KR101788098B1 - Transfer method of 2d material - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 호일에 2차원 물질을 합성하여 호일에 2차원 물질층을 형성하는 단계; 고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계; 상기 호일을 제거하는 단계; 상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 기판에 전사하는 단계; 및 상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층으로부터 제거하는 단계;를 포함한다. 이러한 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 고체 상태의 고분자 막을 사용하기 때문에, 기판에 전사된 2차원 물질층에 고분자 잔류물이 생기지 않고, 대면적의 기판에도 안정적으로 2차원 물질층을 전사할 수 있으며, 고체 상태의 고분자 막을 2차원 물질층에서 쉽게 제거할 수 있는 이점이 있다.A method of transferring a two-dimensional material according to an embodiment of the present invention includes: forming a two-dimensional material layer on a foil by synthesizing a two-dimensional material on a foil; Transferring a solid polymer film to the two-dimensional material layer; Removing the foil; Transferring the polymer film and the two-dimensional material layer to a substrate; And removing the polymeric film from the two-dimensional material layer. Since the method of transferring a two-dimensional material according to this embodiment uses a polymer film in a solid state, there is no polymer residue in the two-dimensional material layer transferred to the substrate, and a two-dimensional material layer And the polymer film in a solid state can be easily removed from the two-dimensional material layer.

Description

2차원 물질의 전사 방법{TRANSFER METHOD OF 2D MATERIAL}[0001] TRANSFER METHOD OF 2D MATERIAL [0002]

본 발명은 전사 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 2차원 물질을 소정의 기판에 전사하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a transfer method, and more particularly to a method of transferring a two-dimensional material onto a predetermined substrate.

2차원 물질(2D material)이란 단일 원자 및 단일 화합물로 구성된 단층 물질(single layer materials)로써 정의된다. 2004년 최초로 그래핀(graphene)이 발표된 이후, 그래파인(graphyne), 보로핀(borophene), 저마닌(germanene), 실리신(silicene), 스테닌(stanene), 포스포린(phosphorene), 보론 질화물(boron nitride), 전이금속-칼코겐 화합물(transition metal di-chalcogenides, TMDCs), 단일층 팔라듐(Pd) 및 로듐(Rh) 등 수백 가지 물질이 보고되고 있다. 이러한 2차원 물질들은 3차원 상태와는 다른 물성을 보이거나 빛에 대한 투명도 및 기계적 특성때문에 투명 전극, 투명 소자, 유연 소자(flexible device) 등 다양한 광전자 소자에 응용이 가능하다.A 2D material is defined as a single layer material consisting of a single atom and a single compound. Since the first graphene was announced in 2004, it has been used for many years, including graphyne, borophene, germanene, silicene, stanene, phosphorene, Hundreds of materials have been reported, including boron nitride, transition metal di-chalcogenides (TMDCs), single layer palladium (Pd), and rhodium (Rh). These two-dimensional materials can be applied to various optoelectronic devices such as transparent electrodes, transparent devices, and flexible devices because they exhibit properties different from those of the three-dimensional state, or have transparency and mechanical properties to light.

그런데, 2차원 물질은 고온의 환경에서 합성된 후에 소정의 기판으로 옮겨지는 과정, 즉, 전사(transfer) 공정을 필요로 한다. 2차원 물질 중 그래핀의 경우를 예로 들면, 그래핀은 구리와 같은 촉매 기판에 고온(섭씨 약 1000도)의 환경에서 합성된다. 한편, 종래에는 소정의 기판에 구리를 증착한 후 그래핀을 합성함으로써 전사 공정을 거치지 않는 방법도 보고되었지만, 그래핀이 합성되는 온도를 고려하면 이용 가능한 기판이 극히 제한적이다. However, the two-dimensional material requires a process of being transferred to a predetermined substrate after synthesis in a high-temperature environment, that is, a transfer process. As an example of graphene among two-dimensional materials, graphene is synthesized in a high-temperature (about 1000 degrees Celsius) environment on a catalyst substrate such as copper. On the other hand, conventionally, there has also been reported a method of not depositing copper on a predetermined substrate and then synthesizing graphene to avoid the transfer process. However, considering the temperature at which graphene is synthesized, available substrates are extremely limited.

소정의 기판에 구리를 증착한 후, 고온의 상태에서 그래핀을 합성하는 방법은, 소정의 기판에 이전 공정 단계에 의해서 제작된 소자들이 고온에 의해 손상을 받을 가능성이 매우 크다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서, 종래에는 저온의 상태에서 그래핀을 소정의 기판에 합성을 하는 공정도 보고되었으나, 고온에서 합성된 경우에 비해 저온에서 합성된 그래핀의 성능이 상당히 저하된다는 문제가 있다. 그러므로, 우수한 품질의 그래핀을 다양한 기판에 적용가능하기 위해서는 고온의 환경에서 그래핀이 합성된 후, 적정한 온도의 상태에서 합성된 그래핀을 소정의 기판으로 옮기는 것이 합리적이다. In the method of synthesizing graphene at a high temperature after depositing copper on a predetermined substrate, there is a high possibility that elements manufactured by a previous process step on a predetermined substrate are damaged by high temperature. In order to solve this problem, a process of synthesizing graphene on a predetermined substrate at a low temperature has been conventionally reported, but the performance of graphene synthesized at a low temperature is significantly lowered compared with a case where the graphene is synthesized at a high temperature . Therefore, in order to apply the graphene of high quality to various substrates, it is reasonable to transfer the graphene synthesized at a proper temperature after the graphene is synthesized in a high temperature environment to a predetermined substrate.

현재까지 그래핀을 소정의 기판에 전사하는 다양한 전사 방법들이 보고되었다. 예를 들어, 기계적 분리 방법(mechanical exfoliation), 금을 이용한 전사 방법(Au-assisted transfer), 스탬프를 이용한 전사 방법(stamp-assisted transfer), 직접 전사 방법(direct transfer) 및 고분자 막을 이용한 전사 방법(polymer-assisted transfer)이 대표적이다. Various transfer methods for transferring graphene to a predetermined substrate have been reported so far. For example, mechanical exfoliation, Au-assisted transfer, stamp-assisted transfer, direct transfer, and a transfer method using a polymer membrane polymer-assisted transfer).

기계적 분리 방법은 흑연에서 스카치 테이프를 이용하여 뜯어낸 다음, 기판에 묻혀내는 방법으로 우수한 단결정(single crystal) 그래핀을 전사시킬 수 있으나, 매우 작은 조각(수 마이크로 미터 크기)을 옮길 수 있고 원하는 곳에 그래핀을 위치시키기 어려운 단점이 있어서 실질적으로 산업에 이용되기에는 적합하지 않다. The mechanical separation method can be used to transfer a single crystal graphene by removing it from graphite using a scotch tape and then dipping it on a substrate, but it is possible to transfer very small pieces (several micrometers in size) It has a disadvantage that it is difficult to place the graphene and it is not suitable for being practically used in industry.

금을 이용한 전사 방법은 그래핀에 금을 증착시켜서 전사한 다음, 금을 녹여내는 방법인데, 그래핀에 불순물을 남기지 않으므로 그래핀의 특성에 손상이 적다. 그러나 경제적으로 비용이 많이 소모된다. The method of transferring using gold is a method of depositing gold on graphene and then transferring it to gold, which does not leave any impurities on the graphene, so there is little damage to the characteristics of graphene. But it is economically costly.

스탬프를 이용한 전사 방법은 그래핀에 스탬프를 찍어서 그래핀을 전사시킨 후, 스탬프만 떼어내는 방법이다. 이때 주로 사용되는 스탬프는 화학적으로 매우 안정된 물질인 폴리-디메틸 실록산(polydimethylsiloxane, PDMS)으로 제작되는데, 반데르발스(van der Waals) 힘에 의해 그래핀을 지지하므로 전사 공정이 끝난 후에 제거하기가 용이하다는 장점이 있다. 그러나 대면적에 적용하기가 어려운 단점이 있다. The transfer method using a stamp is a method of stamping graphene, transferring graphene, and then removing only the stamp. In this case, the stamps mainly used are made of polydimethylsiloxane (PDMS) which is chemically very stable substance. Since the graphene is supported by the van der Waals force, it is easy to remove after the transferring process is finished . However, it is difficult to apply to large area.

직접 전사 방법은 그래핀이 합성된 금속 호일을 기판에 접촉한 후 고온, 고압 및 고전압 환경에서 전사시키는 방법이다. 직접 전사 방식은 금속 호일을 재사용할 수 있는 장점이 있으나 고온, 고압 환경에서 진행되므로 기판이 훼손될 가능성이 있다. 특히, 그래핀을 전사할 기판이 고분자 기반 유연 기판(flexible substrate)일 경우, 기판의 표면이 변형되어 표면 거칠기가 커지기도 한다. 웨이퍼와 같은 단단한 기판(rigid substrate)을 이용할 경우, 기계적인 압력에 의해 기판이 깨질 수 있다. The direct transfer method is a method in which a metal foil having a graphene structure is brought into contact with a substrate and then transferred in a high temperature, high pressure, and high voltage environment. The direct transfer method has the advantage of reusing the metal foil, but the substrate may be damaged due to the high temperature and high pressure environment. In particular, when a substrate to be transferred with graphene is a polymer-based flexible substrate, the surface of the substrate may be deformed to increase the surface roughness. When a rigid substrate such as a wafer is used, the substrate may be broken by mechanical pressure.

고분자 막을 이용한 전사 방법은, 도 1을 참조하여 설명한다.The transfer method using the polymer film will be described with reference to Fig.

도 1은 종래의 고분자 막을 이용한 그래핀 전사 방법의 공정 순서도와 공정 순서도의 각 단계에 대응하는 공정 단면도이다.1 is a process sectional view corresponding to each step of a process flow chart and a process flow chart of a graphene transfer method using a conventional polymer film.

도 1을 참조하면, 고분자 막을 이용한 그래핀 전사 방법은, 먼저 그래핀이 합성된 구리호일 상에 액체 형태의 고분자 용액을 도포하고 건조시켜 고분자 막을 형성한다. 고분자 막이 도포된 그래핀/구리호일을 구리 제거 용액(Cu etchant)에 띄워 구리호일을 제거한다. 그러면, 구리 제거 용액에 고분자 막과 그래핀이 떠 있게 된다. 그리고 고분자 막과 그래핀을 목표로 하는 기판에 전사한 다음, 고분자 막을 제거한다. 이때, 고분자 막은 유기 용매를 이용하여 용해시키는 과정을 거쳐 제거하게 된다. Referring to FIG. 1, in a graphene transfer method using a polymer membrane, a liquid polymer solution is coated on a copper foil synthesized with graphene and dried to form a polymer film. Remove the copper foil by floating the graphene / copper foil coated with the polymer film on a copper etchant. Then, the polymer membrane and graphene float in the copper removal solution. Then, the polymer film and the graphene are transferred to a target substrate, and then the polymer film is removed. At this time, the polymer membrane is removed by dissolving using an organic solvent.

도 1에 도시된 종래의 고분자 막을 이용한 그래핀 전사 방법의 가장 큰 단점은, 유기 용매에 고분자 막이 완전히 제거가 되지 않는다는 점이다. 고분자 막을 제거하기 위해, 다중 용매 처리 방법, 고온 용매 처리 방법, 고온 열처리 방법 등이 보고되었으나, 보고된 방법들도 고분자 막을 완전히 제거하지 못한다고 보고하고 있다. The major disadvantage of the graphene transfer method using the conventional polymer membrane shown in FIG. 1 is that the polymer membrane is not completely removed from the organic solvent. In order to remove the polymer membrane, multiple solvent treatment method, high temperature solvent treatment method, and high temperature heat treatment method have been reported, but reported methods do not completely remove the polymer membrane.

도 1에 도시된 종래의 고분자 막을 이용한 그래핀 전사 방법은, 대면적 그래핀을 경제적으로 쉽게 전사할 수는 있으나, 그래핀에 고분자 막의 잔류물을 남기므로 그래핀의 특성을 변화시키는 결과를 야기한다.The graphene transfer method using the conventional polymer membrane shown in FIG. 1 can transfer the large-area graphene economically easily. However, since the residue of the polymer film is left on the graphene, do.

이와 같이, 그래핀을 비롯한 2차원 물질을 소정의 기판에 전사하는 방법에 있어서, 비용적으로도 경제적이며, 2차원 물질이 전사될 기판의 손상을 최대한 줄이고, 고품질의 2차원 물질을 전사할 수 있는 방법이 필요하다.As described above, in the method of transferring the two-dimensional material including graphene to a predetermined substrate, it is economical and economical, and it is possible to reduce the damage of the substrate on which the two-dimensional material is to be transferred, You need a way.

본 발명의 목적은 상온에서 2차원 물질을 소정의 기판에 전사할 수 있는 2차원 물질의 전사 방법을 제공한다.It is an object of the present invention to provide a method of transferring a two-dimensional material capable of transferring a two-dimensional material to a predetermined substrate at room temperature.

또한, 소정의 기판에 2차원 물질을 전사할 때, 2차원 물질 표면에 고분자 잔유물이 남지 않는 2차원 물질의 전사 방법을 제공한다.There is also provided a method for transferring a two-dimensional material in which a polymer residue is not left on the surface of a two-dimensional material when transferring the two-dimensional material to a predetermined substrate.

또한, 기존의 2차원 물질의 전사 방법들의 단점을 모두 극복할 수 있는 2차원 물질의 전사 방법을 제공한다. The present invention also provides a method for transferring a two-dimensional material, which can overcome all the disadvantages of conventional transfer methods of two-dimensional materials.

본 발명의 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 호일에 2차원 물질을 합성하여 호일에 2차원 물질층을 형성하는 단계; 고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계; 상기 호일을 제거하는 단계; 상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 기판에 전사하는 단계; 및 상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층으로부터 제거하는 단계;를 포함한다. 이러한 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 고체 상태의 고분자 막을 사용하기 때문에, 기판에 전사된 2차원 물질층에 고분자 잔류물이 생기지 않고, 대면적의 기판에도 안정적으로 2차원 물질층을 전사할 수 있으며, 고체 상태의 고분자 막을 2차원 물질층에서 쉽게 제거할 수 있는 이점이 있다.A method of transferring a two-dimensional material according to an embodiment of the present invention includes: forming a two-dimensional material layer on a foil by synthesizing a two-dimensional material on a foil; Transferring a solid polymer film to the two-dimensional material layer; Removing the foil; Transferring the polymer film and the two-dimensional material layer to a substrate; And removing the polymeric film from the two-dimensional material layer. Since the method of transferring a two-dimensional material according to this embodiment uses a polymer film in a solid state, there is no polymer residue in the two-dimensional material layer transferred to the substrate, and a two-dimensional material layer And the polymer film in a solid state can be easily removed from the two-dimensional material layer.

상기의 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법에서, 상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 상기 기판에 전사하는 단계와 상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층으로부터 제거하는 단계 사이에는, 감광물질을 상기 고분자 막에 도포하고, 도포된 상기 감광물질을 패터닝하는 단계; 패터닝된 상기 감광물질을 마스크로하여 상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 패터닝하는 단계; 및 상기 감광물질을 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있다. 이러한 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 2차원 물질층을 원하는 형상으로 패터닝할 수 있는 이점이 있고, 전자소자 및 센서 등으로 활용할 수 있는 이점이 있다.In the method of transferring a two-dimensional material according to the above embodiment, between the step of transferring the polymer film and the two-dimensional material layer to the substrate and the step of removing the polymer film from the two-dimensional material layer, Applying to the polymer film, and patterning the applied photosensitive material; Patterning the polymer film and the two-dimensional material layer using the patterned photosensitive material as a mask; And removing the photosensitive material. The method of transferring a two-dimensional material according to this embodiment has an advantage in that a two-dimensional material layer can be patterned into a desired shape, and it can be utilized as an electronic device and a sensor.

본 발명의 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 호일에 2차원 물질을 합성하여 호일에 2차원 물질층을 형성하는 단계; 고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계; 상기 호일을 제거하는 단계; 상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 상기 호일과 다른 호일에 합성된 동종의 2차원 물질층에 전사한 후 상기 다른 호일을 제거하는 과정을 적어도 1회 이상 반복하여 다층 구조의 2차원 물질층을 형성하는 단계; 상기 고분자 막과 상기 다층 구조의 2차원 물질층을 기판에 전사하는 단계; 및 상기 고분자 막을 상기 다층 구조의 2차원 물질층으로부터 제거하는 단계;를 포함한다. 이러한 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 고체 상태의 고분자 막을 사용하기 때문에, 기판에 전사된 다층 구조의 2차원 물질층에 고분자 잔류물이 생기지 않고, 대면적의 기판에도 안정적으로 다층 구조의 2차원 물질층을 전사할 수 있으며, 고체 상태의 고분자 막을 다층 구조의 2차원 물질층에서 쉽게 제거할 수 있는 이점이 있다. 또한, 다양한 두께의 2차원 물질층을 얻을 수 있는 이점이 있다.A method of transferring a two-dimensional material according to an embodiment of the present invention includes: forming a two-dimensional material layer on a foil by synthesizing a two-dimensional material on a foil; Transferring a solid polymer film to the two-dimensional material layer; Removing the foil; The polymer film and the two-dimensional material layer are transferred to the same kind of two-dimensional material layer synthesized on the foil and then the other foil is removed at least once, thereby forming a multi-layered two- ; Transferring the polymer film and the multi-layered two-dimensional material layer onto a substrate; And removing the polymeric film from the two-dimensional material layer of the multi-layer structure. Since the method of transferring a two-dimensional material according to this embodiment uses a polymer film in a solid state, a polymer residue does not occur in the two-dimensional material layer of the multi-layer structure transferred to the substrate, Dimensional material layer can be transferred, and the polymer film in the solid state can be easily removed from the two-dimensional material layer of the multi-layer structure. Further, there is an advantage that a two-dimensional material layer having various thicknesses can be obtained.

본 발명의 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 호일에 2차원 물질을 합성하여 호일에 2차원 물질층을 형성하는 단계; 고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계; 상기 호일을 제거하는 단계; 상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 상기 호일과 다른 호일에 합성된 이종의 2차원 물질층에 전사한 후 상기 다른 호일을 제거하는 과정을 적어도 1회 이상 반복하여 이종의 2차원 물질 복합층을 형성하는 단계; 상기 고분자 막과 상기 이종의 2차원 물질 복합층을 기판에 전사하는 단계; 및 상기 고분자 막을 상기 이종의 2차원 물질 복합층으로부터 제거하는 단계;를 포함한다. 이러한 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 고체 상태의 고분자 막을 사용하기 때문에, 기판에 전사된 이종의 2차원 물질 복합층에 고분자 잔류물이 생기지 않고, 대면적의 기판에도 안정적으로 이종의 2차원 물질 복합층을 전사할 수 있으며, 고체 상태의 고분자 막을 이종의 2차원 물질 복합층에서 쉽게 제거할 수 있는 이점이 있다. 또한, 서로 다른 종류의 2차원 물질층들을 하나의 기판에 전사할 수 있는 이점이 있다.A method of transferring a two-dimensional material according to an embodiment of the present invention includes: forming a two-dimensional material layer on a foil by synthesizing a two-dimensional material on a foil; Transferring a solid polymer film to the two-dimensional material layer; Removing the foil; Dimensional material layer synthesized on the foil and the other two-dimensional material layer synthesized on the foil and then removing the other foil is repeated at least once or more to form a heterogeneous two-dimensional material composite layer ; Transferring the polymer film and the heterogeneous two-dimensional material composite layer onto a substrate; And removing the polymer film from the heterogeneous two-dimensional material composite layer. Since the method of transferring a two-dimensional material according to this embodiment uses a polymer film in a solid state, a polymer residue is not generated in a heterogeneous two-dimensional material composite layer transferred onto a substrate, The two-dimensional material composite layer can be transferred, and the solid polymer film can be easily removed from the two-dimensional material composite layer. In addition, there is an advantage that different kinds of two-dimensional material layers can be transferred onto one substrate.

본 발명의 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 호일에 2차원 물질을 합성하여 호일에 2차원 물질층을 형성하는 단계; 고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계; 전기 화학적인 방법을 사용하여 상기 호일을 상기 2차원 물질층으로부터 분리하는 단계; 상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 기판에 전사하는 단계; 및 상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층으로부터 제거하는 단계;를 포함한다. 이러한 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 전기 화학적인 방법을 사용하여 2차원 물질층이 호일로부터 분리되더라도 고분자 막이 2차원 물질층을 보호하기 때문에, 2차원 물질층의 손상을 현저히 줄이거나 완전히 막을 수 있는 이점이 있다. 또한, 호일을 완전히 용해시키기 않으므로, 분리된 호일을 2차원 물질의 합성에 재사용할 수 있어 제조 공정 비용을 줄일 수 있는 이점이 있다.A method of transferring a two-dimensional material according to an embodiment of the present invention includes: forming a two-dimensional material layer on a foil by synthesizing a two-dimensional material on a foil; Transferring a solid polymer film to the two-dimensional material layer; Separating the foil from the two-dimensional material layer using an electrochemical method; Transferring the polymer film and the two-dimensional material layer to a substrate; And removing the polymeric film from the two-dimensional material layer. The method of transferring a two-dimensional material according to this embodiment can significantly reduce the damage of the two-dimensional material layer because the polymer film protects the two-dimensional material layer even if the two-dimensional material layer is separated from the foil using an electrochemical method There is an advantage that can be completely prevented. Further, since the foil is not completely dissolved, it is possible to reuse the separated foil for the synthesis of two-dimensional material, which has the advantage of reducing manufacturing process cost.

상술한 여러 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법들에 있어서, 상기 고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계는, 상온에서 수행될 수 있다. 이 경우, 기판과 기판에 미리 제작된 전자소자가 열에 의해 손상되는 것을 막을 수 있는 이점이 있다.In the two-dimensional material transfer methods according to various embodiments described above, the step of transferring the solid polymer film to the two-dimensional material layer may be performed at room temperature. In this case, there is an advantage that the substrate and the substrate can be prevented from being damaged by heat beforehand.

상술한 여러 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법들에 있어서, 상기 고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계는, 상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 물을 매개로 전사하되, 0도(℃) 초과 100도(℃) 미만의 온도에서 수행될 수 있다. 0도(℃) 초과 100도(℃) 미만의 온도에서 수행되면, 2차원 물질층의 손상을 막을 수 있는 이점이 있다.In the method of transferring two-dimensional materials according to the above-described various embodiments, the step of transferring the solid polymer film to the two-dimensional material layer may include transferring the polymer film to the two- Can be performed at a temperature greater than 0 degrees Celsius and less than 100 degrees Celsius. When performed at a temperature greater than 0 degrees Celsius and less than 100 degrees Celsius, there is an advantage that damage to the two-dimensional material layer can be prevented.

상술한 여러 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법들에 있어서, 상기 고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계는, 상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 물을 매개로 전사하되, 상기 물에는 소정의 유기 용매와 무기 용매가 더 포함될 수 있다. 물에 유기 용매와 무기 용매가 더 포함되면, 물의 표면장력을 조절할 수 있는 이점이 있다.In the method of transferring two-dimensional materials according to the above-described various embodiments, the step of transferring the solid polymer film to the two-dimensional material layer may include transferring the polymer film to the two- The water may further contain a predetermined organic solvent and an inorganic solvent. When water further contains an organic solvent and an inorganic solvent, there is an advantage that the surface tension of water can be controlled.

상술한 여러 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법들에 있어서, 상기 고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계는, 상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 물을 매개로 전사하되, 상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 진공챔버에 넣고, 펌프로 상기 진공챔버 안의 공기를 빼낼 수 있다. 진공챔버 안의 공기를 빼내면, 진공챔버 안의 기압이 떨어지기 때문에, 전사 매개체인 물의 건조시간을 표준기압에서 보다 더 단축시킬 수 있는 이점이 있다.In the method of transferring two-dimensional materials according to the above-described various embodiments, the step of transferring the solid polymer film to the two-dimensional material layer may include transferring the polymer film to the two- The polymer film and the two-dimensional material layer may be put into a vacuum chamber, and air in the vacuum chamber may be withdrawn by a pump. Since the air pressure in the vacuum chamber drops when the air in the vacuum chamber is removed, there is an advantage that the drying time of water as a transfer medium can be shortened further than the standard air pressure.

상술한 여러 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법들에 있어서, 상기 2차원 물질은, 그래핀(graphene), 그래파인(graphyne), 보로핀(borophene), 저마닌(germanene), 실리신(silicene), 스테닌(stanene), 포스포린(phosphorene), 보론 질화물(boron nitride), 전이금속-칼코겐 화합물(transition metal di-chalcogenides, TMDCs), 단일층 팔라듐(Pd) 및 로듐(Rh) 중 어느 하나로 구성된다.In the two-dimensional material transfer methods according to various embodiments described above, the two-dimensional material is selected from the group consisting of graphene, graphyne, borophene, germanene, silicide, stannene, phosphorene, boron nitride, transition metal di-chalcogenides (TMDCs), single layer palladium (Pd) and rhodium .

본 발명의 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법을 사용하면, 상온에서 진행되므로 기판에 손상이 거의 없는 이점이 있다. The use of the method of transferring a two-dimensional material according to the embodiment of the present invention has an advantage that the substrate is hardly damaged because it proceeds at room temperature.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은 고체 상태의 고분자 막을 이용하므로 경제적이며 대면적에 적용 가능한 이점이 있다.In addition, the method of transferring a two-dimensional material according to the embodiment of the present invention is advantageous in that it is economical and can be applied to a large area because a solid polymer film is used.

또한, 본 발명의 실시 형태는 따른 2차원 물질의 전사 방법은 2차원 물질 표면 상에 고분자 잔류물을 남기지 않으므로 고속 전자 소자, 화학센서, 바이오 물질 센서 등에 활용 가능한 이점이 있다.In addition, the method of transferring a two-dimensional material according to an embodiment of the present invention does not leave a polymer residue on the surface of a two-dimensional material, so that it can be utilized for high-speed electronic devices, chemical sensors, and biosensor sensors.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은 전기화학적 분리 방법과 호환되므로 공정 비용을 줄일 수 있는 이점이 있다.In addition, since the method of transferring a two-dimensional material according to an embodiment of the present invention is compatible with an electrochemical separation method, there is an advantage that a process cost can be reduced.

도 1은 종래의 고분자 막을 이용한 그래핀 전사 방법의 공정 순서도와 공정 순서도의 각 단계에 대응하는 공정 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법을 설명하기 위한 공정 순서도와 공정 순서도의 각 단계에 대응하는 공정 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 고체 상태의 고분자 막(300)을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정 순서도와 공정 순서도의 각 단계에 대응하는 공정 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 2차원 물질의 전사 방법에 의해서 생성된 2차원 물질의 현미경 사진이다.
도 5는 도 4의 현미경 사진 속의 샘플을 XPS로 측정한 결과(X-ray Photoelectron Spectroscopy)와 그래핀 전사에 이용된 고분자 막의 XPS 측정 결과를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 2에 도시된 2차원 물질의 전사 방법을 사용하되, 2차원 물질로 그래핀을, 고분자 막으로 폴리-메틸 메타아크릴레이트(poly-methyl methacrylate, PMMA)을 이용하여 기판(실리콘 산화막)에 전사된 그래핀에 대한 XPS 측정 결과이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법을 설명하기 위한 공정 순서도와 공정 순서도의 각 단계에 대응하는 공정 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법을 설명하기 위한 공정 순서도와 공정 순서도의 각 단계에 대응하는 공정 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법을 설명하기 위한 공정 순서도와 공정 순서도의 각 단계에 대응하는 공정 단면도이다.
도 10 내지 도 12는 도 9에 도시된 제4 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법에서, S930 단계를 수행하는 중의 실제 실험 사진들이다.
도 13은 도 9에 도시된 제4 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법에서, S930 단계를 수행한 이후의 실제 실험 사진이다.
도 14는 도 9에 도시된 제4 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법에 의해 기판에 전사된 2차원 물질층의 XPS 측정 결과이다.
도 15는 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법을 설명하기 위한 공정 순서도와 공정 순서도의 각 단계에 대응하는 공정 단면도이다.
1 is a process sectional view corresponding to each step of a process flow chart and a process flow chart of a graphene transfer method using a conventional polymer film.
2 is a process flow chart for explaining a transfer method of a two-dimensional material according to the first embodiment of the present invention and a process sectional view corresponding to each step of the process flow chart.
FIG. 3 is a process flow chart for explaining a method of forming the solid polymer membrane 300 shown in FIG. 2 and a process sectional view corresponding to each step of the process flow chart.
FIG. 4 is a micrograph of a two-dimensional material produced by the transfer method of the two-dimensional material shown in FIG.
FIG. 5 is a graph showing the results of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and XPS measurement of a polymer film used in graphene transfer.
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the thickness of the substrate and the thickness of the substrate (silicon oxide film) using a method of transferring the two-dimensional material shown in FIG. 2, using graphene as a two-dimensional material and poly- methyl methacrylate (PMMA) ). ≪ / RTI >
FIG. 7 is a process flow chart for explaining a transfer method of a two-dimensional material according to the second embodiment of the present invention and a process sectional view corresponding to each step of the process flow chart. FIG.
8 is a process flow chart for explaining a transfer method of a two-dimensional material according to the third embodiment of the present invention and a process sectional view corresponding to each step of the process flow chart.
9 is a process flow chart for explaining a transfer method of a two-dimensional material according to the fourth embodiment of the present invention and a process sectional view corresponding to each step of the process flow chart.
Figs. 10 to 12 are photographs of actual experiments during the step S930 in the method of transferring a two-dimensional material according to the fourth embodiment shown in Fig.
13 is a photograph of an actual experiment after performing the step S930 in the method of transferring a two-dimensional material according to the fourth embodiment shown in Fig.
Fig. 14 is a result of XPS measurement of a two-dimensional material layer transferred to a substrate by the transfer method of the two-dimensional material according to the fourth embodiment shown in Fig.
15 is a process sectional view corresponding to each step of a process flow chart and a process flow chart for explaining a transfer method of a two-dimensional material according to a fifth embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태의 상세한 설명이 첨부된 도면들을 참조하여 설명된다. 도면들 중 인용부호들 및 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 인용부호들로 표시됨을 유의해야 한다. 참고로 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, a detailed description of preferred embodiments of the present invention will be given with reference to the accompanying drawings. It should be noted that in the drawings, the same reference numerals and the same elements are denoted by the same reference numerals even though they are shown on different drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid unnecessarily obscuring the subject matter of the present invention.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

본 발명에 따른 실시 형태의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다. In the description of the embodiments according to the present invention, in the case where an element is described as being formed on "on or under" another element, the upper (upper) or lower (lower) (On or under) all include that the two elements are in direct contact with each other or that one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

종래의 2차원 물질의 전사 방법 중 고분자 막을 이용한 전사 방법은, 고분자 용액의 건조 및 가열 단계에서 2차원 물질과 화학적 결합을 일으키는데, 후속 공정에서 화학적 결합된 고분자 막과 2차원 물질을 완벽히 제거하여 순수한 2차원 물질을 얻는 것이 불가능하였다.Among the conventional methods of transferring two-dimensional materials, a transfer method using a polymer membrane causes a chemical bond with a two-dimensional material in a drying and heating step of the polymer solution. In the subsequent process, the chemically bonded polymer film and the two- It was impossible to obtain a two-dimensional material.

하지만, 본 발명의 실시 형태들에 의한 2차원 물질의 전사 방법들은, 고체 상태의 고분자 막을 호일에 합성된 2차원 물질층에 전사하는데 있어서, 고체 상태의 고분자 막과 2차원 물질층이 화학적인 결합이 아닌, 물리적인 흡착으로 서로 접촉되도록 형성한다. 따라서, 본 발명에서 제안하는 여러 실시 형태에 의한 전사 방법들은 화학적 결합을 배제시키므로 고분자 막만을 2차원 물질층에서 거의 완벽하게 제거할 수 있는 이점이 있다. 이하 구체적인 실시 형태들에 의한 2차원 물질의 전사 방법들을 상세힌 설명한다.However, in the methods of transferring two-dimensional materials according to the embodiments of the present invention, in transferring the solid polymer film to the two-dimensional material layer synthesized in the foil, the solid polymer film and the two- But by physical adsorption. Therefore, the transfer methods according to various embodiments proposed in the present invention exclude the chemical bonding, so that there is an advantage that only the polymer film can be almost completely removed from the two-dimensional material layer. Hereinafter, methods of transferring a two-dimensional material according to specific embodiments will be described in detail.

<제1 실시 형태>&Lt; First Embodiment >

도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법을 설명하기 위한 공정 순서도와 공정 순서도의 각 단계에 대응하는 공정 단면도이다.2 is a process flow chart for explaining a transfer method of a two-dimensional material according to the first embodiment of the present invention and a process sectional view corresponding to each step of the process flow chart.

도 2의 공정 순서도와 공정 단면도를 참조하면, 제1 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 호일(200)에 2차원 물질을 합성하는 단계(S210), 고분자 막(300)을 2차원 물질층(100)에 전사하는 단계(S220), 호일(200)을 제거하는 단계(S230), 고분자 막(300)과 2차원 물질층(100)을 기판(400)에 전사하는 단계(S240) 및 고분자 막(300)을 제거하는 단계(S250)를 포함한다. 이하 각 단계를 상세히 설명한다.2, the method of transferring a two-dimensional material according to the first embodiment includes a step S210 of synthesizing a two-dimensional material to the foil 200, a step of synthesizing the polymer film 300 in two dimensions A step S230 of transferring the polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100 to the substrate 400, a step S240 of transferring the polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100 to the substrate 400, And removing the polymer film 300 (S250). Each step will be described in detail below.

호일(200)에 2차원 물질을 합성하는 단계(S210)는, 호일(200)의 일 면에 2차원 물질을 합성하여 호일(200)의 일 면에 2차원 물질층(100)을 형성하는 단계이다. 호일(200)의 일 면에 2차원 물질을 합성하는 방법은 종래의 공지된 다양한 방법으로 가능하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. The step S210 of synthesizing a two-dimensional material on the foil 200 includes the steps of forming a two-dimensional material layer 100 on one side of the foil 200 by synthesizing a two- to be. A method of synthesizing a two-dimensional material on one side of the foil 200 can be performed by a variety of known conventional methods, and therefore, a detailed description thereof will be omitted.

호일(200)에 2차원 물질을 합성하는 단계(S210)에 있어서, 호일(200)은 구리(Cu)일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며 구리를 대체할 수 있으면 어떠한 금속이든 가능하다. 호일(200)의 일 면은, 도 2에서는 호일(200)의 상면이지만, 호일(200)의 상면이 아닌 호일(200)의 하면일 수도 있다. 그리고, 2차원 물질(100)은 그래핀(graphene), 그래파인(graphyne), 보로핀(borophene), 저마닌(germanene), 실리신(silicene), 스테닌(stanene), 포스포린(phosphorene), 보론 질화물(boron nitride), 전이금속-칼코겐 화합물(transition metal di-chalcogenides, TMDCs), 단일층 팔라듐(Pd) 및 로듐(Rh) 중 어느 하나일 수 있다.In step S210 of synthesizing a two-dimensional material to the foil 200, the foil 200 may be copper (Cu), but is not limited thereto, and any metal is possible as long as it can replace copper. One side of the foil 200 is the upper surface of the foil 200 in Fig. 2, but may be the lower surface of the foil 200, not the upper surface of the foil 200. The two-dimensional material 100 may be formed of a material selected from the group consisting of graphene, graphyne, borophene, germanene, silicene, stanene, phosphorene, Boron nitride, transition metal di-chalcogenides (TMDCs), single layer palladium (Pd), and rhodium (Rh).

고분자 막(300)을 2차원 물질층(100)에 전사하는 단계(S220)를 설명함에 앞서, 고체 상태의 고분자 막(300)을 형성하는 방법을 도 3을 참조하여 설명한다.A description will be given of a method of forming the polymer film 300 in a solid state before the step S220 of transferring the polymer film 300 to the two-dimensional material layer 100 will be described with reference to FIG.

도 3은 도 2에 도시된 고체 상태의 고분자 막(300)을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정 순서도와 공정 순서도의 각 단계에 대응하는 공정 단면도이다.FIG. 3 is a process flow chart for explaining a method of forming the solid polymer membrane 300 shown in FIG. 2 and a process sectional view corresponding to each step of the process flow chart.

도 3을 참조하면, 고체 상태의 고분자 막(300)을 형성하는 방법은, 희생층 기판(500)을 준비하는 단계(S310), 희생층 기판(500)에 고분자 막(300)을 형성하는 단계(S320) 및 희생층 기판(500)을 제거하는 단계(S330)를 포함한다.Referring to FIG. 3, a method of forming a solid polymer film 300 includes the steps of preparing a sacrificial layer substrate 500 (S310), forming a polymer film 300 on the sacrificial layer substrate 500 (S320) and removing the sacrificial layer substrate 500 (S330).

S310 단계에서 준비된 희생층 기판(500)에 고분자 막(300)을 형성하는 단계(S320)에서, 고체 상태의 고분자 막(300)은 희생층 기판(500)의 상면에 액체 상태의 고분자 용액을 도포하고 건조시켜서 얻을 수 있다.In step S320 of forming the polymer membrane 300 on the sacrificial layer substrate 500 prepared in step S310, the solid polymer membrane 300 is coated with a liquid polymer solution on the top surface of the sacrificial layer substrate 500 And dried.

희생층 기판(500)을 제거하는 단계(S330)에서는, 소정의 제거 용액으로 희생층 기판(500)을 제거할 수 있다. 여기서, 소정의 제거 용액은 고분자 막(300)을 화학적으로 손상시키지 않는 용액을 사용하는 것이 바람직하다.In the step of removing the sacrificial layer substrate 500 (S330), the sacrificial layer substrate 500 may be removed with a predetermined removing solution. Here, the predetermined removing solution is preferably a solution that does not chemically damage the polymer membrane 300.

다시, 도 2를 참조하여 S220 단계를 설명한다. 도 3에 도시된 방법으로 고체 상태의 고분자 막(300)이 준비되면, 고체 상태의 고분자 막(300)을 2차원 물질층(100)의 상면에 물을 매개로 하여 전사시킨다. 물의 표면장력을 조절하기 위해서 물에는 소정의 유기 용매 및 무기 용매가 더 포함될 수도 있다. 그리고 물이 포함된 고분자 막(300)과 2차원 물질층(100)을 상온에서 건조시켜 전사 매개체인 물을 제거할 수 있다. 물이 건조에 의해 제거되면서 고분자 막(300)과 2차원 물질층(100)이 모세관 현상에 의해 서로 흡착된다. 여기서, 물이 건조되는 온도는 0도(℃) 초과 100도(℃) 미만일 수 있다. 물이 건조되는 온도가 0도(℃) 이하이면, 물이 얼기 때문에 2차원 물질층(100)을 손상시킬 수 있고, 물이 건조되는 온도가 100도(℃) 이상이면, 물이 끓어 부피가 팽창하기 때문에 2차원 물질층(100)을 손상시킬 수 있다. 따라서, 물이 건조되는 온도는 0도(℃) 초과 100도(℃) 미만인 것이 좋다. 더욱 바람직하게는 물이 건조되는 시간은 상온보다 높고 100도(℃) 미만일 수 있다. 물이 건조되는 시간이 상온보다 높고 100도(℃) 미만이면, 고분자 막(300)과 2차원 물질층(100) 사이에 존재하는 물의 건조 시간을 상온에서 보다 더 단축시킬 수 있다. 한편, 습도를 낮게하여 전사 매개체인 물을 건조시킬 수도 있다. Step S220 will now be described with reference to FIG. When the solid polymer film 300 is prepared by the method shown in FIG. 3, the polymer film 300 in a solid state is transferred to the upper surface of the two-dimensional material layer 100 through water. In order to adjust the surface tension of water, water may further contain a predetermined organic solvent and an inorganic solvent. The polymer film 300 including the water and the two-dimensional material layer 100 may be dried at room temperature to remove water as a transfer medium. As the water is removed by drying, the polymer membrane 300 and the two-dimensional material layer 100 are adsorbed to each other by capillary phenomenon. Here, the temperature at which the water is dried may be less than 0 degrees (占 폚) and less than 100 degrees (占 폚). If the temperature at which the water is dried is less than 0 degree (C), the two-dimensional material layer 100 may be damaged because the water freezes. If the temperature at which the water is dried is 100 degrees C or more, The two-dimensional material layer 100 can be damaged because it expands. Therefore, it is preferable that the temperature at which the water dries is less than 0 degrees (占 폚) and less than 100 degrees (占 폚). More preferably, the time during which the water is dried may be higher than room temperature and less than 100 degrees (占 폚). The drying time of the water existing between the polymer membrane 300 and the two-dimensional material layer 100 can be further shortened at room temperature if the drying time of the water is higher than room temperature and less than 100 degrees Celsius. On the other hand, it is also possible to lower the humidity and dry the transfer medium water.

또한 기압을 조절함으로써 건조시간을 단축 시킬 수도 있다. 예를 들어, 물이 포함된 고분자 막(300)과 2차원 물질층(100)을 진공챔버에 넣고, 펌프로 진공챔버 안의 공기를 빼내는 것에 의해서, 전사 매개체인 물의 건조시간을 표준기압에서 보다 더 단축시킬 수 있다. It is also possible to shorten the drying time by controlling the air pressure. For example, by putting the polymer film 300 containing water and the two-dimensional material layer 100 into a vacuum chamber and extracting the air in the vacuum chamber by a pump, the drying time of water as a transfer medium is made longer than the standard atmospheric pressure Can be shortened.

호일(200)을 제거하는 단계(S230)에서는, 고분자 막(300), 2차원 물질층(100) 및 호일(200) 중에서 호일(200)만을 화학적으로 제거할 수 있는 제거 용액을 사용하여 호일(200)을 제거하는 단계이다.In the step S230 of removing the foil 200, a removing solution capable of chemically removing only the foil 200 from the polymer film 300, the two-dimensional material layer 100 and the foil 200 is used to remove the foil 200 200 are removed.

고분자 막(300)과 2차원 물질층(100)을 기판(400)에 전사하는 단계(S240)는, 2차원 물질층(100)의 하면을 기판(400)의 상면으로 전사하는 단계이다. 여기서, 2차원 물질층(100)의 하면을 기판(400)의 상면으로 전사한 후 이를 건조하는 과정을 더 거칠 수 있다.The step S240 of transferring the polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100 to the substrate 400 is a step of transferring the lower surface of the two-dimensional material layer 100 to the upper surface of the substrate 400. [ Here, the process of transferring the lower surface of the two-dimensional material layer 100 to the upper surface of the substrate 400 and then drying it may be further performed.

고분자 막(300)을 제거하는 단계(S250)는, 고분자 막(300)을 2차원 물질층(100)으로부터 제거하는 단계이다. 고체 상태의 고분자 막(300)은 2차원 물질층(100)과 물리적인 흡착 또는 반데르발스 힘에 의해 서로 접촉되어 있으므로, 고분자 막(300)과 2차원 물질층(100) 사이의 결합력은 약하다. 따라서, 고분자 막(300)은 스카치 테이프와 같은 접착제를 사용하여 2차원 물질층(100)으로부터 떼어낼 수 있다. The step of removing the polymer film 300 (S250) is a step of removing the polymer film 300 from the two-dimensional material layer 100. Since the solid polymer film 300 is in contact with the two-dimensional material layer 100 by physical attraction or van der Waals force, the bonding force between the polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100 is weak . Accordingly, the polymer film 300 can be detached from the two-dimensional material layer 100 using an adhesive such as a scotch tape.

도 2에 도시된 2차원 물질의 전사 방법을 사용하면, 액체 상태가 아닌 고체 상태의 고분자 막(300)을 사용하기 때문에, 고분자 막(300)을 제거하기 위한 제거 용액이 필요없다. 따라서, 제거 용액이 필요없기 때문에 경제적이며, 종래의 전사 방법에서 제거 용액을 사용함에 의해 발생되는 문제점인 고분자 잔류물이 생길 여지가 없는 이점이 있다. 또한, 상온에서 2차원 물질층(100)이 기판(400)으로 전사되기 때문에, 기판(400)과 기판(400)에 미리 형성된 다른 소자들이 열에 의해 손상될 가능성이 매우 낮은 이점에 있다. 또한, 대면적의 기판(400)에도 안정적으로 2차원 물질층(100)을 전사할 수 있는 이점이 있다.2, since a polymer film 300 in a solid state is used instead of a liquid state, a removing solution for removing the polymer film 300 is not required. Thus, there is an advantage in that there is no need for a polymer residue, which is economical due to the absence of a removal solution, and which is a problem caused by the use of the removal solution in conventional transfer processes. In addition, since the two-dimensional material layer 100 is transferred to the substrate 400 at room temperature, there is an advantage that the possibility that the substrate 400 and other elements previously formed on the substrate 400 are damaged by heat is very low. In addition, there is an advantage that the two-dimensional material layer 100 can be stably transferred to the substrate 400 having a large area.

도 4은 도 2에 도시된 2차원 물질의 전사 방법에 의해서 생성된 2차원 물질의 현미경 사진이다.FIG. 4 is a photomicrograph of a two-dimensional material produced by the transfer method of the two-dimensional material shown in FIG.

도 4의 현미경 사진 속의 샘플을 얻기 위해서, 2차원 물질로 그래핀(graphene)을 이용하였고, 고분자 막으로 폴리-비닐리덴 플로라이드-트리플로로에틸렌(poly-vinyledene fluoride-trifluoroethylene, P(VDF-TrFE))을 이용하였고, 기판으로 실리콘 산화막을 이용하였고, 기판의 제거 용액으로 불화 수소(hydrofluoric acid, HF)를 이용하였다. In order to obtain a sample in the micrograph of FIG. 4, graphene was used as a two-dimensional material, and poly-vinylidene fluoride-trifluoroethylene (P (VDF- TrFE) was used as a substrate, silicon oxide was used as a substrate, and hydrofluoric acid (HF) was used as a substrate removal solution.

도 4의 현미경 사진은, 그래핀을 약 300 nm 두께의 실리콘 산화막(SiO2)이 증착된 웨이퍼상에 전사한 후를 보여주고, 그래핀이 전사된 곳을 비교하기 위해 그래핀이 일부 손실된 곳을 선택하여 촬영된 사진이다. The photomicrograph of FIG. 4 shows the transfer of graphene onto a silicon oxide (SiO2) deposited wafer of about 300 nm thickness, and a comparison of graphene transfer sites Is selected.

도 4를 참조하면, 어떠한 고분자 잔유물도 남아있지 않음을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 4, it can be seen that no polymer residue remained.

도 5는 도 4의 현미경 사진 속의 샘플을 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)로 측정한 결과와 그래핀 전사에 이용된 고분자 막의 XPS 측정 결과를 보여주는 도면이다. 도 5의 (a)는 도 4에 도시된 현미경 사진 속의 샘플의 XPS 측정 결과이고, 도 5의 (b)는 고분자 박막(P(VDF-TrFE) 박막)의 XPS 측정 결과이다. 도 5의 (b)는 도 4의 현미경 사진 속의 샘플에 고분자 잔류물을 확인하기 위한 비교 대상 그래프이다.FIG. 5 is a view showing a result of XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) measurement of a sample in the micrograph of FIG. 4 and an XPS measurement of a polymer film used in graphene transfer. FIG. 5A shows the XPS measurement result of the sample in the micrograph shown in FIG. 4, and FIG. 5B shows the XPS measurement result of the polymer thin film (P (VDF-TrFE) thin film). FIG. 5 (b) is a graph to be compared for confirming the polymer residue in the sample in the microscope photograph of FIG.

만약 도 4의 현미경 사진 속의 샘플에 고분자(P(VDF-TrFE))가 남아있다면, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, CF2, CH2 및 CFH를 지시하는 피크(peak)가 도 5의 (a)에서 측정되어야 하겠지만, 도 5의 (a)에서 보여지는 바와 같이 어떠한 피크(peak)도 나타나지 않았다. 따라서, 도 2에 도시된 2차원 물질의 전사 방법에 의하면 기판에 전사된 2차원 물질층에는 고분자 잔류물 없음을 알 수 있다.If the polymer (P (VDF-TrFE)) remains in the sample in the micrograph of FIG. 4, the peak indicating CF 2 , CH 2 and CFH, as shown in FIG. 5 (b) 5 (a), but no peak appeared as shown in FIG. 5 (a). Therefore, according to the transfer method of the two-dimensional material shown in FIG. 2, it can be seen that there is no polymer residue in the two-dimensional material layer transferred to the substrate.

도 6은 도 2에 도시된 2차원 물질의 전사 방법을 사용하되, 2차원 물질로 그래핀을, 고분자 막으로 폴리-메틸 메타아크릴레이트(poly-methyl methacrylate, PMMA)을 이용하여 기판(실리콘 산화막)에 전사된 그래핀에 대한 XPS 측정 결과이다. FIG. 6 is a graph showing the relationship between the thickness of the substrate and the thickness of the substrate (silicon oxide film) using a method of transferring the two-dimensional material shown in FIG. 2, using graphene as a two-dimensional material and poly- methyl methacrylate (PMMA) ). &Lt; / RTI &gt;

도 6의 그래프를 참조하면, 어떠한 탄소결합도 확인되지 않았기 때문에, 도 2에 도시된 2차원 물질의 전사 방법이 고분자 막의 종류와 무관하게 적용될 수 있으며, 그래핀과 고분자 막이 화학 결합이 아닌, 물리적인 흡착 또는 반데르발스 힘에 의한 접착이 되어 있었음을 확인할 수 있다.Referring to the graph of FIG. 6, since no carbon bonds are confirmed, the method of transferring the two-dimensional material shown in FIG. 2 can be applied irrespective of the type of the polymer film, and the graphene- It can be confirmed that adhesion by phosphorus adsorption or Van der Waals force has been established.

<제2 실시 형태>&Lt; Second Embodiment >

도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법을 설명하기 위한 공정 순서도와 공정 순서도의 각 단계에 대응하는 공정 단면도이다.FIG. 7 is a process flow chart for explaining a transfer method of a two-dimensional material according to the second embodiment of the present invention and a process sectional view corresponding to each step of the process flow chart. FIG.

도 7의 공정 순서도와 공정 단면도를 참조하면, 제2 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 호일(200)에 2차원 물질을 합성하는 단계(S710), 고분자 막(300)을 2차원 물질층(100)에 전사하는 단계(S720), 호일(200)을 제거하는 단계(S730), 다층 구조의 2차원 물질층(100')을 형성하는 단계(S735), 고분자 막(300)과 다층 구조의 2차원 물질층(100')을 기판(400)에 전사하는 단계(S740) 및 고분자 막(300)을 제거하는 단계(S750)를 포함한다. 7, a method of transferring a two-dimensional material according to a second embodiment includes a step (S710) of synthesizing a two-dimensional material to a foil 200, a step (S710) of synthesizing a polymer film 300 A step S730 of removing the foil 200, a step S730 of forming a two-dimensional material layer 100 'having a multilayer structure, a step S735 of forming a two-dimensional material layer 100' (S740) of transferring the two-dimensional structure layer 100 'of the multi-layer structure to the substrate 400 and removing the polymer film 300 (S750).

상기 단계들 중에서, S710 단계는 도 2에 도시된 S210 단계와 같고, S720 단계는 도 2에 도시된 S220 단계와 같고, S730 단계는 도 2에 도시된 S230 단계와 같고, S750 단계는 도 2에 도시된 S250 단계와 같으므로, 구체적인 설명은 생략한다. 이하에서는 S735 단계와 S740 단계를 설명한다.2, step S720 is the same as step S220 shown in FIG. 2, step S730 is the same as step S230 shown in FIG. 2, step S750 corresponds to step S220 shown in FIG. Since it is the same as step S250, detailed description is omitted. Steps S735 and S740 will be described below.

다층 구조의 2차원 물질층(100')을 형성하는 단계(S735)는, 고분자 막(300)과 2차원 물질층(100)을 다른 호일에 합성된 동종의 2차원 물질층에 전사하고 다른 호일을 제거하는 과정을 적어도 1회 이상 반복하여 다층 구조의 2차원 물질층(100')을 형성하는 단계이다. 사용자가 원하는 2차원 물질층(100')의 층수가 2층이면 S735 단계를 1회 더 반복하고, 사용자가 원하는 2차원 물질층(100')의 층수가 3층이면 S735 단계를 2회 더 반복한다. 즉, 사용자가 원하는 2차원 물질층(100')의 층수가 n(단, n은 2이상의 자연수)층이면 S735 단계를 (n-1)회 더 반복한다. The step S735 of forming the two-dimensional material layer 100 'of the multi-layer structure is performed by transferring the polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100 to a layer of the same kind of two- Is repeated at least once or more to form a two-dimensional material layer 100 'having a multilayer structure. If the number of layers of the two-dimensional material layer 100 'desired by the user is two, step S735 is repeated one more time. If the number of layers of the two-dimensional material layer 100' desired by the user is three, step S735 is repeated two more times do. That is, if the number of layers of the two-dimensional material layer 100 'desired by the user is n (n is a natural number of 2 or more) layers, step S735 is repeated (n-1) times.

고분자 막(300)과 다층 구조의 2차원 물질층(100')을 기판(400)에 전사하는 단계(S740)는, 다층 구조의 2차원 물질층(100')의 하면이 기판(400)의 상면에 전사되도록 하는 단계이다. 여기서, 2차원 물질층(100')의 하면을 기판(400)의 상면으로 전사한 후 이를 건조하는 과정을 더 거칠 수 있다.The step of transferring the polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100 'having a multi-layer structure to the substrate 400 (S740) And transferred onto the upper surface. Here, the process of transferring the lower surface of the two-dimensional material layer 100 'to the upper surface of the substrate 400 and then drying it may be further performed.

도 7에 도시된 제2 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 도 2에 도시된 제1 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법의 효과를 그대로 가질뿐만 아니라, 추가적으로 2층 이상의 2차원 물질층을 기판에 고분자 잔류물 없이 전사할 수 있는 이점이 있다.The method of transferring a two-dimensional material according to the second embodiment shown in Fig. 7 not only has the effect of the transfer method of the two-dimensional material according to the first embodiment shown in Fig. 2, There is an advantage that the material layer can be transferred to the substrate without polymer residue.

<제3 실시 형태>&Lt; Third Embodiment >

도 8은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법을 설명하기 위한 공정 순서도와 공정 순서도의 각 단계에 대응하는 공정 단면도이다.8 is a process flow chart for explaining a transfer method of a two-dimensional material according to the third embodiment of the present invention and a process sectional view corresponding to each step of the process flow chart.

도 8의 공정 순서도와 공정 단면도를 참조하면, 제3 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 호일(200)에 2차원 물질을 합성하는 단계(S810), 고분자 막(300)을 2차원 물질층(100)에 전사하는 단계(S820), 호일(200)을 제거하는 단계(S830), 이종의 2차원 물질 복합층(100'')을 형성하는 단계(S835), 고분자 막(300)과 이종의 2차원 물질 복합층(100'')을 기판(400)에 전사하는 단계(S840) 및 고분자 막(300)을 제거하는 단계(S850)를 포함한다. 8, a method of transferring a two-dimensional material according to a third embodiment includes a step (S810) of synthesizing a two-dimensional material to a foil 200, a step of synthesizing a polymer film 300 in a two-dimensional Dimensional material composite layer 100 &quot;(S835); transferring the polymeric material 300 to the polymeric layer 300 (S820); removing the foil 200 (S830) (Step S840) of transferring a different kind of two-dimensional material composite layer 100 '' to the substrate 400 and removing the polymer film 300 (S850).

상기 단계들 중에서, S810 단계는 도 2에 도시된 S210 단계와 같고, S820 단계는 도 2에 도시된 S220 단계와 같고, S830 단계는 도 2에 도시된 S830 단계와 같고, S850 단계는 도 2에 도시된 S250 단계와 같으므로, 구체적인 설명은 생략한다. 이하에서는 S835 단계와 S840 단계를 설명한다.2, step S820 is the same as step S220 shown in FIG. 2, step S830 is the same as step S830 shown in FIG. 2, step S850 corresponds to step S220 shown in FIG. Since it is the same as step S250, detailed description is omitted. Steps S835 and S840 will be described below.

이종의 2차원 물질 복합층(100'')을 형성하는 단계(S835)는, 고분자 막(300)과 2차원 물질층(100)을 다른 호일에 합성된 이종의 2차원 물질층에 전사하고 다른 호일을 제거하는 과정을 반복하여 이종의 2차원 물질 복합층(100'')을 형성하는 단계이다. 사용자가 원하는 이종의 2차원 물질 복합층(100'')의 층수가 2층이면 S835 단계를 1회 더 반복하고, 사용자가 원하는 이종의 2차원 물질 복합층(100'')의 층수가 3층이면 S835 단계를 2회 더 반복한다. 즉, 사용자가 원하는 이종의 2차원 물질 복합층(100'')의 층수가 n(단, n은 2이상의 자연수)층이면 S835 단계를 (n-1)회 더 반복한다. The step of forming a heterogeneous two-dimensional material composite layer 100 '' (S835) includes the steps of transferring the polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100 onto different kinds of two-dimensional material layers synthesized in different foils, The process of removing the foil is repeated to form a heterogeneous two-dimensional material composite layer 100 &quot;. If the number of different kinds of two-dimensional material composite layers 100 &quot; desired by the user is two, the step S835 is repeated one more time, and the number of different kinds of two-dimensional material composite layers 100 &quot; , The step S835 is repeated two more times. That is, if the number of layers of a different kind of two-dimensional material composite layer 100 "desired by the user is n (where n is a natural number of 2 or more), step S835 is repeated (n-1) times.

고분자 막(300)과 이종의 2차원 물질 복합층(100'')을 기판(400)에 전사하는 단계(S840)는, 이종의 2차원 물질 복합층(100'')의 최하층의 하면이 기판(400)의 상면에 전사되도록 하는 단계이다. 여기서, 이종의 2차원 물질 복합층(100'')의 하면을 기판(400)의 상면으로 전사한 후 이를 건조하는 과정을 더 거칠 수 있다.The step of transferring the polymer film 300 and the different kind of two-dimensional material composite layer 100 '' to the substrate 400 (S840) And then transferred onto the upper surface of the substrate 400. Here, the process of transferring the lower surface of the two-dimensional material composite layer 100 '' to the upper surface of the substrate 400 and then drying it may be further performed.

도 8에 도시된 제3 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 도 2에 도시된 제1 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법의 효과를 그대로 가질뿐만 아니라, 추가적으로 서로 다른 종류의 2차원 물질층들로 구성된 이종의 2차원 물질 복합층을 기판에 고분자 잔류물 없이 전사할 수 있는 이점이 있다.The method for transferring a two-dimensional material according to the third embodiment shown in Fig. 8 not only has the effect of the transfer method of the two-dimensional material according to the first embodiment shown in Fig. 2, There is an advantage that a heterogeneous two-dimensional material composite layer composed of two-dimensional material layers can be transferred onto a substrate without a polymer residue.

<제4 실시 형태>&Lt; Fourth Embodiment &

도 9는 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법을 설명하기 위한 공정 순서도와 공정 순서도의 각 단계에 대응하는 공정 단면도이다.9 is a process flow chart for explaining a transfer method of a two-dimensional material according to the fourth embodiment of the present invention and a process sectional view corresponding to each step of the process flow chart.

도 9의 공정 순서도와 공정 단면도를 참조하면, 제4 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 호일(200)에 2차원 물질을 합성하는 단계(S910), 고분자 막(300)을 2차원 물질층(100)에 전사하는 단계(S920), 호일(200)을 분리하는 단계(S930), 고분자 막(300)과 2차원 물질층(100)을 기판(400)에 전사하는 단계(S940) 및 고분자 막(300)을 제거하는 단계(S950)를 포함한다. 9, the method of transferring a two-dimensional material according to the fourth embodiment includes a step (S910) of synthesizing a two-dimensional material to the foil 200, a step (S910) of synthesizing the polymer film 300 into two- A step S930 of transferring the polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100 to the substrate 400, a step S940 of transferring the polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100 to the substrate 400, And removing the polymer film 300 (S950).

상기 단계들 중에서, S930 단계를 제외한 나머지 단계들은 도 2에 도시된 단계들과 동일하므로 설명은 생략한다. 이하에서는 S930 단계를 설명한다.Among the above steps, the remaining steps except step S930 are the same as the steps shown in FIG. 2, so that the description is omitted. The step S930 will be described below.

호일(200)을 분리하는 단계(S930)는, 고분자 막(300), 2차원 물질층(100) 및 호일(200) 중에서 호일(200)만을 전기 화학적인 방법으로 2차원 물질층(100)으로부터 분리하는 단계이다. Step S930 of separating the foil 200 is performed by separating only the foil 200 out of the polymer film 300, the two-dimensional material layer 100 and the foil 200 from the two-dimensional material layer 100 by an electrochemical method .

여기서, 상기 전기 화학적인 방법의 일 예로서, 전해질 용액에 음(-) 전극과 양(+) 전극을 넣고, 음(-) 전극에 2차원 물질층(100)이 형성된 호일(200)을 연결한다. 양(+) 전극은 전해질 용액과 반응하지 않는 금속으로 형성된다. 상기 두 전극에 전압을 인가하면 전해질 용액이 각 전극에서 전기 화학적 반응을 일으킨다. 음(-) 전극에서 수소가 발생되면서 호일(200)의 표면에 합성되어 있는 2차원 물질층(100)이 고분자 막(300)과 함께 호일(200)로부터 분리된다. Here, as an example of the electrochemical method, a negative electrode and a positive electrode are inserted into an electrolyte solution, and a foil 200 having a two-dimensional material layer 100 formed thereon is connected to a negative electrode do. The positive electrode is formed of a metal that does not react with the electrolyte solution. When a voltage is applied to the two electrodes, the electrolyte solution causes an electrochemical reaction at each electrode. The two-dimensional material layer 100 synthesized on the surface of the foil 200 is separated from the foil 200 together with the polymer film 300 while hydrogen is generated in the negative (-) electrode.

도 9에 도시된 제4 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, S930 단계 이전인 S920 단계에서 고분자 막(300)이 2차원 물질층(100)에 전사되었기 때문에, S930 단계에서 2차원 물질층(100)이 호일(200)로부터 분리되더라도 고분자 막(300)이 2차원 물질층(100)을 보호하기 때문에, 전기 화학적인 방법으로 호일(200)을 분리하더라도 2차원 물질층(100)의 손상을 현저히 줄이거나 완전히 막을 수 있는 이점이 있다. 9, since the polymer film 300 has been transferred to the two-dimensional material layer 100 in step S920, which is before step S930, the method of transferring the two-dimensional material according to the fourth embodiment shown in FIG. Even if the foil 200 is separated by an electrochemical method because the polymer film 300 protects the two-dimensional material layer 100 even if the layer 100 is separated from the foil 200, There is an advantage that the damage can be significantly reduced or prevented completely.

도 10 내지 도 12는 도 9에 도시된 제4 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법에서, S930 단계를 수행하는 중의 실제 실험 사진들이고, 도 13은 도 9에 도시된 제4 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법에서, S930 단계를 수행한 이후의 실제 실험 사진이다. Figs. 10 to 12 are photographs of actual experiments during the step S930 in the method of transferring a two-dimensional material according to the fourth embodiment shown in Fig. 9, and Fig. In the method of transferring a two-dimensional material, it is a photograph of an actual experiment after performing step S930.

도 10 내지 도 13의 실험 사진들에서, 2차원 물질은 그래핀을 이용하였고, 호일(200)은 구리 호일을 이용하였다. 양(+) 전극에는 백금이 증착된 웨이퍼 조각을 연결하였고, 음(-) 전극에는 고분자 막/그래핀/구리 호일을 연결하였다.10 to 13, the two-dimensional material was graphene and the foil 200 was a copper foil. Polymer membrane / graphene / copper foil was connected to the positive (+) electrode and the polymer film / graphene / copper foil to the negative (-) electrode.

도 10을 참조하면, 전기 화학적인 방법에 의해서, 음(-) 전극에서 기포가 발생하는 것을 확인할 수 있다. 발생되는 기포는 수소이다. Referring to FIG. 10, it is confirmed that bubbles are generated in the negative (-) electrode by an electrochemical method. The bubbles generated are hydrogen.

도 11 내지 도 12를 참조하면, 전해질 용액에 떠 있는 고분자 막/그래핀을 확인할 수 있다.11 to 12, the polymer membrane / graphene floating in the electrolyte solution can be identified.

도 13을 참조하면, 전기 화학적인 방법에 의해서, 구리 호일(우측 전극)이 회수된다. 회수된 구리 호일은 그래핀 합성 시 재사용이 가능하므로, 전사 비용을 절감할 수 있다.Referring to Fig. 13, a copper foil (right electrode) is recovered by an electrochemical method. The recovered copper foil can be reused in the synthesis of graphene, thus reducing the cost of transcription.

도 14는 도 9에 도시된 제4 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법에 의해 기판에 전사된 2차원 물질층의 XPS 측정 결과이다. 도 14의 결과는 2차원 물질로서 그래핀을 이용한 것이다.Fig. 14 is a result of XPS measurement of a two-dimensional material layer transferred to a substrate by the transfer method of the two-dimensional material according to the fourth embodiment shown in Fig. The results in Fig. 14 are obtained using graphene as a two-dimensional material.

도 14를 참조하면, 기판에 전사된 그래핀층에 어떠한 고분자 잔유물도 없음을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 14, it can be seen that there is no polymer residue in the graphene layer transferred to the substrate.

<제5 실시 형태>&Lt; Embodiment 5 >

도 15는 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법을 설명하기 위한 공정 순서도와 공정 순서도의 각 단계에 대응하는 공정 단면도이다.FIG. 15 is a process flow chart for explaining a transfer method of a two-dimensional material according to the fifth embodiment of the present invention and a process sectional view corresponding to each step of the process flow chart. FIG.

도 15의 공정 순서도와 공정 단면도를 참조하면, 제5 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 호일(200)에 2차원 물질을 합성하는 단계(S1510), 고분자 막(300)을 2차원 물질층(100)에 전사하는 단계(S1520), 호일(200)을 제거하는 단계(S1530), 고분자 막(300)과 2차원 물질층(100)을 기판(400)에 전사하는 단계(S1540), 감광물질을 고분자 막(300)에 도포하고 감광물질(600)을 패터닝하는 단계(S1550), 고분자 막(300)과 2차원 물질층(100)을 패터닝하는 단계(S1560), 감광물질(600)을 제거하는 단계(S1570) 및 고분자 막(300)을 제거하는 단계(S1580)을 포함한다. 15, a method of transferring a two-dimensional material according to a fifth embodiment includes a step (S1510) of synthesizing a two-dimensional material to a foil 200, a step (S1510) of synthesizing a polymer film 300 into a two- A step S1530 of transferring the polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100 to the substrate 400, a step S1540 of transferring the polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100 to the substrate 400, A step S1550 of applying a photosensitive material to the polymer film 300 and a patterning of the photosensitive material 600, a step S1560 of patterning the polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100, (S1570), and removing the polymer membrane 300 (S1580).

상기 단계들 중에서, S1510 단계는 도 2에 도시된 S210 단계와, S1520 단계는 도 2에 도시된 S220 단계와, S1530 단계는 도 2에 도시된 S230 단계와, S1540 단계는 도 2에 도시된 S240 단계와, S1580 단계는 도 2에 도시된 S250 단계와 동일하므로, 설명은 생략한다. 이하에서는 S1550 단계, S1560 단계 및 S1570 단계를 설명한다.In step S1510, step S210 shown in FIG. 2, step S1520 corresponds to step S220 shown in FIG. 2, step S1530 corresponds to step S230 shown in FIG. 2, step S1540 corresponds to step S240 And step S1580 are the same as those of step S250 shown in FIG. 2, and a description thereof will be omitted. Steps S1550, S1560, and S1570 will be described below.

감광물질을 고분자 막(300)에 도포하고 감광물질(600)을 패터닝하는 단계(S1550)는, 액상의 감광물질을 고분자 막(300)의 상면에 도포한 후, 경화된 감광물질(600)에 소정의 형상 패턴을 형성하는 패터닝 공정을 수행하는 단계이다. 여기서, 자외선을 사용하여 감광물질(600)을 패터닝할 수 있다. 감광물질(600)이 자외선에 의해 패터닝되면 고분자 막(300)이 드러난다.In the step S1550 of applying the photosensitive material to the polymer film 300 and patterning the photosensitive material 600, a liquid photosensitive material is coated on the upper surface of the polymer film 300, And performing a patterning process for forming a predetermined shape pattern. Here, the photosensitive material 600 may be patterned using ultraviolet rays. When the photosensitive material 600 is patterned by ultraviolet rays, the polymer film 300 is exposed.

고분자 막(300)과 2차원 물질층(100)을 패터닝하는 단계(S1560)는, 패터닝된 감광물질(600)을 마스크로하여 고분자 막(300)과 2차원 물질층(100)을 패터닝하는 단계이다. 산소 플라즈마 공정을 이용하여 고분자 막(300)과 2차원 물질층(100)을 동시에 패터닝할 수 있다.The patterning step S1560 of the polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100 may include patterning the polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100 using the patterned photosensitive material 600 as a mask to be. The polymer film 300 and the two-dimensional material layer 100 can be simultaneously patterned by using an oxygen plasma process.

감광물질(600)을 제거하는 단계(S1570)는, 패터닝된 2차원 물질층(100)의 상면에 존재하는 감광물질(600)을 제거하는 단계이다. 감광물질(600) 제거 용액을 사용하면 감광물질(600)을 선택적으로 제거할 수 있다.The step of removing the photosensitive material 600 (S1570) is a step of removing the photosensitive material 600 present on the upper surface of the patterned two-dimensional material layer 100. [ The photosensitive material 600 can be selectively removed by using the photosensitive material 600 removing solution.

도 15에 도시된 제5 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 고분자 물질로 구성된 감광물질(600)을 사용하여 2차원 물질층(100)을 패터닝함에도 불구하고, 기판(100)에 전사된 2차원 물질층(100)에 감광물질(600)의 잔유물이 남아있지 않는 이점이 있다. 이는, 감광물질(600)을 2차원 물질층(100)이 아닌 고분자 막(300)에 도포하기 때문에 가능한 것이다. 즉, 감광물질(600)이 2차원 물질층(100)에 직접 접촉하는 것을 고분자 막(300)이 차단하기 때문에 기판(100)에 전사된 2차원 물질층(100)에 감광물질(600)의 잔유물이 남아있지 않는 것이다.The method of transferring a two-dimensional material according to the fifth embodiment shown in FIG. 15 is a method in which a two-dimensional material layer 100 is patterned using a photosensitive material 600 composed of a polymer material, There is an advantage that no residue of the photosensitive material 600 remains in the two-dimensional material layer 100. [ This is possible because the photosensitive material 600 is applied to the polymer film 300 rather than the two-dimensional material layer 100. [ That is, since the polymer film 300 blocks the direct contact of the photosensitive material 600 with the two-dimensional material layer 100, the two-dimensional material layer 100 transferred to the substrate 100 has the photosensitive material 600 There is no residue left.

도 15에 도시된 제5 실시 형태에 따른 2차원 물질의 전사 방법은, 2차원 물질층(100)을 패터닝할 수 있으므로, 기판(400)에 일 면에 전사된 패터닝된 2차원 물질층(100)을 전자소자 및 센서 등으로 활용할 수 있는 이점이 있다.The method of transferring a two-dimensional material according to the fifth embodiment shown in Fig. 15 is a method of transferring a patterned two-dimensional material layer 100 ) Can be utilized as electronic devices and sensors.

이상에서 실시 형태들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 하나의 실시 형태에 포함되며, 반드시 하나의 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 형태에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 형태들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 형태들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 형태의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. It will be appreciated that many variations and applications not illustrated are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100: 2차원 물질층
200: 호일
300: 고분자 막
400: 기판
100: two-dimensional material layer
200: foil
300: polymer membrane
400: substrate

Claims (11)

호일에 2차원 물질을 합성하여 호일에 2차원 물질층을 형성하는 단계;
고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계;
상기 호일을 제거하는 단계;
상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 기판에 전사하는 단계; 및
상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층으로부터 제거하는 단계;
를 포함하고,
상기 고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계는, 상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 물을 매개로 전사하되, 0도(℃) 초과 100도(℃) 미만의 온도에서 수행되는, 2차원 물질의 전사 방법.
Forming a two-dimensional material layer on the foil by synthesizing a two-dimensional material on the foil;
Transferring a solid polymer film to the two-dimensional material layer;
Removing the foil;
Transferring the polymer film and the two-dimensional material layer to a substrate; And
Removing the polymeric film from the two-dimensional material layer;
Lt; / RTI &gt;
The step of transferring the solid polymer film to the two-dimensional material layer includes transferring the polymer film to the two-dimensional material layer via water, wherein the polymer film is carried out at a temperature of more than 0 ° C and less than 100 ° C , A method of transferring a two-dimensional material.
제 1 항에 있어서,
상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 상기 기판에 전사하는 단계와 상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층으로부터 제거하는 단계 사이에는,
감광물질을 상기 고분자 막에 도포하고, 도포된 상기 감광물질을 패터닝하는 단계;
패터닝된 상기 감광물질을 마스크로하여 상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 패터닝하는 단계; 및
상기 감광물질을 제거하는 단계;
를 더 포함하는, 2차원 물질의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Between the step of transferring the polymer film and the two-dimensional material layer to the substrate and the step of removing the polymer film from the two-dimensional material layer,
Applying a photosensitive material to the polymer film, and patterning the applied photosensitive material;
Patterning the polymer film and the two-dimensional material layer using the patterned photosensitive material as a mask; And
Removing the photosensitive material;
And transferring the two-dimensional material.
호일에 2차원 물질을 합성하여 호일에 2차원 물질층을 형성하는 단계;
고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계;
상기 호일을 제거하는 단계;
상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 상기 호일과 다른 호일에 합성된 동종의 2차원 물질층에 전사한 후 상기 다른 호일을 제거하는 과정을 적어도 1회 이상 반복하여 다층 구조의 2차원 물질층을 형성하는 단계;
상기 고분자 막과 상기 다층 구조의 2차원 물질층을 기판에 전사하는 단계; 및
상기 고분자 막을 상기 다층 구조의 2차원 물질층으로부터 제거하는 단계;
를 포함하는, 2차원 물질의 전사 방법.
Forming a two-dimensional material layer on the foil by synthesizing a two-dimensional material on the foil;
Transferring a solid polymer film to the two-dimensional material layer;
Removing the foil;
The polymer film and the two-dimensional material layer are transferred to the same kind of two-dimensional material layer synthesized on the foil and then the other foil is removed at least once, thereby forming a multi-layered two- ;
Transferring the polymer film and the multi-layered two-dimensional material layer onto a substrate; And
Removing the polymeric film from the two-dimensional material layer of the multi-layer structure;
And transferring the two-dimensional material.
호일에 2차원 물질을 합성하여 호일에 2차원 물질층을 형성하는 단계;
고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계;
상기 호일을 제거하는 단계;
상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 상기 호일과 다른 호일에 합성된 이종의 2차원 물질층에 전사한 후 상기 다른 호일을 제거하는 과정을 적어도 1회 이상 반복하여 이종의 2차원 물질 복합층을 형성하는 단계;
상기 고분자 막과 상기 이종의 2차원 물질 복합층을 기판에 전사하는 단계; 및
상기 고분자 막을 상기 이종의 2차원 물질 복합층으로부터 제거하는 단계;
를 포함하는, 2차원 물질의 전사 방법.
Forming a two-dimensional material layer on the foil by synthesizing a two-dimensional material on the foil;
Transferring a solid polymer film to the two-dimensional material layer;
Removing the foil;
Dimensional material layer synthesized on the foil and the other two-dimensional material layer synthesized on the foil and then removing the other foil is repeated at least once or more to form a heterogeneous two-dimensional material composite layer ;
Transferring the polymer film and the heterogeneous two-dimensional material composite layer onto a substrate; And
Removing the polymeric film from the heterogeneous two-dimensional material composite layer;
And transferring the two-dimensional material.
호일에 2차원 물질을 합성하여 호일에 2차원 물질층을 형성하는 단계;
고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계;
전기 화학적인 방법을 사용하여 상기 호일을 상기 2차원 물질층으로부터 분리하는 단계;
상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 기판에 전사하는 단계; 및
상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층으로부터 제거하는 단계;
를 포함하는, 2차원 물질의 전사 방법.
Forming a two-dimensional material layer on the foil by synthesizing a two-dimensional material on the foil;
Transferring a solid polymer film to the two-dimensional material layer;
Separating the foil from the two-dimensional material layer using an electrochemical method;
Transferring the polymer film and the two-dimensional material layer to a substrate; And
Removing the polymeric film from the two-dimensional material layer;
And transferring the two-dimensional material.
제 1 항에 있어서,
상기 물에는 소정의 유기 용매와 무기 용매가 더 포함된, 2차원 물질의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the water further contains a predetermined organic solvent and an inorganic solvent.
제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계는, 상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 물을 매개로 전사하되, 0도(℃) 초과 100도(℃) 미만의 온도에서 수행되는, 2차원 물질의 전사 방법.
6. The method according to any one of claims 3 to 5,
The step of transferring the solid polymer film to the two-dimensional material layer includes transferring the polymer film to the two-dimensional material layer via water, wherein the polymer film is carried out at a temperature of more than 0 ° C and less than 100 ° C , A method of transferring a two-dimensional material.
제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계는, 상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 물을 매개로 전사하되, 상기 물에는 소정의 유기 용매와 무기 용매가 더 포함된, 2차원 물질의 전사 방법.
6. The method according to any one of claims 3 to 5,
The step of transferring the solid polymer film to the two-dimensional material layer comprises: transferring the polymer film to the two-dimensional material layer through water, wherein the water contains a predetermined organic solvent and an inorganic solvent; Method of transferring material.
제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계는, 상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 물을 매개로 전사하되, 상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 진공챔버에 넣고, 펌프로 상기 진공챔버 안의 공기를 빼내는, 2차원 물질의 전사 방법.
6. The method according to any one of claims 3 to 5,
The step of transferring the solid polymer film to the two-dimensional material layer includes transferring the polymer film to the two-dimensional material layer through water, placing the polymer film and the two-dimensional material layer in a vacuum chamber, And drawing air in the vacuum chamber.
호일에 2차원 물질을 합성하여 호일에 2차원 물질층을 형성하는 단계;
고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계;
상기 호일을 제거하는 단계;
상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 기판에 전사하는 단계; 및
상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층으로부터 제거하는 단계;
를 포함하고,
상기 고체 상태의 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 전사하는 단계는, 상기 고분자 막을 상기 2차원 물질층에 물을 매개로 전사하되, 상기 고분자 막과 상기 2차원 물질층을 진공챔버에 넣고, 펌프로 상기 진공챔버 안의 공기를 빼내는, 2차원 물질의 전사 방법.
Forming a two-dimensional material layer on the foil by synthesizing a two-dimensional material on the foil;
Transferring a solid polymer film to the two-dimensional material layer;
Removing the foil;
Transferring the polymer film and the two-dimensional material layer to a substrate; And
Removing the polymeric film from the two-dimensional material layer;
Lt; / RTI &gt;
The step of transferring the solid polymer film to the two-dimensional material layer includes transferring the polymer film to the two-dimensional material layer through water, placing the polymer film and the two-dimensional material layer in a vacuum chamber, And drawing air in the vacuum chamber.
제 1 항 내지 제 5 항, 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 2차원 물질은, 그래핀(graphene), 그래파인(graphyne), 보로핀(borophene), 저마닌(germanene), 실리신(silicene), 스테닌(stanene), 포스포린(phosphorene), 보론 질화물(boron nitride), 전이금속-칼코겐 화합물(transition metal di-chalcogenides, TMDCs), 단일층 팔라듐(Pd) 및 로듐(Rh) 중 어느 하나로 구성된, 2차원 물질의 전사 방법.
11. The method according to any one of claims 1 to 5 and 10,
The two-dimensional material may be selected from the group consisting of graphene, graphyne, borophene, germanene, silicene, stanene, phosphorene, boron nitride A method of transferring a two-dimensional material, the method comprising the steps of: depositing boron nitride, transition metal di-chalcogenides (TMDCs), single layer palladium (Pd), and rhodium (Rh).
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