KR101803931B1 - 냉매 직접증발 방식의 반도체 공정용 칠러 - Google Patents
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Abstract
칠러와 공정 챔버를 순환하는 냉매에 의해 상기 공정 챔버와 직접 열 교환이 이루어지는 냉매 직접증발 방식의 반도체 공정용 칠러가 개시된다. 압축기를 기준으로 응축기, 수액기, 및 전자식 팽창밸브가 상기 공정 챔버 전단에 순서대로 배치되고, 상기 공정 챔버 후단에 증발압력 제어밸브와 열교환기가 순서대로 배치되어 상기 압축기로 연결되어 상기 냉매가 순환하는 냉매 라인을 구성하고, 상기 응축기로 공급되는 냉각수가 상기 응축기에서 회수되어 상기 열교환기로 공급되고, 상기 열교환기에서 열교환 후 회수되는 냉각수 라인을 구성하며, 상기 열교환기 후단의 상기 냉각수 라인에, 상기 열교환기 후단의 냉매 라인의 흡입냉매의 온도에 기초하여 제어부에 의해 제어되는 흡입냉매 온도제어 밸브가 설치된다.
Description
본 발명은 반도체 공정용 칠러에 관한 것으로, 특히 냉매 직접증발 방식의 반도체 칠러에서 압축기에 흡입되는 냉매의 온도를 제어하는 기술에 관련한다.
반도체를 제조하는 과정에서 반도체 공정용 설비는 항상 그 챔버 내부의 온도를 일정하게 유지시켜야 하며, 이러한 온도 유지의 역할을 하는 장비가 반도체 공정용 칠러(chiller)이다.
최근에는 브라인(brine)을 사용하지 않고 냉매를 반도체 공정 챔버에서 직접 열 교환(증발)시켜 공정 온도를 유지하도록 하는 직접 열교환 방식이 많이 이용되고 있다.
냉매 직접증발 방식의 일 예로, 본 출원인에 의한 등록특허 제1501175호는, 칠러와 공정 챔버를 순환하는 냉매에 의해 상기 공정 챔버와 직접 열 교환이 이루어지고, 압축기를 기준으로 응축기, 수액기, 및 전자식 팽창밸브가 상기 공정 챔버 전단에 순서대로 배치되고, 상기 공정 챔버 후단에 제어밸브 및 액 분리기가 순서대로 배치되어 상기 압축기로 연결되는 반도체 공정용 칠러를 개시하는데, 상기 전자식 팽창밸브는 고정된 일정량의 개도를 유지하여 냉매의 온도를 낮추며 습증기 냉매를 상기 공정 챔버에 공급하고, 상기 제어밸브는 상기 공정 챔버의 입력단과 출력단에 각각 배치된 공급측 온도센서와 회수측 온도센서의 감지결과에 따라 제어부의 제어하에 개도가 조절되어 공급측 온도와 회수측 온도를 각각 제어하고, 상기 회수측 온도제어에 의해 상기 공정 챔버의 입력단과 출력단의 온도 분포가 일정해지고 상기 온도 분포에 대한 포화압력을 유지하도록 한다.
또한, 상기 압축기와 상기 응축기 사이에서 분기하여 상기 제어밸브와 상기 액분리기 사이로 연결되는 분기 경로에 핫가스 바이패스 밸브가 더 배치되고, 상기 수액기와 상기 전자식 팽창밸브 사이에서 분기하여 상기 압축기와 상기 액분리기 사이로 연결되는 분기 경로에 흡입온도 제어용 전자식 팽창밸브가 더 배치되고 상기 압축기의 흡입단에 냉매 흡입온도 감지센서가 설치된다.
이러한 냉매 직접증발 방식을 이용하는 증기 압축식 냉동시스템에서, 공정 챔버에서 많은 부하를 처리하기 위해서는 전자식 팽창밸브의 개도율을 증가시켜 많은 냉매가 순환할 수 있도록 제어되는데, 냉매의 순환량이 부족할 경우, 공정 챔버의 압력이 급격하게 증가하며 그에 따라 온도도 비례적으로 증가하기 때문에 제어밸브가 최대로 열린다.
