KR101728146B1 - 고속응답용 액정 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고속응답용 액정 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 특정의 단일액정 화합물의 조성에 의해서 고속의 응답속도를 실현하면서도 회전점도가 낮고 상전이 온도가 높아 고품위 및 고용량의 표시정보처리 및 동영상 표시특성을 나타낼 수 있는 고속응답용 액정 조성물에 관한 것이다.

Description

고속응답용 액정 조성물{LIQUID CRYSTAL COMPOSITION FOR HISH SPEED RESPONSE TIME}
본 발명은 네마틱 액정화합물을 포함하는 고속응답을 구현하기 위한 액정 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상전이온도가 높으며 복굴절률이 크고, 회전점도가 낮아서 고속의 응답속도를 실현할 수 있는 고속응답용 액정 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치에 관한 것이다.
네마틱 액정의 구동방식 가운데 하나인 TN (Twisted nematic) 모드의 경우에 있어서, 액정 조성물의 응답시간과 관련된 변수들의 상관 관계식은 아래와 같다.
[수학식 1]
Figure 112010045782191-pat00001
[수학식 2]
Figure 112010045782191-pat00002
상기 식에서,
γ는 회전점도 (rotational viscosity)이고, d는 셀갭(Cell gap)이고, ε 0 는 유전상수 (dielectric constant)이고, Δε는 유전율 이방성 (dielectric anisotropy) (Δε = ε ll - ε ⊥ )이고, V는 작동전압 (operating voltage)이고, V th 는 문턱전압 (threshold voltage of Fredric's transition)이고, K eff 는 유효탄성계수(effective elastic constant) 이다.
상기 식에서 알 수 있듯이 응답 속도를 감소시키기 위한 방법으로는 액정 조성물의 물리적 특성 중 회전점도를 줄이거나 탄성상수를 증가시키는 것이 있다. 그러나, 응답속도를 개선하기 위해 회전점도를 줄이면 액정의 탄성상수 및 등명점온도 (TNI)의 감소를 초래한다. 또한, 탄성상수를 증가시킬 경우 문턱전압(V th ) 및 회전점도가 증가된다.
따라서, 위 식에서 보는 바와 같이 고속응답을 위해서는 물질의 회전점도를 줄이거나 셀갭을 낮춰 액정의 굴절률을 크게 하는 방안이 있다.
현재의 모니터에 사용되는 액정 조성물은 응답시간이 대략 10ms 이고 이때의 회전점도는 70 mPaㆍs로서, 동화상을 구현시에 화상의 끌림현상이 발생한다. 또한 상기 액정조성물의 상전이온도(TN -I)는 75℃를 갖는데, 장시간 모니터를 구동하면 발생하는 열로 인해 열화되는 문제가 발생한다.
이러한 문제점을 개선하여, 완벽한 동화상을 구현하고, 고온 신뢰성을 확보한 모니터용 액정조성물을 개발하기 위해서는 5ms이하의 응답속도가 요구된다. 이 응답속도를 구현하기 위해서는 액정 조제품의 회전점도가 55±5 mPaㆍs의 점도를 가져야 하며, 회전점도와 비례하는 정점도로서는 카이랄도판트가 있는 상태에서 제조된 액정 조성물은 12±1 mm2/s의 범위를 가져야 한다. 상기와 같은 회전점도를 얻기 위해서는 등명점온도 (TNI)의 감소가 따르게 되는데, 대형광고판이나, TV 및 컴퓨터용 모니터 등은 장시간 가동이 되기 때문에 이에 따라 발생되는 열로 인해 열화가능성이 커진다. 또한, 이에 대한 신뢰성을 확보하기 위해서는 등명점온도 (TNI)는 최소한 80 ℃ 이상이 확보되어야만 한다. 또한, 응답속도를 줄이는 한 방법으로서 셀갭을 낮추는 방안이 점진적으로 진행되어 왔는데, 3.6μm이하의 셀갭에서 적용할 수 있어야만 하기 때문에 굴절률 이방성은 20℃에서 0.110~0.130를 가져야만 한다.
