KR101820428B1 - 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 기판 위에 형성되어 있으며, 게이트선과 평행한 유지 전극선, 게이트선 및 유지 전극선과 교차하며, 소스 전극을 포함하는 데이터선, 소스 전극과 마주하는 드레인 전극, 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 유지 전극선은 데이터선과 같은 방향으로 뻗어 있는 복수의 유지 전극을 포함하고, 데이터선은 데이터선을 중심으로 서로 반대편에 위치하는 유지 전극과 각각 중첩되어 있다.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치는 다양한 색으로 화상을 표시하기 위해 색필터를 구비하고, 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 스위칭 소자(switching element)로 박막 트랜지스터를 사용한다. 이러한 박막 트랜지스터에는 주사 신호를 전달하는 게이트선, 화상 신호를 전달하는 데이터선 및 화소 전극이 연결되어 있다. 게이트선 및 데이터선 등을 통해서 주사 신호 및 데이터 신호가 전달되며, 박막 트랜지스터는 주사 신호에 따라 화소 전극에 전달되는 데이터 신호를 제어한다.
한편, 표시판에는 박막 트랜지스터, 게이트선, 유지 전극선, 데이터선 등 여러 가지 배선이 형성되는데, 공정 시 배선들의 배열이 틀어질 경우, 데이터선의 기생 용량 값이 달라져, 액정 표시 장치의 표시 불량이 발생한다.
본 발명은 액정 표시 장치에서 데이터선의 기생 용량의 변동을 최소화 하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 기판 위에 형성되어 있으며, 게이트선과 평행한 유지 전극선, 게이트선 및 유지 전극선과 교차하며, 소스 전극을 포함하는 데이터선, 소스 전극과 마주하는 드레인 전극, 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 유지 전극선은 데이터선과 같은 방향으로 뻗어 있는 복수의 유지 전극을 포함하고, 데이터선은 데이터선을 중심으로 서로 반대편에 위치하는 유지 전극과 각각 중첩되어 있다.
유지 전극은 제1 유지 전극과 제2 유지 전극을 포함하고, 데이터선은 데이터선을 중심으로 서로 반대편에 위치하는 제1 유지 전극과 제2 유지 전극과 각각 중첩되어 있을 수 있다.
제1 유지 전극과 제2 유지 전극은 꺾여 있으며, 각각 상부 및 하부를 포함할 수 있다.
데이터선은 제1 유지 전극의 하부 및 제2 유지 전극의 상부와 각각 중첩되어 있을 수 있다.
데이터선과 제1 유지 전극의 하부와 중첩된 영역과 데이터선과 제2 유지 전극의 상부와 중첩된 영역은 데이터선을 중심으로 180도 회전 대칭 구조일 수 있다.
데이터선과 제1 유지 전극의 하부는 0.5 내지 3 ㎛ 만큼 중첩되어 있을 수 있다.
데이터선과 제2 유지 전극의 상부는 0.5 내지 3 ㎛ 만큼 중첩되어 있을 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 제1 게이트선 및 제2 게이트선, 기판 위에 형성되어 있으며, 제1 게이트선 및 제2 게이트선 사이에 위치하는 유지 전극선, 제1 게이트선, 제2 게이트선 및 유지 전극선과 교차하며, 제1 소스 전극 및 제2 소스 전극을 포함하는 데이터선, 제1 소스 전극 및 제2 소스 전극과 각각 마주하는 제1 드레인 전극 및 제2 드레인 전극, 제1 드레인 전극 및 제2 드레인 전극과 각각 연결되어 있는 제1 화소 전극 및 제2 화소 전극을 포함하고, 유지 전극선은 데이터선과 같은 방향으로 뻗어 있는 복수의 유지 전극을 포함하고, 데이터선은 데이터선을 중심으로 서로 반대편에 위치하는 유지 전극과 각각 중첩되어 있다.
유지 전극은 제1 내지 제4 유지 전극을 포함하고, 데이터선은 데이터선을 중심으로 서로 반대편에 위치하는 제2 유지 전극 및 제3 유지 전극과 각각 중첩되어 있을 수 있다.
