate as well as the substrate, using the difference in the amount of light depending on the straightness of the laser beam and the diffusibility of the laser beam, The position and the coordinates can be accurately grasped. In particular, it is possible to prevent the size of the entire apparatus from becoming large, and to easily detect the foreign object even if the foreign object located on the bottom surface of the substrate is not reversed without reversing the substrate.
또한, 본 발명은 기설정된 정반유닛의 크기에 대응하여 시간과 광량 변화의 상관 관계를 그래프로 도출할 수 있고, 그래프를 분석함으로써, 이물질의 위치 및 좌표 결정을 간편하게 할 수 있다.In addition, the present invention can derive a graph of a correlation between time and light quantity change corresponding to the size of a preset base unit, and analyzing the graph, it is possible to simplify the position and coordinate determination of foreign matter.
또한, 본 발명은 검출되는 이물질의 폭과 이물질의 높이를 개략적으로 도출할 수 있고, 이물질의 폭과 이물질의 높이 사이에 형성되는 상관 관계를 통해 이물질의 위치 및 좌표를 명확하게 할 수 있다. 다른 표현으로, 상술한 특징부를 통해 검출되는 이물질이 기판의 표면에 발생된 것인지 기판의 저면에 발생된 것인지를 구분할 수 있다.Further, the present invention can roughly derive the width of a foreign object to be detected and the height of the foreign object, and can clarify the position and coordinates of the foreign object through the correlation formed between the width of the foreign object and the height of the foreign object. In other words, it is possible to distinguish whether a foreign substance detected through the above-described feature is generated on the surface of the substrate or on the bottom surface of the substrate.
또한, 본 발명은 기판의 간헐적 이동에 대응하여 기판의 이동 상태를 명확하게 하고, 기판의 저면에 발생된 이물질이 기판의 표면에서 윤곽을 나타내도록 할 수 있다.Further, the present invention can clarify the moving state of the substrate in correspondence with the intermittent movement of the substrate, and allow foreign matter generated on the bottom surface of the substrate to outline on the surface of the substrate.
또한, 본 발명은 제1레이저빔과 제2레이저빔의 광량 변화에 따라 기판의 폭 방향에 대한 이물질의 위치 및 좌표 결정이 용이하고, 기판의 간헐적 이동 및 제1측정유닛과 제2측정유닛의 이동속도를 통해 기판의 이동거리를 간편하게 계산할 수 있다.In addition, the present invention can easily determine the position and coordinate of the foreign matter with respect to the width direction of the substrate according to the change in the amount of light of the first laser beam and the second laser beam, and the intermittent movement of the substrate, The moving distance of the substrate can be easily calculated through the moving speed.
또한, 본 발명은 각 측정유닛의 개별 이동속도 및 각 측정유닛의 개별 광량을 상호 동일하게 조절함으로써, 이물질의 위치 및 좌표 계산을 간소화하고 이물질의 검출 정확도를 향상시킬 수 있다.Further, by adjusting the individual moving speed of each measuring unit and the individual light quantity of each measuring unit to be equal to each other, it is possible to simplify the calculation of the position and coordinates of the foreign object and improve the detection accuracy of the foreign substance.
또한, 본 발명은 기판의 표면은 물론 기판의 저면을 동시에 검사할 수 있고, 장치의 구조를 단순화시킬 수 있으며, 비례식을 이용하여 기판에서 이물질의 위치 및 좌표를 간편하게 도출할 수 있다.In addition, the present invention can simultaneously inspect the surface of the substrate as well as the bottom surface of the substrate, simplify the structure of the apparatus, and can easily derive the position and coordinates of the foreign object on the substrate using the proportional formula.
또한, 본 발명은 이물질의 위치 및 좌표 또는 이물질의 위치에 따른 제1레이저빔과 제2레이저빔에서 광량 변화의 계산이 편리하고, 기판 검사 정밀도를 향상시킬 수 있다.Further, it is convenient to calculate the light amount change in the first laser beam and the second laser beam depending on the position of the foreign substance and the position of the foreign matter or the position of the foreign substance, and the accuracy of the substrate inspection can be improved.
또한, 본 발명은 기판의 이동 방향에 대응하여 정반유닛의 길이가 기판의 길이보다 짧아도 기판 전체의 검사를 용이하게 실시할 수 있다.Further, the present invention can easily inspect the entire substrate even if the length of the surface plate unit is shorter than the length of the substrate, corresponding to the moving direction of the substrate.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치에서 좌표도출유닛을 도시한 블럭도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치에서 위치지시유닛을 도시한 블럭도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치에서 기판이 제1측정유닛과 제2측정유닛을 통과할 때, 광량의 변화 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치에서 제1측정유닛과 제2측정유닛이 이물질을 검출하는 상태를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치에서 지지정반에 지지된 기판에 발생된 이물질을 표시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치에서 제1측정유닛과 제2측정유닛이 도 6의 이물질을 검출한 상태를 나타내는 그래프이다.1 is a view showing a substrate inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram showing a coordinate derivation unit in a substrate inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a block diagram showing a position indicating unit in a substrate inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a change state of light amount when a substrate passes through a first measurement unit and a second measurement unit in a substrate inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing a state in which a first measurement unit and a second measurement unit detect foreign matter in the substrate inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing a foreign substance generated on a substrate supported on a support table in a substrate inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a graph showing a state in which the first measurement unit and the second measurement unit in the substrate inspection apparatus according to the embodiment of the present invention detect the foreign matter of FIG. 6;
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 레이저를 이용한 기판검사장치의 일 실시예를 설명한다. 이때, 본 발명은 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명확하게 하기 위해 생략될 수 있다.Hereinafter, an embodiment of a substrate inspection apparatus using a laser according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Here, the present invention is not limited or limited by the examples. Further, in describing the present invention, a detailed description of well-known functions or constructions may be omitted for clarity of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치를 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치에서 좌표도출유닛을 도시한 블럭도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치에서 위치지시유닛을 도시한 블럭도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치에서 기판이 제1측정유닛과 제2측정유닛을 통과할 때, 광량의 변화 상태를 나타내는 도면이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치에서 제1측정유닛과 제2측정유닛이 이물질을 검출하는 상태를 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치에서 지지정반에 지지된 기판에 발생된 이물질을 표시한 도면이며, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치에서 제1측정유닛과 제2측정유닛이 도 6의 이물질을 검출한 상태를 나타내는 그래프이다.2 is a block diagram showing a coordinate derivation unit in a substrate inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a block diagram showing a position indicating unit in a substrate inspecting apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of a substrate inspecting apparatus according to an embodiment of the present invention when a substrate passes through a first measuring unit and a second measuring unit 5 is a view showing a state in which a first measurement unit and a second measurement unit detect a foreign substance in the substrate inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 7 is a view illustrating a foreign substance generated on a substrate supported on a support table in a substrate inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is a cross- When the unit detects the foreign substance in Fig. 6 It is a graph that shows the state.
