KR101811881B1 - Salt and photoresist composition - Google Patents

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KR101811881B1
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유카코 안류
코지 이치카와
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스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤
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Abstract

식 (Ⅰ)

Figure 112011057596862-pat00131

(식 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로, 하이드록시기 (-OH) 또는 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기를 나타내고, 그 알킬기에 함유되는 -CH2- 는 -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다.
R3 은 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 나타낸다.
l, m 및 n 은 각각 독립적으로, 0 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.
p 는 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.
S 를 함유하는 함황 복소고리에 함유되는 -CH2- 는 -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다.
R4 및 R5 는 각각 독립적으로, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 나타낸다.
L1 은 탄소수 1 ∼ 17 의 2 가의 포화 탄화수소기를 나타내고, 그 2 가의 포화 탄화수소기에 함유되는 -CH2- 는 -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다.
Y 는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 18 의 지방족 탄화수소기 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 18 의 포화 고리형 탄화수소기를 나타내고, 그 지방족 탄화수소기 및 그 포화 고리형 탄화수소기에 함유되는 -CH2- 는 -O-, -SO2- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다) 로 나타내는 염.The formula (I)
Figure 112011057596862-pat00131

(Wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydroxyl group (-OH) or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and -CH 2 - contained in the alkyl group is substituted with -O- or -CO- .
R 3 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
l, m and n each independently represent an integer of 0 to 3;
p represents an integer of 1 to 3;
-CH 2 - contained in the sulfur heterocyclic ring containing S + may be substituted with -O- or -CO-.
R 4 and R 5 each independently represent a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
L 1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and -CH 2 - contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be substituted with -O- or -CO-.
Y is -CH which represents a group having a carbon number of 3 to 18 saturated cyclic hydrocarbon group which may have a substituent group or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent, those groups containing an aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon 2- May be substituted with -O-, -SO 2 - or -CO-.

Description

염 및 포토레지스트 조성물{SALT AND PHOTORESIST COMPOSITION}[0001] SALT AND PHOTORESIST COMPOSITION [0002]

본 발명은 염 및 그것을 함유하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a salt and a photoresist composition containing the same.

리소그래피 기술을 사용한 반도체의 미세 가공에 사용되는 포토레지스트 조성물은, 산발생제용의 염을 함유한다.The photoresist composition used in the microfabrication of semiconductors using lithography technology contains salts for acid generators.

일본 공개특허공보 제2004-59882호에는 산발생제용의 염으로서, 식 (Ⅹ1) : Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-59882 discloses a salt for an acid generator, which is represented by the formula (X1):

Figure 112011057596862-pat00001
Figure 112011057596862-pat00001

로 나타내는 염이 기재되어 있다.≪ / RTI > is described.

(특허 문헌 1) 일본 공개특허공보 제2004-59882호(Patent Document 1) Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-59882

본 발명은 The present invention

[1] 식 (Ⅰ) : [1] Formula (I):

Figure 112011057596862-pat00002
Figure 112011057596862-pat00002

(식 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로, 하이드록시기 (-OH) 또는 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기를 나타내고, 그 알킬기에 함유되는 -CH2- 는 -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다.(Wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydroxyl group (-OH) or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and -CH 2 - contained in the alkyl group is substituted with -O- or -CO- .

R3 은 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 나타낸다.R 3 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

l, m 및 n 은 각각 독립적으로, 0 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.l, m and n each independently represent an integer of 0 to 3;

p 는 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.p represents an integer of 1 to 3;

S 를 함유하는 함황 복소고리에 함유되는 -CH2- 는 -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다.-CH 2 - contained in the sulfur heterocyclic ring containing S + may be substituted with -O- or -CO-.

R4 및 R5 는 각각 독립적으로, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 나타낸다.R 4 and R 5 each independently represent a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

L1 은 탄소수 1 ∼ 17 의 2 가의 포화 탄화수소기를 나타내고, 그 2 가의 포화 탄화수소기에 함유되는 -CH2- 는 -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다.L 1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and -CH 2 - contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be substituted with -O- or -CO-.

Y 는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 18 의 지방족 탄화수소기 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 18 의 포화 고리형 탄화수소기를 나타내고, 그 지방족 탄화수소기 및 그 포화 고리형 탄화수소기에 함유되는 -CH2- 는 -O-, -SO2- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다) Y is -CH which represents a group having a carbon number of 3 to 18 saturated cyclic hydrocarbon group which may have a substituent group or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent, those groups containing an aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon 2- May be substituted with -O-, -SO 2 - or -CO-)

로 나타내는 염 ;;

[2] L1 이 *-CO-O-(CH2)j1- (* 는 -C(R4)(R5)- 와의 결합 부위를 나타내고, j1 은 0 또는 1 을 나타낸다) 인 [1] 에 기재된 염 ; [2] The compound according to [1], wherein L 1 is * -CO-O- (CH 2 ) j 1 - (* represents a bonding site with -C (R 4 ) (R 5 ) -, and j 1 represents 0 or 1) Lt; / RTI >;

[3] p 가 1 또는 2 인 [1] 또는 [2] 에 기재된 염 ; [3] the salt according to [1] or [2], wherein p is 1 or 2;

[4] [1] ∼ [3] 중 어느 한 항에 기재된 염을 함유하는 산발생제 ; [4] An acid generator containing a salt according to any one of [1] to [3];

[5] [4] 에 기재된 산발생제와, 산에 불안정한 기를 갖고, 또한, 알칼리 수용액에 불용 또는 난용인 수지로서, 산과의 작용에 의해 알칼리 수용액으로 용해할 수 있는 수지를 함유하는 포토레지스트 조성물 ;[5] A photoresist composition comprising a resin capable of dissolving in an alkali aqueous solution by the action of an acid, as a resin having an acid labile group and insoluble or hardly soluble in an aqueous alkali solution, ;

[6] 추가로, 염기성 화합물을 함유하는 [5] 에 기재된 포토레지스트 조성물 ; [6] The photoresist composition according to [5], further comprising a basic compound;

[7] (1) [5] 또는 [6] 에 기재된 포토레지스트 조성물을 기판 상에 도포하여, 포토레지스트 조성물층을 형성하는 공정, [7] A process for producing a photoresist composition, comprising the steps of: (1) applying a photoresist composition described in [5] or [6]

(2) 형성된 포토레지스트 조성물층을 건조시켜 포토레지스트막을 형성하는 공정, (2) a step of drying the formed photoresist composition layer to form a photoresist film,

(3) 포토레지스트막을 노광하는 공정, (3) a step of exposing the photoresist film,

(4) 노광 후의 포토레지스트막을 가열하는 공정, 및 (4) a step of heating the photoresist film after exposure, and

(5) 가열 후의 포토레지스트막을 현상하는 공정, (5) a step of developing the photoresist film after heating,

을 포함하는 포토레지스트 패턴의 제조 방법 ; 등을 제공하는 것이다.A method of manufacturing a photoresist pattern comprising: And the like.

본 발명의 염은 포토레지스트 조성물용의 산발생제로서 사용할 수 있고, 당해 염을 함유하는 포토레지스트 조성물을 사용함으로써, 우수한 마스크 에러 팩터 (MEF) 를 갖는 포토레지스트 패턴을 얻을 수 있다.The salt of the present invention can be used as an acid generator for a photoresist composition, and a photoresist pattern having an excellent mask error factor (MEF) can be obtained by using a photoresist composition containing the salt.

본 발명의 염은, 식 (Ⅰ) : The salt of the present invention is a salt of the formula (I):

Figure 112011057596862-pat00003
Figure 112011057596862-pat00003

(식 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로, 하이드록시기 (-OH) 또는 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기를 나타내고, 그 알킬기에 함유되는 -CH2- 는 -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다.(Wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydroxyl group (-OH) or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and -CH 2 - contained in the alkyl group is substituted with -O- or -CO- .

R3 은 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 나타낸다.R 3 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

l, m 및 n 은 각각 독립적으로, 0 ∼ 3 의 정수를 나타낸다. l, m and n each independently represent an integer of 0 to 3;

p 는 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.p represents an integer of 1 to 3;

S 를 함유하는 함황 복소고리에 함유되는 -CH2- 는 -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다.-CH 2 - contained in the sulfur heterocyclic ring containing S + may be substituted with -O- or -CO-.

R4 및 R5 는 각각 독립적으로, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 나타낸다.R 4 and R 5 each independently represent a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

L1 은 탄소수 1 ∼ 17 의 2 가의 포화 탄화수소기를 나타내고, 그 2 가의 포화 탄화수소기에 함유되는 -CH2- 는 -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다.L 1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and -CH 2 - contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be substituted with -O- or -CO-.

Y 는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 18 의 지방족 탄화수소기 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 18 의 포화 고리형 탄화수소기를 나타내고, 그 지방족 탄화수소기 및 그 포화 고리형 탄화수소기에 함유되는 -CH2- 는 -O-, -SO2- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다] Y is -CH which represents a group having a carbon number of 3 to 18 saturated cyclic hydrocarbon group which may have a substituent group or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent, those groups containing an aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon 2- May be substituted with -O-, -SO 2 - or -CO-]

로 나타내고, 포토레지스트 조성물용의 산발생제로서 이용할 수 있다.And can be used as an acid generator for a photoresist composition.

탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 메틸시클로헥실기, 디메틸시클로헥실기, 시클로헵틸기 및 시클로옥틸기를 들 수 있다. 그 알킬기에 함유되는 -CH2- 가 -O- 또는 -CO- 로 치환된 기로는, 메톡시기, 에톡시기, 부톡시기, 아세틸기 및 메톡시카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, tert-butyl, pentyl, A methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a cycloheptyl group and a cyclooctyl group. Examples of the group in which -CH 2 - contained in the alkyl group is substituted with -O- or -CO- include a methoxy group, an ethoxy group, a butoxy group, an acetyl group and a methoxycarbonyl group.

R3 으로 나타내는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, tert-부틸기, 펜틸기 및 헥실기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 3 include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, tert-butyl, pentyl and hexyl.

S 를 함유하는 함황 복소고리에 함유되는 -CH2- 가 -O- 또는 -CO- 로 치환된 기로는, 이하의 기를 들 수 있다.Examples of the group substituted with -O- or -CO- in -CH 2 - contained in a sulfide heterocyclic ring containing S + include the following groups.

Figure 112011057596862-pat00004
Figure 112011057596862-pat00004

탄소수 1 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기로는, 퍼플루오로메틸기, 퍼플루오로에틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로이소프로필기, 퍼플루오로부틸기, 퍼플루오로-sec-부틸기, 퍼플루오로-tert-부틸기, 퍼플루오로펜틸기 및 퍼플루오로헥실기를 들 수 있다.Examples of the perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms include a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluoro-sec-butyl group, A perfluoro-tert-butyl group, a perfluoropentyl group, and a perfluorohexyl group.

R4 및 R5 가 각각 독립적으로, 퍼플루오로메틸기 또는 불소 원자인 것이 바람직하고, R4 및 R5 가 불소 원자인 것이 보다 바람직하다.R 4 and R 5 are each independently preferably a perfluoromethyl group or a fluorine atom, and more preferably R 4 and R 5 are fluorine atoms.

탄소수 1 ∼ 17 의 2 가의 포화 탄화수소기로는, 직사슬형 알킬렌기, 분기형 알킬렌기, 단고리형 또는 다고리형 포화 고리형 탄화수소기 및 이들 기 중의 2 종 이상을 조합함으로써 형성되는 기를 들 수 있다. 구체적으로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판-1,3-디일기, 프로판-1,2-디일기, 부탄-1,4-디일기, 펜탄-1,5-디일기, 헥산-1,6-디일기, 헵탄-1,7-디일기, 옥탄-1,8-디일기, 노난-1,9-디일기, 데칸-1,10-디일기, 운데칸-1,11-디일기, 도데칸-1,12-디일기, 트리데칸-1,13-디일기, 테트라데칸-1,14-디일기, 펜타데칸-1,15-디일기, 헥사데칸-1,16-디일기, 헵타데칸-1,17-디일기 등의 직사슬형 알킬렌기 ; 1-메틸프로판-1,3-디일기, 2-메틸프로판-1,3-디일기, 2-메틸프로판-1,2-디일기, 1-메틸부탄-1,4-디일기, 2-메틸부탄-1,4-디일기 등의 분기형 알킬렌기 ; 1,3-시클로부틸렌기, 1,3-시클로펜틸렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 1,5-시클로옥틸렌기 등의 단고리형 포화 고리형 탄화수소기 ; 및, 1,4-노르보르닐렌기, 2,5-노르보르닐렌기, 1,5-아다만틸렌기, 2,6-아다만틸렌기 등의 다고리형 포화 고리형 탄화수소기를 들 수 있다. 또한, 후술하는 1 가의 포화 고리형 탄화수소기로부터, 임의의 수소 원자 1 개를 결합수 (結合手) 로 한 2 가의 포화 고리형 탄화수소기도 들 수 있다.Examples of the divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms include a linear alkylene group, a branched alkylene group, a monocyclic or polycyclic saturated cyclic hydrocarbon group, and a group formed by combining two or more of these groups. Specific examples include methylene, ethylene, propane-1,3-diyl, propane-1,2-diyl, butane-1,4-diyl, pentane- Diyl group, a heptane-1,7-diyl group, an octane-1,8-diyl group, a nonane-1,9-diyl group, A dodecane-1,12-diyl group, a tridecane-1,13-diyl group, a tetradecane-1,14-diyl group, a pentadecane-1,15-diyl group, a hexadecane-1,16- , Heptadecane-1,17-diyl group and the like; Methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, Branched alkylene groups such as a methylbutane-1,4-diyl group; Monocyclic saturated cyclic hydrocarbon groups such as a 1,3-cyclobutylene group, a 1,3-cyclopentylene group, a 1,4-cyclohexylene group and a 1,5-cyclooctylene group; And polycyclic saturated cyclic hydrocarbon groups such as a 1,4-norbornylene group, a 2,5-norbornylene group, a 1,5-adamantylene group and a 2,6-adamantylene group. Further, from the monovalent saturated cyclic hydrocarbon group described below, bivalent saturated cyclic hydrocarbon groups having one arbitrary hydrogen atom as a bonding number (bonding hand) can be used.

이러한 탄소수 1 ∼ 17 의 2 가의 포화 탄화수소기에 함유되는 1 개 이상의 -CH2- 는 -O- 또는 CO- 로 치환되어 있어도 되고, 그 포화 탄화수소기에 함유되는 -CH2- 가 -O- 또는 -CO- 로 치환된 기로는, 식 (b1-1) ∼ 식 (b1-6) 으로 나타내는 기를 들 수 있다. 바람직하게는 식 (b1-1), 식 (b1-2), 식 (b1-3), 식 (b1-4) 또는 식 (b1-6) 으로 나타내는 기이고, 보다 바람직하게는 식 (b1-1), 식 (b1-2) 또는 식 (b1-6) 으로 나타내는 기이다. 식 (b1-1) ∼ 식 (b1-6) 중 * 는, -C(R4)(R5)- 에 대한 결합 부위를 의미한다.One or more -CH 2 - contained in such a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms may be substituted with -O- or CO-, and -CH 2 - contained in the saturated hydrocarbon group may be replaced by -O- or -CO - include groups represented by formulas (b1-1) to (b1-6). Is preferably a group represented by formula (b1-1), formula (b1-2), formula (b1-3), formula (b1-4) or formula (b1-6) 1), (b1-2) or (b1-6). * In the formulas (b1-1) to (b1-6) means a bonding site to -C (R 4 ) (R 5 ) -.

Figure 112011057596862-pat00005
Figure 112011057596862-pat00005

(식 중, Lb2 는 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 15 의 포화 탄화수소기를 나타내고, Lb3 은 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 12 의 포화 탄화수소기를 나타내고, Lb4 는 탄소수 1 ∼ 13 의 포화 탄화수소기를 나타내고, Lb5 는 탄소수 1 ∼ 15 의 포화 탄화수소기를 나타내고, Lb6 및 Lb7 은 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 15 의 포화 탄화수소기를 나타내고, Lb8 은 탄소수 1 ∼ 14 의 포화 탄화수소기를 나타내고, Lb9 및 Lb10 은 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 11 의 포화 탄화수소기를 나타낸다) ( Wherein L b2 represents a single bond or a saturated hydrocarbon group of 1 to 15 carbon atoms, L b3 represents a single bond or a saturated hydrocarbon group of 1 to 12 carbon atoms, L b4 represents a saturated hydrocarbon group of 1 to 13 carbon atoms, L b5 represents a saturated hydrocarbon having a carbon number of 1 ~ 15, L b6 and L b7 are, each independently, represent a saturated hydrocarbon having a carbon number of 1 ~ 15, L b8 represents a saturated hydrocarbon having a carbon number of 1 ~ 14, L b9 and L b10 Each independently represent a saturated hydrocarbon group having 1 to 11 carbon atoms)

그 중에서도, 식 (b1-1) 또는 식 (b1-6) 으로 나타내는 기가 바람직하다. 식 (b1-1) 로 나타내는 기로는, Lb2 가 단결합 또는 -CH2- 인 식 (b1-1) 로 나타내는 기가 바람직하다. 식 (b1-6) 으로 나타내는 기로는, Lb9 가 단결합 또는 -CH2- 인 식 (b1-6) 으로 나타내는 기가 바람직하고, Lb9 가 단결합 또는 -CH2- 이고, Lb10 이 하기 식Among them, a group represented by formula (b1-1) or (b1-6) is preferable. As the group represented by the formula (b1-1), L b2 It is a single bond or -CH 2 - groups are preferred represented by the formula (b1-1). As the group represented by the formula (b1-6), L b9 It is a single bond or -CH 2 - group of formula preferably represents a (b1-6), and L b9 a single bond or -CH 2 - and, L b10 the formula

Figure 112011057596862-pat00006
Figure 112011057596862-pat00006

인 식 (L1-6) 으로 나타내는 기가 보다 바람직하다.The group represented by formula (L1-6) is more preferred.

식 (b1-1) 로 나타내는 기로는, 이하의 기를 들 수 있다.Examples of the group represented by the formula (b1-1) include the following groups.

Figure 112011057596862-pat00007
Figure 112011057596862-pat00007

식 (b1-2) 로 나타내는 기로는, 이하의 기를 들 수 있다.Examples of the group represented by the formula (b1-2) include the following groups.

Figure 112011057596862-pat00008
Figure 112011057596862-pat00008

식 (b1-3) 으로 나타내는 기로는, 이하의 기를 들 수 있다.Examples of the group represented by the formula (b1-3) include the following groups.

Figure 112011057596862-pat00009
Figure 112011057596862-pat00009

식 (b1-4) 로 나타내는 기로는, 이하의 기를 들 수 있다.Examples of the group represented by the formula (b1-4) include the following groups.

Figure 112011057596862-pat00010
Figure 112011057596862-pat00010

식 (b1-5) 로 나타내는 기로는, 이하의 기를 들 수 있다.Examples of the group represented by the formula (b1-5) include the following groups.

Figure 112011057596862-pat00011
Figure 112011057596862-pat00011

식 (b1-6) 으로 나타내는 기로는, 이하의 기를 들 수 있다.Examples of the group represented by the formula (b1-6) include the following groups.

Figure 112011057596862-pat00012
Figure 112011057596862-pat00012

Y 의 지방족 탄화수소기로는, 상기 서술한 알킬기를 들 수 있다. 그 중에서도 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기가 바람직하다.As the aliphatic hydrocarbon group for Y, the above-mentioned alkyl groups can be exemplified. Among them, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferable.

Y 의 포화 고리형 탄화수소기로는, 상기 서술한 2 가의 포화 고리형 탄화수소의 하나의 결합수에 수소 원자가 결합된 것을 들 수 있고, 구체적으로는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 메틸시클로헥실기, 디메틸시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등과 같은 시클로알킬기 등의 단고리형의 포화 고리형 탄화수소기, 데카하이드로나프틸기, 아다만틸기, 노르보르닐기, 메틸노르보르닐기, 하기와 같은 기 등의 다고리형의 포화 탄화수소기, 및 식 (Y1) ∼ 식 (Y26) 으로 나타내는 기를 들 수 있다.As the saturated cyclic hydrocarbon group for Y, there can be mentioned one in which one hydrogen atom is bonded to one of the above-mentioned divalent saturated cyclic hydrocarbon. Specific examples thereof include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, A monocyclic saturated cyclic hydrocarbon group such as a cyclohexyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cycloalkyl group such as a cyclooctyl group, a decahydronaphthyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, a methylnorbornyl group, , And a group represented by formulas (Y1) to (Y26).

Figure 112011057596862-pat00013
Figure 112011057596862-pat00013

Y 에 있어서의 지방족 탄화수소기 또는 포화 고리형 탄화수소기가 가지고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자 (단 불소 원자를 제외한다), 하이드록시기, 옥소기 (=O), 탄소수 1 ∼ 12 의 지방족 탄화수소기, 탄소수 1 ∼ 12 의 수산기 치환 지방족 탄화수소기, 탄소수 3 ∼ 16 의 포화 고리형 탄화수소기, 탄소수 1 ∼ 12 의 알콕시기, 탄소수 6 ∼ 18 의 방향족 탄화수소기, 탄소수 7 ∼ 21 의 아르알킬기, 탄소수 2 ∼ 4 의 아실기, 글리시딜옥시기 및 -(CH2)j2-O-CO-Rb1 로 나타내는 기 (식 중, Rb1 은 탄소수 1 ∼ 16 의 지방족 탄화수소기, 탄소수 3 ∼ 16 의 포화 고리형 탄화수소기 또는 탄소수 6 ∼ 18 의 방향족 탄화수소기를 나타낸다. j2 는, 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다) 등을 들 수 있다.Examples of the substituent which the aliphatic hydrocarbon group or the saturated cyclic hydrocarbon group in Y may have include a halogen atom (excluding a fluorine atom), a hydroxyl group, an oxo group (= O), an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms , A hydroxyl-substituted aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 21 carbon atoms, 1-4 of an acyl group, a glycidyloxy group and a - (CH 2) group (in the formula, R b1 is a saturated ring having a carbon number of 1 to 16 aliphatic hydrocarbon group, having a carbon number of 3 to 16, represented by j2 -O-CO-R b1 An aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and j2 is an integer of 0 to 4).

하이드록시기 함유 지방족 탄화수소기로는, 하이드록시메틸기, 하이드록시에틸기 등의 탄소수 1 ∼ 12 의 하이드록시알킬기를 들 수 있다.Examples of the hydroxyl group-containing aliphatic hydrocarbon group include a hydroxyalkyl group having 1 to 12 carbon atoms such as a hydroxymethyl group and a hydroxyethyl group.

