KR101759862B1 - The measurement method of thermal property using Lock-in thermography - Google Patents

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김선진
이계승
허환
김건희
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한국기초과학지원연구원
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Abstract

본 발명은 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 서로 다른 열물성을 가지는 단위체가 복수개 적층되어 하나의 모듈을 형성하더라도 평균 열물성을 측정할 수 있는, 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of measuring thermal properties using a phase lock thermography, and more particularly, to a method and apparatus for measuring a thermal property of a single phase, which can measure an average thermal property even when a plurality of unit pieces having different thermal properties are stacked, And a method of measuring thermal properties using an infrared imaging technique.

Description

위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법{The measurement method of thermal property using Lock-in thermography}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of measuring a thermal property using a phase-

본 발명은, 반도체, 반도체에 사용되는 웨이퍼와 같은 서로 다른 열물성을 가지는 복수개의 개체가 적층되어 하나의 모듈을 형성할 경우, 형성된 모듈의 평균 열물성을 추정할 수 있는, 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a phase locked thermal imaging technique capable of estimating an average thermal property of a formed module when a plurality of objects having different thermal properties such as semiconductor and semiconductor wafers are stacked to form one module The present invention relates to a method for measuring thermo-physical properties.

TSV(Trough Silicon Via) 기반 3차원 적층 기술에 가장 많은 노력을 기울이는 업체는 메모리 선두업체인 삼성전자와 SK하이닉스로, 플래쉬 메모리, DDR 메모리, Wide IO 메모리 적층을 통한 대용량, 초고속 메모리 개박에 박차를 가하고 있으나 수율 문제, 테스트, 그리고 검사 기법의 부재로 상용화에 어려움을 겪고 있다.Samsung Electronics and SK Hynix, the leading memory vendors, are making the most efforts to achieve three-dimensional stacking technology based on TSV (Trough Silicon Via). Spurred by flash memory, DDR memory, and wide IO memory stack, But it is difficult to commercialize it due to lack of yield problems, testing and inspection techniques.

유럽은 2010년부터 총 36,5M 유로 이상의 연구비를 투입한 Efficient Silicon Multi-chip System-in-Package Integration - Reliability, Failure Analysis and Test (ESiP) 과제를 9개국의 41개의 기관이 참여하여 시작하고 있으며, 주된 연구분야는 TSV 기반 3차원 SiP의 파괴 모드 분석이며 이를 위해 Lock-in Thermography 기술이 비파괴검사 중 주목을 받고 있으며 FIB, SAM, SEM, Photoemission microscopy 기술도 함께 연구되고 있다.Europe has started to undertake the Efficient Silicon Multi-chip System-in-Package Integration - Reliability, Failure Analysis and Test (ESiP) project with funding totaling more than 36,5M euros since 2010 with 41 institutions from 9 countries participating. The main research area is the failure mode analysis of TSV-based 3D SiP. Lock-in thermography is attracting attention in non-destructive testing. FIB, SAM, SEM and photoemission microscopy are also studied.

또한, KBSI에서는 3D-FI (Fault Isolation) 기술로, 위상잠금 열화상 기법(LIT, Lock-in thermography)을 이용해 국부적 발열에 의한 적외선 열방사를 검출해 3차원 결함 위치를 추적하는 장비를 개발해오고 있으나, LIT의 핵심 기술로, 열원 깊이(Z축) 추정방법에는 시편자체의 열물성 데이터(열전도도, 밀도, 비열 등)를 필요로 하는데 반하여, 실제 시편들은 상당히 다양한 물질들로 복합되어 있기 때문에 전체적인 열물성 데이터를 구하기가 쉽지 않은 문제점이 발생 하였다.In addition, KBSI has developed a device that tracks the position of three-dimensional defects by detecting infrared radiation caused by localized heat using phase-locked thermal imaging (LIT) with 3D-FI (Fault Isolation) technology However, the core technology of LIT requires the thermal property data (thermal conductivity, density, specific heat, etc.) of the specimen itself in order to estimate the heat source depth (Z axis) It is not easy to obtain the overall thermal property data.

상기와 같은 단점을 해결하고자 도 1에 도시된 바와 같은 레이저를 이용한 열물성 측정장치가 개발되었으나, 레이저를 이용한 열물성 측정장치의 경우 서로 다른 열물성을 가지는 복수개의 칩이 적층되어 형성되는 반도체모듈의 경우 평균 열물성 측정 능력이 떨어질 뿐만 아니라, 샘플(3) 양면이 평탄해야 레이저빔(5, 6)의 입사 및 반사가 정밀하게 이루어지기 때문에 대상 물체를 가공해야 하는 단점을 가진다.In order to solve the above-mentioned disadvantages, an apparatus for measuring thermal properties using a laser as shown in FIG. 1 has been developed. However, in the case of a thermal property measuring apparatus using laser, a semiconductor module Not only the average thermal property measurement capability is deteriorated but also both sides of the sample 3 are flat so that incidence and reflection of the laser beams 5 and 6 are precisely performed.

따라서, 샘플의 국부 영역에 대한 수직 1차원적 열물성(열확산길이 및 열확산도)를 측정하기 위한 방법의 필요성이 대두되고 있다.Therefore, there is a need for a method for measuring the vertical one-dimensional thermophysical properties (thermal diffusion length and thermal diffusivity) of a local region of a sample.

한국공개특허 제2014-0025980호Korean Patent Publication No. 2014-0025980

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서 본 발명의 목적은, 서로 다른 열물성을 가지는 복수개의 개체가 결합된 모듈의 평균 열물성을 구할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method for obtaining an average thermal property of a module having a plurality of objects having different thermal properties.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명인 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법은, 열원 기판(1)에 시료 모듈(2)이 위치되는 배치단계(S100); 상기 열원 기판(1)에 일정 파형의 에너지를 인가하는 신호 인가단계(S200); 상기 시료 모듈(2)의 타면과 마주보는 상기 열원 기판(1)의 일면에서 나타나는 신호와, 상기 시료 모듈(2)의 일면에서 나타나는 신호를 측정하는 신호 측정단계(S300); 및 상기 신호 측정단계(S300)에서 측정된 신호를 이용하여 시료 모듈(2)의 평균 열물성을 추정하는 열물성 추정단계(S400); 를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above-mentioned object, a method for measuring thermal properties using a phase-lock thermo-image technique according to the present invention comprises the steps of: placing a sample module (2) on a heat source substrate (1); A step S200 of applying a predetermined waveform energy to the heat source substrate 1; A signal measuring step (S300) of measuring a signal appearing on one surface of the heat source substrate (1) opposite to the other surface of the sample module (2) and a signal appearing on one surface of the sample module (2); And a thermal property estimation step (S400) of estimating an average thermal property of the sample module (2) using the signal measured in the signal measurement step (S300); And a control unit.