제2 유지 전극과 제3 유지 전극은 꺾여 있으며, 각각 상부 및 하부를 포함할 수 있다.
데이터선은 제2 유지 전극의 상부 및 제3 유지 전극의 하부와 각각 중첩되어 있는 액정 표시 장치.
데이터선과 제2 유지 전극의 상부와 중첩된 영역과 데이터선과 제3 유지 전극의 하부와 중첩된 영역은 데이터선을 중심으로 180도 회전 대칭 구조일 수 있다.
데이터선과 제2 유지 전극의 상부는 0.5 내지 3 ㎛ 만큼 중첩되어 있을 수 있다.
데이터선과 제3 유지 전극의 하부는 0.5 내지 3 ㎛ 만큼 중첩되어 있을 수 있다.
제1 소스 전극과 제2 소스 전극은 서로 반대 방향으로 뻗어 있을 수 있다.
제1 게이트선은 제1 게이트 전극을 포함하고, 제2 게이트선은 제2 게이트 전극을 포함하며, 제1 게이트 전극과 제2 게이트 전극은 서로 반대 방향으로 돌출되어 있을 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 데이터선을 중심으로 서로 반대 쪽에 위치하는 유지 전극과 데이터선이 각각 중첩하고, 그 중첩된 구조가 데이터선을 중심으로 180도 회전 대칭 구조를 가짐으로써, 데이터선과 유지 전극이 공정 중에서 배열이 틀어지더라도 데이터선의 기생 용량의 변동을 최소화 할 수 있다.
도 1 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 도 1의 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 자른 단면도이다.
도 5은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.
도 6는 도 5의 액정 표시 장치를 Ⅵ-Ⅵ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 7은 도 5의 액정 표시 장치를 Ⅶ-Ⅶ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 8는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 데이터선과 유지 전극의 배열이 틀어짐에 따른 데이터선의 기생 용량의 변화를 나타낸 그래프이다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
도 1 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 자른 단면도이고, 도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 자른 단면도이고, 도 4는 도 1의 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 자른 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 이와 마주하는 공통 전극 표시판(200), 그리고 두 표시판(100, 200) 사이에 있는 액정층(3)을 포함한다.
먼저, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.
유리 또는 플라스틱 따위의 절연 물질로 만들어진 제1 절연 기판(110) 위에 게이트 전극(124)을 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)이 형성되어 있다. 게이트선(121)과 유지 전극선(131)은 동일한 물질로 형성할 수 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있고, 유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다.
유지 전극선(131)은 유지 전극선(131) 아래로 확장되어 있는 제1 유지 전극(133a)와 제2 유지 전극(133b)를 포함한다.
제1 유지 전극(133a)와 제2 유지 전극(133b)은 한 번 꺾여 있으며, 이 후에 설명하는 데이터선(171)과 부분적으로 중첩한다.
게이트선(121)과 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소 또는 다결정 규소 등으로 만들어진 반도체(151)가 형성되어 있다. 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗으며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 돌출부(154)를 포함한다.
반도체(151) 위에는 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(161, 165)가 형성되어 있다. 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(161, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드로 만들어질 수 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.
게이트 절연막(140) 및 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(161, 165) 위에는 데이터선(171)과 드레인 전극(175)이 형성되어 있다. 데이터선(171)과 드레인 전극(175)은 동일한 물질로 형성할 수 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차하며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 소스 전극(173)을 포함한다.
드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고, 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주하며, 면적이 넓은 확장부를 포함한다. 드레인 전극(175)과 소스 전극(173) 사이의 반도체(151)의 돌출부(154)는 노출되어 있다.
하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체(151)의 돌출부(154)에 형성된다.
데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체(151)의 돌출부(154) 및 게이트 절연막(140) 위에는 질화 규소 따위로 이루어진 보호막(180)이 형성되어 있다.
보호막(180)에는 드레인 전극(175)을 노출하는 접촉구(185)가 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 접촉구(185)를 통하여 드레인 전극(175)과 연결되는 화소 전극(191)이 형성되어 있다.
다음, 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 제2 절연 기판(210) 위에는 빛샘 방지를 위한 차광 부재(220)가 형성되어 있다.