할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다. 지방족 탄화수소기로는, 알킬기를 들 수 있다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. The aliphatic hydrocarbon group includes an alkyl group.

알콕시기로는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, sec-부톡시기, tert-부톡시기, 펜틸옥시기 및 헥실옥시기를 들 수 있다.Examples of the alkoxy group include methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy, butoxy, sec-butoxy, tert-butoxy, pentyloxy and hexyloxy.

방향족 탄화수소기로는, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, p-메틸페닐기, p-tert-부틸페닐기, p-아다만틸페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 쿠밀기, 메시틸기, 비페닐기, 페난트릴기, 2,6-디에틸페닐기, 2-메틸-6-에틸페닐 등의 아릴기를 들 수 있다.Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, an p-methylphenyl group, a p-tert-butylphenyl group, a p- An aryl group such as a 2,6-diethylphenyl group or a 2-methyl-6-ethylphenyl group.

아르알킬기로는, 벤질기, 페네틸기, 페닐프로필기, 트리틸기, 나프틸메틸기 및 나프틸에틸기를 들 수 있다.Examples of the aralkyl group include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, a trityl group, a naphthylmethyl group and a naphthylethyl group.

아실기로는, 아세틸기, 프로피오닐기 및 부티릴기를 들 수 있다.Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group and a butyryl group.

Y 의 치환기인 지방족 탄화수소기, 포화 고리형 탄화수소기, 방향족 탄화수소기 및 아르알킬기 등은, 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 여기서의 치환기는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 할로겐 원자, 하이드록시기, 옥소기 등을 들 수 있다.The aliphatic hydrocarbon group, saturated cyclic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group and aralkyl group which are substituents of Y may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, a hydroxyl group, an oxo group, and the like.

Y 의 지방족 탄화수소기 또는 포화 고리형 탄화수소기에 있어서의 -CH2- 가 -O- 또는 -CO- 로 치환된 기로는, 에테르 결합 또는 고리형 에테르 결합 (-CH2- 가 -O- 로 치환된 기) 를 갖는 기, 옥소기를 갖는 포화 고리형 탄화수소기 (-CH2- 가 -CO- 로 치환된 기), 술톤 고리기 (인접하는 2 개의 -CH2- 가 각각, -O- 와 -SO2- 로 치환된 기) 및 락톤 고리기 (인접하는 2 개의 -CH- 가 각각, -O- 와 -CO- 로 치환된 기) 등을 들 수 있다. As the group substituted with -CH 2 - in -O- or -CO- in the aliphatic hydrocarbon group or saturated cyclic hydrocarbon group represented by Y, an ether bond or a cyclic ether bond (-CH 2 - substituted with -O-) A saturated cyclic hydrocarbon group having an oxo group (a group in which -CH 2 - is substituted with -CO-), a sultone ring group (two adjacent -CH 2 - are -O- and -SO 2 -) and a lactone ring group (groups in which two adjacent -CH- are replaced with -O- and -CO-, respectively).

지방족 탄화수소기로 치환된 포화 고리형 탄화수소기인 Y 로는, 이하의 기를 들 수 있다.Examples of Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an aliphatic hydrocarbon group include the following groups.

Figure 112011057596862-pat00014
Figure 112011057596862-pat00014

하이드록시기 또는 하이드록시기 함유 지방족 탄화수소기로 치환된 포화 고리형 탄화수소기인 Y 로는, 이하의 기를 들 수 있다.Examples of Y, which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxyl group or a hydroxyl group-containing aliphatic hydrocarbon group, include the following groups.

Figure 112011057596862-pat00015
Figure 112011057596862-pat00015

방향족 탄화수소기로 치환된 포화 고리형 탄화수소기인 Y 로는, 이하의 기를 들 수 있다.Examples of Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an aromatic hydrocarbon group include the following groups.

Figure 112011057596862-pat00016
Figure 112011057596862-pat00016

-(CH2)j2-O-CO-Rb1 로 나타내는 기로 치환된 포화 고리형 탄화수소기인 Y 로는, 이하의 기를 들 수 있다.As Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a group represented by - (CH 2 ) j 2 -O-CO-R b1 , the following groups may be mentioned.

Figure 112011057596862-pat00017
Figure 112011057596862-pat00017

Y 는, 바람직하게는 치환기 (예를 들어, 옥소기, 하이드록시기 등) 를 가지고 있어도 되는 아다만틸기이고, 보다 바람직하게는, 하이드록시기를 갖는 아다만틸기, 탄소수 1 ∼ 12 의 하이드록시알킬기를 갖는 아다만틸기 및 옥소아다만틸기이다.Y is preferably an adamantyl group which may have a substituent (for example, an oxo group or a hydroxyl group), more preferably an adamantyl group having a hydroxy group, a hydroxyalkyl group having a carbon number of 1 to 12 An adamantyl group and an oxo-adamantyl group.

식 (Ⅰ) 로 나타내는 염의 아니온의 구체예로는, 이하의 아니온을 들 수 있다.Specific examples of the anion of the salt represented by the formula (I) include the following anions.

Figure 112011057596862-pat00018
Figure 112011057596862-pat00018

Figure 112011057596862-pat00019
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Figure 112011057596862-pat00020
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Figure 112011057596862-pat00021
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Figure 112011057596862-pat00026
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Figure 112011057596862-pat00028
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Figure 112011057596862-pat00030
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Figure 112011057596862-pat00032
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Figure 112011057596862-pat00034
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Figure 112011057596862-pat00035
Figure 112011057596862-pat00035

식 (Ⅰ) 로 나타내는 염의 아니온으로는, Lb1 이 식 (b1-1) 로 나타내는 기인 아니온이 바람직하고, 식 (b1-1-1) ∼ 식 (b1-1-9) 로 나타내는 아니온이 보다 바람직하다.The anion of the salt represented by the formula (I) is preferably an anion wherein L b1 is a group represented by the formula (b1-1), and an anion represented by the formula (b1-1-1) to (b1-1-9) Temperature is more preferable.

Figure 112011057596862-pat00036
Figure 112011057596862-pat00036

(식 (b1-1-1) ∼ 식 (b1-1-9) 중, R4, R5 및 Lb2 는 상기와 동일한 의미이고, Rb2 및 Rb3 은 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 4 의 지방족 탄화수소기 (바람직하게는 메틸기) 를 나타낸다)(In the formulas (b1-1-1) to (b1-1-9), R 4 , R 5 and L b2 have the same meanings as defined above, and R b2 and R b3 each independently represent a An aliphatic hydrocarbon group (preferably a methyl group)

그 중에서도 하기 아니온이 바람직하고, Of these, isoanone is preferable,

Figure 112011057596862-pat00037
Figure 112011057596862-pat00037

식 (Ⅰ) 로 나타내는 염으로는, 하기의 염을 들 수 있다.Examples of the salt represented by the formula (I) include the following salts.

Figure 112011057596862-pat00038
Figure 112011057596862-pat00038

Figure 112011057596862-pat00039
Figure 112011057596862-pat00039

Figure 112011057596862-pat00040
Figure 112011057596862-pat00040

식 (Ⅰ) 로 나타내는 염은, 예를 들어 하기의 방법에 의해 제조할 수 있다. 또한, 이하의 반응식에 있어서는 특별히 기재하지 않는 한, 각 치환기의 정의는 상기한 것과 동일한 의미를 나타낸다.The salt represented by the formula (I) can be produced, for example, by the following method. In the following reaction formulas, unless otherwise stated, the definitions of the respective substituents have the same meanings as described above.

식 (ⅠA) 로 나타내는 염은, 식 (ⅠA-a) 로 나타내는 염과 식 (ⅠA-b) 로 나타내는 염을 클로로포름 등의 용매 중에서 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 식 (ⅠA-b) 로 나타내는 염은, 일본 공개특허공보 제2008-209917호에 기재된 방법으로 합성할 수 있다.The salt represented by the formula (IA) can be produced by reacting the salt represented by the formula (IA-a) and the salt represented by the formula (IA-b) in a solvent such as chloroform. The salt represented by the formula (IA-b) can be synthesized by the method described in JP-A-2008-209917.

Figure 112011057596862-pat00041
Figure 112011057596862-pat00041

식 (ⅠA-a) 로 나타내는 염은, 식 (ⅠA-c) 로 나타내는 화합물을 아세토니트릴 등의 용제 중, 50 ∼ 85 ℃ 에서 가열함으로써 얻을 수 있다.The salt represented by the formula (IA-a) can be obtained by heating the compound represented by the formula (IA-c) in a solvent such as acetonitrile at 50 to 85 캜.

Figure 112011057596862-pat00042
Figure 112011057596862-pat00042

식 (ⅠA-c) 로 나타내는 화합물은, 식 (ⅠA-d) 로 나타내는 화합물과 메탄술포늄클로라이드를 트리에틸아민 등의 염기 촉매의 존재하에서 클로로포름, 디클로로메탄 등의 용제 중에서 반응시킴으로써 얻을 수 있다.The compound represented by the formula (IA-c) can be obtained by reacting the compound represented by the formula (IA-d) with methanesulfonium chloride in a solvent such as chloroform or dichloromethane in the presence of a base catalyst such as triethylamine.

Figure 112011057596862-pat00043
Figure 112011057596862-pat00043

식 (ⅠA-d) 로 나타내는 화합물은, 식 (ⅠA-e) 로 나타내는 화합물과 식 (ⅠA-f) 로 나타내는 화합물을 트리에틸아민 등의 염기 촉매의 존재하에서 아세톤 등의 용제 중에서 반응시킴으로써 얻을 수 있다.The compound represented by the formula (IA-d) can be obtained by reacting the compound represented by the formula (IA-e) with the compound represented by the formula (IA-f) in a solvent such as acetone in the presence of a base catalyst such as triethylamine have.

Figure 112011057596862-pat00044
Figure 112011057596862-pat00044

식 (ⅠA-e) 로 나타내는 화합물로는, 1-나프탈렌티올을 들 수 있다.Examples of the compound represented by the formula (IA-e) include 1-naphthalenethiol.

식 (ⅠA-f) 로 나타내는 화합물로는, 4-클로로-1-부탄올 및 5-클로로-1-펜탄올을 들 수 있다.Examples of the compound represented by the formula (IA-f) include 4-chloro-1-butanol and 5-chloro-1-pentanol.

식 (Ⅰ) 로 나타내는 염은, 식 (Ⅰ-a) 로 나타내는 염과 식 (Ⅰ-b) 로 나타내는 염을 클로로포름 등의 용제 중에서 반응시킴으로써 얻을 수 있다.The salt represented by the formula (I) can be obtained by reacting the salt represented by the formula (I-a) and the salt represented by the formula (I-b) in a solvent such as chloroform.

Figure 112011057596862-pat00045
Figure 112011057596862-pat00045

식 (Ⅰ-b) 로 나타내는 염은, 일본 공개특허공보 제2008-209917호에 기재된 방법에 의해서 제조할 수 있다.The salt represented by the formula (I-b) can be produced by the method described in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-209917.

식 (Ⅰ-a) 로 나타내는 염은, 식 (Ⅰ-c) 로 나타내는 화합물과 식 (Ⅰ-d) 로 나타내는 화합물을 메탄술폰산 및 5산화2인의 존재하에서 반응시킴으로써 얻을 수 있다.The salt represented by the formula (I-a) can be obtained by reacting the compound represented by the formula (I-c) and the compound represented by the formula (I-d) in the presence of methanesulfonic acid and two phosphorus pentoses.

Figure 112011057596862-pat00046
Figure 112011057596862-pat00046

식 (Ⅰ-c) 로 나타내는 화합물로는, 1-에톡시나프탈렌 및 1-부톡시나프탈렌을 들 수 있다. 1-알콕시나프탈렌은, 1-나프톨과 1-요오드알칸을 아세톤 등의 용제 중, 탄산칼륨 등의 촉매 존재하에서 반응시킴으로써 얻을 수 있다.Examples of the compound represented by the formula (I-c) include 1-ethoxynaphthalene and 1-butoxynaphthalene. 1-Alkoxynaphthalene can be obtained by reacting 1-naphthol and 1-iodoalkane in a solvent such as acetone in the presence of a catalyst such as potassium carbonate.

식 (Ⅰ-d) 로 나타내는 화합물로는, 테트라하이드로티오펜1-옥사이드를 들 수 있다.Examples of the compound represented by the formula (I-d) include tetrahydrothiophene 1-oxide.

본 발명의 산발생제는, 식 (Ⅰ) 로 나타내는 염을 함유한다. 본 발명의 산발생제는, 2 종 이상의 식 (Ⅰ) 로 나타내는 염을 함유해도 된다.The acid generator of the present invention contains a salt represented by the formula (I). The acid generator of the present invention may contain two or more kinds of salts represented by formula (I).

본 발명의 산발생제는 식 (Ⅰ) 로 나타내는 염만으로 이루어져도 되고, 식 (Ⅰ) 로 나타내는 염에 추가하여, 식 (Ⅰ) 로 나타내는 염과는 상이한 산발생제를 함유하고 있어도 된다.The acid generator of the present invention may be composed solely of the salt represented by the formula (I), or may contain an acid generator different from the salt represented by the formula (I), in addition to the salt represented by the formula (I).

식 (Ⅰ) 로 나타내는 염과는 상이한 산발생제로는, 식 (Ⅰ) 로 나타내는 염의 상기 아니온과 트리아릴술포늄 카티온으로 이루어지는 염을 들 수 있다. 구체적으로는, 식 (B1-1) ∼ 식 (B1-21) 로 나타내는 염을 들 수 있다. 그 중에서도 식 (B1-1), (B1-2), 식 (B1-3), 식 (B1-6), 식 (B1-11), 식 (B1-12), 식 (B1-13) 및 식 (B1-14) 로 나타내는 염이 바람직하다.Examples of the acid generator which is different from the salt represented by the formula (I) include a salt comprising the anion represented by the formula (I) and the triarylsulfonium cation. Specifically, the salts represented by the formulas (B1-1) to (B1-21) can be mentioned. Among them, the formula (B1-1), (B1-2), the formula (B1-3), the formula (B1-6), the formula (B1-11), the formula (B1-12) The salt represented by the formula (B1-14) is preferred.

Figure 112011057596862-pat00047
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Figure 112011057596862-pat00048
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Figure 112011057596862-pat00049
Figure 112011057596862-pat00049

본 발명의 산발생제에 있어서 식 (Ⅰ) 로 나타내는 염의 함유량은, 산발생제100 질량부에 대하여, 바람직하게는 10 질량부 이상 (보다 바람직하게는 30 질량부 이상) 이고, 통상 100 질량부 이하, 바람직하게는 90 질량부 이하 (보다 바람직하게는 70 질량부 이하) 이다.The content of the salt represented by the formula (I) in the acid generator of the present invention is preferably 10 parts by mass or more (more preferably 30 parts by mass or more) relative to 100 parts by mass of the acid generator, and usually 100 parts by mass Or less, preferably 90 parts by mass or less (more preferably 70 parts by mass or less).

본 발명의 포토레지스트 조성물에 있어서 산발생제의 함유량은, 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 질량부 이상 (보다 바람직하게는 3 질량부 이상), 바람직하게는 30 질량부 이하 (보다 바람직하게는 25 질량부 이하) 이다.The content of the acid generator in the photoresist composition of the present invention is preferably 1 part by mass or more (more preferably 3 parts by mass or more), and preferably 30 parts by mass or less (more preferably, 25 parts by mass or less).

본 발명의 포토레지스트 조성물은, 식 (Ⅰ) 로 나타내는 염을 함유하는 산발생제와 수지 (이하, 「수지 (A)」라고 하는 경우가 있다) 를 함유한다. 여기서의 수지 (A) 는, 산에 불안정한 기를 갖고, 알칼리 수용액에 불용 또는 난용인 수지로, 산의 작용에 의해 알칼리 수용액으로 용해할 수 있는 수지이다.The photoresist composition of the present invention contains an acid generator containing a salt represented by the formula (I) and a resin (hereinafter sometimes referred to as "resin (A)"). The resin (A) herein is a resin which has an acid-labile group and is insoluble or sparingly soluble in an aqueous alkali solution, and which is soluble in an alkaline aqueous solution by the action of an acid.

본 발명의 포토레지스트 조성물에서는, 노광에 의해, 식 (Ⅰ) 로 나타내는 염으로부터 산이 발생한다. 그 산은, 수지 중의 산에 불안정한 기에 대해 촉매적으로 작용하여 산에 불안정한 기를 개열시켜서, 수지를 알칼리 수용액에 가용인 것으로 한다.In the photoresist composition of the present invention, an acid is generated from the salt represented by the formula (I) by exposure. The acid catalytically acts on an acid-labile group in the resin to cleave an acid-unstable group, thereby allowing the resin to be soluble in an aqueous alkali solution.

<수지 (A) > &Lt; Resin (A) >

수지 (A) 는 산의 작용에 의해 알칼리 가용으로 되는 수지이다. 산의 작용에 의해 알칼리 가용으로 되는 수지는, 산에 불안정한 기를 갖는 모노머 (이하 「산에 불안정한 기를 갖는 모노머」라고 하는 경우가 있다) 를 중합함으로써 제조할 수 있고, 산의 작용에 의해 알칼리 가용으로 된다. 「산의 작용에 의해 알칼리 가용으로 된다」란, 「산과의 접촉 전에는 알칼리 수용액에 불용 또는 난용이지만, 산과의 접촉 후에는 알칼리 수용액에 가용으로 되는」것을 의미한다. 산에 불안정한 기를 갖는 모노머는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.Resin (A) is a resin which becomes alkali-soluble by the action of an acid. The resin that becomes alkali-soluble by the action of an acid can be produced by polymerizing a monomer having an acid-unstable group (hereinafter may be referred to as &quot; monomer having an acid-unstable group &quot;) in some cases. do. By &quot; alkali becomes soluble by the action of an acid &quot; it is meant that it is insoluble or sparing in an aqueous alkali solution before contact with acid, but becomes soluble in an aqueous alkali solution after contact with acid. The monomers having an acid labile group may be used singly or two or more of them may be used in combination.

<산에 불안정한 기를 갖는 모노머>&Lt; Monomer having an acid labile group >

「산에 불안정한 기」란, 산과 접촉하면 탈리기가 개열되어, 친수성기 (예를 들어, 하이드록시기 (-OH) 또는 카르복실기 (-COOH)) 를 형성하는 기를 의미한다. 산에 불안정한 기로는, 예를 들어, 식 (1) 로 나타내는 기를 들 수 있다. 또 이하에서는, 식 (1) 로 나타내는 기를 「산에 불안정한 기 (1)」이라고 하는 경우가 있다.The term &quot; acid labile group &quot; means a group which is cleaved on contact with an acid to form a hydrophilic group (for example, a hydroxyl group (-OH) or a carboxyl group (-COOH)). Examples of the group unstable to the acid include a group represented by the formula (1). In the following, the group represented by the formula (1) is sometimes referred to as a "group (1) unstable to the acid".

Figure 112011057596862-pat00050
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(식 중, Ra1 ∼ Ra3 은 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 8 의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 3 ∼ 20 의 포화 고리형 탄화수소기를 나타내고, Ra2 및 Ra3 은 서로 결합하여, 그 결합 탄소 원자와 함께 탄소수 3 ∼ 20 의 고리를 형성해도 된다. 상기 지방족 탄화수소기, 상기 포화 고리형 탄화수소기 및 상기 고리의 -CH2- 는, -O-, -S- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다. * 는 결합 부위를 나타낸다) ( Wherein R a1 to R a3 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms or a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and R a2 and R a3 are bonded to each other, May form a ring having 3 to 20 carbon atoms. The aliphatic hydrocarbon group, the saturated cyclic hydrocarbon group and -CH 2 - of the ring may be substituted with -O-, -S- or -CO-. * Represents a binding site)

산에 불안정한 기 (1) 은, -O- 에 제 3 급 탄소 원자가 결합된 구조를 갖는다.The acid-unstable group (1) has a structure in which tertiary carbon atoms are bonded to -O-.

상기 포화 고리형 탄화수소기의 탄소수는, 바람직하게는 3 ∼ 16 이다.The number of carbon atoms of the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably 3 to 16.

Ra2 및 Ra3 이 서로 결합되어 있는 경우, 그 결합 탄소 원자와 함께 고리를 형성하는데, 당해 고리로는 지환 및 방향 고리를 들 수 있고, 탄소수 3 ∼ 12 의 고리가 바람직하다. Ra2 및 Ra3 이 서로 결합되고, 그 결합 탄소 원자와 함께 고리를 형성하는 경우의 -C(Ra1)(Ra2)(Ra3) 기로는, 하기의 기를 들 수 있다.When R &lt; a2 &gt; and R &lt; a3 &gt; are bonded to each other, a ring is formed together with the bonding carbon atoms. Examples of the ring include an alicyclic ring and an aromatic ring. A ring having 3 to 12 carbon atoms is preferable. As the -C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) group when R a2 and R a3 are bonded to each other and form a ring with the bonding carbon atom, the following groups may be mentioned.

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산에 불안정한 기 (1) 로는, 1,1-디알킬알콕시카르보닐기 (식 (1) 중, Ra1 ∼ Ra3 이 알킬기인 것, 바람직하게는 tert-부톡시카르보닐기), 2-알킬-2-아다만틸옥시카르보닐기 (식 (1) 중, Ra1, Ra2 및 탄소 원자가 아다만틸기를 형성하고, Ra3 이 알킬기인 것) 및 1-(1-아다만틸)-1-알킬알콕시카르보닐기 (식 (1) 중, Ra1 및 Ra2 가 알킬기이고, Ra3 이 아다만틸기인 것) 를 들 수 있다.Examples of the acid labile group (1) include 1,1-dialkylalkoxycarbonyl groups (in the formula (1), R a1 to R a3 are alkyl groups, preferably tert-butoxycarbonyl groups) Adamantyloxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 and a carbon atom form an adamantyl group and R a3 is an alkyl group) and 1- (1-adamantyl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (In the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups and R a3 is an adamantyl group).

산에 불안정한 기로는, 식 (2) 로 나타내는 기도 들 수 있다. 또, 이하에서는, 식 (2) 로 나타내는 기를 「산에 불안정한 기 (2)」라고 하는 경우가 있다.An unstable group on the mountain may be the prayer denoted by Eq. (2). Hereinafter, the group represented by the formula (2) may be referred to as a &quot; acid-unstable group (2) &quot;.

