KR101768504B1 - Method of manufacturing semiconductor light emitting device - Google Patents

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백준승
황광석
이용준
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우리이앤엘 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor light emitting device which applies an encapsulation material with a small amount of deviation in the thickness. The method for manufacturing a semiconductor light emitting device comprises the steps of: preparing a substrate having at least one semiconductor light emitting chip; emitting the encapsulation material on the substrate through an emission tube; enabling a first blade to pass on the encapsulation material; and enabling the first blade to pass on the encapsulation material by varying the height of the first blade.

Description

반도체 발광소자 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor light-

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 제조방법에 관한 것으로, 특히 봉지재의 두께 편차를 줄일 수 있는 반도체 발광소자 제조방법에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a method of manufacturing a semiconductor light emitting device capable of reducing a thickness variation of an encapsulating material.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 일본 등록특허공보 제2003-317618호에 제시된 플라즈마 표시패널의 형광체층 형성장치 및 형성방법의 일 예를 나타내는 도면이다. 헤드(63)의 단면이 도 1과 같이 나타난다. 헤드(63)의 내부에, 형광체 페이스트를 잠시 저장하는 리저브 탱크(57b) 및 형광체 페이스트를 토출하는 복수의 채널(56b)을 형성하고, 채널(56b)로부터 발모양의 형광체 페이스트를 토출시키도록 구성한다. 상기한 3색의 형광체 페이스트를 도포하는 경우는, 각 색에 대응한 헤드(63)를 위에서 설명한 바와 같이 배치하고 전체를 도포한다. 이 경우 형광체가 도포될 때, 두께의 편차가 생길 수 있고, 내부에 기포가 생기는 문제점이 발생할 수 있다.1 is a view showing an example of a phosphor layer forming apparatus and a method of forming a phosphor layer of a plasma display panel disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-317618. A cross section of the head 63 is shown in Fig. A reservoir tank 57b for temporarily storing the phosphor paste and a plurality of channels 56b for discharging the phosphor paste are formed in the head 63 and a structure in which the phosphor paste is discharged from the channel 56b do. In the case of applying the three-color phosphor paste, the heads 63 corresponding to the respective colors are arranged as described above, and the whole is coated. In this case, when the phosphor is applied, there may be a variation in thickness, and bubbles may be generated inside.

