KR101726671B1 - 전해제련공정용 불활성 양극모듈 - Google Patents

전해제련공정용 불활성 양극모듈 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전해제련공정용 불활성 양극모듈에 관한 것으로써, 구체적으로는 파이로프로세싱(Pyroprocessing)의 전해제련공정에서 양극에서 발생되는 반응기체가 전해조의 내부로 분산되는 것을 억제하고, 양극과 양극하우징 및 전해조 덮개 간 통전을 방지할 수 있으며, 염분말에 의해 가스배출관이 막히는 것을 방지할 수 있는 양극모듈에 관한 것이다. 본 발명은 파이로프로세싱(Pyroprocessing)의 전해제련공정에서 용융염이 수용된 전해조의 덮개에 장입되는 양극모듈에 있어서, 상기 용융염에 잠기는 양극이 내부에 수용된 하부하우징과, 상기 하부하우징의 상부에 설치되고 상기 덮개에 장입된 중부하우징과, 상기 중부하우징의 외측면을 감싸는 절연튜브와, 상기 중부하우징의 상부에 설치되고, 일측에 상기 양극에서 발생되는 반응기체가 상기 전해조의 외부로 토출되는 가스배출부가 설치된 상부하우징을 포함한다.

Description

전해제련공정용 불활성 양극모듈{INERT ANODE MODULE FOR ELECTROWINNING PROCESS}
본 발명은 전해제련공정용 불활성 양극모듈에 관한 것으로써, 구체적으로는 파이로프로세싱(Pyroprocessing)의 전해제련공정에서 양극에서 발생되는 반응기체가 전해조의 내부로 분산되는 것을 억제하고, 양극과 양극의 하우징 및 전해조 덮개 간 통전을 방지할 수 있으며, 염분말에 의해 가스배출관이 막히는 것을 방지할 수 있는 양극모듈에 관한 것이다.
사용후 핵연료에서 우라늄과 초우라늄 원소를 회수하는 파이로프로세싱(Pyroprocessing)의 전해제련공정은 LCC(Liquid Cd Cathode), RAR(Residual Actinide Recovery) 등의 전기화학 공정으로 구성되며, LCC, RAR 두 공정에서 불활성 양극과 카드뮴 음극을 전극재료로 사용하고 있다.
양극은 탄소 재료인 그라파이트(graphite)와 유리화탄소(glassy carbon)가 주로 사용되며, 탄소재료는 염에 용해되지 않으므로 양극 표면에서 염소기체와 같은 반응기체가 발생한다.
도 1은 종래의 전해제련공정장치 개념도이며, 이를 참조하면 양극(150) 주위로 반응기체 분산을 방지할 수 있는 슈라우드(shroud)를 설치하지 않을 경우 양극(150) 표면에서 발생한 반응기체는 용융염(120)을 통하여 전해조(110) 내부로 분산되고, 분산된 반응기체는 전해조 덮개(130)에 장입된 가스배출관(140)을 통하여 정제기로 이송된다.
전해조 덮개(130)에는 양극장입구멍, 음극리드선 장입구멍, 기준전극구멍, 음극 지지대구멍 등 많은 구멍이 뚫려 있는데, 이러한 구멍을 모두 완벽하게 밀폐하기는 어렵다.
따라서, 일부 반응기체는 가스배출관(140)을 통하여 정제기로 이송되겠지만 일부 반응기체는 전해조 덮개(130)에 형성된 다수의 구멍을 통하여 전해조(110)의 외부로 유출되어 주변에 있는 기타장치들을 부식시킬 수 있다.
또한, 반응기체인 염소기체는 글러브 박스 등에서 새어나올 경우 인체에 위험을 초래할 수도 있다.
또한, 양극(150)과 SUS재질의 양극 하우징, 또는 SUS재질의 전해조 덮개와 SUS재질의 양극 하우징 사이에 통전이 된 상태로 전해반응이 진행될 경우, 용융염에 접촉되는 양극 하우징이 양극으로 작용하여 용융염에 녹는 경우가 있다.
또한, 반응기체가 가스배출관(140)으로 이송 시 휘발된 용융염(120)도 가스배출관(140)으로 유동되므로 공정시간이 길어지면 가스배출관(140)이 염분말에 의해 막힐 가능성이 있다.