특히, 증발기에 해당하는 공정 챔버의 구조상 프레온 냉매가스가 열을 흡수하면서 증발하기 어렵기 때문에 판형 열교환기와 대비하여 많은 전열면적이 필요하지만 공정 챔버의 크기는 지름 300㎜로 규격화되어 있으므로 큰 부하에 대응하기 위해서는 많은 냉매순환량이 필요할 수밖에 없다.
이와 같이, 많은 양의 냉매를 순환시켜 시스템의 요구에 대응할 수 있지만, 공정 챔버에서 부하를 처리하고 남은 잉여 냉매, 즉 저온의 액냉매를 과열하기 위해서는 압축기와 응축기 사이에서 분기되어 핫가스 바이패스 밸브를 통해 공급되는 핫가스의 방열량으로도 상대적으로 미비하다.
그 결과, 잉여 냉매를 과열시키지 못하고 액 냉매 상태로 압축기로 유입되는 경우, 냉동능력의 저하, 압축기 표면에서의 결로 및 결빙 발생, 그리고 그에 따른 압축기의 파손 등 심각한 문제가 발생하게 된다.
따라서, 잉여 냉매를 적당한 온도, 가령 15℃ ~ 25℃의 상온으로 증발시켜 압축기로 유입되도록 하는 것이 중요한데, 이를 위해서 외부 열원을 사용할 수 있지만, 사용 에너지가 증가하고 제어를 위한 장치가 추가로 필요하며 효과가 있는지를 단정할 수 없다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 냉매 직접증발 방식에서 공정 챔버에서 부하를 처리하고 남은 잉여 냉매를 압축기에 흡입하기 전에 신뢰성 있고 효율적으로 과열할 수 있는 반도체 공정용 칠러를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 공정 챔버에서의 온도 분포를 일정하게 유지할 수 있도록 하는 반도체 공정용 칠러를 제공하는 것이다.
삭제
상기의 목적은, 칠러와 공정 챔버를 순환하는 냉매에 의해 상기 공정 챔버와 직접 열 교환이 이루어지는 냉매 직접증발 방식의 반도체 공정용 칠러에서, 압축기를 기준으로 응축기, 수액기, 및 전자식 팽창밸브가 상기 공정 챔버 전단에 순서대로 배치되고, 상기 공정 챔버 후단에 증발압력 제어밸브와 열교환기가 순서대로 배치되어 상기 압축기로 연결되어 상기 냉매가 순환하는 냉매 라인을 구성하고, 상기 응축기로 공급되는 냉각수가 상기 응축기에서 회수되어 상기 열교환기로 공급되고, 상기 열교환기에서 열교환 후 회수되는 냉각수 라인을 구성하며, 상기 열교환기 후단의 상기 냉각수 라인에, 상기 열교환기 후단의 냉매 라인의 흡입냉매의 온도에 기초하여 제어부에 의해 제어되는 흡입냉매 온도제어 밸브가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 칠러에 의해 달성된다.
바람직하게, 상기 흡입냉매 온도제어 밸브는 3방 밸브(three-way valve)이고, 상기 3방 밸브는 2개의 입력과 1개의 출력을 구비하여 하나의 입력은 상기 응축기 후단에서 분기된 냉각수 라인에 직접 연결되고 다른 하나의 입력은 상기 열교환기의 후단에 연결될 수 있다.
바람직하게, 상기 3방 밸브의 후단에는 냉각수 열교환측 온도센서가 더 설치될 수 있다.
바람직하게, 상기 냉각수 열교환측 온도센서로부터 측정된 냉각수 온도가 상기 응축기 전단의 냉각수 온도보다 낮은 경우, 상기 제어부는 상기 칠러를 정지시킬 수 있다.
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삭제
상기한 구성에 의하면, 부하를 제거하고 남은 잉여 냉매를 처리함에 있어 추가 열원을 공급하지 않고 시스템에서 사용되고 버려지는 냉매를 재사용할 수 있다.
또한, 추가 열원이 필요 없기 때문에 제어 동작 간소화 및 에너지 절감을 극대화할 수 있다.
또한, 시스템에서 사용된 냉각수를 추가적인 설비나 제어모듈 없이 냉각수 라인의 경로만 변경함으로써 이 문제를 간단하게 해결할 수 있다.
또한, 냉동사이클의 이론상 성적계수를 고려해 볼 때, 응축기의 방열량은 증발기(공정 챔버)의 흡열량보다 항상 1이 크기 때문에 냉각수는 항상 일정한 온도 이하로 낮아지지 않으므로 안정성을 기대할 수 있다.
또한, 공정 챔버의 구조 등과 같은 다양한 이유에 의해 공정 챔버로부터 극단적으로 많은 양의 냉매가 유출되어도 응축기 방열량이 더 크기 때문에 장비 운전에 안전성을 기대할 수 있다.
또한, 상기의 특허와 같이, 흡입온도 제어용 전자식 팽창밸브를 삭제함으로써 시스템 간소화뿐만 아니라, 흡입온도를 항상 일정하게 유지함으로써 시스템에 안정성을 추구할 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 공정용 칠러의 냉각 계통도이다.
본 발명에서 사용되는 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아님을 유의해야 한다. 또한, 본 발명에서 사용되는 기술적 용어는 본 발명에서 특별히 다른 의미로 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미로 해석되어야 하며, 과도하게 포괄적인 의미로 해석되거나 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다. 또한, 본 발명에서 사용되는 기술적인 용어가 본 발명의 사상을 정확하게 표현하지 못하는 잘못된 기술적 용어일 때에는, 당업자가 올바르게 이해할 수 있는 기술적 용어로 대체되어 이해되어야 할 것이다. 또한, 본 발명에서 사용되는 일반적인 용어는 사전에 정의되어 있는 바에 따라, 또는 전후 문맥상에 따라 해석되어야 하며, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다.
또한, 본 발명에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 본 발명에서, '구성된다' 또는 '포함한다' 등의 용어는 발명에 기재된 여러 구성 요소들, 또는 여러 단계를 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들 또는 일부 단계들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소 또는 단계들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시 예를 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 반도체 공정용 칠러의 냉각 계통도이다.
도 1을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 공정용 칠러에서 냉매 흡입온도 제어방법을 상세하게 설명한다.
냉매 라인(10)에는 압축기(100)를 기준으로 응축기(110), 수액기(120), 및 전자식 팽창밸브(130)가 공정 챔버(200) 전단에 순서대로 배치되고, 공정 챔버(200) 후단에 증발압력 제어밸브(140) 및 판형 열교환기(150)가 순서대로 배치되어 압축기(100)로 연결된다.
증발압력 제어밸브(140)는 공정 챔버(200)의 전단에 배치된 공급측 온도센서(11)와, 공정 챔버(200)의 후단에 배치된 회수측 온도센서(12)의 감지 결과에 따라 제어부(300)의 제어하에 개도가 조절된다.
다시 말해, 냉매 직접증발 방식에서 증발기의 역할을 하는 공정 챔버(200) 내 증발압력을 일정하게 유지하도록 제어부(300)의 제어하에 증발압력 제어밸브(140)의 개도가 조절된다.
또한, 팽창밸브(130)는 공정 챔버(200)의 부하를 제거할 수 있도록 교축 작용에 의해 고온고압의 냉매를 저온저압의 냉매로 변형한다. 이때 등엔탈피 작용이므로 이론적으로 에너지의 변화는 없다.
압축기(100)와 응축기(110) 사이에서 분기되어 증발압력 제어밸브(140)의 후단에 연결되는 분기 경로에는 핫가스 바이패스 밸브(160)가 설치된다.
증발압력 제어밸브(140)와 압축기(100) 사이에는 열교환기(150)가 설치되는데, 이 실시 예에서는 판형 열교환기를 적용하였지만 이에 한정되지 않는다. 다만, 판형 열교환기를 사용함으로써 냉동능력을 극대화할 수 있다는 장점은 있다.
열교환기(150)의 전단과 후단에는 각각 흡입냉매 온도센서(13, 14)가 설치되어 열 교환 전후의 흡입 냉매의 온도를 측정한다.
이 실시 예에서 사용되는 냉매는 R-404A 냉매이고, 공정 챔버(200)와 직접 열 교환을 하여 공정 챔버(200)의 온도를 유지시키며, 공정 챔버(200)의 공정 온도는 -20℃ ~ 20℃의 범위 내에 있는 것으로 한다.
냉매는 R-404A로 한정하지 않고 혼합냉매인 비공비냉매, 근공비냉매, 또는 공비냉매 등 여러 냉매를 적용할 수 있다.
냉각수는 응축기(110)에 공급되어 냉매와 열 교환이 이루어지는데, 응축기(110)를 지나는 냉각수 라인(20)은 분기되어 하나는 열교환기(150)를 경유하여 3방 밸브(170)에 입력되고 다른 하나는 직접 3방 밸브(170)에 입력된다.
냉각수 라인(20)에서 응축기(110) 전단에는 냉각수 공급측 온도센서(21)가 설치되고 후단에는 냉각수 회수측 온도센서(22)가 설치되며, 3방 밸브(170)의 후단에는 냉각수 열교환측 온도센서(23)가 설치된다.
이하 본 발명에 따른 냉매 흡입온도의 제어방법에 대해 설명한다.
냉매는 압축기(100)를 통하여 고온고압 상태로 응축기(110) 내부에 흐르는 냉각수와 열 교환하여 고압의 액체 상태로 수액기(120)에 일부가 저장되고, 일정량의 냉매는 전자식 팽창밸브(130)를 통과한다.
전자식 팽창밸브(130)에서 나온 저온저압의 습증기 냉매는 공정 챔버(200)에 공급되어 열교환을 한 후, 증발압력 제어밸브(140)를 거쳐 판형 열교환기(150)로 흡입된다.
여기서, 판형 열교환기(150)를 통해 냉매의 온도변화 및 시스템에 어떤 영향을 미치는지 대해서 이하 설명한다.
공정 챔버(200)의 전단과 후단에 각각 설치된 공급측 온도센서(11)와 회수측 온도센서(12)에서 각각 측정한 온도값에 근거하여 증발압력 제어밸브(140)의 개도를 조절하여 냉매의 흐름량을 제어한다.
그 결과, 공정 챔버(200)의 입력단과 출력단의 온도 분포가 일정하도록 제어할 수 있고, 포화온도에 대한 포화압력을 유지함으로써 공정 챔버(200)를 흐르는 냉매를 액상으로만 유지할 수 있도록 한다.
일 예로, 전자식 팽창밸브(130)로부터 공급되는 냉매의 온도가 공급측 온도센서(11)에 의해 -10℃인 것으로 측정되고, 해당 온도를 포화온도로 한 경우의 포화압력이 3bar라고 가정한다.
공정 챔버(200)에서 프로세스가 진행되고, 그 결과 회수측 온도센서(12)에서 측정된 냉매의 온도가 10℃이고 이를 포화온도로 하는 포화압력이 7.2bar라고 하면, 제어부는 증발압력 제어밸브(140)의 개도를 제어하여 흐름량을 증가시켜 회수측 온도센서(12)에서 측정된 냉매의 온도를 -10℃가 되도록 한다.
따라서, 공정 챔버(200)의 출구측 냉매의 온도는 -10℃로 유지되어 결과적으로 공정 챔버(200)의 입력단과 출력단의 온도분포를 일정하게 유지할 수 있고, 공정 챔버(200) 내부의 냉매의 온도를 낮추어 공정 챔버(200) 내부의 냉매가 액상으로 유지되도록 하는 포화압력을 유지할 수 있다.
여기서, 공정 챔버(200)를 흐르는 냉매를 액상으로만 유지하는 이유는 다음과 같다. 공정 챔버(200)의 온도분포도의 개선을 위해서는, 건포화증기가 아닌 냉매액을 이용하는 것이 효과적이며 부하량에 따라 냉매가 과열되지 않고 공정 챔버(200)의 내부를 액으로만 유지하도록 제어하는 것이 중요하다.
참고로, 회수측 냉매온도가 공급측 냉매온도보다 항상 낮게 측정되어야 공정 챔버(200)의 내부가 항상 냉매액으로 순환되고 있음을 알 수 있다.
한편, 압축기(100)와 응축기(110) 사이에서 분기된 핫가스(hot gas)는 핫가스 바이패스 밸브(160)를 통과하여 증발압력 제어밸브(140)에서 나온 냉매와 혼합된다.
증발압력 제어밸브(140)의 후단에서 부하조건에 따라 냉매 상태가 액이나 과열 증기로 존재하게 되는데, 냉매가 액 상태일 경우 핫가스 바이패스 밸브(160)의 적절한 개도량 설정에 따라 핫가스가 혼합되어 액 압축을 방지할 수 있다.
그러나, 상기한 것처럼, 냉매 직접증발 방식에서 증발기 역할을 수행하는 공정 챔버는 판형 열교환기 대비 열 전달율 및 열 교환능력이 현저하게 떨어지기 때문에, 판형 열교환기를 적용했을 때의 냉매 순환량보다 많은 양의 냉매를 순환시키는데, 공정 챔버에서 부하를 처리하고 남은 잉여 냉매, 즉 저온의 액냉매를 과열하기 위해서 핫가스 바이패스 밸브를 통해 공급되는 핫가스의 방열량으로도 상대적으로 미비하다.
이 실시 예에 의하면, 응축기(110)에 공급되어 회수되는 냉각수를 이용하여 열교환기(150)에서 공정 챔버(200)에서 부하를 처리하고 남은 잉여 냉매를 과열시켜 압축기(100)에 과열된 증기가 흡입되도록 한다.
이하, 이에 대해서 상세하게 설명한다.
상기한 것처럼, 열교환기(150) 내부에는 냉매 라인(10)과 냉각수 라인(20)이 교차하면서 열 교환이 이루어지고, 열교환기(150)의 전단과 후단에서의 냉매 흡입온도를 측정하기 위한 흡입냉매 온도센서(13, 14)가 냉매 라인(10)에 설치되고, 열교환기(150)의 후단에서 냉각수의 흐름량을 제어하기 위한 3방 밸브(three-way valve, 170)가 설치되며 3방 밸브(170)의 후단에 열 교환 후의 냉각수의 온도를 측정하는 냉각수 열교환측 온도센서(23)가 설치된다.
여기서, 3방 밸브(170)는 냉각수 공급측 온도센서(21), 냉각수 열교환측 온도센서(23) 및 흡입냉매 온도센서(14)로부터 측정된 온도에 기초하여 제어부(300)에 의해 제어된다.
공정 챔버(200) 후단에서 냉매를 구성하는 액과 가스의 비율은 정확하게 알 수 없지만, 흡입냉매 온도센서(13)로부터 측정된 온도를 기준으로 보면 요구되는 액과 가스의 이상적인 비율이 아님을 알 수 있다.
냉각수의 온도는 25℃ ~ 30℃로 항상 일정하게 공급되는데, 공정 챔버(200) 후단의 흡입 냉매는 열교환기(150)를 거치면서 냉각 또는 가열되어 최적의 냉매 흡입온도를 유지하여 압축기(100)로 흡입된다.
이를 위해, 제어부(300)는 냉각수 열교환측 온도센서(23)와 냉각수 공급측 온도센서(21)로부터 측정한 온도를 비교하여 냉각수 열교환후 온도가 항상 냉각수 공급온도보다 높게 유지하도록 제어한다.
그 이유는, 냉각수 열교환후 온도가 냉각수 공급온도보다 낮을 경우 열교환기(150)에서 동파에 의한 누설이 발생할 수 있기 때문이며, 냉각수 열교환후 온도가 냉각수 공급온도보다 낮을 경우 제어부(300)는 시스템을 정지시킬 수 있다.
또한, 제어부(300)는 흡입냉매 온도센서(14)에서 측정된 온도에 기초하여 3방 밸브(170)의 개도량을 제어한다.
이 실시 예에 의하면, 3방 밸브(170)는 2개의 입력과 1개의 출력을 구비하는데, 하나의 입력은 분기된 냉각수 라인(20)에 직접 연결되고 다른 하나의 입력은 열교환기(150)의 후단에 연결된다.
이러한 구조에 의하면, 제어부(300)가 응축기(110)로부터의 회수량 중에서 열교환에 필요한 양만 열교환기(150)에 공급하도록 3방 밸브(170)를 신속하게 1차 제어한 후, 흡입냉매 온도센서(14)에서 측정된 온도에 기초하여 3방 밸브(170)를 정밀하게 2차 제어함으로써 제어를 신속하게 함과 동시에 정밀하게 수행할 수 있다.
제어부(300)는 3방 밸브(170)의 개도율을 제어함으로써 냉각수의 순환량을 조절하고 그에 따라 공정 챔버(200)로부터 가변하는 온도를 갖고 회수되는 흡입냉매가 열교환기(150)를 통하여 압축기(100)에 최적의 흡입온도로 제어되도록 한다.
이 실시 예에서는 제어의 신속성과 정밀성을 위해 3방 밸브를 적용하고 있지만, 이러한 목적이 아닌 냉각수의 순환량의 제어 자체에 목적이 있는 경우에는 2방(2-way) 밸브를 적용하는 것도 물론 가능하다.
전술한 내용은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 냉매 라인
11: 공급측 온도센서
12: 회수측 온도센서
13, 14: 흡입냉매 온도센서
20: 냉각수 라인
21: 냉각수 공급측 온도센서
22: 냉각수 회수측 온도센서
23: 냉각수 열교환측 온도센서
100: 압축기
110: 응축기
120: 수액기
130: 전자식 팽창밸브
140: 증발압력 제어밸브
150: 열교환기
160: 핫가스 바이패스 밸브
170: 3방 밸브
200: 공정 챔버
300: 제어부
11: 공급측 온도센서
12: 회수측 온도센서
13, 14: 흡입냉매 온도센서
20: 냉각수 라인
21: 냉각수 공급측 온도센서
22: 냉각수 회수측 온도센서
23: 냉각수 열교환측 온도센서
100: 압축기
110: 응축기
120: 수액기
130: 전자식 팽창밸브
140: 증발압력 제어밸브
150: 열교환기
160: 핫가스 바이패스 밸브
170: 3방 밸브
200: 공정 챔버
300: 제어부
Claims (6)
- 칠러와 공정 챔버를 순환하는 냉매에 의해 상기 공정 챔버와 직접 열 교환이 이루어지는 냉매 직접증발 방식의 반도체 공정용 칠러에서,
압축기를 기준으로 응축기, 수액기, 및 전자식 팽창밸브가 상기 공정 챔버 전단에 순서대로 배치되고, 상기 공정 챔버 후단에 증발압력 제어밸브와 열교환기가 순서대로 배치되어 상기 압축기로 연결되어 상기 냉매가 순환하는 냉매 라인을 구성하고,
상기 응축기로 공급되는 냉각수가 상기 응축기에서 회수되어 상기 열교환기로 공급되고, 상기 열교환기에서 열교환 후 회수되는 냉각수 라인을 구성하며,
상기 열교환기 후단의 상기 냉각수 라인에, 상기 열교환기 후단의 냉매 라인의 흡입냉매의 온도에 기초하여 제어부에 의해 제어되는 흡입냉매 온도제어 밸브가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 칠러. - 청구항 1에서,
상기 흡입냉매 온도제어 밸브는 3방 밸브(three-way valve)이고,
상기 3방 밸브는 2개의 입력과 1개의 출력을 구비하여 하나의 입력은 상기 응축기 후단에서 분기된 냉각수 라인에 직접 연결되고 다른 하나의 입력은 상기 열교환기의 후단에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 칠러. - 청구항 2에서,
상기 3방 밸브의 후단에는 냉각수 열교환측 온도센서가 더 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 칠러. - 청구항 3에서,
상기 냉각수 열교환측 온도센서로부터 측정된 냉각수 온도가 상기 응축기 전단의 냉각수 온도보다 낮은 경우, 상기 제어부는 상기 칠러를 정지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 칠러. - 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160039111A KR101803931B1 (ko) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 냉매 직접증발 방식의 반도체 공정용 칠러 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160039111A KR101803931B1 (ko) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 냉매 직접증발 방식의 반도체 공정용 칠러 |
Publications (2)
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---|---|
KR20170112277A KR20170112277A (ko) | 2017-10-12 |
KR101803931B1 true KR101803931B1 (ko) | 2017-12-01 |
Family
ID=60140098
Family Applications (1)
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KR1020160039111A KR101803931B1 (ko) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 냉매 직접증발 방식의 반도체 공정용 칠러 |
Country Status (1)
Country | Link |
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015198750A1 (ja) * | 2014-06-24 | 2015-12-30 | ヤンマー株式会社 | ヒートポンプ式チラー |
-
2016
- 2016-03-31 KR KR1020160039111A patent/KR101803931B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
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WO2015198750A1 (ja) * | 2014-06-24 | 2015-12-30 | ヤンマー株式会社 | ヒートポンプ式チラー |
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Publication number | Publication date |
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KR20170112277A (ko) | 2017-10-12 |
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