KR101739044B1 - Solar cell module and solar power generating system having the same - Google Patents

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Abstract

태양전지 모듈은 복수의 태양전지들을 포함하는 태양전지 패널; 및 태양전지 패널의 상하좌우의 가장자리부를 감싸는 프레임을 포함하며, 프레임은 태양전지 패널의 전면(front surface) 쪽에 위치하는 전면 결합부와, 태양전지 패널의 후면(back surface) 쪽에 위치하는 후면 결합부 및 전면 결합부와 후면 결합부를 연결하는 연결 결합부를 포함하고, 전면 결합부는 단부에 챔퍼(chamfer)를 구비하며, 태양전지 패널의 전면(front surface)에 대한 챔퍼의 경사각은 프레임의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 다른 각도로 형성된다.A solar cell module includes: a solar cell panel including a plurality of solar cells; And a frame surrounding the upper and lower left and right edges of the solar cell panel. The frame includes a front coupling part positioned on the front surface side of the solar cell panel, a rear coupling part positioned on the back surface side of the solar cell panel, And a coupling portion connecting the front coupling portion and the rear coupling portion. The front coupling portion has a chamfer at an end thereof. The inclination angle of the chamfer with respect to the front surface of the solar cell panel is parallel to the longitudinal direction of the frame And are formed at different angles at both ends.

Description

태양전지 모듈 및 이를 구비한 태양광 발전 시스템{SOLAR CELL MODULE AND SOLAR POWER GENERATING SYSTEM HAVING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a solar cell module,

본 발명은 태양전지 모듈 및 이를 구비한 태양광 발전 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell module and a solar power generation system having the solar cell module.

광전 변환 효과를 이용하여 광 에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양광 발전은 무공해 에너지를 얻는 수단으로서 널리 이용되고 있다. 그리고 태양전지의 광전 변환 효율의 향상에 수반하여, 개인 주택에서도 다수의 태양전지 모듈을 이용하는 태양광 발전 시스템이 설치되고 있다.Photovoltaic generation, which converts light energy into electrical energy using the photoelectric conversion effect, is widely used as means for obtaining pollution-free energy. With the improvement of the photoelectric conversion efficiency of the solar cell, a solar power generation system using a plurality of solar cell modules is also installed in a private house.

태양광에 의해 발전하는 태양전지를 복수개 구비하는 태양전지 모듈은 일반적으로 건물의 지붕이나 외벽, 또는 지상에 설치되며, 태양전지 모듈을 설치하기 위해 프레임 시스템을 사용한다.A solar cell module including a plurality of solar cells generated by solar light is generally installed on a roof, an outer wall, or the ground of a building, and a frame system is used for installing a solar cell module.

이러한 태양 전지 패널은 자외선, 풍설, 산성비, 동결, 오염의 퇴적 등의 매우 가혹한 조건하에서 내구성을 유지해야 한다. 그 중에서도 태양 전지 모듈 내부로의 수분의 침입은 태양 전지 모듈의 수명을 단축하게 되므로 태양 전지 패널의 내습성은 매우 중요한 문제로 인식되고 있다.Such solar panels must maintain durability under very harsh conditions, such as ultraviolet light, wind, acid rain, freezing, and deposition of pollutants. Among them, the moisture penetration into the solar cell module shortens the lifetime of the solar cell module, so that moisture resistance of the solar cell panel is recognized as a very important problem.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 오염 방지를 최소화할 수 있는 태양전지 모듈 및 이를 구비한 태양광 발전 시스템을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a solar cell module capable of minimizing contamination prevention and a solar power generation system having the solar cell module.

본 발명의 한 측면에 따르면, 태양전지 모듈은 복수의 태양전지들을 포함하는 태양전지 패널; 및 태양전지 패널의 상하좌우의 가장자리부를 감싸는 프레임을 포함하며, 프레임은 태양전지 패널의 전면(front surface) 쪽에 위치하는 전면 결합부와, 태양전지 패널의 후면(back surface) 쪽에 위치하는 후면 결합부 및 전면 결합부와 후면 결합부를 연결하는 연결 결합부를 포함하고, 전면 결합부는 단부에 챔퍼(chamfer)를 구비하며, 태양전지 패널의 전면(front surface)에 대한 챔퍼의 경사각은 프레임의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 다른 각도로 형성된다.According to an aspect of the present invention, a solar cell module includes a solar cell panel including a plurality of solar cells; And a frame surrounding the upper and lower left and right edges of the solar cell panel. The frame includes a front coupling part positioned on the front surface side of the solar cell panel, a rear coupling part positioned on the back surface side of the solar cell panel, And a coupling portion connecting the front coupling portion and the rear coupling portion. The front coupling portion has a chamfer at an end thereof. The inclination angle of the chamfer with respect to the front surface of the solar cell panel is parallel to the longitudinal direction of the frame And are formed at different angles at both ends.

챔퍼의 경사각은 프레임의 길이 방향을 따라 한쪽 단부에서 다른 쪽 단부로 갈수록 선형적으로 감소한다.The inclination angle of the chamfer decreases linearly from one end to the other along the longitudinal direction of the frame.

그리고 챔퍼의 폭은 프레임의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 다른 폭으로 형성되며, 프레임의 길이 방향을 따라 한쪽 단부에서 다른 쪽 단부로 갈수록 선형적으로 증가한다.The width of the chamfer is formed at different widths at both ends along the longitudinal direction of the frame and linearly increases from one end to the other end along the longitudinal direction of the frame.

그리고 챔퍼가 형성된 부분의 전면 결합부의 단부 두께는 프레임의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 다른 두께로 형성되고, 챔퍼가 형성된 부분의 전면 결합부의 단부 두께는 프레임의 길이 방향을 따라 한쪽 단부에서 다른 쪽 단부로 갈수록 선형적으로 감소한다.And the thickness of the end of the front engaging portion of the portion where the chamfer is formed is formed to have a different thickness at both ends along the longitudinal direction of the frame and the thickness of the end portion of the front engaging portion of the portion where the chamfer is formed, And decreases linearly toward the end.

이러한 구성의 태양전지 모듈을 구비한 태양광 발전 시스템은 적어도 2개의 수평 가대를 구비하며 태양전지 모듈을 지지하는 지지 가대를 더 포함하고, 태양전지 패널은 수평 가대의 길이 방향에 대해 일정한 기울기로 지지 가대에 고정된다.The photovoltaic power generation system having the solar cell module with such a structure further includes a support frame supporting at least two horizontal mounts and supporting the solar cell module. The solar cell panel is supported at a constant slope with respect to the longitudinal direction of the horizontal mount And is fixed to the mount.