여기서, 도 4의 (a)는 기판이 제1측정유닛과 제2측정유닛을 통과하기 전을 나타내는 도면이고, 도 4의 (b)는 이물질이 발생되지 않은 기판이 제1측정유닛 또는 제2측정유닛을 통과할 때, 광량의 변화를 나타내는 도면이며, 도 4의 (c)는 기판에 이물질이 발생된 부분이 제1측정유닛 또는 제2측정유닛을 통과할 때, 광량의 변화를 나타내는 도면이다.4 (a) is a view showing the state before the substrate passes through the first measurement unit and the second measurement unit, and Fig. 4 (b) FIG. 4C is a view showing a change in the amount of light when a portion where foreign matter is generated on the substrate passes through the first measurement unit or the second measurement unit, and FIG. to be.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에서 기판(100)은 롤러 또는 플로팅척(미도시)을 통해 직선 이동된다. 기판(100)의 크기 및 지지정반(51)의 크기를 고려하여 기판(100)은 기판(100)의 이동 방향을 따라 둘 이상으로 구획되고, 각 구획영역이 지지정반(51)에 간헐적으로 이동되도록 할 수 있다.Referring to Figures 1 to 7, in one embodiment of the present invention, the
여기서, 플로팅척(미도시)은 기판(100)을 부양시켜 이송할 수 있고, 플로팅척(미도시)에 의해 이송된 기판(100)의 구획영역은 지지정반(51)에 지지되어 후술하는 제1레이저빔과 제2레이저빔이 기판(100) 또는 이물질(101, 101a)에 간섭되도록 할 수 있다. 또한, 기판(100)은 얼라인부(200)에 의해 정렬된 상태로 직선 이동될 수 있다.Here, the floating chuck (not shown) can float the
이물질(101, 101a)은 기판(100)의 표면에 발생된 이물질(101)과, 기판(100)의 저면(지지정반(51)과 마주보는 면)에 발생된 이물질(101a)로 구분할 수 있다.The
이때, 기판의 표면(100)에 이물질(101)이 발생되면, 도 6에 도시된 바와 같이 기판(100)이 지지정반(51)에 평평한 상태로 지지되고, 기판(100)의 표면에 이물질(101)이 표시된다.6, the
또한, 기판(100)의 저면에 이물질(101a)이 발생되면, 도 6에 도시된 바와 같이 기판(100)과 지지정반(51) 사이에 이물질(101)이 표시되기 때문에 기판(100)이 지지정반(51)에 구부러진 상태로 지지된다.6, the
본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치는 기판에 발생된 이물질을 검사함에 있어서, 레이저빔의 직진성과 레이저빔의 확산성에 따른 광량의 변화 차이를 이용하여 기판(100)의 표면은 물론 기판(100)의 저면에 발생된 이물질(101, 101a)을 검출하고 검출된 이물질(101, 101a)의 위치를 정확하게 파악할 수 있다.The apparatus for inspecting a substrate according to an embodiment of the present invention can detect the foreign substances generated on the substrate by using the difference in the amount of light depending on the straightness of the laser beam and the diffusibility of the laser beam, It is possible to accurately detect the position of the
특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치는 기판(100)의 표면을 검사함에 있어서, 기판(100)의 표면은 물론 기판(100)의 저면(기판(100)의 양면 중 지지정반(51)과 마주보는 면)에 발생된 이물질(101, 101a)의 검출 및 이물질(101, 101a)의 위치 파악이 용이하다.Particularly, in inspecting the surface of the
본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치는 정반유닛(50)과, 제1측정유닛(10)과, 제2측정유닛(20)과, 위치이동유닛과, 위치지시유닛(40)을 포함한다.A substrate inspection apparatus according to an embodiment of the present invention includes a
상기 정반유닛(50)은 기판(100)의 간헐적 이동에 대응하여 기판(100)이 지지 또는 부양된다. 정반유닛(50)은 기판(100)이 지지되는 영역에 대응하여 통기공(51a)이 관통 형성되는 지지정반(51)과, 통기공(51a)을 통해 공기를 흡착하는 기판흡착부(52)와, 통기공(51a)을 통해 공기를 배출시키는 기판플로팅부(53)를 포함한다. 이때, 위치지시유닛(40)은 기판(100)의 간헐적 이동에 대응하여 기판흡착부(52) 또는 기판플로팅부(53)의 동작을 제어한다.The
그러면, 정반유닛(50)에서는 기판(100)의 간헐적 이동에 대응하여 기판(100)이 구획영역별로 이동하는 경우, 기판플로팅부(53)를 동작시켜 지지정반(51)에서 기판(100)이 이격되도록 하고, 기판(100)의 간헐적 이동에 대응하여 기판(100)이 구획영역별로 지지정반(51)에 안착되는 경우, 기판흡착부(52)를 동작시켜 지지정반(51)에 기판(100)이 흡착 지지되도록 한다.When the
상기 제1측정유닛(10)은 기판(100)의 간헐적 이동 및 기판(100)과의 상대 이동에 따라 기판(100)을 감지함은 물론 기판(100)에 발생된 이물질(101, 101a)을 검출할 수 있다. 특히, 제1측정유닛(10)은 기판(100)의 표면은 물론 기판(100)의 저면(지지정반(51)과 마주보는 면)에 발생된 이물질(101, 101a)을 검출할 수 있다.The
제1측정유닛(10)은 제1레이저빔을 발산하는 제1발광부(11)와, 제1발광부(11)에서 발산되는 제1레이저빔이 수광되는 제1수광부(12)와, 제1수광부(12)에서 수광되는 제1레이저빔의 광량을 검출하는 제1검출부(13)를 포함한다.The
기판(100)이 제1측정유닛(10)을 통과하면, 제1검출부(13)에서 검출되는 제1레이저빔의 광량에 대해 기판(100)이 통과하기 전과 후에 각각 제1레이저빔의 광량이 다르므로, 제1레이저빔의 광량 변화를 통해 기판(100)의 통과 유무를 감지할 수 있다.When the
또한, 기판(100)에 발생된 이물질(101, 101a)이 제1측정유닛(10)을 통과하면, 제1검출부(13)에서 검출되는 제1레이저빔의 광량에 대해 이물질(101, 101a)이 통과하기 전과 후에 각각 제1레이저빔의 광량이 다르므로, 제1레이저빔의 광량 변화를 통해 이물질(101, 101a)의 통과 유무를 감지할 수 있다.When the
또한, 제1레이저빔의 진행 방향에 대하여 이물질(101, 101a))의 위치에 따라 이물질(101,101a)의 위치가 제1발광부(11) 측으로 갈수록 제1수광부(12)에서 수광되는 제1레이저빔의 광량이 작아지고, 이물질(101, 101a)의 위치가 제1수광부(12) 측으로 갈수록 제1수광부(12)에서 수광되는 제1레이저빔의 광량이 커지는 점을 이용하여 이물질(101, 101a)의 위치에 따른 제1레이저빔의 광량 변화를 계산할 수 있다.The positions of the
또한, 제1측정유닛(10)과 기판(100) 사이의 상대 이동에 대하여 이물질(101, 101a)이 제1측정유닛(10)을 통과하면, 제1검출부(13)에서 검출되는 제1레이저빔의 광량에 대해 기판(100)의 표면에 발생된 이물질(101)이 통과하기 전과 후에 제1레이저빔의 광량 변화는 급격하게 변하고, 제1검출부(13)에서 검출되는 제1레이저빔의 광량에 대해 기판(100)의 저면에 발생된 이물질(101a)이 통과하기 전과 후에 제1레이저빔의 광량 변화는 완만하게 변한다.When the