대한민국 등록특허공보 제10-1345987호
상기 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 목적은 파이로프로세싱(Pyroprocessing)의 전해제련공정에서 양극에서 발생되는 반응기체가 전해조 내부로 분산되는 것을 억제하고, 양극과, 양극의 하우징 및 전해조 덮개 간 통전을 방지할 수 있으며, 염분말에 의해 가스배출관이 막히는 것을 방지할 수 있는 양극모듈을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 파이로프로세싱(Pyroprocessing)의 전해제련공정에서 용융염이 수용된 전해조의 덮개에 장입되는 양극모듈에 있어서, 상기 용융염에 잠기는 양극이 내부에 수용된 하부하우징과, 상기 하부하우징의 상부에 설치되고 상기 덮개에 장입된 중부하우징과, 상기 중부하우징의 외측면을 감싸는 절연튜브와, 상기 중부하우징의 상부에 설치되고, 일측에 상기 양극에서 발생되는 반응기체가 상기 전해조의 외부로 토출되는 가스배출부가 설치된 상부하우징을 포함한다.
본 발명에 따른 전해제련공정용 조립형 양극모듈은 상, 중, 하부 하우징의 내부로 반응기체가 유동되어 전해조의 외부로 배출됨으로써, 반응기체가 전해조의 내부로 분산되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 절연튜브 및 슈라우드를 통해 양극과 상, 중, 하부하우징 및 전해조 덮개 간 통전을 방지할 수 있다.
또한, 중부하우징 내부에 배치된 배플(baffle)을 통해 염분말에 의하여 가스배출부가 막히는 것을 방지할 수 있다.
도 1는 종래의 전해제련공정장치(100) 개념도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전해제련공정용 불활성 양극모듈(1000)의 사시도이다.
도 3a는 도 2에 도시된 전해제련공정용 불활성 양극모듈(1000)이 도 1에 도시된 전해조 덮개(130)에 장입된 상태를 나타내는 도이다.
도 3b는 도 2에 도시된 전해제련공정용 불활성 양극모듈(1000)의 평면도이다.
도 4는 도 3b에 도시된 A-A 섹션도이다.
도 5는 도 4에 도시된 부분 B의 확대도이다.
도 6은 도 5에 도시된 슈라우드(1120)의 부분사시도이다.
도 7은 도 4에 도시된 부분 C의 확대도이다.
본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다.
또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 구체적인 설명에 앞서 후술되는 내용에 표현된 방향에 있어서, “상부”의 상(上)은 도 2에 도시된 하부하우징(1100)을 기준하여 상부하우징(1400) 측으로 향한 방향이며, “하부”의 하(下)는 상부하우징(1400)을 기준하여 하부하우징(1100) 측으로 향한 방향으로 정의한다.
이하, 도 2 내지 도 7을 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전해제련공정용 불활성 양극모듈(1000)에 대하여 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전해제련공정용 불활성 양극모듈(1000)의 사시도이다.
그리고 도 3a는 도 2에 도시된 전해제련공정용 불활성 양극모듈(1000)이 도 1에 도시된 전해조 덮개(130)에 장입된 상태를 나타내는 도이고, 도 3b는 도 2에 도시된 전해제련공정용 불활성 양극모듈(1000)의 평면도이다.
그리고 도 4는 도 3b에 도시된 A-A 섹션도이며, 도 7은 도 4에 도시된 부분 C의 확대도이다.
도 2 내지 도 4 및 도 7을 참조하면, 전해제련공정용 불활성 양극모듈(이하, ‘양극모듈’이라 함.)(1000)은 파이로프로세싱(Pyroprocessing)의 전해제련공정에서 용융염이 수용된 전해조 덮개(130)에 장입되는 양극모듈로써, 하부하우징(1100), 중부하우징(1200)(도 7 도시), 절연튜브(1300), 상부하우징(1400)을 포함한다.
상기 하부하우징(1100)은 용융염에 잠기는 양극(1710)이 내부에 수용되어 있으며, 상기 중부하우징(1200)은 상기 하부하우징(1100)의 상부에 설치되고 상기 전해조 덮개(130)에 장입되어 있다.
상기 절연튜브(1300)는 상기 양극모듈(1000)과 상기 전해조 덮개(130)간 통전을 방지하기 위한 구성으로써, 상기 중부하우징(1200)의 외측면을 감싸며, 보다 구체적으로 상기 전해조 덮개(130)와 상기 중부하우징(1200)간에 배치되어 있다.
상기 상부하우징(1400)은 상기 중부하우징(1200)의 상부에 설치되고 상기 양극(1710)에서 발생되는 반응기체가 상기 전해조(110)(도 1 도시)의 외부로 토출된다.
즉, 상기 하부하우징(1100)과 상기 중부하우징(1200)과 상기 상부하우징(1400)이 길이방향을 따라 상하 연결됨으로써, 반응기체는 상기 양극(1710)에서 발생되어 순차적으로 상기 하부하우징(1100), 상기 중부하우징(1200), 상기 상부하우징(1400)의 내부를 따라 유동되어 상기 상부하우징(1400)에서 체류된 후 상기 전해조(110) (도 1 도시)의 외부로 토출되어 정제기로 이송된다.
반응기체가 상기 양극모듈(1000)에서 유출되어 상기 전해조(110)(도 1 도시)의 내부에 분산되는 것을 방지하기 위하여, 상기 양극모듈(1000)에는 인슐레이터(1500)가 설치되어 있다.
상기 인슐레이터(1500)는 제 1 인슐레이터(1510), 제 2 인슐레이터(1520), 제 3 인슐레이터(1530)를 포함한다.
상기 제 1 인슐레이터(1510)는 상기 상부하우징(1400)의 상부에 설치되어 상기 상부하우징(1400)의 상면을 폐쇄하며, 상기 제 2 인슐레이터(1520)는 상기 상부하우징(1400)과 상기 중부하우징(1200) 간에 설치되어 상기 상부하우징(1400)과 상기 중부하우징(1200)을 연결시켜준다.
상기 제 3 인슐레이터(1530)는 상기 중부하우징(1200)과 상기 하부하우징(1100) 간에 설치되어 상기 중부하우징(1200)과 상기 하부하우징(1100)을 연결시켜준다.
상기 양극(1710)은 하부가 용융염에 잠기며, 상부는 양극리드(1720)에 물리적/전기적으로 연결되어 있다.
상기 양극리드(1720)는 순차적으로 상기 하부하우징(1100), 상기 중부하우징(1200), 상기 상부하우징(1400)의 내부를 따라 배치되며 상기 제 1 인슐레이터(1510)를 관통하여 상기 전해조(110)(도 1 도시)의 외부로 연장되어 있다.
상기 양극리드(1720)는 외측면에 리드절연튜브(1730)가 감싸져 있으며, 상기 리드절연튜브(1730)는 후술되는 배플(1600), 상기 상부하우징(1400), 상기 중부하우징(1200) 간 통전을 방지하기 위한 구성으로써, 산화알루미늄(Al2O3), 산화베릴륨(BeO) 등의 세라믹, 질화알루미늄(AIN) 재질이 사용되는 것이 바람직하다.
도 5는 도 4에 도시된 부분 B의 확대도이고, 도 6은 도 5에 도시된 슈라우드(1120)의 부분사시도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 하부하우징(1100)은 내부에 상기 슈라우드(shroud)(1120)가 배치되어 있다.
상기 양극(1710)과 상기 슈라우드(1120)가 STS 재질의 상기 하부하우징(1100)의 내부에 수용됨으로써, 충격에 약한 상기 양극(1710)과 상기 슈라우드(1120)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기 슈라우드(1120)는 상기 양극(1710)을 감싸는 원통부(1121)와, 상기 원통부(1121)의 하단에 설치되며 상기 양극(1710)의 일측 단부가 밀착되는 고정플레이트(1122)를 포함한다.
상기 고정플레이트(1122)의 상면에는 상기 양극(1710)의 일측 단부가 삽입, 밀착되도록 홈이 형성되어 있어 불특정 외력에 의하여 상기 양극(1710)의 위치가 변동되는 것을 방지해 줄 수 있다.
상기 하부하우징(1100)의 내부로 용융염이 유입되어 상기 양극(1710)의 표면으로 원활하게 유동되어 전류밀도를 향상시킬 수 있도록 상기 하부하우징(1100)의 일측에 상기 양극(1710)의 길이방향을 따라 장공(1110)이 형성되어 있다.
상기 하부하우징(1100)은 외측면에 상기 장공(1110)을 감싸는 다공성 메쉬(1130)가 설치되어 있다.
상기 슈라우드(1120)는 절연체로써, 보다 구체적으로 산화알루미늄(Al2O3), 산화베릴륨(BeO) 등의 세라믹, 질화알루미늄(AIN)과 같은 질화물 튜브이다.
상기 슈라우드(1120)의 상기 원통부(1121)에는 복수 개의 유입공(1121a)이 형성되어 있으며, 상기 유입공(1121a)은 상기 원통부(1121)에 전반적으로 분포, 형성되어 있다.
상기 유입공(1121a)은 직경이 0.1~1mm이며 상기 원통부(1121)에 5~10mm 간격으로 50~100개 정도 형성되어 있어서, 상기 유입공(1121a)을 통해 물질이동은 되지만 반응기체의 비산을 방지할 수 있다.
또한 상기 슈라우드(1120)는 탄화규소(SiC) 튜브가 사용될 수 있으며, 여기서 기공율이 낮은 경우 통전될 가능성이 있기 때문에 20~50% 기공율을 갖도록 하는 것이 바람직하다.
상기 양극(1710)에 발생된 반응기체는 상기 슈라우드(1120)를 거쳐 상기 중부하우징(1200)으로 유동된다.
도 7은 도 4에 도시된 부분 C의 확대도이다.
도 7을 참조하면, 반응기체가 상기 양극모듈(1000)의 상부로 유동 시, 용융염도 일부 휘발될 가능성이 있기 때문에 휘발된 용융염을 상기 하부하우징(1100)의 내부에 포획하기 위하여, 상기 중부하우징(1200)의 내부에 배플(baffle)(1600)이 설치되어 있다.
상기 배플(1600)은 복수 개의 블레이드(1630)와, 상기 블레이드(1630)가 이격배치되어 설치된 고정부(1620)와, 상기 고정부(1620)가 상기 양극리드(1720)의 길이방향을 따라 입설되도록 상기 중부하우징(1200)의 하부에 설치된 받침부(1610)를 포함한다.
상기 배플(1600)은 장기간 사용함에 따라 많은 양의 염이 응축될 수 있다.
이러한 경우, 상기 양극모듈(1000) 전체를 염 용융온도인 352℃ 보다 높은 온도로 가열하여 상기 배플(1600)에 응축된 염을 상기 양극모듈(1000)의 하부하우징(1100) 측으로 흘러 내리게 하여 상기 양극모듈(1000)을 지속적으로 사용할 수 있다.
여기서, 상기 양극모듈(1000)의 고온 가열 시, 상기 양극모듈(1000)에 사용된 테프론 소재의 구성은 상기 양극모듈(1000)에서 분리한 후 진행하는 것이 바람직하다.
상기 절연튜브(1300)는 상기 중부하우징(1200)의 외측면을 감싸는 외장튜브(1310)와, 상기 외장튜브(1310)의 상부에 설치되며 내부에 상기 제 2 인슐레이터(1520)가 삽입고정되는 확장부(1320)를 포함한다.
상기 외장튜브(1310)는 200~400℃의 고온구역에서 견딜 수 있고 상기 중부하우징(1200)과 상기 전해조 덮개(130)(도 3a 도시)간 통전을 방지하기 위하여, 산화알루미늄(Al2O3), 산화베릴륨(BeO) 등의 세라믹, 질화알루미늄(AIN) 재질이 사용되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 확장부(1320)는 200℃ 이하의 저온 구역에서 사용되므로 절연재인 테프론이 이용되는 것이 바람직하다.
상기 확장부(1320)의 내부에는 상기 제 2 인슐레이터(1520)가 삽입되며, 상기 양극모듈(1000)의 밀폐력을 보다 확보하기 위하여 상기 제 2 인슐레이터(1520)의 외측으로 돌출형성된 걸림부(1521)는 상기 확장부(1320)의 하부에 형성된 안착부(1321)에 거치된다.
상기 중부하우징(1200)의 내부를 거쳐 상기 상부하우징(1400)으로 유동되는 반응기체는 상기 상부하우징(1400)에 체류되며 상기 전해조(110)(도 1 도시)의 외부로 배출된다.
보다 구체적으로, 상기 상부하우징(1400)에서 배출되는 반응기체는 상기 전해조(110)(도 1 도시)의 외부에 설치된 상기 정제기로 이송되며, 상기 상부하우징(1400)의 일측에는 반응기체가 상기 정제기로 이송되기 위한 가스배출부(1410)가 설치되어 있다.
상기 가스배출부(1410)는 상기 상부하우징(1400)의 외측으로 돌출형성된 토출부(1411)와, 상기 토출부(1411)의 단부에 결합되는 체결부(1412)를 포함한다.
상기 체결부(1412)는 상기 정제기에 연결된 배출라인의 단부에 설치되며, 상기 배출라인과 상기 토출부(1411)의 결합 또는 분리가 용이하도록 상기 체결부(1412)와 상기 토출부(1411)는 볼트결합방식으로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 체결부(1412)는 200℃ 이하의 저온 구역에서 사용되고 상기 상부하우징(1400)과 상기 배출라인간 통전을 방지하기 위하여, 상기 체결부(1412)의 재질 또한 테프론이 이용되는 것이 바람직하다.
