KR101769151B1 - Electormagnetic interference reduction apparatus - Google Patents

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Abstract

전자파를 흡수하고, 흡수된 전자파를 보조전원으로서 이용하는 전자파 장애 감소 장치가 제공된다. 그러한 전자파 장애 감소 장치는 전자파흡수부, 열전소자부, 축전부 및 전원관리부를 포함할 수 있다. 전자파흡수부는 전자파를 흡수하고 그것을 열로 변환하여 방출한다. 열전소자부는 상기 방출된 열과 전자부품의 동작열을 전기에너지로 변환한다. 축전부는 상기 전기에너지를 저장하고, 전원관리부는 축전된 전기에너지를 보조전원으로서 활용한다. 상기 과정들에 의해 본 발명의 실시예는 전자파 방출을 감소시키고, 발열로 인한 오작동을 방지하며, 시스템의 구동전원으로서 활용 가능한 보조전원을 얻을 수 있다.There is provided an electromagnetic interference reduction apparatus which absorbs electromagnetic waves and uses the absorbed electromagnetic waves as auxiliary power. Such an electromagnetic interference reduction device may include an electromagnetic wave absorbing portion, a thermoelectric element portion, a power storage portion, and a power management portion. The electromagnetic wave absorber absorbs electromagnetic waves and converts the electromagnetic waves into heat. The thermoelectric element part converts the emitted heat and the operating heat of the electronic part into electrical energy. The power storage unit stores the electric energy, and the power management unit uses the stored electric energy as an auxiliary power. The embodiments of the present invention can reduce the emission of electromagnetic waves, prevent malfunction due to heat generation, and obtain an auxiliary power source that can be used as a driving power source for the system.

Description

전자파 장애 감소 장치{ELECTORMAGNETIC INTERFERENCE REDUCTION APPARATUS}[0001] ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE REDUCTION APPARATUS [0002]

본 발명은 전자파 장애 감소 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electromagnetic interference reduction apparatus.

전자파는 전기장과 자기장이 서로 공진하여 만들어내는 파동이며, 다양한 전자기기들에 의해 발생될 수 있다. 전자파는 다른 전자기기의 성능이나 동작에 영향을 주고, 오작동을 불러 일으킨다. 또한, 그 중 주파수가 높고 강한 전자파는 VDT증후군을 비롯한 각종 질병의 원인이 되기도 한다.Electromagnetic waves are waves generated by resonating electric fields and magnetic fields, and can be generated by various electronic devices. Electromagnetic waves affect the performance and operation of other electronic devices and cause malfunctions. In addition, high frequency and strong electromagnetic waves can cause various diseases including VDT syndrome.

전자산업분야에서 전자파와 관련된 규격으로는 대표적으로 전자파양립성(EMC, Electromagnetic Compatibility)이 있다. 전자파양립성은 전자기기에서 방출되는 전자파 세기와 관련된 전자파 장애(EMI, Electromagnetic Interference)를 포함한다. 몇몇 전자기기는 정부가 규정한 전자파 장애 규격을 충족시켜야 판매가 가능하므로, 전자기기의 개발단계에서 전자파 장애를 줄이는 것은 중요하다. Electromagnetic Compatibility (EMC) is a typical standard related to electromagnetic waves in the electronic industry. Electromagnetic compatibility includes electromagnetic interference (EMI) related to the intensity of electromagnetic waves emitted from electronic devices. It is important to reduce electromagnetic interference in the development stage of electronic devices, since some electronic devices can be sold only when the electromagnetic interference standard prescribed by the government is met.

전자파의 방출을 감소시키기 위한 방법 중 하나는 전자파흡수체를 사용하는 것이다. 전자파흡수체는 전자파를 흡수하여 소모시키는 물체를 의미하며, 전자파가 소모되는 과정에서 일반적으로 전자파흡수체는 열을 방출한다. 그런데, 전자기기의 발열은 종종 전자기기의 오작동을 불러일으키는 주요한 원인이 된다. 따라서, 발열문제에 민감한 기기를 개발할 때는, 전자파흡수체의 발열을 감소시킬 필요가 있다. One of the methods for reducing the emission of electromagnetic waves is to use electromagnetic wave absorbers. The electromagnetic wave absorber refers to an object that absorbs and consumes electromagnetic waves. Generally, the electromagnetic wave absorber emits heat when electromagnetic waves are consumed. However, the heat generation of electronic devices is often a major cause of malfunction of electronic devices. Therefore, when developing a device sensitive to a heat generation problem, it is necessary to reduce the heat generation of the electromagnetic wave absorber.

전자파 장애 개선의 중요성이 점차 강조됨에 따라, 상기 문제점들을 효율적으로 해결할 수 있는 전자파 장애 감소 기술에 대한 요구가 절실한 실정이다.As the importance of improving the electromagnetic interference is increasingly emphasized, there is an urgent need for an electromagnetic interference reduction technique capable of efficiently solving the above problems.

본 발명의 목적은 전자부품에서 발생하는 전자파를 흡수하여 전자파 장애를 감소시키는 장치를 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide an apparatus for absorbing electromagnetic waves generated in an electronic component to reduce electromagnetic interference.

본 발명의 다른 목적은 전자부품에서 발생하는 열을 전기에너지로 변환하여 발열 문제를 개선하는 장치를 제공함에 있다.It is another object of the present invention to provide an apparatus for converting heat generated from an electronic component into electric energy to improve a heat generation problem.

본 발명의 또 다른 목적은 흡수된 전자파를 열에너지 및 전기에너지로 순차적으로 변환하여 시스템의 구동전원의 일부를 공급하는 장치를 제공함에 있다.It is still another object of the present invention to provide an apparatus for sequentially converting an absorbed electromagnetic wave into thermal energy and electric energy to supply a part of the driving power of the system.

상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 전자파 장애 감소 장치는 전자파 방출체로부터 전자파를 흡수하고, 열변환을 통해 열에너지를 방출하는 전자파흡수부 및 상기 방출된 열에너지를 전기에너지로 변환하는 열전소자부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an electromagnetic interference reduction apparatus including: an electromagnetic wave absorber that absorbs electromagnetic waves from an electromagnetic wave emitter and emits thermal energy through heat conversion; And an element portion.

