KR101810499B1 - Batch reactor for composing BDEAS used for manufacturing semiconductor - Google Patents

Batch reactor for composing BDEAS used for manufacturing semiconductor Download PDF

Info

Publication number
KR101810499B1
KR101810499B1 KR1020170094221A KR20170094221A KR101810499B1 KR 101810499 B1 KR101810499 B1 KR 101810499B1 KR 1020170094221 A KR1020170094221 A KR 1020170094221A KR 20170094221 A KR20170094221 A KR 20170094221A KR 101810499 B1 KR101810499 B1 KR 101810499B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
pipe
cooler
dichlorosilane
wall
Prior art date
Application number
KR1020170094221A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이경주
서재용
오찬우
윤수형
박성국
남병언
김준형
Original Assignee
오션브릿지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오션브릿지 주식회사 filed Critical 오션브릿지 주식회사
Priority to KR1020170094221A priority Critical patent/KR101810499B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101810499B1 publication Critical patent/KR101810499B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • B01J4/001—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/0053—Details of the reactor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • B01J4/008—Feed or outlet control devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/025—Silicon compounds without C-silicon linkages
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2204/00—Aspects relating to feed or outlet devices; Regulating devices for feed or outlet devices
    • B01J2204/007—Aspects relating to the heat-exchange of the feed or outlet devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

As disclosed batch-type reactor for composing bis(diethylamino)silane (BDEAS) used for manufacturing a semiconductor comprises a reactor body, a cooling jacket, and a plurality of raw material inlet pipes, it is possible to minimize the occurrence of the bubbling phenomenon caused by the formation of a single number of dichlorosilane inlet pipes in a conventional gas phase and the occurrence of a rapid exothermic reaction in an inlet portion of the gas phase dichlorosilane inlet pipe can be minimized, and to improve the yield of the BDEAS, and as the material re-liquefied in a cooler can be introduced into a receiving tank, it is possible to prevent the re-liquefied material from arbitrarily introduced into the reactor body along a cooler incinerating pipe and falling in a liquid state, and thus the yield of a BDEAS reaction is improved.

Description

반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기{Batch reactor for composing BDEAS used for manufacturing semiconductor}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a batch reactor for synthesizing a video,

본 발명은 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a batch type reactor for synthesizing a video used in semiconductor manufacturing.

비디아스(BDEAS, bis(diethylamino)silane)는 반도체 디램(dram)의 30nm 이하의 미세 패턴을 구현하기 위해 사용되는 소재이고, 이러한 비디아스가 적용된 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시된 특허문헌의 그 것이다.BDEAS (bis (diethylamino) silane) is a material used to realize a fine pattern of 30 nm or less of a semiconductor DRAM, and examples of the application of such a video can be given in the following patent documents .

이러한 비디아스는 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기를 통해 합성될 수 있다.Such a video can be synthesized through a batch reactor for the synthesis of a video used in semiconductor manufacturing.

반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서는, 냉각 자켓에 의해 감싸지고 액상의 디에틸아민(diethylamine)이 수용된 상태의 반응기 본체 내로 기상의 디클로로실란(dichlorosilane)이 유입되어 반응하면서 비디아스가 형성된다.In a batch type reactor for synthesizing a video used in semiconductor manufacturing, vapor phase dichlorosilane is introduced into a reactor body surrounded by a cooling jacket and containing liquid diethylamine, .

또한, 반응기 본체 내에서 기화되어 날아가는 물질을 재액화시키기 위한 냉각기가 배관에 의해 반응기 본체에 연결된다.A cooler for re-liquefying the vaporized and flying material in the reactor body is also connected to the reactor body by piping.

그러나, 종래의 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에 의하면, 반응기 본체에 기상의 디클로로실란 유입 배관이 단수 개만 형성되어 있고, 그에 따라 버블링(bubbling)에 의해 액체와 고체가 함께 상부로 이송되어 반응기 본체 내부 상단이 오염되고 냉각기 연결 라인이 막히는 현상이 발생되는 문제가 있었다.However, according to the batch type reactor for synthesizing a video used in conventional semiconductor manufacturing, only a single number of gaseous dichlorosilane inlet piping is formed in the reactor body, so that liquid and solid are mixed together by bubbling, There is a problem that the upper part of the inside of the reactor body is contaminated and the cooler connecting line is clogged.

또한, 종래의 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서는, 기상의 디클로로실란 유입 배관의 투입구에서 급격한 발열 반응이 발생하여 온도 구배가 발생되고, 유입된 디클로로실란 중 반응하지 못하는 원료가 발생되어, 반응 수율이 현저히 저하되는 현상이 발생되었고, 이러한 현상을 방지하기 위하여 냉각기를 설치하는데, 그 냉각기 크기가 대형화되어야 해서, 냉각기 설치 비용이 과다해지는 문제가 있었다.Further, in the conventional batch reactor for synthesizing a semiconductor used in semiconductor manufacturing, a rapid exothermic reaction occurs at the inlet of the dichlorosilane inlet pipe in the gas phase, a temperature gradient is generated, and an unreacted raw material of the introduced dichlorosilane is generated In order to prevent such a phenomenon, a cooler is installed, and the size of the cooler must be increased, resulting in a problem of excessive installation cost of the cooler.

또한, 종래의 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서는, 냉각기에서 재액화된 물질이 냉각기 연결 라인을 따라 다시 반응기 본체 내부로 유입되어 액상 상태로 낙하되는데, 액상의 디클로로실란이 기상의 디클로로실란보다 상대적으로 더 격렬하게 반응을 일으키기 때문에, 반응 수율이 현저하게 떨어지게 되는 문제가 있었다.Also, in the conventional batch type reactor for semiconductor synthesis, the material re-liquefied in the cooler flows back into the reactor body along the cooler connecting line and falls into a liquid state. In the liquid phase, Since the reaction is more vigorous than that of dichlorosilane, there is a problem that the reaction yield is remarkably lowered.

공개특허 제 10-2013-0135815호, 공개일자: 2013.12.11., 발명의 명칭: BDEAS로 증착된 실리콘 이산화물 층Open No. 10-2013-0135815, published on December 11, 2013, entitled: Silicon dioxide layer deposited with BDEAS

본 발명은 기상의 디클로로실란 유입 배관이 단수 개 형성됨에 따라 발생되던 버블링 현상 및 기상의 디클로로실란 유입 배관의 투입구 부분에서의 급격한 발열 반응 발생을 최소화하고, 비디아스 수율이 향상될 수 있는 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device capable of minimizing the occurrence of a bubbling phenomenon caused by the formation of a single stream of dichlorosilane inlet pipe in a gaseous phase and a rapid exothermic reaction occurring at the inlet portion of a dichlorosilane inlet pipe in a gaseous phase, And to provide a batch type reactor for the synthesis of a non-diazo compound.

본 발명의 다른 목적은 냉각기에서 재액화된 물질이 냉각기 연결 라인을 따라 다시 반응기 본체 내부로 유입되어 액상 상태로 낙하되는 현상이 방지될 수 있는 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a batch type reactor for synthesizing a video used in the manufacture of semiconductors, in which the material re-liquefied in the cooler can be prevented from falling into the reactor body along with the cooler connecting line, .

본 발명의 일 측면에 따른 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기는 액상의 디에틸아민(diethylamine)이 수용된 반응기 본체; 상기 반응기 본체를 감싸, 상기 반응기 본체 내부를 냉각시켜줄 수 있는 냉각 자켓; 상기 반응기 본체 내부로 기상의 디클로로실란(dichlorosilane)이 유입되는 통로인 원료 유입 배관; 상기 반응기 본체 내에서 임의로 유출되는 상기 디클로로실란을 재액화시키는 냉각기; 상기 반응기 본체에서 임의로 유출되는 상기 디클로로실란이 상기 냉각기로 유입되도록, 상기 반응기 본체와 상기 냉각기를 연결하는 냉각기향 배관; 상기 냉각기에서 재액화된 상기 디클로로실란을 수용하는 수용 탱크; 상기 수용 탱크를 감싸, 상기 수용 탱크에 수용된 액상의 상기 디클로로실란이 기화되도록 가열하는 히팅 자켓; 및 상기 냉각기에서 재액화되어 상기 냉각기향 배관을 통해 유동되던 액상의 상기 디클로로실란이 상기 수용 탱크로 유입되도록, 상기 냉각기향 배관에서 분지되어 상기 수용 탱크에 연결되는 탱크향 배관;을 포함하고,
상기 원료 유입 배관은 서로 이격되도록 복수 개로 형성되어, 상기 반응기 본체의 서로 다른 지점에서 상기 반응기 본체 내부로 기상의 상기 디클로로실란이 유입되도록 하는 것을 특징으로 한다.A batch reactor for synthesizing a semiconductor used for semiconductor manufacturing according to one aspect of the present invention includes a reactor body containing a liquid diethylamine; A cooling jacket that surrounds the reactor body and can cool the inside of the reactor body; A raw material inflow pipe which is a passage through which gaseous dichlorosilane flows into the reactor main body; A cooler for re-liquefying the dichlorosilane freely flowing in the reactor main body; A cooler incense pipe connecting the reactor main body and the cooler so that the dichlorosilane flowing out from the reactor main body flows into the cooler; An accommodation tank for containing the dichlorosilane re-liquefied in the cooler; A heating jacket which surrounds the accommodation tank and heats the dichlorosilane contained in the accommodation tank to vaporize the liquid dichlorosilane; And a tank-oriented piping branched from the cooler incinerator pipe and connected to the storage tank so that the liquid-phase dichlorosilane that has been re-liquefied in the cooler and flowed through the cooler incinerator pipe is introduced into the storage tank,
The raw material inlet pipes are formed to be spaced apart from each other so that the vapor phase dichlorosilane flows into the reactor main body at different points of the reactor main body.

