KR101754260B1 - Drying apparatus and drying method - Google Patents

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Abstract

기판 상에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 효율 좋게, 단시간에 제거할 수 있고, 또한 기판의 면내에서 균일한 건조 처리가 가능한 건조 장치 및 건조 처리 방법을 제공한다. 건조 장치(100)는 진공 배기 가능한 처리 용기(1)와, 처리 용기(1) 내에서 기판(S)을 지지하는 지지 부재로서의 재치대(3)와, 재치대(3)에 지지되는 기판(S) 상의 유기 재료막을 향해 가스를 분사하는 가스 분사 장치(5)와, 제어부(6)를 구비하고 있다. 또한 건조 장치(100)는, 처리 용기(1) 내의 압력을 조절하는 압력 제어 기구를 구비하고 있다. 복수의 노즐(51)은 가스의 분사 유량, 가스의 종류를, 노즐(51)마다 독립하여 조절할 수 있도록 구성되어 있다.Provided are a drying apparatus and a drying treatment method capable of efficiently removing a solvent in a film of an organic material coated on a substrate in a short period of time and capable of even drying treatment in the plane of the substrate. The drying apparatus 100 includes a processing container 1 capable of vacuum evacuation, a mounting table 3 as a supporting member for supporting the substrate S in the processing container 1, A gas injection device 5 for injecting a gas toward the organic material film on the substrate S, and a control part 6. [ The drying apparatus 100 also has a pressure control mechanism for controlling the pressure in the processing vessel 1. [ The plurality of nozzles 51 are configured so that the flow rate of gas and the kind of gas can be independently controlled for each nozzle 51.

Description

건조 장치 및 건조 처리 방법{DRYING APPARATUS AND DRYING METHOD}[0001] DRYING APPARATUS AND DRYING METHOD [0002]

본 발명은 예를 들면 유기 EL 소자의 제조 과정에서, 유기 재료막의 건조를 행하기 위하여 이용 가능한 건조 장치 및 건조 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a drying apparatus and a drying method which can be used, for example, for drying an organic material film in the process of manufacturing an organic EL device.

유기 EL(Electro Luminescence) 소자는, 전류를 흘림으로써 발생하는 유기 화합물의 루미네선스를 이용하는 발광 소자이며, 한 쌍의 전극 간에 복수의 유기 기능막의 적층체(이하, 이 적층체를 ‘EL층’이라 총칭함)가 개재된 구조로 되어 있다. 여기서 EL층은, 예를 들면 양극측으로부터, [정공 수송층 / 발광층 / 전자 수송층], [정공 주입층 / 정공 수송층 / 발광층 / 전자 수송층], 혹은 [정공 주입층 / 정공 수송층 / 발광층 / 전자 수송층 / 전자 주입층] 등의 순으로 적층된 구조를 가지고 있다.An organic EL (electroluminescence) element is a light emitting element that uses luminescence of an organic compound generated by flowing an electric current. A laminate of a plurality of organic functional films (hereinafter, this laminate is referred to as an "EL layer" Quot;) are interposed. Here, the EL layer may be formed from, for example, a hole transporting layer / a light emitting layer / an electron transporting layer / a hole transporting layer / a hole transporting layer / a light emitting layer / an electron transporting layer or a hole transporting layer / Electron injection layer] and the like are stacked in this order.

EL층의 형성은, 각 층마다, 기판 상에 유기 재료를 증착하거나 도포함으로써 행해진다. 고정밀도의 미세 패턴을 형성할 경우에는, 도포 방법으로서 잉크젯 인쇄법을 이용하는 것이 유리하다고 상정되고 있다.The EL layer is formed by depositing or applying an organic material on the substrate for each layer. In the case of forming a fine pattern with high precision, it is assumed that it is advantageous to use an inkjet printing method as a coating method.

잉크젯 인쇄법에 의해 기판 상에 인쇄된 유기 재료막 중에는, 다량의 용매를 포함하는 점에서, 그 용매를 제거하기 위하여 감압 건조 처리가 행해진다(예를 들면, 특허문헌 1, 특허문헌 2). 건조된 유기 재료막은 또한 베이크 처리된다. 이 베이크 처리에 의해, 유기 재료막은 EL층을 구성하는 유기 기능막으로 변화된다(예를 들면, 특허문헌 3).The organic material film printed on the substrate by the inkjet printing method contains a large amount of solvent, and the reduced-pressure drying treatment is performed to remove the solvent (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2). The dried organic material film is also baked. By this baking treatment, the organic material film is changed to an organic functional film constituting the EL layer (for example, Patent Document 3).

건조 처리 시에는, 기판 상의 유기 재료막으로부터 용매, 수분 등이 다량으로 휘발한다. 이 때문에, 건조 장치의 처리 용기 내로부터 이들의 휘발 성분을 신속하게 제거하지 않으면 건조 효율이 저하된다. 건조 후의 유기 재료막 상태는, EL층의 특성에 영향을 미치는 것으로 알려져 있다. 예를 들면 건조 처리 시에, 기판의 면내에서 건조 상태의 불균일이 생기면, 기판의 면내에서의 유기 EL 소자의 특성에 불균일이 생겨, 유기 EL 디스플레이로서 사용했을 때, 표시 얼룩 등의 문제를 일으키는 원인이 된다.During the drying process, a large amount of solvent, moisture, and the like are volatilized from the organic material film on the substrate. Therefore, if the volatile components are not removed from the processing vessel of the drying apparatus quickly, the drying efficiency is lowered. The state of the organic material film after drying is known to affect the characteristics of the EL layer. For example, when the dry state of the substrate is uneven in the surface of the substrate during the drying process, the characteristics of the organic EL device in the plane of the substrate are uneven, and when used as an organic EL display, .

그런데, 건조 장치의 처리 용기 내를 감압으로 하면, 압력의 저하에 수반하여 배기량이 감소하기 때문에, 고진공 상태에서는 배기량이 적어진다. 또한 고진공 상태에서는, 유기 재료막 중으로부터 휘발한 용매가 처리 용기 내에서 분자류를 형성하기 때문에, 용매가 처리 용기 내에 체류한다고 하는 문제가 발생한다.However, when the inside of the processing container of the drying apparatus is reduced in pressure, the amount of exhaust gas decreases with a decrease in pressure, and therefore, the amount of exhaust gas decreases in a high vacuum state. Further, in a high vacuum state, since the solvent volatilized from the organic material film forms a molecular flow in the processing vessel, there arises a problem that the solvent stays in the processing vessel.

잉크젯 인쇄법을 이용하여 도포된 유기 재료막 중의 용매를 제거하는 건조 장치로서, 기판의 도포면과 대향하는 덮개 부재에, 불활성 가스를 분출하는 복수의 분출구를 구비한 건조 장치가 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 4). 이 특허문헌 4에는, 기판 면내에서 분사되는 불활성 가스의 양을 균일화하는 목적으로, 기판에 대향 배치되는 덮개 부재에서 분출구의 크기 또는 분출구의 수를 변화시키는 것이 기재되어 있다. 또한 특허문헌 4에는, 도포막의 급격한 건조를 방지하기 위하여, 처리 용기 내로 용매 증기를 공급하는 것도 기재되어 있다.There has been proposed a drying apparatus for removing a solvent in a coated organic material film by using an inkjet printing method and a drying apparatus having a plurality of spouting nozzles for spraying an inert gas onto a lid member facing a coated surface of a substrate has been proposed For example, Patent Document 4). Patent Document 4 discloses that the size of an ejection port or the number of ejection openings is changed in a lid member opposed to a substrate for the purpose of making the amount of inert gas injected in the surface of the substrate uniform. Patent Document 4 also discloses supplying solvent vapor into the processing vessel to prevent rapid drying of the coating film.

일본특허공보 제3951162호(단락 0023 등)Japanese Patent Publication No. 3951162 (paragraph 0023, etc.) 일본특허공보 제4168968호(청구항 2 등)Japanese Patent Publication No. 4168968 (claim 2, etc.) 일본특허공보 제4148933호(청구항 1 등)Japanese Patent Publication No. 4148933 (claim 1, etc.) 일본특허공개공보 2010-067430호(도 1 등)Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-067430 (FIG. 1, etc.)

본 발명은, 기판 상에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 효율 좋게, 단시간에 제거할 수 있는 것고, 또한 기판의 면내에서 균일한 건조 처리가 가능한 건조 장치 및 건조 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a drying apparatus and a drying method capable of efficiently removing a solvent in a film of an organic material coated on a substrate in a short period of time and capable of performing a uniform drying process in the plane of the substrate .

본 발명자들은, 감압 건조 처리에서, 기판에 도포된 유기 재료막이 건조되는 거동에 대하여 검토한 결과, 유기 재료막의 건조는, 기판의 면내에서 불균일하게 진행되는 점, 및 기판 면내에서의 유기 재료막의 건조 정도는 유기 재료막의 패턴 형상에 의해서도 크게 변화한다는 지견을 얻었다. 이들 지견에 기초하여 본 발명자들은, 압력을 조절하면서, 기판을 향해 분사하는 가스의 유량 또는 종류를 기판 면내에서 적극적으로 변화시킴으로써, 기판 면내에서 균일한 속도로의 건조가 가능해지는 것을 착상하고, 본 발명을 완성했다.The inventors of the present invention have conducted studies on the drying of the organic material film applied to the substrate in the reduced-pressure drying process. As a result, it has been found that drying of the organic material film proceeds nonuniformly in the plane of the substrate, And the pattern of the organic material film greatly changed. Based on these findings, the present inventors have conceived that drying can be performed at a uniform rate within the substrate surface by positively changing the flow rate or kind of the gas jetted toward the substrate while controlling the pressure, Thereby completing the invention.

본 발명의 건조 장치는, 기판의 표면에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 제거하여 건조시키는 건조 장치이다. 본 발명의 건조 장치는, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 상기 처리 용기 내의 기체를 배기하는 배기구와, 상기 처리 용기 내에서 상기 기판을 지지하는 지지 부재와, 상기 지지 부재에 지지되는 상기 기판을 향해 가스를 분사하는 복수의 노즐을 가지는 가스 분사 장치와, 상기 복수의 노즐로부터 분사되는 상기 가스의 분사 유량 및 상기 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부를 구비하고 있다.The drying apparatus of the present invention is a drying apparatus for removing a solvent contained in an organic material film applied to a surface of a substrate and drying the same. A drying apparatus of the present invention is a drying apparatus comprising a processing container capable of evacuating vacuum, an exhaust port for exhausting gas in the processing container, a support member for supporting the substrate in the process container, And at least one of the injection flow rate of the gas injected from the plurality of nozzles and the type of the gas is set as a unit independent of one nozzle or a combination of two or more nozzles And a control unit for controlling the control unit.

본 발명의 건조 장치는, 상기 복수의 노즐이 상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스를 분사하는 것이어도 된다.The drying apparatus of the present invention may be such that the plurality of nozzles eject a drying gas for promoting drying of the organic material film.

본 발명의 건조 장치는, 상기 복수의 노즐이 상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스를 분사하는 것이어도 된다.In the drying apparatus of the present invention, the plurality of nozzles may spray a drying suppressing gas for suppressing drying of the organic material film.

본 발명의 건조 장치는, 상기 복수의 노즐이, 상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스를 분사하는 노즐과, 상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스를 분사하는 노즐을 포함하고 있어도 된다.The drying apparatus of the present invention is characterized in that the plurality of nozzles include a nozzle for spraying a drying gas for promoting drying of the organic material film and a nozzle for spraying a drying suppressing gas for suppressing drying of the organic material film do.

본 발명의 건조 장치에 있어서, 상기 복수의 노즐은, 상기 지지 부재에 지지되는 기판까지의 거리가, 적어도, 상대적으로 가까운 노즐과 상대적으로 먼 노즐을 포함하고 있어도 된다.In the drying apparatus of the present invention, the plurality of nozzles may include a nozzle relatively far from the nozzle relatively far from the substrate supported by the support member.

본 발명의 건조 장치는, 상기 노즐이 원통 형상의 길이가 긴 본체부를 구비하고 있고, 상기 본체부의 길이 방향을 따라 슬릿 형상의 길이가 긴 가스 분사구가 형성되어 있는 것이어도 된다. 이 경우, 상기 복수의 노즐이, 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판의 중앙부를 향해 가스를 분사하는 제 1 노즐군과, 상기 기판의 주연부를 향해 가스를 분사하는 제 2 노즐군을 포함하고 있어도 된다.The drying apparatus of the present invention may be such that the nozzle has a cylindrical main body portion having a long length and a gas injection port having a long slit shape along the longitudinal direction of the main body portion. In this case, the plurality of nozzles may include a first nozzle group for jetting gas toward a central portion of the substrate supported by the support member, and a second nozzle group for jetting gas towards the periphery of the substrate .

본 발명의 건조 처리 방법은, 기판의 표면에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 제거하여 건조시키는 건조 처리 방법이다. 본 발명의 건조 처리 방법은, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 상기 처리 용기 내의 기체를 배기하는 배기구와, 상기 처리 용기 내에서 기판을 지지하는 지지 부재와, 상기 지지 부재에 지지되는 상기 기판을 향해 가스를 분사하는 복수의 노즐을 가지는 가스 분사 장치와, 상기 복수의 노즐로부터 분사되는 상기 가스의 분사 유량 및 상기 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부를 구비한 건조 장치를 이용한다.The drying treatment method of the present invention is a drying treatment method in which a solvent in an organic material film applied to the surface of a substrate is removed and dried. A drying treatment method of the present invention is a drying treatment method comprising a treatment vessel capable of evacuation, an exhaust port for evacuating gas in the treatment vessel, a support member for supporting the substrate in the treatment vessel, And at least one of the injection flow rate of the gas injected from the plurality of nozzles and the type of the gas is set as a unit independent of one nozzle or a combination of two or more nozzles A drying unit having a control unit for controlling the drying unit is used.

본 발명의 건조 처리 방법은, 상기 처리 용기 내의 압력을 0.1 ~ 100 Pa의 범위 내로 유지하여 건조 처리를 행해도 된다.The drying treatment method of the present invention may be carried out by maintaining the pressure in the treatment vessel within the range of 0.1 to 100 Pa.

본 발명의 건조 처리 방법은, 상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스의 분사 유량을, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하면서 상기 기판을 향해 분사해도 된다.The drying treatment method of the present invention may be such that the injection flow rate of the drying gas for promoting the drying of the organic material film is injected toward the substrate while independently adjusting a single nozzle or a combination of two or more nozzles as a unit.

본 발명의 건조 처리 방법은, 상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스의 분사 유량을, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하면서 상기 기판을 향해 분사해도 된다.The drying treatment method of the present invention may be such that the injection flow rate of the drying suppressing gas for suppressing the drying of the organic material film is injected toward the substrate while independently adjusting a single nozzle or a combination of two or more nozzles as a unit.

본 발명의 건조 처리 방법은, 상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스와, 상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스의 혼합 비율을, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하면서 상기 기판을 향해 분사해도 된다.The drying treatment method of the present invention is characterized in that the mixing ratio of the drying gas for promoting the drying of the organic material film and the drying inhibiting gas for suppressing drying of the organic material film is set to be one nozzle or a combination of two or more nozzles in units And may be ejected toward the substrate while being adjusted independently.

본 발명의 건조 처리 방법에서는, 상기 가스를 펄스 형상으로 분사해도 된다.In the drying treatment method of the present invention, the gas may be injected in a pulse shape.

본 발명의 건조 처리 방법은, 상기 유기 재료막이, 유기 EL 소자의 제조에 있어서 잉크젯 인쇄법에 의해 상기 기판 상에 도포된 것이어도 된다.The drying treatment method of the present invention may be such that the organic material film is coated on the substrate by ink jet printing in the production of the organic EL device.

본 발명의 건조 장치 및 건조 처리 방법에 의하면, 기판 상에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 효율 좋게, 단시간에 제거할 수 있고, 또한 기판의 면내에서 균일한 건조가 가능하다. 따라서 본 발명에 의하면, 예를 들면 유기 EL 소자의 제조 프로세스의 생산성을 향상시킬 수 있고, 또한 신뢰성이 높은 유기 EL 소자를 제공할 수 있다.According to the drying apparatus and the drying method of the present invention, the solvent in the organic material film coated on the substrate can be efficiently removed in a short time, and uniform drying can be performed in the plane of the substrate. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide, for example, an organic EL device which can improve the productivity of a manufacturing process of the organic EL device and is highly reliable.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예의 건조 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 건조 장치에서의 노즐의 배치를 도시한 설명도이다.
도 3은 처리 용기 내의 압력 변화를 모식적으로 나타낸 특성도이다.
도 4는 유기 EL 소자의 제조 공정의 개략을 나타낸 순서도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예의 건조 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 6은 도 5의 건조 장치에서의 노즐의 배치를 도시한 설명도이다.
도 7은 처리 용기 내를 감압 배기하는 도중에, N2 가스를 도입한 경우와 도입하지 않은 경우의 압력 변화를 나타낸 특성도이다.
도 8은 처리 용기 내로 연속하여 N2 가스를 도입한 경우의 N2 가스 유량과 처리 용기 내의 압력과의 관계를 나타낸 특성도이다.
도 9는 처리 용기 내로 비연속적으로 N2 가스를 도입한 경우의 N2 가스 유량과 처리 용기 내의 압력과의 관계를 나타내는 특성도이다.
도 10은 본 발명의 효과를 확인한 실험에서, 기판 표면의 건조 정도를 관찰한 위치와 노즐의 설치 위치를, 기판의 평면도에 중첩하여 도시한 설명도이다.
도 11은 본 발명의 제 3 실시예의 건조 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 12는 도 11의 건조 장치에서의 노즐의 구성을 도시한 사시도이다.
도 13은 도 11의 건조 장치에서의 노즐의 길이 방향에 직교하는 방향에서의 단면도이다.
도 14는 도 11의 건조 장치에서의 노즐의 배치를 도시한 설명도이다.
도 15는 도 11의 건조 장치에서 기판의 건조 처리를 행할 경우의 가스 분사 유량과 분사의 타이밍의 일례를 설명하는 도면이다.
도 16은 본 발명의 제 4 실시예의 건조 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 17은 본 발명의 제 5 실시예의 건조 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a drying apparatus of a first embodiment of the present invention.
Fig. 2 is an explanatory view showing the arrangement of nozzles in the drying apparatus of Fig. 1; Fig.
3 is a characteristic diagram schematically showing a change in pressure in the processing container.
4 is a flow chart schematically showing a manufacturing process of an organic EL device.
5 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a drying apparatus of a second embodiment of the present invention.
Fig. 6 is an explanatory view showing the arrangement of nozzles in the drying apparatus of Fig. 5;
Fig. 7 is a characteristic diagram showing the change in pressure when the N 2 gas is introduced into the processing vessel and when the processing vessel is not introduced with the N 2 gas in the middle of the vacuum evacuation.
8 is a characteristic diagram showing the relationship between the N 2 gas flow rate and the pressure in the processing vessel when N 2 gas is continuously introduced into the processing vessel.
9 is a characteristic diagram showing the relationship between the N 2 gas flow rate and the pressure in the processing vessel when N 2 gas is introduced discontinuously into the processing vessel.
10 is an explanatory diagram showing the position where the drying degree of the substrate surface is observed and the mounting position of the nozzle in the experiment in which the effects of the present invention are confirmed, superimposed on the top view of the substrate.
11 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a drying apparatus of a third embodiment of the present invention.
12 is a perspective view showing the structure of the nozzle in the drying apparatus of Fig.
13 is a cross-sectional view in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the nozzle in the drying apparatus of Fig.
14 is an explanatory view showing the arrangement of the nozzles in the drying apparatus of Fig.
Fig. 15 is a view for explaining an example of the gas injection flow rate and the timing of injection when the substrate drying process is performed in the drying apparatus of Fig. 11; Fig.
16 is a cross-sectional view showing a schematic structure of a drying apparatus of a fourth embodiment of the present invention.
17 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a drying apparatus of a fifth embodiment of the present invention.