실시 예로서 상기 열전소자부는 전자파발생체의 동작열을 전기에너지로 변환할 수 있다. As an embodiment, the thermoelectric element portion can convert the operation heat of the electromagnetic wave generator into electric energy.

실시 예로서 상기 전기에너지를 누적 전하량으로서 저장하는 축전부를 더 포함할 수 있다.As an embodiment, it may further include a power storage unit for storing the electric energy as an accumulated charge amount.

실시 예로서 감지대상신호를 수신하고, 상기 감지대상신호에 따라 상기 누적 전하량을 구동전원으로서 선택적으로 출력하는 전원관리부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a power management unit that receives the detection target signal and selectively outputs the accumulated charge amount as a driving power source according to the detection target signal.

위와 같은 본 발명의 실시 예적 구성들에 따르면, 전자부품에서 발생되는 전자파가 효과적으로 흡수되므로 전자파 장애가 감소된다.According to the embodiments of the present invention as described above, the electromagnetic wave generated from the electronic component is effectively absorbed, so that the electromagnetic interference is reduced.

또한, 전자부품으로부터 발생되는 열이 전기에너지로 변환되기 때문에 냉각효과가 발생되고, 전자부품의 발열문제가 현저히 해소된다.Further, since the heat generated from the electronic component is converted into the electric energy, the cooling effect is generated, and the heat generation problem of the electronic component is remarkably solved.

또한, 흡수된 전자파로부터 전기에너지가 생성 및 축적되므로, 시스템의 구동전원의 일부로서 상기 생성된 전기에너지가 사용될 수 있다. Further, since the electric energy is generated and accumulated from the absorbed electromagnetic waves, the generated electric energy can be used as a part of the driving power of the system.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 전자파 흡수장치를 나타내는 블록도;
도 2는 도 1의 변환부의 일 예를 나타내는 블록도;
도 3은 도 2의 구체적인 동작과정을 보여주는 예시도;
도 4는 도 1의 전원관리부의 일 예를 나타내는 블록도;
도 5는 도 4의 제어부의 일 예를 나타내는 블록도;
도 6은 도 5의 감지부 및 선택부의 일 예를 나타내는 회로도;
도 7은 도 4의 전원선택부의 구체적인 예시도;
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 전자파 흡수 방법을 보여주는 순서도; 및
도 9는 본 발명을 반도체 칩에 적용한 구체적인 예시도이다.
1 is a block diagram showing an electromagnetic wave absorber according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a block diagram showing an example of the conversion unit of FIG. 1;
FIG. 3 is an exemplary view showing a specific operation process of FIG. 2; FIG.
FIG. 4 is a block diagram showing an example of the power management unit of FIG. 1; FIG.
5 is a block diagram showing an example of the control unit of FIG. 4;
FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of the sensing unit and the selecting unit of FIG. 5;
FIG. 7 is a specific example of the power selection unit of FIG. 4;
FIG. 8 is a flowchart showing an electromagnetic wave absorption method according to an embodiment of the present invention; FIG. And
Fig. 9 is a specific example of applying the present invention to a semiconductor chip.

앞의 일반적인 설명 및 다음의 상세한 설명들은 청구된 발명의 부가적인 설명을 제공하기 위한 예시적인 것이다. 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 그 외의 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 참조 부호들이 본 발명의 바람직한 실시 예들에 상세히 표시되어 있으며, 그것의 예들이 참조 도면들에 표시되어 있다. 가능한 어떤 경우에도, 동일한 참조 번호들이 동일한 또는 유사한 부분을 참조하기 위해서 설명 및 도면들에 사용된다. 또한, 명세서에 기재된 "...부", "...기", "장치" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다. 이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.The foregoing general description and the following detailed description are exemplary and are intended to provide further explanation of the claimed invention. Throughout the specification, when a section is referred to as "comprising" an element, it means that it may further include other elements as long as there is no specially contradicted description. Reference numerals are shown in detail in the preferred embodiments of the present invention, examples of which are shown in the drawings. Wherever possible, the same reference numbers are used in the description and drawings to refer to the same or like parts. Also, the terms " part, "" device," and " device ", etc. in the specification mean units for processing at least one function or operation, Lt; / RTI > Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the technical idea of the present invention.

전자파 장애Electromagnetic interference 감소 장치의 실시 예 Embodiment of reduction device

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 전자파 장애 감소 장치를 보여주는 블록도이다. 도 1을 참조하면 전자파 장애 감소 장치(1000)는 변환부(100) 및 전원관리부(300)를 포함한다. 주전원부(200)는 본 발명의 구체적인 설명을 돕기 위해 도시된 것으로, 본 발명의 주된 구성요소와는 무관할 수 있다.1 is a block diagram illustrating an electromagnetic interference reduction apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, an electromagnetic interference reduction apparatus 1000 includes a conversion unit 100 and a power management unit 300. The main power source unit 200 is shown for the purpose of helping to explain the present invention, and may be independent of the main components of the present invention.

변환부(100)는 외부의 전자파발생체로부터 전자파를 흡수하고, 흡수한 전자파를 열에너지 및 전기에너지로 순차적으로 변환한다. 한편, 변환부(100)는 변환과정에서 추가적으로 전자파발생체의 동작열도 흡수하여 전기에너지로 변환할 수 있다. 변환된 전기에너지는 변환부 내부의 축전기에 저장되고, 전원관리부(300)의 제어에 따라 보조전원으로서 출력될 수 있다. 전자파발생체는 전자부품 또는 반도체 칩일 수 있다.The converting unit 100 absorbs electromagnetic waves from an external electromagnetic wave generator, and sequentially converts the absorbed electromagnetic waves into thermal energy and electrical energy. Meanwhile, the conversion unit 100 may further convert the operation column of the electromagnetic wave generator into electrical energy by absorbing the operation column. The converted electrical energy is stored in a capacitor inside the conversion unit and can be outputted as an auxiliary power under the control of the power management unit 300. [ The electromagnetic wave generator may be an electronic component or a semiconductor chip.

주전원부(200)는 전자파 장애 감소 장치(1000)에 주전원 및 감지대상신호를 제공한다. 감지대상신호는 주전원의 방전상태 판단을 위한 정보를 제공하는 신호이다.The main power supply unit 200 provides a main power source and a detection target signal to the electromagnetic interference reduction apparatus 1000. [ The detection target signal is a signal for providing information for determining the discharge state of the main power source.

