KR101734282B1 - Planar Light Source Device - Google Patents

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KR101734282B1
KR101734282B1 KR1020090093765A KR20090093765A KR101734282B1 KR 101734282 B1 KR101734282 B1 KR 101734282B1 KR 1020090093765 A KR1020090093765 A KR 1020090093765A KR 20090093765 A KR20090093765 A KR 20090093765A KR 101734282 B1 KR101734282 B1 KR 101734282B1
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김기훈
주상현
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경기대학교 산학협력단
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    • H—ELECTRICITY
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Abstract

본 발명은 전체적으로 균일하면서도 높은 발광 효율과 긴 수명을 유지할 수 있는 면 광원 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a planar light source device that can maintain a uniform overall luminous efficiency and a long lifetime.

본 발명은 서로 이격되어 대향하도록 형성되는 제1전극과 제2전극 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 형성되는 발광층을 포함하며, 상기 발광층은 무기 발광 재료로 형성되는 복수의 나노와이어를 포함하고, 상기 나노와이어는 적색을 발광하는 적색 발광 재료들로 이루어지는 적색 나노와이어와 녹색을 발광하는 녹색 발광 재료들로 이루어지는 녹색 나노와이어 및 청색을 발광하는 청색 발광 재료들로 이루어지는 청색 나노와이어에서 선택되는 적어도 2 종류의 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 면 광원소자 및 하나의 나노와이어 호스트 물질에 청색, 녹색, 적색을 낼 수 있는 도펀트들을 적어도 2 종류 이상 혼합하여 형성한 면 광원 소자를 개시한다.The present invention includes a first electrode and a second electrode which are spaced apart from each other to face each other, and a light emitting layer formed between the first electrode and the second electrode, wherein the light emitting layer includes a plurality of nanowires formed of an inorganic light emitting material The nanowire is selected from a red nanowire composed of red light emitting materials emitting red light, a green nanowire composed of green light emitting materials emitting green light, and a blue nanowire composed of blue light emitting materials emitting blue light A planar light source device comprising at least two types of nanowires, and a planar light source device formed by mixing at least two kinds of dopants capable of emitting blue, green, and red to one nanowire host material.

본 발명은 다양한 기판으로의 응용이 가능하여 투명하거나 휠 수 있는 대면적 면 광원 소자의 제작이 가능하게 된다.The present invention can be applied to various substrates, and it becomes possible to manufacture a large-area surface light source device which can be transparent or flexible.

면 광원 소자, 나노와이어, 디스플레이 장치, 플렉서블, 투명 Surface light source device, nanowire, display device, flexible, transparent

Description

면 광원 소자{Planar Light Source Device}A planar light source device

본 발명은 평판 디스플레이 장치의 백라이트 또는 일반 광원으로 사용될 수 있는 면 광원 소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface light source device that can be used as a backlight or a general light source of a flat panel display device.

전 세계적으로 차세대 조명, 레이저 및 디스플레이개발을 위한 신소재개발사업이 활성화되고 있는 가운데 투명하고 휠 수 있을 뿐 아니라 고성능의 고효율 발광 성능까지 우수한 다양한 발광 소재들이 연구되어지고 있다. 점발광과 선발광의 경우는 대면적 기판으로 적용시 휘도 및 발광효율이 떨어지고 점발광/선발광용 어레이, 렌즈설계, 공정기술 개발등 복잡한 기술개발조건이 충족되어야한다. 고급 면발광기술인 OLED의 경우는 저전압구동, 고색감, 고효율, 고휘도의 우수한 면발광적 특성을 가지고 있지만 패터닝이 불가능하고 대면적으로의 적용에 어려움이 있다. 따라서 OLED의 장점을 모두 포함하고 있고 대면적 구현 및 패터닝이 가능해 차세대 면발광소자 개발이 시급하다. With the development of new materials for the development of next generation lighting, lasers and displays all over the world, a variety of luminescent materials that are transparent and capable of high performance as well as high efficiency light emitting performance have been studied. In the case of point light emission and selective light, when applied to a large area substrate, luminance and luminous efficiency are inferior, and complicated technology development conditions such as array of point light emission / selective light array, lens design, and process technology development must be satisfied. In the case of OLED, which is a high-quality flake photolithography technology, it has low-voltage driving, high color, high efficiency, and excellent luminance characteristics. However, it is not possible to pattern and it is difficult to apply it to a large area. Therefore, it includes all advantages of OLED, and it is possible to realize large area and patterning, and it is urgent to develop a next-generation surface emitting device.

본 발명은 전체적으로 균일하면서도 높은 발광 효율과 긴 수명을 유지할 수 있으면서도 선택적으로 투명하거나 휠 수 있는 면 광원 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a planar light source element that is uniformly wholly uniform, can maintain a high luminous efficiency and a long lifetime, and can be selectively transparent or wheeled.

본 발명의 면 광원 소자는 절연기판과, 상기 절연기판의 상부 일측에 바 형상 또는 띠 형상으로 형성되는 제1전극과, 상기 절연기판의 상부 타측에 상기 제1전극과 이격되어 바 형상 또는 띠 형상으로 형성되는 제2전극 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 형성되며, 무기 발광 재료로 형성되는 복수의 나노와이어를 포함하는 발광층을 포함하며, 상기 발광층은 상기 나노와이어가 증착, 코팅 또는 패터닝되어 형성된다.The surface light source device of the present invention comprises an insulating substrate, a first electrode formed on the upper side of the insulating substrate in a bar shape or a strip shape, and a bar- And a light emitting layer formed between the first electrode and the second electrode, the light emitting layer including a plurality of nanowires formed of an inorganic light emitting material, wherein the light emitting layer is formed by depositing, Respectively.

상기 발광층에 사용되는 나노와이어는 적색을 발광하는 적색 발광 재료들로 이루어지는 적색 나노와이어와 녹색을 발광하는 녹색 발광 재료들로 이루어지는 녹색 나노와이어 및 청색을 발광하는 청색 발광 재료들로 이루어지는 청색 나노와이어 중에서 선택되는 적어도 2 종류의 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이 경우 상기 발광층은 적색 나노와이어, 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어를 혼합한 한 개의 층으로 구성될 수 있다. 이때 상기 발광층은 상대적으로 발광 밝기가 낮은 색상의 나노와이어의 나노와이어 개수를 조절하여, 구현하고자 하는 색상, 휘도 및 효율을 낼 수 있다.The nanowires used in the light emitting layer include red nanowires made of red light emitting materials emitting red light, green nanowires made of green light emitting materials emitting green light, and blue nanowires made of blue light emitting materials emitting blue light And at least two types of nanowires to be selected. In this case, the light emitting layer may be formed of a single layer of red nanowires, green nanowires, and blue nanowires. In this case, the light emitting layer controls the number of nanowires of the color nanowire having a relatively low light emission brightness, thereby achieving the desired color, brightness, and efficiency.

또한, 상기 발광층은 1 개의 층이 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어 중 2개의 나노와이어가 혼합되어 이루어지며, 다른 하나의 층은 나머지 나노와이어로 형성될 수 있다. 이때, 상기 발광층이 적어도 2개의 층으로 이루어지는 경우에, 상기 발광층은 상대적으로 발광 밝기가 낮은 색상의 나노와이어로 이루어지는 층이 상기 절연기판을 기준으로 보다 상부에 위치하도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 발광층이 적어도 2개의 층으로 이루어지는 경우에, 상기 발광층은 상대적으로 발광 밝기가 낮은 색상의 나노와이어로 이루어지는 층의 나노와이어 개수를 조절하여 상대적으로 두껍게 형성될 수 있다.The light emitting layer may be formed by mixing two nanowires, one of red nanowire, green nanowire, and blue nanowire, and the other layer may be formed of the remaining nanowires. At this time, when the light emitting layer is composed of at least two layers, the light emitting layer may be formed such that a layer composed of nanowires having a relatively low luminous brightness is located above the insulating substrate. In addition, when the light emitting layer is composed of at least two layers, the light emitting layer may be formed relatively thick by adjusting the number of nanowires of a layer of a color nanowire having a relatively low light emission brightness.

또한, 상기 발광층은 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어가 동일한 호스트 물질로 이루어지는 나노와이어로 이루어질 수 있다. 즉, 발광층은 하나의 호스트 물질에 적색 발광 재료의 도펀트와 녹색 발광 재료의 도펀트 및 청색 발광 재료의 도펀트를 중 2개 이상이 포함되는 한가지 나노와이어로 이루어질 수 있다. 이 경우 상기 발광층은 한가지 나노와이어로 이루어진 단일층으로 구성될 수 있다. 이 경우 상대적으로 발광 밝기가 낮은 색의 도판트량과 발광 밝기가 높은 색의 도판트량을 조절함으로서, 구현하고자 하는 색상, 휘도 및 효율을 낼 수 있다.In addition, the light emitting layer may be formed of a nanowire in which a red nanowire, a green nanowire, and a blue nanowire are made of the same host material. That is, the light emitting layer may consist of one nanowire including two or more dopants of a red light emitting material, a dopant of a green light emitting material, and a dopant of a blue light emitting material in one host material. In this case, the light emitting layer may be composed of a single layer of one nanowire. In this case, it is possible to achieve the desired color, brightness and efficiency by controlling the dopant amount of the color having a relatively low light emission brightness and the dopant amount of the color having a high light emission brightness.

상기 발광층을 구성하는 나노와이어의 발광 재료 중에서 상기 적색 발광 재료는 CaS:Eu(Host:dopant), ZnS:Sm, ZnS:Mn, Zn0:Mn, Zn0:Sm, SnO2:Mn, SnO2:Sm, In2O3:Mn, In2O3:Sm, Y2O2S:Eu, Y2O2S:Eu,Bi, Gd2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn, CaLa2S4:Ce; SrY2S4:Eu, (Ca,Sr)S:Eu, SrS:Eu, Y2O3:Eu, YVO4:Eu,Bi로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되며, 상기 녹색 발광 재료는 ZnS:Tb(Host:dopant), ZnS:Ce,Cl, ZnS:Eu, ZnS:Cu,Al, SnO2:Eu, In2O3:Eu, Gd2O2S:Tb, Gd2O3:Tb,Zn, Y2O3: Tb,Zn, SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2S:Tb, ZnO:Ag, ZnO:Cu,Ga, Zn0:Eu, CdS:Mn, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, YBO3:Ce,Tb, Ba2SiO4:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, (Ba,Sr)Al2O4:Eu, Sr2Si3O8.2SrCl2:Eu로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되며, 상기 청색 발광 재료는 GaN:Mg,Si(Host:dopant), GaN:Zn,Si, SrS:Ce, SrS:Cu, ZnS:Tm, ZnS:Ag,Cl, ZnS:Te, Zn0:Te, SnO2:Te, In2O3:Te, Zn2SiO4:Mn, YSiO5:Ce, (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu, BaMgAl10O17:Eu, BaMg2Al16O27:Eu로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다.The red light-emitting material in the light emitting material of the nanowire that constitutes the light-emitting layer are CaS: Eu (Host: dopant) , ZnS: Sm, ZnS: Mn, Zn0: Mn, Zn0: Sm, SnO 2: Mn, SnO 2: Sm (Sr, Ca, Ba, Mg) P, In 2 O 3 : Mn, In 2 O 3 : Sm, Y 2 O 2 S: Eu, Y 2 O 2 S: Eu, Bi, Gd 2 O 3 : 2 O 7 : Eu, Mn, CaLa 2 S 4 : Ce; SrY 2 S 4: Eu, ( Ca, Sr) S: Eu, SrS: Eu, Y 2 O 3: Eu, YVO 4: Eu, is formed of any one or a mixture selected from the group consisting of Bi, the green light-emitting material are ZnS: Tb (Host: dopant) , ZnS: Ce, Cl, ZnS: Eu, ZnS: Cu, Al, SnO 2: Eu, In 2 O 3: Eu, Gd 2 O 2 S: Tb, Gd Y 2 O 3 : Tb, Zn, Y 2 O 3 : Tb, Zn, SrGa 2 S 4 : Eu, Y 2 SiO 5 : Tb, Y 2 Si 2 O 7 : Tb, Y 2 O 2 S: Tb, ZnO: Ag, ZnO: Cu, Ga, Zn0: Eu, CdS: Mn, BaMgAl 10 O 17: Eu, Mn, (Sr, Ca, Ba) (Al, Ga) 2 S 4: Eu, Ca 8 Mg (SiO 4) 4Cl 2: Eu, Mn, YBO 3: Ce, Tb, Ba 2 SiO 4: Eu, (Ba, Sr) 2 SiO 4: Eu, Ba 2 (Mg, Zn) Si 2 O 7: Eu, (Ba, Sr ) Al 2 O 4: Eu, Sr 2 Si 3 O 8 .2SrCl 2: is formed by either one or a mixture selected from the group consisting of Eu, the blue light-emitting material is GaN: dopant): Mg, Host (Si , GaN: Zn, Si, SrS : Ce, SrS: Cu, ZnS: Tm, ZnS: Ag, Cl, ZnS: Te, Zn0: Te, SnO 2: Te, In 2 O 3: Te, Zn 2 SiO 4: Mn, YSiO 5: Ce, ( Sr, Mg, Ca) 10 (PO 4) 6Cl 2: Eu, BaMgAl 10 O 17: Eu, BaMg 2 Al 16 O 27: is selected from the group consisting of Eu Feel may be formed of one or a mixture thereof.

상기 나노와이어는 적어도 제1전극과 제2전극 사이의 이격 거리에 대응되는 길이로 형성되며, 상기 나노와이어는 서로 평행하게 또는 서로 엇갈리게 배열되도록 형성될 수 있다.The nanowire may have a length corresponding to a distance between the first electrode and the second electrode, and the nanowires may be arranged to be parallel to each other or staggered from each other.

또한, 상기 나노와이어는 상기 제1전극과 제2전극 사이의 이격 거리보다 짧은 길이로 형성되며, 상기 발광층의 내부에서 랜덤하게 배열되어 랜덤 네트워크를 형성할 수 있다.The nanowire may have a length shorter than a distance between the first electrode and the second electrode, and may be randomly arranged in the light emitting layer to form a random network.

또한, 상기 발광층은 나노와이어 사이의 공간을 충진하여 발광층이 전체적으로 평탄하게 되도록 하는 평탄화층을 더 포함할 수 있다.The light emitting layer may further include a planarization layer filling the space between the nanowires so that the light emitting layer is entirely flat.

또한, 상기 면 광원 소자는 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 제1절연층과, 상기 제2전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 제2절연층 중 적어도 어느 하나의 층을 더 포함하며, 상기 제1절연층과 제2절연층은 유기재료, 무기재료 또는 유기재료와 무기재료의 복합재료로 형성될 수 있다. The surface light source device may further include at least one layer of a first insulating layer formed between the first electrode and the light emitting layer and a second insulating layer formed between the second electrode and the light emitting layer, The first insulating layer and the second insulating layer may be formed of an organic material, an inorganic material, or a composite material of an organic material and an inorganic material.

또한, 상기 면 광원 소자는 상기 제1전극 및 제2전극들이 제1절연층과 제2절연층 없이 바로 발광층과 접한 구조로 형성될 수 있다.In addition, the surface light source device may have a structure in which the first electrode and the second electrode are directly in contact with the light emitting layer without the first insulating layer and the second insulating layer.

또한, 본 발명의 면 광원 소자는 제1전극과, 상기 제1전극의 상부에 형성되며, 무기 발광 재료로 형성되는 복수의 나노와이어를 포함하는 발광층 및 상기 발광층의 상부에 형성되는 제2전극을 포함하며, 상기 발광층은 복수의 나노와이어가 코팅되어 형성되며, 상기 나노와이어는 적색을 발광하는 적색 발광 재료로 이루어지는 적색 나노와이어와 녹색을 발광하는 녹색 발광 재료로 이루어지는 녹색 나노와이어 및 청색을 발광하는 청색 발광 재료로 이루어지는 청색 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 한다.The surface light source device of the present invention includes a first electrode, a light emitting layer formed on the first electrode and including a plurality of nanowires formed of an inorganic light emitting material, and a second electrode formed on the light emitting layer The nanowire includes a red nanowire formed of a red light emitting material emitting red light, a green nanowire formed of a green light emitting material emitting green light, and a green nanowire emitting blue light. And a blue nanowire made of a blue light emitting material.

또한, 상기 발광층은 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어가 동일한 호스트 물질로 이루어지는 나노와이어로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 발광층은 하나의 호스트 물질에 적색 발광 재료의 도펀트와 녹색 발광 재료의 도펀트 및 청색 발광 재료의 도펀트를 모두 포함되는 나노와이어로 이루어질 수 있다.In addition, the light emitting layer may be formed of a nanowire in which a red nanowire, a green nanowire, and a blue nanowire are made of the same host material. The light emitting layer may be formed of a nanowire including a dopant of a red light emitting material, a dopant of a green light emitting material, and a dopant of a blue light emitting material in one host material.