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Figure 112011057596862-pat00052

(식 중, Ra1' 및 Ra2' 는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 12 의 탄화수소기를 나타내고, Ra3' 는, 탄소수 1 ∼ 20 의 탄화수소기를 나타내고, Ra2' 및 Ra3' 는 서로 결합하여, 그 결합 탄소 원자 및 결합 산소 원자와 함께, 탄소수 3 ∼ 20 의 산소 원자를 함유하는 고리를 형성해도 되고, 상기 탄화수소기 및 상기 고리의 -CH2- 는, -O- 또는 -S- 로 치환되어도 된다. * 는 결합 부위를 나타낸다) (Wherein R a1 ' and R a2' each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group of 1 to 12 carbon atoms, R a3 ' represents a hydrocarbon group of 1 to 20 carbon atoms, and R a2' and R a3 ' May bond together to form a ring containing an oxygen atom having 3 to 20 carbon atoms together with the bonding carbon atom and the bonding oxygen atom, and the hydrocarbon group and -CH 2 - of the ring may be replaced by -O- or -S - &lt; * &gt; represents a bonding site)

산에 불안정한 기 (2) 는, 아세탈 구조를 갖는다.The acid-unstable group (2) has an acetal structure.

탄화수소기로는, 지방족 탄화수소기, 포화 고리형 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기를 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group include an aliphatic hydrocarbon group, a saturated cyclic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group.

Ra1' 및 Ra2' 중 적어도 일방이 수소 원자인 것이 바람직하다.It is preferable that at least one of R a1 ' and R a2' is a hydrogen atom.

산에 불안정한 기 (2) 로는, 이하의 기를 들 수 있다.Examples of the acid labile group (2) include the following groups.

Figure 112011057596862-pat00053
Figure 112011057596862-pat00053

산에 불안정한 기를 갖는 모노머는, 바람직하게는, 산에 불안정한 기와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 모노머, 보다 바람직하게는 산에 불안정한 기를 갖는 (메트)아크릴산계 모노머이고, 특히 바람직하게는, 산에 불안정한 기 (1) 또는 산에 불안정한 기 (2) 를 갖는 (메트)아크릴산계 모노머이다.The monomer having an acid-unstable group is preferably a (meth) acrylic acid-based monomer having an acid-unstable group and a carbon-carbon double bond-containing monomer, more preferably an acid-unstable group, (Meth) acrylic acid-based monomer having a group (1) or an acid-unstable group (2).

본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴산" 은, 아크릴산 및/또는 메타크릴산을 의미하고, "(메트)아크릴레이트" 는, 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 의미한다.As used herein, "(meth) acrylic acid" means acrylic acid and / or methacrylic acid, and "(meth) acrylate" means acrylate and / or methacrylate.

산에 불안정한 기를 갖는 (메트)아크릴산계 모노머 중에서도, 산에 불안정한 기 (1) 을 갖는 (메트)아크릴산계 모노머가 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 20 의 포화 고리형 탄화수소기를 갖는 것이 보다 바람직하다. 포화 고리형 탄화수소기와 같은 부피가 큰 구조를 갖는 모노머를 중합하여 얻어지는 수지를 사용하면, 포토레지스트 패턴의 해상도를 향상시킬 수 있다. 산에 불안정한 기 (1) 을 갖는 모노머로는 특히, 식 (a1-1) 또는 식 (a1-2) 로 나타내는 모노머가 바람직하다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.Among (meth) acrylic acid monomers having an acid labile group, a (meth) acrylic acid monomer having an acid labile group (1) is preferable, and a saturated cyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms is more preferable. When a resin obtained by polymerizing a monomer having a bulky structure such as a saturated cyclic hydrocarbon group is used, the resolution of the photoresist pattern can be improved. As the monomer having an acid-unstable group (1), monomers represented by the formula (a1-1) or (a1-2) are particularly preferable. These may be used alone or in combination of two or more.

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Figure 112011057596862-pat00054

식 (a1-1) 및 식 (a1-2) 중, La1 및 La2 는 각각 독립적으로, *-O- 또는 *-O-(CH2)k1-CO-O- 를 나타내고, k1 은 1 ∼ 7 의 정수를 나타낸다. * 는 -CO- 와의 결합 부위를 나타낸다. Ra4 및 Ra5 는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. Ra6 및 Ra7 은 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 8 의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 3 ∼ 10 의 포화 고리형 탄화수소기를 나타내고, m1 은 0 ∼ 14 의 정수를 나타내고, n1 은 0 ∼ 10 의 정수를 나타내고, n2 는 0 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.In formula (a1-1) and formula (a1-2), L a1 and L a2 each independently represent * -O- or * -O- (CH 2 ) k1 -CO-O-, k1 is 1 &Lt; / RTI &gt; * Represents a bonding site with -CO-. R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group. R a6 and R a7 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms M1 represents an integer of 0 to 14, n1 represents an integer of 0 to 10, and n2 represents an integer of 0 to 3. The aliphatic hydrocarbon group is preferably an aliphatic hydrocarbon group or a saturated cyclic hydrocarbon group of 3 to 10 carbon atoms.

La1 및 La2 는 바람직하게는 *-O- 또는 *-O-(CH2)f1-CO-O- 이고 (상기 f1 은 1 ∼ 4 의 정수이다), 보다 바람직하게는 *-O- 이다.L a1 and L a2 are preferably * -O- or * -O- (CH 2 ) f 1 -CO-O- (f1 is an integer of 1 to 4), more preferably * -O- .

Ra4 및 Ra5 는 바람직하게는 메틸기이다. Ra6 및 Ra7 의 지방족 탄화수소기의 탄소수는 바람직하게는 6 이하이고, 포화 고리형 탄화수소기의 탄소수는 바람직하게는 8 이하, 보다 바람직하게는 6 이하이다. Ra6 및 Ra7 의 지방족 탄화수소기로는, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, tert-부틸기, 2,2-디메틸에틸기, 프로필기, 1-메틸프로필기, 2,2-디메틸프로필기, 1-에틸프로필기, 부틸기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-프로필부틸기, 펜틸기, 1-메틸펜틸기, 헥실기, 1,4-디메틸헥실기, 헵틸기, 1-메틸헵틸기 및 옥틸기를 들 수 있다. Ra6 및 Ra7 의 포화 고리형 탄화수소기로는, 시클로헵틸기, 메틸시클로헵틸기, 시클로헥실기, 메틸시클로헥실기, 디메틸시클로헥실기, 노르보르닐기 및 메틸노르보르닐기를 들 수 있다.R a4 and R a5 are preferably methyl groups. The carbon number of the aliphatic hydrocarbon group of R a6 and R a7 is preferably 6 or less, and the carbon number of the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably 8 or less, more preferably 6 or less. Examples of the aliphatic hydrocarbon group represented by R a6 and R a7 include a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, a 2,2-dimethylethyl group, a propyl group, A methyl group, an ethyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a 1-methylbutyl group, a 2-methylbutyl group, , A heptyl group, a 1-methylheptyl group and an octyl group. Examples of the saturated cyclic hydrocarbon group of R a6 and R a7 include a cycloheptyl group, a methylcycloheptyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a norbornyl group and a methylnorbornyl group.

m1 은 바람직하게는 0 ∼ 3 의 정수, 보다 바람직하게는 0 또는 1 이다. n1 은 바람직하게는 0 ∼ 3 의 정수, 보다 바람직하게는 0 또는 1 이다. n2 는 바람직하게는 0 또는 1 이다. k1 은, 바람직하게는 1 ∼ 4 의 정수, 보다 바람직하게는 1 이다.m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1. n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1. n2 is preferably 0 or 1. k1 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.

식 (a1-1) 로 나타내는 모노머로는, 이하의 모노머를 들 수 있다.Examples of the monomer represented by the formula (a1-1) include the following monomers.

Figure 112011057596862-pat00055
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Figure 112011057596862-pat00056
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Figure 112011057596862-pat00057
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Figure 112011057596862-pat00058
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Figure 112011057596862-pat00059
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그 중에서도, 2-메틸-2-아다만틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸-2-아다만틸 (메트)아크릴레이트 및 2-이소프로필-2-아다만틸 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 2-메틸-2-아다만틸 메타크릴레이트, 2-에틸-2-아다만틸 메타크릴레이트 및 2-이소프로필-2-아다만틸 메타크릴레이트메타크릴레이트가 보다 바람직하다.Among them, 2-methyl-2-adamantyl (meth) acrylate, 2-ethyl-2-adamantyl (meth) acrylate and 2-isopropyl-2-adamantyl Adamantyl methacrylate, 2-methyl-2-adamantyl methacrylate, 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate and 2-isopropyl-2-adamantyl methacrylate methacrylate are more preferable.

식 (a1-2) 로 나타내는 모노머로는, 이하의 모노머를 들 수 있다.Examples of the monomer represented by the formula (a1-2) include the following monomers.

Figure 112011057596862-pat00060
Figure 112011057596862-pat00060

그 중에서도 1-에틸-1-시클로헥실 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 1-에틸-1-시클로헥실 메타크릴레이트가 보다 바람직하다.Among them, 1-ethyl-1-cyclohexyl (meth) acrylate is preferable, and 1-ethyl-1-cyclohexyl methacrylate is more preferable.

수지 (A) 에 있어서의 식 (a1-1) 또는 식 (a1-2) 로 나타내는 모노머에서 유래되는 구조 단위의 함유율은, 수지 (A) 의 전체 구조 단위에 대하여 통상 10 ∼ 95 몰% 이고, 바람직하게는 15 ∼ 90 몰% 이고, 보다 바람직하게는 20 ∼ 85 몰% 이다.The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a1-1) or the formula (a1-2) in the resin (A) is usually 10 to 95 mol% based on the total structural units of the resin (A) , Preferably 15 to 90 mol%, and more preferably 20 to 85 mol%.

산에 불안정한 기 (1) 과 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 모노머로는, 식 (a1-3) 으로 나타내는 모노머도 들 수 있다. 식 (a1-3) 으로 나타내는 모노머에서 유래되는 구조 단위를 갖는 수지 (A) 는 부피가 큰 구조를 갖기 때문에, 포토레지스트 패턴의 해상도를 향상시킬 수 있다. 또한 식 (a1-3) 으로 나타내는 모노머에서 유래되는 구조 단위를 갖는 수지 (A) 는, 그 주사슬에 강직한 노르보르난 고리를 갖기 때문에, 포토레지스트 패턴의 드라이 에칭 내성이 향상된다.Examples of the monomer having an acid-unstable group (1) and a carbon-carbon double bond include monomers represented by the formula (a1-3). Resin (A) having a structural unit derived from a monomer represented by formula (a1-3) has a bulky structure, so that the resolution of the photoresist pattern can be improved. Further, the resin (A) having a structural unit derived from a monomer represented by the formula (a1-3) has a norbornane ring rigid in its main chain, so that dry etching resistance of the photoresist pattern is improved.

Figure 112011057596862-pat00061
Figure 112011057596862-pat00061

(식 중, Ra9 는, 수소 원자 또는 하이드록시기 (-OH) 를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 3 의 지방족 탄화수소기, 카르복실기 (-COOH), 시아노기 또는 -COORa13 을 나타내고, Ra13 은, 탄소수 1 ∼ 8 의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 3 ∼ 20 의 포화 고리형 탄화수소기를 나타내고, 상기 지방족 탄화수소기 및 상기 포화 고리형 탄화수소기의 수소 원자는 하이드록시기로 치환되어 있어도 되고, 상기 지방족 탄화수소기 및 상기 포화 고리형 탄화수소기의 -CH2- 는 -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다. Ra10 ∼ Ra12 는 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 12 의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 3 ∼ 20 의 포화 고리형 탄화수소기를 나타내거나, 또는 Ra10 및 Ra11 은 서로 결합하여 고리를 형성한다. 상기 지방족 탄화수소기 및 상기 포화 고리형 탄화수소기의 수소 원자는 하이드록시기 등으로 치환되어 있어도 되고, 상기 지방족 탄화수소기 및 상기 포화 고리형 탄화수소기의 -CH2- 는 -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다.(Wherein, R a9 is a hydrogen atom or a hydroxyl group (having a carbon number of the aliphatic hydrocarbon group of 1 to 3 which may have a -OH), carboxyl group (-COOH), a cyano group or a -COOR a13, R a13 is An aliphatic hydrocarbon group of 1 to 8 carbon atoms or a saturated cyclic hydrocarbon group of 3 to 20 carbon atoms, the hydrogen atoms of the aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, And -CH 2 - of the saturated cyclic hydrocarbon group may be substituted with -O- or -CO-. R a10 to R a12 each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms An aliphatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms A saturated cyclic hydrocarbon group, or R a10 and R a11 are bonded to each other to form a ring. The hydrogen atoms of the aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxyl group, and the -CH 2 - of the aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group may be replaced by -O- or -CO- Or may be substituted.

Ra9 의 하이드록시기를 가지고 있어도 되는 지방족 탄화수소기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 하이드록시메틸기 및 2-하이드록시에틸기를 들 수 있다. Examples of the aliphatic hydrocarbon group which may have a hydroxy group of R a9 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxymethyl group and a 2-hydroxyethyl group.

Ra13 으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 2-옥소-옥솔란-3-일기 및 2-옥소-옥솔란-4-일기를 들 수 있다. Examples of R a13 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a 2-oxo-oxolan-3-yl group and a 2-oxo-oxolan-4-yl group.

Ra10 ∼ Ra12 로는, 메틸기, 에틸기, 시클로헥실기, 메틸시클로헥실기, 하이드록시시클로헥실기, 옥소시클로헥실기 및 아다만틸기를 들 수 있다. Ra10, Ra11 및 이들이 결합하는 탄소가 형성하는 포화 고리형 탄화수소기로는, 시클로헥실기 및 아다만틸기를 들 수 있다. Examples of R a10 to R a12 include a methyl group, an ethyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, a hydroxycyclohexyl group, an oxocyclohexyl group and an adamantyl group. Examples of the saturated cyclic hydrocarbon group formed by R a10 and R a11 and the carbon to which they are bonded include a cyclohexyl group and an adamantyl group.

식 (a1-3) 으로 나타내는 모노머로는, 5-노르보르넨-2-카르복실산 tert-부틸, 5-노르보르넨-2-카르복실산1-시클로헥실-1-메틸에틸, 5-노르보르넨-2-카르복실산1-메틸시클로헥실, 5-노르보르넨-2-카르복실산2-메틸-2-아다만틸, 5-노르보르넨-2-카르복실산2-에틸-2-아다만틸, 5-노르보르넨-2-카르복실산1-(4-메틸시클로헥실)-1-메틸에틸, 5-노르보르넨-2-카르복실산1-(4-하이드록시시클로헥실)-1-메틸에틸, 5-노르보르넨-2-카르복실산1-메틸-1-(4-옥소시클로헥실)에틸 및 5-노르보르넨-2-카르복실산1-(1-아다만틸)-1-메틸에틸을 들 수 있다.Examples of the monomer represented by the formula (a1-3) include tert-butyl 5-norbornene-2-carboxylate, 1-cyclohexyl-1-methylethyl 5-norbornene- Norbornene-2-carboxylic acid 1-methylcyclohexyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 2-methyl-2-adamantyl, 5-norbornene- Norbornene-2-carboxylic acid 1- (4-methylcyclohexyl) -1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- 1-methyl-1- (4-oxocyclohexyl) ethyl and 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- 1-adamantyl) -1-methylethyl.

수지 (A) 에 있어서의 식 (a1-3) 으로 나타내는 모노머에서 유래되는 구조 단위의 함유율은, 수지 (A) 의 전체 구조 단위에 대하여 통상 10 ∼ 95 몰% 이고, 바람직하게는 15 ∼ 90 몰% 이고, 보다 바람직하게는 20 ∼ 85 몰% 이다.The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a1-3) in the resin (A) is generally 10 to 95 mol%, preferably 15 to 90 mol%, based on the total structural units of the resin (A) %, More preferably 20 to 85 mol%.

산에 불안정한 기 (2) 와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 모노머로는, 식 (a1-4) 로 나타내는 모노머도 들 수 있다.Examples of the monomer having an acid-unstable group (2) and a carbon-carbon double bond include monomers represented by the formula (a1-4).

Figure 112011057596862-pat00062
Figure 112011057596862-pat00062

(식 중, Ra32 는 수소 원자, 할로겐 원자 또는 할로겐 원자를 가져도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 나타낸다. Ra33 은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 하이드록시기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 4 의 아실기, 탄소수 2 ∼ 4 의 아실옥시기, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 나타낸다.(Wherein, R a32 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a hydrogen atom, a halogen atom or a halogen atom. R a33 are each independently, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an acryloyl group or a methacryloyl group.

la 는 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다. Ra34 및 Ra35 는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 12 의 탄화수소기를 나타낸다. Xa2 는, 단결합 또는 2 가의 탄소수 1 ∼ 17 의 포화 탄화수소기를 나타내고, 그 포화 탄화수소기의 수소 원자는 할로겐 원자, 하이드록시기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 4 의 아실기 또는 탄소수 2 ∼ 4 의 아실옥시기로 치환되어 있어도 되고, 그 포화 탄화수소기의 -CH2- 는, -CO-, -O-, -S-, -SO2- 또는 N(Rc)- 로 치환되어 있어도 된다. Rc 는, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 나타낸다. Ya3 은 탄소수 1 ∼ 12 의 지방족 탄화수소기, 탄소수 3 ∼ 18 의 포화 고리형 탄화수소기 또는 탄소수 6 ∼ 18 의 방향족 탄화수소기를 나타내고, 그 지방족 탄화수소기, 그 포화 고리형 탄화수소기 및 그 방향족 탄화수소기의 수소 원자는, 할로겐 원자, 하이드록시기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 4 의 아실기 또는 탄소수 2 ∼ 4 의 아실옥시기로 치환되어 있어도 된다)and la represents an integer of 0 to 4. R a34 and R a35 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group of 1 to 12 carbon atoms. X a2 represents a monovalent or divalent saturated hydrocarbon group of 1 to 17 carbon atoms, and the hydrogen atom of the saturated hydrocarbon group is preferably a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, -O-, -S-, -SO 2 -, or N ((C 1 -C 4) alkoxy groups having 2 to 4 carbon atoms or an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms. R c ) -. R c represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Y a3 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms A saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the aliphatic hydrocarbon group, the saturated cyclic hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom, An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms)

할로겐 원자를 가져도 되는 알킬기로는, 퍼플루오로메틸기, 퍼플루오로에틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로이소프로필기, 퍼플루오로부틸기, 퍼플루오로sec-부틸기, 퍼플루오로tert-부틸기, 퍼플루오로펜틸기, 퍼플루오로헥실기, 퍼클로로메틸기, 퍼브로모메틸기 및 퍼요오드메틸기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group which may have a halogen atom include a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluoro sec-butyl group, a perfluoro a tert-butyl group, a perfluoropentyl group, a perfluorohexyl group, a perchloromethyl group, a perboromethyl group and a periodomethyl group.

Ra32 및 Ra33 에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 2 의 알킬기가 보다 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.The alkyl group in R a32 and R a33 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group.

Ra33 에 있어서의 알콕시기는, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 2 의 알콕시기가 보다 바람직하고, 메톡시기가 특히 바람직하다.The alkoxy group in R a33 is preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 to 2 carbon atoms, and particularly preferably a methoxy group.

아실옥시기로는, 아세틸옥시기, 프로피오닐옥시기 및 부티릴옥시기를 들 수 있다.Examples of the acyloxy group include an acetyloxy group, a propionyloxy group and a butyryloxy group.

탄화수소기로는, 지방족 탄화수소 및 포화 고리형 탄화수소에서 예시한 것과 동일한 것 및 이들의 조합 (예를 들어, 2-알킬-2-아다만틸기, 1-(1-아다만틸)-1-알킬기 등), 방향족 탄화수소기 등을 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group include groups similar to those exemplified for the aliphatic hydrocarbon and the saturated cyclic hydrocarbon and combinations thereof (for example, 2-alkyl-2-adamantyl group, 1- (1-adamantyl) ), An aromatic hydrocarbon group, and the like.

Ra34 및 Ra35 의 탄화수소기로는, 이소프로필기, 부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 시클로헥실기, 아다만틸기, 2-알킬아다만탄-2-일기, 1-(아다만탄-1-일)알칸-1-일기 및 이소보르닐기가 바람직하다. Examples of the hydrocarbon group of R a34 and R a35 include an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, a 2- ethylhexyl group, a cyclohexyl group, 2-alkyladamantan-2-yl group, 1- (adamantan-1-yl) alkan-1-yl group and isobornyl group are preferable.

Xa2 및 Ya3 이 가지고 있어도 되는 치환기로는, 바람직하게는 하이드록시기이다.The substituent which X a2 and Y a3 may have is preferably a hydroxyl group.

식 (a1-4) 로 나타내는 모노머로는, 예를 들어, 이하의 모노머를 들 수 있다.The monomer represented by the formula (a1-4) includes, for example, the following monomers.

Figure 112011057596862-pat00063
Figure 112011057596862-pat00063

Figure 112011057596862-pat00064
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Figure 112011057596862-pat00065
Figure 112011057596862-pat00065

수지 (A) 에 있어서의 식 (a1-4) 로 나타내는 모노머에서 유래되는 구조 단위의 함유율은, 수지 (A) 의 전체 구조 단위에 대하여 통상 10 ∼ 95 몰% 이고, 바람직하게는 15 ∼ 90 몰% 이고, 보다 바람직하게는 20 ∼ 85 몰% 이다.The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a1-4) in the resin (A) is usually 10 to 95 mol%, preferably 15 to 90 mol%, based on the total structural units of the resin (A) %, More preferably 20 to 85 mol%.

산에 불안정한 기 (2) 와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 모노머로는, 식 (a1-5) 로 나타내는 모노머도 들 수 있다.Examples of the monomer having an acid-unstable group (2) and a carbon-carbon double bond include monomers represented by the formula (a1-5).

Figure 112011057596862-pat00066
Figure 112011057596862-pat00066

(식 중, R31 은 수소 원자, 할로겐 원자 또는 할로겐 원자를 가져도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 나타낸다. L31 은, -O-, -S- 또는 *-O-(CH2)k1-CO-O- 로 나타내는 기를 나타내고, k1 은 1 ∼ 7 의 정수를 나타내고, * 는 -CO- 와의 결합 부위이다. L32 및 L33 은 각각 독립적으로, -O- 또는 -S- 를 나타낸다. Z1 은 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기를 나타내고, 그 알킬렌기 중의 -CH2- 는, -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다. s1 및 s2 는 각각 독립적으로, 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다) (Wherein R 31 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a hydrogen atom, a halogen atom or a halogen atom, L 31 represents -O-, -S- or -O- (CH 2 ) k 1 - CO-O-, k1 is an integer of 1 to 7, and * is a bonding site with -CO- L 32 and L 33 each independently represent -O- or -S-, Z 1 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, and -CH 2 - in the alkylene group may be substituted with -O- or -CO-. S 1 and s 2 are each independently 0 to 4 Lt; / RTI &gt;

R31 은 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.R 31 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

L31 은 -O- 인 것이 바람직하다.L 31 is preferably -O-.

