KR101807410B1 - OLED Containing Organic Metal Compound as Electron Transport Dopant - Google Patents
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Abstract
유기발광다이오드를 제공한다. 유기발광다이오드는 차례로 적층된 애노드, 정공전도층, 발광층, 전자전도층, 캐소드를 구비한다. 상기 발광층은 발광 호스트와 발광 도펀트를 포함한다. 상기 전자전도층은 전자수송 호스트와 전자수송 도펀트를 갖는 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송 도펀트는 상기 발광 도펀트의 삼중항 에너지보다 높은 삼중항 에너지를 갖는다.Thereby providing an organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes an anode, a hole conduction layer, a light emitting layer, an electron conduction layer, and a cathode sequentially stacked. The light emitting layer includes a light emitting host and a light emitting dopant. The electron transporting layer comprising an electron transporting layer having an electron transporting host and an electron transporting dopant, the electron transporting dopant having triplet energy higher than the triplet energy of the luminescent dopant.
Description
본 발명은 유기전자소자에 관한 것으로 더욱 상세하게는 유기발광다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to organic electronic devices, and more particularly to organic light emitting diodes.
유기발광다이오드(organic light emitting device)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.An organic light emitting diode (OLED) is a self-luminous type device having a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, excellent luminance, driving voltage and response speed characteristics, and multi-coloring.
일반적인 유기발광다이오드는 애노드 및 캐소드와 상기 애노드 및 캐소드 사이에 개재된 유기층을 포함할 수 있다. 상기 유기층은, 전자주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드 등을 포함할 수 있다. 상기 애노드 및 캐소드 간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성하는데, 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.A typical organic light emitting diode may include an anode and a cathode and an organic layer interposed between the anode and the cathode. The organic layer may include an electron injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, a cathode, and the like. When a voltage is applied between the anode and the cathode, holes injected from the anode move to the light emitting layer via the hole transporting layer, and electrons injected from the cathode move to the light emitting layer via the electron transporting layer. The carriers, such as holes and electrons, recombine in the light emitting layer region to produce an exiton, which is changed from the excited state to the ground state to produce light.
이러한 유기발광다이오드에서 정공수송층과 전자수송층 내의 전하이동도 향상은 유기발광다이오드의 구동전압감소를 가져올 수 있다. 이를 위해, 대한민국 등록특허 제0560778호는 전자수송층 내에 Liq(8-quinolinolato lithium)을 도핑한 유기발광다이오드를 개시한다.In such an organic light emitting diode, improvement in the charge mobility in the hole transporting layer and the electron transporting layer may lead to a reduction in the driving voltage of the organic light emitting diode. To this end, Korean Patent No. 0560778 discloses an organic light emitting diode doped with Liq (8-quinolinolato lithium) in an electron transport layer.
그러나, Liq는 삼중항 여기자의 에너지 레벨이 충분히 높지 않아 삼중항 여기자를 발광층 내에 속박하기 어려우며, 이에 따라 대한민국 등록특허 제0560778호는 발광층과 전자수송층 사이에 여기자 블로킹층인 정공 저지층을 추가적으로 형성하고 있다.However, since Liq has a sufficiently high energy level of triplet excitons, it is difficult to bind the triplet excitons in the light emitting layer. Accordingly, Korean Patent No. 0560778 additionally forms a hole blocking layer, which is an exciton blocking layer, between the light emitting layer and the electron transporting layer have.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 삼중항 여기자를 발광층 내에 효과적으로 속박하여 효율을 향상시킨 유기발광다이오드를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic light emitting diode in which triplet excitons are efficiently trapped in a light emitting layer to improve efficiency.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 유기발광다이오드를 제공한다. 유기발광다이오드는 차례로 적층된 애노드, 정공전도층, 발광층, 전자전도층, 캐소드를 구비한다. 상기 발광층은 발광 호스트와 발광 도펀트를 포함한다. 상기 전자전도층은 전자수송 호스트와 전자수송 도펀트를 갖는 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송 도펀트는 상기 발광 도펀트의 삼중항 에너지보다 높은 삼중항 에너지를 갖는다.According to one aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes an anode, a hole conduction layer, a light emitting layer, an electron conduction layer, and a cathode sequentially stacked. The light emitting layer includes a light emitting host and a light emitting dopant. The electron transporting layer comprising an electron transporting layer having an electron transporting host and an electron transporting dopant, the electron transporting dopant having triplet energy higher than the triplet energy of the luminescent dopant.
상기 발광 도펀트는 녹색 인광 도펀트 또는 청색 인광 도펀트일 수 있다. 상기 전자수송 도펀트는 2.4 내지 3.3 eV의 삼중항 에너지를 가질 수 있다. 상기 전자수송 호스트는 상기 발광 도펀트의 삼중항 에너지보다 높은 삼중항 에너지를 가질 수 있다. 상기 전자수송층은 층 전체 내에 상기 전자수송 도펀트가 도핑된 것일 수 있다. 이와는 달리, 상기 전자수송층은 상기 전자수송 도펀트가 도핑되지 않은 제1 전자수송층과 상기 전자수송 도펀트가 도핑된 제2 전자수송층을 구비할 수 있다. 상기 전자수송층은 상기 발광층에 접촉할 수 있다.The luminescent dopant may be a green phosphorescent dopant or a blue phosphorescent dopant. The electron transporting dopant may have a triplet energy of 2.4 to 3.3 eV. The electron transport host may have triplet energy higher than the triplet energy of the luminescent dopant. The electron transporting layer may be doped with the electron transporting dopant in the entire layer. Alternatively, the electron transporting layer may include a first electron transporting layer not doped with the electron transporting dopant and a second electron transporting layer doped with the electron transporting dopant. The electron transporting layer may contact the light emitting layer.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 유기발광다이오드의 다른 실시예를 제공한다. 유기발광다이오드는 차례로 적층된 애노드, 정공전도층, 발광층, 전자전도층, 캐소드를 구비한다. 상기 전자전도층은 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층은 하기 화학식 1로 표시되는 전자수송 도펀트를 포함한다.According to an aspect of the present invention, an organic light emitting diode is provided. The organic light emitting diode includes an anode, a hole conduction layer, a light emitting layer, an electron conduction layer, and a cathode sequentially stacked. The electron transporting layer includes an electron transporting layer, and the electron transporting layer includes an electron transporting dopant represented by the following formula (1).
[화학식 1][Chemical Formula 1]
상기 화학식 1에서, M은 1족 또는 2족 금속이고, n은 1 또는 2이고, X는 O 또는 S 이고, A는 육각고리 방향족이고, Y는 C 또는 N이고, B1, B2, 및 B3는 서로 독립적으로 NR1, O, 또는 CR2이다. 상기 R1은 서로에 상관없이 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기이다. 상기 R2는 서로에 상관없이 수소, 할로겐기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 불포화알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴기, 아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)아미노기, (치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)아미노기, 및 (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)아미노기로 이루어진 군에서 선택되는 하나이다. 상기 R1과 상기 R2중 서로 인접한 두 개는 임의적으로(optionally) 결합하여 B 고리에 융합될 수 있다.Wherein M is a
상기 M은 Li, Cs, Ca, 또는 Mg일 수 있다. 상기 Y, 상기 B1, 상기 B2, 및 상기 B3중 적어도 하나는 N, NR1, 또는 O일 수 있다. 상기 B2와 상기 B3 중 하나는 NR1 또는 O이고, 상기 B1, 상기 B2, 및 상기 B3 중 나머지는 R2이 동일하거나 서로 다른 상기 CR2들일 수 있다.The M may be Li, Cs, Ca, or Mg. At least one of Y, B 1 , B 2 , and B 3 may be N, NR 1 , or O. One of B 2 and B 3 is NR 1 or O, and the rest of B 1 , B 2 , and B 3 may be the same or different CR 2 s in which R 2 is the same or different.
상기 전자수송 도펀트는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.The electron transporting dopant may be represented by the following formula (2).
[화학식 2](2)
상기 화학식 2에서, M, X, A, B1, B2, B3, Y 및 n은 상기 화학식 1의 M, X, A, B1, B2, B3, Y 및 n과 각각 동일하다. A1, A2, A3, 및 A4는 서로 독립적으로 N 또는 CR3이다. 상기 R3는 서로에 상관없이 수소, 할로겐기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴기, 실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)실릴기, (치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)아미노기, (치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)아미노기, 및 (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)아미노기로 이루어진 군에서 선택되는 하나이다.In Formula 2, M, X, A, B 1 , B 2 , B 3 , Y and n are the same as M, X, A, B 1 , B 2 , B 3 , . A 1 , A 2 , A 3 , and A 4 are independently of each other N or CR 3 . R 3 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl (Substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) silyl group, (substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl) silyl group, (substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (Substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl) silyl group, (substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl) silyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 (Substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl) amino group, (substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl) amino group, (substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl) amino group, Substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (substituted or unsubstituted C6 or C60 Aryl) amino group, and (substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl) amino group.
상기 화학식 2에서 고리 A는 벤젠 또는 피리딘일 수 있다.In the above formula (2), ring A may be benzene or pyridine.
상기 전자수송 도펀트는 하기 화학식 3, 하기 화학식 4, 또는 하기 화학식 5로 표시될 수 있다.The electron transporting dopant may be represented by the following general formula (3), (4), or (5).
[화학식 3](3)
[화학식 4][Chemical Formula 4]
[화학식 5][Chemical Formula 5]
본 발명의 실시예들에 따르면, 전자수송층 내에 발광 도펀트의 삼중항 에너지보다 높은 삼중항 에너지를 갖는 전자수송 도펀트를 도핑함으로써 유기발광다이오드의 효율을 향상시킬 수 있다.According to embodiments of the present invention, the efficiency of the organic light emitting diode can be improved by doping an electron transporting dopant having triplet energy higher than the triplet energy of the luminescent dopant in the electron transporting layer.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 유기발광다이오드의 삼중항 에너지 준위를 나타낸 모식도로서, 발광층과 전자주입층에 한정하여 나타낸다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광다이오드를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic diagram showing the triplet energy level of the organic light emitting diode shown in FIG. 1, and is limited to the light emitting layer and the electron injection layer.
3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.
유기금속화합물Organometallic compound
하기 화학식 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기금속화합물을 나타낸다.The following Chemical Formula 1 represents an organometallic compound according to an embodiment of the present invention.
상기 화학식 1에서, M은 1족 또는 2족 금속일 수 있다. 구체적으로, M은 이온화 에너지가 비교적 높은 Li, Cs, Ca, 또는 Mg일 수 있다. 이 경우, 화학식 1에 따른 유기금속화합물로 인한 도핑 효율이 향상될 수 있다. n은 1 또는 2일 수 있다. X는 O 또는 S 일 수 있다. A는 육각고리 방향족일 수 있다.In Formula 1, M may be a
Y는 C 또는 N이고, B1, B2, 및 B3는 서로 독립적으로 NR1, O, 또는 CR2이고, R1은 서로에 상관없이 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기이고, R2는 서로에 상관없이 수소, 할로겐기 구체적으로 F, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 불포화알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴기, 아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)아미노기, (치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)아미노기, 또는 (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)아미노기일 수 있고, R1과 R2중 서로 인접한 두 개는 결합하여 B 고리에 융합될 수 있다. 이 때, B 고리에 융합되는 고리는 피리딘, 피리미딘, 트라이아졸, 또는 벤젠일 수 있다.Y is C or N, B 1 , B 2 , and B 3 are independently of each other NR 1 , O, or CR 2 , and R 1 is hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group , R 2 is, regardless of each other hydrogen, halogen specifically F, a cyano group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 unsaturated alkyl groups, substituted or unsubstituted in the ring of the ring C6 or C60 (Substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) amino group, substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl) amino group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl group, amino group, (Substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl) amino group, (substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl) amino group, or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl ) (Substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl) amino group And two adjacent ones of R < 1 > and R < 2 > may be combined and fused to the B ring. In this case, the ring fused to the ring B may be pyridine, pyrimidine, triazole, or benzene.
이러한 유기금속화합물은 유기발광다이오드용 화합물일 수 있다. 구체적으로, 상기 유기금속화합물은 유기발광다이오드에서 정공주입물질, 정공수송물질, 발광 호스트 물질, 전자주입물질, 및 전자수송물질 중 어느 하나로 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 이러한 유기금속화합물은 전자주입층 내의 전자주입 도펀트일 수 있다.Such an organometallic compound may be a compound for an organic light emitting diode. Specifically, the organic metal compound may be used as one of a hole injecting material, a hole transporting material, a light emitting host material, an electron injecting material, and an electron transporting material in an organic light emitting diode. More specifically, such an organometallic compound may be an electron injecting dopant in the electron injecting layer.
화학식 1에서 Y, B1, B2, 및 B3중 적어도 하나는 N, NR1, 또는 O일 수 있다. 이 경우, N 또는 O의 높은 전기음성도로 인해 상기 유기금속화합물은 높은 삼중항 에너지의 레벨을 가질 수 있다. 또한, 상기 유기금속화합물의 삼중항 에너지 레벨은 발광층 내의 발광 도펀트의 삼중항 에너지 레벨에 비해 높을 수 있다. 이러한 유기금속화합물은 전자주입층 내의 전자주입 도펀트로 사용할 수 있고, 이 경우 삼중항 여기자를 발광층 내로 구속하여 유기발광다이오드의 효율을 향상시킬 수 있다.At least one of Y, B 1 , B 2 and B 3 in formula (1) may be N, NR 1 or O. In this case, due to the high electronegativity of N or O, the organometallic compound can have a high level of triplet energy. In addition, the triplet energy level of the organometallic compound may be higher than the triplet energy level of the luminescent dopant in the light emitting layer. Such an organometallic compound can be used as an electron injecting dopant in the electron injecting layer. In this case, the efficiency of the organic light emitting diode can be improved by restricting the triplet exciton into the emitting layer.
일 실시예에서, Y는 C이고, B1, B2, 및 B3 중 적어도 하나는 NR1 또는 O일 수 있고, 나머지는 R2가 동일하거나 서로 다른 CR2들일 수 있다. 더 구체적으로, Y는 C이고, B2와 B3 중 하나는 NR1 또는 O이고, B1, B2, 및 B3 중 나머지는 R2이 동일하거나 서로 다른 CR2들일 수 있다.In one embodiment, Y is C, and at least one of B 1 , B 2 , and B 3 can be NR 1 or O, and the remainder R 2 can be the same or different CR 2 s . More specifically, Y is C, one of B 2 and B 3 is NR 1 or O, and the remaining of B 1 , B 2 , and B 3 may be CR 2 s in which R 2 is the same or different.
다른 실시예에서, Y는 N이고, B1, B2, 및 B3는 R2가 동일하거나 서로 다른 CR2들일 수 있다.In another embodiment, Y is N, and B 1 , B 2 , and B 3 may be CR 2 wherein R 2 is the same or different.
본 발명의 실시예들에서, C1 내지 C30의 (불포화)알킬기는 C1 내지 C4의 (불포화)알킬기일 수 있다. 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄 알킬기일 수 있다. 또한, 알킬기의 수소는 할로겐기 구체적으로 F, 및/또는 시아노기로 치환될 수 있다. In embodiments of the present invention, the C1 to C30 (unsaturated) alkyl group may be a C1 to C4 (unsaturated) alkyl group. The alkyl group may be a straight chain or branched chain alkyl group. Further, the hydrogen of the alkyl group may be substituted with a halogen group specifically F, and / or a cyano group.
본 발명의 실시예들에서, C6 또는 C60의 아릴기는 C6의 아릴기일 수 있다. 아릴기의 수소는 할로겐기 구체적으로 F, 및/또는 시아노기로 치환될 수 있다.In embodiments of the present invention, an aryl group of C6 or C60 may be a C6 aryl group. The hydrogen of the aryl group may be substituted with a halogen group specifically F, and / or a cyano group.
본 발명의 실시예들에서, 헤테로아릴기는 하나 이상의 O, N, 또는 S 원자를 함유하는 5원 또는 6원의 방향족고리일 수 있다. 예를 들면, 피롤, 피라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 싸이아졸, 이소싸이아졸, 이미다졸, 옥사디아졸, 싸이아디아졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 또는 피리다진일 수 있다. 헤테로아릴기의 수소는 할로겐기 구체적으로 F, 및/또는 시아노기로 치환될 수 있다.In embodiments of the present invention, the heteroaryl group may be a 5- or 6-membered aromatic ring containing one or more O, N, or S atoms. For example, pyrrole, pyrazole, oxazole, isoxazole, thiazole, isothiazole, imidazole, oxadiazole, thiadiazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine or pyridazine. The hydrogen of the heteroaryl group may be substituted with a halogen group specifically F, and / or a cyano group.
본 발명의 일 구체예에 따른 유기금속화합물은 하기 화학식 2로 나타낼 수 있다.The organometallic compound according to one embodiment of the present invention can be represented by the following formula (2).
상기 화학식 2에서, M, X, B1, B2, B3, Y 및 n은 상기 화학식 1의 M, X, B1, B2, B3, Y 및 n과 각각 동일할 수 있다. A1, A2, A3, 및 A4는 서로 독립적으로 N 또는 나머지는 R3가 동일하거나 서로 다른 CR3(들)일 수 있다. R3는 수소, 할로겐기 구체적으로 F, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴기, 실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)실릴기, (치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)아미노기, (치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)아미노기, 또는 (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)아미노기일 수 있다. In the above formula (2) may be the same as M, X, B 1, B 2, B 3, Y and n is as defined in Formula 1 M, X, B 1, B 2, B 3, Y and n, respectively. A 1 , A 2 , A 3 , and A 4 may be independently N or the remaining R 3 may be the same or different CR 3 (s). R 3 is hydrogen, halogen, specifically F, cyano, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl, substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl, (Substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) silyl group, (substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl) silyl group, (substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (Substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl) silyl group, (substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl) silyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl (Substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) amino group, (substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl) amino group, (substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl) amino group, Unsubstituted C1 to C30 alkyl) (substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl) Group, or (substituted or unsubstituted alkyl of the unsubstituted C1-C30) (heteroaryl, substituted or unsubstituted C1 to C30) may be an amino group.
화학식 2에서 고리 A는 벤젠 또는 피리딘일 수 있다. In formula (2), ring A may be benzene or pyridine.
본 발명의 또 다른 구체예에 따른 유기금속화합물은 하기 화학식들 3 내지 5 중 어느 하나로 나타낼 수 있다.The organometallic compound according to another embodiment of the present invention can be represented by any one of the following formulas 3 to 5.
상기 화학식 3에서, R2는 상기 화학식 1의 R2와 동일할 수 있다.In Formula 3, R 2 may be the same as R 2 in Formula 1.
유기발광다이오드Organic light emitting diode
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드를 나타낸 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 유기발광다이오드는 애노드(10)와 캐소드(70), 이들 두 전극 사이에 배치된 발광층(40), 애노드(10)와 발광층(40) 사이에 배치된 정공전도층(20), 및 발광층(40)과 캐소드(70) 사이에 배치된 전자전도층(50)을 구비한다. 정공전도층(20)은 정공의 주입을 용이하게 하기 위한 정공주입층(23)과 정공의 수송을 위한 정공수송층(25)을 구비할 수 있다. 또한, 전자전도층(50)은 전자의 주입을 용이하게 하기 위한 전자주입층(53)과 전자의 수송을 위한 전자수송층(55)을 구비할 수 있다.1, an organic light emitting diode includes an
이러한 유기발광다이오드에 순방향 바이어스를 인가하면 애노드(10)에서 정공이 발광층(40)으로 유입되고, 캐소드(70)에서 전자가 발광층(40)으로 유입된다. 발광층(40)으로 유입된 전자와 정공은 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 기저상태로 전이하면서 광이 방출된다.When a forward bias is applied to the organic light emitting diode, holes are injected from the
발광층(40)은 인광발광층일 수 있고, 발광 호스트 및 발광 도펀트를 포함할 수 있다. 이 경우, 발광층(40)으로 유입된 전자와 정공은 발광 호스트에서 결합하여 여기자를 형성하고, 여기자는 에너지 전달과정을 통해 발광 도펀트로 전이된 후, 기저상태로 전이되면서 발광할 수 있다. 이론적으로, 발광 도펀트로 전이된 여기자의 75%는 삼중항 여기자(triplet exciton)이다. 이러한 삼중항 여기자는 단일항 여기자에 비해 긴 수명을 가지므로, 삼중항 여기자를 발광층(40) 내에 속박하는 것이 발광효율을 향상시킴에 있어 중요하다.The
발광 도펀트는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm 또는 이들의 조합을 포함하는 유기금속화합물일 수 있다. 구체적으로, 발광 도펀트는 PtOEP (하기 화학식 참조), Ir(piq)3 (하기 화학식 참조), Btp2Ir(acac) (하기 화학식 참조) 등의 적색 도펀트; Ir(ppy)3 (ppy = 페닐피리딘) (하기 화학식 참조), Ir(ppy)2(acac) (하기 화학식 참조), Ir(mpyp)3(하기 화학식 참조) 등의 녹색 도펀트; 또는 F2Irpic(하기 화학식 참조), (F2ppy)2Ir(tmd)(하기 화학식 참조), Ir(dfppz)3(하기 화학식 참조) 등의 청색 도펀트일 수 있다.The luminescent dopant may be an organometallic compound comprising Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm or combinations thereof. Specifically, the luminescent dopant is PtOEP (see the following chemical formula), Ir (piq) 3 (See the following chemical formula) and Btp2Ir (acac) (see the following chemical formula); A green dopant such as Ir (ppy) 3 (ppy = phenylpyridine) (see the following chemical formula), Ir (ppy) 2 (acac) (see the following chemical formula) and Ir (mpyp) 3 Or a blue dopant such as F 2 Irpic (see the following chemical formula), (F 2 ppy) 2 Ir (tmd) (see the following chemical formula) and Ir (dfppz) 3
한편, 발광 호스트는 Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센, TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), TBADN(3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), E3(하기 화학식 참조), 또는 BeBq2(하기 화학식 참조)일 수 있다. On the other hand, the luminescent host can be selected from the group consisting of Alq3, CBP (4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl), 9,10-di (naphthalene- N-phenylbenzimidazole-2-yl benzene), TBADN (3-tert-butyl-9,10-di (naphtho- 2-yl) anthracene), E3 (see the following formula), or BeBq2 (see the following formula).
전자주입층(53) 및/또는 전자수송층(55)은 캐소드(70)의 일함수 준위와 발광층(40)의 LUMO 준위 사이의 LUMO 준위를 갖는 층들로, 캐소드(70)에서 발광층(40)으로의 전자의 주입 또는 수송 효율을 높이는 기능을 한다.The
전자수송층(55)은 전자수송 호스트와 전자수송 도펀트를 포함할 수 있다. 전자수송 호스트는 일 예로서, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), BAlq(aluminum(III) bis(2-methyl-8-quinolinato)-4-phenylphenolate), TBPI(2,2',2'-(1,3,5-phenylene)-tris(1-phenyl-1H-benzimidazole)), TAZ(3-(4-biphenyl-yl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazole), 3TPYMB(tris-[3-(3-pyridyl)mesityl]borane), TSPO1(4-(triphenylsilyl)phenyldiphenylphosphine oxide), SiTAZ(Bis(4-(4,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazol-3-yl)phenyl)-dimethylsilane), TPPB(1,3,5-tris[3,5-bis(3-pyridinyl)phenyl]benzene), TpPyPB(1,3,5-tri(p-pyrid-3-yl-phenyl)benzene), TmPyPB(1,3,5-tri(m-pyrid-3-yl-phenyl)benzene), BmPyPB(1,3-bis(3,5-dipyrid-3-yl-phenyl)benzene), DPPS(diphenyl-bis[4-(pyridin-3-yl)phenyl]silane), 2-(4-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-2-일)페닐)-1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸 (2-(4-(9,10-di(naphthalen-2-yl)anthracen-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole), 및 4,6-디(페난트렌-9-일)-2-(4-(피리딘-2-일)페닐)피리미딘 (4,6-di(phenanthren-9-yl)-2-(4-(pyridin-2-yl)phenyl)pyrimidine)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질일 수 있다. The
또한, 전자수송 도펀트는 화학식 1 내지 화학식 5에 기재된 화합물 중 어느 하나일 수 있다. 이러한 전자수송 도펀트는 1족 또는 2족인 금속 특히, Li, Cs, Ca, 또는 Mg를 함유함에 따라 강한 전자 주게 특성을 가져 전자수송층(55)의 전자이동도를 향상시킬 수 있다. 이에 따라 유기발광다이오드의 구동전압을 감소시킬 수 있다. 또한, 전자수송층(55) 내에서 전자수송 도펀트는 5 내지 30 wt%로 도핑될 수 있다. 일 예로서, 전자수송층(55) 내에서 전자수송 도펀트는 8 내지 15 wt%로 도핑될 수 있다. 일 예에서, 전자수송층(55) 전체에 전자수송 도펀트가 도핑될 수 있다.The electron transporting dopant may be any one of the compounds represented by Chemical Formulas (1) to (5). Such an electron transporting dopant has a strong electron-donating property because it contains a metal of one group or two groups, particularly Li, Cs, Ca, or Mg, so that the electron mobility of the
도 2는 도 1에 도시한 유기발광다이오드의 삼중항 에너지 준위를 나타낸 모식도로서, 발광층과 전자주입층에 한정하여 나타낸다.FIG. 2 is a schematic diagram showing the triplet energy level of the organic light emitting diode shown in FIG. 1, and is limited to the light emitting layer and the electron injection layer.
도 1 및 도 2를 참조하면, 전자주입층(55) 내의 전자수송 도펀트 즉, 화학식 1에 기재된 화합물은 높은 삼중항 에너지 레벨(T55D 1)을 가질 수 있다. 구체적으로, 화학식 1에 기재된 화합물은 발광층(40) 내의 발광 도펀트의 삼중항 에너지 레벨(T40D 1)에 비해 높은 삼중항 에너지 레벨을 가질 수 있다. 이 경우, 발광 도펀트에 존재하는 삼중항 여기자를 발광층(40) 내로 속박시킬 수 있어, 발광효율이 향상될 수 있다. 나아가, 화학식 1에 기재된 화합물은 발광 호스트의 삼중항 에너지 레벨(T40H 1)에 비해서도 높은 삼중항 에너지 레벨(T55D 1)을 가질 수 있다. 일 예로서, 단일항 기저상태(S0)를 기준으로 할 때 전자수송 도펀트의 삼중항 에너지 레벨(T55D 1)은 2.4eV 이상 일 수 있다. 일 예로서, 전자수송 도펀트의 삼중항 에너지 레벨(T55D 1)은 2.4eV 내지 3.3ev, 2.4eV 내지 3.0ev, 2.7eV 내지 3.3ev, 또는 2.7eV 내지 3.0ev일 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, the electron transport dopant in the
한편, 전자수송 호스트의 삼중항 에너지 레벨(T55H 1) 또한, 발광 도펀트의 삼중항 에너지 레벨(T40D 1), 나아가 발광 호스트의 삼중항 에너지 레벨(T40H 1)에 비해 높을 수 있다. 이 경우, 여기자를 발광층(40)에 구속시키기 위한 여기자 블로킹층(exciton blocking layer)을 형성하는 것을 생략할 수 있어, 유기발광다이오드의 구조를 단순화시킬 수 있다. 여기자 블로킹층이 생략되는 경우, 전자수송층(55)은 발광층(40) 상에 접촉하도록 형성할 수 있다.On the other hand, the triplet energy level (T 55H 1 ) of the electron transport host may also be higher than the triplet energy level (T 40D 1 ) of the luminescent dopant, and furthermore, the triplet energy level of the emitting host (T 40H 1 ). In this case, formation of an exciton blocking layer for restricting excitons to the
도 1을 다시 참조하면, 전자주입층(53)은 예를 들면, LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, BaF2, 또는 Liq(리튬 퀴놀레이트)일 수 있다.Referring again to FIG. 1, the
정공주입층(23) 및/또는 정공수송층(25)은 애노드(10)의 일함수 준위와 발광층(40)의 HOMO 준위 사이의 HOMO 준위를 갖는 층들로, 애노드(10)에서 발광층(40)으로의 정공의 주입 또는 수송 효율을 높이는 기능을 한다. The
정공주입층(23) 또는 정공수송층(25)은 정공 수송 물질로서 통상적으로 사용되는 재료를 하나 또는 그 이상 포함할 수 있다. 정공 수송 물질은 예를 들면, mCP (N,N-dicarbazolyl-3,5-benzene); PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystyrenesulfonate); NPD (N,N′-di(1-naphthyl)-N,N′-diphenylbenzidine); N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐(TPD); N,N'-디페닐-N,N'-디나프틸-4,4'-디아미노비페닐; N,N,N'N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐; N,N,N'N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐; 코퍼(II)1,10,15,20-테트라페닐-21H,23H-포피린 등과 같은 포피린(porphyrin)화합물 유도체; TAPC(1,1-Bis[4-[N,N'-Di(p-tolyl)Amino]Phenyl]Cyclohexane); N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4, 4', 4'-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트리페닐아민과 같은 트리아릴아민 유도체; N-페닐카르바졸 및 폴리비닐카르바졸과 같은 카르바졸 유도체; 무금속 프탈로시아닌, 구리프탈로시아닌과 같은 프탈로시아닌 유도체; 스타버스트 아민 유도체; 엔아민스틸벤계 유도체; 방향족 삼급아민과 스티릴 아민 화합물의 유도체; 및 폴리실란 등일 수 있다.The
애노드(10)는 전도성 금속 산화물, 금속, 금속 합금, 또는 탄소재료일 수 있다. 전도성 금속 산화물은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide: ITO), 플루오린 틴 옥사이드(fluorine tin oxide: FTO), 안티몬 틴 옥사이드(antimony tin oxide, ATO), 플루오르 도프 산화주석(FTO), SnO2, ZnO, 또는 이들의 조합일 수 있다. 애노드(10)로서 적합한 금속 또는 금속합금은 Au와 CuI일 수 있다. 탄소재료는 흑연, 그라핀, 또는 탄소나노튜브일 수 있다.The
캐소드(70)는 애노드(10)에 비해 낮은 일함수를 갖는 도전막으로, 예를 들어, 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 인듐, 이트륨, 리튬, 은, 납, 세슘 등의 금속 또는 이들의 2종 이상의 조합을 사용하여 형성할 수 있다.The
애노드(10)와 캐소드(70)는 스퍼터링(sputtering)법, 기상증착법 또는 이온빔증착법을 사용하여 형성될 수 있다. 정공주입층(23), 정공수송층(25), 발광층(40), 전자수송층(55), 및 전자주입층(53)은 서로에 관계없이 증착법 또는 코팅법, 예를 들어 스프레잉, 스핀 코팅, 딥핑, 프린팅, 닥터 블레이딩법을 이용하거나, 또는 전기영동법을 이용하여 형성될 수 있다. The
유기발광다이오드는 기판(미도시) 상에 배치될 수 있는데, 기판은 애노드(10) 하부에 배치될 수도 있고 또는 캐소드(70) 상부에 배치될 수도 있다. 다시 말해서, 기판 상에 애노드(10)가 캐소드(70) 보다 먼저 형성될 수도 있고 또는 캐소드(70)가 애노드(10) 보다 먼저 형성될 수도 있다.The organic light emitting diode may be disposed on a substrate (not shown), which may be disposed under the
기판은 평판상의 부재로서 광투과성 기판일 수 있고, 이 경우, 상기 기판은 유리; 세라믹스재료; 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI), 폴리프로필렌(PP) 등과 같은 고분자 재료로 이루어질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 기판은 광반사가 가능한 금속기판일 수도 있다.The substrate may be a light-transmissive substrate as a flat plate member, in which case the substrate may be glass; Ceramics material; And may be made of a polymer material such as polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyimide (PI), polypropylene (PP) However, the present invention is not limited to this, and the substrate may be a metal substrate capable of light reflection.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광다이오드를 나타낸 단면도이다. 본 실시예에 따른 유기발광다이오드는 후술하는 것을 제외하고는 도 1을 참조하여 설명한 유기발광다이오드와 유사하다.3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting diode according to the present embodiment is similar to the organic light emitting diode described with reference to FIG. 1, except as described below.
도 3을 참조하면, 전자수송층(55)은 전자수송 도펀트가 도핑되지 않은 제1 전자수송층(55a)과 전자수송 도펀트가 도핑된 제2 전자수송층(55b)로 구분될 수 있다. 이 때, 제1 전자수송층(55a)은 제2 전자수송층(55b)에 비해 발광층(40)에 인접하여 배치될 수 있으며, 약 1 내지 10nm의 두께를 가질 수 있다.Referring to FIG. 3, the
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실험예(example)를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in order to facilitate understanding of the present invention. It should be understood, however, that the following examples are intended to aid in the understanding of the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention.
[실험예들; Examples][Experimental Examples; Examples]
합성예 1: 화합물 Ⅰ의 합성Synthesis Example 1: Synthesis of Compound I
<반응식 1><
2-(옥사졸-2-일) 페놀(2-(oxazol-2-yl)phenol) 1g(6.21mmol), 리튬 하이드록사이드(lithium hydroxide) 0.16g(6.83mmol), 및 메틸렌 클로라이드(methylene chloride) 50㎖를 반응기에 넣고, 12시간 동안 질소분위기 하에서 실온의 온도에서 교반시켰다. 그 후, 여과 필터에서 메틸렌 클로라이드로 씻어 내린 뒤 건조시켰다. 건조된 화합물Ⅰ(리튬 2-(옥사졸-2-일) 페놀레이트(lithium (2-(oxazol-2-yl)phenolate))을 다시 승화 정제하여 0.61g (59% 수율)을 하얀 고체로 얻었다. 화합물Ⅰ은 2.59 eV의 삼중항 에너지를 나타내었다. 1 g (6.21 mmol) of 2- (oxazol-2-yl) phenol, 0.16 g (6.83 mmol) of lithium hydroxide, ) Were placed in a reactor, and the mixture was stirred at room temperature under a nitrogen atmosphere for 12 hours. Then, it was washed with methylene chloride in a filtration filter and then dried. The dried Compound I (lithium 2- (oxazol-2-yl) phenolate) was further sublimed and purified to obtain 0.61 g (59% yield) of a white solid . Compound I showed a triplet energy of 2.59 eV.
1H NMR (200 MHz, DMSO): δ 7.16 (s, 1H), 6.75 (d, J=8.00 Hz, 1H), 6.34(s, 1H), 6.22 (t, 1H), 5.74 (d, J=8.4, 1H), 5.56 (t, J=7, 1H) 1 H NMR (200 MHz, DMSO ): δ 7.16 (s, 1H), 6.75 (d, J = 8.00 Hz, 1H), 6.34 (s, 1H), 6.22 (t, 1H), 5.74 (d, J = 8.4, IH), 5.56 (t, J = 7, IH)
GC-Mass (이론치: 167.09g/mol, 측정치: 167g/mol)GC-Mass (theory: 167.09 g / mol, measurement: 167 g / mol)
합성예 2: 화합물 Ⅱ의 합성Synthesis Example 2: Synthesis of Compound II
<반응식 1><
2-(1-메틸-이미다졸-2-일)페놀(2-(1-methyl-imidazol-2-yl)phenol) 1.10g (6.31mmol), 리튬 하이드록사이드 0.17g (6.95mmol), 및 메틸렌 클로라이드50㎖를 반응기에 넣고, 12시간 동안 질소분위기 하에서 실온의 온도에서 교반시켰다. 그 후, 여과 필터에서 메틸렌 클로라이드로 씻어 내린 뒤 건조시켰다. 건조된 화합물 Ⅱ(리튬 2-(1-메틸-이미다졸-2-일)페놀레이트 (lithium 2-(1-methyl-imidazol-2-yl)phenolate))는 다시 승화 정제하여 0.32g (28% 수율)을 하얀 고체로 얻었다. 화합물 Ⅱ는 2.76 eV의 삼중항 에너지를 나타내었다.1.10 g (6.31 mmol) of 2- (1-methyl-imidazol-2-yl) phenol, 0.17 g (6.95 mmol) of lithium hydroxide, and 50 ml of methylene chloride was added to the reactor, and the mixture was stirred at a room temperature under a nitrogen atmosphere for 12 hours. Then, it was washed with methylene chloride in a filtration filter and then dried. The dried Compound II (lithium 2- (1-methyl-imidazol-2-yl) phenolate) was further sublimed and purified to obtain 0.32 g (28% Yield) as a white solid. Compound II showed a triplet energy of 2.76 eV.
1H NMR(200MHz, DMSO) : 6.12 (m, 2H), 5.93 (t, J=7, 1H), 5.84 (s, 1H), 5.50 (d, J=4, 1H), 5.24 (t, J=7, 1H), 2.64 (s, 3H) 1 H NMR (200MHz, DMSO) : 6.12 (m, 2H), 5.93 (t, J = 7, 1H), 5.84 (s, 1H), 5.50 (d, J = 4, 1H), 5.24 (t, J = 7, IH), 2.64 (s, 3H)
GC-Mass (이론치: 180.13g/mol, 측정치: 180g/mol)GC-Mass (theory: 180.13 g / mol, measurement: 180 g / mol)
합성예 3: 화합물 Ⅲ의 합성 Synthesis Example 3: Synthesis of Compound (III)
<반응식 3><Reaction Scheme 3>
2-(피라졸-1-일)피리딘-3-올(2-(pyrazol-1-yl)pyridin-3-ol) 0.90g (5.58mmol), 리튬 하이드록사이드 0.15g (6.14mmol), 메틸렌 클로라이드 50㎖를 반응기에 넣고, 12시간 동안 질소분위기 하에서 실온의 온도에서 교반시켰다. 그 후, 여과 필터에 메틸렌 클로라이드로 씻어 내린뒤 건조시켰다. 건조된 화합물 Ⅲ리튬 2-(피라졸-1-일)피리딘-3-올레이트(lithium 2-(pyrazol-1-yl)pyridin-3-olate)은 다시 승화 정제하여 0.46g (49% 수율)을 하얀 고체로 얻었다. 화합물 Ⅲ은 2.75 eV의 삼중항 에너지를 나타내었다. (5.58 mmol) of 2- (pyrazol-1-yl) pyridin-3-ol, 0.15 g (6.14 mmol) of lithium hydroxide, 50 ml of chloride were added to the reactor, and the mixture was stirred at room temperature under a nitrogen atmosphere for 12 hours. Then, the filter was washed with methylene chloride and then dried. (49% yield) of lithium 2- (pyrazol-1-yl) pyridin-3-olate (lithium 2- (pyrazol- As a white solid. Compound III showed a triplet energy of 2.75 eV.
1H NMR(200MHz, DMSO) : 6.85 (s, 1H), 6.36 (m, 2H), 5.82 (s, 1H), 5.34 (s, 2H) 1 H NMR (200MHz, DMSO) : 6.85 (s, 1H), 6.36 (m, 2H), 5.82 (s, 1H), 5.34 (s, 2H)
GC-Mass (이론치: 167.09g/mol, 측정치: 167g/mol)GC-Mass (theory: 167.09 g / mol, measurement: 167 g / mol)
제조예 1: 녹색 인광 유기발광다이오드 제조Production Example 1: Preparation of green phosphorescent organic light emitting diode
(ITO/PEDOT:PSS/TAPC/mCP/CBP:Ir(ppy)(ITO / PEDOT: PSS / TAPC / mCP / CBP: Ir (ppy) 33 /BmPyPb:화합물Ⅰ/LiF/Al) / BmPyPb: Compound I / LiF / Al)
애노드인 ITO 기판은 순수와 이소프로필 알코올을 이용하여 초음파에서 30분간 세정하였다. 세정한 ITO 기판을 단파장의 자외선을 이용하여 표면처리한 후 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate), CH8000, Baytron)를 스핀코팅하여 60㎚의 정공주입층을 형성하였다. 이 후, 정공주입 또는 수송물질인 TAPC(1,1-Bis[4-[N,N'-Di(p-tolyl)Amino]Phenyl]Cyclohexane) 20㎚와 mCP(N,N-dicarbazolyl-3,5-benzene) 10㎚를 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.1 nm/s의 속도로 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이 후, 녹색 인광 호스트로서 CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐)와 녹색 인광 도펀트인 Ir(ppy)3를 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.015 nm/s의 속도로 공증착하여 도펀트가 5wt% 도핑된 25㎚의 발광층을 형성하였다. 전자수송 호스트로서 BmPyPB((1,3-bis(3,5-dipyrid-3-yl-phenyl)benzene))와 전자수송 도펀트로서 합성예 1에서 합성된 화합물 Ⅰ을 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.1 nm/s의 속도로 공증착하여 전자수송 도펀트가 10wt%로 도핑된 35㎚의 전자수송층을 형성하였다. 이 후, 전자주입재료로서 LiF를 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.01 nm/s의 속도로 증착하여 1nm의 전자주입층을 형성하였다. 그 후, Al을 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.5nm/sec의 속도로 증착하여 200nm의 캐소드를 형성함으로써 녹색 인광 유기발광다이오드를 형성하였다. 소자 형성후 CaO 흡습제와 유리 커버 글라스를 이용하여 소자를 밀봉하였다.The anode ITO substrate was cleaned with ultrasonic waves for 30 minutes using pure water and isopropyl alcohol. The cleaned ITO substrate was surface-treated with ultraviolet light of short wavelength and then a hole injection layer of 60 nm was formed by spin coating PEDOT: PSS (poly (3,4-ethylenedioxythiophene): poly (styrenesulfonate), CH8000, Baytron) . Subsequently, 20 nm of TAPC (1,1-Bis [4- [N, N'-Di (p-tolyl) Amino] Phenyl] Cyclohexane, which is a hole injection or transporting material, and mCP (N, N-dicarbazolyl- 5-benzene) was deposited at a rate of 0.1 nm / s under a pressure of 1 x 10 -6 torr to form a hole transport layer. Thereafter, a green phosphorescent host CBP-at a rate of (4,4'-N, N'- dicarboxylic carbazole biphenyl) and 0.015 nm / s to the Ir (ppy) 3 green phosphorescent dopant at a pressure of 1x10 -6 torr Followed by co-deposition to form a 25 nm light emitting layer doped with 5 wt% of a dopant. (1,3-bis (3,5-dipyrid-3-yl-phenyl) benzene) as an electron transport host and Compound I synthesized in Synthesis Example 1 as an electron transporting dopant were mixed at a pressure of 1 × 10 -6 torr nm / s to form a 35 nm electron transporting layer doped with 10 wt% of electron transporting dopant. Thereafter, LiF as an electron injecting material was vapor-deposited at a pressure of 1 x 10 -6 torr at a rate of 0.01 nm / s to form an electron injecting layer of 1 nm. Thereafter, Al was deposited at a rate of 0.5 nm / sec under a pressure of 1 x 10 -6 torr to form a 200 nm cathode, thereby forming a green phosphorescent organic light emitting diode. After the device was formed, the device was sealed using a CaO wetting agent and a glass cover glass.
본 제조예에 따른 유기발광다이오드는 5V의 전압에서 양자효율 20%을 나타내었으며, 10 ㎃/㎠의 전류 밀도를 기준으로 6.7V의 구동전압을 나타내었다.The organic light emitting diode according to the present example showed a quantum efficiency of 20% at a voltage of 5 V and a driving voltage of 6.7 V based on a current density of 10 mA / cm 2.
제조예 2: 청색 인광 유기발광다이오드 제조Production Example 2: Preparation of blue phosphorescent organic light emitting diode
(ITO/PEDOT:PSS/TAPC/mCP/mCP:F2Irpic/BmPyPb:화합물Ⅱ/LiF/Al) (ITO / PEDOT: PSS / TAPC / mCP / mCP: F2Irpic / BmPyPb: Compound II / LiF / Al)
애노드인 ITO 기판은 순수와 이소프로필 알코올을 이용하여 초음파에서 30분간 세정하였다. 세정한 ITO 기판을 단파장의 자외선을 이용하여 표면처리한 후 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate), CH8000, Baytron)를 스핀코팅하여 60㎚의 정공주입층을 형성하였다. 이 후, 정공주입 또는 수송물질인 TAPC(1,1-Bis[4-[N,N'-Di(p-tolyl)Amino]Phenyl]Cyclohexane) 20㎚와 mCP(N,N-dicarbazolyl-3,5-benzene) 10㎚를 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.1 nm/s의 속도로 차례로 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이 후, 청색 인광 호스트로서 mCP와 청색 인광 도펀트로서 F2Irpic(Bis(4,6-difluorophenylpyridinato-N,C2)picolinatoiridium)을 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.015 nm/s의 속도로 공증착하여 도펀트가 5wt% 도핑된 25㎚의 발광층을 형성하였다. 전자수송 호스트로서 BmPyPB(1,3-bis(3,5-dipyrid-3-yl-phenyl)benzene)와 전자수송 도펀트로서 합성예 2에서 합성된 화합물 Ⅱ를 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.1 nm/s의 속도로 공증착하여 전자수송 도펀트가 10wt% 도핑된 35㎚의 전자수송층을 형성하였다. 이 후, 전자주입재료로서 LiF를 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.01 nm/s의 속도로 증착하여 1nm의 전자주입층을 형성하였다. 그 후, Al을 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.5nm/sec의 속도로 증착하여 200nm의 캐소드를 형성함으로써 청색 인광 유기발광다이오드를 형성하였다. 소자 형성후 CaO 흡습제와 유리 커버 글라스를 이용하여 소자를 밀봉하였다.The anode ITO substrate was cleaned with ultrasonic waves for 30 minutes using pure water and isopropyl alcohol. The cleaned ITO substrate was surface-treated with ultraviolet light of short wavelength and then a hole injection layer of 60 nm was formed by spin coating PEDOT: PSS (poly (3,4-ethylenedioxythiophene): poly (styrenesulfonate), CH8000, Baytron) . Subsequently, 20 nm of TAPC (1,1-Bis [4- [N, N'-Di (p-tolyl) Amino] Phenyl] Cyclohexane, which is a hole injection or transporting material, and mCP (N, N-dicarbazolyl- 5-benzene) were sequentially deposited at a rate of 0.1 nm / s under a pressure of 1 x 10 -6 torr to form a hole transporting layer. Subsequently, mCP as a blue phosphorescent host and F 2 Irpic (Bis (4,6-difluorophenylpyridinato-N, C2) picolinatoiridium) as a blue phosphorescent dopant were co-deposited at a rate of 0.015 nm / s under a pressure of 1 × 10 -6 torr, To form a 25 nm-light-emitting layer doped with 5 wt%. To as the electron transporting host BmPyPB (1,3-bis (3,5- dipyrid-3-yl-phenyl) benzene) with a compound Ⅱ synthesized in Synthesis Example 2 as the electron transporting dopant under a pressure of 1x10 -6 torr 0.1 nm / s to form an electron transport layer having a thickness of 35 nm doped with 10 wt% of an electron transporting dopant. Thereafter, LiF as an electron injecting material was vapor-deposited at a pressure of 1 x 10 -6 torr at a rate of 0.01 nm / s to form an electron injecting layer of 1 nm. Thereafter, Al was vapor-deposited at a rate of 0.5 nm / sec under a pressure of 1 x 10 -6 torr to form a 200 nm cathode, thereby forming a blue phosphorescent organic light-emitting diode. After the device was formed, the device was sealed using a CaO wetting agent and a glass cover glass.
본 제조예에 따른 유기발광다이오드는 5V의 전압에서 양자효율 19%를 나타내었으며, 10 ㎃/㎠의 전류 밀도를 기준으로 8.2V의 구동전압을 나타내었다.The organic light emitting diode according to the present example exhibited a quantum efficiency of 19% at a voltage of 5 V and a driving voltage of 8.2 V based on a current density of 10 mA / cm 2.
제조예 3: 청색 인광 유기발광다이오드 제조Production Example 3: Preparation of blue phosphorescent organic light emitting diode
(ITO/PEDOT:PSS/TAPC/mCP/mCP:F2Irpic/BmPyPb:화합물Ⅲ/LiF/Al) (ITO / PEDOT: PSS / TAPC / mCP / mCP: F2Irpic / BmPyPb: Compound III / LiF / Al)
전자수송 도펀트로서 합성예 2에서 합성된 화합물 Ⅲ을 사용하여 전자수송 도펀트가 10wt% 도핑된 35㎚의 전자수송층을 형성한 것을 제외하고는, 제조예 2와 동일한 방법으로 청색 인광 유기발광다이오드를 제조한 후 밀봉하였다.A blue phosphorescent organic light emitting diode was produced in the same manner as in Production Example 2, except that an electron transporting layer of 35 nm doped with 10 wt% of an electron transporting dopant was formed using the compound III synthesized in Synthesis Example 2 as an electron transporting dopant And then sealed.
본 제조예에 따른 유기발광다이오드는 10 ㎃/㎠의 전류 밀도를 기준으로 8.2V의 구동전압을 나타내었다.The organic light emitting diode according to the present example showed a driving voltage of 8.2 V based on a current density of 10 mA / cm 2.
제조예 4: 청색 인광 유기발광다이오드 제조Production Example 4: Preparation of blue phosphorescent organic light emitting diode
(ITO/PEDOT:PSS/TAPC/mCP/mCP:F2Irpic/BmPyPb/BmPyPb:화합물Ⅱ/LiF/Al) (ITO / PEDOT: PSS / TAPC / mCP / mCP: F2Irpic / BmPyPb / BmPyPb: Compound II / LiF / Al)
전자수송층을 형성함에 있어서, 전자수송 호스트인 BmPyPB(1,3-bis(3,5-dipyrid-3-yl-phenyl)benzene)를 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.1 nm/s의 속도로 증착하여 전자수송 도펀트가 도핑되지 않은 5㎚의 제1 전자수송층을 형성한 후, 상기 제1 전자수송층 상에 전자수송 호스트인 BmPyPB와 전자수송 도펀트로서 합성예 2에서 합성된 화합물 Ⅱ를 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.1 nm/s의 속도로 공증착하여 전자수송 도펀트가 10wt% 도핑된 30㎚의 제2 전자수송층을 형성하는 것을 제외하고는, 제조예 2와 동일한 방법으로 청색 인광 유기발광다이오드를 제조한 후 밀봉하였다.In forming the electron transport layer, BmPyPB (1,3-bis (3,5-dipyrid-3-yl-phenyl) benzene), an electron transport host, was deposited at a pressure of 1 × 10 -6 torr at a rate of 0.1 nm / s ⅱ the compound synthesized in synthesis example 2 as an electron transporting host, and an electron transporting BmPyPB dopant after forming the electron transporting 5㎚ first electron transport layer of the dopant is not doped, on the first electron transport layer of 1x10 -6 torr Phosphorescent organic light emitting diode was produced in the same manner as in Production Example 2 except that a 30 nm second electron transport layer doped with 10 wt% of an electron transporting dopant was co-deposited under a pressure of 0.1 nm / s to form a blue phosphorescent organic light emitting diode And then sealed.
본 제조예에 따른 유기발광다이오드는 10 ㎃/㎠의 전류 밀도를 기준으로 8.3V의 구동전압을 나타내었다.The organic light emitting diode according to the present example showed a driving voltage of 8.3 V based on a current density of 10 mA / cm 2.
비교예1: 녹색 인광 유기발광다이오드 제조Comparative Example 1: Preparation of green phosphorescent organic light emitting diode
(ITO/PEDOT:PSS/TAPC/mCP/CBP:Ir(ppy)(ITO / PEDOT: PSS / TAPC / mCP / CBP: Ir (ppy) 33 /BmPyPb:Liq/LiF/Al) / BmPyPb: Liq / LiF / Al)
전자수송층의 전자수송 도펀트로서 Liq(lithium quinolate)를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 녹색 인광 유기발광다이오드를 제조한 후 밀봉하였다.A green phosphorescent organic light emitting diode was prepared and sealed in the same manner as in Production Example 1, except that Liq (lithium quinolate) was used as an electron transporting dopant in the electron transporting layer.
본 제조예에 따른 유기발광다이오드는 5V의 전압에서 양자효율 15%를 나타내었다.The organic light emitting diode according to the present example exhibited a quantum efficiency of 15% at a voltage of 5V.
비교예2: 녹색 인광 유기발광다이오드 제조Comparative Example 2: Preparation of green phosphorescent organic light emitting diode
(ITO/PEDOT:PSS/TAPC/mCP/CBP:Ir(ppy)(ITO / PEDOT: PSS / TAPC / mCP / CBP: Ir (ppy) 33 /BmPyPb/LiF/Al) / BmPyPb / LiF / Al)
전자수송층에 전자수송 도펀트를 사용하지 않은 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 녹색 인광 유기발광다이오드를 제조한 후 밀봉하였다.A green phosphorescent organic light emitting diode was prepared and sealed in the same manner as in Production Example 1, except that an electron transporting dopant was not used in the electron transporting layer.
본 제조예에 따른 유기발광다이오드는 10 ㎃/㎠의 전류 밀도를 기준으로 7.3V의 구동전압을 나타내었다.The organic light emitting diode according to the present example showed a driving voltage of 7.3 V based on a current density of 10 mA / cm 2.
비교예3: 청색 인광 유기발광다이오드 제조Comparative Example 3: Preparation of blue phosphorescent organic light emitting diode
(ITO/PEDOT:PSS/TAPC/mCP/mCP:F2Irpic/BmPyPb:Liq/LiF/Al) (ITO / PEDOT: PSS / TAPC / mCP / mCP: F2Irpic / BmPyPb: Liq / LiF / Al)
전자수송층의 전자수송 도펀트로서 Liq(lithium quinolate)를 사용한 것을 제외하고는 제조예 2과 동일한 방법으로 청색 인광 유기발광다이오드를 제조한 후 밀봉하였다.A blue phosphorescent organic light emitting diode was prepared and sealed in the same manner as in Production Example 2, except that Liq (lithium quinolate) was used as an electron transporting dopant in the electron transporting layer.
본 제조예에 따른 유기발광다이오드는 5V의 전압에서 양자효율 13%를 나타내었다.The organic light emitting diode according to the present example exhibited a quantum efficiency of 13% at a voltage of 5V.
비교예4: 청색 인광 유기발광다이오드 제조Comparative Example 4: Preparation of blue phosphorescent organic light emitting diode
(ITO/PEDOT:PSS/TAPC/mCP/mCP:F2Irpic/BmPyPb/LiF/Al) (ITO / PEDOT: PSS / TAPC / mCP / mCP: F2Irpic / BmPyPb / LiF / Al)
전자수송층의 전자수송 도펀트를 사용하지 않은 것을 제외하고는 제조예 2과 동일한 방법으로 청색 인광 유기발광다이오드를 제조한 후 밀봉하였다.A blue phosphorescent organic light emitting diode was prepared and sealed in the same manner as in Production Example 2, except that the electron transporting dopant in the electron transporting layer was not used.
본 제조예에 따른 유기발광다이오드는 10 ㎃/㎠의 전류 밀도를 기준으로 8.6V의 구동전압을 나타내었다.The organic light emitting diode according to the present example showed a driving voltage of 8.6 V based on a current density of 10 mA / cm 2.
(@ 10 ㎃/㎠의 전류 밀도)Driving voltage
(Current density of @ 10 mA / cm 2)
(@ 5V)Quantum efficiency
(@ 5V)
CBP:Ir(ppy)3
CBP: Ir (ppy) 3
mCP:F2Irpic
mCP: F2Irpic
위 결과들을 참고할 때, 제조예 1에 따른 유기발광다이오드는 전자수송 도펀트로서 Liq를 사용한 경우(비교예 1)에 비해 양자효율이 향상됨을 알 수 있다. 이는 제조예 1에서는 발광층 내의 녹색 인광 도펀트의 삼중항 에너지가 2.4 eV일 때, 2.59 eV의 삼중항 에너지를 갖는 화합물 Ⅰ을 전자수송층 내의 전자수송 도펀트로 사용함에 따라, 삼중항 여기자를 발광층 내로 속박시킨 결과로 이해될 수 있다. 또한, 제조예 1에 따른 유기발광다이오드는 전자수송 도펀트를 사용하지 않은 경우(비교예 2)에 비해 구동전압이 감소한 것을 알 수 있다.It can be seen from the above results that the quantum efficiency of the organic light emitting diode according to Production Example 1 is improved as compared with the case of using Liq as the electron transporting dopant (Comparative Example 1). This is because in Example 1, when the triplet energy of the green phosphorescent dopant in the light emitting layer is 2.4 eV, Compound I having a triplet energy of 2.59 eV is used as an electron transporting dopant in the electron transport layer, Can be understood as a result. Further, it can be seen that the driving voltage of the organic light emitting diode according to Production Example 1 is reduced as compared with the case where the electron transporting dopant is not used (Comparative Example 2).
*이와 비슷하게, 제조예 2 및 제조예 4에 따른 유기발광다이오드는 전자수송 도펀트로서 Liq를 사용한 경우(비교예 3)에 비해 양자효율이 향상됨을 알 수 있다. 이는 제조예 2 및 제조예 4에서는 발광층 내의 청색 인광 도펀트의 삼중항 에너지가 2.7 eV일 때, 2.76 eV의 삼중항 에너지를 갖는 화합물 Ⅱ을 전자수송층 내의 전자수송 도펀트로 사용함에 따라, 삼중항 여기자를 발광층 내로 속박시킨 결과로 이해될 수 있다. 또한, 제조예 2 및 제조예 4에 따른 유기발광다이오드는 전자수송 도펀트를 사용하지 않은 경우(비교예 4)에 비해 구동전압이 감소한 것을 알 수 있다.Similarly, it can be seen that the quantum efficiency of the organic light emitting diode according to Production Example 2 and Production Example 4 is improved as compared with the case where Liq is used as the electron transporting dopant (Comparative Example 3). This is because, in Production Example 2 and Production Example 4, when the triplet energy of the blue phosphorescent dopant in the light emitting layer is 2.7 eV, the compound II having the triplet energy of 2.76 eV is used as the electron transportation dopant in the electron transport layer, Can be understood as a result of being bound into the light emitting layer. In addition, it can be seen that the driving voltage of the organic light emitting diode according to Production Example 2 and Production Example 4 is reduced as compared with the case where the electron transporting dopant is not used (Comparative Example 4).
이와 같이, 발광층 내의 발광 도펀트의 삼중항 에너지에 비해 높은 레벨의 삼중항 에너지를 갖는 전자수송 도펀트를 전자수송층 내에 도핑함에 따라, 유기발광다이오드의 구동전압 감소와 더불어서 양자효율 또한 향상됨을 알 수 있다.As described above, doping of an electron transporting dopant having a higher level of triplet energy than the triplet energy of the luminescent dopant in the luminescent layer into the electron transporting layer improves the quantum efficiency as well as the driving voltage of the organic light emitting diode.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, This is possible.
Claims (13)
상기 발광층은 발광 호스트와 발광 도펀트를 포함하는 인광발광층이고,
상기 전자전도층은 전자수송 호스트와 전자수송 도펀트를 갖는 전자수송층을 포함하고,
상기 전자수송 도펀트는 유기금속화합물이고, 상기 발광 도펀트의 삼중항 에너지보다 높은 삼중항 에너지를 갖고,
상기 전자수송 호스트는 상기 발광 도펀트의 삼중항 에너지보다 높은 삼중항 에너지를 갖는 유기발광다이오드.An organic light emitting diode comprising an anode, a hole conduction layer, a light emitting layer, an electron conduction layer, and a cathode sequentially stacked,
The light emitting layer is a phosphorescent light emitting layer including a light emitting host and a light emitting dopant,
Wherein the electron conduction layer comprises an electron transporting layer having an electron transporting host and an electron transporting dopant,
Wherein the electron transporting dopant is an organometallic compound and has triplet energy higher than the triplet energy of the luminescent dopant,
Wherein the electron transporting host has triplet energy higher than triplet energy of the luminescent dopant.
상기 발광 도펀트는 녹색 인광 도펀트 또는 청색 인광 도펀트인 유기발광다이오드.The method according to claim 1,
Wherein the luminescent dopant is a green phosphorescent dopant or a blue phosphorescent dopant.
상기 전자수송 도펀트는 2.4 내지 3.3 eV의 삼중항 에너지를 갖는 유기발광다이오드.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the electron transporting dopant has a triplet energy of 2.4 to 3.3 eV.
상기 전자수송층은 층 전체 내에 상기 전자수송 도펀트가 도핑된 유기발광다이오드.The method according to claim 1,
Wherein the electron transporting layer is doped with the electron transporting dopant in the entire layer.
상기 전자수송층은 상기 전자수송 도펀트가 도핑되지 않은 제1 전자수송층과 상기 전자수송 도펀트가 도핑된 제2 전자수송층을 구비하는 유기발광다이오드.The method according to claim 1,
Wherein the electron transporting layer comprises a first electron transporting layer not doped with the electron transporting dopant and a second electron transporting layer doped with the electron transporting dopant.
상기 전자수송층은 상기 발광층에 접촉하는 유기발광다이오드.The method according to claim 1,
Wherein the electron transport layer is in contact with the light emitting layer.
상기 전자수송 도펀트는 하기 화학식 1로 표시되는 유기발광다이오드:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
M은 1족 또는 2족 금속이고,
n은 1 또는 2이고,
X는 O 또는 S 이고,
A는 육각고리 방향족이고,
Y는 C 또는 N이고,
B1, B2, 및 B3는 서로 독립적으로 NR1, O, 또는 CR2이고,
상기 R1은 서로에 상관없이 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기이고,
상기 R2은 서로에 상관없이 수소, 할로겐기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 불포화알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴기, 아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)아미노기, (치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)아미노기, 및 (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)아미노기로 이루어진 군에서 선택되는 하나이고,
상기 R1과 상기 R2중 서로 인접한 두 개는 임의적으로(optionally) 결합하여 B 고리에 융합된다.The method according to claim 1,
Wherein the electron transporting dopant is an organic light emitting diode represented by the following Formula 1:
[Chemical Formula 1]
In Formula 1,
M is a Group 1 or Group 2 metal,
n is 1 or 2,
X is O or S,
A is a hexagonal ring aromatic,
Y is C or N,
B 1 , B 2 , and B 3 are independently of each other NR 1 , O, or CR 2 ,
R < 1 > is hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group,
R 2 is independently selected from the group consisting of hydrogen, a halogen group, a cyano group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 unsaturated alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl group , A substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl group, an amino group, a (substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) amino group, a substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl) amino group, a substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl) amino group, (substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl) amino group, and (substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) Or an unsubstituted C1 to C30 heteroaryl) amino group,
Two adjacent ones of R 1 and R 2 are optionally fused to the B ring.
상기 M은 Li, Cs, Ca, 또는 Mg인 유기발광다이오드.8. The method of claim 7,
Wherein M is Li, Cs, Ca, or Mg.
상기 Y, 상기 B1, 상기 B2, 및 상기 B3중 적어도 하나는 N, NR1, 또는 O인 유기발광다이오드.8. The method of claim 7,
Wherein at least one of Y, B 1 , B 2 , and B 3 is N, NR 1 , or O.
상기 Y는 C이고, 상기 B2와 상기 B3 중 하나는 NR1 또는 O이고, 상기 B1, 상기 B2, 및 상기 B3 중 나머지는 R2이 동일하거나 서로 다른 상기 CR2들인 유기발광다이오드.10. The method of claim 9,
Wherein Y is C, one of the B 2 and the B 3 is NR 1 or O, and wherein B 1, wherein B 2, and the B 3 of the rest of R 2 is the same or different wherein CR 2, which are the OLED diode.
상기 전자수송 도펀트는 하기 화학식 2로 표시되는 유기발광다이오드:
[화학식 2]
상기 화학식 2에서, M, X, A, B1, B2, B3, Y 및 n은 상기 화학식 1의 M, X, A, B1, B2, B3, Y 및 n과 각각 동일하고,
A1, A2, A3, 및 A4는 서로 독립적으로 N 또는 CR3이고,
상기 R3는 서로에 상관없이 수소, 할로겐기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴기, 실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)실릴기, (치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)실릴기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)아미노기, (치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)아미노기, (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C6 또는 C60의 아릴)아미노기, 및 (치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬)(치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로아릴)아미노기로 이루어진 군에서 선택되는 하나이다.8. The method of claim 7,
Wherein the electron transporting dopant is an organic light emitting diode represented by the following Formula 2:
(2)
In Formula 2, M, X, A, B 1, B 2, B 3, Y and n is as defined in Formula 1 M, X, A, B 1, B 2, B 3, Y and n and the same and each ,
A 1 , A 2 , A 3 , and A 4 are independently of each other N or CR 3 ,
R 3 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl (Substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) silyl group, (substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl) silyl group, (substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (Substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl) silyl group, (substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl) silyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 (Substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl) amino group, (substituted or unsubstituted C6 or C60 aryl) amino group, (substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl) amino group, Substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (substituted or unsubstituted C6 or C60 Aryl) amino group, and (substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl) (substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl) amino group.
상기 화학식 2에서 고리 A는 벤젠 또는 피리딘인 유기발광다이오드.12. The method of claim 11,
Wherein Ring A in Formula 2 is benzene or pyridine.
상기 전자수송 도펀트는 하기 화학식 3, 하기 화학식 4, 또는 하기 화학식 5로 표시되는 유기발광다이오드.
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
8. The method of claim 7,
Wherein the electron transporting dopant is represented by the following general formula (3), (4), or (5).
(3)
[Chemical Formula 4]
[Chemical Formula 5]
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