KR101801195B1

KR101801195B1 - 조명모듈 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 조명모듈

Info

Publication number: KR101801195B1
Application number: KR1020170076094A
Authority: KR
Inventors: 표병기
Original assignee: 디비라이텍 주식회사
Priority date: 2017-06-15
Filing date: 2017-06-15
Publication date: 2017-11-27

Abstract

조명모듈 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 조명모듈이 개시된다. 본 발명의 조명모듈 제조방법은, 예비회로를 형성하도록 모재를 에칭하여 소정의 간격을 이루며 서로 구분된 다수의 메탈판을 형성하는 에칭단계; 에칭단계에서 서로 구분된 메탈판이 연결되도록 메탈판 상측에 엘이디패키지를 실장하는 엘이디실장단계; 에칭단계에서 서로 구분된 메탈판이 연결되도록 메탈판 상측에 절연체인 절연지지체를 실장하는 지지체실장단계; 메탈판의 일부를 제거 또는 절단하여 메탈회로기판을 완성하는 회로완성단계; 및 메탈회로기판의 저면에 절연지 및 히트싱크를 결합시키는 히트싱크결합단계를 포함하고, 지지체실장단계는 엘이디실장단계 전 또는 후에 이루어지거나 엘이디실장단계와 함께 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 회로화된 메탈판 상측에 직접 엘이디패키지를 실장(SMT)하고, 기존 PCB의 절연을 맡던 절연층을 대신하여 메탈회로기판과 히트싱크 사이에 방열특성이 높은 절연지가 형성되도록 하여 방열특성이 현저히 향상되고 내전압 특성이 우수한 조명모듈 제조방법 및 조명모듈을 제공할 수 있게 된다.

Description

조명모듈 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 조명모듈{METHOD FOR MANUFACTURING LED LIGHTING MODULE AND LED LIGHTING MODULE MANUFACTURED BY THE SAME}

본 발명은 조명모듈 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 조명모듈에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 엘이디패키지(LED PKG) 및 히트싱크(heat sink)를 포함하며 수직구조의 방열이 이루어질 수 있는 조명모듈의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 조명모듈에 관한 것이다.

조명장치에 사용되는 기존의 엘이디패키지(LED PKG)의 방열 수직 구조를 살펴보면, 엘이디 패키지(LED PKG), SMT(Surface Mounting Technology) Solder, PCB(PRINTED CIRCUIT BOARD), TIM(Thermal Interface Material), 히트싱크(Heat sink)가 연속적으로 결합된 구조로 되어 있다. 이러한 방열 수직 구조에서 방열 특성에는 LED PKG의 구조가 가장 중요하게 작용한다고 할 수 있으며, 그 다음으로는 LED PKG에 가까운 물질들 순으로 중요하게 작용한다고 할 수 있다.

종래 일반적으로 많이 사용되는 방열 PCB에는 메탈 PCB(Metal PCB)가 있다. Metal PCB의 수직 구조를 살펴보면, SMD를 위한 구리회로선, 전기적 절연층, 알루미늄이나 구리 등의 metal의 구조로 이루어져 있고, Metal PCB 구조에서 방열을 저해하는 구조는 절연을 목적으로 하는 절연층이며, 이 절연층의 두께는 보통 70~150㎛로 되어 있으며, 수지와 방열을 위한 Metal 산화물로 구성되어 있는데, 열 전도율이 1~5W/mK로 매우 열악한 재질을 사용하고 있어 방열을 저해하게 된다.

메탈 PCB를 사용하는 조명장치와 관련하여 한국등록특허 제1014418호는 "전자부품용 기판과 그를 포함하는 조명 유닛 및 그 조명유닛을 포함하는 전자기기"를 개시하며, 구체적으로 두께 방향으로 열 전달을 향상시킬 수 있도록 준 이방성 특성을 가지는 그라파이트 시트를 채용하여 열을 흡수하여 확산시킬 수 있는 전자부품용 기판 및 조명 유닛을 제공하고자 함을 기재하고 있는데, 이를 위하여 인쇄회로기판에 관통홀을 형성하고 이에 열 전도성 부재가 채워지도록 하며, 그라파이트 시트 상측에 적층되도록 하고 있다.

다른 선행기술로서 한국등록특허 제1671144호는 "흑연 소재 방열핀을 갖는 엘이디 조명 장치"를 개시하며, 엘이디들이 실장되는 기판부;와, 기판부를 고정하는 기판 고정부;와, 기판 고정부에 설치되며, 기판부의 엘이디로부터 발생되는 열을 방열시키도록 흑연 소재로 형성되고, 길이 방향을 따라 폭이 점진적으로 좁아지도록 형성되는 방열부를 포함하도록 하고 있으며, 이에 의할 때 흑연 소재의 방열핀을 사용하여 엘이디 구동시 발생되는 열을 효율적으로 방열시킬 수 있음을 기재하고 있다.

다만, LED 조명장치를 형성함에 있어서 일반적인 메탈 PCB를 사용하는 경우 방열특성 향상에 한계가 있으며, 이에 대한 개선이 요구된다.

(0001) 대한민국등록특허 제1014418호(등록일: 2011.02.07) (0002) 대한민국등록특허 제1671144호(등록일: 2016.10.25)

본 발명의 목적은, 종래의 PCB를 대체할 수 있는 메탈회로기판을 이용해 방열특성을 높이고, 메탈회로기판과 히트싱크의 체결 구조에 따른 방열 특성을 개선하고 아울러 내전압 특성이 우수하며 안정적인 결합이 이루어질 수 있는 조명모듈 제조방법 및 이에 의하여 이루어지는 조명모듈을 제공하는 것이다.

상기 목적은, 예비회로를 형성하도록 모재를 에칭하여 소정의 간격을 이루며 서로 구분된 다수의 메탈판을 형성하는 에칭단계; 상기 에칭단계에서 서로 구분된 상기 메탈판이 연결되도록 상기 메탈판 상측에 엘이디패키지를 실장하는 엘이디실장단계; 상기 에칭단계에서 서로 구분된 상기 메탈판이 연결되도록 상기 메탈판 상측에 절연체인 절연지지체를 실장하는 지지체실장단계; 상기 메탈판의 일부를 제거 또는 절단하여 메탈회로기판을 완성하는 회로완성단계; 및 상기 메탈회로기판의 저면에 절연지 및 히트싱크를 결합시키는 히트싱크결합단계를 포함하고, 상기 지지체실장단계는 상기 엘이디실장단계 전 또는 후에 이루어지거나 상기 엘이디실장단계와 함께 이루어지는 것을 특징으로 하는 조명모듈 제조방법에 의해 달성된다.

또한 본 발명에 따른 조명모듈 제조방법에서, 상기 절연지의 면적은 상기 메탈회로기판의 면적보다 크고, 주전원을 연결하거나 상기 메탈회로기판과 상기 히트싱크를 결합하기 위해, 상기 메탈회로기판에 제1홀, 상기 절연지에 제2홀, 상기 히트싱크에 제3홀을 형성하는 홀형성단계를 포함하며, 상기 제2홀은 상기 제3홀보다 크고, 상기 제1홀은 상기 제2홀보다 크게 이루어질 수 있다.

또한 본 발명에 다른 조명모듈 제조방법에서, 상기 에칭단계에서 서로 구분된 상기 메탈판의 간격은 상기 메탈판의 두께와 동일하거나 크고, 상기 메탈판의 두께는 상기 엘이디패키지의 전극 사이의 거리와 같거나 크게 이루어질 수 있다.

또한 상기 목적은, 회로를 형성하도록 소정의 간격을 이루며 서로 구분된 다수의 메탈판; 서로 구분된 상기 메탈판이 연결되도록 상기 메탈판 상측에 실장되는 엘이디패키지; 상기 메탈판 하측에 결합되는 히트싱크; 및 상기 메탈판과 상기 히트싱크 사이에 밀착되게 개재되는 절연지를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명모듈에 의해 달성된다.

또한 본 발명에 따른 조명모듈은, 상기 메탈판이 연결되도록 상기 메탈판 상측에 실장되는 절연체인 절연지지체를 포함하여 이루어질 수 있다.

또한 본 발명에 따른 조명모듈에서, 상기 절연지의 면적은, 상기 메탈판, 엘이디패키지 및 절연지지체를 포함하여 이루어지는 메탈회로기판의 면적보다 크고, 주전원을 연결하거나 상기 메탈회로기판과 상기 히트싱크를 결합하기 위해, 상기 메탈회로기판에 제1홀, 상기 절연지에 제2홀, 상기 히트싱크에 제3홀이 형성되고, 이때 상기 제2홀은 상기 제3홀보다 크고, 상기 제1홀은 상기 제2홀보다 크며, 서로 구분된 상기 메탈판의 간격은 상기 메탈판의 두께와 동일하거나 크고, 상기 메탈판의 두께는 상기 엘이디패키지의 전극 사이의 거리와 같거나 크게 이루어질 수 있다.

본 발명에 의하면, 회로화된 메탈판 상측에 직접 엘이디패키지를 실장(SMT)하고, 기존 PCB의 절연을 맡던 절연층을 대신하여 메탈회로기판과 히트싱크 사이에 방열특성이 높은 절연지가 형성되도록 하여 방열특성이 현저히 향상되고 내전압 특성이 우수한 조명모듈 제조방법 및 조명모듈을 제공할 수 있게 된다.

도 1은 본 발명에 따른 조명모듈 제조방법을 나타내는 순서도,
도 2는 본 발명에 따른 메탈회로기판을 개략적으로 도시한 측단면도,
도 3은 본 발명에 따른 메탈회로기판을 개략적으로 도시한 평면도,
도 4는 본 발명에 따른 조명모듈을 개략적으로 도시한 분해사시도,
도 5는 본 발명에 따른 조명모듈의 조립형태를 개략적으로 도시한 사시도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.

도 1은 본 발명에 따른 조명모듈 제조방법을 나타내는 순서도이고, 도 2는 본 발명에 따른 메탈회로기판(100)을 개략적으로 도시한 측단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 메탈회로기판(100)을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 조명모듈(1)을 개략적으로 도시한 분해사시도이며, 도 5는 본 발명에 따른 조명모듈(1)의 조립형태를 개략적으로 도시한 사시도이다.

도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 조명모듈(1)의 기술적 특징 및 결합관계를 설명하기 위한 것으로서 개념적으로 표현한 것이고, 조명장치의 부품으로 사용되는 실제 조명모듈(1)이 이와 같은 형태 및 크기로 이루어져야 하는 것은 아니고, 다양한 형태로 이루어질 수 있음은 물론이다.

본 발명에 따른 조명모듈(1)은 엘이디패키지(LED PKG) 및 히트싱크(heat sink)를 포함하고, 엘이디패키지(20) 쪽에서 발생된 열이 히트싱크(300) 쪽으로 전달되면서 방열되는 것이고(수직구조의 방열), 렌즈 등이 결합하여 조명장치를 이루는 것이다.

본 발명의 엘이디패키지(20)는 통상의 엘이디패키지(LED PKG)와 같은 형태로 이루어질 수 있고, 특히 top view 형태 등의 엘이디패키지로 이루어질 수 있다.

본 발명에 따른 조명모듈 제조방법은 조명모듈(1)을 제조하기 위한 것이고, 에칭단계(S100), 엘이디실장단계(S200), 회로완성단계(S300) 및 히트싱크결합단계(S400)를 포함하여 이루어진다. 또한 조명모듈 제조방법은 지지체실장단계(S201)를 더 포함하여 이루어질 수 있고, 홀형성단계(S500)를 포함하여 이루어질 수 있다.

본 발명에 따른 조명모듈(1)은 이러한 조명모듈 제조방법에 의해 이루어질 수 있다.

에칭단계(S100)에서는, 예비회로를 형성하도록 모재를 에칭하여 소정의 간격을 이루며 서로 구분된 다수의 메탈판(10)을 형성한다. 즉, 하나 이상의 편평한 금속판을 에칭(etching)하여 그 이상(다수)의 부분으로 구분되도록 하며, 서로 이격되어 구분된 다수의 메탈판(10)(회로를 이루는 조각들)을 형성한다. 일부 메탈판(10)은 인접한 다른 메탈판(10)과 완전히 분리될 수 있으나, 모든 메탈판(10)이 서로 완전히 분리되어야 하는 것은 아니며, 예비회로를 형성하도록 일부는 서로 연결될 수 있다.

모재 및 메탈판(10)은 도체로 이루어지고, 전도성이 우수한 소재로 이루어지게 됨은 물론이다.

조명장치를 형성함에 있어서 사용되는 전체 엘이디모듈의 개수, 배열구조 및 제어방식 등에 따라 다양한 형태 및 구조의 회로가 이루어질 수 있으며, 본 발명에서 설명되는 예비회로는, 조명모듈(1) 및 조명장치를 이루는 회로(완성된 회로) 자체가 아니고, 이러한 회로를 형성하기 직전의 형태로서 미완성 형태의 회로를 말한다. 구체적으로, 에칭에 의하여 전기적 회로를 형성함에 있어서, 회로(완성된 회로)를 이루는 분리되어야 할 라인의 일부가 서로 연결되도록 에칭함으로써, 예비회로를 형성할 수 있다.

본 발명에 따른 조명모듈 제조방법 및 조명모듈(1)에서, 서로 구분된 메탈판(10)의 간격은 메탈판(10)의 두께와 동일하거나 크게 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 메탈판(10)의 두께는 엘이디패키지(20)의 전극 사이의 거리와 같거나 크게 이루어지는 것이 바람직하다.

이처럼, 본 발명에서 메탈판(10)의 두께는 엘이디패키지(20)의 전극과 전극 사이의 거리 또는 엘이디패키지(20)의 전극과 단전되어 있는 방열 부분과의 거리보다 같거나 크게 설정하여 엘이디패키지(20)에에 따라서 메탈판(10)의 두께를 결정하게 된다. 특히, CSP(Chip scale Package)의 경우는 +전극과 -전극을 통해서 방열이 되며, 그 거리가 300㎛ 이하인 것이 대부분이므로, 이때, 메탈판(10)의 두께는 0.2~0.3㎜로 이루어지는 것이 바람직하고, Top view의 형태로 이루어지는 경우 메탈판(10)의 두께는 0.4~0.6㎜로 이루어지는 것이 바람직하다.

도 2 및 도 3은 각 메탈판(10)이 엘이디패키지(20) 및 절연지지체(30)에 의해 연결되는 형태를 개념적으로 설명하기 위한 것으로서, 실제 조명장치를 이루는 메탈판(10)의 모양 및 배열이, 도 2 및 도 3에 도시된 메탈판(10)과 같이 이루어지는 것은 아니며, 설계되는 조명장치 및 조명모듈(1)에 따라 다양한 형태 및 구조로 이루어질 수 있다.

엘이디실장단계(S200)에서는 에칭단계(S100)에서 서로 구분된 메탈판(10)이 연결되도록 메탈판(10) 상측에 엘이디패키지(20)를 실장한다. 엘이디패키지(20)의 실장을 위해서는 SMT solder가 사용될 수 있으며, 엘이디패키지(20)의 각 전극이 인접한 메탈판(10)에 각각 전기적으로 연결되면서 엘이디패키지(20)가 메탈판(10)에 고정된다.

엘이디실장단계(S200)가 이루어짐으로써 서로 분리된 메탈판(10)들은 엘이디패키지(20)를 통하여 서로 연결되며, 각 메탈판(10)들은 에칭단계(S100)에서보다 안정된 결합 구조를 갖게 된다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 조명모듈 제조방법은 지지체실장단계(S201)를 포함하여 이루어질 수 있으며, 지지체실장단계(S201)는 엘이디실장단계(S200) 바로 전 또는 바로 후에 이루어지거나 또는 동시에 이루어질 수 있다.

지지체실장단계(S201)에서는 서로 구분된 메탈판(10)이 연결되도록 메탈판(10) 상측에 절연지지체(30)를 실장하고, 절연지지체(30)의 실장을 위해서는 SMT solder가 사용될 수 있다. 절연지지체(30)는 절연체(부도체)로 이루어지며, 엘이디모듈의 결합이 필요없는 지점에서 메탈판(10)을 서로 연결하며 더욱 안정된 구조를 이루도록 한다.

회로완성단계(S300)에서는 메탈판(10)의 일부를 제거하거나 절단하여 메탈회로기판(100)을 완성한다.

즉, 예비회로를 이루는 조합된 메탈판(10) 중 일부를 제거하거나 절단하여 완성된 회로를 이루는 메탈판(10)을 형성한다. 메탈판(10)의 일부를 제거 또는 절단하기 위한 방법으로서는, 레이져커팅을 이용할 수 있고, 또는 금형을 이용할 수 있다.

회로완성단계(S300)를 거침으로써 메탈회로기판(100)이 완성되며, 메탈회로기판(100)은 메탈판(10) 및 엘이디패키지(20)를 포함하여 이루어지거나, 메탈판(10), 엘이디패키지(20) 및 절연지지체(30)를 포함하여 이루어지게 된다.

히트싱크결합단계(S400)에서는 메탈회로기판(100)의 저면에 절연지(200) 및 히트싱크(300)의 결합이 이루어진다. 절연지(200)는 전기절연성 및 방열효과가 높은 특성을 갖는 것으로 이루어지며, 방열절연시트로 이루어질 수 있다. 절연지(200)는 BNNT(boron-nitride nanotube) 등으로 이루어질 수 있다.

본 발명에서 히트싱크(300)는 통상의 히트싱크(300)(heat sink)와 같은 형상 및 소재로 이루어질 수 있다.

메탈회로기판(100)을 히트싱크(300)와 연결함에 있어서, 히트싱크(300)가 전기 전도체일 경우 히트싱크(300)와 절연이 되어야 하며, 히트싱크(300)가 비 전도체일 경우 절연 장치가 필요 없게되는데, 방열성을 고려하여 본 발명에서 히트싱크(300)는 금속성의 전도체로 이루어지는 것이 바람직하고, 완성된 메탈회로기판(100)과 부착될 때 절연을 하여야 하며, 적어도 4KV의 내전압 특성을 갖도록 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명에서 절연지(200)는 그 크기(면적)가 적어도 메탈회로기판(100)의 크기(면적)보다 크게 이루어지며, 내전압에 견디기에 유리하도록, 메탈회로기판(100)의 테두리 단부에서 외곽으로 3㎜이상 크게 이루어지는 것이 바람직하다.

홀형성단계(S500)에서, 메탈회로기판(100)에 제1홀(101)을 형성하고, 절연지(200)에 제2홀(201)을 형성하며, 히트싱크(300)에 제3홀(301)을 형성하게 되며, 이때 제2홀(201)은 제3홀(301)보다 크고 제1홀(101)은 제2홀(201) 보다 크게 이루어지는 것이 바람직하다.

조명모듈(1) 및 조명장치를 형성함에 있어서, 주전원을 연결하거나 또는 메탈회로기판(100)과 히트싱크(300)를 결합하기 위해 히트싱크(300)에 구멍을 형성하는 경우 히트싱크(300)의 구멍보다 방열 절연지(200)의 크기가 커야 하며 메탈회로기판(100)의 구멍은 히트싱크(300)의 구멍보다 크게 이루어짐으로써 높은 내전압을 갖는 구조를 형성할 수 있게 된다.

4KV의 내전압 특성을 같기 위해서는, 전기전도도가 1.5~8W/mK인 절연지(200)를 사용하는 것이 유리하다. 절연지(200)의 두께는 방열 특성을 고려해서 얇은 것이 유리하며100~500㎛이하인 제품을 사용하는 것이 유리하다.

히트싱크(300)에 완성된 회로기판을 부착하기 위해서는 위치가 일정해야 하고, 정확한 위치 선정을 하기 위해서는 적어도 2개 이상의 체결유닛(400, 나사 또는 핀)이 필요하며 이때 체결유닛(400)의 재질은 전기가 통하지 않는 플라스틱 재질이 유리하다. 체결유닛(400)은 메탈회로기판(100)의 위치 선정을 하기 위해서 필요한 것이고, 아울러 메탈회로기판(100)을 부착하기 위한 보조 기구로도 사용될 수 있다.

체결유닛(400)의 크기는 내전압 특성을 고려하여 그 크기가 정해져야 하고, 체결유닛(400)은 히트싱크(300)의 제3홀(301)에 꼭맞게 삽입되는 꼬리 부분(410)과 완성된 메탈회로기판(100)을 잡아 주거나 접하는 헤드부분(420)으로 나뉘고, 히트싱크(300)의 제3홀(301)의 외곽과 체결유닛(400)의 헤드(420)의 외곽 부분의 간격이 적어도 3㎜ 이상으로 이루어지는 것이 바람직하다.

또한 히트싱크(300)의 제3홀(301)의 크기보다 절연지(200)의 제2홀(201)의 크기가 커야 하며, 절연지(200)의 제2홀(201)의 크기는 완성된 메탈회로기판(100)에 접하는 체결유닛(400)의 헤드 부분(420)보다 작아야 한다.

조명장치를 형성함에 있어서, 렌즈를 결합하는 경우 각 엘이디패키지(20)와 각 렌즈의 중심부를 맞추어 적절한 배광을 만들 수 있도록 하는 것이 중요하기 때문에, 메탈회로기판(100)의 위치를 선정하는 체결유닛의 크기 및 위치가 매우 중요하다.

한편, 조명장치의 방수가 필요한 경우 렌즈와 히트싱크(300) 사이에 방수를 위한 고무 가스켓 등이 개재되도록 이루어질 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 회로화된 메탈판(10) 상측에 직접 엘이디패키지(20)를 실장(SMT)하고, 기존 PCB의 절연을 맡던 절연층을 대신하여 메탈회로기판(100)과 히트싱크(300) 사이에 방열특성이 높은 절연지(200)가 형성되도록 하여 방열특성이 현저히 향상되고 내전압 특성이 우수한 조명모듈 제조방법 및 조명모듈(1)을 제공할 수 있게 된다.

앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.

1 : 조명모듈 10 : 메탈판
20 : 엘이디패키지 30 : 절연지지체
100 : 메탈회로기판 101 : 제1홀
200 : 절연지 201 : 제2홀
300 : 히트싱크 301 : 제3홀
S100 : 에칭단계
S200 : 엘이디실장단계
S201 : 지지체실장단계
S300 : 회로완성단계
S400 : 히트싱크결합단계
S500 : 홀형성단계

Claims

예비회로를 형성하도록 모재를 에칭하여 소정의 간격을 이루며 서로 구분된 다수의 메탈판을 형성하는 에칭단계;
상기 에칭단계에서 서로 구분된 상기 메탈판이 연결되도록 상기 메탈판 상측에 엘이디패키지를 실장하는 엘이디실장단계;
상기 에칭단계에서 서로 구분된 상기 메탈판이 연결되도록 상기 메탈판 상측에 절연체인 절연지지체를 실장하는 지지체실장단계;
상기 메탈판의 일부를 제거 또는 절단하여 메탈회로기판을 완성하는 회로완성단계; 및
상기 메탈회로기판의 저면에 절연지 및 히트싱크를 결합시키는 히트싱크결합단계를 포함하고,
상기 지지체실장단계는 상기 엘이디실장단계 전 또는 후에 이루어지거나 상기 엘이디실장단계와 함께 이루어지고,
상기 절연지의 면적은 상기 메탈회로기판의 면적보다 크고,
주전원을 연결하거나 상기 메탈회로기판과 상기 히트싱크를 결합하기 위해, 상기 메탈회로기판에 제1홀, 상기 절연지에 제2홀, 상기 히트싱크에 제3홀을 형성하는 홀형성단계를 포함하며,
상기 제2홀은 상기 제3홀보다 크고, 상기 제1홀은 상기 제2홀보다 크게 이루어지는 것을 특징으로 하는 조명모듈 제조방법.
삭제
제1항에 있어서,
상기 에칭단계에서 서로 구분된 상기 메탈판의 간격은 상기 메탈판의 두께와 동일하거나 크고,
상기 메탈판의 두께는 상기 엘이디패키지의 전극 사이의 거리와 같거나 크게 이루어지는 것을 특징으로 하는 조명모듈 제조방법.
회로를 형성하도록 소정의 간격을 이루며 서로 구분된 다수의 메탈판;
서로 구분된 상기 메탈판이 연결되도록 상기 메탈판 상측에 실장되는 엘이디패키지;
상기 메탈판 하측에 결합되는 히트싱크;
상기 메탈판과 상기 히트싱크 사이에 밀착되게 개재되는 절연지; 및
상기 메탈판이 연결되도록 상기 메탈판 상측에 실장되는 절연체인 절연지지체를 포함하고,
상기 절연지의 면적은, 상기 메탈판, 엘이디패키지 및 절연지지체를 포함하여 이루어지는 메탈회로기판의 면적보다 크고,
주전원을 연결하거나 상기 메탈회로기판과 상기 히트싱크를 결합하기 위해, 상기 메탈회로기판에 제1홀, 상기 절연지에 제2홀, 상기 히트싱크에 제3홀이 형성되고, 이때 상기 제2홀은 상기 제3홀보다 크고, 상기 제1홀은 상기 제2홀보다 크며,
서로 구분된 상기 메탈판의 간격은 상기 메탈판의 두께와 동일하거나 크고,
상기 메탈판의 두께는 상기 엘이디패키지의 전극 사이의 거리와 같거나 크게 이루어지는 것을 특징으로 하는 조명모듈.
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