또한, 상기 나노와이어는 상기 제1전극의 상면에 수평한 방향 또는 수직한 방향 또는 상기 제1전극과 제2전극 사이에서 불규칙한 방향으로 배열되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 나노와이어는 상기 제1전극과 제2전극 사이의 거리보다 짧은 길이로 형성되며, 상기 발광층의 내부에서 랜덤하게 배열되어 서로 연결되어 랜덤 네트워크를 형성할 수 있다.The nanowire may be arranged in a horizontal direction or a vertical direction on the upper surface of the first electrode, or in an irregular direction between the first electrode and the second electrode. The nanowire may have a length shorter than a distance between the first electrode and the second electrode. The nanowire may be randomly arranged inside the light emitting layer and connected to each other to form a random network.

또한, 상기 발광층은 나노와이어 사이의 공간을 충진하여 발광층이 전체적으로 평탄하게 되도록 하는 평탄화층을 더 포함할 수 있다.The light emitting layer may further include a planarization layer filling the space between the nanowires so that the light emitting layer is entirely flat.

본 발명에 따른 면 광원 소자는 발광층이 무기 발광 재료로 이루어지는 나노와이어로 형성되므로, 높은 기계적 강도와 긴 수명을 가지며 전체적으로 균일하면서 높은 발광 효율을 유지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명에 따른 면 광원 소자는 발광층이 나노와이어로 형성되므로 저전압으로 구동되는 경우에도 발광체에서 전체적으로 전자가 균일하게 여기되어 높은 발광 휘도를 얻을 수 있는 효과가 있다.Since the light emitting layer of the surface light source device according to the present invention is formed of a nanowire made of an inorganic light emitting material, the surface light source device has high mechanical strength and long life, and uniformly high luminous efficiency can be maintained as a whole. In addition, since the light emitting layer of the surface light source device according to the present invention is formed of nanowires, even when driven at a low voltage, electrons are uniformly excited as a whole in the light emitting body, thereby achieving high light emission luminance.

본 발명에 따른 면 광원 소자는 발광층이 무기 발광 재료로 이루어지는 나노와이어가 단독으로 또는 유기물과 함께 코팅되어 균일하게 형성되므로, 전체적으로 균일한 발광 효율을 유지할 수 있는 효과가 있다.The surface light source device according to the present invention has the effect of maintaining uniform overall luminous efficiency since the nanowire comprising the inorganic light emitting material is coated with the light emitting layer alone or with the organic material uniformly.

본 발명에 따른 면 광원 소자는 나노와이어의 고유한 물리적 특성으로 인해, 투명하거나 휠 수 있는 면 광원 소자로의 응용이 가능하다.The surface light source device according to the present invention can be applied to a surface light source device that is transparent or can be turned due to the inherent physical characteristics of the nanowire.

본 발명에 따른 면 광원 소자는 일반 광원으로도 사용될 수 있다. 특히, 상 기 면 광원 소자는 기판과 전극들이 투명하게 형성되는 경우에 양면 발광이 가능한 조명 장치로 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 면 광원 소자는 기존의 평판 형상의 박막으로 형성되는 발광층과 달리 발광층이 나노와이어로 형성됨에 따라 투명하면서 물리적으로 휠 수 있는 특성을 가짐에 따라 향후에 투명하고 휠 수 있는 평판 디스플레이 장치의 백라이트 및 면 광원 소자에 사용될 수 있다.The surface light source device according to the present invention can also be used as a general light source. In particular, the surface light source device can be used as an illumination device capable of emitting light on both sides when the substrate and the electrodes are formed transparently. In addition, unlike the light emitting layer formed of a conventional flat plate-like thin film, the surface light source device according to the present invention has transparency and physical property due to the formation of the light emitting layer as a nanowire, And can be used for a backlight and a surface light source device of a display device.

이하에서 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 면 광원 소자를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, a surface light source according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명의 실시예에 따른 면 광원 소자에 대하여 설명한다. First, a surface light source device according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 개략적인 평면도를 나타낸다. 도 1b는 도 1a의 A-A에 대한 개략적인 수직 단면도를 나타낸다.FIG. 1A is a schematic plan view of a surface light source device according to another embodiment of the present invention. FIG. Figure 1b shows a schematic vertical cross-sectional view of A-A of Figure la.

본 발명의 실시예에 따른 면 광원 소자(100)는, 도 1a와 도 1b를 참조하면, 절연기판(110)과 제1전극(120)과 발광층(130) 및 제2전극(140)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 면 광원 소자(100)는 그 구동 방식에 따라 절연기판(110)의 상면에서 제1전극(120)과 발광층(130) 사이에 형성되는 제1절연층(150)과 제2전극(140)과 발광층(130) 사이에 형성되는 제2절연층(160)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1절연층(150)과 제2절연층(160)은 어느 한 층만이 형성될 수 있으며, 두 층 모두 형성될 수 있다.1A and 1B, the planar light source 100 according to the embodiment of the present invention includes an insulating substrate 110, a first electrode 120, a light emitting layer 130, and a second electrode 140 . The planar light source 100 may include a first insulation layer 150 and a second insulation layer 150 formed between the first electrode 120 and the light emitting layer 130 on the upper surface of the insulating substrate 110, And a second insulating layer 160 formed between the light emitting layer 140 and the light emitting layer 130. Meanwhile, only one of the first insulating layer 150 and the second insulating layer 160 may be formed, and both layers may be formed.

상기 면 광원 소자(100)는 발광층(130)이 무기 발광 재료로 이루어지는 복 수의 나노와이어로 형성되며, 복수의 나노와이어는 적색을 발광하는 적색 발광 재료들로 이루어지는 적색 나노와이어와 녹색을 발광하는 녹색 발광 재료들로 이루어지는 녹색 나노와이어 및 청색을 발광하는 청색 발광 재료들로 이루어지는 청색 나노와이어가 혼합되어 이루어진다. 또한, 상기 복수의 나노와이어는 하나의 호스트 물질에 적색, 녹색, 청색 발광 특성을 가지는 각각의 도펀트들을 2개 이상 포함하여 백색을 포함한 특정색을 발광하는 발광 나노와이어로 이루어진다. 따라서, 상기 면 광원 소자(100)는 백색 또는 특정색을 발광하게 되며, 평판 디스플레이 장치의 광원 장치 및 조명등으로 사용될 수 있다.In the surface light source device 100, the light emitting layer 130 is formed of a plurality of nanowires made of an inorganic light emitting material, and the plurality of nanowires include a red nanowire composed of red light emitting materials emitting red light, Green nanowires made of green light emitting materials, and blue nanowires made of blue light emitting materials emitting blue light are mixed. In addition, the plurality of nanowires include light emitting nanowires that emit light of a specific color including white light by including two or more dopants each having red, green, and blue light emitting properties in one host material. Therefore, the surface light source device 100 emits white light or a specific color, and can be used as a light source device and an illumination device of a flat panel display device.

첫번째 응용으로는 상기 면 광원 소자(100)는 평판 디스플레이 장치 특히, 액정 디스플레이 장치의 백라이트로 사용될 수 있다. 이러한 경우에 상기 면 광원 조사(100)는 평판 디스플레이 장치에서 영상을 표현하는 기본 단위인 하나의 화소에 대응되는 구성으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 면 광원 소자(100)는 광원 장치의 기본 단위를 구성하며, 평판 디스플레이 장치의 영상을 표현하는 영역에 대응되도록 복수 개로 배치되어 형성될 수 있다.In a first application, the surface light source device 100 may be used as a backlight of a flat panel display device, particularly, a liquid crystal display device. In this case, the surface light source 100 may be configured to correspond to one pixel, which is a basic unit for displaying an image in a flat panel display device. That is, the surface light source device 100 constitutes a basic unit of the light source device, and a plurality of the surface light source devices 100 may be formed so as to correspond to a region representing an image of the flat panel display device.

두번째 응용으로는 상기 면 광원 소자(100)는 면 발광을 하게 되므로, 실내 및 실외 조명등, 전광판, 광고판등과 같은 표시 장치의 조명 장치로 사용될 수 있다. 이 경우 상기 면 광원 소자(100)는 일반적인 조명 장치에도 사용될 수 있다. 특히, 상기 면 광원 소자(100)는 절연기판과 제1전극 및 제2전극이 전체적으로 투명하게 형성되는 경우에 전면과 후면에서 발광이 가능한 양면 발광 광원 장치로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 면 광원 소자(100)는 광장과 같은 공간의 중앙에서 사 용 가능한 조명 장치로 사용될 수 있으며, 장식용 조명 장치로도 사용될 수 있다. 이때 제1 투명전극 및 제2 투명 전극 사용시 각각의 전극의 일함수(work function)을 조절하여, 상기 면 광원 소자의 효율을 극대화할 수 있다. 이 경우 상기 제1전극(120) 및 제2전극(140)중 하나를 알루미늄(Al), 알루미늄:네오듐(Al:Nd), 은(Ag), 주석(Sn), 텅스텐(W), 금(Au), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), MgAg와 같은 금속층을 0.1 nm ~ 10nm이하로 형성하고, 그위에 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide:ITO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide:IZO), 불소도핑 주석산화물(F-doped Tin Oxide:FTO), 산화아연(Zinc Oxide), Ca:ITO, Ag:ITO와 같은 투명 도전성 산화물에 의한 투명층으로 형성될 수 있으며, 다른 전극은 인듐주석 산화물 또는 인듐아연 산화울, 불소도핑 주석산화물, 산화아연등을 사용할 수 있다.As a second application, the surface light source device 100 is used as a lighting device for a display device such as an indoor or outdoor light, an electric signboard, a billboard, etc. since the surface light source device 100 emits light. In this case, the surface light source device 100 may be used in a general lighting device. In particular, the surface light source device 100 may be formed as a double-sided emission light source device capable of emitting light on the front surface and the back surface when the insulating substrate, the first electrode, and the second electrode are formed as a whole. Accordingly, the surface light source device 100 can be used as a lighting device that can be used in the center of a space such as a square, or as a decorative lighting device. At this time, when the first transparent electrode and the second transparent electrode are used, the efficiency of the surface light source device can be maximized by adjusting a work function of each electrode. In this case, one of the first electrode 120 and the second electrode 140 may be formed of one of aluminum (Al), aluminum (Al), silver (Ag), tin (Sn), tungsten A metal layer such as gold (Au), chromium (Cr), molybdenum (Mo), palladium (Pd), platinum (Pt), nickel (Ni), titanium (Ti) and MgAg is formed to a thickness of 0.1 nm to 10 nm Indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), fluorine-doped tin oxide (FTO), zinc oxide, Ca: ITO, Ag: ITO And other electrodes may be formed of indium tin oxide or indium zinc oxide wool, fluorine-doped tin oxide, zinc oxide, or the like.

또한, 상기 면 광원 소자(100)는 절연기판(110)의 상면에서 제1전극(120)과 제2전극(140)이 서로 수평 방향으로 이격되어 격벽 구조로 형성되며 그 사이에 발광층(130)이 형성된다. 이 경우 상기 면 광원 소자(100)는 제1전극(120)과 제2전극(140)이 발광체의 발광 방향에 위치하지 않게 되므로 광 투과도를 극대화시켜 발광 효율을 증가시킬 수 있게 된다. 상기 면 광원 소자(100)는 제1전극(120)과 제2전극(140)을 투명 전극이 아닌 전기 전도성이 좋은 금속으로 형성할 수 있어 상대적으로 낮은 전압에서 구동이 가능하며, 상기 면 광원 소자(100)는 발광층(130)이 외부로 직접 발광을 하는 구조이므로 전체적으로 밝기가 증가하게 된다.The first and second electrodes 120 and 140 are spaced apart from each other in the horizontal direction on the upper surface of the insulating substrate 110 to form a barrier rib structure, . In this case, since the first electrode 120 and the second electrode 140 are not located in the light emitting direction of the light emitting device, the surface light source device 100 can maximize the light transmittance and increase the light emitting efficiency. The first and second electrodes 120 and 140 may be formed of a metal having good electrical conductivity and not a transparent electrode so that the surface light source 100 can be driven at a relatively low voltage. Since the light emitting layer 130 emits light directly to the outside, the brightness of the light emitting layer 100 increases as a whole.

또한, 상기 면 광원 소자는 발광층(130))이 나노와이어로 형성되어 유연하 게 되므로, 플렉시블한 평판 디스플레이 장치에도 사용될 수 있다. In addition, the planar light-emitting device can be used for a flexible flat panel display device because the light-emitting layer 130 is formed of nanowires and becomes flexible.

또한, 상기 면 광원 소자(100)는 나노와이어가 단독으로 또는 유기물과 함께 코팅되어 형성되므로, 전체적으로 균일한 발광층을 보다 용이하게 형성할 수 있다.In addition, since the surface light source 100 is formed by coating the nanowire with the organic material or with the nanowire alone, a uniform overall light emitting layer can be formed more easily.

한편, 이하에서는, 하나의 면 광원 소자를 중심으로 설명하며, 면 광원 소자에 대한 설명은 다수의 면 광원 소자로 이루어지는 평판 디스플레이 장치용 백라이트로 확대되어 적용될 수 있다. 예를 들면, 상기 절연기판(110)은 하나의 면 광원 소자(100)에 대응되는 크기로 도시되지만, 평판 디스플레이 장치의 전체 크기에 대응되는 크기로 형성될 수 있다.In the following description, one surface light source element will be mainly described, and the description of the surface light source element can be expanded and applied to a backlight for a flat panel display device including a plurality of surface light source elements. For example, the insulating substrate 110 may be formed to have a size corresponding to the size of the flat light-emitting device 100, but may be formed to have a size corresponding to the entire size of the flat panel display device.

상기 절연기판(110)은 바람직하게는 세라믹 기판, 실리콘 웨이퍼 기판, 유리 기판 또는 폴리머 기판, 금속 기판으로 이루어진다. 특히, 상기 면 광원 소자(100)가 투명 디스플레이 장치에 사용되는 경우에, 절연기판(110)은 유리기판 또는 투명 플라스틱으로 이루어진다. 또한, 상기 절연기판(110)은 폴리머 또는 금속기판으로 이루어지면서 플렉서블하게 형성될 수 있다. 상기 유리 기판은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 폴리머 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에릴렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드와 같은 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 금속 기판은 알루미늄 금속, 니켈 금속과 같은 금속으로 이루어질 수 있다. 다만, 상기 금속 기판은 전기적으로 절연이 필요한 경우에 표면에 별도의 절연층이 형성될 수 있다. 또한, 상기 면 광원 소자(100)는 사용되는 평판 디스플레이 장치의 구조에 따라 기판의 상부에 박막 트랜지스터, 반도체층, 절 연층이 형성될 수 있다.The insulating substrate 110 is preferably a ceramic substrate, a silicon wafer substrate, a glass substrate, a polymer substrate, or a metal substrate. In particular, when the surface light source device 100 is used in a transparent display device, the insulating substrate 110 is made of a glass substrate or transparent plastic. In addition, the insulating substrate 110 may be formed of a polymer or a metal substrate and may be formed in a flexible manner. The glass substrate may be made of silicon oxide. In addition, the polymer substrate may be made of a polymer material such as polyethylene terephthalate (PET), polyarylene phthalate (PEN), and polyimide. In addition, the metal substrate may be formed of a metal such as aluminum metal or nickel metal. However, when the metal substrate is electrically insulated, a separate insulating layer may be formed on the surface of the metal substrate. In addition, a thin film transistor, a semiconductor layer, and an insulating layer may be formed on the substrate according to the structure of the flat panel display device used.

상기 제1전극(120)은 바 형상 또는 띠 형상으로 형성되며, 절연기판(110)의 상부에서 절연기판(110)의 일측에 배열되도록 형성된다. 이때, 상기 제1전극(120)은 발광층(130)의 면적을 증가시키기 위하여 폭이 길이보다 작게 형성될 수 있다.The first electrode 120 is formed in a bar shape or a band shape and is formed on one side of the insulating substrate 110 at an upper portion of the insulating substrate 110. At this time, the first electrode 120 may be formed to have a width smaller than a length to increase the area of the light emitting layer 130.

상기 제1전극(120)은 영상이 표시되는 영역에 형성되지 않으므로 전기 전도도가 높은 알루미늄(Al), 알루미늄:네오듐(Al:Nd), 은(Ag)주석(Sn), 텅스텐(W), 금(Au), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti)과 같은 금속층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1전극(120)은 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide:ITO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide:IZO), 불소도핑 주석산화물(F-doped Tin Oxide:FTO), 산화아연(Zinc Oxide), Ca:ITO, Ag:ITO와 같은 투명 도전성 산화물에 의한 투명층으로 형성될 수 있다.Since the first electrode 120 is not formed in a region where an image is displayed, the first electrode 120 may be formed of a material such as aluminum (Al), neodymium (Al), silver (Ag), tin (Sn), tungsten May be formed of a metal layer such as Au, Cr, Mo, Pd, Pt, Ni, and Ti. The first electrode 120 may include at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), fluorine-doped tin oxide (FTO), zinc oxide Oxide), Ca: ITO, Ag: ITO, or the like.

한편, 상기 제1전극(120)과 제2전극(140)은 평판 디스플레이 장치를 구성하는 단위 화소의 수에 대응되는 수로 형성되어, 기판의 상부에서 서로 전기적으로 절연되면서 전체적으로 배열되도록 형성될 수 있다. 또한, 기판의 양측에 형성되는 제1전극과 제2전극은 평판 디스플레이 장치의 전체 기판에서 전체적으로 각각의 발광층을 기준으로 서로 대향하는 스트라이프 형상 또는 격자 형상을 이루도록 형성될 수 있다.The first electrode 120 and the second electrode 140 may be formed in a number corresponding to the number of the unit pixels constituting the flat panel display device and may be arranged so as to be electrically isolated from each other at the top of the substrate . In addition, the first and second electrodes formed on both sides of the substrate may be formed to have a stripe shape or a lattice shape which are opposite to each other with respect to the whole light emitting layer as a whole in the entire substrate of the flat panel display device.

또한, 상기 제1전극(120)은 발광층(130)과 대향하는 면에 전도성 폴리머로 형성되는 전도층(도면에 도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. 상기 전도층은 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리아세틸렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 및 폴리(티에닐렌 비닐렌)로 구성된 그룹으로부터 선택된 폴리머로 형성될 수 있다. 상기 전도층은 제1전극(120)과 발광층(130)의 전기적 결합을 증가시키게 된다. The first electrode 120 may further include a conductive layer (not shown) formed of a conductive polymer on a surface facing the light emitting layer 130. The conductive layer may be formed of at least one selected from the group consisting of polypyrrole, polyaniline, poly (3,4-ethylenedioxythiophene), polyacetylene, poly (p-phenylene), polythiophene, Lt; RTI ID = 0.0 > (R). ≪ / RTI > The conductive layer increases the electrical coupling between the first electrode 120 and the light emitting layer 130.

상기 발광층(130)은 절연기판(110)의 상부에서 제1전극(120)과 제2전극(140) 사이에 나노와이어(130a)가 코팅되어 형성된다. 한편, 상기 발광층(130)은 나노와이어(130a)의 사이에 형성되는 공간을 포함하는 발광층(130)의 영역에 형성되는 평탄화층(135)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 발광층(130)은 제1전극(120)의 측면에 제1절연층(150)이 형성되는 경우에는 제1절연층(150)과 접촉되도록 형성될 수 있다.The light emitting layer 130 is formed by coating a nanowire 130a between the first electrode 120 and the second electrode 140 at an upper portion of the insulating substrate 110. [ The light emitting layer 130 may include a planarization layer 135 formed in a region of the light emitting layer 130 including a space formed between the nanowires 130a. The light emitting layer 130 may be in contact with the first insulating layer 150 when the first insulating layer 150 is formed on the side surface of the first electrode 120.

상기 나노와이어(130a)는 무기 발광 재료로 이루어진다. 또한, 상기 나노와이어(130a)는 적색을 발광하는 적색 발광 재료로 이루어지는 적색 나노와이어와 녹색을 발광하는 녹색 발광 재료로 이루어지는 녹색 나노와이어 및 청색을 발광하는 청색 발광 재료로 이루어지는 청색 나노와이어 중에서 선택되는 적어도 2 종류의 나노와이어를 포함하여 이루어진다. 따라서, 상기 발광층(130)은 백색 또는 특정색을 발광하게 된다. 또한, 상기 나노와이어(130a)는 발광층(130)이 백색광 또는 특정색을 구현하도록 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어가 적정한 비율로 포함되어 형성될 수 있다. 따라서, 상기 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어가 각각의 호스트에 서로 다른 도펀트를 혼합하여 형성하는 경우에, 상기 나노와이어(130a)는 휘도 또는 발광 효율이 높은 색상의 나노와이어들과 낮은 색상의 나노와이어들의 수를 상대적으로 조절하여 백색광 또는 특정색 이 구현되도록 이루어질 수 있다. 또한, 상기 나노와이어(130a)는 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어의 혼합 비율이 조정되어 백색광 또는 특정색과 유사한 광을 구현할 수 있다.The nanowire 130a is made of an inorganic light emitting material. The nanowire 130a is selected from a red nanowire made of a red light emitting material emitting red light, a green nanowire made of a green light emitting material emitting green light, and a blue nanowire made of a blue light emitting material emitting blue light And at least two types of nanowires. Accordingly, the light emitting layer 130 emits white or a specific color. In addition, the nanowire 130a may include red nanowires, green nanowires, and blue nanowires so that the light emitting layer 130 emits white light or a specific color. Accordingly, when the red nanowire, the green nanowire, and the blue nanowire are formed by mixing different dopants in respective hosts, the nanowire 130a may be formed of a mixture of nanowires having high brightness or luminescent efficiency, The number of nanowires of the color can be relatively adjusted to realize white light or a specific color. In addition, the nanowire 130a can adjust the mixing ratio of the red nanowire, the green nanowire, and the blue nanowire to realize white light or light similar to a specific color.

상기 적색 나노와이어는 적색 발광체인 CaS:Eu(Host:dopant), ZnS:Sm, ZnS:Mn, Zn0:Mn, Zn0:Sm, SnO2:Mn, SnO2:Sm, In2O3:Mn, In2O3:Sm, Y2O2S:Eu, Y2O2S:Eu,Bi, Gd2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn, CaLa2S4:Ce, SrY2S4:Eu, (Ca,Sr)S:Eu, SrS:Eu, Y2O3:Eu, YVO4:Eu,Bi와 같은 발광체로 이루어질 수 있다.The red nanowires of the red light-emitting CaS: Eu (Host: dopant) , ZnS: Sm, ZnS: Mn, Zn0: Mn, Zn0: Sm, SnO 2: Mn, SnO 2: Sm, In 2 O 3: Mn, (Sr, Ca, Ba, and Mg) P 2 O 7 : Eu, Mn, In 2 O 3 : Sm, Y 2 O 2 S: Eu, Y 2 O 2 S: Eu, Bi, Gd 2 O 3 : Eu, The phosphor may be made of a phosphor such as CaLa 2 S 4 : Ce, SrY 2 S 4 : Eu, (Ca, Sr) S: Eu, SrS: Eu, Y 2 O 3 : Eu, YVO 4 : Eu and Bi.

또한, 상기 녹색 나노와이어는 녹색 발광체인 ZnS:Tb(Host:dopant), ZnS:Ce,Cl, ZnS:Eu, ZnS:Cu,Al, SnO2:Eu, In2O3:Eu, Gd2O2S:Tb, Gd2O3:Tb,Zn, Y2O3: Tb,Zn, SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2S:Tb, ZnO:Ag, ZnO:Cu,Ga, Zn0:Eu, CdS:Mn, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, YBO3:Ce,Tb, Ba2SiO4:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, (Ba,Sr)Al2O4:Eu, Sr2Si3O8.2SrCl2:Eu와 같은 발광체로 이루어질 수 있다.Further, in the green nanowires green light-emitting ZnS: Tb (Host: dopant) , ZnS: Ce, Cl, ZnS: Eu, ZnS: Cu, Al, SnO 2: Eu, In 2 O 3: Eu, Gd 2 O 2 S: Tb, Gd 2 O 3 : Tb, Zn, Y 2 O 3 : Tb, Zn, SrGa 2 S 4 : Eu, Y 2 SiO 5 : Tb, Y 2 Si 2 O 7 : Tb, Y 2 O 2 Eu, Ca, Ba, Al, Ga) 2 S 4 : Eu, CdS: Mn, BaMgAl 10 O 17 : Eu, Mn, S: Tb, ZnO: Ag, ZnO: Cu, Ga, ZnO: 8 Mg (SiO 4) 4Cl 2 : Eu, Mn, YBO 3: Ce, Tb, Ba 2 SiO 4: Eu, (Ba, Sr) 2 SiO 4: Eu, Ba 2 (Mg, Zn) Si 2 O 7: Eu, (Ba, Sr) Al 2 O 4 : Eu, and Sr 2 Si 3 O 8 .2SrCl 2 : Eu.

또한, 상기 청색 나노와이어는 청색 발광체인 GaN:Mg,Si(Host:dopant), GaN:Zn,Si, SrS:Ce, SrS:Cu, ZnS:Tm, ZnS:Ag,Cl, ZnS:Te, Zn0:Te, SnO2:Te, In2O3:Te, Zn2SiO4:Mn, YSiO5:Ce, (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu, BaMgAl10O17:Eu, BaMg2Al16O27:Eu와 같은 발광체로 이루어질 수 있다.The blue nanowire may be formed of one selected from the group consisting of GaN: Mg, Si (Host: dopant), GaN: Zn, Si, SrS: Ce, SrS: Cu, ZnS: Tm, ZnS: Ag, Cl, ZnS: (Te), SnO 2 : Te, In 2 O 3 : Te, Zn 2 SiO 4 : Mn, YSiO 5 : Ce, (Sr, Mg, Ca) 10 (PO 4 ) 6Cl 2 : Eu, BaMgAl 10 O 17 : Eu , BaMg 2 Al 16 O 27 : Eu, and the like.

또한, 상기 나노와이어(130a)는 백색광이나 어느 특정색을 가지는 한 종류의 호스트 물질에 적색, 녹색 및 청색의 색상을 발광하게 할 수 있는 도펀트를 2개 이상 포함하는 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 적색 나노와이어 ZnS:Sm 및 녹색 나노와이어 ZnS:Eu 및 청색 나노와이어 ZnS:Tm을 이용시, 상기 나노와이어(130a)는 ZnS:Sm+Eu 또는 ZnS:Eu+Tm 또는 ZnS:Sm+Tm 또는 ZnS:Sm+Eu+Tm으로 이루어질 수 있다. 상기 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어가 동일한 호스트를 갖도록 형성되는 경우에 발광층의 기계적 강도와 같은 물성이 전체적으로 균일하게 형성될 수 있다. 상기 나노와이어(130a)는 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어가 동일한 호스트 물질과 서로 다른 도펀트로 이루어지는 경우에는, 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어에 포함되는 도펀트 농도(또는 몰비)의 비율을 조절하여 백색광 또는 특정색이 구현되도록 이루어질 수 있다.In addition, the nanowire 130a may have a structure including two or more dopants capable of emitting red, green, and blue hues to white light or one type of host material having a specific color. For example, when the red nanowire ZnS: Sm and the green nanowire ZnS: Eu and the blue nanowire ZnS: Tm are used, the nanowire 130a may be ZnS: Sm + Eu or ZnS: Eu + Tm or ZnS: Sm + Tm or ZnS: Sm + Eu + Tm. When the red nanowire, the green nanowire, and the blue nanowire are formed to have the same host, physical properties such as the mechanical strength of the light emitting layer can be uniformly formed as a whole. When the red nanowire, the green nanowire, and the blue nanowire are made of the same host material and different dopants, the nanowire 130a may have a dopant concentration (or a molar ratio) included in the red nanowire, the green nanowire, ) May be adjusted so that white light or a specific color is realized.

상기 나노와이어(130a)는 바람직하게는 제1전극(140)과 제2전극(130) 사이의 이격 거리에 대응되는 길이로 형성된다. 또한, 상기 나노와이어(130a)는 제1전극(120)과 제2전극(140)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치된다. 따라서, 상기 나노와이어(130a)는 각 나노와이어가 일단과 타단이 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. 상기 발광층(130)은 제1전극(120)과 제2전극과 전기적으로 연결되어 구동되는 경우에 저전압의 직류 전원에 구동될 수 있다.The nanowire 130a is preferably formed to have a length corresponding to the distance between the first electrode 140 and the second electrode 130. The nanowire 130a is disposed in a direction intersecting the longitudinal direction of the first electrode 120 and the second electrode 140. In addition, Accordingly, the nanowire 130a is formed such that one end and the other end of each nanowire are electrically connected to the first electrode 120 and the second electrode 140, respectively. The light emitting layer 130 may be driven by a low voltage DC power when the first electrode 120 and the second electrode are electrically connected to each other.

또한, 상기 나노와이어(130a)는 절연기판(110)의 상부에서 서로 평행하게 배치되어 형성될 수 있다.In addition, the nanowires 130a may be formed in parallel with one another on the upper surface of the insulating substrate 110.

또한, 상기 나노와이어(130a)는 길이가 직경보다 큰 와이어 형상으로 형성되며, 그 직경이 1㎚ - 300㎚이 되도록 형성될 수 있다. 상기 나노와이어(130a)의 직경이 너무 작으면 그 강도가 약하여 쉽게 분쇄되어 발광 효율이 감소될 수 있다. 또한, 상기 나노와이어(130a)의 직경이 너무 크면 발광층(130)을 균일하게 형성하기 어렵게 된다.In addition, the nanowires 130a may be formed in a wire shape having a length larger than the diameter, and may be formed to have a diameter of 1 nm to 300 nm. If the diameter of the nanowire 130a is too small, the nanowire 130a may have a weak strength and may be easily pulverized to reduce the luminous efficiency. If the diameter of the nanowire 130a is too large, it is difficult to uniformly form the light emitting layer 130.

상기 발광층(130)은 바람직하게는 1nm 내지 500nm의 두께로 형성될 수 있다. 상기 발광층(130)의 두께가 너무 얇으면 발광 효율과 발광 밝기가 낮아 광원으로 사용하는데 적합하지 않을 수 있다. 또한, 상기 발광층(130)의 두께가 너무 두꺼우면 불필요하게 나노와이어가 많이 사용될 수 있다. 또한, 상기 발광층(130)의 두께는 발광층(130)에서의 나노와이어(130a)의 밀도에 따라 조절될 수 있다.The light emitting layer 130 may be formed to a thickness of 1 nm to 500 nm. If the thickness of the light emitting layer 130 is too thin, the light emitting efficiency and the light emission brightness are low, and thus it may not be suitable for use as a light source. In addition, if the thickness of the light emitting layer 130 is too large, unnecessary nanowires can be used. In addition, the thickness of the light emitting layer 130 may be adjusted according to the density of the nanowires 130a in the light emitting layer 130.

또한, 상기 발광층(130)은 하나의 층으로 이루어지며, 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어가 전체적으로 균일하게 혼합되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 발광층(130)은 적어도 2개의 층으로 이루어지며, 하나의 층은 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어 중 2개의 나노와이어가 혼합되어 이루어지며, 다른 하나의 층은 나머지 나노와이어로 이루어지도록 형성될 수 있다. 상기 발광층(130)이 적어도 2개의 층으로 이루어지는 경우에 상대적으로 발광 효율이 낮은 색상의 나노와이어로 이루어지는 층이 절연기판(110)을 기준으로 보다 상부에 위치하도록 형성될 수 있다. 이러한 경우에 상기 발광층(130)은 보다 효율적으로 발광하여 백색광 또는 특정색을 구현할 수 있게 된다.In addition, the light emitting layer 130 is formed of one layer, and the red nanowires, the green nanowires, and the blue nanowires may be uniformly mixed as a whole. In addition, the light emitting layer 130 is composed of at least two layers, one of which is a red nanowire, a green nanowire and a blue nanowire, and the other layer is composed of the remaining nanowires As shown in FIG. In the case where the light emitting layer 130 is formed of at least two layers, a layer of a color nanowire having a relatively low luminous efficiency may be formed above the insulating substrate 110. In this case, the light emitting layer 130 emits light more efficiently to realize white light or a specific color.

또한, 상기 발광층(130)은 각 층을 이루는 나노와이어의 발광 효율에 따라 그 두께를 달리하여 형성할 수 있다. 즉, 상기 발광층(130)은 상대적으로 발광 밝기가 낮은 색상의 나노와이어로 이루어지는 층의 두께가 상대적으로 두껍도록 형성될 수 있다. 상기 발광층(130)은 이러한 경우에 보다 효율적으로 백색광 또는 특정색을 구현할 수 있게 된다.The light emitting layer 130 may have a different thickness depending on the light emitting efficiency of the nanowires forming each layer. That is, the light emitting layer 130 may be formed to have a relatively thick layer of a color nanowire having a relatively low light emission luminance. In this case, the light emitting layer 130 can more efficiently emit white light or a specific color.

상기 발광층(130)은 복수의 나노와이어(130a)가 분산된 극성 용매를 적하시킨 후에 전기장을 인가하는 전계에 의한 분산 방법, 극성 용매를 분산시키는 랜덤 분산 방법, 또는 일렬 배열 방법 또는 하부에 형성되는 층과의 접합에 의한 분산 방법과 같은 방법에 의하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 발광층(130)은 나노와이어(130a)를 직접 제1전극(120)상에 전체적으로 랜덤하게 또는 일렬 배열 모양으로 증착한 뒤 필요한 부분만 남기고 나머지 부분을 제거하는 방법에 의하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 발광층(130)은 나노와이어(130a)를 제1전극(120) 상에서 필요한 부분만 랜덤하게 또는 일렬 배열 모양으로 증착하는 방법에 의하여 형성될 수 있다.The light emitting layer 130 may be formed by an electric field dispersing method in which an electric field is applied after dropping a polar solvent in which a plurality of nanowires 130a are dispersed, a random dispersing method in which a polar solvent is dispersed, Layer and a method of dispersing by bonding with a layer. The light emitting layer 130 may be formed by depositing the nanowires 130a directly on the first electrode 120 randomly or in a row in a row, removing only the necessary portions, and removing the remaining portions . The light emitting layer 130 may be formed by depositing the nanowires 130a on the first electrode 120 randomly or in a row.

상기 전계에 의한 분산 방법은 물, 이소프로필알코올, 에탄올, 메탄올, 아세톤 또는 나노와이어 전용 분산 용액과 같은 극성 용매에 나노와이어(130a)를 분산시킨 후에 나노와이어 분산 용액을 제1전극(120) 상에 적하시켜 발광층(130)을 도포하게 된다. 그리고 상기 전계에 의한 분산 방법은 도포된 발광층(130)에 전계를 가하여 전기장을 형성함으로써 나노와이어(130a)가 극성 용매 내부에서 전기장의 방향에 따라 배열되도록 한다. 따라서, 상기 전계에 의한 분산 방법은 나노와이어(130a)가 일정한 방향으로 배열되도록 발광층을 형성할 수 있게 된다. 상기 극성 용매는 나노와이어(130a)가 분산된 후에는 휘발되며, 발광층(130)은 나노와이어(130a)가 전체적으로 일정한 방향으로 배열되어 이루어지게 된다.The electric field dispersing method may include dispersing the nanowires 130a in a polar solvent such as water, isopropyl alcohol, ethanol, methanol, acetone or nanowire exclusive dispersion solution, and then dispersing the nanowire dispersion solution on the first electrode 120 So that the light emitting layer 130 is coated. In the method of dispersing by the electric field, an electric field is applied to the applied light emitting layer 130 to form an electric field so that the nanowire 130a is arranged in the polar solvent in accordance with the direction of the electric field. Accordingly, the dispersion method using the electric field can form the light emitting layer such that the nanowires 130a are aligned in a certain direction. The polar solvent is volatilized after the nanowires 130a are dispersed and the nanowires 130a of the light emitting layer 130 are arranged in a uniform direction as a whole.

상기 랜덤 분산방법은 나노와이어(130a)를 상기 극성 용매와 섞은 후 제1전극(120) 상에 떨어뜨린 후 극성 용매를 증발시켜 발광층(130)을 형성하게 된다. 상기 랜덤 분산방법은 상기와 같은 과정을 반복하여 발광층(130)의 나노와이어(130a)의 밀도를 조절할 수 있다. 또한, 상기 랜덤 분산방법은 발광층(130)의 내부에서 나노와이어(130a)를 일정한 방향으로 배열하기 위해서 기판을 일정한 방향으로 기울이고 길이방향으로 계속해서 나노와이어 분산 극성 용매를 떨어뜨리고 말리는 순서를 계속해서 반복한다. In the random dispersion method, the nanowire 130a is mixed with the polar solvent, dropped on the first electrode 120, and the polar solvent is evaporated to form the light emitting layer 130. [ In the random dispersion method, the density of the nanowires 130a of the light emitting layer 130 can be controlled by repeating the above process. In order to arrange the nanowires 130a in a certain direction within the light emitting layer 130, the random dispersion method may be performed by tilting the substrate in a predetermined direction, continuously dropping the nanowire-dispersed polar solvent in the longitudinal direction, Repeat.

또한, 상기 발광층(130)은 별도의 기판 위에 나노와이어를 배열시키고, 배열된 나노와이어를 원하는 절연기판(110)상으로 이전시키는 방법에 의하여 형성될 수 있다.The light emitting layer 130 may be formed by arranging nanowires on a separate substrate and transferring the aligned nanowires onto a desired insulating substrate 110.

또한, 상기 발광층(130)은 복수의 나노와이어(130a)와 분산제로서의 유기물이 혼합되어 점도를 가지는 잉크 형태의 나노 혼합물로 코팅되어 형성될 수 있다. 상기 유기물은 전도성 고분자 수지 또는 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소수지, 아크릴 수지 등이 사용될 수 있으며, 특히 광투과 에폭시 수지 또는 광투과 실리콘 수지 등이 사용될 수 있다. 또한, 상기 유기물은 요구되는 잉크의 물성치를 충족시키기 위해 계면활성제, 레벨링 에이젼트 등의 첨가제와 cosolvent 혹은 액상 liquid carrier vehicle 등이 첨가될 수 있다. 또한, 상기 유기물은 발광 활성제 또는 나노와이어 분산제를 포함하여 이루어질 수 있다. 여기서 말한 발광 활성제란 발광특성을 보이는 나노와이어의 발광특성들, 즉 발광 파장 조절 및 발광 세기 조절을 도와주는 역할을 할수 있는 유기물을 의미한다. In addition, the light emitting layer 130 may be formed by coating a plurality of nanowires 130a with an organic nanomaterial as a dispersing agent and coating the nanomixture with an ink having a viscosity. The organic material may be a conductive polymer resin, a silicone resin, a polyimide resin, a urea resin, an acrylic resin, or the like. In particular, a light transmitting epoxy resin or a light transmitting silicone resin may be used. The organic material may be added with additives such as a surfactant, a leveling agent and the like and a cosolvent or a liquid liquid carrier vehicle in order to satisfy the required physical properties of the ink. In addition, the organic material may include a light emitting activator or a nanowire dispersant. The term "luminescent activator" as used herein means an organic material capable of controlling luminescence characteristics of a nanowire having luminescence characteristics, that is, controlling emission wavelength and controlling emission intensity.

상기 발광층(130)은 나노 혼합물이 코팅된 후에 가열 건조 또는 자연 건조되어 유기물의 일부 또는 전부가 제거될 수 있다. 따라서, 상기 발광층(130)은 나노와이어(130a)만으로 이루어지거나 또는 유기물의 복합 재료층으로 형성될 수 있다.The light emitting layer 130 may be heated or dried after the nanocomposite is coated, so that some or all of the organic material may be removed. Accordingly, the light emitting layer 130 may be formed of only the nanowire 130a or may be formed of a composite material layer of an organic material.

상기 발광층(130)은 나노와이어와 유기물이 혼합된 나노 혼합물이 코팅되어 형성되는 경우에 스핀코팅법, 잉크젯 방법, 레이저 전사법(LITI), 나노 임플렌테이션법 또는 실크스크린 프린팅법 등과 같은 방법으로 형성될 수 있다. 상기 스핀코팅법, 잉크젯 방법, 레이저 전사법(LITI), 나노 임플렌테이션법 또는 실크스크린 프린팅법은 일반적인 방법이 사용될 수 있으며 여기서 상세한 설명에 대하여 생략한다.The light emitting layer 130 may be formed by a method such as a spin coating method, an ink jet method, a LITI method, a nanoimplantation method, or a silk screen printing method in the case where a nanometer mixture of a nanowire and an organic material is coated and formed . The spin coating method, the ink jet method, the laser transfer method (LITI), the nanoimplantation method, or the silk screen printing method can be used in general methods, and the detailed description thereof will be omitted.

따라서, 상기 발광층(130)은 나노와이어(130a)가 코팅 방식에 의하여 형성됨에 따라 보다 용이하게 전체적으로 균일하게 형성되는 것이 가능하게 된다. 또한, 상기 발광층(130)은 나노와이어에 의하여 형성되므로 높은 기계적 강도와 긴 수명을 가지게 된다. 또한, 상기 발광층(130)은 전체적으로 균일하면서 높은 발광 효율을 유지하면서 낮은 구동 전압으로 구동된다. 즉, 상기 면 광원 소자(100)는 발광층(130)이 나노와이어(130a)로 형성되므로 낮은 구동 전압에서도 발광이 가능하게 된다. 따라서, 상기 면 광원 소자(100)는 기존의 면 광원 소자에 비하여 낮은 구동 전압으로 구동되는 것이 가능하며 높은 발광 효율을 갖게 된다. Accordingly, since the nanowire 130a is formed by the coating method, the light emitting layer 130 can be more uniformly formed as a whole. Further, since the light emitting layer 130 is formed of nanowires, the light emitting layer 130 has high mechanical strength and long lifetime. In addition, the light emitting layer 130 is uniformly driven at a low driving voltage while maintaining a high light emitting efficiency. That is, since the light emitting layer 130 is formed of the nanowire 130a, the surface light source device 100 can emit light even at a low driving voltage. Accordingly, the surface light source device 100 can be driven at a lower driving voltage than the conventional surface light source device, and has a high luminous efficiency.

상기 평탄화층(135)은 나노와이어(130a) 사이의 공간을 충진하여 발광층(130)이 전체적으로 평탄하게 되도록 한다. 상기 평탄화층(135)은 나노와이어(130a)의 발광 효율을 감소시키지 않기 위하여 투명층으로 형성된다. 상기 평탄화층(135)은 전기적 절연체에 의한 절연층으로 형성된다. 상기 평탄화층(135)은 실리콘 산화물과 같은 산화물 또는 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소수지, 아크릴 수지 등이 사용될 수 있으며, 특히 광투과 에폭시 수지 또는 광투과 실리콘 수지 등이 사용될 수 있다. 한편, 상기 평탄화층(135)은 발광층(130)이 나노와이어(130a)와 유기물에 의하여 형성되면서 유기물이 발광층(130)에 존재하는 경우에는 형성되지 않을 수 있다.The planarization layer 135 fills a space between the nanowires 130a so that the light emitting layer 130 is entirely flat. The planarization layer 135 is formed of a transparent layer so as not to reduce the luminous efficiency of the nanowire 130a. The planarization layer 135 is formed of an insulating layer made of an electrical insulator. As the planarization layer 135, an oxide such as silicon oxide or a silicone resin, a polyimide resin, a urea resin, an acrylic resin, or the like may be used, and in particular, a light transmission epoxy resin or a light transmission silicone resin may be used. Meanwhile, the planarization layer 135 may not be formed when the organic material is present in the light emitting layer 130 while the light emitting layer 130 is formed of the organic material and the nanowire 130a.

상기 제2전극(140)은 바 형상 또는 띠 형상으로 형성되며, 절연기판(110)의 상부에서 절연기판(110)의 타측에 제1전극(120)과 이격되어 배열되도록 형성된다. 상기 제2전극(140)은 제1전극(120)과 서로 이격되어 형성되면서 발광층(130)을 형성하기 위한 격벽을 형성하게 된다. 또한, 상기 제2전극(140)은 제1전극(120)과 마찬가지로 발광층(130)의 면적을 증가시키기 위하여 폭이 길이보다 작게 형성된다. 상기 제2전극(140)은 제1전극(120)과 동일 또는 유사한 재질로 형성되며, 여기서 상세한 설명은 생략한다.The second electrode 140 is formed in a bar shape or a band shape and is formed to be spaced apart from the first electrode 120 on the other side of the insulating substrate 110 on the insulating substrate 110. The second electrode 140 is spaced apart from the first electrode 120 to form a barrier rib for forming the light emitting layer 130. In addition, the second electrode 140 is formed to have a smaller width than the first electrode 120 to increase the area of the light emitting layer 130. The second electrode 140 is formed of the same or similar material as the first electrode 120, and a detailed description thereof will be omitted.

또한, 상기 제2전극(140)은 제1전극(120)과 반대의 극성을 가지도록 형성된다. 또한, 상기 제2전극(140)은 알루미늄(Al), 알루미늄:네오듐(Al:Nd), 은(Ag), 주석(Sn), 텅스텐(W), 금(Au), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti)과 같은 금속층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2전극(140)은 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide:ITO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide:IZO), 불소도핑 주석산화물(F-doped Tin Oxide:FTO), 산화아연(Zinc Oxide), Ca:ITO, Ag:ITO와 같은 투명 도전성 산화물에 의한 투명층으로 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1전극(120)이 금속층으로 형성되는 경우에, 제2전극(140)은 투명층으로 형성된다. 상기 제1전극(120)이 투명층으로 형성되는 경우에, 제2전극(140)은 금속층으로 형성되며 빛을 반사하는 반사층으로 형성될 수 있다.Also, the second electrode 140 is formed to have a polarity opposite to that of the first electrode 120. The second electrode 140 may be formed of one selected from the group consisting of aluminum (Al), aluminum (Al), silver (Ag), tin (Sn), tungsten (W), gold (Au) And may be formed of a metal layer such as molybdenum (Mo), palladium (Pd), platinum (Pt), nickel (Ni), and titanium (Ti). The second electrode 140 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), fluorine-doped tin oxide (FTO), zinc oxide Oxide), Ca: ITO, Ag: ITO, or the like. Meanwhile, when the first electrode 120 is formed of a metal layer, the second electrode 140 is formed of a transparent layer. In the case where the first electrode 120 is formed of a transparent layer, the second electrode 140 may be formed of a metal layer and may be formed of a reflective layer reflecting light.

또한, 상기 제2전극(140)은 발광층(130)과 대향하는 면에 전도성 폴리머로 형성되는 전도층(도면에 도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. 상기 전도층은 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리아세틸렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 및 폴리(티에닐렌 비닐렌)로 구성된 그룹으로부터 선택된 폴리머로 형성될 수 있다. 상기 전도층은 제2전극(140)과 발광층(130)의 전기적 결합을 증가시키게 된다.The second electrode 140 may further include a conductive layer (not shown) formed of a conductive polymer on a surface facing the light emitting layer 130. The conductive layer may be formed of at least one selected from the group consisting of polypyrrole, polyaniline, poly (3,4-ethylenedioxythiophene), polyacetylene, poly (p-phenylene), polythiophene, Lt; RTI ID = 0.0 > (R). ≪ / RTI > The conductive layer increases the electrical coupling between the second electrode 140 and the light emitting layer 130.

상기 제1절연층(150)은 절연기판(110)의 상부에서 제1전극(120)과 발광 층(130) 사이에 형성된다. 상기 제1절연층(150)은 면 광원 소자(100)의 구동 방식에 따라 선택적으로 형성된다. 즉, 상기 면 광원 소자(100)는 구동 방식에 따라, 발광층(130)이 제1전극(120)과 전기적으로 절연되도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 면 광원 소자(100)가 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Device)와 다른 방식으로 구동되는 경우에, 상기 제1절연층(150)이 발광층(130)과 제1전극(120)이 전기적으로 절연되어 형성될 수 있다.The first insulating layer 150 is formed between the first electrode 120 and the light emitting layer 130 at an upper portion of the insulating substrate 110. The first insulating layer 150 is selectively formed according to the driving method of the surface light source device 100. That is, the surface light source device 100 may be formed such that the light emitting layer 130 is electrically insulated from the first electrode 120 according to a driving method. For example, when the surface light source device 100 is driven in a manner different from that of the organic light emitting device, the first insulating layer 150 may include the light emitting layer 130 and the first electrode 120, May be formed electrically insulated from each other.

상기 제1절연층(150)은 무기 재료, 유기 재료 또는 무기 재료와 유기 재료의 복합재료로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로는 상기 제1절연층(150)은 무기 재료로 실리콘 나이트라이드와 같은 실리콘 질화막, 실리콘 산화물, 산화물계열의 절연체 또는 유기 절연체 등으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1절연층(150)은 유기 재료로 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에릴렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드와 같은 폴리머 재질로 형성될 수 있다.The first insulating layer 150 may be formed of an inorganic material, an organic material, or a composite material of an inorganic material and an organic material. More specifically, the first insulating layer 150 may be formed of an inorganic material such as silicon nitride, silicon oxide, oxide-based insulator, or organic insulator, such as silicon nitride. The first insulating layer 150 may be formed of a polymer material such as polyethylene terephthalate (PET), polyarylene phthalate (PEN), or polyimide as an organic material.

상기 제2절연층(160)은 절연기판(110)의 상부에서 제2전극(120)과 발광층(130) 사이에 형성된다. 즉, 상기 제2절연층(160)은 제2전극(140)과 발광층(130)을 전기적으로 절연시키게 된다. 상기 제2절연층(160)은 면 광원 소자(100)의 구동 방식에 따라 선택적으로 형성된다. 상기 제2절연층(160)은 제1절연층(150)과 동일한 재료로 형성될 수 있다. The second insulating layer 160 is formed between the second electrode 120 and the light emitting layer 130 on the upper surface of the insulating substrate 110. That is, the second insulating layer 160 electrically isolates the second electrode 140 from the light emitting layer 130. The second insulating layer 160 is selectively formed according to the driving method of the surface light source device 100. The second insulating layer 160 may be formed of the same material as the first insulating layer 150.

다음은 본 발명의 다른 실시예에 따른 면 광원 소자에 대하여 설명한다. Next, a planar light source device according to another embodiment of the present invention will be described.

도 2는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 도 1a에 대응되는 개략적인 평면도를 나타낸다.2 is a schematic plan view corresponding to FIG. 1A of a planar light source device according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(200)는, 도 2를 참조하면, 절연기판(110)과 제1전극(120)과 발광층(230) 및 제2전극(140)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 면 광원 소자(200)는 절연기판(110)의 상면에서 제1전극(120)과 발광층(230) 사이에 형성되는 제1절연층(150)과 제2전극(140)과 발광층(230) 사이에 형성되는 제2절연층(160)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1절연층(150)과 제2절연층(160)은 어느 한 층만이 형성될 수 있으며, 두 층 모두 형성될 수 있다. 한편, 도 2는 상기 면 광원 소자(200)를 구성하는 제1전극(120)과 제2전극(140)를 도시하지 않고 있으며, 도 1a에 도시된 바와 동일하므로 이를 참조한다. 2, the planar light source device 200 according to another exemplary embodiment of the present invention includes an insulating substrate 110, a first electrode 120, a light emitting layer 230, and a second electrode 140 do. The surface light source device 200 includes a first insulating layer 150 and a second electrode 140 formed between the first electrode 120 and the light emitting layer 230 on the upper surface of the insulating substrate 110, And a second insulating layer 160 formed between the first and second insulating layers 230 and 230. Meanwhile, only one of the first insulating layer 150 and the second insulating layer 160 may be formed, and both layers may be formed. 2 does not show the first electrode 120 and the second electrode 140 constituting the surface light source device 200, and is the same as that shown in FIG.

본 발명의 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(200)는 도 1a와 도 1b의 실시예에 따른 면 광원 소자(100)에 대비하여 발광층(230)의 구조만 다르게 형성되며 다른 구성요소는 동일 또는 유사하게 형성된다. 따라서, 이하에서 본 발명의 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(200)는 발광층(230)을 중심으로 설명한다. 또한, 상기 면 광원 소자(200)는 1a와 도 1b에 따른 면 광원 소자(100)와 동일 또는 유사한 부분은 동일한 도면부호를 사용하며, 여기서 상세한 설명을 생략한다.The planar light source device 200 according to another embodiment of the present invention is different from the planar light source device 100 according to the embodiment of FIGS. 1A and 1B in that the structure of the light emitting layer 230 is different from that of the planar light source device 100 according to the embodiment of FIG. . Therefore, the planar light-emitting device 200 according to another embodiment of the present invention will be described with the luminescent layer 230 as a center. In the planar light source device 200, the same or similar components as those of the planar light source device 100 according to FIGS. 1A and 1B are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

상기 발광층(230)은 복수의 나노와이어(230a)가 코팅되어 박막층으로 형성된다. 또한, 상기 나노와이어(230a)는 무기 발광 재료로 형성된다. 상기 발광 층(230)은 나노와이어(230a)의 상호 배열관계를 제외하고는 도 1a와 도 1b의 실시예에 따른 발광층(130)과 동일하게 형성되므로 여기서 상세한 설명을 생략한다. The light emitting layer 230 is formed as a thin film layer by coating a plurality of nanowires 230a. Further, the nanowire 230a is formed of an inorganic light emitting material. The light emitting layer 230 is formed in the same manner as the light emitting layer 130 according to the embodiment of FIGS. 1A and 1B except for the mutual arrangement relation of the nanowires 230a, and thus the detailed description thereof will be omitted.

상기 발광층(230)은 나노와이어(230a)가 절연기판(110)의 상면과 평행한 방향으로 배열되면서 서로 엇갈리게 배열되어 형성된다. 상기 나노와이어(230a)는 제1전극(120)과 제2전극(140) 사이의 이격 거리에 상응하는 길이 또는 이격 거리보다 큰 길이로 형성된다. 따라서, 상기 발광층(230)은 도 1a와 도 1b에 따른 실시예의 발광층(130)보다 상대적으로 용이하게 형성될 수 있다. The light emitting layer 230 is formed by alternately arranging the nanowires 230a in a direction parallel to the upper surface of the insulating substrate 110. [ The nanowire 230a is formed to have a length greater than or equal to a distance corresponding to the distance between the first electrode 120 and the second electrode 140. [ Accordingly, the light emitting layer 230 can be formed relatively easily than the light emitting layer 130 of the embodiment according to FIGS. 1A and 1B.

상기 발광층(230)은 나노와이어(230a)의 사이에 형성되는 공간을 충진하는 평탄화층(235)이 형성될 수 있다.The light emitting layer 230 may include a planarization layer 235 filling a space formed between the nanowires 230a.

다음은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자에 대하여 설명한다. Next, a planar light source device according to another embodiment of the present invention will be described.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 도 1a에 대응되는 개략적인 평면도를 나타낸다.FIG. 3 is a schematic plan view corresponding to FIG. 1A of a planar light source device according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(300)는, 도 3을 참조하면, 절연기판(110)과 제1전극(120)과 발광층(330) 및 제2전극(140)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 면 광원 소자(300)는 절연기판(110)의 상면에서 제1전극(120)과 발광층(330) 사이에 형성되는 제1절연층(150)과 제2전극(140)과 발광층(330) 사이에 형성되는 제2절연층(160)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1절연층(150)과 제2절연층(160)은 어느 한 층만이 형성될 수 있으며, 두 층 모두 형성될 수 있다. 한편, 도 3은 상기 면 광원 소자(300)를 구성하는 제1전극(120)과 제2전극(140)를 도시하지 않고 있으며, 도 1a에 도시된 바와 동일하므로 이를 참조한다. 3, the planar light source 300 according to another exemplary embodiment of the present invention includes an insulating substrate 110, a first electrode 120, a light emitting layer 330, and a second electrode 140 . The surface light source 300 may include a first insulating layer 150 and a second electrode 140 formed between the first electrode 120 and the light emitting layer 330 on the upper surface of the insulating substrate 110, And a second insulating layer 160 formed between the first and second insulating layers 330 and 330. Meanwhile, only one of the first insulating layer 150 and the second insulating layer 160 may be formed, and both layers may be formed. 3 does not show the first electrode 120 and the second electrode 140 constituting the surface light source device 300 and is the same as that shown in FIG.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(300)는 도 1a와 도 1b의 실시예에 따른 면 광원 소자(100)에 대비하여 발광층(330)의 구조만 다르게 형성되며 다른 구성요소는 동일 또는 유사하게 형성된다. 따라서, 이하에서 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(300)는 발광층(330)을 중심으로 설명한다. 또한, 상기 면 광원 소자(300)는 1a와 도 1b에 따른 면 광원 소자(100)와 동일 또는 유사한 부분은 동일한 도면부호를 사용하며, 여기서 상세한 설명을 생략한다.The planar light source 300 according to another embodiment of the present invention is different from the planar light source 100 according to the embodiment of FIGS. 1A and 1B in that the structure of the light emitting layer 330 is different from that of the planar light source 100 according to the embodiment of FIG. Or similar. Accordingly, the planar light-emitting device 300 according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the light-emitting layer 330. In addition, the same reference numerals are used for the same or similar parts as those of the surface light source device 100 according to FIG. 1B and the surface light source device 300, and detailed description thereof will be omitted.

상기 발광층(330)은 복수의 나노와이어(330a)가 코팅되어 박막층으로 형성된다. 또한, 상기 나노와이어(330a)는 무기 발광 재료로 형성된다. 상기 발광층(330)은 나노와이어(330a)의 상호 배열관계를 제외하고는 도 1a와 도 1b의 실시예에 따른 발광층(130)과 동일하게 형성되므로 여기서 상세한 설명을 생략한다. The light emitting layer 330 is formed as a thin film layer by coating a plurality of nanowires 330a. Further, the nanowire 330a is formed of an inorganic light emitting material. The light emitting layer 330 is formed in the same manner as the light emitting layer 130 according to the embodiment of FIGS. 1A and 1B, except for the mutual arrangement relationship of the nanowires 330a, and thus a detailed description thereof will be omitted.

상기 발광층(330)은 나노와이어(330a)가 발광층(330)의 내부에서 랜덤 네트워크를 형성하도록 배열되어 형성된다. 상기 나노와이어(330a)는 면 광원 소자(300)를 구성하는 단위 셀의 길이 또는 폭보다 짧은 길이로 형성될 수 있다. 즉, 상기 나노와이어(330a)는 제1전극(120)과 제2전극(140) 사이의 이격 거리보다 짧은 길이로 형성될 수 있다. The light emitting layer 330 is formed by arranging the nanowires 330a in the light emitting layer 330 to form a random network. The nanowire 330a may be formed to have a length shorter than a length or a width of a unit cell constituting the surface light source device 300. [ That is, the nanowire 330a may be formed to have a length shorter than a distance between the first electrode 120 and the second electrode 140.

또한, 상기 발광층(330)은 나노와이어(330a)의 사이에 형성되는 공간을 충진하는 평탄화층(335)이 형성될 수 있다.The light emitting layer 330 may include a planarization layer 335 filling a space formed between the nanowires 330a.

다음은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자에 대하여 설명한다. Next, a planar light source device according to another embodiment of the present invention will be described.

도 4a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 개략적인 수직 단면도를 나타낸다. 도 4b는 도 4a의 C-C에 대한 개략적인 평면도를 나타낸다.4A is a schematic vertical sectional view of a surface light source device according to another embodiment of the present invention. Figure 4b shows a schematic plan view for C-C of Figure 4a.

본 발명의 실시예에 따른 면 광원 소자(400)는, 도 4a와 도 4b를 참조하면, 제1전극(420)과 발광층(430) 및 제2전극(440)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 면 광원 소자(400)는 제1전극(420)의 하부에 형성되는 기판(410)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 면 광원 소자(400)는 제1전극(420)과 발광층(430) 사이에 형성되는 제1절연층(450)과, 제2전극(440)과 발광층(430) 사이에 형성되는 제2절연층(460)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1절연층(450)과 제2절연층(460)은 어느 한 층만이 형성될 수 있으며, 두 층 모두 형성될 수 있다.4A and 4B, the planar light source 400 according to the exemplary embodiment of the present invention includes a first electrode 420, a light emitting layer 430, and a second electrode 440. In addition, the surface light source device 400 may further include a substrate 410 formed under the first electrode 420. The surface light source device 400 may include a first insulating layer 450 formed between the first electrode 420 and the light emitting layer 430 and a second insulating layer 450 formed between the second electrode 440 and the light emitting layer 430. 2 insulating layer 460 as shown in FIG. Meanwhile, the first insulating layer 450 and the second insulating layer 460 may be formed of only one layer, or both layers may be formed.

상기 기판(410)은 바람직하게는 세라믹 기판, 실리콘 웨이퍼 기판, 유리 기판 또는 폴리머 기판으로 이루어진다. 상기 세라믹 기판은 알루미나로 이루어질 수 있다. 상기 유리 기판은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 폴리머 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에릴렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드와 같은 폴리머 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 면 광원 소자(100)는 사용되는 평판 디스플레이 장치의 구조에 따라 기판의 상부에 박막 트랜지스터, 반도체층, 절연층이 형성될 수 있다.The substrate 410 is preferably a ceramic substrate, a silicon wafer substrate, a glass substrate, or a polymer substrate. The ceramic substrate may be made of alumina. The glass substrate may be made of silicon oxide. In addition, the polymer substrate may be formed of a polymer material such as polyethylene terephthalate (PET), polyarylene phthalate (PEN), and polyimide. In addition, a thin film transistor, a semiconductor layer, and an insulating layer may be formed on the substrate according to the structure of the flat panel display device used.

상기 제1전극(420)은 기판(410)의 상면에 박막으로 형성되며 음극 또는 양 극으로 형성된다. 상기 제1전극(420)은 알루미늄(Al), 알루미늄:네오듐(Al:Nd), 은(Ag)주석(Sn), 텅스텐(W), 금(Au), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti)과 같은 금속층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1전극(420)은 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide:ITO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide:IZO), 불소도핑 주석산화물(F-doped Tin Oxide:FTO), 산화아연(Zinc Oxide), Ca:ITO, Ag:ITO와 같은 투명 도전성 산화물에 의한 투명층으로 형성될 수 있다. 특히, 제1전극(420)이 면 광원 소자의 발광 면에 형성되는 경우에, 제1전극(420)은 투명층으로 형성된다.The first electrode 420 is formed as a thin film on the upper surface of the substrate 410 and is formed of a negative electrode or a positive electrode. The first electrode 420 may be formed of one selected from the group consisting of Al, Al, Nd, Ag, Sn, W, Au, Cr, ), Palladium (Pd), platinum (Pt), nickel (Ni), titanium (Ti) The first electrode 420 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), fluorine-doped tin oxide (FTO), zinc oxide Oxide), Ca: ITO, Ag: ITO, or the like. In particular, when the first electrode 420 is formed on the light emitting surface of the surface light source device, the first electrode 420 is formed of a transparent layer.

한편, 상기 제1전극(420)이 투명 전도층으로 형성되는 경우에, 제1전극(420)은 금속층으로 형성되면서 투명 전도층보다 상대적으로 폭이 작으면서 투명 전도층과 접촉되면서 평행하게 형성되는 버스 전극(도면에 도시하지 않음)을 추가로 포함할 수 있다. 상기 버스 전극은 투명 전도층의 상대적으로 낮은 전기전도도를 보완하게 되어 면 광원 소자의 발광 효율과 발광 밝기를 증가시키게 된다.When the first electrode 420 is formed of a transparent conductive layer, the first electrode 420 may be formed of a metal layer and may have a relatively smaller width than the transparent conductive layer and may be formed in parallel with the transparent conductive layer A bus electrode (not shown in the drawing) may be further included. The bus electrode compensates for the relatively low electrical conductivity of the transparent conductive layer, thereby increasing the luminous efficiency and luminous brightness of the surface light source device.

또한, 상기 제1전극(420)은 발광층(430)과 대향하는 면에 전도성 폴리머로 형성되는 전도층(도면에 도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. 상기 전도층은 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리아세틸렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 및 폴리(티에닐렌 비닐렌)로 구성된 그룹으로부터 선택된 폴리머로 형성될 수 있다. 상기 전도층은 제1전극(420)과 발광층(430)의 전기적 결합을 증가시키게 된다. The first electrode 420 may further include a conductive layer (not shown) formed of a conductive polymer on a surface facing the light emitting layer 430. The conductive layer may be formed of at least one selected from the group consisting of polypyrrole, polyaniline, poly (3,4-ethylenedioxythiophene), polyacetylene, poly (p-phenylene), polythiophene, Lt; RTI ID = 0.0 > (R). ≪ / RTI > The conductive layer increases the electrical coupling between the first electrode 420 and the light emitting layer 430.

상기 발광층(430)은 무기 발광 재료로 이루어지는 복수의 나노와이어(130a)가 제1전극(420) 상면에 코팅되어 형성된다. 한편, 상기 발광층(430)은 나노와이어(430a)의 사이에 형성되는 공간을 포함하는 발광층(430)의 상부에 형성되는 평탄화층(435)을 포함하여 형성될 수 있다.The light emitting layer 430 is formed by coating a plurality of nanowires 130a made of an inorganic light emitting material on the upper surface of the first electrode 420. The light emitting layer 430 may include a planarization layer 435 formed on the light emitting layer 430 including a space formed between the nanowires 430a.

상기 발광층(430)은 제1전극(420)의 상면에 직접 형성되어 제1전극(420)과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 발광층(430)은 기판(410)의 상면에 제1절연층(450)이 형성되는 경우에는 제1절연층(450)의 상면에 코팅되어 형성될 수 있다. The light emitting layer 430 is directly formed on the upper surface of the first electrode 420 and is electrically connected to the first electrode 420. In addition, when the first insulating layer 450 is formed on the upper surface of the substrate 410, the light emitting layer 430 may be formed on the upper surface of the first insulating layer 450.

상기 나노와이어(430a)는 무기 발광 재료로 이루어진다. 또한, 상기 나노와이어(430a)는 적색을 발광하는 적색 발광 재료로 이루어지는 적색 나노와이어와 녹색을 발광하는 녹색 발광 재료로 이루어지는 녹색 나노와이어 및 청색을 발광하는 청색 발광 재료로 이루어지는 청색 나노와이어를 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 나노와이어(430a)는 발광층(430)이 백색광을 구현하기 위하여 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어가 적정한 비율로 포함되어 형성된다. 상기 무기 발광 재료는 상기에서 설명한 바 있으므로 여기서 구체적인 종류에 대하여 설명하지 않는다. 한편, 상기 나노와이어(430a)는 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어의 혼합 비율에 따라 백색광과 유사한 광을 구현할 수 있다. The nanowire 430a is made of an inorganic light emitting material. In addition, the nanowire 430a includes a red nanowire made of a red light emitting material emitting red light, a green nanowire made of a green light emitting material emitting green light, and a blue nanowire made of a blue light emitting material emitting blue light . In addition, the nanowire 430a is formed by including the red nanowire, the green nanowire, and the blue nanowire so that the light emitting layer 430 emits white light. Since the inorganic luminescent material has been described above, the specific kind is not described here. Meanwhile, the nanowire 430a may emit light similar to white light according to the mixing ratio of the red nanowire, the green nanowire, and the blue nanowire.

상기 나노와이어(430a)는 길이가 직경보다 큰 와이어 형상으로 형성되며, 그 직경이 1㎚ - 300㎚이 되도록 형성될 수 있다. 상기 나노와이어(430a)의 직경이 너무 작으면 그 강도가 약하여 쉽게 분쇄되어 발광 효율이 감소될 수 있다. 또한, 상기 나노와이어(430a)의 직경이 너무 크면 발광층(430)을 균일하게 형성하기 어렵 게 된다.The nanowire 430a is formed in a wire shape having a length larger than a diameter and may be formed to have a diameter of 1 nm to 300 nm. If the diameter of the nanowire 430a is too small, the strength of the nanowire 430a is weak and the nanowire 430 can be easily pulverized to reduce the luminous efficiency. In addition, if the diameter of the nanowire 430a is too large, it is difficult to uniformly form the light emitting layer 430.

상기 나노와이어(430a)는 면 광원 소자(400)의 길이 또는 폭에 상응되는 길이로 형성될 수 있다. 즉, 상기 나노와이어(430a)는 면 광원 소자(400)를 구성하는 제1전극(420)의 길이 또는 폭에 대응되는 길이로 형성될 수 있다. 상기 나노와이어(430a)는 제1전극(420)의 길이 방향 또는 폭 방향을 가로지르도록 배치된다. 또한, 상기 나노와이어(430a)는 제1전극(420)의 상면과 평행한 방향으로 배치된다. 즉, 상기 나노와이어(430a)는 제1전극(420)의 상면에서 제1전극(420)의 일측에서 타측으로 가로지르도록 형성된다. 또한, 상기 나노와이어(430a)는 기판(410)의 상부에서 서로 평행하게 배치되어 형성될 수 있다.The nanowire 430a may have a length corresponding to the length or width of the surface light source device 400. That is, the nanowire 430a may have a length corresponding to the length or the width of the first electrode 420 constituting the surface light source device 400. The nanowire 430a is arranged to cross the longitudinal direction or the width direction of the first electrode 420. [ In addition, the nanowire 430a is disposed in a direction parallel to the upper surface of the first electrode 420. That is, the nanowire 430a is formed to cross the first electrode 420 from one side of the first electrode 420 to the other side. In addition, the nanowires 430a may be formed on the substrate 410 in parallel with each other.

상기 발광층(430)은 바람직하게는 1nm 내지 500nm의 두께로 형성될 수 있다. 상기 발광층(430)의 두께가 너무 얇으면 발광 효율과 휘도가 낮아 광원으로 사용하는데 적합하지 않을 수 있다. 또한, 상기 발광층(430)의 두께가 너무 두꺼우면 불필요하게 나노와이어가 많이 사용될 수 있다.The light emitting layer 430 may be formed to a thickness of 1 nm to 500 nm. If the thickness of the light-emitting layer 430 is too small, the light-emitting efficiency and the brightness may be low and may not be suitable for use as a light source. If the thickness of the light emitting layer 430 is too large, unnecessary nanowires can be used.

또한, 상기 발광층(430)은 하나의 층으로 이루어지며, 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어가 전체적으로 균일하게 혼합되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 발광층(430)은 적어도 2개의 층으로 이루어지며, 하나의 층은 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어 중 2개의 나노와이어가 혼합되어 이루어지며, 다른 하나의 층은 나머지 나노와이어로 이루어지도록 형성될 수 있다. 상기 발광층(430)이 적어도 2개의 층으로 이루어지는 경우에 상대적으로 발 광 효율이 낮은 나노와이어로 이루어지는 층이 상부에 위치하도록 형성될 수 있다. 이러한 경우에 상기 발광층(430)은 보다 효율적으로 발광하여 백색광 또는 특정색을 구현할 수 있게 된다.In addition, the light emitting layer 430 may be formed as a single layer, and the red nanowire, the green nanowire, and the blue nanowire may be uniformly mixed as a whole. In addition, the light emitting layer 430 is composed of at least two layers, one of which is a red nanowire, a green nanowire, and a blue nanowire, and the other layer is composed of the remaining nanowires As shown in FIG. When the light emitting layer 430 is formed of at least two layers, a layer made of a nanowire having a relatively low light emitting efficiency may be formed at an upper portion. In this case, the light emitting layer 430 emits light more efficiently to realize white light or a specific color.

또한, 상기 발광층(430)은 각 층을 이루는 나노와이어의 발광 효율에 따라 그 두께를 달리하여 형성할 수 있다. 상기 발광층(430)은 이러한 경우에 보다 효율적으로 백색광 또는 특정색을 구현할 수 있게 된다.In addition, the light emitting layer 430 may be formed to have a different thickness depending on the luminous efficiency of the nanowires forming each layer. In this case, the light emitting layer 430 can more efficiently emit white light or a specific color.

상기 발광층(430)을 형성하는 방법은 상기에서 설명한 바 있으므로 여기서 상세한 설명을 생략한다.Since the method of forming the light emitting layer 430 has been described above, the detailed description thereof will be omitted.

상기 평탄화층(435)은 나노와이어(430a) 사이의 공간을 충진하여 발광층(430)이 전체적으로 평탄하게 되도록 한다. 상기 평탄화층(435)은 나노와이어(430a)의 발광 효율을 감소시키지 않기 위하여 투명층으로 형성된다. 상기 평탄화층(435)은 전기적 절연체에 의한 절연층으로 형성된다. 상기 평탄화층(435)은 실리콘 산화물과 같은 산화물 또는 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소수지, 아크릴 수지 등이 사용될 수 있으며, 특히 광투과 에폭시 수지 또는 광투과 실리콘 수지 등이 사용될 수 있다.The planarization layer 435 fills a space between the nanowires 430a so that the light emitting layer 430 is entirely flat. The planarization layer 435 is formed of a transparent layer so as not to reduce the luminous efficiency of the nanowire 430a. The planarization layer 435 is formed of an insulating layer made of an electrical insulator. As the planarization layer 435, an oxide such as silicon oxide or a silicone resin, a polyimide resin, a urea resin, an acrylic resin, or the like may be used, and in particular, a light transmission epoxy resin or a light transmission silicone resin may be used.

상기 제2전극(440)은 박막으로 형성되며, 양극 또는 음극으로 형성된다. 상기 제2전극(440)은 발광층(430)을 중심으로 제1전극(420)과 서로 대향되도록 형성된다. 즉, 상기 발광층(430)이 제1전극(420)의 상면에 형성되는 경우에 제2전 극(440)은 발광층(430)의 상면에 형성된다. 또한, 상기 발광층(430)이 제1절연층(450)의 상면에 형성되는 경우에, 제2전극(440)은 제2절연층(460)의 상면에 형성될 수 있다. The second electrode 440 is formed of a thin film and is formed of an anode or a cathode. The second electrode 440 is formed to face the first electrode 420 with the light emitting layer 430 as a center. That is, when the light emitting layer 430 is formed on the upper surface of the first electrode 420, the second electrode 440 is formed on the upper surface of the light emitting layer 430. The second electrode 440 may be formed on the upper surface of the second insulating layer 460 when the light emitting layer 430 is formed on the upper surface of the first insulating layer 450.

또한, 상기 제2전극(440)은 제1전극(420)과 반대의 극성을 가지도록 형성된다. 또한, 상기 제2전극(440)은 알루미늄(Al), 알루미늄:네오듐(Al:Nd), 은(Ag), 주석(Sn), 텅스텐(W), 금(Au), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti)과 같은 금속층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2전극(440)은 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide:ITO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide:IZO), 불소도핑 주석산화물(F-doped Tin Oxide:FTO), 산화아연(Zinc Oxide), Ca:ITO, Ag:ITO와 같은 투명 도전성 산화물에 의한 투명층으로 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1전극(420)이 금속층으로 형성되는 경우에, 제2전극(440)은 투명층으로 형성된다. 상기 제1전극(420)이 투명층으로 형성되는 경우에, 제2전극(440)은 금속층으로 형성되며 빛을 반사하는 반사층으로 형성될 수 있다.In addition, the second electrode 440 is formed to have a polarity opposite to that of the first electrode 420. The second electrode 440 may be formed of a metal such as aluminum (Al), aluminum (Al), silver (Ag), tin (Sn), tungsten (W), gold (Au) And may be formed of a metal layer such as molybdenum (Mo), palladium (Pd), platinum (Pt), nickel (Ni), and titanium (Ti). The second electrode 440 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), fluorine-doped tin oxide (FTO), zinc oxide Oxide), Ca: ITO, Ag: ITO, or the like. Meanwhile, when the first electrode 420 is formed of a metal layer, the second electrode 440 is formed of a transparent layer. When the first electrode 420 is formed of a transparent layer, the second electrode 440 may be formed of a metal layer and may be formed of a reflective layer that reflects light.

또한, 상기 제2전극(440)은 발광층(430)과 대향하는 면에 전도성 폴리머로 형성되는 전도층(도면에 도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. 상기 전도층은 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리아세틸렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 및 폴리(티에닐렌 비닐렌)로 구성된 그룹으로부터 선택된 폴리머로 형성될 수 있다. 상기 전도층은 제2전극(440)과 발광층(430)의 전기적 결합을 증가시키게 된다. The second electrode 440 may further include a conductive layer (not shown) formed of a conductive polymer on a surface facing the light emitting layer 430. The conductive layer may be formed of at least one selected from the group consisting of polypyrrole, polyaniline, poly (3,4-ethylenedioxythiophene), polyacetylene, poly (p-phenylene), polythiophene, Lt; RTI ID = 0.0 > (R). ≪ / RTI > The conductive layer increases the electrical coupling between the second electrode 440 and the light emitting layer 430.

상기 제1절연층(450)은 제1전극(420)과 발광층(430) 사이에 박막으로 형성될 수 있다. 상기 제1절연층(450)은 면 광원 소자(400)의 구동 방식에 따라 선택적으로 형성된다. 상기 제1절연층(450)은 무기 재료, 유기 재료 또는 무기 재료와 유기 재료의 복합재료로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로는 상기 제1절연층(450)은 무기 재료로 실리콘 나이트라이드와 같은 실리콘 질화막, 실리콘 산화물, 산화물계열의 절연체 또는 유기 절연체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1절연층(450)은 유기 재료로 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에릴렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드와 같은 폴리머 재질로 형성될 수 있다. 상기 제1절연층(450)은 제1전극(420) 방향이 화소 표시 방향으로 형성되는 경우에는 투명한 재질로 형성된다.The first insulating layer 450 may be formed as a thin film between the first electrode 420 and the light emitting layer 430. The first insulating layer 450 is selectively formed according to a driving method of the surface light source device 400. The first insulating layer 450 may be formed of an inorganic material, an organic material, or a composite material of an inorganic material and an organic material. More specifically, the first insulating layer 450 may be formed of a silicon nitride film such as silicon nitride, silicon oxide, an oxide-based insulator, or an organic insulator as an inorganic material. The first insulating layer 450 may be formed of a polymer material such as polyethylene terephthalate (PET), polyarylene phthalate (PEN), or polyimide as an organic material. The first insulating layer 450 is formed of a transparent material when the first electrode 420 is formed in the pixel display direction.

상기 제2절연층(460)은 제2전극(440)과 발광층(430) 사이에 박막으로 형성될 수 있다. 상기 제2절연층(460)은 면 광원 소자(400)의 구동 방식에 따라 선택적으로 형성된다. 상기 제2절연층(460)은 제2전극(440)과 발광층(430)을 전기적으로 절연시키게 된다. 상기 제2절연층(460)은 제1절연층(450)과 동일한 재료로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2절연층(460)은 제2전극(440) 방향이 화소 표시 방향으로 형성되는 경우에 투명한 재질로 형성될 수 있다. The second insulating layer 460 may be formed as a thin film between the second electrode 440 and the light emitting layer 430. The second insulating layer 460 is selectively formed according to a driving method of the surface light source device 400. The second insulating layer 460 electrically insulates the second electrode 440 from the light emitting layer 430. The second insulating layer 460 may be formed of the same material as the first insulating layer 450. The second insulating layer 460 may be formed of a transparent material when the second electrode 440 is formed in the pixel display direction.

다음은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자에 대하여 설명한다.Next, a planar light source device according to another embodiment of the present invention will be described.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 도 4b에 대응되는 평면도를 나타낸다. 5 is a plan view corresponding to FIG. 4B of a planar light-source device according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(500)는, 도 5를 참조하면, 제1 전극(420)과 발광층(530) 및 제2전극(440)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 면 광원 소자(500)는 제1전극(420)의 하부에 형성되는 기판(410), 제1전극(420)과 발광층(530) 사이에 형성되는 제1절연층(450) 및 제2전극(440)과 발광층(530) 사이에 형성되는 제2절연층(460)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1절연층(450)과 제2절연층(460)은 어느 한 층만이 형성될 수 있으며, 두 층 모두 형성될 수 있다. 한편, 도 5는 상기 면 광원 소자(500)를 구성하는 제1전극(420)과 제2전극(440)를 도시하지 않고 있으며, 도 4a에 도시된 바와 동일하므로 이를 참조한다. 5, a planar light source 500 according to another embodiment of the present invention includes a first electrode 420, a light emitting layer 530, and a second electrode 440. Referring to FIG. The surface light source device 500 includes a substrate 410 formed under the first electrode 420, a first insulating layer 450 formed between the first electrode 420 and the light emitting layer 530, And a second insulating layer 460 formed between the two electrodes 440 and the light emitting layer 530. Meanwhile, the first insulating layer 450 and the second insulating layer 460 may be formed of only one layer, or both layers may be formed. Meanwhile, FIG. 5 does not show the first electrode 420 and the second electrode 440 constituting the surface light source device 500, and is the same as that shown in FIG. 4A.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(500)는 도 4a와 도 4b의 실시예에 따른 면 광원 소자(400)에 대비하여 발광층(530)의 구조만 다르게 형성되며 다른 구성요소는 동일 또는 유사하게 형성된다. 따라서, 이하에서 본 발명의 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(500)는 발광층(530)을 중심으로 설명한다. 또한, 상기 면 광원 소자(500)는 4a와 도 4b에 따른 면 광원 소자(400)와 동일 또는 유사한 부분은 동일한 도면부호를 사용하며, 여기서 상세한 설명을 생략한다.4A and 4B, the structure of the light emitting layer 530 is different from that of the planar light emitting device 400 according to the embodiment of FIGS. 4A and 4B, and the other components are the same Or similar. Therefore, the planar light source device 500 according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the light emitting layer 530 as follows. In addition, the same or similar parts as those of the surface light source device 400 according to 4a and 4b are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

상기 발광층(530)은 복수의 나노와이어(530a)가 코팅되어 박막층으로 형성된다. 또한, 상기 나노와이어(530a)는 무기 발광 재료로 형성된다. 상기 발광층(530)은 나노와이어(530a)의 상호 배열관계를 제외하고는 도 4a와 도 4b의 실시예에 따른 발광층(430)과 동일하게 형성되므로 여기서 상세한 설명을 생략한다. The light emitting layer 530 is formed as a thin film layer by coating a plurality of nanowires 530a. Further, the nanowire 530a is formed of an inorganic light emitting material. The light emitting layer 530 is formed in the same manner as the light emitting layer 430 according to the embodiment of FIGS. 4A and 4B, except for the mutual arrangement relationship of the nanowires 530a, and thus the detailed description thereof will be omitted.

상기 나노와이어(530a)는 면 광원 소자(500)의 길이 또는 폭에 상응되는 길이로 형성될 수 있다. 즉, 상기 나노와이어(530a)는 면 광원 소자(500)를 구성하는 제1전극(420)의 길이 또는 폭에 대응되는 길이로 형성될 수 있다. 또한, 상기 나노와이어(530a)는 제1전극(420)의 상면에 평행한 방향으로 배치된다. 즉, 상기 나노와이어(530a)는 제1전극(420)의 상면에서 따라 제1전극(420)의 일측으로부터 타측으로 가로지르도록 형성된다. 이때, 상기 나노와이어(530a)는 제1전극(420)의 일측에서 타측으로 배열되면서 서로 엇갈리게 배치되도록 형성될 수 있다. 더 나아가, 상기 나노와이어(530a)은 제1전극(420)의 상부에서 제1전극(420)의 평면과 평행하면서 불규칙한 방향으로 배열되어 형성될 수 있다. 따라서, 상기 발광층(530)은 나노와이어가 서로 평행하게 형성되는 경우에 비하여 상대적으로 용이하게 형성될 수 있다. 특히, 상기 발광층(530)이 복수 층으로 형성되는 경우에, 서로 다른 층의 나노와이어(530a)를 서로 평행하게 형성할 필요가 없게 된다. 또한, 상기 나노와이어(530a)가 서로 엇갈리게 배치되어 발광층(530)의 강도를 증가시키게 되므로, 상기 발광층(530)에 나노와이어(530a) 및 제1전극(420)의 평면과 수직 방향인 방향으로 압력이 인가되는 경우에도 면 광원 소자(500)가 굴곡되는 것을 방지하게 된다.The nanowire 530a may be formed to have a length corresponding to the length or width of the surface light source device 500. That is, the nanowire 530a may have a length corresponding to the length or width of the first electrode 420 constituting the surface light source device 500. In addition, the nanowires 530a are arranged in a direction parallel to the upper surface of the first electrode 420. That is, the nanowire 530a is formed to traverse from one side of the first electrode 420 to the other side along the upper surface of the first electrode 420. At this time, the nanowires 530a may be arranged alternately from one side of the first electrode 420 to the other side. Further, the nanowires 530a may be arranged in an irregular direction parallel to the plane of the first electrode 420 at an upper portion of the first electrode 420. [ Accordingly, the light emitting layer 530 can be relatively easily formed as compared with the case where the nanowires are formed parallel to each other. Particularly, when the light emitting layer 530 is formed in a plurality of layers, it is not necessary to form the nanowires 530a of different layers in parallel with each other. Since the nanowires 530a are alternately arranged to increase the intensity of the light emitting layer 530, the nanowires 530a and the first electrode 420 are formed in a direction perpendicular to the plane of the nanowires 530a and the first electrode 420, The surface light source device 500 is prevented from being bent even when pressure is applied.

또한, 상기 발광층(530)은 나노와이어(530a)의 사이에 형성되는 공간을 포함하는 발광층(530)의 상부에 형성되는 평탄화층(535)이 형성될 수 있다.The light emitting layer 530 may include a planarization layer 535 formed on the light emitting layer 530 including a space formed between the nanowires 530a.

다음은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자에 대하여 설명한다.Next, a planar light source device according to another embodiment of the present invention will be described.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 도 4b에 대응되는 평면도를 나타낸다.6 is a plan view corresponding to FIG. 4B of a planar light source according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(600)는, 도 6을 참조하면, 제1전극(420)과 발광층(630) 및 제2전극(440)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 면 광원 소자(600)는 제1전극(420)의 하부에 형성되는 기판(410), 제1전극(420)과 발광층(630) 사이에 형성되는 제1절연층(450) 및 제2전극(440)과 발광층(630) 사이에 형성되는 제2절연층(460)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1절연층(450)과 제2절연층(460)은 어느 한 층만이 형성될 수 있으며, 두 층 모두 형성될 수 있다. 한편, 도 6은 상기 면 광원 소자(600)를 구성하는 제1전극(420)과 제2전극(440)를 도시하지 않고 있으며, 도 4a에 도시된 바와 동일하므로 이를 참조한다. 6, a planar light source 600 according to another embodiment of the present invention includes a first electrode 420, a light emitting layer 630, and a second electrode 440. Referring to FIG. The surface light source 600 includes a substrate 410 formed under the first electrode 420, a first insulating layer 450 formed between the first electrode 420 and the light emitting layer 630, And a second insulating layer 460 formed between the second electrode 440 and the light emitting layer 630. Meanwhile, the first insulating layer 450 and the second insulating layer 460 may be formed of only one layer, or both layers may be formed. 6 does not show the first electrode 420 and the second electrode 440 that constitute the surface light source device 600, and is the same as that shown in FIG. 4A.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(600)는 도 4a와 도 4b의 실시예에 따른 면 광원 소자(400)에 대비하여 발광층(630)의 구조만 다르게 형성되며 다른 구성요소는 동일하게 형성된다. 따라서, 이하에서 본 발명의 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(600)는 발광층(630)을 중심으로 설명한다. 또한, 상기 면 광원 소자(600)는 4a와 도 4b에 따른 면 광원 소자(400)와 동일 또는 유사한 부분은 동일한 도면부호를 사용하며, 여기서 상세한 설명을 생략한다.The planar light source 600 according to another embodiment of the present invention is different from the planar light source 400 according to the embodiment of FIGS. 4A and 4B only in the structure of the light emitting layer 630, . Therefore, the planar light-source device 600 according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the light-emitting layer 630. FIG. In addition, the same or similar parts as those of the surface light source device 600 according to FIGS. 4A and 4B are designated by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

상기 발광층(630)은 복수의 나노와이어(630a)가 코팅방식에 의하여 코팅되어 박막층으로 형성된다. 또한, 상기 나노와이어(630a)는 무기 발광 재료로 형성된다. 상기 발광층(630)은 나노와이어(630a)의 상호 배열관계를 제외하고는 도 4a와 도 4b의 실시예에 따른 발광층(430)과 동일하게 형성되므로 여기서 상세한 설명을 생략한다. The light emitting layer 630 is formed as a thin film layer by coating a plurality of nanowires 630a by a coating method. Further, the nanowire 630a is formed of an inorganic light emitting material. The light emitting layer 630 is formed in the same manner as the light emitting layer 430 according to the embodiment of FIGS. 4A and 4B, except for the mutual arrangement relation of the nanowires 630a, and thus a detailed description thereof will be omitted.

상기 나노와이어(630a)는 면 광원 소자(600)의 길이 또는 폭보다 짧은 길이로 형성될 수 있다. 즉, 상기 나노와이어(630a)는 면 광원 소자(600)를 구성하는 제1전극(420)의 길이 또는 폭보다 짧은 길이로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 나노와이어(630a)는 발광층(630)의 내부에서 서로 연결되면서 랜덤한 방향으로 배열되도록 형성된다. 즉, 상기 나노와이어(630a)는 발광층(630)의 내부에서 랜덤 네트워크를 형성하게 된다. 따라서, 상기 발광층(630)은 나노와이어(630a)가 단위 셀의 길이 또는 폭에 상응하는 길이로 형성되는 경우에 비하여 상대적으로 용이하게 형성될 수 있다. 또한, 상기 발광층(630)은 나노와이어(630a)의 길이가 짧아 나노와이어(630a)가 일 방향으로 배열될 필요가 없으므로 랜덤 분산 방법에 의하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 발광층(630)이 나노와이어와 유기물의 혼합물인 나노 혼합물의 코팅에 의하여 형성되는 경우에도, 나노와이어(630a)는 길이가 상대적으로 짧게 되므로 스핀코팅, 잉크젯 방법 또는 실크스크린 방법과 같은 방법의 적용이 용이하게 된다. 또한, 상기 나노와이어(630a)가 서로 엇갈리게 배치되어 발광층(630)의 강도를 증가시키게 되므로, 상기 발광층(630)에 제1전극(420)의 평면과 수직 방향인 방향으로 압력이 인가되는 경우에 면 광원 소자(600)가 굴곡되는 것을 방지하게 된다.The nanowire 630a may be formed to have a length shorter than the length or width of the surface light source device 600. That is, the nanowire 630a may be shorter than the length or width of the first electrode 420 constituting the surface light source device 600. Accordingly, the nanowires 630a are formed to be arranged in a random direction while being connected to each other within the light emitting layer 630. [ That is, the nanowire 630a forms a random network within the light emitting layer 630. [ Accordingly, the light emitting layer 630 can be relatively easily formed as compared with a case where the nanowire 630a is formed to have a length corresponding to the length or the width of the unit cell. In addition, the light emitting layer 630 may be formed by a random dispersion method because the length of the nanowires 630a is short and the nanowires 630a do not need to be arranged in one direction. In addition, even when the light emitting layer 630 is formed by coating a mixture of nanowires and an organic material, the nanowire 630a has a relatively short length. Therefore, the nanowire 630a can be formed by a method such as spin coating, Can be easily applied. In addition, since the nanowires 630a are alternately arranged to increase the intensity of the light emitting layer 630, when pressure is applied to the light emitting layer 630 in a direction perpendicular to the plane of the first electrode 420 The surface light source device 600 is prevented from being bent.

또한, 상기 발광층(630)은 나노와이어(630a)의 사이에 형성되는 공간을 포함하는 발광층(630)의 상부에 형성되는 평탄화층(635)이 형성될 수 있다.The light emitting layer 630 may include a planarization layer 635 formed on the light emitting layer 630 including a space formed between the nanowires 630a.

다음은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자에 대하여 설명한다. Next, a planar light source device according to another embodiment of the present invention will be described.

도 7a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 개략적인 수직 단면도를 나타낸다. 도 7b는 도 7a의 C-C에 대한 개략적인 평면도를 나타낸다.7A is a schematic vertical cross-sectional view of a surface light source device according to another embodiment of the present invention. Figure 7b shows a schematic plan view for C-C of Figure 7a.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(700)는, 도 4a와 도 4b를 참조하면, 제1전극(420)과 발광층(730) 및 제2전극(440)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 면 광원 소자(700)는 제1전극(420)의 하부에 형성되는 기판(410)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 면 광원 소자(700)는 제1전극(420)과 발광층(730) 사이에 형성되는 제1절연층(450)과 제2전극(440)과 발광층(730) 사이에 형성되는 제2절연층(460)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1절연층(450)과 제2절연층(460)은 어느 한 층만이 형성될 수 있으며, 두 층 모두 형성될 수 있다. 4A and 4B, the planar light source 700 according to another embodiment of the present invention includes a first electrode 420, a light emitting layer 730, and a second electrode 440. In addition, the surface light source 700 may further include a substrate 410 formed under the first electrode 420. The surface light source 700 may include a first insulating layer 450 formed between the first electrode 420 and the light emitting layer 730 and a second insulating layer 450 formed between the second electrode 440 and the light emitting layer 730. An insulating layer 460 may be further formed. Meanwhile, the first insulating layer 450 and the second insulating layer 460 may be formed of only one layer, or both layers may be formed.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(700)는 도 4a와 도 4b의 실시예에 따른 면 광원 소자(400)와 대비하여 발광층(730)이 제1전극(420)의 상면을 기준으로 수직 방향으로 90도 회전된 구조와 유사한 구조로 형성된다. 즉, 상기 면 광원 소자(700)는 판상으로 형성되는 제1전극(420)의 상부 방향으로 배열되는 나노와이어(730a)에 의한 발광층(730) 및 제2전극(440)이 순차적으로 적층되어 형성되는 구조이다.The planar light source 700 according to another embodiment of the present invention has a structure in which the light emitting layer 730 overlaps the upper surface of the first electrode 420 with respect to the planar light source 400 according to the embodiment of FIGS. And is rotated 90 degrees in the vertical direction. That is, the surface light source 700 is formed by sequentially laminating the light emitting layer 730 and the second electrode 440 by the nanowires 730a arranged in the upper direction of the first electrode 420 formed in a plate shape .

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(700)는 도 4a와 도 4b의 실시예에 따른 면 광원 소자(400)와 발광층(730)의 구조만 다르게 형성되며 다른 구성요소는 동일하게 형성된다. 따라서, 이하에서 본 발명의 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(700)는 발광층(730)을 중심으로 설명한다. 또한, 상기 면 광원 소자(700)는 도 4a와 도 4b에 따른 면 광원 소자(400)와 동일 또는 유사한 부분은 동일한 도면부호를 사용하며, 여기서 상세한 설명을 생략한다.The planar light source 700 according to another embodiment of the present invention is different from the planar light source 400 according to the embodiment of FIGS. 4a and 4b only in the structure of the light emitting layer 730, . Therefore, the planar light source device 700 according to another embodiment of the present invention will be described with the luminescent layer 730 as a center. In addition, the same or similar parts to those of the planar light-source device 400 according to FIGS. 4A and 4B are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

상기 발광층(730)은 복수의 나노와이어(730a)가 코팅되어 형성된다. 또한, 상기 나노와이어(730a)는 무기 발광 재료로 형성된다. 상기 발광층(730)은 바람직하게는 1nm 내지 10um의 두께로 형성될 수 있다. 또한, 상기 발광층(730)의 두께는 나노와이어(730a)의 밀도에 따라 조절될 수 있다. 상기 발광층(730)은 나노와이어(730a)의 상호 배열관계를 제외하고는 도 4a와 도 4b의 실시예에 따른 발광층(430)과 동일하게 형성되므로 여기서 상세한 설명을 생략한다. The light emitting layer 730 is formed by coating a plurality of nanowires 730a. Further, the nanowire 730a is formed of an inorganic light emitting material. The light emitting layer 730 may be formed to a thickness of 1 nm to 10 [mu] m. In addition, the thickness of the light emitting layer 730 may be adjusted according to the density of the nanowires 730a. The light emitting layer 730 is formed in the same manner as the light emitting layer 430 according to the embodiment of FIGS. 4A and 4B, except for the mutual arrangement relation of the nanowires 730a, and thus a detailed description thereof will be omitted.

상기 나노와이어(730a)는 제1전극(420)과 제2전극(440)의 이격 거리에 상응하는 길이로 형성될 수 있다. 한편, 상기 면 광원 소자(700)가 제1절연층(450)과 제2절연층(460)을 포함하는 경우에 상기 나노와이어(730a)는 제1절연층(450)과 제2절연층(460) 사이의 이격 거리에 상응하는 길이로 형성될 수 있다. 상기 나노와이어(730a)는 제1전극(420)의 상면과 수직한 방향으로 배치된다. 즉, 상기 나노와이어(430a)는 제1전극(420)에서 제2전극(440) 방향으로 수직하게 배열되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 나노와이어(730a)는 서로 평행하게 배치되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 나노와이어(730a)는 제1전극(420)의 상부 방향으로 배열되면서 서로 엇갈리게 형성될 수 있다.The nanowire 730a may have a length corresponding to a distance between the first electrode 420 and the second electrode 440. When the surface light source device 700 includes the first insulating layer 450 and the second insulating layer 460, the nanowire 730a may include a first insulating layer 450 and a second insulating layer 460, respectively, as shown in FIG. The nanowires 730a are disposed in a direction perpendicular to the upper surface of the first electrode 420. That is, the nanowires 430a may be vertically arranged in the direction from the first electrode 420 to the second electrode 440. In addition, the nanowires 730a may be disposed in parallel with each other. In addition, the nanowires 730a may be arranged in an upper direction of the first electrode 420 and may be staggered from each other.

또한, 상기 발광층(730)이 적어도 2개의 층으로 형성되는 경우에는 나노와 이어(730a)의 길이가 각 층의 높이보다 작게 형성됨은 물론이다.When the light emitting layer 730 is formed of at least two layers, it is needless to say that the length of the nano wire 730a is smaller than the height of each layer.

또한, 상기 발광층(730)은 나노와이어(730a)의 사이에 형성되는 공간을 충진하는 평탄화층(735)이 형성될 수 있다.The light emitting layer 730 may include a planarization layer 735 filling a space formed between the nanowires 730a.

다음은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자에 대하여 설명한다.Next, a planar light source device according to another embodiment of the present invention will be described.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 도 7a에 대응되는 개략적인 수직 단면도를 나타낸다.8 is a schematic vertical cross-sectional view corresponding to FIG. 7A of a planar light-source device according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(800)는, 도 8을 참조하면, 제1전극(420)과 발광층(830) 및 제2전극(440)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 면 광원 소자(800)는 제1전극(420)의 하부에 형성되는 기판(410), 제1전극(420)과 발광층(830) 사이에 형성되는 제1절연층(450) 및 제2전극(440)과 발광층(830) 사이에 형성되는 제2절연층(460)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1절연층(450)과 제2절연층(460)은 어느 한 층만이 형성될 수 있으며, 두 층 모두 형성될 수 있다. 한편, 도 8은 상기 면 광원 소자(800)를 구성하는 제1전극(420)과 제2전극(440)를 도시하지 않고 있으며, 도 7a에 도시된 바와 동일하므로 이를 참조한다. The surface light source device 800 according to another embodiment of the present invention includes a first electrode 420, a light emitting layer 830, and a second electrode 440, as shown in FIG. The surface light source device 800 includes a substrate 410 formed under the first electrode 420, a first insulating layer 450 formed between the first electrode 420 and the light emitting layer 830, The second insulating layer 460 may be formed between the second electrode 440 and the light emitting layer 830. Referring to FIG. Meanwhile, the first insulating layer 450 and the second insulating layer 460 may be formed of only one layer, or both layers may be formed. Meanwhile, FIG. 8 does not show the first electrode 420 and the second electrode 440 constituting the surface light source device 800, and is the same as that shown in FIG. 7A.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(800)는 도 4a와 도 4b의 실시예에 따른 면 광원 소자(400)에 대비하여 발광층(830)의 구조만 다르게 형성되며 다른 구성요소는 동일하게 형성된다. 따라서, 이하에서 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자(800)는 발광층(830)을 중심으로 설명한다. 또한, 상기 면 광 원 소자(800)는 4a와 도 4b에 따른 면 광원 소자(400)와 동일 또는 유사한 부분은 동일한 도면부호를 사용하며, 여기서 상세한 설명을 생략한다.The planar light source device 800 according to another embodiment of the present invention is different from the planar light source device 400 according to the embodiment of FIGS. 4A and 4B only in the structure of the light emitting layer 830, . Therefore, the planar light-source device 800 according to another embodiment of the present invention will be described with the luminescent layer 830 as a center. In addition, the same or similar parts as those of the surface light source element 400 according to 4a and 4b are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted herein.

상기 발광층(830)은 복수의 나노와이어(830a)가 코팅방식에 의하여 코팅되어 형성된다. 또한, 상기 나노와이어(830a)는 무기 발광 재료로 형성된다. 상기 발광층(830)은 나노와이어(830a)의 상호 배열관계를 제외하고는 도 7a와 도 7b의 실시예에 따른 발광층(730)과 동일하게 형성되므로 여기서 상세한 설명을 생략한다.The light emitting layer 830 is formed by coating a plurality of nanowires 830a by a coating method. Further, the nanowire 830a is formed of an inorganic light emitting material. The light emitting layer 830 is formed in the same manner as the light emitting layer 730 according to the embodiment of FIGS. 7A and 7B, except for the mutual arrangement relation of the nanowires 830a, and thus a detailed description thereof will be omitted.

상기 나노와이어(830a)는 제1전극(420)과 제2전극(440) 사이의 이격 거리보다 짧은 길이로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 나노와이어(830a)는 발광층(830)의 내부에서 서로 연결되면서 랜덤한 방향으로 배열되도록 형성된다. 즉, 상기 나노와이어(830a)는 발광층(830)의 내부에서 랜덤 네트워크를 형성하게 된다. 따라서, 상기 발광층(830)은 나노와이어가 제1전극(420)과 제2전극(440) 사이의 이격 거리에 상응하는 길이로 형성되는 경우에 비하여 상대적으로 용이하게 형성될 수 있다. 또한, 상기 발광층(830)은 나노와이어(830a)의 길이가 짧아 나노와이어(830a)가 일 방향으로 배열될 필요가 없으므로 랜덤 분산 방법에 의하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 발광층(830)이 나노와이어와 유기물의 혼합물인 나노 혼합물의 코팅에 의하여 형성되는 경우에도, 나노와이어(830a)는 길이가 상대적으로 짧게 되므로 스핀 코팅, 잉크젯 방법 또는 실크 스크린 방법과 같은 방법의 적용이 용이하게 된다.The nanowire 830a may be shorter than the separation distance between the first electrode 420 and the second electrode 440. Accordingly, the nanowires 830a are formed to be arranged in a random direction while being connected to each other within the light emitting layer 830. [ That is, the nanowire 830a forms a random network in the light emitting layer 830. [ Accordingly, the light emitting layer 830 can be relatively easily formed as compared with a case where the nanowire is formed to have a length corresponding to a separation distance between the first electrode 420 and the second electrode 440. In addition, the light emitting layer 830 may be formed by a random dispersion method since the length of the nanowires 830a is short and the nanowires 830a do not need to be arranged in one direction. In addition, even when the light emitting layer 830 is formed by coating a mixture of nanowires and organic matter, the length of the nanowire 830a is relatively short. Therefore, a method such as spin coating, inkjet method, or silk screen method Can be easily applied.

한편, 상기 발광층(830)은 적어도 2개의 층으로 형성되는 경우에는 나노와이어(830a)의 길이가 각 층의 높이보다 작게 형성됨은 물론이다.When the light emitting layer 830 is formed of at least two layers, the length of the nanowire 830a may be smaller than the height of each layer.

또한, 상기 발광층(830)은 나노와이어(830a)의 사이에 형성되는 공간을 충 진하는 평탄화층(835)이 형성될 수 있다.In addition, the light emitting layer 830 may include a planarization layer 835 filling a space formed between the nanowires 830a.

도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 면 광원 소자의 개략적인 평면도를 나타낸다. 1A is a schematic plan view of a surface light source device according to an embodiment of the present invention.

도 1b는 도 1a의 A-A에 대한 개략적인 수직 단면도를 나타낸다.Figure 1b shows a schematic vertical cross-sectional view of A-A of Figure la.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 도 1a에 대응되는 평면도를 나타낸다.FIG. 2 is a plan view corresponding to FIG. 1A of a planar light-source device according to another embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 도 1a에 대응되는 평면도를 나타낸다.FIG. 3 is a plan view corresponding to FIG. 1A of a planar light-source device according to another embodiment of the present invention.

도 4a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 개략적인 수직 단면도를 나타낸다.4A is a schematic vertical sectional view of a surface light source device according to another embodiment of the present invention.

도 4b는 도 4a의 B-B에 대한 평면도를 나타낸다.Fig. 4B shows a plan view for B-B of Fig. 4A. Fig.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 도 4b에 대응되는 평면도를 나타낸다.5 is a plan view corresponding to FIG. 4B of a planar light-source device according to another embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 도 4b에 대응되는 평면도를 나타낸다.6 is a plan view corresponding to FIG. 4B of a planar light source according to another embodiment of the present invention.

도 7a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 개략적인 수직 단면도를 나타낸다.7A is a schematic vertical cross-sectional view of a surface light source device according to another embodiment of the present invention.

도 7b는 도 7a의 C-C에 대한 개략적인 평면도를 나타낸다.Figure 7b shows a schematic plan view for C-C of Figure 7a.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 면 광원 소자의 도 7a에 대응되는 개략적인 평면도를 나타낸다.8 is a schematic plan view corresponding to FIG. 7A of a planar light-source device according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800: 면 광원 소자100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800: plane light source device

110, 610: 기판110, 610: substrate

120, 320, 620: 제1전극120, 320, 620: a first electrode

130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 830: 발광층130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 830:

140, 340, 640: 제2전극140, 340, 640: the second electrode

Claims (22)

절연기판과The insulating substrate 상기 절연기판의 상면 일측에 바 형상 또는 띠 형상으로 형성되는 제1전극과A first electrode formed on one side of the upper surface of the insulating substrate in a bar shape or a strip shape; 상기 절연기판의 상면 타측에 상기 제1전극과 이격되어 바 형상 또는 띠 형상으로 형성되는 제2전극 및A second electrode formed on the other side of the upper surface of the insulating substrate so as to be separated from the first electrode in a bar shape or a strip shape, 상기 제1전극과 제2전극 사이에 형성되며, 무기 발광 재료로 형성되는 복수의 나노와이어를 포함하는 발광층을 포함하며,And a light emitting layer formed between the first electrode and the second electrode and including a plurality of nanowires formed of an inorganic light emitting material, 상기 발광층은 상기 나노와이어가 상기 절연 기판의 상면에 코팅되어 형성되며,Wherein the light emitting layer is formed by coating the nanowire on an upper surface of the insulating substrate, 상기 제 1 전극과 제 2 전극은 상기 절연 기판의 상면에서 서로 수평 방향으로 이격되어 격벽 구조로 형성되어 상기 발광층의 발광 방향에 위치하지 않도록 형성되며,Wherein the first electrode and the second electrode are formed in a barrier rib structure spaced horizontally from each other on an upper surface of the insulating substrate so as not to be positioned in a light emitting direction of the light emitting layer, 상기 제 1 전극과 제 2 전극은 알루미늄(Al), 알루미늄:네오듐(Al:Nd), 은(Ag), 주석(Sn), 텅스텐(W), 금(Au), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 니켈(Ni) 및 티타늄(Ti)에서 선택되는 어느 하나의 금속으로 형성되며,The first electrode and the second electrode may be formed of a metal such as aluminum (Al), aluminum (Al), silver (Ag), tin (Sn), tungsten (W), gold (Au), chromium (Cr), molybdenum (Mo), palladium (Pd), platinum (Pt), nickel (Ni) and titanium (Ti) 상기 나노와이어는 상기 제1전극과 제2전극 사이의 이격 거리보다 짧은 길이로 형성되며, 상기 발광층의 내부에서 랜덤하게 배열되어 랜덤 네트워크를 형성하며,The nanowire is formed to have a length shorter than a distance between the first electrode and the second electrode. The nanowire is randomly arranged inside the light emitting layer to form a random network, 상기 나노와이어는 적색을 발광하는 적색 발광 재료로 이루어지는 적색 나노와이어와 녹색을 발광하는 녹색 발광 재료로 이루어지는 녹색 나노와이어 및 청색을 발광하는 청색 발광 재료로 이루어지는 청색 나노와이어 중에서 선택되는 적어도 2 종류의 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 면 광원 소자.Wherein the nanowire includes at least two kinds of nano-wires selected from red nanowires made of a red light emitting material emitting red light, green nanowires made of a green light emitting material emitting green light, and blue nanowires made of a blue light emitting material emitting blue light And a wire. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 적색 발광 재료는 CaS:Eu(Host:dopant), ZnS:Sm, ZnS:Mn, Zn0:Mn, Zn0:Sm, SnO2:Mn, SnO2:Sm, In2O3:Mn, In2O3:Sm, Y2O2S:Eu, Y2O2S:Eu,Bi, Gd2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn, CaLa2S4:Ce; SrY2S4: Eu, (Ca,Sr)S:Eu, SrS:Eu, Y2O3:Eu, YVO4:Eu,Bi로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되며,The red light emitting material is CaS: Eu (Host: dopant) , ZnS: Sm, ZnS: Mn, Zn0: Mn, Zn0: Sm, SnO 2: Mn, SnO 2: Sm, In 2 O 3: Mn, In 2 O 3: Sm, Y 2 O 2 S: Eu, Y 2 O 2 S: Eu, Bi, Gd 2 O 3: Eu, (Sr, Ca, Ba, Mg) P 2 O 7: Eu, Mn, CaLa 2 S 4 : Ce; SrY 2 S 4: Eu, ( Ca, Sr) S: Eu, SrS: Eu, Y 2 O 3: Eu, YVO 4: Eu, is formed of any one or a mixture selected from the group consisting of Bi, 상기 녹색 발광 재료는 ZnS:Tb(Host:dopant), ZnS:Ce,Cl, ZnS:Cu,Al, ZnS:Eu, SnO2:Eu, In2O3:Eu, Gd2O2S:Tb, Gd2O3:Tb,Zn, Y2O3: Tb,Zn, SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2S:Tb, ZnO:Ag, ZnO:Cu,Ga, Zn0:Eu, CdS:Mn, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, YBO3:Ce,Tb, Ba2SiO4:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, (Ba,Sr)Al2O4:Eu, Sr2Si3O8.2SrCl2:Eu로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되며,The green light emitting material are ZnS: Tb (Host: dopant) , ZnS: Ce, Cl, ZnS: Cu, Al, ZnS: Eu, SnO 2: Eu, In 2 O 3: Eu, Gd 2 O 2 S: Tb, Gd 2 O 3: Tb, Zn , Y 2 O 3: Tb, Zn, SrGa 2 S 4: Eu, Y 2 SiO 5: Tb, Y 2 Si 2 O 7: Tb, Y 2 O 2 S: Tb, ZnO : Ag, ZnO: Cu, Ga , Zn0: Eu, CdS: Mn, BaMgAl 10 O 17: Eu, Mn, (Sr, Ca, Ba) (Al, Ga) 2 S 4: Eu, Ca 8 Mg (SiO 4 ) 4Cl 2: Eu, Mn, YBO 3: Ce, Tb, Ba 2 SiO 4: Eu, (Ba, Sr) 2 SiO 4: Eu, Ba 2 (Mg, Zn) Si 2 O 7: Eu, (Ba, Sr) Al 2 O 4 : Eu, Sr 2 Si 3 O 8 .2 SrCl 2 : Eu, 상기 청색 발광 재료는 GaN:Mg,Si(Host:dopant), GaN:Zn,Si, SrS:Ce, SrS:Cu, ZnS:Tm, ZnS:Ag,Cl, ZnS:Te, Zn0:Te, SnO2:Te, In2O3:Te, Zn2SiO4:Mn, YSiO5:Ce, (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu, BaMgAl10O17:Eu, BaMg2Al16O27:Eu로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 면 광원 소자.The blue light-emitting material is GaN: Mg, Si (Host: dopant), GaN: Zn, Si, SrS: Ce, SrS: Cu, ZnS: Tm, ZnS: Ag, Cl, ZnS: Te, Zn0: Te, SnO 2 : Te, In 2 O 3 : Te, Zn 2 SiO 4 : Mn, YSiO 5 : Ce, (Sr, Mg, Ca) 10 (PO 4 ) 6Cl 2 : Eu, BaMgAl 10 O 17 : Eu, BaMg 2 Al 16 O 27 : Eu, or a mixture thereof. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 발광층은 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어가 동일한 호스트 물질로 이루어지는 나노와이어로 이루어지는 것을 특징으로 하는 면 광원 소자.Wherein the light emitting layer is made of a nanowire including a red nanowire, a green nanowire, and a blue nanowire formed of the same host material. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 발광층은 하나의 호스트 물질에 적색 발광 재료의 도펀트와 녹색 발광 재료의 도펀트 및 청색 발광 재료의 도펀트 중에서 선택되는 적어도 2 종류의 도펀트를 포함되는 나노와이어로 이루어지는 것을 특징으로 하는 면 광원 소자.Wherein the light emitting layer comprises a nanowire including at least two kinds of dopants selected from a dopant of a red light emitting material, a dopant of a green light emitting material, and a dopant of a blue light emitting material in one host material. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 발광층은 적어도 2개의 층으로 이루어지며, 하나의 층은 적색 나노와이어와 녹색 나노와이어 및 청색 나노와이어 중 2개의 나노와이어가 혼합되어 이루어지며, 다른 하나의 층은 나머지 나노와이어로 형성되는 것을 특징으로 하는 면 광원 소자.The light emitting layer is composed of at least two layers, and one layer is formed by mixing two nanowires of a red nanowire, a green nanowire, and a blue nanowire, and the other layer is formed of the remaining nanowires . 제 5항에 있어서,6. The method of claim 5, 상기 발광층이 적어도 2개의 층으로 이루어지는 경우에, 상기 발광층은 상대적으로 발광 밝기가 낮은 색상의 나노와이어로 이루어지는 층이 상기 절연기판을 기준으로 보다 상부에 위치하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 면 광원 소자.Wherein the light emitting layer is formed such that a layer of a color nanowire having a relatively low luminous brightness is positioned above the insulating substrate when the light emitting layer is formed of at least two layers. 제 5항에 있어서,6. The method of claim 5, 상기 발광층이 적어도 2개의 층으로 이루어지는 경우에, 상기 발광층은 상대적으로 발광 밝기가 낮은 색상의 나노와이어로 이루어지는 층이 상대적으로 두껍 게 형성되는 것을 특징으로 하는 면 광원 소자. Wherein the light emitting layer comprises at least two layers, and the light emitting layer has a relatively thick layer of nanowires of relatively low light emission brightness. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 발광층은 나노와이어 사이의 공간을 충진하여 상기 발광층이 전체적으로 평탄하게 되도록 하는 평탄화층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 면 광원 소자.Wherein the light emitting layer further comprises a planarization layer filling the space between the nanowires so that the light emitting layer is entirely planarized. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 제1절연층과 A first insulating layer formed between the first electrode and the light emitting layer; 상기 제2전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 제2절연층 중 적어도 어느 하나의 층을 더 포함하며,And a second insulating layer formed between the second electrode and the light emitting layer, 상기 제1절연층과 제2절연층은 유기재료, 무기재료 또는 유기재료와 무기재료의 복합재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 면 광원 소자. Wherein the first insulating layer and the second insulating layer are formed of an organic material, an inorganic material, or a composite material of an organic material and an inorganic material. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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