전원관리부(300)는 주전원, 보조전원 및 감지대상신호를 수신하고, 수신한 감지대상신호에 따라 주전원과 보조전원 중 하나를 택일하여 구동전원으로서 출력한다. 구체적으로, 전원관리부(300)는 통상적인 동작상태에서는 주전원을 구동전원으로서 출력하고, 주전원이 방전상태가 되면 보조전원을 구동전원으로서 출력한다. The power management unit 300 receives the main power source, the auxiliary power source, and the detection target signal, and selects one of the main power source and the auxiliary power source as the driving power source according to the received sensing target signal. Specifically, the power management unit 300 outputs a main power source as a driving power source in a normal operation state, and outputs an auxiliary power source as a driving power source when the main power source is in a discharging state.

상기 구성에 따르면, 본 발명은 전자파발생체로부터 전자파 및 동작열을 흡수하고 이를 전기에너지로 변환하여 축전부에 저장할 수 있다. 그 결과, 본 발명은 전자파발생체의 전자파 방출 및 발열을 감소시키고 저장된 전기에너지를 구동전원으로 사용할 수 있는 효과가 있다.According to the above configuration, the present invention can absorb electromagnetic waves and operation heat from the electromagnetic wave generator, convert it into electric energy, and store it in the power storage unit. As a result, the present invention has the effect of reducing electromagnetic wave emission and heat generation of the electromagnetic wave generator and using stored electrical energy as a driving power source.

변환부The conversion unit

도 2는 도 1에 도시된 변환부(100)를 보여주는 블록도이다. 도 2를 참조하면, 변환부(100)는 전자파흡수부(110), 열전소자부(120) 및 축전부(130)를 포함한다. 전자파흡수부(110)는 전자파를 흡수하고, 흡수한 전자파를 열변환 과정을 통해 열에너지로 바꾸어 방출한다. 열전소자부(120)는 전자파흡수부(110)로부터 방출된 열에너지 및 부품의 동작열을 열전변환 과정을 통해 전기에너지로서 출력한다. 축전부(130)는 열전소자부(120)와 연결되고, 열전소자부(120)로부터 전류를 받아 내부에서 전기에너지로 축적한다. 축전부(130)내에 축적된 전기에너지는 보조전원으로서 출력된다. 2 is a block diagram showing the conversion unit 100 shown in FIG. 2, the conversion unit 100 includes an electromagnetic wave absorption unit 110, a thermoelectric conversion unit 120, and a power storage unit 130. The electromagnetic wave absorber 110 absorbs electromagnetic waves and converts the absorbed electromagnetic waves into thermal energy through a heat conversion process. The thermoelectric element part 120 outputs the heat energy emitted from the electromagnetic wave absorber 110 and the operation heat of the component as electric energy through a thermoelectric conversion process. The power storage unit 130 is connected to the thermoelectric element unit 120 and receives electric current from the thermoelectric element unit 120 to accumulate electric energy therein. The electric energy stored in the power storage unit 130 is output as an auxiliary power supply.

한편, 열전소자부(120)에서 생산된 전기에너지는 축전부(130)에 저장하지 않고 접지로 흘려 보낼 수도 있다. 그러나, 전기에너지를 축전부(130)에 저장하는 것이 전원 관리면에 있어서 더욱 효율적일 것이다.On the other hand, the electrical energy produced by the thermoelectric element part 120 may be discharged to the ground without being stored in the power storage part 130. However, storing the electrical energy in the power storage unit 130 may be more efficient in terms of power management.

결과적으로, 변환부(100)는 전자파 및 부품의 동작열을 흡수하고, 흡수한 전자파 및 동작열을 전기에너지로 변환하여 외부에 제공하는 역할을 한다.As a result, the conversion unit 100 absorbs the electromagnetic waves and the operation heat of the component, converts the absorbed electromagnetic waves and the operation heat into electric energy, and provides the electric energy to the outside.

전자파흡수부(110), 열전소자부(120) 및 축전부(130)의 구체적인 구성 및 작동은 다음 상술할 설명에 기재된 바와 같다. The specific configuration and operation of the electromagnetic wave absorber 110, the thermoelectric element portion 120, and the power storage portion 130 are as described in the following description.

전자파흡수부The electromagnetic wave-

도 3은 전자파흡수부, 열전소자부 및 축전부의 동작과정을 보여주는 예시도이다. 도 3을 참조하면, 전자파흡수부(110)는 전자파흡수체(111)를 포함한다. 전자파흡수체(111)는 전자파가 가지고 있는 전자기에너지를 소모하여, 전자파를 감소시키는 물체를 말한다. 소모된 전자기에너지는 일반적으로 열로 변환되어 방출된다.3 is an exemplary diagram showing an operation process of the electromagnetic wave absorber, the thermoelectric element, and the power storage unit. Referring to FIG. 3, the electromagnetic wave absorber 110 includes an electromagnetic wave absorber 111. The electromagnetic wave absorber 111 refers to an object that consumes electromagnetic energy possessed by electromagnetic waves and reduces electromagnetic waves. The consumed electromagnetic energy is generally converted into heat and released.

전자파흡수체(111)는 전자파발생체와의 거리가 가까울수록 전자파 흡수 효율이 좋으므로, 본 실시 예의 경우에는 반도체 칩의 뒷면이나 서브스트레이트PCB면에 전자파흡수체(111)가 부착된다. . In this embodiment, the electromagnetic wave absorber 111 is attached to the back surface of the semiconductor chip or the substrate surface of the substrate, since the electromagnetic wave absorber 111 has a better electromagnetic wave absorption efficiency as the distance from the electromagnetic wave generator is shorter. .

전자파흡수체의 재료로써는 고무재료에 카본을 코팅한 것과 페라이트를 사용한 것이 많이 쓰이며, 이외에도 필요에 따라 전자파 흡수 기능을 가진 다양한 재질이 사용될 수 있다. As a material of the electromagnetic wave absorber, a carbon material is coated on a rubber material and a ferrite material is used. In addition, various materials having an electromagnetic wave absorption function can be used as needed.

전자파가 전자파흡수체(111)에 유입이 되면, 일부 전자파는 전자파흡수체(111)에 흡수되고 나머지 전자파는 투과 또는 반사된다. 전자파흡수체(111)에 흡수된 전자파는 자속을 발생시킨다. 이때, 발생한 자속에 의하여 높은 임피던스가 유도되고, 투자손실, 유전손실, 도전손실 등에 의하여 전자파의 전자기 에너지는 열에너지로 변환된다. 이때 발생되는 열에너지의 양은 흡수한 전자파의 주파수에 비례하므로, 고주파의 부품에 부착될수록 전자파흡수체(111)는 많은 열을 방출한다. When electromagnetic waves are introduced into the electromagnetic wave absorber 111, some electromagnetic waves are absorbed by the electromagnetic wave absorber 111, and the remaining electromagnetic waves are transmitted or reflected. The electromagnetic wave absorbed by the electromagnetic wave absorber 111 generates a magnetic flux. At this time, a high impedance is induced by the generated magnetic flux, and the electromagnetic energy of the electromagnetic wave is converted into heat energy by the investment loss, dielectric loss, and conductive loss. Since the amount of heat energy generated at this time is proportional to the frequency of the absorbed electromagnetic wave, the electromagnetic wave absorber 111 emits a lot of heat as it is attached to a high frequency component.

전자파흡수체의 종류는 다양하지만, 쉽게 구할 수 있는 것을 예로 들면, 대한민국의 제조회사 주식회사 “창성”이 제조하는 흡수재 NS-HD, NS-H, NS-L, NS-B 및 NS-FL등이 있다. 흡수재들은 동작주파수와 투자율에 따라 사용되는 용도가 구분된다. There are various types of electromagnetic wave absorbers, but there are absorbers NS-HD, NS-H, NS-L, NS-B and NS-FL manufactured by ChangSeong Co., . The absorbers are classified according to their operating frequency and magnetic permeability.

열전소자부The thermo-

도 3은 전자파흡수부, 열전소자부 및 축전부의 동작과정을 보여주는 예시도이다. 도 3을 참조하면, 열전소자부(120)는 열전변환기능을 가진 열전소자(121)를 포함한다. 3 is an exemplary diagram showing an operation process of the electromagnetic wave absorber, the thermoelectric element, and the power storage unit. Referring to FIG. 3, the thermoelectric element 120 includes a thermoelectric element 121 having a thermoelectric conversion function.

열전변환은 복합재료로 구성된 헤테로 접합에 있어서 열에너지와 전기에너지를 상호 변환하는 에너지직접변환특성을 의미한다. 열전변환의 한 종류로서 열에너지로부터 전기에너지를 얻어내는 제베크 효과(Seebeck Effect)가 있다. 제베크 효과는 열전변환특성이 우수한 2종의 금속 또는 반도체를 접속하고 양 접점 사이에 온도차를 가하면 기전력이 발생하는 현상을 의미한다. 구체적으로 설명하면, 온도가 높은 접점에서는 열은 전자안으로 들어가서 전자의 에너지 수준을 높인다. 전자가 고에너지 상태가 되고 결정으로부터 보다 자유로워지면, 전자는 정공사이를 도약하는 방식으로 이동할 수 있다. 이처럼, 물질내의 전자가 자유전자가 되어 이동하면, 자유전자가 떠난 자리에는 정공이 남게되고, 전압에 경사도가 발생하여 기전력이 생긴다. 이처럼 제베크 효과를 이용하여 열을 전기에너지로 바꾸는 소자는 열전소자(121)라고 불린다. Thermoelectric conversion refers to a direct energy conversion characteristic that converts heat energy to electric energy in a heterojunction composed of a composite material. As a kind of thermoelectric conversion, there is a Seebeck effect for obtaining electric energy from heat energy. The Jebeck effect refers to a phenomenon in which an electromotive force is generated when two types of metals or semiconductors having excellent thermoelectric conversion characteristics are connected and a temperature difference is applied between both contacts. Specifically, at high temperature contacts, heat enters the electrons and increases the energy level of the electrons. When electrons become high energy and become more free from crystals, electrons can move in such a way as to hop between holes. As such, when electrons in the material move as free electrons, holes are left at the position where the free electrons leave, and a gradient occurs in the voltage to generate an electromotive force. A device that converts heat into electrical energy using the Seebeck effect is called a thermoelectric element 121.

도 3에서 열전소자(121)의 한쪽 면은 전자파흡수부(110)와 접촉된다. 전자파흡수부(110)는 전자파를 흡수하여 열을 방출하므로, 전자파흡수부(110)와 접촉한 열전소자(121)의 한쪽 면은 열전도에 의해 상대적으로 고온부가 된다. 반대로, 전자파흡수부(110)와 접촉하지 않은 면은 상대적으로 저온부가 된다. 열전소자(121)에서는 제베크 효과가 발생하므로, 고온부와 저온부사이에 온도차가 존재하는 한 전압차가 발생하고 기전력이 생긴다. 이때, 고온부와 저온부 사이를 연결하는 전류패스가 있으면, 이를 통해 전류가 흐를수 있다. 전류패스는 전기전도도가 높은 도선으로 쉽게 구성할 수 있다. 한편, 전자부품이 구동될 때에는 일반적으로 동작열이 발생한다. 동작열이 발생하는 부분과 열전소자(121)의 고온부가 서로 접촉되도록 하면, 제베크 효과에 의해 동작열도 역시 기전력으로 바꿀 수 있다.In FIG. 3, one surface of the thermoelectric element 121 is in contact with the electromagnetic wave absorber 110. The electromagnetic wave absorber 110 absorbs electromagnetic waves and emits heat, so that one surface of the thermoelectric element 121 in contact with the electromagnetic wave absorber 110 becomes a relatively high temperature portion due to heat conduction. On the other hand, the surface not in contact with the electromagnetic wave absorber 110 becomes a relatively low temperature portion. As the thermoelectric element 121 generates a Seebeck effect, a voltage difference occurs as long as there is a temperature difference between the high temperature portion and the low temperature portion, and an electromotive force is generated. At this time, if there is a current path connecting the high temperature portion and the low temperature portion, a current can flow through the current path. The current path can be easily constructed with high conductance conductors. On the other hand, when an electronic component is driven, an operation heat is generally generated. When the portion where the operation heat is generated and the high temperature portion of the thermoelectric element 121 are brought into contact with each other, the operation heat can also be changed to the electromotive force by the Hebeck effect.

열전소자(121)는 다양한 종류가 존재하지만, 쉽게 구할 수 있는 것을 예로 들면, 대한민국의 제조회사 주식회사 에이스텍에서 제조하는 HMG3730, HMG6040, HMG1550등이 있다. 현재까지의 열전소자(121)들은 대개 10% 이하의 발전효율을 보인다. 하나의 예를 들면, HMG1550은 입력으로 열용량 350watt를 받으면 그에 대한 출력으로 발전용량 14.7watt를 내보낸다. 열전소자(121)에 의한 발전량은 고온부와 저온부사이의 온도차가 클수록 크다. 한편, 열전소자(121)는 시스템에 열이 잔존하는 한 지속적으로 발전이 가능하고, 일정한 온도라도 기전력이 발생하며, 제품수명이 길다는 장점이 있다.There are various types of thermoelectric elements 121, but examples of such thermoelectric elements 121 include HMG3730, HMG6040, and HMG1550 manufactured by Ace Tek Co., Ltd., a manufacturer of Korea. The thermoelectric elements 121 to date show a power generation efficiency of generally less than 10%. For example, when the HMG1550 receives a 350-watt heat capacity as input, it outputs 14.7 watts of power to the output. The amount of electric power generated by the thermoelectric element 121 is larger as the temperature difference between the high temperature section and the low temperature section becomes larger. On the other hand, the thermoelectric element 121 can generate power continuously as long as heat remains in the system, generate electromotive force even at a constant temperature, and have a long product life.

축전부Power storage unit

도 3은 전자파흡수부, 열전소자부 및 축전부의 동작과정을 보여주는 예시도이다. 도 3을 참조하면, 축전부(130)는 축전기(131)를 포함한다. 축전기(131)는 열전소자(121)와 연결되며, 열전소자(121)로부터 유입된 전하를 누적적으로 축적한다. 한편, 축전기는(131) 내부에 축적된 전하를 보조전원으로서 출력할 수 있다.3 is an exemplary diagram showing an operation process of the electromagnetic wave absorber, the thermoelectric element, and the power storage unit. Referring to FIG. 3, the power storage unit 130 includes a capacitor 131. The capacitor 131 is connected to the thermoelectric element 121, and cumulatively accumulates the charges flowing from the thermoelectric element 121. On the other hand, the capacitor can output the charge stored in the capacitor 131 as an auxiliary power source.

축전기(131)는 가장 간단하게는 두개의 평형판을 가진 절연공간으로 구성할 수 있고, 그 외에 진공축전기, MP콘덴서, 전기이중층콘덴서 등도 쓰일 수 있다. 그러나, 현재 전자부품이나 전자회로에 들어가는 축전기는 반도체공정을 통해 집적회로화 하는 것이 일반적이다. In the simplest case, the capacitor 131 may be constituted by an insulating space having two flat plates. In addition, a vacuum capacitor, an MP condenser, an electric double layer condenser, and the like may be used. However, current capacitors in electronic parts and electronic circuits are generally integrated circuits through a semiconductor process.

전원관리부Power management unit

도 4는 도 1에 도시된 전원관리부(300)를 보여주는 블록도이다. 도 4를 참조하면, 전원관리부(300)는 전원선택부(310) 및 제어부(320)를 포함한다.4 is a block diagram showing the power management unit 300 shown in FIG. Referring to FIG. 4, the power management unit 300 includes a power selection unit 310 and a control unit 320.

도 4에서 제어부(320)는 감지대상신호를 수신하고, 선택신호를 출력한다. 전원선택부(310)는 보조전원, 주전원 및 선택신호를 수신하고, 선택신호의 값에 따라 보조전원과 주전원중 어느 하나를 택일적으로 구동전원으로서 출력한다.4, the control unit 320 receives the detection target signal and outputs a selection signal. The power selection unit 310 receives the auxiliary power, the main power and the selection signal, and selectively outputs either the auxiliary power or the main power as the driving power according to the value of the selection signal.

제어부(320) 및 전원선택부(310)의 구체적인 구성 및 작동은 다음 상술할 설명에 기재된 바와 같다.The specific configuration and operation of the control unit 320 and the power selection unit 310 are as described in the following description.

제어부The control unit

도 5는 도 4에 도시된 제어부(320)를 보여주는 블록도이다. 도 5를 참조하면, 제어부(320)는 감지부(321) 및 선택부(322)를 포함한다.5 is a block diagram showing the control unit 320 shown in FIG. Referring to FIG. 5, the control unit 320 includes a sensing unit 321 and a selection unit 322.

감지부(321)는 감지대상신호를 수신하고, 그에 대응하는 제어신호를 출력한다. 선택부(322)는 제어신호를 수신하고, 제어신호의 값에 따라 선택신호를 출력한다. 선택신호는 하이 또는 로우 값일 수 있다. The sensing unit 321 receives the sensing target signal and outputs a corresponding control signal. The selection unit 322 receives the control signal and outputs a selection signal according to the value of the control signal. The select signal may be a high or a low value.

도 6은 감지부(321) 및 선택부(322)의 구체적인 일 예를 나타내는 회로도이다. 감지부(321)는 저항 R1, R2, R3 및 R4를 포함한다. 감지부(321)는 주전원의 전압을 감지대상신호로서 수신한다. 수신된 전압은 R1, R2, R3 및 R4에 의해 전압 분배되고, 그 값은 A 노드 및 B 노드에 나타난다. B 노드의 전압은 제어신호로서 출력된다. 선택부(322)는 제어신호를 입력으로 수신한다. 만약, 제어신호가 TR1의 문턱전압 이상(예를 들어, 0.7V)이라면, TR1이 동작하고 하이가 선택신호로서 출력된다. 반대로, 제어신호가 TR1의 문턱전압 미만이라면, TR1이 동작하지 않고 로우가 선택신호로서 출력된다. 선택신호가 하이를 출력하도록 하는 감지대상신호의 값(이하 ‘선택기준값’ 이라 한다.)은 감지부(321)내의 R1, R2, R3 및 R4의 값에 따라 조정될 수 있다. 6 is a circuit diagram showing a specific example of the sensing unit 321 and the selecting unit 322. In FIG. The sensing unit 321 includes resistors R1, R2, R3, and R4. The sensing unit 321 receives the voltage of the main power source as a sensing target signal. The received voltage is voltage divided by R1, R2, R3 and R4, and its value appears at A and B nodes. The voltage at the B node is output as a control signal. The selection unit 322 receives the control signal as an input. If the control signal is equal to or higher than the threshold voltage of TR1 (for example, 0.7 V), TR1 operates and HIGH is output as a selection signal. Conversely, if the control signal is less than the threshold voltage of TR1, TR1 does not operate and a low is output as a select signal. The value of the detection target signal (hereinafter, referred to as 'selection reference value') for causing the selection signal to output high can be adjusted according to the values of R1, R2, R3, and R4 in the sensing unit 321.

결과적으로, 제어부(320)는 주전원의 전압값을 수신하고, 수신된 전압 값에 따라 선택신호로서 하이 또는 로우 값을 출력하는 기능을 한다.As a result, the control unit 320 receives the voltage value of the main power source and outputs a high or a low value as a selection signal according to the received voltage value.

다만, 도 6에 나타난 회로는 하나의 예일 뿐이며, 주전원의 전압에 따라 선택신호를 다르게 출력하는 회로는 다양하게 구성될 수 있다. 또한, 주전원의 전류를 감지대상신호로서 수신하고, 그에 따라 선택신호를 출력하는 회로도 쉽게 구성될 수 있음은 이 분야에 숙련된 자들에게 자명하다.However, the circuit shown in FIG. 6 is only one example, and a circuit for outputting the selection signal differently according to the voltage of the main power can be variously configured. It is also apparent to those skilled in the art that a circuit for receiving the current of the main power source as the detection target signal and outputting the selection signal accordingly can be easily configured.

전원선택부Power selection unit

도 7는 도 4에 도시된 전원선택부(310)의 구체적인 예시도이다. 도 7을 참조하면, 전원선택부(310)는 2입력과 1출력사이를 선택적으로 연결하는 스위치부(311)를 포함할 수 있다. 한편, 스위치부(311)는 2입력과 1출력을 가진 멀티플렉서일 수 있다.FIG. 7 is a specific example of the power selection unit 310 shown in FIG. Referring to FIG. 7, the power source selection unit 310 may include a switch unit 311 for selectively connecting two inputs and one output. Meanwhile, the switch unit 311 may be a multiplexer having two inputs and one output.

전원선택부(310)는 보조전원(A)과 주전원(B) 및 선택신호(S)를 입력으로서 수신한다. 선택신호(S)는 하이 또는 로우 값을 갖는다. 선택신호(S)가 하이인 경우, 스위치(SW)는 B 노드로 스위칭되고 주전원(B)이 구동전원(C)으로서 출력된다. 선택신호(S)가 로우인 경우, 스위치(SW)는 A 노드로 스위칭되고 보조전원(A)이 구동전원(C)으로서 출력된다.The power source selection unit 310 receives the auxiliary power source A, the main power source B, and the selection signal S as inputs. The selection signal S has a high or low value. When the selection signal S is high, the switch SW is switched to the node B and the main power supply B is outputted as the driving power supply C. [ When the selection signal S is low, the switch SW is switched to the node A and the auxiliary power supply A is outputted as the driving power supply C. Fig.

결과적으로, 전원선택부(310)는 선택신호의 값에 따라 주전원과 보조전원 중 하나를 선택하여 구동전원으로서 출력하는 기능을 한다.As a result, the power selection unit 310 selects one of the main power and the auxiliary power according to the value of the selection signal and outputs the selected power as the driving power.

제어부(320) 및 전원선택부(310)의 동작에 따를 때, 주전원의 전압이 선택기준값 이상이면 제어부(320)는 하이를 선택신호로 출력한다. 선택신호가 하이이므로, 전원선택부(310)내의 스위치(SW)는 주전원을 구동전원과 연결한다. 반대로, 주전원의 전압이 선택기준값 미만이면 제어부는(320)는 로우를 선택신호로 출력한다. 선택신호가 로우이므로, 전원선택부(310)내의 스위치(SW)는 보조전원을 구동전원과 연결한다. 이때, 선택기준값은 주전원이 방전상태가 되는 전압값으로 정할 수 있다. 즉, 전원관리부(300)는 주전원의 방전여부에 따라, 보조전원을 선택적으로 구동전원으로서 출력하는 역할을 한다.According to the operation of the control unit 320 and the power source selection unit 310, when the voltage of the main power source is equal to or greater than the selection reference value, the control unit 320 outputs high as a selection signal. Since the selection signal is high, the switch SW in the power source selection unit 310 connects the main power source to the driving power source. Conversely, if the voltage of the main power source is less than the selection reference value, the control unit 320 outputs a row as a selection signal. Since the selection signal is low, the switch SW in the power source selection unit 310 connects the auxiliary power source to the driving power source. At this time, the selection reference value can be set to a voltage value at which the main power source is in the discharge state. That is, the power management unit 300 selectively outputs the auxiliary power as the driving power depending on whether the main power is discharged or not.

전자파 장애Electromagnetic interference 감소 방법의 실시 예 Embodiment of the reduction method

도 8은 본 발명에 따른 전자파 장애 감소 방법의 실시 예를 보여주는 순서도이다. 도 8에서 S810 단계는 전자파와 동작열 흡수, 에너지 변환 및 전기에너지 저장 단계이고, S820 단계는 구동전원 선택 단계이다.8 is a flowchart showing an embodiment of the electromagnetic interference reduction method according to the present invention. In FIG. 8, step S810 is a step of absorbing electromagnetic waves, operation heat, energy conversion and electric energy storage, and step S820 is a driving power selection step.

S810단계를 참조하면, 전자파와 동작열 흡수, 에너지 변환 및 전기에너지 저장 동작은 다음과 같은 순서로 진행된다. S811 단계에서, 전자파흡수체(111, 도 3참조)는 전자파발생체로부터 전자파를 흡수한다. 전자파의 흡수는 카본이나 페라이트 등을 재질로 한 전자파흡수체(111)를 이용하여 수행 될 수 있다. S812 단계에서, 흡수된 전자파는 열로 변환된다. 흡수된 전자파는 전자파흡수체(111) 내부에서 투자손실, 유전손실 및 누설손실에 의해 소모되고, 각종 손실들은 열로서 방출된다. 즉, 전자파가 갖고 있는 전자기에너지가 열에너지로 변환되어 방출된다. S813단계에서, 전자파흡수체에서 방출된 열은 전기에너지로 변환된다. 한편, 전자파발생체의 동작시 발생하는 동작열도 함께 전기에너지로 변환될 수 있다. 열전소자(121,도 3참조)는 방출열 및 동작열을 고온부에서 흡수한다. 흡수한 열은 전자의 에너지 수준을 높이고, 제베크 효과에 의해 기전력을 만들어 낸다. S814단계에서, 기전력은 전류패스를 통해 축전기(131,도 3참조)에 저장된다. 기전력의 저장형태는 다양할 수 있으나, 누적전하량으로 저장하는 것이 일반적이다. 축전기(131)의 구성방법도 다양할 수 있으나, 가장 간단한 방법은 두 개의 평행 금속판만으로 구성하는 것 이다.Referring to step S810, the electromagnetic wave and operation heat absorption, energy conversion, and electrical energy storage operations are performed in the following order. In step S811, the electromagnetic wave absorber 111 (see Fig. 3) absorbs electromagnetic waves from the electromagnetic wave generator. The absorption of the electromagnetic wave can be performed by using the electromagnetic wave absorber 111 made of carbon, ferrite or the like. In step S812, the absorbed electromagnetic waves are converted into heat. The absorbed electromagnetic waves are consumed by the investment loss, dielectric loss and leakage loss inside the electromagnetic wave absorber 111, and various losses are released as heat. That is, the electromagnetic energy of the electromagnetic wave is converted into heat energy and is emitted. In step S813, the heat emitted from the electromagnetic wave absorber is converted into electric energy. On the other hand, the operation heat generated during the operation of the electromagnetic wave generator can also be converted into electrical energy. The thermoelectric element 121 (see Fig. 3) absorbs the heat of discharge and the heat of operation at the high temperature part. Absorbed heat increases the energy level of electrons and produces EMF by the effect of the Hebeck effect. In step S814, the electromotive force is stored in the capacitor 131 (see Fig. 3) through the current path. Storage types of electromotive force may vary, but it is common to store them in terms of accumulated charge. The configuration of the capacitor 131 may vary, but the simplest method is to consist of only two parallel metal plates.

S820 단계를 참조하면, 구동전원 선택 동작은 다음과 같은 순서로 진행된다. S821 단계에서, 감지부(321, 도 5참조)는 주전원(200, 도 1참조)으로부터 감지대상신호를 수신한다. 감지대상신호는 주전원의 전류값 또는 전압값이 될 수 있다. 수신된 감지대상신호에 따라 대응되는 제어신호가 선택부(322, 도 5참조)로 출력된다. 선택부(322)는 제어신호에 따라 하이 또는 로우값을 선택신호로서 출력한다. S822 단계에서 전원선택부(310, 도 7참조)는 선택신호를 수신하고, 선택신호가 로우값이면 보조전원을 구동전원으로서 출력한다. S823단계에서 전원선택부(310)는 선택신호가 하이 값이면 주전원을 구동전원으로서 출력한다. Referring to step S820, the driving power source selection operation proceeds in the following order. In step S821, the sensing unit 321 (see FIG. 5) receives the sensing target signal from the main power supply 200 (see FIG. 1). The detection target signal may be a current value or a voltage value of the main power source. And a control signal corresponding to the received detection target signal is output to the selection unit 322 (see FIG. 5). The selector 322 outputs a high or a low value as a selection signal in accordance with a control signal. In step S822, the power selection unit 310 (see FIG. 7) receives the selection signal, and outputs the auxiliary power as the driving power if the selection signal is a low value. In step S823, the power selection unit 310 outputs the main power as the driving power when the selection signal is high.

상기 단계들을 통해 전자파발생체로부터의 전자파 및 동작열은 전기에너지로 변환되어 저장될 수 있다. 또한, 저장된 전기에너지는 시스템의 보조전원으로서 구동전력을 공급하기 위해 사용될 수 있다.Through the above steps, electromagnetic waves and operation heat from the electromagnetic wave generator can be converted into electrical energy and stored. The stored electrical energy may also be used to supply the driving power as an auxiliary power supply of the system.

반도체 칩 등에 적용한 실시 예Embodiments applied to semiconductor chips and the like

도 9는 본 발명에 따른 전자파 장애 감소 장치(1000)를 반도체 칩에 적용한 실시 예를 보여주는 예시도이다. 도 9를 참조하면, 반도체 칩의 후면부(2000A)에 전자파흡수부(110) 및 열전소자부(120)가 순차적으로 부착된다. 전자파흡수부(110)와 맞닿는 열전소자부(120)의 한쪽 면이 고온부가 된다. 열전소자부(120)는 축전부(130)와 도선으로 연결된다. 축전부(130)는 열전소자부(120) 위에 직접 부착될 수도 있고, 반도체 칩의 전면부(2000B)나 반도체 칩이 장착된 PCB위에 장착될 수도 있다. 칩의 전면부(2000B)에는 전원선택부(310)와 제어부(320)가 부착될 수 있다. 전원선택부(310)의 출력은 반도체 칩의 전원공급핀(1001)과 연결되어 구동전원을 공급한다. 9 is an exemplary view showing an embodiment in which the electromagnetic interference reduction apparatus 1000 according to the present invention is applied to a semiconductor chip. 9, the electromagnetic wave absorber 110 and the thermoelectric module 120 are sequentially attached to the rear portion 2000A of the semiconductor chip. One surface of the thermoelectric element portion 120 which abuts the electromagnetic wave absorber 110 becomes a high temperature portion. The thermoelectric element part 120 is connected to the power storage part 130 by a wire. The power storage unit 130 may be directly mounted on the thermoelectric element 120 or on a front surface 2000B of the semiconductor chip or a PCB on which the semiconductor chip is mounted. A power supply selection unit 310 and a control unit 320 may be attached to the front portion 2000B of the chip. The output of the power selection unit 310 is connected to the power supply pin 1001 of the semiconductor chip to supply driving power.

또한, 전자파 장애 감소 장치(1000)는 서브스트레이트PCB에 부착될 수도 있다. 서브스트레이트PCB의 전면 또는 후면에는 전자파흡수부(110), 열전소자부(120), 축전부(130), 전원선택부(310) 및 제어부(320)가 장착된다. 여기에 전원선택부(310)의 출력과 반도체 칩의 전원공급핀(1001)을 서로 연결함으로써 전자파 장애 감소 장치(1000)는 서브스트레이트PCB 위에 구현될 수 있다.Further, the electromagnetic interference reduction apparatus 1000 may be attached to the substrate straight PCB. An electromagnetic wave absorber 110, a thermoelectric element 120, a power storage unit 130, a power selection unit 310, and a control unit 320 are mounted on the front or rear surface of the substrate. By connecting the output of the power selection unit 310 and the power supply pin 1001 of the semiconductor chip to each other, the electromagnetic interference reduction apparatus 1000 can be implemented on the substrate.

한편, 반도체 칩에서 발생한 전자파 및 동작열이 전기에너지로 변환되고, 보조전원으로 이용되는 구체적인 동작 및 과정은 전자파 장애 감소장치의 실시 예에서 상술한 바와 같다.On the other hand, the specific operation and the process of converting the electromagnetic wave and the operation heat generated in the semiconductor chip into the electric energy and used as the auxiliary power source are as described in the embodiment of the electromagnetic interference reduction device.

이상에서 사용한 특정한 용어들이나 구체적인 구성 및 도면의 기재 등은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아님을 밝혀둔다. 따라서, 본 발명의 범위 또는 기술적 사상을 벗어나지 않고 본 발명의 구조가 다양하게 수정되거나 변경될 수 있음은 이 분야에 숙련된 자들에게 자명하다. 예를 들어, 전자파흡수부 및 열전소자부의 재질 및 소자 선택이나, 전원관리부의 세부적 회로 구성이나 전 후단의 연결 관계는 사용 환경이나 용도에 따라 다양하게 수정 또는 변경될 수 있다. 그러므로 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위 및 그 균등물까지 포함하는 것이며, 상술한 실시 예에 국한되지 않아야 한다. It is to be understood that the detailed description and specific examples are for illustration only and are not to be construed as limiting the scope of the invention as defined in the appended claims. It will thus be apparent to those skilled in the art that the structure of the present invention can be variously modified or changed without departing from the scope or spirit of the present invention. For example, the material and device selection of the electromagnetic wave absorbing portion and the thermoelectric element portion, the detailed circuit configuration of the power management portion, and the connection relationship before and after the power management portion may be variously modified or changed depending on the use environment or use. Therefore, the scope of the present invention includes the following claims and equivalents thereof, and should not be limited to the above-described embodiments.

Claims (10)

주전원을 제공하기 위한 주전원부;
전자파 방출체로부터 전자파를 흡수하고, 열변환을 통해 열에너지를 방출하는 전자파흡수부;
상기 방출된 열에너지를 전기에너지로 변환하는 열전소자부;
상기 전기에너지를 누적 전하량으로서 저장하여 보조전원으로 출력하는 축전부; 및
상기 주전원의 방전상태 판단을 위한 감지대상신호에 응답하여 상기 주전원 및 상기 보조전원 중에서 어느 하나를 구동전원으로 출력하는 전원관리부
를 포함하는 전자파 장애 감소 장치.
A main power supply for providing a main power;
An electromagnetic wave absorber which absorbs electromagnetic waves from the electromagnetic wave emitting body and emits thermal energy through thermal conversion;
A thermoelectric element part for converting the emitted heat energy into electric energy;
A power storage unit that stores the electric energy as an accumulated charge amount and outputs the accumulated electric energy as an auxiliary power; And
A power management unit which outputs one of the main power and the auxiliary power as driving power in response to a detection target signal for determining a discharge status of the main power,
And an electromagnetic interference reduction device.
제 1항에 있어서,
상기 전자파흡수부는 카본 또는 페라이트 재질을 포함하는 전자파 장애 감소 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the electromagnetic wave absorber comprises carbon or ferrite material.
제 1항에 있어서,
상기 열전소자부는 상기 전자파 방출체의 동작열을 전기에너지로 변환하는 전자파 장애 감소 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the thermoelectric conversion unit converts the operation heat of the electromagnetic wave emitting body into electrical energy.
제 1항에 있어서,
상기 열전소자부는 상기 전자파흡수부에 접촉되고, 제베크 효과를 이용한 열전소자를 포함하는 전자파 장애 감소 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the thermoelectric element part is in contact with the electromagnetic wave absorber part and comprises a thermoelectric element using a Hebeck effect.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 축전부는 상기 열전소자부와 연결되고, 상기 열전소자부로부터 유입된 전하를 누적적으로 축적하는 캐패시터를 포함하는 전자파 장애 감소 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the power storage unit is connected to the thermoelectric element unit and includes a capacitor for accumulating charges accumulated from the thermoelectric element unit.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 전원관리부는,
상기 감지대상신호를 수신하고, 상기 감지대상신호에 대응하는 선택신호를 출력하는 제어부; 및
상기 선택신호에 따라 상기 주전원 및 상기 보조전원 중에서 어느 하나를 선택적으로 상기 구동전원으로서 출력하는 전원선택부를 포함하는 전자파 장애 감소 장치.
The method according to claim 1,
The power management unit,
A control unit receiving the detection target signal and outputting a selection signal corresponding to the detection target signal; And
And a power selection unit for selectively outputting either the main power or the auxiliary power as the driving power according to the selection signal.
제 8항에 있어서,
상기 전원선택부는 2입력과 1출력을 갖는 스위치부를 포함하는 전자파 장애 감소 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the power source selection unit includes a switch unit having two inputs and one output.
제 8항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 주전원의 전압을 상기 감지대상신호로서 수신하고 그에 대응하는 신호를 제어신호로서 출력하는 감지부; 및
상기 제어신호를 수신하고, 상기 제어신호에 따라 하이 또는 로우를 상기 선택신호로서 출력하는 선택부를 포함하는 전자파 장애 감소 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein,
A sensing unit for receiving the voltage of the main power source as the sensing target signal and outputting a signal corresponding thereto as a control signal; And
And a selector for receiving the control signal and outputting a high or a low as the selection signal in accordance with the control signal.
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