L32 및 L33 은 일방이 -O- 이고, 타방이 -S- 인 것이 바람직하다.L 32 and L 33 are preferably one of -O- and the other is -S-.

s1 은, 1 이 바람직하다,s1 is preferably 1,

s2 는, 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하다.s2 is preferably an integer of 0 to 2.

Z1 은, 단결합 또는 -CH2-CO-O- 가 바람직하다.Z 1 is preferably a single bond or -CH 2 -CO-O-.

식 (a1-5) 로 나타내는 모노머의 구체예로는, 이하의 모노머를 들 수 있다.Specific examples of the monomer represented by the formula (a1-5) include the following monomers.

Figure 112011057596862-pat00067
Figure 112011057596862-pat00067

Figure 112011057596862-pat00068
Figure 112011057596862-pat00068

수지 (A) 에 있어서의 식 (a1-5) 로 나타내는 모노머에서 유래되는 구조 단위의 함유율은, 수지 (A) 의 전체 구조 단위에 대하여 통상 10 ∼ 95 몰% 이고, 바람직하게는 15 ∼ 90 몰% 이고, 보다 바람직하게는 20 ∼ 85 몰% 이다.The content ratio of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a1-5) in the resin (A) is generally 10 to 95 mol%, preferably 15 to 90 mol% based on the total structural units of the resin (A) %, More preferably 20 to 85 mol%.

수지 (A) 는 바람직하게는 산에 불안정한 기를 갖는 모노머와, 산에 불안정한 기를 갖지 않은 모노머 (이하 「산 안정 모노머」라고 하는 경우가 있다) 와의 공중합체이다. 산 안정 모노머는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The resin (A) is preferably a copolymer of a monomer having an acid labile group and a monomer having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as &quot; acid stable monomer &quot;). The acid stable monomers may be used singly or in combination of two or more kinds.

수지 (A) 가 산에 불안정한 기를 갖는 모노머와 산 안정 모노머와의 공중합체인 경우, 산에 불안정한 기를 갖는 모노머에서 유래되는 구조 단위는, 전체 구조 단위 100 몰% 에 대하여, 바람직하게는 10 ∼ 80 몰%, 보다 바람직하게는 20 ∼ 60 몰% 이다.When the resin (A) is a copolymer of a monomer having an acid labile group and an acid stable monomer, the structural unit derived from a monomer having an acid labile group is preferably 10 to 80 moles %, More preferably 20 to 60 mol%.

또한, 아다만틸기를 갖는 모노머 (특히, 산에 불안정한 기를 갖는 모노머 (a1-1)) 에서 유래되는 구조 단위를, 산에 불안정한 기를 갖는 모노머 100 몰% 에 대하여 15 몰% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 아다만틸기를 갖는 모노머의 비율이 늘어나면, 레지스트의 드라이 에칭 내성이 향상된다.The structural unit derived from a monomer having an adamantyl group (in particular, the monomer (a1-1) having an acid labile group) is preferably at least 15 mol% based on 100 mol% of the monomer having an acid labile group . When the proportion of the monomer having an adamantyl group is increased, the dry etching resistance of the resist is improved.

산 안정 모노머로는, 하이드록시기 또는 락톤 고리를 갖는 것이 바람직하다. 하이드록시기를 갖는 산 안정 모노머 또는 락톤 고리를 함유하는 산 안정 모노머에서 유래되는 구조 단위를 갖는 수지를 사용하면, 포토레지스트 패턴의 해상도 및 기판에 대한 밀착성을 향상시킬 수 있다.The acid-stable monomer preferably has a hydroxyl group or a lactone ring. The use of a resin having a structural unit derived from an acid stable monomer containing a hydroxyl group-containing acid stable monomer or a lactone ring can improve the resolution of the photoresist pattern and the adhesion to the substrate.

<하이드록시기를 갖는 산 안정 모노머> <Acid-stable monomers having a hydroxy group>

포토레지스트 조성물을 KrF 엑시머레이저 노광 (248 ㎚), 전자선 또는 EUV 광 등의 고에너지선 노광에 사용하는 경우, 하이드록시기를 갖는 산 안정 모노머로서 하이드록시스티렌 등의 페놀성 하이드록시기를 갖는 산 안정 모노머를 사용하는 것이 바람직하다. 단파장의 ArF 엑시머레이저 노광 (193 ㎚) 등을 사용하는 경우에는, 하이드록시기를 갖는 산 안정 모노머로서, 식 (a2-1) 로 나타내는 하이드록시아다만틸기를 갖는 산 안정 모노머를 사용하는 것이 바람직하다. 하이드록시기를 갖는 산 안정 모노머는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.When the photoresist composition is used for exposure to high energy radiation such as KrF excimer laser exposure (248 nm), electron beam or EUV light, an acid stable monomer having a phenolic hydroxy group such as hydroxystyrene as an acid stable monomer having a hydroxy group Is preferably used. When ArF excimer laser exposure (193 nm) or the like with a short wavelength is used, it is preferable to use an acid stable monomer having a hydroxyadamantyl group represented by the formula (a2-1) as the acid stable monomer having a hydroxy group . The acid-stable monomers having a hydroxy group may be used singly or in combination of two or more.

페놀성 하이드록시기를 갖는 모노머로서, 식 (a2-0) 으로 나타내는 p- 또는 m-하이드록시스티렌 등의 스티렌계 모노머를 들 수 있다.Examples of the monomer having a phenolic hydroxy group include styrene monomers such as p- or m-hydroxystyrene represented by the formula (a2-0).

Figure 112011057596862-pat00069
Figure 112011057596862-pat00069

(식 중, Ra30 은, 수소 원자, 할로겐 원자 또는 할로겐 원자를 가져도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 나타내고, Ra31 은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 하이드록시기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 4 의 아실기, 탄소수 2 ∼ 4 의 아실옥시기, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 나타내고, ma 는 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다) (Wherein R a30 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a hydrogen atom, a halogen atom or a halogen atom, and each R a31 independently represents a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an acryloyl group or a methacryloyl group, and ma represents an integer of 0 to 4)

이러한 페놀성 하이드록시기를 갖는 모노머에서 유래되는 구조 단위를 갖는 공중합체를 얻는 경우에는, 페놀성 하이드록시기를 보호기로 보호한 스티렌계 모노머, 및 당해 스티렌계 모노머와 공중합시키는 모노머를 라디칼 중합한 후, 산 또는 염기에 의해 탈보호함으로써 얻을 수 있다. 보호기로는, 아세틸기, 1-에톡시에탄-1-일기 및 tert-부톡시카르보닐기를 들 수 있다.In the case of obtaining a copolymer having a structural unit derived from a monomer having a phenolic hydroxy group, a styrene monomer having a phenolic hydroxy group protected by a protecting group and a monomer copolymerizing with the styrene monomer are subjected to radical polymerization, Followed by deprotection by an acid or a base. Examples of the protecting group include an acetyl group, a 1-ethoxyethan-1-yl group and a tert-butoxycarbonyl group.

페놀성 하이드록시기를 갖는 모노머로는, 이하의 모노머를 들 수 있다.Examples of the monomer having a phenolic hydroxy group include the following monomers.

Figure 112011057596862-pat00070
Figure 112011057596862-pat00070

Figure 112011057596862-pat00071
Figure 112011057596862-pat00071

그 중에서도, 4-하이드록시스티렌 또는 4-하이드록시-α-메틸스티렌이 바람직하다.Among them, 4-hydroxystyrene or 4-hydroxy-? -Methylstyrene is preferable.

수지 (A) 에 있어서의 식 (a2-0) 으로 나타내는 모노머에서 유래되는 구조 단위의 함유율은, 수지 (A) 의 전체 구조 단위에 대하여 통상 5 ∼ 90 몰% 이고, 바람직하게는 10 ∼ 85 몰% 이고, 보다 바람직하게는 15 ∼ 80 몰% 이다.The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a2-0) in the resin (A) is usually 5 to 90 mol%, preferably 10 to 85 mol%, based on the total structural units of the resin (A) %, And more preferably from 15 to 80 mol%.

하이드록시아다만틸기를 갖는 산 안정 모노머로서, 식 (a2-1) 로 나타내는 모노머를 들 수 있다.As the acid stable monomer having a hydroxyadamantyl group, a monomer represented by the formula (a2-1) may be mentioned.

Figure 112011057596862-pat00072
Figure 112011057596862-pat00072

(식 중, La3 은 -O- 또는 *-O-(CH2)k2-CO-O- 를 나타내고, * 는 -CO- 와의 결합 부위를 나타내고, k2 는 1 ∼ 7 의 정수를 나타낸다. Ra14 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. Ra15 및 Ra16 은 각각 독립적으로, 수소 원자, 메틸기 또는 하이드록시기를 나타낸다. o1 은 0 ∼ 10 의 정수를 나타낸다)( Wherein L a3 represents -O- or * -O- (CH 2 ) k 2 -CO-O-, * represents a bonding site with -CO-, and k 2 represents an integer of 1 to 7. R a14 represents a hydrogen atom or a methyl group. R a15 and R a16 are each independently, represent a hydrogen atom, a methyl group or hydroxy, respectively. o1 is an integer of 0 to 10)

La3 은 바람직하게는 -O- 또는 *-O-(CH2)f1-CO-O- 이고 (상기 f1 은 1 ∼ 4 의 정수이다), 보다 바람직하게는 -O- 이다. Ra14 는 바람직하게는 메틸기이다. Ra15 는 바람직하게는 수소 원자이다. Ra16 은 바람직하게는 수소 원자 또는 하이드록시기이다. o1 은 바람직하게는 0 ∼ 3 의 정수, 보다 바람직하게는 0 또는 1 이다.L a3 is preferably -O- or -O- (CH 2 ) f1 -CO-O- (f1 is an integer of 1 to 4), more preferably -O-. R a14 is preferably a methyl group. R a15 is preferably a hydrogen atom. R a16 Is preferably a hydrogen atom or a hydroxyl group. o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

식 (a2-1) 로 나타내는 모노머로는, 이하의 모노머를 들 수 있다. 그 중에서도, 3-하이드록시-1-아다만틸 (메트)아크릴레이트, 3,5-디하이드록시-1-아다만틸 (메트)아크릴레이트 및 (메트)아크릴산1-(3,5-디하이드록시-1-아다만틸옥시카르보닐)메틸이 바람직하고, 3-하이드록시-1-아다만틸 (메트)아크릴레이트 및 3,5-디하이드록시-1-아다만틸 (메트)아크릴레이트가 보다 바람직하고, 3-하이드록시-1-아다만틸 메타크릴레이트 및 3,5-디하이드록시-1-아다만틸 메타크릴레이트가 더욱 바람직하다.Examples of the monomer represented by the formula (a2-1) include the following monomers. Among them, 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, 3,5-dihydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, and (meth) Adamantyloxycarbonyl) methyl is preferable, and 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate and 3,5-dihydroxy-1-adamantyl (meth) More preferred are 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate and 3,5-dihydroxy-1-adamantyl methacrylate.

Figure 112011057596862-pat00073
Figure 112011057596862-pat00073

Figure 112011057596862-pat00074
Figure 112011057596862-pat00074

수지 (A) 에 있어서의 식 (a2-1) 로 나타내는 모노머에서 유래되는 구조 단위의 함유율은, 수지 (A) 의 전체 구조 단위에 대하여 통상 3 ∼ 40 몰% 이고, 바람직하게는 5 ∼ 35 몰% 이고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 30 몰% 이고, 특히 바람직하게는 5 ∼ 15 몰% 이다.The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a2-1) in the resin (A) is usually 3 to 40 mol%, preferably 5 to 35 mol% based on the total structural units of the resin (A) %, More preferably 5 to 30 mol%, and particularly preferably 5 to 15 mol%.

<락톤 고리를 함유하는 산 안정 모노머> &Lt; Acid-stable monomers containing a lactone ring >

산 안정 모노머가 갖는 락톤 고리는, 예를 들어, β-프로피오락톤 고리, γ-부티로락톤 고리, δ-발레로락톤 고리와 같은 단고리여도 되고, 단고리형의 락톤 고리와 다른 고리와의 축합 고리여도 된다. 이들 락톤 고리 중에서, γ-부티로락톤 고리 및 γ-부티로락톤 고리와 다른 고리와의 축합 고리가 바람직하다.The lactone ring possessed by the acid-stable monomer may be, for example, a? -Propiolactone ring, a? -Butyrolactone ring, a? -Valerolactone ring or a monocyclic ring, and the ring- It may be a ring. Of these lactone rings, condensation rings of? -Butyrolactone rings and? -Butyrolactone rings with other rings are preferable.

락톤 고리를 갖는 산 안정 모노머는, 예를 들어, 식 (a3-1), 식 (a3-2) 또는 식 (a3-3) 으로 나타낸다. 이들의 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The acid stable monomer having a lactone ring is represented by, for example, formula (a3-1), formula (a3-2), or formula (a3-3). One of these may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

Figure 112011057596862-pat00075
Figure 112011057596862-pat00075

식 (a3-1) ∼ 식 (a3-3) 중, La4 ∼ La6 은 각각 독립적으로, -O- 또는 *-O-(CH2)k3-CO-O- 를 나타내고, * 는 -CO- 와의 결합 부위를 나타내고, k3 은 1 ∼ 7 의 정수를 나타낸다. Ra18 ∼ Ra20 은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. Ra21 은 탄소수 1 ∼ 4 의 지방족 탄화수소기를 나타내고, p1 은 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. Ra22 및 Ra23 은 각각 독립적으로, 카르복시기, 시아노기 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 지방족 탄화수소기를 나타내고, q1 및 r1 은 각각 독립적으로, 0 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.In formulas (a3-1) to (a3-3), L a4 to L a6 each independently represent -O- or * -O- (CH 2 ) k3 -CO-O-, * represents -CO -, and k3 represents an integer of 1 to 7. Each of R a18 to R a20 independently represents a hydrogen atom or a methyl group. R a21 is a group having 1 to 4 carbon atoms An aliphatic hydrocarbon group, and p1 represents an integer of 0 to 5. R a22 and R a23 each independently represent a carboxyl group, a cyano group or a And q1 and r1 each independently represents an integer of 0 to 3;

La4 ∼ La6 으로는, La3 에서 설명한 것을 들 수 있다. La4 ∼ La6 은 각각 독립적으로, -O-, *-O-(CH2)d1-CO-O- 인 것이 바람직하고 (상기 d1 은 1 ∼ 4 의 정수이다), 보다 바람직하게는 -O- 이다. Ra18 ∼ Ra20 은, 바람직하게는 메틸기이다. Ra21 은 바람직하게는 메틸기이다. Ra22 및 Ra23 은 각각 독립적으로, 바람직하게는 카르복시기, 시아노기 또는 메틸기이다. p1 ∼ r1 은 각각 독립적으로, 바람직하게는 0 ∼ 2, 보다 바람직하게는 0 또는 1 이다. Examples of L a4 to L a6 include those described for L a3 . Each of L a4 to L a6 is preferably independently -O- or -O- (CH 2 ) d 1 -CO-O- (d1 is an integer of 1 to 4), more preferably -O - to be. R a18 to R a20 are preferably methyl groups. R a21 is preferably a methyl group. R a22 and R a23 Are each independently preferably a carboxyl group, a cyano group or a methyl group. p1 to r1 are each independently preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

식 (a3-1) 로 나타내는 모노머로는, 이하의 모노머를 들 수 있다.Examples of the monomer represented by the formula (a3-1) include the following monomers.

Figure 112011057596862-pat00076
Figure 112011057596862-pat00076

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Figure 112011057596862-pat00077

식 (a3-2) 로 나타내는 모노머로는, 이하의 모노머를 들 수 있다.Examples of the monomer represented by the formula (a3-2) include the following monomers.

Figure 112011057596862-pat00078
Figure 112011057596862-pat00078

Figure 112011057596862-pat00079
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Figure 112011057596862-pat00080
Figure 112011057596862-pat00080

식 (a3-3) 으로 나타내는 모노머로는, 이하의 모노머를 들 수 있다.Examples of the monomer represented by the formula (a3-3) include the following monomers.

Figure 112011057596862-pat00081
Figure 112011057596862-pat00081

Figure 112011057596862-pat00082
Figure 112011057596862-pat00082

락톤 고리를 갖는 산 안정 모노머 중에서도, (메트)아크릴산(5-옥소-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-2-일, (메트)아크릴산테트라하이드로-2-옥소-3-푸릴, (메트)아크릴산2-(5-옥소-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-2-일옥시)-2-옥소에틸이 바람직하고, 메타크릴산(5-옥소-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-2-일, 메타크릴산테트라하이드로-2-옥소-3-푸릴, 메타크릴산2-(5-옥소-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-2-일옥시)-2-옥소에틸이 보다 바람직하다.Among the acid-stable monomers having a lactone ring, (meth) acrylic acid (5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] (5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan- 2 -yloxy) -2-oxoethyl is preferable, and methacrylic acid (5-oxo- 4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-2-yl methacrylate, tetrahydro-2-oxo-3-furyl methacrylate, 2- 0.0 &gt; 3,7 ] nonan- 2 -yloxy) -2-oxoethyl &lt; / RTI &gt;

수지 (A) 에 있어서의 식 (a3-1), 식 (a3-2) 또는 식 (a3-3) 으로 나타내는 모노머에서 유래되는 구조 단위의 함유율은, 수지 (A) 의 전체 구조 단위에 있어서 통상 5 ∼ 50 몰% 이고, 바람직하게는 10 ∼ 45 몰% 이고, 보다 바람직하게는 15 ∼ 40 몰% 이다. 수지 (A) 가 락톤 고리를 갖는 산 안정 모노머에서 유래되는 구조 단위를 함유하는 경우, 그 함유량은, 수지 (A) 의 전체 구조 단위에 대하여 통상 5 ∼ 60 몰% 이고, 바람직하게는 15 ∼ 55 몰% 이다.The content ratio of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a3-1), the formula (a3-2) or the formula (a3-3) in the resin (A) Is 5 to 50 mol%, preferably 10 to 45 mol%, and more preferably 15 to 40 mol%. When the resin (A) contains a structural unit derived from an acid stable monomer having a lactone ring, its content is usually 5 to 60 mol%, preferably 15 to 55 mol%, based on the total structural units of the resin (A) Mol%.

수지 (A) 는, 락톤 고리를 갖는 산 불안정 모노머에서 유래되는 구조 단위를 가져도 되며, 락톤 고리를 갖는 산 불안정 모노머에서 유래되는 구조 단위를 이끄는 모노머로는, 이하의 모노머를 들 수 있다.The resin (A) may have a structural unit derived from an acid labile monomer having a lactone ring, and examples of the monomer that leads to a structural unit derived from an acid labile monomer having a lactone ring include the following monomers.

Figure 112011057596862-pat00083
Figure 112011057596862-pat00083

Figure 112011057596862-pat00084
Figure 112011057596862-pat00084

<그 밖의 산 안정 모노머> <Other acid stable monomers>

그 밖의 산 안정 모노머로는, 예를 들어, 식 (a4-1) 로 나타내는 무수 말레산, 식 (a4-2) 로 나타내는 무수 이타콘산, 또는 식 (a4-3) 으로 나타내는 노르보르넨 고리를 갖는 산 안정 모노머 등을 들 수 있다.Examples of other acid-stable monomers include maleic anhydride represented by the formula (a4-1), itaconic anhydride represented by the formula (a4-2), or a norbornene ring represented by the formula (a4-3) And the like.

Figure 112011057596862-pat00085
Figure 112011057596862-pat00085

식 (a4-3) 에 있어서, In the formula (a4-3)

Ra25 및 Ra26 은 각각 독립적으로, 수소 원자, 하이드록시기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 3 의 지방족 탄화수소기, 시아노기, 카르복시기, 또는 알콕시카르보닐기 (-COORa27) 를 나타내거나, 또는 Ra25 및 Ra26 은 서로 결합하여 -CO-O-CO- 를 형성하고, Ra27 은 탄소수 1 ∼ 18 의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 3 ∼ 36 의포화 고리형 탄화수소기를 나타내고, 그 지방족 탄화수소기 및 그 포화 고리형 탄화수소기의 -CH2- 는, -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다. 단, -COORa27 이 산 불안정기가 되는 것은 제외한다 (즉 Ra27 은, 3 급 탄소 원자가 -O- 와 결합하는 것을 포함하지 않는다).R a25 and R a26 each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms which may have a hydroxy group, a cyano group, a carboxy group, or an alkoxycarbonyl group (-COOR a27 ), or R a25 and R a26 are bonded to each other to form -CO-O-CO-, R a27 represents a saturated cyclic hydrocarbon having 1 to 18 carbon atoms or an aliphatic hydrocarbon group having a carbon number of 3 to 36, the aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon -CH 2 - in the group may be substituted with -O- or -CO-. Provided that -COOR a27 does not become an acid labile group (i.e., R a27 does not include that the tertiary carbon atom is bonded to -O-).

Ra25 및 Ra26 의 하이드록시기를 가지고 있어도 되는 지방족 탄화수소기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 하이드록시메틸기 및 2-하이드록시에틸기를 들 수 있다. Ra27 의 지방족 탄화수소기의 탄소수는, 바람직하게는 1 ∼ 8, 보다 바람직하게는 1 ∼ 6 이고, 포화 고리형 탄화수소기의 탄소수는, 바람직하게는 4 ∼ 36, 보다 바람직하게는 4 ∼ 12 이다. Ra27 로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 2-옥소-옥솔란-3-일기 및 2-옥소-옥솔란-4-일기를 들 수 있다. Examples of the aliphatic hydrocarbon group which may have a hydroxy group of R a25 and R a26 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxymethyl group and a 2-hydroxyethyl group. The number of carbon atoms of the aliphatic hydrocarbon group of R a27 is preferably 1 to 8, more preferably 1 to 6, and the number of carbon atoms of the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably 4 to 36, more preferably 4 to 12 . Examples of R a27 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a 2-oxo-oxolan-3-yl group and a 2-oxo-oxolan-4-yl group.

