KR101757169B1 - FORMING METHOD FOR SnS FILM AND MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR CELL BY USING THE FORMING METHOD - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고품질의 SnS 박막을 상용화에 적합한 공정으로 형성하는 방법에 관한 것으로, Sn과 S를 포함하는 전구체막을 형성하는 전구체막 형성단계; 상기 전구체막을 가열하여 Sn과 S를 반응시켜 SnS를 형성하면서 이외의 2차상은 기화시키는 단일상 형성 단계;를 포함하여 구성되고, 상기 단일상 형성 단계가, SnS는 기화하지 않고 Sn2S3와 SnS2 등의 2차상은 기화하는 압력 및 온도 조건에서 수행되어 단일상의 SnS 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, Sn과 S을 포함하는 전구체막을 형성한 뒤에 단일상 형성 단계를 수행하여 고품질의 SnS 박막을 형성하는 방법을 제공함으로써, 고품질의 SnS 박막을 상용화가 가능한 저비용의 공정으로 형성할 수 있는 뛰어난 효과를 나타낸다.
또한, 독성이 없고 재료비가 저렴한 고품질의 SnS 박막을 낮은 공정비용으로 형성함으로써, SnS 박막을 광흡수층으로 구비한 SnS 태양전지를 낮은 비용으로 제조할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a method of forming a high-quality SnS thin film as a process suitable for commercialization, comprising: a precursor film forming step of forming a precursor film containing Sn and S; Single-phase forming steps of vaporizing 2 chasangeun other than by reacting Sn and S is heated film precursor while forming a SnS; and configured including the stage of daily forming step, SnS is not vaporized Sn 2 S 3 and SnS 2 is characterized in that the secondary phase is carried out under the pressure and temperature conditions of vaporization to form a single-phase SnS thin film.
The present invention provides a method of forming a high-quality SnS thin film by performing a single-phase forming step after forming a precursor film containing Sn and S, whereby a high-quality SnS thin film can be formed by a low- Excellent effect.
In addition, by forming a high-quality SnS thin film having no toxicity and a low material cost at a low process cost, it is possible to manufacture a SnS solar cell having a SnS thin film as a light absorbing layer at low cost.
Description
본 발명은 SnS 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 2차상이 없는 순수한 SnS 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a SnS thin film, and more particularly to a method of forming a pure SnS thin film without a secondary phase.
최근 심각한 환경오염 문제와 화석 에너지 고갈로 차세대 청정에너지 개발에 대한 중요성이 증대되고 있다. 그 중에서도 태양전지는 태양 에너지를 직접 전기 에너지로 전환하는 장치로서, 공해가 적고, 자원이 무한적이며 반영구적인 수명이 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 에너지원으로 기대되고 있다.Recently, serious environmental pollution problem and depletion of fossil energy are increasing importance for next generation clean energy development. Among them, solar cell is a device that converts solar energy directly into electrical energy. It is expected to be an energy source that can solve the future energy problem because it has few pollution, has endless resources and has a semi-permanent lifetime.
태양전지는 광흡수층으로 사용되는 물질에 따라서 다양한 종류로 구분되며, 현재 가장 많이 사용되는 것은 실리콘을 이용한 실리콘 태양전지이다. 그러나 최근 실리콘의 공급부족으로 가격이 급등하면서 박막형 태양전지에 대한 관심이 증가하고 있다. 박막형 태양전지는 얇은 두께로 제작되므로 재료의 소모량이 적고, 무게가 가볍기 때문에 활용범위가 넓다. 이러한 박막형 태양전지의 재료로서 실용화가 진행된 물질로는 CdTe가 있으며, 최근에는 높은 광흡수 계수를 가지는 CIGS(Copper Indium Gallium Selenide)가 각광받고 있다.Photovoltaic cells are classified into various types according to the material used as a light absorbing layer, and silicon solar cells using silicon are the most widely used. However, recently, due to a shortage of supply of silicon, the price of solar cells has increased and interest in thin film solar cells is increasing. Thin-film solar cells are manufactured with a thin thickness, so they have a wide range of applications because of low consumption of materials and light weight. CdTe is a material that has been put to practical use as a material of such a thin film solar cell, and recently, CIGS (Copper Indium Gallium Selenide) having a high light absorption coefficient is attracting attention.
CdTe와 CIGS는 사용 재료 중에서 In과 Ga 및 Te가 고가의 물질이고, Se과 Cd가 독성을 나타내는 단점이 있다.CdTe and CIGS have a disadvantage in that In, Ga, and Te are expensive materials, and Se and Cd are toxic.
이러한 단점을 해결하기 위하여 새로운 광흡수층 재질에 대한 관심도 계속 이어지고 있으며, 그 중에 SnS는 실리콘과 유사한 밴드갭(1.1 eV)을 가지나 광흡수계수가 실리콘에 비해 월등히 크기 때문에 1㎛ 이하의 얇은 박막만으로도 밴드갭보다 큰 영역의 태양광스펙트럼을 대부분 흡수할 수 있으며, 주석과 황은 범용원소로써 그 매장량이 풍부하고 독성도 없는 장점이 있다.In order to solve these drawbacks, there is a continuing interest in a new light absorbing layer material. SnS has a bandgap similar to that of silicon (1.1 eV) but its light absorption coefficient is much larger than that of silicon. Therefore, It can absorb most of the solar spectrum in the region larger than the gap. Tin and sulfur are general-purpose elements, and their deposits are abundant and toxic.