삭제delete

본 발명의 일 측면에 따른 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에 의하면, 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기가 반응기 본체, 냉각 자켓 및 복수 개의 원료 유입 배관을 포함함에 따라, 종래 기상의 디클로로실란 유입 배관이 단수 개 형성됨에 따라 발생되던 버블링 현상 및 기상의 디클로로실란 유입 배관의 투입구 부분에서의 급격한 발열 반응 발생이 최소화될 수 있고, 비디아스 수율이 향상될 수 있게 되고, 냉각기에서 재액화된 물질이 수용 탱크 내부로 유입될 수 있어서 그 재액화된 물질이 냉각기향 배관을 따라 다시 반응기 본체 내부로 임의 유입되어 액상 상태로 낙하되는 현상이 방지될 수 있게 되고, 그에 따라 비디아스 반응 수율이 향상될 수 있게 되는 효과가 있다.According to one aspect of the present invention, there is provided a batch type reactor for synthesizing a video used in a semiconductor manufacturing process, wherein a batch type reactor for synthesizing a video used in semiconductor manufacturing includes a reactor body, a cooling jacket, and a plurality of raw material inlet pipes , It is possible to minimize the occurrence of the bubbling phenomenon caused by the formation of a single stream of the dichlorosilane inlet pipe in the conventional gas phase and the rapid exothermic reaction in the inlet portion of the dichlorosilane inlet pipe in the vapor phase, , The material re-liquefied in the cooler can be introduced into the receiving tank, so that the re-liquefied material can be prevented from falling into the liquid phase by being randomly introduced into the reactor main body again along the pipe for the cooler, The yield of the reaction of the video reaction can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기를 개략적으로 보이는 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서 냉각기향 배관과 탱크향 배관이 교차된 부분을 확대한 도면.
도 3은 도 2에 도시된 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서의 유체 흐름을 보이는 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서 재유입 배관의 입구 부분을 확대한 도면.
도 5는 도 4에 도시된 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서의 유체 흐름을 보이는 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서 냉각기향 배관, 탱크향 배관 및 바이패스 배관이 보이도록 확대한 도면.
도 7은 도 6에 도시된 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서 액상 유입 차단 댐퍼가 작동된 모습을 보이는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a schematic view of a batch type reactor for the synthesis of a composite used in the manufacture of semiconductors according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of a cross section of a cooler-incinerator pipe and a tank-incinerator pipe in a batch type reactor for synthesizing a video used in semiconductor manufacturing according to an embodiment of the present invention; FIG.
3 is a view of fluid flow in a batch reactor for the synthesis of a composite used for the semiconductor production shown in Fig. 2; Fig.
FIG. 4 is an enlarged view of an inlet portion of a re-inflow pipe in a batch type reactor for use in semiconductor fabrication according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 5 is a view showing fluid flow in a batch type reactor for synthesizing a video used in the production of the semiconductor shown in FIG. 4; FIG.
FIG. 6 is an enlarged view of a condenser pipe, a tank pipe, and a bypass pipe in a batch type reactor for synthesizing a video used in semiconductor manufacturing according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 7 is a view showing a state in which a liquid-phase inflow-inhibiting damper is operated in a batch type reactor for synthesizing a video used in the semiconductor manufacturing shown in FIG.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에 대하여 설명한다.Hereinafter, a batch type reactor for synthesizing a video signal used in the manufacture of a semiconductor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기를 개략적으로 보이는 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서 냉각기향 배관과 탱크향 배관이 교차된 부분을 확대한 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서의 유체 흐름을 보이는 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서 재유입 배관의 입구 부분을 확대한 도면이고, 도 5는 도 4에 도시된 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서의 유체 흐름을 보이는 도면이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서 냉각기향 배관, 탱크향 배관 및 바이패스 배관이 보이도록 확대한 도면이고, 도 7은 도 6에 도시된 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에서 액상 유입 차단 댐퍼가 작동된 모습을 보이는 도면이다.FIG. 1 is a schematic view of a batch reactor for synthesizing a video signal used in the manufacture of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross- FIG. 3 is a view showing a fluid flow in a batch type reactor for synthesizing a video used in the semiconductor manufacturing process shown in FIG. 2, and FIG. FIG. 4 is an enlarged view of an inlet portion of a re-inflow pipe in a batch type reactor for use in semiconductor fabrication according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 is a cross- FIG. 6 is a view showing a fluid flow in a batch type reactor for asynthesis, and FIG. 6 is a graph showing a flow rate in a batch type reaction reactor for use in semiconductor fabrication according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is an enlarged view showing a cooler incineration pipe, a tank incineration pipe, and a bypass pipe. FIG. 7 is a view showing the operation of the liquid-phase inflow preventing damper in the batch- Is a visible view.

도 1 내지 도 7을 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기(100)는 반응기 본체(110)와, 냉각 자켓(115)과, 원료 유입 배관(130)을 포함한다.Referring to FIGS. 1 to 7, the batch type reactor 100 for use in semiconductor manufacturing according to the present embodiment includes a reactor body 110, a cooling jacket 115, a raw material inlet pipe 130 ).

상기 반응기 본체(110)는 외부에 대하여 밀폐된 형태를 이루고, 액상의 디에틸아민(diethylamine)이 내부에 수용된 것이다.The reactor main body 110 is hermetically sealed to the outside, and liquid diethylamine is contained therein.

상기 냉각 자켓(115)은 상기 반응기 본체(110), 상세히는 상기 반응기 본체(110)의 중부 이하의 하부를 감싸, 상기 반응기 본체(110) 내부를 냉각시켜줄 수 있는 것으로, 별도의 냉각 사이클을 통해 냉기를 공급받아 상기 반응기 본체(110)를 냉각시킬 수 있다.The cooling jacket 115 can cool the inside of the reactor body 110 by covering the lower portion of the reactor body 110, specifically, below the center of the reactor body 110, It is possible to cool the reactor main body 110 by receiving cool air.

상기 원료 유입 배관(130)은 상기 반응기 본체(110) 내부로 기상의 디클로로실란(dichlorosilane)이 유입되는 통로이다.The raw material inlet pipe 130 is a passage through which gaseous dichlorosilane flows into the reactor main body 110.

본 실시예에서는, 상기 원료 유입 배관(130)은 서로 이격되도록 복수 개로 형성되어, 상기 반응기 본체(110)의 상부의 서로 다른 지점에서 상기 반응기 본체(110) 내부로 기상의 상기 디클로로실란이 유입되도록 한다.In the present embodiment, the raw material inlet pipes 130 are formed to be spaced apart from each other so that the vapor-phase dichlorosilane flows into the reactor main body 110 at different points on the upper portion of the reactor main body 110 do.

상세히는 상기 원료 유입 배관(130)은 기상의 상기 디클로로실란이 외부에서 공급되는 공급관(131)과, 상기 공급관(131)에서 복수 개로 분지되어 기상의 상기 디클로로실란을 상기 반응기 본체(110) 내부의 상기 디에틸아민 내부로 공급시키는 분지관(132, 133)을 포함한다.Specifically, the raw material inlet pipe 130 is divided into a supply pipe 131 for supplying the dichlorosilane in the gas phase from the outside and a plurality of branch pipes 131 for supplying the dichlorosilane in the gaseous phase to the inside of the reactor main body 110 And branch tubes 132 and 133 for supplying the diethylamine into the inside of the diethylamine.