도 2는 일본 공개특허공보 제2006-13274호에 제시된 반도체 소자의 제조 방법, 이 방법에 이용하는 스키지 장치 및 반도체 장치의 일 예를 나타내는 도면이다. 복수의 반도체 소자(13)가 탑재하는 배선 기판(11)에, 반도체 소자(13)의 탑재 위치에 합쳐서 미리 개구부(15)가 설치되는 마스크(12)를, 반도체 소자(13)가 개구부(15) 내에 위치하도록 겹치고 배치한다. 뒤이어, 스퀴즈(2)의 하단부(2b)가 마스크(12) 윗면에 접촉한 상태가 되도록 스퀴즈(2)를 배치한다. 그리고, 스퀴즈(2)를 그림 중의 화살표로 나타내는 방향으로 이동하게 하면서, 배출구(3)로부터 봉지재료를 토출시키고 반도체 소자(13)를 포장한다. 이후, 마스크(12)를 떼고 각각의 포장된 반도체 소자(13)를 얻을 수 있다. 여기에서, 압력 조정부(4)에 의하여, 탱크(6a) 내의 봉지재료의 압력을 조정한 것에 따라 토출 압력을 변화하게 하고, 봉지재료의 토출량을 조정한다. 압력 조정부(4)를 이용하여, 봉지재료가 개구부 내에 골고루 들어갈 수 있도록 조정하여 봉지재료가 평탄하게 형성되도록 구비한다. 하지만, 봉지재료를 넣고 마스크(12)를 제거하는 공정 때문에 기판으로부터 봉지재료가 떨어질 수 있는 문제점이 있다.Fig. 2 is a view showing an example of a semiconductor device manufacturing method, a squeegee device, and a semiconductor device used in this method, which are disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-13274. A mask 12 in which an opening portion 15 is provided in advance to the mounting position of the semiconductor element 13 is formed on the wiring board 11 on which the plurality of semiconductor elements 13 are mounted so that the semiconductor element 13 is in contact with the opening 15 ). Subsequently, the squeeze 2 is placed such that the lower end portion 2b of the squeeze 2 is in contact with the upper surface of the mask 12. [ Then, while the squeeze 2 is moved in the direction indicated by the arrow in the figure, the sealing material is discharged from the discharge port 3 and the semiconductor element 13 is packed. Thereafter, the packaged semiconductor element 13 can be obtained by removing the mask 12. Here, the pressure adjusting section 4 changes the discharge pressure according to the adjustment of the pressure of the sealing material in the tank 6a, and adjusts the discharge amount of the sealing material. By using the pressure adjusting unit 4, the sealing material is adjusted so as to be evenly inserted into the opening so that the sealing material is formed flat. However, there is a problem that the sealing material may be dropped from the substrate due to the process of removing the mask 12 by inserting the sealing material.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자 제조방법에 있어서, 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자 칩이 구비된 기판을 준비하는 단계; 배출관을 통해 봉지재를 기판 위에 배출하는 단계; 그리고, 제1 블레이드가 봉지재 위를 지나가는 단계; 로서, 제1 블레이드의 높이가 변화하며 제1 블레이드가 봉지재 위를 지나가는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: preparing a substrate having at least one semiconductor light emitting device chip; Discharging an encapsulant on a substrate through a discharge tube; And passing the first blade over the encapsulant; Wherein the height of the first blade is changed and the first blade passes over the sealing material.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 일본 등록특허공보 제2003-317618호에 제시된 플라즈마 표시패널의 형광체층 형성장치 및 형성방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-13274호에 제시된 반도체 소자의 제조 방법, 이 방법에 이용하는 스키지 장치 및 반도체 장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조장치의 다른 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조장치의 또 다른 예를 나타낸 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 일 예를 나타낸 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 다른 예를 나타낸 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 진공 챔버의 일 예를 나타내는 도면. BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a view showing an example of a phosphor layer forming apparatus and a method of forming a phosphor layer in a plasma display panel disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-317618,
FIG. 2 is a view showing an example of a semiconductor device manufacturing method, a squeegee device and a semiconductor device used in the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-13274,
3 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device manufacturing apparatus according to the present disclosure,
4 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device manufacturing apparatus according to the present disclosure,
5 is a view showing still another example of a semiconductor light emitting device manufacturing apparatus according to the present disclosure,
6 is a view showing still another example of an apparatus for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
7 is a view showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
8 is a view showing another example of the method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view showing still another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a view showing still another example of the method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
11 is a view showing still another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
12 is a view showing an example of a vacuum chamber according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조장치의 일 예를 나타내는 도면이다.3 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device manufacturing apparatus according to the present disclosure.

도 3(a)는 반도체 발광소자 제조장치(100)를 나타내며, 도 3(b)는 도 3(a)의 AA'의 단면을 나타낸다. 반도체 발광소자 제조장치(100)는 배출관(110) 및 제1 블레이드(120)를 포함한다. 봉지재(150)는 배출관(110)을 통하여 배출되며, 배출관(110)은 일정한 방향(130)으로 움직인다. 배출관(110)에는 봉지재(150)를 배출관(110)으로 공급하는 봉지재공급부(111)를 구비할 수 있다. 제1 블레이드(120)는 배출관(110)을 따라서 움직이며, 제1 블레이드(120)의 방향(130)은 일정하도록 움직인다. 제1 블레이드(120)의 높이(140)는 기판(A)으로부터 제1 블레이드(120)까지의 거리이다. 제1 블레이드(120)는 기판(A)으로부터 일정한 높이(140)로 움직인다. 제1 블레이드(120)와 배출관(110) 위쪽에 연결된 몸체나 모터는 생략한다. 제1 블레이드(120)는 금속, 고무, 합성수지 또는 세라믹 등으로 형성될 수 있으며, 정밀 가공된 금속(예: SUS 630)으로 형성되는 것이 바람직하다. 봉지재(150)는 실리콘수지 및 에폭시 수지 중 하나일 수 있다. 또한 형광체를 포함할 수 있다.3 (a) shows a semiconductor light emitting device manufacturing apparatus 100, and FIG. 3 (b) shows a cross section taken along line AA 'in FIG. 3 (a). The semiconductor light emitting device manufacturing apparatus 100 includes a discharge tube 110 and a first blade 120. The sealing material 150 is discharged through the discharge pipe 110, and the discharge pipe 110 moves in a predetermined direction 130. The discharge pipe 110 may include a sealing material supply unit 111 for supplying the sealing material 150 to the discharge pipe 110. The first blade 120 moves along the discharge tube 110 and the direction 130 of the first blade 120 moves constant. The height 140 of the first blade 120 is the distance from the substrate A to the first blade 120. The first blade 120 moves from the substrate A to a constant height 140. The body or motor connected above the first blade 120 and the discharge pipe 110 is omitted. The first blade 120 may be formed of metal, rubber, synthetic resin, ceramic, or the like, and may be formed of a precision machined metal (e.g., SUS 630). The sealing material 150 may be one of a silicone resin and an epoxy resin. Further, .

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조장치의 다른 예를 나타내는 도면이다.4 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device manufacturing apparatus according to the present disclosure.

반도체 발광소자 제조장치(100)는 배출관(110), 제1 블레이드(120) 및 제2 블레이드(160)를 포함한다. 제2 블레이드(160)는 제1 블레이드(120)가 움직인 방향(130)으로 움직인다. 제2 블레이드(160)는 제1 블레이드(120)에 부착되어 있다. 제2 블레이드(160)는 금속, 고무, 합성수지 또는 세라믹 등으로 형성될 수 있으며, 정밀 가공된 금속(예: SUS 630)으로 형성되는 것이 바람직하다. 제2 블레이드(160)의 높이(170)는 기판(A)으로부터 제2 블레이드(160)까지의 거리이다. 제2 블레이드(160)는 제1 블레이드(120)와 마찬가지로, 일정한 높이(170)로 움직이며, 기판(A) 및 반도체 발광소자 칩(B) 위에 봉지재(150)를 고르게 도포한다. 이때, 제2 블레이드(160)의 높이(170)가 제1 블레이드(120)의 높이(140)보다 130~170μm 낮은 것이 바람직하다. 제2 블레이드(160)의 높이(170)가 150μm 낮춤으로써, 제2 블레이드(160)가 지나간 봉지재(150)의 두께(180) 편차를 ±15μm 이내로 줄일 수 있기 때문이다. 도 4에서 설명한 것을 제외하고, 도 3에서 설명된 반도체 발광소자 제조장치(100)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor light emitting device manufacturing apparatus 100 includes a discharge tube 110, a first blade 120, and a second blade 160. The second blade 160 moves in the direction 130 in which the first blade 120 moves. The second blade 160 is attached to the first blade 120. The second blade 160 may be formed of metal, rubber, synthetic resin, ceramics, or the like, and may be formed of a precision machined metal (e.g., SUS 630). The height 170 of the second blade 160 is the distance from the substrate A to the second blade 160. The second blade 160 moves at a constant height 170 in the same manner as the first blade 120 and is mounted on the substrate A and the semiconductor light- The sealing material 150 is evenly coated. At this time, the height 170 of the second blade 160 is preferably 130 to 170 μm lower than the height 140 of the first blade 120. This is because the height 180 of the second blade 160 is reduced by 150 占 퐉 so that the deviation 180 of the thickness 180 of the encapsulant 150 passing through the second blade 160 can be reduced to within 占 15 占 퐉. Is substantially the same as the semiconductor light-emitting element manufacturing apparatus 100 described in Fig. 3, except for that described in Fig.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조장치의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.5 is a diagram showing another example of an apparatus for manufacturing a semiconductor light-emitting device according to the present disclosure.