제2 절연 기판(210) 및 차광 부재(220) 위에는 색필터(230)가 형성되어 있고, 색필터(230) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO, IZO 등의 투명한 도전체 따위로 만들어진다.
그리고, 공통 전극 표시판(200)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에는 액정층(3)이 위치한다.
데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)과 공통 전압을 인가 받는 공통 전극(270)은 액정 축전기를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다. 액정 축전기는 액정층(3)을 유전체로서 포함한다.
데이터선(171)과 게이트선(121)이 교차하여 복수개의 화소를 이루고, 각 화소에는 제1 유지 전극(133a)과 제2 유지 전극(133b)이 배치되어 있다.
제2 유지 전극(133b)은 제2 유지 전극(133b)이 배치된 화소의 데이터선(171)과 중첩하고, 제1 유지 전극(133a)은 이웃하는 화소의 데이터선(171)과 중첩한다. 즉, 당 화소의 제2 유지 전극(133b)과 이웃하는 화소의 제1 유지 전극(133a)이 당 화소의 데이터선(171)과 중첩한다.
한편, 도 3은 제1 유지 전극(133a) 및 제2 유지 전극(133b)의 상부를 자른 단면도이고, 도 4는 제1 유지 전극(133a) 및 제2 유지 전극(133b)의 하부를 자른 단면도이다.
제1 유지 전극(133a)과 제2 유지 전극(133b)은 각각 상부 및 하부로 나뉘며, 상부와 하부로 나뉘는 영역에서 꺾여 있다. 당 화소의 데이터선(171)은 당 화소의 제2 유지 전극(133b)의 상부와 중첩하고, 이웃하는 화소의 제1 유지 전극(133a)의 하부와 중첩한다. 당 화소의 데이터선(171)은 당 화소의 제2 유지 전극(133b)의 상부와 0.5 내지 3 ㎛ 중첩되어 있고, 이웃하는 화소의 제1 유지 전극(133a)의 하부와 0.5 내지 3 ㎛ 중첩되어 있다.
당 화소의 데이터선(171)과 당 화소의 제2 유지 전극(133b)의 상부와 중첩된 영역과 당 화소의 데이터선(171)과 이웃하는 화소의 제1 유지 전극(133a)의 하부와 중첩된 영역은 데이터선(171)을 중심으로 180도 회전 대칭 구조이다.
이러한 180도 회전 대칭 구조로 인하여, 데이터선(171)과 제1 유지 전극(133a) 및 제2 유지 전극(133b)이 공정 중에서 배열이 틀어지더라도 데이터선(171)의 기생 용량의 변동을 최소화 할 수 있다.
다음은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 5 내지 도 7을 참고하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ 선을 따라 자른 단면도이고, 도 7는 도 5의 Ⅶ-Ⅶ 선을 따라 자른 단면도이다.
도 5를 참고하면, 제1 게이트선(121a)과 제2 게이트선(121b)이 데이터선(171)과 교차하여 두 개의 화소를 이루고 있다.
제1 게이트선(121a)은 아래로 돌출한 제1 게이트 전극(124a) 및 제1 게이트 돌출부(125a)를 포함한다. 제2 게이트선(121b)은 위로 돌출한 제2 게이트 전극(124b) 및 제2 게이트 돌출부(125b)를 포함한다.
데이터선(171)은 제1 게이트 전극(124a)을 향하여 뻗어 있는 제1 소스 전극(173a)와 제2 게이트 전극(124b)을 향하여 뻗어 있는 제2 소스 전극(173b)을 포함한다. 여기서, 제1 소스 전극(173a)과 제2 소스 전극(173b)이 뻗어 있는 방향은 서로 반대이다.
제1 드레인 전극(175a)은 제1 소스 전극(173a)과 마주하고, 제1 게이트 전극(124a) 및 제1 게이트 돌출부(125a)와 중첩하며, 한 쪽 끝에 면적이 넓은 확장부를 포함한다. 제2 드레인 전극(175b)은 제2 소스 전극(173b)과 마주하고, 제2 게이트 전극(124b) 및 제2 게이트 돌출부(125b)와 중첩하며, 한 쪽 끝에 면적이 넓은 확장부를 포함한다.
제1 소스 전극(173a)과 제1 드레인 전극(175a) 사이 및 제2 소스 전극(173b)과 제2 드레인 전극(175b) 사이에는 각각 반도체의 돌출부(154a, 154b)가 위치하고 있다.
제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)의 확장부에는 각각 제1 접촉구(185a) 및 제2 접촉구(185b)가 위치한다. 제1 화소 전극(191a)은 제1 접촉구(185a)를 통하여 제1 드레인 전극(175a)와 연결되고, 제2 화소 전극(191a)은 제2 접촉구(185b)를 통하여 제2 드레인 전극(175b)와 연결된다.
제1 게이트선(121a)과 제2 게이트선(121b) 사이에 유지 전극선(131)이 배치되어 있고, 제1 게이트선(121a) 및 제2 게이트선(121b)과 평행하게 뻗어 있다.
유지 전극선(131)은 아래 방향으로 뻗어 있는 제1 내지 제4 유지 전극(133a, 133b, 133c, 133d)를 포함한다. 제1 유지 전극(133a) 및 제2 유지 전극(133b)과 제3 유지 전극(133c) 및 제4 유지 전극(133d)은 서로 다른 화소에 배치되어 있다.
제1 유지 전극(133a)과 제4 유지 전극(133d)는 데이터선(171)과 평행하게 뻗어 있고, 제2 유지 전극(133b)과 제3 유지 전극(133c)은 한 번 꺾여 있으며, 데이터선(171)과 부분적으로 중첩한다. 제2 유지 전극(133b)과 제3 유지 전극(133c)은 각각 상부 및 하부로 나뉘며, 상부와 하부로 나뉘는 영역에서 꺾여 있다.
도 6 및 도 7을 참고하면, 제1 절연 기판(110) 위에 제2 유지 전극(133b)과 제3 유지 전극(133c)가 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 반도체(151), 선형 저항성 접촉층(161), 데이터선(171)이 차례로 형성되어 있고, 데이터선(171) 및 게이트 절연막(140) 위에는 보호막(180)이 형성되어 있고, 보호막(180) 위에는 제1 화소 전극(191a) 및 제2 화소 전극(191b)이 형성되어 있다.
제2 절연 기판(210) 위에 차광 부재(220) 및 색필터(230)가 형성되어 있고, 색필터(230) 위에 공통 전극(270)이 형성되어 있으며, 공통 전극(270)과 제1 화소 전극(191a) 및 제2 화소 전극(191b) 사이에 액정층(3)이 위치한다.
도 6은 제2 유지 전극(133b)과 제3 유지 전극(133c)의 상부를 자른 단면도이고, 도 7은 제2 유지 전극(133b)과 제3 유지 전극(133c)의 하부를 자른 단면도이다.
데이터선(171)은 제2 유지 전극(133b)의 상부와 중첩하고, 제3 유지 전극(133c)의 하부와 중첩한다. 데이터선(171)은 제2 유지 전극(133b)의 상부와 0.5 내지 3 ㎛ 중첩되어 있고, 제3 유지 전극(133c)의 하부와 0.5 내지 3 ㎛ 중첩되어 있다.
데이터선(171)과 제2 유지 전극(133b)의 상부와 중첩된 영역과 데이터선(171)과 제3 유지 전극(133c)의 하부와 중첩된 영역은 데이터선(171)을 중심으로 180도 회전 대칭 구조이다.
이러한 180도 회전 대칭 구조로 인하여, 데이터선(171)과 제2 유지 전극(133b)과 제3 유지 전극(133c)이 공정 중에서 배열이 틀어지더라도 데이터선(171)의 기생 용량의 변동을 최소화 할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 데이터선과 유지 전극의 배열이 틀어짐에 따른 데이터선의 기생 용량의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 8에 도시한 것과 같이, 데이터선과 유지 전극의 배열이 틀어지지 않았을 때의 데이터선의 기생 용량과 데이터선과 유지 전극의 배열이 3㎛ 까지 틀어졌을 때의 데이터선의 기생 용량은 거의 차이가 없음을 알 수 있다.
