KR101760008B1 - 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 제1, 2 태양 전지 각각의 표면에 복수의 제1, 2 도전성 배선을 물리적으로 고정시키는 배선 고정 단계; 제1, 2 태양 전지를 서로 인접하여 배치하고, 제1, 2 태양 전지 사이에 인터커넥터를 배치하는 배치 단계; 국부 영역에 선택적 열처리하여 제1 태양 전지에 고정된 복수의 제1 도전성 배선의 제1 끝부분 및 제2 태양 전지에 고정된 복수의 제2 도전성 배선의 제1 끝부분을 인터커넥터에 접속시키는 국부적 열처리 단계;를 포함한다.
또한, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판, 제1 전극과 제2 전극을 각각 구비하고, 서로 인접하여 위치하는 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지 각각에 구비된 제1 전극에 접속되는 복수의 제1 도전성 배선과 제2 전극에 접속되는 복수의 제2 도전성 배선; 및 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지 사이에 배치되며, 제1, 2 태양 전지를 서로 직렬 연결시키는 인터커넥터;를 포함하고, 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각에서 인터커넥터에 중첩되어 접속된 제1 끝부분의 두께는 반도체 기판과 중첩되는 셀부분의 두께보다 작다.

Description

태양 전지 모듈 및 그 제조 방법{SOLAR CELL MODULE AND MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비한다.
이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체부에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형의 반도체부 쪽으로 이동하고 정공은 p형의 반도체부 쪽으로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 n형의 반도체부와 p형의 반도체부에 연결된 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들을 전선으로 연결함으로써 전력을 얻는다.
이와 같은 태양 전지는 복수 개가 인터커넥터에 의해 서로 연결되어 모듈로 형성될 수 있다.
한편, 이와 같이 태양 전지 모듈은 각 태양 전지에 접속된 복수의 배선이 각 태양 전지 사이에 배치되는 인터커넥터에 전기적으로 접속되어 하나의 스트링을 형성할 수 있다. 이와 같은 태양 전지 모듈의 구조는 공개특허공보 제10-2015-0145148호에 그 일례가 개시되어 있다.
그러나, 이와 같은 선행 기술 문헌은 복수의 배선을 인터커넥터에 접속하는 열처리 공정에 대해, 반도체 기판의 열 손상을 최소화하거나 제조 시간을 단축하기 위한 구체적인 열처리 방법을 개시하지 않고 있다.
공개특허공보 제10-2015-0145148호(2015.12.29.) 공개특허공보 제10-2015-0049188호(2015.05.08.)
본 발명은 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 반도체 기판과 제1, 2 전극을 구비하는 제1, 2 태양 전지 각각의 표면에 복수의 제1, 2 도전성 배선을 물리적으로 고정시키는 배선 고정 단계; 제1, 2 도전성 배선이 고정된 제1, 2 태양 전지를 서로 인접하여 제1 방향으로 이격되도록 배치하고, 제1, 2 태양 전지 사이에 인터커넥터를 배치하는 배치 단계; 국부 영역에 선택적 열처리하여 제1 태양 전지에 고정된 복수의 제1 도전성 배선의 제1 끝부분 및 제2 태양 전지에 고정된 복수의 제2 도전성 배선의 제1 끝부분을 인터커넥터에 접속시키는 국부적 열처리 단계;를 포함한다.
여기의 배선 고정 단계에서, 복수의 제1, 2 도전성 배선은 반도체 기판의 후면에 제1 방향으로 길게 서로 이격되어 나란히 물리적으로 고정될 수 있다.
여기의 배선 고정 단계에서 제1, 2 도전성 배선이 고정될 때, 복수의 제1 도전성 배선의 제1 끝부분은 반도체 기판의 일측면 밖으로 돌출되고, 복수의 제2 도전성 배선의 제1 끝부분은 반도체 기판의 일측면과 대향되는 타측면 밖으로 돌출될 수 있다.
아울러, 배치 단계에서, 제1 태양 전지에 고정된 복수의 제1 도전성 배선의 제1 끝부분과 제2 태양 전지에 고정된 복수의 제2 도전성 배선의 제1 끝부분은 인터커넥터와 중첩되도록 배치될 수 있다.
이와 같은 배치 단계에서 인터커넥터는 제1, 2 태양 전지와 이격하여 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 배치될 수 있다.
또한, 국부 영역은 상기 제1, 2 태양 전지의 반도체 기판이 위치한 영역을 제외한 인터커넥터와 제1, 2 도전성 배선이 서로 중첩되는 영역 또는 상기 인터커넥터 전체 영역이고, 국부적 열처리 단계에서의 열처리 방법은 고온을 방출하는 펄스 히터(pulse heater)를 이용하는 방법, 레이저를 조사하는 방법, 적외선 램프(IR ramp)를 이용하는 방법, 인덕션을 이용하는 방법 또는 핫 플레이트(hot plate)를 이용하는 방법 중 적어도 어느 하나가 이용될 수 있다.
여기의 국부적 열처리 단계에서 열처리가 수행될 때 펄스 히터가 사용될 수 있다.
여기서, 펄스 히터는 복수의 제1, 2 도전성 배선의 제1 끝부분을 국부적으로 가열 가압할 수 있다.
여기서, 펄스 히터가 열처리를 수행할 때에, 펄스 히터는 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각의 제1 끝부분에 물리적으로 접촉할 수 있고, 반도체 기판과 중첩되는 셀부분에는 물리적으로 접촉하지 않을 수 있다.
또한, 펄스 히터가 복수의 제1 도전성 배선의 제1 끝부분과 복수의 제2 도전성 배선의 제1 끝부분에 물리적으로 접촉하는 접촉면은 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 뻗어 있고, 인터커넥터와 중첩될 수 있다.
여기서, 펄스 히터의 접촉면 폭은 제1, 2 태양 전지 사이의 이격 간격보다 작을 수 있다.
또한, 펄스 히터의 접촉면에서 발생되는 최고 온도는 120℃ ~ 450℃ 사이일 수 있다.
또한, 국부적 열처리 단계에서 열처리가 수행될 때, 핫 플레이트가 더 사용될 수 있다.
여기서, 핫 플레이트는 펄스 히터와 동시에 열처리를 수행할 수 있다.
또한, 핫 플레이트가 열처리를 수행할 때, 핫 플레이트는 인터커넥터와 물리적으로 접촉할 수 있다.
일례로, 핫 플레이트가 인터커넥터와 접촉하는 접촉면은 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 뻗어 인터커넥터와 중첩될 수 있다.
여기서, 핫 플레이트의 접촉면 폭은 제1, 2 태양 전지 사이의 이격 간격보다 작을 수 있다.
아울러, 핫 플레이트의 접촉면에서 발생되는 최고 온도는 140℃ ~ 190℃ 사이일 수 있다.
또한, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판; 반도체 기판의 표면에 서로 다른 극성을 가지는 제1 전극과 제2 전극을 각각 구비하고, 제1 방향으로 서로 인접하여 위치하는 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지 각각에 구비된 제1 전극에 접속되는 복수의 제1 도전성 배선과 제2 전극에 접속되는 복수의 제2 도전성 배선; 및 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지 사이에 배치되며, 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선과 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선이 공통으로 접속되어 제1, 2 태양 전지를 서로 직렬 연결시키는 인터커넥터;를 포함하고, 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각에서 인터커넥터에 중첩되어 접속된 제1 끝부분의 두께는 반도체 기판과 중첩되는 셀부분의 두께보다 작다.