도면 번호 120은 기상의 상기 디클로로실란과 액상의 상기 디에틸아민을 혼합시켜줄 수 있는 교반 부재로, 상기 교반 부재(120)는 기상의 상기 디클로로실란과 액상의 상기 디에틸아민의 혼합물 속에 잠겨 회전되면서 교반을 수행하는 교반 날개(122)와, 상기 교반 날개(122)를 회전시켜줄 수 있는 모터 등의 교반 수단(121)을 포함한다.Reference numeral 120 denotes a stirring member capable of mixing the dichlorosilane in the gaseous phase and the diethylamine in a liquid state, and the stirring member 120 is rotated while being immersed in the mixture of the dichlorosilane in the gaseous phase and the diethylamine in the liquid phase A stirring blade 122 for stirring and a stirring means 121 such as a motor capable of rotating the stirring blade 122.

기상의 상기 디클로로실란이 상기 반응기 본체(110) 내부의 액상의 상기 디에틸아민 내부로 공급되고, 상기 교반 부재(120)에 의해 교반됨으로써, 비디아스가 합성될 수 있게 된다.The dichlorosilane in the gaseous phase is supplied into the diethylamine in the liquid phase inside the reactor main body 110 and stirred by the stirring member 120 so that the vidires can be synthesized.

한편, 상기 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기(100)는 냉각기(140)와, 냉각기향 배관(150)과, 수용 탱크(180)와, 히팅 자켓(181)과, 탱크향 배관(160)을 더 포함한다.The batch type reactor 100 for synthesizing a video used in the semiconductor manufacturing process includes a cooler 140, a cooler incinerator pipe 150, a storage tank 180, a heating jacket 181, (160).

상기 냉각기(140)는 상기 반응기 본체(110) 내에서 임의로 유출되는 상기 디클로로실란을 재액화시키는 것으로, 공냉 방식 등을 통해 상기 디클로로실란을 재액화시킬 수 있는 열교환기 등이 그 예로 제시될 수 있다.The cooler 140 may be an example of a heat exchanger that re-liquefies the dichlorosilane that flows out of the reactor body 110 and can re-liquefy the dichlorosilane through an air cooling method or the like.

상기 냉각기향 배관(150)은 상기 반응기 본체(110)에서 임의로 유출되는 상기 디클로로실란이 상기 냉각기(140)로 유입되도록, 상기 반응기 본체(110)와 상기 냉각기(140)를 연결하는 것이다.The cooler incinerator pipe 150 connects the reactor main body 110 and the cooler 140 such that the dichlorosilane optionally flowing out of the reactor main body 110 flows into the cooler 140.

상기 수용 탱크(180)는 상기 냉각기(140)에서 재액화된 상기 디클로로실란을 수용하는 것으로, 외부에 대하여 밀폐된 형태를 이룬다.The receiving tank 180 receives the re-liquefied dichlorosilane in the cooler 140, and is sealed to the outside.

상기 히팅 자켓(181)은 상기 수용 탱크(180)의 중부 이하의 하부를 감싸, 상기 수용 탱크(180)에 수용된 액상의 상기 디클로로실란이 기화되도록 가열하는 것이다.The heating jacket 181 heats the lower portion of the receiving tank 180 below the middle portion so that the liquid dichlorosilane contained in the receiving tank 180 is vaporized.

상기 탱크향 배관(160)은 상기 냉각기(140)에서 재액화되어 상기 냉각기향 배관(150)을 통해 유동되던 액상의 상기 디클로로실란이 상기 수용 탱크(180)로 유입되도록, 상기 냉각기향 배관(150)의 저면에서 분지되어 상기 수용 탱크(180)에 연결되는 것이다.The tank incineration pipe 160 is connected to the cooler incineration pipe 150 so that the liquid dichlorosilane that has been re-liquefied in the cooler 140 and flowed through the cooler incense pipe 150 flows into the containment tank 180 So that it is connected to the receiving tank 180.

상기와 같이 구성되면, 상기 냉각기(140)에서 재액화된 액상의 상기 디클로로실란이 상기 냉각기향 배관(150)과 상기 탱크향 배관(160)을 순차적으로 경유하면서 상기 수용 탱크(180)로 유입될 수 있고, 그 후 상기 수용 탱크(180) 내에서 상기 히팅 자켓(181)에 의해 기화될 수 있게 된다.The liquid siloxane in the liquid phase re-liquefied in the cooler 140 is introduced into the containing tank 180 while passing through the cooler incense pipe 150 and the tank incense pipe 160 sequentially And is then able to be vaporized by the heating jacket 181 in the receiving tank 180.

한편, 상기 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기(100)는 액상 유도벽체(153)와, 액상 방벽체(152)와, 액상 감속체(151)와, 오버플로우 방지 댐퍼(157)와, 오버플로우 댐퍼 작동 수단(156)과, 오버플로우 감지 센서(154)와, 제어 부재(101)를 포함한다.The batch type reactor 100 for synthesizing a video used in the semiconductor manufacturing process includes a liquid induction wall 153, a liquid wall body 152, a liquid decelerator 151, an overflow prevention damper 157, An overflow damper actuating means 156, an overflow detecting sensor 154, and a control member 101. As shown in Fig.

상기 액상 유도벽체(153)는 상기 탱크향 배관(160)의 입구 부분에서 돌출됨으로써, 상기 냉각기(140)에서 재액화되어 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란이 상기 탱크향 배관(160)으로 유입되도록 액상의 상기 디클로로실란을 막아 상기 탱크향 배관(160)으로 유도하는 것이다.The liquid guiding wall 153 protrudes from the inlet of the tank incineration pipe 160 so that the liquid dichlorine that has been re-liquefied in the cooler 140 and flowed along the cooler incense pipe 150 flows into the tank The dichlorosilane in the liquid phase is introduced into the incense pipe 160 and guided to the tank incense pipe 160.

상기 냉각기향 배관(150)에서의 액상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체(153)는 상기 탱크향 배관(160)의 입구 부분의 후방에서 돌출되되, 상부로 갈수록 점진적으로 상기 냉각기(140) 쪽을 향하도록 경사진 형태의 플레이트로 형성된다.The liquid guiding wall 153 protrudes from the rear of the inlet portion of the tank incline pipe 160 with respect to the flow direction of the liquid dichlorosilane in the cooler incense pipe 150, And is formed as a plate inclined to face the cooler 140.

상기 액상 방벽체(152)는 상기 냉각기향 배관(150)에서의 액상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체(153)의 전측 부분에 상기 액상 유도벽체(153)와 이격되도록 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 상면에서 경사지게 돌출됨으로써, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란을 감속시키면서 액상의 디클로로실란이 상기 액상 유도벽체(153)로 향하도록 유도하는 것이다.The liquid-containing wall body 152 is disposed at a front portion of the liquid-guiding wall body 153 with respect to the flow direction of the dichlorosilane in the liquid phase in the cooler incense pipe 150, Guiding the liquid dichlorosilane toward the liquid induction wall 153 while decelerating the liquid dichlorosilane that has flowed along the cooler incense piping 150 by being sloped from the upper surface of the interior of the cooler incineration pipe 150 will be.

상기 액상 감속체(151)는 상기 냉각기향 배관(150)에서의 액상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 방벽체(152)의 전측 부분에 상기 액상 방벽체(152)와 이격되도록 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면에서 일정 높이 상에 경사진 플레이트 형태로 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란을 감속시켜주는 것이다.The liquid decelerator 151 is disposed at a front portion of the liquid wall body 152 with respect to the flow direction of the liquid dichlorosilane in the cooler incense pipeline 150 so as to be spaced apart from the liquid wall wall body 152. [ Is formed in an inclined plate shape at a predetermined height on the inner bottom surface of the incinse pipe 150 so as to decelerate the liquid dichlorosilane flowing along the cooler incense pipe 150.

상기 액상 감속체(151)는 복수 개가 서로 이격되어 형성될 수 있다.A plurality of the liquid decelerator 151 may be spaced apart from each other.

상기 오버플로우 방지 댐퍼(157)는 상기 냉각기향 배관(150)의 상면에 회전 가능하게 연결됨으로써, 상기 액상 유도벽체(153)의 상단과 맞닿을 수 있는 것이다.The overflow preventing damper 157 is rotatably connected to the upper surface of the cooler incense pipe 150 so that the overflow preventing damper 157 can abut the upper end of the liquid guide wall 153.

상기 오버플로우 댐퍼 작동 수단(156)은 상기 오버플로우 방지 댐퍼(157)를 회전시켜줄 수 있는 것으로, 모터 등이 그 예로 제시될 수 있다.The overflow damper actuating means 156 can rotate the overflow preventing damper 157, and a motor or the like can be given as an example.

상기 오버플로우 감지 센서(154)는 상기 냉각기향 배관(150)에서의 액상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체(153)의 후면에 배치되어, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란 중 상기 액상 유도벽체(153)를 넘은 것이 있는지를 감지하는 것으로, 수분 감지 센서 등이 그 예로 제시될 수 있다.The overflow sensor 154 is disposed on the rear surface of the liquid guide wall 153 with respect to the flow direction of the dichlorosilane in the liquid phase in the cooler incense pipe 150, A moisture sensor or the like may be exemplified by detecting whether any of the liquid dichloride silane that has flowed along the liquid guiding wall 153 has crossed.

도면 번호 155는 상기 냉각기향 배관(150)에서의 액상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 오버플로우 감지 센서(154) 후방의 상기 냉각기향 배관(150)의 저면에 배치되어, 상기 오버플로우 감지 센서(154)와 함께 수분을 감지하는 추가 감지 센서이다.Reference numeral 155 designates a flow direction of the dichlorosilane in a liquid phase in the cooler incense pipe 150, and is disposed on the bottom of the cooler incense pipe 150 behind the overflow sensor 154, It is an additional sensing sensor that senses moisture with the sensing sensor 154.

상기 오버플로우 감지 센서(154) 단독의 센싱값을 이용하거나, 상기 오버플로우 감지 센서(154) 및 상기 추가 감지 센서(155)의 공통의 센싱값을 이용하여, 상기 제어 부재(101)가 수분의 오버플로우를 판단할 수 있다.Using the sensing value of the overflow detection sensor 154 alone or using the common sensing value of the overflow detection sensor 154 and the additional detection sensor 155, It is possible to judge the overflow.

상기 제어 부재(101)는 상기 오버플로우 감지 센서(154)에 의한 감지값에 따라 상기 오버플로우 댐퍼 작동 수단(156)을 작동 제어할 수 있는 것이다.The control member 101 is capable of controlling the operation of the overflow damper operating means 156 according to the detection value of the overflow detecting sensor 154.

본 실시예에서는, 상기 액상 유도벽체(153)의 상단은 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 상면과 이격되도록 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 상기 냉각기(140)로 유동되던 기상의 상기 디클로로실란이 상기 액상 유도벽체(153)의 상단과 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 상면 사이의 공간을 통해 유동되고, 상기 액상 방벽체(152)의 하단은 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면과 이격되도록 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 상기 냉각기(140)로 유동되던 기상의 상기 디클로로실란이 상기 액상 방벽체(152)의 하단과 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면 사이의 공간을 통해 유동되며, 상기 액상 유도벽체(153)의 상단은 상기 액상 방벽체(152)의 하단에 비해 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 상면 쪽으로 상대적으로 더 연장된 형태를 이룸으로써, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란이 상기 액상 방벽체(152) 및 상기 액상 유도벽체(153)에 의해 순차적으로 막혀 상기 탱크향 배관(160)으로 향하도록 유도될 수 있으면서, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 기상의 상기 디클로로실란은 상기 액상 유도벽체(153)의 상단과 상기 액상 방벽체(152)의 하단을 지그재그로 경유하면서 상기 냉각기(140)로 향하게 된다.The upper end of the liquid guide wall 153 is formed to be spaced apart from the upper surface of the cooler incinerating pipe 150 so that the upper portion of the liquid guiding wall 153, The dichlorosilane flows through a space between the upper end of the liquid induction wall 153 and the upper inside surface of the cooler incineration pipe 150 and the lower end of the liquid molten- The dichlorosilane in the gaseous phase that has flowed to the cooler 140 along the cooler incense pipe 150 is separated from the bottom of the liquid coolant pipe 152 and the inside of the cooler incense pipe 150 And the upper end of the liquid guide wall 153 is relatively extended toward the inner upper surface of the cooler air pipe 150 as compared with the lower end of the liquid wall wall 152 , The dichlorosilane in the liquid phase which has flowed along the cooler incense pipe 150 is sequentially clogged by the liquid barrier 152 and the liquid guide wall 153 and guided to the tank incline pipe 160 The dichlorosilane in the gaseous phase that has flowed along the cooler incense pipe 150 can pass through the upper end of the liquid induction wall 153 and the lower end of the liquid wall wall 152 in a zigzag manner, Lt; / RTI >

또한, 상기 냉각기향 배관(150)에서의 액상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 감속체(151)와 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면 사이의 유입구에 비해 상기 액상 감속체(151)와 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면 사이의 유출구가 상대적으로 더 작아지도록, 상기 액상 감속체(151)가 상기 냉각기향 배관(150)과 점진적으로 근접되는 방향으로 경사지게 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란이 상기 액상 감속체(151)에 부딪혀 감속된 상태로 상기 액상 방벽체(152) 쪽으로 유동된다.The liquid decelerator 151 may be connected to an inlet of the liquid decelerator 151 and an inner bottom of the cooler incinerator pipe 150 based on the flow direction of the liquid dichlorosilane in the cooler incense pipe 150. [ The liquid decelerator 151 is formed so as to be inclined gradually in the direction of approaching the cooler incense pipe 150 so that the outlet between the cooler incense pipe 150 and the inner bottom surface of the cooler incense pipe 150 becomes relatively smaller, The dichlorosilane in the liquid phase which has flowed along the flow path 150 flows toward the liquid phase wall body 152 in a state of being decelerated against the liquid phase decelerator 151.

또한, 상기 오버플로우 감지 센서(154)에 의해 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란 중 상기 액상 유도벽체(153)를 넘은 것이 있는 것으로 감지되면, 상기 제어 부재(101)는 상기 냉각기향 배관(150)이 막히도록, 상기 오버플로우 방지 댐퍼(157)가 상기 액상 유도벽체(153)의 상단과 맞닿을 수 있게 상기 오버플로우 댐퍼 작동 수단(156)을 작동시킨다.When the control member 101 detects that the liquid-phase induction wall 153 is overflowed by the overflow detection sensor 154, The overflow damper actuating means 156 is operated such that the overflow preventing damper 157 abuts against the upper end of the liquid guide wall 153 so that the cooler incense pipe 150 is blocked.

물론, 상기 오버플로우 방지 댐퍼(157)가 상기 냉각기향 배관(150)의 내면 상부에 밀착되도록 회전되면, 기상의 상기 디클로로실란이 유동 가능한 상태가 된다.Of course, when the overflow preventing damper 157 is rotated so as to closely contact the upper surface of the inner surface of the cooler incineration pipe 150, the above-mentioned dichlorosilane in a gaseous state can flow.

상기와 같이, 상기 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기(100)가 상기 액상 유도벽체(153), 상기 액상 방벽체(152), 상기 액상 감속체(151), 상기 오버플로우 방지 댐퍼(157), 상기 오버플로우 댐퍼 작동 수단(156), 상기 오버플로우 감지 센서(154) 및 상기 제어 부재(101)를 포함함에 따라, 상기 냉각기향 배관(150)을 향하던 액상의 상기 디클로로실란이 상기 반응기 본체(110)로 임의로 유입되지 아니하고, 상기 수용 탱크(180) 내부로 수용될 수 있게 된다.As described above, the batch type reactor 100 for synthesizing the video used in the semiconductor manufacturing is provided with the liquid guide wall 153, the liquid wall member 152, the liquid decelerator 151, the overflow preventing damper 157, the overflow damper actuation means 156, the overflow detection sensor 154 and the control member 101, the dichlorosilane in liquid phase towards the cooler fragrance conduit 150, So that it can be received in the receiving tank 180 without being arbitrarily introduced into the main body 110.

한편, 상기 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기(100)는 재유입 배관(185)과, 반사 곡면체(186)와, 반사 경사면체(187)와, 반사 유도홀(189)과, 반사 유도벽체(188)를 포함한다.The batch type reactor 100 for synthesizing a video used in the semiconductor manufacturing process includes a re-inflow pipe 185, a reflective curved body 186, a reflective inclined body 187, a reflective induction hole 189, And a reflective induction wall 188.

상기 재유입 배관(185)은 상기 수용 탱크(180)에서 재기화된 상기 디클로로실란이 상기 반응기 본체(110)로 재유입되도록, 상기 수용 탱크(180)와 상기 반응기 본체(110)를 연결하는 것이다.The re-inflow pipe 185 connects the containing tank 180 and the reactor main body 110 so that the dichlorosilane regenerated in the containing tank 180 is re-introduced into the reactor main body 110 .