이하에, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

[제 1 실시예][First Embodiment]

도 1은, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 매엽식의 건조 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다. 본 실시예의 건조 장치(100)는, 피처리체로서 예를 들면 유기 EL 디스플레이용의 글라스 기판(이하, 단순히 ‘기판’이라 기술함)(S)에 대하여, 그 표면에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 제거하여 건조시키는 건조 처리에 이용된다.1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a single-wafer drying apparatus according to a first embodiment of the present invention. The drying apparatus 100 of the present embodiment is a drying apparatus for drying a glass substrate (hereinafter, simply referred to as "substrate") (S) for an organic EL display as an object to be processed, And then dried.

본 실시예의 건조 장치(100)는, 진공 배기 가능한 처리 용기(1)와, 처리 용기(1) 내에서 기판(S)을 지지하는 지지 부재로서의 재치대(載置臺)(3)와, 재치대(3)에 지지되는 기판(S) 상의 유기 재료막을 향해 가스를 분사하는 가스 분사 장치(5)와, 복수의 노즐로부터 분사되는 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부(6)를 구비하고 있다. 또한 ‘가스의 종류’는 혼합 비율을 포함한다(이하 동일함). 또한 건조 장치(100)는, 처리 용기(1) 내의 압력을 조절하는 압력 제어 기구를 구비하고 있다.The drying apparatus 100 of this embodiment includes a processing container 1 capable of vacuum evacuation, a mounting table 3 as a supporting member for supporting the substrate S in the processing container 1, A gas injection device 5 for injecting a gas toward an organic material film on a substrate S supported on the base 3 and at least one of a flow rate of a gas jetted from a plurality of nozzles and a kind of gas, Or a control unit 6 for independently controlling the combination of two or more nozzles as a unit. In addition, 'type of gas' includes the mixing ratio (the same shall apply hereinafter). The drying apparatus 100 also has a pressure control mechanism for controlling the pressure in the processing vessel 1. [

<처리 용기><Processing vessel>

처리 용기(1)는 진공 배기 가능한 내압 용기이다. 처리 용기(1)는 금속 재료에 의해 형성되어 있다. 처리 용기(1)를 형성하는 재료로서는, 예를 들면 알루미늄, 알루미늄 합금, 스테인리스 등이 이용된다. 처리 용기(1)는 저벽(11), 각기둥 형상의 4 개의 측벽(13) 및 천장부(15)를 구비하고 있다.The processing container 1 is a pressure-resistant container which can be evacuated. The processing vessel 1 is formed of a metal material. As a material for forming the processing container 1, for example, aluminum, aluminum alloy, stainless steel or the like is used. The processing vessel 1 is provided with a bottom wall 11, four side walls 13 in a prism shape, and a ceiling portion 15.

측벽(13)에는, 장치 내로 기판(S)을 반입, 반출하기 위한 반입출구(13a)가 형성되어 있다. 반입출구(13a)는, 처리 용기(1)의 외부와의 사이에서 기판(S)의 반입출을 행하기 위한 것이다. 반입출구(13a)에는 게이트 밸브(GV)가 설치되어 있다. 게이트 밸브(GV)는 반입출구(13a)를 개폐하는 기능을 가지고, 폐쇄 상태에서 처리 용기(1)를 기밀하게 씰링하고, 또한 개방 상태에서 처리 용기(1)와 외부와의 사이에서 기판(S)의 이송을 가능하게 한다.The side wall 13 is provided with a loading / unloading port 13a for loading / unloading the substrate S into / from the apparatus. The loading / unloading port 13a is for loading / unloading the substrate S with / from the outside of the processing vessel 1. A gate valve (GV) is provided at the loading / unloading outlet (13a). The gate valve GV has a function of opening and closing the loading and unloading port 13a and sealing the processing vessel 1 in a closed state in a hermetic manner and sealing the substrate S ). &Lt; / RTI &gt;

저벽(11)에는 배기구(11a)가 형성되어 있다. 배기구(11a)는 배기관(17)을 개재하여 외부의 배기 장치(19)에 접속되어 있다. 이 배기 장치(19)를 구동시킴으로써, 처리 용기(1) 내를 소정의 진공도, 예를 들면 0.1 Pa 정도의 압력까지 감압 배기할 수 있도록 구성되어 있다.The bottom wall 11 is provided with an exhaust port 11a. The exhaust port 11a is connected to an external exhaust device 19 through an exhaust pipe 17. By driving the exhaust device 19, the interior of the processing vessel 1 can be evacuated to a predetermined degree of vacuum, for example, a pressure of about 0.1 Pa.

<재치대><Tape>

처리 용기(1)의 내부에는, 지지 장치로서의 재치대(3)가 배치되어 있다. 재치대(3)는 복수의 지지 기둥(21)에 의해 지지되어 있다. 복수의 지지 기둥(21)은 저벽(11)에 고정되어 있다. 재치대(3)는 도시를 생략하지만, 기판(S)을 승강 변위시키기 위한 기구, 예를 들면 리프트 핀 등을 가지고 있고, 기판(S)을 전달하는 전달 위치와, 재치대(3) 상에 재치하여 건조 처리를 행하는 처리 위치와의 사이에서 기판(S)의 높이 위치를 조정할 수 있다.Inside the processing container 1, a mounting table 3 as a supporting device is disposed. The mounting table 3 is supported by a plurality of support pillars 21. A plurality of support pillars (21) are fixed to the bottom wall (11). Although not shown, the table 3 has a mechanism for lifting and lowering the substrate S, for example, a lift pin, and has a transfer position for transferring the substrate S, The height position of the substrate S can be adjusted between the position where the substrate S is placed and the processing position where the drying process is performed.

<압력 제어 기구><Pressure control mechanism>

본 실시예의 건조 장치(100)는 또한 배기 장치(19)를 구비하고 있다. 또한 배기 장치(19)는, 건조 장치(100)의 일구성 부분이어도 되고, 건조 장치(100)와는 다른 외부의 장치여도 좋다. 배기 장치(19)는, 예를 들면 터보 분자 펌프 또는 드라이 펌프 등의 진공 펌프를 가지고 있다. 건조 장치(100)는, 또한 배기구(11a)와 배기 장치(19)를 접속하는 배기관(17)과, 배기관(17)의 도중에 설치된 APC(Adaptive Pressure Control) 밸브(23)를 구비하고 있다. 배기 장치(19)의 진공 펌프를 작동시키고, 또한 APC 밸브(23)의 개방도를 조절함으로써, 처리 용기(1)의 내부 공간을 소정의 진공도로 감압 배기할 수 있다.The drying apparatus 100 of the present embodiment is also provided with an exhaust apparatus 19. The exhaust device 19 may be a constituent part of the drying device 100 or an external device different from the drying device 100. The exhaust device 19 has, for example, a vacuum pump such as a turbo molecular pump or a dry pump. The drying apparatus 100 further includes an exhaust pipe 17 connecting the exhaust port 11a and the exhaust device 19 and an APC valve 23 installed in the middle of the exhaust pipe 17. The internal space of the processing container 1 can be evacuated to a predetermined degree of vacuum by operating the vacuum pump of the exhaust device 19 and regulating the opening degree of the APC valve 23. [

또한 본 실시예의 건조 장치(100)는, 또한 처리 용기(1) 내의 압력을 감시하기 위한 압력계(25)를 구비하고 있다. 압력계(25)는, 처리 용기(1) 내의 계측 압력을 전기 신호로서 APC 밸브(23)에 송신한다.The drying apparatus 100 of the present embodiment also includes a pressure gauge 25 for monitoring the pressure in the processing vessel 1. [ The pressure gauge 25 transmits the measurement pressure in the processing vessel 1 to the APC valve 23 as an electric signal.

본 실시예에서는, 배기 장치(19), 배기관(17), APC 밸브(23) 및 압력계(25)가, 처리 용기(1) 내를 감압 배기하고 또한 소정 압력으로 조절하는 압력 제어 기구를 구성하고 있다.In this embodiment, the exhaust device 19, the exhaust pipe 17, the APC valve 23, and the pressure gauge 25 constitute a pressure control mechanism for exhausting the inside of the processing container 1 under reduced pressure and regulating it to a predetermined pressure have.

<가스 분사 장치><Gas injection device>

가스 분사 장치(5)는, 복수의 노즐(51)과, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 가스 공급원(53)과, 가스 공급원(53)과 각 노즐(51)을 접속하고, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 복수의 배관(55)을 구비하고 있다. 도 1에서는, 6 개의 노즐(51)을 대표적으로 도시하고 있다. 각 노즐(51)에 대하여, 설명의 편의상 구별이 필요한 경우는, 도 1의 지면을 향해 좌측으로부터 노즐(51A), 노즐(51B), 노즐(51C), 노즐(51C), 노즐(51B), 노즐(51A)이라고 표기한다. 여기서 노즐(51C)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 노즐(51A)은, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 노즐(51B)은, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분의 중간 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있다.The gas injection device 5 is provided with a plurality of nozzles 51, a gas supply source 53 for supplying gas to the respective nozzles 51, a gas supply source 53 and the respective nozzles 51, And a plurality of pipes 55 for supplying the gas to the gas supply pipe 51. In Fig. 1, six nozzles 51 are representatively shown. The nozzles 51B, the nozzles 51C, the nozzles 51C, the nozzles 51B, the nozzles 51B, the nozzles 51B, the nozzles 51B, Nozzle 51A &quot;. The nozzles 51A are arranged opposite to the upper side of the peripheral portion of the substrate S and the nozzles 51B are arranged on the upper side of the central portion of the rectangular substrate S, Is arranged so as to be opposed to the upper portion of the middle portion between the central portion and the peripheral portion of the substrate S.

가스 공급원(53)은 불활성 가스 공급원(53A) 및 용매 가스 공급원(53B)을 구비하고 있다. 불활성 가스 공급원(53A)은, 예를 들면 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스로서의 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스로서는 예를 들면 질소 가스, 아르곤 가스, 헬륨 가스 등을 이용할 수 있다. 용매 가스 공급원(53B)은, 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스로서의 용매 가스를 공급한다. 또한 가스 공급원(53)은, 불활성 가스 공급원(53A) 및 용매 가스 공급원(53B) 이외에, 다른 가스의 공급원을 구비하고 있어도 된다.The gas supply source 53 is provided with an inert gas supply source 53A and a solvent gas supply source 53B. The inert gas supply source 53A supplies, for example, an inert gas as a drying gas for promoting the drying of the organic material film. As the inert gas, for example, nitrogen gas, argon gas, helium gas, or the like can be used. The solvent gas supply source 53B supplies a solvent gas as a drying suppressing gas for suppressing drying of the organic material film. In addition to the inert gas supply source 53A and the solvent gas supply source 53B, the gas supply source 53 may be provided with a different gas supply source.

또한 가스 분사 장치(5)는, 배관(55)의 도중에, 가스 유량을 제어하는 복수의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 복수의 개폐 밸브(59)를 구비하고 있다. 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 유량 또는 분사 속도, 가스의 종류 등은 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57) 및 개폐 밸브(59)에 의해 제어된다. 또한 도 1에서는, 배관(55), 개폐 밸브(59) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 대하여 대표적인 것을 도시하고 있는데, 이들의 배치 위치 또는 수는, 도 1에 예시한 내용에 한정되지 않는다.The gas injection device 5 is provided with a plurality of mass flow controllers (MFCs) 57 and a plurality of opening / closing valves 59 for controlling the gas flow rate in the middle of the pipe 55. The flow rate or injection speed of the gas injected from the nozzle 51, the kind of the gas, and the like are controlled by the mass flow controller (MFC) 57 and the opening / closing valve 59. 1, representative examples of the piping 55, the on-off valve 59 and the mass flow controller (MFC) 57 are shown. The arrangement position or number thereof is not limited to the contents shown in Fig. 1 Do not.

복수의 노즐(51)은, 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사할 수 있도록, 기판(S)의 상방에 설치되어 있다. 복수의 노즐(51)은, 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 독립하여 조절할 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 배관(55)과 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐(51)마다 독립하여 가스의 분사 유량을 제어할 수 있도록 배치되어 있다. 또한, 배관(55)과 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 복수의 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐(51)마다 독립하여 가스의 종류를 전환하여 분사할 수 있도록 구성되어 있다.The plurality of nozzles 51 are provided above the substrate S so that gas can be injected toward the surface of the substrate S. The plurality of nozzles 51 are configured to independently control at least one of a gas flow rate and a gas type. That is, the discharge flow rate of the gas is independently controlled for each nozzle 51 by the combination of the pipe 55, the mass flow controller (MFC) 57 and the opening / closing valve 59. The combination of the piping 55, the mass flow controller (MFC) 57, and the plurality of open / close valves 59 is configured so that the kind of the gas can be switched independently for each nozzle 51 to be sprayed.

[가스의 분사 유량][Gas flow rate]

복수의 노즐(51)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 불활성 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 이 중앙 부분의 바로 위에 배치된 노즐(51C)로부터 불활성 가스를 상대적으로 큰 유량(V1)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 이 주연 부분의 바로 위에 배치된 노즐(51A)로부터 불활성 가스를 유량(V1)보다 상대적으로 작은 유량(V2)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분의 사이의 중간 부분에는, 노즐(51B)로부터 불활성 가스를 유량(V1)과 유량(V2)의 중간의 유량(V3)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 주연 부분과 중간 부분에는, 불활성 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.The plurality of nozzles 51 are configured to be capable of injecting an inert gas at an independent injection flow rate. For example, inert gas can be injected at a relatively large flow rate (V1) from the nozzle 51C disposed immediately above the central portion of the substrate S in which the drying of the organic material film is relatively difficult to proceed . The inert gas is injected from the nozzle 51A disposed just above the periphery of the substrate S into the peripheral portion of the substrate S where the drying of the organic material film is relatively easy to be performed at a flow rate V2 relatively smaller than the flow rate V1 can do. An inert gas can be injected from the nozzle 51B at a middle portion between the central portion and the peripheral portion of the substrate S at a flow rate V3 intermediate the flow rate V1 and the flow rate V2. It is also possible that no inert gas is injected to the peripheral portion and the intermediate portion of the substrate S.

또한 복수의 노즐(51)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 용매 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는 노즐(51A)로부터 용매 가스를 상대적으로 큰 유량(V4)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐(51C)로부터 용매 가스를 유량(V4)보다 상대적으로 작은 유량(V5)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분의 사이의 중간 부분에는, 노즐(51B)로부터 용매 가스를 유량(V4)과 유량(V5)의 중간의 유량(V6)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 중간 부분에는, 용매 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.The plurality of nozzles 51 are configured to be capable of jetting solvent gas at independent injection flow rates. For example, solvent gas can be injected from the nozzle 51A at a relatively large flow rate V4 to the peripheral portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively easy. In addition, the solvent gas can be jetted from the nozzle 51C at a flow rate V5, which is relatively smaller than the flow rate V4, at the central portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively difficult. The solvent gas can be injected from the nozzle 51B at a middle flow rate V6 between the flow rate V4 and the flow rate V5 at an intermediate portion between the central portion and the peripheral portion of the substrate S. [ It is also possible that the solvent gas is not sprayed to the central portion and the middle portion of the substrate S.

또한 가스의 분사 유량은 유량(V1 ~ V3, V4 ~ V6)의 각 3 단계에 한정되지 않고, 1 단계 혹은 2 단계 또는 4 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분과 중간 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 유량을 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.Further, the injection flow rate of the gas is not limited to each of the three flow rates (V1 to V3, V4 to V6), and may be one, two, or four or more stages. Further, it is not limited to the central portion and the peripheral portion of the substrate S, but it is possible to set the flow rate separately for the more subdivided regions and inject the gas.

[가스 종류][Gas type]

복수의 노즐(51)은, 각각 독립하여 불활성 가스, 용매 가스, 또는 불활성 가스 및 용매 가스의 혼합 가스(이하, 단순히 ‘혼합 가스’라고 기술하는 경우가 있음)를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐(51C)로부터 불활성 가스를 분사할 수 있다. 또한 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐(51A)로부터 용매 가스를 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분의 사이의 중간 부분에는, 노즐(51B)로부터 불활성 가스 및 용매 가스의 혼합 가스를 분사할 수 있다.The plurality of nozzles 51 are capable of independently injecting an inert gas, a solvent gas, or a mixed gas of an inert gas and a solvent gas (hereinafter sometimes simply referred to as a "mixed gas"). For example, the inert gas can be injected from the nozzle 51C to the central portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively difficult. In addition, the solvent gas can be injected from the nozzle 51A to the peripheral portion of the substrate S where the organic material film is relatively easily dried. Further, a mixed gas of an inert gas and a solvent gas can be injected from the nozzle 51B at an intermediate portion between the central portion and the peripheral portion of the substrate S.

또한 복수의 노즐(51)은, 각각 독립적인 혼합 비율로, 혼합 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐(51C)로부터 용매 가스 농도가 낮은 제 1 혼합 비율로 혼합 가스를 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐(51A)로부터 제 1 혼합 비율보다 용매 가스 농도가 높은 제 2 혼합 비율로 혼합 가스를 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분의 사이의 중간 부분에는, 노즐(51B)로부터 용매 가스의 농도가 제 1 혼합 비율과 제 2 혼합 비율의 중간인 제 3 혼합 비율로 혼합 가스를 분사할 수 있다.The plurality of nozzles 51 are configured to be capable of injecting the mixed gas in independent mixing ratios. For example, the mixed gas can be injected from the nozzle 51C at a first mixing ratio with a low solvent gas concentration at the central portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively difficult. The mixed gas can be injected from the nozzle 51A at a second mixing ratio higher than the first mixing ratio at a peripheral portion of the substrate S where the organic material film is relatively easily dried. Further, a mixed gas is sprayed from the nozzle 51B at a third mixing ratio which is the middle of the first mixing ratio and the second mixing ratio in the middle portion between the central portion and the peripheral portion of the substrate S .

또한 혼합 가스는, 제 1 ~ 제 3 혼합 비율의 3 단계에 한정되지 않고, 1 단계 혹은 2 단계 또는 4 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분과 중간 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 종류 또는 혼합 비율을 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.Further, the mixed gas is not limited to the three stages of the first to third mixing ratios, and may be one, two, or four or more stages. Further, it is not limited to the central portion and the peripheral portion and the intermediate portion of the substrate S, and it is possible to separately inject the gas by setting the kind or the mixing ratio for the finer region.

[노즐 높이 위치][Nozzle height position]

본 실시예의 건조 장치(100)에서는, 복수의 노즐(51)의 높이 위치를 개별적으로 설정할 수 있다. 즉 복수의 노즐(51)은, 재치대(3)에 지지되는 기판(S)까지의 거리가, 적어도, 상대적으로 가까운 노즐(51C)과 상대적으로 먼 노즐(51A)과 그들의 중간의 높이 위치의 노즐(51B)을 포함하고 있다. 각 노즐(51)의 높이 위치는, 예를 들면 처리 용기(1) 내로 도입되는 배관(55)과 노즐(51)의 사이에, 도시하지 않은 어답터(연장 배관)를 장착함으로써 가능해진다. 이와 같이, 노즐(51)과 기판(S)의 거리를 변경함으로써, 예를 들면 동일한 가스를 동일한 속도로 분사할 경우에도, 기판(S)의 표면에 도달하는 가스의 강도, 양 등을 컨트롤할 수 있다. 도 1에 도시한 예에서는, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 기판(S)까지의 거리가 상대적으로 가까운 높이 위치(H1)에 노즐(51C)을 배치하고 있다. 또한 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 높이 위치(H1)보다 높고, 기판(S)까지의 거리가 상대적으로 먼 높이 위치(H2)에 노즐(51A)을 배치하고 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분의 중간 부분에는, 높이 위치(H1)보다 높고, 높이 위치(H2)보다 낮은 높이 위치(H3)에 노즐(51B)을 배치하고 있다.In the drying apparatus 100 of the present embodiment, the height positions of the plurality of nozzles 51 can be individually set. In other words, the plurality of nozzles 51 are arranged in such a manner that the distance to the substrate S supported on the mounting table 3 is at least the distance between the nozzles 51A relatively far from the nozzles 51C relatively close to each other, And a nozzle 51B. The height position of each nozzle 51 can be achieved by mounting an adapter (extension pipe) (not shown) between the pipe 55 and the nozzle 51 which are introduced into the processing vessel 1, for example. By changing the distance between the nozzle 51 and the substrate S in this way, it is possible to control the intensity and amount of the gas reaching the surface of the substrate S, for example, even when the same gas is jetted at the same speed . In the example shown in Fig. 1, a nozzle 51C is disposed at a height position H1, at which the distance to the substrate S is relatively close to the central portion of the substrate S in which drying of the organic material film is relatively difficult have. A nozzle 51A is disposed at a height position H2 that is higher than the height position H1 and relatively far from the substrate S at the periphery of the substrate S where the drying of the organic material film is relatively easy . A nozzle 51B is disposed at a height position H3 which is higher than the height position H1 and lower than the height position H2 in the middle portion between the central portion and the peripheral portion of the substrate S. [

또한 노즐(51)의 높이 위치는, 높이 위치(H1 ~ H3)의 3 단계에 한정되지 않고, 1 단계 혹은 2 단계 또는 4 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분과 중간 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐(51)의 높이 위치를 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.Further, the height position of the nozzle 51 is not limited to the three positions of the height positions H1 to H3, and may be one, two, or four or more. Further, it is possible to spray the gas by setting the height position of the nozzle 51 individually for the more subdivided area, not limited to the middle part and the middle part of the substrate S and the middle part.

[노즐의 배치][Arrangement of Nozzle]

도 2는, 도 1의 건조 장치(100)에서의 노즐(51)의 배치를 설명하기 위한 기판(S)의 평면도이다. 도 2에서는, 기판(S)의 상면에 노즐(51)의 배치를 투영하여 도시했다. 또한 도 2에서는, 기판(S) 상에 잉크젯 인쇄법에 의해 패턴 도포된 유기 재료막의 형성 영역을 R1 ~ R4로 나타내고 있다. 여기서 영역(R1 ~ R4)은 각각이 유기 EL 제품, 예를 들면 유기 EL 디스플레이의 크기에 대응하고 있다. 즉, 1 매의 기판(S)으로부터 4 개의 유기 EL 제품을 제조할 수 있도록, 기판(S)의 면내에 유기 재료막이 구분하여 형성되어 있다. 복수의 노즐(51)은, 4 개의 유기 재료막의 형성 영역(R1 ~ R4)에 각각 9 개씩, 균등하게 배치되어 있다. 이와 같이, 기판(S)에 형성된 유기 재료막의 레이아웃을 고려하여, 노즐(51)을 배치할 수 있다.Fig. 2 is a plan view of the substrate S for explaining the arrangement of the nozzles 51 in the drying apparatus 100 of Fig. 2, the arrangement of the nozzles 51 is projected on the upper surface of the substrate S. In Fig. 2, formation regions of the organic material film pattern-coated on the substrate S by the ink-jet printing method are indicated by R1 to R4. Here, each of the regions R1 to R4 corresponds to the size of the organic EL product, for example, the organic EL display. That is, the organic material films are separately formed in the surface of the substrate S so that four organic EL devices can be manufactured from one substrate S. Nine nozzles 51 are uniformly arranged in the formation regions R1 to R4 of the four organic material films, respectively. In this manner, the nozzle 51 can be disposed in consideration of the layout of the organic material film formed on the substrate S.

또한 기판(S)의 영역(R1 ~ R4)의 4 개의 영역에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐(51)의 배치를 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다. 또한 다른 배치예로서, 도시는 생략하지만, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분의 상방에는, 상대적으로 노즐(51)의 수를 많게 하여 조밀하게 배치하고, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분의 상방에는, 상대적으로 노즐(51)의 수를 적게 하여 성기게 배치할 수도 있다. 또한 기판(S)의 종류 또는 형상에 따라, 노즐(51)의 위치 또는 가스 유량을 변경 가능한 구조가 바람직하다.Further, the present invention is not limited to the four regions R1 to R4 of the substrate S, and it is possible to inject the gas by individually setting the arrangement of the nozzles 51 with respect to the more subdivided regions. As another example of the arrangement, although not shown, the number of the nozzles 51 is relatively increased in the upper portion of the central portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively difficult, The number of the nozzles 51 may be relatively reduced above the periphery of the peripheral portion of the substrate S where drying is relatively easy. Further, it is preferable that the position or the gas flow rate of the nozzle 51 can be changed depending on the type or shape of the substrate S.

<제어부><Control section>

도 1에 도시한 바와 같이, 건조 장치(100)의 각 구성부, 예를 들면 배기 장치(19), APC 밸브(23), 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57), 개폐 밸브(59) 등은, 제어부(6)에 접속되어 제어되는 구성으로 되어 있다. 제어부(6)는, CPU를 구비한 컨트롤러(61)와, 유저 인터페이스(62)와 기억부(63)를 구비하고 있다. 컨트롤러(61)는 컴퓨터 기능을 가지고 있고, 건조 장치(100)에서 각 구성부를 통괄하여 제어한다. 유저 인터페이스(62)는, 공정 관리자가 건조 장치(100)를 관리하기 위하여 커멘드의 입력 조작 등을 행하는 키보드, 및 건조 장치(100)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로부터 구성된다. 기억부(63)에는, 건조 장치(100)에서 실행되는 각종 처리를 컨트롤러(61)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램(소프트웨어) 또는 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피가 보존되어 있다. 유저 인터페이스(62) 및 기억부(63)는 컨트롤러(61)에 접속되어 있다.1, the respective components of the drying apparatus 100, for example, the exhaust device 19, the APC valve 23, the mass flow controller (MFC) 57, the on-off valve 59, , And is controlled by being connected to the control unit (6). The control unit 6 includes a controller 61 having a CPU, a user interface 62, and a storage unit 63. The controller 61 has a computer function, and controls the components in the drying apparatus 100 as a whole. The user interface 62 is constituted by a keyboard for performing a command input operation or the like for the process manager to manage the drying apparatus 100 and a display for visually displaying the operating status of the drying apparatus 100 and the like. The storage unit 63 stores a recipe in which a control program (software) or processing condition data for realizing various processes executed in the drying apparatus 100 under the control of the controller 61 is recorded. The user interface 62 and the storage unit 63 are connected to the controller 61. [

그리고 필요에 따라, 유저 인터페이스(62)로부터의 지시 등으로 임의의 레시피를 기억부(63)로부터 호출하여 컨트롤러(61)에 실행시킴으로써, 컨트롤러(61)의 제어 하에서 건조 장치(100)에서의 원하는 건조 처리가 행해진다. 즉 제어부(6)는, 배기 장치(19) 및 APC 밸브(23)에 제어 신호를 송출하여, 처리 용기(1) 내를 소정의 압력으로 유지한다. 또한 제어부(6)는, 복수의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 개폐 밸브(59)에 제어 신호를 송출하여, 복수의 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를, 노즐(51)마다 또는 2 개 이상의 노즐(51)의 조합마다 독립하여 조절한다. 상기 제어 프로그램 또는 처리 조건 데이터 등의 레시피는, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 예를 들면 CD-ROM, 하드 디스크, 플렉시블 디스크, 플래쉬 메모리 등에 저장된 상태의 것을 이용할 수 있다. 혹은 다른 장치로부터, 예를 들면 전용 회선을 개재하여 수시 전송시켜 온라인으로 이용하는 것도 가능하다.If desired, an arbitrary recipe is called from the storage unit 63 by an instruction from the user interface 62 and is executed by the controller 61 so that the desired Drying treatment is carried out. That is, the control unit 6 sends control signals to the exhaust device 19 and the APC valve 23 to maintain the inside of the processing container 1 at a predetermined pressure. The control unit 6 also sends out control signals to the plurality of mass flow controllers (MFCs) 57 and the on-off valves 59 to control the flow rates of the gases jetted from the plurality of nozzles 51 and One is adjusted independently for each nozzle 51 or for each combination of two or more nozzles 51. The recipe such as the control program or the processing condition data may be stored in a computer-readable storage medium such as a CD-ROM, a hard disk, a flexible disk, a flash memory, or the like. Alternatively, it may be transmitted from another apparatus, for example, via a dedicated line at any time and used online.

[건조 처리 방법][Drying Treatment Method]

이어서 도 3을 참조하여, 건조 장치(100)를 이용하여 행해지는 기판(S) 표면의 유기 재료막의 건조 처리에 대하여 설명한다. 본 실시예의 건조 처리 방법은, 건조 장치(100)의 처리 용기(1) 내에서, 기판(S)의 표면에 도포된 유기 재료막에 대한 건조 처리를 행한다. 건조 처리 동안에는, 제어부(6)에 의해, 복수의 노즐(51)을 구비한 가스 분사 장치(5)에 대하여, 노즐(51)마다 가스의 분사 유량, 가스의 종류 등을 개별적으로 조절하여, 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사한다. 각 노즐(51)로부터의 불활성 가스 및 용매 가스 중 적어도 하나의 분사는 연속적이어도 되고, 비연속적(간헐적)이어도 된다. 또한 건조 처리는, 유기 재료막 중에 포함되는 용매의 휘발을 촉진하여, 건조 효율을 높이기 위하여, 처리 용기(1) 내의 압력을 0.1 ~ 100 Pa의 범위 내, 바람직하게는 0.3 ~ 10 Pa의 범위 내로 유지하여 행한다. 본 실시예에서는, 가스 분사 장치(5)에 의한 가스의 분사와 처리 용기(1) 내의 압력 제어를 관련시켜 행함으로써, 처리 용기(1) 내를 고진공으로 하면서, 분위기 중의 용매 농도를 낮추는 것이 가능해져, 기판(S) 표면의 유기 재료막의 건조 효율을 향상시켜, 단시간에 건조 처리를 행할 수 있다.Next, the drying process of the organic material film on the surface of the substrate S, which is performed using the drying apparatus 100, will be described with reference to Fig. The drying treatment method of this embodiment performs a drying treatment on the organic material film applied to the surface of the substrate S in the treatment vessel 1 of the drying apparatus 100. [ During the drying process, the control unit 6 controls the gas injection device 5 including the plurality of nozzles 51 by individually adjusting the injection flow rate of gas, the kind of gas, etc. for each nozzle 51, (S). The injection of at least one of the inert gas and the solvent gas from the respective nozzles 51 may be continuous or discontinuous (intermittent). The drying treatment is carried out in such a manner that the pressure in the treatment vessel 1 is controlled within the range of 0.1 to 100 Pa, preferably 0.3 to 10 Pa, in order to promote the volatilization of the solvent contained in the organic material film and to improve the drying efficiency . In this embodiment, by performing the gas injection by the gas injection device 5 and the pressure control in the processing vessel 1 in relation to each other, it is possible to lower the solvent concentration in the atmosphere while making the inside of the processing vessel 1 highly vacuumed The drying efficiency of the organic material film on the surface of the substrate S is improved, and the drying treatment can be performed in a short time.

도 3은, 처리 용기(1) 내를 감압 배기하는 과정의 압력 변화를 모식적으로 나타낸 특성도이다. 도 3의 종축은 처리 용기(1) 내의 압력을 나타내고, 횡축은 시간을 나타내고 있다. 건조 장치(100)에서는, 배기 장치(19)를 작동시킴으로써 처리 용기(1)의 내부 공간을 소정의 진공도까지 감압 배기할 수 있다. 예를 들면, 배기 장치(19)를 작동시키면, 처리 용기(1) 내에서는, 예를 들면 도 3의 곡선(A)으로 나타낸 바와 같이 압력 강하가 발생한다. 여기서, 유기 재료막에 대한 건조 처리에 있어 바람직한 압력 범위가, 도 3의 압력(P1 ~ P2)의 범위 내라고 가정한다. 여기서, 압력(P1, P2)의 값은 기판(S) 표면의 유기 재료막 중의 용매량 등에 따라 설정하면 되고, 압력(P1)은 예를 들면 10 ~ 100 Pa의 범위 내로 설정하는 것이 바람직하며, 압력(P2)은 예를 들면 0.1 ~ 0.3 Pa의 범위 내로 설정하는 것이 바람직하다. 처리 용기(1) 내의 압력(P1)이 100 Pa를 상회하면, 유기 재료막의 건조 효율이 저하된다. 처리 용기(1) 내의 압력(P2)이 0.1 Pa를 하회하면, 기판(S)의 면내에서 건조되기 쉬운 영역(예를 들면 주연부)의 건조가 지나치게 진행되어, 기판(S)의 면내에서의 건조의 정도에 불균일이 생긴다. 또한, 처리 용기(1) 내의 압력이 P1 ~ P2의 범위를 초과하여 크게 변동하면, 기판(S) 상의 유기 재료막의 건조 정도를 관리하는 것이 곤란해져, 1 매의 기판(S)의 면내에서의 건조 정도의 파악이 곤란해질 뿐 아니라, 복수 매의 기판(S) 간에서 처리의 불균일을 일으킬 가능성이 있다. 따라서, 기판(S)에 대한 건조 처리를 예를 들면 시점(t1)부터 시점(t2)까지 행할 경우, 적어도 t1 ~ t2의 동에는 압력을 P1 ~ P2의 범위 내로 하여, 도 3의 곡선(B)과 같은 압력 상태를 처리 용기(1) 내에 만드는 것이 바람직하다.3 is a characteristic diagram schematically showing the pressure change in the process of evacuating the inside of the processing vessel 1 under reduced pressure. The vertical axis of FIG. 3 represents the pressure in the processing vessel 1, and the horizontal axis represents time. In the drying apparatus 100, by operating the exhaust device 19, the inner space of the processing container 1 can be evacuated to a predetermined degree of vacuum. For example, when the exhaust device 19 is operated, a pressure drop occurs in the processing vessel 1, for example, as indicated by a curve A in Fig. Here, it is assumed that the preferable pressure range in the drying process for the organic material film is within the range of the pressures (P1 to P2) in Fig. The values of the pressures P1 and P2 may be set according to the amount of solvent in the organic material film on the surface of the substrate S and the pressure P1 is preferably set within a range of 10 to 100 Pa, The pressure P2 is preferably set within a range of 0.1 to 0.3 Pa, for example. If the pressure P1 in the processing vessel 1 exceeds 100 Pa, the drying efficiency of the organic material film is lowered. If the pressure P2 in the processing vessel 1 is lower than 0.1 Pa, the drying of the region (for example, peripheral portion) which is likely to dry in the plane of the substrate S is excessively advanced, And the like. It is also difficult to control the degree of drying of the organic material film on the substrate S if the pressure in the processing vessel 1 fluctuates greatly beyond the range of P1 to P2, It is difficult to grasp the degree of drying, and there is a possibility of causing unevenness of processing among a plurality of substrates S. Therefore, when the drying process for the substrate S is performed from the time point t1 to the time point t2, for example, the pressure in the range from t1 to t2 is within the range of P1 to P2, ) In the processing vessel 1 is preferable.

처리 용기(1) 내의 압력은, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 의한 도입 가스의 유량 제어와, APC 밸브(23)의 개방도를 조절함으로써 일정한 범위로 컨트롤하는 것이 가능하다. 본 실시예의 건조 처리 방법에서는, 처리 용기(1) 내로 가스 분사 장치(5)에 의해 연속적 또는 비연속적으로 가스를 도입하기 위하여, 제어부(6)에 의해 이하와 같은 순서로 압력과 가스 유량의 제어를 행하는 것이 바람직하다. 예를 들면 도 3에서, 처리 용기(1) 내의 압력이 P1까지 강하한 시점(t1)과 동시에 가스의 분사를 개시하고, 건조 처리를 종료하는 시점(t2)까지의 동안에, 연속하여 가스 분사를 행한다. 또한 다른 예에서는, 도 3에서, 처리 용기(1) 내의 압력이 P1까지 강하한 시점(t1)과 동시에 가스의 분사를 개시하고, 건조 처리를 종료하는 시점(t2)까지의 동안에, 가스를 분사하고 정지하는 것을 반복하여 행해도 된다. 가스의 도입을 비연속적으로 행할 경우에는, 예를 들면 10 ~ 100 초의 범위 내의 간격으로 가스 도입과 정지를 전환하는 것이 바람직하다.The pressure in the processing vessel 1 can be controlled within a certain range by controlling the flow rate of the introduced gas by the mass flow controller (MFC) 57 and the opening degree of the APC valve 23. [ In the drying treatment method of the present embodiment, in order to introduce gas continuously or discontinuously into the processing vessel 1 by the gas injection apparatus 5, the control unit 6 controls the pressure and the gas flow rate in the following procedure . For example, in Fig. 3, the gas injection is continuously performed at the time t1 when the pressure in the processing vessel 1 has dropped to P1 and at the time t2 when the drying process is terminated I do. 3, at the same time when the pressure in the processing vessel 1 is lowered to P1, the gas is injected and the gas is injected during the period from the time point t2 at which the drying processing is terminated And then stopped. In the case where the introduction of the gas is discontinuously performed, it is preferable to switch the gas introduction and the stop at intervals within the range of, for example, 10 to 100 seconds.

이상과 같이, 처리 용기(1) 내를 압력(P1 ~ P2)의 범위 내의 고진공 상태로 유지하면서, 연속적 혹은 비연속적으로 가스를 도입한다. 이와 같이 도입한 가스의 기류를 이용하여, 처리 용기(1) 내의 분위기 중의 용매의 배기를 촉진함으로써, 단시간에 건조 처리를 행할 수 있다.As described above, the gas is continuously or discontinuously introduced while maintaining the inside of the processing container 1 in a high vacuum state in the range of the pressures P1 to P2. The drying process can be performed in a short period of time by promoting the discharge of the solvent in the atmosphere in the processing container 1 by using the air stream of the gas thus introduced.

[건조 처리의 순서][Procedure of drying treatment]

이어서, 이상과 같이 구성된 건조 장치(100)를 이용하는 건조 처리의 순서에 대하여 설명한다. 우선 전단계로서, 외부의 잉크젯 인쇄 장치(도시 생략)로 기판(S) 상에 유기 재료막을 소정의 패턴으로 인쇄한다. 이어서, 게이트 밸브(GV)를 개방하고, 유기 재료막이 인쇄된 기판(S)을 외부의 반송 장치(도시 생략)에 의해 건조 장치(100)의 재치대(3)로 전달한다.Next, the procedure of the drying process using the drying apparatus 100 configured as described above will be described. First, as the previous step, the organic material film is printed on the substrate S in a predetermined pattern by an external inkjet printing apparatus (not shown). Next, the gate valve GV is opened, and the substrate S on which the organic material film is printed is transferred to the mounting table 3 of the drying apparatus 100 by an external transfer device (not shown).

이어서, 건조 장치(100)의 게이트 밸브(GV)를 닫고 배기 장치(19)를 작동시켜 처리 용기(1) 내를 감압 배기한다. 그리고, 압력계(25)에 의해 처리 용기(1) 내의 압력을 모니터하면서, APC 밸브(23)의 개방도를 컨트롤하여 소정의 진공도까지 감압한다. 이와 같이 하여, 기판(S) 상에 형성된 유기 재료막 중에 포함되는 용매를 제거하는 건조 처리를 실시할 수 있다. 이 건조 처리 동안, 처리 용기(1) 내의 압력을 제어하면서, 가스의 분사 유량, 가스의 종류 등을 개별적으로 조절 가능한 복수의 노즐(51)을 구비한 가스 분사 장치(5)를 이용하여 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사함으로써, 기판(S)의 면내에서의 유기 재료막의 건조 정도를 균일화하면서, 단시간에 효율좋게 건조시킬 수 있다. 또한, 가스 분사 장치(5)를 이용하여 처리 용기(1) 내로 가스를 도입함으로써, 처리 용기(1) 내에서 기류가 발생하기 때문에, 처리 용기(1) 내에 체류하고 있는 용매의 배기를 촉진할 수 있다.Subsequently, the gate valve (GV) of the drying apparatus 100 is closed and the exhaust apparatus 19 is operated to exhaust the inside of the processing vessel 1 under reduced pressure. The pressure in the processing vessel 1 is monitored by the pressure gauge 25, and the degree of opening of the APC valve 23 is controlled to reduce the pressure to a predetermined degree of vacuum. In this way, a drying process for removing the solvent contained in the organic material film formed on the substrate S can be performed. During this drying process, the gas injection device 5 provided with the plurality of nozzles 51 capable of individually controlling the injection flow rate of the gas, the kind of the gas, etc., while controlling the pressure in the processing vessel 1, S can be efficiently dried in a short period of time while uniformizing the degree of drying of the organic material film in the plane of the substrate S by spraying gas toward the surface of the substrate S. In addition, by introducing gas into the processing vessel 1 by using the gas injection device 5, airflow is generated in the processing vessel 1, so that the exhaust of the solvent staying in the processing vessel 1 is promoted .

이어서, 가스 분사 장치(5)에 의한 가스의 분사와 배기 장치(19)에 의한 배기를 정지하고, 처리 용기(1) 내를 소정 압력까지 승압한 후, 건조 장치(100)의 게이트 밸브(GV)를 개방하고, 외부의 반송 장치(도시 생략)에 의해 기판(S)을 처리 용기(1)로부터 반출한다. 이상의 순서에 의해, 1 매의 기판(S)에 대한 건조 처리가 종료된다.Subsequently, the gas injection by the gas injection device 5 and the exhaust by the exhaust device 19 are stopped and the inside of the process container 1 is raised to a predetermined pressure. Thereafter, the gate valve (GV And the substrate S is taken out of the processing container 1 by an external transfer device (not shown). By the above procedure, the drying process for one substrate S is completed.

[유기 EL 소자의 제조 프로세스에의 적용예][Example of Application to Manufacturing Process of Organic EL Device]

유기 EL 소자의 제조는, 양극과 음극의 사이에 EL층으로서 복수의 유기 기능막을 형성한다. 본 실시예의 건조 장치(100)는, 어떠한 적층 구조의 유기 EL 소자의 제조에도 적용할 수 있다. 여기서는, EL층으로서 양극측으로부터 음극측을 향해, 정공 주입층 / 정공 수송층 / 발광층 / 전자 수송층 / 전자 주입층을 가지는 유기 EL 소자를 제조할 경우를 예로 들어, 건조 장치(100)에 의한 구체적인 처리를 설명한다.In the production of the organic EL device, a plurality of organic functional films are formed as an EL layer between the anode and the cathode. The drying apparatus 100 of the present embodiment can be applied to the production of an organic EL element having any lamination structure. Here, the case where an organic EL element having a hole injecting layer / a hole transporting layer / a light emitting layer / an electron transporting layer / an electron injecting layer is produced from an anode side to an anode side as an EL layer is described as a specific process by the drying apparatus 100 .

도 4에, 유기 EL 소자의 제조 공정의 개략을 나타냈다. 본 예에서, 유기 EL 소자는 STEP1 ~ STEP8의 공정에 의해 제조된다. STEP1에서는, 기판(S) 상에, 예를 들면 증착법 등에 의해 소정의 패턴으로 양극(화소 전극)을 형성한다. 이어서 STEP2에서는, 양극의 사이에 절연물에 의한 격벽(뱅크)을 형성한다. 격벽을 형성하기 위한 절연 재료로서는, 예를 들면 감광성 폴리이미드 수지 등의 고분자 재료를 이용할 수 있다.Fig. 4 schematically shows a manufacturing process of the organic EL device. In this example, the organic EL device is manufactured by the processes of STEP1 to STEP8. In STEP 1, an anode (pixel electrode) is formed on the substrate S in a predetermined pattern by, for example, a vapor deposition method or the like. Next, in STEP 2, a partition (bank) made of an insulating material is formed between the positive electrodes. As the insulating material for forming the barrier rib, for example, a polymer material such as a photosensitive polyimide resin can be used.

이어서 STEP3에서는, STEP1에서 형성된 양극 상에 정공 주입층을 형성한다. 우선 잉크젯 인쇄법에 의해, 각 격벽에 의해 구획된 양극 상에, 정공 주입층의 재료가 되는 유기 재료를 인쇄한다. 이어서, 이와 같이 인쇄된 유기 재료막에 대하여, 건조 장치(100)를 이용하여, 용매 제거를 위한 감압 건조 처리를 행한다. 이어서, 건조 처리 후의 기판(S)을 베이크 장치로 이송하여 베이크 처리를 행함으로써, 정공 주입층을 형성한다.Subsequently, in STEP3, a hole injection layer is formed on the anode formed in STEP1. First, an organic material to be a material of the hole injection layer is printed on the anode partitioned by each partition by the inkjet printing method. Subsequently, the thus-printed organic material film is subjected to a reduced-pressure drying process for removing the solvent by using the drying apparatus 100. Subsequently, the substrate S after the drying treatment is transferred to a baking apparatus and subjected to a baking treatment to form a hole injecting layer.

이어서 STEP4에서는, STEP3에서 형성된 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성한다. 우선 잉크젯 인쇄법에 의해, 정공 주입층 상에 정공 수송층의 재료가 되는 유기 재료를 인쇄한다. 이와 같이 인쇄된 유기 재료막에 대하여, 건조 장치(100)를 이용하여, 용매 제거를 위한 감압 건조 처리를 행한다. 이어서, 건조 처리 후의 기판(S)을 베이크 장치로 이송하여 베이크 처리를 행함으로써, 정공 수송층을 형성한다.Subsequently, in STEP4, a hole transport layer is formed on the hole injection layer formed in STEP3. First, an organic material to be a material of the hole transport layer is printed on the hole injection layer by an inkjet printing method. The organic material film printed in this way is subjected to a reduced pressure drying treatment for removing the solvent by using the drying apparatus 100. [ Subsequently, the substrate S after the drying treatment is transferred to a baking apparatus and baked to form a hole transporting layer.

이어서 STEP5에서는, STEP4에서 형성된 정공 수송층 상에 발광층을 형성한다. 우선 잉크젯 인쇄법에 의해, 정공 수송층 상에 발광층의 재료가 되는 유기 재료를 인쇄한다. 이와 같이 인쇄된 유기 재료막에 대하여, 건조 장치(100)를 이용하여, 용매 제거를 위한 감압 건조 처리를 행한다. 이어서, 건조 처리 후의 기판(S)을 베이크 장치로 이송하여 베이크 처리를 행함으로써, 발광층을 형성한다. 또한, 발광층이 복수층으로 이루어질 경우, 상기 처리가 반복된다.Subsequently, in STEP5, a light emitting layer is formed on the hole transporting layer formed in STEP4. First, an organic material to be a material of the light emitting layer is printed on the hole transporting layer by the inkjet printing method. The organic material film printed in this way is subjected to a reduced pressure drying treatment for removing the solvent by using the drying apparatus 100. [ Subsequently, the substrate S after the drying treatment is transferred to a baking apparatus and subjected to a baking treatment to form a light emitting layer. Further, when the light emitting layer is composed of a plurality of layers, the above process is repeated.

이어서 발광층 상에, 예를 들면 증착법에 의해 전자 수송층(STEP6), 전자 주입층(STEP7) 및 음극(STEP8)을 순차적으로 형성함으로써, 유기 EL 소자가 얻어진다.Subsequently, an electron transport layer (STEP6), an electron injection layer (STEP7) and a cathode (STEP8) are sequentially formed on the light emitting layer by, for example, vapor deposition method to obtain an organic EL element.

이러한 유기 EL 소자의 제조 프로세스에서, 건조 장치(100)는, STEP3(정공 주입층 형성), STEP4(정공 수송층 형성) 및 STEP5(발광층 형성)에 바람직하게 적용할 수 있다. 즉, 잉크젯 인쇄법에 의해, 각 층의 전단계인 유기 재료막을 인쇄한 후, 건조 장치(100)를 사용하여 유기 재료막에 대한 감압 건조 처리를 행할 수 있다. 이 경우, 건조 장치(100)는 가스의 분사 유량, 가스의 종류 등을 개별적으로 조절 가능한 복수의 노즐(51)을 구비한 가스 분사 장치(5)를 구비하고 있기 때문에, 고진공 상태에서도 단시간에 뛰어난 건조 효율이 얻어진다.In such a manufacturing process of the organic EL device, the drying apparatus 100 can be suitably applied to STEP3 (hole injection layer formation), STEP4 (hole transport layer formation), and STEP5 (light emission layer formation). That is, after the organic material film which is the previous stage of each layer is printed by the inkjet printing method, the organic material film can be subjected to the reduced pressure drying treatment using the drying apparatus 100. In this case, since the drying apparatus 100 is provided with the gas injection device 5 having a plurality of nozzles 51 capable of individually regulating the flow rate of the gas and the kind of the gas, the drying apparatus 100 is excellent in a short period of time Drying efficiency is obtained.

이상과 같이, 건조 장치(100)를 이용함으로써, 유기 EL 소자의 제조 프로세스에서, EL층을 형성하기 위하여 필요한 건조 공정을 고스루풋으로 효율 좋게 행할 수 있다.As described above, by using the drying apparatus 100, the drying process necessary for forming the EL layer can be efficiently performed with high throughput in the manufacturing process of the organic EL device.

[제 2 실시예][Second Embodiment]

이어서 도 5 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예의 건조 장치에 대하여 설명한다. 도 5는, 제 2 실시예에 따른 건조 장치(101)의 개략 구성을 도시한 단면도이다. 도 6은, 도 5의 건조 장치(101)에서의 노즐(51)의 배치를 설명하기 위한 기판(S)의 평면도이다. 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 주된 상이점으로서, 본 실시예의 건조 장치(101)에서는, 복수의 노즐(51)의 조합마다 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 조절 가능하게 구성되어 있다. 이하에, 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 상이점을 중심으로 설명하고, 본 실시예의 건조 장치(101)에서, 제 1 실시예와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략한다.Next, the drying apparatus of the second embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig. 5 is a cross-sectional view showing a schematic structure of the drying apparatus 101 according to the second embodiment. Fig. 6 is a plan view of the substrate S for explaining the arrangement of the nozzles 51 in the drying apparatus 101 of Fig. As a main difference from the drying apparatus 100 of the first embodiment, in the drying apparatus 101 of the present embodiment, at least one of the gas flow rate and the gas type can be adjusted for each combination of the plurality of nozzles 51 have. Hereinafter, differences from the drying apparatus 100 of the first embodiment will be mainly described. In the drying apparatus 101 of this embodiment, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

본 실시예의 건조 장치(101)는, 진공 배기 가능한 처리 용기(1)와, 처리 용기(1) 내에서 기판(S)을 지지하는 지지 부재로서의 재치대(3)와, 재치대(3)에 지지되는 기판(S) 상의 유기 재료막을 향해 가스를 분사하는 가스 분사 장치(5A)와, 복수의 노즐로부터 분사되는 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부(6)를 구비하고 있다. 또한 건조 장치(101)는, 처리 용기(1) 내의 압력을 조절하는 압력 제어 기구를 구비하고 있다.The drying apparatus 101 of the present embodiment includes a processing container 1 capable of vacuum evacuation, a mounting table 3 as a supporting member for supporting the substrate S in the processing container 1, A gas injection device (5A) for injecting a gas toward an organic material film on a substrate (S) to be supported; and at least one of a flow rate of a gas jetted from the plurality of nozzles and a kind of gas, And a control unit (6) for independently controlling the combination of the two units as a unit. Further, the drying apparatus 101 is provided with a pressure control mechanism for controlling the pressure in the processing vessel 1.

본 실시예의 건조 장치(101)에서 처리 용기(1), 재치대(3), 압력 제어 기구 및 제어부(6)의 구성은 제 1 실시예의 건조 장치(100)와 동일하다.The structure of the processing container 1, the mounting table 3, the pressure control mechanism, and the control unit 6 in the drying apparatus 101 of this embodiment is the same as that of the drying apparatus 100 of the first embodiment.

<가스 분사 장치><Gas injection device>

가스 분사 장치(5A)는, 복수의 노즐(51)과, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 가스 공급원(53)과, 가스 공급원(53)과 각 노즐(51)을 접속하고, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 복수의 배관(55)을 구비하고 있다. 도 5에서는, 11 개의 노즐(51)을 대표적으로 도시하고 있다. 또한 가스 분사 장치(5A)는, 배관(55)의 도중에, 가스 유량을 제어하는 복수의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와, 복수의 개폐 밸브(59)를 구비하고 있다. 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 유량 또는 분사 속도, 가스의 종류 등은 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57) 및 개폐 밸브(59)에 의해 제어된다. 또한 도 5에서는, 배관(55), 개폐 밸브(59) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 대하여 대표적인 것을 도시하고 있는데, 이들의 배설 위치 또는 수는, 도 5에 예시한 내용에 한정되지 않는다.The gas injection device 5A has a plurality of nozzles 51, a gas supply source 53 for supplying gas to each nozzle 51, a gas supply source 53 and each nozzle 51, And a plurality of pipes 55 for supplying the gas to the gas supply pipe 51. In Fig. 5, eleven nozzles 51 are representatively shown. The gas injection device 5A includes a plurality of mass flow controllers (MFCs) 57 and a plurality of opening / closing valves 59 for controlling the gas flow rate in the middle of the pipe 55. The flow rate or injection speed of the gas injected from the nozzle 51, the kind of the gas, and the like are controlled by the mass flow controller (MFC) 57 and the opening / closing valve 59. 5, representative examples of the pipe 55, the on-off valve 59, and the mass flow controller (MFC) 57 are shown. The positions and the number of these are not limited to the contents shown in Fig. 5 Do not.

본 실시예에서는, 복수의 노즐(51)은 복수의 조합을 포함하고 있고, 이 조합마다 독립하여, 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 조절할 수 있다. 도 5에서는, 대표적으로, 복수의 노즐(51)에 의해 구성되는 2 개의 조합(노즐 그룹(52))을 도시하고 있다. 각 노즐 그룹(52)에 대하여, 설명의 편의상 구별이 필요할 경우에는, 도 5의 지면을 향해 좌측으로부터 노즐 그룹(52A), 노즐 그룹(52B), 노즐 그룹(52A)이라고 표기한다. 여기서 노즐 그룹(52B)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 노즐 그룹(52A)은, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 더 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐 그룹(52)을 설정하는 것도 가능하다.In the present embodiment, the plurality of nozzles 51 includes a plurality of combinations, and at least one of the gas flow rate and gas type can be adjusted independently for each combination. In Fig. 5, two combinations (nozzle groups 52) constituted by a plurality of nozzles 51 are representatively shown. When it is necessary to distinguish each of the nozzle groups 52 for convenience of explanation, the nozzle group 52A, the nozzle group 52B, and the nozzle group 52A are indicated from the left side toward the paper surface of FIG. Here, the nozzle group 52B is disposed so as to oppose to the upper portion of the central portion of the rectangular substrate S, and the nozzle group 52A is arranged to face the upper side of the peripheral portion of the substrate S. It is also possible to set the nozzle groups 52 individually for the more subdivided regions, not limited to the central portion and the peripheral portion of the substrate S.

가스 공급원(53)은 불활성 가스 공급원(53A) 및 용매 가스 공급원(53B)을 구비하고 있다. 가스 공급원(53)의 구성은 제 1 실시예와 동일하다.The gas supply source 53 is provided with an inert gas supply source 53A and a solvent gas supply source 53B. The configuration of the gas supply source 53 is the same as that of the first embodiment.

본 실시예에 대하여, 복수의 노즐(51)은, 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사할 수 있도록, 기판(S)의 상방에 설치되어 있다. 그리고 복수의 노즐 그룹(52)은, 가스의 분사 유량, 가스의 종류를 노즐 그룹(52)마다 독립하여 조절할 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 배관(55)과 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐 그룹(52)마다 독립하여 가스의 분사 유량을 제어할 수 있도록 배치되어 있다. 또한, 배관(55)과 복수의 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐 그룹(52)마다 독립하여 가스의 종류를 전환하여 분사할 수 있도록 구성되어 있다.In the present embodiment, a plurality of nozzles 51 are provided above the substrate S so that gas can be jetted toward the surface of the substrate S. The plurality of nozzle groups 52 are configured so that the flow rate of gas and the kind of gas can be adjusted independently for each nozzle group 52. That is to say, the combination of the pipe 55, the mass flow controller (MFC) 57 and the opening / closing valve 59 is arranged so as to control the flow rate of the gas independently for each nozzle group 52. The combination of the pipe 55 and the plurality of open / close valves 59 is configured so that the kind of the gas can be switched independently for each nozzle group 52 so as to be injected.

[가스의 분사 유량][Gas flow rate]

복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 불활성 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 이 중앙 부분의 바로 위에 배치된 노즐 그룹(52B)으로부터 불활성 가스를 상대적으로 큰 유량(V7)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 이 주연 부분의 바로 위에 배치된 노즐 그룹(52A)으로부터 불활성 가스를 유량(V7)보다 상대적으로 작은 유량(V8)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 주연 부분에는, 불활성 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.The plurality of nozzle groups 52 are configured to be capable of injecting inert gas at independent injection flow rates. For example, inert gas can be injected at a relatively large flow rate V7 from the nozzle group 52B disposed immediately above the center portion of the substrate S in which the drying of the organic material film is relatively difficult to proceed have. An inert gas is supplied from the nozzle group 52A disposed immediately above the periphery of the substrate S to the peripheral portion of the substrate S where the drying of the organic material film is relatively easy to proceed at a flow rate V8 relatively smaller than the flow rate V7 It can be sprayed. It is also possible that no inert gas is injected into the peripheral portion of the substrate S.

또한 복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 용매 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐 그룹(52A)으로부터 용매 가스를 상대적으로 큰 유량(V9)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐 그룹(52B)으로부터 용매 가스를 유량(V9)보다 상대적으로 작은 유량(V10)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분에는, 용매 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.The plurality of nozzle groups 52 are configured to be capable of jetting solvent gas at independent injection flow rates. For example, solvent gas can be injected from the nozzle group 52A at a relatively large flow rate V9 to the peripheral portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively easy. In addition, the solvent gas can be jetted from the nozzle group 52B at a flow rate V10, which is relatively smaller than the flow rate V9, at the central portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively difficult. It is also possible not to spray the solvent gas in the central portion of the substrate S.

가스의 분사 유량은 2 단계에 한정되지 않고, 1 단계 또는 3 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 유량을 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.The injection flow rate of the gas is not limited to two stages but may be one stage or three or more stages. Further, it is not limited to the central portion and the peripheral portion of the substrate S, and it is possible to set the flow rate separately for the more subdivided regions and to inject the gas.

[가스 종류][Gas type]

복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립하여 불활성 가스, 용매 가스, 또는 불활성 가스 및 용매 가스의 혼합 가스(이하, 단순히 ‘혼합 가스’라고 기술하는 경우가 있음)를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐 그룹(52B)으로부터 불활성 가스를 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐 그룹(52A)으로부터 용매 가스를 분사할 수 있다.The plurality of nozzle groups 52 are configured to be capable of jetting an inert gas, a solvent gas, or a mixed gas of an inert gas and a solvent gas (hereinafter sometimes simply referred to as a "mixed gas") independently of each other. For example, an inert gas can be injected from the nozzle group 52B to the central portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively difficult. In addition, the solvent gas can be injected from the nozzle group 52A to the peripheral portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively easy.

또한 복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 혼합 비율로 혼합 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐 그룹(52B)으로부터 용매 가스 농도가 낮은 제 1 혼합 비율로 혼합 가스를 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐 그룹(52A)으로부터 제 1 혼합 비율보다 용매 가스 농도가 높은 제 2 혼합 비율로 혼합 가스를 분사할 수 있다.The plurality of nozzle groups 52 are configured to be capable of injecting the mixed gas in independent mixing ratios. For example, the mixed gas can be injected from the nozzle group 52B at a first mixing ratio with a low solvent gas concentration at a central portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively difficult. The mixed gas can be injected from the nozzle group 52A at a second mixing ratio higher than the first mixing ratio to the peripheral portion of the substrate S where the drying of the organic material film is relatively easy.

또한, 혼합 가스의 혼합 비율은 2 단계에 한정되지 않고, 1 단계 또는 3 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 종류 또는 농도를 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.The mixing ratio of the mixed gas is not limited to two stages but may be one stage or three or more stages. Further, it is possible to spray the gas by setting the type or concentration individually for the finer regions, not limited to the central portion and the peripheral portion of the substrate S.

[노즐 높이 위치][Nozzle height position]

본 실시예에서는, 노즐 그룹(52) 중에서, 복수의 노즐(51)의 높이 위치를 개별적으로 설정할 수 있다. 도 5에 도시한 예에서는, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에 대향하는 노즐 그룹(52B)에 포함되는 복수의 노즐(51)의 높이 위치를 변화시키고 있다. 즉 노즐 그룹(52B)은, 재치대(3)에 지지되는 기판(S)까지의 거리가, 적어도, 상대적으로 가까운 높이 위치(H4)와, 상대적으로 먼 높이 위치(H5)와, 높이 위치(H4)보다 높고, 높이 위치(H5)보다 낮은 높이 위치(H6)의 노즐(51)을 포함하고 있다.In the present embodiment, the height positions of the plurality of nozzles 51 in the nozzle group 52 can be individually set. In the example shown in Fig. 5, the height positions of the plurality of nozzles 51 included in the nozzle group 52B opposed to the central portion of the substrate S, in which drying of the organic material film is relatively difficult, is changed. That is, the nozzle group 52B is arranged so that the distance to the substrate S supported on the mounting table 3 is at least a relatively high height position H4, a relatively far height position H5, H4 and a height position H6 lower than the height position H5.

또한 도 5에 도시한 예에서는, 노즐 그룹(52A)에 포함되는 노즐(51)의 높이 위치는 모두 동일한 높이 위치(H5)로 설정되어 있다.In the example shown in Fig. 5, the height positions of the nozzles 51 included in the nozzle group 52A are all set to the same height position H5.

또한, 노즐 그룹(52) 중에서 노즐(51)의 높이 위치를 변화시킬 경우는 3 단계에 한정되지 않고, 2 단계 또는 4 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐(51)의 높이 위치를 설정하여 가스를 분사하는 것도 가능하다.In the case of changing the height position of the nozzle 51 in the nozzle group 52, it is not limited to three, but may be two or four or more. It is also possible to separately inject the gas by setting the height position of the nozzle 51 with respect to the more subdivided area of the substrate S.

[노즐의 배치][Arrangement of Nozzle]

도 6에서는, 기판(S)의 상면에 노즐(51)의 배치를 투영하여 도시했다. 도 6에 도시한 바와 같이, 노즐 그룹(52B)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 노즐 그룹(52A)은, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있다. 구체적으로, 25 개의 노즐(51)을 가지는 노즐 그룹(52B)의 주위를 8 개의 노즐 그룹(52A)이 둘러싸도록 배치되어 있다. 또한, 노즐 그룹(52A)은 노즐 그룹(52A1)과 노즐 그룹(52A2)을 포함하고 있고, 이들에 포함되는 노즐(51)의 수는 노즐 그룹(52A1)이 15 개, 노즐 그룹(52A2)이 9 개로 상이하지만, 노즐 그룹(52A1)과 노즐 그룹(52A2)은 기판(S)에 가스를 분사하는 기능의 점에서 공통되고 있다.In Fig. 6, the arrangement of the nozzles 51 is shown projected on the upper surface of the substrate S. Fig. 6, the nozzle group 52B is disposed so as to oppose to the upper portion of the central portion of the rectangular substrate S, and the nozzle group 52A is arranged above the peripheral portion of the substrate S Respectively. Specifically, eight nozzle groups 52A are arranged so as to surround the nozzle group 52B having 25 nozzles 51. The nozzle group 52A includes the nozzle group 52A1 and the nozzle group 52A2 and the number of the nozzles 51 included therein is 15 nozzle groups 52A1 and the nozzle group 52A2 The nozzle group 52A1 and the nozzle group 52A2 are common in terms of the function of jetting the gas onto the substrate S. [

또한 도 6에서는, 기판(S) 상에 잉크젯 인쇄법에 의해 패턴 도포된 유기 재료막의 형성 영역을 R1 ~ R4로 나타내고 있다. 여기서, 영역(R1 ~ R4)은 각각이 유기 EL 제품, 예를 들면 유기 EL 디스플레이의 크기에 대응하고 있다. 즉, 1 매의 기판(S)으로부터 4 개의 유기 EL 제품을 제조할 수 있도록, 기판(S)의 면내에서 유기 재료막이 구분하여 형성되어 있다. 복수의 노즐(51)은, 4 개의 유기 재료막의 형성 영역(R1 ~ R4)에 대하여, 각각 25 개씩 균등하게 배치되어 있다. 이와 같이, 기판(S)에 형성된 유기 재료막의 레이아웃을 고려하여, 노즐(51)을 배치할 수 있다.In Fig. 6, formation regions of the organic material film pattern-coated on the substrate S by the ink-jet printing method are indicated by R1 to R4. Here, each of the regions R1 to R4 corresponds to the size of the organic EL product, for example, the organic EL display. That is, the organic material films are separately formed in the plane of the substrate S so that four organic EL products can be manufactured from one substrate S. The plurality of nozzles 51 are equally arranged by 25 for each of the formation regions R1 to R4 of the four organic material films. In this manner, the nozzle 51 can be disposed in consideration of the layout of the organic material film formed on the substrate S.

또한 기판(S)의 영역(R1 ~ R4)의 4 개의 영역에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐(51)의 배치를 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다. 또한 다른 배치예로서, 도시는 생략하지만, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분의 상방에는, 상대적으로 노즐(51)의 수를 많게 하여 조밀하게 배치하고, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분의 상방에는, 상대적으로 노즐(51)의 수를 적게 하여 성기게 배치할 수도 있다.Further, the present invention is not limited to the four regions R1 to R4 of the substrate S, and it is possible to inject the gas by individually setting the arrangement of the nozzles 51 with respect to the more subdivided regions. As another example of the arrangement, although not shown, the number of the nozzles 51 is relatively increased in the upper portion of the central portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively difficult, The number of the nozzles 51 may be relatively reduced above the periphery of the peripheral portion of the substrate S where drying is relatively easy.

본 실시예의 건조 장치(101)에서의 건조 처리는, 제어부(6)에 의해, 노즐 그룹(52A) 또는 노즐 그룹(52B)을 단위로서 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 개별적으로 조절하면서 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사하는 점 이외는, 제 1 실시예와 동일하다. 그리고 건조 처리 동안, 처리 용기(1) 내의 압력을 제어하면서, 가스 분사 장치(5A)를 이용하여 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사함으로써, 기판(S)의 면내에서의 유기 재료막의 건조 정도를 균일화하면서, 단시간에 효율 좋게 건조시킬 수 있다.The drying process in the drying apparatus 101 of the present embodiment is a method in which at least one of the gas flow rate and gas type is individually controlled by the control unit 6 in units of the nozzle group 52A or the nozzle group 52B Except that the gas is injected toward the surface of the substrate S while the gas is injected toward the surface of the substrate S. The drying of the organic material film in the plane of the substrate S by spraying the gas toward the surface of the substrate S using the gas injection device 5A while controlling the pressure in the process container 1 during the drying process It can be efficiently dried in a short period of time.

본 실시예에서의 다른 구성 및 효과는 제 1 실시예와 동일하다. 또한 건조 장치(101)는, 제 1 실시예와 마찬가지로 유기 EL 소자의 제조 프로세스에의 적용이 가능하다.Other configurations and effects in this embodiment are the same as those in the first embodiment. Further, the drying apparatus 101 can be applied to the manufacturing process of the organic EL element similarly to the first embodiment.

이어서 도 7 ~ 9를 참조하여, 본 발명의 기초가 된 실험 결과에 대하여 설명한다. 또한 도 7 ~ 9의 종축은 처리 용기(1) 내의 압력(Pa ; 로그 눈금)을 나타내고, 횡축은 시간(초)을 나타내고 있다. 이하의 실험에서는, 도 1의 건조 장치(100)와 동일한 건조 장치를 이용했다.Next, with reference to Figs. 7 to 9, experimental results on which the present invention is based will be described. 7 to 9 show the pressure (Pa) (log scale) in the processing vessel 1, and the horizontal axis shows time (seconds). In the following experiment, the same drying apparatus as the drying apparatus 100 of Fig. 1 was used.

도 7은, 배기 장치(19)를 작동시켜 처리 용기(1) 내를 감압 배기하는 도중에, N2 가스를 도입한 경우와 하지 않은 경우의 압력 변화를 나타낸 특성도이다. 도 7 중 곡선(A)은, 건조 처리 동안, N2를 도입하지 않은 경우의 압력 변화를 나타내고, 곡선(B)은, 처리 용기(1) 내의 압력이 10 Pa로 저하된 시점으로부터 건조 처리의 종료까지 180 ml/min(sccm)의 유량으로 N2 가스를 연속적으로 도입한 경우의 압력 변화를 나타내고 있다. 도 7로부터, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 의해 처리 용기(1) 내로 N2 가스를 도입하면서 APC 밸브(23)의 개방도를 조절함으로써, 압력을 대략 일정하게 유지할 수 있는 것이 확인되었다.7 is a characteristic diagram showing changes in pressure when the N 2 gas is introduced into the processing container 1 and when the N 2 gas is not introduced during the evacuation of the inside of the processing container 1 by operating the exhaust device 19. 7 shows the change in pressure when no N 2 is introduced during the drying process and the curve B shows the change in the pressure during the drying process from the point when the pressure in the process container 1 dropped to 10 Pa. And the N 2 gas was continuously introduced at a flow rate of 180 ml / min (sccm) to the end of the reaction. 7, it was confirmed that the pressure can be kept substantially constant by adjusting the opening degree of the APC valve 23 while introducing N 2 gas into the processing vessel 1 by the mass flow controller (MFC) 57 .

도 8은, 배기 장치(19)를 작동시켜 처리 용기(1) 내를 감압 배기하면서, 처리 용기(1) 내로 연속하여 N2 가스를 도입한 경우의 N2 가스 유량과 처리 용기(1) 내의 압력과의 관계를 나타낸 특성도이다. 도 8에서는, 처리 용기(1) 내의 압력이 10 Pa로 저하된 시점으로부터 건조 처리의 종료까지 100 ml/min(sccm)의 유량으로 N2 가스를 연속적으로 도입한 경우의 압력 변화를 나타내고 있다. 도 8로부터, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 의해 처리 용기(1) 내로 N2 가스를 도입하면서 APC 밸브(23)의 개방도를 조절함으로써, 압력을 대략 일정하게 유지할 수 있는 것이 확인되었다.8 shows the relationship between the flow rate of N 2 gas when the N 2 gas is introduced continuously into the processing vessel 1 and the flow rate of N 2 gas when the inside of the processing vessel 1 is evacuated while the exhaust system 19 is operated, And pressure. 8 shows the pressure change when N 2 gas is continuously introduced at a flow rate of 100 ml / min (sccm) from the time when the pressure in the processing vessel 1 is lowered to 10 Pa to the end of the drying processing. It has been confirmed from Fig. 8 that the pressure can be kept substantially constant by adjusting the opening degree of the APC valve 23 while introducing N 2 gas into the processing vessel 1 by the mass flow controller (MFC) 57 .

도 9는, 배기 장치(19)를 작동시켜 처리 용기(1) 내를 감압 배기하면서, 처리 용기(1) 내로 비연속적으로 N2 가스를 도입한 경우의 N2 가스 유량과 처리 용기(1) 내의 압력과의 관계를 나타낸 특성도이다. 도 9에서는, 처리 용기(1) 내의 압력이 10 Pa로 저하된 시점으로부터 건조 처리의 종료까지의 동안에, 100 ml/min(sccm)의 유량으로 N2 가스를 비연속적으로 도입한 경우의 압력 변화를 나타내고 있다. 도 9로부터, 처리 용기(1) 내로 N2 가스를 도입하고 있는 동안에는 대략 1 Pa 정도의 압력으로 유지되고, N2 가스의 도입을 정지하고 있는 동안에는 대략 0.3 Pa 정도의 압력으로 유지되고 있다. 이와 같이, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 의해 처리 용기(1) 내로 N2 가스를 도입하면서 APC 밸브(23)의 개방도를 조절함으로써, 압력을 소정의 범위 내, 예를 들면 0.3 Pa ~ 1 Pa의 범위 내로 유지할 수 있는 것이 확인되었다.Figure 9 is, by operating the exhaust unit (19) processing vessel (1) N 2 gas flow rate and the process vessel 1 in the case where, while a reduced pressure evacuating the inside, introducing N 2 gas discontinuously into the processing container 1, And the pressure in the chamber. 9 shows the pressure change when the N 2 gas is discontinuously introduced at a flow rate of 100 ml / min (sccm) during the period from the time when the pressure in the processing vessel 1 is lowered to 10 Pa to the termination of the drying treatment Respectively. 9, while the N 2 gas is introduced into the processing vessel 1, the pressure is maintained at about 1 Pa. While the introduction of the N 2 gas is stopped, the pressure is maintained at about 0.3 Pa. As described above, the opening degree of the APC valve 23 is adjusted while the N 2 gas is introduced into the processing vessel 1 by the mass flow controller (MFC) 57, so that the pressure is maintained within a predetermined range, for example, 0.3 Pa To 1 Pa. &Lt; tb &gt;&lt; TABLE &gt;

이어서 도 10을 참조하여, 본 발명의 효과를 확인한 실험 결과에 대하여 설명한다. 이 실험에서는, 도 1의 건조 장치(100)와 동일한 건조 장치를 이용했다. 도 10은 기판(S)의 평면도이다. 도 10에서는, 실험에 이용한 건조 장치의 처리 용기(1) 내에서 기판(S)의 건조 처리를 행한 경우의 기판(S) 표면의 건조 정도를 관찰한 위치와 노즐(51)의 설치 위치를, 기판(S)의 평면도에 중첩하여 도시하고 있다. 또한 도 10에서는, 유기 EL 제품, 예를 들면 유기 EL 디스플레이의 크기에 대응하는 영역을 부호(R1, R2)로 나타내고 있다. 기판(S)의 크기는 긴 변 920 mm × 짧은 변 730 mm로 했다.Next, with reference to FIG. 10, experimental results confirming the effects of the present invention will be described. In this experiment, the same drying apparatus as the drying apparatus 100 of Fig. 1 was used. 10 is a plan view of the substrate S. Fig. 10 shows the position at which the drying degree of the surface of the substrate S is observed and the mounting position of the nozzle 51 when the drying process of the substrate S is performed in the processing vessel 1 of the drying apparatus used in the experiment, Are superimposed on a plan view of the substrate (S). In Fig. 10, the regions corresponding to the sizes of the organic EL products, for example, the organic EL display, are denoted by symbols R1 and R2. The size of the substrate S was 920 mm on the long side and 730 mm on the short side.

기판(S) 상의 4 개소, 즉 위치(S1), 위치(S2), 위치(S3), 위치(S4)의 바로 위에 노즐(51)을 배치하고, 기판(S)을 향해 가스를 분사할 수 있도록 했다. 각 노즐(51) 간의 거리(L)는 250 mm로 설정했다. 이 실험에서는, 처리 용기(1) 내의 압력을 1.4 Pa로 제어하고, 각 노즐(51)로부터 각각 N2 가스를 180 mL/min(sccm)로 도입한 경우와, 가스를 전혀 도입을 하지 않은 경우에 대하여 비교했다. 또한, 기판(S)의 면내에서 건조의 진행이 느린 영역(R1)의 중앙부의 위치(S1)와, 기판(S)의 면내에서 건조의 진행이 빠른 영역(R1)의 코너부의 위치(S5)에 대하여, 유기 재료막이 소정의 건조 정도에 이르러, 건조가 완료될 때까지의 시간을 계측했다.The nozzles 51 can be disposed directly above the four positions S 1, S 2, S 3, and S 4 on the substrate S and gas can be injected toward the substrate S . The distance L between the nozzles 51 was set to 250 mm. In this experiment, when the pressure in the processing vessel 1 is controlled at 1.4 Pa and N 2 gas is introduced at 180 mL / min (sccm) from each nozzle 51 and when no gas is introduced at all . The position S1 of the central portion of the region R1 where the drying progresses slowly in the plane of the substrate S and the position S5 of the corner portion of the region R1 where the drying progresses fast in the plane of the substrate S, The time until the organic material film reached a predetermined degree of drying and the drying was completed was measured.

그 결과, 건조 완료까지의 시간은, 위치(S1)에서는 N2 가스를 도입한 경우가 53 초이며, N2 가스를 도입하지 않은 경우가 68 초였다. 또한, 위치(S5)에서는 N2 가스를 도입한 경우가 55 초이며, N2 가스를 도입하지 않은 경우가 54 초였다. 이 결과로부터, N2 가스를 도입하지 않은 경우에는, 영역(R1)의 중앙부의 위치(S1)와 코너부의 위치(S5)에 대하여 건조 시간의 차가 컸다. 그러나 N2 가스를 도입함으로써, 위치(S1)와 위치(S5)에 대하여 건조 완료까지의 시간을 동등하게 할 수 있었다. 따라서 N2 가스를 도입함으로써, 기판(S)의 면내에서의 건조의 진행 속도를 균일화할 수 있는 것이 확인되었다.As a result, the time to completion of drying was 53 seconds when N 2 gas was introduced at the position S1, and 68 seconds when N 2 gas was not introduced. In the position S5, the time when N 2 gas was introduced was 55 seconds, and the time when N 2 gas was not introduced was 54 seconds. From this result, in the case where N 2 gas was not introduced, the difference in drying time between the position S1 at the center of the area R1 and the position S5 at the corner was large. However, by introducing N 2 gas, the time to completion of drying for the position S1 and the position S5 could be equalized. Therefore, it was confirmed that the rate of progress of drying in the plane of the substrate S can be made uniform by introducing N 2 gas.

[제 3 실시예][Third Embodiment]

이어서 도 11 내지 도 14를 참조하여, 본 발명의 제 3 실시예의 건조 장치에 대하여 설명한다. 도 11은, 제 3 실시예에 따른 건조 장치(102)의 개략 구성을 도시한 단면도이다. 도 12는, 도 11의 건조 장치(102)에서의 1 개의 노즐(51)의 구성을 설명하기 위한 사시도이며, 도 13은, 노즐(51)의 길이 방향에 직교하는 방향에서의 단면도이다. 도 14는, 하방의 재치대(3)측(기판(S)측)에서 본 노즐(51)의 배치를 도시한 설명도이다. 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 주된 상이점으로서, 본 실시예의 건조 장치(102)에서는 노즐(51)이 파이프 형상을 이루고 있다. 이하에, 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 상이점을 중심으로 설명하고, 본 실시예의 건조 장치(102)에서 제 1 실시예와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략한다.Next, the drying apparatus of the third embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 11 to 14. Fig. 11 is a cross-sectional view showing a schematic structure of the drying apparatus 102 according to the third embodiment. Fig. 12 is a perspective view for explaining the configuration of one nozzle 51 in the drying apparatus 102 of Fig. 11, and Fig. 13 is a cross-sectional view in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the nozzle 51. Fig. 14 is an explanatory diagram showing the arrangement of the nozzles 51 viewed from the side of the placement table 3 (on the side of the substrate S) below. As a main difference from the drying apparatus 100 of the first embodiment, in the drying apparatus 102 of the present embodiment, the nozzle 51 has a pipe shape. Hereinafter, differences from the drying apparatus 100 of the first embodiment will be mainly described. In the drying apparatus 102 of this embodiment, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

본 실시예의 건조 장치(102)는, 진공 배기 가능한 처리 용기(1)와, 처리 용기(1) 내에서 기판(S)을 지지하는 지지 부재로서의 재치대(3)와, 재치대(3)에 지지되는 기판(S) 상의 유기 재료막을 향해 가스를 분사하는 가스 분사 장치(5B)와, 복수의 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐(51) 또는 2 개 이상의 노즐(51)의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부(6)를 구비하고 있다. 또한 건조 장치(102)는, 처리 용기(1) 내의 압력을 조절하는 압력 제어 기구를 구비하고 있다.The drying apparatus 102 of this embodiment includes a processing container 1 capable of vacuum evacuation, a mounting table 3 as a supporting member for supporting the substrate S in the processing container 1, A gas injection device 5B for injecting a gas toward the organic material film on the substrate S supported by the nozzle 51 and at least one of the flow rate of the gas jetted from the plurality of nozzles 51 and the kind of gas, ) Or a combination of two or more nozzles 51 as a unit. Further, the drying apparatus 102 is provided with a pressure control mechanism for controlling the pressure in the processing vessel 1.

본 실시예의 건조 장치(102)에서 처리 용기(1), 재치대(3), 압력 제어 기구 및 제어부(6)의 구성은 제 1 실시예의 건조 장치(100)와 동일하다.The configuration of the processing container 1, the mounting table 3, the pressure control mechanism, and the control unit 6 in the drying apparatus 102 of this embodiment is the same as that of the drying apparatus 100 of the first embodiment.

<가스 분사 장치><Gas injection device>

가스 분사 장치(5B)는 복수의 노즐(51)과, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 가스 공급원(53)과, 가스 공급원(53)과 각 노즐(51)을 접속하고, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 복수의 배관(55)을 구비하고 있다. 도 11에서는, 11 개의 노즐(51)을 대표적으로 도시하고 있다. 또한 가스 분사 장치(5B)는, 배관(55)의 도중에, 가스 유량을 제어하는 복수의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 복수의 개폐 밸브(59)를 구비하고 있다. 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 유량 또는 분사 속도, 가스의 종류 등은, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57) 및 개폐 밸브(59)에 의해 제어된다. 또한 도 11에서는, 배관(55), 개폐 밸브(59) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 대하여 대표적인 것을 도시하고 있는데, 이들의 배설 위치 또는 수는 도 11에 예시한 내용에 한정되지 않는다.The gas injection device 5B includes a plurality of nozzles 51, a gas supply source 53 for supplying gas to each nozzle 51, a gas supply source 53 and each nozzle 51, 51 for supplying the gas to the gas supply pipe. In Fig. 11, eleven nozzles 51 are representatively shown. The gas injection device 5B includes a plurality of mass flow controllers (MFCs) 57 and a plurality of opening / closing valves 59 for controlling the gas flow rate in the middle of the pipe 55. [ The flow rate or injection speed of the gas injected from the nozzle 51, the kind of the gas, and the like are controlled by the mass flow controller (MFC) 57 and the opening / closing valve 59. 11, representative ones are shown for the pipe 55, the on-off valve 59 and the mass flow controller (MFC) 57, and the positions or the number of these positions are not limited to those shown in Fig. 11 .

도 12에 도시한 바와 같이, 노즐(51)은 원통 형상의 길이가 긴 본체부(51a)를 구비하고 있다. 또한 노즐(51)의 본체부(51a)에는, 그 길이 방향을 따라 슬릿 형상의 길이가 긴 가스 분사구(51b)가 형성되어 있다. 도 13에 도시한 바와 같이 본 실시예에서는, 본체부(51a)의 하부에 1 개, 측부에 2 개의 합계 3 개의 가스 분사구(51b)가 형성되어 있다. 3 개의 가스 분사구(51b)는 본체부(51a)의 둘레 방향으로 각각 90°씩 각도를 겹치지 않도록 비켜 형성되어 있다. 원통 형상의 본체부(51a)의 내부 공간은, 가스를 확산시키는 가스 확산 공간으로서 작용한다. 그리고 슬릿 형상의 길이가 긴 가스 분사구(51b)에 의해, 불활성 가스, 용매 가스, 또는 이들의 혼합 가스를 라인 형상으로 분사할 수 있기 때문에, 분사 얼룩이 생기지 않아, 기판(S) 표면의 소정의 영역을 향해 균등하게 가스를 분사할 수 있다. 또한 가스 분사구(51b)는, 본체부(51a)의 둘레 방향에 1 개여도 되고, 임의의 각도로 2 개 내지 4 개 이상 형성되어 있어도 된다. 또한 가스 분사구(51b)는, 본체부(51a)의 길이 방향에서 복수로 분할되어 있어도 된다.As shown in Fig. 12, the nozzle 51 has a main body portion 51a having a long cylindrical shape. The main body portion 51a of the nozzle 51 is formed with a gas injection port 51b having a long slit shape along the longitudinal direction thereof. As shown in Fig. 13, in the present embodiment, one gas injection opening 51b is formed in the lower portion of the main body portion 51a, and two gas injection openings 51b in total are formed in the side portion. The three gas injection openings 51b are formed so as not to overlap each other at an angle of 90 degrees in the circumferential direction of the main body portion 51a. The inner space of the cylindrical main body portion 51a acts as a gas diffusion space for diffusing the gas. Since the inert gas, the solvent gas, or the mixed gas thereof can be injected in the form of a line by the gas injection port 51b having a long slit shape, the injection unevenness does not occur, The gas can be uniformly injected toward the fuel cell. Further, the number of the gas injection ports 51b may be one in the circumferential direction of the main body portion 51a, or two to four or more gas injection ports 51b may be formed at an arbitrary angle. The gas injection port 51b may be divided into a plurality of portions in the longitudinal direction of the main body portion 51a.

본 실시예에서는, 복수의 노즐(51)이 복수의 조합을 포함하고 있고, 이 조합마다 독립하여, 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 조절할 수 있다. 도 11에서는, 대표적으로, 복수의 노즐(51)에 의해 구성되는 2 개의 조합(노즐 그룹(52))을 도시하고 있다. 각 노즐 그룹(52)에 대하여, 설명의 편의상 구별이 필요할 경우에는, 도 11의 지면을 향해 좌측으로부터 노즐 그룹(52C), 노즐 그룹(52D), 노즐 그룹(52C)이라고 표기한다. 여기서 도 14에 도시한 바와 같이, 노즐 그룹(52D)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 노즐 그룹(52C)은, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 더 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐 그룹(52)을 설정하는 것도 가능하다.In this embodiment, the plurality of nozzles 51 includes a plurality of combinations, and at least one of the gas flow rate and gas type can be adjusted independently for each combination. In Fig. 11, two combinations (nozzle groups 52) constituted by a plurality of nozzles 51 are representatively shown. When it is necessary to distinguish each of the nozzle groups 52 for convenience of description, the nozzle group 52C, the nozzle group 52D, and the nozzle group 52C are denoted from the left side toward the paper of Fig. 14, the nozzle group 52D is arranged so as to oppose to the upper portion of the central portion of the rectangular substrate S, and the nozzle group 52C is disposed above the peripheral portion of the substrate S As shown in Fig. It is also possible to set the nozzle groups 52 individually for the more subdivided regions, not limited to the central portion and the peripheral portion of the substrate S.

[노즐의 배치][Arrangement of Nozzle]

도 14에서는, 노즐(51)의 배치에 기판(S)의 위치를 투영하여 도시했다. 도 14에 도시한 바와 같이, 노즐 그룹(52D)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 노즐 그룹(52C)은, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있다. 구체적으로, 5 개의 노즐(51)을 가지는 노즐 그룹(52D)의 주위를 16 개의 노즐(51)을 가지는 노즐 그룹(52C)이 둘러싸도록 배치되어 있다. 노즐 그룹(52C)은, 본체부(51a) 및 가스 분사구(51b)의 길이가 상이한 복수의 노즐(51)을 포함하고 있지만, 이들에 실질적인 차이는 없다.In Fig. 14, the position of the substrate S is projected by arranging the nozzles 51. Fig. 14, the nozzle group 52D is disposed so as to oppose to the upper portion of the central portion of the rectangular substrate S, and the nozzle group 52C is arranged above the peripheral portion of the substrate S Respectively. Specifically, the nozzle group 52D having the five nozzles 51 is arranged so as to surround the nozzle group 52C having the sixteen nozzles 51 around the nozzle group 52D. The nozzle group 52C includes a plurality of nozzles 51 having different lengths of the main body portion 51a and the gas injection ports 51b, but there is no substantial difference therebetween.

또한, 기판(S)에 형성된 유기 재료막의 레이아웃을 고려하여, 노즐(51)을 배치할 수도 있다. 또한 기판(S)의 중앙부와 주연 부분의 2 개의 영역에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐(51)의 배치를 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다. 또한 다른 배치예로서, 도시는 생략하지만, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분의 상방에는, 상대적으로 노즐(51)의 수를 많게 하여 조밀하게 배치하고, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분의 상방에는, 상대적으로 노즐(51)의 수를 적게 하여 성기게 배치할 수도 있다.In addition, the nozzle 51 may be arranged in consideration of the layout of the organic material film formed on the substrate S. Further, it is possible to inject the gas by setting the arrangement of the nozzles 51 individually for the more subdivided area, not limited to the two areas of the central part and the peripheral part of the substrate S. As another example of the arrangement, although not shown, the number of the nozzles 51 is relatively increased in the upper portion of the central portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively difficult, The number of the nozzles 51 may be relatively reduced above the periphery of the peripheral portion of the substrate S where drying is relatively easy.

가스 공급원(53)은 불활성 가스 공급원(53A) 및 용매 가스 공급원(53B)을 구비하고 있다. 가스 공급원(53)의 구성은 제 1 실시예와 동일하다.The gas supply source 53 is provided with an inert gas supply source 53A and a solvent gas supply source 53B. The configuration of the gas supply source 53 is the same as that of the first embodiment.

본 실시예에서, 복수의 노즐(51)은, 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사할 수 있도록 기판(S)의 상방에 설치되어 있다. 그리고 복수의 노즐 그룹(52)은, 가스의 분사 유량, 가스의 종류를 노즐 그룹(52)마다 독립하여 조절할 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 배관(55)과 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐 그룹(52)마다 독립하여 가스의 분사 유량을 제어할 수 있도록 배치되어 있다. 또한, 배관(55)과 복수의 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐 그룹(52)마다 독립하여 가스의 종류를 전환하여 분사할 수 있도록 구성되어 있다.In this embodiment, the plurality of nozzles 51 are provided above the substrate S so that gas can be injected toward the surface of the substrate S. The plurality of nozzle groups 52 are configured so that the flow rate of gas and the kind of gas can be adjusted independently for each nozzle group 52. That is to say, the combination of the pipe 55, the mass flow controller (MFC) 57 and the opening / closing valve 59 is arranged so as to control the flow rate of the gas independently for each nozzle group 52. The combination of the pipe 55 and the plurality of open / close valves 59 is configured so that the kind of the gas can be switched independently for each nozzle group 52 so as to be injected.

[가스의 분사 유량][Gas flow rate]

복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 불활성 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 이 중앙 부분의 바로 위에 배치된 노즐 그룹(52D)으로부터 불활성 가스를 상대적으로 큰 유량(V11)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 이 주연 부분의 바로 위에 배치된 노즐 그룹(52C)으로부터, 불활성 가스를 유량(V11)보다 상대적으로 작은 유량(V12)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 주연 부분에는, 불활성 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.The plurality of nozzle groups 52 are configured to be capable of injecting inert gas at independent injection flow rates. For example, inert gas can be injected at a relatively large flow rate V11 from the nozzle group 52D disposed immediately above the center portion of the substrate S in which the drying of the organic material film is relatively difficult to proceed, have. An inert gas is supplied from the nozzle group 52C disposed just above the periphery of the substrate S to the periphery of the substrate S where the organic material film is relatively easily dried, and a flow rate V12, which is relatively smaller than the flow rate V11, As shown in FIG. It is also possible that no inert gas is injected into the peripheral portion of the substrate S.

또한 복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 용매 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐 그룹(52C)으로부터 용매 가스를 상대적으로 큰 유량(V13)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐 그룹(52D)으로부터 용매 가스를 유량(V13)보다 상대적으로 작은 유량(V14)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분에는, 용매 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.The plurality of nozzle groups 52 are configured to be capable of jetting solvent gas at independent injection flow rates. For example, solvent gas can be jetted from the nozzle group 52C at a relatively large flow rate V13 to the peripheral portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively easy. In addition, solvent gas can be jetted from the nozzle group 52D at a flow rate V14 relatively smaller than the flow rate V13 at the central portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively difficult. It is also possible not to spray the solvent gas in the central portion of the substrate S.

가스의 분사 유량은 2 단계에 한정되지 않고, 1 단계 또는 3 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 유량을 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.The injection flow rate of the gas is not limited to two stages but may be one stage or three or more stages. Further, it is not limited to the central portion and the peripheral portion of the substrate S, and it is possible to set the flow rate separately for the more subdivided regions and to inject the gas.

[가스 종류][Gas type]

복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립하여 불활성 가스, 용매 가스, 또는 불활성 가스 및 용매 가스의 혼합 가스(이하, 단순히 ‘혼합 가스’라고 기술하는 경우가 있음)를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐 그룹(52D)으로부터 불활성 가스를 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐 그룹(52C)으로부터 용매 가스를 분사할 수 있다.The plurality of nozzle groups 52 are configured to be capable of jetting an inert gas, a solvent gas, or a mixed gas of an inert gas and a solvent gas (hereinafter sometimes simply referred to as a "mixed gas") independently of each other. For example, the inert gas can be injected from the nozzle group 52D to the central portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively difficult. In addition, solvent gas can be injected from the nozzle group 52C to the peripheral portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively easy.

또한 복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 혼합 비율로 혼합 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐 그룹(52D)으로부터 용매 가스 농도가 낮은 제 1 혼합 비율로 혼합 가스를 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐 그룹(52C)으로부터 제 1 혼합 비율보다 용매 가스 농도가 높은 제 2 혼합 비율로 혼합 가스를 분사할 수 있다.The plurality of nozzle groups 52 are configured to be capable of injecting the mixed gas in independent mixing ratios. For example, the mixed gas can be injected from the nozzle group 52D at a first mixing ratio with a low solvent gas concentration at a central portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively difficult. The mixed gas can be injected from the nozzle group 52C at a second mixing ratio higher than the first mixing ratio to the peripheral portion of the substrate S where the drying of the organic material film is relatively easy.

또한, 혼합 가스의 혼합 비율은 2 단계에 한정되지 않고, 1 단계 또는 3 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 종류 또는 농도를 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.The mixing ratio of the mixed gas is not limited to two stages but may be one stage or three or more stages. Further, it is possible to spray the gas by setting the type or concentration individually for the finer regions, not limited to the central portion and the peripheral portion of the substrate S.

본 실시예의 건조 장치(102)에서의 건조 처리는, 제어부(6)에 의해, 노즐 그룹(52C) 또는 노즐 그룹(52D)을 단위로서 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 개별적으로 조절하면서 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사하는 점 이외는, 제 1 실시예와 동일하다. 그리고 건조 처리 동안, 처리 용기(1) 내의 압력을 제어하면서, 가스 분사 장치(5B)를 이용하여 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사함으로써, 기판(S)의 면내에서의 유기 재료막의 건조 정도를 균일화하면서 단시간에 효율 좋게 건조시킬 수 있다.The drying process in the drying device 102 of the present embodiment is a process in which at least one of the gas flow rate and gas type is individually controlled by the control unit 6 in units of the nozzle group 52C or the nozzle group 52D Except that the gas is injected toward the surface of the substrate S while the gas is injected toward the surface of the substrate S. The drying of the organic material film in the plane of the substrate S is performed by spraying the gas toward the surface of the substrate S using the gas injection device 5B while controlling the pressure in the process container 1 during the drying process, It is possible to efficiently dry it in a short time while uniformizing the degree of uniformity.

[건조 처리의 순서][Procedure of drying treatment]

이어서, 건조 장치(102)를 이용하는 건조 처리의 순서에 대하여 설명한다. 우선 전단계로서, 외부의 잉크젯 인쇄 장치(도시 생략)로 기판(S) 상에 유기 재료막을 소정의 패턴으로 인쇄한다. 이어서, 게이트 밸브(GV)를 개방하고, 유기 재료막이 인쇄된 기판(S)을 외부의 반송 장치(도시 생략)에 의해 건조 장치(102)의 재치대(3)로 전달한다.Next, the procedure of the drying process using the drying apparatus 102 will be described. First, as the previous step, the organic material film is printed on the substrate S in a predetermined pattern by an external inkjet printing apparatus (not shown). Next, the gate valve GV is opened, and the substrate S on which the organic material film is printed is transferred to the mounting table 3 of the drying apparatus 102 by an external transfer device (not shown).

이어서, 건조 장치(102)의 게이트 밸브(GV)를 닫고, 배기 장치(19)를 작동시켜 처리 용기(1) 내를 감압 배기한다. 그리고, 압력계(25)에 의해 처리 용기(1) 내의 압력을 모니터하면서, APC 밸브(23)의 개방도를 컨트롤하여 소정의 진공도까지 감압한다. 이와 같이 하여, 기판(S) 상에 형성된 유기 재료막 중에 포함되는 용매를 제거하는 건조 처리를 실시할 수 있다. 이 건조 처리 동안, 처리 용기(1) 내의 압력을 제어하면서 가스의 분사 유량, 가스의 종류와 비율 등을 개별적으로 조절 가능한 복수의 노즐(51)을 구비한 가스 분사 장치(5B)를 이용하여, 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사함으로써, 기판(S)의 면내에서의 유기 재료막의 건조 정도를 균일화하면서 단시간에 효율 좋게 건조시킬 수 있다. 또한, 가스 분사 장치(5B)를 이용하여 처리 용기(1) 내로 가스를 도입함으로써, 처리 용기(1) 내에서 기류가 발생하기 때문에, 처리 용기(1) 내에 체류하고 있는 용매의 배기를 촉진할 수 있다.Subsequently, the gate valve (GV) of the drying apparatus 102 is closed and the exhaust apparatus 19 is operated to exhaust the inside of the processing vessel 1 under reduced pressure. The pressure in the processing vessel 1 is monitored by the pressure gauge 25, and the degree of opening of the APC valve 23 is controlled to reduce the pressure to a predetermined degree of vacuum. In this way, a drying process for removing the solvent contained in the organic material film formed on the substrate S can be performed. During this drying process, by using the gas injection device 5B having a plurality of nozzles 51 capable of individually controlling the injection flow rate of the gas, the kind and the ratio of the gas, and the like, while controlling the pressure in the processing vessel 1, By spraying the gas toward the surface of the substrate S, it is possible to efficiently dry the substrate S in a short time while uniformizing the degree of drying of the organic material film in the plane of the substrate S. In addition, by introducing gas into the processing vessel 1 using the gas injection device 5B, an airflow is generated in the processing vessel 1, thereby promoting the discharge of the solvent staying in the processing vessel 1 .

여기서, 건조 장치(102)를 사용하여 펄스 형상으로 가스를 분사하면서 기판(S)의 건조 처리를 행할 경우의 가스 분사 제어 방법에 대하여 도 15를 예시하여 설명한다. 도 15는, 건조 장치(102)로 펄스 형상으로 가스를 분사하면서 기판(S)의 건조 처리를 행할 경우의 가스 분사 유량과 분사의 타이밍의 일례를 나타내고 있다. 이 예에서는 가스로서, 질소 가스 등의 불활성 가스만을 사용하고 있다. 또한 도 14에 도시한 바와 같이, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치된 노즐 그룹(52D)과, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치된 노즐 그룹(52C)으로부터 각각 간헐적으로 상이한 타이밍에 기판(S)을 향해 불활성 가스를 분사한다. 1 매의 기판(S)에 대한 건조 처리의 초기 단계에서는, 노즐 그룹(52D)과 노즐 그룹(52C)으로부터, 분사 유량(V21)으로 교호로 펄스 형상으로 불활성 가스를 분사한다. 이 때의 펄스 주기는 T1, 펄스 폭은 D1으로 한다. 1 매의 기판(S)에 대한 건조 처리의 다음의 단계에서는, 노즐 그룹(52D)과 노즐 그룹(52C)으로부터, 분사 유량(V22)으로 교호로 펄스 형상으로 불활성 가스를 분사한다. 이 때의 펄스 주기는 T2, 펄스 폭은 D2로 한다. 1 매의 기판(S)에 대한 건조 처리의 더 다음의 단계에서는, 노즐 그룹(52D)과 노즐 그룹(52C)으로부터, 분사 유량(V23)으로 교호로 펄스 형상으로 불활성 가스를 분사한다. 이 때의 펄스 주기는 T3, 펄스 폭은 D3로 한다. 이와 같이 건조 장치(102)에서는, 1 매의 기판(S)에 대한 건조 처리의 단계에 따라, 분사 유량(V21 ~ V23)을 변화시키고, 또한 듀티비를 변화시켜 가스의 분사를 행할 수 있다. 분사 유량(V21 ~ V23), 펄스 주기(T1 ~ T3), 펄스 폭(D1 ~ D3)은 노즐 그룹(52D)과 노즐 그룹(52C)에서 상이해도 되고, 처리 용기(1) 내의 압력, 용매 농도, 온도, 용매의 종류, 기판(S) 상의 유기 재료막의 종류 등에 따라 개별적으로 설정할 수 있다. 또한 분사 유량, 펄스 주기 및 펄스 폭은 변화시키지 않고 일정하게 해도 된다.Hereinafter, a gas injection control method when the substrate S is dried while jetting a gas in a pulse shape using the drying apparatus 102 will be described with reference to FIG. Fig. 15 shows an example of the gas injection flow rate and the timing of injection when the drying process of the substrate S is performed while the gas is sprayed in the form of a pulse to the drying apparatus 102. Fig. In this example, only inert gas such as nitrogen gas is used as the gas. 14, a nozzle group 52D disposed opposite to the upper side of the central portion of the rectangular substrate S, a nozzle group 52C disposed opposite to the upper side of the peripheral portion of the substrate S, And the inert gas is injected toward the substrate S at different timings. In an initial stage of the drying process for one substrate S, an inert gas is alternately injected in a pulse shape from the nozzle group 52D and the nozzle group 52C to the injection flow rate V21. The pulse period at this time is T1 and the pulse width is D1. In the next step of the drying process for one substrate S, an inert gas is alternately injected in a pulse shape from the nozzle group 52D and the nozzle group 52C to the injection flow rate V22. The pulse period at this time is T2 and the pulse width is D2. In a further stage of the drying process for one substrate S, an inert gas is alternately jetted in a pulse shape from the nozzle group 52D and the nozzle group 52C to the jet flow rate V23. The pulse period at this time is T3 and the pulse width is D3. Thus, in the drying apparatus 102, it is possible to vary the injection flow rates (V21 to V23) in accordance with the stage of the drying process for one substrate (S), and to change the duty ratio so as to inject the gas. The pulse widths T1 to T3 and the pulse widths D1 to D3 may be different in the nozzle group 52D and the nozzle group 52C and the pressure in the processing vessel 1, , The temperature, the kind of the solvent, the kind of the organic material film on the substrate S, and the like. Further, the injection flow rate, the pulse period, and the pulse width may be kept constant without changing.

1 매의 기판(S)에 대한 건조 처리가 종료되면, 이어서 가스 분사 장치(5B)에 의한 가스의 분사와 배기 장치(19)에 의한 배기를 정지한다. 그리고, 처리 용기(1) 내를 소정 압력까지 승압한 후, 건조 장치(102)의 게이트 밸브(GV)를 개방하고, 외부의 반송 장치(도시 생략)에 의해 기판(S)을 처리 용기(1)로부터 반출한다. 이상의 순서에 의해, 1 매의 기판(S)에 대한 건조 처리가 종료된다.After the drying process for one substrate S is completed, the gas injection by the gas injection device 5B and the exhaust by the exhaust device 19 are then stopped. After the inside of the processing container 1 is raised to a predetermined pressure, the gate valve GV of the drying device 102 is opened and the substrate S is transferred to the processing container 1 (not shown) by an external transfer device . By the above procedure, the drying process for one substrate S is completed.

본 실시예에서의 다른 구성 및 효과는 제 1 실시예와 동일하다. 또한 건조 장치(102)는, 제 1 실시예와 마찬가지로 유기 EL 소자의 제조 프로세스에의 적용이 가능하다.Other configurations and effects in this embodiment are the same as those in the first embodiment. Further, the drying apparatus 102 can be applied to the manufacturing process of the organic EL element similarly to the first embodiment.

[제 4 실시예][Fourth Embodiment]

이어서 도 16을 참조하여, 본 발명의 제 4 실시예의 건조 장치에 대하여 설명한다. 도 16은, 제 4 실시예에 따른 건조 장치(103)의 개략 구성을 도시한 단면도이다. 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 주된 상이점으로서, 본 실시예의 건조 장치(103)에서는, 복수의 노즐(51)의 조합마다 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 조절 가능하게 구성되어 있다. 또한 복수의 노즐(51) 중에, 평판 형상의 기판(S)의 상면에 대하여 수직이 아닌, 비스듬하게 가스를 분사하는 노즐(51)을 가지고 있다. 이하에, 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 상이점을 중심으로 설명하고, 본 실시예의 건조 장치(103)에서 제 1 실시예와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략한다.Next, the drying apparatus of the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to Fig. 16 is a cross-sectional view showing a schematic structure of the drying apparatus 103 according to the fourth embodiment. As a main difference from the drying apparatus 100 of the first embodiment, in the drying apparatus 103 of this embodiment, at least one of the flow rate of gas and the kind of gas can be adjusted for each combination of the plurality of nozzles 51 have. In addition, the plurality of nozzles 51 have nozzles 51 which are not perpendicular to the upper surface of the plate-like substrate S but obliquely inject gas. Hereinafter, differences from the drying apparatus 100 of the first embodiment will be mainly described. In the drying apparatus 103 of this embodiment, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

본 실시예의 건조 장치(103)는 진공 배기 가능한 처리 용기(1)와, 처리 용기(1) 내에서 기판(S)을 지지하는 지지 부재로서의 재치대(3)와, 재치대(3)에 지지되는 기판(S) 상의 유기 재료막을 향해 가스를 분사하는 가스 분사 장치(5C)와, 복수의 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐(51) 또는 2 개 이상의 노즐(51)의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부(6)를 구비하고 있다. 또한 건조 장치(103)는, 처리 용기(1) 내의 압력을 조절하는 압력 제어 기구를 구비하고 있다.The drying apparatus 103 of the present embodiment includes a processing container 1 capable of vacuum evacuation, a mounting table 3 as a supporting member for supporting the substrate S in the processing container 1, A gas injection device 5C for injecting a gas toward the organic material film on the substrate S to be processed and a nozzle 51 for injecting at least one of the injection flow rate and gas kind of the gas injected from the plurality of nozzles 51, Or a combination of two or more nozzles 51 as a unit. The drying apparatus 103 is also provided with a pressure control mechanism for regulating the pressure in the processing vessel 1. [

본 실시예의 건조 장치(103)에서 처리 용기(1), 재치대(3), 압력 제어 기구 및 제어부(6)의 구성은 제 1 실시예의 건조 장치(100)와 동일하다.The structure of the processing container 1, the mounting table 3, the pressure control mechanism, and the control unit 6 in the drying apparatus 103 of this embodiment is the same as that of the drying apparatus 100 of the first embodiment.

<가스 분사 장치><Gas injection device>

가스 분사 장치(5C)는 복수의 노즐(51)과, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 가스 공급원(53)과, 가스 공급원(53)과 각 노즐(51)을 접속하고, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 복수의 배관(55)을 구비하고 있다. 도 16에서는, 11 개의 노즐(51)을 대표적으로 도시하고 있다. 또한 가스 분사 장치(5C)는, 배관(55)의 도중에, 가스 유량을 제어하는 복수의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와, 복수의 개폐 밸브(59)를 구비하고 있다. 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 유량 또는 분사 속도, 가스의 종류 등은 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57) 및 개폐 밸브(59)에 의해 제어된다. 또한 도 16에서는, 배관(55), 개폐 밸브(59) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 대하여 대표적인 것을 도시하고 있는데, 이들의 배설 위치 또는 수는 도 16에 예시한 내용에 한정되지 않는다.The gas injection device 5C includes a plurality of nozzles 51, a gas supply source 53 for supplying gas to the respective nozzles 51, a gas supply source 53 for connecting the respective nozzles 51, 51 for supplying the gas to the gas supply pipe. In Fig. 16, eleven nozzles 51 are representatively shown. The gas injection device 5C includes a plurality of mass flow controllers (MFCs) 57 for controlling the gas flow rate and a plurality of opening / closing valves 59 at the middle of the pipe 55. [ The flow rate or injection speed of the gas injected from the nozzle 51, the kind of the gas, and the like are controlled by the mass flow controller (MFC) 57 and the opening / closing valve 59. 16, representative ones are shown for the pipe 55, the on-off valve 59, and the mass flow controller (MFC) 57. The positions or the number of these positions are not limited to those shown in FIG. 16 .

본 실시예에서는 도 16에 도시한 바와 같이, 복수의 노즐(51)은, 평판 형상의 기판(S)의 상면에 대하여 수직으로 가스를 분사하는 노즐(51)과, 비스듬하게 가스를 분사하는 노즐(51)을 가지고 있다. 구체적으로, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있는 복수의 노즐(51)은, 기판(S)의 상면에 대하여 대략 수직으로 가스를 분사할 수 있도록 구성되어 있다. 한편, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있는 복수의 노즐(51)은, 평판 형상의 기판(S)의 상면에 대하여 예를 들면 30° ~ 45°의 각도로 가스를 분사할 수 있도록 구성되어 있다. 따라서 가스의 분사 유량이 동일해도, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 직접적으로 불활성 가스를 강하게 분사할 수 있는 한편, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 불활성 가스의 분사력을 약하게 할 수 있다.In this embodiment, as shown in Fig. 16, the plurality of nozzles 51 includes a nozzle 51 for jetting a gas perpendicularly to the upper surface of a flat substrate S, a nozzle 51 for obliquely injecting gas, (51). Specifically, the plurality of nozzles 51 arranged above the central portion of the rectangular substrate S are arranged so as to be capable of jetting gas substantially vertically to the upper surface of the substrate S. On the other hand, the plurality of nozzles 51 arranged opposite to the upper side of the peripheral portion of the substrate S eject gas at an angle of 30 DEG to 45 DEG to the upper surface of the flat substrate S, . Therefore, even if the injection flow rate of the gas is the same, it is possible to inject the inert gas directly to the central portion of the substrate S, in which drying of the organic material film is relatively difficult, S, the injection force of the inert gas can be weakened.

또한 본 실시예에서는, 복수의 노즐(51)이 복수의 조합을 포함하고 있고, 이 조합마다 독립하여 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 조절할 수 있다. 도 16에서는, 대표적으로, 복수의 노즐(51)에 의해 구성되는 2 개의 조합(노즐 그룹(52))을 도시하고 있다. 각 노즐 그룹(52)에 대하여, 설명의 편의상 구별이 필요할 경우에는, 도 16의 지면을 향해 좌측으로부터 노즐 그룹(52E), 노즐 그룹(52F), 노즐 그룹(52E)이라고 표기한다. 여기서 도 16에 도시한 바와 같이, 노즐 그룹(52F)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 노즐 그룹(52E)은, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 더 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐 그룹(52)을 설정하는 것도 가능하다.Further, in the present embodiment, the plurality of nozzles 51 include a plurality of combinations, and at least one of the gas flow rate and the gas kind can be independently controlled for each combination. 16, two combinations (nozzle groups 52) constituted by a plurality of nozzles 51 are representatively shown. When it is necessary to distinguish each of the nozzle groups 52 for convenience of explanation, the nozzle group 52E, the nozzle group 52F, and the nozzle group 52E are denoted from the left side toward the paper surface of Fig. 16, the nozzle group 52F is disposed so as to oppose to the upper portion of the central portion of the rectangular substrate S, and the nozzle group 52E is arranged above the peripheral portion of the substrate S As shown in Fig. It is also possible to set the nozzle groups 52 individually for the more subdivided regions, not limited to the central portion and the peripheral portion of the substrate S.

가스 공급원(53)은 불활성 가스 공급원(53A) 및 용매 가스 공급원(53B)을 구비하고 있다. 가스 공급원(53)의 구성은 제 1 실시예와 동일하다.The gas supply source 53 is provided with an inert gas supply source 53A and a solvent gas supply source 53B. The configuration of the gas supply source 53 is the same as that of the first embodiment.

본 실시예에서 복수의 노즐(51)은, 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사할 수 있도록 기판(S)의 상방에 설치되어 있다. 그리고 복수의 노즐 그룹(52)은, 가스의 분사 유량, 가스의 종류를 노즐 그룹(52)마다 독립하여 조절할 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 배관(55)과 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐 그룹(52)마다 독립하여 가스의 분사 유량을 제어할 수 있도록 배치되어 있다. 또한, 배관(55)과 복수의 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐 그룹(52)마다 독립하여 가스의 종류를 전환하여 분사할 수 있도록 구성되어 있다.In this embodiment, the plurality of nozzles 51 are provided above the substrate S so that gas can be injected toward the surface of the substrate S. The plurality of nozzle groups 52 are configured so that the flow rate of gas and the kind of gas can be adjusted independently for each nozzle group 52. That is to say, the combination of the pipe 55, the mass flow controller (MFC) 57 and the opening / closing valve 59 is arranged so as to control the flow rate of the gas independently for each nozzle group 52. The combination of the pipe 55 and the plurality of open / close valves 59 is configured so that the kind of the gas can be switched independently for each nozzle group 52 so as to be injected.

[가스의 분사 유량][Gas flow rate]

복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 불활성 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 이 중앙 부분의 바로 위에 배치된 노즐 그룹(52F)으로부터 불활성 가스를 상대적으로 큰 유량(V31)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 이 주연 부분의 바로 위에 배치된 노즐 그룹(52E)으로부터, 불활성 가스를 유량(V31)보다 상대적으로 작은 유량(V32)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 주연 부분에는 불활성 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.The plurality of nozzle groups 52 are configured to be capable of injecting inert gas at independent injection flow rates. For example, inert gas can be injected at a relatively large flow rate V31 from the nozzle group 52F disposed immediately above the central portion of the substrate S in which the drying of the organic material film is relatively difficult to proceed have. An inert gas is supplied from the nozzle group 52E disposed immediately above the periphery of the substrate S to the periphery of the substrate S where the drying of the organic material film is relatively easy, As shown in FIG. It is also possible not to inject inert gas to the peripheral portion of the substrate S.

또한 복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 용매 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐 그룹(52E)으로부터 용매 가스를 상대적으로 큰 유량(V33)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐 그룹(52F)으로부터 용매 가스를 유량(V33)보다 상대적으로 작은 유량(V34)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분에는, 용매 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.The plurality of nozzle groups 52 are configured to be capable of jetting solvent gas at independent injection flow rates. For example, solvent gas can be jetted from the nozzle group 52E at a relatively large flow rate V33 to the peripheral portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively easy. In addition, the solvent gas can be jetted from the nozzle group 52F at a flow rate V34, which is relatively smaller than the flow rate V33, at the central portion of the substrate S where drying of the organic material film is relatively difficult. It is also possible not to spray the solvent gas in the central portion of the substrate S.

가스의 분사 유량은 2 단계에 한정되지 않고, 1 단계 또는 3 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 유량을 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.The injection flow rate of the gas is not limited to two stages but may be one stage or three or more stages. Further, it is not limited to the central portion and the peripheral portion of the substrate S, and it is possible to set the flow rate separately for the more subdivided regions and to inject the gas.

본 실시예에서의 다른 구성 및 효과는 제 1 실시예와 동일하다. 또한 건조 장치(103)는, 제 1 실시예와 마찬가지로 유기 EL 소자의 제조 프로세스에의 적용이 가능하다.Other configurations and effects in this embodiment are the same as those in the first embodiment. Further, the drying apparatus 103 can be applied to the manufacturing process of the organic EL element similarly to the first embodiment.

[제 5 실시예][Fifth Embodiment]

이어서 도 17을 참조하여, 본 발명의 제 5 실시예의 건조 장치에 대하여 설명한다. 도 17은, 제 5 실시예에 따른 건조 장치(104)의 개략 구성을 도시한 단면도이다. 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 주된 상이점으로서, 본 실시예의 건조 장치(104)에서는, 복수의 노즐(51)의 조합을 단위로서 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 조절 가능하게 구성되어 있다. 또한 복수의 노즐(51)은, 평판 형상의 기판(S)의 상면에 대하여 수직이 아닌, 평행 혹은 경사 방향으로 가스를 분사할 수 있도록 구성되어 있다. 이하에, 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 상이점을 중심으로 설명하고, 본 실시예의 건조 장치(104)에서 제 1 실시예와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략한다.Next, a drying apparatus according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to Fig. 17 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the drying apparatus 104 according to the fifth embodiment. As a main difference from the drying apparatus 100 of the first embodiment, in the drying apparatus 104 of the present embodiment, at least one of the gas injection flow rate and the gas type can be adjusted by using the combination of the plurality of nozzles 51 as a unit Consists of. The plurality of nozzles 51 are configured so as to be capable of jetting gas in a parallel or oblique direction, not perpendicular to the upper surface of the flat substrate S. Hereinafter, differences from the drying apparatus 100 of the first embodiment will be mainly described. In the drying apparatus 104 of this embodiment, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

본 실시예의 건조 장치(104)는 진공 배기 가능한 처리 용기(1)와, 처리 용기(1) 내에서 기판(S)을 지지하는 지지 부재로서의 재치대(3)와, 재치대(3)에 지지되는 기판(S) 상의 유기 재료막을 향해 가스를 분사하는 가스 분사 장치(5D)와, 복수의 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 2 개 이상의 노즐(51)의 조합을 단위로서 조절하는 제어부(6)를 구비하고 있다. 또한 건조 장치(104)는, 처리 용기(1) 내의 압력을 조절하는 압력 제어 기구를 구비하고 있다.The drying apparatus 104 of this embodiment includes a processing container 1 capable of vacuum evacuation, a mounting table 3 as a supporting member for supporting the substrate S in the processing container 1, A gas injection device 5D for injecting a gas toward the organic material film on the substrate S to which at least one of the nozzles 51 is injected and at least one of the injection flow rate and gas kind of the gas injected from the plurality of nozzles 51, As a unit. The drying apparatus 104 is also provided with a pressure control mechanism for controlling the pressure in the processing vessel 1. [

본 실시예의 건조 장치(104)에서 처리 용기(1), 재치대(3), 압력 제어 기구 및 제어부(6)의 구성은 제 1 실시예의 건조 장치(100)와 동일하다.The structure of the processing container 1, the mounting table 3, the pressure control mechanism, and the control unit 6 in the drying apparatus 104 of this embodiment is the same as that of the drying apparatus 100 of the first embodiment.

<가스 분사 장치><Gas injection device>

가스 분사 장치(5D)는 복수의 노즐(51)과, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 가스 공급원(53)과, 가스 공급원(53)과 각 노즐(51)을 접속하고, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 복수의 배관(55)을 구비하고 있다. 또한 가스 분사 장치(5D)는, 배관(55)의 도중에, 가스 유량을 제어하는 복수의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와, 복수의 개폐 밸브(59)를 구비하고 있다. 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 유량 또는 분사 속도, 가스의 종류 등은 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57) 및 개폐 밸브(59)에 의해 제어된다. 또한 도 17에서는, 배관(55), 개폐 밸브(59) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 대하여 대표적인 것을 도시하고 있는데, 이들의 배설 위치 또는 수는 도 17에 예시한 내용에 한정되지 않는다.The gas injection device 5D includes a plurality of nozzles 51, a gas supply source 53 for supplying gas to the respective nozzles 51, a gas supply source 53 and the nozzles 51, 51 for supplying the gas to the gas supply pipe. The gas injection device 5D is provided with a plurality of mass flow controllers (MFCs) 57 and a plurality of opening / closing valves 59 for controlling the gas flow rate in the middle of the pipe 55. [ The flow rate or injection speed of the gas injected from the nozzle 51, the kind of the gas, and the like are controlled by the mass flow controller (MFC) 57 and the opening / closing valve 59. 17, representative ones are shown for the pipe 55, the on-off valve 59 and the mass flow controller (MFC) 57, and the positions and the number of these positions are not limited to those shown in FIG. 17 .

본 실시예에서는 도 17에 도시한 바와 같이, 복수의 노즐(51)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 또한 평판 형상의 기판(S)의 상면에 대하여 평행 혹은 소정의 각도로 경사진 방향으로 가스를 분사하도록 구성되어 있다. 즉, 기판(S)의 중앙 부분에 대향하는 위치로부터, 방사 형상으로 수평 방향, 또는 수평 방향으로부터 하방으로 예를 들면 30° ~ 45°의 각도로 비스듬하게 불활성 가스를 분사할 수 있도록 구성되어 있다. 따라서 기판(S)의 면내에서, 불활성 가스 또는 용매 가스의 분사량을 균일화할 수 있다.In this embodiment, as shown in Fig. 17, the plurality of nozzles 51 are arranged so as to oppose to the upper portion of the central portion of the rectangular substrate S, and also to the upper surface of the plate S So that the gas is injected in parallel or in a direction inclined at a predetermined angle. That is, the inert gas can be injected obliquely at an angle of, for example, 30 to 45 degrees from a position opposed to the central portion of the substrate S in a radial direction or horizontally downward . Therefore, the injection amount of the inert gas or the solvent gas can be made uniform within the plane of the substrate S.

또한 본 실시예에서는, 복수의 노즐(51)이 1 개의 조합 단위가 되어 있다. 도 17에서는, 복수의 노즐(51)에 의해 구성되는 1 개의 조합(노즐 그룹(52G))을 도시하고 있다. 노즐 그룹(52G)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분에만 한정되지 않고, 복수의 노즐 그룹(52)을 설치하는 것도 가능하다.Further, in this embodiment, the plurality of nozzles 51 constitute one combination unit. In Fig. 17, one combination (nozzle group 52G) composed of a plurality of nozzles 51 is shown. The nozzle group 52G is arranged so as to be opposed to the upper portion of the central portion of the rectangular substrate S. Further, the present invention is not limited to the central portion of the substrate S, but a plurality of nozzle groups 52 may be provided.

가스 공급원(53)은 불활성 가스 공급원(53A) 및 용매 가스 공급원(53B)을 구비하고 있다. 가스 공급원(53)의 구성은 제 1 실시예와 동일하다.The gas supply source 53 is provided with an inert gas supply source 53A and a solvent gas supply source 53B. The configuration of the gas supply source 53 is the same as that of the first embodiment.

본 실시예에서의 다른 구성 및 효과는 제 1 실시예와 동일하다. 또한 건조 장치(104)는, 제 1 실시예와 마찬가지로 유기 EL 소자의 제조 프로세스에의 적용이 가능하다.Other configurations and effects in this embodiment are the same as those in the first embodiment. Further, the drying apparatus 104 can be applied to the manufacturing process of the organic EL element similarly to the first embodiment.

이상, 본 발명의 실시예를 예시의 목적으로 상세히 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 제약되지는 않고, 다양한 변형이 가능하다. 예를 들면, 유기 EL 소자의 제조 공정은 도 4에 예시한 것에 한정되지 않고, 예를 들면, EL층이 양극측으로부터 음극측을 향해, [정공 수송층 / 발광층 / 전자 수송층], [정공 주입층 / 정공 수송층 / 발광층 / 전자 수송층] 등의 순으로 적층된 구조를 가지고 있는 경우라도, 마찬가지로 본 발명의 건조 장치(100 ~ 104)를 적용할 수 있다.Although the embodiment of the present invention has been described in detail for the purpose of illustration, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. For example, the manufacturing process of the organic EL device is not limited to that shown in Fig. 4. For example, the EL layer may be formed from a positive electrode side to a negative electrode side in the order of [hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer] / Hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer], the drying apparatuses 100 to 104 of the present invention can be similarly applied.

또한 제 1 실시예의 건조 장치(100)에서는, 노즐(51)을 단위로서 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 독립하여 조절 가능하게 하고, 제 2 내지 제 5 실시예의 건조 장치(101 ~ 104)에서는, 노즐 그룹(52)을 단위로서 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 독립하여 조절 가능하게 했다. 그러나 다른 실시예에서는, 노즐(51)과 노즐 그룹(52)을 혼재시킨 상태에서, 그들에서의 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 독립하여 조절 가능하게 해도 된다.In the drying apparatus 100 of the first embodiment, at least one of the gas injection flow rate and the gas type can be independently adjusted using the nozzles 51 as a unit, and the drying apparatuses 101 - 104), at least one of the jet flow rate of the gas and the kind of the gas can be adjusted independently by using the nozzle group 52 as a unit. However, in another embodiment, at least one of the flow rate of gas and the kind of gas may be independently adjustable in a state where the nozzle 51 and the nozzle group 52 are mixed.

1 : 처리 용기
3 : 재치대
5, 5A : 가스 분사 장치
6 : 제어부
11 : 저벽
13 : 측벽
15 : 천장부
15a : 배기구
17 : 배기관
19 : 배기 장치
21 : 지지 기둥
23 : APC 밸브
25 : 압력계
51 : 노즐
53 : 가스 공급원
53A : 불활성 가스 공급원
53B : 용매 가스 공급원
55 : 배관
57 : 매스 플로우 컨트롤러
59 : 개폐 밸브
61 : 컨트롤러
62 : 유저 인터페이스
63 : 기억부
100, 101 : 건조 장치
S : 기판
GV : 게이트 밸브
1: Processing vessel
3: Wit
5, 5A: Gas injection device
6:
11: bottom wall
13: Side wall
15: ceiling
15a: Exhaust
17: Exhaust pipe
19: Exhaust system
21: Support pillars
23: APC valve
25: Manometer
51: Nozzle
53: gas supply source
53A: inert gas source
53B: Solvent gas source
55: Piping
57: Mass flow controller
59: Opening and closing valve
61:
62: User Interface
63:
100, 101: Drying apparatus
S: substrate
GV: Gate valve

Claims (24)

기판의 표면에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 제거하여 건조시키는 건조 장치로서,
진공 배기 가능한 처리 용기와,
상기 처리 용기 내의 기체를 배기하는 배기구와,
상기 처리 용기 내에서 상기 기판을 지지하는 지지 부재와,
상기 지지 부재에 지지되는 상기 기판을 향해 가스를 분사하는 복수의 노즐을 가지는 가스 분사 장치와,
상기 복수의 노즐로부터 분사되는 상기 가스의 분사 유량 및 상기 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 가스를 상기 처리 용기 내에 도입하면서 행하는 건조 처리 중의 압력을 0.1 ~ 100 Pa의 범위 내로 유지하고,
상기 제어부는 상기 처리 용기 내의 감압 배기를 개시한 후 건조 처리 중의 압력이 상기 범위의 상한에 이르면, 상기 처리 용기 내로의 가스 도입을 개시하고, 상기 건조 처리의 종료까지 상기 가스 도입 및 감압 배기를 계속하는 것을 특징으로 하는 건조 장치.
A drying apparatus for removing a solvent contained in an organic material film applied to a surface of a substrate and drying the same,
A processing container capable of vacuum evacuation,
An exhaust port for exhausting the gas in the processing container,
A supporting member for supporting the substrate in the processing container;
A gas injection device having a plurality of nozzles for injecting a gas toward the substrate supported by the support member;
And a control unit that independently adjusts at least one of a flow rate of the gas jetted from the plurality of nozzles and a kind of the gas to one nozzle or a combination of two or more nozzles as a unit,
Wherein the control unit maintains the pressure during the drying process while introducing the gas into the processing vessel within a range of 0.1 to 100 Pa,
The control unit starts to introduce gas into the processing container when the pressure in the drying process reaches the upper limit of the range after starting decompression exhaust in the processing container and continues the gas introduction and decompression and exhaustion until the end of the drying process And the drying device.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐이, 상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스를 분사하는 것인 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of nozzles eject a drying gas for promoting drying of the organic material film.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐이, 상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스를 분사하는 것인 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of nozzles eject a drying inhibiting gas that suppresses drying of the organic material film.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐이, 상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스를 분사하는 노즐과, 상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스를 분사하는 노즐을 포함하고 있는 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of nozzles include a nozzle for ejecting a drying gas for promoting drying of the organic material film and a nozzle for ejecting a drying suppressing gas for suppressing drying of the organic material film.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 노즐은, 상기 지지 부재에 지지되는 상기 기판까지의 거리가, 적어도, 상대적으로 가까운 노즐과 상대적으로 먼 노즐을 포함하고 있는 건조 장치.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the plurality of nozzles includes a nozzle relatively far from the nozzle relatively far from the substrate supported by the support member.
제 1 항에 있어서,
상기 노즐이, 원통 형상의 길이가 긴 본체부를 구비하고 있고, 상기 본체부의 길이 방향을 따라 슬릿 형상의 길이가 긴 가스 분사구가 형성되어 있는 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the nozzle has a cylindrical main body portion having a long length and a gas injection port having a long slit shape is formed along the longitudinal direction of the main body portion.
제 6 항에 있어서,
상기 복수의 노즐이, 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판의 중앙부를 향해 가스를 분사하는 제 1 노즐군과, 상기 기판의 주연부를 향해 가스를 분사하는 제 2 노즐군을 포함하고 있는 건조 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the plurality of nozzles includes a first nozzle group for jetting a gas toward a central portion of the substrate supported by the support member and a second nozzle group for jetting gas toward the periphery of the substrate.
진공 배기 가능한 처리 용기와,
상기 처리 용기 내의 기체를 배기하는 배기구와,
상기 처리 용기 내에서 기판을 지지하는 지지 부재와,
상기 지지 부재에 지지되는 상기 기판을 향해 가스를 분사하는 복수의 노즐을 가지는 가스 분사 장치와,
상기 복수의 노즐로부터 분사되는 상기 가스의 분사 유량 및 상기 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부를 구비한 건조 장치를 이용하여, 기판의 표면에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 제거하여 건조시키는 건조 처리 방법에 있어서,
상기 가스를 상기 처리 용기 내에 도입하면서 행하는 건조 처리 중의 압력을 0.1 ~ 100 Pa의 범위 내로 유지하고,
상기 처리 용기 내의 감압 배기를 개시한 후 건조 처리 중의 압력이 상기 범위의 상한에 이르면, 상기 처리 용기 내로의 가스 도입을 개시하고, 상기 건조 처리의 종료까지 상기 가스 도입 및 감압 배기를 계속하는 것을 특징으로 하는, 건조 처리 방법.
A processing container capable of vacuum evacuation,
An exhaust port for exhausting the gas in the processing container,
A supporting member for supporting the substrate in the processing container;
A gas injection device having a plurality of nozzles for injecting a gas toward the substrate supported by the support member;
And a controller that independently adjusts at least one of a jet flow rate of the gas jetted from the plurality of nozzles and a kind of the gas as a unit or a combination of two or more nozzles as a unit, In which a solvent in an organic material film applied to a surface of a substrate is removed and dried,
The pressure during the drying process carried out while introducing the gas into the processing vessel is maintained within the range of 0.1 to 100 Pa,
The introduction of gas into the processing vessel is started when the pressure in the drying process reaches the upper limit of the above range after the decompression exhaust in the processing vessel is started and the gas introduction and decompression and exhaustion are continued until the end of the drying processing . &Lt; / RTI &gt;
삭제delete 제 8 항에 있어서,
상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스의 분사 유량을, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하면서 상기 기판을 향해 분사하는 건조 처리 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein a spraying flow rate of the drying gas for promoting drying of the organic material film is sprayed toward the substrate while independently adjusting a single nozzle or a combination of two or more nozzles as a unit.
제 8 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스의 분사 유량을, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하면서 상기 기판을 향해 분사하는 건조 처리 방법.
11. The method according to claim 8 or 10,
Wherein the spraying flow rate of the drying suppressing gas for suppressing the drying of the organic material film is sprayed toward the substrate while independently adjusting a single nozzle or a combination of two or more nozzles as a unit.
제 8 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스와, 상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스의 혼합 비율을, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하면서 상기 기판을 향해 분사하는 건조 처리 방법.
11. The method according to claim 8 or 10,
Wherein a mixing ratio of a drying gas for promoting drying of the organic material film and a drying inhibiting gas for suppressing drying of the organic material film is adjusted independently with a single nozzle or a combination of two or more nozzles as a unit, &Lt; / RTI &gt;
제 8 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 가스를 펄스 형상으로 분사하는 건조 처리 방법.
11. The method according to claim 8 or 10,
Wherein the gas is sprayed in a pulse shape.
제 8 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 유기 재료막이, 유기 EL 소자의 제조에 있어서 잉크젯 인쇄법에 의해 상기 기판 상에 도포된 것인 건조 처리 방법.
11. The method according to claim 8 or 10,
Wherein the organic material film is applied onto the substrate by ink jet printing in the production of the organic EL device.
제 1 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 건조 처리 중의 압력을 0.3 ~ 1 Pa의 범위 내로 유지하는 것을 특징으로 하는 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the control unit maintains the pressure during the drying process within a range of 0.3 to 1 Pa.
제 1 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 처리 용기 내의 감압 배기를 개시한 후 상기 압력이 상기 범위의 상한에 이르면, 상기 처리 용기 내로의 연속적인 가스 도입을 개시하고, 상기 건조 처리의 종료까지 상기 연속적인 가스 도입을 계속하는 것을 특징으로 하는 건조 장치.
16. The method according to claim 1 or 15,
Characterized in that when the pressure reaches the upper limit of the above range after starting decompression exhaust in the processing vessel, continuous introduction of gas into the processing vessel is started and the continuous introduction of the gas is continued until the end of the drying processing Lt; / RTI &gt;
제 1 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 처리 용기 내의 감압 배기를 개시한 후 상기 압력이 상기 범위의 상한에 이르면, 상기 복수의 노즐로부터의 펄스 형상의 가스 분출을 행하는 상기 처리 용기 내로의 가스 도입을 개시하는 것을 특징으로 하는 건조 장치.
16. The method according to claim 1 or 15,
Wherein when the pressure reaches an upper limit of the range after starting decompression exhaust in the processing vessel, the introduction of gas into the processing vessel for ejecting pulsed gas from the plurality of nozzles is started.
제 17 항에 있어서,
상기 펄스 형상의 가스 분출은 10 ~ 100 초의 범위 내의 간격으로 상기 가스의 분사 유량, 펄스 주기, 또는 펄스 폭을 가변하는 것을 특징으로 하는 건조 장치.
18. The method of claim 17,
Wherein said pulse-type gas ejection varies the injection flow rate, pulse period, or pulse width of said gas at an interval within a range of 10 to 100 seconds.
제 1 항에 있어서,
상기 가스의 분사 유량을 단계적으로 설정하는 것을 특징으로 하는 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the flow rate of the gas is set stepwise.
제 8 항에 있어서,
상기 건조 처리 중의 압력을 0.3 ~ 1 Pa의 범위 내로 유지하는 것을 특징으로 하는 건조 처리 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the pressure during the drying process is maintained within a range of 0.3 to 1 Pa.
제 8 항 또는 제 20 항에 있어서,
상기 처리 용기 내의 감압 배기를 개시한 후 상기 압력이 상기 범위의 상한에 이르면, 상기 처리 용기 내로의 연속적인 가스 도입을 개시하고, 상기 건조 처리의 종료까지 상기 연속적인 가스 도입을 계속하는 것을 특징으로 하는 건조 처리 방법.
The method according to claim 8 or 20,
Characterized in that when the pressure reaches the upper limit of the above range after starting decompression exhaust in the processing vessel, continuous introduction of gas into the processing vessel is started and the continuous introduction of the gas is continued until the end of the drying processing Lt; / RTI &gt;
제 8 항 또는 제 20 항에 있어서,
상기 처리 용기 내의 감압 배기를 개시한 후 상기 압력이 상기 범위의 상한에 이르면, 상기 복수의 노즐로부터의 펄스 형상의 가스 분출을 행하는 상기 처리 용기 내로의 가스 도입을 개시하는 것을 특징으로 하는 건조 처리 방법.
The method according to claim 8 or 20,
Wherein the introduction of the gas into the processing container for ejecting the pulsed gas from the plurality of nozzles is started when the pressure reaches the upper limit of the range after starting the reduced pressure exhaust in the processing container .
제 22 항에 있어서,
상기 펄스 형상의 가스 분출은 10 ~ 100 초의 범위 내의 간격으로 상기 가스의 분사 유량, 펄스 주기, 또는 펄스 폭을 가변하는 것을 특징으로 하는 건조 처리 방법.
23. The method of claim 22,
Wherein said pulse-type gas ejection varies the injection flow rate, pulse period, or pulse width of said gas at intervals within a range of 10 to 100 seconds.
제 8 항에 있어서,
상기 가스의 분사 유량을 단계적으로 설정하는 것을 특징으로 하는 건조 처리 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the flow rate of the gas is set stepwise.
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