하지만 아직까지 상기 조건을 모두 만족하는 액정 조성물은 개발되지 못하고 있다.
상기와 같은 모든 조건을 만족하기 위해, 본 발명의 목적은 빠른 응답속도를 가지면서 등명점 온도가 최소 80 ℃ 이상이 되고, 굴절률 이방성이 크며, 회전점도가 낮고, 특정범위의 정점도를 확보할 수 있는 고속응답용 네마틱 액정 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 제품의 구동에 의한 열화문제를 개선하여 고온 신뢰성을 확보할 수 있는 고속응답용 네마틱 액정 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은
(a) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, (b) 하기 화학식 2 로 표시되는 화합물, (c) 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, (d) 하기 화학식 4으로 표시되는 화합물, (e) 하기 화학식 5로 표시되는 화합물, (f) 하기 화학식 6로 표시되는 화합물, (g) 하기 화학식 7로 표시되는 화합물, 및 (h) 하기 화학식 8로 표시되는 화합물
을 포함하는 고속응답용 네마틱 액정 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112010045782191-pat00003
[화학식 2]
Figure 112010045782191-pat00004
[화학식 3]
Figure 112010045782191-pat00005
[화학식 4]
Figure 112010045782191-pat00006
[화학식 5]
Figure 112010045782191-pat00007
[화학식 6]
Figure 112010045782191-pat00008
[화학식 7]
Figure 112010045782191-pat00009
[화학식 8]
Figure 112010045782191-pat00010
상기 식에서, R 내지 R8은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알킬기이다.
또한, 본 발명은 상기 기재의 고속응답용 네마틱 액정 조성물을 포함하는 액정표시장치를 제공한다. 바람직하게는, 상기 액정표시장치는 능동 구동방식의 TN(twist nematic) 모드의 액정표시장치일 수 있고, 더 바람직하게 모니터일 수 있다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
액정표시소자는 네마틱 액정상을 이용하여 전압에 따른 액정 조성물 내의 액정분자들의 배열을 조정하여 광의 투과율을 조절함으로써, 화상을 표현하는 소자이기 때문에 액정상이 유지되는 온도영역이 매우 중요하며, LCD 표시소자의 장기구동에 의해 발생하는 열로 인한 열화가능성으로 등명점온도 (TNI)가 중요하다. 또한 액정표시소자가 극지방까지 판매되고 있는 시점에서 네마틱 액정상이 시작되는 액정상 전이온도(TCN)의 확보가 필요하다. 특히, 이러한 고속응답용 액정조성물은 휴대폰, 모니터 및 TV등의 고품위, 고용량의 표시정보처리 및 뛰어난 정보처리 및 뛰어난 동영상 표시특성을 확보하기 위해 요구된다.
또한 상기와 같이 등명점온도 (TNI)가 80 ℃ 이상, 굴절률 이방성은 0.110~0.130을 갖고, 액정 조제품의 회전점도가 55±5 mPaㆍs의 점도를 가지며, 정점도가 12±1 mm2/s, 5ms 이하의 응답속도를 갖는 액정 조성물을 확보하기 위해서는 저점성 특성을 갖는 단일액정 화합물이 포함되어야만 한다.