121, 121a, 121b: 게이트선 131: 유지 전극선
133a, 133b, 133c, 133d: 유지 전극 171: 데이터선

Claims (16)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트선과 평행한 유지 전극선,
    상기 게이트선 및 상기 유지 전극선과 교차하며, 소스 전극을 포함하는 데이터선,
    상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극,
    상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고,
    상기 유지 전극선은 상기 데이터선과 같은 방향으로 뻗어 있는 제1 유지 전극 및 제2 유지 전극을 포함하고,
    상기 데이터선은 상기 데이터선을 중심으로 서로 반대편에 위치하는 상기 제1 유지 전극과 상기 제2 유지 전극과 각각 중첩되어 있고,
    상기 제1 유지 전극과 상기 제2 유지 전극은 꺾여 있으며, 각각 상부 및 하부를 포함하고,
    상기 데이터선은 상기 제1 유지 전극의 하부 및 상기 제2 유지 전극의 상부와 각각 중첩되어 있고,
    상기 데이터선은 상기 제1 유지 전극의 상부 및 상기 제2 유지 전극의 하부와 각각 중첩하지 않고,
    상기 데이터선과 상기 제1 유지 전극의 하부와 중첩된 영역과 상기 데이터선과 상기 제2 유지 전극의 상부와 중첩된 영역은 상기 데이터선을 중심으로 180도 회전 대칭 구조인
    액정 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에서,
    상기 데이터선과 상기 제1 유지 전극의 하부는 0.5 내지 3 ㎛ 만큼 중첩되어 있는 액정 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 데이터선과 상기 제2 유지 전극의 상부는 0.5 내지 3 ㎛ 만큼 중첩되어 있는 액정 표시 장치.
  8. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 게이트선 및 제2 게이트선,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 제1 게이트선 및 상기 제2 게이트선 사이에 위치하는 유지 전극선,
    상기 제1 게이트선, 상기 제2 게이트선 및 상기 유지 전극선과 교차하며, 제1 소스 전극 및 제2 소스 전극을 포함하는 데이터선,
    상기 제1 소스 전극 및 상기 제2 소스 전극과 각각 마주하는 제1 드레인 전극 및 제2 드레인 전극,
    상기 제1 드레인 전극 및 상기 제2 드레인 전극과 각각 연결되어 있는 제1 화소 전극 및 제2 화소 전극을 포함하고,
    상기 유지 전극선은 상기 데이터선과 같은 방향으로 뻗어 있는 제1 내지 제4 유지 전극을 포함하고,
    상기 데이터선은 상기 데이터선을 중심으로 서로 반대편에 위치하는 상기 제2 유지 전극과 상기 제3 유지 전극과 각각 중첩되어 있고,
    상기 제2 유지 전극과 상기 제3 유지 전극은 꺾여 있으며, 각각 상부 및 하부를 포함하고,
    상기 데이터선은 상기 제2 유지 전극의 하부 및 상기 제3 유지 전극의 상부와 각각 중첩되어 있고,
    상기 데이터선은 상기 제2 유지 전극의 상부 및 상기 제3 유지 전극의 하부와 각각 중첩하지 않고,
    상기 데이터선과 상기 제2 유지 전극의 하부와 중첩된 영역과 상기 데이터선과 상기 제3 유지 전극의 상부와 중첩된 영역은 상기 데이터선을 중심으로 180도 회전 대칭 구조인
    액정 표시 장치.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제8항에서,
    상기 데이터선과 상기 제2 유지 전극의 상부는 0.5 내지 3 ㎛ 만큼 중첩되어 있는 액정 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 데이터선과 상기 제3 유지 전극의 하부는 0.5 내지 3 ㎛ 만큼 중첩되어 있는 액정 표시 장치.
  15. 제8항에서,
    상기 제1 소스 전극과 상기 제2 소스 전극은 서로 반대 방향으로 뻗어 있는 액정 표시 장치.
  16. 제8항에서,
    상기 제1 게이트선은 제1 게이트 전극을 포함하고,
    상기 제2 게이트선은 제2 게이트 전극을 포함하며,
    상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극은 서로 반대 방향으로 돌출되어 있는 액정 표시 장치.
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