KR101787500B1 - 반도체 제조설비 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 처리 방법 - Google Patents

반도체 제조설비 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 처리 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 제조설비는, 반도체 웨이퍼에 대한 공정이 수행되는 공정챔버와, 그리고 공정챔버로 반도체 웨이퍼에 대한 로딩/언로딩을 수행하는 로드락챔버를 포함한다. 로드락 챔버는, 내부 공간을 한정하는 챔버외벽 및 챔버덮개와, 내부 공간 내에 배치되는 반도체 웨이퍼를 이송하는 이송수단과, 그리고 반도체 웨이퍼의 중심부 및 가장자리부의 워피지 상태들을 각각 검출하기 위한 제1 센서 및 제2 센서들을 포함한다.

Description

반도체 제조설비 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 처리 방법{Apparatus for manufacturing a semiconductor device and method of processing a semiconductor wafer using the same}
본 개시의 여러 실시예들은 반도체 제조설비 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 처리 방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 웨이퍼의 워피지(warpage) 상태를 파악하여 반도체 웨이퍼에 대한 공정이 균일하게 수행되도록 할 수 있는 반도체 제조설비 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 처리 방법에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼를 이용한 반도체 제조과정 중 이루어지는 여러 과정에서 웨이퍼의 구부러짐(warpage)이 유발될 수 있다. 예컨대 화학적기계적폴리싱(CMP; Chemical Mechanical Processing) 또는 후면 그라인딩(back grinding)과 같은 기계적 공정에 의한 스트레스는 웨이퍼 구부러짐의 원인으로 작용할 수 있다. 또한 열적 산화, 급속열처리(RTP; Rapid Thermal Processing), 리소그라피에서의 베이크(bake) 공정, 열압착 본딩(thermal compression bonding) 공정과 같은 열처리 공정에 의한 스트레스도 웨이퍼 구부러짐의 원인으로 작용할 수 있다. 특히 실리콘 웨이퍼와 다른 물질, 예컨대 실리콘 웨이퍼 하부에 배치되는 에폭시몰딩컴파운드(EMC; Epoxy Molding Compound)의 열팽창계수(CTE; Coefficient of Thermal Expansion)의 차이는 웨이퍼 구부러짐을 더 촉진시킨다. 웨이퍼 구부러짐이 발생된 상태에서, 반도체 웨이퍼 처리 장비를 이용하여 반도체 제조공정을 진행하는 경우, 웨이퍼에 대한 가스 공급이나 온도 분포 등이 불균일해지며, 이는 공정 불량을 야기시킬 수 있다. 또한 웨이퍼 구부러짐이 유지되게 되면, 제조 공정이 이루어진 이후 패키지 단계에서 반도체 칩의 손상과 불량을 유발하는 원인으로 작용할 수 있다.
본 출원이 해결하고자 하는 과제는, 반도체 웨이퍼의 워피지(warpage) 상태를 파악하여 반도체 웨이퍼에 대한 공정이 균일하게 수행되도록 할 수 있는 반도체 제조설비 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 처리 방법을 제공하는 것이다.
일 예에 따른 반도체 제조설비는, 반도체 웨이퍼에 대한 공정이 수행되는 공정챔버와, 그리고 공정챔버로 반도체 웨이퍼에 대한 로딩/언로딩을 수행하는 로드락챔버를 포함한다. 로드락 챔버는, 내부 공간을 한정하는 챔버외벽 및 챔버덮개와, 내부 공간 내에 배치되는 반도체 웨이퍼를 이송하는 이송수단과, 그리고 반도체 웨이퍼의 중심부 및 가장자리부의 워피지 상태들을 각각 검출하기 위한 제1 센서 및 제2 센서들을 포함한다.
일 예에서, 로드락 챔버에 결합되어 수납용기로부터 수납되어 있는 반도체 웨이퍼를 로드락 챔버에 공급하는 설비 전방 단부 모듈(EFEM)을 더 포함할 수 있다.
일 예에서, 공정챔버는 복수개로 구성될 수 있다.
일 예에서, 챔버덮개는 복수개의 관통홀들을 포함하고, 제1 센서 및 제2 센서들 각각은, 챔버덮개 위에서 상기 관통홀들의 각각의 위에 배치될 수 있다.
일 예에서, 제1 센서는, 반도체 웨이퍼의 중심부에서의 표면까지의 거리를 측정하고, 제2 센서들 각각은, 반도체 웨이퍼의 가장자리부들 각각에서의 표면까지의 거리를 측정할 수 있다.
일 예에서, 제1 센서는, 반도체 웨이퍼의 중심부와 수직 방향으로 중첩되도록 배치되고, 제2 센서들은, 반도체 웨이퍼의 가장자리부와 수직 방향으로 중첩되도록 배치될 수 있다.
일 예에서, 제2 센서들은, 반도체 웨이퍼의 가장자리를 따라 상호 이격되도록 배치될 수 있다.
일 예에서, 제1 센서 및 제2 센서들은 상부 덮개 위에서 동일한 수평 레벨상에 위치하도록 배치될 수 있다.
다른 예에 따른 반도체 제조설비는, 반도체 웨이퍼에 대한 공정이 수행되는 공정챔버와, 그리고 공정챔버로 반도체 웨이퍼에 대한 로딩/언로딩을 수행하는 로드락챔버를 포함한다. 로드락 챔버는, 내부 공간을 한정하는 챔버외벽 및 챔버덮개와, 내부 공간 내에 배치되는 반도체 웨이퍼를 이송하는 이송수단과, 그리고 반도체 웨이퍼의 중심부, 가장자리부, 및 그 사이의 중간영역의 워피지 상태들을 각각 검출하기 위한 제1 센서, 제2 센서들, 및 제3 센서들을 포함한다.
일 예에서, 로드락 챔버에 결합되어 수납용기로부터 수납되어 있는 반도체 웨이퍼를 로드락 챔버에 공급하는 설비 전방 단부 모듈(EFEM)을 더 포함할 수 있다.
일 예에서, 공정챔버는 복수개로 구성될 수 있다.
일 예에서, 챔버덮개는 복수개의 관통홀들을 포함하고, 제1 센서, 제2 센서들, 및 제3 센서들 각각은, 챔버덮개 위에서 관통홀들의 각각의 위에 배치될 수 있다.