따라서, 본 발명의 고속응답용 네마틱 액정 조성물은 특정 단일액정화합물의 조성을 통해 상기 물성을 모두 확보할 수 있도록 한다.
이러한 본 발명의 액정 조성물은 액정조제품인 액정표시소자의 회전점도 55±5 mPaㆍs와 정점도 12±1 mm2/s의 저점도를 확보하기 위해서, 2-ring의 화학식 1 내지 3로 표시되는 단일액정 화합물 중에서 선택된 적어도 1종의 화합물을 사용한다.
[화학식 1]
Figure 112010045782191-pat00011
[화학식 2]
Figure 112010045782191-pat00012
[화학식 3]
Figure 112010045782191-pat00013
상기 식에서, R 내지 R3은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알킬기이다.
구체적으로, 본 발명의 액정조성물은 저점성과 함께 저온의 액정상 하한온도 (TCN) 특성을 확보하기 위해, 화학식 1의 단일액정 화합물, 화학식 2의 단일액정 화합물 및 화학식 3의 단일액정 화합물을 각각 적어도 하나이상 포함한다.
이때, 상기 화학식 1의 단일액정 화합물의 함량은 전체 조성물에 대하여 10 중량% 이하로 사용하고, 바람직하게는 3 내지 10 중량%로 사용한다. 여기서 상기 화학식 1의 화합물의 함량이 10 중량%를 초과하여 사용하면 등명점온도(TNI)를 크게 낮춰서 80 ℃ 이상을 확보할 수 없게 되어 패널의 고온 신뢰성을 확보할 수 없게 된다. 또한 그 함량이 3 중량% 미만이면 저온영역에서의 액정상을 확보할 수 없는 문제가 있다.
또한 화학식 2로 표시되는 단일액정 화합물은 전체 조성물에 대하여 35 중량% 이하, 바람직하게는 15~35 중량%로 사용한다. 이때, 그 함량이 35 중량%를 초과하여 과량으로 사용하면 등명점온도(TNI)를 크게 낮춰서 80 ℃ 이상을 확보할 수 없게 되어 패널의 고온 신뢰성을 확보할 수 없게 된다. 또한 그 함량이 15 중량% 미만이면 점도 및 회전점도가 증가하여 5ms이하의 응답시간을 얻을 수 없는 문제가 있다.
상기 화학식 3의 단일액정 화합물은 전체 조성물에 대하여 20 중량%이하, 바람직하게는 5~20 중량%를 사용한다. 이때, 그 함량이 20 중량%를 초과하여 과량으로 사용하면 등명점온도(TNI)를 크게 낮춰서 80 ℃ 이상을 확보할 수 없게 되어 패널의 고온 신뢰성을 확보할 수 없게 된다. 또한 그 함량이 5 중량% 미만이면 저온영역에서의 액정상을 확보할 수 없게 되고 회전점도가 증가하여 5ms이하의 응답시간을 얻을 수 없는 문제가 있다.
특히 액정조성물의 중간온도영역을 확보하기 위하여, 상기 화학식 1, 화학식 2 및 화학식 3의 화합물을 포함하는, 본 발명의 액정조성물은 하기 화학식 4로 표시되는 3-ring의 구조를 갖는 단일액정 화합물을 사용하는 특징이 있다.
[화학식 4]
Figure 112010045782191-pat00014
상기 식에서, R4는 탄소수 1 내지 7의 알킬기이다.
상기 화학식 4로 표시되는 단일액정 화합물은 중간온도영역의 확보와 함께 저점성특성을 확보하기위하여 bridge로서 에틸기를 갖고 있어서, 표1에서 보는 바와 같이 모든 ring이 직접 연결된 3-ring 구조의 화학식 9를 갖는 일반적 단일액정 화합물에 비교하여 30~40% 이상 낮은 점도를 보여준다. 따라서, 본 발명의 액정 조성물에 있어서, 화학식 4로 표시되는 단일액정 화합물을 사용하지 않으면 저점성과 중간온도영역에서의 온도 특성을 확보할 수 없는 문제가 발생하므로, 필수성분으로 포함되는 것이 바람직한 것이다.
구조




화학식 4
Figure 112010045782191-pat00015
치환기 점도 (mm2/s, 외삽)
R4=C3H7 31.0
R4=C5H11 31.9




화학식 9
Figure 112010045782191-pat00016
치환기 점도 (mm2/s, 외삽)
R9=C3H7, R10=C2H5 54.2
R9=C5H11, R10=C2H5 43.6
상기 화학식 4로 표시되는 단일액정 화합물의 함량은 전체 조성물에 대하여15 중량% 이하로 사용하고, 바람직하게는 8 내지 15 중량%로 사용한다. 이때 그 함량이 15 중량% 이상 포함하는 경우에는 점도를 크게 증가시켜서, 5ms이하의 고속응답의 실현할 수 없게 한다. 또한 그 함량이 8 중량% 미만이면 등명점온도(TNI)를 크게 낮춰서 80 ℃ 이상을 확보할 수 없게 되어 패널의 고온 신뢰성을 확보할 수 없게 되는 문제가 있다.
또한 본 발명의 액정 조성물은 중간온도영역의 네마틱 액정상을 확보하고, 고속응답용 액정 조성물의 굴절률 이방성을 0.110~0.130로 확보하기 위해 고굴절률 이방성 특성을 갖는 화학식 5 내지 7로 표시되는 화합물을 포함하는 특징이 있다.
[화학식 5]
Figure 112010045782191-pat00017
[화학식 6]
Figure 112010045782191-pat00018
[화학식 7]
Figure 112010045782191-pat00019
상기 식에서, R5 내지 R7은 각각 탄소수 1 내지 7의 알킬기이다.
이때, 화학식 5로 표시되는 단일액정 화합물의 함량은 전체 조성물에 대하여 25 중량%이하, 바람직하게는 10 내지 25중량%, 보다 바람직하게는 10~20 중량%를 사용한다. 상기 화학식 5의 단일액정 화합물의 함량이 25 중량% 이상이면 굴절률 이방성이나 점도를 크게 증가시켜 5ms 이하의 고속응답을 실현할 수 없고 원하는 범위의 굴절률이방성을 얻을 수 없는 문제가 있다. 또한 그 함량이 10 중량% 미만이면 원하는 굴절률이방성보다 낮아지는 문제가 있다.
또한 화학식 6로 표시되는 단일액정 화합물의 함량은 전체 조성물에 대하여 20 중량% 이하, 바람직하게는 10 내지 20 중량%를 사용한다. 상기 화학식 6의 단일액정 화합물의 함량이 20 중량% 이상이면 굴절률 이방성이나 점도를 크게 증가시켜 5ms 이하의 고속응답을 실현할 수 없고 원하는 범위의 굴절률이방성을 얻을 수 없는 문제가 있다. 또한 그 함량이 10 중량% 미만이면 원하는 굴절률이방성보다 낮아지는 문제가 있다.
또한 화학식 7로 표시되는 단일액정 화합물의 함량은 전체 조성물에 대하여 10 중량% 이하, 바람직하게는 5 내지 10 중량%를 사용한다. 상기 화학식 7의 단일액정 화합물의 함량이 10 중량% 이상이면 굴절률 이방성이나 점도를 크게 증가시켜 5ms 이하의 고속응답을 실현할 수 없고 원하는 범위의 굴절률이방성을 얻을 수 없는 문제가 있다. 또한 그 함량이 5 중량% 미만이면 원하는 굴절률이방성보다 낮아지는 문제가 있다.
또한 본 발명의 네마틱 액정 조성물은 상기에서 언급한 바와 같이 구동 시에 발생하는 열등으로 인해 특히 중요시되는 고온신뢰성을 위한 등명화 온도 (TNI) 80 ℃ 이상 확보를 위해, 고온온도영역을 갖는 단일액정으로서 하기 화학식 8로 표시되는 화합물을 사용해야 한다.
[화학식 8]
Figure 112010045782191-pat00020
상기 식에서, R8은 탄소수 1 내지 7의 알킬기이다.
상기 화학식 8로 표시되는 단일액정 화합물의 함량은 전체 조성물에 대하여10중량%이하, 바람직하게는 3 내지 10 중량%로 사용한다. 이때, 그 함량이 10 중량%를 초과하면 등명점 온도(TNI)을 높일 수는 있으나, 그에 따라 액정상 전이온도(TCN)가 크게 증가되고, 더불어 점도를 크게 증가시켜서, 저온영역에서의 액정상을 확보할 수 없게 되고, 5ms이하의 고속응답을 실현할 수 없게 된다. 또한 그 함량이 3 중량% 미만이면 등명점온도(TNI)를 크게 낮춰서 80 ℃ 이상을 확보할 수 없게 되어 패널의 고온 신뢰성을 확보할 수 없게 되는 문제가 있다.
그 밖에, 본 발명의 액정조성물은 액정조성물의 특성을 개선하기 위하여 일반적으로 알려진 네마틱액정, 스멕틱액정, 콜레스테릭액정 등을 혼합 사용할 수도 있다. 그러나, 이러한 액정화합물을 다량 첨가하면 얻으려고 하는 액정조성물의 특성을 감소시키는 경우가 생기므로, 첨가량은 네마틱 액정조성물의 요구 특성에 따라서 제한적으로 결정하여야 한다. 이때, 상기 액정 조성물은 필요에 따라 통상의 카이랄도판트를 더 포함할 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 네마틱 액정조성물은 등명점온도 (TNI)가 적어도 80 ℃ 이상, 굴절률 이방성이 0.110~0.130인 조건을 만족할 수 있다. 또한 상기 액정 조성물을 이용한 액정표시소자의 회전점도는 55±5 mPaㆍs이며, 정점도가 12±1 mm2/s이고, 5ms 이하의 빠른 응답속도를 갖는 특징이 있다. 상기 정점도의 수치는 액정 조성물에 카이랄도판트가 있는 상태에서 측정된 값일 수 있다.
따라서, 본 발명은 상기 기재의 고속응답용 네마틱 액정 조성물을 포함하는 액정표시장치를 제공한다.
즉, 본 발명은 상기 고속응답용 네마틱 액정조성물을 액정재료로 이용하여 적절한 첨가제와 함께 각종 표시용 액정셀에 충진하여 여러 가지 LCD를 채용한 표시장치를 제공할 수 있다. 바람직하게는, 상기 액정표시장치는 능동 구동방식의 TN(twist nematic) 모드의 액정표시장치일 수 있다. 또한 상기 액정표시장치는 휴대폰, 모니터, 및 TV등의 고품위, 고용량의 표시장치를 포함하고 바람직하게 모니터일 수 있다.
여기서 상기 액정조성물을 이용한 것을 제외하고, 액정표시장치의 구성은 당업자들에게 잘 알려진 것이므로 자세한 구성 및 구동원리의 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 네마틱 액정 조성물은 빠른 응답시간으로 고품위, 고용량의 표시정보처리 및 뛰어난 정보처리와 동영상 표시특성을 보이는 휴대폰, 모니터 및 TV 등에 적용하기에 효과적이다. 또한, 본 발명의 액정조성물은 제품의 구동에 의한 열화 문제를 크게 개선하여 제품의 고온 신뢰성을 확보할 수 있게 한다.
이하 본 발명을 하기 실시예를 참조로 하여 보다 상세히 설명한다. 이들 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의하여 한정되는 것이 아님은 물론이다.
<실시예 1 내지 4 및 비교예 1>
상기 화학식 1 내지 8의 단일 액정 화합물을 이용하여, 다음 표 2과 같은 조성으로 실시예 1 내지 3의 네마틱 액정 조성물을 제조하였다. 또한, 화학식 4의 단일 액정 화합물을 포함하지 않는 경우와 3-ring이 직접 결합된 화학식 9를 포함하는 네마틱 액정 조성물은 비교예 1 내지 3으로 하였다.
단일액정 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2 비교예 3
(a)
 화학식1
(R=C3H7, R1=CH3)		 5 5 5 6 5 5
(b)
 화학식2 (R2=C3H7) 28 26 26 29.5 26 26
(c)
 화학식3 (R3=C3H7) 14 14 14 15.5 14 14

(d)
 화학식4
(R4= C3H7)		 12 7
화학식4
(R4=C5H11)		 12 6

(d')		 화학식 9
(R9=C3H7, R10=C2H5)		 12
화학식 9
(R9=C5H11, R10=C2H5)		 13

(e)
 화학식5
(R5=C2H5)		 5 5 6 6 5 6
화학식5
(R5=C3H7)		 6 8 8 9 8 8

(g)
 화학식6
(R6=C3H7)		 8 8 8 9 8 8
화학식6
(R6=C5H11)		 6 7 7 8 7 7

(f)
 화학식 7
(R7=C3H7)		 3 3 3 4 3 3
화학식7
(R7=C5H11)		 6 6 4 6 6 4
(h)
 화학식8
(R8=C3H7)		 7 6 6 7 6 6
합계 (중량%)
 100 100 100 100 100 100
상기 표 2에서, 화학식 9의 구조는 다음과 같다.
[화학식 9]
상기 식에서, R9 및 R10은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알킬기이다.
<실험예>
상기에서 제조된 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 액정 조성물에 대해, 한국특허출원 제 2006-0045599호에서 제시하는 것과 같은 통상적인 방법으로 등명점온도, 굴절률 이방성, 유전율 이방성, 회전점도, 점도 및 응답속도를 측정하였고, 각 물성 및 전기적 특성 결과를 표 3에 나타내었다.
물성 실시예1 실시예2 실시예3 비교예 1 비교예 2 비교예 3
등명점온도(TNI) 80.1 81.5 82.5 71.2 80.2 80.8
굴절률 이방성
(Δn)		 0.1120 0.1202 0.1275 0.1167 0.1167 0.1224
유전율 이방성
(Δε)		 4.4 4.4 4.4 4.7 4.4 4.4
회전점도 (mPaㆍs) 53 53 54 53 66 65
점도 (mm2/s) 12.5 12.3 12.7 11.9 14.8 14.5
응답속도 (ms) 4.8 4.8 4.9 4.8 6.0 5.9
상기 표 3에 나타낸 바와 같이, 액정 조성물은 본 발명에 따른 성분 조성으로 포함되어야만, 응답속도가 5 ms 이하이고, 등명점온도, 굴절률 이방성, 유전율, 이방성, 회전점도, 문턱전압 값이 모두 목표하는 표시장치에 적합한 수준의 물성 값을 얻을 수 있었다.
반면, 비교예 1은 응답속도 및 점도가 본 발명과 비슷한 수준이었으나, 본 발명의 화학식 4의 화합물을 사용하지 않아, 액정 조성물의 중간영역을 확보할 수 없었으며, 이에 따라 본 발명에 비해 등명점온도가 낮다. 비교예 2 내지 3은 본 발명의 화학식 4 대신 일반적으로 중간온도영역을 확보하기위해 사용하는 3-ring을 가지면서 각 ring이 직접 연결된 화학식 9를 포함하는 액정조성물로서, 표 3과 같이 중간온도영역은 본 발명과 유사한 수준이나, 회전점도 및 점도가 높아서 5ms의 응답시간을 확보할 수 없다.

Claims (7)

  1. (a) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, (b) 하기 화학식 2 로 표시되는 화합물, (c) 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, (d) 하기 화학식 4로 표시되는 화합물, (e) 하기 화학식 5로 표시되는 화합물, (f) 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물, (g) 하기 화학식 7로 표시되는 화합물, 및 (h) 하기 화학식 8로 표시되는 화합물을 포함하는 고속응답용 네마틱 액정 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112010045782191-pat00021

    [화학식 2]
    Figure 112010045782191-pat00022

    [화학식 3]
    Figure 112010045782191-pat00023

    [화학식 4]
    Figure 112010045782191-pat00024

    [화학식 5]
    Figure 112010045782191-pat00025

    [화학식 6]
    Figure 112010045782191-pat00026

    [화학식 7]
    Figure 112010045782191-pat00027

    [화학식 8]
    Figure 112010045782191-pat00028

    상기 식에서, R 내지 R8은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알킬기이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액정 조성물은
    (a) 화학식 1로 표시되는 화합물 3 내지 10 중량%,
    (b) 화학식 2 로 표시되는 화합물 15 내지 35 중량%,
    (c) 화학식 3으로 표시되는 화합물 5 내지 20 중량%,
    (d) 화학식 4로 표시되는 화합물 8 내지 15중량%,
    (e) 화학식 5로 표시되는 화합물 10 내지 25 중량%,
    (f) 화학식 6로 표시되는 화합물 10 내지 20 중량%,
    (g) 화학식 7로 표시되는 화합물 5 내지 10 중량%, 및
    (h) 화학식 8로 표시되는 화합물 3 내지 10 중량%를 포함하는 액정 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 액정 조성물은 등명점온도 (TNI)가 80 ℃ 이상, 굴절률 이방성이 0.110~0.130인 액정 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 액정 조성물을 이용한 액정표시소자의 회전점도는 55±5 mPaㆍs이며, 정점도가 12±1 mm2/s이고, 5 ms 이하의 응답속도를 갖는 것인, 액정 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 고속응답용 네마틱 액정 조성물을 포함하는 액정표시장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 액정표시장치는 능동 구동방식의 TN(twist nematic) 모드의 액정표시장치를 포함하는 것인, 액정표시장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 액정표시장치는 모니터인 것인 액정표시장치.
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