또한, 상기 신호 측정단계(S300)는 열원에 대응하여 상기 열원 기판(1)과 상기 시료 모듈(2)의 일지점에서 나타나는 적외선, 진폭, 위상 신호 중 선택되는 어느 하나 이상을 측정하는 것을 특징으로 한다.The signal measuring step S300 may measure at least one selected from the infrared signal, the amplitude signal and the phase signal appearing at one point of the heat source substrate 1 and the sample module 2 corresponding to the heat source. do.

또한, 상기 열물성 추정단계(S400)는, 측정된 위상 신호를 하기 식 1에 대입하여 상기 시료 모듈(2)의 평균 열확산 길이를 추정하는 것을 특징으로 한다.In the thermal property estimation step S400, an average thermal diffusion length of the sample module 2 is estimated by substituting the measured phase signal into Equation 1 below.

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112016059525197-pat00001
Figure 112016059525197-pat00001

(이때,

Figure 112016059525197-pat00002
은 시료 모듈의 두께,
Figure 112016059525197-pat00003
는 열원 기판의 일면 일 지점에서 측정되는 위상 신호,
Figure 112016059525197-pat00004
은 시료 모듈의 일면 일 지점에서 나타나는 위상 신호,
Figure 112016059525197-pat00005
는 시료의 평균 열확산길이)(At this time,
Figure 112016059525197-pat00002
The thickness of the sample module,
Figure 112016059525197-pat00003
A phase signal measured at one point on one side of the heat source substrate,
Figure 112016059525197-pat00004
A phase signal appearing at one point on one side of the sample module,
Figure 112016059525197-pat00005
The average thermal diffusion length of the sample)

또한, 상기 열물성 추정단계(S400)는, 측정된 위상 신호를 하기 식 2에 대입하여 상기 시료 모듈(2)의 평균 열확산 길이를 추정하는 것을 특징으로 한다.In the thermal property estimation step S400, the average thermal diffusion length of the sample module 2 is estimated by substituting the measured phase signal into the following equation (2).

[수학식 2]&Quot; (2) "

Figure 112016059525197-pat00006
Figure 112016059525197-pat00006

(이때,

Figure 112016059525197-pat00007
은 시료 모듈의 두께,
Figure 112016059525197-pat00008
는 기판의 일면 일 지점에서 측정되는 위상 신호,
Figure 112016059525197-pat00009
은 시료 모듈의 일면 일 지점에서 나타나는 위상 신호,
Figure 112016059525197-pat00010
는 기판과 시료 모듈의 접촉 위상 저항,
Figure 112016059525197-pat00011
는 시료 모듈의 평균 열확산길이)(At this time,
Figure 112016059525197-pat00007
The thickness of the sample module,
Figure 112016059525197-pat00008
A phase signal measured at one point on one side of the substrate,
Figure 112016059525197-pat00009
A phase signal appearing at one point on one side of the sample module,
Figure 112016059525197-pat00010
The contact phase resistance between the substrate and the sample module,
Figure 112016059525197-pat00011
Is the average thermal diffusion length of the sample module)

또한, 상기 배치단계(S100)는 서로 다른 두께(

Figure 112016059525197-pat00012
,
Figure 112016059525197-pat00013
)의 제1 시료 단위체(2-1)와 제2 시료 단위체(2-2)가 각각 상기 열원 기판(1)에 위치되고, 상기 신호 측정단계(S300)는, 제1 시료 단위체 위상 측정단계(S310)와 제2 시료 단위체 위상 측정단계(S320)를 포함하며, 상기 열물성 추정단계(S400)는, 각각의 시료 단위체(2-1, 2-2)에서 측정된 위상 신호를 하기 식 3에 대입하여 상기 시료(2)의 평균 열확산 길이를 추정하는 것을 특징으로 한다.In addition, the disposing step (S100)
Figure 112016059525197-pat00012
,
Figure 112016059525197-pat00013
The first sample unit body 2-1 and the second sample unit body 2-2 are positioned on the heat source substrate 1 respectively and the signal measurement step S300 includes a first sample unit phase measurement step S310) and a second sample unit phase measurement step (S320), wherein the thermal physical property estimation step (S400) comprises: calculating a phase signal measured in each of the sample unit bodies (2-1, 2-2) And estimates an average thermal diffusion length of the sample (2).

[수학식 3]&Quot; (3) "

Figure 112016059525197-pat00014
,
Figure 112016059525197-pat00015
Figure 112016059525197-pat00014
,
Figure 112016059525197-pat00015

(이때,

Figure 112016059525197-pat00016
은 제1 시료 모듈의 두께,
Figure 112016059525197-pat00017
는 제2 시료 모듈의 두께,
Figure 112016059525197-pat00018
은 제1 시료 모듈의 일면 일 지점에서 나타나는 위상 신호
Figure 112016059525197-pat00019
에서 열원 기판의 일면 일 지점에서 측정되는 위상 신호
Figure 112016059525197-pat00020
를 빼준 위상차,
Figure 112016059525197-pat00021
는 2 시료 모듈의 일면 일 지점에서 나타나는 위상 신호
Figure 112016059525197-pat00022
에서 열원 기판의 일면 일 지점에서 측정되는 위상 신호
Figure 112016059525197-pat00023
를 빼준 위상차,
Figure 112016059525197-pat00024
는 시료 모듈의 평균 열확산길이)(At this time,
Figure 112016059525197-pat00016
The thickness of the first sample module,
Figure 112016059525197-pat00017
The thickness of the second sample module,
Figure 112016059525197-pat00018
Phase signal appearing at one point on one side of the first sample module
Figure 112016059525197-pat00019
The phase signal measured at one point on one side of the heat source substrate
Figure 112016059525197-pat00020
The phase difference,
Figure 112016059525197-pat00021
A phase signal appearing at one point on one side of the two sample modules
Figure 112016059525197-pat00022
The phase signal measured at one point on one side of the heat source substrate
Figure 112016059525197-pat00023
The phase difference,
Figure 112016059525197-pat00024
Is the average thermal diffusion length of the sample module)

또한, 상기 열원 기판(1)은 외부에서 인가되는 신호에 의해 지정된 지점에서 열을 방출하는 폴리레지스터부(1-1)가 형성되고, 상기 폴리레지스터부(1-1)는 서로 평행하며 이격 형성된 폴리레지스터 단위체(1-1A)로 이루어지되, 각각의 상기 폴리레지스터 단위체(1-1A)는 단부가 인접한 상기 폴리레지스터단위체(1-1A)의 단부가 서로 교차 연결된 것을 특징으로 한다.In addition, the heat source substrate 1 is formed with a poly resistor part 1-1 that emits heat at a designated point by an externally applied signal, and the poly resistor part 1-1 is formed in parallel Wherein each of the poly resistor unit bodies (1-1A) is composed of a poly resistor unit body (1-1A), and the end portions of the poly resistor unit bodies (1-1A), the ends of which are adjacent to each other, are crossed with each other.

또한, 상기 배치단계(S100)는 상기 열원 기판(1)을 XY평면에 위치시키는 기판 배치단계(S110)와, 상기 열원 기판(1)의 일면에 시료 모듈(2)의 타면을 위치시키는 시료 배치단계(S120)를 포함하고, 상기 신호 인가단계(S200)는 인가되는 에너지에 대응하여 상기 시료 모듈(2)과 접촉되는 상기 열원 기판(1)의 접촉일면과, 상기 접촉일면의 외부에 형성된 상기 열원 기판(1)의 비접촉일면에 열원 지점(a, b, c, d, e)을 형성하며, 상기 신호 측정단계(S300)는 상기 비접촉일면에 형성된 열원 지점(d, e)의 신호와, 상기 접촉일면에 형성된 열원 지점(a, b, c)의 Z축 방향에 위치된 상기 시료(2)의 일면 일지점(f, g, h)에서 나타나는 신호를 측정하는 것을 특징으로 한다.The placement step S100 may include a substrate placement step S110 for positioning the heat source substrate 1 in the XY plane and a sample placement step for placing the other surface of the sample module 2 on one surface of the heat source substrate 1 (S120), and the signal application step (S200) is a step of irradiating the sample module (2) with the contact surface of the heat source substrate (1) in contact with the sample module (2) B, c, d, and e are formed on one surface of the heat source substrate 1 that is not in contact with the substrate, and the signal measurement step S300 includes a step of measuring a signal of the heat source points d and e formed on the non- (F, g, h) of one side of the sample (2) positioned in the Z axis direction of the heat source points (a, b, c) formed on the contact surface.

또한, 상기 접촉 일면에 형성된 상기 제1 열원 지점(a, b, c)은 동일선상에 위치되되 서로 일정거리 이격 형성되고, 상기 비접촉 일면에 형성된 상기 제2 열원 지점(d, e)은 상기 제1 열원 지점(a, b, c) 중 중심에 위치되는 중앙 열원 지점(b)을 축으로 수직 형성되는 것을 특징으로 한다.Also, the first heat source points (a, b, c) formed on the contact face are located on the same line and are spaced apart from each other by a predetermined distance, and the second heat source points (d, e) formed on the non- (B) positioned at the center of one of the heat source points (a, b, c).

상기와 같은 구성에 의한 본 발명인 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법은, 열원 기판에서 방출되는 열에너지가 적층된 시료에 전달되어 시료의 표면에서 나타나는 신호와, 열에너지가 방출되는 열원 기판에서 나타나는 신호를 이용하여, 서로 다른 열물성을 가지는 시료 단위체가 적층된 시료 모듈의 평균 열물성을 측정할 수 있는 장점을 가진다.The method for measuring thermal properties using the phase lock thermography technique of the present invention having the above structure is characterized in that the thermal energy emitted from the heat source substrate is transferred to a sample in which heat energy is emitted to form a signal appearing on the surface of the sample, Signal, it is possible to measure the average thermal property of a sample module in which sample unit bodies having different thermal properties are stacked.

또한, 열원 기판이 지정된 복수개의 지점에서 열 방출이 가능므로, 서로 다른 위치에서 시료의 평균 물성 데이터를 개별 측정하여 비교 판독할 수 있는 장점을 가진다.Further, since the heat source substrate is capable of releasing heat at a plurality of designated points, the average physical property data of the sample can be separately measured at different positions and the comparative reading can be performed.

아울러, 특정 수식을 이용하여 열원 기판과 접촉하는 시료의 일면이 평평하지 않더라도, 측정되는 평균 열물성 오차를 최소화 시킬 수 있는 장점을 가진다.In addition, it has an advantage that the average thermal property error to be measured can be minimized even if one surface of the sample contacting the heat source substrate is not flat using a specific formula.

도 1은 종래의 열물성 측정장치는 나타낸 개념도.
도 2는 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법을 나타낸 순서도.
도 3은 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법을 나타낸 개념도.
도 4는 시료 모듈에서 위상이 측정되는 위치를 나타낸 개념도.
도 5는 열원 기판에 시료 모듈이 위치된 것을 나타낸 개념도.
도 6은 열화상 카메라의 위상 신호 측정을 나타낸 측면도.1 is a conceptual view showing a conventional thermal property measuring apparatus.
2 is a flow chart illustrating a method of measuring thermal properties using a phase locked thermography technique.
3 is a conceptual diagram illustrating a method of measuring thermal properties using a phase lock thermography.
4 is a conceptual view showing a position where a phase is measured in a sample module;
5 is a conceptual diagram showing that a sample module is placed on a heat source substrate.
6 is a side view of the phase signal measurement of the thermal imaging camera;

이하, 상기와 같은 본 발명인 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of measuring thermal properties using the phase lock thermography technique of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2를 참조하여 설명하면, 열물성 측정방법은 열원 기판(1)에 시료 모듈(2)이 위치되는 배치단계(S100)와, 상기 열원 기판(1)에 일정 파형의 에너지를 인가하는 신호 인가단계(S200)와, 상기 시료 모듈(2)의 타면과 마주보는 상기 열원 기판(1)의 일면에서 나타나는 신호와, 상기 시료 모듈(2)의 일면에서 나타나는 신호를 측정하는 신호 측정단계(S300) 및 상기 신호 측정단계(S300)에서 측정된 신호를 이용하여 시료 모듈(2)의 평균 열물성을 추정하는 열물성 추정단계(S400)를 포함하여 이루어진다.2, the thermal property measuring method includes a placing step S100 in which the sample module 2 is placed on the heat source substrate 1, a signal applying step S100 of applying a signal for applying a predetermined waveform energy to the heat source substrate 1 A signal measuring step S300 of measuring a signal appearing on one surface of the heat source substrate 1 facing the other surface of the sample module 2 and a signal appearing on one surface of the sample module 2, And a thermal property estimation step (S400) of estimating an average thermal property of the sample module (2) using the signal measured in the signal measurement step (S300).

도 3을 참조하여 상세히 설명하면, 상기 배치단계(S100)에서 시료 모듈(2)이 열원 기판(1)에 위치되고, 상기 신호 인가단계(S200)에서 상기 열원 기판(1)에 일정한 파형의 에너지 신호를 인가하여 선택되는 지점에서 열에너지가 방출된 후 상측에 위치되는 시료 모듈(2)에 전달되며, 상기 신호 측정단계(S300)에서 열원이 방출되는 열원 기판(1)의 일 지점과, 이에 대응하여 시료 모듈(2)의 일지점에서 나타나는 신호를 개별적으로 측정하며, 열물성 추정단계(S400)에서 측정된 신호를 이용하여 시료 모듈(2)의 평균 열물성을 측정하는 것이다.3, the sample module 2 is placed on the heat source substrate 1 in the arrangement step S100 and the energy of the constant wave form is applied to the heat source substrate 1 in the signal application step S200. (1) where the heat source is emitted in the signal measurement step (S300), and a point corresponding to the one point of the heat source substrate The signals appearing at one point of the sample module 2 are individually measured and the average thermal properties of the sample module 2 are measured using the signals measured in the thermal property estimation step S400.

이때, 상기 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법은 상기 신호 측정단계(300)에서 열원에 대응하여 상기 열원 기판(1)과 상기 시료 모듈(2)의 일지점에서 나타나는 적외선, 진폭, 위상 신호 중 선택되는 어느 하나 이상을 측정하면 충분하므로, 도 3에 도시된 바와 같이 열원 기판(1)에 신호를 인가하는 외부 변조 인가장치(3)와, 서로 다른 열물성을 가지는 복수개의 시료 단위체(2-1, 2-2, 2-3, 2-4, 2-5)가 결합되어 이루어진 시료 모듈(2) 및 열원 기판(1)에서 나타나는 신호를 측정하는 적외선 카메라(5)만 있으면 충분하지만, 도 4에 도시된 바와 같이 시료 모듈(2)에서 열적 신호를 파악하여 시료 모듈(2)의 결합 깊이를 추정하는 열영상 측정 장치를 사용할 수도 있다.In this case, the thermal property measurement method using the phase-locked thermal imaging technique is a method of measuring the thermal properties of the sample module 2, Signal, it is sufficient to measure at least one selected from among the plurality of sample unit bodies (1) to (3) It is sufficient if the infrared ray camera 5 for measuring the signal appearing on the heat source substrate 1 and the sample module 2 made up of the infrared ray sensors 2-1, 2-2, 2-3, 2-4, 2-5 are combined , It is also possible to use a thermal image measuring apparatus for estimating the coupling depth of the sample module 2 by grasping a thermal signal in the sample module 2 as shown in FIG.

상세히 설명하면, 상기 열원 기판(1)에 일정 파형의 에너지를 인가하는 방법은 다양한 방법이 가능하나, 함수발생기(6)를 이용하여 외부 변조 인가장치(3)에 신호를 입력하여 선택되는 열원 기판(1)의 특정 지점에서 열원을 발생시키고, 열원 기판(1) 및 시료 모듈(2)에서 측정되는 신호를 적외선 카메라(5)를 이용하여 측정하고, 적외선 카메라(5)를 이용하여 측정된 특정 이미지는 제어부(7)로 입력된 후 측정된 이미지에 나타난 열원의 위치와 개수에 따라 이하에서 설명하는 [수학식 1], [수학식 2], [수학식 3]에 대입되어 시료 모듈(2)의 평균 열확산 길이를 측정할 수 있는 것이다.In detail, a method of applying a predetermined waveform energy to the heat source substrate 1 can be performed by various methods. However, when a signal is input to the external modulation application apparatus 3 using the function generator 6, A heat source is generated at a specific point of the infrared camera 1 and a signal measured at the heat source substrate 1 and the sample module 2 is measured using an infrared camera 5, The image is inputted to the control unit 7 and then inputted into the following equations (1), (2) and (3) according to the position and the number of the heat sources shown in the measured image, ) Can be measured.

상세히 설명하면, 본 발명에서 상기 열물성 추정단계(S400)는 열원 기판(1)에 신호가 인가되어 나타나는 열원의 개수와 위치에 대응하여 하기 [수학식 1], [수학식 2], [수학식 3] 중 선택되는 어느 하나를 선택 적용함으로서, 시료 모듈(2)의 평균 열확산 길이를 추정할 수 있다.In more detail, the thermal property estimation step S400 of the present invention is a method of estimating thermal properties of the heat source substrate 1 according to the following equations (1), (2), , The average thermal diffusion length of the sample module 2 can be estimated.

Figure 112016059525197-pat00025
Figure 112016059525197-pat00025

Figure 112016059525197-pat00026
Figure 112016059525197-pat00026

Figure 112016059525197-pat00027
Figure 112016059525197-pat00027

도 5를 참조하여 설명하면, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이 XY 평면에 위치된 열원 기판(1)의 일면 일지점에서 열원이 발생할 경우 열원에서 기준이 되는 위상신호(

Figure 112016059525197-pat00028
)가 측정되고, 열원에서 전달된 열에너지가 열원 기판(1)의 Z축방향 측에 위치된 시료 모듈(2)에 전달되어 시료 모듈(2)의 Z축 일면 일지점에서 시료 모듈(2)을 통해 전달된 위상신호(
Figure 112016059525197-pat00029
)가 측정된다.5, when a heat source occurs at one point on one side of the heat source substrate 1 positioned on the XY plane as shown in FIG. 5A,
Figure 112016059525197-pat00028
And the thermal energy transferred from the heat source is transmitted to the sample module 2 positioned on the Z axis direction side of the heat source substrate 1 and the sample module 2 is positioned at one point on the Z axis side of the sample module 2 The phase signal passed through
Figure 112016059525197-pat00029
) Is measured.

이때, 열확산 길이는 주기적인 열원에 의한 시료 모듈이 지닌 특수 치수에 관한 것으로, 먼 거리의 열적 변화가 얼마나 오래걸려 현 위치에서 감지할 수 있는 온도 변화를 일으킬 수 있는 거리인 지를 말하므로, 상기 [수학식 1]에 서로 다른 지점에서 측정된 신호를 각각 대입하여 시료 모듈(2)의 평균 열확산 길이를 구하는 것이다.In this case, the thermal diffusion length refers to a special dimension possessed by the sample module by the periodic heat source, and it refers to how long the thermal change of the long distance takes to cause the temperature change which can be sensed at the current position. The average thermal diffusion length of the sample module 2 is obtained by substituting the signals measured at different points in Equation (1), respectively.

그리고, 열원 기판(1)의 일면 일지점에서 발생하는 기준이되는 위상신호(

Figure 112016059525197-pat00030
)는 열원 기판(1) 위에 시료 모듈(2)이 위치될 경우 측정하기 어려우므로, 시료 모듈(2)이 위치되지 않는 열원 기판(1)의 일 지점에 열원을 형성한 후 측정하여 기준이 되는 위상신호 값을 대신하여 기준 위상신호(
Figure 112016059525197-pat00031
)로 사용할 수 있다.Then, a phase signal (reference signal) generated at one point on one surface of the heat source substrate 1
Figure 112016059525197-pat00030
) Is difficult to measure when the sample module 2 is placed on the heat source substrate 1. Therefore, a heat source is formed at one point of the heat source substrate 1 where the sample module 2 is not positioned, Instead of the phase signal value, the reference phase signal (
Figure 112016059525197-pat00031
).

또한, 열원 기판(1)과 시료 모듈(2)의 접촉면은 서로 완전 접촉되지 않아 정확한 시료 모듈(2)의 열물성이 측정되지 않을 수 있으므로, 필요에 따라 열원 기판(1)과 시료 모듈(2)의 접촉 위상 저항(

Figure 112016059525197-pat00032
)을 상기 [수학식 2]에 대입함으로서, 더욱 정밀한 평균 시료 모듈(2)의 평균 열확산 길이를 구할 수 있다.Since the contact surfaces of the heat source substrate 1 and the sample module 2 do not completely contact each other and the thermal properties of the sample module 2 may not be measured accurately, the heat source substrate 1 and the sample module 2 ) Of the contact phase resistance (
Figure 112016059525197-pat00032
) To the above equation (2), the average thermal diffusion length of the more precise average sample module 2 can be obtained.

이때, [수학식 2]를 이용하여 시료 모듈(2)의 평균 열확산 길이를 구할 경우 열확산 길이를 구하는 시료 모듈(2)의 양면 중 일면이 평평하지 않더라도 정밀한 열확산 길이 측정이 가능하므로, 시료 모듈(2)을 평평하게 만들기 위하여 파손하지 않아도 되는 것은 물론이다.In this case, when the average thermal diffusion length of the sample module 2 is calculated using Equation (2), it is possible to accurately measure the thermal diffusion length even if one side of the sample module 2 for obtaining the thermal diffusion length is not flat. 2 need not be broken in order to flatten it.

그리고, 상기 접촉 위상 저항(

Figure 112016059525197-pat00033
)을 모를 경우 서로 두께가 다른 시료 모듈(2)을 이용하여 접촉 위상 저항(
Figure 112016059525197-pat00034
)이 제거된 시료(2)의 평균 열물성을 측정하는 것 또한 가능하다.Then, the contact phase resistance (
Figure 112016059525197-pat00033
) Is unknown, the sample module (2) having different thicknesses is used to measure the contact phase resistance (
Figure 112016059525197-pat00034
It is also possible to measure the average thermal property of the sample 2 from which the sample 2 is removed.

상세히 설명하면 상기 배치단계(S100)에서 서로 다른 두께(

Figure 112016059525197-pat00035
,
Figure 112016059525197-pat00036
)의 제1 시료 단위체(2-1)와 제2 시료 단위체(2-2)를 각각 상기 열원 기판(1)에 위치시키고, 상기 신호 측정단계(S300)에서 제1 시료 단위체의 위상을 측정하는 위상 측정단계(S310)와 제2 시료 단위체 위상 측정단계(S320)가 이루어지며, 상기 열물성 추정단계(S400)에서, 각각의 시료 단위체(2-1, 2-2)에서 측정된 위상 신호를 상기 식 3에 대입하여 상기 시료(2)의 평균 열확산 길이를 추정하는 것이다.In detail, in the arrangement step S100,
Figure 112016059525197-pat00035
,
Figure 112016059525197-pat00036
The first sample unit body 2-1 and the second sample unit body 2-2 of the first sample unit body 2 are placed on the heat source substrate 1 and the phase of the first sample unit body is measured in the signal measurement step S300 The phase measurement step S310 and the second sample unit phase measurement step S320 are performed. In the thermal property estimation step S400, the phase signals measured in the sample unit bodies 2-1 and 2-2 are measured (3) to estimate the average thermal diffusion length of the sample (2).

또한, 본 발명인 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법은 도 6에 도시된 바와 같이 상기 열원 기판(1)의 일면에 외부에서 인가되는 신호에 대응하여 지정된 지점에서 열을 방출하는 폴리레지스터부(1-1)가 형성되고, 상기 폴리레지스터부(1-1)는 서로 평행하게 이격 형성된 폴리레지스터 단위체(1-1A)로 이루어지되, 각각의 상기 폴리레지스터 단위체(1-1A)는 서로 인접한 폴리레지스터단위체(1-1A)의 단부와 서로 교차 연결되는 것을 권장한다.6, the method for measuring thermal properties using the phase-locking thermo-image technique of the present invention is a method for measuring the thermal properties of a poly-resistor according to a first embodiment of the present invention, (1-1) are formed, and the poly resistor unit (1-1) comprises a poly resistor unit body (1-1A) formed parallel and spaced apart from each other, wherein each of the poly resistor unit bodies It is recommended that the ends of the poly resistor unit 1-1A be cross-connected with each other.

상세히 설명하면, 신호 측정단계(S300)에서 위상신호 측정 시 하나의 지점에서만 위상신호를 측정 하게되면, 열원과 Z축 방향에 위치되는 상기 시료 모듈(2)의 내부에 결함이 형성되어 있을 경우나, 시료 모듈(2)을 구성하는 시료 모듈 단위체(2-1, 2-2)의 두께가 일정하지 않을 경우, 측정된 평균 열확산 길이의 신뢰성이 떨어지게 된다.In detail, when the phase signal is measured at only one point in the measurement of the phase signal in the signal measurement step S300, if a defect is formed in the sample module 2 located in the Z direction, And the thickness of the sample module units 2-1 and 2-2 constituting the sample module 2 is not constant, the reliability of the measured average thermal diffusion length is lowered.

따라서, 상기 배치단계(S100)에서 상기 열원 기판(1)을 XY평면에 위치시키는 기판 배치단계(S110)와 상기 열원 기판(1)의 일면에 시로 모듈(2)의 타면을 위치시키는 시료 배치단계(S120)로 구분하고, 상기 신호 인가단계(S200)에서 인가되는 에너지에 대응하여 상기 시료 모듈(2)과 접촉되는 상기 열원 기판(1)의 접촉일면과, 상기 접촉일면의 외부에 형성된 상기 열원 기판(1)의 비접촉일면에 열원 지점(a, b, c, d, e)를 개별 형성하며, 상기 신호 측정단계(S300)에서 비접촉일면에 형성된 열원 지점(d, e)의 신호와, 접촉일면에 형성되 열원 지점(a, b, c)의 Z축 방향에 위치된 시료(2)의 일면 일지점(f, g, h)에서 나타나는 신호를 측정하여, 다양한 위치에서 측정되는 위상값을 서로 비교할 수 있도록 한 것이다.Therefore, in the placing step S100, a substrate placing step S110 for placing the heat source substrate 1 in the XY plane and a sample placing step for positioning the other surface of the see- (S120), and a contact surface of the heat source substrate (1) in contact with the sample module (2) corresponding to the energy applied in the signal application step (S200) (A, b, c, d, e) are individually formed on one surface of the substrate 1 in a noncontact manner and the signals of the heat source points (d, e) The signals appearing at one point (f, g, h) on one surface of the sample 2 positioned on the Z axis direction of the heat source points a, b and c are measured, So that they can be compared.

이때, 접촉 일면에 형성된 제1 열원 지점(a, b, c)은 동인설상에 위치되되 서로 열적인 간섭이 일어나지 않도록 일정거리 이격 형성되고, 비접촉 일면에 형성된 제2 열원 지점(d, e)은 제1 열원 지점(a, b, c) 중 중심에 위치되는 중앙 열원 지점(b)을 축으로 수직 형성되는 것을 권장한다.At this time, the first heat source points (a, b, c) formed on the contact surface are spaced apart from each other so as not to generate thermal interference with each other, and the second heat source points (d, e) It is recommended that the central heat source point (b) located at the center of the first heat source points (a, b, c) is formed perpendicular to the axis.

그리고 본 발명인 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법은, 상기 배치단계(S100)에서 시료 모듈(2)이 70~90mm2/S 의 열확산도를 가지는 물질(graphite, Cu, Si) 일 경우 열이 이동하는 시간을 나타내는 위상 값을 계산하는 LIT 장비가 아무리 높음 Frame rate로 측정한다고 할지라도 100Hz로, 10ms 당 1장 촬영이 가능할 뿐이고, 노출시간 또한 2ms를 필요로 하는 구체적인 한계를 가지기 때문에, 불투명한 물질이 없다면 측정이 어렵다.When the sample module 2 is made of a material having a thermal diffusivity of 70 to 90 mm 2 / S (graphite, Cu, Si) in the placing step S100, the method of measuring thermal properties using the phase- Since the LIT equipment that calculates the phase value representing the time at which the heat travels has a specific limit that requires only one frame rate per 10ms at 100Hz and an exposure time of 2ms even at a high frame rate, Measurement is difficult if there is no opaque material.

따라서, 열확산도가 높아 열물성 측정이 어려운 시료 모듈(2)의 경우 상기와 같이 열확산도가 0.1mm^2/s ~ 1mm^2/s이고, 두께가 01.mm ~ 0.5mm인 박막을 열원 기판(1)과 시료 모듈(2) 사이 또는 시료면 위에 위치시키는 박막 설치단계(S130)가 더 이루어질 수 있다.Therefore, in the case of the sample module 2, which has a high thermal diffusivity and is difficult to measure the thermal properties, a thin film having a thermal diffusivity of 0.1 mm ^ 2 / s to 1 mm ^ 2 / A thin film deposition step (S130) may be further provided for positioning the substrate 1 between the sample module 2 or the sample surface.

상세히 설명하면, 상기 시료 모듈(2)의 열확산도가 높을 경우 열확산에 걸리는 시간이 짧아 측정이 어려우므로, 열확산도가 낮은 박막을 이용하여 역할산 속도를 감소시켜 정확한 열물성을 측정하는 것이다.In detail, when the thermal diffusivity of the sample module 2 is high, the time required for thermal diffusion is short. Therefore, it is difficult to measure the thermal diffusivity. Therefore, the thermal acidity is measured by reducing the role acid velocity using a thin film having low thermal diffusivity.

또한, 상기 박막 설치단계(S130)를 통해, 상기 적외선 카메라(5)가 중적외선 카메라일 경우 3~5㎛, 원적외선 카메라의 경우 7~12㎛의 파장대를 이용하므로 3~11㎛파장대를 투과시키는 Si의 경우도 열물성 측정이 가능할 뿐만 아니라, 10mm2/S 이상 열확산도를 가지는 시료 모듈(2) 또한 열물성 측정이 가능하다.In addition, through the step of installing the thin film (S130), the infrared camera 5 uses a wavelength band of 3 to 5 mu m for a medium-infrared camera and 7 to 12 mu m for a far-infrared camera, Not only the thermal properties of Si can be measured, but also the thermal conductivity of the sample module (2) having a thermal diffusivity of 10 mm 2 / S or more can be measured.

아울러, 본 발명인 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법은 측정된 열확산 길이를 이용하여 열확산도(thermal diffusivity)

Figure 112016059525197-pat00037
(mm2/s)를 구하는 것이 가능하다.In addition, the thermal property measurement method using the phase locking thermal imaging technique of the present invention can measure the thermal diffusivity using the measured thermal diffusion length,
Figure 112016059525197-pat00037
(mm 2 / s) can be obtained.

상세히 설명하면, 열확산도는 하기 [수학식 4]에 의해 구해진다.More specifically, the thermal diffusivity is obtained by the following equation (4).

[수학식 4]&Quot; (4) "

Figure 112016059525197-pat00038
Figure 112016059525197-pat00038

따라서, 상기 [수학식 1] 내지 [수학식 3]을 통해 구해진 시료 묘듈의 평균 열확산길이

Figure 112016059525197-pat00039
를 이용하여 시료 모듈의 열환산도를 산출하는 것이다.Therefore, the average thermal diffusion length of the sample module obtained through the above-mentioned [Expression 1] to [Expression 3]
Figure 112016059525197-pat00039
Is used to calculate the heat conversion degree of the sample module.

본 발명의 상기한 실시 예에 한정하여 기술적 사상을 해석해서는 안된다. 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당업자의 수준에서 다양한 변형 실시가 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 당업자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 된다.The technical idea should not be interpreted as being limited to the above-described embodiment of the present invention. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Accordingly, such modifications and changes are within the scope of protection of the present invention as long as it is obvious to those skilled in the art.

1 : 열원 기판
1-1 : 폴리레지스터부 1-1A : 폴리레지스터단위체
2 : 시료 모듈
2-1, 2-2, 2-3, 2-4, 2-5 : 시료 단위체 3 : 외부 변조 인가장치
4 : 적외선 광학계 5 : 적외선 카메라
6 : 함수 발생기 7 : 제어부
S100 : 배치단계
S110 : 기판 배치단계 S120 : 시료 배치단계
S200 : 신호 인가단계
S300 : 신호 측정단계
S310 : 제1 시료 단위체 위상 측정단계
S320 : 제2 시료 단위체 위상 측정단계
S400 : 열물성 추정단계

1: heat source substrate
1-1: Poly register unit 1-1A: Poly register unit body
2: sample module
2-1, 2-2, 2-3, 2-4, 2-5: sample unit 3: external modulation device
4: Infrared optical system 5: Infrared camera
6: function generator 7: control unit
S100: batch step
S110: Substrate placement step S120: Sample placement step
S200: signal application step
S300: Signal measurement step
S310: First sample unit phase measurement step
S320: second sample unit phase measurement step
S400: thermal property estimation step

Claims (10)

삭제delete 삭제delete 열원 기판(1)에 서로 다른 열물성을 가지는 복수개의 시료 단위체가 모여 이루어진 시료 모듈(2)이 위치되는 배치단계(S100);
상기 열원 기판(1)에 일정 파형의 에너지를 인가하는 신호 인가단계(S200);
상기 시료 모듈(2)의 타면과 마주보는 상기 열원 기판(1)의 일면에서 나타나는 위상 신호와, 상기 시료 모듈(2)의 일면에서 나타나는 위상 신호를 측정하는 신호 측정단계(S300); 및
상기 신호 측정단계(S300)에서 측정된 위상 신호를 이용하여 시료 모듈(2)의 평균 열물성을 추정하는 열물성 추정단계(S400); 를 포함하며,
상기 열물성 추정단계(S400)는, 측정된 두개의 위상 신호를 하기 수학식 1에 대입하여 상기 시료 모듈(2)의 평균 열물성을 추정하는데 사용되는 상기 시료 모듈(2)의 평균 열확산 길이를 추정하는 것을 특징으로 하는, 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법.
Figure 112017044263089-pat00040

(S100) in which a sample module (2) having a plurality of sample unit bodies having different thermal properties gathered is placed on a heat source substrate (1);
A step S200 of applying a predetermined waveform energy to the heat source substrate 1;
A signal measuring step (S300) of measuring a phase signal appearing on one surface of the heat source substrate (1) facing the other surface of the sample module (2) and a phase signal appearing on one surface of the sample module (2); And
A thermal property estimation step (S400) of estimating an average thermal property of the sample module (2) using the phase signal measured in the signal measurement step (S300); / RTI >
In the thermal property estimation step S400, the average thermal diffusion length of the sample module 2 used for estimating the average thermal property of the sample module 2 is calculated by substituting the measured two phase signals into the following equation (1) And estimating the thermal properties of the substrate using the phase lock thermal imaging technique.
Figure 112017044263089-pat00040

 열원 기판(1)에 서로 다른 열물성을 가지는 복수개의 시료 단위체가 모여 이루어진 시료 모듈(2)이 위치되는 배치단계(S100);
상기 열원 기판(1)에 일정 파형의 에너지를 인가하는 신호 인가단계(S200);
상기 시료 모듈(2)의 타면과 마주보는 상기 열원 기판(1)의 일면에서 나타나는 위상 신호와, 상기 시료 모듈(2)의 일면에서 나타나는 위상 신호를 측정하는 신호 측정단계(S300); 및
상기 신호 측정단계(S300)에서 측정된 위상 신호를 이용하여 시료 모듈(2)의 평균 열물성을 추정하는 열물성 추정단계(S400); 를 포함하며, 상기 열물성 추정단계(S400)는, 측정된 위상 신호를 하기 수학식 2에 대입하여 상기 시료 모듈(2)의 평균 열물성을 추정하는데 사용되는 상기 시료 모듈(2)의 평균 열확산 길이를 추정하는 것을 특징으로 하는, 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법.
Figure 112017044263089-pat00041

(S100) in which a sample module (2) having a plurality of sample unit bodies having different thermal properties gathered is placed on a heat source substrate (1);
A step S200 of applying a predetermined waveform energy to the heat source substrate 1;
A signal measuring step (S300) of measuring a phase signal appearing on one surface of the heat source substrate (1) facing the other surface of the sample module (2) and a phase signal appearing on one surface of the sample module (2); And
A thermal property estimation step (S400) of estimating an average thermal property of the sample module (2) using the phase signal measured in the signal measurement step (S300); Wherein the thermal property estimation step S400 is a step of estimating an average thermal property of the sample module 2 by substituting the measured phase signal into the following equation 2, And estimating the length of the phase-locked thermal image.
Figure 112017044263089-pat00041

 열원 기판(1)에 서로 다른 열물성을 가지는 복수개의 시료 단위체가 모여 이루어진 시료 모듈(2)이 위치되는 배치단계(S100);
상기 열원 기판(1)에 일정 파형의 에너지를 인가하는 신호 인가단계(S200);
상기 시료 모듈(2)의 타면과 마주보는 상기 열원 기판(1)의 일면에서 나타나는 위상 신호와, 상기 시료 모듈(2)의 일면에서 나타나는 위상 신호를 측정하는 신호 측정단계(S300); 및
상기 신호 측정단계(S300)에서 측정된 위상 신호를 이용하여 시료 모듈(2)의 평균 열물성을 추정하는 열물성 추정단계(S400); 를 포함하며,
상기 배치단계(S100)는 서로 다른 두께(
Figure 112017044263089-pat00051
,
Figure 112017044263089-pat00052
)의 제1 시료 모듈(2-1)과 제2 시료 모듈(2-2)이 각각 상기 열원 기판(1)에 위치되고,
상기 신호 측정단계(S300)는, 제1 시료 모듈 위상 측정단계(S310)와 제2 시료 모듈 위상 측정단계(S320)를 포함하며,
상기 열물성 추정단계(S400)는, 각각의 시료 모듈(2-1, 2-2)에서 측정된 위상 신호를 하기 수학식 3에 대입하여 상기 시료 모듈(2)의 평균 열물성을 추정하는데 사용되는 상기 시료 모듈(2)의 평균 열확산 길이를 추정하는 것을 특징으로 하는, 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법.
Figure 112017044263089-pat00044

(S100) in which a sample module (2) having a plurality of sample unit bodies having different thermal properties gathered is placed on a heat source substrate (1);
A step S200 of applying a predetermined waveform energy to the heat source substrate 1;
A signal measuring step (S300) of measuring a phase signal appearing on one surface of the heat source substrate (1) facing the other surface of the sample module (2) and a phase signal appearing on one surface of the sample module (2); And
A thermal property estimation step (S400) of estimating an average thermal property of the sample module (2) using the phase signal measured in the signal measurement step (S300); / RTI >
The placement step (SlOO)
Figure 112017044263089-pat00051
,
Figure 112017044263089-pat00052
The first sample module 2-1 and the second sample module 2-2 are positioned on the heat source substrate 1,
The signal measurement step S300 includes a first sample module phase measurement step S310 and a second sample module phase measurement step S320,
The thermal property estimation step S400 is used to estimate the average thermal properties of the sample module 2 by substituting the phase signals measured by the respective sample modules 2-1 and 2-2 into the following equation And estimating an average thermal diffusion length of the sample module (2) to be measured.
Figure 112017044263089-pat00044

 제 3항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 열원 기판(1)은 외부에서 인가되는 신호에 의해 지정된 지점에서 열을 방출하는 폴리레지스터부(1-1)가 형성되고,
상기 폴리레지스터부(1-1)는 서로 평행하게 이격 형성된 폴리레지스터 단위체(1-1A)로 이루어지되, 각각의 상기 폴리레지스터 단위체(1-1A)는 단부가 서로 인접한 상기 폴리레지스터단위체(1-1A)의 단부와 교차 연결된 것을 특징으로 하는, 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법.
6. The method according to any one of claims 3 to 5,
The heat source substrate 1 is formed with a poly resistor unit 1-1 that emits heat at a designated point by an externally applied signal,
The poly resistor unit 1-1 is composed of a poly register unit body 1-1A spaced apart in parallel with each other, and each of the poly register unit bodies 1-1A is connected to the poly resistor unit body 1- RTI ID = 0.0 > 1A. ≪ / RTI >
제 3항 또는 제 4항에 있어서,
상기 배치단계(S100)는 상기 열원 기판(1)을 XY평면에 위치시키는 기판 배치단계(S110)와, 상기 열원 기판(1)의 일면에 시료 모듈(2)의 타면을 위치시키는 시료 배치단계(S120)를 포함하고,
상기 신호 인가단계(S200)는 인가되는 에너지에 대응하여 상기 시료 모듈(2)과 접촉되는 상기 열원 기판(1)의 접촉일면과, 상기 접촉일면의 외부에 형성된 상기 열원 기판(1)의 비접촉일면에 열원 지점(a, b, c, d, e)을 형성하며,
상기 신호 측정단계(S300)는 상기 비접촉일면에 형성된 열원 지점(d, e)의 신호와, 상기 접촉일면에 형성된 열원 지점(a, b, c)의 Z축 방향에 위치된 상기 시료 모듈(2)의 일면 일지점(f, g, h)에서 나타나는 신호를 측정하는, 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법.
The method according to claim 3 or 4,
The placing step S100 includes a substrate placing step S110 for positioning the heat source substrate 1 in the XY plane and a sample placing step for positioning the other surface of the sample module 2 on one surface of the heat source substrate 1 S120)
In the signal application step S200, a contact surface of the heat source substrate 1 in contact with the sample module 2 and a contact surface of the heat source substrate 1 formed on the outside of the contact surface, (A, b, c, d, e)
The signal measuring step S300 is a step of measuring a signal of the heat source point d and e formed on the one noncontact surface and a signal of the sample module 2 located on the Z axis direction of the heat source points a, (F, g, h) at a one-sided point (f, g, h)
제 7항에 있어서,
상기 접촉 일면에 형성된 제1 열원 지점(a, b, c)은 동일선상에 위치되되 서로 열적 간섭이 일어나지 않도록 일정거리 이격 형성되고,
상기 비접촉 일면에 형성된 제2 열원 지점(d, e)은 상기 제1 열원 지점(a, b, c) 중 중심에 위치되는 중앙 열원 지점(b)을 축으로 수직 형성되는 것을 특징으로 하는, 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법.
8. The method of claim 7,
The first heat source points (a, b, c) formed on the one contact surface are spaced apart from each other by a predetermined distance so as not to generate thermal interference with each other,
Wherein the second heat source points d and e formed on the one noncontact surface are formed perpendicular to the central heat source point b located at the center of the first heat source points a, A Method of Measuring Thermal Properties Using a Locked Thermal Imaging Technique.
삭제delete 제 3항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 배치단계(S100)는, 열확산도가 0.1mm^2/s~1mm^2/s이고, 두께가 0.1mm~0.5mm인 박막을 열원 기판(1)과 시료 모듈(2) 사이 또는 시료면 위에 위치시키는 박막 설치단계(S130)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 위상잠금 열화상 기법을 이용한 열물성 측정방법.6. The method according to any one of claims 3 to 5,
The placement step S100 is a step in which a thin film having a thermal diffusivity of 0.1 mm ^ 2 / s to 1 mm ^ 2 / s and a thickness of 0.1 mm to 0.5 mm is placed between the heat source substrate 1 and the sample module 2, (S130), wherein the thin film deposition step (S130) comprises a thin film deposition step (S130).
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