이에 따라 기판(100)의 표면과 기판(100)의 저면에서 각각 이물질(101, 101a)의 통과 여부를 구분하여 감지할 수 있다.Accordingly, whether or not the
상기 제2측정유닛(20)은 기판(100)의 간헐적 이동 및 기판(100)과의 상대 이동에 따라에 따라 제1측정유닛(10)을 통과한 기판(100)을 감지함은 물론 제1측정유닛(10)에서 검출된 이물질(101, 101a)을 검출할 수 있다. 특히, 제2측정유닛(20)은 기판(100)의 표면은 물론 기판(100)의 저면(지지정반(51)과 마주보는 면)에 발생된 이물질(101, 101a)을 검출할 수 있다.The
제2측정유닛(20)은 제1수광부(12)에서 이격되어 제1발광부(11)에서 발산되는 제1레이저빔과 평행한 제2레이저빔을 발산하는 제2발광부(21)와, 제1발광부(11)에서 이격되어 제2발광부(21)에서 발산되는 제2레이저빔이 수광되는 제2수광부(22)와, 제2수광부(22)에서 수광되는 제2레이저빔의 광량을 검출하는 제2검출부(23)를 포함한다.The
기판(100)이 제2측정유닛(20)을 통과하면, 제2검출부(23)에서 검출되는 제2레이저빔의 광량에 대해 기판(100)이 통과하기 전과 후에 각각 제2레이저빔의 광량이 다르므로, 제2레이저빔의 광량 변화를 통해 기판(100)의 통과 유무를 감지할 수 있다.When the
또한, 기판(100)에 발생된 이물질(101, 101a)이 제2측정유닛(20)을 통과하면, 제2검출부(23)에서 검출되는 제2레이저빔의 광량에 대해 이물질(101, 101a)이 통과하기 전과 후에 각각 제2레이저빔의 광량이 다르므로, 제2레이저빔의 광량 변화를 통해 이물질(101, 101a)의 통과 유무를 감지할 수 있다.When the
또한, 제2레이저빔의 진행 방향에 대하여 이물질(101, 101a)의 위치에 따라 이물질(101, 101a)의 위치가 제2발광부(21) 측으로 갈수록 제2수광부(22)에서 수광되는 제2레이저빔의 광량이 작아지고, 이물질(101, 101a)의 위치가 제2수광부(22) 측으로 갈수록 제2수광부(22)에서 수광되는 제2레이저빔의 광량이 커지는 점을 이용하여 이물질(101, 101a)의 위치에 따른 제2레이저빔의 광량 변화를 계산할 수 있다.The positions of the
또한, 제2측정유닛(20)과 기판(100) 사이의 상대 이동에 대하여 이물질(101, 101a)이 제2측정유닛(20)을 통과하면, 제2검출부(23)에서 검출되는 제2레이저빔의 광량에 대해 기판(100)의 표면에 발생된 이물질(101)이 통과하기 전과 후에 제2레이저빔의 광량 변화는 급격하게 변하고, 제2검출부(23)에서 검출되는 제2레이저빔의 광량에 대해 기판(100)의 저면에 발생된 이물질(101a)이 통과하기 전과 후에 제2레이저빔의 광량 변화는 완만하게 변한다.When the
이에 따라 기판(100)의 표면과 기판(100)의 저면에서 각각 이물질(101, 101a)의 통과 여부를 구분하여 감지할 수 있다.Accordingly, whether or not the
따라서, 제1측정유닛(10)과 제2측정유닛(20)은 각각 이물질(101, 101a)의 유무에 따른 광량 변화를 측정함으로써, 이물질(101, 101a)의 통과 유무를 감지할 수 있다.Therefore, the
또한, 제1레이저빔과 제2레이저빔은 실질적으로 상호 동일한 세기와 형태를 나타낸다. 좀더 자세하게, 제1레이저빔과 제2레이저빔은 실질적으로 상호 동일한 가우시안 단면 프로파일을 나타내도록 한다.Further, the first laser beam and the second laser beam exhibit substantially the same intensity and shape. In more detail, the first laser beam and the second laser beam exhibit substantially the same mutually the same Gaussian cross-sectional profile.
또한, 제1레이저빔과 제2레이저빔은 상호 평행하게 이루어지고, 제1발광부(11)에서 발산되는 제1레이저빔의 진행 방향과 제2발광부(21)에서 발산되는 제2레이저빔의 진행 방향이 상호 반대를 이루게 된다.The first laser beam and the second laser beam are made parallel to each other and the traveling direction of the first laser beam emitted from the first emitting
그러면, 제1발광부(11)와 제2발광부(21)가 동일하고, 제1수광부(12)와 제2수광부(22)가 동일하다.Then, the first
일예로, 기판(100)이 측정유닛(10, 20)을 통과하지 않는 상태에서, 제1발광부(11)에서 발산되어 제1수광부(12)로 수광될 때, 제1검출부(13)에서 검출되는 제1레이저빔의 광량은 제2발광부(21)에서 발산되어 제2수광부(22)로 수광될 때 제2검출부(23)에서 검출되는 제2레이저빔의 광량과 동일할 수 있다.For example, when the
또한, 제1레이저빔은 제1발광부(11)로부터 단면적이 증가하는 형태로 발산될 수 있다. 또한, 제2레이저빔은 제2발광부(21)로부터 단면적이 증가하는 형태로 발산될 수 있다.In addition, the first laser beam can be diverged from the first
일예로, 제1레이저빔은 제1발광부(11)로부터 직경이 증가하는 원뿔대 형상으로 발산되고, 제2레이저빔은 제2발광부(21)로부터 직경이 증가하는 원뿔대 형상으로 발산될 수 있다. 이때, 제1레이저빔과 제2레이저빔은 상호 동일한 가우시안 단면 프로파일을 나타낼 수 있다. 그러면, 후술하는 좌표도출유닛(30)에서 이물질(101)의 좌표 계산을 용이하게 할 수 있다.For example, the first laser beam may be emitted in a truncated cone shape increasing in diameter from the first
상기 위치이동유닛은 정반유닛(50)에 대응하여 제1측정유닛(10)과 제2측정유닛(20)을 상대 이동시킨다.The position shifting unit relatively moves the
본 발명의 일 실시예에서는 정반유닛(50)의 지지정반(51)이 고정되고, 제1측정유닛(10)과 제2측정유닛(20)이 기판의 이동 방향에 대응하여 이동될 수 있으나, 여기에 한정하는 것은 아니고, 위치이동유닛은 정반유닛(50)에 대응하여 제1측정유닛(10)과 제2측정유닛(20)을 상대 이동시킬 수 있다.The supporting table 51 of the
위치이동유닛은 제1측정유닛(10)과 제2측정유닛(20)을 동시에 등속 이동시킬 수 있다.The position moving unit can simultaneously move the
위치이동유닛은 정반유닛(50)에 대응하여 제1측정유닛(10)을 이동시키는 제1이동유닛(60)과 정반유닛(50)에 대응하여 제2측정유닛(10)을 이동시키는 제2이동유닛(70)으로 구분할 수 있다.The positioning unit includes a first moving
제1이동유닛(60)은 제1측정유닛(10)을 등속 이동시키고, 제2이동유닛(70)은 제2측정유닛(20)을 등속 이동시킬 수 있다. 여기서, 제1이동유닛(60)의 이동속도와 제2이동유닛(70)의 이동속도는 실질적으로 동일할 수 있다.The first moving
상기 위치지시유닛(40)은 정반유닛(50)에서 기판(100)이 지지되는 영역에 대응하여 제1측정시간에 따라 제1검출부(13)에서 검출되는 제1레이저빔의 광량 변화와, 제2측정시간에 따라 제2검출부(23)에서 검출되는 제2레이저빔의 광량 변화를 이용하여 기판(100)의 표면과 기판(100)의 저면 중 이물질(101, 101a)의 위치를 결정한다.The
위치지시유닛(40)은 제1측정시간과 제2측정시간을 카운트하는 설정카운트부(41)와, 제1측정시간에 따라 검출되는 제1레이저빔의 광량 변화를 매칭시키고 제2측정시간에 따라 검출되는 제2레이저빔의 광량 변화를 매칭시키는 변위매칭부(42)와, 시간에 따른 광량 변화의 변곡부를 이용하여 이물질(101, 101a)의 위치를 도출하고 이물질(101, 101a)의 위치에 대응하는 시간변화량(t)과 광량 변화량(s)을 도출하는 위치도출부(43)와, 위치도출부(43)에서 도출되는 시간변화량(t)과 광량 변화량(s)을 이용하여 기판(100)의 표면과 기판(100)의 저면 중 이물질(101, 101a)의 오검출 여부와 이물질(101, 101a)의 위치를 최종 결정하는 위치지시부(44)를 포함한다.The
제1측정시간은 정반유닛(50)에서 기판(100)이 지지되는 영역에 대응하여 제1측정유닛(10)이 이동하는 시간이고, 제2측정시간은 정반유닛(50)에서 기판(100)이 지지되는 영역에 대응하여 제2측정유닛(20)이 이동하는 시간이다.The first measurement time is a time at which the
위치지시부(44)에 있어서, 이물질(101, 101a)의 폭(w)은 t와 V의 곱으로 나타내고, 이물질의 높이(h) 또는 이물질(101, 101a)의 높이(h)의 제곱은 s와 비례하게 된다. 일예로, 이물질(101, 101a)의 높이(h)는 s와 h0의 곱으로 나타낼 수 있다. 다른 예로, 이물질(101, 101a)의 높이(h)는 루트 s(s^0.5)와 h0의 곱으로 나타낼 수 있다. 여기서, t는 이물질(101, 101a)의 위치에 대응하여 위치도출부(43)에서 도출되는 제1측정시간에 따른 시간변화량(t1) 또는 제2측정시간에 따른 시간변화량(t2)이다. 또한, s는 이물질(101, 101a)의 위치에 대응하여 위치도출부(43)에서 도출되는 제1측정시간에 따른 광량 변화량(s1) 또는 제2측정시간에 따른 광량 변화량(s2)이다. 또한, V는 제1측정유닛(10)의 이동속도(V1) 또는 제2측정유닛(20)의 이동속도(V2)이다. 또한, h0은 광량 변화량(s)에 대한 이물질(101, 101a)의 높이 매개변수로써, 제1측정시간에 따른 광량 변화량(s1)에 대한 이물질(101, 101a)의 높이 매개변수는 h01이고, 제2측정시간에 따른 광량 변화량(s2)에 대한 이물질(101, 101a)의 높이 매개변수는 h02이다.The width w of the
제1측정유닛(10)을 이용하여 도출되는 이물질(101, 101a)의 폭(w1)은 t1과 V1의 곱으로 나타내고, 제2측정유닛(20)을 이용하여 도출되는 이물질(101, 101a)의 폭(w2)은 t2와 V2의 곱으로 나타내며, 제1측정유닛(10)을 이용하여 도출되는 이물질(101, 101a)의 폭(w1)은 제2측정유닛(20)을 이용하여 도출되는 이물질(101, 101a)의 폭(w2)과 실질적으로 동일할 수 있다.The width w1 of the
마찬가지로, 제1측정유닛(10)을 이용하여 도출되는 이물질(101, 101a)의 높이(h1)에 대해 s1과 h01의 곱으로 나타내고, 제2측정유닛(20)을 이용하여 도출되는 이물질(101, 101a)의 높이(h2)에 대해 s2과 h02의 곱으로 나타내며, 제1측정유닛(10)을 이용하여 도출되는 이물질(101, 101a)의 높이(h1)는 제2측정유닛(20)을 이용하여 도출되는 이물질(101, 101a)의 높이(h2)와 실질적으로 동일할 수 있다.Similarly, the height h1 of the
그러면, 이물질(101, 101a)의 폭(w)과 이물질(101, 101a)의 높이(h) 그리고 각 이물질(101, 101a)의 위치에 따른 광량 변화 상태를 바탕으로 이물질(101, 101a)의 형상을 유추할 수 있다.Based on the width w of the
특히, 위치지시부(44)는 이물질(101, 101a)의 폭(w)과 이물질(101, 101a)의 높이(h)의 비율로 기판(100)의 표면과 기판(100)의 저면 중 이물질(101, 101a)의 오검출 여부와 이물질(101, 101a)의 위치를 최종 결정할 수 있다. 여기서, 이물질(101, 101a)의 폭(w)과 이물질(101, 101a)의 높이(h)의 비율을 한정하는 것은 아니고, 이물질(101 101a)의 특성 및 광량 변화 상태를 고려하여 이물질(101, 101a)의 폭(w)과 이물질(101, 101a)의 높이(h)의 비율을 설정할 수 있다.Particularly, the
일예로, 기판(100)의 표면에 발생된 이물질(101)은 시간에 따른 광량 변화의 변곡부를 기준으로 광량 변화가 급격하게 변하므로, 이물질(101, 101a)의 폭(w)은 이물질(101, 101a)의 높이(h)와 같거나 일정 비율로 클 수 있다.For example, the
다른 예로, 기판(100)의 저면에 발생된 이물질(101a)은 시간에 따른 광량 변화의 변곡부를 기준으로 광량 변화가 완만하게 변하므로, 이물질(101, 101a)의 폭(w)은 이물질(101, 101a)의 높이(h)와 같거나 일정 비율로 작을 수 있다.As another example, the
위치지시유닛(40)은 기판(100)의 간헐적 이동 상태 및 제1측정시간과 제1측정유닛(10)의 이동속도 또는 기판(100)의 간헐적 이동 상태 및 제2측정시간과 제2측정유닛(20)의 이동속도를 바탕으로 기판(100)의 이동 방향에 대한 이물질(101, 101a)의 검출좌표를 도출하는 위치확인부(45)를 더 포함할 수 있다.The
상술한 이동속도가 등속 이동되므로, 위치확인부(45)는 인 검출좌표 관계식을 도출할 수 있다.Since the above-mentioned moving speed is moved at a constant speed, the
여기서, V는 제1측정유닛(10)의 이동속도(V1) 또는 제2측정유닛(20)의 이동속도(V2)이고 S는 구획영역별 검출된 이물질(101, 101a)의 위치에 대응하는 시간이며, Y는 기판(100)의 이동 방향에 대한 이물질(101, 101a)의 검출좌표이다.Where V is the moving speed V1 of the
S는 구획영역별 제1측정유닛(10)에 의해 검출된 이물질(101, 101a)의 위치에 대응하는 시간(S1)과 구획영역별 제2측정유닛(20)에 의해 검출된 이물질(101, 101a)의 위치에 대응하는 시간(S2)으로 구분할 수 있다.S represents the time S1 corresponding to the position of the
그러면, 위치확인부(45)는 Y를 도출할 수 있기 때문에, 제1측정유닛(10) 또는 제2측정유닛(20)이 이물질(101, 101a)을 검출할 때, 기판(100)의 이동 방향에 대한 이물질(101, 101a)의 검출좌표를 결정할 수 있다.Therefore, when the
그리고, 위치확인부(45)를 통해 도출되는 기판(100)의 이동 방향에 대한 이물질(101, 101a)의 검출좌표는 기판(100)의 폭 방향에 대한 이물질(101, 101a)의 검출좌표와 매칭되어 기판(100) 상에서 검출된 이물질(101, 101a)의 좌표를 결정할 수 있다.The detected coordinates of the
이에 따라, 이물질(101, 101a)의 좌표를 결정을 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치는 좌표도출유닛(30)을 더 포함할 수 있다.Accordingly, the substrate inspection apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a coordinate
상기 좌표도출유닛(30)은 정반유닛(50)에서 기판(100)이 지지되는 영역과, 이물질(101, 101a)에 대응하여 제1검출부(13)에서 검출되는 제1레이저빔의 광량과, 이물질(101, 101a)에 대응하여 제2검출부(23)에서 검출되는 제2레이저빔의 광량과, 이물질(101, 101a)의 상대 위치를 이용하여 기판(100)에서 이물질(101, 101a)의 좌표를 계산한다.The coordinate
여기서, 상호 동일한 가우시안 단면 프로파일을 나타내는 제1레이저빔과 제2레이저빔은 서로 진행 방향이 반대이므로, 미지수인 기판(100)의 폭 방향에 대한 이물질(101)의 검출좌표를 계산할 수 있다.Here, since the first laser beam and the second laser beam having the same Gaussian cross-sectional profile mutually proceed in opposite directions to each other, the detection coordinates of the