도 5에서 설명하는 반도체 발광소자 제조장치(100)는 봉지재(150)의 두께(180)의 차이를 개선하기 위해서 제1 블레이드(120)의 높이(140)를 변경할 수 있도록 고안된 제1 블레이드(120)를 구비한 반도체 발광소자 제조장치(100)이다. 제1 블레이드(120)의 높이(140)는 점차적으로 변화된다. 제2 블레이드(160)는 제1 블레이드(120)와 부착되어 함께 움직이며, 봉지재(150)를 고르게 도포한다. 제2 블레이드(160)는 제1 블레이드(120)가 움직인 방향(130)으로 제1 블레이드(120)를 따라서 움직인다. 도 5(a)와 같이 반도체 발광소자 제조장치(100)는 제1 블레이드(120)의 높이(140)가 점점 낮아지도록 작동할 수 있고, 도 5(b)와 같이 반도체 발광소자 제조장치(100)는 제 1 블레이드(200)의 높이(140)가 점점 높아지도록 작동할 수 있다. 그 결과, 봉지재(150)의 두께(180)는 ±10μm 이내로 형성할 수 있다. 도 5에서 설명한 것을 제외하고, 도 3에서 설명된 반도체 발광소자 제조장치(100)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor light emitting device manufacturing apparatus 100 illustrated in FIG. 5 may include a first blade 120 designed to change the height 140 of the first blade 120 to improve the difference in the thickness 180 of the encapsulant 150 120) for emitting light to the semiconductor light emitting device (100). The height 140 of the first blade 120 is gradually changed. The second blade 160 is attached to the first blade 120 and moves together to apply the sealing material 150 evenly. The second blade 160 moves along the first blade 120 in the direction 130 in which the first blade 120 moves. The semiconductor light emitting device manufacturing apparatus 100 can operate such that the height 140 of the first blade 120 gradually decreases as shown in FIG. 5 (a), and the semiconductor light emitting device manufacturing apparatus 100 May be operated such that the height 140 of the first blade 200 is gradually increased. As a result, the thickness 180 of the encapsulant 150 can be formed within 占 0 占 퐉. Is substantially the same as the semiconductor light-emitting element manufacturing apparatus 100 described in Fig. 3 except for that described in Fig.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조장치의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 6 is a diagram showing another example of the semiconductor light emitting device manufacturing apparatus according to the present disclosure.

배출관(110)에는 봉지재공급부(111)가 연결될 수 있다. 봉지재공급부(111)와 연결되어 배출관(110)을 통해 봉지재(150)를 배출한다. 제1 블레이드(120)의 일부가 제2 블레이드(160)를 이루는 예이다. 도 6에서 설명한 것을 제외하고, 도 3에서 설명된 반도체 발광소자 제조장치(100)와 실질적으로 동일하다.An encapsulation material supply unit 111 may be connected to the discharge pipe 110. And is connected to the encapsulating material supply unit 111 to discharge the encapsulating material 150 through the discharge tube 110. [ And a part of the first blade 120 constitutes the second blade 160. Is substantially the same as the semiconductor light-emitting element manufacturing apparatus 100 described in Fig. 3, except for that described in Fig.

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 일 예를 나타낸 도면이다. 7 is a view showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 7(a)는 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자 칩(201)이 구비된 기판(200)을 준비하는 단계이다. 이때, 기판(200)과 반도체 발광소자 칩(201)은 전기적으로 연결되어 있다(미도시). 이후, 도 7(b)는 배출관(110)을 통해 봉지재(150)를 기판(200) 위에 배출하는 단계이다. 배출관(110)은 일정한 속도로 기판(200) 위에서 일정한 방향(130)으로 움직인다. 이후, 도 7(c)는 제1 블레이드(120)가 일정한 높이(140)로 지나가는 단계이다. 제1 블레이드(120)는 배출관(110)이 움직이는 방향(130)으로 움직인다. 7A is a step of preparing a substrate 200 having at least one semiconductor light emitting device chip 201. FIG. At this time, the substrate 200 and the semiconductor light emitting device chip 201 are electrically connected (not shown). 7 (b) is a step of discharging the encapsulant 150 onto the substrate 200 through the discharge tube 110. As shown in FIG. The discharge tube 110 moves in a constant direction 130 on the substrate 200 at a constant rate. 7 (c) is a step in which the first blade 120 passes at a constant height 140. FIG. The first blade 120 moves in a direction 130 in which the discharge tube 110 moves.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 다른 예를 나타낸 도면이다.8 is a view showing another example of the method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 8(a)는 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자 칩(201)이 구비된 기판(200)을 준비하는 단계이다. 이후, 도 8(b)는 배출관(110)을 통해 봉지재(150)를 기판(200) 위에 배출하는 단계이다. 이후, 도 8(c)는 제1 블레이드(120)가 일정한 높이(140)로 지나가는 단계이다. 도 8(d)는 제2 블레이드(160)가 제1 블레이드(120)가 지나간 방향으로 지나가는 단계이다. 도 8(c)와 같이 기판(200) 위에 배출된 봉지재(150)가 일정한 두께(180)를 갖도록 제1 블레이드(120)가 지나간 후 제2 블레이드(160)가 지나간다. 제2 블레이드(160)는 제1 블레이드(120)의 방향으로 움직인다. 제2 블레이드(160)는 제1 블레이드(120)와 마찬가지로, 일정한 높이(170)로 움직이며, 봉지재(150)를 일정한 두께(180)로 도포한다. 이때, 제2 블레이드(160)의 높이(170)가 제1 블레이드(120)의 높이(140)보다 130~170μm 낮은 것이 바람직하다. 일 예로 제2 블레이드(160)의 높이(170)를 제1 블레이드(400)의 높이(140) 보다 150μm 낮춤으로써, 제1 블레이드(120)가 지나간 봉지재(150)의 두께(180)의 편차를 ±15μm 이내로 줄일 수 있다. 8A is a step of preparing a substrate 200 having at least one semiconductor light emitting device chip 201. FIG. 8 (b) is a step of discharging the encapsulant 150 onto the substrate 200 through the discharge tube 110. As shown in FIG. 8 (c) is a stage in which the first blade 120 passes at a constant height 140. FIG. 8 (d) is a stage in which the second blade 160 passes in the direction in which the first blade 120 passes. The second blade 160 passes after the first blade 120 passes so that the sealing material 150 discharged on the substrate 200 has a predetermined thickness 180 as shown in FIG. 8 (c). The second blade 160 moves in the direction of the first blade 120. The second blade 160 moves at a constant height 170 as in the case of the first blade 120 and applies the sealant 150 with a predetermined thickness 180. [ At this time, the height 170 of the second blade 160 is preferably 130 to 170 μm lower than the height 140 of the first blade 120. The height 170 of the second blade 160 is lowered by 150 占 퐉 than the height 140 of the first blade 400 so that the deviation of the thickness 180 of the sealing material 150 passing the first blade 120 Can be reduced to within ± 15 μm.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 또 다른 예를 나타내는 도면이다. 9 is a view showing still another example of the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 9에서는 기판(200)의 시작점(502)보다 기판(200)의 종료점(501)에서 ±15μm 편차 이내로 봉지재(150)의 두께(180)가 점차적으로 두껍게 형성되는 경향이 생길 때 사용하는 제조방법의 일 예이다. 도 9(a)는 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자 칩(201)이 구비된 기판(200)을 준비하는 단계이다. 이후, 도 9(b)와 같이 배출관(110)을 통해 봉지재(150)를 기판(200) 위에 배출하는 단계이다. 이후, 도 9(c)와 같이 제1 블레이드(120)가 봉지재(150) 위를 지나가는 단계이다. 이때, 도 9(d)와 같이 제1 블레이드(120)의 높이(140)는 기판(200)의 시작점(502)에서 종료점(501)으로 갈수록 점차적으로 낮아진다. 그 결과, 도 9(e)는 봉지재(150)가 일정한 두께(180)로 형성된다.9, when the thickness 180 of the encapsulant 150 tends to be gradually increased within a deviation of ± 15 μm from the starting point 502 of the substrate 200 at the end point 501 of the substrate 200, Is an example of a method. 9A is a step of preparing a substrate 200 having at least one semiconductor light emitting device chip 201. FIG. Thereafter, as shown in FIG. 9 (b), the sealing material 150 is discharged onto the substrate 200 through the discharge pipe 110. Thereafter, as shown in FIG. 9C, the first blade 120 passes over the encapsulant 150. At this time, the height 140 of the first blade 120 gradually decreases from the starting point 502 of the substrate 200 toward the end point 501 as shown in FIG. 9 (d). As a result, Fig. 9 (e) shows that the encapsulant 150 is formed with a constant thickness 180. Fig.

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.10 is a view showing still another example of the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

예를 들면, 도 9에서는 기판(200)의 시작점(502)의 두께(180)보다 기판(200)의 종료점(501)의 두께(180)가 얇게 형성되는 경향이 생길 때 사용하는 제조방법의 다른 예이다. 이때, 도 9(d)를 도 10으로 대체하여 사용할 수 있다. 이때, 도 10과 같이 제1 블레이드(120)의 높이(140)는 기판(200)의 시작점(502)에서 종료점(501)으로 갈수록 점차적으로 높아진다. 도 10에서 설명한 것을 제외하고, 도 9에서 설명된 반도체 발광소자 제조방법과 실질적으로 동일하다.For example, in FIG. 9, when the thickness 180 of the end point 501 of the substrate 200 tends to be thinner than the thickness 180 of the starting point 502 of the substrate 200, Yes. At this time, Fig. 9D can be used instead of Fig. 10, the height 140 of the first blade 120 gradually increases from the starting point 502 to the end point 501 of the substrate 200. Is substantially the same as the method for manufacturing a semiconductor light emitting element described in Fig. 9 except for that described in Fig.

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.11 is a view showing still another example of the method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 11(a)와 같이 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자 칩(201)이 구비된 기판(200)을 준비한다. 이후, 기판(200)을 진공챔버(300)로 구성되어 있는 설비내부에 안착한 후 진공상태 형성 시킨 뒤 기판(200)을 봉지재(150)를 배출할 수 있는 작업대 위로 이송시킨다. 도 11(b)와 같이 진공상태(305)에서 배출관(110)을 통해 봉지재(150)를 배출한다. 이후, 도 11(c)와 같이 진공상태(305)에서 배출된 봉지재(150)를 제1 블레이드(120)가 봉지재(150) 위를 지나간다. 이후, 도 11(d)와 같이 진공상태(305)에서 제2 블레이드(160)가 지나간다. 진공상태(305)에서 봉지재(150)가 배출되고, 제1 블레이드(120)와 제2 블레이드(160)로 반도체 발광소자 칩(201) 위에 봉지재(150)를 도포한다. 진공상태(305)에서는 봉지재(150) 내에 있던 기포가 봉지재(150) 밖으로 나와서 봉지재(150) 내에 기포가 생기지 않는 장점이 있다.As shown in FIG. 11 (a), a substrate 200 having at least one semiconductor light emitting device chip 201 is prepared. After that, the substrate 200 is placed in a vacuum chamber 300, and then the substrate 200 is vacuum-formed. Then, the substrate 200 is transferred onto a work table on which the sealing material 150 can be discharged. The sealing material 150 is discharged through the discharge pipe 110 in the vacuum state 305 as shown in FIG. 11 (b). The first blade 120 passes over the encapsulant 150 as the encapsulant 150 discharged in the vacuum state 305 as shown in FIG. 11 (c). Thereafter, the second blade 160 passes in the vacuum state 305 as shown in Fig. 11 (d). The sealing material 150 is discharged in the vacuum state 305 and the sealing material 150 is coated on the semiconductor light emitting device chip 201 with the first blade 120 and the second blade 160. In the vacuum state 305, there is an advantage that the bubbles in the sealing material 150 come out of the sealing material 150 and no bubbles are generated in the sealing material 150.

도 12는 본 개시에 따른 진공 챔버의 일 예를 나타내는 도면이다. 12 is a view showing an example of a vacuum chamber according to the present disclosure;

진공 챔버(800) 내에는 진공상태가 형성된다. 진공상태는 어떤 입자도 없이 텅비어 있는 공간이 있는 상태이다. 하지만 완벽한 진공상태는 기술적으로 불가능하다. 그래서 보통 주위보다 기압이 낮은 상태를 진공상태로 부른다.A vacuum state is formed in the vacuum chamber 800. The vacuum state is empty with no particles. But the perfect vacuum is technically impossible. So we usually call the state of vacuum lower than atmospheric pressure.

진공 챔버(300)는 벽(301)과 천정(303)을 구비하며, 벽(301)에 적어도 하나 이상의 문(302)이 형성된다. 벽(301)은 바닥(미도시) 및 문(302)과 결합되는 결합면(311)을 가지며, 바닥의 결합면(311) 및 문(301)의 결합면(311) 사이에 오링(321;O-ring)을 이용하여 진공 챔버(300)를 밀봉한다. 오링(321)은 고무 재질로 형성될 수 있다. The vacuum chamber 300 has a wall 301 and a ceiling 303 and at least one door 302 is formed on the wall 301. The wall 301 has an engagement surface 311 that engages the bottom (not shown) and the door 302 and includes an O-ring 321 (see FIG. 3) between the engagement surface 311 of the bottom and the engagement surface 311 of the door 301. O-ring) is used to seal the vacuum chamber 300. The O-ring 321 may be formed of a rubber material.

반도체 발광소자를 제조하기 위해 봉지재(150), 반도체 발광소자 칩(201)이 구비된 기판(200) 등을 진공 챔버(300) 내부에 넣을 때 내부로 들어갈 수 있도록 문(302)을 사용한다. 문(302)을 열면 외부의 공기가 내부로 들어가 외부와 내부의 기압이 같아지기 때문에, 문(302)에는 공정이 끝날 때까지 문을 열 수 없도록 하는 것이 바람직하다. 진공 챔버(300)는 진공 챔버(300) 내의 공기를 빼내는 모터를 구비한다. 반도체 발광소자를 제조하기 위한 봉지재(150), 반도체 발광소자 칩(201)이 구비된 기판(200) 등을 진공 챔버(300) 내에 넣고, 모터로 진공 챔버(300) 내의 공기를 빼내어 진공상태를 만든다.The door 302 is used to enter the inside of the vacuum chamber 300 when the encapsulant 150 and the substrate 200 having the semiconductor light emitting device chip 201 are inserted into the vacuum chamber 300 for manufacturing the semiconductor light emitting device . It is preferable that the door 302 is opened so that the door can not be opened until the process is completed. The vacuum chamber 300 has a motor that draws air out of the vacuum chamber 300. An encapsulant 150 for manufacturing a semiconductor light emitting device and a substrate 200 provided with a semiconductor light emitting device chip 201 are placed in a vacuum chamber 300 and the air in the vacuum chamber 300 is taken out of the vacuum chamber 300, .

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자 제조방법에 있어서, 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자 칩이 구비된 기판을 준비하는 단계; 배출관을 통해 봉지재를 기판 위에 배출하는 단계; 그리고, 제1 블레이드가 봉지재 위를 지나가는 단계; 로서, 제1 블레이드의 높이가 변화하며 제1 블레이드가 봉지재 위를 지나가는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.(1) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: preparing a substrate having at least one semiconductor light emitting device chip; Discharging an encapsulant on a substrate through a discharge tube; And passing the first blade over the encapsulant; Wherein the height of the first blade is changed and the first blade passes over the sealing material.

(2) 제1 블레이드의 높이가 점차적으로 낮아지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.(2) The height of the first blade gradually decreases.

(3) 제1 블레이드의 높이가 점차적으로 높아지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.(3) The height of the first blade is gradually increased.

(4) 제1 블레이드가 봉지재 위를 지나가는 단계;이후, 제2 블레이드가 제1 블레이드가 지나간 방향으로 봉지재 위를 지나가는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.(4) the first blade passes over the sealing material, and then the second blade passes over the sealing material in the direction in which the first blade passes.

(5) 제2 블레이드는 제1 블레이드에 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.(5) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to (5), wherein the second blade is attached to the first blade.

(6) 제2 블레이드의 높이는 제1 블레이드의 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.(6) The height of the second blade is lower than the height of the first blade.

(7) 제2 블레이드의 높이는 제1 블레이드의 높이보다 150μm 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.(7) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (6), wherein the height of the second blade is 150 m lower than the height of the first blade.

(8) 제2 블레이드는 제1블레이드를 따라서 높이가 변화하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.(8) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to (8), wherein the height of the second blade changes along the first blade.

(9) 봉지재는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.(9) The method for manufacturing a semiconductor light-emitting device, wherein the encapsulant comprises a phosphor.

(10) 제1 블레이드의 높이가 점차적으로 높아지며, 제1 블레이드가 봉지재 위를 지나가는 단계;이후, 제2 블레이드가 제1 블레이드가 지나간 방향으로 봉지재 위를 지나가며, 제2 블레이드의 높이는 제1 블레이드의 높이보다 150μm 낮으며, 제2 블레이드는 제1 블레이드에 부착되며, 제1 블레이드 및 제2 블레이드는 금속으로 형성되며, 봉지재는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.(10) the height of the first blade is gradually increased and the first blade passes over the sealing material, and then the second blade passes over the sealing material in the direction in which the first blade passes, and the height of the second blade Wherein the second blade is attached to the first blade, the first blade and the second blade are made of metal, and the sealing material includes a fluorescent material.

본 개시에 의하면, 봉지재 두께를 편차가 적도록 도포하는 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.According to the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting element in which the thickness of an encapsulation material is reduced.

또한 본 개시에 의하면, 봉지재의 두께의 편차가 적어 발광 효율이 높은 반도체 발광소자를 제조하는 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.Further, according to the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device which produces a semiconductor light emitting device having a high luminous efficiency with a small variation in the thickness of the sealing material.

Claims (10)

반도체 발광소자 제조방법에 있어서,
적어도 하나 이상의 반도체 발광소자 칩이 구비된 기판을 준비하는 단계;
배출관을 통해 봉지재를 기판 위에 배출하는 단계;
제1 블레이드가 봉지재 위를 지나가는 단계;로서,
제1 블레이드의 높이가 변화하며 제1 블레이드가 봉지재 위를 지나가는 단계; 그리고,
제1 블레이드가 움직인 방향을 향하고 제2 블레이드가 봉지재 위를 지나가는 단계;를 포함하며,
제2 블레이드의 높이는 제1 블레이드의 높이보다 낮고 제1 블레이드와 제2 블레이드 사이의 높이 차는 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.A method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
Preparing a substrate having at least one semiconductor light emitting device chip;
Discharging an encapsulant on a substrate through a discharge tube;
The first blade passing over the sealing material,
Passing the first blade over the sealing material as the height of the first blade changes; And,
Moving the first blade in a direction in which the first blade moves and passing the second blade over the sealing material,
Wherein a height of the second blade is lower than a height of the first blade, and a difference in height between the first blade and the second blade is maintained constant. 청구항 1에 있어서,
제1 블레이드의 높이가 점차적으로 낮아지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein a height of the first blade is gradually lowered. 청구항 1에 있어서,
제1 블레이드의 높이가 점차적으로 높아지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
And the height of the first blade is gradually increased. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
제2 블레이드는 제1 블레이드에 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
And the second blade is attached to the first blade. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
제2 블레이드의 높이는 제1 블레이드의 높이보다 150μm 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
And the height of the second blade is 150 占 퐉 lower than the height of the first blade. 청구항 1에 있어서,
제2 블레이드는 제1블레이드를 따라서 높이가 변화하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
And the height of the second blade varies along the first blade. 청구항 1에 있어서,
봉지재는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the encapsulating material comprises a fluorescent material. 청구항 1에 있어서,
제1 블레이드의 높이가 점차적으로 높아지며,
제2 블레이드의 높이는 제1 블레이드의 높이보다 150μm 낮으며,
제2 블레이드는 제1 블레이드에 부착되며,
제1 블레이드 및 제2 블레이드는 금속으로 형성되며,
봉지재는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
The height of the first blade gradually increases,
The height of the second blade is 150 占 퐉 lower than the height of the first blade,
The second blade is attached to the first blade,
The first blade and the second blade are formed of metal,
Wherein the encapsulating material comprises a fluorescent material.
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