KR101810500B1 - Batch reactor for composing DIPAS used for manufacturing semiconductor - Google Patents

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KR101810500B1 KR1020170094223A KR20170094223A KR101810500B1 KR 101810500 B1 KR101810500 B1 KR 101810500B1 KR 1020170094223 A KR1020170094223 A KR 1020170094223A KR 20170094223 A KR20170094223 A KR 20170094223A KR 101810500 B1 KR101810500 B1 KR 101810500B1
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이경주
서재용
오찬우
윤수형
박성국
남병언
김준형
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Abstract

According to the present invention, a batch type reactor for the synthesis of diisopropylaminosilane used for manufacturing semiconductors includes a reactor body and multiple raw material inlet pipes in order to minimize the occurrence of a bubbling phenomenon caused by using a single inlet pipe for flowing monochlorosilane in the gas phase in a conventional manner and rapid heat emission in the inlet part of the inlet pipe for flowing the monochlorosilane in the gas phase while increasing the yields of diisopropylaminosilane and receiving a re-liquefied material into a storage tank from a cooler. Accordingly, the batch type reactor can prevent the re-liquefied material in the cooler from being dropped in a liquid phase after entering the reactor body randomly along pipes connected to the cooler, thereby increasing the reaction yields of diisopropylaminosilane.

Description

반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기{Batch reactor for composing DIPAS used for manufacturing semiconductor}[0001] The present invention relates to a batch reactor for synthesizing diisopropylaminosilane for use in semiconductor manufacturing,

본 발명은 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에 관한 것이다.The present invention relates to a batch reactor for synthesis of diisopropylaminosilanes for use in semiconductor manufacturing.

디이소프로필아미노실란(DIPAS, diisoprophylamino silane)은 실리콘-옥사이드 및 실리콘-니트라이드 필름과 같은 실리콘 함유 필름의 침착(deposition)을 위한 전구체로, 반도체 디램의 30nm 이하의 미세 패턴을 구현하기 위한 증착용 전구체 소재로 이용되며, 이러한 디이소프로필아미노실란이 적용된 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시된 특허문헌의 그 것이다.Diisopropylamino silane (DIPAS) is a precursor for the deposition of silicon-containing films, such as silicon-oxide and silicon-nitride films, and is used as a precursor for depositing silicon nitride films, And the diisopropylaminosilane is used as a precursor material, and the following patent documents can be given as examples of such diisopropylaminosilane.

이러한 디이소프로필아미노실란은 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기를 통해 합성될 수 있다.Such diisopropylaminosilane can be synthesized through a batch reactor for synthesis of diisopropylaminosilane used in semiconductor manufacturing.

반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서는, 냉각 자켓에 의해 감싸지고 액상의 디이소프로필아민(DIPA)이 수용된 상태의 반응기 본체 내로 기상의 모노클로로실란(MCS)이 유입되어 반응하면서 디이소프로필아미노실란이 형성된다.In the batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used in semiconductor manufacturing, gaseous monochlorosilane (MCS) is introduced into a reactor body surrounded by a cooling jacket and containing liquid diisopropylamine (DIPA) Diisopropylaminosilane is formed in the reaction.

또한, 반응기 본체 내에서 기화되어 날아가는 물질을 재액화시키기 위한 냉각기가 배관에 의해 반응기 본체에 연결된다.A cooler for re-liquefying the vaporized and flying material in the reactor body is also connected to the reactor body by piping.

그러나, 종래의 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에 의하면, 반응기 본체에 기상의 모노클로로실란 유입 배관이 단수 개만 형성되어 있고, 그에 따라 버블링(bubbling)에 의해 액체와 고체가 함께 상부로 이송되어 반응기 본체 내부 상단이 오염되고 냉각기 연결 라인이 막히는 현상이 발생되는 문제가 있었다.However, according to the batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used in conventional semiconductor manufacturing, only a single number of gaseous monochlorosilane inlet piping is formed in the reactor body, There is a problem that the solid is transferred together to the upper part, the upper end inside the reactor body is contaminated, and the cooler connecting line is clogged.

또한, 종래의 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서는, 기상의 모노클로로실란 유입 배관의 투입구에서 급격한 발열 반응이 발생하여 온도 구배가 발생되고, 유입된 모노클로로실란 중 반응하지 못하는 원료가 발생되어, 반응 수율이 현저히 저하되는 현상이 발생되었고, 이러한 현상을 방지하기 위하여 냉각기를 설치하는데, 그 냉각기 크기가 대형화되어야 해서, 냉각기 설치 비용이 과다해지는 문제가 있었다.Further, in the batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used in conventional semiconductor manufacturing, a rapid exothermic reaction occurs at the inlet of the monochlorosilane inlet pipe in the gaseous phase, and a temperature gradient is generated. In the monochlorosilane And the reaction yield is remarkably lowered. In order to prevent such a phenomenon, a cooler is installed. The size of the cooler must be increased to increase the cost of installing the cooler.

또한, 종래의 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서는, 냉각기에서 재액화된 물질이 냉각기 연결 라인을 따라 다시 반응기 본체 내부로 유입되어 액상 상태로 낙하되는데, 액상의 모노클로로실란이 기상의 모노클로로실란보다 상대적으로 더 격렬하게 반응을 일으키기 때문에, 반응 수율이 현저하게 떨어지게 되는 문제가 있었다.Further, in the batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used in conventional semiconductor manufacturing, the material re-liquefied in the cooler flows back into the reactor main body along the cooler connecting line and falls into a liquid state. In the liquid monochloro There is a problem that the reaction yield is remarkably lowered because the silane reacts more vigorously than monochlorosilane in the gaseous phase.

등록특허 제 10-1362903호, 등록일자: 2014.02.07., 발명의 명칭: 아미노실란 및 이를 제조하는 방법Registration No. 10-1362903, Registration date: 2014.02.07. Title of the invention: Aminosilane and a method for producing the same 공개특허 제 10-2015-0102725호, 공개일자: 2015.09.07., 발명의 명칭: 유기아미노실란 및 이를 제조하는 방법Published Japanese Patent Application No. 10-2015-0102725, Publication date: 2015.09.07. Title of the invention: Organoaminosilane and method for producing the same

본 발명은 기상의 모노클로로실란 유입 배관이 단수 개 형성됨에 따라 발생되던 버블링 현상 및 기상의 모노클로로실란 유입 배관의 투입구 부분에서의 급격한 발열 반응 발생을 최소화하고, 디이소프로필아미노실란 수율이 향상될 수 있는 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.The present invention minimizes the occurrence of a bubbling phenomenon caused by the formation of a single monochlorosilane inlet pipe in a gaseous phase and a rapid exothermic reaction in the inlet port portion of a monochlorosilane inlet pipe in a gaseous phase and improves the yield of diisopropylaminosilane The present invention provides a batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane, which is used in semiconductor manufacturing.

본 발명의 다른 목적은 냉각기에서 재액화된 물질이 냉각기 연결 라인을 따라 다시 반응기 본체 내부로 유입되어 액상 상태로 낙하되는 현상이 방지될 수 있는 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a diisopropylaminosilane synthesis batch system for use in the production of semiconductors, which can prevent the phenomenon that the material re-liquefied in the cooler is introduced into the reactor body along the cooler connection line and dropped into the liquid phase state. Thereby providing a reactor.