여기서, 복수의 제1, 2 도전성 배선은 반도체 기판의 후면에 제1 방향으로 길게 서로 이격되어 나란히 접속될 수 있다.
또한, 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 제1 끝부분과 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 제1 끝부분은 인터커넥터와 중첩되도록 제1, 2 태양 전지 각각의 반도체 기판의 밖으로 돌출될 수 있다.
일례로, 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각에서 셀부분의 두께보다 작은 두께를 갖는 제1 끝부분은 반도체 기판의 밖에 위치하고, 반도체 기판과 중첩되지 않을 수 있다.
일례로, 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각에서 셀부분의 두께와 제1 끝부분의 두께 단차는 제1, 2 도전성 배선의 전후면 각각 1um ~ 20um 사이일 수 있다.
또한, 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각은 도전성 코어와 코어의 표면을 코팅하는 도전성 코팅층을 포함하고, 코어의 두께는 셀부분과 제1 끝부분에서 동일하고, 코팅층은 제1 끝부분의 두께가 셀부분의 두께보다 작을 수 있다.
아울러, 인터커넥터는 제1, 2 태양 전지와 이격되어 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 배치될 수 있다.
또한, 복수의 태양 전지 각각에서 제1, 2 전극은 반도체 기판의 후면에 제1, 2 도전성 배선과 교차하는 제2 방향으로 길게 서로 이격되어 나란하게 형성될 수 있다.
또한, 복수의 태양 전지가 제1 방향으로 직렬 연결되되, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열되는 제1, 2 스트링을 포함하고, 제1 스트링의 마지막 제3 태양 전지에 접속된 제1 도전성 배선과 제2 스트링의 마지막 제4 태양 전지에 접속된 제2 도전성 배선을 제2 방향으로 연결하는 버싱바를 더 포함할 수 있다.
여기서, 제1 스트링의 마지막 제3 태양 전지와 제2 스트링의 마지막 제4 태양 전지는 제2 방향으로 서로 인접하여 이격되어 위치할 수 있다.
아울러, 제1 스트링의 마지막 제3 태양 전지에 접속된 제1 도전성 배선 및 제2 스트링의 마지막 제4 태양 전지에 접속된 제2 도전성 배선 각각에서 버싱바에 중첩되어 접속된 제1 끝부분의 두께는 제1, 2 스트링의 마지막 제3, 4 태양 전지의 반도체 기판과 중첩된 셀부분의 두께보다 작을 수 있다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법은 인터커넥터를 연결할 때에 인터커넥터를 포함하는 국부 영역에 선택적으로 열처리하여, 반도체 기판이 받는 열 손상을 최소화하여, 태양 전지 모듈의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 도이다.
도 5는 도 1에서 K 부분을 확대 도시한 일례이다.
도 6은 도 5에서 X2-X2 라인에 따른 단면도이다.
도 7은 복수의 태양 전지가 인터커넥터(300)에 의해 연결된 스트링(ST1 ~ST4)의 연결 구조를 전면에서 바라본 형태의 일례이다.
도 8은 도 7에서 X3-X3라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 10은 배선 고정 단계(S1)를 설명하기 위한 도이다.
도 11 및 도 12는 배치 단계(S2)를 설명하기 위한 도이다.
도 13 내지 도 16은 국부적 열처리 방법을 설명하기 위한 도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 “전체적”으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.
이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면일 수 있다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 도이다.
여기서, 도 1은 태양 전지 모듈을 후면에서 바라본 형상의 일례이다.
도 1에 도시된 바와 같, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 제1, 2 태양 전지(C1, C2), 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 및 인터커넥터(300)를 포함할 수 있다.
여기서, 복수의 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)으로 이격되어 배열될 수 있으며, 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각은 적어도 반도체 기판(110) 및 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성되는 복수의 제1 전극(141)과 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다.
아울러, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 배열 방향인 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 배치되고, 복수의 태양 전지 각각에 접속될 수 있다.
이와 같은, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 복수의 제1 전극(141)에 중첩되어 접속되는 복수의 제1 도전성 배선(210)과 복수의 제2 전극(142)에 중첩되어 접속되는 복수의 제2 도전성 배선(220)을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 제1 도전성 배선(210)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 제1 전극(141)에 제1 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연성 재질의 절연층(252)에 의해 제2 전극(142)과 절연될 수 있다.
아울러, 제2 도전성 배선(220)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 제2 전극(142)에 제1 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연성 재질의 절연층(252)에 의해 제1 전극(141)과 절연될 수 있다.
이와 같은 제1 도전성 배선(210)의 양단 중 인터커넥터(300)와 접속하는 제1 끝부분(210a)은 반도체 기판(110) 밖으로 돌출될 수 있고, 제2 도전성 배선(220)의 양단 중 인터커넥터(300)와 접속하는 제1 끝부분(220a)은 반도체 기판(110) 밖으로 돌출될 수 있다.
여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 끝부분(210a, 220a)은 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각에서 인터커넥터(300)와 접속하기 위해 반도체 기판(110) 밖으로 돌출된 부분으로 정의될 수 있다.
이와 같은 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 각각의 제1 끝부분(210a, 220a)이 인터커넥터(300)에 연결되어, 복수의 태양 전지를 서로 직렬 연결할 수 있다.
보다 구체적으로, 인터커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2) 사이에 위치하고, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있을 수 있다. 여기서, 인터커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110) 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)과 이격되어 배치될 수 있다.
아울러, 이와 같은 인터커넥터(300)에 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(141)에 접속된 제1 도전성 배선(210)의 제1 끝부분(210a)과 제2 태양 전지(C2)의 제2 전극(142)에 접속된 제2 도전성 배선(220)의 제1 끝부분(220a)이 공통으로 접속되어, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)으로 서로 직렬 연결될 수 있다.
이와 같은 태양 전지 모듈의 각 구성 부분에 대해 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2는 도 1에 적용되는 태양 전지의 일례를 나타내는 일부 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 태양 전지의 제1 방향(x) 단면을 도시한 것이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 터널층(180), 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172), 진성 반도체부(150), 패시베이션층(190), 복수의 제1 전극(141) 및 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다.
여기서, 반사 방지막(130), 터널층(180) 및 패시베이층(190)은 생략될 수도 있으나, 구비된 경우 태양 전지의 효율이 더 향상되므로, 이하에서는 구비된 경우를 일례로 설명한다.
반도체 기판(110)은 제 1 도전성 타입 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)은 단결정 실리콘 웨이퍼로 형성될 수 있다.
여기서, 반도체 기판(110)에 함유된 제 1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물은 n형 또는 p형 도전성 타입 중 어느 하나일 수 있다.
반도체 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑(doping)된다. 하지만, 반도체 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑될 수 있다.
이하에서는 이와 같은 반도체 기판(110)의 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물이고, n형인 경우를 일례로 설명한다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
이러한 반도체 기판(110)의 전면에 복수의 요철면을 가질 수 있다. 이로 인해 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치한 제1 반도체부(121) 역시 요철면을 가질 수 있다.
이로 인해, 반도체 기판(110)의 전면에서 반사되는 빛의 양이 감소하여 반도체 기판(110) 내부로 입사되는 빛의 양이 증가할 수 있다.
반사 방지막(130)은 외부로부터 반도체 기판(110)의 전면으로 입사되는 빛의 반사를 최소화하기 위하여, 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치하며, 알루미늄 산화막(AlOx), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 및 실리콘 산화질화막(SiOxNy) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
터널층(180)은 반도체 기판(110)의 후면 전체에 직접 접촉하여 배치되며, 유전체 재질을 포함할 수 있다. 따라서, 터널층(180)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)에서 생성되는 캐리어를 통과시킬 수 있다.
이와 같은 터널층(180)은 반도체 기판(110)에서 생성된 캐리어를 통과시키며, 반도체 기판(110)의 후면에 대한 패시베이션 기능을 수행할 수 있다.
아울러, 터널층(180)은 600℃ 이상의 고온 공정에도 내구성이 강한 SiCx 또는 SiOx로 형성되는 유전체 재질로 형성될 수 있다.
제1 반도체부(121)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 배치되되, 일례로, 터널층(180)의 후면의 일부에 직접 접촉하여 배치될 수 있다.
아울러, 이와 같은 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)의 후면에 제2 방향(y)으로 배치되며, 제2 도전성 타입과 반대인 제1 도전성 타입을 갖는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다.
여기서, 제1 반도체부(121)는 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑될 수 있으며, 반도체 기판(110)에 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우, 제1 반도체부(121)는 터널층(180)을 사이에 두고 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 형성할 수 있다.
각 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 제1 반도체부(121)는 p형의 도전성 타입을 가질 수 있으며, 복수의 제1 반도체부(121)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우 제1 반도체부(121)에는 3가 원소의 불순물이 도핑될 수 있다.
제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면에 제1 반도체부(121)와 나란한 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 배치되며, 일례로 터널층(180)의 후면 중에서 전술한 제1 반도체부(121) 각각과 이격된 일부 영역에 직접 접촉하여 형성될 수 있다.
이와 같은 제2 반도체부(172)는 제2 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 도핑되는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 n형 타입의 불순물로 도핑되는 경우, 복수의 제2 반도체부(172)는 n+의 불순물 영역일 수 있다.
이러한 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 제2 반도체부(172)와의 불순물 농도 차이로 인한 전위 장벽에 의해 전자의 이동 방향인 제2 반도체부(172) 쪽으로의 정공 이동을 방해하는 반면, 제2 반도체부(172) 쪽으로의 캐리어(예, 전자) 이동을 용이하게 할 수 있다.
따라서, 제2 반도체부(172) 및 그 부근 또는 제1, 2 전극(141, 142)에서 전자와 정공의 재결합으로 손실되는 전하의 양을 감소시키고 전자 이동을 가속화시켜 제2 반도체부(172)로의 전자 이동량을 증가시킬 수 있다.
지금까지의 도 2 내지 도 3에서는 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우를 일례로 설명하면서, 제1 반도체부(121)가 에미터부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 후면 전계부로서 역할을 하는 경우를 일례로 설명하였다.
그러나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)이 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 경우, 제1 반도체부(121)가 후면 전계부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 에미터부로서 역할을 할 수도 있다.
아울러, 여기의 도 2 및 도 3에서는 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)가 터널층(180)의 후면에 다결정 실리콘 재질로 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 터널층(180)이 생략된 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내에 불순물이 확산되어 도핑될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 단결정 실리콘 재질로 형성될 수도 있다.
진성 반도체부(150)은 도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172) 사이에 노출된 터널층(180)의 후면에 형성될 수 있고, 이와 같은 진성 반도체부(150)은 제1 반도체부(121) 및 제2 반도체부(172)와 다르게 제1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되지 않은 진성 다결정 실리콘층으로 형성될 수 있다.
아울러, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 진성 반도체부(150)의 양측면 각각은 제1 반도체부(121)의 측면 및 제2 반도체부(172)의 측면에 직접 접촉되는 구조를 가질 수 있다.
패시베이션층(190)은 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172) 및 진성 반도체부(150)에 형성되는 다결정 실리콘 재질의 층의 후면에 형성된 뎅글링 본드(dangling bond)에 의한 결함을 제거하여, 반도체 기판(110)으로부터 생성된 캐리어가 뎅글링 본드(dangling bond)에 의해 재결합되어 소멸되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
복수의 제1 전극(141)은 제1 반도체부(121)에 접속하고, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제1 전극(141)은 제1 반도체부(121) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어 정공을 수집할 수 있다.
복수의 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172)에 접속하고, 제1 전극(141)과 나란하게 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다.
이와 같은 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 제1 방향(x)으로 교번하여 배치될 수 있다.
이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 2 및 도 3에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(141, 142)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다.
예를 들어 본 발명의 태양 전지 모듈에는 제1 전극(141)의 일부 및 제1 반도체부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 제1 전극(141)의 일부가 반도체 기판(110)에 형성된 홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(141)의 나머지 일부와 연결되는 MWT 타입의 태양 전지도 적용이 가능하다.
이와 같은 태양 전지가 도 1과 같이 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)를 이용하여 직렬 연결된 단면 구조는 다음의 도 4와 같다.
도 4는 도 1에서 X1-X1 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)를 포함하는 복수의 태양 전지는 복수 개가 제1 방향(x)으로 배열될 수 있다.
이때, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 구비되는 복수의 제1, 2 전극(141, 142)의 길이 방향이 도 1 및 도 2와 같이 제2 방향(y)으로 향하도록 배치될 수 있다.
이와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)가 제1 방향(x)으로 배열된 상태에서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)에 의해 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 직렬 연결되는 하나의 스트링을 형성할 수 있다.
아울러, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 단면이 원형을 갖는 도전성 와이어 형태이거나 폭이 두께보다 큰 리본 형태를 가질 수 있다.
여기서, 도 1 및 도 4에 도시된 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 선폭은 도전성 배선의 선저항을 충분히 낮게 유지하면서, 제조 비용이 최소가 되도록 고려하여, 0.5mm ~ 2.5mm 사이로 형성될 수 있으며, 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220) 사이의 간격은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 총 개수를 고려하여, 태양 전지 모듈의 단락 전류가 훼손되지 않도록 4mm ~ 6.5mm 사이로 형성될 수 있다.
이와 같이 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각이 하나의 태양 전지에 접속되는 개수는 10개 ~ 20개일 수 있다. 따라서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 하나의 태양 전지에 접속되는 총 개수의 합은 20개 ~ 40개일 수 있다.
이와 같은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 앞선 도 1에서 설명한 바와 같이, 각 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1, 2 전극(141, 142)에 제1 도전성 접착제(251)를 통해 접속되거나 절연층(252)에 의해 절연될 수 있다.
여기서, 제1 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있다. 아울러, 이와 같은 제1 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 솔더 패이스트(solder paste) 형태로 형성되거나, 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금이 포함된 에폭시 솔더 패이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 패이스트(Conductive paste) 형태로 형성될 수 있다.
여기서, 절연층(252)은 절연성 재질이면 어떠한 것이든 상관 없으며, 일례로, 에폭시 계열, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 아크릴 계열 또는 실리콘 계열 중 어느 하나의 절연성 재질이 사용될 수 있다.
아울러, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 후면에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 제1 끝부분(210a, 220a)은 도 4에 도시된 바와 같이, 태양 전지의 직렬 연결을 위하여 인터커넥터(300)에 공통으로 접속될 수 있다.
이를 위해, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 제1 끝부분(210a)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 제1 끝부분(220a)은 인터커넥터(300)와 중첩되도록 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110)의 밖으로 돌출되어 배치될 수 있다.
이때, 일례로, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 제1 끝부분(210a, 220a)은 인터커넥터(300)와 중첩되어, 제2 도전성 접착제(350)를 통해 인터커넥터(300)에 접착될 수 있다.
여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)를 서로 접착시키는 제2 도전성 접착제(350)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 제2 도전성 접착제(350)는 (1) 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 솔더 패이스트(solder paste) 형태로 형성되거나, (2) 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금이 포함된 에폭시 솔더 패이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 패이스트(Conductive psate) 형태로 형성될 수 있다.
이와 같은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)를 서로 접착시키는 제2 도전성 접착제(350)는 제1 도전성 접착제(251)와 동일한 재질로 형성되거나 다른 재질로 형성될 수 있다.
즉, 서로 다른 재질로 형성되는 경우, 일례로, 제2 도전성 접착제(350)는 주석(Sn)을 포함하는 솔더 패이스트(solder paste) 형태로 형성될 수 있고, 제1 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 에폭시 솔더 패이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 패이스트(Conductive psate) 형태로 형성될 수 있다.
이와 같은 구조를 갖는 태양 전지 모듈은 별도의 인터커넥터(300)를 구비하므로, 복수 개의 태양 전지 중 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 제1, 2 전극(141, 142) 사이에 접속 불량이 발생한 태양 전지가 있는 경우, 인터커넥터(300)과 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 사이의 접속을 해제하여, 해당 태양 전지만 보다 용이하게 교체할 수 있다.
한편, 이와 같은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각에서 인터커넥터(300)에 중첩되어 접속된 제1 끝부분(210a, 220a)의 두께가 반도체 기판(110)과 중첩되는 셀부분(210b, 220b)의 두께보다 작게 형성될 수 있다.
이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 5는 도 1에서 K 부분을 확대 도시한 일례이고, 도 6은 도 5에서 X2-X2 라인에 따른 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일례에 따른 태양 모듈에서 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 접속된 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 반도체 기판(110)의 후면에 제1 방향(x)으로 길게 서로 이격되어 나란히 접속될 수 있다.
여기서, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되는 셀부분(210b, 220b)과 인터커넥터(300)에 접속되는 인터커넥터(300)에 접속되는 제1 끝부분(210a, 220a)을 포함할 수 있다.
여기서, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 제1 끝부분(210a)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 제1 끝부분(220a)은 인터커넥터(300)와 중첩되도록 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110)의 밖으로 돌출될 수 있다.
아울러, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 제1 끝부분(210a)의 두께는 제1 도전성 배선(210)의 셀부분(210b)의 두께보다 작을 수 있고, 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 제1 끝부분(220a)의 두께는 제2 도전성 배선(220)의 셀부분(220b)의 두께보다 작을 수 있다.
이때, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각에서 셀부분(210b, 220b)의 두께보다 작은 두께를 갖는 제1 끝부분(210a, 220a)은 반도체 기판(110)의 밖에 위치할 수 있다. 즉, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각에서 셀부분(210b, 220b)의 두께보다 작은 두께를 갖는 제1 끝부분(210a, 220a)은 반도체 기판(110)과 중첩되지 않을 수 있다.
여기서, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각에서 인터커넥터(300)에 중첩되어 접속된 제1 끝부분(210a, 220a)의 두께가 반도체 기판(110)과 중첩되는 셀부분(210b, 220b)의 두께보다 작은 이유는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 끝부분(210a, 220a) 각각을 인터커넥터(300)에 접속시키는 열처리 공정 중에 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 끝부분(210a, 220a)에 열처리 장치를 물리적으로 접속한 상태에서 압력을 가하면서 국부적으로 열처리하여 인터커넥터(300)에 접속하기 때문이다.
즉, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)을 인터커넥터(300)에 열처리하는 공정 중에 열처리 장치가 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 끝부분(210a, 220a)에 물리적으로 접촉한 상태에서 열과 압력이 국부적으로 가해져, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 끝부분(210a, 220a)의 두께가 셀부분(210b, 220b)의 두께보다 작아지게 된다.
이와 같은 국부적 열처리 방법은 열처리 공정 중에 인터커넥터(300)와 중첩되는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 끝부분(210a, 220a)에 국부적으로 열을 가하기 때문에, 열처리 공정 중 시간에 따라 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 끝부분(210a, 220a) 주위로 전파되는 열 유속(heat flux)의 전체 총량을 최소화할 수 있다.
이에 따라, 열처리 공정 중 반도체 기판(110)에 가해지는 열 손상을 최소화하여 반도체 기판(110)의 특성이 저하되거나 휘어지는 것을 방지할 수 있고, 태양 전지 모듈의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
이와 같은 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각에서 셀부분(210b, 220b)의 두께와 제1 끝부분(210a, 220a)의 두께 단차는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 전후면 각각 1um ~ 20um, 전후면 합산하여 2um ~ 40um 사이로 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 도전성 금속 재질로 형성되되, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 포함하는 도전성 코어(CR)와, 코어(CR)의 표면을 코팅하고, 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 도전성 코팅층(CT)을 포함할 수 있다.
이와 같은 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각에서 코어(CR)의 두께는 셀부분(210b, 220b)과 제1 끝부분(210a, 220a)에서 동일할 수 있다. 일례로, 코어(CR)의 두께는 100um ~ 200um 사이일 수 있으며, 이와 같은 코어(CR)는 셀부분(210b, 220b)의 두께와 제1 끝부분(210a, 220a)의 두께가 도 6에 도시된 바와 같이 동일할 수 있다.
아울러, 코어(CR)의 표면을 코팅하는 코팅층(CT)은 제1 끝부분(210a, 220a)의 두께가 셀부분(210b, 220b)의 두께보다 작을 수 있다. 즉, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 셀부분(210b, 220b)과 제1 끝부분(210a, 220a) 사이에서의 두께 단차는 코팅층(CT)의 두께 단차와 동일할 수 있다.
이때, 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 코팅층(CT)에 발생하는 두께 단차는 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 후면과 제2 도전성 접착제(350)와 물리적으로 접촉되는 전면에서 발생할 수 있다.
여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 셀부분(210b, 220b)에서 코팅층(CT)의 두께는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 전후면에 각각 10um ~ 30um 사이일 수 있으며, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 셀부분(210b, 220b)과 제1 끝부분(210a, 220a) 사이에서 코팅층(CT)의 두께 단차는 일례로, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 전후면에 각각 1um ~ 20um 사이로 발생할 수 있다.
이와 같은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 두께 단차는 국부적 열처리 방법으로 제1, 2 도전성 배선(210, 220)을 인터커넥터(300)에 연결할 때 뿐만 아니라 제1, 2 도전성 배선(210, 220)을 복수의 태양 전지가 연결된 스트링을 스트링과 스트링에 연결할 때에도 국부적 열처리 방법이 사용되므로 동일하게 발생될 수 있다.
이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 7은 복수의 태양 전지가 인터커넥터(300)에 의해 연결된 스트링(ST1 ~ST4)의 연결 구조를 전면에서 바라본 형태의 일례이고, 도 8은 도 7에서 X3-X3라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지는 복수의 태양 전지가 인터커넥터(300)에 의해 연결되는 복수의 스트링(ST1 ~ST4)을 포함할 수 있다.
여기서, 각 스트링(ST1 ~ST4)은 앞선 도 1 내지 도 6에서 설명한 바와 같이, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 접속된 복수의 태양 전지가 인터커넥터(300)에 의해 제1 방향(x)으로 직렬 연결될 수 있다.
이와 같은 각 스트링(ST1 ~ST4)은 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 있을 수 있으며, 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 배열될 수 있다.
이와 같은 복수의 스트링(ST1 ~ST4)은 도 7에 도시된 바와 같이, 스트링(ST1 ~ST4)과 스트링(ST1 ~ST4)을 연결하는 버싱바(330)에 의해 제2 방향(y)으로 연결될 수 있다.
보다 구체적인 일례를 들어 설명하면, 제1 스트링(ST1)의 마지막 제3 태양 전지(C3)와 제2 스트링(ST2)의 마지막 제4 태양 전지(C4)는 제2 방향(y)으로 서로 인접하여 이격되어 위치할 수 있으며, 버싱바(330)는 제2 방향(y)으로 길게 뻗어, 제3 태양 전지(C3)에 접속된 제1 도전성 배선(210)과 제2 스트링(ST2)의 마지막 제4 태양 전지(C4)에 접속된 제2 도전성 배선(220)이 돌출된 제3, 4 태양 전지(C3, C4)의 측면에 배치될 수 있다.
이와 같은 상태에서, 버싱바(330)에는 제1 스트링(ST1)의 마지막 제3 태양 전지(C3)에 접속된 제1 도전성 배선(210)과 제2 스트링(ST2)의 마지막 제4 태양 전지(C4)에 접속된 제2 도전성 배선(220)이 공통으로 접속되어, 제1, 2 스트링(ST1, ST2)을 제2 방향(y)으로 연결할 수 있다.
이와 같이 제1, 2 스트링(ST1, ST2)이 버싱바(330)에 연결되는 경우, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 스트링(ST1)의 마지막 제3 태양 전지(C3)에 접속된 제1 도전성 배선(210)에서 버싱바(330)에 중첩되어 접속된 제1 끝부분(210a)의 두께는 전술한 국부적 열처리 방법에 의해 제1 스트링(ST1)의 마지막 제3 태양 전지(C3)의 반도체 기판(110)과 중첩된 셀부분(210b)의 두께보다 작게 형성될 수 있다.
아울러, 도시하지는 않았지만, 제2 스트링(ST2)의 마지막 제4 태양 전지(C4)에 접속된 제2 도전성 배선(220)에서 버싱바(330)에 중첩되어 접속된 제1 끝부분(220a)의 두께도 제2 스트링(ST2)의 마지막 제4 태양 전지(C4)의 반도체 기판(110)과 중첩된 셀부분(220b)의 두께보다 작을 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 인터커넥터(300)를 이용하여 태양 전지와 태양 전지를 연결하거나, 버싱바(330)를 이용하여 스트링과 스트링을 연결할 때 국부적 열처리 방법을 이용하므로 효율이 보다 향상시킬 수 있다.
지금까지는 국부적 열처리 방법으로 인터커넥터(300)를 이용하여 복수의 태양 전지를 직렬 연결하거나 버싱바(330)를 이용하여 복수의 스트링(ST1 ~ST4)을 연결할 때 발생하는 구조의 일례에 대해서 설명하였으나, 이하에서는 국부적 열처리 방법을 이용하여 태양 전지 모듈을 제조하는 방법에 대해 설명한다.
도 9 내지 도 16은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 도이다.
여기서, 도 9는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이고, 도 10은 배선 고정 단계(S1)를 설명하기 위한 도이고, 도 11 및 도 12는 배치 단계(S2)를 설명하기 위한 도이고, 도 13 내지 도 16은 국부적 열처리 방법을 설명하기 위한 도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 배선 고정 단계(S1), 배치 단계(S2) 및 국부적 열처리 단계(S3)를 포함한다.
여기서, 본 발명에 따른 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 앞선 도 2 및 도 3에서 설명한 바와 같이, 반도체 기판(110)과 제1, 2 전극(141, 142)을 구비할 수 있다.
배선 고정 단계(S1)에서는 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 표면에 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)을 고정시킬 수 있다.
이와 같은 배선 고정 단계(S1)에서는 도 10에 도시된 바와 같이, 각각의 태양 전지에 구비된 제1 전극(141)에 교차하는 제1 방향(x)으로 복수의 제1 도전성 배선(210)을 고정시키고, 제2 전극(142)에 교차하는 제1 방향(x)으로 복수의 제2 도전성 배선(220)을 고정시킬 수 있다.
여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)을 고정시킨다는 의미는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 제1, 2 전극(141, 142)에 교차하는 제1 방향(x)으로 길게 배치되되, 물리적으로 움직이지 않도록 고정하는 것을 의미한다.
따라서, 이와 같은 배선 고정 단계(S1)에서 고정된 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각은 앞선 도 1 내지 도 4에서 설명한 바와 같이, 제1 도전성 접착제(251)를 통해 각 태양 전지의 제1, 2 전극(141, 142) 각각에 전기적으로 접속되어 고정된 상태일 수도 있고, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 제1, 2 전극(141, 142)이 제1 도전성 접착제(251)에 의해 전체적으로 완전히 전기적으로 연결되지 않더라도, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 일부가 제1, 2 전극(141, 142) 위에 도포된 제1 도전성 접착제(251)에 물리적으로 접촉되어 고정된 상태일 수도 있다.
여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 일부가 물리적으로 접촉된 상태는 일례로, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 일부가 제1 도전성 접착제(251)를 통해 제1, 2 전극(141, 142)에 가접합된 상태이거나, 제1, 2 전극(141, 142)에 제1 도전성 접착제(251)가 도포 및 건조된 상태에서 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 일부가 가고정 테이프나 가고정 접착제에 반도체 기판(110)의 후면에 고정된 상태일 수 있다.
여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 제1 도전성 접착제(251)에 가접합되거나 반도체 기판(110)의 후면에 가고정 테이프나 가고정 접착제에 의해 고정된 경우, 추후 라미네이션 공정을 통해, 제1 도전성 접착제(251)를 열처리하여 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 전체를 제1, 2 전극(141, 142)에 본접합시키거나 별도의 열처리 공정을 통해 접합시킬 수 있다.
아울러, 이와 같은 배선 고정 단계(S1)에서는 제1 도전성 배선(210)과 제2 전극(142) 사이의 단락 및 제2 도전성 배선(220)과 제1 전극(141) 사이의 단락을 방지하기 위해, 절연층(252)이 해당 영역에 미리 도포되어 경화되거나 반경화된 상태일 수도 있다.
또는, 절연층(252)이 형성될 영역에 제1 전극(141)의 일부분 또는 제2 전극(142)의 일부분을 형성시키지 않아 절연층(252)이 생략된 상태일 수도 있다.
도 10에서는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 제1, 2 전극(141, 142)에 제1 도전성 접착제(251)에 의해 접속되어 고정되고, 절연층(252)에 의해 단락이 방지되는 구조를 일례로 도시하였지만, 본 발명의 배선 고정 단계(S1)에서는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)을 반도체 기판(110)의 표면에 물리적으로 고정시키는 것 이외의 사항에 대한 특별한 제한은 없다.
따라서, 본 발명의 배선 고정 단계(S1)에 의해 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각이 각 태양 전지에 구비된 제1, 2 전극(141, 142)과 교차하는 제1 방향(x)으로 길게 서로 이격되어 나란히 고정될 수 있다.
아울러, 이와 같은 배선 고정 단계(S1)에서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 고정될 때, 도 10에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 도전성 배선(210)의 제1 끝부분(210a)이 반도체 기판(110)의 일측면 밖으로 돌출되고, 복수의 제2 도전성 배선(220)의 제1 끝부분(220a)이 반도체 기판(110)의 일측면과 대향되는 타측면 밖으로 돌출될 수 있다.
이와 같은 제1 도전성 배선(210)의 제1 끝부분(210a)이 반도체 기판(110)의 일측면 밖으로 돌출되고, 복수의 제2 도전성 배선(220)의 제1 끝부분(220a)이 반도체 기판(110)의 타측면 밖으로 돌출되도록 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 고정된 상태에서, 배치 단계(S2)와 국부적 열처리 단계(S3)가 수행될 수 있다.
배치 단계(S2)를 도 11 및 도 12를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 11은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 인터커넥터(300)가 배치된 상태의 평면도이고, 도 12는 도 11에서 X4-X4 라인에 따른 단면을 간략하게 도시한 단면도이다. 이와 같은 도 12에서는 이해의 편의를 위해 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 제1, 2 전극(141, 142), 절연층(252) 및 제1 도전성 접착제(251)에 대한 도시는 생략되었다.
여기서, 도 11 및 도 12에 도시된 제2 도전성 접착제(350)는 배치 단계(S2) 이전에 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 접속될 인터커넥터(300)의 면에 미리 도포되어 건조된 상태일 수 있다.
도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 배치 단계(S2)에서는 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 고정된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)가 서로 인접하여 제1 방향(x)으로 이격되도록 배치되고, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 인터커넥터(300)가 배치될 수 있다.
이때, 인터커넥터(300)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2)와 이격하여 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있다.
이때, 도 12에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 후면이 상부로 향하도록 배치될 수 있으며, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 고정된 제1, 2 도전성 배선(210, 220)도 상부에 노출될 수 있다.
여기서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 지지부(500)에 의해 지지될 수 있으며, 인터커넥터(300)는 제1 지지부(500)와 다른 별도의 제2 지지부(400)에 의해 지지될 수 있다.
여기서, 제2 지지부(400)는 국부적 열처리 단계(S3)에서 사용 가능한 핫 플레이트(hot plate)로 형성될 수도 있다.
아울러, 배치 단계(S2)에서 제1 태양 전지(C1)에 고정된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 제1 끝부분(210a)과 제2 태양 전지(C2)에 고정된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 제1 끝부분(220a)은 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)와 중첩되도록 배치될 수 있다.
이와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 인터커넥터(300)가 배치된 상태에서 국부적 열처리 단계(S3)가 수행될 수 있다.
국부적 열처리 단계(S3)에서는 인터커넥터(300)를 포함하는 국부 영역에 선택적 열처리하여 제1 태양 전지(C1)에 고정된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 제1 끝부분(210a) 및 제2 태양 전지(C2)에 고정된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 제1 끝부분(220a)을 인터커넥터(300)에 접속시킬 수 있다.
여기서, 국부 영역은 도 11에서, 인터커넥터와(300)와 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 서로 중첩되는 영역 또는 인터커넥터(300)의 전체 영역을 의미한다.
즉, 국부 영역이라함은 태양 전지 모듈에서 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)이 위치한 영역을 제외하고, 반도체 기판(110)의 밖에 위치하는 인터커넥터(300)의 전체 영역 또는 인터커넥터와(300)와 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 서로 중첩되는 영역일 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 국부적 열처리 단계(S3)에서는 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)이 위치한 영역을 제외하고, 인터커넥터와(300)와 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 서로 중첩되는 영역만을 선택적으로 열처리 하거나, 인터커넥터와(300)와 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 서로 중첩되는 영역을 포함하여 인터커넥터(300)의 전체 영역을 선택적으로 열처리 할 수 있다.
여기서, 국부적 열처리 단계(S3)에서의 열처리 방법은 레이저를 조사하는 방법, 적외선 램프(IR ramp)를 이용하는 방법, 고온을 방출하는 펄스 히터(pulse heater)를 이용하는 방법, 인덕션을 이용하는 방법 또는 핫 플레이트(hot plate)를 이용하는 방법 중 적어도 어느 하나가 이용될 수 있다.
일례로, 레이저(L)를 조사하는 방법으로 국부적 열처리 단계(S3)를 수행하는 경우, 도 13에 도시된 바와 같이, 레이저 조사 장치(450)를 이용하여 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)가 중첩되는 영역에만 선택적으로 레이저(L)를 조사하여 국부적 열처리 단계(S3)를 수행할 수 있다.
이때, 레이저 조사 장치(450)는 도 13에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)의 길이 방향인 제2 방향(y)으로 이동하면서 레이저(L)를 조사할 수 있다.
이와 같은 레이저 조사에 의해 인터커넥터(300)에 도포되었던 제2 도전성 접착제(350)가 용해되면서 인터커넥터(300)에 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 공통으로 접속될 수 있다.
이와 같은 레이저 조사 방법은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)을 제외한 인터커넥터(300)에만 직접적으로 레이저(L)를 조사하여 열처리를 수행하므로, 반도체 기판(110)의 열손상을 최소화할 수 있어, 태양 전지 모듈의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 공통으로 중첩되는 인터커넥터(300)에 선택적으로 레이저(L)가 조사되는 경우, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 끝부분(210a, 220a)은 레이저 조사 열에 의해 용해되어 두께가 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 셀부분(210b, 220b) 두께보다 상대적으로 얇아질 수 있다.
아울러, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 끝부분(210a, 220a)은 레이저 조사 열에 의해 요철이 형성될 수도 있다.
아울러, 이와 같이 레이저(L)가 조사될 때, 제2 지지부(400)가 핫 플레이트로 형성된 경우, 국부적 열처리 단계(S3)가 보다 효율적으로 수행될 수 있다.
보다 구체적으로, 국부적 열처리 단계(S3) 중 레이저 조사 이전부터 핫 플레이트(400)로 인터커넥터(300)를 미리 예열해 놓음으로써, 레이저 조사 시에 제2 도전성 접착제(350)의 용해 속도를 보다 증가시킬 수 있고, 레이저 조사 공정을 효율적으로 빠르게 수행할 수 있다.
이와 같은 핫 플레이트(400)는 국부적 열처리 단계(S3)가 수행될 때, 인터커넥터(300)와 물리적으로 접촉할 수 있다.
이때, 핫 플레이트(400)가 인터커넥터(300)와 접촉하는 접촉면은 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 인터커넥터(300)와 중첩될 수 있다.
아울러, 핫 플레이트(400)의 접촉면 폭은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이의 이격 간격보다 작을 수 있다. 이에 따라, 국부적 열처리 단계(S3)가 수행될 때, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)으로 확산되는 열 유속의 전체 총량을 보다 줄일 수 있다.
아울러, 레이저(L)를 조사하는 방법으로 국부적 열처리 단계(S3)를 수행하는 경우, 레이저(L)가 조사되는 면의 최고 온도는 120℃ ~ 450℃ 사이일 수 있으며, 핫 플레이트(400)의 접촉면에서 발생되는 최고 온도는 140℃ ~ 190℃ 사이일 수 있다.
아울러, 적외선 램프(IR ramp)을 이용하여 국부적 열처리 단계(S3)를 수행하는 경우에도 도 13 도시된 바와 동일한 방법으로 적외선 램프 조사 장비로 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)을 제외한 인터커넥터(300)에만 직접적으로 적외선 램프를 조사하여 열처리를 수행할 수 있다.
여기서, 적외선 램프는 미세 영역에 대한 조사가 가능한 레이저와 달리 국부 영역에만 조사하기가 어려우므로, 적외선 램프를 조사할 때에는 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에서 반도체 기판(110)이 위치하는 영역에는 별도의 적외선 차폐막(미도시)을 설치한 이후 적외선 램프를 조사할 수 있다.
이때, 별도의 차폐막은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에서 반도체 기판(110)을 가리고, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치하는 인터커넥터(300)만 노출시켜, 적외선 램프가 반도체 기판(110)의 후면에 조사되는 것을 차단할 수 있다.
또한, 고온을 방출하는 펄스 히터(470)를 이용하여 국부적 열처리 단계(S3)를 수행하는 경우, 도 14에 도시된 바와 같이, 고온을 방출하는 펄스 히터(470)를 화살표 방향으로 하강시켜 도 16에 도시된 바와 같이, 펄스 히터(470)가 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 끝부분(210a, 220a)을 국부적으로 가열 및 가압할 수 있다.
이와 같은 펄스 히터(470)의 가열 및 가압에 의해 제2 도전성 접착제(350)가 용해되어 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 끝부분(210a, 220a)을 인터커넥터(300)에 전기적으로 접속시킬 수 있다.
보다 구체적으로 설명하면, 펄스 히터(470)가 열처리를 수행할 때에, 펄스 히터(470)의 접촉면(470F)은 인터커넥터(300)에 중첩되는 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 제1 끝부분(210a, 220a)에 물리적으로 접촉할 수 있고, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각에서 반도체 기판(110)과 중첩되는 셀부분(210b, 220b)에는 물리적으로 접촉하지 않을 수 있다.
이에 따라, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 끝부분(210a, 220a)의 두께는 셀부분(210b, 220b)의 두께보다 작게 형성되며, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)에서 제1 끝부분(210a, 220a)과 셀부분(210b, 220b) 사이에는 펄스 히터(470)에 의한 두께 단차가 형성될 수 있다.
이와 같은 펄스 히터(470)는 도 16에 도시된 바와 같이 펄스 히터(470) 본체(470), 접촉면(470F) 및 열선(470L)을 포함할 수 있다.
여기서, 접촉면은 펄스 히터(470) 본체의 하단부에 위치할 수 있으며, 접촉면(470F) 내부로는 열선(470L)이 통과될 수 있다.
이와 같은 열선(470L)에 펄스 형태의 전류를 공급하면, 열선(470L)의 저항에 의해 열이 발생되고, 발생된 열은 접촉면(470F)을 통하여 방출될 수 있다.
이와 같은 펄스 히터(470)에서 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 끝부분(210a, 220a)에 물리적으로 접촉하는 접촉면(470F)은 도 14 및 도 16에 도시된 바와 같이, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있고, 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 펄스 히터(470)가 열처리를 국부적 수행할 때에는 인터커넥터(300)와 중첩될 수 있다.
이와 같은 펄스 히터(470)의 접촉면 폭(W470)은 인터커넥터(300)의 선폭(W300)과 동일하거나 작거나 클 수 있다.
다만, 펄스 히터(470)의 접촉면 폭(W470)이 인터커넥터(300)의 선폭(W300)보다 크더라도, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이의 이격 간격(DCC)보다는 작을 수 있다.
이와 같이, 펄스 히터(470)의 접촉면 폭(W470)이 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이의 이격 간격(DCC)보다는 작게 하는 것은 펄스 히터(470)를 이용하여 국부적 열처리 단계(S3)를 수행할 때, 시간에 따라 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 끝부분(210a, 220a) 주위로 전파되는 열 유속(heat flux)의 전체 총량을 최소화하여, 반도체 기판(110)에 가해지는 열손상을 최소화하기 위함이다. 이에 따라 태양 전지 모듈의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
이와 같은 점을 고려하여 펄스 히터(470)의 접촉면(470F)에서 발생되는 최고 온도는 120℃ ~ 450℃ 사이일 수 있다.
이와 같은 펄스 히터(470)는 도 13에서 설명한 레이저 조사 장치(450)에 비하여 상대적으로 가격이 저렴하고, 접촉면이 제2 방향(y)으로 길게 형성되어 있어, 인터커넥터(300)와 중첩되는 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 제1 끝부분(210a, 220a) 전체에 대해 동시에 열처리를 수행할 수 있어, 공정 시간을 단축할 수 있다.
아울러, 이와 같이 펄스 히터(470)로 국부적 열처리 단계(S3)를 수행할 때에도, 도 13에서 설명한 핫 플레이트(400)가 동시에 열처리를 수행하여, 국부적 열처리 단계(S3)의 속도를 보다 향상시킬 수 있다.
일례로, 국부적 열처리 단계(S3)를 수행하기 이전에 도 14에 도시된 바와 같이, 핫 플레이트(400)가 인터커넥터(300)를 하부에서 지지하면서 인터커넥터(300)를 미리 예열할 수 있고, 이후, 펄스 히터(470)가 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 제1 끝부분(210a, 220a)에 접촉한 상태에서 압력을 가하며, 국부적 열처리 단계(S3)가 수행될 수 있다.
이와 같이, 국부적 열처리 단계(S3)가 수행될 때, 핫 플레이트(400)는 일정 온도로 유지되고, 펄스 히터(470)는 수초 동안 고온을 방출할 수 있다. 이때, 인터커넥터(300)에 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 제1 끝부분(210a, 220a)이 접합될 때, 펄스 히터(470)가 방출하는 최고 온도는 핫 플레이트(400)가 방출하는 최고 온도보다 높게 유지될 수 있다.
아울러, 도 9 및 도 16에서는 국부적 열처리 방법으로 인터커넥터(300)와 복수의 태양 전지에 고정된 제1, 2 도전성 배선(210, 220)을 서로 전기적으로 접속시키는 방법에 대해 설명하였지만, 이와 같은 국부적 열처리 방법은 버싱바(330)와 복수의 스트링(ST1 ~ST4)을 연결할 때에도 동일하게 적용될 수 있다.
이와 같은 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법은 인터커넥터(300) 또는 버싱바(330)에 제1, 2 도전성 배선(210, 220)을 접속시킬 때, 국부적 영역을 선택적으로 열처리함으로써, 반도체 기판(110)이 받는 열 손상을 최소화하여, 태양 전지 모듈의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (31)

  1. 반도체 기판과 제1, 2 전극을 구비하는 제1, 2 태양 전지 각각의 표면에 복수의 제1, 2 도전성 배선을 제1 방향으로 길게 물리적으로 고정시키는 배선 고정 단계;
    상기 제1, 2 도전성 배선이 고정된 상기 제1, 2 태양 전지를 상기 제1 방향으로 이격되도록 배치하고, 상기 제1, 2 태양 전지 사이에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 인터커넥터를 배치하는 배치 단계;
    국부 영역에 선택적 열처리하여 상기 제1 태양 전지에 고정된 복수의 제1 도전성 배선의 제1 끝부분 및 상기 제2 태양 전지에 고정된 복수의 제2 도전성 배선의 제1 끝부분을 상기 인터커넥터에 접속시키는 국부적 열처리 단계;를 포함하고,
    상기 국부적 열처리 단계에서는 상기 제2 방향으로 길게 뻗은 펄스 히터의 접촉면을 이용하여 상기 인터커넥터에 공통으로 중첩되는 상기 복수의 제1, 2 도전성 배선의 제1 끝부분 전체를 동시에 열처리하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 배선 고정 단계에서,
    상기 복수의 제1, 2 도전성 배선은 상기 반도체 기판의 후면에 상기 제1 방향으로 길게 서로 이격되어 나란히 물리적으로 고정되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 배선 고정 단계에서 상기 제1, 2 도전성 배선이 고정될 때,
    상기 복수의 제1 도전성 배선의 제1 끝부분은 상기 반도체 기판의 일측면 밖으로 돌출되고,
    상기 복수의 제2 도전성 배선의 제1 끝부분은 상기 반도체 기판의 일측면과 대향되는 타측면 밖으로 돌출되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 배치 단계에서
    상기 제1 태양 전지에 고정된 복수의 제1 도전성 배선의 제1 끝부분과 상기 제2 태양 전지에 고정된 복수의 제2 도전성 배선의 제1 끝부분은 상기 인터커넥터와 중첩되도록 배치되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 배치 단계에서 상기 인터커넥터는 상기 제1, 2 태양 전지와 이격하여 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 펄스 히터는 상기 복수의 제1, 2 도전성 배선의 제1 끝부분을 국부적으로 가열 가압하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 펄스 히터가 열처리를 수행할 때에, 상기 펄스 히터는 상기 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각의 제1 끝부분에 물리적으로 접촉하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 펄스 히터가 열처리를 수행할 때에, 상기 펄스 히터는 상기 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각에서 상기 반도체 기판과 중첩되는 셀부분에는 물리적으로 접촉하지 않는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 펄스 히터가 상기 복수의 제1 도전성 배선의 제1 끝부분과 상기 복수의 제2 도전성 배선의 제1 끝부분에 물리적으로 접촉하는 접촉면은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 뻗어 있고, 상기 인터커넥터와 중첩되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 펄스 히터의 접촉면 폭은 상기 제1, 2 태양 전지 사이의 이격 간격보다 작은 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 펄스 히터의 접촉면에서 발생되는 최고 온도는 120℃ ~ 450℃ 사이인 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 국부적 열처리 단계에서 열처리가 수행될 때, 핫 플레이트가 더 사용되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 핫 플레이트는 상기 펄스 히터와 동시에 열처리를 수행하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 핫 플레이트가 열처리를 수행할 때, 상기 핫 플레이트는 상기 인터커넥터와 물리적으로 접촉하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 핫 플레이트가 상기 인터커넥터와 접촉하는 접촉면은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 뻗어 상기 인터커넥터와 중첩되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 핫 플레이트의 접촉면 폭은 상기 제1, 2 태양 전지 사이의 이격 간격보다 작은 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 핫 플레이트의 접촉면에서 발생되는 최고 온도는 140℃ ~ 190℃ 사이인 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  20. 반도체 기판, 제1 전극과 제2 전극을 각각 구비하고, 제1 방향으로 서로 인접하여 위치하는 복수의 태양 전지;
    상기 복수의 태양 전지 각각에 구비된 상기 제1 전극에 접속되는 복수의 제1 도전성 배선과 상기 제2 전극에 접속되는 복수의 제2 도전성 배선; 및
    상기 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지 사이에 배치되며, 상기 제1 태양 전지에 접속된 상기 복수의 제1 도전성 배선과 상기 제2 태양 전지에 접속된 상기 복수의 제2 도전성 배선이 공통으로 접속되는 인터커넥터;를 포함하고,
    상기 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각에서 상기 인터커넥터에 중첩되어 접속된 제1 끝부분의 두께는 상기 반도체 기판과 중첩되는 셀부분의 두께보다 작은 태양 전지 모듈.
  21. 제20 항에 있어서,
    상기 복수의 제1, 2 도전성 배선은 상기 반도체 기판의 후면에 상기 제1 방향으로 길게 서로 이격되어 나란히 접속되는 태양 전지 모듈.
  22. 제20 항에 있어서,
    상기 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 제1 끝부분과 상기 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 제1 끝부분은 상기 인터커넥터와 중첩되도록 상기 제1, 2 태양 전지 각각의 상기 반도체 기판의 밖으로 돌출되는 태양 전지 모듈.
  23. 제20 항에 있어서,
    상기 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각에서 상기 셀부분의 두께보다 작은 두께를 갖는 상기 제1 끝부분은 상기 반도체 기판의 밖에 위치하는 태양 전지 모듈.
  24. 제20 항에 있어서,
    상기 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각에서 상기 셀부분의 두께보다 작은 두께를 갖는 상기 제1 끝부분은 상기 반도체 기판과 중첩되지 않는 태양 전지 모듈.
  25. 제20 항에 있어서,
    상기 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각에서 상기 셀부분의 두께와 상기 제1 끝부분의 두께 단차는 제1, 2 도전성 배선의 전후면 각각 1um ~ 20um 사이인 태양 전지 모듈.
  26. 제20 항에 있어서,
    상기 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각은 도전성 코어와 상기 코어의 표면을 코팅하는 도전성 코팅층을 포함하고,
    상기 코어의 두께는 상기 셀부분과 상기 제1 끝부분에서 동일하고,
    상기 코팅층은 상기 제1 끝부분의 두께가 상기 셀부분의 두께보다 작은 태양 전지 모듈.
  27. 제20 항에 있어서,
    상기 인터커넥터는 상기 제1, 2 태양 전지와 이격되어 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되는 태양 전지 모듈.
  28. 제20 항에 있어서,
    상기 복수의 태양 전지 각각에서 상기 제1, 2 전극은 상기 반도체 기판의 후면에 상기 제1, 2 도전성 배선과 교차하는 제2 방향으로 길게 서로 이격되어 나란하게 형성된 태양 전지 모듈.
  29. 제20 항에 있어서,
    상기 복수의 태양 전지가 상기 제1 방향으로 직렬 연결되되, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열되는 제1, 2 스트링을 포함하고,
    상기 제1 스트링의 마지막 제3 태양 전지에 접속된 제1 도전성 배선과 상기 제2 스트링의 마지막 제4 태양 전지에 접속된 제2 도전성 배선을 상기 제2 방향으로 연결하는 버싱바를 더 포함하는 태양 전지 모듈.
  30. 제29 항에 있어서,
    상기 제1 스트링의 마지막 제3 태양 전지와 제2 스트링의 마지막 제4 태양 전지는 상기 제2 방향으로 서로 인접하여 이격되어 위치하는 태양 전지 모듈.
  31. 제29 항에 있어서,
    상기 제1 스트링의 마지막 제3 태양 전지에 접속된 제1 도전성 배선 및 상기 제2 스트링의 마지막 제4 태양 전지에 접속된 제2 도전성 배선 각각에서 상기 버싱바에 중첩되어 접속된 제1 끝부분의 두께는 상기 제1, 2 스트링의 마지막 제3, 4 태양 전지의 반도체 기판과 중첩된 셀부분의 두께보다 작은 태양 전지 모듈.
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