상기 반사 곡면체(186)는 상기 재유입 배관(185)의 입구 부분에 상기 재유입 배관(185)의 내벽과 일정 간격 이격되도록 형성되되, 상기 재유입 배관(185) 쪽으로 함몰된 곡면 형태로 형성됨으로써, 상기 수용 탱크(180)로부터 상기 재유입 배관(185)으로 유입되는 기상의 상기 디클로로실란은 통과되고, 상기 수용 탱크(180)로부터 상기 재유입 배관(185)으로 유입되는 액상의 상기 디클로로실란은 막혀 다시 상기 수용 탱크(180) 내부로 낙하되도록 하는 것이다.The reflective curved body 186 is formed at an inlet of the re-inflow pipe 185 so as to be spaced apart from the inner wall of the re-inflow pipe 185 by a predetermined distance, , The gaseous dichlorosilane flowing from the storage tank 180 to the re-inflow pipe 185 passes through and the liquid dichlorosilane flowing from the storage tank 180 to the re- And then falls into the receiving tank 180 again.

상기 반사 경사면체(187)는 상기 재유입 배관(185)에서의 기상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 반사 곡면체(186)의 후방에 상기 반사 곡면체(186)와 이격되도록 상기 재유입 배관(185)의 내벽으로부터 돌출되되, 상기 반사 곡면체(186)와 상기 재유입 배관(185)의 내벽 사이의 간격에 비해 상대적으로 더 돌출되고, 상기 반사 곡면체(186)를 향하는 면이 상기 재유입 배관(185)에서의 기상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 점진적으로 상기 재유입 배관(185)을 향하도록 경사진 경사면을 이룸으로써, 상기 반사 곡면체(186)와 상기 재유입 배관(185)의 내벽 사이의 간격을 통해 임의 유입된 액상의 상기 디클로로실란이 막혀 다시 수용 탱크(180) 내부로 낙하되도록 하는 것이다.The reflective inclined body 187 is disposed behind the reflective curved body 186 and spaced apart from the reflective curved body 186 with respect to the flowing direction of the vaporized dichlorosilane in the re- (186) and the inner wall of the re-inflow pipe (185), and a surface facing the reflective curved body (186) is protruded from the inner wall of the re- (186) and the reflux pipe (185) by inclining the inclined surface to be inclined toward the re-inflow pipe (185) gradually based on the flow direction of the dichlorosilane in the gas phase in the reflux pipe (185) The dichlorosilane in the liquid phase, which is arbitrarily introduced through the gap between the inner walls, is clogged and dropped into the receiving tank 180 again.

상기 반사 유도홀(189)은 상기 재유입 배관(185)에서의 기상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 반사 경사면체(187)의 후방의 상기 재유입 배관(185) 저면에 형성됨으로써, 상기 반사 경사면체(187)를 임의로 넘은 액상의 상기 디클로로실란이 통과되면서 상기 수용 탱크(180) 내부로 낙하되도록 하는 것이다.The reflection inducing hole 189 is formed on the bottom surface of the re-inflow pipe 185 behind the reflection slope member 187 with respect to the flow direction of the dichlorosilane in the gas phase in the re- The dichlorosilane in the liquid state optionally passing through the reflection slope member 187 passes through and falls into the receiving tank 180.

상기 반사 유도벽체(188)는 상기 재유입 배관(185)에서의 기상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 반사 유도홀(189)의 후방의 상기 재유입 배관(185) 저면에서 일정 높이로 돌출됨으로써, 상기 반사 유도홀(189)을 임의로 넘은 액상의 상기 디클로로실란이 막혀 상기 반사 유도홀(189)로 유도되도록 하는 것이다.The reflection inducing wall 188 is disposed at a predetermined height from the bottom of the re-inflow pipe 185 at the rear of the reflection inducing hole 189 with respect to the flow direction of the dichlorosilane in the gas phase in the re- The dichlorosilane in the liquid state, which is arbitrarily passed through the reflection inducing hole 189, is clogged and guided to the reflection inducing hole 189.

상기와 같이, 상기 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기(100)가 상기 재유입 배관(185), 상기 반사 곡면체(186), 상기 반사 경사면체(187), 상기 반사 유도홀(189) 및 상기 반사 유도벽체(188)를 포함함에 따라, 상기 수용 탱크(180)에 수용되어 있다가 재기화된 상기 디클로로실란은 상기 반응기 본체(110)로 재유입되고, 액상의 상기 디클로로실란이 임의로 상기 반응기 본체(110)로 유입되지 아니하도록 할 수 있다.As described above, the batch type reactor 100 for synthesizing the video used in the semiconductor manufacturing is provided with the re-inflow pipe 185, the reflective curved body 186, the reflective inclined body 187, the reflective induction hole 189 And the reflection inducing wall 188, the dichlorosilane accommodated in the accommodating tank 180 is re-introduced into the reactor main body 110, and the liquid dichlorosilane is arbitrarily introduced So that it can be prevented from flowing into the reactor main body 110.

한편, 상기 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기(100)는 바이패스 배관(170)과, 액상 유입 차단 댐퍼(173)와, 액상 유입 차단 댐퍼 작동 수단(172)과, 액상 유입 감지 센서(171)를 포함한다.The batch type reactor 100 for synthesizing a video used in the semiconductor manufacturing process includes a bypass piping 170, a liquid phase blocking damper 173, a liquid phase blocking damper operating means 172, And a sensor 171.

상기 바이패스 배관(170)은 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란 중 상기 액상 유도벽체(153)를 임의로 넘은 것이 상기 탱크향 배관(160)으로 유입되도록, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체(153)의 후방에서 상기 냉각기향 배관(150)의 저면과 상기 탱크향 배관(160)을 연결하는 것이다.The bypass piping 170 is configured to direct the liquid phase inducing wall 153 of the liquid dichlorosilane that has flowed along the piping 150 to flow into the tank piping 160, The bottom surface of the cooler incineration pipe 150 is connected to the tank incineration pipe 160 from the rear of the liquid guide wall 153 based on the flow direction of the liquid dichlorosilane flowing along the pipe 150 .

상기 액상 유입 차단 댐퍼(173)는 상기 냉각기향 배관(150)에서의 액상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체(153)의 후방의 상기 냉각기향 배관(150)의 상면에 회전 가능하게 연결됨으로써, 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면과 맞닿을 수 있는 것이다.The liquid phase inflow preventing damper 173 is rotated on the upper surface of the cooler incandescent pipe 150 on the rear side of the liquid guide wall 153 with reference to the flow direction of the dichlorosilane in the liquid phase in the cooler incense pipe 150, So that it can be brought into contact with the inner bottom surface of the cooler incense pipe 150.

도 6에 도시된 바와 같이, 상기 액상 유입 차단 댐퍼(173)가 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 상면과 맞닿으면, 기상의 상기 디클로로 실란이 유동 가능하고, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 액상 유입 차단 댐퍼(173)가 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면과 맞닿으면, 상기 냉각기향 배관(150)이 막히게 된다.6, when the liquid phase inflow-blocking damper 173 abuts against the inner upper surface of the cooler incineration pipe 150, the gaseous dichlorosilane can flow, and as shown in FIG. 7, When the liquid inflow preventing damper 173 abuts against the inner bottom surface of the cooler incineration pipe 150, the cooler incineration pipe 150 is clogged.

상기 액상 유입 차단 댐퍼 작동 수단(172)은 상기 액상 유입 차단 댐퍼(173)를 회전시켜줄 수 있는 것으로, 모터 등이 그 예로 제시될 수 있다.The liquid phase inflow preventing damper actuating means 172 can rotate the liquid inflow preventing damper 173, and a motor or the like can be given as an example.

상기 액상 유입 감지 센서(171)는 상기 바이패스 배관(170) 상에 배치되어, 상기 바이패스 배관(170)을 따라 액상의 상기 디클로로실란이 유입되었는지 여부를 감지하는 것으로, 수분 감지 센서 등이 그 예로 제시될 수 있다.The liquid inflow detection sensor 171 is disposed on the bypass line 170 and detects whether the liquid dichlorosilane has flowed along the bypass line 170, An example can be given.

상기 액상 유입 감지 센서(171)에서 상기 바이패스 배관(170)을 따라 액상의 상기 디클로로실란이 유입된 것으로 감지되면, 상기 냉각기향 배관(150)에서 상기 반응기 본체(110) 쪽은 막히고 상기 바이패스 배관(170) 쪽만 개방되도록, 상기 액상 유입 차단 댐퍼(173)가 상기 냉각기향 배관(150)의 내부 저면과 맞닿을 수 있게 상기 액상 유입 차단 댐퍼 작동 수단(172)을 작동시킨다.When it is detected from the liquid inlet sensor 171 that the liquid dichlorosilane has flowed along the bypass pipe 170, the reactor main body 110 is blocked in the cooler incense pipe 150, The liquid phase inflow preventing damper actuating means 172 is operated such that the liquid inflow preventing damper 173 can come into contact with the inner bottom surface of the cooler incineration pipe 150 such that only the pipe 170 is opened.

상기와 같이, 상기 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기(100)가 상기 바이패스 배관(170), 상기 액상 유입 차단 댐퍼(173), 상기 액상 유입 차단 댐퍼 작동 수단(172) 및 상기 액상 유입 감지 센서(171)를 포함함에 따라, 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 임의로 유동되던 액상의 상기 디클로로실란이 상기 반응기 본체(110)로 유입되는 현상이 완전히 방지될 수 있게 된다.As described above, the batch type reactor 100 for synthesizing the video used in the semiconductor manufacturing is provided with the bypass piping 170, the liquid phase inflow blocking damper 173, the liquid phase inflow blocking damper operating means 172, The inclusion of the liquid inlet sensor 171 makes it possible to completely prevent the flow of the dichlorosilane in the liquid phase randomly flowing along the cooler incense pipe 150 into the reactor main body 110.

이하에서 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기(100)의 작동에 대하여 설명한다.Hereinafter, the operation of the batch type reactor 100 for synthesizing a video used in the semiconductor manufacturing according to the present embodiment will be described with reference to the drawings.

먼저, 복수 개의 상기 원료 유입 배관(130)을 통해 복수 지점에서 상기 반응기 본체(110) 내부로 기상의 상기 디클로로실란이 유입되고, 그에 따라 복수 지점에서 비디아스 합성 작용이 이루어진다.First, the vapor-phase dichlorosilane flows into the reactor main body 110 at a plurality of points through a plurality of the raw material inlet pipes 130, thereby performing a video synthesis operation at a plurality of points.

그런 과정 중에, 일부 기상의 상기 디클로로실란이 상승되어 상기 냉각기(140)로 향하게 되면, 상기 냉각기(140)에서 냉각되어 재액화된 상기 디클로로실란이 상기 냉각기향 배관(150) 및 상기 탱크향 배관(160)을 경유하여, 상기 수용 탱크(180)에 수용된다.If the dichlorosilane of some gaseous phase is raised to the cooler 140 during the process, the dichlorosilane cooled and re-liquefied in the cooler 140 flows into the cooler incinerator 150 and the tank incinerator 150 160, respectively, in the receiving tank 180.

상기 수용 탱크(180)에 수용된 액상의 상기 디클로로실란은 재기화되어, 상기 반응기 본체(110) 내부로 재유입된다.The liquid dichlorosilane contained in the holding tank 180 is regenerated and re-introduced into the reactor main body 110.

상기와 같이, 상기 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기(100)가 상기 반응기 본체(110), 상기 냉각 자켓(115) 및 복수 개의 상기 원료 유입 배관(130)을 포함함에 따라, 종래 기상의 디클로로실란 유입 배관이 단수 개 형성됨에 따라 발생되던 버블링 현상 및 기상의 디클로로실란 유입 배관의 투입구 부분에서의 급격한 발열 반응 발생이 최소화될 수 있고, 비디아스 수율이 향상될 수 있게 되고, 상기 냉각기(140)에서 재액화된 물질이 상기 수용 탱크(180) 내부로 유입될 수 있어서 그 재액화된 물질이 상기 냉각기향 배관(150)을 따라 다시 반응기 본체(110) 내부로 임의 유입되어 액상 상태로 낙하되는 현상이 방지될 수 있게 되고, 그에 따라 비디아스 반응 수율이 향상될 수 있게 된다.As described above, since the batch type reactor 100 for synthesizing a video used for manufacturing the semiconductor includes the reactor body 110, the cooling jacket 115, and the plurality of raw material inlet pipes 130, It is possible to minimize the occurrence of the bubbling phenomenon caused by the formation of a single stream of the dichlorosilane inlet pipe in the vapor phase and the occurrence of the rapid exothermic reaction in the inlet portion of the dichlorosilane inlet pipe in the vapor phase, The re-liquefied material in the cooler 140 may be introduced into the accommodating tank 180 so that the re-liquefied material flows into the reactor main body 110 again along the cooler incinerating pipe 150, So that the yield of the video response can be improved.

상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims And can be changed. However, it is intended that the present invention covers the modifications and variations of this invention provided they come within the scope of the appended claims and their equivalents.

본 발명의 일 측면에 따른 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기에 의하면, 기상의 디클로로실란 유입 배관이 단수 개 형성됨에 따라 발생되던 버블링 현상 및 기상의 디클로로실란 유입 배관의 투입구 부분에서의 급격한 발열 반응 발생을 최소화하고, 비디아스 수율이 향상될 수 있으며, 냉각기에서 재액화된 물질이 냉각기 연결 라인을 따라 다시 반응기 본체 내부로 유입되어 액상 상태로 낙하되는 현상이 방지될 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.According to one aspect of the present invention, there is provided a batch type reactor for synthesizing a semiconductor, which is used for producing a semiconductor, in which a vapor phase dichlorosilane inlet pipe is formed by a bubbling phenomenon caused by the formation of a single number, It is possible to prevent the occurrence of a rapid exothermic reaction of the cooler and to improve the yield of the video and to prevent the material re-liquefied in the cooler from flowing into the reactor main body again along the cooler connecting line and falling into the liquid phase, It is highly likely to be used industrially.

100 : 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기
110 : 반응기 본체
115 : 냉각 자켓
130 : 원료 유입 배관100: Batch type reactor for the synthesis of video used in semiconductor manufacturing
110: reactor body
115: cooling jacket
130: Raw material inflow pipe

Claims (5)

액상의 디에틸아민(diethylamine)이 수용된 반응기 본체;
상기 반응기 본체를 감싸, 상기 반응기 본체 내부를 냉각시켜줄 수 있는 냉각 자켓;
상기 반응기 본체 내부로 기상의 디클로로실란(dichlorosilane)이 유입되는 통로인 원료 유입 배관;
상기 반응기 본체 내에서 임의로 유출되는 상기 디클로로실란을 재액화시키는 냉각기;
상기 반응기 본체에서 임의로 유출되는 상기 디클로로실란이 상기 냉각기로 유입되도록, 상기 반응기 본체와 상기 냉각기를 연결하는 냉각기향 배관;
상기 냉각기에서 재액화된 상기 디클로로실란을 수용하는 수용 탱크;
상기 수용 탱크를 감싸, 상기 수용 탱크에 수용된 액상의 상기 디클로로실란이 기화되도록 가열하는 히팅 자켓; 및
상기 냉각기에서 재액화되어 상기 냉각기향 배관을 통해 유동되던 액상의 상기 디클로로실란이 상기 수용 탱크로 유입되도록, 상기 냉각기향 배관에서 분지되어 상기 수용 탱크에 연결되는 탱크향 배관;을 포함하고,
상기 원료 유입 배관은 서로 이격되도록 복수 개로 형성되어, 상기 반응기 본체의 서로 다른 지점에서 상기 반응기 본체 내부로 기상의 상기 디클로로실란이 유입되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기.A reactor body containing a liquid diethylamine;
A cooling jacket that surrounds the reactor body and can cool the inside of the reactor body;
A raw material inflow pipe which is a passage through which gaseous dichlorosilane flows into the reactor main body;
A cooler for re-liquefying the dichlorosilane freely flowing in the reactor main body;
A cooler incense pipe connecting the reactor main body and the cooler so that the dichlorosilane flowing out from the reactor main body flows into the cooler;
An accommodation tank for containing the dichlorosilane re-liquefied in the cooler;
A heating jacket which surrounds the accommodation tank and heats the dichlorosilane contained in the accommodation tank to vaporize the liquid dichlorosilane; And
And a tank side pipe branched from the cooler incinerator pipe and connected to the storage tank so that the liquid dichloro silane that has been re-liquefied in the cooler and flowed through the cooler incinerator pipe is introduced into the storage tank,
Wherein the plurality of raw material inlet pipes are spaced apart from each other so that the vapor phase dichlorosilane flows into the reactor main body at different points of the reactor main body. Reactor. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기는
상기 탱크향 배관의 입구 부분에서 돌출됨으로써, 상기 냉각기에서 재액화되어 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란이 상기 탱크향 배관으로 유입되도록 액상의 상기 디클로로실란을 막아 상기 탱크향 배관으로 유도하는 액상 유도벽체;
상기 냉각기향 배관에서의 액상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체의 전측 부분에 상기 액상 유도벽체와 이격되도록 상기 냉각기향 배관의 내부 상면에서 경사지게 돌출됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란을 감속시키면서 액상의 디클로로실란이 상기 액상 유도벽체로 향하도록 유도하는 액상 방벽체;
상기 냉각기향 배관에서의 액상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 방벽체의 전측 부분에 상기 액상 방벽체와 이격되도록 상기 냉각기향 배관의 내부 저면에서 일정 높이 상에 경사진 플레이트 형태로 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란을 감속시켜주는 액상 감속체;
상기 냉각기향 배관의 상면에 회전 가능하게 연결됨으로써, 상기 액상 유도벽체의 상단과 맞닿을 수 있는 오버플로우 방지 댐퍼;
상기 오버플로우 방지 댐퍼를 회전시켜줄 수 있는 오버플로우 댐퍼 작동 수단;
상기 냉각기향 배관에서의 액상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체의 후면에 배치되어, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란 중 상기 액상 유도벽체를 넘은 것이 있는지를 감지하는 오버플로우 감지 센서; 및
상기 오버플로우 감지 센서에 의한 감지값에 따라 상기 오버플로우 댐퍼 작동 수단을 작동 제어할 수 있는 제어 부재;를 포함하고,
상기 액상 유도벽체의 상단은 상기 냉각기향 배관의 내부 상면과 이격되도록 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 상기 냉각기로 유동되던 기상의 상기 디클로로실란이 상기 액상 유도벽체의 상단과 상기 냉각기향 배관의 내부 상면 사이의 공간을 통해 유동되고,
상기 액상 방벽체의 하단은 상기 냉각기향 배관의 내부 저면과 이격되도록 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 상기 냉각기로 유동되던 기상의 상기 디클로로실란이 상기 액상 방벽체의 하단과 상기 냉각기향 배관의 내부 저면 사이의 공간을 통해 유동되고,
상기 액상 유도벽체의 상단은 상기 액상 방벽체의 하단에 비해 상기 냉각기향 배관의 내부 상면 쪽으로 상대적으로 더 연장된 형태를 이룸으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란이 상기 액상 방벽체 및 상기 액상 유도벽체에 의해 순차적으로 막혀 상기 탱크향 배관으로 향하도록 유도될 수 있으면서, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 기상의 상기 디클로로실란은 상기 액상 유도벽체의 상단과 상기 액상 방벽체의 하단을 지그재그로 경유하면서 상기 냉각기로 향하고,
상기 냉각기향 배관에서의 액상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 감속체와 상기 냉각기향 배관의 내부 저면 사이의 유입구에 비해 상기 액상 감속체와 상기 냉각기향 배관의 내부 저면 사이의 유출구가 상대적으로 더 작아지도록, 상기 액상 감속체가 상기 냉각기향 배관과 점진적으로 근접되는 방향으로 경사지게 형성됨으로써, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란이 상기 액상 감속체에 부딪혀 감속된 상태로 상기 액상 방벽체 쪽으로 유동되고,
상기 오버플로우 감지 센서에 의해 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란 중 상기 액상 유도벽체를 넘은 것이 있는 것으로 감지되면, 상기 제어 부재는 상기 냉각기향 배관이 막히도록, 상기 오버플로우 방지 댐퍼가 상기 액상 유도벽체의 상단과 맞닿을 수 있게 상기 오버플로우 댐퍼 작동 수단을 작동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기.The method according to claim 1,
The batch type reactor for synthesizing a video used in the semiconductor production
The liquid dichlorosilane is protruded from the inlet portion of the tank incinerating pipe so that the liquid dichlorosilane liquid is re-liquefied in the cooler and flows along the cooler incinerating pipe to the tank incinerator pipe, A liquid guiding wall for guiding the liquid;
The cooling liquid flowing through the cooler incandescent tube is guided along the cooler incandescent tube at an inner side of the coolant incandescent tube so as to be spaced apart from the liquid induction wall at a front side portion of the liquid induction wall in a direction of flow of the dichlorosilane in the coolant incendient pipe, A liquid-phase wall for guiding the liquid dichlorosilane to the liquid-phase inducing wall while decelerating the dichlorosilane in the liquid phase;
And forming a sloped plate at a predetermined height on the inner bottom surface of the pipe in the cooler pipe so as to be spaced apart from the liquid molybdenum wall at a front portion of the liquid molten wall in a direction of flow of the dichlorosilane in the liquid pipe in the cooler pipe A liquid decelerator for decelerating the liquid dichlorosilane that has flowed along the pipe of the cooler;
An overflow preventing damper rotatably connected to the upper surface of the cooler incense pipe so as to abut the upper end of the liquid guide wall;
An overflow damper operating means capable of rotating the overflow preventing damper;
And the liquid phase inducing wall is disposed on the rear surface of the liquid guiding wall in a direction of flow of the dichlorosilane in the liquid phase in the cooler incending pipe, An overflow sensor for sensing; And
And a control member capable of operating and controlling the overflow damper operating means according to a sensed value by the overflow sensor,
The upper end of the liquid induction wall is formed to be spaced apart from the upper surface of the cooler incandescent pipe so that the vaporous dichlorosilane in the gaseous phase flowing to the cooler along the cooler incandescent pipe is connected to the upper end of the liquid induction wall, Flows through the space between the upper surfaces,
And the lower end of the liquid-barrier rib is formed to be spaced apart from the inner bottom surface of the cooler incinerator pipe, so that the vapor-phase dichloro silane flowing in the cooler along the cooler incinerator pipe is connected to the lower end of the liquid- Flows through the space between the bottom surfaces,
Wherein the upper end of the liquid induction wall is relatively longer toward the inner upper surface of the cooler incinerator tube than the lower end of the liquid wall enclosure so that the liquid dichloro silane, The liquid phase inducing wall can be sequentially clogged by the wall and the liquid guiding wall so as to be directed toward the tank incline pipe while the gaseous dichlorosilane in the gaseous phase that has flowed along the cooler incline pipe is guided to the upper end of the liquid guiding wall and the lower end To the cooler while zigzagging,
The outlet between the liquid decelerator and the inner bottom surface of the cooler incinerator pipe is relatively larger than the inlet between the liquid decelerator and the inner bottom surface of the cooler incinerator pipe relative to the flow direction of the dichlorosilane in the liquid phase in the cooler incinerator pipe, Wherein the liquid decelerator is inclined in a direction in which the liquid decelerator gradually approaches the cooler incinerator pipe so that the liquid dichloro silane flowing along the cooler incinerator pipe is decelerated by colliding with the liquid decelerator, Lt; / RTI >
Wherein the control member detects that the liquid-phase induction wall has passed over the liquid-phase induction wall of the liquid phase that has flowed along the cooler incidence pipe by the overflow detection sensor, Is operated to operate the overflow damper operating means so that the overflow damper operating means abuts against the upper end of the liquid guide wall. 제 3 항에 있어서,
상기 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기는
상기 수용 탱크에서 재기화된 상기 디클로로실란이 상기 반응기 본체로 재유입되도록, 상기 수용 탱크와 상기 반응기 본체를 연결하는 재유입 배관;
상기 재유입 배관의 입구 부분에 상기 재유입 배관의 내벽과 일정 간격 이격되도록 형성되되, 상기 재유입 배관 쪽으로 함몰된 곡면 형태로 형성됨으로써, 상기 수용 탱크로부터 상기 재유입 배관으로 유입되는 기상의 상기 디클로로실란은 통과되고, 상기 수용 탱크로부터 상기 재유입 배관으로 유입되는 액상의 상기 디클로로실란은 막혀 다시 상기 수용 탱크 내부로 낙하되도록 하는 반사 곡면체;
상기 재유입 배관에서의 기상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 반사 곡면체의 후방에 상기 반사 곡면체와 이격되도록 상기 재유입 배관의 내벽으로부터 돌출되되, 상기 반사 곡면체와 상기 재유입 배관의 내벽 사이의 간격에 비해 상대적으로 더 돌출되고, 상기 반사 곡면체를 향하는 면이 상기 재유입 배관에서의 기상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 점진적으로 상기 재유입 배관을 향하도록 경사진 경사면을 이룸으로써, 상기 반사 곡면체와 상기 재유입 배관의 내벽 사이의 간격을 통해 임의 유입된 액상의 상기 디클로로실란이 막혀 다시 수용 탱크 내부로 낙하되도록 하는 반사 경사면체;
상기 재유입 배관에서의 기상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 반사 경사면체의 후방의 상기 재유입 배관 저면에 형성됨으로써, 상기 반사 경사면체를 임의로 넘은 액상의 상기 디클로로실란이 통과되면서 상기 수용 탱크 내부로 낙하되도록 하는 반사 유도홀; 및
상기 재유입 배관에서의 기상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 반사 유도홀의 후방의 상기 재유입 배관 저면에서 일정 높이로 돌출됨으로써, 상기 반사 유도홀을 임의로 넘은 액상의 상기 디클로로실란이 막혀 상기 반사 유도홀로 유도되도록 하는 반사 유도벽체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기.The method of claim 3,
The batch type reactor for synthesizing a video used in the semiconductor production
A re-inflow pipe connecting the storage tank and the reactor main body so that the dichlorosilane regenerated in the storage tank is re-introduced into the reactor main body;
The inlet port of the re-inflow pipe being spaced apart from the inner wall of the re-inflow pipe by a predetermined distance and being formed in a curved shape that is recessed toward the re-inflow pipe, Wherein the silane is passed through and the droplet of the dichlorosilane flowing from the storage tank into the re-inflow pipe is clogged and dropped into the storage tank again;
Wherein the inlet port of the re-inflow pipe is protruded from the inner wall of the re-inflow pipe so as to be spaced apart from the reflective curved body at the rear of the reflective curved body with respect to the flow direction of the dichlorosilane in the reflux pipe, And the inclined surface inclined so that the surface facing the reflective curved body gradually faces the re-inflow pipe with respect to the flow direction of the dichlorosilane in the gas phase in the re-inflow pipe, A reflection inclined surface body for allowing the dichlorosilane in the liquid phase, which has been arbitrarily introduced through the gap between the reflection curved body and the inner wall of the re-inflow pipe, to be clogged and fall back into the receiving tank;
Wherein the liquid slurry is formed on the bottom surface of the re-inflow pipe behind the reflection slope body with reference to the flow direction of the dichlorosilane in the gas phase in the re-inflow pipe, A reflection inducing hole for falling into the tank; And
And the protruding portion of the re-inflow pipe is protruded at a predetermined height from the bottom surface of the re-inflow pipe behind the reflection inducing hole with reference to the flow direction of the dichlorosilane in the re-inflow pipe, And a reflection inducing wall which is guided to the reflection inducing hole. 제 3 항에 있어서,
상기 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기는
상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란 중 상기 액상 유도벽체를 임의로 넘은 것이 상기 탱크향 배관으로 유입되도록, 상기 냉각기향 배관을 따라 유동되던 액상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체의 후방에서 상기 냉각기향 배관과 상기 탱크향 배관을 연결하는 바이패스 배관;
상기 냉각기향 배관에서의 액상의 상기 디클로로실란의 유동 방향을 기준으로 상기 액상 유도벽체의 후방의 상기 냉각기향 배관의 상면에 회전 가능하게 연결됨으로써, 상기 냉각기향 배관의 내부 저면과 맞닿을 수 있는 액상 유입 차단 댐퍼;
상기 액상 유입 차단 댐퍼를 회전시켜줄 수 있는 액상 유입 차단 댐퍼 작동 수단; 및
상기 바이패스 배관 상에 배치되어, 상기 바이패스 배관을 따라 액상의 상기 디클로로실란이 유입되었는지 여부를 감지하는 액상 유입 감지 센서;를 포함하고,
상기 액상 유입 감지 센서에서 상기 바이패스 배관을 따라 액상의 상기 디클로로실란이 유입된 것으로 감지되면, 상기 냉각기향 배관에서 상기 반응기 본체 쪽은 막히고 상기 바이패스 배관 쪽만 개방되도록, 상기 액상 유입 차단 댐퍼가 상기 냉각기향 배관의 내부 저면과 맞닿을 수 있게 상기 액상 유입 차단 댐퍼 작동 수단을 작동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 사용되는 비디아스 합성용 배치식 반응기.The method of claim 3,
The batch type reactor for synthesizing a video used in the semiconductor production
Wherein the flow direction of the dichlorosilane in the liquid phase that has flowed along the cooler incandescent pipe is set such that the liquid flowing in the liquid induction wall through the liquid induction wall flows into the tank incendient pipe, A bypass pipe connecting the cooler incense pipe and the tank incline pipe from behind the liquid induction wall;
Wherein the liquid phase inducing wall is rotatably connected to the upper surface of the cooler incinerating pipe at the rear of the liquid guiding wall based on the flow direction of the liquid dichlorosilane in the liquid coolant incinerating pipe, An inflow blocking damper;
A liquid phase inflow preventing damper operating means capable of rotating the liquid inflow preventing damper; And
And a liquid inflow detection sensor disposed on the bypass line and sensing whether the liquid dichlorosilane has flowed along the bypass line,
Wherein the liquid phase inflowing damper is configured such that when the liquid phase inflow detecting sensor detects that the liquid dichlorosilane has flowed along the bypass pipe, the reactor main body is blocked in the cooler incinerator pipe and only the bypass pipe side is opened, And the liquid phase inflow-blocking damper actuating means is operated so as to abut against the inner bottom surface of the cooler incineration pipe.
KR1020170094221A 2017-07-25 2017-07-25 Batch reactor for composing BDEAS used for manufacturing semiconductor KR101810499B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170094221A KR101810499B1 (en) 2017-07-25 2017-07-25 Batch reactor for composing BDEAS used for manufacturing semiconductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170094221A KR101810499B1 (en) 2017-07-25 2017-07-25 Batch reactor for composing BDEAS used for manufacturing semiconductor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101810499B1 true KR101810499B1 (en) 2017-12-20

Family

ID=60931322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170094221A KR101810499B1 (en) 2017-07-25 2017-07-25 Batch reactor for composing BDEAS used for manufacturing semiconductor

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101810499B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014168069A (en) 2014-03-28 2014-09-11 Tokyo Electron Ltd Method for forming amorphous silicon film and film formation apparatus
CN105837611A (en) * 2015-01-13 2016-08-10 苏州复纳电子科技有限公司 Preparation method of di(diethylamino)silane

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014168069A (en) 2014-03-28 2014-09-11 Tokyo Electron Ltd Method for forming amorphous silicon film and film formation apparatus
CN105837611A (en) * 2015-01-13 2016-08-10 苏州复纳电子科技有限公司 Preparation method of di(diethylamino)silane

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101810500B1 (en) Batch reactor for composing DIPAS used for manufacturing semiconductor
KR100664545B1 (en) Carbon nano tubes mass fabrication device and mass fabrication method
CN104561934B (en) The ground state hydroperoxyl radical source of the chemical vapor deposition of siliceous carbon film
TWI477645B (en) Chemical vapor deposition with elevated temperature gas injection
JP3472582B2 (en) Method and apparatus for reducing material deposition in a discharge pipe of a reactor
US8722141B2 (en) Process for the continuous production of polycrystalline high-purity silicon granules
US5798137A (en) Method for silicon deposition
US9212422B2 (en) CVD reactor with gas flow virtual walls
TW200403721A (en) An improved sublimation bed employing carrier gas guidance structures
WO1996041036B1 (en) Method and apparatus for silicon deposition in a fluidized-bed reactor
KR101810499B1 (en) Batch reactor for composing BDEAS used for manufacturing semiconductor
JP2007511902A (en) Reactor for thin film growth
CN106030761A (en) Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems
CN101261456A (en) Exhaust device, substrate processing device incorporating same and exhaust method
BR112013032393B1 (en) process for discharging polyolefin particles from gas phase polymerization reactor and process for polymerizing olefins
SA99200030B1 (en) A method for separating a vaporous phthalic acid anhydride from a gaseous stream
US20150011076A1 (en) Reactor gas panel common exhaust
RU2060433C1 (en) Method of cooling gases and cooler of circulating fluidized bed
JP4278681B2 (en) Discontinuous metered addition of catalyst and processing aids to a gas phase fluidized bed reactor
JP5183310B2 (en) Vapor deposition equipment
JP2012156510A (en) Thermal processing furnace and liner for the same
JPH0117044B2 (en)
EP3715325B1 (en) Method for producing trichlorosilane and device for producing trichlorosilane
JP2007266229A (en) Heat treatment apparatus
HU193025B (en) Process and blowing apparqtus for protecting fireproof walls and nozzles of vessels for refreshing smelting bathes

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant