KR101814813B1 - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
태양전지가 개시된다. 실시예에 따른 태양전지는 지지기판 상에 배치되는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 유기물을 포함하는 재결합 방지층; 상기 재결합 방지층 상에 배치되는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 배치되는 전면전극층을 포함한다.
Description
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 심각한 환경 오염 문제와 화석 에너지 고갈로 인해, 신·재생에너지에 대한 필요성 및 관심이 고조되고 있다. 그 중에서도 태양전지는 공해가 적고, 자원이 무한하며 반 영구적인 수명을 가지고 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 무공해 에너지 원으로 기대되고 있다.
태양전지는 p-n 접합 다이오드에 빛을 쪼이면 전자가 생성 되는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 소자로 정의할 수 있다. 태양전지는 접합 다이오드로 사용되는 물질에 따라, 실리콘 태양전지, I-III-VI족 또는 III-V족 화합물로 대표되는 화합물 반도체 태양전지, 염료감응 태양전지, 유기물 태양전지로 나눌 수 있다.
I-III-VI족 Chalcopyrite계 화합물 반도체 중 하나인 CIGS(CuInGaSe) 태양전지는 광 흡수가 뛰어나고, 얇은 두께로도 높은 광전 변환효율을 얻을 수 있으며, 전기 광학적 안정성이 매우 우수하여 기존 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 태양전지로 부각되고 있다.
일반적으로, CIGS 태양전지는 유리 기판 상에 후면 전극층, 광 흡수층, 버퍼층, 전면 전극층을 순차적으로 형성시켜 제조될 수 있다. 먼저, 기판으로는 소다라임 유리판(sodalime glass), 스텐레스 스틸(stainless steel), 폴리머 (polyimide; PI) 등 다양한 소재가 사용될 수 있다. 후면 전극층은 비저항이 낮고 유기 기판과 열팽창 계수 차이가 적은 몰리브덴(Mo)이 주로 사용된다.
광 흡수층은 p 형 반도체층으로서, CuInSe2 또는 In의 일부를 Ga원소로 대치한 Cu(InxGa1 -x)Se2 등이 주로 사용된다. 광 흡수층은 증발법, 스퍼터링 및 셀렌화 공정 또는 전기 도금 등의 다양한 방법에 의해 형성될 수 있다.
버퍼층은 격자상수와 에너지 밴드갭 차이가 큰 광 흡수층과 전면전극층 사이에 배치되어 양호한 접합을 형성한다. 버퍼층으로는 화학 용액 증착법(chemical bath deposition;CBD)에 의해 제조되는 황화카드뮴이 주로 사용된다.
전면 전극층은 n 형 반도체층으로서, 버퍼층과 함께 광 흡수층(300)과 pn 접합을 형성한다. 또한, 전면 전극층은 태양전지 전면의 투명전극으로서의 기능을 하기 때문에, 광 투과율이 높고 전기 전도성이 좋은 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO) 가 주로 사용된다. 이와 관련하여, CIGS 태양전지의 구성 및 제조방법은 한국등록특허 제 10-0999810 호를 참조하면 보다 구체화 될 수 있을 것이다.
이러한, CIGS 태양 전지는 태양 에너지로부터 가능한 많은 전기 에너지를 출력할 수 있도록 효율을 높이는 것이 가장 중요하다. 태양 전지의 효율을 높이기 위해서는 가능한 많은 광 생성 캐리어(전자 혹은 정공)을 생성하는 것도 중요하지만, 생성된 전하를 손실됨 없이 외부로 끌어내는 것 또한 중요하다. 전하가 손실되는 원인 중의 하나가 생성된 전자 및 정공이 재결합(recombination)에 의해 소멸하는 것이다. 생성된 전자나 정공이 손실되지 않고 전극에 전달되도록 하는 방법으로 다양한 방법이 제시되고 있다.
실시예는 전자-정공의 재결합을 최대한 방지함으로써, 향상된 광-전환 효율을 가지는 태양전지를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양전지는 지지기판 상에 배치되는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 유기물을 포함하는 재결합 방지층; 상기 재결합 방지층 상에 배치되는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 배치되는 전면전극층을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 지지기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 유기물을 포함하는 재결합 방지층을 형성하는 단계; 상기 재결합 방지층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양전지는 재결합 방지층을 광 흡수층과 버퍼층 사이에 배치시킨다. 상기 재결합 방지층은 광 생성 캐리어(전자-정공)의 재결합을 최대한 방지하여 태양 전지의 광전 효율을 향상시킬 수 있다.
즉, 실시예에 따른 태양전지에 있어서, 재결합 방지층의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 레벨은 광 흡수층의 HOMO 레벨 및 버퍼층의 HOMO 레벨보다 낮다. 따라서, 정공이 상기 버퍼층에서 상기 재결합 방지층으로 이동하는 경우, 에너지 준위 차이, 즉 장벽으로 인해 이동속도가 저하되게 된다. 이에 따라, 전자와 정공간의 재결합은 방지될 수 있으며, 결과적으로 태양전지는 전기적 안전성이 향상될 뿐만 아니라 높은 광전 효율을 가질 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시한 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지 각 층의 에너지 레벨을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지를 제조하는 공정을 나타내는 단면도들이다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지 각 층의 에너지 레벨을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지를 제조하는 공정을 나타내는 단면도들이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
본원에서 사용되는 용어 “HOMO(The Highest Occupied Molecular Orbital) 레벨”은 가전자대(Valence Band)의 가장 높은 에너지 레벨을 의미한다.
본원에서 사용되는 용어 “LUMO(The Lowest unoccupied Molecular Orbital) 레벨”은 전자대(Conduction Band)의 가장 낮은 에너지 레벨을 의미한다.
본원에서 사용되는 용어 “밴드갭”은 HOMO 레벨 에너지와 LUMO 레벨 에너지 차이를 의미한다.
일반적으로, 입사광에 의해 태양 전지 내부에서 생성된 광 생성 캐리어 즉, 전자와 정공은 내부 전기장에 의한 드래프트에 의해 각각 n 층과 p 층으로 수집되어 전류를 발생하게 된다.
이러한 태양 전지의 효율을 높이기 위해서는 광 흡수층 내부에서 가능한 많은 엑시톤(exciton)을 생성하는 것도 중요하지만, 생성된 전하를 손실됨 없이 외부로 끌어내는 것 또한 중요하다.
전하가 손실되는 원인 중의 하나는 전자와 정공이 재결합(recombination)에 의해 소멸되는 것이다. 즉, 전기장에 의해 유동되는 전자-전공쌍은 유동되는 과정에서 여러 원인에 의해 재결합(recombination)된다. 재결합 비율이 높을수록 에너지 변환 효율은 낮아진다. 이러한 문제점을 극복하기 위하여, 실시예에 따른 태양전지는 재결합 방지층을 포함한다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시한 단면도이다. 도 1을 참조하면, 태양전지는 지지기판(100), 후면전극층(200), 광 흡수층(300), 재결합 방지층(400), 버퍼층(500), 고저항 버퍼층(600) 및 전면전극층(700)을 포함한다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 재결합 방지층(400), 상기 버퍼층(500), 상기 고저항 버퍼층(600) 및 상기 전면전극층(700)을 지지한다.
상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다.
이와는 다르게, 상기 지지기판(100)의 재질로 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 유연성이 있는 고분자 등이 사용될 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있고 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 후면전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 후면전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면전극층(200)은 태양전지 중 상기 광 흡수층(300)에서 생성된 전하가 이동하도록 하여 태양전지의 외부로 전류를 흐르게 할 수 있다. 상기 후면전극층(200)은 이러한 기능을 수행하기 위하여 전기 전도도가 높고 비저항이 작아야 한다.
상기 후면전극층(200)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu)중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이 가운데, 특히 몰리브덴(Mo)은 다른 원소에 비해 상기 지지기판(100)과 열팽창 계수의 차이가 적기 때문에 접착성이 우수하여 박리현상이 발생하는 것을 방지할 수 있고 상술한 후면전극층(200)에 요구되는 특성을 전반적으로 충족시킬 수 있다.
상기 후면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)(Se,S)2;CIGSS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1.0 eV 내지 약 1.8 Ev 일 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1.1 eV 내지 약 1.2 Ev 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 버퍼층(500)은 상기 재결합 방지층(400) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(500)은 황화 카드뮴, ZnS, InXSY 및 InXSeYZn(O,OH) 등을 포함한다. 상기 버퍼층(500)의 두께는 약 50 ㎚ 내지 약 150 ㎚ 일 수 있으며, 상기 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 2.2 eV 내지 2.5 eV 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 재결합 방지층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 재결합 방지층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 직접 접촉하여 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)과 상기 버퍼층(500) 사이에 배치된다.
상기 재결합 방지층(400)의 두께는 약 10 nm 내지 약 70 nm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 재결합 방지층(400)의 밴드갭은 약 1.0 eV 내지 약 7.0 eV 일 수 있다.
상기 재결합 방지층(400)은 유기물을 포함할 수 있다. 상기 재결합 방지층(400)은 유기물만을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 재결합 방지층(400)은 바쏘쿠프로인(BCP), 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-)4-t-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ), 비스(8-하이드록시2-메틸퀴놀리나토)알루미늄 바이페녹시드(BAlq), 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지 각 층의 에너지 레벨을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 상기 각 층의 상면 영역은 전도대(Conduction band)의 에네지 레벨을 나타낸다. 또한, 상기 각 층의 하면 영역은 가전도대(Valence band)의 에네지 레벨을 나타낸다.
상기 광 흡수층(300)의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 레벨을 LUMOp, 상기 재결합 방지층(400)의 LUMO 레벨을 LUMOr, 상기 버퍼층(500)의 LUMO 레벨을 LUMOb 라고 할때, 상기 광 흡수층(300), 상기 재결합 방지층(400) 및 상기 버퍼층(500)은 하기 수학식 1을 만족한다.
[수학식 1]
│LUMOp│>│LUMOr│>│LUMOb│
상기 재결합 방지층(400)의 LUMOr 는 상기 광 흡수층(300)의 LUMOp 및 상기 버퍼층(500)의 LUMOb 사이의 값을 가진다. 즉, 상기 광 흡수층(300)의 LUMOp 는 인접한 상기 재결합 방지층(400)의 LUMOr 보다 높게 형성된다. 따라서, 상기 광 흡수층(300)에서 형성된 전자는 상기 재결합 방지층(400)으로 원활하게 이동될 수 있다. 또한, 상기 재결합 방지층(400)의 LUMOr 는 인접한 상기 버퍼층(500)의 LUMOb 보다 높게 형성된다. 따라서, 전자는 상기 재결합 방지층(400)에서 상기 버퍼층(500)으로 원활하게 이동될 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(500)의 LUMOb 는 인접한 상기 고저항 버퍼층(600)의 LUMOh 보다 높게 형성된다. 따라서, 전자는 상기 버퍼층(500)에서 상기 고저항 버퍼층(600)으로 원활하게 이동될 수 있으며, 이러한 전자들은 상기 전면전극층(700)에 의해 용이하게 수득될 수 있다.
또한, 상기 광 흡수층(300)의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 레벨을 HOMOp, 상기 재결합 방지층(400)의 HOMO 레벨을 HOMOr, 상기 버퍼층(500)의 HOMO 레벨을 HOMOb 라고 할때, 상기 광 흡수층(300), 상기 재결합 방지층(400) 및 상기 버퍼층(500)은 하기 수학식 2를 만족한다.
[수학식 2]
│HOMOp│>│HOMOb│>│HOMOr│
상기 재결합 방지층(400)의 HOMOr 는 상기 광 흡수층(300)의 HOMOp 및 상기 버퍼층(500)의 HOMOb 보다 낮다. 또한, 상기 버퍼층(500)의 HOMOb 는 상기 고저항 버퍼층(600)의 HOMOh 보다 높다. 따라서, 상기 고저항 버퍼층(600)에 있는 전자는 상기 버퍼층(500)으로 원활하게 이동될 수 있다. 또한, 상기 재결합 방지층(400)의 HOMOr는 상기 광 흡수층(300)의 HOMOp보다 낮다. 따라서, 상기 재결합 방지층(400)에 있는 전자는 상기 광 흡수층(300)으로 원활하게 이동될 수 있다.
다만, 상기 버퍼층(500)의 HOMOb 는 인접한 상기 재결합 방지층(400)의 HOMOr 보다 높다. 즉, 상기 버퍼층(500)의 HOMOb 는 인접한 상기 재결합 방지층(400)의 HOMOr 간에는 에너지 준위 차이가 존재하며, 즉, 이러한 에너지 장벽으로 인해 전자는 상기 버퍼층(500)에서 상기 재결합 방지층(400)으로 이동속도가 현저하게 저하된다. 이에 따라, 전자와 정공간의 재결합은 방지될 수 있으며, 결과적으로 태양전지는 전기적 안전성이 향상될 뿐만 아니라 높은 광전 효율을 가질 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(600)은 상기 버퍼층(500) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(600)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(600)의 에너지 밴드갭은 약 3.1 eV 내지 3.3 eV 일 수 있다. 또한, 상기 고저항 버퍼층(600)은 생략될 수 있다.
상기 전면전극층(700)은 상기 광 흡수층(400) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 전면전극층(700)은 상기 고저항 버퍼층(600) 상에 배치된다. 상기 전면전극층(700)은 투명하며, 도전층이다. 상기 전면전극층(700)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnO;AZO)계 물질 및 인듐 옥사이드계 물질 등을 들 수 있다.
도 3 내지 도 7는 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도들이다. 본 제조방법에 관한 설명은 앞서 설명한 태양전지에 대한 설명을 참고한다. 앞서 설명한 태양전지에 대한 설명은 본 제조방법에 관한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 3을 참조하면, 지지기판(100) 상에 후면전극층(200)이 형성될 수 있다. 상기 후면전극층(200)은 몰리브덴을 사용하여 증착될 수 있다. 상기 후면전극층(200)은 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금의 방법으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 지지기판(100) 및 후면전극층(200) 사이에 확산방지막 등과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다.