SnS 박막 기반의 태양전지는 최근 2-3년간 1.3%에서 4.36%까지 효율 증대에 괄목할만한 성과를 보여 왔는데, 열진공증발(thermally evaporated) 기반 공정의 경우 상대적으로 낮은 효율을 나타내었고, 현재 최고효율 성과는 ALD 공정에 의한 것이지만 이는 산업적 응용이 어려운 단점이 있다. 이러한 문제는 SnS 합성 시 생성되는 Sn2S3나 SnS2와 같은 여타의 2차상에서 기인하는 것으로 이러한 2차상의 생성을 막고 순수한 SnS 상으로 구성된 박막을 합성하기 위한 연구가 계속되고 있다.SnS thin film-based solar cells have shown remarkable results in efficiency improvement from 1.3% to 4.36% over the last 2-3 years. In the case of thermally evaporated based processes, they showed relatively low efficiency, Although the achievement is based on the ALD process, it has a disadvantage that industrial application is difficult. This problem is caused by other secondary phases such as Sn 2 S 3 and SnS 2 produced in SnS synthesis, and studies for synthesizing thin films composed of pure SnS phase are being continued.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 고품질의 SnS 박막을 상용화에 적합한 공정으로 형성하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a method for forming a high-quality SnS thin film as a process suitable for commercialization.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 SnS 박막 형성방법은, Sn과 S를 포함하는 전구체막을 형성하는 전구체막 형성단계; 및 상기 전구체막을 가열하여 Sn과 S를 반응시켜 SnS를 형성하면서 이외의 2차상은 기화시키는 단일상 형성 단계;를 포함하여 구성되고, 상기 단일상 형성 단계가, SnS는 기화하지 않고 Sn2S3와 SnS2 등의 2차상은 기화하는 압력 및 온도 조건에서 수행되어 단일상의 SnS 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of forming a SnS thin film, comprising: forming a precursor film including Sn and S; And single-phase formation step of vaporizing 2 chasangeun other than by reacting Sn and S by heating the precursor film, forming a SnS; and comprise at the end of daily forming step, and Sn 2 S 3 SnS without vaporizing And a secondary phase such as SnS 2 is performed under a pressure and temperature condition to vaporize to form a single-phase SnS thin film.
이때, 전구체막에 포함된 Sn과 S의 비율이 Sn/S≥1 인 것이 바람직하다. Sn과 S의 비율이 Sn/S<1인 경우에는 2차상이 완전히 제거되지 않거나 2차상이 제거되는 경우에도 박막의 형상이 불균일하여 태양전지의 성능이 저하되는 원인이 될 수 있다.At this time, it is preferable that the ratio of Sn and S contained in the precursor film is Sn / S? 1. When the ratio of Sn to S is Sn / S < 1, even if the secondary phase is not completely removed or the secondary phase is removed, the shape of the thin film may be uneven and the performance of the solar cell may be deteriorated.
본 발명의 발명자들은 전구체를 가열하는 온도와 압력 조건에 따라서, SnS 상은 기화하지 않지만, 이외의 2차상인 Sn2S3 등은 기화하는 조건 영역이 있음을 확인하고, 전구체 박막을 이 영역에서 열처리하는 1회의 열처리 공정으로 SnS 박막을 형성하는 본 발명을 개발하였다. 본 발명의 단일상 형성단계에서는 SnS를 형성함과 동시에 SnS와 함께 형성될 수 있는 2차상을 기화시켜 순도를 높이는 정제 공정이 수행되기 때문에 순수한 SnS 박막을 형성할 수 있다.The inventors of the present invention confirmed that the SnS phase does not vaporize depending on the temperature and pressure conditions for heating the precursor, but the other secondary phase, Sn 2 S 3 , is vaporized, and the precursor thin film is heat- To form a SnS thin film by a single heat treatment process. In the single-phase forming step of the present invention, a pure SnS thin film can be formed because a purification process of forming a SnS and simultaneously forming a secondary phase, which may be formed together with SnS, is performed to increase the purity.
이때, 단일상 형성단계 단계가 300℃보다 낮은 온도 범위에서 수행되는 경우에는 Sn과 S의 반응이 원활하게 진행되지 않는 문제가 있으므로, 300℃이상의 온도에서 수행되는 것이 바람직하다.In this case, when the single phase forming step is performed at a temperature lower than 300 ° C., the reaction between Sn and S does not proceed smoothly.
단일상 형성 단계에 적합한 온도와 압력범위는, 온도가 낮을수록 진공도가 높아야 하고 진공도가 낮을수록 온도가 높아야하는 관계에 있다. 공정에 필요한 진공도와 온도가 높을수록 공정비용이 상승하므로 적절한 진공도와 온도를 선택하여야 한다.The temperature and pressure range suitable for the single-phase forming step are such that the lower the temperature, the higher the degree of vacuum, and the lower the degree of vacuum, the higher the temperature. The higher the degree of vacuum and temperature required for the process, the higher the process cost. Therefore, the appropriate degree of vacuum and temperature should be selected.
진공증발장비의 성능을 고려할 때에, 단일상 형성 단계를 위한 압력조건을 1.0×10-2torr 이하로 조절하는 것은 과도한 비용이 들지 않으며, 이에 따라서 온도 조건도 600℃ 이하의 범위가 되어 적당하다. Considering the performance of the vacuum evaporation equipment, it is not excessive to adjust the pressure condition for the single-phase forming step to 1.0 × 10 -2 torr or lower, and accordingly, the temperature condition is also suitable within a range of 600 ° C. or less.
본 발명은 전구체막을 형성한 뒤에 정제공정을 수반하는 단일상 형성단계를 수행하여 고품질의 SnS 박막을 형성하는 방법을 제공함으로써, 고품질의 SnS 박막을 상용화가 가능한 공정으로 형성할 수 있는 뛰어난 효과를 나타낸다. 전구체막은 Sn과 S가 반응하여 SnS를 형성하기 전 단계에 있는 물질로서, 반응하지 않은 Sn과 S로 구성되는 박막을 의미하지만, Sn과 S가 전혀 반응하지 않은 것을 한정하는 것은 아니다. 증착단계에서 SnS가 일부 형성될 수도 있고, 본 발명은 단일상 형성단계에서 2차상을 기화시키기 때문에 미량 또는 소량의 2차상을 포함한 것일 수 있으며, 이하에서 전구체막은 이러한 내용으로 이해되어야 할 것이다.The present invention provides an excellent effect of forming a high-quality SnS thin film as a process capable of commercialization by providing a method of forming a high quality SnS thin film by performing a single phase forming step involving a purification process after forming a precursor film . The precursor film refers to a thin film composed of unreacted Sn and S before Sn and S react to form SnS, but it does not limit that Sn and S react at all. The SnS may be partially formed in the deposition step. Since the present invention vaporizes the secondary phase in the single-phase formation step, the SnS may include a small amount or a small amount of the secondary phase. Hereinafter, the precursor film should be understood as such.
전구체막 형성단계는 Sn과 S의 반응을 최소화하기 위하여 200℃ 미만의 온도에서 수행되는 것이 좋고, 바람직하게는 100℃ 이하의 온도에서 수행되는 것이 좋으며, 별도로 가열하지 않은 실온에서 수행될 수도 있다.The precursor film forming step is preferably performed at a temperature of less than 200 ° C to minimize the reaction between Sn and S, preferably at a temperature of 100 ° C or less, and may be performed at room temperature without being separately heated.
이러한 전구체막 형성단계는 동시진공증발 공정으로 수행되는 것이 좋으나, 이에 한정되는 것은 아니고 Sn와 S의 반응을 최소화한 상태로 증착할 수 있는 방법이면 모두 적용될 수 있다.The precursor film forming step may be performed by a simultaneous vacuum evaporation process. However, the present invention is not limited thereto, and any precursor film forming method that minimizes the reaction between Sn and S can be applied.
본 발명의 다른 형태에 의한 SnS 태양전지의 제조방법은 SnS 박막을 광흡수층으로 구비한 SnS 태양전지의 제조방법으로서, 상기 SnS 박막을 형성하는 공정이 상기한 형상방법 중에 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a SnS solar cell according to another embodiment of the present invention is a method of manufacturing a SnS solar cell having a SnS thin film as a light absorbing layer, wherein the step of forming the SnS thin film is performed by one of the above- .
본 발명의 SnS 태양전지 제조법에 따르면, 고품질의 SnS 박막을 낮은 공정비용으로 형성함으로써, SnS 박막을 광흡수층으로 구비한 SnS 태양전지를 낮은 비용으로 제조할 수 있는 효과가 있다. 따라서 본 발명에 의해서 제조된 SnS 태양전지는 독성물질을 포함하지 않을 뿐만 아니라 발전에 필요한 전력당 비용을 크게 낮춰 비용 효율이 크게 향상되는 효과가 있다.According to the SnS solar cell manufacturing method of the present invention, it is possible to manufacture a SnS solar cell having a SnS thin film as a light absorption layer at a low cost by forming a high quality SnS thin film at a low process cost. Therefore, the SnS solar cell manufactured according to the present invention does not contain toxic substances and significantly reduces the cost per electric power required for power generation, thereby remarkably improving the cost efficiency.
본 발명의 또 다른 형태에 의한 SnS 박막은, 태양전지의 광흡수층으로 사용될 수 있는 SnS 재질의 반도체 박막으로서, Sn과 S를 포함하는 전구체막을 형성한 뒤에 SnS는 기화하지 않고 Sn2S3와 SnS2 등의 2차상은 기화하는 압력 및 온도 조건에서 상기 전구체막에 포함된 Sn와 S를 반응시킴으로써 2차상이 제거된 것을 특징으로 한다.SnS thin film according to a further aspect of the present invention is a semiconductor thin film of SnS materials that may be used as the light absorption layer of a solar cell, Sn and a precursor one after the film is formed SnS containing S are not vaporized Sn 2 S 3 and SnS The second phase is removed by reacting Sn and S contained in the precursor film under the pressure and temperature conditions of vaporization.
본 발명의 SnS 박막은 전구체막 형성 이후에 단일상 형성 단계를 수행하는 방법으로 제조되어 상업화에 적합한 공정으로 구성되면서도 SnS 이외의 2차상이 모두 제거된 고품질의 SnS 박막을 제공하는 것을 특징으로 한다.The SnS thin film of the present invention is characterized by providing a high-quality SnS thin film which is manufactured by a method of performing a single-phase forming step after forming a precursor film and is composed of a process suitable for commercialization, while removing secondary phases other than SnS.
이때, SnS 박막에 포함된 Sn과 S의 비율이 Sn/S≥1 인 것이 좋다. 이는 전구체막의 조성 비율에 영향 받은 것으로서, S의 양이 더 많은 경우에는 2차상의 제거가 어려울 뿐만 아니라 2차상이 모두 제거되어도 SnS 박막의 품질이 나쁘다.At this time, it is preferable that the ratio of Sn to S contained in the SnS thin film is Sn / S? 1. This is influenced by the composition ratio of the precursor film. If the amount of S is larger, it is difficult to remove the secondary phase, and the quality of the SnS thin film is poor even if the secondary phase is completely removed.
본 발명의 마지막 형태에 의한 SnS 태양전지는, SnS 박막을 광흡수층으로 구비한 태양전지로서, 상기 SnS 박막이 Sn과 S를 포함하는 전구체막을 형성한 뒤에 SnS는 기화하지 않고 Sn2S3와 SnS2 등의 2차상은 기화하는 압력 및 온도 조건에서 상기 전구체막에 포함된 Sn와 S를 반응시킴으로써 2차상이 제거된 것을 특징으로 한다.SnS solar cell according to the final aspect of the present invention, as a solar cell having a SnS thin film as the light absorption layer, the SnS thin film after forming a film precursor including Sn and S SnS is not vaporized Sn 2 S 3 and SnS The second phase is removed by reacting Sn and S contained in the precursor film under the pressure and temperature conditions of vaporization.
본 발명의 태양전지는 상업화가 가능한 공정으로 제조된 고품질의 SnS 광흡수층을 구비함으로써, 독성이 없는 고효율의 SnS 태양전지를 제공하여 경제성이 뛰어난 효과가 있다.The solar cell of the present invention has a high-quality SnS light absorbing layer manufactured by a process that can be commercialized, thereby providing a high-efficiency SnS solar cell having no toxicity, thereby providing an economical effect.
본 발명의 SnS 박막 및 이를 광흡수층으로서 포함하는 태양전지를 제조방법적으로 설명하였으나, 본 발명의 SnS 박막과 태양전지는 제조방법 상의 특징에 의해서 특유의 물리적 특성을 나타내지만 이를 수치적으로 표현하기 어려우므로, 제조방법적으로 설명하는 것이 가장 명확하게 본 발명을 설명하는 것이다.Although the SnS thin film of the present invention and the solar cell including the SnS thin film as the light absorbing layer have been described, the SnS thin film and the solar cell of the present invention exhibit unique physical characteristics due to the characteristics of the manufacturing method, It is most difficult to explain the present invention by describing it in terms of the manufacturing method.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명은, Sn과 S을 포함하는 전구체막을 형성한 뒤에 단일상 형성 단계를 수행하여 고품질의 SnS 박막을 형성하는 방법을 제공함으로써, 고품질의 SnS 박막을 상용화가 가능한 저비용의 공정으로 형성할 수 있는 뛰어난 효과를 나타낸다.The present invention constructed as described above provides a method of forming a high-quality SnS thin film by performing a single phase forming step after forming a precursor film containing Sn and S, thereby achieving a low-cost process capable of commercializing a high-quality SnS thin film Can exhibit an excellent effect.
또한, 독성이 없고 재료비가 저렴한 고품질의 SnS 박막을 낮은 공정비용으로 형성함으로써, SnS 박막을 광흡수층으로 구비한 SnS 태양전지를 낮은 비용으로 제조할 수 있는 효과가 있다.In addition, by forming a high-quality SnS thin film having no toxicity and a low material cost at a low process cost, it is possible to manufacture a SnS solar cell having a SnS thin film as a light absorbing layer at low cost.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 SnS 박막 형성 공정 조건을 나타낸 도면이다.
도 2와 도 3은 비교예 1과 비교예 2에 따른 SnS 박막 형성 공정 조건을 나타낸 도면이다.
도 4와 도 5는 본 발명에 따른 실시예에 의해서 형성된 SnS 박막의 단면과 표면을 촬영한 전자현미경 사진이다.
도 6과 도 7은 비교예 1에 의해서 형성된 SnS 박막의 단면과 표면을 촬영한 전자현미경 사진이다.
도 8과 도 9는 비교예 2에 의해서 형성된 SnS 박막의 단면과 표면을 촬영한 전자현미경 사진이다.
도 10은 본 실시예와 비교예에 의해서 형성된 SnS 박막에 대한 XRD 분석 결과이다.
도 11 내지 도 15는 각각 150℃, 250℃, 350℃, 400℃ 및 450℃의 기판 온도에서 열처리하여 형성된 본 실시예의 SnS 박막에 대한 사진과 표면과 단면에 대한 전자현미경 사진이다.
도 16은 본 발명의 단일상 형성 단계에 적합한 공정조건을 찾기 위한 그래프이다.
도 17은 Sn/S<1인 전구체 박막을 다양한 온도에서 열처리하여 제조된 경우에 대한 XRD 분석 결과이다.1 is a view showing a process condition of an SnS thin film forming process according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2 and 3 are views showing the conditions of the SnS thin film forming process according to Comparative Example 1 and Comparative Example 2. FIG.
FIG. 4 and FIG. 5 are electron micrographs of a cross section and a surface of a SnS thin film formed according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 6 and 7 are electron micrographs of the cross section and the surface of the SnS thin film formed by Comparative Example 1. FIG.
FIGS. 8 and 9 are electron micrographs of a cross section and a surface of a SnS thin film formed by Comparative Example 2. FIG.
10 shows XRD analysis results of the SnS thin film formed by the present embodiment and the comparative example.
FIGS. 11 to 15 are photographs and electron micrographs of SnS thin films of this embodiment formed by heat treatment at substrate temperatures of 150 ° C., 250 ° C., 350 ° C., 400 ° C. and 450 ° C., respectively.
16 is a graph for seeking process conditions suitable for the single-phase forming step of the present invention.
FIG. 17 shows XRD analysis results for a case where the precursor thin film having Sn / S < 1 is manufactured by heat treatment at various temperatures.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail.
먼저, 소다라임 유리 기판에 몰리브덴 전극층을 형성한 뒤에 그 위에 SnS 박막을 형성하였다.First, a molybdenum electrode layer was formed on a soda lime glass substrate, and then a SnS thin film was formed thereon.
소다라임 유리 기판과 몰리브덴 전극층은 박막형 태양전지 제조에 주로 사용되는 구성이므로, 이러한 구조 위에 고품질의 SnS 박막을 형성할 수 있는지 여부가 태양전지 효율에 직접적으로 연결된다. 본 실시예에서는 소다라임 유리 기판 표면에 DC 스퍼터링 공정으로 형성된 약 1㎛ 두께의 몰리브덴 전극층 위에 SnS 박막 형성을 수행하였다.Since the soda lime glass substrate and the molybdenum electrode layer are mainly used for manufacturing thin film solar cells, whether or not a high quality SnS thin film can be formed on such a structure is directly connected to the solar cell efficiency. In this embodiment, a SnS thin film was formed on a molybdenum electrode layer of about 1 탆 thickness formed by a DC sputtering process on the surface of a soda lime glass substrate.
본 발명의 SnS 박막 형성 방법은 전구체막 형성단계 및 단일상 형성 단계를 포함하여 구성된다.The SnS thin film forming method of the present invention comprises a precursor film forming step and a single phase forming step.
전구체막 형성단계는 Sn와 S를 포함하는 전구체막을 형성하는 단계이다.The precursor film forming step is a step of forming a precursor film containing Sn and S.
이러한 전구체막은 Sn과 S의 반응을 최소화하는 온도 범위에서, Sn과 S를 증착하여 수행되며, 본 실시예에서는 기판에 별도의 가열 없이 30분 동안 동시진공증발 공정으로 Sn과 S를 증착하여 수행하였다. This precursor film is formed by depositing Sn and S in a temperature range that minimizes the reaction between Sn and S. In this embodiment, Sn and S are deposited by evaporating the substrate for 30 minutes without additional heating in the present embodiment .
실온에서의 동시진공증발 공정으로 인하여 Sn와 S가 반응하여 SnS를 형성하지 않은 상태로 혼합된 전구체막을 형성할 수 있다. 이때, 전구체막에 혼합된 Sn과 S 원소의 비율이 동일하도록 조절하였으며, 비율을 완전히 동일하게 맞추기 어려운 경우라면, Sn의 양이 S보다 많도록, 즉 Sn/S≥1 이 되도록 조절한다. Sn보다 S의 양이 많은 경우(Sn/S<1)에도, 본 실시예의 방법을 적용면 2차상의 형성되는 것을 제어할 수는 있었다. 하지만 Sn과 S의 비율차이로 인하여 SnS 박막의 미세구조가 바람직하지 못한 결과를 나타내었으며, 이는 태양전지의 발전 효율을 낮추는 요인이 될 수 있으므로 비율의 조절이 필요하다.Due to the simultaneous vacuum evaporation process at room temperature, Sn and S react with each other to form a mixed precursor film without forming SnS. In this case, the proportion of the Sn and S elements mixed in the precursor film is adjusted to be the same. If the ratio is not uniform, it is adjusted so that the amount of Sn is larger than S, that is, Sn / S? Even when the amount of S is larger than Sn (Sn / S < 1), formation of the secondary phase can be controlled by applying the method of the present embodiment. However, due to the difference in the ratio of Sn and S, the microstructure of the SnS thin film has an undesirable result, which may be a factor to lower the power generation efficiency of the solar cell.
한편, 본 실시예에서는 실온에서 동시증발 공정을 수행하였으나, Sn과 S의 반응이 일어날 수 있는 온도인 200℃ 보다 낮은 온도 범위라면 SnS로의 결합이 활발하게 진행되지 않기 때문에 전구체막을 형성할 수 있을 것이다. 다만, 기판의 온도가 높을수록 Sn과 S가 반응하여 SnS가 아닌 2차상이 형성될 가능성이 증가하고 이는 단일상 형성 단계에서 제거될 2차상이 많아지는 것을 의미하므로 기판의 온도는 낮은 것이 좋으며, 구체적으로 기판의 온도가 100℃ 이하인 것이 바람직하다.Meanwhile, in this embodiment, the simultaneous evaporation process is performed at room temperature, but if the temperature is lower than 200 ° C. at which the reaction between Sn and S can occur, the precursor film can be formed because binding to SnS does not actively proceed . However, the higher the temperature of the substrate, the greater the likelihood that Sn and S will react to form a secondary phase rather than SnS, which means that the secondary phase to be removed in the single phase is increased, so that the temperature of the substrate is preferably low, Specifically, the temperature of the substrate is preferably 100 DEG C or less.
단일상 형성 단계는 전구체막에 포함된 Sn과 S를 반응시키는 것과 동시에 불필요한 2차상은 기화시킴으로써 순수한 SnS만 남겨진 SnS 박막을 형성하는 단계이다.In the single-phase formation step, Sn and S contained in the precursor film are reacted, and at the same time, unnecessary secondary phase is vaporized to form a SnS thin film in which only pure SnS is left.
온도가 올라가면 Sn과 S가 반응하여 SnS와 함께 Sn2S3나 SnS2와 같은 2차상이 동시에 형성될 수 있지만, 본 발명은 별도의 가스 분위기를 조성하지 않고 압력과 온도 조건을 조절함으로써 반응된 물질 중에서 SnS는 잔류시키고 2차상은 기화시켜 순수한 SnS 재질의 박막을 형성할 수 있다. When the temperature rises, Sn and S react with each other to form a secondary phase such as Sn 2 S 3 or SnS 2 together with SnS. However, the present invention is not limited to the above- SnS can be left in the material and the secondary phase can be vaporized to form a thin SnS material.
본 실시예에서는 전구체막의 제조과정이 동시진공 증발 공정으로 수행되어, 챔버 내부가 진공상태이므로 Sn과 S의 공급만을 중지한 상태에서 기판의 온도를 400℃까지 승온시킨 뒤에 10분간 단일상 형성 단계를 수행하였으며, 챔버 내부의 압력은 10-5torr 이었다. 본 실시예의 단일상 형성 단계의 공정 조건은 차후에 자세하게 살펴보겠지만, 2차상은 기화하지만 SnS는 고체 상태로 남을 수 있는 조건이다.In this embodiment, since the precursor film is formed by the simultaneous vacuum evaporation process and the inside of the chamber is in a vacuum state, the temperature of the substrate is raised to 400 ° C with only the supply of Sn and S being stopped, And the pressure inside the chamber was 10 -5 torr. The process conditions of the single-phase forming step of this embodiment will be described in detail later, but the secondary phase is vaporized, but SnS can be left in a solid state.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 SnS 박막 형성 공정 조건을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a process condition of an SnS thin film forming process according to an embodiment of the present invention.
상기한 본 발명에 따른 실시예의 효과를 확인하기 위한 비교예로서 2가지 다른 방식으로 SnS 박막을 형성하였다.As a comparative example for confirming the effect of the embodiment of the present invention described above, SnS thin films were formed in two different ways.
2가지 비교예 모두가 상기한 실시예와 동일하게 소다라임 유리 기판의 표면에 DC 스퍼터링으로 형성시킨 1㎛ 두께의 몰리브덴 전극층 위에 형성 공정을 진행하였다.All of the two comparative examples were formed on a 1 μm-thick molybdenum electrode layer formed by DC sputtering on the surface of a soda lime glass substrate in the same manner as in the above embodiment.
비교예 1은 동시진공증발 공정으로 30분 동안 Sn과 S를 동시 증착하되 기판의 온도를 400℃로 조절하였다.In Comparative Example 1, Sn and S were simultaneously deposited for 30 minutes in a simultaneous vacuum evaporation process, and the temperature of the substrate was adjusted to 400 ° C.
비교예 1을 통해서, 본 발명이 전구체막 형성 단계와 단일상 형성 단계를 분리하여 수행하는 효과를 확인할 수 있을 것이다.In Comparative Example 1, it can be seen that the present invention separates the precursor film forming step and the single phase forming step.
