KR101799499B1 - Adhesive composition for semiconductor, adhesive film, dicing die bonding film, and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 낮은 흡습율을 갖는 열가소성 수지; 바이페닐계 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지; 및 페놀 수지를 포함한 경화제;를 포함하고,고형분 중 상기 바이페닐계 에폭시 수지의 함량이 5 중량% 내지 25중량%인 반도체 접착용 수지 조성물과, 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 경화물을 포함한 접착 필름과, 기재 필름 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층 및 상기 점착층상에 형성되고 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 접착층을 포함한 다이싱 다이본딩 필름과, 상기 접착 필름을 포함한 반도체 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a thermoplastic resin having a low moisture absorption rate; An epoxy resin containing biphenyl type epoxy resin; And a curing agent including a phenol resin, wherein the content of the biphenyl-based epoxy resin in the solid content is 5 wt% to 25 wt%, and the adhesive film containing the cured product of the resin composition for semiconductor bonding A base film, a dicing die-bonding film formed on the base film and an adhesive layer formed on the adhesive layer and including the resin composition for semiconductor bonding, and a semiconductor device including the adhesive film.

Description

반도체 접착용 수지 조성물, 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치{ADHESIVE COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR, ADHESIVE FILM, DICING DIE BONDING FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a resin composition for semiconductor bonding, an adhesive film, a dicing die bonding film, and a semiconductor device,

본 발명은 반도체 접착용 수지 조성물, 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition for semiconductor bonding, an adhesive film, a dicing die bonding film and a semiconductor device.

최근 전자기기의 소형화, 고기능화, 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화, 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커짐에 따라 반도체 칩 크기가 점점 커지고 있으며 집적도 측면에서도 개선하기 위하여 칩을 다단으로 적층하는 스택패키지 방법이 점차로 증가하고 있다.In recent years, there has been a growing demand for miniaturization, high performance and large capacity of electronic devices, and accordingly, a demand for high density and high integration of semiconductor packages has been drastically increased. As a result, the sizes of semiconductor chips are becoming larger and stacked The method is gradually increasing.

최근의 반도체 패키지 개발동향에 있어서는 상술한 반도체 칩들의 소형 박형화 및 고성능화가 급격히 진행되고 있으며 더불어 패키지 대용량화를 목적으로 동일한 패키지 내에 더 많은 칩을 적층할 수 있도록 반도체 웨이퍼의 두께가 모두 100㎛ 이하로 극박화 되었고 최근에는 반도체 웨이퍼의 두께가 모두 20㎛ 이하로 더욱 극박화되고 있다. 이렇듯 반도체 칩 및 층간 접착필름의 두께가 20㎛ 이하의 패키지를 제조함에 있어서 접착필름 또한 박형화를 요구되고 있다. In recent semiconductor package development trends, the miniaturization and high performance of the above-described semiconductor chips are progressing rapidly. In addition, in order to stack more chips in the same package for the purpose of increasing the package capacity, And the thickness of the semiconductor wafer has been further reduced to 20 μm or less in recent years. As described above, in manufacturing a semiconductor chip and an interlayer adhesive film having a thickness of 20 μm or less, the thickness of the adhesive film is also required to be reduced.

패키지의 대용량화를 구현하기 위한 방법으로는 칩의 크기를 크게 하거나 다단으로 쌓는 방식을 추구하고 있다. 반도체 칩을 다단으로 적층하는 과정에서 문제점은 기판과 맞닿아 있는 첫번째 칩에 접하는 접착층는 패키지 제조과정에서 상단의 접착제보다 보다 많은 열에 노출되게 되며 경화가 진행되게 된다. 이런 이유로 인해서 적층하는 칩의 단수가 많아질수록 첫번째 칩에 접하는 접착층은 고온 조건에 장시간 놓이게 되며, 이에 따라 접착층 내부나 도는 상기 첫번째 칩과 상기 접착층 사이에 보이드(void)가 발생할 수 있다. 이러한 보이드(void)는 후속의 경화 과정에서 제거하기 어려우며, 또한 상기 잔존 보이드로 인하여 공정의 신뢰성이나 반도체 장치의 신뢰성이 크게 저하된다. As a method for realizing a large capacity of the package, a method of increasing the size of the chip or stacking it in a multi-stage is pursued. In the process of stacking the semiconductor chips in multiple stages, the adhesive layer contacting the first chip which is in contact with the substrate is exposed to more heat than the adhesive at the top of the package and hardened. For this reason, the greater the number of stacked chips, the longer the adhesive layer in contact with the first chip is placed under high temperature conditions, and voids may be formed in the adhesive layer or between the first chip and the adhesive layer. Such voids are difficult to remove in the subsequent curing process, and the reliability of the process or the reliability of the semiconductor device is greatly deteriorated due to the remaining voids.

한편, 반도체 패키지의 실장은 과정에서는 고온으로 가열하는 단계가 적용되게 되는데, 예를 들어 적외선 리플루오나 베이퍼페이즈 리플로우, 땜납 딤 등에 의하여 패키지 전체를 가열하여 실장하는 방법이 사용된다. 이러한 고온의 가열 단계에서는 반도체 패키지 전체를 200℃ 이상의 온도에 노출시키기 때문에, 반도체 패키지 내부에 존재하는 수분은 폭발적인 기화를 하게 되고, 이러한 기화에 의하여 패키지 균열 또는 리플로우 균열이 발생할 수 있다. 특히, 다이싱 다이본딩 필름 등의 접착제에 수분이 다수 포함되어 있으면, 리플로우 실장 시에 가열에 의해 상기 수분이 증기화되고, 이에 따라 발생하는 증기압에 의하여 다이싱 다이본딩 필름이 파괴되거나 박리가 되며 리플로우 균열이 발생할 수 있다. Meanwhile, in the process of mounting the semiconductor package, a step of heating to a high temperature is applied. For example, a method of heating and mounting the entire package by infrared reflow, vapor phase reflow, solder dim, or the like is used. In such a high-temperature heating step, the entire semiconductor package is exposed to a temperature of 200 ° C or higher, so that moisture present in the semiconductor package is explosively vaporized, and package cracking or reflow cracking may occur due to such vaporization. Particularly, when the adhesive such as the dicing die-bonding film contains a large amount of water, the moisture is vaporized by heating at the time of reflow mounting, and the vapor pressure generated thereby destroys or delaminates the dicing die- And a reflow crack may occur.

반도체 패키징 과정에서 발생하는 불량의 대부분은 흡습 후 리플로우 과정에서 기판과 접착제 간의 박리(delamination)현상으로부터 기인하는데, 이에 따라 기판, 접착제 및 반도체 칩간의 응력을 완화하거나 내습성을 향상시키는 방법 등에 관한 연구가 이루어지고 있는 실정이다. Most of the defects that occur during the semiconductor packaging process are caused by the delamination phenomenon between the substrate and the adhesive in the reflow process after the moisture absorption. Accordingly, the method of relieving the stress between the substrate, the adhesive and the semiconductor chip, Research is being conducted.

구체적으로는 내습성을 높이기 위하여 경화제와 에폭시의 함량을 높여 경화물의 흡습성을 낮추는 경우가 있는데 이 경우에서는 경화 후의 접착제의 모듈러스가 증가하여 응력을 완화하기가 어렵게 된다. 또한 반도체의 응력을 완화하기 위하여 접착제 중에 열경화성 수지의 함량을 과도하게 높이거나 경화제의 함량을 낮출 경우, 경화 후의 기판과의 적절한 접착력을 부여하기 어렵게 되며 이런 경우 낮은 접착력으로 인한 박리(delamination)를 초래하게 된다. 접착제 또는 접착 필름 자체의 흡습 수치와 크게 낮추면서도 경화 후의 기판에 대한 접착력과 고온에서의 향상된 인장 물성 등을 확보할 수 있는 방안에 대한 개발이 필요한 실정이다. Specifically, in order to increase the moisture resistance, the moisture content of the cured product may be lowered by increasing the content of the curing agent and epoxy. In this case, the modulus of the cured adhesive increases, making it difficult to relieve the stress. In addition, if the content of the thermosetting resin in the adhesive is excessively increased or the content of the hardening agent is lowered in order to alleviate the stress of the semiconductor, it is difficult to give a proper adhesive force with the substrate after the hardening and in this case, delamination due to low adhesive force is caused . There is a need to develop a method of securing an adhesive force to a substrate after curing and an improved tensile property at a high temperature while significantly lowering the hygroscopicity value of the adhesive or the adhesive film itself.

한국특허공개 제2013-0016123호Korean Patent Publication No. 2013-0016123 한국등록특허 제0889101호Korean Patent No. 0889101

본 발명은, 반도체 칩의 다단적층 구조의 패키지에 적합한 물리적 물성, 내열성 및 내충격성 등의 우수한 기계적 물성과 높은 접착력을 갖고, 다이싱 다이본딩 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지할 수 있는 반도체 접착용 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다. An object of the present invention is to provide a semiconductor package which has excellent mechanical properties such as physical properties, heat resistance and impact resistance suitable for a package having a multi-layered structure of a semiconductor chip, and high adhesive strength and which can prevent peeling of the dicing die bonding film and reflow cracking And to provide a resin composition for semiconductor bonding.

또한, 본 발명은 높은 기계적 물성, 내열성 및 내충격성 등의 우수한 기계적 물성과 높은 접착력을 가지며 기판, 반도체 웨이퍼 및/또는 다이싱 다이본딩 필름 간의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지하여 보다 높은 적층 구조를 구현할 수 있는 다이싱 다이본딩 필름을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention has excellent mechanical properties such as high mechanical properties, heat resistance and impact resistance, high adhesive strength, and prevents peeling and reflow cracking between the substrate, the semiconductor wafer and / or the dicing die bonding film, And to provide a dicing die-bonding film capable of realizing the dicing die-bonding film.

또한, 본 발명은 반도체 칩의 다단적층 구조의 패키지에 적합한 물리적 물성, 내열성 및 내충격성 등의 우수한 기계적 물성과 높은 접착력을 갖고, 다이싱 다이본딩 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지할 수 있으며, 아울러 반도체 제조 과정에서 적용되는 고온 조건에 장시간 노출되어도 보이드(void)가 실질적으로 발생하지 않는 반도체용 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.It is another object of the present invention to provide a multilayer structure of a semiconductor chip having excellent mechanical properties such as physical properties, heat resistance, and impact resistance, and high adhesive strength, and capable of preventing peeling and reflow cracking of the dicing die- The present invention also provides an adhesive film for semiconductor in which voids are not substantially generated even when exposed to a high temperature condition applied in a semiconductor manufacturing process for a long time.

또한, 본 발명은 상기 반도체용 접착 필름을 포함하는 반도체 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a semiconductor device comprising the adhesive film for semiconductor.

본 명세서에서는, 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 흡습율이 1.5중량%이하인 열가소성 수지; 바이페닐계 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지; 및 페놀 수지를 포함한 경화제;를 포함하고, 고형분 중 상기 바이페닐계 에폭시 수지의 함량이 5 중량% 내지 25중량%인, 반도체 접착용 수지 조성물이 제공된다. In the present specification, a thermoplastic resin having a moisture absorption rate of 1.5% by weight or less at a temperature of 85 ° C and 85% RH upon exposure for 165 hours; An epoxy resin containing biphenyl type epoxy resin; And a curing agent including a phenol resin, wherein the content of the biphenyl-based epoxy resin in the solid content is 5 wt% to 25 wt%.

상기 반도체 접착용 수지 조성물의 고형분은 상기 수지 조성물에 선택적으로 포함될 수 있는 물 또는 기타의 용매를 제외한 고형 성분을 의미한다. The solid content of the resin composition for semiconductor bonding means a solid component excluding water or other solvent which can be selectively contained in the resin composition.

상기 바이페닐계 에폭시 수지는 반복단위로서 바이페닐 구조를 포함하는 에폭시 수지를 의미하며, 구체적으로 상기 바이페닐계 에폭시 수지는 바이페닐 노볼락 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 예를 들어 상기 바이페닐 노볼락 에폭시 수지는 1,000 이상 10,000의 중량평균분자량을 가질 수 있으며, 또한 50℃ 내지 100℃의 연화점을 가질 수 있다. The biphenyl-based epoxy resin means an epoxy resin containing a biphenyl structure as a repeating unit. Specifically, the biphenyl-based epoxy resin may include a biphenyl novolac epoxy resin. For example, the biphenyl novolak epoxy resin may have a weight average molecular weight of 1,000 to 10,000 and may have a softening point of 50 to 100 ° C.

상기 에폭시 수지는 상술한 바이페닐계 에폭시 수지 이외에 일반적인 수지를 포함할 수 있다. The epoxy resin may include a general resin in addition to the biphenyl-based epoxy resin described above.

상기 에폭시 수지는 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 수지를 더 포함할 수 있다. The epoxy resin may be at least one selected from the group consisting of bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, tetrafunctional epoxy resin, triphenol methane type epoxy resin, alkyl modified triphenolmethane type epoxy resin, An epoxy resin, a dicyclopentadiene-type epoxy resin, and a dicyclopentadiene-modified phenol-type epoxy resin.

상기 에폭시 수지의 연화점은 50℃ 내지 100℃일 수 있다. The softening point of the epoxy resin may be from 50 캜 to 100 캜.

상기 에폭시 수지는 100 내지 5,000의 평균 에폭시 당량을 가질 수 있다. 상기 평균 에폭시 당량은 상기 에폭시 수지에 포함되는 각각의 에폭시 수지의 중량 비율 및 에폭시 당량을 바탕으로 구할 수 있다. The epoxy resin may have an average epoxy equivalent of 100 to 5,000. The average epoxy equivalent can be obtained based on the weight ratio of each epoxy resin contained in the epoxy resin and the epoxy equivalent.

상기 페놀 수지는 80 g/eq 내지 300 g/eq의 수산기 당량 및 50℃ 내지 150℃의 연화점을 가질 수 있다. The phenolic resin may have a hydroxyl equivalent weight of 80 g / eq to 300 g / eq and a softening point of 50 ° C to 150 ° C.

상기 열가소성 수지는 폴리이미드, 폴리에테르 이미드, 폴리에스테르 이미드, 폴리아미드, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무 및 (메타)아크릴레이트계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 고분자 수지를 포함할 수 있다. The thermoplastic resin may be at least one selected from the group consisting of polyimide, polyether imide, polyester imide, polyamide, polyether sulfone, polyether ketone, polyolefin, polyvinyl chloride, phenoxy, reactive butadiene acrylonitrile copolymer rubber and (meth) Based resin, and at least one polymer resin selected from the group consisting of a polymer resin.

상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -10℃ 내지 20℃의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지일 수 있다. The (meth) acrylate resin may be a (meth) acrylate resin having a (meth) acrylate repeating unit containing an epoxy functional group and having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C.

상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위 0.1중량% 내지 10중량%를 포함할 수 있다. The (meth) acrylate resin may include 0.1 to 10% by weight of a (meth) acrylate repeating unit containing an epoxy functional group.

상기 반도체 접착용 수지 조성물은 상기 에폭시 수지 100중량부 대비 상기 열가소성 수지 50 내지 1,000중량부 및 상기 경화제 30 내지 700중량부를 포함할 수 있다. The resin composition for semiconductor bonding may include 50-1,000 parts by weight of the thermoplastic resin and 30-700 parts by weight of the curing agent relative to 100 parts by weight of the epoxy resin.

상기 경화제는 아민계 경화제, 및 산무수물계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다. The curing agent may further comprise at least one compound selected from the group consisting of an amine-based curing agent and an acid anhydride-based curing agent.

상기 반도체 접착용 수지 조성물은 인계 화합물, 붕소계 화합물 및 인-붕소계 화합물 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 경화 촉매를 더 포함할 수 있다. The resin composition for semiconductor bonding may further comprise at least one curing catalyst selected from the group consisting of a phosphorous compound, a boron compound, a phosphorus-boron compound and an imidazole compound.

상기 반도체 접착용 수지 조성물은 커플링제 및 무기 충진제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. The resin composition for semiconductor bonding may further include at least one additive selected from the group consisting of a coupling agent and an inorganic filler.

상기 반도체 접착용 수지 조성물은 유기 용매 10 내지 90중량%를 더 포함할 수 있다. 이 경우에도, 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 고형분 중 상기 바이페닐계 에폭시 수지의 함량이 5 중량% 내지 25중량%일 수 있다. The resin composition for semiconductor bonding may further comprise 10 to 90% by weight of an organic solvent. Also in this case, the content of the biphenyl-based epoxy resin in the solid content of the resin composition for semiconductor bonding may be 5 wt% to 25 wt%.

또한, 본 명세서에서는, 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 경화물을 포함한 접착 필름이 제공된다. Further, in the present specification, an adhesive film containing a cured product of the resin composition for semiconductor bonding is provided.

85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 상기 접착 필름의 흡습율이 1.5중량%이하일 수 있다.The moisture absorption rate of the adhesive film upon exposure at 85 ° C and 85% RH for 165 hours may be 1.5% by weight or less.

또한, 상기 접착 필름은 1 ㎛ 내지 50 ㎛의 두께를 가질 수 있다. Further, the adhesive film may have a thickness of 1 占 퐉 to 50 占 퐉.

또한, 본 명세서에서는, 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층; 및 상기 점착층상에 형성되고 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 접착층;을 포함한 다이싱 다이본딩 필름이 제공된다. Further, in this specification, the term "base film" An adhesive layer formed on the base film; And an adhesive layer formed on the adhesive layer and including the resin composition for semiconductor bonding.

85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 상기 접착층의 흡습율이 1.5중량%이하일 수 있다. The moisture absorption rate of the adhesive layer at 165 ° C and 85% RH for 165 hours may be 1.5% by weight or less.

상기 점착층은 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 포함할 수 있다. The adhesive layer may include an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive or a thermosetting pressure sensitive adhesive.

상기 기재 필름은 10 ㎛내지 200 ㎛의 두께를 갖고, 상기 점착층은 10 ㎛ 내지 500 ㎛의 두께를 갖고, 상기 접착 필름은 1 ㎛ 내지 50 ㎛의 두께를 갖는다. The base film has a thickness of 10 to 200 m, the adhesive layer has a thickness of 10 to 500 m, and the adhesive film has a thickness of 1 to 50 m.

또한, 본 명세서에서는, 접착 필름을 매개로 제1반도체 소자와 피착체가 결합하는 구조를 포함한, 반도체 장치가 제공될 수 있다. Further, in the present specification, a semiconductor device including a structure in which a first semiconductor element and an adherend are bonded via an adhesive film can be provided.

상기 반도체 장치를 100℃ 내지 200℃, 또는 120 내지 180℃에서 경화시 상기 접착 필름 및 제1반도체 소자가 접하는 면이나 상기 접착 필름 내부에 발생하는 보이드(void)의 면적이 1%이하일 수 있다. When the semiconductor device is cured at 100 占 폚 to 200 占 폚 or 120 占 폚 to 180 占 폚, the area of the voids occurring on the surface where the adhesive film and the first semiconductor element contact with each other or inside the adhesive film may be 1% or less.

또한, 상기 반도체 장치를 100℃ 내지 200℃, 또는 120 내지 180℃에서 30분 이상, 또는 30분 내지 5시간 동안 경화시 상기 접착 필름 및 제1반도체 소자가 접하는 면이나 상기 접착 필름 내부에 발생하는 보이드(void)의 면적이 1%이하일 수 있다. When the semiconductor device is cured at 100 占 폚 to 200 占 폚 or at 120 占 폚 to 180 占 폚 for 30 minutes or 30 minutes to 5 hours, The area of the void may be less than 1%.

상기 피착체는 기판, 절연층 또는 제2반도체 소자일 수 있다. The adherend may be a substrate, an insulating layer, or a second semiconductor element.

본 발명에 따르면, 반도체 칩의 다단적층 구조의 패키지에 적합한 물리적 물성, 내열성 및 내충격성 등의 우수한 기계적 물성과 높은 접착력을 갖고, 다이싱 다이본딩 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지할 수 있는 반도체 접착용 수지 조성물이 제공될 수 있다. INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor package which has excellent mechanical properties such as physical properties, heat resistance, and impact resistance, and high adhesive strength suitable for a package having a multi-layered structure of semiconductor chips and is capable of preventing peeling of the dicing die bonding film and reflow cracking A resin composition for semiconductor bonding can be provided.

또한, 본 발명에 따르면, 높은 기계적 물성, 내열성 및 내충격성 등의 우수한 기계적 물성과 높은 접착력을 가지며 기판, 반도체 웨이퍼 및/또는 다이싱 다이본딩 필름 간의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지하여 보다 높은 적층 구조를 구현할 수 있는 다이싱 다이본딩 필름과, 반도체 칩의 다단적층 구조의 패키지에 적합한 물리적 물성, 내열성 및 내충격성 등의 우수한 기계적 물성과 높은 접착력을 갖고, 다이싱 다이본딩 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지할 수 있으며, 아울러 반도체 제조 과정에서 적용되는 고온 조건에 장시간 노출되어도 보이드(void)가 실질적으로 발생하지 않는 반도체용 접착 필름과, 상기 반도체용 접착 필름을 포함하는 반도체 장치가 제공될 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to prevent peeling and reflow cracks between a substrate, a semiconductor wafer, and / or a dicing die-bonding film with excellent mechanical properties such as high mechanical properties, heat resistance and impact resistance, A dicing die bonding film capable of realizing a laminated structure and an excellent mechanical property such as physical properties, heat resistance and impact resistance suitable for a package having a multi-layered structure of semiconductor chips, and high adhesive strength, A semiconductor adhesive film which can prevent reflow cracking and the like and which does not substantially cause voids even when exposed to a high temperature condition applied in a semiconductor manufacturing process for a long time, Can be provided.

발명의 구체적인 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. The resin composition for semiconductor bonding, the dicing die bonding film, the semiconductor wafer, and the dicing method of the semiconductor wafer in the concrete embodiment of the invention will be described in more detail.

발명의 일 구현예에 따르면, 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 흡습율이 1.5중량%이하인 열가소성 수지; 바이페닐계 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지; 및 페놀 수지를 포함한 경화제;를 포함하고,고형분 중 상기 바이페닐계 에폭시 수지의 함량이 5 중량% 내지 25중량%인, 반도체 접착용 수지 조성물이 제공된다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a thermoplastic resin composition comprising: a thermoplastic resin having a moisture absorption rate of 1.5% by weight or less at a temperature of 85 DEG C and 85% RH at 165 hours of exposure; An epoxy resin containing biphenyl type epoxy resin; And a curing agent including a phenol resin, wherein the content of the biphenyl-based epoxy resin in the solid content is 5 wt% to 25 wt%.

본 발명자들은 리플로우 실장 시에 증기압에 의하여 다이싱 다이본딩 필름이 파괴되거나 박리가 되며 리플로우 균열이 발생하는 문제점을 해결하기 위한 연구를 진행하여, 낮은 흡습율을 갖는 열가소성 수지와 함께 바이페닐계 에폭시 수지를 특정 함량으로 포함하는 에폭시 수지 및 페놀 수지를 포함한 경화제를 혼합하면, 높은 기계적 물성, 내열성 및 내충격성 등의 우수한 기계적 물성과 높은 접착력을 가지며 다이싱 다이본딩 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지할 수 있는 반도체 접착용 수지 조성물을 제공할 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다. DISCLOSURE OF THE INVENTION The inventors of the present invention conducted research to solve the problem of breaking or peeling of a dicing die bonding film due to a vapor pressure during reflow mounting and causing reflow cracking, The epoxy resin containing the epoxy resin in a specific amount and the curing agent including the phenol resin have excellent mechanical properties such as high mechanical properties, heat resistance and impact resistance, and high adhesive strength, and the peeling phenomenon of the dicing die bonding film and the reflow crack And the like can be provided. The present inventors have confirmed through experiments that the present invention has been completed.

상기 바이페닐계 에폭시 수지를 상술한 낮은 흡습율을 갖는 열가소성 수지와 함께 사용함에 따라서, 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물은 고온의 경화 과정 이후에 고온 고습 조건에 장시간 노출되어도 낮은 흡습율을 가질 수 있으며, 이에 따라 반도체 제조 과정의 리플로우 공정 이후 기판과 접착제 간의 박리 현상을 방지할 수 있다. When the biphenyl-based epoxy resin is used together with the thermoplastic resin having a low moisture absorption rate as described above, the resin composition for bonding a semiconductor of the above embodiment has a low moisture absorption rate even after prolonged exposure to high temperature and high humidity conditions after a high temperature curing process Accordingly, it is possible to prevent peeling between the substrate and the adhesive after the reflow process in the semiconductor manufacturing process.

구체적으로, 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물은 100℃ 이상, 또는 120℃ 내지 180℃의 고온에서 1회 또는 2회 이상 경화되고 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출 이후에 측정한 흡습율이 1.5중량% 이하일 수 있다. 상기 고온에서의 경화는 30분 이상, 또는 30분 내지 5시간 동안 수행될 수 있다. Specifically, the resin composition for bonding the semiconductor of the present invention has a moisture absorption rate measured at 165 ° C and 85% RH after 165 hours of curing at a temperature of 100 ° C or higher or 120 ° C to 180 ° C at least once or twice, May be 1.5 wt% or less. The curing at the high temperature can be performed for 30 minutes or more, or for 30 minutes to 5 hours.

상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물의 고형분 중 상기 바이페닐계 에폭시 수지의 함량이 5 중량% 내지 25중량%일 수 있다. 상기 바이페닐계 에폭시 수지가 특정 함량으로 포함됨에 따라서, 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물의 저흡습 특성을 유지하면서도 경화도 및 기타의 물성을 조절하고 최종 제조되는 접착 필름의 응력을 완화하는 역할을 할 수 있으며, 이에 따라 반도체 패키징 과정에서의 흡습 후 리플로우 과정에서 기판과 접착제 간의 박리(delamination) 현상을 방지할 수 있다. The content of the biphenyl-based epoxy resin in the solid content of the resin composition for bonding the semiconductor of the embodiment may be 5 wt% to 25 wt%. As the biphenyl-based epoxy resin is contained in a specific amount, it plays a role of controlling the hardenability and other physical properties while relieving the low moisture absorption property of the resin composition for semiconductor bonding of the above embodiment and relieving the stress of the finally produced adhesive film Accordingly, delamination between the substrate and the adhesive during the reflow process after moisture absorption in the semiconductor packaging process can be prevented.

상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물의 고형분 중 바이페닐계 에폭시 수지의 함량이 5중량% 미만이면, 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물의 흡습율을 낮추는 역할을 충분히 할 수 없으며, 기판과 접착필름 간의 박리 현상이나 리플로우 균열이 발생 현상을 충분히 방지하기 어려울 수 있다. If the content of the biphenyl-based epoxy resin in the solid content of the resin composition for semiconductor bonding of the above embodiment is less than 5% by weight, the resin composition for semiconductor bonding of the above embodiment can not sufficiently lower the moisture absorption rate, It may be difficult to sufficiently prevent the occurrence of peeling and reflow cracking.

또한, 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물의 고형분 중 바이페닐계 에폭시 수지의 함량이 25중량% 초과이면, 경화구조가 치밀하지 못하여 최종 제조되는 접착제나 접착층에 충분한 내열성과 강도를 부여할 수 없고 이는 기판과의 낮은 밀착력을 야기하여 기판과 접착필름 간의 박리 현상이나 리플로우 균열을 야기할 수 있다. In addition, the semiconductor adhesive resin If the content of the biphenyl epoxy resin in the solid content of the composition is more than 25% by weight, the cured structure is not densified and sufficient heat resistance and strength can not be imparted to the finally produced adhesive or adhesive layer, The peeling phenomenon or the reflow cracking may occur between the adhesive films.

또한, 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물의 고형분 중 바이페닐계 에폭시 수지의 함량이 25중량% 초과이면, 상기 조성물로부터 제조된 접착 필름이 고온에서 장시간 노출시 상기 접착 필름 내부나 접착 필름과 피착체의 계면에서 보이드(void)가 다수 발생하여 제조 공정의 신뢰성 및 최종 제품의 품질을 크게 저하시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물의 고형분 중 바이페닐계 에폭시 수지의 함량이 25중량% 초과이면, 상기 조성물로부터 제조된 접착 필름이 반도체 장치에 포함된 상태에서 100℃ 내지 200℃, 또는 120 내지 180℃에서 30분 이상, 또는 30분 내지 5시간 동안 경화시 상기 접착 필름 및 반도체 소자가 접하는 면이나 상기 접착 필름 내부에서 보이드(void)가 다수 발생할 수 있다. If the content of the biphenyl-based epoxy resin in the solid content of the resin composition for bonding a semiconductor of the above embodiment is more than 25% by weight, the adhesive film produced from the composition may be exposed to the inside of the adhesive film, Many voids are generated at the interface between the substrate and the substrate, thereby greatly reducing the reliability of the manufacturing process and the quality of the final product. Specifically, when the content of the biphenyl-based epoxy resin in the solid content of the resin composition for semiconductor bonding of the above embodiment is more than 25% by weight, the adhesive film produced from the composition is heated to 100 to 200 ° C A large number of voids may be generated on the surface where the adhesive film and the semiconductor element contact with each other or inside the adhesive film during curing for 30 minutes or more at 120 to 180 ° C for 30 minutes to 5 hours.

상기 바이페닐계 에폭시 수지는 바이페닐 노볼락 에폭시 수지를 포함할 수 있다. The biphenyl-based epoxy resin may include a biphenyl novolac epoxy resin.

상기 바이페닐계 에폭시 수지의 연화점은 50℃ 내지 100℃일 수 있다. 상기 에폭시 수지의 연화점이 너무 낮으면 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 점착력이 높아져서 다이싱 후 칩 픽업성이 저하될 수 있으며, 상기 에폭시 수지의 연화점이 너무 높으면 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 유동성이 저하될 수 있고 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름의 접착력이 저하될 수 있다. The softening point of the biphenyl-based epoxy resin may be 50 ° C to 100 ° C. If the softening point of the epoxy resin is too low, the adhesive strength of the resin composition for semiconductor bonding may be increased to deteriorate chip pick-up after dicing. If the softening point of the epoxy resin is too high, And the adhesive strength of the adhesive film produced from the resin composition for semiconductor bonding may be lowered.

상기 반도체 접착용 수지 조성물의 경화도 조절이나 접착 성능 등을 높이기 위해서 상기 에폭시 수지는 상기 바이페닐계 에폭시 수지와 함께 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 수지를 더 포함할 수 있다. 이와 같이 추가로 포함되는 에폭시 수지의 연화점 또한 50℃ 내지 100℃일 수 있다.In order to control the degree of curing of the resin composition for semiconductor bonding or to improve the adhesion performance, the epoxy resin is mixed with the biphenyl-based epoxy resin in such a manner that a bisphenol A epoxy resin, a bisphenol F epoxy resin, a cresol novolac epoxy resin, , Tetrafunctional epoxy resins, triphenolmethane type epoxy resins, alkyl modified triphenolmethane type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins and dicyclopentadiene modified phenol type epoxy resins And may further comprise at least one resin. The softening point of the epoxy resin thus further included may also be from 50 캜 to 100 캜.

상기 에폭시 수지는 100 내지 1,000의 평균 에폭시 당량을 가질 수 있다. 상기 평균 에폭시 당량은 상기 에폭시 수지에 포함되는 각각의 에폭시 수지의 중량 비율 및 에폭시 당량을 바탕으로 구할 수 있다. The epoxy resin may have an average epoxy equivalent of 100 to 1,000. The average epoxy equivalent can be obtained based on the weight ratio of each epoxy resin contained in the epoxy resin and the epoxy equivalent.

상기 반도체 접착용 수지 조성물은 경화제로서 연화점이 60℃ 이상, 또는 60℃ 내지 150℃, 또는 90℃ 내지 120 ℃인 페놀 수지를 포함할 수 있다. 연화점이 60℃ 이상인 페놀 수지를 사용함에 따라서 상기 반도체 접착용 수지 조성물은 경화 후 충분한 내열성, 강도 및 접착성을 가질 수 있다. 상기 페놀 수지의 연화점이 너무 낮으면 상기 반도체 접착용 수지 조성물이 경화 후 충분한 강도의 경화물을 얻지 못할 수 있다. 또한, 상기 페놀 수지의 연화점이 너무 높으면 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 유동성이 높아져서 실제 반도체 제조 공정에서 접착제 내부에 빈 공간(void)가 생성되어 최종 제품의 신뢰성이나 품질을 크게 저하시킬 수 있다. The resin composition for semiconductor bonding may include a phenol resin having a softening point of 60 占 폚 or higher, or 60 占 폚 to 150 占 폚 or 90 占 폚 to 120 占 폚 as a curing agent. When a phenol resin having a softening point of 60 ° C or higher is used, the resin composition for semiconductor bonding can have sufficient heat resistance, strength and adhesiveness after curing. If the softening point of the phenol resin is too low, the resin composition for semiconductor bonding may not be able to obtain a cured product having sufficient strength after curing. If the softening point of the phenol resin is too high, the resin composition for semiconductor bonding increases in fluidity, and voids are formed in the adhesive in the actual semiconductor manufacturing process, which may seriously deteriorate the reliability or quality of the final product.

상기 페놀 수지는 80 g/eq 내지 300 g/eq의 수산기 당량을 가질 수 있다. The phenolic resin may have a hydroxyl equivalent of 80 g / eq to 300 g / eq.

한편, 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물은 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 흡습율이 1.5중량%이하인 열가소성 수지를 포함할 수 있다. 상기 흡습율은 상기 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출 전의 중량에 대한 비율로 구할 수 있다. On the other hand, the resin composition for semiconductor bonding of the embodiment may include a thermoplastic resin having a moisture absorption rate of 1.5% by weight or less at a temperature of 85 ° C and 85% RH under exposure for 165 hours. The moisture absorption rate can be determined in proportion to the weight before exposure for 165 hours under the conditions of 85 ° C and 85% RH.

상술한 에폭시 수지 및 경화제와 함께 상기와 같은 흡습율 조건을 만족하는 열가소성 수지를 포함함에 따라서 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물은 전체적으로 보다 낮은 흡습율을 가질 수 있으며, 내부에 포함하는 수분의 양이 미미하여 다이싱 다이본딩 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지할 수 있다. The resin composition for semiconductor bonding of the embodiment can have a lower moisture absorption rate as a whole including the thermoplastic resin satisfying the above-described moisture absorption rate condition together with the above-mentioned epoxy resin and curing agent, and the amount of water contained therein The peeling phenomenon and reflow cracking of the dicing die bonding film can be prevented.

상기 열가소성 수지의 예가 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 폴리이미드, 폴리에테르 이미드, 폴리에스테르 이미드, 폴리아미드, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무, (메타)아크릴레이트계 수지, 이들의 2종 이상의 혼합물, 또는 이들의 2종 이상의 공중합체를 들 수 있다. Examples of the thermoplastic resin include, but are not limited to, polyimide, polyether imide, polyester imide, polyamide, polyether sulfone, polyether ketone, polyolefin, polyvinyl chloride, phenoxy, reactive butadiene acrylate Nitrile copolymer rubber, (meth) acrylate resin, mixtures of two or more thereof, and copolymers of two or more thereof.

구체적으로, 상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -10℃ 내지 20℃의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지일 수 있다. Specifically, the (meth) acrylate resin may be a (meth) acrylate resin having a (meth) acrylate repeating unit containing an epoxy functional group and having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C .

상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -10℃ 내지 20℃의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지를 사용함에 따라서, 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물은 반도체 접착용, 반도체에 포함되는 구성 성분의 접착용 또는 반도체 패키지용으로 사용할 수 있으며, 극박 웨이퍼의 다단 적층시 높은 내충격성을 확보할 수 있으며 반도체 제조 이후 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체용 접착 필름 또는 반도체 패키지용 접착필름을 제공할 수 있다. (Meth) acrylate-based resin containing the above-mentioned epoxy-based functional group and having a glass transition temperature of -10 캜 to 20 캜, the resin composition for bonding a semiconductor of the above- An adhesive film for semiconductors which can be used for bonding semiconductors, for bonding constituent components contained in semiconductors, or for semiconductor packages, which can ensure high impact resistance when multi-layer stacking of ultra-thin wafers is carried out, Or an adhesive film for a semiconductor package.

상기 에폭시계 작용기는 상기 (메타)아크릴레이트계 수지의 주쇄를 이루는 반복 단위에 1이상 치환될 수 있다. The epoxy-based functional group may be substituted with one or more repeating units constituting the main chain of the (meth) acrylate-based resin.

상기 에폭시계 작용기는 에폭시기 또는 글리시딜기를 포함할 수 있다. The epoxy-based functional group may include an epoxy group or a glycidyl group.

상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 14 중량%이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 수지는 -10℃ 내지 20℃, 또는 -5℃ 내지 15℃의 유리 전이 온도를 가질 수 있다. 상술한 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지를 사용함에 따라서 상기 반도체 접착용 수지 조성물이 충분한 유동성을 가질 수 있으며 최종 제조되는 접착 필름이 높은 접착력을 확보할 수 있고, 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 이용하여 박막 필름 등의 형태로 제조하기가 용이하다. The (meth) acrylate resin containing 14% by weight or more of the (meth) acrylate-based repeating unit containing the epoxy functional group may have a glass transition temperature of -10 캜 to 20 캜, or -5 캜 to 15 캜 have. By using the (meth) acrylate resin having the above-mentioned glass transition temperature, the resin composition for semiconductor bonding can have a sufficient fluidity, and the adhesive film finally produced can secure a high adhesive force, It is easy to prepare the composition in the form of a thin film or the like.

상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물은 상기 에폭시 수지 100중량부 대비 상기 열가소성 수지 50 내지 1,000중량부 및 상기 경화제 30 내지 700중량부를 포함할 수 있다. The resin composition for semiconductor bonding of the embodiment may include 50-1,000 parts by weight of the thermoplastic resin and 30-700 parts by weight of the curing agent relative to 100 parts by weight of the epoxy resin.

상기 에폭시 수지 대비 상기 열가소성 수지의 함량이 너무 작으면 상기 수지 조성물의 경화후 모듈러스가 급격히 상승하여 기판과 웨이퍼간의 응력 완화 효과를 기대하기 어렵다. 또한, 상기 에폭시 수지 대비 상기 열가소성 수지의 함량이 너무 높으면 B-stage 에서 조성물의 점도가 높아져서 다이어태치 과정에서 기판과의 밀착성이 저하되고 경화 과정 중에 보이드 제거가 어려워져 공정 및 최종 제품의 신뢰성이 저하될 수 있다. If the content of the thermoplastic resin relative to the epoxy resin is too small, the modulus of the resin composition after curing rapidly increases and it is difficult to expect a stress relaxation effect between the substrate and the wafer. If the content of the thermoplastic resin relative to the epoxy resin is too high, the viscosity of the composition increases at the B-stage, and the adhesiveness with the substrate during the die-attaching process deteriorates, void removal during the curing process becomes difficult, .

상기 에폭시 수지 대비 상기 페놀 수지를 포함한 경화제의 함량이 너무 작으면 충분한 내열성 확보가 어려울 수 있다. If the content of the curing agent including the phenol resin is too small as compared with the epoxy resin, it may be difficult to ensure sufficient heat resistance.

상기 에폭시 수지 대비 상기 페놀 수지를 포함한 경화제의 함량이 너무 높으면 경화가 완료되더라도 미반응 상태의 페놀기가 잔류하여 흡습성을 증가시킬 수 있으며, 이에 따라 반도체 패키징 과정에서의 흡습 후 리플로우 과정에서 기판과 접착제 간의 박리 현상을 야기할 수 있다. If the content of the curing agent including the phenol resin is too high relative to the epoxy resin, unreacted phenol groups may remain even after the curing is completed to increase hygroscopicity. Accordingly, during the reflow process after the moisture absorption in the semiconductor packaging process, It is possible to cause a peeling phenomenon.

상기 반도체 접착용 수지 조성물 중 상기 바이페닐계 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지의 함량은 최종 제조되는 제품에 따라 결정될 수 있으며, 예를 들어 전체 조성물의 고형분 중 3 내지30중량%, 또는 5 내지 25중량%일 수 있다. The content of the epoxy resin including the biphenyl-based epoxy resin in the resin composition for semiconductor bonding may be determined depending on the final product to be produced, for example, 3 to 30% by weight, or 5 to 25% by weight %. ≪ / RTI >

상기 경화제는 아민계 경화제, 및 산무수물계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 경화제의 사용량은 최종 제조되는 접착 필름의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 상기 에폭시 수지 100 중량부를 기준으로 10 내지 700중량부, 또는 30 내지 300중량부로 사용될 수 있다.The curing agent may further comprise at least one compound selected from the group consisting of an amine-based curing agent and an acid anhydride-based curing agent. The amount of the curing agent to be used may be appropriately selected in consideration of physical properties of the finally produced adhesive film, and may be 10 to 700 parts by weight or 30 to 300 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin.

상기 반도체 접착용 수지 조성물은 경화 촉매를 더 포함할 수 있다. The resin composition for semiconductor bonding may further comprise a curing catalyst.

상기 경화 촉매는 상기 경화제의 작용이나 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 경화를 촉진 시키는 역할을 하며, 반도체 접착 필름 등의 제조에 사용되는 것으로 알려진 경화 촉매를 큰 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 경화 촉매로는 인계 화합물, 붕소계 화합물 및 인-붕소계 화합물 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다. 상기 경화 촉매의 사용량은 최종 제조되는 접착 필름의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 상기 에폭시 수지, (메타)아크릴레이트계 수지 및 페놀 수지의 총합 100 중량부를 기준으로 0.5 내지 10중량부로 사용될 수 있다.The curing catalyst serves to accelerate the action of the curing agent or the curing of the resin composition for bonding the semiconductor, and a curing catalyst known to be used in the production of a semiconductor adhesive film or the like can be used without any limitation. For example, as the curing catalyst, at least one selected from the group consisting of a phosphorous compound, a boron compound, a phosphorus-boron compound and an imidazole compound can be used. The amount of the curing catalyst to be used may be appropriately selected in consideration of the physical properties and the like of the finally produced adhesive film. For example, the curing catalyst may be used in an amount of 0.5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of the epoxy resin, Can be used.

상기 반도체 접착용 수지 조성물은 유기 용매 10 내지 90중량%를 더 포함할 수 있다. 상기 유기 용매의 함량은 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 물성이나 최종 제조되는 접착 필름의 물성이나 제조 공정들을 고려하여 결정할 수 있다. The resin composition for semiconductor bonding may further comprise 10 to 90% by weight of an organic solvent. The content of the organic solvent may be determined in consideration of the physical properties of the resin composition for semiconductor bonding, the physical properties of the finally produced adhesive film, and the manufacturing processes.

한편, 상기 반도체 접착용 수지 조성물은 커플링제 및 무기 충진제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 커플링제 및 무기 충진제의 구체적이 예가 한정되는 것은 아니며, 반도체 패키징용 접착제에 사용될 수 있는 것으로 알려진 성분을 큰 제한 없이 사용할 수 있다. The resin composition for semiconductor bonding may further include at least one additive selected from the group consisting of a coupling agent and an inorganic filler. The examples of the coupling agent and the inorganic filler are not limited to specific examples, and components known to be usable for an adhesive for semiconductor packaging can be used without any limit.

한편, 발명의 다른 구현예에 따르면, 상술한 반도체 접착용 수지 조성물의 경화물을 포함한 접착 필름이 제공될 수 있다. On the other hand, according to another embodiment of the invention, an adhesive film containing a cured product of the above-mentioned resin composition for semiconductor bonding may be provided.

상기 반도체 접착용 수지 조성물의 경화물을 고온, 예를 들어 50℃이상, 또는 70℃이상, 또는 70℃ 내지 250℃에서 경화(건조)하여 접착 필름으로 제조할 수 있다. The cured product of the resin composition for semiconductor bonding may be cured (dried) at a high temperature, for example, at 50 캜 or higher, at 70 캜 or higher, or at 70 캜 to 250 캜 to produce an adhesive film.

상기 접착 필름은 반도체 장치에 사용될 수 있으며, 구체적으로 상기 접착 필름은 반도체 칩의 다단적층 구조의 패키지에 적합한 물리적 물성, 내열성 및 내충격성 등의 우수한 기계적 물성과 높은 접착력을 갖고, 다이싱 다이본딩 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지할 수 있으며, 아울러 반도체 제조 과정에서 적용되는 고온 조건에 장시간 노출되어도 보이드(void)가 실질적으로 발생하지 않을 수 있다. The adhesive film can be used in a semiconductor device. Specifically, the adhesive film has excellent mechanical properties such as physical properties, heat resistance, impact resistance, and the like and a high adhesive strength suitable for a package having a multi- And it is also possible to prevent voids from being substantially generated even after a long time exposure to a high temperature condition applied in a semiconductor manufacturing process.

상기 접착 필름은 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 흡습율이 1.5중량%이하인 열가소성 수지; 바이페닐계 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지; 및 페놀 수지를 포함한 경화제;를 포함하며, 상기 접착 필름 중 상기 바이페닐계 에폭시 수지의 함량이 5 중량% 내지 25중량%일 수 있다. 상기 열가소성 수지; 바이페닐계 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지; 및 페놀 수지를 포함한 경화제는 서로 간의 가교된 상태로 상기 접착 필름 내부에 존재할 수 있다. Wherein the adhesive film has a moisture absorption rate of 1.5% by weight or less at a temperature of 85 ° C and 85% RH under exposure for 165 hours; An epoxy resin containing biphenyl type epoxy resin; And a curing agent including a phenol resin, wherein the content of the biphenyl-based epoxy resin in the adhesive film may be 5 wt% to 25 wt%. The thermoplastic resin; An epoxy resin containing biphenyl type epoxy resin; And a curing agent including a phenol resin may exist in the adhesive film in a cross-linked state with each other.

85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 상기 접착 필름의 흡습율이 1.5중량%이하일 수 있다. The moisture absorption rate of the adhesive film upon exposure at 85 ° C and 85% RH for 165 hours may be 1.5% by weight or less.

상기 접착 필름은 1 ㎛ 내지 50 ㎛의 두께를 가질 수 있다. The adhesive film may have a thickness of 1 [mu] m to 50 [mu] m.

한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층; 및 상기 점착층 상에 형성되고 상술한 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 접착층;을 포함한 다이싱 다이본딩 필름이 제공될 수 있다. On the other hand, according to another embodiment of the present invention, a substrate film; An adhesive layer formed on the base film; And an adhesive layer formed on the adhesive layer and including the above-described resin composition for semiconductor bonding.

상기 접착층이 상술한 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물을 포함함에 따라서, 상기 다이싱 다이본딩 필름은 높은 기계적 물성, 내열성 및 내충격성 등의 우수한 기계적 물성과 높은 접착력을 가질 수 있으며, 낮은 흡습율을 나타내어 수분의 기화에 기화에 따른 다이싱 다이본딩 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지할 수 있다. As the adhesive layer includes the resin composition for bonding the semiconductor of the above embodiment, the dicing die-bonding film can have excellent mechanical properties such as high mechanical properties, heat resistance and impact resistance, high adhesive strength, and a low moisture absorption rate It is possible to prevent peeling of the dicing die-bonding film and reflow cracking due to vaporization of moisture.

상기 반도체 접착용 수지 조성물에 관한 구체적인 내용은 상술한 바와 같다. The specific content of the resin composition for semiconductor bonding is as described above.

85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 상기 접착층의 흡습율이 1.5중량%이하 일 수 있다. The moisture absorption rate of the adhesive layer at a temperature of 85 ° C and 85% RH for 165 hours may be 1.5% by weight or less.

한편, 상기 다이싱 다이본딩 필름에 포함되는 기재필름의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 이 분야에서 공지된 플라스틱 필름 또는 금속박 등을 사용할 수 있다. On the other hand, the type of the base film included in the dicing die-bonding film is not particularly limited, and for example, a plastic film or a metal foil known in the art can be used.

예를 들어, 상기 기재 필름은 저밀도 폴리에틸렌, 선형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체, 폴리프로필렌의 블록 공중합체, 호모폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐(polymethylpentene), 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌-아이오노머 공중합체, 에틸렌-비닐알코올 공중합체, 폴리부텐, 스틸렌의 공중합체 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다. For example, the substrate film may be formed of a material selected from the group consisting of low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymers of polypropylene, block copolymers of polypropylene, homopolypropylene, polymethylpentene, Ethylene-vinyl acetate copolymers, ethylene-vinyl acetate copolymers, ethylene-methacrylic acid copolymers, ethylene-methyl methacrylate copolymers, ethylene-ionomer copolymers, ethylene-vinyl alcohol copolymers, polybutene, And mixtures thereof.

상기에서 2종 이상의 고분자가 혼합물이 포함되는 기재 필름의 의미는, 전술한 고분자들을 각각 포함한 필름이 2층 이상 적층된 구조의 필름 또는 전술한 고분자들이 2이상 포함된 단일층이 필름을 모두 포함한다. The term "base film comprising a mixture of two or more kinds of polymers" as used herein means either a film having a structure in which two or more films each containing the above-mentioned polymers are laminated or a single layer film containing two or more of the above-mentioned polymers .

상기 기재 필름의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 통상 10 ㎛내지 200 ㎛, 바람직하게는 50 ㎛내지 180㎛의 두께로 형성된다. 상기 두께가 10 ㎛미만이면, 다이싱 공정에서 절단 깊이(cut depth)의 조절이 불안해 질 우려가 있고, 200 ㎛를 초과 하면, 다이싱 공정에서 버(burr)가 다량 발생하게 되거나, 연신률이 떨어져서 익스펜딩 공정이 정확하게 이루어지지 않을 우려가 있다.The thickness of the base film is not particularly limited, and it is usually formed to a thickness of 10 탆 to 200 탆, preferably 50 탆 to 180 탆. If the thickness is less than 10 mu m, adjustment of the cut depth may become unstable in the dicing step. If the thickness exceeds 200 mu m, a large amount of burr may occur in the dicing step, There is a concern that the expending process may not be performed accurately.

상기 기재필름에는 필요에 따라매트처리, 코로나방전처리, 프라이머 처리 또는 가교 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 가할 수 있다.If necessary, the base film may be subjected to conventional physical or chemical treatments such as a mat treatment, a corona discharge treatment, a primer treatment or a cross-linking treatment.

한편, 상기 점착층은 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 포함할 수 있다. 자외선 경화형 점착제를 사용할 경우에는 기재 필름 측으로부터 자외선을 조사하여, 점착제의 응집력 및 유리전이온도를 올려 점착력을 저하시키고, 열 경화형 점착제의 경우는 온도를 가하여 점착력을 저하시킨다.Meanwhile, the adhesive layer may include an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive or a thermosetting pressure sensitive adhesive. When an ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive is used, ultraviolet rays are irradiated from the base film side to increase the cohesive force and the glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive to lower the adhesive strength, and in the case of the thermosetting type pressure-

아울러, 상기 자외선 경화형 점착제는 (메타)아크릴레이트계 수지, 자외선 경화형 화합물, 광개시제, 및 가교제를 포함할 수 있다.In addition, the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive may include a (meth) acrylate resin, an ultraviolet curable compound, a photoinitiator, and a crosslinking agent.

상기에서 (메타)아크릴레이트계 수지는 중량평균분자량이 10만 내지 150만, 바람직하게는 20만 내지 100만일 수 있다. 중량평균분자량이 10만 미만이면, 코팅성 또는 응집력이 저하되어, 박리 시에 피착체에 잔여물이 남거나, 또는 점착제 파괴 현상이 일어날 우려가 있다. 또한, 중량평균분자량이 150만을 초과하면, 베이스 수지가 자외선 경화형 화합물의 반응을 방해하여, 박리력 감소가 효율적으로 이루어지지 않을 우려가 있다. The (meth) acrylate resin may have a weight average molecular weight of 100,000 to 1,500,000, preferably 200,000 to 100,000. If the weight average molecular weight is less than 100,000, the coating property or the cohesive force is lowered, and there is a fear that a residue is left on the adherend upon peeling, or the adhesive is broken. On the other hand, if the weight average molecular weight exceeds 1.5 million, the base resin may interfere with the reaction of the ultraviolet curable compound and the peeling force may not be effectively reduced.

이러한 (메타)아크릴레이트계 수지는 예를 들면, (메타)아크릴산에스테르계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체의 공중합체일 수 있다. 이 때 (메타)아크릴산에스테르계 단량체의 예로는 알킬 (메타)아크릴레이트를 들 수 있으며, 보다 구체적으로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 가지는 단량체로서, 펜틸 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 메틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트 또는 데실 (메타)아크릴레이트의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 알킬의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록, 최종 공중합체의 유리전이온도가 낮아지므로, 목적하는 유리전이온도에 따라 적절한 단량체를 선택하면 된다. Such a (meth) acrylate resin may be, for example, a copolymer of a (meth) acrylic acid ester monomer and a monomer having a crosslinkable functional group. Examples of the (meth) acrylate monomer include alkyl (meth) acrylate, more specifically monomers having an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms such as pentyl (meth) acrylate, n-butyl (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, n-octyl Acrylate, dodecyl (meth) acrylate or decyl (meth) acrylate. The use of a monomer having a large number of alkyl carbon atoms lowers the glass transition temperature of the final copolymer, so that a suitable monomer may be selected according to the desired glass transition temperature.

또한, 가교성 관능기 함유 단량체의 예로는 히드록시기 함유 단량체, 카복실기 함유 단량체 또는 질소 함유 단량체의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 이 때 히드록실기 함유 화합물의 예로는, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 카복실기 함유 화합물의 예로는, (메타)아크릴산 등을 들 수 있으며, 질소 함유 단량체의 예로는 (메타)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. Examples of the monomer having a crosslinkable functional group include a hydroxy group-containing monomer, a carboxyl group-containing monomer or a nitrogen-containing monomer, or a mixture of two or more kinds thereof. Examples of the hydroxyl group-containing compound include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and examples of the carboxyl group-containing compound include (meth) acrylic acid , And examples of the nitrogen-containing monomer include (meth) acrylonitrile, N-vinylpyrrolidone, N-vinylcaprolactam, and the like, but are not limited thereto.

상기 (메타)아크릴레이트계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서, 초산비닐, 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 탄소-탄소 이중결합함유 저분자량 화합물 등이 추가로 포함될 수 있다.The (meth) acrylate resin may further include a low molecular weight compound containing vinyl acetate, styrene or acrylonitrile carbon-carbon double bond from the viewpoint of improvement of other functions such as compatibility and the like.

또한, 상기 자외선 경화형 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 중량평균분자량이 500 내지 300,000 정도인 다관능성 화합물(ex. 다관능성 우레탄 아크릴레이트, 다관능성 아크릴레이트 단량체 또는 올리고머 등)을 사용할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는 목적하는 용도에 따른 적절한 화합물을 용이하게 선택할 수 있다. The type of the ultraviolet curable compound is not particularly limited and, for example, a compound having a polyfunctional compound having a weight average molecular weight of about 500 to 300,000 (e.g., a polyfunctional urethane acrylate, a polyfunctional acrylate monomer or oligomer) . The average person skilled in the art can easily select the appropriate compound according to the intended use.

상기 자외선 경화형 화합물의 함량은 전술한 베이스 수지 100 중량부에 대하여, 5 중량부 내지 400 중량부, 바람직하게는 10 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 자외선 경화형 화합물의 함량이 5 중량부 미만이면, 경화 후 점착력 저하가 충분하지 않아 픽업성이 떨어질 우려가 있고, 400 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착제의 응집력이 부족하거나, 이형 필름 등과의 박리가 용이하게 이루어지지 않을 우려가 있다.The content of the UV curable compound may be 5 parts by weight to 400 parts by weight, preferably 10 parts by weight to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base resin. If the content of the ultraviolet curable compound is less than 5 parts by weight, the adhesiveness after curing is not sufficiently lowered, which may result in poor pickability. If the content exceeds 400 parts by weight, the cohesive force of the adhesive before ultraviolet irradiation is insufficient, There is a fear that it will not be easily done.

상기 광개시제의 종류 역시 특별히 한정되지 않고, 이 분야에서 알려진 일반적인 개시제의 사용이 가능하며, 그 함량은 상기 자외선 경화형 화합물 100 중량부에 대하여 0.05 중량부 내지 20 중량부일 수 있다. 광개시제의 함량이 0.05 중량부 미만이면, 자외선 조사에 의한 경화 반응이 부족해져 픽업성이 저하될 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면 경화 과정에는 가교 반응이 짧은 단위로 일어나거나, 미반응 자외선 경화형 화합물이 발생하여 피착체 표면의 잔사에 원인이 되거나, 경화 후 박리력이 지나치게 낮아져 픽업성이 저하될 우려가 있다. The type of the photoinitiator is not particularly limited, and a conventional initiator known in the art can be used, and the content thereof can be 0.05 part by weight to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the ultraviolet curable compound. If the content of the photoinitiator is less than 0.05 part by weight, the curing reaction may be insufficient due to the irradiation of ultraviolet rays, which may lower the pick-up property. If the content exceeds 20 parts by weight, Resulting in residue on the surface of the adherend, or the peeling force after curing becomes too low, which may lower the pickupability.

또한, 점착부에 포함되어 접착력 및 응집력을 부여하기 위한 가교제의 종류 역시 특별히 한정되지 않으며, 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 또는 금속 킬레이트계 화합물 등의 통상의 화합물을 사용할 수 있다. 상기 가교제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 40 중량부, 바람직하게는 2 중량부 내지 20 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 2 중량부 미만이면, 점착제의 응집력이 부족할 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착력이 부족하여, 칩 비산 등이 일어날 우려가 있다.The type of the cross-linking agent for imparting the adhesive force and the cohesive force contained in the adhesive portion is also not particularly limited, and typical compounds such as an isocyanate compound, an aziridine compound, an epoxy compound or a metal chelate compound can be used. The crosslinking agent may be included in an amount of 2 to 40 parts by weight, preferably 2 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the base resin. If the content is less than 2 parts by weight, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive may be insufficient. If the content is more than 20 parts by weight, the adhesive strength before ultraviolet ray irradiation may be insufficient and chip scattering may occur.

상기 점착층에는 또한 로진 수지, 터펜(terpene) 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지 또는 지방족 방향족 공중합 석유 수지 등의 점착 부여제가 더 포함될 수 있다.The adhesive layer may further include a tackifier such as rosin resin, terpene resin, phenol resin, styrene resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin or aliphatic aromatic copolymerized petroleum resin.

상기와 같은 성분을 포함하는 점착층을 기재 필름 상에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 기재 필름 상에 직접 본 발명의 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 형성하는 방법 또는 박리성 기재 상에 일단 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 제조하고, 상기 박리성 기재를 사용하여 점착제층을 기재 필름 상에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다.The method for forming the pressure-sensitive adhesive layer on the base film is not particularly limited. For example, the pressure-sensitive adhesive composition of the present invention is directly applied onto a base film to form a pressure-sensitive adhesive layer, A method in which a pressure-sensitive adhesive composition is once applied to a pressure-sensitive adhesive layer to prepare a pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer is transferred onto the base film using the releasable base material.

이때 점착제 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 상기 각각의 성분을 포함하는 조성물을 그대로, 또는 적당한 유기용제에 희석하여 콤마 코터, 그라비아코터, 다이 코터 또는 리버스코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후, 60℃ 내지 200℃의 온도에서 10초 내지 30분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 과정에서는 점착제의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징(aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.The method for applying and drying the pressure-sensitive adhesive composition is not particularly limited. For example, the composition containing each of the above components may be directly or diluted with an appropriate organic solvent, and may be applied to a known article such as a comma coater, a gravure coater, a die coater or a reverse coater And then drying the solvent at a temperature of 60 ° C to 200 ° C for 10 seconds to 30 minutes. In addition, an aging process for advancing a sufficient cross-linking reaction of the pressure-sensitive adhesive may be further performed.

상기 점착층의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 10 ㎛ 내지 500 ㎛의 범위일 수 있다. The thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but may be in the range of, for example, 10 탆 to 500 탆.

한편, 상술한 바와 같이, 상기 접착층은 상기 점착층 상에 형성되며 상술한 구현예의 반도체용 접착 필름을 포함할 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름에 관한 내용은 상술한 사항을 모두 포함한다. On the other hand, as described above, the adhesive layer is formed on the adhesive layer and may include the adhesive film for semiconductor of the above-described embodiment. The content of the adhesive film for semiconductor includes all of the above-mentioned matters.

상기 접착층의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 1 ㎛ 내지 100 ㎛, 또는 3 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위일 수 있다. The thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but may be in the range of, for example, 1 m to 100 m, or 3 m to 50 m.

상기 다이싱 다이본딩 필름은 또한, 상기 접착층 상에 형성된 이형필름을 추가로 포함할 수 있다. 사용될 수 있는 이형필름의 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 염화비닐공중합체 필름 또는 폴리이미드 필름 등의 일종 또는 이종 이상의 플라스틱 필름을 들 수 있다.The dicing die-bonding film may further include a release film formed on the adhesive layer. Examples of the release film that can be used include one or more kinds of films such as a polyethylene terephthalate film, a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, a vinyl chloride copolymer film or a polyimide film Plastic film.

상기와 같은 이형필름의 표면은 알킬드계, 실리콘계, 불소계, 불포화에스테르계, 폴리올레핀계 또는 왁스계등의 일종 또는 이종 이상으로 이형 처리되어 있을 수 있으며, 이중 특히 내열성을 가지는 알키드계, 실리콘계 또는 불소계 등의 이형제가 바람직하다. The surface of the release film may be subjected to a releasing treatment on one or more of alkyldehyde, silicone, fluorine, unsaturated ester, polyolefin, and wax. Among these, the surface of the releasing film may be subjected to release treatment such as alkyd, Is preferable.

이형필름은 통상 10 ㎛내지 500 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛내지 200 ㎛정도의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The release film may be formed to a thickness of usually about 10 탆 to about 500 탆, preferably about 20 탆 to about 200 탆, but is not limited thereto.

상술한 다이싱 다이본딩 필름을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 기재필름상에 점착부, 접착부 및 이형 필름을 순차로 형성하는 방법, 또는 다이싱필름(기재필름+점착부) 및 다이본딩 필름 또는 접착부가 형성된 이형필름을 별도로 제조한 후, 이를 라미네이션 시키는 방법 등이 사용될 수 있다.The method for producing the dicing die-bonding film is not particularly limited. For example, a method of sequentially forming an adhesive portion, a bonding portion and a release film on a base film, or a method of forming a dicing film (base film + And a method in which a die-bonding film or a release film on which a bonding portion is formed is prepared separately and then laminated is used.

상기에서 라미네이션 방법은 특별히 한정되지 않으며, 핫롤라미네이트 또는 적층프레스법을 사용할 수 있고, 이중 연속공정 가능성 및 효율성 측면에서 핫롤라미네이트법이 바람직하다. 핫롤라미네이트법은 10℃내지 100℃의 온도에서 0.1 Kgf/㎠내지 10 Kgf/㎠의 압력으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The lamination method is not particularly limited, and a hot roll laminate or a lamination press method can be used, and the hot roll lamination method is preferable in view of the possibility of continuous process and efficiency. The hot roll lamination method can be performed at a temperature of 10 to 100 DEG C at a pressure of 0.1 Kgf / cm2 to 10 Kgf / cm2, but is not limited thereto.

한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 다이싱 다이본딩 필름; 및 상기 다이싱 다이본딩 필름의 적어도 일면에 적층된 웨이퍼;를 포함하는 반도체 웨이퍼를 완전 분단 또는 분단 가능하게 부분 처리하는 전처리 단계; 상기 전처리한 반도체 웨이퍼의 기재 필름에 자외선을 조사하고, 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법이 제공될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the dicing die-bonding film; And a wafer stacked on at least one side of the dicing die-bonding film, the pretreating step partially dividing or partially dividing the semiconductor wafer; Irradiating ultraviolet rays onto the base film of the preprocessed semiconductor wafer, and picking up individual chips separated by the division of the semiconductor wafer.

상기 다이싱 다이본딩 필름에 관한 내용을 상술한 내용을 모두 포함한다. The above-mentioned contents relating to the dicing die-bonding film are all included.

상기 다이싱 방법의 세부 단계에 관한 내용을 제외하고, 통상적으로 알려진 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에 사용되는 장치, 방법 등을 별 다른 제한 없이 사용할 수 있다. Except for the detailed steps of the dicing method, a device, a method, and the like used in a dicing method of a commonly known semiconductor wafer can be used without limitation.

상기 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법은 상기 전처리 단계 이후 반도체 웨이퍼를 익스팬딩 하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이러한 경우 상기 익스펜딩한 반도체 웨이퍼의 기재 필름에 자외선을 조사하고, 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 과정이 후행된다. The dicing method of the semiconductor wafer may further include exposing the semiconductor wafer after the pre-processing step. In this case, the process of irradiating ultraviolet rays onto the base film of the expanded semiconductor wafer and picking up individual chips separated by the division of the semiconductor wafer is followed.

상기 다이싱 필름을 포함한 다이싱 다이본딩 필름을 사용함에 따라서, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 중 발생할 수 있는 버(burr) 현상을 최소화하여 반도체 칩의 오염을 방지하고 반도체 칩의 신뢰도 및 수명을 향상시킬 수 있다.By using the dicing die-bonding film including the dicing film, the burr phenomenon that may occur during the dicing process of the semiconductor wafer is minimized to prevent contamination of the semiconductor chip and improve the reliability and life of the semiconductor chip. .

한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상술한 구현예의 접착 필름을 매개로 제1반도체 소자와 피착체가 결합하는 구조를 포함한 반도체 장치가 제공될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, a semiconductor device including a structure in which a first semiconductor element and an adherend are combined via an adhesive film of the above-described embodiment can be provided.

상술한 바와 같이, 상술한 구현예의 접착 필름은 반도체 칩의 다단적층 구조의 패키지에 적합한 물리적 물성, 내열성 및 내충격성 등의 우수한 기계적 물성과 높은 접착력을 갖고, 다이싱 다이본딩 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지할 수 있으며, 아울러 반도체 제조 과정에서 적용되는 고온 조건에 장시간 노출되어도 보이드(void)가 실질적으로 발생하지 않을 수 있다. As described above, the adhesive film of the above-described embodiment has excellent mechanical properties such as physical properties, heat resistance, and impact resistance, and high adhesive strength suitable for a package having a multi-layered structure of a semiconductor chip and is excellent in peeling phenomenon of the dicing die- Low cracks and the like can be prevented, and voids may not be substantially generated even when exposed to a high temperature condition applied in a semiconductor manufacturing process for a long time.

이에 따라 상술한 구현예의 접착 필름을 사용하는 경우, 보다 안정적이고 견고한 다단 구조의 반도체 장치를 제조할 수 있으며, 다단적층 구조의 패키지 공정에서도 상기 제1반도체 소자와 피착체 간에 견고할 결합을 확보할 수 있으며, 고온에서 장시간 노출시 상기 접착 필름 내부나 접착 필름과 피착체의 계면에서 보이드(void)의 발생을 최소화할 수 있다. Accordingly, when the adhesive film of the above-described embodiment is used, it is possible to manufacture a semiconductor device having a more stable and robust multi-layer structure, and to secure a firm connection between the first semiconductor element and the adherend even in a multi- And generation of voids at the interface between the adhesive film and the adhered film and the adherend can be minimized when exposed to a high temperature for a long time.

구체적으로, 상기 반도체 장치를 100℃ 내지 200℃, 또는 120 내지 180℃ 에서 경화시 상기 접착 필름 및 제1반도체 소자가 접하는 면이나 상기 접착 필름 내부에 발생하는 보이드(void)의 면적이 1%이하일 수 있다. Specifically, when the semiconductor device is cured at 100 占 폚 to 200 占 폚 or at 120 占 폚 to 180 占 폚, the area of the voids occurring on the surface of the adhesive film and the first semiconductor element or within the adhesive film is 1% .

구체적으로, 상술한 구현예의 반도체 접착용 수지 조성로부터 제조된 접착 필름이 반도체 장치에 포함된 상태에서 100℃ 내지 200℃, 또는 120 내지 180℃에서 30분 이상, 또는 30분 내지 5시간 동안 경화시에도 상기 접착 필름 및 반도체 소자가 접하는 면이나 상기 접착 필름 내부에서 보이드(void)가 실질적으로 발생하지 않을 수 있으며, 상기 접착 필름 및 제1반도체 소자가 접하는 면이나 상기 접착 필름 내부에 발생하는 보이드(void)의 면적이 1%이하일 수 있다. Specifically, when the adhesive film produced from the resin composition for semiconductor bonding of the above-described embodiment is cured at 100 to 200 占 폚 or at 120 to 180 占 폚 for 30 minutes or more for 30 minutes to 5 hours in a state where the adhesive film is contained in the semiconductor device Voids may not substantially be generated on the surface where the adhesive film and the semiconductor element contact with each other or inside the adhesive film and voids may be formed on the surface where the adhesive film and the first semiconductor element come in contact with each other, void) may be 1% or less.

상기 제1반도체 소자는 반도체 패키징 과정에서 기판와 바로 이웃하는 첫번째 반도체 소자일 수 있다. The first semiconductor element may be the first semiconductor element immediately adjacent to the substrate in the semiconductor packaging process.

상기 피착체는 기판, 절연층 또는 제2반도체 소자일 수 있다. The adherend may be a substrate, an insulating layer, or a second semiconductor element.

상기 기판은 기판이나 리드 피레임을 포함하며, 구체적으로 기판으로서는, 프린트 배선 기판 등의 종래 공지된 기판을 사용할 수 있고 상기 리드 프레임으로서는, Cu 리드 프레임, 42Alloy 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임이나 유리 에폭시, BT(비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등을 포함하여 이루어지는 유기 기판을 사용할 수 있다. As the lead frame, a metal lead frame such as a Cu lead frame, a 42 Alloy lead frame, a glass epoxy, a glass epoxy or the like may be used as the substrate. The substrate may be a substrate or a lead frame. BT (bismaleimide-triazine), polyimide, and the like can be used.

싱술한 반도체 장치는 상기 접착 필름을 매개로 결합한 제1반도체 소자와 피착체에 추가하여, 상기 제1 반도체 소자와 동종 또는 이종의 제2 반도체 소자를 더 포함할 수 있다. 상기 반도체 장치의 제조 과정에서는 적층은 일반적으로 패키지를 제작하는 공정으로 진행하여 요구되는 층수만큼 적층 및 와이어본딩을 진행할 수 있다. 원하는 수의 반도체 소자를 적층한 후, 반도체 장치 전체를 수지 밀봉하는 밀봉 공정을 행해도 된다.The first semiconductor device may further include a second semiconductor element which is the same as or different from the first semiconductor element, in addition to the first semiconductor element and the adherend bonded through the adhesive film. In the manufacturing process of the semiconductor device, the lamination generally proceeds to a process of fabricating the package, and lamination and wire bonding can be performed by the required number of layers. A sealing step of resin-sealing the entire semiconductor device may be performed after laminating a desired number of semiconductor elements.

발명의 구체적인 구현예를 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 발명의 구체적인 구현예를 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. Specific embodiments of the invention are described in more detail in the following examples. It should be noted, however, that the following examples are illustrative of specific embodiments of the invention only and are not intended to limit the scope of the invention.

[ [ 실시예Example 및  And 비교예Comparative Example : 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름의 제조]: Production of resin composition for semiconductor bonding and adhesive film for semiconductor]

실시예1Example 1

(1) 반도체 접착용 수지 조성물 용액의 제조(1) Preparation of Resin Composition Solution for Semiconductor Bonding

에폭시 수지로서 바이페닐 노볼락 에폭시 수지(NC-3000-H, 일본화약사, 에폭시 당량: 288 g/eq, 연화점: 65 ℃) 50g, 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지(MF8080EK80, 일본JSI사, 에폭시 당량: 218 g/eq, 연화점: 65 ℃) 50g, 페놀 수지 KPH-3075 (코오롱유화, 수산기당량: 180 g/eq, 연화점 65 ℃), 열가소성 아크릴레이트 수지 KG-3015(85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 흡습율: 1.2 wt%) 482g, 경화촉진제 2-페닐-4-메틸-5-디하이드록시메틸 이미다졸(2P4MHZ, 시코쿠화성) 0.5g, 커플링제 감마-글리시독시 프로필 트리메톡시 실란(KBM-403, 센에츠 화학) 2g 및 충진제 R-972(덴카, 구상 실리카, 평균 입경 17 ㎜) 68g을 메틸에틸케톤에 용해시켜 반도체 접착용 수지 조성물 용액(고형분 20중량％ 농도)을 얻었다.50 g of biphenyl novolak epoxy resin (NC-3000-H, epoxy resin equivalent, 288 g / eq, epoxy equivalent: 65 캜) as an epoxy resin, 50 g of bisphenol A novolac epoxy resin (MF8080EK80, 50 g of phenolic resin KPH-3075 (colonic emulsification, hydroxyl equivalent weight 180 g / eq, softening point 65 캜), thermoplastic acrylate resin KG-3015 (85 캜 and 85% RH 482 g of a curing accelerator, 0.5 g of 2-phenyl-4-methyl-5-dihydroxymethyl imidazole (2P4MHZ, Shikoku Kasei) as a curing accelerator, 0.5 g of a coupling agent gamma-glycidoxypropyl 2 g of trimethoxysilane (KBM-403, Senetsu Chemical) and 68 g of filler R-972 (denganic acid, spherical silica, average particle diameter 17 mm) were dissolved in methyl ethyl ketone to prepare a resin composition solution for semiconductor bonding ).

(2) 반도체용 접착 필름의 제조(2) Production of adhesive films for semiconductors

상기 제조된 반도체 접착용 수지 조성물 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛) 상에 도포한 후 130℃에서 3분간 건조하여 20㎛ 두께의 접착 필름을 얻었다. The resin composition solution for semiconductor bonding prepared above was coated on a polyethylene terephthalate film (thickness 38 mu m) and dried at 130 DEG C for 3 minutes to obtain an adhesive film having a thickness of 20 mu m.

실시예Example 2 내지 5 2 to 5

하기 표1의 성분 및 함량을 사용하여 반도체 접착용 수지 조성물 용액(메틸에틸케톤 20중량％ 농도)을 제조한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체용 접착 필름을 제조하였다. An adhesive film for semiconductor was produced in the same manner as in Example 1, except that the resin composition solution for semiconductor bonding (concentration of methyl ethyl ketone of 20% by weight) was prepared using the components and contents in Table 1 below.

비교예Comparative Example 1 내지 3 1 to 3

하기 표1의 성분 및 함량을 사용하여 반도체 접착용 수지 조성물 용액(메틸에틸케톤 20중량％ 농도)을 제조한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체용 접착 필름을 제조하였다. An adhesive film for semiconductor was produced in the same manner as in Example 1, except that the resin composition solution for semiconductor bonding (concentration of methyl ethyl ketone of 20% by weight) was prepared using the components and contents in Table 1 below.

실시예의 수지 조성물의 조성 [단위: g]Composition of the resin composition of the examples [unit: g] 성분명Ingredients 실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 실시예4Example 4 실시예 5Example 5 페놀
수지phenol
Suzy KPH-3075KPH-3075 6060 6060 SHB-1101SHB-1101 4242 5353 6262 에폭시
수지Epoxy
Suzy NC-3000HNC-3000H 5050 108108 5050 7272 150150 MF8080EK20MF8080EK20 5050 5050 2525 아크릴
수지acryl
Suzy KG-3015KG-3015 482482 482482 482482 420420 KG-3047KG-3047 KG-3060KG-3060 482482 경화
촉진제Hardening
accelerant 2P4MHZ2P4MHZ 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 커플링제Coupling agent KBM-403KBM-403 22 22 22 22 22 충진제Filler R-972R-972 6868 6868 6868 6868 6868

비교예의 수지 조성물의 조성 [단위: g]Composition of the resin composition of the comparative example [unit: g] 성분명Ingredients 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 비교예3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 페놀
수지phenol
Suzy KPH-3075KPH-3075 6060 6060 6060 SHB-1101SHB-1101 6060 6262 에폭시
수지Epoxy
Suzy NC-3000HNC-3000H 2020 7070 7070 150150 MF8080EK20MF8080EK20 7070 9090 2020 2020 아크릴
수지acryl
Suzy KG-3015KG-3015 482482 280
280
KG-3047KG-3047 482482 482482 482482 KG-3060KG-3060 경화
촉진제Hardening
accelerant 2P4MHZ2P4MHZ 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 커플링제Coupling agent KBM-403KBM-403 22 22 22 22 22 충진제Filler R-972R-972 6868 6868 6868 6868 5555

KPH-3075: 자일록A 노볼락 페놀 수지 (코오롱유화, 수산기당량: 180 g/eq, 연화점 65 ℃)KPH-3075: Xylol A novolak phenol resin (colonic emulsification, hydroxyl equivalent equivalent: 180 g / eq, softening point 65 ° C)

SHB-1101: 비스페놀A 노볼락 페놀 수지(신아 T&C, 수산기당량: 118g/eq, 연화점 : 110℃)SHB-1101: Bisphenol A novolak phenol resin (Shin-A & T, C, hydroxyl equivalent: 118 g / eq, softening point:

NC-3000-H: 바이페닐 노볼락 에폭시 수지(에폭시 당량 180 g/eq, 연화점 65 ℃)NC-3000-H: biphenyl novolac epoxy resin (epoxy equivalent 180 g / eq, softening point 65 캜)

MF8080EK20: 비스페놀A에폭시 수지(에폭시 당량 218 g/eq, 연화점 60 ℃)MF8080EK20: bisphenol A epoxy resin (epoxy equivalent 218 g / eq, softening point 60 캜)

KG-3015: 아크릴레이트계 수지(글리시딜메타아크릴레이계 반복 단위 3 중량%, 유리전이온도: 10℃, 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 흡습율: 1.2 wt%) KG-3015: acrylate resin (glycidyl methacrylate repeating unit: 3 wt%, glass transition temperature: 1.2 wt% at 165 hours exposure at 10 ° C, 85 ° C and 85% RH)

KG-3047: 아크릴레이트계 수지(글리시딜메타아크릴레이계 반복 단위 3 중량%, 유리전이온도: 30℃, 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 흡습율: 1.7 wt%))KG-3047: acrylate resin (glycidyl methacrylate repeating unit 3 wt%, glass transition temperature: 30 wt%, moisture absorption at 165 hours exposure at 85 ° C and 85% RH: 1.7 wt%))

KG-3060: 아크릴레이트계 수지(글리시딜메타아크릴레이계 반복 단위 2 중량%, 유리전이온도: 5℃, 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 흡습율: 0.8 wt%)KG-3060: acrylate resin (glycidyl methacrylate-based repeating unit 2 wt%, glass transition temperature: moisture absorption rate at 165 hours exposure at 85 ° C and 85% RH: 0.8 wt%)

[[ 실험예Experimental Example : 반도체용 접착 필름의 물성 평가]: Evaluation of Physical Properties of Adhesive Film for Semiconductor]

실험예1Experimental Example 1 : 반도체용 접착 필름의 : Adhesive film for semiconductor 열경화Heat curing 후 260℃에서의 인장 저장 탄성률의 측정 Measurement of tensile storage elastic modulus at 260 ° C

상기 실시예 및 비교예서 각각 얻어진 접착 필름을 60℃의 조건하에서 두께 320㎛가 될 때까지 중첩하여 적층한 후, 125℃의 온도에서 1시간 동안 및 175℃의 온도에서 2시간 동안 열경화시켰다. 그리고, 상기 열경화 결과물을 절단하여 길이 20㎜ 및 폭 4 ㎜의 육면체의 시편을 제조하였다. Each of the obtained adhesive films of the above Examples and Comparative Examples was superimposed and laminated to a thickness of 320 탆 under the condition of 60 캜 and then thermally cured at a temperature of 125 캜 for one hour and a temperature of 175 캜 for two hours. Then, the thermosetting product was cut to produce a hexagonal specimen having a length of 20 mm and a width of 4 mm.

그리고, 고정 점탄성 측정 장치(DMA Q8000, TA인스트루먼트사)를 사용하여 -30 내지 280℃에서 상기 상기 시편이 갖는 인장 저장 탄성률을 주파수 10Hz 및 승온 속도 3℃/분의 조건하에서 측정하였다. 측정 결과를 하기 표1에 나타내었다. The tensile storage elastic modulus of the specimen was measured at a frequency of 10 Hz and a temperature raising rate of 3 DEG C / min at -30 to 280 DEG C using a fixed viscoelasticity measuring apparatus (DMA Q8000, TA Instruments). The measurement results are shown in Table 1 below.

실험예Experimental Example 2:  2: 다이쉐어Die share 강도 (Die Shear Strength) Strength (Die Shear Strength)

(1) (One) 다이싱Dicing 필름의 제조 Production of film

2-에틸헥실 아크릴레이트 75g, 2-에틸헥실 메타아크릴레이트 10g, 및 2-하이드록시에틸 아크릴레이트 15g을 에틸아크릴레이트 용매 300g 하에서 공중합하여 중량평균분자량이 850,000 인 공중합체(유리전이온도가 10℃)를 수득한 후, 여기에 광경화 물질인 아크릴이소시아네이트 화합물 10g을 첨가하여 반응물을 얻었다. 그 후, 여기에 다관능 이소시아네이트 올리고머 10g과 광개시제로서 다로커 TPO를 1g 혼합하여 자외선 경화형 점착제 조성물을 제조하였다. Ethylhexyl methacrylate, 10 g of 2-ethylhexyl methacrylate and 15 g of 2-hydroxyethyl acrylate were copolymerized in an ethyl acrylate solvent (300 g) to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of 850,000 (glass transition temperature: 10 ° C ), And then 10 g of an acrylic isocyanate compound as a photocurable material was added thereto to obtain a reaction product. Thereafter, 10 g of the polyfunctional isocyanate oligomer and 1 g of Daikoru TPO as a photoinitiator were mixed to prepare an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive composition.

상기 자외선 경화형 점착제 조성물을 이형 처리된 두께 38um의 폴리에스테르 필름 위에 건조 후의 두께가 10um가 되도록 도포하고, 110℃에서 3분간 건조하였다. 건조된 점착층을 두께가 100 ㎛인 폴리올레핀필름에 라미네이트 하여 다이싱 필름을 제조하였다.The ultraviolet-curing pressure-sensitive adhesive composition was coated on a release-treated polyester film having a thickness of 38 mu to a thickness of 10 mu m after drying and dried at 110 DEG C for 3 minutes. The dried adhesive layer was laminated to a polyolefin film having a thickness of 100 mu m to prepare a dicing film.

(2) (2) 다이싱Dicing 다이본딩Die bonding 필름의 제조 Production of film

상기의 과정에서 얻은 점착층 및 상기 실시예 및 비교예서 각각 얻어진 접착 필름을 합지하여 다이싱 다이본딩용 다층 구조의 접착필름을 제조하였다. The pressure-sensitive adhesive layer obtained in the above process, and the adhesive films obtained in the above Examples and Comparative Examples were laminated together to prepare a multi-layered adhesive film for dicing die bonding.

(3) (3) 다이쉐어Die share 강도 측정 Strength measurement

이산화막으로 코팅된 두께 500um 웨이퍼를 사용하여 5mm x 5mm 크기로 자른 후, 상기 제조된 다이싱 다이본딩 필름과 함께 60℃ 조건에서 라미네이션 하고, UV를 조사하여 다이싱 필름을 제거한 후 칩 크기의 접착필름만 남기고 절단하였다. 10mm x 10mm 크기의 하부칩에 5mm x 5mm 크기의 상부칩을 올려 놓은 후, 130℃의 핫플레이트 위에서 2kgf의 힘으로 2초 동안 눌러 붙여서 시편을 제작하고, 125℃에서 1시간 동안의 경화와 175℃에서 2시간 동안의 경화를 순차적으로 진행하여 250℃에서 DAGE 4000 DST Tester를 이용하여 상부칩의 다이쉐어 강도를 측정하였다.The wafer was cut into a size of 5 mm x 5 mm using a 500 μm thick wafer coated with a SiO 2 film, laminated at 60 ° C with the dicing die-bonding film prepared above, irradiated with UV to remove the dicing film, Leaving only the film. A 5 mm x 5 mm upper chip was placed on a 10 mm x 10 mm lower chip and then pressed on a hot plate at 130 ° C for 2 seconds under a pressure of 2 kgf to prepare a specimen. C for 2 hours, and the die shear strength of the upper chip was measured using a DAGE 4000 DST tester at 250 ° C.

실험예3Experimental Example 3 : 반도체용 접착 필름의 수분 : Moisture of adhesive film for semiconductor 흡습율Moisture absorption rate 측정 Measure

상기 실시예 및 비교예서 각각 얻어진 접착 필름을 60℃의 조건하에서 두께 550㎛가 될 때까지 중첩하여 적층한 후, 각 변의 길이가 5㎝인 육면체의 시편을 제조하고 175℃의 온도에서 2시간 동안 열경화시켰다. 열경화된 시편을 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출 하고 흡습 전후의 무게를 측정하여 흡습도를 측정하였다. Each of the obtained adhesive films was stacked and laminated to a thickness of 550 탆 under the condition of 60 캜 and then a specimen of hexahedron having a side length of 5 cm was prepared and heated at 175 캜 for 2 hours And thermally cured. The thermosetting specimens were exposed for 165 hours at 85 ° C and 85% RH, and their moisture content was measured by measuring the weight before and after moisture absorption.

[흡습율 (%)][Absorption rate (%)]

(흡습 후의 시편의 무게 - 흡습전 시편의 무게)*100 / 흡습전 시편의 무게(Weight of sample after moisture absorption - weight of sample before moisture absorption) * 100 / weight of sample before moisture absorption

실험예4Experimental Example 4 : 신뢰성 평가(: Reliability Evaluation ( PreconPrecon TEST) TEST)

이산화막으로 코팅된 두께 80㎛의 웨이퍼를 상기 실험예2에 기재된 방법으로 제조된 다이싱 다이본딩 필름과 함께 60℃ 조건에서 라미네이션 하고, 10 ㎜* 10 ㎜ (가로*세로)의 크기로 잘라서 시편을 준비하였다. A wafer coated with a SiO 2 film and having a thickness of 80 μm was laminated with a dicing die bonding film produced by the method described in Experimental Example 2 at 60 ° C. and cut into a size of 10 mm * 10 mm (width * length) Were prepared.

그리고, UV조사기를 이용하여 상기 시편에 대하여 300 mJ/cm2 의 광량을 조사하고 다이 어태치 과정을 통하여 FR-4 기판 위에 4단으로 적층(stacking)하였다. 이후 상기 적층체를 125℃에서 1시간 동안 및 175℃에서 2시간 동안 연속 경화하였다. Then, the specimens were irradiated with a light quantity of 300 mJ / cm 2 using a UV irradiator and stacked in four stages on a FR-4 substrate through a die attach process. The laminate was then continuously cured at 125 占 폚 for 1 hour and 175 占 폚 for 2 hours.

상기 경화 이후 상기 기판을 85℃ 및 85%RH 조건에서 48시간 노출 하고 IR reflow 과정을 3회 실시하고, 육안과 Scanning acoustic tomography (SAT)를 통하여 기판과 접착제 간의 박리 정도를 관찰하였다. After the curing, the substrate was exposed for 48 hours under the conditions of 85 ° C and 85% RH and subjected to an IR reflow process three times, and the degree of peeling between the substrate and the adhesive was observed through visual inspection and scanning acoustic tomography (SAT).

실험예Experimental Example 5:  5: 매립성Fillability 평가(MOLD VOID TEST) Evaluation (MOLD VOID TEST)

이산화막으로 코팅된 두께 80㎛의 웨이퍼를 상기 실험예2에 기재된 방법으로 제조된 다이싱 다이본딩 필름과 함께 60℃ 조건에서 라미네이션 하고, 10 ㎜* 10 ㎜ (가로*세로)의 크기로 잘라서 시편을 준비하였다. A wafer coated with a SiO 2 film and having a thickness of 80 μm was laminated with a dicing die bonding film produced by the method described in Experimental Example 2 at 60 ° C. and cut into a size of 10 mm * 10 mm (width * length) Were prepared.

그리고, UV조사기를 이용하여 상기 시편에 대하여 300 mJ/㎠ 의 광량을 조사하고 다이 어태치 과정을 통하여 FR-4 기판 위에 1단으로 적층(stacking)한 평가시편을 각각 50개씩 제조하였다. 이후 125℃에서 일정시간 간격으로 경화하면서 시간별 경화샘플을 10개씩 분취하였다. 이후 시간별로 경화한 샘플에 대하여 175℃의 hot plate에 정치하여 50kg을 60초 동안 가압하고(EMC몰딩 조건 모사) 175℃, 2시간을 경화하였다. 상기 경화가 종료된 후 각 시편은 초음파영상장비SAT(Scan Acoustic Tomograph)를 이용하여 접착층 내의 보이드의 면적이 1%이상 관찰되는 시편의 개수를 측정하였다. 상기 보이드의 관찰은 상기 시편을 증류수에 담근 상태에서 sonifer를 이용하여 투과 모드로 측정하여 이미지화한 결과를 바탕으로 하였다. Then, 50 pieces of test specimens stacked on the FR-4 substrate in a single stage were prepared by irradiating the specimens with a light quantity of 300 mJ / cm 2 using a UV irradiator and performing a die attach process. Thereafter, curing samples were collected at intervals of 125 ° C at intervals of 10 hours. Thereafter, the cured sample was placed on a hot plate at 175 ° C, and 50 kg was pressed for 60 seconds (EMC molding condition simulation) and cured at 175 ° C for 2 hours. After completion of the curing, the number of specimens having an area of voids of 1% or more in the adhesive layer was measured using an ultrasound imaging equipment SAT (Scan Acoustic Tomograph). The observation of the voids was based on the results obtained by measuring the specimen in a transmission mode using a sonifer in a state of immersing the specimen in distilled water.

실시예에서 얻어진 접착 필름에 대한 실험예의 결과The results of the experimental example of the adhesive film obtained in the examples 실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 실시예4Example 4 실시예5Example 5 인장 저장 탄성률
(260℃, MPa)Tensile storage modulus
(260 DEG C, MPa) 3.23.2 4.84.8 3.63.6 5.35.3 6.16.1 다이쉐어 강도
(260℃, Kgf/25㎟)Die share strength
(260 ° C, Kgf / 25 mm 2) 7.47.4 8.98.9 7.97.9 9.69.6 10.510.5 흡습율
(wt%)Moisture absorption rate
(wt%) 1.31.3 1.31.3 1.151.15 1.381.38 1.251.25 박리발생율
(%)Peeling incidence rate
(%) 00 00 00 00 00 매립성평가(경화온도 125℃)Evaluation of the filling property (curing temperature 125 캜) 1h1h 0/100/10 0/100/10 0/100/10 0/100/10 0/100/10 2h2h 0/100/10 0/100/10 0/100/10 0/100/10 0/100/10 5h5h 0/100/10 0/100/10 0/100/10 0/100/10 0/100/10 8h8h 0/100/10 0/100/10 0/100/10 0/100/10 0/100/10

비교예에서 얻어진 접착 필름에 대한 실험예의 결과The results of the experimental example for the adhesive film obtained in the comparative example 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 인장 저장 탄성률
(260℃, MPa)Tensile storage modulus
(260 DEG C, MPa) 4.04.0 5.55.5 3.63.6 11.211.2 다이쉐어 강도
(260℃, Kgf/25㎟)Die share strength
(260 ° C, Kgf / 25 mm 2) 8.48.4 12.312.3 7.67.6 1111 흡습율 (wt%)Moisture absorption rate (wt%) 1.641.64 1.81.8 1.631.63 1.221.22 박리발생율 (%)Peeling occurrence rate (%) 5050 9595 3030 2020 매립성평가(경화온도 125℃)Evaluation of the filling property (curing temperature 125 캜) 1h1h 0/100/10 0/100/10 0/100/10 1/101/10 2h2h 0/100/10 1/101/10 0/100/10 3/103/10 5h5h 0/100/10 5/105/10 0/100/10 7/107/10 8h8h 0/100/10 8/108/10 0/100/10 7/107/10

상기 표2에 나타난 바와 같이, 실시예 1 내지 5에서 제조된 접착 필름은 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출하여도 흡습율이 1.40wt%이하가 되며, 고온 경화 및 흡습 후 리플로우 과정에서 기판과 접착제 간의 박리 현상이 발생하지 않는다는 점이 확인되었다. As shown in Table 2, the adhesive films prepared in Examples 1 to 5 exhibited a moisture absorptivity of 1.40 wt% or less even after being exposed at 85 ° C and 85% RH for 165 hours, The peeling phenomenon between the substrate and the adhesive does not occur.

또한, 실시예 1 내지 5에서 제조된 접착 필름은 반도체의 다단 적층 과정에서 실제 적용될 수 있는 100℃이상의 고온 조건, 예를 들어 125℃ 내지 175℃의 고온 조건에 장시간 노출되어도 기판과 접착층 간의 계면이나 접착층 내부에 보이드(void)가 발생되지 않는다는 점이 확인되었다. In addition, the adhesive films prepared in Examples 1 to 5 can be applied to the interface between the substrate and the adhesive layer even when exposed to a high temperature condition of 100 ° C or higher, for example, a high temperature condition of 125 ° C to 175 ° C, It was confirmed that voids were not generated in the adhesive layer.

이에 반해, 비교예1의 접착 필름은 낮은 흡습율을 갖는 아크릴레이트계 수지를 포함함에도 불구하고 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출 이후에 흡습율이 1.64 wt%이고, 고온 경화 및 흡습 후 리플로우 과정에서 기판과 접착제 간의 박리 현상이 발생한 점이 확인되었다. 이는 비교예1의 접착 필름이 접착제 흡습율을 조정할 수 있는 바이페닐 노볼락 에폭시 수지를 낮은 함량, 예를 들어 약 3중량% 미만으로 포함함에 따른 것으로 보인다. On the contrary, although the adhesive film of Comparative Example 1 contained an acrylate resin having a low moisture absorption rate, the moisture absorption rate was 1.64 wt% after exposure at 85 ° C and 85% RH for 165 hours, It was confirmed that the peeling between the substrate and the adhesive occurred during the reflow process. This seems to be due to the fact that the adhesive film of Comparative Example 1 contained a low content of biphenyl novolak epoxy resin capable of adjusting the moisture absorption rate of the adhesive, for example, less than about 3% by weight.

또한, 비교예2의 접착 필름은 상대적으로 높은 흡습율을 갖는 아크릴레이트계 수지를 포함하고 에폭시 수지로서 바이페닐 노볼락 에폭시 수지를 포함하지 않음에 따라서, 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출 이후에 흡습율이 1.80 wt%에 달하고, 고온 경화 및 흡습 후 리플로우 과정에서 기판과 접착제 간의 박리 현상이 크게 발생한 점이 확인되었다. 또한, 비교예2의 접착 필름은 다단 적층 과정에서 실제 적용될 수 있는 100℃이상의 고온 조건에 장시간 노출시 기판과 접착층 간의 계면이나 접착층 내부에 보이드(void)가 다수 발생한다는 점이 확인되었다. Further, since the adhesive film of Comparative Example 2 contains an acrylate resin having a relatively high moisture absorption rate and does not contain a biphenyl novolac epoxy resin as an epoxy resin, the adhesive film was exposed at a temperature of 85 DEG C and 85% RH for 165 hours It was confirmed that the moisture absorption rate reached 1.80 wt% and the peeling phenomenon between the substrate and the adhesive occurred significantly during the high temperature curing and the reflow process after moisture absorption. In addition, it was confirmed that the adhesive film of Comparative Example 2 caused many voids at the interface between the substrate and the adhesive layer or inside the adhesive layer when exposed to a high temperature condition of 100 ° C or higher, which can be practically applied in the multi-layer lamination process.

그리고, 비교예3의 접착 필름은 바이페닐 노볼락 에폭시 수지를 포함하였으나, 상대적으로 높은 흡습율을 갖는 아크릴레이트계 수지를 포함함에 따라서, 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출 이후에 흡습율이 1.63 wt%이고, 고온 경화 및 흡습 후 리플로우 과정에서 기판과 접착제 간의 박리 현상이 발생한 점이 확인되었다.The adhesive film of Comparative Example 3 contained a biphenyl novolac epoxy resin, but it contained an acrylate resin having a relatively high moisture absorption rate. Therefore, the moisture absorption rate after exposure at 165 ° C and 85% RH for 165 hours Was 1.63 wt%, and it was confirmed that the peeling between the substrate and the adhesive occurred during the high temperature curing and the reflow process after moisture absorption.

그리고, 비교예4의 접착 필름은 바이페닐 노볼락 에폭시 수지를 25% 초과로 포함하는데, 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출 이후에 흡습율이 1.22 wt%이지만 고온 경화 및 흡습 후 리플로우 과정에서 기판과 접착제 간의 박리 현상이 발생한 점이 확인되었다. 상기 비교예4의 접착 필름의 조성은 응력 완충재료서의 역할을 하는 성분이 충분하지 않아서, 흡습율은 낮아졌지만 경화 후 높은 모듈러스를 갖게 되어 기판과 칩간의 응력완화의 효과를 충분히 구현하지 못한 것으로 보인다. 또한, 비교예4의 접착 필름은 다단 적층 과정에서 실제 적용될 수 있는 100℃이상의 고온 조건에 장시간 노출시 기판과 접착층 간의 계면이나 접착층 내부에 보이드(void)가 다수 발생한다는 점이 확인되었다.The adhesive film of Comparative Example 4 contains a biphenyl novolak epoxy resin in an amount of more than 25%. After 165 hours exposure at 85 ° C and 85% RH, the moisture absorption rate is 1.22 wt%, but after the high temperature curing and moisture absorption, It was confirmed that the peeling phenomenon occurred between the substrate and the adhesive in the process. The composition of the adhesive film of Comparative Example 4 was insufficient in the component serving as the stress buffer material and had a low moisture absorptivity but had a high modulus after curing and could not sufficiently realize the effect of stress relaxation between the substrate and the chip see. In addition, it was confirmed that the adhesive film of Comparative Example 4 had many voids at the interface between the substrate and the adhesive layer or inside the adhesive layer when exposed to a high temperature condition of 100 ° C or higher, which can be practically applied in the multi-layer lamination process.

Claims (23)

85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 흡습율이 1.5중량%이하인 열가소성 수지;
50℃ 내지 100℃의 연화점을 갖는 바이페닐계 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지; 및
페놀 수지를 포함한 경화제;를 포함하고,
고형분 중 상기 바이페닐계 에폭시 수지의 함량이 5 중량% 내지 25중량%인, 반도체 접착용 수지 조성물.
A thermoplastic resin having a moisture absorption rate of 1.5% by weight or less at a temperature of 85 ° C and 85% RH upon exposure for 165 hours;
An epoxy resin comprising a biphenyl-based epoxy resin having a softening point of 50 占 폚 to 100 占 폚; And
A curing agent including a phenol resin,
Wherein the content of the biphenyl-based epoxy resin in the solid content is 5 wt% to 25 wt%.
제1항에 있어서,
상기 바이페닐계 에폭시 수지는 바이페닐 노볼락 에폭시 수지를 포함하는, 반도체 접착용 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the biphenyl-based epoxy resin comprises a biphenyl novolak epoxy resin.
제1항에 있어서,
상기 에폭시 수지는 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 수지를 더 포함하는, 반도체 접착용 수지 조성물.
The method according to claim 1,
The epoxy resin may be at least one selected from the group consisting of bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, tetrafunctional epoxy resin, triphenol methane type epoxy resin, alkyl modified triphenolmethane type epoxy resin, Wherein the resin composition further comprises at least one resin selected from the group consisting of an epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin and a dicyclopentadiene modified phenol type epoxy resin.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 에폭시 수지는 100 내지 5,000의 평균 에폭시 당량을 갖는, 반도체 접착용 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the epoxy resin has an average epoxy equivalent weight of 100 to 5,000.
제1항에 있어서,
상기 페놀 수지는 80 g/eq 내지 300 g/eq의 수산기 당량 및 60℃ 내지 150℃의 연화점을 갖는, 반도체 접착용 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the phenolic resin has a hydroxyl equivalent weight of 80 g / eq to 300 g / eq and a softening point of 60 ° C to 150 ° C.
제1항에 있어서,
상기 열가소성 수지는 폴리이미드, 폴리에테르 이미드, 폴리에스테르 이미드, 폴리아미드, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무 및 (메타)아크릴레이트계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 고분자 수지를 포함하는, 반도체 접착용 수지 조성물.
The method according to claim 1,
The thermoplastic resin may be at least one selected from the group consisting of polyimide, polyether imide, polyester imide, polyamide, polyether sulfone, polyether ketone, polyolefin, polyvinyl chloride, phenoxy, reactive butadiene acrylonitrile copolymer rubber and (meth) Based resin, and at least one polymer resin selected from the group consisting of a polyolefin resin and a polyolefin resin.
제7항에 있어서,
상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -10℃ 내지 20℃의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지인, 반도체 접착용 수지 조성물.
8. The method of claim 7,
Wherein the (meth) acrylate resin is a (meth) acrylate resin having a (meth) acrylate repeating unit containing an epoxy functional group and having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C, Composition.
제8항에 있어서,
상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위 0.1중량% 내지 10중량%를 포함하는, 반도체 접착용 수지 조성물.
9. The method of claim 8,
Wherein the (meth) acrylate resin comprises 0.1 to 10% by weight of a (meth) acrylate repeating unit containing an epoxy functional group.
제1항에 있어서,
상기 에폭시 수지 100중량부 대비 상기 열가소성 수지 50 내지 1,000중량부 및 상기 경화제 30 내지 700중량부를 포함하는, 반도체 접착용 수지 조성물.
The method according to claim 1,
50 to 1,000 parts by weight of the thermoplastic resin and 30 to 700 parts by weight of the curing agent relative to 100 parts by weight of the epoxy resin.
제1항에 있어서,
상기 경화제는 아민계 경화제, 및 산무수물계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 더 포함하는, 반도체 접착용 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the curing agent further comprises at least one compound selected from the group consisting of an amine curing agent and an acid anhydride curing agent.
제1항에 있어서,
인계 화합물, 붕소계 화합물 및 인-붕소계 화합물 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 경화 촉매를 더 포함하는, 반도체 접착용 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the resin composition further comprises at least one curing catalyst selected from the group consisting of phosphorous compounds, boron compounds, phosphorus-boron compounds and imidazole compounds.
제1항에 있어서,
커플링제 및 무기 충진제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함하는, 반도체 접착용 수지 조성물.
The method according to claim 1,
And at least one additive selected from the group consisting of an inorganic filler, a coupling agent, and an inorganic filler.
제1항의 반도체 접착용 수지 조성물의 경화물을 포함한 접착 필름.
An adhesive film comprising the cured product of the resin composition for semiconductor bonding according to claim 1.
제14항에 있어서,
85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 상기 접착 필름의 흡습율이 1.5중량%이하인, 접착 필름.
15. The method of claim 14,
Wherein the moisture absorption rate of the adhesive film at a temperature of 85 ° C and 85% RH for 165 hours is 1.5% by weight or less.
제14항에 있어서,
상기 접착 필름은 1 ㎛ 내지 50 ㎛의 두께를 갖는, 접착 필름.
15. The method of claim 14,
Wherein the adhesive film has a thickness of 1 占 퐉 to 50 占 퐉.
기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층; 및 상기 점착층상에 형성되고 제1의 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 접착층;을 포함한 다이싱 다이본딩 필름.
A base film; An adhesive layer formed on the base film; And an adhesive layer formed on the adhesive layer and including a first resin composition for semiconductor bonding.
제17항에 있어서, 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 상기 접착층의 흡습율이 1.5중량%이하인, 다이싱 다이본딩 필름.
The dicing die-bonding film according to claim 17, wherein the moisture absorption rate of the adhesive layer at a temperature of 85 ° C and 85% RH for 165 hours is 1.5% by weight or less.
제17항에 있어서, 상기 점착층은 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 포함하는, 다이싱 다이본딩 필름.
18. The dicing die-bonding film according to claim 17, wherein the pressure-sensitive adhesive layer comprises an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive or a thermosetting pressure-sensitive adhesive.
제17항에 있어서,
상기 기재 필름은 10 ㎛내지 200 ㎛의 두께를 갖고,
상기 점착층은 10 ㎛ 내지 500 ㎛의 두께를 갖고,
상기 접착층은 1 ㎛ 내지 50 ㎛의 두께를 갖는, 다이싱 다이본딩 필름.
18. The method of claim 17,
The base film has a thickness of 10 to 200 mu m,
The pressure-sensitive adhesive layer has a thickness of 10 탆 to 500 탆,
Wherein the adhesive layer has a thickness of 1 占 퐉 to 50 占 퐉.
제14항의 접착 필름을 매개로 제1반도체 소자와 피착체가 결합하는 구조를 포함한, 반도체 장치.
A semiconductor device comprising a structure in which a first semiconductor element and an adherend are bonded via the adhesive film of claim 14.
제21항에 있어서,
상기 반도체 장치를 100℃ 내지 200℃에서 경화시 상기 접착 필름 및 제1반도체 소자가 접하는 면이나 상기 접착 필름 내부에 발생하는 보이드(void)의 면적이 1%이하인, 반도체 장치.
22. The method of claim 21,
Wherein an area of voids generated in the surface of the adhesive film and the first semiconductor element or in the adhesive film when the semiconductor device is cured at 100 占 폚 to 200 占 폚 is 1% or less.
제21항에 있어서,
상기 피착체는 기판, 절연층 또는 제2반도체 소자인, 반도체 장치.
22. The method of claim 21,
Wherein the adherend is a substrate, an insulating layer, or a second semiconductor element.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102307328B1 (en) 2021-07-14 2021-10-01 제이엔에프주식회사 Uv curable fluorine-containing acrylic adhesive composition having low adhesion and excellent fouling resistant for semiconductor dicing and die bonding integral type die attach film and the method of manufacturing the same

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6615150B2 (en) * 2017-05-01 2019-12-04 古河電気工業株式会社 Adhesive film, semiconductor wafer processing tape, semiconductor package, and manufacturing method thereof
JP6909171B2 (en) * 2018-02-12 2021-07-28 株式会社巴川製紙所 Adhesive sheet for manufacturing semiconductor devices and manufacturing method of semiconductor devices using it
KR102563869B1 (en) * 2018-06-05 2023-08-04 (주)이녹스첨단소재 Anti- electrostatic discharge die attach film, Manufacturing method thereof and Process of dicing wafer
TW202008603A (en) * 2018-07-19 2020-02-16 大陸商東麗先端材料研究開發（中國）有限公司 Semiconductor device and solar cell

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1837317B (en) * 1996-10-08 2010-05-12 日立化成工业株式会社 Semiconductor device, adhesive, and double-sided adhesive film
JP2000230039A (en) * 1998-12-08 2000-08-22 Nitto Denko Corp Semiconductor sealing epoxy resin composition and semiconductor device using same
KR20090075736A (en) 2000-02-15 2009-07-08 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Adhesive Composition, Process for Producing the Same, Adhesive Film Made with the Same, Substrate for Semiconductor Mounting, and Semiconductor Device
JP4691401B2 (en) * 2005-06-22 2011-06-01 株式会社巴川製紙所 Adhesive composition for semiconductor device and adhesive sheet for semiconductor device
US20090230568A1 (en) * 2007-04-10 2009-09-17 Hiroyuki Yasuda Adhesive Film for Semiconductor and Semiconductor Device Therewith
KR101082448B1 (en) * 2007-04-30 2011-11-11 주식회사 엘지화학 Adheisive resin composition and dicing die bonding film using the same
KR101240870B1 (en) * 2008-04-21 2013-03-07 주식회사 엘지화학 Die Attach films and semiconductor wafers
KR20120095879A (en) * 2009-10-29 2012-08-29 니폰 가야꾸 가부시끼가이샤 Curable resin composition for optical semiconductor encapsulation, and cured product of same
JP5530206B2 (en) * 2010-02-03 2014-06-25 積水化学工業株式会社 Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
JP2013038181A (en) 2011-08-05 2013-02-21 Nitto Denko Corp Dicing die-bonding film

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102307328B1 (en) 2021-07-14 2021-10-01 제이엔에프주식회사 Uv curable fluorine-containing acrylic adhesive composition having low adhesion and excellent fouling resistant for semiconductor dicing and die bonding integral type die attach film and the method of manufacturing the same

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