전술된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 양극모듈(1000)은 상기 슈라우드(1100), 상기 상, 중, 하부하우징(1400,1200,1100)의 내부로 반응기체가 유동되어 상기 전해조(110)의 외부로 배출됨으로써, 반응기체가 상기 전해조(110)의 내부로 분산되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 절연튜브(1300) 및 상기 슈라우드(1100)를 통해 상기 양극, 상기 상, 중, 하부하우징(1400,1200,1100) 및 상기 전해조 덮개(130) 간 통전이 억제될 수 있다.
또한, 상기 중부하우징(1200) 내부에 배치된 상기 배플(1600)을 통해 염분말에 의하여 상기 가스배출부(1410)가 막히는 것을 방지할 수 있다.
상기와 같이 도면과 명세서에서 최적의 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100 : 전해제련장치 1000 : 전해제련공정용 불활성 양극모듈
1100 : 하부하우징 1200 : 중부하우징
1300 : 절연튜브 1400 : 상부하우징
1500 : 인슐레이터 1600 : 배플
1120 : 슈라우드

Claims (15)

  1. 파이로프로세싱(Pyroprocessing)의 전해제련공정에서 용융염이 수용된 전해조의 덮개에 장입되는 양극모듈에 있어서,
    상기 용융염에 잠기는 양극이 내부에 수용된 하부하우징;
    상기 하부하우징의 상부에 설치되고 상기 덮개에 장입된 중부하우징;
    상기 중부하우징의 외측면을 감싸는 절연튜브; 및
    상기 중부하우징의 상부에 설치되고, 일측에 상기 양극에서 발생되는 반응기체가 상기 전해조의 외부로 토출되는 가스배출부가 설치된 상부하우징;
    을 포함하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 양극의 상부에 연결된 양극리드를 감싸는 리드절연튜브를 더 포함하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부하우징은
    일측에 상기 양극의 길이방향을 따라 장공이 형성되고, 상기 장공을 감싸는 다공성 메쉬가 설치된 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부하우징은
    내부에 상기 양극을 감싸는 슈라우드(shroud)가 배치된 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 슈라우드는
    산화알루미늄(Al2O3)과 산화베릴륨(BeO) 등의 세라믹, 또는 질화알루미늄(AIN)과 같은 질화물 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 슈라우드는
    직경이 0.1~1mm인 복수 개의 유입공이 형성된 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 슈라우드는
    20~50% 기공율을 갖는 탄화규소(SiC) 튜브인 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 슈라우드는
    상기 양극을 감싸는 원통부; 및
    상기 원통부의 하단에 설치되며, 상기 양극의 일측 단부가 밀착되는 고정플레이트;
    를 포함하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 중부하우징은
    내부에 배플(baffle)이 설치된 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 배플은
    복수 개의 블레이드;
    상기 블레이드가 이격배치되어 설치된 고정부; 및
    상기 고정부가 상기 중부하우징의 길이방향을 따라 입설되도록 상기 중부하우징의 하부에 설치된 받침부;
    를 포함하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 양극모듈의 가열 시, 상기 배플에 응축된 염이 상기 하부하우징 측으로 유동되는 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
  12. 제 2 항에 있어서,
    상기 절연튜브는
    상기 중부하우징의 외측면을 감싸는 외장튜브; 및
    상기 외장튜브의 상부에 설치되고, 상기 상부하우징과 상기 중부하우징 간에 배치된 인슐레이터가 내부에 삽입고정되는 확장부;
    를 포함하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 리드절연튜브 또는 상기 절연튜브 중 어느 하나는
    산화알루미늄(Al2O3)과 산화베릴륨(BeO) 등의 세라믹, 또는 질화알루미늄(AIN)과 같은 질화물 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 가스배출부는
    상기 상부하우징의 외측으로 돌출형성된 토출부; 및
    정제기에 연결된 배출라인의 단부에 설치되어 상기 토출부의 단부에 결합되는 체결부;
    를 포함하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 확장부 또는 상기 체결부 중 어느 하나는 테프론 소재로 형성된 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈.
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KR20110131605A (ko) * 2010-05-31 2011-12-07 한국원자력연구원 금속재질의 양극덮개를 포함하는 전해환원장치 및 이를 이용한 전해환원 방법
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KR20160018983A (ko) * 2014-08-08 2016-02-18 한국원자력연구원 이산화탄소의 배출이 용이한 탄소전극 기반 용융염 전해환원 시스템 및 이를 이용한 금속산화물의 전해환원방법

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