비교예 2는 기판온도를 실온으로 유지한 상태에서 동시진공증발 공정으로 30분 동안 Sn과 S를 동시 증착하여 전구체막을 형성하는 것까지는 상기한 실시예와 동일하다. 다만, 본 발명과 달리 열처리 단계를 N2 가스 분위기에서 수행하기 위하여 N2 가스를 챔버 내에 주입하였으며, 최종적으로 N2 가스로 채워진 챔버의 내부가 대기압보다 조금 높은 777torr인 상태에서 400℃의 온도에서 10분간 열처리를 수행하였다.In the comparative example 2, Sn and S are simultaneously deposited by a simultaneous vacuum evaporation process for 30 minutes while the substrate temperature is maintained at room temperature to form a precursor film. However, unlike the present invention, N 2 gas was injected into the chamber to perform the heat treatment step in the N 2 gas atmosphere. Finally, the chamber filled with the N 2 gas was heated at a temperature of 400 ° C. in a state of 777 torr, Heat treatment was performed for 10 minutes.
불활성 가스인 질소 분위기에서 열처리를 수행한 비교예 2를 통해서, 열처리 단계의 공정 조건의 효과에 대하여 확인할 수 있을 것이다.The effect of the process condition of the heat treatment step can be confirmed through the comparative example 2 in which the heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere which is an inert gas.
도 2와 도 3은 비교예 1과 비교예 2에 따른 SnS 박막 형성 공정 조건을 나타낸 도면이다.FIGS. 2 and 3 are views showing the conditions of the SnS thin film forming process according to Comparative Example 1 and Comparative Example 2. FIG.
이하에서는 본 발명에 따른 실시예 및 비교예에 의해서 제조된 SnS 박막의 특성을 평가한 결과를 살펴본다.Hereinafter, characteristics of the SnS thin film produced according to Examples and Comparative Examples according to the present invention will be described.
도 4와 도 5는 본 발명에 따른 실시예에 의해서 형성된 SnS 박막의 단면과 표면을 촬영한 전자현미경 사진이다. 도 6과 도 7은 비교예 1에 의해서 형성된 SnS 박막의 단면과 표면을 촬영한 전자현미경 사진이고, 도 8과 도 9는 비교예 2에 의해서 형성된 SnS 박막의 단면과 표면을 촬영한 전자현미경 사진이다.FIG. 4 and FIG. 5 are electron micrographs of a cross section and a surface of a SnS thin film formed according to an embodiment of the present invention. FIGS. 6 and 7 are electron micrographs of the SnS thin film formed by Comparative Example 1, and FIGS. 8 and 9 are electron micrographs of the SnS thin film formed by Comparative Example 2, to be.
본 실시예에 따라서 형성된 SnS 박막은 전구체막을 먼저 형성하였기 때문에 표면이 매끄럽게 형성된 것을 확인할 수 있으나, 400℃에서 동시진공증발 공정을 수행한 비교예 1은 증착과정에서 Sn와 S의 반응이 진행되어 표면이 매우 거친 형상인 것을 확인할 수 있다. 본 실시예와 같이 전구체막을 형성한 뒤에 열처리를 수행한 비교예 2는 비교예 1과 달리 표면이 전체적으로는 매끄럽지만 일부 표면에서 돌출된 구조물이 형성된 것을 확인할 수 있다.It was confirmed that the SnS thin film formed according to this embodiment had a smooth surface because the precursor film was formed first. However, in Comparative Example 1 in which the simultaneous vacuum evaporation process was performed at 400 ° C, the reaction of Sn and S proceeded during the deposition process, Can be confirmed to be a very rough shape. In contrast to Comparative Example 1, in Comparative Example 2 in which the precursor film was formed and then heat treatment was performed in the same manner as in this Example, it was confirmed that a structure protruding from a part of the surface was formed although the surface was smooth as a whole.
도 10은 본 실시예와 비교예에 의해서 형성된 SnS 박막에 대한 XRD 분석 결과이다.10 shows XRD analysis results of the SnS thin film formed by the present embodiment and the comparative example.
도시된 것과 같이, 본 실시예에 의해서 제조된 SnS 박막은 2차상인 Sn2S3 또는 SnS2에 해당하는 피크가 나타나지 않았으나, 비교예 1과 비교예 2에 의해서 제조된 SnS 박막에는 Sn2S3과 SnS2에 해당하는 피크가 나타났다.As shown in the figure, the SnS thin film produced according to the present embodiment did not show a peak corresponding to the secondary phase Sn 2 S 3 or SnS 2 , but the SnS thin film produced by Comparative Example 1 and Comparative Example 2 contained Sn 2 S 3 and SnS 2 .
이로부터, 본 실시예에 의한 경우에 SnS를 제외한 2차상이 제어된 SnS 박막을 형성할 수 있음을 확인할 수 있으며, 특히 동시진공증발 공정과 동시에 Sn과 S를 반응시킨 비교예 1에 의한 SnS 박막에서 2차상의 피크가 매우 강하게 나타났다.It can be seen from this that, in the case of this embodiment, it is possible to form a SnS thin film with controlled secondary phase other than SnS, and in particular, SnS thin film according to Comparative Example 1 in which Sn and S are reacted simultaneously with the simultaneous vacuum evaporation process The second order peaks were very strong.
본 발명에 따른 SnS 박막 형성방법의 특징을 확인하기 위하여, 동일한 조건에서 전구체 박막을 형성한 뒤에 가열하되, 기판의 가열 온도를 150℃, 250℃, 350℃, 400℃ 및 450℃로 다르게 조절하였다.In order to confirm the characteristics of the SnS thin film forming method according to the present invention, the precursor thin film was formed under the same conditions, and then the substrate was heated at 150 ° C., 250 ° C., 350 ° C., 400 ° C. and 450 ° C. .
도 11 내지 도 15는 각각 150℃, 250℃, 350℃, 400℃ 및 450℃의 기판 온도로 가열되어 형성된 고체 박막에 대한 사진과 표면과 단면에 대한 전자현미경 사진이다.FIGS. 11 to 15 are photographs of a solid thin film formed by heating at substrate temperatures of 150.degree. C., 250.degree. C., 350.degree. C., 400.degree. C. and 450.degree. C., respectively, and electron micrographs of surfaces and cross sections.
도시된 것과 같이, 열처리 단계에의 기판 온도가 낮을수록 고체 박막의 내부가 치밀하게 남아 있고, 기판 온도가 높아질수록 고체 박막 내부에 공간이 형성된 것으로 나타났으며, 이로부터 열처리 단계에서 Sn과 S의 반응이 진행될 뿐만 아니라 반응생성물이 기화되는 기화현상도 진행되는 것을 확인할 수 있다. 단일상 형성 단계에서의 기화 현상은 제조된 박막의 두께에서도 확인이 가능하며, 기판의 온도가 높을수록 남아있는 박막의 두께가 얇아지는 것을 확인할 수 있고, 550℃ 이상의 온도에서는 고체 박막이 남지 않고 모두 기화하여 사라졌다. As shown in the figure, the lower the substrate temperature in the heat treatment step, the more densely the interior of the solid thin film remains, and the higher the substrate temperature, the more space is formed inside the solid thin film. Not only the reaction proceeds but also the vaporization phenomenon in which the reaction product is vaporized proceeds. The vaporization phenomenon in the single-phase formation step can be confirmed from the thickness of the manufactured thin film, and it can be confirmed that the thickness of the remaining thin film becomes thinner as the temperature of the substrate becomes higher. At a temperature of 550 ° C or higher, It evaporated and disappeared.
그리고 이러한 기화현상은 온도에 따른 영향도 있지만, 단일상 형성 단계를 진행하는 압력조건과도 영향이 있다. 한편, 도 10의 XRD 분석에서 본 실시예에 따른 SnS 박막에는 2차상이 없었으나, 비교예 2에서는 2차상이 잔류하는 것은 압력조건의 차이에 기인한다. 이는 본 실시예와 비교예 2의 압력조건 차이에 의해서, 본 실시예에서는 2차상이 기화되어 박막에 잔류하지 않지만 비교예 2에서는 2차상이 기화되지 않고 박막에 잔류하는 것으로 유추할 수 있다.These vaporization phenomena are influenced by the temperature, but also by the pressure conditions in the single phase formation step. On the other hand, in the XRD analysis of FIG. 10, there was no secondary phase in the SnS thin film according to the present embodiment, but the secondary phase remained in Comparative Example 2 due to the difference in the pressure conditions. It can be deduced that the secondary phase is not vaporized and remains in the thin film due to the difference in the pressure conditions in this embodiment and the second embodiment, but in the second embodiment, the secondary phase is not vaporized and remains in the thin film.
이상의 내용을 기초로, 본 발명의 발명자들은 SnS상과 이외의 2차상들 사이에 기화조건에서 차이가 있음을 발견하였고, SnS상과 2차상들의 기화 조건을 확인하였다.Based on the above description, the inventors of the present invention have found that there is a difference in the vaporization conditions between the SnS phase and the secondary phases other than the SnS phase, and confirmed the vaporization conditions of the SnS phase and the secondary phases.
도 16은 본 발명의 단일상 형성 단계에 적합한 영역을 나타낸 그래프이다.Figure 16 is a graph showing the area suitable for the single-phase forming step of the present invention.
도면에 (I)로 표시된 영역은 SnS가 고체 상태로 유지되지 않고 SnS 가스로 기화되는 범위이며, (II)로 표시된 영역은 SnS가 고체 상태로 유지되면서 Sn2S3와 SnS2 등의 2차상은 고체 상태를 유지하지 못하고 분해되어 기화하는 영역이다. 마지막으로, (III)로 표시된 영역은 Sn2S3와 SnS2 등의 2차상도 고체 상태로 유지될 수 있는 영역이다. In the region indicated by (I) in the figure, SnS is not maintained in a solid state but is vaporized into SnS gas. In the region indicated by (II), SnS is kept in a solid state, and secondary phases such as Sn 2 S 3 and SnS 2 It is a region that decomposes and vaporizes without maintaining solid state. Finally, the region indicated by (III) is a region where a secondary phase such as Sn 2 S 3 and SnS 2 can be maintained in a solid state.
따라서 본 발명의 단일상 형성 단계는 (II)영역에서 수행되어야 한다. Therefore, the single phase forming step of the present invention must be carried out in the (II) region.
다만, 온도가 너무 낮으면 SnS로의 합성반응이 진행되지 않으므로, 단일상 형성 단계는 300℃ 이상의 온도에서 수행되는 것이 좋다. However, if the temperature is too low, the synthesis reaction with SnS does not proceed, so that the single phase forming step is preferably performed at a temperature of 300 ° C or higher.
이때, 낮은 온도에서 2차상들을 기화시키기 위해서는 진공도가 높아야하며, 300℃의 경우에는 약 1.0×10-7torr 보다 높은 진공상태가 필요하다. 반대로, 낮은 진공도에서 단일상 형성 단계를 수행하는 경우에는 높은 가열 온도가 필요하다. 도 16에 도시된 것과 같이, 1.0×10-2torr의 압력조건에서는 500~600℃의 온도 범위로 수행되어야 하고, 이보다 진공도가 낮으면 더 높은 온도로 가열하여야 하므로, 일반적 진공증발장비의 수준을 고려할 때에, 1.0×10-2torr 이하의 압력 범위에서 단일상 형성 단계를 수행하는 것이 바람직하다. 진공도가 높아지거나 가열온도가 높아질수록 공정비용도 높아지므로, 적절한 진공도와 그에 맞은 가열온도를 선정하여 단일상 형성 단계를 수행하여야 한다.In this case, the vacuum must be high to vaporize the secondary phases at a low temperature, and a vacuum state higher than about 1.0 × 10 -7 torr at 300 ° C. is required. Conversely, a high heating temperature is needed when performing a single phase forming step at low vacuum. As shown in FIG. 16, the pressure should be in the range of 500 to 600 ° C. under a pressure of 1.0 × 10 -2 torr. If the degree of vacuum is lower, the temperature must be increased to a higher temperature. It is preferable to carry out the single phase forming step in the pressure range of 1.0 x 10 -2 torr or less. Since the higher the degree of vacuum or the higher the heating temperature, the higher the process cost, the more appropriate degree of vacuum and the corresponding heating temperature should be selected to perform the single phase forming step.
도 16을 기준으로 살펴보면, 본 실시예의 형성방법에서는 (II)영역에서 단일상 형성 단계가 수행되어 Sn2S3와 SnS2와 같은 2차상이 모두 기화하여 제거된 것임을 알 수 있다. 반면에, 비교예 2에서는 동일한 온도에서 열처리를 수행하였음에도 압력조건에 의해서 (III)영역에서 공정이 수행되었고 2차상이 잔류하는 결과가 되었다. 이로부터 본 발명의 단일상 형성 단계가 온도 및 압력 조건을 만족하는 상태에서 수행되어야 하는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 16, it can be understood that the secondary phase such as Sn 2 S 3 and SnS 2 are all vaporized and removed by performing the single phase forming step in the region (II) in the forming method of this embodiment. On the other hand, in Comparative Example 2, although the heat treatment was performed at the same temperature, the process was performed in the region (III) by the pressure conditions and the secondary phase remained. From this, it can be confirmed that the single phase forming step of the present invention should be performed in a state of satisfying the temperature and pressure conditions.
다음으로, 전구체 박막에 포함된 Sn과 S의 비율에 따른 영향을 확인하기 위하여, 전구체 박막에 포함된 Sn:S의 비율이 1:1.356인 경우에 대하여 200℃, 300℃ 및 400℃ 기판온도에서 열처리 단계를 수행하였다.Next, in order to examine the effect of the ratio of Sn and S contained in the precursor thin film, the ratio of Sn: S contained in the precursor thin film was 1: 1.356, and the substrate temperature was 200 ° C., 300 ° C., A heat treatment step was performed.
도 17은 Sn/S<1인 전구체 박막을 다양한 온도에서 열처리하여 제조된 경우에 대한 XRD 분석 결과이다.FIG. 17 shows XRD analysis results for a case where the precursor thin film having Sn / S < 1 is manufactured by heat treatment at various temperatures.
도시된 것과 같이, Sn/S<1인 전구체 박막은 200℃~400℃ 범위에서 열처리를 수행하여도 2차상인 Sn2S3와 SnS2의 피크가 관찰되었다. 이로부터 전구체 박막에 포함된 Sn과 S의 비율이 2차상의 제거에 영향을 미치는 것을 확인할 수 있다.As shown in the figure, the Sn / S < 1 precursor thin film was observed to have secondary Sn 2 S 3 and SnS 2 peaks even after heat treatment was performed at 200 ° C to 400 ° C. From this, it can be seen that the ratio of Sn and S contained in the precursor thin film affects the removal of the secondary phase.
이상의 결과에서 본 발명의 방법에 따르면 순수한 SnS만으로 구성된 SnS 박막을 형성할 수 있음을 확인할 수 있었다.From the above results, it was confirmed that SnS thin film composed of only pure SnS can be formed according to the method of the present invention.
본 발명의 방법은 태양전지의 광흡수층을 형성하는 공정으로 적용할 수 있는 기술인 것이 자명하고, SnS 박막에 포함된 2차상을 모두 제거하였기 때문에 태양전지의 발전 효율은 크게 향상시키면서도, 종래에 ALD 공정에 비하여 매우 저렴한 공정비용으로 태양전지를 제조할 수 있다.Since the method of the present invention is a technique that can be applied to a process of forming a light absorbing layer of a solar cell and since the secondary phase contained in the SnS thin film is completely removed, the power generation efficiency of the solar cell is greatly improved, The solar cell can be manufactured at a very low processing cost.
SnS 재질의 광흡수층을 이용한 태양전지 및 이를 제조하는 방법에 대한 구체적 사항은 SnS 태양전지에 대한 기술을 제한 없이 적용할 수 있으므로 구체적인 설명은 생략한다.Detailed description of the solar cell using the light absorbing layer made of SnS material and the manufacturing method thereof can be applied to the SnS solar cell without any limitations.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 통하여 설명하였는데, 상술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화가 가능함은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특정 실시예가 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to preferred embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Those skilled in the art will understand. Therefore, the scope of protection of the present invention should be construed not only in the specific embodiments but also in the scope of claims, and all technical ideas within the scope of the same shall be construed as being included in the scope of the present invention.
Claims (10)
상기 전구체막을 가열하여 Sn과 S를 반응시켜 SnS를 형성하면서 이외의 2차상은 기화시키는 단일상 형성 단계;를 포함하여 구성되고,
상기 단일상 형성 단계가, SnS는 기화하지 않고 2차상은 기화하는 압력 및 온도 조건에서 수행되어 단일상의 SnS 박막을 형성하며,
상기 전구체막에 포함된 Sn과 S의 비율이 Sn/S≥1 인 것을 특징으로 하는 SnS 박막 형성방법.
A precursor film forming step of forming a precursor film including Sn and S; And
And a single phase forming step of heating the precursor film to react Sn and S to form SnS while vaporizing the other secondary phase,
Wherein the single phase forming step is carried out under pressure and temperature conditions in which the SnS is not vaporized and the secondary phase is vaporized to form a single SnS thin film,
Wherein a ratio of Sn to S contained in the precursor film is Sn / S? 1.
상기 단일상 형성 단계가 300℃ 이상의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 SnS 박막 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the single phase forming step is performed at a temperature of 300 ° C or higher.
상기 단일상 형성 단계가 1.0×10-2torr 이하의 압력조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 SnS 박막 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the single-phase forming step is performed under a pressure of 1.0 x 10 < -2 & gt ; torr or less.
상기 전구체막 형성단계가 200℃ 미만의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 SnS 박막 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the precursor film forming step is performed at a temperature of less than 200 ° C.
상기 전구체막 형성단계가 동시진공증발 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 SnS 박막 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the precursor film forming step is performed in a simultaneous vacuum evaporation process.
상기 SnS 박막을 형성하는 공정이 청구항 1 및 청구항 3 내지 청구항 6 중 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 SnS 태양전지의 제조방법.
A SnS solar cell comprising a SnS thin film as a light absorbing layer,
Wherein the step of forming the SnS thin film is carried out by one of the methods of claims 1 and 3 to 6. [
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