일 예에서, 제1 센서는, 반도체 웨이퍼의 중심부에서의 표면까지의 거리를 측정하고, 제2 센서들 각각은, 반도체 웨이퍼의 가장자리부들 각각에서의 표면까지의 거리를 측정하며, 그리고 제3 센서들 각각은, 반도체 웨이퍼의 중간영역들 각각에서의 표면까지의 거리를 측정할 수 있다.
일 예에서, 제1 센서는, 반도체 웨이퍼의 중심부와 수직 방향으로 중첩되도록 배치되고, 제2 센서들은, 반도체 웨이퍼의 가장자리부와 수직 방향으로 중첩되도록 배치되며, 그리고 제3 센서들은, 반도체 웨이퍼의 중간영역과 수직 방향으로 중첩되도록 배치될 수 있다.
일 예에서, 제2 센서들 및 제3 센서들은, 반도체 웨이퍼의 둘레를 따라 상호 이격되도록 배치될 수 있다.
일 예에서, 제1 센서, 제2 센서들, 및 제3 센서들은 상부 덮개 위에서 동일한 수평 레벨상에 위치하도록 배치될 수 있다.
일 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 방법은, 반도체 웨이퍼를 로드락 챔버에 로딩하는 단계와, 로드락 챔버 내의 센서들과 반도체 웨이퍼의 영역별 표면 사이의 거리들을 검출하여 반도체 웨이퍼의 워피지 데이터를 생성하는 단계와, 워피지 데이터에 의해 반도체 웨이퍼의 워피지 상태를 판단하는 단계와, 워피지 상태의 판단 결과, 반도체 웨이퍼의 워피지가 없는 경우 반도체 웨이퍼를 공정챔버로 이송하여 공정을 수행하는 단계와, 그리고 워피지 상태의 판단 결과, 반도체 웨이퍼의 워피지가 있는 경우 반도체 웨이퍼에 대한 공정챔버의 공정조건을 변경한 후에 반도체 웨이퍼를 공정챔버로 이송하여 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
일 예에서, 반도체 웨이퍼의 워피지 데이터를 생성하는 단계는, 센서들과 반도체 웨이퍼의 영역별 표면 사이의 거리들을 비교하여 수행할 수 있다.
일 예에서, 공정챔버의 공정조건 변경은, 공정챔버로 공급되는 가스의 양을 반도체 웨이퍼의 워피지 상태에 따라 영역별로 다르게 설정하여 수행할 수 있다.
일 예에서, 공정챔버의 공정조건 변경은, 공정챔버 내의 온도 분포를 반도체 웨이퍼의 워피지 상태에 따라 영역별로 다르게 설정하여 수행할 수 있다.
여러 실시예들에 따르면, 반도체 웨이퍼의 워피지(warpage) 상태를 파악하여 반도체 웨이퍼에 대한 공정이 균일하게 수행되도록 할 수 있다는 이점이 제공된다.
도 1은 일 예에 따른 반도체 제조설비를 나타내 보인 평면도이다.
도 2는 도 1의 로드락 챔버의 일 예를 나타내 보인 단면도이다.
도 3은 도 2의 로드락 챔버 내에 로딩된 반도체 웨이퍼와 센서들 사이의 수직 관계를 나타내 보인 도면이다.
도 4는 도 2의 로드락 챔버에 로딩된 반도체 웨이퍼의 워피지 검출 과정의 일 예를 설명하기 위해 나타내 보인 단면도이다.
도 5는 도 2의 로드락 챔버에 로딩된 반도체 웨이퍼의 워피지 검출 과정의 다른 예 예를 설명하기 위해 나타내 보인 단면도이다.
도 6은 도 1의 로드락 챔버의 다른 예를 나타내 보인 단면도이다.
도 7은 도 6의 로드락 챔버 내에 로딩된 반도체 웨이퍼와 센서들 사이의 수직 관계를 나타내 보인 도면이다.
도 8은 도 6의 로드락 챔버에 로딩된 반도체 웨이퍼의 워피지 검출 과정의 일 예를 설명하기 위해 나타내 보인 단면도이다.
도 9는 도 6의 로드락 챔버에 로딩된 반도체 웨이퍼의 워피지 검출 과정의 다른 예를 설명하기 위해 나타내 보인 단면도이다.
도 10은 도 6의 로드락 챔버에 로딩된 반도체 웨이퍼의 워피지 검출 과정의 또 다른 예를 설명하기 위해 나타내 보인 단면도이다.
도 11은 일 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리방법을 나타내 보인 플로챠트이다.
본 출원의 예의 기재에서 "제1" 및 "제2"와 같은 기재는 부재를 구분하기 위한 것이며, 부재 자체를 한정하거나 특정한 순서를 의미하는 것으로 사용된 것은 아니다. 또한, 어느 부재의 "상"에 위치하거나 "상부", "하부", 또는 "측면"에 위치한다는 기재는 상대적인 위치 관계를 의미하는 것이지 그 부재에 직접 접촉하거나 또는 사이 계면에 다른 부재가 더 도입되는 특정한 경우를 한정하는 것은 아니다. 또한, 어느 한 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어 있다"거나 "접속되어 있다"의 기재는, 다른 구성 요소에 전기적 또는 기계적으로 직접 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수 있으며, 또는, 중간에 다른 별도의 구성 요소들이 개재되어 연결 관계 또는 접속 관계를 구성할 수도 있다.
도 1은 일 예에 따른 반도체 제조설비를 나타내 보인 평면도이다. 도 1을 참조하면, 반도체 제조설비(100)는, 반도체 웨이퍼에 대한 처리 공정이 이루어지는 공정 챔버들(process chambers)(111, 112)과, 반도체 웨이퍼를 인출하고 인입하기 위한 설비 전방 단부 모듈(EFEM; Equipment Front End Module)(120)과, 그리고 공정 챔버들(111, 112) 및 설비 전방 단부 모듈(120) 사이에서 반도체 웨이퍼를 로딩/언로딩하는 로드락 챔버(loadlock chamber)(130)를 포함하여 구성될 수 있다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 로드락 챔버(130)와 공정 챔버들(111, 112) 사이에는 반도체 웨이퍼의 이송을 수행하는 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)(미도시)가 더 배치될 수도 있다. 또한 공정 챔버들(111, 112)은 2개가 배치되지만, 이는 단지 하나의 예시로서 3개 이상의 공정 챔버들이 배치될 수도 있다.
공정 챔버들(111, 112) 각각은 반도체 웨이퍼를 제공받아 반도체 공정, 예컨데 에칭(etching), 세정(cleaning), 애싱(ashing), 리플로우잉(reflowing) 등과 같은 공정을 수행하여 반도체 웨이퍼를 가공한다. 설비 전방 단부 모듈(120)은 반도체 웨이퍼들을 수납하는 수납용기를 포함할 수 있다. 도면에서 화살표(121)로 나타낸 바와 같이, 설비 전방 단부 모듈(120) 내에서 수납용기로부터 수납되어 있는 반도체 웨이퍼는 로드락 챔버(130)로 공급될 수 있으며, 공정이 이루어진 반도체 웨이퍼가 로드락 챔버(130)로부터 설비 전방 단부 모듈(120)로 이송될 수 있다.
로드락 챔버(130)는, 공정 챔버들(111, 112) 각각으로 유입되는 반도체 웨이퍼가 일시적으로 머무르는 로딩 챔버와, 공정 챔버들(111, 112) 각각으로부터 반도체 공정이 완료되어 인출된 반도체 웨이퍼가 일시적으로 머무르는 언로딩 챔버를 포함할 수 있다. 반도체 웨이퍼는, 도면에서 화살표(131, 132)로 나타낸 바와 같이, 로봇암과 같은 이송수단을 통해, 로드락 챔버(130)로부터 공정 챔버들(111, 112)로 로딩되거나, 또는 공정 챔버들(111, 112)로부터 로드락 챔버(130)로 언로딩될 수 있다. 로드락 챔버(130)의 내부는 진공 및 대기압으로 전환이 가능하며, 외부 오염물질이 공정 챔버들(111, 112)로 유입되는 것을 방지한다. 로드락 챔버(130)는, 센싱 영역(135)을 포함한다. 센싱 영역(135)은 로드락 챔버(130)로 로딩되는 반도체 웨이퍼의 워피지(warpage) 상태를 검출하기 위한 영역으로 정의될 수 있다. 센싱 영역(135)에서 검출된 반도체 웨이퍼의 워피지 상태는, 공정 챔버들(111, 112) 내에서 반도체 웨이퍼에 대한 공정에 수행될 때 적용되는 공정 조건에 반영될 수 있으며, 이를 위해 반도체 웨이퍼의 워피지 상태에 따른 공정 조건을 설정하는 컨트롤러가 더 배치될 수 있다.
도 2는 도 1의 로드락 챔버의 일 예를 나타내 보인 단면도이다. 로드락 챔버(130-1)는 로딩 챔버 및 언로딩 챔버를 포함할 수 있는데, 도 2에는 로딩 챔버를 나타내고 있다. 도 2를 참조하면, 로드락 챔버(130-1)는, 챔버 외벽(210)에 의해 내부 공간이 진공 상태를 유지할 수 있다. 내부 공간에는, 예컨대 로봇암과 같은 이송수단(220)이 배치된다. 이송수단(220)은, 지지대(230)에 의해 지지될 수 있으며, 로드락 챔버(130-1)와 공정 챔버들(도 1의 111, 112) 사이로 이동이 가능하며, 또한 로드락 챔버(130-1)와 설비 전방 단부 모듈(도 1의 120) 사이로도 이동이 가능하다. 로드락 챔버(130-1)로 로딩된 반도체 웨이퍼(300)는 이송수단(220) 위로 안착된 후에, 이송수단(220)에 의해 공정 챔버들(도 1의 111, 112)로 이송될 수 있다. 로드락 챔버(130-1) 상부에는 상부 덮개(240)가 배치된다. 상부 덮개(240)에는 복수개의 관통홀들(251, 252a, 252b)이 배치된다.
센싱 영역(135) 내에서 관통홀들(251, 252a, 252b) 위에는 복수개의 센서들, 예컨대 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b)이 배치될 수 있다. 즉, 제1 센서(261)는 관통홀(251) 위에 배치되며, 제2 센서들(262a, 262b) 각각은, 관통홀들(252a, 252b) 각각의 상부에 배치된다. 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b)은 상부 덮개(240) 위에서 동일한 수평 레벨상에 위치하도록 배치된다. 이에 따라 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b) 각각에서 검출신호가 출사되는 면과 이송수단(220)의 상부면 사이의 거리는 모두 동일하게 된다. 본 예에서 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b)은 상부 덮개(240) 위에 배치되지만, 다른 예에서 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b)은 상부 덮개(240) 내에 내장되도록 배치될 수도 있다. 제1 센서(261)는, 반도체 웨이퍼(300)의 중심부와 수직방향으로 중첩되도록 배치될 수 있다. 제2 센서(262a)는, 반도체 웨이퍼(300)의 일 가장자리부와 수직방향으로 중첩되도록 배치될 수 있다. 제2 센서(262b)는, 반도체 웨이퍼(300)의 다른 가장자리부와 수직방향으로 중첩되도록 배치될 수 있다.
다른 예에서 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b)은, 수직 라인과 일정 각도 비스듬한 위치에 배치될 수도 있다. 이 경우, 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b)의 수직 라인과의 각도는 모두 균일하도록 한다. 비록 본 단면구조에서는 2개의 제2 센서들(262a, 262b)만이 도시되어 있지만, 반도체 웨이퍼(300)의 가장자리를 따라 보다 많은 수의 제2 센서들이 배치될 수 있다. 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b) 각각은, 워피지 검출신호를 출사할 수 있으며, 반도체 웨이퍼(300)로부터 되돌아 오는 반사신호를 검출하는 검출기능을 포함할 수 있다. 이 경우 관통홀들(251, 252a, 252b)은 반도체 웨이퍼(300)로부터 되도록 오는 반사신호가 통과될 수 있을 정도로 충분한 폭으로 형성될 수 있다. 다른 예에서 반도체 웨이퍼로부터 되돌아 오는 반사신호를 검출하는 검출기들이 로드락 챔버(130-1) 내에 별도로 배치될 수도 있다.
도 3은 도 2의 로드락 챔버 내에 로딩된 반도체 웨이퍼와 센서들 사이의 수직 관계를 나타내 보인 도면이다. 도 3에서 선 II-II'의 단면 구조는 도 2의 단면 구조에 대응될 수 있다. 도 3을 참조하면, 이송수단(도 2의 220) 위로 로딩된 반도체 웨이퍼(300)와 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b, 262c, 262d)은 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 제1 센서(261)는 반도체 웨이퍼(300)의 중심부(300a)와 수직 방향으로 중첩될 수 있고, 제2 센서들(262a, 262b, 262c, 262d)은 반도체 웨이퍼(300)의 가장자리부(300b)를 따라 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 제2 센서들(262a, 262b, 262c, 262d) 각각은 반도체 웨이퍼(300)의 가장자리를 따라 일정 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다. 비록 본 예에서 1개의 제1 센서(261) 및 4개의 제2 센서들(262a, 262b, 262c, 262d)을 예로 들었지만, 이는 단지 하나의 예로서 1개보다 많은 제1 센서들이 반도체 웨이퍼(300)의 중심부에 수직 방향으로 중첩되도록 배치될 수 있으며, 4개보다 많은 제2 센서들이 반도체 웨이퍼(300)의 가장자리부에 수직 방향으로 중첩되도록 배치될 수도 있다.
도 4는 도 2의 로드락 챔버에 로딩된 반도체 웨이퍼의 워피지 검출 과정의 일 예를 설명하기 위해 나타내 보인 단면도이다. 도 4에서 도 2와 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. 도 4를 참조하면, 로드락 챔버(130-1)의 이송수단(220) 위에 로딩된 반도체 웨이퍼(301)가 가장자리부가 위를 향해 구부러진 스마일 형상(smile shape)으로 워피지를 갖는 겨우, 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b)은 반도체 웨이퍼(301)의 워피지 상태를 검출하여 반도체 웨이퍼(301)의 워피지 데이터 구성 정보를 컨트롤러로 전송할 수 있다. 반도체 웨이퍼(301)의 워피지 상태는, 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b)과 반도체 웨이퍼(301)의 표면 까지의 거리를 측정함으로써 검출할 수 있다. 일 예로, 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b) 각각은 반도체 웨이퍼(301)의 상부면을 향해 각각 제1 검출신호(361) 및 제2 검출신호들(362a, 362b)을 출사한다. 일 예에서 제1 검출신호(361) 및 제2 검출신호들(362a, 362b)은 레이저일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 제1 검출신호(361) 및 제2 검출신호들(362a, 362b)은 특정 파장대의 광일 수도 있다.
제1 검출신호(361)가 반도체 웨이퍼(301)의 중심부에 조사되면, 반도체 웨이퍼(301) 중심부의 표면으로부터 되돌아 오는 제1 반사신호가 발생된다. 이 제1 반사신호를 검출하여 전기적신호로 변환한 후 소정의 연산 과정을 통해 반도체 웨이퍼(301) 중심부 표면까지의 제1 거리를 산출할 수 있다. 마찬가지로 제2 검출신호들(362a, 362b) 각각이 반도체 웨이퍼(301)의 가장자리부에 조사되면, 반도체 웨이퍼(301) 가장자리부의 표면으로부터 되돌아 오는 제2 반사신호들이 발생된다. 이 제2 반사신호들 각각을 검출하여 전기적신호로 변환한 후 소정의 연산 과정을 통해 반도체 웨이퍼(301) 가장자리부 표면까지의 제2 거리들을 산출할 수 있다. 본 예에서 반도체 웨이퍼(301)가 스마일 형태의 워피지를 가짐에 따라 제1 거리는 제2 거리들보다 큰 값을 나타내게 된다. 이와 같이 제1 거리 및 제2 거리들을 비교함으로써 스마일 형태로 구부러진 반도체 웨이퍼(301)의 워피지 상태를 검출할 수 있다.
도 5는 도 2의 로드락 챔버에 로딩된 반도체 웨이퍼의 워피지 검출 과정의 다른 예 예를 설명하기 위해 나타내 보인 단면도이다. 도 5에서 도 2와 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. 도 5를 참조하면, 로드락 챔버(130-1)의 이송수단(220) 위에 로딩된 반도체 웨이퍼(302)가 가장자리부가 아래를 향해 구부러진 크라잉 형상(crying shape)으로 워피지를 갖는 겨우, 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b)은 반도체 웨이퍼(301)의 워피지 상태를 검출하여 반도체 웨이퍼(302)의 워피지 데이터 구성 정보를 컨트롤러로 전송할 수 있다. 반도체 웨이퍼(302)의 워피지 상태는, 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b)과 반도체 웨이퍼(302)의 표면까지의 거리를 측정함으로써 검출할 수 있다. 일 예로, 제1 센서(261) 및 제2 센서들(262a, 262b) 각각은 반도체 웨이퍼(302)의 상부면을 향해 각각 제1 검출신호(461) 및 제2 검출신호들(462a, 462b)을 출사한다. 일 예에서 제1 검출신호(461) 및 제2 검출신호들(462a, 462b)은 레이저일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 제1 검출신호(461) 및 제2 검출신호들(462a, 462b)은 특정 파장대의 광일 수도 있다.
제1 검출신호(461)가 반도체 웨이퍼(302)의 중심부에 조사되면, 반도체 웨이퍼(302) 중심부의 표면으로부터 되돌아 오는 제1 반사신호가 발생된다. 이 제1 반사신호를 검출하여 전기적신호로 변환한 후 소정의 연산 과정을 통해 반도체 웨이퍼(302) 중심부 표면까지의 제1 거리를 산출할 수 있다. 마찬가지로 제2 검출신호들(462a, 462b) 각각이 반도체 웨이퍼(302)의 가장자리부에 조사되면, 반도체 웨이퍼(302) 가장자리부의 표면으로부터 되돌아 오는 제2 반사신호들이 발생된다. 이 제2 반사신호들 각각을 검출하여 전기적신호로 변환한 후 소정의 연산 과정을 통해 반도체 웨이퍼(302) 가장자리부 표면까지의 제2 거리들을 산출할 수 있다. 본 예에서 반도체 웨이퍼(302)가 크라잉 형태의 워피지를 가짐에 따라 제1 거리는 제2 거리들보다 작은 값을 나타내게 된다. 이와 같이 제1 거리 및 제2 거리들을 비교함으로써 크라잉 형태로 구부러진 반도체 웨이퍼(302)의 워피지 상태를 검출할 수 있다.
도 6은 도 1의 로드락 챔버의 다른 예를 나타내 보인 단면도이다. 도 6을 참조하면, 로드락 챔버(130-2)는, 챔버 외벽(510)에 의해 내부 공간이 진공 상태를 유지할 수 있다. 내부 공간에는, 예컨대 로봇암과 같은 이송수단(520)이 배치된다. 이송수단(520)은, 지지대(530)에 의해 지지될 수 있으며, 로드락 챔버(130-1)와 공정 챔버들(도 1의 111, 112) 사이로 이동이 가능하며, 또한 로드락 챔버(130-1)와 설비 전방 단부 모듈(도 1의 120) 사이로도 이동이 가능하다. 로드락 챔버(130-1)로 로딩된 반도체 웨이퍼(300)는 이송수단(520) 위로 안착된 후에, 이송수단(520)에 의해 공정 챔버들(도 1의 111, 112)로 이송될 수 있다. 로드락 챔버(130-2) 상부에는 상부 덮개(540)가 배치된다. 상부 덮개(540)에는 복수개의 관통홀들(551, 552a, 552b, 553a, 553b)이 배치된다.
센싱 영역(135) 내에서 관통홀들(551, 552a, 552b, 553a, 553b) 위에는 복수개의 센서들, 예컨대 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b)이 배치될 수 있다. 즉, 제1 센서(561)는 관통홀(551) 위에 배치되고, 제2 센서들(562a, 562b) 각각은 관통홀들(552a, 552b) 각각의 상부에 배치되며, 그리고 제3 센서들(563a, 563b) 각각은 관통홀들(553a, 553b) 각각의 상부에 배치된다. 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b)은 상부 덮개(540) 위에서 동일한 수평 레벨상에 위치하도록 배치된다. 이에 따라 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b)의 각각, 및 제3 센서들(563a, 563b)의 각각에서 검출신호가 출사되는 면과 이송수단(520)의 상부면 사이의 거리는 모두 동일하게 된다. 본 예에서 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b)은 상부 덮개(540) 위에 배치되지만, 다른 예에서 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b)은 상부 덮개(540) 내에 내장되도록 배치될 수도 있다. 제1 센서(561)는, 반도체 웨이퍼(300)의 중심부와 수직방향으로 중첩되도록 배치될 수 있다. 제2 센서(562a)는, 반도체 웨이퍼(300)의 일 가장자리부와 수직방향으로 중첩되도록 배치될 수 있다. 제2 센서(562b)는, 반도체 웨이퍼(300)의 다른 가장자리부와 수직방향으로 중첩되도록 배치될 수 있다. 제3 센서(563a)는 반도체 웨이퍼(300)의 중심부와 일 가장자리부 사이의 영역과 수직방향으로 중첩되도록 배치될 수 있다. 제3 센서(563b)는 반도체 웨이퍼(300)의 중심부와 다른 가장자리부 사이의 영역과 수직방향으로 중첩되도록 배치될 수 있다.
다른 예에서 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b)은, 수직 라인과 일정 각도 비스듬한 위치에 배치될 수도 있다. 이 경우, 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b)의 수직 라인과의 각도는 모두 균일하도록 한다. 비록 본 단면구조에서는 2개의 제2 센서들(562a, 562b)만이 도시되어 있지만, 반도체 웨이퍼(300)의 가장자리를 따라 보다 많은 수의 제2 센서들이 배치될 수 있다. 마찬가지로 반도체 웨이퍼(300)의 중심부와 가장자리 사이의 영역을 따라 보다 많은 수의 제3 센서들이 배치될 수도 있다. 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b)의 각각, 및 제3 센서들(563a, 563b)의 각각은, 워피지 검출신호를 출사할 수 있으며, 반도체 웨이퍼(300)로부터 되돌아 오는 반사신호를 검출하는 검출기능을 포함할 수 있다. 이 경우 관통홀들(551, 552a, 552b, 553a, 553b)은 반도체 웨이퍼(300)로부터 되도록 오는 반사신호가 통과될 수 있을 정도로 충분한 폭으로 형성될 수 있다. 다른 예에서 반도체 웨이퍼로부터 되돌아 오는 반사신호를 검출하는 검출기들이 로드락 챔버(130-2) 내에 별도로 배치될 수도 있다.
도 7은 도 6의 로드락 챔버 내에 로딩된 반도체 웨이퍼와 센서들 사이의 수직 관계를 나타내 보인 도면이다. 도 7에서 선 VI-VI'의 단면 구조는 도 6의 단면 구조에 대응될 수 있다. 도 7을 참조하면, 이송수단(도 2의 220) 위로 로딩된 반도체 웨이퍼(300)와 제1 센서(561), 제2 센서들(562a-562h), 및 제3 센서들(563a-563h)은 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 제1 센서(561)는 반도체 웨이퍼(300)의 중심부(300a)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 제2 센서들(562a-562h)은 반도체 웨이퍼(300)의 가장자리부(300b)를 따라 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 제2 센서들(562a-562h) 각각은 반도체 웨이퍼(300)의 가장자리를 따라 일정 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다. 제3 센서들(563a-563h)은 반도체 웨이퍼(300)의 중심부(300a)와 가장자리부(300b) 사이의 중간영역(300c)를 따라 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 제3 센서들(563a-563h) 각각은 반도체 웨이퍼(300)의 중간영역(300c)에서 일정 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다. 비록 본 예에서 1개의 제1 센서(561)과, 그리고 8개의 제2 센서들(562a-562h) 및 제3 센서들(563a-563h)을 예로 들었지만, 이는 단지 하나의 예로서 1개보다 많은 제1 센서들이 반도체 웨이퍼(300)의 중심부에 수직 방향으로 중첩되도록 배치될 수 있고, 8개보다 적거나 많은 제2 센서들이 반도체 웨이퍼(300)의 가장자리부에 수직 방향으로 중첩되도록 배치될 수도 있으며, 그리고 8개보다 적거나 많은 제3 센서들이 반도체 웨이퍼(300)의 중간영역에 수직 방향으로 중첩되도록 배치될 수도 있다.
도 8은 도 6의 로드락 챔버에 로딩된 반도체 웨이퍼의 워피지 검출 과정의 일 예를 설명하기 위해 나타내 보인 단면도이다. 도 8에서 도 6과 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. 도 8을 참조하면, 로드락 챔버(130-2)의 이송수단(220) 위에 로딩된 반도체 웨이퍼(303)가 단면 구조적으로 누운 "S"자 형태로 구부러진 워피지를 갖는 겨우, 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b)은 반도체 웨이퍼(303)의 워피지 상태를 검출하여 반도체 웨이퍼(303)의 워피지 데이터 구성 정보를 컨트롤러로 전송할 수 있다. 반도체 웨이퍼(303)의 워피지 상태는, 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b)과 반도체 웨이퍼(303)의 표면 까지의 거리를 측정함으로써 검출할 수 있다. 일 예로, 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b) 각각은 반도체 웨이퍼(303)의 상부면을 향해 각각 제1 검출신호(661), 제2 검출신호들(662a, 662b) 및 제4 검출신호들(663a, 663b)을 출사한다. 일 예에서 제1 검출신호(661), 제2 검출신호들(662a, 662b) 및 제4 검출신호들(663a, 663b)은 레이저일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 제1 검출신호(661), 제2 검출신호들(662a, 662b) 및 제4 검출신호들(663a, 663b)은 특정 파장대의 광일 수도 있다.
제1 검출신호(661)가 반도체 웨이퍼(303)의 중심부에 조사되면, 반도체 웨이퍼(303) 중심부의 표면으로부터 되돌아 오는 제1 반사신호가 발생된다. 이 제1 반사신호를 검출하여 전기적신호로 변환한 후 소정의 연산 과정을 통해 반도체 웨이퍼(303) 중심부 표면까지의 제1 거리를 산출할 수 있다. 마찬가지로 제2 검출신호들(662a, 662b) 각각이 반도체 웨이퍼(303)의 가장자리부에 조사되면, 반도체 웨이퍼(303) 가장자리부의 표면으로부터 되돌아 오는 제2 반사신호들이 발생된다. 이 제2 반사신호들 각각을 검출하여 전기적신호로 변환한 후 소정의 연산 과정을 통해 반도체 웨이퍼(303) 가장자리부 표면까지의 제2 거리들을 산출할 수 있다. 또한 제3 검출신호들(663a, 663b) 각각이 반도체 웨이퍼(303)의 중간영역에 조사되면, 반도체 웨이퍼(303) 중간영역의 표면으로부터 되돌아 오는 제3 반사신호들이 발생된다. 이 제3 반사신호들 각각을 검출하여 전기적신호로 변환한 후 소정의 연산 과정을 통해 반도체 웨이퍼(303) 중간영역 표면까지의 제3 거리들을 산출할 수 있다. 본 예에서 반도체 웨이퍼(303)가 누운 "S"자 형태의 워피지를 가짐에 따라, 위로 돌출된 중간영역의 제3 거리가 가장 짧으며, 반대로 아래로 함몰된 중간영역의 제3 거리가 가장 길다. 중심부의 제1 거리는 이 제2 거리들 사이의 값을 갖는다. 위로 돌출된 중간영역에 인접하는 가장자리부의 제2 거리는 인접한 중간영역의 제3 거리보다 작은 값을 갖는다. 아래로 함몰된 중간영역에 인접하는 가장자리부의 제2 거리는 인접한 중간영역의 제3 거리보다 큰 값을 갖는다. 이와 같이 제1 거리, 제2 거리들, 및 제3 거리들을 비교함으로써 누은 "S" 형태로 구부러진 반도체 웨이퍼(303)의 워피지 상태를 검출할 수 있다.
도 9는 도 6의 로드락 챔버에 로딩된 반도체 웨이퍼의 워피지 검출 과정의 다른 예를 설명하기 위해 나타내 보인 단면도이다. 도 9에서 도 6과 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. 도 9를 참조하면, 로드락 챔버(130-2)의 이송수단(220) 위에 로딩된 반도체 웨이퍼(304)가 단면 구조적으로 "W"자 형태로 구부러진 워피지를 갖는 겨우, 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b)은 반도체 웨이퍼(304)의 워피지 상태를 검출하여 반도체 웨이퍼(304)의 워피지 데이터 구성 정보를 컨트롤러로 전송할 수 있다. 반도체 웨이퍼(304)의 워피지 상태는, 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b)과 반도체 웨이퍼(304)의 표면 까지의 거리를 측정함으로써 검출할 수 있다. 일 예로, 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b) 각각은 반도체 웨이퍼(304)의 상부면을 향해 각각 제1 검출신호(761), 제2 검출신호들(762a, 762b) 및 제4 검출신호들(763a, 763b)을 출사한다. 일 예에서 제1 검출신호(761), 제2 검출신호들(762a, 762b) 및 제4 검출신호들(763a, 763b)은 레이저일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 제1 검출신호(761), 제2 검출신호들(762a, 762b) 및 제4 검출신호들(763a, 763b)은 특정 파장대의 광일 수도 있다.
제1 검출신호(761)가 반도체 웨이퍼(304)의 중심부에 조사되면, 반도체 웨이퍼(304) 중심부의 표면으로부터 되돌아 오는 제1 반사신호가 발생된다. 이 제1 반사신호를 검출하여 전기적신호로 변환한 후 소정의 연산 과정을 통해 반도체 웨이퍼(304) 중심부 표면까지의 제1 거리를 산출할 수 있다. 마찬가지로 제2 검출신호들(762a, 762b) 각각이 반도체 웨이퍼(304)의 가장자리부에 조사되면, 반도체 웨이퍼(304) 가장자리부의 표면으로부터 되돌아 오는 제2 반사신호들이 발생된다. 이 제2 반사신호들 각각을 검출하여 전기적신호로 변환한 후 소정의 연산 과정을 통해 반도체 웨이퍼(304) 가장자리부 표면까지의 제2 거리들을 산출할 수 있다. 또한 제3 검출신호들(763a, 763b) 각각이 반도체 웨이퍼(304)의 중간영역에 조사되면, 반도체 웨이퍼(304) 중간영역의 표면으로부터 되돌아 오는 제3 반사신호들이 발생된다. 이 제3 반사신호들 각각을 검출하여 전기적신호로 변환한 후 소정의 연산 과정을 통해 반도체 웨이퍼(304) 중간영역 표면까지의 제3 거리들을 산출할 수 있다. 본 예에서 반도체 웨이퍼(304)가 "W" 형태의 워피지를 가짐에 따라, 아래로 함몰된 중간영역에서의 제3 거리들이 가장 큰 값을 나타내며, 중심부에서의 제1 거리와, 위로 돌출되는 가장자리부에서의 제2 거리들은 제3 거리들보다 큰 값을 갖는다. 제1 거리와, 제2 거리들은 반도체 웨이퍼(304)가 구부러진 정도에 따라 그 크기가 결정될 수 있다. 이와 같이 제1 거리, 제2 거리들, 및 제3 거리들을 비교함으로써 "W" 형태로 구부러진 반도체 웨이퍼(304)의 워피지 상태를 검출할 수 있다.
도 10은 도 6의 로드락 챔버에 로딩된 반도체 웨이퍼의 워피지 검출 과정의 또 다른 예를 설명하기 위해 나타내 보인 단면도이다. 도 10에서 도 6과 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. 도 10을 참조하면, 로드락 챔버(130-2)의 이송수단(220) 위에 로딩된 반도체 웨이퍼(305)가 단면 구조적으로 "M"자 형태로 구부러진 워피지를 갖는 겨우, 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b)은 반도체 웨이퍼(305)의 워피지 상태를 검출하여 반도체 웨이퍼(305)의 워피지 데이터 구성 정보를 컨트롤러로 전송할 수 있다. 반도체 웨이퍼(305)의 워피지 상태는, 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b)과 반도체 웨이퍼(305)의 표면 까지의 거리를 측정함으로써 검출할 수 있다. 일 예로, 제1 센서(561), 제2 센서들(562a, 562b), 및 제3 센서들(563a, 563b) 각각은 반도체 웨이퍼(305)의 상부면을 향해 각각 제1 검출신호(861), 제2 검출신호들(862a, 862b) 및 제4 검출신호들(863a, 863b)을 출사한다. 일 예에서 제1 검출신호(861), 제2 검출신호들(862a, 862b) 및 제4 검출신호들(863a, 863b)은 레이저일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 제1 검출신호(861), 제2 검출신호들(862a, 862b) 및 제4 검출신호들(863a, 863b)은 특정 파장대의 광일 수도 있다.
제1 검출신호(861)가 반도체 웨이퍼(305)의 중심부에 조사되면, 반도체 웨이퍼(305) 중심부의 표면으로부터 되돌아 오는 제1 반사신호가 발생된다. 이 제1 반사신호를 검출하여 전기적신호로 변환한 후 소정의 연산 과정을 통해 반도체 웨이퍼(305) 중심부 표면까지의 제1 거리를 산출할 수 있다. 마찬가지로 제2 검출신호들(862a, 862b) 각각이 반도체 웨이퍼(305)의 가장자리부에 조사되면, 반도체 웨이퍼(305) 가장자리부의 표면으로부터 되돌아 오는 제2 반사신호들이 발생된다. 이 제2 반사신호들 각각을 검출하여 전기적신호로 변환한 후 소정의 연산 과정을 통해 반도체 웨이퍼(305) 가장자리부 표면까지의 제2 거리들을 산출할 수 있다. 또한 제3 검출신호들(863a, 863b) 각각이 반도체 웨이퍼(305)의 중간영역에 조사되면, 반도체 웨이퍼(305) 중간영역의 표면으로부터 되돌아 오는 제3 반사신호들이 발생된다. 이 제3 반사신호들 각각을 검출하여 전기적신호로 변환한 후 소정의 연산 과정을 통해 반도체 웨이퍼(305) 중간영역 표면까지의 제3 거리들을 산출할 수 있다. 본 예에서 반도체 웨이퍼(305)가 "M" 형태의 워피지를 가짐에 따라, 위로 돌출된 중간영역에서의 제3 거리들이 가장 작은 값을 나타내며, 중심부에서의 제1 거리와, 위로 돌출되는 가장자리부에서의 제2 거리들은 제3 거리들보다 큰 값을 갖는다. 제1 거리와, 제2 거리들은 반도체 웨이퍼(305)가 구부러진 정도에 따라 그 크기가 결정될 수 있다. 이와 같이 제1 거리, 제2 거리들, 및 제3 거리들을 비교함으로써 "M" 형태로 구부러진 반도체 웨이퍼(305)의 워피지 상태를 검출할 수 있다.
도 11은 일 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리방법을 나타내 보인 플로챠트이다. 도 11을 참조하면, 반도체 웨이퍼를 로드락 챔버에 로딩한다(단계 910). 본 예에서 반도체 웨이퍼는, 여러 형태의 워피지, 예컨대 스마일 형태, 크라잉 형태, 누은 "S" 형태, "W" 형태, 또는 "M" 형태의 구부러짐을 가질 수 있다. 그리고 로드락 챔버는, 도 2 및 6을 참조하여 설명한 구조와 동일하게 구성될 수 있다. 다음에 센서들과 반도체 웨이퍼의 영역별 표면 사이의 거리들을 검출하여 반도체 웨이퍼의 워피지 데이터를 생성한다(단계 920). 반도체 웨이퍼의 워피지 데이터는, 반도체 웨이퍼의 구부러진 형상에 대응되는 데이터로서, 센서들과 반도체 웨이퍼의 영역별 표면 사이의 거리들을 검출하고, 그 거리들을 비교함으로써 얻을 수 있다. 반도체 웨이퍼의 워피지 데이터를 생성한 후에는, 반도체 웨이퍼의 워피지가 있는지의 여부를 판단한다(단계 930). 예컨대 센서들과 반도체 웨이퍼의 영역별 표면 사이의 거리들이 균일한 경우, 반도체 웨이퍼의 워피지는 없는 것으로 판단할 수 있다. 그리고 센서들과 반도체 웨이퍼의 영역별 표면 사이의 거리들이 다른 경우, 반도체 웨이퍼의 워피지가 존재하는 것으로 판단할 수 있다.
위 판단 결과, 반도체 웨이퍼의 워피지가 없는 것으로 판단되는 경우, 반도체 웨이퍼를 공정 챔버로 이송한 후에 공정을 진행한다(단계 940). 반면에 위 판단 결과, 반도체 웨이퍼의 워피지가 있는 것으로 판단되는 경우, 반도체 웨이퍼의 워피지 데이터를 이용하여 공정챔버의 공정조건을 변경한다(단계 950). 그리고 단계 940을 수행한다. 공정 챔버의 공정조건은, 반도체 웨이퍼의 워피지 상태에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대 상부로부터 공급되는 가스의 양을 반도체 웨이퍼의 워피지 상태에 따라 영역별로 다르게 설정할 수 있다. 또는 공정 챔버 내의 온도 분포를 반도체 웨이퍼의 워피지 상태에 따라 영역별로 다르게 설정할 수도 있다.
상술한 바와 같이 본 출원의 실시 형태들을 도면들을 예시하며 설명하지만, 이는 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 설명하기 위한 것이며, 세밀하게 제시된 형상으로 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 한정하고자 한 것은 아니다.
100...반도체 제조설비 111, 112...공정챔버
120...설설비 전방 단부 모듈(EFEM)
130...로드락 챔버 135...센싱영역
210...챔버 외벽 220...이송수단
230...지지대 240...챔버덮개
251, 252a, 252b...관통홀 261, 262a, 262b...센서

Claims (20)

  1. 반도체 웨이퍼에 대한 공정이 수행되는 공정챔버; 및
    상기 공정챔버로 상기 반도체 웨이퍼에 대한 로딩/언로딩을 수행하는 로드락챔버를 포함하되,
    상기 로드락 챔버는,
    내부 공간을 한정하는 챔버외벽 및 챔버덮개;
    상기 내부 공간 내에 배치되는 반도체 웨이퍼를 이송하는 이송수단; 및
    상기 반도체 웨이퍼의 중심부 및 가장자리부의 워피지 상태들을 각각 검출하기 위한 제1 센서 및 제2 센서들을 포함하며, 그리고
    상기 챔버덮개는 복수개의 관통홀들을 포함하고, 상기 제1 센서 및 제2 센서들 각각은, 상기 챔버덮개 위에서 상기 관통홀들의 각각의 위에 배치되는 반도체 제조설비.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 로드락 챔버에 결합되어 수납용기로부터 수납되어 있는 반도체 웨이퍼를 상기 로드락 챔버에 공급하는 설비 전방 단부 모듈(EFEM)을 더 포함하는 반도체 제조설비.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 공정챔버는 복수개로 구성되는 반도체 제조설비.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 센서는, 상기 반도체 웨이퍼의 중심부에서의 표면까지의 거리를 측정하고,
    상기 제2 센서들 각각은, 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리부들 각각에서의 표면까지의 거리를 측정하는 반도체 제조설비.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 센서는, 상기 반도체 웨이퍼의 중심부와 수직 방향으로 중첩되도록 배치되고,
    상기 제2 센서들은, 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리부와 수직 방향으로 중첩되도록 배치되는 반도체 제조설비.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 센서들은, 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리를 따라 상호 이격되도록 배치되는 반도체 제조설비.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 센서 및 제2 센서들은 상기 챔버덮개 위에서 동일한 수평 레벨상에 위치하도록 배치되는 반도체 제조설비.
  9. 반도체 웨이퍼에 대한 공정이 수행되는 공정챔버; 및
    상기 공정챔버로 상기 반도체 웨이퍼에 대한 로딩/언로딩을 수행하는 로드락챔버를 포함하되,
    상기 로드락 챔버는,
    내부 공간을 한정하는 챔버외벽 및 챔버덮개;
    상기 내부 공간 내에 배치되는 반도체 웨이퍼를 이송하는 이송수단; 및
    상기 반도체 웨이퍼의 중심부, 가장자리부, 및 그 사이의 중간영역의 워피지 상태들을 각각 검출하기 위한 제1 센서, 제2 센서들, 및 제3 센서들을 포함하며, 그리고
    상기 챔버덮개는 복수개의 관통홀들을 포함하고, 상기 제1 센서, 제2 센서들, 및 제3 센서들 각각은, 상기 챔버덮개 위에서 상기 관통홀들의 각각의 위에 배치되는 반도체 제조설비.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 로드락 챔버에 결합되어 수납용기로부터 수납되어 있는 반도체 웨이퍼를 상기 로드락 챔버에 공급하는 설비 전방 단부 모듈(EFEM)을 더 포함하는 반도체 제조설비.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 공정챔버는 복수개로 구성되는 반도체 제조설비.
  12. 삭제
  13. 제9항에 있어서,
    상기 제1 센서는, 상기 반도체 웨이퍼의 중심부에서의 표면까지의 거리를 측정하고,
    상기 제2 센서들 각각은, 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리부들 각각에서의 표면까지의 거리를 측정하며, 그리고
    상기 제3 센서들 각각은, 상기 반도체 웨이퍼의 중간영역들 각각에서의 표면까지의 거리를 측정하는 반도체 제조설비.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 제1 센서는, 상기 반도체 웨이퍼의 중심부와 수직 방향으로 중첩되도록 배치되고,
    상기 제2 센서들은, 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리부와 수직 방향으로 중첩되도록 배치되며, 그리고
    상기 제3 센서들은, 상기 반도체 웨이퍼의 중간영역과 수직 방향으로 중첩되도록 배치되는 반도체 제조설비.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2 센서들 및 제3 센서들은, 상기 반도체 웨이퍼의 둘레를 따라 상호 이격되도록 배치되는 반도체 제조설비.
  16. 제9항에 있어서, 상기 제1 센서, 제2 센서들, 및 제3 센서들은 상기 챔버덮개 위에서 동일한 수평 레벨상에 위치하도록 배치되는 반도체 제조설비.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
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