상기 광 흡수층(300)은 예를 들어, 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 재결합 방지층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 형성된다. 상기 재결합 방지층(400)은 당업계에서 통상적으로 사용되는 물리적 기상 증착법(PVD)에 의하여, 상기 광 흡수층(300) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 재결합 방지층(400)을 형성하기 위하여 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법(L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법 (PLD, Pulsed Laser Deposition) 등 다양한 공정이 수행될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 재결합 방지층(400) 상에 버퍼층(500) 및 고저항 버퍼층(600)이 형성된다.
상기 버퍼층(500)은 상기 재결합 방지층(400) 상에 황화 카드뮴이 화학 용액 증착법(chemical bath deposition; CBD)에 의해서 증착되어 형성될 수 있다.
이후, 상기 버퍼층(500) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(600)이 형성된다.
도 7을 참조하면, 상기 고저항 버퍼층(600) 상에 전면전극층(700)이 형성된다. 상기 전면전극층(700)은 상기 고저항 버퍼층(600)의 상부에 투명한 도전물질이 증착되어 형성된다. 상기 투명한 도전물질의 예로서는 알루미늄 또는 보론 등이 도핑된 징크 옥사이드 등을 들 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (9)
- 지지기판 상에 배치되는 몰리브덴(Mo)층;
상기 몰리브덴(Mo)층 상에 배치되는 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상에 배치되며, 유기물을 포함하는 재결합 방지층;
상기 재결합 방지층 상에 배치되는 버퍼층; 및
상기 버퍼층 상에 배치되는 투명전극층을 포함하고,
상기 광 흡수층은 p형 반도체층이고 상기 투명전극층은 n형 반도체층이고,
상기 광 흡수층의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 레벨의 절대값은, 상기 재결합 방지층의 LUMO 레벨의 절대값보다 크고,
상기 재결합 방지층의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)의 절대값은, 상기 광 흡수층의 HOMO 레벨의 절대값 및 상기 버퍼층의 HOMO 레벨의 절대값보다 작은 태양전지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 광 흡수층의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 레벨을 LUMOp, 상기 재결합 방지층의 LUMO 레벨을 LUMOr, 상기 버퍼층의 LUMO 레벨을 LUMOb 라고 할때,
상기 광 흡수층, 상기 재결합 방지층 및 상기 버퍼층의 LUMO 레벨 값은 하기 수학식 1을 만족하는 태양전지.
[수학식 1]
│LUMOp│>│LUMOr│>│LUMOb│
- 제 2 항에 있어서,
상기 광 흡수층의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 레벨을 HOMOp, 상기 재결합 방지층의 HOMO 레벨을 HOMOr, 상기 버퍼층의 HOMO 레벨을 HOMOb 라고 할때,
상기 광 흡수층, 상기 재결합 방지층 및 상기 버퍼층의 HOMO 레벨 값은 하기 수학식 2를 만족하는 태양전지.
[수학식 2]
│HOMOp│>│HOMOb│>│HOMOr│
- 제 1 항에 있어서,
상기 유기물을 포함하는 재결합 방지층은 바쏘쿠프로인(BCP), 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-)4-t-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ), 비스(8-하이드록시2-메틸퀴놀리나토)알루미늄 바이페녹시드(BAlq), 또는 이들의 혼합물을 포함하는 태양전지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 재결합 방지층은 10 nm 내지 70 nm 의 두께로 형성되는 태양전지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 재결합 방지층의 밴드갭은 1.0 eV 내지 7.0 eV 를 포함하는 태양전지.
- 제 6 항에 있어서,
상기 광 흡수층의 밴드갭은 1.0 eV 내지 1.8 eV 를 포함하는 태양전지.
- 제 6 항에 있어서,
상기 버퍼층의 밴드갭은 2.2 eV 내지 2.5 eV 를 포함하는 태양전지.
- 지지기판 상에 몰리브덴(Mo)층을 형성하는 단계;
상기 몰리브덴(Mo)층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 유기물을 포함하는 재결합 방지층을 형성하는 단계;
상기 재결합 방지층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼층 상에 투명전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 광 흡수층은 p형 반도체층이고 상기 투명전극층은 n형 반도체층이고,
상기 광 흡수층의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 레벨의 절대값은, 상기 재결합 방지층의 LUMO 레벨의 절대값보다 크고,
상기 재결합 방지층의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)의 절대값은, 상기 광 흡수층의 HOMO 레벨의 절대값 및 상기 버퍼층의 HOMO 레벨의 절대값보다 작은 태양전지의 제조방법.
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| JP2011155105A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイ |
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