본 발명의 일 측면에 따른 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기는 액상의 디이소프로필아민(DIPA)이 수용된 반응기 본체; 상기 반응기 본체를 감싸, 상기 반응기 본체 내부를 냉각시켜줄 수 있는 냉각 자켓; 상기 반응기 본체 내부로 기상의 모노클로로실란(MCS)이 유입되는 통로인 원료 유입 배관; 상기 반응기 본체 내에서 임의로 유출되는 상기 모노클로로실란을 재액화시키는 냉각기; 상기 반응기 본체에서 임의로 유출되는 상기 모노클로로실란이 상기 냉각기로 유입되도록, 상기 반응기 본체와 상기 냉각기를 연결하는 냉각기향 배관; 상기 냉각기에서 재액화된 상기 모노클로로실란을 수용하는 수용 탱크; 상기 수용 탱크를 감싸, 상기 수용 탱크에 수용된 액상의 상기 모노클로로실란이 기화되도록 가열하는 히팅 자켓; 상기 냉각기에서 재액화되어 상기 냉각기향 배관을 통해 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 수용 탱크로 유입되도록, 상기 냉각기향 배관에서 분지되어 상기 수용 탱크에 연결되는 탱크향 배관; 상기 탱크향 배관의 입구 부분에서 돌출됨으로써, 상기 냉각기에서 재액화되어 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 탱크향 배관으로 유입되도록 액상의 상기 모노클로로실란을 막아 상기 탱크향 배관으로 유도하는 액상 유도벽체; 상기 냉각기향 배관에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체의 전측 부분에 상기 액상 유도벽체와 이격되도록 상기 냉각기향 배관의 내부 상면에서 경사지게 돌출됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란을 감속시키면서 액상의 모노클로로실란이 상기 액상 유도벽체로 향하도록 유도하는 액상 방벽체; 상기 냉각기향 배관에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 방벽체의 전측 부분에 상기 액상 방벽체와 이격되도록 상기 냉각기향 배관의 내부 저면에서 일정 높이 상에 경사진 플레이트 형태로 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란을 감속시켜주는 액상 감속체; 상기 냉각기향 배관의 상면에 회전 가능하게 연결됨으로써, 상기 액상 유도벽체의 상단과 맞닿을 수 있는 오버플로우 방지 댐퍼; 상기 오버플로우 방지 댐퍼를 회전시켜줄 수 있는 오버플로우 댐퍼 작동 수단; 상기 냉각기향 배관에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체의 후면에 배치되어, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란 중 상기 액상 유도벽체를 넘은 것이 있는지를 감지하는 오버플로우 감지 센서; 및 상기 오버플로우 감지 센서에 의한 감지값에 따라 상기 오버플로우 댐퍼 작동 수단을 작동 제어할 수 있는 제어 부재;를 포함하고,
상기 원료 유입 배관은 서로 이격되도록 복수 개로 형성되어, 상기 반응기 본체의 서로 다른 지점에서 상기 반응기 본체 내부로 기상의 상기 모노클로로실란이 유입되도록 하고, 상기 액상 유도벽체의 상단은 상기 냉각기향 배관의 내부 상면과 이격되도록 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 상기 냉각기로 유동되던 기상의 상기 모노클로로실란이 상기 액상 유도벽체의 상단과 상기 냉각기향 배관의 내부 상면 사이의 공간을 통해 유동되고, 상기 액상 방벽체의 하단은 상기 냉각기향 배관의 내부 저면과 이격되도록 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 상기 냉각기로 유동되던 기상의 상기 모노클로로실란이 상기 액상 방벽체의 하단과 상기 냉각기향 배관의 내부 저면 사이의 공간을 통해 유동되고, 상기 액상 유도벽체의 상단은 상기 액상 방벽체의 하단에 비해 상기 냉각기향 배관의 내부 상면 쪽으로 상대적으로 더 연장된 형태를 이룸으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 액상 방벽체 및 상기 액상 유도벽체에 의해 순차적으로 막혀 상기 탱크향 배관으로 향하도록 유도될 수 있으면서, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 기상의 상기 모노클로로실란은 상기 액상 유도벽체의 상단과 상기 액상 방벽체의 하단을 지그재그로 경유하면서 상기 냉각기로 향하고, 상기 냉각기향 배관에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 감속체와 상기 냉각기향 배관의 내부 저면 사이의 유입구에 비해 상기 액상 감속체와 상기 냉각기향 배관의 내부 저면 사이의 유출구가 상대적으로 더 작아지도록, 상기 액상 감속체가 상기 냉각기향 배관과 점진적으로 근접되는 방향으로 경사지게 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 액상 감속체에 부딪혀 감속된 상태로 상기 액상 방벽체 쪽으로 유동되고, 상기 오버플로우 감지 센서에 의해 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란 중 상기 액상 유도벽체를 넘은 것이 있는 것으로 감지되면, 상기 제어 부재는 상기 냉각기향 배관이 막히도록, 상기 오버플로우 방지 댐퍼가 상기 액상 유도벽체의 상단과 맞닿을 수 있게 상기 오버플로우 댐퍼 작동 수단을 작동시키는 것을 특징으로 한다.A batch reactor for synthesizing diisopropylaminosilane for use in semiconductor manufacturing according to one aspect of the present invention comprises a reactor body containing liquid diisopropylamine (DIPA); A cooling jacket that surrounds the reactor body and can cool the inside of the reactor body; A raw material inflow pipe that is a passage through which gaseous monochlorosilane (MCS) flows into the reactor main body; A cooler for re-liquefying the monochlorosilane optionally flowing out of the reactor body; A cooler incense piping connecting the reactor main body and the cooler so that the monochlorosilane optionally flowing out from the reactor main body flows into the cooler; An accommodation tank for containing said monochlorosilane resorbed in said cooler; A heating jacket surrounding the accommodation tank and heating the liquid monochlorosilane contained in the accommodation tank to be vaporized; A tank-oriented piping branched from the cooler incinerator pipe to be connected to the storage tank so that the liquid monochlorosilane that has been re-liquefied in the cooler and flowed through the cooler incinerator pipe flows into the storage tank; The liquid monochlorosilane is protruded from the inlet portion of the tank incinerating pipe so that the liquid monochlorosilane is re-liquefied in the cooler so that the liquid monochlorosilane that has flowed along the cooler incinerating pipe flows into the tank incinerator pipe, A liquid guiding wall leading to the pipe; The cooling liquid flowing into the cooler incandescent tube is guided by the coolant incandescent tube at an inner side of the coolant incandescent tube so as to be spaced apart from the liquid induction wall at a front portion of the liquid guiding wall in a direction of flow of the monochlorosilane in the coolant incendient pipe, A liquid-phase wall for guiding the liquid monochlorosilane to the liquid-phase inducing wall while decelerating the monochlorosilane in the liquid phase; The liquid coolant is introduced into the liquid coolant pipe in the form of an inclined plate at a predetermined height on the inner bottom surface of the cooler coolant pipe so as to be spaced apart from the liquid coolant wall on the front side portion of the liquid coolant wall in the flow direction of the monochlorosilane A liquid decelerator for decelerating the monochlorosilane in the liquid phase which has flowed along the pipe of the cooler by being formed; An overflow preventing damper rotatably connected to the upper surface of the cooler incense pipe so as to abut the upper end of the liquid guide wall; An overflow damper operating means capable of rotating the overflow preventing damper; Wherein the liquid phase inducing wall is disposed on the rear surface of the liquid guiding wall in a direction of flow of the monochlorosilane in the liquid phase in the cooler incandescent piping and passes through the liquid guiding wall in the liquid phase of the monochlorosilane An overflow detection sensor for detecting whether or not there is an abnormality; And a control member capable of operating and controlling the overflow damper operating means according to a sensed value by the overflow sensor,
Wherein a plurality of the raw material inlet pipes are spaced apart from each other such that the vapor phase monochlorosilane flows into the reactor body at different points of the reactor main body and the upper end of the liquid phase inducing wall is connected to the inside The monochlorosilane in the gaseous phase which has flowed to the cooler along the cooler incandescent pipe flows through a space between the upper end of the liquid induction wall and the inner upper surface of the cooler incandescent pipe, The lower end of the wall is formed to be spaced apart from the inner bottom surface of the cooler incinerator pipe so that the monochlorosilane in the gaseous phase that has flowed to the cooler along the cooler incinerator pipe is located between the lower end of the liquid molleton wall and the inner bottom surface of the cooler incinerator pipe , And the upper end of the liquid guide wall Wherein the liquid phase wall and the liquid phase inducing wall are formed in the liquid phase wall and the liquid phase inducing wall by relatively extending toward the inner upper face of the cooler incense pipe relative to the lower end of the upper wall, The monochlorosilane in the gaseous phase that has flowed along the pipe of the cooler can be guided to the tank incinerating pipe by sequentially closing the upper end of the liquid guiding wall and the lower end of the liquid molten wall in a zigzag manner, The liquid decelerator and the inner bottom surface of the cooler incinerator pipe are disposed between the liquid decelerator and the inner bottom surface of the cooler incinerator pipe in a direction opposite to the flow direction of the liquid monochlorosilane in the cooler incinerator pipe So that the outlet of the liquid decelerator is relatively smaller, The liquid monochlorosilane flowing along the cooling pipe is flowed toward the liquid phase wall in a state of being decelerated by colliding against the liquid decelerator, Wherein the control member detects that the overflow preventing damper is blocked by the liquid phase inducing damper so that the overflow preventing damper is closed when the liquid phase inducing damper is detected by the sensor to have crossed the liquid induction wall of the monochlorosilane in liquid phase flowing along the cooler incense pipe, And the overflow damper operating means is operated so as to abut the upper end of the guide wall.