이때, 챔퍼의 경사각은 프레임의 길이 방향을 따라 한쪽 단부에서 다른 쪽 단부로 갈수록 선형적으로 감소할 수 있다.At this time, the inclination angle of the chamfer may decrease linearly from one end to the other end along the longitudinal direction of the frame.

그리고 태양전지 패널은 챔퍼의 경사각이 상대적으로 작은 한쪽 단부가 나머지 다른 한쪽 단부에 비해 낮은 위치에 위치하도록 지지 가대에 고정될 수 있다.And the solar panel can be fixed to the support frame such that one end of the chamfer having a relatively small inclination angle is located at a lower position than the other end.

이와는 달리 태양전지 패널은 챔퍼의 경사각이 상대적으로 큰 한쪽 단부가 나머지 다른 한쪽 단부에 비해 낮은 위치에 위치하도록 상기 지지 가대에 고정될 수 있다.Alternatively, the solar cell panel may be fixed to the support frame such that one end of the chamfer having a relatively large inclination angle is located at a lower position than the other end.

챔퍼의 폭은 프레임의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 다른 폭으로 형성될 수 있다.The width of the chamfer may be formed at different widths at both ends along the longitudinal direction of the frame.

이때, 챔퍼의 폭은 프레임의 길이 방향을 따라 한쪽 단부에서 다른 쪽 단부로 갈수록 선형적으로 증가할 수 있으며, 태양전지 패널은 챔퍼의 폭이 상대적으로 큰 한쪽 단부가 나머지 다른 한쪽 단부에 비해 낮은 위치에 위치하도록 상기 지지 가대에 고정될 수 있다.At this time, the width of the chamfer may increase linearly from one end to the other end along the longitudinal direction of the frame. In the solar cell panel, one end of the chamfer having a relatively large width is lower than the other end As shown in FIG.

챔퍼가 형성된 부분의 전면 결합부의 단부 두께는 프레임의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 다른 두께로 형성될 수 있다.The end thickness of the front engaging portion of the portion where the chamfer is formed may be formed at different thicknesses at both ends along the longitudinal direction of the frame.

이때, 챔퍼가 형성된 부분의 전면 결합부의 단부 두께는 프레임의 길이 방향을 따라 한쪽 단부에서 다른 쪽 단부로 갈수록 선형적으로 감소할 수 있으며, 태양전지 패널은 챔퍼가 형성된 부분의 전면 결합부의 단부 두께가 상대적으로 작은 한쪽 단부가 나머지 다른 한쪽 단부에 비해 낮은 위치에 위치하도록 지지 가대에 고정될 수 있다.At this time, the thickness of the end portion of the front coupling portion of the portion where the chamfer is formed may decrease linearly from one end to the other end along the longitudinal direction of the frame, and the thickness of the end portion of the front joining portion of the portion where the chamfer is formed It can be fixed to the support frame so that the relatively small one end is positioned lower than the other end.

이러한 특징에 따르면, 태양전지 패널의 전면에 묻은 오염 물질이 챔퍼의 경사각이 상대적으로 작은 쪽의 하부 프레임을 통해 패널 외부로 효과적으로 배출된다.According to this feature, contaminants deposited on the front surface of the solar cell panel are effectively discharged to the outside of the panel through the lower frame having a relatively small inclination angle of the chamfer.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 태양전지 패널의 주요부 분해 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시한 태양전지의 실시예를 나타내는 주요부 사시도이다.
도 4는 도 1에 도시한 프레임의 제1 단부와 제2 단부의 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시한 프레임의 제1 단부와 제2 단부의 다른 실시예에 따른 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 태양광 발전장치에서 태양전지 모듈의 설치 상태를 나타내는 도면이다.1 is a plan view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view of a main part of the solar cell panel shown in Fig.
3 is a perspective view of a main portion showing an embodiment of the solar cell shown in Fig.
4 is a sectional view of the first end and the second end of the frame shown in Fig.
5 is a cross-sectional view according to another embodiment of the first and second ends of the frame shown in Fig.
FIG. 6 is a view showing an installation state of the solar cell module in the solar cell device according to the embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. When a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case directly above another portion but also the case where there is another portion in between.

반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 "전체적"으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면(또는 전면)에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것도 포함한다.Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. In addition, when a part is formed as "whole" on another part, it includes not only the part formed on the entire surface (or the entire surface) of the other part but also the part not formed on the edge part.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈에 대하여 설명한다.Hereinafter, a solar cell module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 태양전지 패널의 주요부 분해 사시도이며, 도 3은 도 1에 도시한 태양전지의 실시예를 나타내는 주요부 사시도이다.FIG. 1 is a plan view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view of a main part of the solar cell panel shown in FIG. 1, It is a perspective view.

그리고 도 4는 도 1에 도시한 프레임의 제1 단부와 제2 단부의 단면도이고, 도 5는 도 1에 도시한 프레임의 제1 단부와 제2 단부의 다른 실시예에 따른 단면도이며, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 태양광 발전장치에서 태양전지 모듈의 설치 상태를 나타내는 도면이다.And Fig. 4 is a cross-sectional view of the first end and the second end of the frame shown in Fig. 1, Fig. 5 is a cross-sectional view according to another embodiment of the first end and the second end of the frame shown in Fig. Is a view showing an installation state of the solar cell module in the solar cell device according to the embodiment of the present invention.

도면을 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈(10)은 복수의 태양전지(110)들을 구비한 태양전지 패널(100), 태양전지 패널(100)의 가장자리를 감싸는 프레임(200) 및 태양전지(110)들에서 생산된 전력을 수집하는 단자함(junction box, 도시하지 않음)을 포함한다.A solar cell module 10 according to an embodiment of the present invention includes a solar cell panel 100 having a plurality of solar cells 110, a frame 200 surrounding an edge of the solar cell panel 100, And a junction box (not shown) for collecting power produced by the solar cells 110.

태양전지 패널(100)은 복수의 태양전지(110)들 이외에, 인접한 태양전지(110)들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터(120), 태양전지(110)들을 보호하는 보호막(130), 태양전지(110)들의 수광면 쪽으로 보호막(130) 위에 배치되는 투명 부재(140), 및 수광면 반대 쪽으로 보호막(130)의 하부에 배치되는 후면 시트(back sheet)(150)를 더 포함한다.The solar cell panel 100 includes an interconnector 120 for electrically connecting adjacent solar cells 110 in addition to the plurality of solar cells 110, a protection film 130 for protecting the solar cells 110, And a back sheet 150 disposed on the lower side of the protective film 130 in a direction opposite to the light receiving surface.

후면 시트(150)는 태양전지 모듈(10)의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양전지(110)를 외부 환경으로부터 보호한다. 이와 같이, 후면 보호 부재로 기능하는 후면 시트(150)는 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층, 절연 특성을 갖는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.The rear sheet 150 protects the solar cell 110 from the external environment by preventing the penetration of moisture from the rear surface of the solar cell module 10. As such, the backsheet 150, which serves as a backsheet, can have a multi-layer structure such as a layer preventing moisture and oxygen penetration, a layer preventing chemical corrosion, and a layer having an insulating property.

보호막(130)은 태양전지(110)들의 상부 및 하부에 각각 배치된 상태에서 라미네이션 공정에 의해 태양전지(110)들과 일체화 되는 것으로, 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양전지(110)를 충격으로부터 보호한다. 이와 같이, 밀봉 부재로 기능하는 보호막(130)은 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 이루어질 수 있다.The protective film 130 is integrated with the solar cells 110 by a lamination process in a state where the protective films 130 are disposed on the upper and lower sides of the solar cells 110, . As described above, the protective film 130 functioning as the sealing member may be made of a material such as ethylene vinyl acetate (EVA).

보호막(130) 위에 위치하는 투명 부재(140)는 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 이루어져 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다. 이와 같이, 전면 보호 부재로 기능하는 투명 부재(140)는 빛의 산란 효과를 높이기 위해서 내측면이 엠보싱(embossing) 처리될 수 있다.The transparent member 140 positioned on the protective film 130 is made of a tempered glass or the like having a high transmittance and excellent breakage prevention function. At this time, the tempered glass may be a low iron tempered glass having a low iron content. In this way, the transparent member 140 functioning as the front surface protecting member can be embossed on the inner side to enhance the light scattering effect.

본 실시예의 태양전지 모듈(10)에 구비된 복수의 태양전지(110)는 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 행렬 구조로 배열되어 있으며, 행과 열 방향으로 배치되는 태양전지(110)의 개수는 필요에 따라 조정이 가능하다.A plurality of solar cells 110 provided in the solar cell module 10 of the present embodiment are arranged in a matrix structure as shown in FIGS. 1 and 2, and are arranged in a row and a column direction. The number can be adjusted as needed.

각각의 태양전지(110)는 도 3에 도시한 바와 같이 기판(111), 빛이 입사되는 기판(111)의 전면(front surface), 즉 수광면에 위치하는 에미터부(112), 에미터부(112) 위에 위치하는 복수의 전면 전극(113) 및 전면 전극용 집전부(114), 전면 전극(113) 및 전면 전극용 집전부(114)가 위치하지 않는 에미터부(112) 위에 위치하는 반사방지막(115), 수광면의 반대쪽 면에 위치하는 후면 전극(116) 및 후면 전극용 집전부(117)를 포함한다.As shown in FIG. 3, each solar cell 110 includes a substrate 111, a front surface of a substrate 111 on which light is incident, that is, an emitter portion 112, an emitter portion And a plurality of front electrodes 113 and front electrode 113 and front electrode 113 and front electrode 113. The front electrode 113 and the front electrode 114 are positioned on the emitter 112, A back electrode 116 positioned on the opposite side of the light receiving surface, and a back electrode current collector 117. [

태양전지(110)는 후면 전극(116)과 기판(111) 사이에 형성되는 후면 전계(back surface field, BSF)부를 더 포함할 수 있다. 후면 전계부(118)는 기판(111)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(111)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, p+ 영역이다.The solar cell 110 may further include a back surface field (BSF) portion formed between the rear electrode 116 and the substrate 111. The rear electric field 118 is a region in which impurities of the same conductivity type as that of the substrate 111 are doped at a higher concentration than the substrate 111, for example, a p + region.

이러한 후면 전계부(118)는 기판(111)의 후면에서 전위 장벽으로 작용하게 된다. 따라서, 기판(111)의 후면 쪽에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것이 감소되므로 태양전지의 효율이 향상된다.This rear electric field 118 acts as a potential barrier at the rear surface of the substrate 111. [ Therefore, the efficiency of the solar cell is improved because the recombination of electrons and holes at the rear side of the substrate 111 and the disappearance thereof are reduced.

기판(111)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 p형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판이다. 이때, 실리콘은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘일 수 있다. 기판(111)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 함유한다The substrate 111 is a semiconductor substrate made of silicon of the first conductivity type, for example, p-type conductivity type. The silicon may be monocrystalline silicon, polycrystalline silicon or amorphous silicon. When the substrate 111 has a p-type conductivity type, it contains an impurity of a trivalent element such as boron (B), gallium (Ga), indium (In)

도시하지는 않았지만, 기판(111)의 표면을 텍스처링 표면(texturing surface)으로 형성하기 위해 상기 기판(111)은 텍스처링(texturing) 처리될 수 있다. Although not shown, the substrate 111 may be textured to form the surface of the substrate 111 as a texturing surface.

기판(111)의 표면이 텍스처링 표면으로 형성되면 기판(111)의 수광면에서의 빛 반사도가 감소하고, 텍스처링 표면에서 입사와 반사 동작이 이루어져 태양전지 내부에 빛이 갇히게 되어 빛의 흡수율이 증가된다. When the surface of the substrate 111 is formed as a textured surface, the light reflection on the light receiving surface of the substrate 111 is reduced, and the incidence and reflection operations are performed on the textured surface, so that light is trapped inside the solar cell, .

따라서, 태양전지의 효율이 향상된다. 이에 더하여, 기판(11)으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 기판(11)으로 입사되는 빛의 양은 더욱 증가한다.Thus, the efficiency of the solar cell is improved. In addition, since the reflection loss of light incident on the substrate 11 is reduced, the amount of light incident on the substrate 11 is further increased.

에미터부(112)는 기판(111)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, n형의 도전성 타입을 구비하고 있는 불순물이 도핑(doping)된 영역으로서, 기판(111)과 p-n 접합을 이룬다. The emitter portion 112 is a region doped with an impurity having a second conductivity type opposite to the conductivity type of the substrate 111, for example, an n-type conductivity type, Junction.

에미터부(112)가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(112)는 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 기판(111)에 도핑하여 형성될 수 있다.When the emitter section 112 has an n-type conductivity type, the emitter section 112 dopes an impurity of a pentavalent element such as phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb) .

이에 따라, 기판(111)에 입사된 빛에 의해 반도체 내부의 전자가 에너지를 받으면 전자는 n형 반도체 쪽으로 이동하고 정공은 p형 반도체 쪽으로 이동한다. 따라서, 기판(111)이 p형이고 에미터부(112)가 n형일 경우, 분리된 정공은 기판(111)쪽으로 이동하고 분리된 전자는 에미터부(112)쪽으로 이동한다.Accordingly, when electrons in the semiconductor are energized by the light incident on the substrate 111, the electrons move toward the n-type semiconductor and the holes move toward the p-type semiconductor. Therefore, when the substrate 111 is p-type and the emitter section 112 is n-type, the separated holes move toward the substrate 111, and the separated electrons move toward the emitter section 112.

이와는 반대로, 기판(111)은 n형 도전성 타입일 수 있고, 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 기판(111)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 기판(111)은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유할 수 있다.Conversely, the substrate 111 may be of the n-type conductivity type and may be made of a semiconductor material other than silicon. When the substrate 111 has an n-type conductivity type, the substrate 111 may contain impurities of pentavalent elements such as phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb), and the like.

에미터부(112)는 기판(11)과 p-n접합을 형성하게 되므로, 기판(111)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우 에미터부(112)는 p형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 전자는 기판(111)쪽으로 이동하고 분리된 정공은 에미터부(112)쪽으로 이동한다.Since the emitter section 112 forms a p-n junction with the substrate 11, when the substrate 111 has an n-type conductivity type, the emitter section 112 has a p-type conductivity type. In this case, the separated electrons move toward the substrate 111, and the separated holes move toward the emitter section 112.

에미터부(112)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(112)는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 기판(111)에 도핑하여 형성할 수 있다.When the emitter section 112 has a p-type conductivity type, the emitter section 112 is formed by doping an impurity of a trivalent element such as boron (B), gallium (Ga), indium (In) .

기판(111)의 에미터부(112) 위에는 실리콘 질화막(SiNx)이나 실리콘 산화막(SiO2) 또는 이산화 티탄막(TiO2) 등으로 이루어진 반사방지막(115)이 형성되어 있다. 반사방지막(115)은 태양전지(110)로 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜 태양전지(110)의 효율을 높인다. 이러한 반사 방지막(115)은 약 70㎚ 내지 80㎚ 의 두께를 가질 수 있으며, 필요에 따라 생략될 수 있다.An antireflection film 115 made of a silicon nitride film (SiNx), a silicon oxide film (SiO 2 ), a titanium dioxide film (TiO 2 ), or the like is formed on the emitter layer 112 of the substrate 111. The antireflection film 115 reduces the reflectivity of light incident on the solar cell 110 and increases the selectivity of a specific wavelength region to increase the efficiency of the solar cell 110. The antireflection film 115 may have a thickness of about 70 nm to 80 nm, and may be omitted if necessary.

복수의 전면 전극(113)은 에미터부(112) 위에 형성되어 에미터부(112)와 전기적으로 연결되고, 인접하는 전면 전극(113)과 서로 이격된 상태로 어느 한 방향으로 형성된다. 각각의 전면 전극(113)은 에미터부(112)쪽으로 이동한 전하, 예를 들면 전자를 수집한다.A plurality of front electrodes 113 are formed on the emitter layer 112 and are electrically connected to the emitter layer 112 and are formed in a direction away from the adjacent front electrodes 113. Each front electrode 113 collects an electric charge, for example, electrons, which has migrated toward the emitter section 112.

복수의 전면 전극(113)은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 이들 도전성 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.The plurality of front electrodes 113 are made of at least one conductive material such as Ni, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, , Indium (In), titanium (Ti), gold (Au), and combinations thereof, but may be made of other conductive metal materials.

예를 들면, 전면 전극(113)은 납(Pb)을 포함하는 은(Ag) 페이스트로 이루어질 수 있다. 이 경우, 전면 전극(113)은 스크린 인쇄 공정을 이용하여 은 페이스트를 반사방지막(115) 위에 도포하고, 기판(111)을 약 750℃ 내지 800℃의 온도에서 소성(firing)하는 과정에서 에미터부(112)와 전기적으로 연결될 수 있다.For example, the front electrode 113 may be made of a silver (Ag) paste containing lead (Pb). In this case, the front electrode 113 is formed by applying a silver paste on the antireflection film 115 using a screen printing process, and in the process of firing the substrate 111 at a temperature of about 750 ° C to 800 ° C, (Not shown).

이때, 전술한 전기적 연결은 소성 과정에서 은(Ag) 페이스트에 포함된 납 성분이 반사방지막(115)을 식각하여 은 입자가 에미터부(112)와 접촉하는 것에 따라 이루어진다.At this time, the above-described electrical connection is made in accordance with the fact that the lead component contained in the silver (Ag) paste in the firing process etches the antireflection film 115 and silver particles come into contact with the emitter layer 112.

기판(111)의 에미터부(112) 위에는 전면 전극(113)과 교차하는 방향으로 전면 전극용 집전부(114)가 적어도 2개 이상 형성된다.At least two front electrode current collectors 114 are formed on the emitter 112 of the substrate 111 in a direction crossing the front electrodes 113.

전면 전극용 집전부(114)는 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 에미터부(112) 및 전면 전극(113)과 전기적 및 물리적으로 연결된다. 따라서, 전면 전극용 집전부(114)는 전면 전극(113)으로부터 전달되는 전하, 예를 들면 전자를 외부 장치로 출력한다.The front electrode current collector 114 is made of at least one conductive material and is electrically and physically connected to the emitter portion 112 and the front electrode 113. Therefore, the front electrode current collector 114 outputs a charge, for example, electrons, transmitted from the front electrode 113 to an external device.

전면 전극용 집전부(114)를 구성하는 도전성 금속 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.The conductive metal material constituting the front electrode current collector 114 may be at least one selected from the group consisting of Ni, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, And may be at least one selected from the group consisting of titanium (Ti), gold (Au), and combinations thereof, but may be made of other conductive metal materials.

전면 전극용 집전부(114)는 전면 전극(113)과 마찬가지로 도전성 금속 물질을 반사방지막(115) 위에 도포한 후 패터닝하고, 이를 소성하는 과정에서 펀치 스루(punch through) 작용에 의해 에미터부(112)와 전기적으로 연결될 수 있다.The front electrode current collector 114 is formed by coating a conductive metal material on the antireflection film 115 and patterning the same in the same manner as the front electrode 113. The punch- As shown in FIG.

후면 전극(116)은 기판(111)의 수광면 반대쪽, 즉 기판(111)의 후면에 형성되며, 기판(111) 쪽으로 이동하는 전하, 예를 들어 정공을 수집한다.The rear electrode 116 is formed on the opposite side of the light receiving surface of the substrate 111, that is, on the rear surface of the substrate 111, and collects charge, for example, holes moving toward the substrate 111.

후면 전극(116)은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어진다. 도전성 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 물질로 이루어질 수 있다.The back electrode 116 is made of at least one conductive material. The conductive material may be at least one selected from the group consisting of Ni, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, In, Ti, Au, And combinations thereof, but may be made of other conductive materials.

후면 전극(116) 아래, 또는 후면 전극과 동일한 면에는 복수의 후면 전극용 집전부(117)가 위치하고 있다. 후면 전극용 집전부(117)는 전면 전극(113)과 교차하는 방향으로 형성된다.A plurality of rear electrode current collectors 117 are located under the rear electrode 116 or on the same surface as the rear electrode. The rear electrode current collector 117 is formed in a direction crossing the front electrode 113.

후면 전극용 집전부(117) 또한 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어지고, 후면 전극(116)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 후면 전극용 집전부(117)는 후면 전극(116)으로부터 전달되는 전하, 예를 들면 정공을 외부 장치로 출력한다.The rear electrode current collector 117 is also made of at least one conductive material and is electrically connected to the rear electrode 116. Accordingly, the back electrode current collector 117 outputs the charge, for example, holes, transmitted from the back electrode 116 to an external device.

후면 전극용 집전부(117)를 구성하는 도전성 금속 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.The conductive metal material constituting the rear electrode current collector 117 may be at least one selected from the group consisting of Ni, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, And may be at least one selected from the group consisting of titanium (Ti), gold (Au), and combinations thereof, but may be made of other conductive metal materials.

이러한 구조에 따르면, 어느 한 태양전지의 전면 전극용 집전부(114)와 이웃하는 태양전지의 후면 전극용 집전부(117)를 인터커넥터(120)에 의해 전기적으로 연결하는 것에 따라 태양전지 모듈(10)에서 발생된 전류를 단자함에서 집전할 수 있다.According to this structure, the front electrode current collector 114 of one solar cell and the back electrode current collector 117 of the neighboring solar cell are electrically connected by the interconnector 120, 10) can be collected at the terminal box.

이상에서는 전면 전극용 집전부와 후면 전극용 집전부가 기판의 서로 다른 면에 위치하는 통상의 태양전지를 예로 들어 설명하였지만, 전면 전극용 집전부와 후면 전극용 집전부가 기판의 동일한 면에 위치하는 구조의 태양전지도 본원 발명의 범주에 속하는 것은 자명하다.In the above description, the front electrode current collector and the back electrode current collector are located on different surfaces of the substrate. However, the front electrode current collector and the back electrode current collector may be located on the same side of the substrate It is obvious that the solar cell having the structure of the present invention belongs to the scope of the present invention.

태양전지 패널(100)의 상하좌우의 가장자리부를 감싸는 프레임(200)은 대략 장방형의 공간을 형성하는 암형 결합부(210)와, 단면 L자형상의 다리부(220)를 포함한다. The frame 200 that surrounds the top, bottom, left, and right edges of the solar panel 100 includes a female coupling portion 210 forming a substantially rectangular space and a leg portion 220 having an L-shaped cross section.

암형 결합부(210)는 태양전지 패널(100)의 상하좌우 가장자리부를 감싸는 것으로, 암형 결합부(210)와 태양전지 패널(100)의 사이 공간에는 지지 부재(도시하지 않음)가 삽입될 수 있다.The female joint 210 surrounds the upper and lower and left and right edges of the solar cell panel 100 and a support member (not shown) may be inserted into the space between the female joint 210 and the solar cell panel 100 .

지지 부재는 대략 "C"자 형상으로 형성되며, 태양전지 패널(100)의 전면에 위치하는 상변부와 태양전지 패널(100)의 후면에 위치하는 하변부 및 이들을 연결하는 연결부를 포함할 수 있다. 지지 부재는 탄성력을 갖는 재질의 테이프로 이루어질 수 있다.The supporting member may be formed in a substantially C shape and may include an upper portion positioned on the front surface of the solar cell panel 100 and a lower portion positioned on the rear surface of the solar cell panel 100 and a connection portion connecting the upper portion and the lower portion. . The support member may be made of a tape having elasticity.

프레임(200)의 암형 결합부(210)는 태양전지 패널(100)의 전면 쪽에 위치하여 지지부재의 상변부와 결합되는 전면 결합부(211), 태양전지 패널(100)의 후면 쪽에 위치하여 지지부재의 하변부와 결합되는 후면 결합부(213) 및 전면 결합부(211)와 후면 결합부(213)를 연결하는 연결 결합부(215)를 포함할 수 있다.The female coupling portion 210 of the frame 200 includes a front coupling portion 211 located on the front side of the solar cell panel 100 and coupled with an upper portion of the supporting member, And a connection part 215 connecting the front and rear coupling parts 213 and 213 to each other.

이러한 구성의 프레임(200)에 있어서, 프레임(200)의 전면 결합부(211)에는 챔퍼(211a)가 형성된다.In the frame 200 having such a configuration, a chamfer 211a is formed in the front engaging portion 211 of the frame 200. [

챔퍼(211a)는 태양전지 패널(100)의 전면(front surface)으로 입사되는 빛이 그림자 효과(shadow effect)에 의해 감소하는 것을 방지하고, 또한 태양전지 패널(100)의 전면에 퇴적된 오염 물질의 배출이 이루어질 수 있도록 하기 위한 것으로, 일정한 경사각을 갖도록 전면 결합부(211)를 가공한 것이다.The chamfer 211a prevents the light incident on the front surface of the solar cell panel 100 from being reduced due to a shadow effect and also prevents the contaminants deposited on the front surface of the solar cell panel 100 The front engaging portion 211 is machined so as to have a predetermined inclination angle.

이와 같이 챔퍼(211a)를 형성하면, 챔퍼(211a)가 형성된 부분의 전면 결합부(211)의 단부 두께(T1)는 전면 결합부(211)의 전체 두께(T)보다 감소하므로, 위에서 말한 효과를 얻는 것이 가능하다.When the chamfer 211a is formed as described above, the end thickness T1 of the front engaging portion 211 at the portion where the chamfer 211a is formed is smaller than the total thickness T of the front engaging portion 211, Can be obtained.

그런데, 종래에는 상기한 챔퍼(211a)의 경사각이 프레임(200)의 길이 방향을 따라 일정하게 형성되었다.However, conventionally, the inclination angle of the chamfer 211a is uniformly formed along the longitudinal direction of the frame 200. [

따라서, 전면 결합부(211)의 단부 두께(T1)보다 작은 크기의 퇴적물은 전면 결합부(211)의 단부 부근에서 퇴적된 상태로 남아있게 되므로, 퇴적물의 양이 증가할수록 태양전지 패널(100)의 빛 입사 면적이 감소하는 문제점이 있다.Therefore, since the sediment having a size smaller than the end portion thickness T1 of the front joining portion 211 remains deposited in the vicinity of the end portion of the front joining portion 211, as the amount of the sediment increases, There is a problem in that the light incidence area of the light source is reduced.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 실시예의 태양전지 모듈은 도 4에 도시한 바와 같이 프레임(200)의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 다른 각도의 경사각을 갖도록 형성된 챔퍼(211a)를 구비한다.In order to solve this problem, the solar cell module of this embodiment has a chamfer 211a formed at both ends along the longitudinal direction of the frame 200 so as to have inclined angles at different angles as shown in FIG.

보다 구체적으로 설명하면, 프레임(200)의 제1 단부, 예컨대 도 1을 참조하면 태양전지 패널(100)의 하측 가장자리부를 감싸는 프레임(200)의 좌측 단부에 위치하는 챔퍼(211a)는 도 4의 좌측 도면에 도시한 바와 같이 태양전지 패널(100)의 전면(front surface)에 대해 제1 경사각(θ1)으로 형성되고, 프레임(200)의 우측 단부는 도 4의 우측 도면에 도시한 바와 같이 태양전지 패널(100)의 전면에 대해 제2 경사각(θ2)으로 형성된다. 이때, 제2 경사각(θ2)은 제1 경사각(θ1)보다 작게 형성된다.1, the chamfer 211a located at the left end of the frame 200 that surrounds the lower edge of the solar cell panel 100, as shown in FIG. 4, As shown in the left drawing, is formed at a first inclination angle? 1 with respect to the front surface of the solar cell panel 100, and the right end portion of the frame 200 is formed at a right angle 2 at a second inclination angle [theta] 2 with respect to the whole surface of the battery panel 100. [ At this time, the second inclination angle [theta] 2 is formed to be smaller than the first inclination angle [theta] 1.

그리고 챔퍼(211a)의 경사각은 프레임(200)의 길이 방향을 따라 한쪽 단부에서 다른 쪽 단부로 갈수록 선형적으로 감소한다. 즉, 챔퍼(211a)의 경사각은 프레임(200)의 길이 방향을 따라 제1 단부에서 제2 단부로 갈수록 선형적으로 감소한다.The inclination angle of the chamfer 211a decreases linearly from one end to the other along the longitudinal direction of the frame 200. [ That is, the inclination angle of the chamfer 211a decreases linearly from the first end portion to the second end portion along the longitudinal direction of the frame 200.

한편, 챔퍼(211a)의 폭은 프레임(200)의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 다른 폭으로 형성된다. 즉, 챔퍼(211a)는 제2 단부의 제2 폭(W2)이 제1 단부의 제1 폭(W1)보다 크게 형성된다.On the other hand, the width of the chamfer 211a is formed at different widths at both ends along the longitudinal direction of the frame 200. [ That is, the second width W2 of the second end portion of the chamfer 211a is formed larger than the first width W1 of the first end portion.

이때, 챔퍼(211a)의 폭은 프레임(200)의 길이 방향을 따라 제1 단부에서 제2 단부로 갈수록 선형적으로 증가할 수 있다.At this time, the width of the chamfer 211a may increase linearly from the first end to the second end along the longitudinal direction of the frame 200.

그리고 챔퍼(211a)가 형성된 부분의 전면 결합부(211)의 단부 두께는 프레임(200)의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 동일한 두께로 형성된다. 즉, 제1 단부에서의 전면 결합부(211)의 제1 두께(T1)은 제2 단부에서의 전면 결합부(211)의 제2 두께(T2)와 동일하게 형성된다.The end portions of the front engaging portions 211 at the portions where the chamferers 211 are formed are formed to have the same thickness at both ends along the longitudinal direction of the frame 200. That is, the first thickness T1 of the front engagement portion 211 at the first end is formed to be the same as the second thickness T2 of the front engagement portion 211 at the second end.

이와는 달리, 도 5에 도시한 바와 같이, 프레임(200)의 제2 단부에 위치한 챔퍼(211a)의 제2 경사각(θ2)이 프레임(200)의 제1 단부에 위치한 챔퍼(211a)의 제1 경사각(θ1)보다 크게 형성되는 것도 가능하다.2, the second inclination angle 2 of the chamfer 211a at the second end of the frame 200 is smaller than the second inclination angle 2 of the chamfer 211a at the first end of the frame 200, It may be formed larger than the inclination angle [theta] 1.

그리고, 챔퍼(211a)는 제2 단부의 제2 폭(W2)이 제1 단부의 제1 폭(W1)보다 크게 형성되며, 챔퍼(211a)가 형성된 부분의 전면 결합부(211)의 단부 두께는 제1 단부에서의 제1 두께(T1)가 제2 단부에서의 제2 두께(T2)보다 크게 형성된다.The chamfer 211a is formed such that the second width W2 of the second end portion is larger than the first width W1 of the first end portion and the thickness of the end portion of the front engaging portion 211 of the portion where the chamfered portion 211a is formed Is formed such that the first thickness (T1) at the first end is larger than the second thickness (T2) at the second end.

이러한 구성의 태양전지 모듈을 구비한 태양광 발전 시스템에 대해 도 6을 참조하여 설명한다.A photovoltaic power generation system having a solar cell module having such a configuration will be described with reference to FIG.

태양광 발전 시스템은 태양전지 모듈(10)을 지지하기 위한 지지 가대(300)를 포함하고, 지지 가대(300)는 적어도 2개의 수평 가대(310, 320)를 포함한다.The solar power generation system includes a support platform 300 for supporting the solar cell module 10 and the support platform 300 includes at least two horizontal platforms 310 and 320.

상기한 지지 가대(300)에 태양전지 모듈(10)을 설치할 때, 본 실시예에서는 태양전지 모듈(10)은 수평 가대(310, 320)의 길이 방향에 대해 일정한 기울기(θ3)로 지지 가대(300)에 고정한다.When the solar cell module 10 is installed on the support platform 300, the solar cell module 10 is mounted on the support platform 310 at a constant inclination? 3 with respect to the longitudinal direction of the horizontal mounts 310, 300).

이때, 태양전지 모듈(10)은 태양전지 패널의 하측 가장자리부를 감싸는 부분의 프레임(200)에 있어서 챔퍼(211a)의 경사각이 상대적으로 작은 한쪽 단부가 나머지 다른 한쪽 단부에 비해 낮은 위치에 위치하도록 지지 가대에 고정될 수 있다.At this time, in the solar cell module 10, the chamfer 211a is formed such that one end of the chamfer 211a having a relatively small inclination angle is located at a lower position than the other end of the frame 200 in the portion of the frame 200 that surrounds the lower- It can be fixed to the mount.

예를 들어, 도 4에 도시한 구조의 프레임을 사용한 태양전지 패널은 상대적으로 작은 제2 경사각(θ2)으로 형성된 부분이 상대적으로 큰 제1 경사각(θ1)으로 형성된 부분에 비해 낮은 위치에 위치하도록 지지 가대(400)에 고정될 수 있다.For example, in the solar cell panel using the frame having the structure shown in Fig. 4, the portion formed at the relatively small second inclination angle [theta] 2 is positioned lower than the portion formed at the relatively large first inclination angle [ And can be fixed to the support pedestal 400.

이때, 제2 경사각(θ2)으로 형성된 챔퍼(211a)의 제2 폭(W2)은 제1 경사각(θ1)으로 형성된 챔퍼(211A)의 제1 폭(W1)에 비해 크게 형성된다.At this time, the second width W2 of the chamfer 211a formed at the second inclination angle [theta] 2 is formed to be larger than the first width W1 of the chamfer 211A formed at the first inclination angle [theta] 1.

그리고 제2 경사각(θ2)으로 형성된 챔퍼(211a) 쪽의 전면 결합부(211)의 제2 두께(T2)는 제1 경사각(θ1)으로 형성된 챔퍼(211A) 쪽의 전면 결합부(211)의 제1 두께(T1)와 동일하게 형성된다.The second thickness T2 of the front engaging portion 211 on the side of the chamfer 211a formed at the second inclination angle 2 is equal to the thickness of the front engaging portion 211 of the chamfer 211A formed at the first inclination angle [ Is formed to be equal to the first thickness T1.

이와는 달리, 도 5에 도시한 구조의 프레임을 사용한 태양전지 패널은 상대적으로 큰 제2 경사각(θ2)으로 형성된 부분이 상대적으로 작은 제1 경사각(θ1)으로 형성된 부분에 비해 낮은 위치에 위치하도록 지지 가대(400)에 고정되는 것도 가능하다.In contrast to this, the solar cell panel using the frame of the structure shown in Fig. 5 is formed such that the portion formed at the relatively large second inclination angle [theta] 2 is positioned lower than the portion formed at the relatively small first inclination angle [ Or may be fixed to the mount 400.

이때, 제2 경사각(θ2)으로 형성된 챔퍼(211a)의 제2 폭(W2)은 제1 경사각(θ1)으로 형성된 챔퍼(211A)의 제1 폭(W1)에 비해 크게 형성된다.At this time, the second width W2 of the chamfer 211a formed at the second inclination angle [theta] 2 is formed to be larger than the first width W1 of the chamfer 211A formed at the first inclination angle [theta] 1.

그리고 제2 경사각(θ2)으로 형성된 챔퍼(211a) 쪽의 전면 결합부(211)의 제2 두께(T2)는 제1 경사각(θ1)으로 형성된 챔퍼(211A) 쪽의 전면 결합부(211)의 제1 두께(T1)보다 작게 형성된다.The second thickness T2 of the front engaging portion 211 on the side of the chamfer 211a formed at the second inclination angle 2 is equal to the thickness of the front engaging portion 211 of the chamfer 211A formed at the first inclination angle [ Is formed to be smaller than the first thickness (T1).

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

10: 태양전지 모듈 100: 태양전지 패널
110: 태양전지 200: 프레임
210: 암형 결합부 220: 다리부
300: 지지 가대 310, 320: 수평 가대10: solar cell module 100: solar cell panel
110: solar cell 200: frame
210: female connector 220: leg
300: support frame 310, 320: horizontal frame

Claims (16)

복수의 태양전지들을 포함하는 태양전지 패널; 및
상기 태양전지 패널의 상하좌우의 가장자리부를 감싸는 프레임
을 포함하며,
상기 프레임은 상기 태양전지 패널의 전면(front surface) 쪽에 위치하는 전면 결합부와, 상기 태양전지 패널의 후면(back surface) 쪽에 위치하는 후면 결합부 및 상기 전면 결합부와 후면 결합부를 연결하는 연결 결합부를 포함하고,
상기 전면 결합부는 단부에 챔퍼(chamfer)를 구비하며, 상기 태양전지 패널의 전면에 대한 상기 챔퍼의 경사각은 상기 프레임의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 다른 각도로 형성되는 태양전지 모듈.A solar cell panel including a plurality of solar cells; And
The solar cell module according to claim 1,
/ RTI >
The frame includes a front coupling part positioned on a front surface side of the solar cell panel, a rear coupling part positioned on a back surface side of the solar cell panel, and a coupling part coupling the front coupling part and the rear coupling part. ≪ / RTI >
Wherein the front coupling portion includes a chamfer at an end thereof and the inclination angle of the chamfer with respect to the front surface of the solar cell panel is formed at different angles at both ends along the longitudinal direction of the frame. 제1항에서,
상기 챔퍼의 경사각은 상기 프레임의 길이 방향을 따라 한쪽 단부에서 다른 쪽 단부로 갈수록 선형적으로 감소하는 태양전지 모듈.The method of claim 1,
Wherein the inclination angle of the chamfer decreases linearly from one end to the other end along the longitudinal direction of the frame. 제1항에서,
상기 챔퍼의 폭은 상기 프레임의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 다른 폭으로 형성되는 태양전지 모듈.The method of claim 1,
Wherein the width of the chamfer is formed at different widths at both ends along the longitudinal direction of the frame. 제3항에서,
상기 챔퍼의 폭은 상기 프레임의 길이 방향을 따라 한쪽 단부에서 다른 쪽 단부로 갈수록 선형적으로 증가하는 태양전지 모듈.4. The method of claim 3,
Wherein a width of the chamfer increases linearly from one end to the other end along a longitudinal direction of the frame. 제1항에서,
상기 챔퍼가 형성된 부분의 상기 전면 결합부의 단부 두께는 상기 프레임의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 다른 두께로 형성되는 태양전지 모듈.The method of claim 1,
Wherein a thickness of the end portion of the front coupling portion of the portion where the chamfer is formed is formed to have a different thickness at both ends along the longitudinal direction of the frame. 제5항에서,
상기 챔퍼가 형성된 부분의 상기 전면 결합부의 단부 두께는 상기 프레임의 길이 방향을 따라 한쪽 단부에서 다른 쪽 단부로 갈수록 선형적으로 감소하는 태양전지 모듈.The method of claim 5,
Wherein a thickness of the end of the front coupling portion of the portion where the chamfer is formed decreases linearly from one end to the other end along the longitudinal direction of the frame. 복수의 태양전지들을 포함하는 태양전지 패널 및 상기 태양전지 패널의 상하좌우의 가장자리부를 감싸는 프레임을 포함하는 태양전지 모듈; 및
적어도 2개의 수평 가대를 포함하며, 상기 태양전지 모듈을 지지하는 지지 가대
를 포함하고,
상기 프레임은 상기 태양전지 패널의 전면(front surface) 쪽에 위치하는 전면 결합부와, 상기 태양전지 패널의 후면(back surface) 쪽에 위치하는 후면 결합부 및 상기 전면 결합부와 후면 결합부를 연결하는 연결 결합부를 포함하고,
상기 전면 결합부는 상기 프레임의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 다른 각도의 경사각으로 형성된 챔퍼(chamfer)를 단부에 구비하며,
상기 태양전지 패널은 상기 수평 가대의 길이 방향에 대해 일정한 기울기로 상기 지지 가대에 지지되는 태양광 발전 시스템.1. A solar cell module comprising: a solar cell panel including a plurality of solar cells; and a frame surrounding upper and lower and right and left side edge portions of the solar cell panel; And
A support bracket for supporting the solar cell module,
Lt; / RTI >
The frame includes a front coupling part positioned on a front surface side of the solar cell panel, a rear coupling part positioned on a back surface side of the solar cell panel, and a coupling part coupling the front coupling part and the rear coupling part. ≪ / RTI >
Wherein the front coupling portion has chamfers formed at both ends of the frame along the longitudinal direction at an inclination angle different from each other at an end thereof,
Wherein the solar cell panel is supported on the supporting frame at a predetermined slope with respect to the longitudinal direction of the horizontal frame. 제7항에서,
상기 챔퍼의 경사각은 상기 프레임의 길이 방향을 따라 한쪽 단부에서 다른 쪽 단부로 갈수록 선형적으로 감소하는 태양광 발전 시스템.8. The method of claim 7,
Wherein the inclination angle of the chamfer decreases linearly from one end to the other end along the longitudinal direction of the frame. 제7항에서,
상기 태양전지 패널은 상기 챔퍼의 경사각이 상대적으로 작은 한쪽 단부가 나머지 다른 한쪽 단부에 비해 낮은 위치에 위치하도록 상기 지지 가대에 고정되는 태양광 발전 시스템.8. The method of claim 7,
Wherein the solar cell panel is fixed to the supporting frame so that one end of the chamfer having a relatively small inclination angle is located at a lower position than the other end. 제7항에서,
상기 태양전지 패널은 상기 챔퍼의 경사각이 상대적으로 큰 한쪽 단부가 나머지 다른 한쪽 단부에 비해 낮은 위치에 위치하도록 상기 지지 가대에 고정되는 태양광 발전 시스템.8. The method of claim 7,
Wherein the solar cell panel is fixed to the support frame such that one end of the chamfer having a relatively large inclination angle is located at a lower position than the other end. 제7항에서,
상기 챔퍼의 폭은 상기 프레임의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 다른 폭으로 형성되는 태양광 발전 시스템.8. The method of claim 7,
Wherein the width of the chamfer is formed at different widths at both ends along the longitudinal direction of the frame. 제11항에서,
상기 챔퍼의 폭은 상기 프레임의 길이 방향을 따라 한쪽 단부에서 다른 쪽 단부로 갈수록 선형적으로 증가하는 태양광 발전 시스템.12. The method of claim 11,
Wherein the width of the chamfer increases linearly from one end to the other along the longitudinal direction of the frame. 제11항에서,
상기 태양전지 패널은 상기 챔퍼의 폭이 상대적으로 큰 한쪽 단부가 나머지 다른 한쪽 단부에 비해 낮은 위치에 위치하도록 상기 지지 가대에 고정되는 태양광 발전 시스템.12. The method of claim 11,
Wherein the solar cell panel is fixed to the support frame such that one end portion of the chamfer having a relatively large width is located at a lower position than the other end portion. 제7항에서,
상기 챔퍼가 형성된 부분의 상기 전면 결합부의 단부 두께는 상기 프레임의 길이 방향을 따라 양쪽 단부에서 서로 다른 두께로 형성되는 태양광 발전 시스템.8. The method of claim 7,
Wherein a thickness of the end of the front coupling portion of the portion where the chamfer is formed is formed to have a different thickness at both ends along the longitudinal direction of the frame. 제14항에서,
상기 챔퍼가 형성된 부분의 상기 전면 결합부의 단부 두께는 상기 프레임의 길이 방향을 따라 한쪽 단부에서 다른 쪽 단부로 갈수록 선형적으로 감소하는 태양광 발전 시스템.The method of claim 14,
Wherein a thickness of the end of the front coupling portion of the portion where the chamfer is formed is linearly decreased from one end to the other end along the longitudinal direction of the frame. 제14항에서,
상기 태양전지 패널은 상기 챔퍼가 형성된 부분의 상기 전면 결합부의 단부 두께가 상대적으로 작은 한쪽 단부가 나머지 다른 한쪽 단부에 비해 낮은 위치에 위치하도록 상기 지지 가대에 고정되는 태양광 발전 시스템.The method of claim 14,
Wherein the solar cell panel is fixed to the support frame such that one end of the solar cell panel at a portion where the chamfer is formed has a relatively small thickness of the end of the front joint portion is located at a lower position than the other end.
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