좌표도출유닛(30)은 기판(100)의 폭이 저장되는 폭설정부(31)와, 제1발광부(11)에서 발산되는 제1레이저빔의 반경과 제1수광부(12)에서 수광되는 제1레이저빔의 반경이 저장되거나, 제2발광부(21)에서 발산되는 제2레이저빔의 반경과 제2수광부(22)에서 수광되는 제2레이저빔의 반경이 저장되는 반경설정부(32)와, 제1검출부(13)에서 검출되는 제1레이저빔의 광량과 제2검출부(23)에서 검출되는 제2레이저빔의 광량이 저장되는 광량설정부(33)와, 폭설정부(31)와 반경설정부(32)와 광량설정부(33)에 저장된 값을 기반으로 기판(100)의 폭 방향에 대한 이물질(101, 101a)의 검출좌표를 계산하는 좌표도출부(37)를 포함할 수 있다. 좌표도출부(37)는 위치확인부(45)를 통해 도출되는 기판(100)의 이동 방향에 대한 이물질(101, 101a)의 검출좌표와 기판(100)의 폭 방향에 대한 이물질(101, 101a)의 검출좌표를 매칭하여 기판(100) 상에서 검출된 이물질(101, 101a)의 좌표를 결정할 수 있다.The coordinate deriving
이때, 폭설정부(31)에서 기판(100)의 폭은 이송되는 기판(100)의 크기에 따라 기설정된 값이다.At this time, the width of the
또한, 반경설정부(32)는 제1발광부(11)에서 발산되는 제1레이저빔의 반경과 제1수광부(12)에서 수광되는 제1레이저빔의 반경이 저장되는 제1반경설정부와, 제2발광부(21)에서 발산되는 제2레이저빔의 반경과 제2수광부(22)에서 수광되는 제2레이저빔의 반경이 저장되는 제2반경설정부로 구분할 수 있다. 반경설정부(32)에 저장되는 제1레이저빔의 반경 또는 제2레이저빔의 반경은 광 특성에 따라 기설정된 값이거나 측정치이다.The
또한, 광량설정부(33)는 제1검출부(13)에서 검출되는 제1레이저빔의 광량이 저장되는 제1설정부와, 제2검출부(23)에서 검출되는 제2레이저빔의 광량이 저장되는 제2설정부로 구분할 수 있다.The light
제1설정부에는 기판(100)이 제1측정유닛(10)을 통과하지 않았을 때 제1수광부(12)에서 수광되는 제1레이저빔의 광량, 기판(100)만이 제1측정유닛(10)을 통과할 때 제1수광부(12)에서 수광되는 제1레이저빔의 광량, 이물질(101)이 제1측정유닛(10)을 통과할 때 제1수광부(12)에서 수광되는 제1레이저빔의 광량이 저장된다.The amount of light of the first laser beam received by the first
제2설정부에는 기판(100)이 제2측정유닛(20)을 통과하지 않았을 때 제2수광부(22)에서 수광되는 제2레이저빔의 광량, 기판(100)만이 제2측정유닛(20)을 통과할 때 제2수광부(22)에서 수광되는 제2레이저빔의 광량, 이물질(101)이 제2측정유닛(20)을 통과할 때 제2수광부(22)에서 수광되는 제2레이저빔의 광량이 저장된다.The amount of light of the second laser beam received by the second
광량설정부(33)에 저장되는 제1레이저빔의 광량 또는 제2레이저빔의 광량은 광 특성에 따라 제1검출부(13)와 제2검출부(23)에서 검출되는 광량으로 기설정된다.The amount of light of the first laser beam or the amount of light of the second laser beam stored in the light
또한, 좌표도출부(37)는 제1좌표도출부와, 제2좌표도출부와, 폭계산부를 포함한다. 제1좌표도출부는 이물(101, 101a)이 제1측정유닛(10)을 통과할 때, 제1레이저빔의 광량과, 이물질(101, 101a)의 단면적과, 제1레이저빔의 단면적의 상관 관계를 도출한다. 제2좌표도출부는 이물질(101, 101a)이 제2측정유닛(20)을 통과할 때, 제2레이저빔의 광량과, 이물질(101, 101a)의 단면적과, 제1레이저빔의 단면적 사이의 상관 관계를 도출한다. 폭계산부는 제1좌표도출부와 제2좌표도출부에서 각각 도출되는 관계식을 이용하여 기판(100)의 폭 방향에 대한 이물질(101, 101a)의 검출좌표를 결정한다.The coordinate
다른 표현으로, 제1좌표도출부는 이물질(101, 101a)이 제1측정유닛(10)을 통과할 때, 제1레이저빔의 광량과 기판(100)의 폭에 대한 이물질(101, 101a)의 위치 사이의 상관 관계를 도출한다. 또한, 제2좌표도출부는 이물질(101, 101a)이 제2측정유닛(20)을 통과할 때, 제2레이저빔의 광량과 기판(100)의 폭에 대한 이물질(101)의 위치 사이의 상관 관계를 도출한다.In other words, the first coordinate derivation unit is configured to extract the
여기서, 제1레이저빔과 제2레이저빔이 서로 동일한 제원을 가지고, 기판(100)의 폭 방향에 수직인 단면에 대하여 원형이며, 상호 균일한 광량 프로파일을 가진다고 가정하고, 이물질(101, 101a) 역시 원형이라고 가정하면,Here, assuming that the first laser beam and the second laser beam have the same specifications, are circular with respect to a cross section perpendicular to the width direction of the
X는 제1측정유닛(10)에서 이물질(101)이 검출될 때, 기판(100)의 폭 방향에 대한 이물질(101, 101a)의 검출좌표이고, L-X는 제2측정유닛(20)에서 이물질(101, 101a)이 검출될 때, 기판(100)의 폭 방향에 대한 이물질(101, 101a)의 검출좌표이다.X is the detection coordinate of the
이때, 레이저빔의 발산각이 일정한 구간에 대해,At this time, for a section where the divergence angle of the laser beam is constant,
L은 기판(100)의 폭이고, R01는 제1발광부(11) 측에서 제1레이저빔의 반경 또는 제2발광부(21) 측에서 제2레이저빔의 반경이며, R02는 제1수광부(12) 측에서 제1레이저빔의 반경 또는 제2수광부(22) 측에서 제2레이저빔의 반경이고, Rp는 이물질(101, 101a)의 직경이며, R1은 제1측정유닛(10)에서 이물질(101, 101a)이 검출될 때, 제1레이저빔의 반경이고, Q1은 제1측정유닛(10)에서 이물질(101, 101a)이 검출될 때, 제1레이저빔의 광량이며, R2는 제2측정유닛(20)에서 이물질(101, 101a)이 검출될 때, 제2레이저빔의 반경이고, Q2는 제2측정유닛(20)에서 이물질(101, 101a)이 검출될 때, 제2레이저빔의 광량이며, M은 레이저빔의 발산각에 따른 반경변수라고 하면,L is the width of the substrate (100), R 01 is the radius of the second laser beam from the side of the first
R1과 X 사이에는 인 관계식이 성립되고,Between R 1 and X In this way,
R2와 X 사이에는 인 관계식이 성립된다.Between R 2 and X Is established.
또한, Q1은 제1측정유닛(10)이 이물질(101, 101a)을 검출한 위치에서 제1레이저빔의 단면적에 대한 이물질(101, 101a)의 단면적으로 나타낼 수 있다.Q 1 can be expressed by the cross-sectional area of the
그러면, 제1레이저빔의 광량에 대하여 Q1과 Rp와 R1 사이에는,Then, between Q 1 and Rp and R 1 with respect to the light amount of the first laser beam,
인 제1관계식을 도출할 수 있다. Can be derived.
또한, Q2는 제2측정유닛(20)이 이물질(101, 101a)을 검출한 위치에서 제2레이저빔의 단면적에 대한 이물질(101, 101a)의 단면적으로 나타낼 수 있다.Q 2 can be expressed by the cross-sectional area of the
그러면, 제2레이저빔에 대하여 Q2와 Rp와 R2 사이에는,Then, between Q 2 and Rp and R 2 for the second laser beam,
인 제2관계식을 도출할 수 있다. Can be derived.
제1관계식과 제2관계식을 병합하면,By combining the first and second relationships,
인 제3관계식을 도출할 수 있다. Can be derived.
따라서, 좌표도출부(37)는 제3관계식을 계산함으로써, X를 도출할 수 있기 때문에 제1측정유닛(10)과 제2측정유닛(20)에서 이물질(101, 101a)이 검출될 때, 기판(100)의 폭 방향에 대한 이물질(101)의 검출좌표를 결정할 수 있다.Therefore, when the
또한, 좌표도출유닛(30)은 제1레이저빔 또는 제2레이저빔에 대하여 광의 진행 방향에 따른 반경변수가 저장되는 변수설정부(34)를 더 포함할 수 있다.The coordinate
변수설정부(34)에서 반경변수는 기판(100)의 폭 방향에서 광의 반경에 대한 반경증가분이다. 반경변수는 광 특성에 따라 기설정될 수 있다. 반경변수는 기판(100)의 폭과 반경설정부(32)에 저장된 값을 기반으로 계산될 수 있다.In the
이때, 반경변수에 대하여 M과 X와 R02사이에는, 삼각형의 닮음에 따른 비례식의 관계가 성립한다.At this time, there is a proportional relation between M and X and R 02 with respect to the radial variable according to the resemblance of a triangle.
여기서, 상술한 관계식들은 간략화되어 상호 관계에 대한 내용을 표현하지만, 여기에 한정하는 것은 아니고, 일반적인 레이저빔의 발산각을 사용하는 식과, 가우시안 단면 프로파일을 가지는 레이저빔에 대한 식으로 보다 정교하게 구성될 수 있으며, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.Here, the above-described relational expressions are simplified to express the content of the correlation, but the present invention is not limited to this, and it is possible to use a general expression of using a divergence angle of a laser beam and a more precise configuration of a laser beam having a Gaussian cross- And a description thereof will be omitted.
또한, 좌표도출유닛(30)은 광량설정부(33)에 저장되는 광량을 기반으로 제1수광부(12)에 수광되는 제1레이저빔의 광량과 제2수광부(22)에 수광되는 제2레이저빔의 광량을 비교하는 광량비교부(35)를 더 포함할 수 있다.The coordinate deriving
또한, 좌표도출유닛(30)은 광량비교부(35)에서 비교되는 비교값을 바탕으로 차이가 발생하는 경우, 제1측정유닛(10) 또는 제2측정유닛(20)의 위치를 조정하는 위치조정부(36)를 더 포함할 수 있다. 위치조정부(36)는 기판(100)의 정렬 상태를 조정할 수 있다.The coordinate
위치조정부(36)의 동작에 따라 제1측정유닛(10)과 제2측정유닛(20)에서 측정 정밀도를 향상시키고, 계산에 따른 오차를 줄일 수 있다.The measurement accuracy can be improved in the
또한, 기판(100)은 얼라인부(200)에 의해 정렬되므로, 기판(100)과 제1발광부(11) 사이의 간격이 기설정된 상태로 일정하게 유지될 수 있다.In addition, since the
지금부터는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사방법은 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판검사장치를 이용하여 기판(100)을 검사하는 방법이다.Hereinafter, a method of inspecting a substrate according to an embodiment of the present invention will be described. The substrate inspection method according to an embodiment of the present invention is a method of inspecting the
먼저, 본 발명의 일 실시예에서 기판(100)은 정반유닛(50)의 크기에 대응하여 둘 이상으로 구획되어 둘 이상의 구획영역을 형성한다.First, in an embodiment of the present invention, the
그리고 기판(100)은 롤러 또는 플로팅척이 정반유닛(50)과 연계하여 구획영역별로 간헐적으로 이동한다. 그러면, 구획영역별로 기판(100)은 정반유닛(50)에 지지되거나 정반유닛(50)을 통과할 수 있다.In the
정반유닛(50)에서 기판(100)이 지지되면, 정반유닛(50)은 기판(100)을 흡착 지지한다.When the
그리고, 제1측정유닛(10)과 제2측정유닛(20)은 기판(100) 또는 지지정반(51) 과의 상대 이동으로 기판(100)을 감지한다. 여기서, 기판(100)은 제1측정유닛(10)을 통한 제1레이저빔의 광량 변화 또는 제2측정유닛(20)을 통한 제2레이저빔의 광량 변화로 감지할 수 있다.The
또한, 제1측정유닛(10)과 제2측정유닛(20)은 기판(100) 또는 지지정반(51) 과의 상대 이동으로 이물질(101, 101a)을 검출한다. 여기서, 이물질(101, 101a)은 제1측정유닛(10)을 통한 제1레이저빔의 광량 변화 또는 제2측정유닛(20)을 통한 제2레이저빔의 광량 변화로 검출할 수 있다.The
여기서, 구획영역별로 이물질(101, 101a)이 검출되면, 정반유닛(50)에서 기판(100)이 지지되는 영역에 대응하여 제1측정시간에 따라 제1검출부(13)에서 검출되는 제1레이저빔의 광량 변화와, 제2측정시간에 따라 제2검출부(23)에서 검출되는 제2레이저빔의 광량 변화를 이용하여 기판(100)의 표면과 기판(100)의 저면 중 이물질(101, 101a)의 위치를 결정한다. 또한, 기판(100)의 이동 방향에 따른 이물질(101, 101a)의 검출좌표를 계산할 수 있다.When the
기판(100)의 표면과 기판(100)의 저면 중 이물질(101, 101a)의 위치는 위치지시유닛(40)을 통해 결정할 수 있다. 기판(100)의 이동 방향에 따른 이물질(101, 101a)의 검출좌표는 위치지시유닛(40)을 통해 결정할 수 있다.The positions of the
또한, 구획영역별로 이물질(101, 101a)이 검출되면, 정반유닛(50)에서 기판(100)이 지지되는 영역과, 이물질(101, 101a)에 대응하여 제1검출부(13)에서 검출되는 제1레이저빔의 광량과, 이물질(101, 101a)에 대응하여 제2검출부(23)에서 검출되는 제2레이저빔의 광량과, 이물질(101, 101a)의 상대 위치를 이용하여 기판(100)에서 이물질(101, 101a)의 좌표를 계산한다.When the
기판(100)에서 이물질(101, 101a)의 좌표는 좌표도출유닛(30)을 통해 계산할 수 있다.Coordinates of the
그리고, 구획영역별로 이물질(101, 101a)이 검출되지 않거나, 구획영역별로 이물질(101, 101a)의 검출이 완료되면, 정반유닛(50)은 기판(100)의 흡착을 해제하고, 지지정반(51)으로부터 기판(100)을 부양시킨다.When the
다음으로, 기판(100)은 다시 롤러 또는 플로팅척이 정반유닛(50)과 연계하여 구획영역별로 간헐적으로 이동한 다음, 상술한 기판(100) 감지 및 이물질(101, 101a) 감지 동작을 반복하게 된다.Next, the
마지막으로, 하나의 기판(100)을 모두 검사하고 나면, 새로운 기판(100)을 정반유닛(50)의 크기에 대응하여 둘 이상으로 구획하여 둘 이상의 구획영역을 형성한 다음, 상술한 동작을 반복 실시한다.Finally, after inspecting all the
상술한 레이저를 이용한 기판검사장치에 따르면, 레이저빔의 직진성과 레이저빔의 확산성에 따른 광량의 변화 차이를 이용하여 기판(100)의 표면은 물론 기판(100)의 저면에 발생된 이물질(101, 101a)을 검출하고 검출된 이물질(101, 101a)의 위치를 정확하게 파악할 수 있다. 특히, 전체 장비의 크기가 커지는 것을 방지하고, 기판(100)의 반전 없이도 기판(100)의 저면에 위치한 이물질(101, 101a)까지도 간편하게 이물질(101, 101a)을 검출함은 물론 검출된 이물질(101, 101a)의 위치 및 좌표를 정확하게 파악할 수 있다.According to the above-described substrate inspection apparatus using a laser, the
또한, 기설정된 정반유닛(50)의 크기에 대응하여 시간과 광량 변화의 상관 관계를 그래프로 도출할 수 있고, 그래프를 분석함으로써, 이물질(101, 101a)의 위치 및 좌표 결정을 간편하게 할 수 있다.Further, the correlation between the time and the light amount change can be derived in a graph corresponding to the size of the
또한, 검출되는 이물질(101, 101a)의 폭(w)과 이물질(101, 101a)의 높이(h)를 개략적으로 도출할 수 있고, 이물질(101, 101a)의 폭(w)과 이물질(101, 101a)의 높이(h) 사이에 형성되는 상관 관계를 통해 이물질(101, 101a)의 위치 및 좌표를 명확하게 할 수 있다. 다른 표현으로, 상술한 특징부를 통해 검출되는 이물질(101, 101a)이 기판(100)의 표면에 발생된 것인지 기판(100)의 저면에 발생된 것인지를 구분할 수 있다.The width w of the
또한, 기판(100)의 간헐적 이동에 대응하여 기판(100)의 이동 상태를 명확하게 하고, 기판(100)의 저면에 발생된 이물질(101, 101a)이 기판(100)의 표면에서 윤곽을 나타내도록 할 수 있다.It is also possible to clarify the moving state of the
또한, 제1레이저빔과 제2레이저빔의 광량 변화에 따라 기판(100)의 폭 방향에 대한 이물질(101, 101a)의 위치 및 좌표 결정이 용이하고, 기판(100)의 간헐적 이동 및 제1측정유닛(10)과 제2측정유닛(20)의 이동속도를 통해 기판(100)의 이동거리를 간편하게 계산할 수 있다.It is also easy to determine the position and coordinates of the
또한, 각 측정유닛(10, 20)의 개별 이동속도 및 각 측정유닛(10, 20)의 개별 광량을 상호 동일하게 조절함으로써, 이물질(101, 101a)의 위치 및 좌표 계산을 간소화하고 이물질(101, 101a)의 검출 정확도를 향상시킬 수 있다.It is also possible to simplify the calculation of the position and coordinates of the
또한, 기판(10)의 표면은 물론 기판(10)의 저면을 동시에 검사할 수 있고, 장치의 구조를 단순화시킬 수 있으며, 비례식을 이용하여 기판(10)에서 이물질(101, 101a)의 위치 및 좌표를 간편하게 도출할 수 있다.In addition, the surface of the
또한, 이물질(101, 101a)의 위치 및 좌표 또는 이물질(101, 101a)의 위치에 따른 제1레이저빔과 제2레이저빔에서 광량 변화의 계산이 편리하고, 기판(100) 검사 정밀도를 향상시킬 수 있다.It is also convenient to calculate the amount of light change in the first laser beam and the second laser beam depending on the position of the
또한, 기판(100)의 이동 방향에 대응하여 정반유닛(50)의 길이가 기판(100)의 길이보다 짧아도 기판(100) 전체의 검사를 용이하게 실시할 수 있다.In addition, even if the length of the
상술한 바와 같이 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면, 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변경시킬 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Modify or modify the Software.
100: 기판 101, 101a: 이물질 200: 얼라인부
10: 제1측정유닛 11: 제1발광부 12: 제1수광부
13: 제1검출부 20: 제2측정유닛 21: 제2발광부
22: 제2수광부 23: 제2검출부 30: 좌표도출유닛
31: 폭설정부 32: 반경설정부 33: 광량설정부
34: 변수설정부 35: 광량비교부 36: 위치조정부
37: 좌표도출부 40: 위치지시유닛 41: 설정카운트부
42: 변위매칭부 43: 위치도출부 44: 위치지시부
45: 위치확인부 50: 정반유닛 51: 지지정반
51a: 통기공 52: 기판흡착부 53: 기판플로팅부
60: 제1이동유닛 70: 제2이동유닛100:
10: first measuring unit 11: first light emitting unit 12: first light receiving unit
13: first detection unit 20: second measurement unit 21: second light emitting unit
22: second light receiving section 23: second detection section 30: coordinate derivation unit
31: snow-making unit 32: radius setting unit 33:
34: variable setting section 35: light quantity comparing section 36: position adjusting section
37: Coordinate derivation unit 40: Position designation unit 41: Setting count unit
42: displacement matching section 43: position deriving section 44: position indicating section
45: position confirmation unit 50: face plate unit 51: support plate
51a: vent hole 52: substrate suction part 53: substrate floating part
60: first mobile unit 70: second mobile unit
Claims (7)
상기 기판의 간헐적 이동에 대응하여 상기 기판이 지지 또는 부양되는 정반유닛;
제1레이저빔을 발산하는 제1발광부와, 상기 제1레이저빔이 수광되는 제1수광부와, 상기 제1수광부에서 수광되는 상기 제1레이저빔의 광량을 검출하는 제1검출부를 포함하는 제1측정유닛;
제1수광부에서 이격되어 상기 제1레이저빔과 평행한 제2레이저빔을 발산하는 제2발광부와, 상기 제1발광부에서 이격되어 상기 제2레이저빔이 수광되는 제2수광부와, 상기 제2수광부에서 수광되는 제2레이저빔의 광량을 검출하는 제2검출부를 포함하는 제2측정유닛;
상기 정반유닛에 대응하여 상기 제1측정유닛과 상기 제2측정유닛을 상대 이동시키는 위치이동유닛; 및
상기 정반유닛에서 상기 기판이 지지되는 영역에 대응하여 제1측정시간에 따라 상기 제1검출부에서 검출되는 상기 제1레이저빔의 광량 변화와, 제2측정시간에 따라 상기 제2검출부에서 검출되는 상기 제2레이저빔의 광량 변화를 이용하여 상기 기판의 표면과 상기 기판의 저면 중 이물질의 위치를 결정하는 위치지시유닛;을 포함하고,
상기 위치지시유닛은,
상기 제1측정시간과 상기 제2측정시간을 카운트하는 설정카운트부;
상기 제1측정시간에 따라 상기 제1레이저빔의 광량 변화를 매칭시키고 상기 제2측정시간에 따라 상기 제2레이저빔의 광량 변화량을 매칭시키는 변위매칭부;
시간에 따른 광량 변화의 변곡부를 이용하여 이물질의 위치를 도출하고, 이물질의 위치에 대응하는 시간변화량과 광량 변화량을 도출하는 위치도출부;
상기 위치도출부에서 도출되는 시간변화량과 광량 변화량을 이용하여 상기 기판의 표면과 상기 기판의 저면 중 이물질의 오검출 여부와 이물질의 위치를 결정하는 위치지시부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 기판검사장치.A substrate inspection apparatus for inspecting a foreign substance generated on a substrate,
A base unit in which the substrate is supported or lifted in response to intermittent movement of the substrate;
A first light emitting section for emitting a first laser beam, a first light receiving section for receiving the first laser beam, and a first detecting section for detecting an amount of light of the first laser beam received by the first light receiving section 1 measuring unit;
A second light emitting unit which is spaced apart from the first light receiving unit and emits a second laser beam parallel to the first laser beam, a second light receiving unit which is spaced apart from the first light emitting unit and receives the second laser beam, A second measuring unit including a second detecting unit for detecting an amount of light of the second laser beam received by the second light receiving unit;
A position moving unit for relatively moving the first measurement unit and the second measurement unit in correspondence with the surface mount unit; And
A light amount change of the first laser beam detected by the first detection unit in accordance with a first measurement time corresponding to an area where the substrate is supported in the surface plate unit; And a position indicating unit for determining a position of a foreign matter on a surface of the substrate and a bottom surface of the substrate using a change in light amount of the second laser beam,
The position indicating unit,
A setting count unit counting the first measurement time and the second measurement time;
A displacement matching unit for matching the light amount change of the first laser beam according to the first measurement time and matching the light amount variation amount of the second laser beam according to the second measurement time;
A position deriving unit for deriving a position of the foreign object by using the bent portion of the light amount change with time and deriving a time variation amount and a light amount variation amount corresponding to the position of the foreign matter;
And a position indicator for determining whether or not a foreign object on the surface of the substrate and the bottom surface of the substrate is erroneously detected and the position of the foreign object by using the time variation amount and the light amount variation amount derived from the position deriving unit. Substrate inspection apparatus.
상기 위치지시부에 있어서,
이물질의 폭(w)은 t와 v의 곱으로 나타내고,
이물질의 높이(h) 또는 이물질의 높이(h)의 제곱은 s와 비례하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 기판검사장치.
여기서, t는 이물질의 위치에 대응하여 상기 위치도출부에서 도출되는 상기 제1측정시간에 따른 시간변화량 또는 상기 제2측정시간에 따른 시간변화량이고,
s는 이물질의 위치에 대응하여 상기 위치도출부에서 도출되는 상기 제1측정시간에 따른 광량 변화량 또는 상기 제2측정시간에 따른 광량 변화량이며,
v는 상기 제1측정유닛의 이동속도 또는 상기 제2측정유닛의 이동속도이다.The method according to claim 1,
In the position indicating section,
The width (w) of the foreign substance is represented by the product of t and v,
Wherein the height of the foreign substance (h) or the height of the foreign substance (h) is proportional to s.
Here, t is a time variation amount in accordance with the first measurement time or a time variation amount in accordance with the second measurement time derived from the position deriving part corresponding to the position of the foreign object,
s is a light amount change amount in accordance with the first measurement time or a light amount change amount in accordance with the second measurement time, which is derived from the position deriving part, corresponding to the position of the foreign object,
v is the moving speed of the first measuring unit or the moving speed of the second measuring unit.
상기 위치지시부는,
이물질의 폭과 이물질의 높이 사이의 비율로 상기 기판의 표면과 상기 기판의 저면 중 이물질의 오검출 여부와 이물질의 위치를 최종 결정하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 기판검사장치.The method of claim 3,
Wherein the position indication unit comprises:
Wherein a ratio between a height of the foreign object and a height of the foreign object is used to determine whether or not a foreign substance is present on the surface of the substrate and the bottom surface of the substrate and the position of the foreign substance is finally determined.
상기 위치지시유닛은,
상기 기판의 간헐적 이동 상태 및 상기 제1측정시간과 상기 제1측정유닛의 이동속도 또는 상기 기판의 간헐적 이동 상태 및 상기 제2측정시간과 상기 제2측정유닛의 이동속도를 바탕으로 상기 기판의 이동 방향에 대한 이물질의 검출좌표를 도출하는 위치확인부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 기판검사장치.The method according to claim 1,
The position indicating unit,
Based on the intermittent moving state of the substrate and the moving speed of the first measuring unit or the intermittent moving state of the substrate and the moving speed of the second measuring unit, And a position confirming unit for deriving a detection coordinate of a foreign substance with respect to a direction of the substrate.
상기 정반유닛은,
상기 기판이 지지되는 영역에 대응하여 통기공이 관통 형성되는 지지정반;
상기 통기공을 통해 공기를 흡착하는 기판흡착부;
상기 통기공을 통해 공기를 배출시키는 기판플로팅부;를 포함하고,
상기 위치지시유닛은,
상기 기판의 간헐적 이동에 대응하여 상기 기판흡착부 또는 상기 기판플로팅부의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 기판검사장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The surface-
A support base through which a vent hole is formed to correspond to an area where the substrate is supported;
A substrate adsorption unit for adsorbing air through the vent hole;
And a substrate floating portion for discharging air through the vent hole,
The position indicating unit,
Wherein the operation of the substrate attracting unit or the substrate floating unit is controlled in response to intermittent movement of the substrate.
상기 정반유닛에서 상기 기판이 지지되는 영역과, 이물질에 대응하여 상기 제1검출부에서 검출되는 상기 제1레이저빔의 광량과, 이물질에 대응하여 상기 제2검출부에서 검출되는 상기 제2레이저빔의 광량과, 이물질의 상대 위치를 이용하여 상기 기판에서 이물질의 좌표를 계산하는 좌표도출유닛;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 기판검사장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
An amount of light of the first laser beam detected by the first detecting unit corresponding to a foreign substance and a quantity of light of the second laser beam detected by the second detecting unit corresponding to the foreign substance, And a coordinate derivation unit for calculating the coordinates of a foreign substance on the substrate by using a relative position of the foreign substance.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160115702A KR101827497B1 (en) | 2016-09-08 | 2016-09-08 | Substrate inspection device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160115702A KR101827497B1 (en) | 2016-09-08 | 2016-09-08 | Substrate inspection device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101827497B1 true KR101827497B1 (en) | 2018-02-12 |
Family
ID=61225010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160115702A KR101827497B1 (en) | 2016-09-08 | 2016-09-08 | Substrate inspection device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101827497B1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000230910A (en) | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Advanced Display Inc | Inspection apparatus and removing apparatus for substrate-adhering foreign matter and method and removing adhered foreign matter |
JP2001159613A (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Nikon Corp | Foreign matter inspecting apparatus and exposure apparatus equipped therewith |
KR100775086B1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-11-08 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus and method for detecting foreign substance |
-
2016
- 2016-09-08 KR KR1020160115702A patent/KR101827497B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000230910A (en) | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Advanced Display Inc | Inspection apparatus and removing apparatus for substrate-adhering foreign matter and method and removing adhered foreign matter |
JP2001159613A (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Nikon Corp | Foreign matter inspecting apparatus and exposure apparatus equipped therewith |
KR100775086B1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-11-08 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus and method for detecting foreign substance |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100520305B1 (en) | Gap measurement device for measuring a gap between a mask and a substrate using a laser displacement sensor, and measuring method thereof | |
US7984561B2 (en) | Device for determining dimension of a workpiece | |
US20050100205A1 (en) | Method for measuring three dimensional shape of a fine pattern | |
JP6606441B2 (en) | Inspection system and inspection method | |
US11315817B2 (en) | Apparatus for transferring wafer, method for transferring wafer using the same with three sensors | |
CN108254281A (en) | A kind of online test method and device of belt feeder material moisture rate | |
JP6502504B2 (en) | Pre-alignment measurement apparatus and method | |
CN107131829B (en) | Dimension tolerance detection device and dimension tolerance detection method | |
KR101827497B1 (en) | Substrate inspection device | |
KR20200058287A (en) | Surface testing device and surface testing method using condensing means | |
JP2001249060A (en) | Apparatus for detecting center of gravity and apparatus for inspecting test body | |
CN207585500U (en) | Glass substrate verifying attachment | |
US10151853B2 (en) | Apparatus for inspecting robot hands | |
WO2004113706A1 (en) | Device and method for inspecting piston ring | |
US20200182970A1 (en) | Method and device for detecting spot position | |
JP4534877B2 (en) | Optical sensor device | |
KR101717994B1 (en) | Substrate inspection device and substrate inspection method | |
CN217156256U (en) | Material state detection device | |
TW201608231A (en) | Light deflection detection module and measurement and calibration method using the same | |
US5436721A (en) | Wafer tilt gauge | |
CN110797273A (en) | Tool and method for detecting flatness of chip substrate | |
CN105698759A (en) | Tilt detecting device | |
KR102563136B1 (en) | Vertical steel plate measuring device capable of measuring the bending state and dimensions of steel plate | |
CN116714121B (en) | Wafer loading method, wafer processing method and wafer processing equipment | |
TWM451102U (en) | Positioning inspection system and device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |