KR101786091B1 - Solar cell module - Google Patents

Solar cell module Download PDF

Info

Publication number
KR101786091B1
KR101786091B1 KR1020110051705A KR20110051705A KR101786091B1 KR 101786091 B1 KR101786091 B1 KR 101786091B1 KR 1020110051705 A KR1020110051705 A KR 1020110051705A KR 20110051705 A KR20110051705 A KR 20110051705A KR 101786091 B1 KR101786091 B1 KR 101786091B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
quantum dot
layer
dot layer
solar cell
Prior art date
Application number
KR1020110051705A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120133170A (en
Inventor
박경은
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110051705A priority Critical patent/KR101786091B1/en
Publication of KR20120133170A publication Critical patent/KR20120133170A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101786091B1 publication Critical patent/KR101786091B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 태양전지 모듈은 일면에 양자점(QD) 층이 형성된 제1 기판과, 상기 제1 기판과 이격 배치된 제2 기판과, 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치된 태양전지 셀을 포함한다.
상기와 같은 발명은 태양광이 입사되는 기판의 일면에 양자점 층을 형성함으로써, 입사되는 광의 입사율을 높일 수 있는 효과가 있다.
The solar cell module of the present invention includes a first substrate on which a quantum dot (QD) layer is formed on one surface, a second substrate disposed apart from the first substrate, and a solar cell disposed between the first substrate and the second substrate. .
The above-described invention has the effect of increasing the incident rate of incident light by forming a quantum dot layer on one surface of a substrate on which sunlight is incident.

Description

태양전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}Solar cell module {SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양전지 모듈에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 효율을 향상시키기 위한 태양전지 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell module, and more particularly, to a solar cell module for improving light efficiency.

일반적으로, 에너지 및 환경 문제로 인하여 태양전지에 대한 관심이 고조되고 있으며, 특히 건축물의 외벽에 사용할 수 있는 건물 일체형 태양전지 모듈(BIPV)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.In general, interest in solar cells is rising due to energy and environmental problems. Particularly, research on a building integrated solar cell module (BIPV), which can be used for the outer wall of a building, has been actively conducted.

종래 태양전지 모듈은 서로 이격되도록 유리 기판이 배치되며, 상기 유리 기판 사이에 구비된 태양전지 셀이 구비되어 있다.Conventional solar cell modules are provided with a glass substrate spaced apart from each other, and a solar cell provided between the glass substrates.

하지만, 종래 태양전지 모듈은 태양광이 단순히 유리 기판을 거쳐 태양전지 셀로 입사되기 때문에 발전 효율을 향상시키기 어려운 문제점이 발생된다.However, in the conventional solar cell module, sunlight is incident on a solar cell through a glass substrate, so that it is difficult to improve power generation efficiency.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 태양광으로부터 입사되는 광의 입사율을 향상시키기 위한 태양전지 모듈을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a solar cell module for improving the incidence of light incident from sunlight.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 태양전지 모듈은 일면에 양자점(QD) 층이 형성된 제1 기판과, 상기 제1 기판과 이격 배치된 제2 기판과, 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치된 태양전지 셀을 포함한다.In order to achieve the above object, a solar cell module according to the present invention comprises a first substrate on which a quantum dot (QD) layer is formed on one surface, a second substrate spaced apart from the first substrate, And a plurality of solar cells.

본 발명은 태양광이 입사되는 기판의 일면에 양자점 층을 형성함으로써, 입사되는 광의 입사율을 높일 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of increasing the incident rate of incident light by forming a quantum dot layer on one surface of a substrate on which sunlight is incident.

또한, 본 발명은 태양전지 셀로 입사되는 광의 입사율을 높여 태양전지 셀의 발전 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has an effect of improving the power generation efficiency of the solar cell by increasing the incident rate of light incident on the solar cell.

도 1은 본 발명에 따른 태양전지 모듈을 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 태양전지 모듈에 구비된 CIGS 태양전지 셀을 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 태양전지 모듈의 양자점 층을 중심으로 나타낸 단면도.
도 4 및 도 5는 도 2의 변형 예를 나타낸 단면도.
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 태양전지 모듈의 다른 실시예를 나타낸 단면도.
1 is a cross-sectional view of a solar cell module according to the present invention.
2 is a cross-sectional view of a CIGS solar cell provided in a solar cell module according to the present invention.
3 is a cross-sectional view of a photovoltaic module according to the present invention centering on a quantum dot layer.
Figs. 4 and 5 are sectional views showing a modification of Fig. 2;
6 and 7 are sectional views showing another embodiment of the solar cell module according to the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명에 따른 태양전지 모듈을 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 태양전지 모듈에 구비된 CIGS 태양전지 셀을 나타낸 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 태양전지 모듈의 양자점 층을 중심으로 나타낸 단면도이고, 도 4 및 도 5는 도 2의 변형 예를 나타낸 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a solar cell module according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view of a CIGS solar cell provided in the solar cell module according to the present invention, FIG. 3 is a cross- And Figs. 4 and 5 are sectional views showing a modification of Fig. 2. Fig.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 태양전지 모듈은 서로 이격 배치된 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)과, 상기 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 배치된 다수의 태양전지 셀(500)을 포함하고, 상기 제1 기판(100)의 일면에는 양자점(Quantum Dot, QD) 층(300)이 형성된다.1 to 3, a solar cell module according to the present invention includes a first substrate 100 and a second substrate 200 spaced apart from each other, a first substrate 100 and a second substrate 200, And a quantum dot (QD) layer 300 is formed on one surface of the first substrate 100. The quantum dot (QD)

제1 기판(100)은 태양광이 입사되는 기판으로서 사각의 플레이트 형상으로 형성될 수 있다.The first substrate 100 may be formed in a square plate shape as a substrate to which sunlight is incident.

제1 기판(100)은 외부 충격 예컨대, 풍압, 우박, 적설 하중 등의 충격에도 견딜 수 있도록 충분한 강도를 가지는 강화 유리로 형성될 수 있으며, 태양전지 셀(500)로 입사되어 반사된 태양광이 방출되지 않도록 철분 요소가 제거되거나 저철분의 강화 유리로 형성될 수 있다.The first substrate 100 may be formed of a tempered glass having sufficient strength to withstand external impacts such as wind pressure, hail, snow load, etc., and the solar light incident on and reflected by the solar cell 500 The iron element may be removed to prevent release or it may be formed of tempered glass of low iron.

이를 위해 제1 기판(100)은 파손 시 조각으로 깨어지지 않도록 단위 면적당 깨진 파편의 개수가 일정 수치 이상인 것이 바람직하다.For this purpose, it is preferable that the number of broken pieces per unit area of the first substrate 100 is not less than a certain value so as not to be broken into fragments when broken.

제2 기판(200)은 제1 기판(100)에 후방에 이격 배치될 수 있다.The second substrate 200 may be spaced rearward from the first substrate 100.

제2 기판(200)은 제1 기판(100)과 동일한 재질 예컨대, 사각 플레이트의 강화 유리로 형성될 수 있다.The second substrate 200 may be formed of tempered glass of the same material as the first substrate 100, for example, a rectangular plate.

제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에는 태양전지 셀(500)이 배치된다.A solar cell 500 is disposed between the first substrate 100 and the second substrate 200.

태양전지 셀(500)은 다수개가 구비될 수 있으며, 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 일정 간격 이격되도록 배치될 수 있다. 태양전지 셀(500)은 효율과 내구성이 우수한 CIGS계 태양전지가 사용될 수 있다.The solar cell 500 may include a plurality of solar cells 500 and may be spaced apart from the first substrate 100 and the second substrate 200 by a predetermined distance. The solar cell 500 may be a CIGS solar cell having excellent efficiency and durability.

보다 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 태양전지 셀(500)은 유리 기판(510) 상에 이면 전극층(520), 광 흡수층(530), 투명 전극층(560)으로 이루어질 수 있으며, 광 흡수층(530)과 투명 전극층(560) 사이에는 제1 버퍼층(540) 및 제2 버퍼층(550)이 더 형성될 수 있다. 2, the solar cell 500 may include a back electrode layer 520, a light absorbing layer 530, and a transparent electrode layer 560 on a glass substrate 510, A first buffer layer 540 and a second buffer layer 550 may be further formed between the transparent electrode layer 530 and the transparent electrode layer 560.

이면 전극층(520)은 유리 기판(510) 상의 중심 영역에 형성될 수 있다.The back electrode layer 520 may be formed in a central region on the glass substrate 510.

이면 전극층(520)으로는 몰리브덴(Mo)이 사용될 수 있다. As the back electrode layer 520, molybdenum (Mo) may be used.