식 (a4-3) 으로 나타내는 모노머로는, 2-노르보르넨, 2-하이드록시-5-노르보르넨, 5-노르보르넨-2-카르복실산, 5-노르보르넨-2-카르복실산메틸, 5-노르보르넨-2-카르복실산2-하이드록시-1-에틸, 5-노르보르넨-2-메탄올 및 5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물을 들 수 있다.Examples of the monomer represented by the formula (a4-3) include 2-norbornene, 2-hydroxy-5-norbornene, 5-norbornene- Norbornene-2-carboxylic acid 2-hydroxy-1-ethyl, 5-norbornene-2-methanol and 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride, .

수지 (A) 에 있어서의 식 (a4-1), 식 (a4-2) 또는 식 (a4-3) 으로 나타내는 모노머에서 유래되는 구조 단위의 함유율은, 수지 (A) 의 전체 구조 단위에 있어서, 통상 2 ∼ 40 몰% 이고, 바람직하게는 3 ∼ 30 몰% 이고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 20 몰% 이다.The content ratio of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a4-1), the formula (a4-2) or the formula (a4-3) in the resin (A) Is usually 2 to 40 mol%, preferably 3 to 30 mol%, and more preferably 5 to 20 mol%.

그 밖의 산 안정 모노머로서, 식 (a4-4) 로 나타내는 술톤 고리를 갖는 산 안정 모노머를 들 수 있다.Other acid-stable monomers include acid-stable monomers having a sultone ring represented by the formula (a4-4).

Figure 112011057596862-pat00086
Figure 112011057596862-pat00086

(식 중, La7 은 -O- 또는 *-O-(CH2)k4-CO-O- 를 나타내고, k4 는 1 ∼ 7 의 정수를 나타내고, * 는 -CO- 와의 결합 부위를 나타낸다. Ra28 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. W1 은 치환기를 가지고 있어도 되는 술톤 고리를 나타낸다) (Wherein, L a7 is -O- or * -O- (CH 2) k4 represents -CO-O-, k4 represents an integer of from 1-7, * represents a binding site with -CO-. R a28 represents a hydrogen atom or a methyl group, and W 1 represents a sultone ring which may have a substituent)

술톤 고리로는, 하기 고리를 들 수 있다.Examples of the sultone ring include the following rings.

Figure 112011057596862-pat00087
Figure 112011057596862-pat00087

술톤 고리가 가지고 있어도 되는 치환기로는, 하이드록시기, 시아노기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 불화 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 탄소수 1 ∼ 7 의 알콕시카르보닐기, 탄소수 1 ∼ 7 의 아실기 및 탄소수 1 ∼ 8 의 아실옥시기를 들 수 있다.Examples of the substituent that the sultone ring may have include a hydroxyl group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, An alkoxycarbonyl group having 1 to 7 carbon atoms, an acyl group having 1 to 7 carbon atoms, and an acyloxy group having 1 to 8 carbon atoms.

불화 알킬기로는, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 1,1-디플루오로에틸기, 2,2-디플루오로에틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 퍼플루오로에틸기, 1,1,2,2-테트라플루오로프로필기, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로프로필기, 퍼플루오로에틸메틸기, 1-(트리플루오로메틸)-1,2,2,2-테트라플루오로에틸기, 퍼플루오로프로필기, 1,1,2,2-테트라플루오로부틸기, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로부틸기, 1,1,2,2,3,3,4,4-옥타플루오로부틸기, 퍼플루오로부틸기, 1,1-비스(트리플루오로)메틸-2,2,2-트리플루오로에틸기, 2-(퍼플루오로프로필)에틸기, 1,1,2,2,3,3,4,4-옥타플루오로펜틸기, 퍼플루오로펜틸기, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-데카플루오로펜틸기, 1,1-비스(트리플루오로메틸)-2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필기, 퍼플루오로펜틸기, 2-(퍼플루오로부틸)에틸기, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-데카플루오로헥실기, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-도데카플루오로헥실기, 퍼플루오로펜틸메틸기 및 퍼플루오로헥실기를 들 수 있다.Examples of the fluorinated alkyl group include a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a 1,1-difluoroethyl group, a 2,2-difluoroethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, a perfluoroethyl group, , 1,2,2-tetrafluoropropyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropyl group, perfluoroethylmethyl group, 1- (trifluoromethyl) -1,2- A 2,2-tetrafluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a 1,1,2,2-tetrafluorobutyl group, a 1,1,2,2,3,3-hexafluorobutyl group, a 1,1,2,2,3,3-hexafluorobutyl group, , 2,2,3,3,4,4-octafluorobutyl group, perfluorobutyl group, 1,1-bis (trifluoromethyl) -2,2,2-trifluoroethyl group, 2- (Perfluoropropyl) ethyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoropentyl group, perfluoropentyl group, 1,1,2,2,3,3,4- (Trifluoromethyl) -2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, a perfluoropentyl group, a 2- (purple Ethyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-decafluorohexyl group, 1,1,2,2,3, A 3,4,4,5,5,6,6-dodecafluorohexyl group, a perfluoropentylmethyl group, and a perfluorohexyl group.

하이드록시알킬기로는, 하이드록시메틸기, 2-하이드록시에틸기, 3-하이드록시프로필기, 하이드록시이소프로필기 등을 들 수 있다.Examples of the hydroxyalkyl group include a hydroxymethyl group, a 2-hydroxyethyl group, a 3-hydroxypropyl group, and a hydroxyisopropyl group.

알콕시카르보닐기로는, 메톡시카르보닐기 및 에톡시카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the alkoxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group.

식 (a4-4) 로 나타내는 술톤 고리를 갖는 모노머로는, 이하의 모노머를 들 수 있다.Examples of the monomer having a sultone ring represented by the formula (a4-4) include the following monomers.

Figure 112011057596862-pat00088
Figure 112011057596862-pat00088

Figure 112011057596862-pat00089
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Figure 112011057596862-pat00090
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Figure 112011057596862-pat00091
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Figure 112011057596862-pat00093

Figure 112011057596862-pat00094
Figure 112011057596862-pat00094

Figure 112011057596862-pat00095
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Figure 112011057596862-pat00098
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Figure 112011057596862-pat00099
Figure 112011057596862-pat00099

수지 (A) 에 있어서의 식 (a4-4) 로 나타내는 모노머에서 유래되는 구조 단위의 함유율은, 수지 (A) 의 전체 구조 단위에 대하여 통상 2 ∼ 40 몰% 이고, 바람직하게는 3 ∼ 35 몰% 이고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 30 몰% 이다.The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a4-4) in the resin (A) is usually 2 to 40 mol%, preferably 3 to 35 mol% based on the total structural units of the resin (A) %, More preferably 5 to 30 mol%.

그 밖의 산 안정 모노머로서, 불소 원자를 갖는 산 안정 모노머도 들 수 있다.Other acid-stable monomers include acid-stable monomers having fluorine atoms.

불소 원자를 갖는 산 안정 모노머로는, 이하의 모노머를 들 수 있다.Examples of the acid-stable monomer having a fluorine atom include the following monomers.

Figure 112011057596862-pat00100
Figure 112011057596862-pat00100

그 중에서도, 단고리 또는 다고리형 탄화수소기를 갖는 (메트)아크릴산5-(3,3,3-트리플루오로-2-하이드록시-2-[트리플루오로메틸]프로필)비시클로[2.2.1]헵토-2-일, (메트)아크릴산6-(3,3,3-트리플루오로-2-하이드록시-2-[트리플루오로메틸]프로필)비시클로[2.2.1]헵토-2-일, 및 (메트)아크릴산4,4-비스(트리플루오로메틸)-3-옥사트리시클로[4.2.1.02,5]노닐이 바람직하다.Among them, (meth) acrylic acid 5- (3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2- [trifluoromethyl] propyl) bicyclo [2.2.1] hepto Yl), (meth) acrylic acid 6- (3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2- [trifluoromethyl] propyl) bicyclo [2.2.1] hept- And (meth) acrylic acid 4,4-bis (trifluoromethyl) -3-oxatricyclo [4.2.1.0 2,5 ] nonyl are preferable.

수지 (A) 에 있어서의 불소 원자를 갖는 산 안정 모노머에서 유래되는 구조 단위의 함유율은, 수지 (A) 의 전체 구조 단위에 대하여 통상 1 ∼ 20 몰% 이고, 바람직하게는 2 ∼ 15 몰% 이고, 보다 바람직하게는 3 ∼ 10 몰% 이다.The content of the structural unit derived from the acid-stable monomer having a fluorine atom in the resin (A) is usually 1 to 20 mol%, preferably 2 to 15 mol%, based on the total structural units of the resin (A) , And more preferably 3 to 10 mol%.

바람직한 수지 (A) 는 적어도, 산에 불안정한 기를 갖는 모노머, 하이드록시기를 갖는 산 안정 모노머 및/또는 락톤 고리를 갖는 산 안정 모노머를 중합시킨 공중합체이다. 이 바람직한 공중합체에 있어서, 산에 불안정한 기를 갖는 모노머는, 보다 바람직하게는 식 (a1-1) 로 나타내는 모노머 및 식 (a1-2) 로 나타내는 모노머 중 적어도 1 종 (더욱 바람직하게는 식 (a1-1) 로 나타내는 모노머) 이다. 하이드록시기를 갖는 산 안정 모노머는, 바람직하게는 식 (a2-1) 로 나타내는 모노머이다. 락톤 고리를 갖는 산 안정 모노머는, 보다 바람직하게는 식 (a3-1) 로 나타내는 모노머 및 식 (a3-2) 로 나타내는 모노머의 적어도 1 종이다.Preferred resin (A) is a copolymer obtained by polymerizing at least a monomer having an acid labile group, an acid stable monomer having a hydroxy group and / or an acid stable monomer having a lactone ring. In the preferred copolymer, the monomer having an acid labile group is more preferably a monomer having at least one group selected from the group consisting of a monomer represented by the formula (a1-1) and a monomer represented by the formula (a1-2) -1)). The acid-stable monomer having a hydroxy group is preferably a monomer represented by the formula (a2-1). The acid stable monomer having a lactone ring is more preferably at least one kind of a monomer represented by the formula (a3-1) and a monomer represented by the formula (a3-2).

수지 (A) 는, 공지된 중합법 (예를 들어 라디칼 중합법) 에 의해서 제조할 수 있다.The resin (A) can be produced by a known polymerization method (for example, a radical polymerization method).

수지 (A) 의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 2,500 이상 (보다 바람직하게는 3,000 이상, 특히 바람직하게는 3,500 이상), 50,000 이하 (보다 바람직하게는 30,000 이하, 특히 바람직하게는 10,000 이하) 이다. 여기서 말하는 중량 평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 분석에 의해 표준 폴리스티렌 기준의 환산치로서 구해지는 것으로, 그 분석의 상세한 분석 조건은 본원의 실시예에서 상세히 서술한다.The weight average molecular weight of the resin (A) is preferably 2,500 or more (more preferably 3,000 or more, and particularly preferably 3,500 or more), and 50,000 or less (more preferably 30,000 or less, particularly preferably 10,000 or less). The weight average molecular weight as referred to herein is obtained as a converted value on the basis of standard polystyrene by gel permeation chromatography analysis, and detailed analysis conditions of the analysis will be described in detail in the examples of the present application.

수지 (A) 의 함유율은, 포토레지스트 조성물의 고형분 중 80 질량% 이상인 것이 바람직하고, 99 질량% 이하인 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서 「 조성물 중의 고형분」이란, 포토레지스트 조성물 중의 용제 이외의 성분의 합계를 의미한다. 조성물 중의 고형분, 및 이에 대한 수지 (A) 의 함유량은, 액체 크로마토그래피 또는 가스 크로마토그래피 등의 공지된 분석 수단으로 측정할 수 있다.The content of the resin (A) is preferably 80% by mass or more, and more preferably 99% by mass or less, of the solid content of the photoresist composition. In the present specification, &quot; solid content in the composition &quot; means the total of components other than the solvent in the photoresist composition. The solid content in the composition and the content of the resin (A) in the composition can be measured by known analytical means such as liquid chromatography or gas chromatography.

<염기성 화합물> &Lt; Basic compound >

본 발명의 포토레지스트 조성물은, 염기성 화합물을 함유하고 있어도 된다. 바람직하게는, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 염기성 화합물을 함유한다. 염기성 화합물의 함유율은 포토레지스트 조성물의 고형분의 양을 기준으로 0.01 ∼ 1 질량% 정도인 것이 바람직하다.The photoresist composition of the present invention may contain a basic compound. Preferably, the photoresist composition of the present invention contains a basic compound. The content of the basic compound is preferably about 0.01 to 1% by mass based on the solid content of the photoresist composition.

염기성 화합물은, 바람직하게는 염기성의 함질소 유기 화합물 (예를 들어, 아민 및 암모늄염) 이다. 아민은 지방족 아민이어도 되고, 방향족 아민이어도 된다. 지방족 아민은, 1 급 아민, 2 급 아민 및 3 급 아민 중 어느 것이나 사용할 수 있다. 방향족 아민은 아닐린과 같은 방향족 고리에 아미노기가 결합된 것이나, 피리딘과 같은 복소 방향족 아민 중 어느 것이어도 된다. 바람직한 염기성 화합물로서 식 (C2) 로 나타내는 방향족 아민, 특히 식 (C2-1) 로 나타내는 아닐린을 들 수 있다.The basic compound is preferably a basic nitrogen-containing organic compound (for example, an amine and an ammonium salt). The amine may be an aliphatic amine or an aromatic amine. As the aliphatic amine, any of a primary amine, a secondary amine and a tertiary amine can be used. The aromatic amine may be an aromatic ring such as aniline, or an aromatic amine such as pyridine. Preferable basic compounds include aromatic amines represented by the formula (C2), particularly anilines represented by the formula (C2-1).

Figure 112011057596862-pat00101
Figure 112011057596862-pat00101

식 (C2) 및 식 (C2-1) 중, Among the formulas (C2) and (C2-1)

Ar 은 방향족 탄화수소기를 나타낸다.Ar represents an aromatic hydrocarbon group.

T1 및 T2 는 각각 독립적으로, 수소 원자, 지방족 탄화수소기 (바람직하게는 알킬기), 포화 고리형 탄화수소기 (바람직하게는 시클로알킬기) 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다.T 1 and T 2 each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group (preferably an alkyl group), a saturated cyclic hydrocarbon group (preferably a cycloalkyl group) or an aromatic hydrocarbon group.

T3 은 각각 독립적으로, 지방족 탄화수소기 (바람직하게는 알킬기), 알콕시기, 포화 고리형 탄화수소기 (바람직하게는 시클로알킬기) 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다.T 3 each independently represents an aliphatic hydrocarbon group (preferably an alkyl group), an alkoxy group, a saturated cyclic hydrocarbon group (preferably a cycloalkyl group), or an aromatic hydrocarbon group.

상기 지방족 탄화수소기, 상기 포화 고리형 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소기 또는 알콕시기의 수소 원자는, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기로 치환되어 있어도 되고, 상기 아미노기는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기로 치환되어 있어도 된다.The hydrogen atom of the aliphatic hydrocarbon group, the saturated cyclic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group, or the alkoxy group may be substituted with a hydroxyl group, an amino group, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the amino group may be an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms Or may be substituted.

상기 지방족 탄화수소기는 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 6 의 기이고, 상기 포화 고리형 탄화수소기는 바람직하게는 탄소수 5 ∼ 10 의 기이고, 상기 방향족 탄화수소기는 바람직하게는 탄소수 6 ∼ 10 의 기이다. 알콕시기는 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기이다.The aliphatic hydrocarbon group is preferably a group having 1 to 6 carbon atoms, the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably a group having 5 to 10 carbon atoms, and the aromatic hydrocarbon group is preferably a group having 6 to 10 carbon atoms. The alkoxy group preferably has 1 to 6 carbon atoms Alkoxy group.

o 는 0 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.and o represents an integer of 0 to 3.

방향족 아민 (C2) 로는, 1-나프틸아민 및 2-나프틸아민을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine (C2) include 1-naphthylamine and 2-naphthylamine.

아닐린 (C2-1) 로는, 아닐린, 디이소프로필아닐린, 2-, 3- 또는 4-메틸아닐린, 4-니트로아닐린, N-메틸아닐린, N,N-디메틸아닐린 및 디페닐아민을 들 수 있다. 이들 중에서도 디이소프로필아닐린 (특히 2,6-디이소프로필아닐린) 이 바람직하다.Examples of the aniline (C2-1) include aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N-dimethylaniline and diphenylamine . Among them, diisopropylaniline (especially 2,6-diisopropylaniline) is preferable.

또한, 염기성 화합물로는, 식 (C3) ∼ 식 (C11) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다.Examples of the basic compound include compounds represented by formulas (C3) to (C11).

Figure 112011057596862-pat00102
Figure 112011057596862-pat00102

식 (C3) ∼ 식 (C11) 중, Among the formulas (C3) to (C11)

T1, T2, T3 및 o 는 상기와 동일한 의미이다.T 1 , T 2 , T 3 and o are the same as above.

T4 는 지방족 탄화수소기, 포화 고리형 탄화수소기 또는 알카노일기를 나타낸다.T 4 represents an aliphatic hydrocarbon group, a saturated cyclic hydrocarbon group or an alkanoyl group.

지방족 탄화수소기는 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 6 의 기이고, 포화 고리형 탄화수소기는 바람직하게는 탄소수 3 ∼ 6 의 기이고, 알카노일기는 바람직하게는 탄소수 2 ∼ 6 의 기이다.The aliphatic hydrocarbon group is preferably a group having 1 to 6 carbon atoms, the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably a group having 3 to 6 carbon atoms, and the alkanoyl group is preferably a group having 2 to 6 carbon atoms.

u 는 0 ∼ 8 의 정수를 나타낸다.u represents an integer of 0 to 8;

A 는 각각 독립적으로, 2 가의 지방족 탄화수소기 (바람직하게는 알킬렌기), -CO-, -C(=NH)-, -C(=NR34)-, -S-, -S-S- 또는 이들의 조합을 나타낸다.A is each independently, a divalent aliphatic hydrocarbon group (preferably an alkylene group), -CO-, -C (= NH ) -, -C (= NR 34) -, -S-, -SS- , or their Combination.

2 가의 지방족 탄화수소기는, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 6 의 기이다.The divalent aliphatic hydrocarbon group is preferably a group having 1 to 6 carbon atoms.

R34 는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.R 34 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

여기서 알카노일기로는, 아세틸기, 에틸카르보닐기 및 헵틸카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the alkanoyl group include an acetyl group, an ethylcarbonyl group and a heptylcarbonyl group.

화합물 (C3) 으로는, 헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 디부틸아민, 디펜틸아민, 디헥실아민, 디헵틸아민, 디옥틸아민, 디노닐아민, 디데실아민, 트리에틸아민, 트리메틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 트리헥실아민, 트리헵틸아민, 트리옥틸아민, 트리노닐아민, 트리데실아민, 메틸디부틸아민, 메틸디펜틸아민, 메틸디헥실아민, 메틸디시클로헥실아민, 메틸디헵틸아민, 메틸디옥틸아민, 메틸디노닐아민, 메틸디데실아민, 에틸디부틸아민, 에틸디펜틸아민, 에틸디헥실아민, 에틸디헵틸아민, 에틸디옥틸아민, 에틸디노닐아민, 에틸디데실아민, 디시클로헥실메틸아민, 트리스〔2-(2-메톡시에톡시)에틸〕아민, 트리이소프로판올아민에틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 4,4'-디아미노-1,2-디페닐에탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄 및 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸디페닐메탄을 들 수 있다.Examples of the compound (C3) include hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, But are not limited to, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tripentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyl There may be mentioned aliphatic amines such as dihexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldodecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, tetramethylenediamine, tetramethylenediamine, , 4,4'-diamino-1,2-diphenylethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane and 4,4'-diamino-3,3'-diethyldiphenylmethane.

화합물 (C4) 로는, 피페라진을 들 수 있다.As the compound (C4), piperazine can be mentioned.

화합물 (C5) 로는, 모르폴린을 들 수 있다.As the compound (C5), morpholine can be mentioned.

화합물 (C6) 으로는, 피페리딘 및 일본 공개특허공보 평11-52575호에 기재되어 있는 피페리딘 골격을 갖는 힌더드아민 화합물을 들 수 있다.Examples of the compound (C6) include piperidine and a hindered amine compound having a piperidine skeleton described in JP-A-11-52575.

화합물 (C7) 로는, 2,2'-메틸렌비스아닐린을 들 수 있다.Examples of the compound (C7) include 2,2'-methylenebis aniline.

화합물 (C8) 로는, 이미다졸 및 4-메틸이미다졸을 들 수 있다.Examples of the compound (C8) include imidazole and 4-methylimidazole.

화합물 (C9) 로는, 피리딘 및 4-메틸피리딘을 들 수 있다.Examples of the compound (C9) include pyridine and 4-methylpyridine.

화합물 (C10) 으로는, 1,2-디(2-피리딜)에탄, 1,2-디(4-피리딜)에탄, 1,2-디(2-피리딜)에텐, 1,2-디(4-피리딜)에텐, 1,3-디(4-피리딜)프로판, 1,2-디(4-피리딜옥시)에탄, 디(2-피리딜)케톤, 4,4'-디피리딜술파이드, 4,4'-디피리딜디술파이드, 2,2'-디피리딜아민 및 2,2'-디피콜릴아민을 들 수 있다.Examples of the compound (C10) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) Di (4-pyridyl) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4'- Dipyridyl sulfide, 4,4'-dipyridyl disulfide, 2,2'-dipyridyl amine and 2,2'-dipicolyl amine.

화합물 (C11) 로는, 비피리딘을 들 수 있다.Examples of the compound (C11) include bipyridine.

암모늄염으로는, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라이소프로필암모늄하이드록사이드, 테트라부틸암모늄하이드록사이드, 테트라헥실암모늄하이드록사이드, 테트라옥틸암모늄하이드록사이드, 페닐트리메틸암모늄하이드록사이드, 3-(트리플루오로메틸)페닐트리메틸암모늄하이드록사이드, 테트라-n-부틸암모늄살리실레이트 및 콜린을 들 수 있다.Examples of the ammonium salt include tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- ( Trifluoromethyl) phenyltrimethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate and choline.

<용제> <Solvent>

본 발명의 포토레지스트 조성물은, 용제를 포토레지스트 조성물 중 90 질량% 이상의 양으로 함유하고 있어도 된다. 용제를 함유하는 본 발명의 포토레지스트 조성물은 박막 포토레지스트를 제조하기 위해서 적합하다. 용제의 함유율은, 조성물 중 90 질량% 이상 (바람직하게는 92 질량% 이상, 보다 바람직하게는 94 질량% 이상), 99.9 질량% 이하 (바람직하게는 99 질량% 이하) 이다. 용제의 함유율은, 예를 들어 액체 크로마토그래피 또는 가스 크로마토그래피 등의 공지된 분석 수단에 의해 측정할 수 있다.The photoresist composition of the present invention may contain a solvent in an amount of 90 mass% or more in the photoresist composition. The photoresist composition of the present invention containing a solvent is suitable for producing a thin film photoresist. The content of the solvent is 90 mass% or more (preferably 92 mass% or more, and more preferably 94 mass% or more) and 99.9 mass% or less (preferably 99 mass% or less) in the composition. The content of the solvent can be measured by a known analytical means such as liquid chromatography or gas chromatography.

용제로는, 에틸셀로솔브아세테이트, 메틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 글리콜에테르에스테르 ; 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 글리콜에테르 ; 락트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산아밀, 피루브산에틸 등의 사슬형 에스테르 ; 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵타논, 시클로헥사논 등의 케톤 ; γ-부티로락톤 등의 고리형 에스테르 ; 를 들 수 있다. 용제는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.Examples of the solvent include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; Glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; Chain esters such as ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and ethyl pyruvate; Ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, and cyclohexanone; cyclic esters such as? -butyrolactone; . The solvent may be used alone, or two or more solvents may be used in combination.

<그 밖의 성분> &Lt; Other components >

본 발명의 포토레지스트 조성물은, 필요에 따라서 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다. 이러한 그 밖의 성분에 한정은 없고, 포토레지스트 분야에서 공지된 첨가제, 예를 들어, 증감제, 용해 억지제, 계면 활성제, 안정제, 염료 등을 이용할 수 있다.The photoresist composition of the present invention may contain other components as required. Such other components are not limited, and additives known in the photoresist field can be used, for example, a sensitizer, a dissolution inhibiting agent, a surfactant, a stabilizer, a dye and the like.

<포토레지스트 조성물 및 그 조제 방법> &Lt; Photoresist composition and preparation method thereof >

본 발명의 포토레지스트 조성물은, 수지 (A), 본 발명의 산발생제 및 용제를 혼합함으로써, 또는, 수지 (A), 본 발명의 산발생제, 염기성 화합물 및 용제를 혼합함으로써 조제할 수 있다. 이러한 혼합에 있어서, 그 혼합 순서는 임의이며, 한정되는 것은 아니다. 혼합 온도는, 예를 들어, 10 ∼ 40 ℃ 의 범위에서, 수지 (A) 등의 종류나 수지 (A) 등의 용제에 대한 용해도 등에 따라서 적절한 온도 범위를 선택할 수 있다. 혼합 시간은 혼합 온도에 따라서 0.5 ∼ 24 시간 중에서 적절한 시간을 선택할 수 있다. 또한, 혼합 수단도 특별히 제한되지 않고, 교반 혼합 등을 사용할 수 있다.The photoresist composition of the present invention can be prepared by mixing the resin (A), the acid generator and the solvent of the present invention, or by mixing the resin (A), the acid generator of the present invention, a basic compound and a solvent . In such a mixing, the order of mixing is arbitrary and not limited. An appropriate temperature range can be selected depending on the kind of the resin (A) and the like, the solubility in a solvent such as the resin (A), etc., in the range of, for example, 10 to 40 캜. The mixing time can be selected from 0.5 to 24 hours, depending on the mixing temperature. The mixing means is not particularly limited, and stirring mixing or the like may be used.

예를 들어, 수지 (A), 본 발명의 산발생제 및 용제, 그리고 필요에 따라서 사용되는 염기성 화합물 또는 그 밖의 성분의 각각을 바람직한 함유량으로 혼합한 후, 공경 (孔徑) 0.2 ㎛ 정도의 필터를 사용하여 얻어진 혼합액을 여과함으로써, 본 발명의 포토레지스트 조성물을 조제할 수 있다.For example, the resin (A), the acid generator and the solvent of the present invention, and the basic compound or other components to be used, if necessary, are each mixed in a desired amount, and then a filter having a pore diameter of about 0.2 탆 The obtained mixed solution is filtered to prepare the photoresist composition of the present invention.

<포토레지스트 패턴의 제조 방법> &Lt; Method for producing photoresist pattern >

본 발명의 포토레지스트 패턴의 제조 방법은, The method for producing a photoresist pattern of the present invention comprises:

(1) 상기 서술한 본 발명의 포토레지스트 조성물을 기판 상에 도포하여, 포토레지스트 조성물층을 형성하는 공정, (1) a step of applying the above-mentioned photoresist composition of the present invention onto a substrate to form a photoresist composition layer,

(2) 형성된 포토레지스트 조성물층을 건조시켜 포토레지스트막을 형성하는 공정, (2) a step of drying the formed photoresist composition layer to form a photoresist film,

(3) 포토레지스트막을 노광하는 공정, (3) a step of exposing the photoresist film,

(4) 노광 후의 포토레지스트막을 가열하는 공정, 및 (4) a step of heating the photoresist film after exposure, and

(5) 가열 후의 포토레지스트막을 현상하는 공정을 포함한다.(5) a step of developing the photoresist film after heating.

포토레지스트 조성물을 기체 상에 도포하는 것은 스핀 코터 등, 통상 사용되는 장치에 의해서 실시할 수 있다.The photoresist composition may be applied on a substrate by a commonly used apparatus such as a spin coater.

포토레지스트 조성물층을 건조시켜 용제를 제거하는 공정에 있어서, 용제의 제거는, 예를 들어 핫플레이트 등의 가열 장치를 사용하여 용제를 증발시킴으로써 실시되거나, 또는 감압 장치를 사용해서 실시되어, 용제가 제거된 포토레지스트막이 형성된다. 건조 온도는, 50 ∼ 200 ℃ 정도를 들 수 있다. 또한, 압력은 1 ∼ 1.0 × 105 Pa 정도를 들 수 있다.In the step of drying the photoresist composition layer to remove the solvent, the removal of the solvent may be carried out, for example, by evaporating the solvent using a heating apparatus such as a hot plate, or by using a decompression apparatus, The removed photoresist film is formed. The drying temperature may be about 50 to 200 占 폚. The pressure may be about 1 to 1.0 x 10 &lt; 5 &gt; Pa.

얻어진 포토레지스트막은 노광기를 사용하여 노광된다. 이 때, 액침 노광기를 사용해도 된다. 통상적으로 요구되는 포토레지스트 패턴에 상당하는 마스크를 개재하여 노광이 이루어진다. 노광 광원으로는, KrF 엑시머레이저 (파장 248 ㎚), ArF 엑시머레이저 (파장 193 ㎚), F2 레이저 (파장 157 ㎚) 와 같은 자외역의 레이저광을 방사하는 것, 고체 레이저 광원 (YAG 또는 반도체 레이저 등) 으로부터의 레이저광을 파장 변환하여 원자외역 또는 진공자외역의 고조파 레이저광을 방사하는 것, 전자선 (EB), 극단자외광 (EUV) 등, 여러가지 것을 사용할 수 있다.The obtained photoresist film is exposed using an exposure machine. At this time, a liquid immersion exposure apparatus may be used. Exposure is usually performed through a mask corresponding to the required photoresist pattern. Examples of the exposure light source include those emitting ultraviolet laser light such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 laser (wavelength 157 nm), solid laser light source Laser, or the like) to radiate a harmonic laser beam in an atomic or vacuum ultraviolet region, an electron beam (EB), extreme ultraviolet light (EUV), or the like.

노광 후의 포토레지스트막은 가열된다. 가열 온도로는, 통상 50 ∼ 200 ℃ 정도, 바람직하게는 70 ∼ 150 ℃ 정도이다.The exposed photoresist film is heated. The heating temperature is usually about 50 to 200 占 폚, preferably about 70 to 150 占 폚.

가열 후의 포토레지스트막을, 임의로 현상 장치를 사용하여 통상 알칼리 현상액을 이용해서 현상한다. 여기서 사용되는 알칼리 현상액은, 이 분야에서 사용되는 각종 알칼리성 수용액이면 된다. 예를 들어, 테트라메틸암모늄하이드록사이드나 (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄하이드록사이드 (통칭 콜린) 의 수용액 등을 들 수 있다.The photoresist film after heating is usually developed using an alkaline developer, optionally using a developing apparatus. The alkaline developer used herein may be any of various alkaline aqueous solutions used in this field. For example, an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide or (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly referred to as choline) may, for example, be mentioned.

현상 후, 초순수로 린스하고, 기판 및 패턴 상에 남은 물을 제거하는 것이 바람직하다.After development, it is preferable to rinse with ultrapure water to remove the water remaining on the substrate and the pattern.

<용도> <Applications>

본 발명의 포토레지스트 조성물은, 특히 화학 증폭형 포토레지스트 조성물로서 유용하고, 반도체의 미세 가공, 액정, 서멀 헤드 등의 회로 기판의 제조, 나아가 그 밖의 포토패브리케이션 공정 등, 광범위한 용도에 바람직하게 이용할 수 있다. 특히, 결함의 발생을 억제할 수 있으며, 또한 얻어지는 패턴의 해상도, 형상 및 라인 에지 러프니스를 보다 개선시킬 수 있는 점에서, ArF 나 KrF 등의 엑시머레이저 리소그래피 그리고 ArF 액침 노광 리소그래피, EB 노광 리소그래피, EUV 노광 리소그래피에 적합한 화학 증폭형 포토레지스트 조성물로서 사용할 수 있다. 또한, 액침 노광 외에, 드라이 노광 등에도 사용할 수 있다.The photoresist composition of the present invention is particularly useful as a chemically amplified photoresist composition and is suitably used in a wide range of applications such as microfabrication of semiconductors, production of circuit boards such as liquid crystal, thermal heads, and other photofabrication processes . Particularly, excimer laser lithography such as ArF and KrF and ArF liquid immersion lithography, EB lithography, and electron beam lithography, which can suppress the occurrence of defects and further improve the resolution, shape and line edge roughness of the obtained pattern, Can be used as a chemically amplified photoresist composition suitable for EUV exposure lithography. In addition to immersion exposure, it can also be used in dry exposure.

[실시예] [Example]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples.

실시예 및 비교예 중, 함유량 및 사용량을 나타내는 % 및 부는 특별한 기재가 없는 한 질량 기준이다.In Examples and Comparative Examples,% and parts indicating the content and amount are based on mass unless otherwise specified.

이하의 실시예에 있어서, 화합물의 구조는 질량 분석 (LC : Agilent 제 1100 형, MASS : Agilent 제 LC/MSD 형 또는 LC/MSD TOF 형) 에 의해 확인하였다.In the following examples, the structure of the compound was confirmed by mass analysis (LC: Agilent Model 1100, MASS: Agilent LC / MSD type or LC / MSD TOF type).

중량 평균 분자량은, 폴리스티렌을 표준품으로 하여, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (토소 주식회사 제조 HLC-8120GPC 형, 칼럼은 "TSKgel Multipore HXL-M" 3 개, 용매는 테트라하이드로푸란) 에 의해 구한 값이다.The weight average molecular weight is a value obtained by gel permeation chromatography (HLC-8120GPC type, manufactured by TOSO CORPORATION, column: "TSKgel Multipore HXL-M", three solvents, tetrahydrofuran) using polystyrene as a standard product.

칼럼 : TSKgel Multipore HXL-Mx3+guardcolumn (토소사 제조) Column: TSKgel Multipore H XL -Mx3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)

용리액 : 테트라하이드로푸란Eluent: tetrahydrofuran

유량 : 1.0 mL/min Flow rate: 1.0 mL / min

검출기 : RI 검출기Detector: RI detector

칼럼 온도 : 40 ℃ Column temperature: 40 DEG C

주입량 : 100 ㎕Injection volume: 100 μl

분자량 표준 : 표준 폴리스티렌 (토소사 제조) Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

<실시예 1 : 식 (B1) 로 나타내는 염의 합성> Example 1: Synthesis of salt represented by formula (B1)

Figure 112011057596862-pat00103
Figure 112011057596862-pat00103

식 (B1-a) 로 나타내는 화합물 10.60 부, 트리에틸아민 26.78 부 및 아세톤 53.00 부를 혼합하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 식 (B1-b) 로 나타내는 화합물 7.18 부를 30 분에 걸쳐 적하하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 12 시간 교반한 후, 아세트산에틸 159 부 및 이온 교환수 212 부를 첨가 교반 후, 분액하였다. 얻어진 유기층에 10 % 수산화나트륨 수용액 70.67 부를 투입하고, 교반 후, 분액하였다. 이 알칼리 세정을 3 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 5 % 옥살산 수용액 70.67 부를 투입하고, 교반 후, 분액하였다. 이 산 세정을 3 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 이온 교환수 70.67 부를 투입하고, 교반 후, 분액하였다. 이 물 세정을 3 회 실시하였다. 얻어진 유기층을 농축하여, 식 (B1-c) 로 나타내는 화합물 13.54 부를 얻었다.10.60 parts of the compound represented by the formula (B1-a), 26.78 parts of triethylamine and 53.00 parts of acetone were mixed. After the resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes, 7.18 parts of the compound represented by the formula (B1-b) was added dropwise over 30 minutes. The resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 12 hours, 159 parts of ethyl acetate and 212 parts of ion-exchanged water were added and stirred, followed by liquid separation. 70.67 parts of a 10% sodium hydroxide aqueous solution was added to the obtained organic layer, followed by stirring and separating. This alkaline washing was carried out three times. 70.67 parts of a 5% oxalic acid aqueous solution was added to the obtained organic layer, and the mixture was stirred and separated. This acid cleaning was carried out three times. 70.67 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, followed by stirring and separating. This water washing was carried out three times. The obtained organic layer was concentrated to obtain 13.54 parts of a compound represented by the formula (B1-c).

Figure 112011057596862-pat00104
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식 (B1-c) 로 나타내는 화합물 13.54 부, 트리에틸아민 12.87 부 및 디클로로에탄 67.70 부를 혼합하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반하고, 그 후, 0 ℃ 로 냉각하였다. 그 혼합물에, 식 (B1-d) 로 나타내는 화합물 7.68 부를 30 분에 걸쳐 적하하였다. 얻어진 혼합물을 0 ℃ 에서 1 시간 교반한 후, 23 ℃ 까지 승온시켜, 10 % 탄산수소나트륨 수용액 67.70 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 알칼리 세정을 3 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 5 % 옥살산 수용액 67.70 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 얻어진 유기층에 이온 교환수 67.70 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 물 세정을 5 회 실시하였다. 얻어진 유기층을 농축하여, 식 (B1-e) 로 나타내는 화합물 14.12 부를 얻었다.13.54 parts of the compound represented by the formula (B1-c), 12.87 parts of triethylamine and 67.70 parts of dichloroethane were mixed. The resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes and then cooled to 0 占 폚. 7.68 parts of the compound represented by the formula (B1-d) was added dropwise to the mixture over 30 minutes. The resulting mixture was stirred at 0 占 폚 for 1 hour, then heated to 23 占 폚, and 67.70 parts of a 10% aqueous sodium hydrogencarbonate solution was added, stirred and separated. This alkaline washing was carried out three times. To the obtained organic layer, 67.70 parts of a 5% oxalic acid aqueous solution was added, stirred, and liquid separated. 67.70 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, followed by stirring and separating. This water washing was carried out five times. The obtained organic layer was concentrated to obtain 14.12 parts of a compound represented by the formula (B1-e).

Figure 112011057596862-pat00105
Figure 112011057596862-pat00105

식 (B1-e) 로 나타내는 화합물 13.54 부 및 아세토니트릴 70.60 부를 혼합하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 70 ℃ 로 승온시켜, 70 ℃ 에서 12 시간 교반하였다. 얻어진 반응 혼합물을 23 ℃ 로 냉각한 후, 이온 교환수 70.60 부를 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 농축하였다. 얻어진 농축물에 tert-부틸메틸에테르 23.53 부를 첨가하여, 23 ℃ 에서 30 분간 교반하고, 분액하여, 식 (B1-f) 로 나타내는 염을 함유하는 수층을 얻었다. 식 (B1-f) 로 나타내는 염을 함유하는 수층에, 식 (B1-g) 로 나타내는 화합물 7.89 부 및 클로로포름 78.85 부를 첨가하여, 23 ℃ 에서 5 시간 교반하고, 분액하였다. 얻어진 유기층에 이온 교환수 23.63 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 물 세정을 5 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 활성탄 0.78 부를 투입하여, 23 ℃ 에서 30 분간 교반하고, 여과하였다. 얻어진 여과액을 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세토니트릴 4.26 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하였다. 얻어진 잔류물에 tert-부틸메틸에테르 10.08 부를 첨가하여 교반하고, 상청액을 제거한 후, 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세토니트릴 2.57 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하였다. 얻어진 잔류물에 tert-부틸메틸에테르 38.55 부를 첨가하여 교반하고, 상청액을 제거하여, 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세토니트릴 2.08 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하여, 식 (B1) 로 나타내는 염 2.37 부를 얻었다.13.54 parts of the compound represented by the formula (B1-e) and 70.60 parts of acetonitrile were mixed. The resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes, then heated to 70 占 폚, and stirred at 70 占 폚 for 12 hours. After the obtained reaction mixture was cooled to 23 캜, 70.60 parts of ion-exchanged water was added. The resulting mixture was stirred at 23 DEG C for 30 minutes and then concentrated. To the obtained concentrate, 23.53 parts of tert-butyl methyl ether was added, and the mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes and separated to obtain an aqueous layer containing a salt represented by the formula (B1-f). 7.89 parts of the compound represented by the formula (B1-g) and 78.85 parts of chloroform were added to the aqueous layer containing the salt represented by the formula (B1-f) and stirred at 23 占 폚 for 5 hours. 23.63 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, followed by stirring and separating. This water washing was carried out five times. 0.78 parts of activated carbon was added to the obtained organic layer, stirred at 23 ° C for 30 minutes, and filtered. The resulting filtrate was concentrated. To the resulting concentrate was added 4.26 parts of acetonitrile, and the resulting solution was concentrated. To the obtained residue, 10.08 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed and then concentrated. To the resulting concentrate was added 2.57 parts of acetonitrile, and the resulting solution was concentrated. To the obtained residue, 38.55 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed and concentrated. To the obtained concentrate, 2.08 parts of acetonitrile was added and the resulting solution was concentrated to obtain 2.37 parts of a salt represented by the formula (B1).

MS(ESI(+)Spectrum) : M 215.1MS (ESI (+) Spectrum): M + 215.1

MS(ESI(-)Spectrum) : M 323.0 MS (ESI (-) Spectrum): M - 323.0

<실시예 2 : 식 (B2) 로 나타내는 염의 합성> Example 2: Synthesis of salt represented by formula (B2)

Figure 112011057596862-pat00106
Figure 112011057596862-pat00106

식 (B2-a) 로 나타내는 화합물 15.37 부, 트리에틸아민 26.78 부 및 아세톤65.00 부를 혼합하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 식 (B1-b) 로 나타내는 화합물 7.18 부를 30 분에 걸쳐 적하하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 12 시간 교반한 후, 아세트산에틸 159 부 및 이온 교환수 220 부를 첨가 교반하고, 분액하였다. 얻어진 유기층에 10 % 수산화나트륨 수용액 77.87 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 알칼리 세정을 3 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 5 % 옥살산 수용액 77.87 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 산 세정을 3 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 이온 교환수 77.87 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 물 세정을 3 회 실시하였다. 얻어진 유기층을 농축하여, 식 (B2-c) 로 나타내는 화합물 17.89 부를 얻었다.15.37 parts of the compound represented by the formula (B2-a), 26.78 parts of triethylamine and 65.00 parts of acetone were mixed. After the resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes, 7.18 parts of the compound represented by the formula (B1-b) was added dropwise over 30 minutes. The resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 12 hours, 159 parts of ethyl acetate and 220 parts of ion-exchanged water were added and stirred, followed by liquid separation. 77.87 parts of a 10% sodium hydroxide aqueous solution was added to the obtained organic layer, followed by stirring and separating. This alkaline washing was carried out three times. 77.87 parts of 5% oxalic acid aqueous solution was added to the obtained organic layer, followed by stirring and separating. This acid cleaning was carried out three times. 77.87 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, followed by stirring and separating. This water washing was carried out three times. The obtained organic layer was concentrated to obtain 17.89 parts of a compound represented by the formula (B2-c).

Figure 112011057596862-pat00107
Figure 112011057596862-pat00107

식 (B2-c) 로 나타내는 화합물 17.74 부, 트리에틸아민 12.87 부 및 디클로로에탄 80.00 부를 혼합하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 0 ℃ 로 냉각하였다. 그 혼합물에, 식 (B1-d) 로 나타내는 화합물 7.68 부를 30 분에 걸쳐 적하하였다. 얻어진 혼합물을 0 ℃ 에서 1 시간 교반한 후, 23 ℃ 까지 승온시켜, 10 % 탄산수소나트륨 수용액 67.70 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 알칼리 세정을 3 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 5 % 옥살산 수용액 80.00 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 얻어진 유기층에 이온 교환수 80.00 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 물 세정을 3 회 실시하였다. 얻어진 유기층을 농축하여, 식 (B2-e) 로 나타내는 화합물 17.89 부를 얻었다.17.74 parts of the compound represented by the formula (B2-c), 12.87 parts of triethylamine and 80.00 parts of dichloroethane were mixed. The resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes and then cooled to 0 占 폚. 7.68 parts of the compound represented by the formula (B1-d) was added dropwise to the mixture over 30 minutes. The resulting mixture was stirred at 0 占 폚 for 1 hour, then heated to 23 占 폚, and 67.70 parts of a 10% aqueous sodium hydrogencarbonate solution was added, stirred and separated. This alkaline washing was carried out three times. 80.00 parts of 5% oxalic acid aqueous solution was added to the obtained organic layer, stirred, and separated. 80.00 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, and the mixture was stirred and separated. This water washing was carried out three times. The obtained organic layer was concentrated to obtain 17.89 parts of a compound represented by the formula (B2-e).