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본 발명의 일 측면에 따른 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에 의하면, 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기가 반응기 본체, 냉각 자켓 및 복수 개의 원료 유입 배관을 포함함에 따라, 종래 기상의 모노클로로실란 유입 배관이 단수 개 형성됨에 따라 발생되던 버블링 현상 및 기상의 모노클로로실란 유입 배관의 투입구 부분에서의 급격한 발열 반응 발생이 최소화될 수 있고, 디이소프로필아미노실란 수율이 향상될 수 있게 되고, 냉각기에서 재액화된 물질이 수용 탱크 내부로 유입될 수 있어서 그 재액화된 물질이 냉각기향 배관을 따라 다시 반응기 본체 내부로 임의 유입되어 액상 상태로 낙하되는 현상이 방지될 수 있게 되고, 그에 따라 디이소프로필아미노실란 반응 수율이 향상될 수 있게 되는 효과가 있다.According to one aspect of the present invention, there is provided a batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane for use in semiconductor manufacturing, wherein a batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane for use in semiconductor production comprises a reactor body, a cooling jacket, The inclusion of the inlet pipe minimizes the bubbling phenomenon caused by the formation of a single monochlorosilane inlet pipe in the conventional gas phase and the occurrence of a rapid exothermic reaction in the inlet port portion of the gaseous monochlorosilane inlet pipe, The yield of isopropylaminosilane can be improved and the re-liquefied material in the cooler can be introduced into the receiving tank so that the re-liquefied material flows into the reactor main body again along the pipe of the cooler, Can be prevented, and the reaction yield of diisopropylaminosilane is thereby reduced There is an effect that it can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기를 개략적으로 보이는 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서 냉각기향 배관과 탱크향 배관이 교차된 부분을 확대한 도면.
도 3은 도 2에 도시된 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서의 유체 흐름을 보이는 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서 재유입 배관의 입구 부분을 확대한 도면.
도 5는 도 4에 도시된 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서의 유체 흐름을 보이는 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서 냉각기향 배관, 탱크향 배관 및 바이패스 배관이 보이도록 확대한 도면.
도 7은 도 6에 도시된 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서 액상 유입 차단 댐퍼가 작동된 모습을 보이는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a schematic view of a batch reactor for the synthesis of diisopropylaminosilanes used in the manufacture of semiconductors according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of a cross section of a cooler-incinerator pipe and a tank incinerator pipe in a batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention; FIG.
3 is a view showing fluid flow in a batch type reactor for synthesis of diisopropylaminosilane used for manufacturing the semiconductor shown in FIG. 2; FIG.
4 is an enlarged view of an inlet portion of a re-inflow pipe in a batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used for manufacturing semiconductors according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a view showing fluid flow in a batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane for use in the semiconductor production shown in FIG. 4; FIG.
FIG. 6 is an enlarged view showing a cooler-incinerator pipe, a tank incinerator pipe, and a bypass pipe in a batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used for manufacturing semiconductors according to an embodiment of the present invention;
FIG. 7 is a view showing a state in which a liquid phase inflow-inhibiting damper is operated in a batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used in the semiconductor manufacturing shown in FIG. 6; FIG.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에 대하여 설명한다.Hereinafter, a batch reactor for synthesizing diisopropylaminosilane for use in semiconductor manufacturing according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기를 개략적으로 보이는 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서 냉각기향 배관과 탱크향 배관이 교차된 부분을 확대한 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서의 유체 흐름을 보이는 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서 재유입 배관의 입구 부분을 확대한 도면이고, 도 5는 도 4에 도시된 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서의 유체 흐름을 보이는 도면이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서 냉각기향 배관, 탱크향 배관 및 바이패스 배관이 보이도록 확대한 도면이고, 도 7은 도 6에 도시된 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에서 액상 유입 차단 댐퍼가 작동된 모습을 보이는 도면이다.FIG. 1 is a schematic view of a batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used in the manufacture of semiconductors according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross- FIG. 3 is an enlarged view of a portion of a batch type reactor for synthesizing isopropylaminosilane where a cooler incinerator pipe and a tank incinerator are crossed, and FIG. 3 is an enlarged view of a batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane FIG. 4 is an enlarged view of an inlet portion of a re-inflow pipe in a batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention, and FIG. Fig. 6 is a view showing the flow of the fluid in the batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used in the semiconductor manufacturing shown in Fig. 4, and Fig. 6 FIG. 7 is an enlarged view showing a cooler incineration pipe, a tank incineration pipe and a bypass pipe in a batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used for semiconductor manufacturing according to one embodiment, In which the liquid phase inflow-inhibiting damper is operated in a batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used in the production of the present invention.

도 1 내지 도 7을 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기(100)는 반응기 본체(110)와, 냉각 자켓(115)과, 원료 유입 배관(130)을 포함한다.1 to 7, the batch reactor 100 for synthesizing diisopropylaminosilane used in the semiconductor manufacturing according to the present embodiment includes a reactor body 110, a cooling jacket 115, a raw material inlet And a piping 130.

상기 반응기 본체(110)는 외부에 대하여 밀폐된 형태를 이루고, 액상의 디이소프로필아민(DIPA)이 내부에 수용된 것이다.The reactor main body 110 is hermetically sealed to the outside, and liquid diisopropylamine (DIPA) is accommodated therein.

상기 냉각 자켓(115)은 상기 반응기 본체(110), 상세히는 상기 반응기 본체(110)의 중부 이하의 하부를 감싸, 상기 반응기 본체(110) 내부를 냉각시켜줄 수 있는 것으로, 별도의 냉각 사이클을 통해 냉기를 공급받아 상기 반응기 본체(110)를 냉각시킬 수 있다.The cooling jacket 115 can cool the inside of the reactor body 110 by covering the lower portion of the reactor body 110, specifically, below the center of the reactor body 110, It is possible to cool the reactor main body 110 by receiving cool air.

상기 원료 유입 배관(130)은 상기 반응기 본체(110) 내부로 기상의 모노클로로실란(MCS)이 유입되는 통로이다.The raw material inlet pipe 130 is a passage through which gaseous monochlorosilane (MCS) flows into the reactor main body 110.

본 실시예에서는, 상기 원료 유입 배관(130)은 서로 이격되도록 복수 개로 형성되어, 상기 반응기 본체(110)의 상부의 서로 다른 지점에서 상기 반응기 본체(110) 내부로 기상의 상기 모노클로로실란이 유입되도록 한다.In the present embodiment, the raw material inlet pipes 130 are formed so as to be spaced apart from each other, so that the vaporous monochlorosilane flows into the reactor main body 110 at different points on the upper portion of the reactor main body 110 .

상세히는 상기 원료 유입 배관(130)은 기상의 상기 모노클로로실란이 외부에서 공급되는 공급관(131)과, 상기 공급관(131)에서 복수 개로 분지되어 기상의 상기 모노클로로실란을 상기 반응기 본체(110) 내부의 상기 디이소프로필아민 내부로 공급시키는 분지관(132, 133)을 포함한다.In detail, the raw material inlet pipe 130 is branched from the supply pipe 131 to supply the gaseous monochlorosilane to the reactor main body 110, And branch tubes (132, 133) for feeding the diisopropylamine into the interior of the diisopropylamine.

도면 번호 120은 기상의 상기 모노클로로실란과 액상의 상기 디이소프로필아민을 혼합시켜줄 수 있는 교반 부재로, 상기 교반 부재(120)는 기상의 상기 모노클로로실란과 액상의 상기 디이소프로필아민의 혼합물 속에 잠겨 회전되면서 교반을 수행하는 교반 날개(122)와, 상기 교반 날개(122)를 회전시켜줄 수 있는 모터 등의 교반 수단(121)을 포함한다.Reference numeral 120 denotes a stirring member capable of mixing the monochlorosilane in the gaseous phase and the diisopropylamine in the liquid phase, and the stirring member 120 is a mixture of the monochlorosilane in the gaseous phase and the diisopropylamine in the liquid phase And a stirring means 121 such as a motor capable of rotating the stirring vane 122. The stirring vane 122 is rotated by being rotated while being immersed in the stirring vane 122,

기상의 상기 모노클로로실란이 상기 반응기 본체(110) 내부의 액상의 상기 디이소프로필아민 내부로 공급되고, 상기 교반 부재(120)에 의해 교반됨으로써, 디이소프로필아미노실란이 합성될 수 있게 된다.The monochlorosilane in the gaseous phase is supplied into the diisopropylamine in the liquid phase inside the reactor main body 110 and stirred by the stirring member 120 to allow the diisopropylaminosilane to be synthesized.

한편, 상기 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기(100)는 냉각기(140)와, 냉각기향 배관(150)과, 수용 탱크(180)와, 히팅 자켓(181)과, 탱크향 배관(160)을 더 포함한다.The batch type reactor 100 for synthesizing diisopropylaminosilane used in the semiconductor manufacturing process comprises a cooler 140, a cooler incinerator pipe 150, a storage tank 180, a heating jacket 181, And further includes a tank incense pipe 160.

상기 냉각기(140)는 상기 반응기 본체(110) 내에서 임의로 유출되는 상기 모노클로로실란을 재액화시키는 것으로, 공냉 방식 등을 통해 상기 모노클로로실란을 재액화시킬 수 있는 열교환기 등이 그 예로 제시될 수 있다.The cooler 140 may be an example of a heat exchanger that re-liquefies the monochlorosilane leaking out of the reactor body 110 and can re-liquefy the monochlorosilane through an air cooling method or the like have.

상기 냉각기향 배관(150)은 상기 반응기 본체(110)에서 임의로 유출되는 상기 모노클로로실란이 상기 냉각기(140)로 유입되도록, 상기 반응기 본체(110)와 상기 냉각기(140)를 연결하는 것이다.The cooler incinerator pipe 150 connects the reactor main body 110 and the cooler 140 such that the monochlorosilane optionally flowing out of the reactor main body 110 flows into the cooler 140.

상기 수용 탱크(180)는 상기 냉각기(140)에서 재액화된 상기 모노클로로실란을 수용하는 것으로, 외부에 대하여 밀폐된 형태를 이룬다.The receiving tank 180 accommodates the monochlorosilane re-liquefied in the cooler 140, and is hermetically sealed to the outside.

상기 히팅 자켓(181)은 상기 수용 탱크(180)의 중부 이하의 하부를 감싸, 상기 수용 탱크(180)에 수용된 액상의 상기 모노클로로실란이 기화되도록 가열하는 것이다.The heating jacket 181 heats the lower portion of the receiving tank 180 below the middle portion so that the liquid monochlorosilane contained in the receiving tank 180 is vaporized.

