KR101789862B1 - 인쇄용 잉크 조성물 및 이를 이용한 인쇄 방법 - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 인쇄용 잉크 조성물 및 이를 이용한 인쇄방법에 관한 것이다.

Description

인쇄용 잉크 조성물 및 이를 이용한 인쇄 방법 {COMPOSITION FOR PRINTING AND PRINTING METHOD USING THE SAME}
본 명세서는 인쇄용 잉크 조성물 및 이를 이용한 인쇄방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치, 반도체 소자 등의 전자 소자는 기판 상에 수많은 층들의 패턴이 형성되어 제작된다. 이러한 패턴을 형성하기 위해서 지금까지는 포토리소그래피 공정이 주로 많이 사용되어 왔다. 그러나, 포토리소그래피 공정은 소정의 패턴 마스크를 제작해야 하고, 화학적 에칭, 스트립핑 과정을 반복해야 하므로 제작공정이 복잡하고, 환경에 유해한 화학 폐기물을 다량 발생시키는 문제점이 있다. 이는 곧 제작비용의 상승으로 연결되어 제품의 경쟁력을 떨어뜨린다. 이러한 포토리소그래피 공정의 단점을 해결하기 위한 새로운 패턴 형성방법으로서 인쇄롤을 이용한 롤 프린팅 방법이 제안되었다.
롤 프린팅 방법은 다양한 방법이 있지만, 크게 그라비아 인쇄 및 리버스 오프셋 인쇄방법의 2가지로 대별될 수 있다.
그라비아 인쇄는 오목판에 잉크를 묻혀 여분의 잉크를 긁어내고 인쇄를 하는 인쇄방식으로서, 출판용, 포장용, 셀로판용, 비닐용, 폴리에틸렌용 등의 다양한 분야의 인쇄에 적합한 방법으로서 알려져 있으며, 표시 소자에 적용되는 능동 소자나 회로 패턴의 제작에 상기 그라비아 인쇄방법을 적용하기 위한 연구가 이루어지고 있다. 그라비아 인쇄는 전사롤을 이용하여 기판상에 잉크를 전사하기 때문에, 원하는 표시 소자의 면적에 대응하는 전사롤을 이용함으로써, 대면적의 표시 소자의 경우에도, 1회의 전사에 의해 패턴을 형성할 수 있게 된다. 이러한 그라비아 인쇄는 기판상에 레지스트용인 잉크 패턴을 형성할 뿐만 아니라, 표시 소자의 각종 패턴들, 예를 들어 액정 표시 소자의 경우, TFT 뿐만 아니라 상기 TFT와 접속되는 게이트 라인 및 데이터 라인, 화소 전극, 캐패시너용 금속 패턴을 패터닝하는데 사용될 수 있다.
그러나, 통상 그라비아 인쇄에 사용하는 블랭킷은 딱딱한 마스터 몰드에 실리콘계 수지를 캐스팅하여 제조되었는바, 이렇게 제조된 블랭킷은 균일한 두께를 가지도록 제조하는데 한계가 있을 뿐만 아니라, 파일럿 스케일로 양산하는 데도 어려움이 있다. 이에, 정밀한 미세 패턴 형성을 위해서는 주로 리버스 오프셋 인쇄방식이 채용된다.
리버스 오프셋 프린팅 방법은 패턴 형성에 있어서, 비용이 절감되고, 생산속도가 향상된다는 측면에서 매우 각광받는 기술이지만, 정밀한 패턴을 얻기 위해서는 양질의 개선이 필요하다.
대한민국 공개특허공보 제10-2008-0090890호
본 명세서는 인쇄용 잉크 조성물 및 이를 이용한 인쇄 방법을 제공하고자 한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 노블락 수지; 끓는점이 50℃ 이상 100℃ 미만인 제1 용매; 끓는점이 50℃ 이상 100℃ 미만인 제2 용매; 및 끓는점이 180℃ 이상인 제3 용매를 포함하고, 실리콘계 블랭킷을 이용하는 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물을 제공한다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 리버스 오프셋 인쇄 조성물을 실리콘계 블랭킷 상에 코팅하는 단계; 상기 실리콘계 블랭킷 상에 도포된 인쇄 조성물 도막에 클리셰를 접촉하여 일부 도막을 제거하는 단계; 및 상기 실리콘계 블랭킷 상에 남아 있는 리버스 오프셋 인쇄 조성물 도막을 피인쇄체에 전사하는 단계를 포함하는 것인 리버스 오프셋 인쇄방법을 제공한다.
또한, 본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 리버스 오프셋 인쇄 조성물을 포함하는 패턴을 제공한다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 리버스 오프셋 인쇄 조성물을 건조 또는 경화하여 형성된 패턴을 제공한다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 리버스 오프셋 인쇄 조성물을 포함하는 패턴은 레지스트 패턴 또는 절연 패턴일 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 리버스 오프셋 인쇄 조성물을 포함하는 패턴을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
상기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자 조명, 유기 태양 전지, 터치스크린, 디스플레이일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
종래의 리버스 오프셋 인쇄 조성물은 실리콘계 블랭킷의 경도 및 표면 끈적거림(tackiness) 차이에 따라 미세 패턴을 구현하기 어려운 문제점이 있다.
본 명세서의 실시상태들에 따른 리버스 오프셋 인쇄 조성물은, 노블락 수지에 대해 상용성이 상이한 2종 이상의 용매 및 실리콘계 블랭킷에 낮은 스웰링 특성을 가지는 용매를 포함한다. 이를 통하여, 100 ㎛ 이하, 1 ㎛ 이하까지도 미세 패턴이 대면적에서 균일하게 구현 가능하다.
또한, 본 명세서의 몇몇 실시상태에 따른 리버스 오프셋 인쇄 조성물은 인쇄 공정 속도 및 잉크 조성물 두께 변동에도 미세 패턴이 안정적으로 형성된다는 장점이 있다.
도 1은 본 명세서의 일 구현예에 따른 리버스 오프셋 인쇄용 조성물을 이용하여 형성된 선폭 2.5㎛의 미세 패턴을 나타낸 도면이다.
도 2는 비교예 1에 따른 인쇄 결과를 나타낸 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 상세히 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는 노블락 수지; 끓는점이 50℃ 이상 100℃ 미만인 제1 용매; 끓는점이 50℃ 이상 100℃ 미만인 제2 용매; 및 끓는점이 180℃ 이상인 제3 용매를 포함하고, 실리콘계 블랭킷을 이용하는 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물을 제공한다.
상기 실시상태에 따른 리버스 오프셋 인쇄 조성물은, 노블락 수지에 대해 상용성이 상이한 2종 이상의 저비점 용매 및 실리콘계 블랭킷에 낮은 스웰링 특성을 가지는 고비점 용매를 포함한다. 이를 통하여, 100 ㎛ 이하, 1 ㎛ 이하까지도 미세 패턴이 대면적에서 균일하게 구현 가능하고, 인쇄 공정 속도 및 잉크 조성물 두께 변동에도 미세 패턴이 안정적으로 형성된다는 장점이 있다.
본 명세서의 리버스 오프셋 인쇄 조성물은 제1 용매, 제2 용매 및 제3 용매를 함께 사용하는데, 이 중 제1 용매는 인쇄 조성물의 응집력을 낮추어 오프 공정 중 패턴 형성을 용이하게 해주며, 블랭킷에 순간적으로 흡수되어 인쇄 조성물 패턴이 블랭킷 상에 유지될 수 있도록 할 수 있다. 제1 용매와 노블락 수지와의 비상용성으로 인하여 인쇄 도막 내부의 인력이 감소하고, 이로 인해 도막의 응집력 저하가 발생된다. 응집력이 낮을수록 클리셰 접촉 시 인쇄 도막으로 전달된 전단력이 도막을 쉽게 분리하여 미세 패턴 구현이 용이하게 된다.
또한, 빠른 휘발 속도로 인해 상기 제1 용매가 블랭킷 내부에 누적되지 않아 연속 인쇄 특성의 저하를 방지한다.
인쇄 공정 중 미세선이 구현되지 않는 이유는 오프 공정 시 클리셰의 음각에 대응하는 인쇄 조성물 패턴이 블랭킷 상에 남아있지 않고 클리셰 상으로 전면 전사되기 때문이며 이런 현상의 원인은 블랭킷과 인쇄 조성물 사이의 밀착력이 부족하기 때문이다.
인쇄 조성물 내 일부 용매가 오프 공정 시 블랭킷으로 빠르게 흡수될 경우 블랭킷과 인쇄 조성물 패턴 사이의 밀착력이 증가하여 미세선 구현 특성이 개선된다. 또한, 흡수된 용매가 휘발에 의해 블랭킷 내부에서 쉽게 빠져나와 연속 인쇄 특성이 개선된다.
제2 용매는 인쇄 조성물이 블랭킷 상에 도포될 때까지 인쇄 조성물의 낮은 점도 및 블랭킷에 대한 우수한 도포성을 유지하도록 하다가, 휘발에 의해 제거되어 인쇄 조성물의 점도를 높이고 블랭킷 상에서의 패턴 형성 및 유지가 잘 이루어지도록 할 수 있다.
한편, 제3 용매는 비교적 낮은 휘발성을 나타내는 용매로서, 피인쇄체에 패턴을 전사할 때까지 인쇄 조성물에 끈적거림(tackiness)을 부여할 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 노블락 수지는 상기 제1 용매에 불용성이고, 상기 제1 용매는 하기 수학식 1을 만족하는 실리콘계 블랭킷에 대한 스웰링 파라미터가 10% 이상인 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물을 제공한다.
본 명세서의 스웰링 파라미터란, 용매에 대한 실리콘계 블랭킷의 팽윤 정도를 측정한 수치이다. 구체적으로, 지름 4.8 cm 크기의 페트리디쉬(Petri dish)에 실리콘계 블랭킷, 예를들면 PDMS (polydimethylsiloxane) 7 g을 부은 후, 상온에서 24시간, 60 ℃에서 24시간 경화한다. 그 후, 경화된 PDMS를 페트리디쉬에서 뜯어낸 후 용매에 20분간 담지한 후, 담지된 PDMS 시편을 꺼내고 30 내지 40초 이내에 표면에 남아 있는 잔류 용매를 제거하여 전자저울을 이용하여 스웰링에 의한 PDMS의 무게 변화를 측정한 것으로서, 상기 스웰링 파라미터는 하기 수학식 1로 나타낼 수 있다.
[수학식 1]
스웰링 파라미터(%) = {(담지 후 실리콘계 블랭킷의 무게 / 담지 전 실리콘 블랭킷의 무게) - 1} × 100
상기 제1 용매가 노블락 수지에 불용성을 가질 경우, 인쇄 도막 내부의 인력이 감소하고 이로 인해 인쇄 도막의 응집력이 저하된다. 인쇄 도막의 응집력이 낮을수록 클리셰 접촉 시 인쇄 도막으로 전달된 전단력이 인쇄 도막을 쉽게 분리하여 패턴 구현이 용이해진다.
상기 실리콘계 블랭킷에 대한 스웰링 파라미터가 상기 수치범위 내인 경우, 상기 용매가 상기 실리콘계 블랭킷 내부로 순간적으로 흡수되어 인쇄 조성물과 상기 실리콘계 블랭킷 사이의 밀착력이 증가되어 오프 공정 시 인쇄 조성물 패턴이 상기 실리콘계 블랭킷 상에 유지될 수 있도록 할 수 있다. 이와 같은 이유로, 상기 실리콘계 블랭킷에 대한 스웰링 파라미터는 클수록 좋다.
본 명세서의 상기 블랭킷에 대한 스웰링 파라미터에 관한 수치범위는 상기 블랭킷의 재료와 밀접한 관계를 갖는다. 따라서, 상기 수치범위는 상기 블랭킷이 실리콘계 재료인 경우에 적합하게 적용될 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 제1 용매는 20℃에서 증기압이 10kPa 이상 25kPa 이하일 수 있다. 상기 제1 용매의 증기압이 20℃에서 10kPa 미만일 경우, 용매의 휘발 속도가 감소하여 상기 실리콘계 블랭킷 내부로 상기 용매의 누적 속도가 증가함에 따라 연속 인쇄 특성이 저하된다. 제1 용매의 증기압이 20 ℃에서 25kPa를 초과할 경우, 코팅 후 인쇄 조성물 도막에서 상기 용매가 급격하게 휘발되어 상기 실리콘계 블랭킷으로의 흡수량이 급격하게 감소하고, 이에 따라 상기 실리콘계 블랭킷과 인쇄 조성물 도막 사이의 밀착력이 충분히 확보되지 않는 문제가 발생한다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 노블락 수지는 상기 제2 용매에 용해성이고, 상기 제2 용매는 20℃에서 증기압이 1kPa 이상 25kPa 이하일 수 있다.