Figure 112011057596862-pat00108
Figure 112011057596862-pat00108

식 (B2-e) 로 나타내는 화합물 16.69 부 및 아세토니트릴 75.00 부를 혼합하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 70 ℃ 로 승온시켜, 70 ℃ 에서 12 시간 교반하였다. 얻어진 반응 혼합물을 23 ℃ 로 냉각한 후, 이온 교환수 75.00 부를 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 농축하였다. 얻어진 농축물에 tert-부틸메틸에테르 25.48 부를 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 분액하여, 식 (B2-f) 로 나타내는 염을 함유하는 수층을 얻었다. 식 (B2-f) 로 나타내는 염을 함유하는 수층에, 식 (B2-g) 로 나타내는 화합물 8.26 부 및 클로로포름 80.00 부를 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 5 시간 교반한 후, 분액하였다. 얻어진 유기층에 이온 교환수 25.00 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 물 세정을 8 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 활성탄 0.50 부를 투입하여, 23 ℃ 에서 30 분간 교반하고, 여과하였다. 얻어진 여과액을 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세토니트릴 3.50 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하였다. 얻어진 잔류물에 tert-부틸메틸에테르 8.72 부를 첨가하여 교반하고, 상청액을 제거하여, 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세토니트릴 2.20 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하였다. 얻어진 잔류물에 tert-부틸메틸에테르 32.80 부를 첨가하여 교반하고, 상청액을 제거하여, 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세토니트릴 2.00 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하여, 식 (B2) 로 나타내는 염 1.18 부를 얻었다.16.69 parts of the compound represented by the formula (B2-e) and 75.00 parts of acetonitrile were mixed. The resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes, then heated to 70 占 폚, and stirred at 70 占 폚 for 12 hours. After the obtained reaction mixture was cooled to 23 캜, 75.00 parts of ion-exchanged water was added. The resulting mixture was stirred at 23 DEG C for 30 minutes and then concentrated. To the resulting concentrate, 25.48 parts of tert-butyl methyl ether was added. The resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes and then separated to obtain an aqueous layer containing a salt represented by the formula (B2-f). To the water layer containing the salt represented by the formula (B2-f), 8.26 parts of the compound represented by the formula (B2-g) and 80.00 parts of chloroform were added. The resultant mixture was stirred at 23 占 폚 for 5 hours and separated. 25.00 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, stirred, and liquid separated. This water rinse was performed eight times. 0.50 parts of activated carbon was added to the obtained organic layer, stirred at 23 ° C for 30 minutes, and filtered. The resulting filtrate was concentrated. To the obtained concentrate, 3.50 parts of acetonitrile was added, and the resulting solution was concentrated. To the obtained residue, 8.72 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed and concentrated. To the obtained concentrate, 2.20 parts of acetonitrile was added, and the resulting solution was concentrated. To the obtained residue, 32.80 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed and concentrated. To the obtained concentrate, 2.00 parts of acetonitrile was added, and the obtained solution was concentrated to obtain 1.18 parts of a salt represented by the formula (B2).

MS(ESI(+)Spectrum) : M 287.2MS (ESI (+) Spectrum): M + 287.2

MS(ESI(-)Spectrum) : M 339.1 MS (ESI (-) Spectrum): M - 339.1

<실시예 3 : 식 (B2) 로 나타내는 염의 합성> Example 3: Synthesis of salt represented by formula (B2)

Figure 112011057596862-pat00109
Figure 112011057596862-pat00109

식 (B2-a) 로 나타내는 화합물 18.72 부, 식 (B2-b) 로 나타내는 화합물 23.90 부, 탄산칼륨 17.95 부 및 아세톤 93.62 부를 혼합하였다. 얻어진 혼합물을 55 ℃ 에서 22 시간 환류한 후, 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세트산에틸 119.36 부 및 10 % 수산화나트륨 수용액 35.81 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 알칼리 세정을 2 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 이온 교환수 35.81 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 물 세정을 4 회 실시하였다. 얻어진 유기층을 농축하고, 얻어진 농축물을 칼럼 (머크사 제조 실리카겔 60-200 메시 전개 용매 : 헵탄) 분취함으로써, 식 (B2-c) 로 나타내는 화합물 17.04 부를 얻었다.18.72 parts of the compound represented by the formula (B2-a), 23.90 parts of the compound represented by the formula (B2-b), 17.95 parts of potassium carbonate and 93.62 parts of acetone were mixed. The resulting mixture was refluxed at 55 캜 for 22 hours and then concentrated. 119.36 parts of ethyl acetate and 35.81 parts of 10% aqueous sodium hydroxide solution were added to the resulting concentrate, stirred, and liquid separated. This alkaline washing was carried out twice. 35.81 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, followed by stirring and separating. This water washing was carried out four times. The resulting organic layer was concentrated, and the obtained concentrate was collected by column (silica gel, 60-200 mesh developing solvent: heptane, Merck) to obtain 17.04 parts of a compound represented by the formula (B2-c).

Figure 112011057596862-pat00110
Figure 112011057596862-pat00110

메탄술폰산 32.29 부에 5산화2인 3.23 부를 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반하였다. 얻어진 혼합물에, 식 (B2-c) 로 나타내는 화합물 13.02 부를 투입하였다. 얻어진 혼합물을 0 ℃ 로 냉각한 후, 식 (B2-d) 로 나타내는 화합물 7.79 부를 30 분에 걸쳐 적하하였다. 얻어진 혼합물을 0 ℃ 에서 1 시간 교반한 후, 이온 교환수 335.50 부를 투입하고, 그 후, 28 % 암모니아수 23.57 부를 첨가하여 중화하였다. 얻어진 반응 혼합물에, tert-부틸메틸에테르 100.65 부를 첨가하여 교반하고, 분액하였다. 이 세정을 3 회 실시하여, 식 (B2-e) 로 나타내는 염을 함유하는 수층을 얻었다. 식 (B2-e) 로 나타내는 염을 함유하는 수층에, 식 (B2-f) 로 나타내는 화합물 11.80 부 및 클로로포름 353.24 부를 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 12 시간 교반하고, 분액하였다. 얻어진 유기층에 이온 교환수 105.97 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 물 세정을 6 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 활성탄 3.40 부를 투입하여, 23 ℃ 에서 30 분간 교반하고, 여과하여 여과액을 농축하였다. 얻어진 잔류물에 tert-부틸메틸에테르 82.30 부를 첨가하여 교반하고, 상청액을 제거하여 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세토니트릴 30 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하였다. 얻어진 잔류물에 tert-부틸메틸에테르 59.85 부를 첨가하여 교반하고, 상청액을 제거하여, 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세토니트릴 10 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하여, 식 (B2) 로 나타내는 염 14.98 부를 얻었다.To 3.2.29 parts of methanesulfonic acid was added 3.23 parts of 2-pentoxide. The resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes. To the obtained mixture, 13.02 parts of the compound represented by the formula (B2-c) was added. After the obtained mixture was cooled to 0 占 폚, 7.79 parts of the compound represented by the formula (B2-d) was added dropwise over 30 minutes. The resulting mixture was stirred at 0 占 폚 for 1 hour, 335.50 parts of ion-exchanged water was added, and then 23.57 parts of 28% ammonia water was added to neutralize the mixture. To the obtained reaction mixture, 100.65 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, followed by liquid separation. This washing was carried out three times to obtain an aqueous layer containing a salt represented by the formula (B2-e). To the water layer containing the salt represented by the formula (B2-e), 11.80 parts of the compound represented by the formula (B2-f) and 353.24 parts of chloroform were added. The resultant mixture was stirred at 23 占 폚 for 12 hours and separated. 105.97 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, stirred, and liquid separated. This water washing was carried out six times. 3.40 parts of activated carbon was added to the obtained organic layer, stirred at 23 DEG C for 30 minutes, filtered and the filtrate was concentrated. To the obtained residue, 82.30 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed and concentrated. 30 parts of acetonitrile was added to the resulting concentrate, and the resulting solution was concentrated. To the obtained residue, 59.85 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed and concentrated. 10 parts of acetonitrile was added to the obtained concentrate, and the obtained solution was concentrated to obtain 14.98 parts of a salt represented by the formula (B2).

MS(ESI(+)Spectrum) : M 287.2MS (ESI (+) Spectrum): M + 287.2

MS(ESI(-)Spectrum) : M 339.1 MS (ESI (-) Spectrum): M - 339.1

<실시예 4 : 식 (B3) 으로 나타내는 염의 합성>Example 4: Synthesis of salt represented by formula (B3)

Figure 112011057596862-pat00111
Figure 112011057596862-pat00111

식 (B3-a) 로 나타내는 화합물 5.00 부, 트리에틸아민 12.63 부 및 아세톤16.00 부를 혼합하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 식 (B3-b) 로 나타내는 화합물 3.83 부를 30 분에 걸쳐 적하하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 12 시간 교반한 후, 아세트산에틸 45 부 및 이온 교환수 60 부를 첨가, 교반하여 분액하였다. 얻어진 유기층에, 10 % 수산화나트륨 수용액 20 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 얻어진 유기층에 5 % 옥살산 수용액 20 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 산 세정을 3 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 이온 교환수 20 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 물 세정을 3 회 실시하였다. 얻어진 유기층을 농축하여, 식 (B3-c) 로 나타내는 화합물 7.76 부를 얻었다.5.00 parts of the compound represented by the formula (B3-a), 12.63 parts of triethylamine and 16.00 parts of acetone were mixed. The resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes, and 3.83 parts of the compound represented by the formula (B3-b) was added dropwise over 30 minutes. The resultant mixture was stirred at 23 占 폚 for 12 hours, 45 parts of ethyl acetate and 60 parts of ion-exchanged water were added and the mixture was separated by stirring. 20 parts of a 10% aqueous solution of sodium hydroxide was added to the obtained organic layer, followed by stirring and separating. 20 parts of 5% oxalic acid aqueous solution was added to the obtained organic layer, stirred, and liquid separated. This acid cleaning was carried out three times. 20 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, stirred, and liquid separation was performed. This water washing was carried out three times. The obtained organic layer was concentrated to obtain 7.76 parts of a compound represented by the formula (B3-c).

Figure 112011057596862-pat00112
Figure 112011057596862-pat00112

식 (B3-c) 로 나타내는 화합물 7.50 부, 트리에틸아민 6.78 부 및 디클로로에탄 37.50 부를 혼합하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 0 ℃ 로 냉각하여, 식 (B3-d) 로 나타내는 화합물 4.01 부를 30 분에 걸쳐 적하하였다. 얻어진 혼합물을 0 ℃ 에서 1 시간 교반한 후, 23 ℃ 까지 승온시켜, 10 % 탄산수소나트륨 수용액 37.50 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 알칼리 세정을 3 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 5 % 옥살산 수용액 37.50 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 얻어진 유기층에 이온 교환수 37.50 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 물 세정을 5 회 실시하였다. 얻어진 유기층을 농축하여, 식 (B3-e) 로 나타내는 화합물 8.63 부를 얻었다.7.50 parts of the compound represented by the formula (B3-c), 6.78 parts of triethylamine and 37.50 parts of dichloroethane were mixed. The resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes, cooled to 0 占 폚 and 4.01 parts of a compound represented by the formula (B3-d) was added dropwise over 30 minutes. The resulting mixture was stirred at 0 占 폚 for 1 hour, then heated to 23 占 폚, and 37.50 parts of a 10% aqueous sodium hydrogencarbonate solution was added, stirred, and liquid separated. This alkaline washing was carried out three times. 37.50 parts of 5% oxalic acid aqueous solution was added to the obtained organic layer, followed by stirring and separating. 37.50 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, followed by stirring and separating. This water washing was carried out five times. The obtained organic layer was concentrated to obtain 8.63 parts of a compound represented by the formula (B3-e).

Figure 112011057596862-pat00113
Figure 112011057596862-pat00113

식 (B3-e) 로 나타내는 화합물 8.50 부 및 아세토니트릴 42.50 부를 혼합하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 70 ℃ 로 승온시켜, 70 ℃ 에서 12 시간 교반하였다. 얻어진 반응 혼합물을 23 ℃ 로 냉각한 후, 이온 교환수 42.50 부를 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 농축하였다. 얻어진 농축물에 tert-부틸메틸에테르 14.17 부를 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 분액하여, 식 (B3-f) 로 나타내는 염을 함유하는 수층을 얻었다. 식 (B3-f) 로 나타내는 염을 함유하는 수층에, 식 (B3-g) 로 나타내는 화합물 4.54 부 및 클로로포름 45.36 부를 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 5 시간 교반하고, 분액하였다. 얻어진 유기층에 이온 교환수 13.61 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 물 세정을 5 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 활성탄 0.50 부를 투입하여, 23 ℃ 에서 30 분간 교반하고, 여과하였다. 얻어진 여과액을 농축하고, 얻어진 농축물에 아세토니트릴 3.12 부를 첨가하여 용해시키고, 농축하였다. 얻어진 잔류물에 tert-부틸메틸에테르 7.24 부를 첨가하여 교반하고, 상청액을 제거하여 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세토니트릴 2.25 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하였다. 얻어진 잔류물에 tert-부틸메틸에테르 30.08 부를 첨가하여 교반하고, 상청액을 제거하여, 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세토니트릴 10 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하여, 식 (B3) 으로 나타내는 염 2.18 부를 얻었다.8.50 parts of the compound represented by the formula (B3-e) and 42.50 parts of acetonitrile were mixed. The resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes, then heated to 70 占 폚, and stirred at 70 占 폚 for 12 hours. After the obtained reaction mixture was cooled to 23 캜, 42.50 parts of ion-exchanged water was added. The resulting mixture was stirred at 23 DEG C for 30 minutes and then concentrated. To the obtained concentrate, 14.17 parts of tert-butyl methyl ether was added. The resulting mixture was stirred at 23 캜 for 30 minutes and then separated to obtain an aqueous layer containing a salt represented by the formula (B3-f). To the aqueous layer containing the salt represented by the formula (B3-f), 4.54 parts of the compound represented by the formula (B3-g) and 45.36 parts of chloroform were added. The resultant mixture was stirred at 23 占 폚 for 5 hours and separated. 13.61 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, followed by stirring and separating. This water washing was carried out five times. 0.50 parts of activated carbon was added to the obtained organic layer, stirred at 23 ° C for 30 minutes, and filtered. The obtained filtrate was concentrated, and 3.12 parts of acetonitrile was added to the obtained concentrate to dissolve and concentrate. To the obtained residue, 7.24 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed and concentrated. To the obtained concentrate, 2.25 parts of acetonitrile was added, and the resulting solution was concentrated. To the obtained residue, 30.08 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed and concentrated. 10 parts of acetonitrile was added to the obtained concentrate, and the resulting solution was concentrated to obtain 2.18 parts of a salt represented by the formula (B3).

MS(ESI(+)Spectrum) : M 229.1MS (ESI (+) Spectrum): M + 229.1

MS(ESI(-)Spectrum) : M 339.1 MS (ESI (-) Spectrum): M - 339.1

<실시예 5 : 식 (B4) 로 나타내는 염의 합성> Example 5: Synthesis of salt represented by formula (B4)

Figure 112011057596862-pat00114
Figure 112011057596862-pat00114

식 (B4-a) 로 나타내는 화합물 18.72 부, 식 (B4-b) 로 나타내는 화합물 23. 90 부, 탄산칼륨 17.95 부 및 아세톤 93.62 부를 혼합하였다. 얻어진 혼합물을 55 ℃ 에서 22 시간 환류한 후, 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세트산에틸 119.36 부 및 10 % 수산화나트륨 수용액 35.81 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 알칼리 세정을 2 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 이온 교환수 35.81 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 물 세정을 4 회 실시하였다. 얻어진 유기층을 농축한 후, 얻어진 농축물을 칼럼 (머크사 제조 실리카겔 60-200 메시 전개 용매 : 헵탄) 분취함으로써, 식 (B4-c) 로 나타내는 화합물 17.04 부를 얻었다.18.72 parts of the compound represented by the formula (B4-a), 90 parts of the compound represented by the formula (B4-b), 17.95 parts of potassium carbonate and 93.62 parts of acetone were mixed. The resulting mixture was refluxed at 55 캜 for 22 hours and then concentrated. 119.36 parts of ethyl acetate and 35.81 parts of 10% aqueous sodium hydroxide solution were added to the resulting concentrate, stirred, and liquid separated. This alkaline washing was carried out twice. 35.81 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, followed by stirring and separating. This water washing was carried out four times. The obtained organic layer was concentrated, and then the resulting concentrate was collected from a column (silica gel, manufactured by Merck & Co., Inc., 60-200 mesh developing solvent: heptane) to obtain 17.04 parts of a compound represented by the formula (B4-c).

Figure 112011057596862-pat00115
Figure 112011057596862-pat00115

메탄술폰산 32.29 부에 5산화2인 3.23 부를 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반하였다. 얻어진 혼합물에, 식 (B4-c) 로 나타내는 화합물 13.02 부를 투입하였다. 얻어진 혼합물을 0 ℃ 로 냉각한 후, 식 (B4-d) 로 나타내는 화합물 7.79 부를 30 분에 걸쳐 적하하였다. 얻어진 혼합물을 0 ℃ 에서 1 시간 교반한 후, 이온 교환수 335.50 부를 투입하고, 그 후, 28 % 암모니아수 23.57 부를 첨가하여 중화하였다. 얻어진 반응 혼합물에, tert-부틸메틸에테르 100.65 부를 첨가하여 교반하고, 분액하였다. 이 세정을 3 회 실시하여, 식 (B4-e) 로 나타내는 염을 함유하는 수층을 얻었다. 식 (B4-e) 로 나타내는 염을 함유하는 수층에, 식 (B4-f) 로 나타내는 화합물 11.28 부 및 클로로포름 337.60 부를 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 12 시간 교반하고, 분액하였다. 얻어진 유기층에 이온 교환수 101.28 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 물 세정을 6 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 활성탄 3.20 부를 투입하여, 23 ℃ 에서 30 분간 교반하고, 여과하였다. 얻어진 여과액을 농축하여, 얻어진 잔류물에 tert-부틸메틸에테르 80.70 부를 첨가하여 교반하고, 상청액을 제거하여 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세토니트릴 30 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하였다. 얻어진 잔류물에 tert-부틸메틸에테르 58.71 부를 첨가하여 교반하고, 상청액을 제거하여, 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세토니트릴 10 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하여, 식 (B4) 로 나타내는 염 14.74 부를 얻었다.To 3.2.29 parts of methanesulfonic acid was added 3.23 parts of 2-pentoxide. The resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes. To the obtained mixture, 13.02 parts of the compound represented by the formula (B4-c) was added. After the obtained mixture was cooled to 0 占 폚, 7.79 parts of the compound represented by the formula (B4-d) was added dropwise over 30 minutes. The resulting mixture was stirred at 0 占 폚 for 1 hour, 335.50 parts of ion-exchanged water was added, and then 23.57 parts of 28% ammonia water was added to neutralize the mixture. To the obtained reaction mixture, 100.65 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, followed by liquid separation. This washing was carried out three times to obtain an aqueous layer containing a salt represented by the formula (B4-e). To the water layer containing the salt represented by the formula (B4-e), 11.28 parts of the compound represented by the formula (B4-f) and 337.60 parts of chloroform were added. The resultant mixture was stirred at 23 占 폚 for 12 hours and separated. 101.28 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, followed by stirring and separating. This water washing was carried out six times. 3.20 parts of activated carbon was added to the obtained organic layer, stirred at 23 ° C for 30 minutes, and filtered. The resulting filtrate was concentrated, and 80.70 parts of tert-butyl methyl ether was added to the obtained residue. The mixture was stirred, and the supernatant was removed and concentrated. 30 parts of acetonitrile was added to the resulting concentrate, and the resulting solution was concentrated. To the obtained residue, 58.71 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed and concentrated. 10 parts of acetonitrile was added to the obtained concentrate, and the obtained solution was concentrated to obtain 14.74 parts of a salt represented by the formula (B4).

MS(ESI(+)Spectrum) : M 287.2MS (ESI (+) Spectrum): M + 287.2

MS(ESI(-)Spectrum) : M 323.0 MS (ESI (-) Spectrum): M - 323.0

<실시예 6 : 식 (B5) 로 나타내는 염의 합성> Example 6: Synthesis of salt represented by formula (B5)

Figure 112011057596862-pat00116
Figure 112011057596862-pat00116

식 (B1-e) 로 나타내는 화합물 13.54 부 및 아세토니트릴 70.60 부를 혼합하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 7 ℃ 로승온시켜, 70 ℃ 에서 12 시간 교반하였다. 얻어진 반응 혼합물을 23 ℃ 로 냉각한 후, 이온 교환수 70.60 부를 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 30 분간 교반한 후, 농축하였다. 얻어진 농축물에 tert-부틸메틸에테르 23.53 부를 첨가하여, 23 ℃ 에서 30 분간 교반하고, 분액하여, 식 (B1-f) 로 나타내는 염을 함유하는 수층을 얻었다. 식 (B1-f) 로 나타내는 염을 함유하는 수층에, 식 (B2-g) 로 나타내는 화합물 8.26 부 및 클로로포름 80.00 부를 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 23 ℃ 에서 5 시간 교반하고, 분액하였다. 얻어진 유기층에 이온 교환수 25.00 부를 투입하고, 교반하고, 분액하였다. 이 물 세정을 5 회 실시하였다. 얻어진 유기층에 활성탄 0.50 부를 투입하여, 23 ℃ 에서 30 분간 교반하고, 여과하였다. 얻어진 여과액을 농축하여, 얻어진 농축물에 아세토니트릴 5.00 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하였다. 얻어진 잔류물에 tert-부틸메틸에테르 10 부를 첨가하여 교반하고, 상청액을 제거하여 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세토니트릴 2.50 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하였다. 얻어진 잔류물에 tert-부틸메틸에테르 35.83 부를 첨가하여 교반하고, 상청액을 제거하여, 농축하였다. 얻어진 농축물에 아세토니트릴 2.00 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 농축하여, 식 (B5) 로 나타내는 염 2.37 부를 얻었다.13.54 parts of the compound represented by the formula (B1-e) and 70.60 parts of acetonitrile were mixed. The resulting mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes, then heated to 7 占 폚, and stirred at 70 占 폚 for 12 hours. After the obtained reaction mixture was cooled to 23 캜, 70.60 parts of ion-exchanged water was added. The resulting mixture was stirred at 23 DEG C for 30 minutes and then concentrated. To the obtained concentrate, 23.53 parts of tert-butyl methyl ether was added and the mixture was stirred at 23 占 폚 for 30 minutes and separated to obtain an aqueous layer containing the salt represented by the formula (B1-f). 8.26 parts of the compound represented by the formula (B2-g) and 80.00 parts of chloroform were added to the aqueous layer containing the salt represented by the formula (B1-f). The resultant mixture was stirred at 23 占 폚 for 5 hours and separated. 25.00 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, stirred, and liquid separated. This water washing was carried out five times. 0.50 parts of activated carbon was added to the obtained organic layer, stirred at 23 ° C for 30 minutes, and filtered. The resulting filtrate was concentrated, 5.00 parts of acetonitrile was added to the resulting concentrate, and the resulting solution was concentrated. To the obtained residue, 10 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed and concentrated. 2.50 parts of acetonitrile was added to the resulting concentrate, and the resulting solution was concentrated. To the obtained residue, 35.83 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed and concentrated. To the obtained concentrate, 2.00 parts of acetonitrile was added, and the resulting solution was concentrated to obtain 2.37 parts of a salt represented by the formula (B5).

MS(ESI(+)Spectrum) : M 215.1MS (ESI (+) Spectrum): M + 215.1

MS(ESI(-)Spectrum) : M 339.1 MS (ESI (-) Spectrum): M - 339.1

이하의 합성예에 있어서 사용한 모노머는, 하기 식 (A) 로 나타내는 모노머 (이하, 모노머 (A) 로 약기한다), 하기 식 (B) 로 나타내는 모노머 (이하, 모노머 (B) 로 약기한다), 하기 식 (C) 로 나타내는 모노머 (이하, 모노머 (C) 로 약기한다), 하기 식 (D) 로 나타내는 모노머 (이하, 모노머 (D) 로 약기한다), 하기 식 (E) 로 나타내는 모노머 (이하, 모노머 (E) 로 약기한다), 하기 식 (F) 로 나타내는 모노머 (이하, 모노머 (F) 로 약기한다) 및 하기 식 (G) 으로 나타내는 모노머 (이하, 모노머 (G) 로 약기한다) 이다.The monomer used in the following Synthesis Examples is a monomer represented by the following formula (A) (hereinafter abbreviated as monomer (A)), a monomer represented by formula (B) (hereinafter abbreviated as monomer (B) A monomer represented by the following formula (C) (hereinafter abbreviated as a monomer (C)), a monomer represented by the following formula (D) (hereinafter abbreviated as a monomer (D) (Hereinafter abbreviated as monomer (E)), a monomer represented by formula (F) (hereinafter abbreviated as monomer (F)) and a monomer represented by formula (G) .

Figure 112011057596862-pat00117
Figure 112011057596862-pat00117

<합성예 1 : 수지 A1 의 합성> &Lt; Synthesis Example 1: Synthesis of Resin A1 >

모노머 (A), 모노머 (E), 모노머 (B), 모노머 (C) 및 모노머 (D) 를, 몰비 (모노머 (A) : 모노머 (E) : 모노머 (B) : 모노머 (C) : 모노머 (D)) 가 30 : 14 : 6 : 20 : 30 이 되는 비율로 혼합하였다. 이어서, 전체 모노머의 합계 질량에 대하여 1.5 질량배의 디옥산을 모노머 혼합물에 첨가하였다. 얻어진 혼합물에, 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴과 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 전체 모노머의 합계 몰수에 대하여 각각, 1.00 ㏖% 과 3.00 ㏖% 의 비율로 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 75 ℃ 에서 약 5 시간 가열하였다. 그 후, 반응 혼합물을, 대량의 메탄올과 물과의 혼합 용매 (4 : 1) 에 붓고, 생성된 공중합체를 석출시켰다. 석출된 공중합체를 꺼내어, 대량의 메탄올과 물의 혼합 용매 (4 : 1) 에 붓는 조작을 3 회 실시함으로써 정제하여, 중량 평균 분자량이 약 7.2 × 103 인 공중합체를 수율 78 % 로 얻었다. 이 공중합체는 다음 식의 구조 단위를 갖는 것으로, 이것을 수지 A1 로 한다.The monomer (A), the monomer (E), the monomer (B), the monomer (C) and the monomer (D) D) was 30: 14: 6: 20: 30. Then, 1.5 times by mass of dioxane based on the total mass of the total monomers was added to the monomer mixture. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added at a ratio of 1.00 mol% and 3.00 mol% to the total molar amount of the total monomers, respectively. The resulting mixture was heated at 75 占 폚 for about 5 hours. Thereafter, the reaction mixture was poured into a mixed solvent (4: 1) of a large amount of methanol and water, and the resulting copolymer was precipitated. The precipitated copolymer was taken out and purified by pouring into a large amount of a mixed solvent of methanol and water (4: 1) three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 7.2 x 10 3 in a yield of 78%. This copolymer has a structural unit of the following formula, which is referred to as Resin A1.

Figure 112011057596862-pat00118
Figure 112011057596862-pat00118

<합성예 2 : 수지 A2 의 합성> &Lt; Synthesis Example 2: Synthesis of Resin A2 >

모노머 (A), 모노머 (B) 및 모노머 (C) 를, 몰비 (모노머 (A) : 모노머 (B) : 모노머 (C)) 가 50 : 25 : 25 가 되는 비율로 혼합하였다. 이어서, 전체 모노머의 합계 질량에 대하여 1.5 질량배의 디옥산을 모노머 혼합물에 첨가하였다. 얻어진 혼합물에, 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴과 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 전체 모노머의 합계 몰수에 대하여 각각, 1 ㏖% 과 3 ㏖% 의 비율로 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 80 ℃ 에서 약 8 시간 가열하였다. 그 후, 반응 혼합물을, 대량의 메탄올과 물과의 혼합 용매 (3 : 1) 에 붓고, 생성된 공중합체를 석출시켰다. 석출된 공중합체를 꺼내어, 대량의 메탄올과 물의 혼합 용매 (3 : 1) 에 붓는 조작을 3 회 실시함으로써 정제하여, 중량 평균 분자량이 약 9.2 × 103 인 공중합체를 수율 60 % 로 얻었다. 이 공중합체는 다음 식의 구조 단위를 갖는 것으로, 이것을 수지 A2 로 한다.The monomer (A), the monomer (B) and the monomer (C) were mixed at a molar ratio (monomer (A): monomer (B): monomer (C)) of 50:25:25. Then, 1.5 times by mass of dioxane based on the total mass of the total monomers was added to the monomer mixture. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added at a ratio of 1 mol% and 3 mol%, respectively, to the total molar amount of the total monomers. The resulting mixture was heated at 80 占 폚 for about 8 hours. Thereafter, the reaction mixture was poured into a mixed solvent (3: 1) with a large amount of methanol and water, and the resulting copolymer was precipitated. The precipitated copolymer was taken out and purified by pouring into a large amount of a mixed solvent of methanol and water (3: 1) three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 9.2 × 10 3 in a yield of 60%. This copolymer has a structural unit of the following formula, which is referred to as Resin A2.

Figure 112011057596862-pat00119
Figure 112011057596862-pat00119

<합성예 3 : 수지 A3 의 합성> &Lt; Synthesis Example 3: Synthesis of Resin A3 >

모노머 (F) 및 모노머 (G) 를, 몰비 (모노머 (F) : 모노머 (G)) 가 41 : 59 가 되는 비율로 혼합하였다. 이어서, 전체 모노머의 합계 질량에 대하여 1.5 질량배의 디옥산을 모노머 혼합물에 첨가하였다. 얻어진 혼합물에, 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴과 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 전체 모노머의 합계 몰수에 대하여 각각, 1 ㏖% 과 3 ㏖% 의 비율로 첨가하였다. 얻어진 혼합물을 70 ℃ 에서 약 8 시간 가열하였다. 그 후, 반응 혼합물을, 대량의 메탄올과 물과의 혼합 용매 (3 : 1) 에 붓고, 생성된 공중합체를 석출시켰다. 석출된 공중합체를 꺼내어, 대량의 메탄올과 물의 혼합 용매 (3 : 1) 에 붓는 조작을 3 회 실시함으로써 정제하여, 중량 평균 분자량이 약 9.5 × 103 인 공중합체를 수율 58 % 로 얻었다. 이 공중합체는 다음 식의 구조 단위를 갖는 것으로, 이것을 수지 A3 으로 한다.The monomer (F) and the monomer (G) were mixed at a molar ratio (monomer (F): monomer (G)) of 41:95. Then, 1.5 times by mass of dioxane based on the total mass of the total monomers was added to the monomer mixture. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added at a ratio of 1 mol% and 3 mol%, respectively, to the total molar amount of the total monomers. The resulting mixture was heated at 70 DEG C for about 8 hours. Thereafter, the reaction mixture was poured into a mixed solvent (3: 1) with a large amount of methanol and water, and the resulting copolymer was precipitated. The precipitated copolymer was taken out and purified by pouring into a large amount of a mixed solvent of methanol and water (3: 1) three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 9.5 × 10 3 in a yield of 58%. This copolymer has a structural unit of the following formula, which is referred to as Resin A3.

Figure 112011057596862-pat00120
Figure 112011057596862-pat00120

(포토레지스트 조성물의 조제) (Preparation of photoresist composition)

이하에 나타내는 각 성분을 표 1 의 조성으로 혼합하고, 얻어진 용액을 공경 0.2 ㎛ 의 불소 수지제 필터로 여과하여, 포토레지스트 조성물을 조제하였다.The components shown below were mixed in the composition shown in Table 1, and the obtained solution was filtered with a filter made of a fluororesin having a pore size of 0.2 mu m to prepare a photoresist composition.

Figure 112011057596862-pat00121
Figure 112011057596862-pat00121

<수지><Resin>

수지 A1, A2, A3Resins A1, A2, A3

<산발생제><Acid Generator>

B1 : 식 (B1) 로 나타내는 염B1: a salt represented by the formula (B1)

Figure 112011057596862-pat00122
Figure 112011057596862-pat00122

B2 : 식 (B2) 로 나타내는 염B2: a salt represented by the formula (B2)

Figure 112011057596862-pat00123
Figure 112011057596862-pat00123

B3 : 식 (B3) 으로 나타내는 염B3: a salt represented by the formula (B3)

Figure 112011057596862-pat00124
Figure 112011057596862-pat00124

B4 : 식 (B4) 로 나타내는 염B4: a salt represented by the formula (B4)

Figure 112011057596862-pat00125
Figure 112011057596862-pat00125

B5 : 식 (B5) 로 나타내는 염B5: a salt represented by the formula (B5)

Figure 112011057596862-pat00126
Figure 112011057596862-pat00126

X1 : 식 (X1) 로 나타내는 염X1: a salt represented by the formula (X1)

Figure 112011057596862-pat00127
Figure 112011057596862-pat00127

X2 : 식 (X2) 로 나타내는 염X2: a salt represented by the formula (X2)

Figure 112011057596862-pat00128
Figure 112011057596862-pat00128

<염기성 화합물 : 퀀처> &Lt; Basic compound: Querche &

C1 : 2,6-디이소프로필아닐린C1: 2,6-diisopropylaniline

<용제> <Solvent>

프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 265 부Propylene glycol monomethyl ether acetate 265 parts

2-헵타논 20.0 부2-heptanone 20.0 parts

프로필렌글리콜모노메틸에테르 20.0 부Propylene glycol monomethyl ether 20.0 parts

γ-부티로락톤 ` 3.5 부? -butyrolactone? 3.5 parts

(액침 노광용 포토레지스트 조성물의 평가) (Evaluation of photoresist composition for immersion exposure)

12 인치의 실리콘제 웨이퍼 상에 유기 반사 방지막용 조성물 [ARC-29 ; 닛산 화학 (주) 제조] 을 도포하고, 205 ℃, 60 초의 조건으로 베이크함으로써 두께 780 ㎚ 의 유기 반사 방지막을 형성하였다.On a 12-inch silicon wafer, a composition for an organic anti-reflective film [ARC-29; Manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was applied and baked at 205 deg. C for 60 seconds to form an organic antireflection film having a thickness of 780 nm.

이어서, 형성된 유기 반사 방지막 위에, 상기에서 조제한 포토레지스트 조성물을 건조 후의 막두께가 110 ㎚ 가 되도록 스핀 코트하였다.Subsequently, the photoresist composition prepared above was spin-coated on the formed organic anti-reflection film so that the film thickness after drying was 110 nm.

얻어진 실리콘 웨이퍼를 다이렉트 핫플레이트 상에서, 표 1 의 「PB」란에 기재된 온도로 60 초간 프리베이크하였다. 이렇게 해서 포토레지스트막 (포토레지스트 조성물층) 을 형성한 웨이퍼에, 액침 노광용 ArF 엑시머 스테퍼 [XT:1900Gi ; ASML 사 제조, NA = 1.35, 2-poles on axis 조명 (σout = 0.97, σin = 0.77, Y 편광] 를 사용하여, 노광량을 단계적으로 변화시켜 라인 앤드 스페이스 패턴을 액침 노광하였다.The obtained silicon wafer was pre-baked on a direct hot plate at a temperature indicated in the column of &quot; PB &quot; in Table 1 for 60 seconds. The wafer on which the photoresist film (photoresist composition layer) was formed in this manner was immersed in an ArF excimer stepper for liquid immersion lithography (XT: 1900Gi; The line and space pattern was subjected to liquid immersion lithography by changing the exposure amount step by step using NA = 1.35, 2-poles on axis illumination (σout = 0.97, σin = 0.77, Y polarization) manufactured by ASML.

노광 후, 핫플레이트 상에서, 표 1 의 「PEB」란에 기재된 온도로 60 초간 포스트 익스포져 베이크를 실시하였다.After exposure, a post-exposure bake was performed on a hot plate at a temperature listed in the column of &quot; PEB &quot; in Table 1 for 60 seconds.

그리고 2.38 질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액으로 60 초간의 패들 현상을 실시하였다.Then, paddle development was performed for 60 seconds with a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution.

실효 감도 : 각 포토레지스트막에 있어서, 50 ㎚ 의 라인 앤드 스페이스 패턴이 1 : 1 이 되는 노광량을 실효 감도로 하였다.Effective sensitivity: In each photoresist film, an exposure amount at which a 50 nm line and space pattern becomes 1: 1 is defined as an effective sensitivity.

포커스 마진 (DOF) 평가 : 실효 감도에 있어서, 포커스 거리를 단계적으로 변화시켜 포토레지스트 패턴을 형성하고, 얻어진 포토레지스트 패턴 (라인 패턴) 의 선폭이 50 ㎚± 5 % 의 폭에 있는 포커스 범위 (47.5 ∼ 52.5 ㎚) 를 선폭 지표 (DOF) 로 하였다.Evaluation of focus margin (DOF): In terms of effective sensitivity, the focus distance was changed stepwise to form a photoresist pattern. The photoresist pattern (line pattern) obtained had a line width of 50 nm +/- 5% To 52.5 nm) was defined as a linewidth index (DOF).

DOF 가 0.17 ㎛ 를 초과하는 것을 DOF 가 매우 양호하다고 평가하고, ◎◎ 로 나타내었다. DOF 가 0.14 ㎛ 를 초과하고, 0.17 ㎛ 이하인 것을 DOF 가 양호하다고 평가하고, ◎ 로 나타내었다. DOF 가 0.09 ㎛ 를 초과하고, 0.14 ㎛ 이하인 것을 DOF 가 보통이라고 평가하고, ○ 로 나타내었다. DOF 가 0.09 ㎛ 미만인 것을 DOF 가 불량하다고 평가하고, × 로 나타내었다.When the DOF exceeded 0.17 mu m, the DOF was evaluated to be very good and expressed as &amp; cir &amp; A DOF of more than 0.14 탆 and not more than 0.17 탆 was rated as good by DOF. A DOF of more than 0.09 탆 and not more than 0.14 탆 was evaluated as normal and indicated by ∘. When the DOF was less than 0.09 탆, the DOF was evaluated as poor, and the result was indicated by x.

또, 표 2 중의 DOF 란의 괄호 안의 수치는, 얻어진 DOF 의 값이다.The numerical values in parentheses in the DOF column in Table 2 are values of the obtained DOF.

마스크 에러 팩터 (MEF) 평가 : 실효 감도에 있어서, 마스크의 사이즈 (선폭) 가 48 ㎚, 50 ㎚ 및 52 ㎚ (피치는 모두 100 ㎚) 인 마스크를 각각 사용하여, 포토레지스트 패턴을 각각 형성하였다. 마스크 사이즈를 횡축으로 하고, 각 마스크 사이즈의 마스크를 사용하여 형성된 포토레지스트 패턴 (라인 패턴) 의 선폭을 종축으로 한 그래프에, 결과를 플롯하였다. 플롯한 결과로부터 구한 회귀 직선의 기울기가 2.3 이하인 것을 MEF 가 매우 양호하다고 평가하고, ◎◎ 로 나타내었다. 기울기가 2.3 을 초과하고 2.5 이하인 것을 MEF 가 양호하다고 평가하고, ◎ 로 나타내었다. 기울기가 2.5 를 초과하고 3.0 이하인 것을 MEF 가 보통이라고 평가하고, ○ 로 나타내었다. 기울이가 3.0 을 초과하는 것을 MEF 가 불량하다고 평가하고, × 로 나타내었다.Evaluation of mask error factor (MEF): A mask having a mask size (line width) of 48 nm, 50 nm, and 52 nm (100 nm in pitch) was used for the effective sensitivity to form a photoresist pattern. The results are plotted in a graph in which the mask size is plotted on the abscissa and the line width of the photoresist pattern (line pattern) formed by using the mask of each mask size is taken as the ordinate. The slope of the regression line obtained from the plotted result was 2.3 or less, and the MEF was evaluated as being very good and indicated as? The MEF having a slope of more than 2.3 and less than or equal to 2.5 was rated as good and indicated as?. MEFs rated to have a slope greater than 2.5 and less than or equal to 3.0 were rated moderate and indicated by a circle. It was evaluated that the MEF exceeded the slope of 3.0, indicating that the MEF was poor and indicated by x.

또한, 표 2 중 MEF 란의 괄호 안의 수치는, 얻어진 MEF 의 값이다.The values in parentheses in the MEF column in Table 2 are the values of the obtained MEF.

또, 마스크 사이즈란, 노광에 의해서 기판에 전사되는 패턴의 사이즈를 의미하며, 마스크 위에 형성되어 있는 투광부의 사이즈가 아니다.The mask size refers to the size of the pattern transferred onto the substrate by exposure and is not the size of the light transmitting portion formed on the mask.

이들의 결과를 표 2 에 나타낸다.The results are shown in Table 2.

Figure 112011057596862-pat00129
Figure 112011057596862-pat00129

본 발명의 염을 함유하는 포토레지스트 조성물은, 우수한 마스크 에러 팩터 (MEF) 를 나타내는 포토레지스트 패턴을 제공한다.A photoresist composition containing the salt of the present invention provides a photoresist pattern exhibiting an excellent mask error factor (MEF).

Claims (7)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 식 (Ⅰ) :
Figure 112017040146692-pat00132

(식 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로, 하이드록시기 (-OH) 또는 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기를 나타내고, 그 알킬기에 함유되는 -CH2- 는 -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다.
R3 은 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 나타낸다.
l, m 및 n 은 각각 독립적으로, 0 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.
p 는 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.
S 를 함유하는 함황 복소고리에 함유되는 -CH2- 는 -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다.
R4 및 R5 는 각각 독립적으로, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 나타낸다.
L1 은 탄소수 1 ∼ 17 의 2 가의 포화 탄화수소기를 나타내고, 그 2 가의 포화 탄화수소기에 함유되는 -CH2- 는 -O- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다.
Y 는 수산기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 18 의 지방족 탄화수소기, 또는 수산기 혹은 탄소수 1 ~ 4 의 알킬기를 가지고 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 18 의 포화 고리형 탄화수소기를 나타내고, 그 지방족 탄화수소기 및 그 포화 고리형 탄화수소기에 함유되는 -CH2- 는 -O-, -SO2- 또는 -CO- 로 치환되어 있어도 된다) 로 나타내는 염과, 하기 식 (B1-1), 식 (B1-2), 식 (B1-3), 식 (B1-6), 식 (B1-11), 식 (B1-12), 식 (B1-13) 및 식 (B1-14) 로 나타내는 염 중 어느 것을 함유하는 산발생제로서, 식 (Ⅰ) 로 나타내는 염의 함유량이, 산발생제 100 질량부에 대해, 30 질량부 이상, 70 질량부 이하인 산발생제.
Figure 112017040146692-pat00133

Figure 112017040146692-pat00134
Formula (I):
Figure 112017040146692-pat00132

(Wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydroxyl group (-OH) or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and -CH 2 - contained in the alkyl group is substituted with -O- or -CO- .
R 3 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
l, m and n each independently represent an integer of 0 to 3;
p represents an integer of 1 to 3;
-CH 2 - contained in the sulfur heterocyclic ring containing S + may be substituted with -O- or -CO-.
R 4 and R 5 each independently represent a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
L 1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and -CH 2 - contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be substituted with -O- or -CO-.
Y represents an aliphatic hydrocarbon group of 1 to 18 carbon atoms which may have a hydroxyl group or a saturated cyclic hydrocarbon group of 3 to 18 carbon atoms which may have a hydroxyl group or an alkyl group of 1 to 4 carbon atoms and the aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group -CH 2 - contained in the hydrocarbon group may be substituted with -O-, -SO 2 - or -CO-) with a salt represented by the following formula (B1-1), (B1-2) (B1-14), (B1-6), (B1-11), (B1-12), (B1-13) and , And the content of the salt represented by the formula (I) is 30 parts by mass or more and 70 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the acid generator.
Figure 112017040146692-pat00133

Figure 112017040146692-pat00134
제 4 항에 기재된 산발생제와, 산에 불안정한 기를 갖고, 또한, 알칼리 수용액에 불용 또는 난용인 수지로서, 산과의 작용에 의해 알칼리 수용액으로 용해할 수 있는 수지를 함유하는 포토레지스트 조성물.4. A photoresist composition comprising the acid generator according to claim 4 and a resin which is insoluble or sparingly soluble in an aqueous alkali solution and has an acid labile group and is soluble in an alkali aqueous solution by the action of an acid. 제 5 항에 있어서,
추가로, 염기성 화합물을 함유하는 포토레지스트 조성물.
6. The method of claim 5,
Further, a photoresist composition containing a basic compound.
(1) 제 5 항 또는 제 6 항에 기재된 포토레지스트 조성물을 기판 상에 도포하여, 포토레지스트 조성물층을 형성하는 공정,
(2) 형성된 포토레지스트 조성물층을 건조시켜 포토레지스트막을 형성하는 공정,
(3) 포토레지스트막을 노광하는 공정,
(4) 노광 후의 포토레지스트막을 가열하는 공정, 및
(5) 가열 후의 포토레지스트막을 현상하는 공정,
을 포함하는 포토레지스트 패턴의 제조 방법.
(1) A process for forming a photoresist composition layer by applying the photoresist composition according to any one of claims 5 to 6 on a substrate,
(2) a step of drying the formed photoresist composition layer to form a photoresist film,
(3) a step of exposing the photoresist film,
(4) a step of heating the photoresist film after exposure, and
(5) a step of developing the photoresist film after heating,
Wherein the photoresist pattern is a photoresist pattern.
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