상기 탱크향 배관(160)은 상기 냉각기(140)에서 재액화되어 상기 냉각기향 배관(150)을 통해 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 수용 탱크(180)로 유입되도록, 상기 냉각기향 배관(150)의 저면에서 분지되어 상기 수용 탱크(180)에 연결되는 것이다.The tank incinerator pipe 160 is connected to the cooler incinerator pipe 150 so that the liquid monochlorosilane that has been re-liquefied in the cooler 140 and flowed through the cooler incinerator pipe 150 flows into the containment tank 180 150 and is connected to the receiving tank 180. [

상기와 같이 구성되면, 상기 냉각기(140)에서 재액화된 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 냉각기향 배관(150)과 상기 탱크향 배관(160)을 순차적으로 경유하면서 상기 수용 탱크(180)로 유입될 수 있고, 그 후 상기 수용 탱크(180) 내에서 상기 히팅 자켓(181)에 의해 기화될 수 있게 된다.The monochlorosilane liquid in the liquid state re-liquefied in the cooler 140 sequentially flows through the cooler incineration pipe 150 and the tank incineration pipe 160 into the storage tank 180 And is then able to be vaporized by the heating jacket 181 in the receiving tank 180.

한편, 상기 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기(100)는 액상 유도벽체(153)와, 액상 방벽체(152)와, 액상 감속체(151)와, 오버플로우 방지 댐퍼(157)와, 오버플로우 댐퍼 작동 수단(156)과, 오버플로우 감지 센서(154)와, 제어 부재(101)를 포함한다.The batch type reactor 100 for synthesizing diisopropylaminosilane used in the semiconductor manufacturing process includes a liquid induction wall 153, a liquid phase wall body 152, a liquid decelerator 151, an overflow preventing damper 157, an overflow damper actuation means 156, an overflow detection sensor 154, and a control member 101.

상기 액상 유도벽체(153)는 상기 탱크향 배관(160)의 입구 부분에서 돌출됨으로써, 상기 냉각기(140)에서 재액화되어 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 탱크향 배관(160)으로 유입되도록 액상의 상기 모노클로로실란을 막아 상기 탱크향 배관(160)으로 유도하는 것이다.The liquid guiding wall 153 protrudes from the inlet of the tank incineration pipe 160 so that the liquid monochlorosilane in the liquid phase which has been re-liquefied in the cooler 140 and has flowed along the cooler incense pipe 150, The liquid monochlorosilane is blocked to be introduced into the tank incense pipe 160 and guided to the tank incense pipe 160.

상기 냉각기향 배관(150)에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체(153)는 상기 탱크향 배관(160)의 입구 부분의 후방에서 돌출되되, 상부로 갈수록 점진적으로 상기 냉각기(140) 쪽을 향하도록 경사진 형태의 플레이트로 형성된다.The liquid guiding wall 153 protrudes from the rear of the inlet portion of the tank incineration pipe 160 with respect to the flow direction of the liquid monochlorosilane in the cooler incense pipe 150, And is formed as a plate inclined to face the cooler 140.

상기 액상 방벽체(152)는 상기 냉각기향 배관(150)에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체(153)의 전측 부분에 상기 액상 유도벽체(153)와 이격되도록 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 상면에서 경사지게 돌출됨으로써, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란을 감속시키면서 액상의 모노클로로실란이 상기 액상 유도벽체(153)로 향하도록 유도하는 것이다.The liquid-containing wall body 152 is disposed at a front portion of the liquid-guiding wall body 153 with respect to the flow direction of the monochlorosilane in the liquid phase in the cooler incense pipe 150 so as to be separated from the liquid- The liquid monochlorosilane is sloped from the upper surface of the cooler incinerating pipe 150 so that the liquid monochlorosilane is decelerated from the liquid monoclorosilane flowing along the cooler incinerating pipe 150 to the liquid guiding wall 153 .

상기 액상 감속체(151)는 상기 냉각기향 배관(150)에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 방벽체(152)의 전측 부분에 상기 액상 방벽체(152)와 이격되도록 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면에서 일정 높이 상에 경사진 플레이트 형태로 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란을 감속시켜주는 것이다.The liquid decelerator 151 is disposed at a front portion of the liquid wall body 152 with respect to the flow direction of the monochlorosilane in the liquid phase in the cooler incense pipe 150, Is formed in an inclined plate shape at a predetermined height on the inner bottom surface of the cooler incineration pipe (150), thereby slowing down the liquid monochlorosilane which has flowed along the cooler incense pipe (150).

상기 액상 감속체(151)는 복수 개가 서로 이격되어 형성될 수 있다.A plurality of the liquid decelerator 151 may be spaced apart from each other.

상기 오버플로우 방지 댐퍼(157)는 상기 냉각기향 배관(150)의 상면에 회전 가능하게 연결됨으로써, 상기 액상 유도벽체(153)의 상단과 맞닿을 수 있는 것이다.The overflow preventing damper 157 is rotatably connected to the upper surface of the cooler incense pipe 150 so that the overflow preventing damper 157 can abut the upper end of the liquid guide wall 153.

상기 오버플로우 댐퍼 작동 수단(156)은 상기 오버플로우 방지 댐퍼(157)를 회전시켜줄 수 있는 것으로, 모터 등이 그 예로 제시될 수 있다.The overflow damper actuating means 156 can rotate the overflow preventing damper 157, and a motor or the like can be given as an example.

상기 오버플로우 감지 센서(154)는 상기 냉각기향 배관(150)에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체(153)의 후면에 배치되어, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란 중 상기 액상 유도벽체(153)를 넘은 것이 있는지를 감지하는 것으로, 수분 감지 센서 등이 그 예로 제시될 수 있다.The overflow detection sensor 154 is disposed on the rear surface of the liquid guide wall 153 on the basis of the flow direction of the monochlorosilane in the liquid phase in the cooler incense pipe 150, And detecting whether any of the monochlorosilanes in the liquid phase that has flowed along the liquid guiding wall 153 has crossed the liquid guiding wall 153, for example, a moisture sensor or the like.

도면 번호 155는 상기 냉각기향 배관(150)에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 오버플로우 감지 센서(154) 후방의 상기 냉각기향 배관(150)의 저면에 배치되어, 상기 오버플로우 감지 센서(154)와 함께 수분을 감지하는 추가 감지 센서이다.Reference numeral 155 designates a flow direction of the monochlorosilane in the liquid phase in the cooler incense pipe 150, and is disposed on the bottom of the cooler incense pipe 150 behind the overflow sensor 154, It is an additional sensing sensor that senses moisture with the flow sensing sensor 154.

상기 오버플로우 감지 센서(154) 단독의 센싱값을 이용하거나, 상기 오버플로우 감지 센서(154) 및 상기 추가 감지 센서(155)의 공통의 센싱값을 이용하여, 상기 제어 부재(101)가 수분의 오버플로우를 판단할 수 있다.Using the sensing value of the overflow detection sensor 154 alone or using the common sensing value of the overflow detection sensor 154 and the additional detection sensor 155, It is possible to judge the overflow.

상기 제어 부재(101)는 상기 오버플로우 감지 센서(154)에 의한 감지값에 따라 상기 오버플로우 댐퍼 작동 수단(156)을 작동 제어할 수 있는 것이다.The control member 101 is capable of controlling the operation of the overflow damper operating means 156 according to the detection value of the overflow detecting sensor 154.

본 실시예에서는, 상기 액상 유도벽체(153)의 상단은 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 상면과 이격되도록 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 상기 냉각기(140)로 유동되던 기상의 상기 모노클로로실란이 상기 액상 유도벽체(153)의 상단과 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 상면 사이의 공간을 통해 유동되고, 상기 액상 방벽체(152)의 하단은 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면과 이격되도록 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 상기 냉각기(140)로 유동되던 기상의 상기 모노클로로실란이 상기 액상 방벽체(152)의 하단과 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면 사이의 공간을 통해 유동되며, 상기 액상 유도벽체(153)의 상단은 상기 액상 방벽체(152)의 하단에 비해 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 상면 쪽으로 상대적으로 더 연장된 형태를 이룸으로써, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 액상 방벽체(152) 및 상기 액상 유도벽체(153)에 의해 순차적으로 막혀 상기 탱크향 배관(160)으로 향하도록 유도될 수 있으면서, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 기상의 상기 모노클로로실란은 상기 액상 유도벽체(153)의 상단과 상기 액상 방벽체(152)의 하단을 지그재그로 경유하면서 상기 냉각기(140)로 향하게 된다.The upper end of the liquid guide wall 153 is formed to be spaced apart from the upper surface of the cooler incinerating pipe 150 so that the upper portion of the liquid guiding wall 153, The monochlorosilane flows through the space between the upper end of the liquid induction wall 153 and the upper inside surface of the cooler incinerator pipe 150 and the lower end of the liquid mantle 152 is connected to the cooler incinerator pipe 150, The monochlorosilane in the gaseous phase which has flowed to the cooler 140 along the cooler incense pipe 150 is separated from the lower end of the liquid molten wall 152 and the cooler incinerator 150, And the upper end of the liquid guiding wall 153 is relatively extended toward the inner upper surface of the cooler incineration pipe 150 as compared to the lower end of the liquid wall wall 152 To build The monochlorosilane in the liquid phase which has flowed along the cooler incense pipe 150 is sequentially clogged by the liquid-containing wall 152 and the liquid-guiding wall 153 to be directed to the tank incineration pipe 160 The monochlorosilane in the gaseous phase which has flowed along the cooler incense pipe 150 can be guided while passing through the upper end of the liquid guiding wall 153 and the lower end of the liquid wall wall 152 zigzag, 140, respectively.

또한, 상기 냉각기향 배관(150)에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 감속체(151)와 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면 사이의 유입구에 비해 상기 액상 감속체(151)와 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면 사이의 유출구가 상대적으로 더 작아지도록, 상기 액상 감속체(151)가 상기 냉각기향 배관(150)과 점진적으로 근접되는 방향으로 경사지게 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 액상 감속체(151)에 부딪혀 감속된 상태로 상기 액상 방벽체(152) 쪽으로 유동된다.The liquid decelerator 151 is connected to the inlet of the liquid decelerator 151 and the inner bottom of the cooler incinerator 150 based on the flow direction of the monochlorosilane in the liquid phase in the cooler incense pipe 150, The liquid decelerator 151 is formed so as to be inclined in a direction in which the liquid decelerator 151 gradually approaches the cooler incense pipe 150 so that the outlet between the cooler incense pipe 150 and the inner bottom surface of the cooler incense pipe 150 becomes relatively smaller, The monochlorosilane in the liquid phase which has flowed along the pipe 150 flows toward the liquid phase wall body 152 in a state of being decelerated against the liquid phase decelerator 151.

또한, 상기 오버플로우 감지 센서(154)에 의해 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란 중 상기 액상 유도벽체(153)를 넘은 것이 있는 것으로 감지되면, 상기 제어 부재(101)는 상기 냉각기향 배관(150)이 막히도록, 상기 오버플로우 방지 댐퍼(157)가 상기 액상 유도벽체(153)의 상단과 맞닿을 수 있게 상기 오버플로우 댐퍼 작동 수단(156)을 작동시킨다.Further, when it is detected that the liquid phase induction wall 153 is overflowed from the liquid monoclorosilane which has flowed along the cooler incense pipe 150 by the overflow detection sensor 154, the control member 101 Operates the overflow damper actuation means 156 such that the overflow preventing damper 157 abuts the upper end of the liquid guide wall 153 so that the cooler incense pipe 150 is clogged.

물론, 상기 오버플로우 방지 댐퍼(157)가 상기 냉각기향 배관(150)의 내면 상부에 밀착되도록 회전되면, 기상의 상기 모노클로로실란이 유동 가능한 상태가 된다.Of course, when the overflow preventing damper 157 is rotated so as to closely contact the upper surface of the inner surface of the cooler incineration pipe 150, the gaseous monochlorosilane can flow.

상기와 같이, 상기 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기(100)가 상기 액상 유도벽체(153), 상기 액상 방벽체(152), 상기 액상 감속체(151), 상기 오버플로우 방지 댐퍼(157), 상기 오버플로우 댐퍼 작동 수단(156), 상기 오버플로우 감지 센서(154) 및 상기 제어 부재(101)를 포함함에 따라, 상기 냉각기향 배관(150)을 향하던 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 반응기 본체(110)로 임의로 유입되지 아니하고, 상기 수용 탱크(180) 내부로 수용될 수 있게 된다.As described above, the batch type reactor 100 for synthesizing diisopropylaminosilane used in the semiconductor production is formed by the liquid phase inducing wall 153, the liquid phase wall body 152, the liquid phase decelerator 151, (150) in the liquid phase toward the cooler incense piping (150), by including the overflow damper (157), the overflow damper actuation means (156), the overflow detection sensor (154) The silane does not enter the reactor main body 110 at random and can be received in the receiving tank 180.

도면 번호 183은 상기 수용 탱크(180) 내부의 압력을 감지하는 압력 감지 센서이고, 도면 번호 182는 상기 압력 감지 센서(183)에 의해 감지되는 상기 수용 탱크(180) 내부의 압력을 외부에 표시하는 디스플레이 부재이다.Reference numeral 183 denotes a pressure sensing sensor for sensing the pressure inside the accommodation tank 180. Reference numeral 182 denotes a pressure inside the accommodation tank 180 which is sensed by the pressure sensing sensor 183, Display member.

한편, 상기 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기(100)는 재유입 배관(185)과, 반사 곡면체(186)와, 반사 경사면체(187)와, 반사 유도홀(189)과, 반사 유도벽체(188)를 포함한다.The batch type reactor 100 for synthesizing diisopropylaminosilane used in the semiconductor manufacturing process includes a re-inflow pipe 185, a reflective curved body 186, a reflective inclined body 187, a reflective induction hole 189 And a reflection inducing wall 188, as shown in Fig.

상기 재유입 배관(185)은 상기 수용 탱크(180)에서 재기화된 상기 모노클로로실란이 상기 반응기 본체(110)로 재유입되도록, 상기 수용 탱크(180)와 상기 반응기 본체(110)를 연결하는 것이다.The re-inflow pipe 185 connects the storage tank 180 and the reactor main body 110 such that the monochlorosilane regenerated in the storage tank 180 is re-introduced into the reactor main body 110 will be.

상기 반사 곡면체(186)는 상기 재유입 배관(185)의 입구 부분에 상기 재유입 배관(185)의 내벽과 일정 간격 이격되도록 형성되되, 상기 재유입 배관(185) 쪽으로 함몰된 곡면 형태로 형성됨으로써, 상기 수용 탱크(180)로부터 상기 재유입 배관(185)으로 유입되는 기상의 상기 모노클로로실란은 통과되고, 상기 수용 탱크(180)로부터 상기 재유입 배관(185)으로 유입되는 액상의 상기 모노클로로실란은 막혀 다시 상기 수용 탱크(180) 내부로 낙하되도록 하는 것이다.The reflective curved body 186 is formed at an inlet of the re-inflow pipe 185 so as to be spaced apart from the inner wall of the re-inflow pipe 185 by a predetermined distance, , The gaseous monochlorosilane flowing into the re-inflow pipe (185) from the accommodation tank (180) is passed through and the liquid monochlorosilane flowing into the re-inflow pipe (185) from the accommodation tank The silane is clogged and then dropped into the receiving tank 180 again.

상기 반사 경사면체(187)는 상기 재유입 배관(185)에서의 기상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 반사 곡면체(186)의 후방에 상기 반사 곡면체(186)와 이격되도록 상기 재유입 배관(185)의 내벽으로부터 돌출되되, 상기 반사 곡면체(186)와 상기 재유입 배관(185)의 내벽 사이의 간격에 비해 상대적으로 더 돌출되고, 상기 반사 곡면체(186)를 향하는 면이 상기 재유입 배관(185)에서의 기상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 점진적으로 상기 재유입 배관(185)을 향하도록 경사진 경사면을 이룸으로써, 상기 반사 곡면체(186)와 상기 재유입 배관(185)의 내벽 사이의 간격을 통해 임의 유입된 액상의 상기 모노클로로실란이 막혀 다시 수용 탱크(180) 내부로 낙하되도록 하는 것이다.The reflection inclined surface 187 is formed on the rear surface of the reflective curved surface 186 with respect to the flowing direction of the monochlorosilane in the gas phase in the re- Is protruded from the inner wall of the pipe 185 and relatively more protruded than the gap between the reflective curved body 186 and the inner wall of the re-inflow pipe 185, The inclined surface inclined toward the re-inflow pipe 185 gradually increases with respect to the flow direction of the monochlorosilane in the gaseous phase in the pipe 185 so that the inclination of the reflective curved body 186 and the reflux pipe 185 The monochlorosilane in the liquid phase, which is arbitrarily introduced through the gap between the inner walls of the tank 180, is clogged and dropped into the receiving tank 180 again.

상기 반사 유도홀(189)은 상기 재유입 배관(185)에서의 기상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 반사 경사면체(187)의 후방의 상기 재유입 배관(185) 저면에 형성됨으로써, 상기 반사 경사면체(187)를 임의로 넘은 액상의 상기 모노클로로실란이 통과되면서 상기 수용 탱크(180) 내부로 낙하되도록 하는 것이다.The reflection inducing hole 189 is formed on the bottom surface of the re-inflow pipe 185 behind the reflection inclined surface 187 with reference to the flow direction of the monochlorosilane in the gaseous phase in the re-inflow pipe 185 , The monochlorosilane in the liquid state optionally passing through the reflection slope member (187) passes and falls into the receiving tank (180).

상기 반사 유도벽체(188)는 상기 재유입 배관(185)에서의 기상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 반사 유도홀(189)의 후방의 상기 재유입 배관(185) 저면에서 일정 높이로 돌출됨으로써, 상기 반사 유도홀(189)을 임의로 넘은 액상의 상기 모노클로로실란이 막혀 상기 반사 유도홀(189)로 유도되도록 하는 것이다.The reflection guiding wall 188 is disposed at a predetermined height from the bottom of the re-inflow pipe 185 at the rear of the reflection inducing hole 189 with respect to the flow direction of the monochlorosilane in the gaseous phase in the re- So that the monochlorosilane in the liquid state, which is optionally over the reflection inducing hole 189, is blocked and guided to the reflection inducing hole 189. [

상기와 같이, 상기 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기(100)가 상기 재유입 배관(185), 상기 반사 곡면체(186), 상기 반사 경사면체(187), 상기 반사 유도홀(189) 및 상기 반사 유도벽체(188)를 포함함에 따라, 상기 수용 탱크(180)에 수용되어 있다가 재기화된 상기 모노클로로실란은 상기 반응기 본체(110)로 재유입되고, 액상의 상기 모노클로로실란이 임의로 상기 반응기 본체(110)로 유입되지 아니하도록 할 수 있다.As described above, the batch type reactor 100 for synthesizing diisopropylaminosilane for use in the semiconductor manufacturing method according to the present invention is installed in the reflux pipe 185, the reflective curved body 186, the reflective inclined body 187, The monochlorosilane contained in the accommodating tank 180 and regenerated is re-introduced into the reactor main body 110 as the inclusion of the hole 189 and the reflection inducing wall 188, The monochlorosilane may not be optionally introduced into the reactor main body 110.

한편, 상기 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기(100)는 바이패스 배관(170)과, 액상 유입 차단 댐퍼(173)와, 액상 유입 차단 댐퍼 작동 수단(172)과, 액상 유입 감지 센서(171)를 포함한다.The batch type reactor 100 for synthesizing diisopropylaminosilane used in the semiconductor manufacturing process comprises a bypass pipe 170, a liquid phase interrupting damper 173, a liquid phase interrupting damper actuating means 172, And a liquid inflow detection sensor 171.

상기 바이패스 배관(170)은 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란 중 상기 액상 유도벽체(153)를 임의로 넘은 것이 상기 탱크향 배관(160)으로 유입되도록, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체(153)의 후방에서 상기 냉각기향 배관(150)의 저면과 상기 탱크향 배관(160)을 연결하는 것이다.The bypass pipe 170 is connected to the cooler piping 150 so that any one of the monochlorosilanes in the liquid phase that has flowed along the cooler piping pipe 150 flows into the tank piping 160, The lower surface of the cooler incineration pipe 150 and the tank incineration pipe 160 are connected to each other at the rear of the liquid guide wall 153 based on the flow direction of the monochlorosilane in the liquid phase flowing along the incinse pipe 150 .

상기 액상 유입 차단 댐퍼(173)는 상기 냉각기향 배관(150)에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체(153)의 후방의 상기 냉각기향 배관(150)의 상면에 회전 가능하게 연결됨으로써, 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면과 맞닿을 수 있는 것이다.The liquid phase inflow preventing damper 173 is disposed on the upper surface of the cooler incandescent pipe 150 at the rear of the liquid guiding wall body 153 with respect to the flow direction of the monochlorosilane in the liquid phase in the cooler incendient piping 150 And can be brought into contact with the inner bottom surface of the cooler incense pipe 150 by being rotatably connected.

도 6에 도시된 바와 같이, 상기 액상 유입 차단 댐퍼(173)가 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 상면과 맞닿으면, 기상의 상기 모노클로로실란이 유동 가능하고, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 액상 유입 차단 댐퍼(173)가 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면과 맞닿으면, 상기 냉각기향 배관(150)이 막히게 된다.6, when the liquid phase inflow preventing damper 173 comes into contact with the inner upper surface of the cooler incineration pipe 150, the gaseous monochlorosilane can flow, and as shown in FIG. 7, Blocking damper 173 is in contact with the inner bottom surface of the cooler incineration pipe 150, the cooler incineration pipe 150 is clogged.

상기 액상 유입 차단 댐퍼 작동 수단(172)은 상기 액상 유입 차단 댐퍼(173)를 회전시켜줄 수 있는 것으로, 모터 등이 그 예로 제시될 수 있다.The liquid phase inflow preventing damper actuating means 172 can rotate the liquid inflow preventing damper 173, and a motor or the like can be given as an example.

상기 액상 유입 감지 센서(171)는 상기 바이패스 배관(170) 상에 배치되어, 상기 바이패스 배관(170)을 따라 액상의 상기 모노클로로실란이 유입되었는지 여부를 감지하는 것으로, 수분 감지 센서 등이 그 예로 제시될 수 있다.The liquid inflow detection sensor 171 is disposed on the bypass line 170 and detects whether the liquid monochlorosilane has flowed along the bypass line 170. A moisture sensor It can be presented as an example.

상기 액상 유입 감지 센서(171)에서 상기 바이패스 배관(170)을 따라 액상의 상기 모노클로로실란이 유입된 것으로 감지되면, 상기 냉각기향 배관(150)에서 상기 반응기 본체(110) 쪽은 막히고 상기 바이패스 배관(170) 쪽만 개방되도록, 상기 액상 유입 차단 댐퍼(173)가 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면과 맞닿을 수 있게 상기 액상 유입 차단 댐퍼 작동 수단(172)을 작동시킨다.If it is detected by the liquid inlet sensor 171 that the liquid monochlorosilane has flowed along the bypass pipe 170, the reactor main body 110 is blocked in the cooler incense pipe 150, Shut-off damper operating means 172 so that the liquid-phase shut-off damper 173 can come into contact with the inner bottom surface of the cooler-incinerating piping 150 so as to open only the pass piping 170 side.

상기와 같이, 상기 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기(100)가 상기 바이패스 배관(170), 상기 액상 유입 차단 댐퍼(173), 상기 액상 유입 차단 댐퍼 작동 수단(172) 및 상기 액상 유입 감지 센서(171)를 포함함에 따라, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 임의로 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 반응기 본체(110)로 유입되는 현상이 완전히 방지될 수 있게 된다.As described above, the batch type reactor 100 for synthesizing diisopropylaminosilane for use in the semiconductor manufacturing is provided with the bypass piping 170, the liquid phase inflow blocking damper 173, the liquid phase inflow blocking damper operating means 172 ) And the liquid inlet sensor (171), it is possible to completely prevent the phenomenon that the liquid monochlorosilane, which has optionally flowed along the cooler incense pipe (150), flows into the reactor main body (110) do.

이하에서 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기(100)의 작동에 대하여 설명한다.Hereinafter, the operation of the batch type reactor 100 for synthesizing diisopropylaminosilane used for manufacturing a semiconductor according to this embodiment will be described with reference to the drawings.

먼저, 복수 개의 상기 원료 유입 배관(130)을 통해 복수 지점에서 상기 반응기 본체(110) 내부로 기상의 상기 모노클로로실란이 유입되고, 그에 따라 복수 지점에서 디이소프로필아미노실란 합성 작용이 이루어진다.First, the gaseous monochlorosilane flows into the reactor main body 110 at a plurality of points through a plurality of the raw material inlet pipes 130, and diisopropylaminosilane synthesis is performed at a plurality of points.

그런 과정 중에, 일부 기상의 상기 모노클로로실란이 상승되어 상기 냉각기(140)로 향하게 되면, 상기 냉각기(140)에서 냉각되어 재액화된 상기 모노클로로실란이 상기 냉각기향 배관(150) 및 상기 탱크향 배관(160)을 경유하여, 상기 수용 탱크(180)에 수용된다.During this process, when the monochlorosilane of some gaseous phase is raised to the cooler 140, the monochlorosilane cooled and re-liquefied in the cooler 140 flows into the cooler incinerator 150 and the tank incinerator 140, And is received in the receiving tank 180 via the pipe 160.

상기 수용 탱크(180)에 수용된 액상의 상기 모노클로로실란은 재기화되어, 상기 반응기 본체(110) 내부로 재유입된다.The monochlorosilane in the liquid phase contained in the receiving tank 180 is regenerated and re-introduced into the reactor main body 110.

상기와 같이, 상기 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기(100)가 상기 반응기 본체(110), 상기 냉각 자켓(115) 및 복수 개의 상기 원료 유입 배관(130)을 포함함에 따라, 종래 기상의 모노클로로실란 유입 배관이 단수 개 형성됨에 따라 발생되던 버블링 현상 및 기상의 모노클로로실란 유입 배관의 투입구 부분에서의 급격한 발열 반응 발생이 최소화될 수 있고, 디이소프로필아미노실란 수율이 향상될 수 있게 되고, 상기 냉각기(140)에서 재액화된 물질이 상기 수용 탱크(180) 내부로 유입될 수 있어서 그 재액화된 물질이 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 다시 반응기 본체(110) 내부로 임의 유입되어 액상 상태로 낙하되는 현상이 방지될 수 있게 되고, 그에 따라 디이소프로필아미노실란 반응 수율이 향상될 수 있게 된다.As described above, the batch type reactor 100 for synthesizing diisopropylaminosilane used for manufacturing the semiconductor includes the reactor main body 110, the cooling jacket 115, and a plurality of the raw material inlet pipes 130 Accordingly, it is possible to minimize the occurrence of the bubbling phenomenon and the rapid exothermic reaction in the inlet portion of the monochlorosilane inlet pipe in the gaseous phase due to the formation of a single monochlorosilane inlet pipe in the conventional gas phase, and the diisopropylaminosilane yield So that the re-liquefied material can be introduced into the receiving tank 180 so that the re-liquefied material passes through the reactor main body 110 ) And falling into a liquid phase can be prevented, and the reaction yield of diisopropylaminosilane can be improved.

상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims And can be changed. However, it is intended that the present invention covers the modifications and variations of this invention provided they come within the scope of the appended claims and their equivalents.

본 발명의 일 측면에 따른 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기에 의하면, 기상의 모노클로로실란 유입 배관이 단수 개 형성됨에 따라 발생되던 버블링 현상 및 기상의 모노클로로실란 유입 배관의 투입구 부분에서의 급격한 발열 반응 발생을 최소화하고, 디이소프로필아미노실란 수율이 향상될 수 있으며, 냉각기에서 재액화된 물질이 냉각기 연결 라인을 따라 다시 반응기 본체 내부로 유입되어 액상 상태로 낙하되는 현상이 방지될 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.According to one aspect of the present invention, there is provided a batch type reactor for synthesizing a diisopropylaminosilane for use in the production of semiconductors, wherein a bubbling phenomenon caused by the formation of a singular number of gaseous monochlorosilane inlet piping and a gaseous monochlorosilane inlet It is possible to minimize the occurrence of an abrupt exothermic reaction in the inlet portion of the pipe, to improve the yield of diisopropylaminosilane, and to allow the material re-liquefied in the cooler to flow back into the reactor body along the cooler connecting line, The development can be prevented, and therefore, it is highly likely to be used industrially.

100 : 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기
110 : 반응기 본체
115 : 냉각 자켓
130 : 원료 유입 배관100: batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used in semiconductor manufacturing
110: reactor body
115: cooling jacket
130: Raw material inflow pipe

Claims (5)

액상의 디이소프로필아민(DIPA)이 수용된 반응기 본체;
상기 반응기 본체를 감싸, 상기 반응기 본체 내부를 냉각시켜줄 수 있는 냉각 자켓;
상기 반응기 본체 내부로 기상의 모노클로로실란(MCS)이 유입되는 통로인 원료 유입 배관;
상기 반응기 본체 내에서 임의로 유출되는 상기 모노클로로실란을 재액화시키는 냉각기;
상기 반응기 본체에서 임의로 유출되는 상기 모노클로로실란이 상기 냉각기로 유입되도록, 상기 반응기 본체와 상기 냉각기를 연결하는 냉각기향 배관;
상기 냉각기에서 재액화된 상기 모노클로로실란을 수용하는 수용 탱크;
상기 수용 탱크를 감싸, 상기 수용 탱크에 수용된 액상의 상기 모노클로로실란이 기화되도록 가열하는 히팅 자켓;
상기 냉각기에서 재액화되어 상기 냉각기향 배관을 통해 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 수용 탱크로 유입되도록, 상기 냉각기향 배관에서 분지되어 상기 수용 탱크에 연결되는 탱크향 배관;
상기 탱크향 배관의 입구 부분에서 돌출됨으로써, 상기 냉각기에서 재액화되어 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 탱크향 배관으로 유입되도록 액상의 상기 모노클로로실란을 막아 상기 탱크향 배관으로 유도하는 액상 유도벽체;
상기 냉각기향 배관에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체의 전측 부분에 상기 액상 유도벽체와 이격되도록 상기 냉각기향 배관의 내부 상면에서 경사지게 돌출됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란을 감속시키면서 액상의 모노클로로실란이 상기 액상 유도벽체로 향하도록 유도하는 액상 방벽체;
상기 냉각기향 배관에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 방벽체의 전측 부분에 상기 액상 방벽체와 이격되도록 상기 냉각기향 배관의 내부 저면에서 일정 높이 상에 경사진 플레이트 형태로 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란을 감속시켜주는 액상 감속체;
상기 냉각기향 배관의 상면에 회전 가능하게 연결됨으로써, 상기 액상 유도벽체의 상단과 맞닿을 수 있는 오버플로우 방지 댐퍼;
상기 오버플로우 방지 댐퍼를 회전시켜줄 수 있는 오버플로우 댐퍼 작동 수단;
상기 냉각기향 배관에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체의 후면에 배치되어, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란 중 상기 액상 유도벽체를 넘은 것이 있는지를 감지하는 오버플로우 감지 센서; 및
상기 오버플로우 감지 센서에 의한 감지값에 따라 상기 오버플로우 댐퍼 작동 수단을 작동 제어할 수 있는 제어 부재;를 포함하고,
상기 원료 유입 배관은 서로 이격되도록 복수 개로 형성되어, 상기 반응기 본체의 서로 다른 지점에서 상기 반응기 본체 내부로 기상의 상기 모노클로로실란이 유입되도록 하고,
상기 액상 유도벽체의 상단은 상기 냉각기향 배관의 내부 상면과 이격되도록 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 상기 냉각기로 유동되던 기상의 상기 모노클로로실란이 상기 액상 유도벽체의 상단과 상기 냉각기향 배관의 내부 상면 사이의 공간을 통해 유동되고,
상기 액상 방벽체의 하단은 상기 냉각기향 배관의 내부 저면과 이격되도록 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 상기 냉각기로 유동되던 기상의 상기 모노클로로실란이 상기 액상 방벽체의 하단과 상기 냉각기향 배관의 내부 저면 사이의 공간을 통해 유동되고,
상기 액상 유도벽체의 상단은 상기 액상 방벽체의 하단에 비해 상기 냉각기향 배관의 내부 상면 쪽으로 상대적으로 더 연장된 형태를 이룸으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 액상 방벽체 및 상기 액상 유도벽체에 의해 순차적으로 막혀 상기 탱크향 배관으로 향하도록 유도될 수 있으면서, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 기상의 상기 모노클로로실란은 상기 액상 유도벽체의 상단과 상기 액상 방벽체의 하단을 지그재그로 경유하면서 상기 냉각기로 향하고,
상기 냉각기향 배관에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 감속체와 상기 냉각기향 배관의 내부 저면 사이의 유입구에 비해 상기 액상 감속체와 상기 냉각기향 배관의 내부 저면 사이의 유출구가 상대적으로 더 작아지도록, 상기 액상 감속체가 상기 냉각기향 배관과 점진적으로 근접되는 방향으로 경사지게 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란이 상기 액상 감속체에 부딪혀 감속된 상태로 상기 액상 방벽체 쪽으로 유동되고,
상기 오버플로우 감지 센서에 의해 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란 중 상기 액상 유도벽체를 넘은 것이 있는 것으로 감지되면, 상기 제어 부재는 상기 냉각기향 배관이 막히도록, 상기 오버플로우 방지 댐퍼가 상기 액상 유도벽체의 상단과 맞닿을 수 있게 상기 오버플로우 댐퍼 작동 수단을 작동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기.A reactor body containing a liquid diisopropylamine (DIPA);
A cooling jacket that surrounds the reactor body and can cool the inside of the reactor body;
A raw material inflow pipe that is a passage through which gaseous monochlorosilane (MCS) flows into the reactor main body;
A cooler for re-liquefying the monochlorosilane optionally flowing out of the reactor body;
A cooler incense piping connecting the reactor main body and the cooler so that the monochlorosilane optionally flowing out from the reactor main body flows into the cooler;
An accommodation tank for containing said monochlorosilane resorbed in said cooler;
A heating jacket surrounding the accommodation tank and heating the liquid monochlorosilane contained in the accommodation tank to be vaporized;
A tank-oriented piping branched from the cooler incinerator pipe to be connected to the storage tank so that the liquid monochlorosilane that has been re-liquefied in the cooler and flowed through the cooler incinerator pipe flows into the storage tank;
The liquid monochlorosilane is protruded from the inlet portion of the tank incinerating pipe so that the liquid monochlorosilane is re-liquefied in the cooler so that the liquid monochlorosilane that has flowed along the cooler incinerating pipe flows into the tank incinerator pipe, A liquid guiding wall leading to the pipe;
The cooling liquid flowing into the cooler incandescent tube is guided by the coolant incandescent tube at an inner side of the coolant incandescent tube so as to be spaced apart from the liquid induction wall at a front portion of the liquid guiding wall in a direction of flow of the monochlorosilane in the coolant incendient pipe, A liquid-phase wall for guiding the liquid monochlorosilane to the liquid-phase inducing wall while decelerating the monochlorosilane in the liquid phase;
The liquid coolant is introduced into the liquid coolant pipe in the form of an inclined plate at a predetermined height on the inner bottom surface of the cooler coolant pipe so as to be spaced apart from the liquid coolant wall on the front side portion of the liquid coolant wall in the flow direction of the monochlorosilane A liquid decelerator for decelerating the monochlorosilane in the liquid phase which has flowed along the pipe of the cooler by being formed;
An overflow preventing damper rotatably connected to the upper surface of the cooler incense pipe so as to abut the upper end of the liquid guide wall;
An overflow damper operating means capable of rotating the overflow preventing damper;
Wherein the liquid phase inducing wall is disposed on the rear surface of the liquid guiding wall in a direction of flow of the monochlorosilane in the liquid phase in the cooler incandescent piping and passes through the liquid guiding wall in the liquid phase of the monochlorosilane An overflow detection sensor for detecting whether or not there is an abnormality; And
And a control member capable of operating and controlling the overflow damper operating means according to a sensed value by the overflow sensor,
Wherein the raw material inflow pipe is formed in a plurality of spaces so as to be spaced apart from each other so that the gaseous monochlorosilane flows into the reactor body at different points of the reactor body,
The upper end of the liquid induction wall is formed to be spaced apart from the upper surface of the cooler incinerator pipe so that the monochlorosilane in the gaseous phase which has flowed to the cooler along the cooler incinerator pipe is connected to the upper end of the liquid guide wall, Flows through a space between the inner upper surfaces,
And the lower end of the liquid wall is spaced apart from the inner bottom of the cooler incinerator pipe so that the monochlorosilane in the gaseous phase that has flowed to the cooler along the cooler incinerator pipe is connected to the lower end of the liquid wall enclosure and the cooler incinerator pipe Flows through a space between the inner bottom surfaces,
Wherein the upper end of the liquid induction wall is relatively extended toward the inner upper surface of the cooler incinerator pipe as compared with the lower end of the liquid wall enclosure so that the liquid monochlorosilane flowing along the cooler incinerator pipe flows into the liquid The monochlorosilane in the gaseous phase which has flowed along the cooler incandescent pipe can be guided toward the tank incinerating pipe by being sequentially clogged by the liquefied wall and the liquid guiding wall, To the cooler while zigzagging the lower end thereof,
Wherein an outlet between the liquid decelerator and an inner bottom surface of the cooler incinerator pipe is relatively larger than an inlet between the liquid decelerator and the inner bottom surface of the cooler incinerator pipe relative to the flow direction of the monochlorosilane in the liquid phase in the cooler incinerator pipe, The liquid phase decelerator is inclined in a direction in which the liquid phase decelerator gradually approaches the cooler incense pipe so that the monochlorosilane in the liquid phase flowing along the cooler incense pipe is decelerated by colliding with the liquid decelerator, Flows toward the wall of the chamber,
Wherein the control member detects that the liquid phase inducing wall has crossed the liquid guiding wall among the liquid monochlorosilane that has flowed along the cooler incense pipe by the overflow detection sensor, Characterized in that the overflow damper operating means is operated so that the damper abuts the upper end of the liquid guide wall. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기는
상기 수용 탱크에서 재기화된 상기 모노클로로실란이 상기 반응기 본체로 재유입되도록, 상기 수용 탱크와 상기 반응기 본체를 연결하는 재유입 배관;
상기 재유입 배관의 입구 부분에 상기 재유입 배관의 내벽과 일정 간격 이격되도록 형성되되, 상기 재유입 배관 쪽으로 함몰된 곡면 형태로 형성됨으로써, 상기 수용 탱크로부터 상기 재유입 배관으로 유입되는 기상의 상기 모노클로로실란은 통과되고, 상기 수용 탱크로부터 상기 재유입 배관으로 유입되는 액상의 상기 모노클로로실란은 막혀 다시 상기 수용 탱크 내부로 낙하되도록 하는 반사 곡면체;
상기 재유입 배관에서의 기상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 반사 곡면체의 후방에 상기 반사 곡면체와 이격되도록 상기 재유입 배관의 내벽으로부터 돌출되되, 상기 반사 곡면체와 상기 재유입 배관의 내벽 사이의 간격에 비해 상대적으로 더 돌출되고, 상기 반사 곡면체를 향하는 면이 상기 재유입 배관에서의 기상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 점진적으로 상기 재유입 배관을 향하도록 경사진 경사면을 이룸으로써, 상기 반사 곡면체와 상기 재유입 배관의 내벽 사이의 간격을 통해 임의 유입된 액상의 상기 모노클로로실란이 막혀 다시 수용 탱크 내부로 낙하되도록 하는 반사 경사면체;
상기 재유입 배관에서의 기상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 반사 경사면체의 후방의 상기 재유입 배관 저면에 형성됨으로써, 상기 반사 경사면체를 임의로 넘은 액상의 상기 모노클로로실란이 통과되면서 상기 수용 탱크 내부로 낙하되도록 하는 반사 유도홀; 및
상기 재유입 배관에서의 기상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 반사 유도홀의 후방의 상기 재유입 배관 저면에서 일정 높이로 돌출됨으로써, 상기 반사 유도홀을 임의로 넘은 액상의 상기 모노클로로실란이 막혀 상기 반사 유도홀로 유도되도록 하는 반사 유도벽체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기.The method according to claim 1,
The batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used in the semiconductor production is a
A re-inflow pipe connecting the storage tank and the reactor main body so that the monochlorosilane regenerated in the storage tank is re-introduced into the reactor main body;
Wherein the inlet port of the re-inflow pipe is spaced apart from the inner wall of the re-inflow pipe by a predetermined distance and is formed in a curved shape that is recessed toward the re-inflow pipe, Wherein the chlorosilane is passed through and the monochlorosilane in the liquid phase flowing into the re-inflow pipe from the accommodation tank is clogged and falls back into the accommodation tank;
Wherein the inlet port of the re-inflow pipe is protruded from the inner wall of the re-inflow pipe so as to be spaced apart from the reflective curved body at the rear of the reflective curved body with respect to the flow direction of the monochlorosilane in the re- And the inclined surface inclined so that the surface facing the reflective curved body gradually faces the re-inflow pipe with respect to the flow direction of the monochlorosilane in the gas phase in the re-inflow pipe Wherein the mono-chlorosilane in the liquid phase, which is arbitrarily introduced through the gap between the reflective curved body and the inner wall of the re-inflow pipe, is clogged and falls back into the receiving tank;
And the monochlorosilane liquid in the liquid phase optionally passing through the reflection slope body is passed through the bottom of the re-inflow pipe behind the reflection slope body with reference to the flow direction of the monochlorosilane in the gaseous phase in the re- A reflection inducing hole for dropping into the receiving tank; And
Wherein said monochlorosilane in a liquid state optionally surpasses said reflection inducing hole by protruding at a predetermined height from a bottom surface of said re-inflow pipe behind said reflection inducing hole based on a flow direction of said monochlorosilane in said gaseous phase in said re- And a reflection inducing wall which is clogged and guided to the reflection inducing hole. 2. A batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane as claimed in claim 1, 제 1 항에 있어서,
상기 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기는
상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란 중 상기 액상 유도벽체를 임의로 넘은 것이 상기 탱크향 배관으로 유입되도록, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체의 후방에서 상기 냉각기향 배관과 상기 탱크향 배관을 연결하는 바이패스 배관;
상기 냉각기향 배관에서의 액상의 상기 모노클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체의 후방의 상기 냉각기향 배관의 상면에 회전 가능하게 연결됨으로써, 상기 냉각기향 배관의 내부 저면과 맞닿을 수 있는 액상 유입 차단 댐퍼;
상기 액상 유입 차단 댐퍼를 회전시켜줄 수 있는 액상 유입 차단 댐퍼 작동 수단; 및
상기 바이패스 배관 상에 배치되어, 상기 바이패스 배관을 따라 액상의 상기 모노클로로실란이 유입되었는지 여부를 감지하는 액상 유입 감지 센서;를 포함하고,
상기 액상 유입 감지 센서에서 상기 바이패스 배관을 따라 액상의 상기 모노클로로실란이 유입된 것으로 감지되면, 상기 냉각기향 배관에서 상기 반응기 본체 쪽은 막히고 상기 바이패스 배관 쪽만 개방되도록, 상기 액상 유입 차단 댐퍼가 상기 냉각기향 배관의 내부 저면과 맞닿을 수 있게 상기 액상 유입 차단 댐퍼 작동 수단을 작동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기.The method according to claim 1,
The batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used in the semiconductor production is a
The flow direction of the monochlorosilane in the liquid phase which has flowed along the cooler incom- ing pipe is set to be the reference direction so that the liquid phase inducing wall of the liquid mono- A bypass pipe connecting the cooler incense pipe and the tank incline pipe from the rear of the liquid guide wall;
The cooling liquid flowing through the cooler incinerator tube is connected to the upper surface of the cooler incinerator pipe on the rear side of the liquid guide wall based on the flow direction of the monochlorosilane in the liquid phase in the cooler incinerator pipe, Liquid phase shutoff damper;
A liquid phase inflow preventing damper operating means capable of rotating the liquid inflow preventing damper; And
And a liquid inflow detection sensor disposed on the bypass line for sensing whether the monochlorosilane in the liquid phase has flowed along the bypass line,
The liquid phase inflow-blocking damper is arranged such that the liquid phase inflow-detecting sensor detects that the liquid monochlorosilane flows into the bypass pipe, And the liquid phase inflow-blocking damper actuating means is operated so as to abut the inner bottom surface of the cooler incense pipe. 제 1 항에 있어서,
상기 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기는
상기 수용 탱크 내부의 압력을 감지하는 압력 감지 센서; 및
상기 압력 감지 센서에 의해 감지되는 상기 수용 탱크 내부의 압력을 외부에 표시하는 디스플레이 부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 사용되는 디이소프로필아미노실란 합성용 배치식 반응기.The method according to claim 1,
The batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane used in the semiconductor production is a
A pressure sensing sensor for sensing a pressure inside the containing tank; And
And a display member for externally displaying a pressure inside the containing tank sensed by the pressure detecting sensor. The batch type reactor for synthesizing diisopropylaminosilane as claimed in claim 1,
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