본 명세서의 증기압이란, 증기가 고체 또는 액체와 동적 평형 상태에 있을 때 증기의 압력을 의미한다.
상기 노블락 수지가 상기 제2 용매에 용해성을 가질 경우, 인쇄 조성물의 상용성이 증대되어 보관 안정성이 향상되며, 제1 용매 적용에 따른 인쇄 도막의 과도한 응집력 저하를 방지하여 인쇄 도막의 파일링 현상을 억제할 수 있다. 파일링 현상이란 오프 공정을 통해 인쇄 도막이 상하로 분리되는 현상을 의미한다.
상기 제2 용매의 증기압이 20 ℃에서 1kPa 미만인 경우, 인쇄 도막 내의 용매 잔류량이 증가하여 선폭이 증가하는 문제가 발생하며, 상기 제2 용매의 증기압이 20 ℃에서 25kPa를 초과하는 경우, 인쇄 도막의 점도가 과도하게 증가함에 따라 코팅 특성이 저하되는 문제가 발생한다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 제3 용매는 용해도 상수가 10 (cal.cm)1/2 이상 14 (cal.cm)1/2 이하일 수 있다.
상기 제3 용매의 용해도 상수가 상기 범위일 경우, 상기 노블락 수지와의 상용성이 높기 때문에, 블랭킷 상에 도포된 인쇄 도막에 끈적거림(tackiness)을 부여할 수 있다.
이와 같이 도막의 끈적거리는 특성으로 인하여, 상기 도막과 클리셰와의 밀착력이 증가되어 클리셰에 의하여 일부 도막을 분리하여 제거할 때, 도막의 분리되어야 하는 영역과 분리되지 않아야 하는 영역 간의 경계에서 패턴 뜯김 현상 없이 정밀한 패턴을 구현할 수 있다.
본 명세서에서 용해도 상수란 용해도의 척도로서, 힐데브란트(Hildebrand) 용해도 상수를 참고하였다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 제3 용매는 실리콘계 블랭킷에 대한 스웰링 파라미터가 0.1 % 이하일 수 있다. 제3 용매의 스웰링 파라미터가 0.1 % 이하일 경우, 블랭킷의 팽윤현상 및 형태변형이 최소화 되는 장점이 있다.
본 명세서의 또 다른 상태에 있어서, 상기 제3 용매는 20℃에서 증기압이 0.02 kPa 이하인 디올계 용매일 수 있다.
상기 제3 용매의 증기압이 20 ℃에서 상기 수치범위 내인 경우, 잉크 도막의 증발속도가 감소하여 도포 후 피인쇄체에 패턴을 전사할 때까지의 시간이 증가하더라도 인쇄 조성물에 끈적거림(tackiness)을 부여할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시상태에 있어서, 상기 노블락 수지는 중량평균분자량이 1,500 g/mol 내지 20,000 g/mol 일 수 있다. 중량평균분자량이 1,500 g/mol 미만일 경우, 내화학성이 확보되지 않아 에칭 공정 중 레지스트 도막에 크랙 및 박리가 일어날 수 있으며, 중량 평균 분자량이 20,000 g/mol 초과인 경우 경화 조건에 따라 박리액에 대한 용해성이 저하될 수 있다.
상기 노블락 수지는 페놀계 화합물과 알데히드계 화합물의 축합반응을 통하여 제조될 수 있다. 상기 페놀계 화합물로는 당 기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있으며, 예컨대 m-크레졸, o-크레졸, p-크레졸, 2,5-자이레놀, 3,4-자이레놀, 3,5-자이레놀 및 2,3,5-트리메틸페놀로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나가 사용될 수 있다. 상기 알데히드계 화합물로는 당기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있으며, 예컨대 포름알데히드, 파라포름알데히드, 아세토알데히드, 벤즈알데히드, 페닐알데히드 및 살리실알데히드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나가 사용될 수 있다. 상기 노블락 수지는 본 발명의 목적을 해하지 않는 범위에서 임의의 공단량체를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 용매는 시클로헥산; n-헥산; 및 클로로포름으로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상을 포함할 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 제2 용매는 디메틸카보네이트; 메틸에틴케톤; 메탄올; 아세톤; 이소프로필알코올; 에틸아세테이트; 아세토니트릴; 테트라히드로퓨란; 1-프로판올; 1,2-디메톡시에탄; 및 에탄올로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상을 포함할 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 디올계 제3 용매는 에틸렌글리콜; 프로필렌글리콜; 1,3-프로판디올; 1,3-부탄디올; 2,3-부탄디올; 1,4-부탄디올; 1,3-펜타디올; 1,4-펜타디올; 1,5-펜타디올; 2,4-펜타디올; 1,2-헥산디올; 1,3-헥산디올; 1,4-헥산디올; 1,5-헥산디올; 1,6-헥산디올; 2,3-헥산디올; 2,4-헥산디올; 2,5-헥산디올; 및 3,4-헥산디올로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물은 상기 노블락 수지 5 내지 20 중량%; 상기 제1 용매 10 내지 80 중량%; 상기 제2 용매 10 내지 80 중량%; 및 상기 제3 용매 1 내지 10 중량%를 포함할 수 있다.
상기 노블락 수지의 함량이 상기 범위인 경우, 상기 노블락 수지를 포함하는 리버스 오프셋 인쇄 조성물의 저장 안정성에 문제가 발생하지 않으며, 균일한 도포가 가능 하다. 구체적으로, 상기 노블락 수지의 함량이 5 중량% 이상인 경우, 점도가 과도하게 낮아지는 것을 방지하여 도포시 토출량 조절이 쉽다. 또한, 상기 노블락 수지의 함량이 20 중량% 이하인 경우, 리버스 오프셋 인쇄 조성물 내에 포함되어 있는 용매에 대한 용해도가 낮아지는 것을 방지하여 장기간 저장시에도 침전발생을 방지할 수 있고, 용액의 점도가 지나치게 증가하는 것을 방지하여 균일한 도포가 가능하다.
상기 제1 용매의 함량이 상기 범위인 경우, 미세 패턴 구현 특성이 개선되고 인쇄 도막의 파일링 현상을 방지한다. 구체적으로, 상기 제1 용매의 함량이 10 중량% 이상인 경우, 상기 실리콘계 블랭킷과 인쇄 도막간의 밀착력을 증가시키고, 인쇄 도막의 응집력을 감소시켜 미세 패턴의 구현 특성이 개선된다. 상기 제1 용매의 함량이 80 중량% 이하인 경우, 인쇄 조성물의 보관 안정성이 향상되고 인쇄 도막의 과도한 응집력 저하 현상을 억제하여 파일링 현상의 발생을 방지한다.
또한, 상기 제2 용매의 함량이 상기 범위인 경우, 리버스 오프셋 인쇄 조성물의 미세 패턴 구현이 가능하며, 균일한 도포 또한 가능하다. 구체적으로, 상기 제1 용매의 함량이 10 중량% 이상인 경우, 점도가 과도하게 증가하는 것을 방지하여 균일한 도포가 가능하다. 또한, 도포 후 대기 시간이 증대되는 문제가 발생하는 것을 방지한다. 상기 제1 용매의 함량이 80 중량%를 이하인 경우, 점도가 과도하게 낮아지는 것을 방지하여, 도포시의 토출량 조절이 용이하여 인쇄 대기 마진이 향상된다.
상기 제3 용매의 함량이 상기 범위인 경우, 인쇄 대기 마진 및 연속 인쇄가 우수하다. 상기 제3 용매의 함량이 1 중량% 이상인 경우, 도포 후 오프(off) 공정 사이, 또는 오프 공정 후 셋(set) 공정 사이에 형성된 도막의 건조가 급격하게 일어나는 것을 방지하여 패턴이 잘 구현된다. 또한, 상기 제3 용매의 함량이 10 중량%를 이하인 경우, 도막 내에 용매가 과도하게 잔류하는 것을 방지하여 패턴의 선폭이 증가하는 문제를 방지할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물은 계면활성제 및 밀착력 개선제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물은 상기 계면활성제를 전체 리버스 오프셋 인쇄 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 1 중량%로 포함할 수 있다. 상기 계면활성제는 통상적인 레벨링제, 습윤제 및 슬립제가 가능하며, 구체적으로 실리콘계, 불소계 또는 폴리에테르계 계면활성제를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 계면활성제의 함량이 상기 범위인 경우, 균일한 도포가 가능하고, 패턴 구현성이 우수한 장점이 있다. 구체적으로, 상기 계면활성제의 함량이 0.01 중량% 이상인 경우, 상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물의 표면에너지가 충분히 낮아지므로, 도포시 핀홀 및 줄 얼룩이 발생하는 문제를 해결할 수 있다. 또한, 상기 계면활성제의 함량이 1 중량% 이하인 경우 리버스 오프셋 인쇄 조성물 내에 기포가 발생하는 것을 방지하여 도포시 혜성(comet) 얼룩이 발생하는 문제를 해결할 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 따르면, 상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물은 상기 밀착력 개선제를 전체 리버스 오프셋 인쇄 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 1.5 중량%로 포함할 수 있다. 상기 밀착력 개선제로는 멜라민계, 스타이렌계 또는 아크릴계 올리고머 또는 폴리머를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 올리고머 또는 폴리머의 중량평균분자량은 5,000 g/mol 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 올리고머 또는 폴리머의 중량평균분자량은 3,000 g/mol 이하일 수 있다. 더욱 구체적으로, 1,000 g/mol 이하일 수 있다.
상기 밀착력 개선제의 함량이 상기 범위인 경우, 패턴의 미락력, 내열성 및 내화학성이 우수하다. 구체적으로, 상기 밀착력 개선제의 함량이 0.01 중량% 이상인 경우 도막의 밀착력이 충분히 확보되어, 기판에서 패턴이 떨어지는 문제를 방지할 수 있다. 또한, 상기 밀착력 개선제의 함량이 1.5 중량% 이하인 경우 저장 안정성이 낮아지는 문제를 방지할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시상태에 따르면, 상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물은 계면활성제 및 밀착력 개선제를 모두 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 블랭킷의 경도는 쇼어 20 내지 70일 수 있다. 본 명세서의 몇몇 실시상태에 따르면, 상기 실리콘계 블랭킷이란 블랭킷의 외주부가 실리콘계 재료로 이루어진 것을 의미한다. 상기 실리콘계 재료란 실리콘을 포함하면서 경화성 기를 포함하는 재료라면 특별히 한정되지 않으나, 경도가 20 내지 70일 수 있고, 구체적으로는 경도가 30 내지 60일 수 있다. 상기 경도는 쇼어 A 경도(Shore A hardness)를 의미한다. 상기 경도 범위 내의 실리콘계 재료를 이용하면, 블랭킷의 변형이 적절한 범위 내에서 이루어질 수 있다. 블랭킷 경도가 20 이상일 경우 블랭킷으로부터 클리셰에 의하여 인쇄 조성물 도막의 일부를 제거하는 오프 공정 중, 블랭킷의 변형에 의하여 클리셰의 음각부에 블랭킷의 일부가 닿는 현상이 발생하는 것을 방지하여 패턴 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 블랭킷 재료의 선택 용이성을 고려하여 경도가 70 이하인 재료를 선택할 수 있다.
예컨대, 상기 실리콘계 블랭킷 재료로서 PDMS (polydimethylsiloxane) 계 경화성 재료를 사용할 수 있다. 본 발명의 목적을 해하지 않는 범위 내에서 상기 블랭킷 재료에 당기술분야에 알려져 있는 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시상태에 따르면, 상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물은 레지스트 패턴 또는 절연 패턴 형성용일 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 따르면, 상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물을 실리콘계 블랭킷 상에 코팅하는 단계; 상기 실리콘계 블랭킷 상에 도포된 인쇄 조성물 도막에 클리셰를 접촉하여 일부 도막을 제거하는 단계; 및 상기 실리콘계 블랭킷 상에 남아 있는 리버스 오프셋 인쇄 조성물 도막을 피인쇄체에 전사하는 단계를 포함하는 것인 리버스 오프셋 인쇄방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 리버스 오프셋 인쇄방법은 i) 인쇄 조성물을 블랭킷에 도포하는 단계; ii) 형성하고자 하는 패턴에 대응하는 패턴이 음각으로 형성된 클리셰를 상기 블랭킷에 접촉시켜, 상기 패턴에 대응하는 인쇄 조성물의 패턴을 상기 블랭킷 상에 형성하는 단계; 및 iii) 상기 블랭킷 상의 인쇄 조성물 패턴을 피인쇄체 상에 전사하는 단계를 포함할 수 있다. 이 때, 블랭킷의 외주부는 실리콘계 재료로 구성된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 리버스 오프셋 인쇄방법은 상기 피인쇄체에 전사된 인쇄 조성물을 건조 또는 경화하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기의 건조 또는 경화하는 단계는, 공정온도는 상온 내지 350 ℃에서 선택될 수 있으며, 바인더 수지에 따라 건조 또는 경화 온도는 상온 내지 350 ℃, 구체적으로는 50 ℃ 내지 300 ℃ 내에서 선택될 수 있다. 건조 또는 경화 시간은 조성물의 성분 및 조성, 가공 온도에 따라 선택될 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물 도막은 100 ㎛ 이하의 선폭을 갖는 패턴을 포함할 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물 도막은 1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 선폭을 갖는 패턴을 포함할 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태는, 상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물을 건조 또는 경화하여 형성된 패턴을 포함할 수 있다.
구체적으로, 본 명세서의 몇몇 실시상태에 있어서, 상기 패턴은 레지스트 패턴 또는 절연 패턴일 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 패턴은 100 ㎛ 이하의 선폭을 가질 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 패턴은 1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 선폭을 가질수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 리버스 오프셋 인쇄 조성물을 포함하는 패턴을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
상기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자 조명, 유기 태양 전지, 터치스크린, 디스플레이일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위하여 실시예를 들어 상세히 설명한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
표 1은 각각의 용매의 끓는점 (B.P; Boiling Point, ℃), 증기압 (kPa at 20 ℃) 및 노블락 수지에 대한 용해성을 나타낸 것이다.
각각의 실시예 및 비교예에 따른 물질 조성을 표 2에 나타내었다.
각각의 실시예 및 비교예에 따른 특성을 표 3에 나타내었다.
[ 실시예 1]
제1 용매로서 시클로헥산 42 g, 제2 용매로서 아세톤 42 g, 제3 용매로서 1,4-부탄다이올 5 g을 혼합한 후, m-크레졸과 p-크레졸 중량비 5:5를 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량 2,000인 노블락 수지 10g, 밀착개선제로서 피로갈롤 0.5g, 계면활성제로서 Tego 社 Glide-410 0.5g을 용해시켰다. 그 후, 1 ㎛ 크기의 필터로 여과하여 인쇄 조성물을 제조하였다. 상기 방법으로 제조한 인쇄 조성물을 실험예 1 내지 8의 방법으로 잉크 상용성, 10 ㎛ 패턴 구현성, 2.5 ㎛ 패턴 구현성, 2.5 ㎛ 선폭, 도포두께 마진, OFFSET 속도 마진, 연속인쇄 특성, 코팅 특성 및 내 에칭 특성을 평가하였다.
도 1은 실시예 1에 따라 형성된 선폭 2.5 ㎛의 패턴을 나타낸 도면이다.
[ 실시예 2]
제1 용매로서 시클로헥산 42 g, 제2 용매로서 메틸에틸케톤 42 g, 제3 용매로서 1,4-부탄다이올 5 g을 혼합한 후, m-크레졸과 p-크레졸 중량비 5:5를 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량 2,000인 노블락 수지 10g, 밀착개선제로서 피로갈롤 0.5g, 계면활성제로서 Tego 社 Glide-410 0.5g을 용해시켰다. 그 후, 1 ㎛ 크기의 필터로 여과하여 인쇄 조성물을 제조하였다. 상기 방법으로 제조한 인쇄 조성물을 실시예 1과 동일한 방법으로 특성을 평가하였다.
[ 실시예 3]
제1 용매로서 n-헥산 42 g, 제2 용매로서 아세톤 42 g, 제3 용매로서 1,4-부탄다이올 5 g을 혼합한 후, m-크레졸과 p-크레졸 중량비 5:5를 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량 2,000인 노블락 수지 10g, 밀착개선제로서 피로갈롤 0.5g, 계면활성제로서 Tego 社 Glide-410 0.5g을 용해시켰다. 그 후, 1 ㎛ 크기의 필터로 여과하여 인쇄 조성물을 제조하였다. 상기 방법으로 제조한 인쇄 조성물을 실시예 1과 동일한 방법으로 특성을 평가하였다.
실시예 3의 경우 코팅 특성을 제외하곤, 실시예 1과 동일한 특성을 나타냈다.
[ 실시예 4]
제1 용매로서 시클로헥산 21 g, 제2 용매로서 아세톤 63 g, 제3 용매로서 1,4-부탄다이올 5 g을 혼합한 후, m-크레졸과 p-크레졸 중량비 5:5를 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량 2,000인 노블락 수지 10g, 밀착개선제로서 피로갈롤 0.5g, 계면활성제로서 Tego 社 Glide-410 0.5g을 용해시켰다. 그 후, 1 ㎛ 크기의 필터로 여과하여 인쇄 조성물을 제조하였다. 상기 방법으로 제조한 인쇄 조성물을 실시예 1과 동일한 방법으로 특성을 평가하였다.
[ 비교예 1]
제2 용매로서 아세톤 84 g, 제3 용매로서 1,4-부탄다이올 5 g을 혼합한 후, m-크레졸과 p-크레졸 중량비 5:5를 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량 2,000인 노블락 수지 10g, 밀착개선제로서 피로갈롤 0.5g, 계면활성제로서 Tego 社 Glide-410 0.5g을 용해시켰다. 그 후, 1 ㎛ 크기의 필터로 여과하여 인쇄 조성물을 제조하였다. 상기 방법으로 제조한 인쇄 조성물을 실시예 1과 동일한 방법으로 특성을 평가하였다.
도 2는 비교예 1에 따른 인쇄 결과를 나타낸 것이다. 구체적으로, 도 1은 2.5 ㎛ 미세 패턴이 정상적으로 구현되지 않았으며, 단선 영역에서 패턴의 말림 현상이 발생하였다.
[ 비교예 2]
제1 용매로서 시클로헥산 84 g, 제3 용매로서 1,4-부탄다이올 5 g을 혼합한 후, m-크레졸과 p-크레졸 중량비 5:5를 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량 2,000인 노블락 수지 10g, 밀착개선제로서 피로갈롤 0.5g, 계면활성제로서 Tego 社 Glide-410 0.5g을 용해시켰다. 그 후, 1 ㎛ 크기의 필터로 여과하여 인쇄 조성물을 제조하였다. 상기 방법으로 제조한 인쇄 조성물을 실시예 1과 동일한 방법으로 특성을 평가하였다.
비교예 2의 경우 잉크 상용성 및 코팅 불량으로 인하여 인쇄 패턴이 구현되지 않았다.
[ 비교예 3]
제1 용매로서 톨루엔 42 g, 제2 용매로서 아세톤 42 g, 제3 용매로서 1,4-부탄다이올 5 g을 혼합한 후, m-크레졸과 p-크레졸 중량비 5:5를 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량 2,000인 노블락 수지 10g, 밀착개선제로서 피로갈롤 0.5g, 계면활성제로서 Tego 社 Glide-410 0.5g을 용해시켰다. 그 후, 1 ㎛ 크기의 필터로 여과하여 인쇄 조성물을 제조하였다. 상기 방법으로 제조한 인쇄 조성물을 실시예 1과 동일한 방법으로 특성을 평가하였다.
[ 비교예 4]
제1 용매로서 시클로헥산 42 g, 제 2 용매로서 피리딘 42 g, 제3 용매로서 1,4-부탄다이올 5 g을 혼합한 후, m-크레졸과 p-크레졸 중량비 5:5를 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량 2,000인 노블락 수지 10g, 밀착개선제로서 피로갈롤 0.5g, 계면활성제로서 Tego 社 Glide-410 0.5g을 용해시켰다. 그 후, 1 ㎛ 크기의 필터로 여과하여 인쇄 조성물을 제조하였다. 상기 방법으로 제조한 인쇄 조성물을 실시예 1과 동일한 방법으로 특성을 평가하였다.
[ 비교예 5]
제1 용매로서 시클로헥산 38.5 g, 제 2 용매로서 아세톤 38.5 g, 제3 용매로서 1,4-부탄다이올 12 g을 혼합한 후, m-크레졸과 p-크레졸 중량비 5:5를 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량 2,000인 노블락 수지 10g, 밀착개선제로서 피로갈롤 0.5g, 계면활성제로서 Tego 社 Glide-410 0.5g을 용해시켰다. 그 후, 1 ㎛ 크기의 필터로 여과하여 인쇄 조성물을 제조하였다. 상기 방법으로 제조한 인쇄 조성물을 실시예 1과 동일한 방법으로 특성을 평가하였다.
[ 비교예 6]
제1 용매로서 시클로헥산 42 g, 제 2 용매로서 아세톤 42 g, 제3 용매로서 1,4-부탄다이올 5 g을 혼합한 후, m-크레졸과 p-크레졸 중량비 5:5를 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량 2,000인 노블락 수지 10.5 g, 계면활성제로서 Tego 社 Glide-410 0.5 g을 용해시켰다. 그 후, 1 ㎛ 크기의 필터로 여과하여 인쇄 조성물을 제조하였다. 상기 방법으로 제조한 인쇄 조성물을 실시예 1과 동일한 방법으로 특성을 평가하였다.
[ 비교예 7]
제1 용매로서 시클로헥산 42 g, 제 2 용매로서 아세톤 42 g, 제3 용매로서 1,4-부탄다이올 5 g을 혼합한 후, m-크레졸과 p-크레졸 중량비 5:5를 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량 2,000인 노블락 수지 10.5g, 밀착개선제로서 피로갈롤 0.5g을 용해시켰다. 그 후, 1 ㎛ 크기의 필터로 여과하여 인쇄 조성물을 제조하였다. 상기 방법으로 제조한 인쇄 조성물을 실시예 1과 동일한 방법으로 특성을 평가하였다.
비교예 7의 경우 잉크 상용성 및 코팅 불량으로 인하여 인쇄 패턴이 미구현되었다.
[실험예 1] 잉크 상용성
상기 실시예 1~4 와 비교예 1~7 를 상온에서 24 시간 방치 후 침전물 또는 상분리 현상을 육안 관찰하였다. 침전물 또는 상분리 현상이 발생하지 않을 경우 O, 발생하였을 경우 X 로 표기하였다.
[실험예 2] 10 ㎛ 패턴 구현성
상기 실시예 1~4 와 비교예 1~7 를 실리콘계 블랭킷 상에 100mm/s 속도로 도포하여 건조 전 두께가 3 ㎛인 도막을 형성하였다. 10 ㎛ 선폭의 음각 메쉬 패턴을 갖는 680 X 880mm 크기의 클리쉐를 이용하여 OFFSET 속도 100mm/sec, 인압 50 ㎛ 조건으로 전사하여 피인쇄 기재 상에 인쇄 조성물 패턴을 형성하였다. 10 ㎛ 패턴구현성의 기준은 다음과 같다.
A: 680X880mm 전 영역에 10 ㎛ 패턴 구현
B: 680X880mm 90% 이상 영역에 10 ㎛ 패턴 구현
C: 680X880mm 70% 이상 영역에 10 ㎛ 패턴 구현
D: 680X880mm 70% 미만 영역에 10 ㎛ 패턴 구현
[실험예 3] 2.5 ㎛ 패턴 구현성
상기 실시예 1~4 와 비교예 1~7 를 실리콘계 블랭킷 상에 100mm/s 속도로 도포하여 건조 전 두께가 3 ㎛인 도막을 형성하였다. 2.5 ㎛ 선폭의 음각 메쉬 패턴을 갖는 680 X 880mm 크기의 클리쉐를 이용하여 OFFSET 속도 100mm/sec, 인압 50 ㎛ 조건으로 전사하여 피인쇄 기재 상에 인쇄 조성물 패턴을 형성하였다. 2.5 ㎛ 패턴 구현성의 기준은 다음과 같다.
A: 680X880mm 전 영역에 2.5 ㎛ 패턴 구현
B: 680X880mm 90% 이상 영역에 2.5 ㎛ 패턴 구현
C: 680X880mm 70% 이상 영역에 2.5 ㎛ 패턴 구현
D: 680X880mm 70% 미만 영역에 2.5 ㎛ 패턴 구현
[실험예 4] 선폭 측정
상기 실시예 1~4 와 비교예 1~7 를 실리콘계 블랭킷 상에 100mm/s 속도로 도포하여 건조 전 두께가 3 ㎛인 도막을 형성하였다. 2.5 ㎛ 선폭의 음각 메쉬 패턴을 갖는 680 X 880mm 크기의 클리쉐를 이용하여 OFFSET 속도 100mm/sec, 인압 50 ㎛ 조건으로 전사하여 피인쇄 기재 상에 인쇄 조성물 패턴을 형성하였다. 상기 피인쇄 기재 상에 형성된 패턴을 광학 현미경으로 관찰하고 선폭을 측정하였다.
[실험예 5] 도포 두께 마진
상기 실시예 1~4 와 비교예 1~7 를 실리콘계 블랭킷 상에 100mm/s 속도로 도포하여 건조 전 두께가 1.5~4.5 ㎛인 도막을 형성하였다. 건조 전 도막의 두께는 인쇄 조성물의 토출량을 조정하여 형성하였다. 건조 전 도막의 두께를 달리하고 2.5 ㎛ 선폭의 음각 메쉬 패턴을 갖는 680 X 880mm 크기의 클리쉐를 이용하여 OFFSET 속도 100mm/sec, 인압 50 ㎛ 조건으로 전사하였을 때 피인쇄 기재 상에 형성된 2.5 ㎛ 패턴의 구현 특성이 유지되는 도포 두께의 범위를 확인하였다.
[실험예 6] OFFSET 속도 마진
상기 실시예 1~4 와 비교예 1~7 를 실리콘계 블랭킷 상에 50~150mm/s 속도로 도포하여 건조 전 두께가 3 ㎛인 도막을 형성하였다. 2.5 ㎛ 선폭의 음각 메쉬 패턴을 갖는 680 X 880mm 크기의 클리쉐를 이용하여 OFFSET 속도를 도포 속도와 동일하게 적용한 후, 인압 50 ㎛ 조건으로 전사하였을 때 피인쇄 기재 상에 형성된 2.5 ㎛ 패턴의 구현 특성이 유지되는 OFFSET 속도 범위를 확인하였다.
[실험예 7] 연속인쇄 특성
상기 실시예 1~4 와 비교예 1~7 를 실리콘계 블랭킷 상에 100mm/s 속도로 도포하여 건조 전 두께가 3 ㎛인 도막을 형성하였다. 2.5 ㎛ 선폭의 음각 메쉬 패턴을 갖는 680 X 880mm 크기의 클리쉐를 이용하여 OFFSET 속도 100mm/sec, 인압 50 ㎛ 조건으로 전사하여 피인쇄 기재 상에 인쇄 조성물 패턴을 형성하였다. 상기 공정을 60 초 단위로 반복적으로 수행하고 상기 피인쇄 기재 상에 형성된 패턴을 광학 현미경을 이용하여 선폭을 측정하였다. 초기 인쇄 선폭 대비 선폭이 10% 이상 증가되는 인쇄 매수를 확인하였다.
[실험예 8] 코팅 특성
상기 실시예 1~4 와 비교예 1~7 를 실리콘계 블랭킷 상에 100mm/s 속도로 도포하여 건조 전 두께가 3 ㎛인 도막을 형성하였다. 크롬이 전면 도금된 680 X 880mm 크기의 유리 기재에 상기 인쇄 조성물 도막을 전면 전사한 후 육안 관찰을 통해 코팅 특성을 확인하였다. 코팅 특성의 기준은 다음과 같다.
A: 언코팅 및 comet 미 관찰
B: 인쇄 초단부 언코팅 관찰
C: 인쇄 초,중단부 언코팅 및 comet 관찰,
D: 전면 언코팅
용매 B.P (℃) 증기압
(kPa at 20 ℃)		 노블락 수지 용해성
Acetone 56.50 24.46 O
Chloroform 61.20 21.08 X
Ethyl acetate 64.70 13.02 O
Methanol 64.70 13.02 O
THF 66.00 19.07 O
n-hexane 68.50 17.60 X
Ethanol 78.40 5.95 O
MEK 79.64 9.87 O
Cyclohexane 80.70 10.26 X
Acetonitrile 81.30 9.71 O
IPA 82.60 4.23 O
1,2-Dimethoxyethane 85.00 6.40 O
Dimethyl carbonate 90.00 5.60 O
1-Propanol 98.00 1.73 O
Toluene 111.00 2.93 X
Pyridine 115.20 2.13 O
노블락
수지
(g)		 제1 용매
(g)		 제2 용매
(g)		 제3 용매
(g)		 밀착개선제
(g)		 계면활성제
(g)
실시예1 10 시클로헥산
42		 아세톤
42		 1,4-부탄다이올
5		 0.5 0.5
실시예2 10 시클로헥산
42		 메틸에틸케톤
42		 1,4-부탄다이올
5		 0.5 0.5
실시예3 10 n-헥산
42		 아세톤
42		 1,4-부탄다이올
5		 0.5 0.5
실시예4 10 시클로헥산
21		 아세톤
63		 1,4-부탄다이올
5		 0.5 0.5
비교예1 10 - 아세톤
84		 1,4-부탄다이올
5		 0.5 0.5
비교예2 10 톨루엔
84		 - 1,4-부탄다이올
5		 0.5 0.5
비교예3 10 톨루엔
42		 아세톤
42		 1,4-부탄다이올
5		 0.5 0.5
비교예4 10 시클로헥산
42		 피리딘
42		 1,4-부탄다이올
5		 0.5 0.5
비교예5 10 시클로헥산
38.5		 아세톤
38.5		 1,4-부탄다이올
12		 0.5 0.5
비교예6 10.5 시클로헥산
42		 아세톤
42		 1,4-부탄다이올
5		 - 0.5
비교예7 10.5 시클로헥
42		 아세톤
42		 1,4-부탄다이올
5		 0.5 -
실시예1 실시예2 실시예 3 실시예 4 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4 비교예 5 비교예 6 비교예 7
잉크 상용성 O O O O O X O O O O O
10 ㎛ 패턴 구현성 A A A A A - A A A A -
2.5 ㎛ 패턴 구현성 A A A B C - B B D C -
선폭 (2.5 ㎛) 2.4
~2.6		 2.6
~2.8		 2.4
~2.6		 2.4
~2.6		 2.4
~2.6		 - 3.0
~3.2		 3.5
~3.7		 5.0
~6.0		 2.4
~2.6		 -
도포두께
마진		 100 100 100 80 50 - 30 30 10 80 -
OFFSET
속도 마진		 60 60 60 50 30 - 20 20 10 50 -
연속인쇄 특성 >100 >100 >100 >100 >100 - <10 <10 <5 >100 -
코팅 특성 A A N N N - A A A A D

Claims (24)

  1. 노블락 수지;
    끓는점이 50℃ 이상 100℃ 미만인 제1 용매;
    끓는점이 50℃ 이상 100℃ 미만인 제2 용매; 및
    끓는점이 180℃ 이상인 제3 용매를 포함하고,
    실리콘계 블랭킷을 이용하는 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 노블락 수지는 상기 제1 용매에 불용성이고,
    상기 제1 용매는 하기 수학식 1을 만족하는 실리콘계 블랭킷에 대한 스웰링 파라미터가 10% 이상인 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물:
    [수학식 1]
    스웰링 파라미터(%) = {(담지 후 실리콘계 블랭킷의 무게 / 담지 전 실리콘 블랭킷의 무게) - 1} × 100
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 용매는 20℃ 에서 증기압이 10kPa 이상 25kPa 이하인 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 노블락 수지는 상기 제2 용매에 용해성이고,
    상기 제2 용매는 20℃ 에서 증기압이 1kPa 이상 25kPa 이하인 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제3 용매는 용해도 상수가 10 (cal.cm)1/2 이상 14 (cal.cm)1/2 이하인 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제3 용매는 하기 수학식 1을 만족하는 실리콘계 블랭킷에 대한 스웰링 파라미터가 0.1 % 이하인 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물:
    [수학식 1]
    스웰링 파라미터(%) = {(담지 후 실리콘계 블랭킷의 무게 / 담지 전 실리콘 블랭킷의 무게) - 1} × 100
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제3 용매는 20℃ 에서 증기압 (Vapor Pressure)이 0.02 kPa 이하인 디올계 용매인 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 노블락 수지는 중량평균분자량이 1,500 g/mol 내지 20,000 g/mol인 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 용매는 시클로헥산; n-헥산; 및 클로로포름으로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상을 포함하는 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 용매는 디메틸카보네이트; 메틸에틸케톤; 메탄올; 아세톤; 이소프로필알코올; 에틸아세테이트; 아세토니트릴; 테트라히드로퓨란; 1-프로판올; 1,2-디메톡시에탄; 및 에탄올로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상을 포함하는 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 제3 용매는 에틸렌글리콜; 프로필렌글리콜; 1,3-프로판디올; 1,3-부탄디올; 2,3-부탄디올; 1,4-부탄디올; 1,3-펜타디올; 1,4-펜타디올; 1,5-펜타디올; 2,4-펜타디올; 1,2-헥산디올; 1,3-헥산디올; 1,4-헥산디올; 1,5-헥산디올; 1,6-헥산디올; 2,3-헥산디올; 2,4-헥산디올; 2,5-헥산디올; 및 3,4-헥산디올로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상을 포함하는 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물은 상기 노블락 수지 5 내지 20 중량%;
    상기 제1 용매 10 내지 80 중량%;
    상기 제2 용매 10 내지 80 중량%; 및
    상기 제3 용매 1 내지 10중량%를 포함하는 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물은 계면활성제 및 밀착력 개선제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종의 첨가제를 더 포함하는 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 계면활성제는 전체 리버스 오프셋 인쇄 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 1 중량%인 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 밀착력 개선제는 전체 리버스 오프셋 인쇄 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 1.5 중량%인 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 블랭킷의 경도는 쇼어 A 경도 20 내지 70인 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  17. 청구항 1 내지 16 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물은 레지스트 패턴 또는 절연 패턴 형성용인 것인 리버스 오프셋 인쇄 조성물.
  18. 청구항 1 내지 16 중 어느 한 항에 따른 리버스 오프셋 인쇄 조성물을 실리콘계 블랭킷 상에 코팅하는 단계;
    상기 실리콘계 블랭킷 상에 도포된 인쇄 조성물 도막에 클리셰를 접촉하여 일부 도막을 제거하는 단계; 및
    상기 실리콘계 블랭킷 상에 남아 있는 리버스 오프셋 인쇄 조성물 도막을 피인쇄체에 전사하는 단계를 포함하는 것인 리버스 오프셋 인쇄방법.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 피인쇄체에 전사된 인쇄 조성물을 건조 또는 경화하는 단계를 추가로 포함하는 것인 리버스 오프셋 인쇄방법.
  20. 청구항 18에 있어서,
    상기 리버스 오프셋 인쇄 조성물 도막은 1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 선폭을 갖는 패턴을 포함하는 것인 리버스 오프셋 인쇄방법.
  21. 청구항 1 내지 16 중 어느 한 항에 따른 리버스 오프셋 인쇄 조성물을 건조 또는 경화하여 형성된 패턴.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 패턴은 레지스트 패턴 또는 절연 패턴인 것인 패턴.
  23. 청구항 21에 있어서,
    상기 패턴은 1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 선폭을 갖는 것인 패턴.
  24. 청구항 21에 따른 패턴을 포함하는 전자 소자.
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