또한, 이면 전극층(520)으로 몰리브덴 외에 전도성 재질인 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu) 중 어느 하나로 형성될 수 있으며, 동종 또는 이종 금속을 이용하여 두 개 이상의 층을 이루도록 형성될 수도 있다.The back electrode layer 520 may be formed of any one of nickel, gold, aluminum, chromium, tungsten, and copper, Or may be formed to form two or more layers using the same or different metals.

이면 전극층(520) 상에는 광 흡수층(530)이 형성될 수 있다. A light absorbing layer 530 may be formed on the back electrode layer 520.

광 흡수층(530)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함하며, CIGS, CIS, CGS, CdTe 중 적어도 어느 하나의 물질로 형성될 수 있다. The light absorption layer 530 includes an I-III-VI group compound, and may be formed of at least one of CIGS, CIS, CGS, and CdTe.

예컨대, 광 흡수층(530)은 CdTe, CuInSe2, Cu(In,Ga)Se2, Cu(In,Ga)(Se,S)2, Ag(InGa)Se2, Cu(In,Al)Se2, CuGaSe2로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. For example, the light absorbing layer 530 may be made of CdTe, CuInSe2, Cu (InGa) Se2, Cu (In, Ga) (Se, S) And at least one material selected from the group.

상기 광 흡수층(530)의 상부에는 제1 버퍼층(540) 및 제2 버퍼층(550)이 순차적으로 형성된다. A first buffer layer 540 and a second buffer layer 550 are sequentially formed on the light absorption layer 530.

제1 버퍼층(540)은 황화 카드뮴(CdS)을 포함하는 물질로 형성될 수 있으며, 에너지 밴드갭은 이면 전극층(520)과 투명 전극층(560)의 중간 정도 크기인 약 1.9eV 내지 약 2.3eV일 수 있다. 이러한 제1 버퍼층(540)은 2개 이상의 층으로 형성될 수 있다.The first buffer layer 540 may be formed of a material containing cadmium sulfide (CdS), and the energy band gap may be about 1.9 eV to about 2.3 eV, which is about half the size of the back electrode layer 520 and the transparent electrode layer 560 . The first buffer layer 540 may be formed of two or more layers.

제2 버퍼층(550)은 산화아연(ZnO) 재질로 고저항성을 가지도록 형성되며, 이러한 제2 버퍼층(550)은 투명 전극층(560)과의 절연 및 충격 데미지를 방지할 수 있다.The second buffer layer 550 is formed of zinc oxide (ZnO) so as to have high resistance. The second buffer layer 550 can prevent insulation and shock damage to the transparent electrode layer 560.

상기 제2 버퍼층(550) 상에는 투명 전극층(560)이 형성된다. A transparent electrode layer 560 is formed on the second buffer layer 550.

투명 전극층(560)은 투명한 형태의 도전성 재질로 형성되며, 알루미늄이 도핑된 산화 아연인 AZO(ZnO:Al) 재질로 형성될 수 있다. The transparent electrode layer 560 is formed of a transparent conductive material and may be formed of AZO (ZnO: Al), which is zinc oxide doped with aluminum.

투명 전극층(560)으로서 AZO 이외에도 광 투과율과 전기전도성이 높은 물질인 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2), 산화인듐주석(ITO) 중 어느 하나의 물질을 포함하여 형성될 수 있다.The transparent electrode layer 560 may include any one of zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), and indium tin oxide (ITO), which is a material having high light transmittance and high electrical conductivity in addition to AZO.

도 1로 돌아가서, 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에는 EVA(Ethyl Vinyl Acetate) 시트(600)가 더 구비될 수 있다.Referring back to FIG. 1, an EVA (Ethyl Vinyl Acetate) sheet 600 may be further provided between the first substrate 100 and the second substrate 200.

EVA(Ethyl Vinyl Acetate) 시트(600)는 다수의 태양전지 셀(500)을 안정적으로 고정시키는 동시에 외부로부터의 습기 침투를 방지할 수 있다. EVA(Ethyl Vinyl Acetate) 시트(600) 대신 백 시트를 사용하여도 무방하다.The EVA (Ethyl Vinyl Acetate) sheet 600 can stably fix a plurality of solar cell 500 and prevent moisture penetration from the outside. Instead of the EVA (Ethyl Vinyl Acetate) sheet 600, a back sheet may be used.

한편, 제1 기판(100)의 일면에는 본 발명에 따른 양자점 층(300)이 형성될 수 있다.Meanwhile, the quantum dot layer 300 according to the present invention may be formed on one surface of the first substrate 100.

상기 양자점 층(300)은 제1 기판(100)의 일면 예컨대, 태양전지 셀(500)에 대면하는 제1 기판(100)의 일면에 형성될 수 있다.The quantum dot layer 300 may be formed on one surface of the first substrate 100, for example, on one surface of the first substrate 100 facing the solar cell 500.

이를 위해 제1 기판(100)의 일면에는 홈(120)이 다수개가 형성될 수 있으며, 상기 홈(120)에 양자점 층(300)을 도핑 및 경화시켜 형성할 수 있다.For this, a plurality of grooves 120 may be formed on one surface of the first substrate 100 and the quantum dot layer 300 may be doped and cured in the grooves 120.

양자점 층(300)은 나노 입자들이기 때문에 상기와 같은 나노 사이즈의 양자점 층(300)을 형성하기 위해 제1 기판(100)의 일면에 형성된 홈(120)은 나노 사이즈 예컨대, 1nm 내지 10nm로 형성될 수 있다.Since the quantum dot layer 300 is a nanoparticle, the groove 120 formed on one surface of the first substrate 100 is formed to have a nano size, for example, 1 nm to 10 nm to form the nano-sized quantum dot layer 300 as described above .

양자점 층(300)은 제1 기판(100)의 일면에 불규칙적 또는 규칙적으로 배열될 수 있다.The quantum dot layer 300 may be irregularly or regularly arranged on one surface of the first substrate 100.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1 기판(100)의 일면에 형성된 홈(120)은 단면이 반구 형상으로 형성될 수 있으며, 이로부터 홈(120)에 형성된 양자점 층(300)도 반구 형상으로 형성될 수 있다.3, the grooves 120 formed on one surface of the first substrate 100 may have a hemispherical cross section, and the quantum dot layer 300 formed in the grooves 120 may be hemispherical .

특정 파장대의 태양광이 양자점 층(300)에 입사되면, 양자점 층(300)은 입사된 광을 다른 파장의 광으로 변환시켜 출사시킬 수 있으며, 이로 인해 태양광의 광 수집 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.When the solar light of a specific wavelength range is incident on the quantum dot layer 300, the quantum dot layer 300 can convert the incident light into light having a different wavelength and emit the light, thereby increasing the efficiency of collecting sun light have.

태양광으로부터 입사되는 자외선은 파장이 짧아 태양전지 셀(500)에 도달하기가 용이하지 않은 반면, 가시광선은 태양전지 셀(500)에 용이하게 도달될 수 있기 때문에 양자점 층(300)은 자외선을 가시광선으로 변환시켜 광 수집 효율을 높일 수 있다.Since the ultraviolet ray incident from the sunlight has a short wavelength and is not easy to reach the solar cell 500, the visible ray can easily reach the solar cell 500, so that the quantum dot layer 300 emits ultraviolet rays It can be converted into visible light to increase the light collection efficiency.

예컨대, 태양광으로부터 파장이 짧은 자외선을 입사받으면, 파장이 긴 가시광선으로 광 특성을 변환시킬 수 있다. 더 자세하게는 50nm 내지 320nm의 파장을 가지는 자외선 광이 입사되면 양자점 층(300)은 350nm 내지 750nm의 파장을 가지는 가시광으로 변환시켜 출사할 수 있다.For example, when an ultraviolet ray having a short wavelength is incident on the sunlight, the optical characteristic can be converted into a visible ray having a long wavelength. More specifically, when ultraviolet light having a wavelength of 50 nm to 320 nm is incident, the quantum dot layer 300 can be converted into visible light having a wavelength of 350 nm to 750 nm and emitted.

상기와 같이 광 특성을 변화시키기 위해 양자점 층(300)의 크기 또는 재질에 따라 입사되는 태양광의 특성을 선택적으로 변경시킬 수 있다.In order to change the optical characteristics as described above, the characteristics of sunlight incident on the quantum dot layer 300 may be selectively changed according to the size or material of the quantum dot layer 300.

양자점 층(300)으로는 황화 아연(ZnS) 또는 황하 카드뮴 입자(CdS)일 수 있다. 여기서, 황화 아연은 무색을 가지며 320nm 이하의 파장을 가지는 자외선을 500nm 내지 550nm의 파장을 가지는 녹색광을 출사할 수 있다.The quantum dot layer 300 may be zinc sulfide (ZnS) or cadmium sulfide particles (CdS). Here, zinc sulfide is colorless and can emit green light having a wavelength of 500 nm to 550 nm by ultraviolet rays having a wavelength of 320 nm or less.

상기와 같이, 양자점 층(300)은 태양전지의 광 수집 효율을 높임으로써, 태양전지의 발전 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the quantum dot layer 300 has an effect of further improving the power generation efficiency of the solar cell by increasing the light collection efficiency of the solar cell.

양자점 층(300)이 형성 제1 기판(100)의 일면에는 보호층(400)이 더 형성될 수 있다. 보호층(400)은 제1 기판(100)에 형성된 양자점 층(300)이 외부로 노출되는 것을 방지하기 위해 양자점 층(300)을 덮도록 형성될 수 있다.The quantum dot layer 300 is formed on the first substrate 100. A protective layer 400 may be further formed on one surface of the first substrate 100. [ The protective layer 400 may be formed to cover the quantum dot layer 300 to prevent the quantum dot layer 300 formed on the first substrate 100 from being exposed to the outside.

양자점 층(300)은 공기 중의 산소와 수분에 의해 산화 쉽게 발생될 수 있기 때문에 양자점 층(300)에 보호층(400)을 형성함으로써, 양자점 층(300)이 산화되는 것을 방지할 수 있다.Since the quantum dot layer 300 can be easily oxidized by oxygen and moisture in the air, the protective layer 400 may be formed on the quantum dot layer 300 to prevent the quantum dot layer 300 from being oxidized.

보호층(400)으로는 SiO2, TiO2 , Al2O3, AiN 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 특히, TiO2는 광 촉매 작용을 하기 때문에 태양전지의 발전 효율을 더욱더 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As the protective layer 400, any one of SiO 2 , TiO 2 , Al 2 O 3 , and AiN may be used. In particular, since TiO 2 has a photocatalytic function, the power generation efficiency of a solar cell can be further improved.

상기에서는 양자점 층(300)을 반구 형상으로 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 형성할 수 있다.Although the quantum dot layer 300 is formed in a semi-spherical shape in the above description, the present invention is not limited to this, and the quantum dot layer 300 can be formed as shown in FIGS.

도 4에 도시된 바와 같이, 제1 기판(100)의 일면에는 양자점 층(300)이 형성되며, 상기 양자점 층(300)을 덮도록 보호층이(400) 형성될 있다.4, a quantum dot layer 300 is formed on one surface of the first substrate 100, and a protective layer 400 is formed to cover the quantum dot layer 300.

상기 양자점 층(300)은 단면이 사각 형상으로 형성될 수 있다. The quantum dot layer 300 may have a rectangular cross section.

이를 위해 제1 기판(100)의 일면에 사각 형상의 홈(120)을 형성시킬 수 있으며, 상기 홈(120)은 나노 사이즈 예컨대, 1nm 내지 10nm의 크기로 형성될 수 있다.For this, a rectangular groove 120 may be formed on one surface of the first substrate 100, and the groove 120 may have a nano size, for example, 1 nm to 10 nm.

또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 기판(100)의 일면에는 양자점 층(300)이 형성되며, 상기 양자점 층(300)을 덮도록 보호층(400)이 형성될 수 있다.5, a quantum dot layer 300 may be formed on a first surface of the first substrate 100 and a protective layer 400 may be formed to cover the quantum dot layer 300. Referring to FIG.

상기 양자점 층(300)은 단면이 삼각 형상으로 형성될 수 있다.The quantum dot layer 300 may have a triangular cross-section.

이를 위해 제1 기판(100)의 일면에 삼각 형상의 홈(120)을 형성시킬 수 있으며, 상기 홈(120)은 나노 사이즈 예컨대, 1nm 내지 10nm의 크기로 형성될 수 있다.For this, a triangular groove 120 may be formed on one surface of the first substrate 100, and the groove 120 may have a nano size, for example, 1 nm to 10 nm.

상기와 같이, 양자점 층(300)은 반구 형상에 한정되지 않고 사각, 삼각 등 다각 형상으로 형성될 있으며, 그 외에도 디스크 형상, 막대 형상, 다면체 형상으로 형성될 수도 있다.As described above, the quantum dot layer 300 is not limited to a hemispherical shape, but may be formed in a square, triangular, or other polygonal shape, or may be formed in a disc shape, a rod shape, or a polyhedron shape.

상기에서는 양자점 층(300)을 제1 기판의 일면에 불규칙 또는 규칙적으로 배열하였으나, 이에 한정되지 않고, 다음과 구성될 수 있다.In the above description, the quantum dot layer 300 is irregularly or regularly arranged on one surface of the first substrate. However, the present invention is not limited to this arrangement.

도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 태양전지 모듈의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.6 and 7 are sectional views showing another embodiment of the solar cell module according to the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지 모듈은 서로 이격 배치된 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)과, 상기 제1 기판(100) 및 제2 기판(200) 사이에 배치된 다수의 태양전지 셀(500)을 포함하고, 상기 제1 기판(100)의 일면에는 양자점 층(300)이 형성된다. 여기서, 양자점 층(300)을 제외한 구성은 앞서 설명된 실시예의 구성과 동일하므로 생략한다.6, a solar cell module according to another embodiment of the present invention includes a first substrate 100 and a second substrate 200 spaced apart from each other, a first substrate 100 and a second substrate 200, And a plurality of photovoltaic cells 500 disposed between the first substrate 100 and the first substrate 100. The quantum dot layer 300 is formed on one surface of the first substrate 100. [ Here, the configuration except for the quantum dot layer 300 is the same as that of the above-described embodiment, and thus will be omitted.

제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에는 다수의 태양전지 셀(500)이 이격 배치되어 있다. 제1 기판(100)의 일면에는 양자점 층(300)이 형성되며, 양자점 층(300)은 태양전지 셀(500)에 대면하는 제1 기판(100)에 다수개가 형성될 수 있다.A plurality of solar cells 500 are spaced apart from each other between the first substrate 100 and the second substrate 200. A quantum dot layer 300 may be formed on one surface of the first substrate 100 and a plurality of quantum dot layers 300 may be formed on the first substrate 100 facing the solar cell 500.

다수개의 양자점 층(300)은 태양전지 셀(500)에 대응되는 영역(A)에 집중적으로 이격 배치하여 형성될 수 있으며, 이로 인해 양자점 층(300)의 개수를 줄이면서 태양전지 셀(500)의 광 흡수 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.The plurality of quantum dot layers 300 may be formed concentrically spaced apart from the region A corresponding to the solar cell 500 so that the number of the quantum dot layers 300 may be reduced, It is possible to further improve the light absorption efficiency.

양자점 층(300)의 사이즈는 1nm 내지 10nm로 형성될 수 있으며, 그 형상은 반구, 다각, 디스크 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다.The size of the quantum dot layer 300 may be 1 nm to 10 nm, and the shape of the quantum dot layer 300 may be various shapes such as hemispherical, polygonal, and disk shapes.

상기와 같이 양자점 층(300)을 형성하기 위해 제1 기판(100)의 일면에 나노 사이즈의 홈(120)을 형성할 수 있으며, 상기 홈(120)에 양자점 층(300)을 도핑 및 경화시켜 형성할 수 있다.In order to form the quantum dot layer 300 as described above, a nano-sized groove 120 may be formed on one surface of the first substrate 100. The quantum dot layer 300 may be doped and cured in the groove 120 .

또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양전지 모듈은 서로 이격 배치된 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)과, 상기 제1 기판(100) 및 제2 기판(200) 사이에 배치된 다수의 태양전지 셀(500)을 포함하고, 상기 제1 기판(100)의 일면에 양자점 층(300)이 형성된다. 여기서, 양자점 층(300)의 구조를 제외한 구성은 앞서 설명된 실시예의 구성과 동일하므로 생략한다.7, the solar cell module according to another embodiment of the present invention includes a first substrate 100 and a second substrate 200 spaced apart from each other, A quantum dot layer 300 is formed on one surface of the first substrate 100. The quantum dot layer 300 includes a plurality of solar cells 500 disposed between the first substrate 100 and the second substrate 200. Here, the configuration except for the structure of the quantum dot layer 300 is the same as that of the above-described embodiment, and thus will be omitted.

제1 기판(100)의 일면에는 홈(120)이 형성되어 있으며, 상기 홈(120)에 양자점 층(300)이 형성될 수 있다.A groove 120 is formed on one surface of the first substrate 100 and a quantum dot layer 300 may be formed in the groove 120.

상기와 같은 양자점 층(300)을 형성하기 위해 양자점 들을 포함하는 분산액을 형성한 후 분산액을 제1 기판(100)에 형성된 홈(120)에 도포하여 형성할 수 있다. The dispersion containing the quantum dots may be formed to form the quantum dot layer 300, and then the dispersion may be applied to the grooves 120 formed in the first substrate 100.

분산액은 양자점들이 서로 엉켜 붙지 않도록 카르복실산계 분산제, 카르복실에스테르계 분산제, 올레인산계 분산제, 스테아르산계 분산제, 팔미트산계 분산제 및 핵실 포스포닉산계 분산제와 에탄올, 벤진 및 아세톤 등의 유기 용매가 혼합되어 형성될 수 있다.The dispersion is prepared by mixing a carboxylic acid-based dispersant, a carboxylester-based dispersant, an oleic acid-based dispersant, a stearic acid-based dispersant, a palmitic acid-based dispersant, and a nucleophilic phosphonic acid-based dispersant and an organic solvent such as ethanol, benzene, and acetone to prevent the quantum dots from becoming entangled with each other .

양자점 층(300)은 사각 플레이트 형상 또는 반구 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이러한 양자점 층(300)은 제1 기판(100)의 일면에 보다 넓은 영역에 걸쳐 형성됨으로써, 광 흡수 효율을 보다 향상시킬 수 있다.The quantum dot layer 300 may be formed in a square plate shape or hemispherical shape. The quantum dot layer 300 may be formed over a larger area on one side of the first substrate 100, .

상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. You will understand.

100: 제1 기판 200: 제2 기판
300: 양자점 층 400: 보호층
500: 태양전지 셀 600: EVA 시트
100: first substrate 200: second substrate
300: Quantum dot layer 400: Protective layer
500: solar cell 600: EVA sheet

Claims (9)

태양광이 입사되는 제1 기판;
상기 제1 기판의 일면에 형성된 홈;
상기 제1 기판 상에 배치되는 다수 개의 태양전지 셀들;
상기 다수 개의 태양전지 셀들 상에 배치되는 제2 기판;
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되고, 상기 다수 개의 태양전지 셀들을 감싸는 보호시트;
상기 제1 기판 및 상기 보호시트 사이에 배치되는 보호층; 및
상기 제1 기판의 상기 홈에 배치되는 양자점 층(QD)을 포함하고,
상기 다수 개의 태양전지 셀들은 서로 이격되어 배치되고,
상기 홈은 상기 다수 개의 태양전지 셀들과 대응되는 영역에 형성되고,
상기 양자점 층은, 상기 다수 개의 태양전지 셀들에 대응되는 영역에 집중적으로 이격되어 배치되고,
상기 보호시트는 EVA(Ethyl Vinyl Acetate)를 포함하고,
상기 보호층은 TiO2를 포함하고,
상기 보호층은 상기 제1 기판의 일면 및 상기 양자점 층과 직접 접촉하는 태양전지 모듈.
A first substrate on which sunlight is incident;
A groove formed on one surface of the first substrate;
A plurality of solar cells disposed on the first substrate;
A second substrate disposed on the plurality of solar cells;
A protective sheet disposed between the first substrate and the second substrate, the protective sheet surrounding the plurality of solar cells;
A protective layer disposed between the first substrate and the protective sheet; And
And a quantum dot layer (QD) disposed in the groove of the first substrate,
Wherein the plurality of solar cells are spaced apart from each other,
Wherein the grooves are formed in regions corresponding to the plurality of solar cells,
Wherein the quantum dot layer is disposed to be intensively spaced apart from a region corresponding to the plurality of solar cells,
Wherein the protective sheet comprises EVA (Ethyl Vinyl Acetate)
Wherein the protective layer comprises TiO 2 ,
Wherein the protective layer is in direct contact with one surface of the first substrate and the quantum dot layer.
청구항 1에 있어서,
상기 양자점 층은 상기 다수 개의 태양전지 셀들에 인접하는 상기 제1 기판의 일면에 형성된 태양전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the quantum dot layer is formed on one surface of the first substrate adjacent to the plurality of solar cells.
청구항 1에 있어서,
상기 양자점 층은 50nm 내지 320nm의 파장을 가지는 광을 350nm 내지 750nm의 파장을 가지는 광으로 변환시키는 태양전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the quantum dot layer converts light having a wavelength of 50 nm to 320 nm into light having a wavelength of 350 nm to 750 nm.
청구항 1에 있어서,
상기 홈은 상기 제1 기판의 일면에 다수개가 형성되는 태양전지 모듈.
The method according to claim 1,
And a plurality of grooves are formed on one surface of the first substrate.
청구항 1에 있어서,
상기 홈은 단면이 반구 형성, 다각 형상을 포함하는 태양전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the groove includes a hemispherical shape in cross section and a polygonal shape in cross section.
청구항 1에 있어서,
상기 홈은 1nm 내지 10nm인 태양전지 모듈.
The method according to claim 1,
And the groove is 1 nm to 10 nm.
청구항 1에 있어서,
상기 양자점 층은 황화 아연 또는 황화 카드뮴을 포함하는 태양전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the quantum dot layer comprises zinc sulfide or cadmium sulfide.
청구항 1에 있어서,
상기 보호시트는 상기 보호층과 직접 접촉하는 태양전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the protective sheet is in direct contact with the protective layer.
삭제delete
KR1020110051705A 2011-05-30 2011-05-30 Solar cell module KR101786091B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110051705A KR101786091B1 (en) 2011-05-30 2011-05-30 Solar cell module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110051705A KR101786091B1 (en) 2011-05-30 2011-05-30 Solar cell module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120133170A KR20120133170A (en) 2012-12-10
KR101786091B1 true KR101786091B1 (en) 2017-10-16

Family

ID=47516582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110051705A KR101786091B1 (en) 2011-05-30 2011-05-30 Solar cell module

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101786091B1 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218367A (en) 2002-01-22 2003-07-31 Fuji Photo Film Co Ltd Solar battery unit
JP2006216560A (en) 2005-02-03 2006-08-17 Samsung Electronics Co Ltd Energy conversion film and quantum dot thin film
JP2010186845A (en) 2009-02-12 2010-08-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin composition, wavelength conversion composition, wavelength conversion layer, and photovoltaic device including the same
JP2010283282A (en) 2009-06-08 2010-12-16 Nitto Denko Corp Method of controlling optical characteristic of wavelength conversion sheet, method of manufacturing wavelength conversion sheet, wavelength conversion sheet for cadmium tellurium based solar cell, and cadmium tellurium based solar cell
JP2011049207A (en) * 2009-08-25 2011-03-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd Composite particle, resin composition, wavelength conversion layer, and photovoltaic device
JP2011077088A (en) * 2009-09-29 2011-04-14 Toppan Printing Co Ltd Sealing material sheet for solar cell module, and solar cell module

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218367A (en) 2002-01-22 2003-07-31 Fuji Photo Film Co Ltd Solar battery unit
JP2006216560A (en) 2005-02-03 2006-08-17 Samsung Electronics Co Ltd Energy conversion film and quantum dot thin film
JP2010186845A (en) 2009-02-12 2010-08-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin composition, wavelength conversion composition, wavelength conversion layer, and photovoltaic device including the same
JP2010283282A (en) 2009-06-08 2010-12-16 Nitto Denko Corp Method of controlling optical characteristic of wavelength conversion sheet, method of manufacturing wavelength conversion sheet, wavelength conversion sheet for cadmium tellurium based solar cell, and cadmium tellurium based solar cell
JP2011049207A (en) * 2009-08-25 2011-03-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd Composite particle, resin composition, wavelength conversion layer, and photovoltaic device
JP2011077088A (en) * 2009-09-29 2011-04-14 Toppan Printing Co Ltd Sealing material sheet for solar cell module, and solar cell module

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120133170A (en) 2012-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9584065B2 (en) Solar cell structure
KR101575733B1 (en) wavelength converting structure for near-infrared rays and solar cell comprising the same
JP2015079981A (en) Solar cell module
JP2011129925A (en) Solar cell module using semiconductor nanocrystal
US10032944B2 (en) Transparent cover for solar cells and modules
US9148961B2 (en) Solar cell panel
US20170018672A1 (en) High power solar cell module
US20170194525A1 (en) High power solar cell module
CN108365029B (en) Multi-layer solar cell containing hexagonal-column GaAs photonic crystal absorption layer
KR101786091B1 (en) Solar cell module
KR101628360B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
CN201829508U (en) Solar battery
US20120037226A1 (en) Semiconductor substrate
KR101806548B1 (en) Solar cell module
CN103606626A (en) Efficient thin-film solar cell
McIntosh et al. Increased mc-Si module efficiency using fluorescent organic dyes: a ray-tracing study
KR20140112653A (en) Solar cell
KR20120036115A (en) Flexible solar cell and method of fabricating the same
TWI470814B (en) Solar cell
KR101765931B1 (en) Solar cell module
KR101278916B1 (en) Thin film solar module
CN203607459U (en) Efficient thin-film solar cell
JP6328891B2 (en) Solar cell and solar cell module
KR101541108B1 (en) solar cell and manufacturing method thereof
KR101419805B1 (en) Back contact of thin film solar cell and Thin film solar cell comprising the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant