KR101726630B1 - Quantum-dot light emitting diode - Google Patents
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Abstract
본 발명은 양자 발광 소자에 인가되는 전압이 변하여도 안정적인 백색을 구현하는 양자 발광 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 양자 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 양극; 상기 양극 상에 형성되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성되며, 코어, 상기 코어를 감싸는 쉘 및 상기 쉘을 감싸는 리간드로 구성된 적색 양자점, 녹색 양자점 및 청색 양자점이 혼합된 양자 발광층; 상기 양자 발광층 상에 형성되는 전자 수송층; 및 상기 전자 수송층 상에 형성된 음극을 포함하여 이루어지며, 상기 적색 양자점, 녹색 양자점 및 청색 양자점의 리간드들은 각각 HOMO 준위가 다른 물질로 형성된다.[0001] The present invention relates to a quantum-emitting device which realizes stable white even when a voltage applied to the quantum-emitting device changes, and the quantum-emitting device according to the present invention comprises a substrate; A positive electrode formed on the substrate; A hole transport layer formed on the anode; A quantum luminescent layer formed on the hole transport layer and comprising a red quantum dot, a green quantum dot, and a blue quantum dot, the core including a core, a shell surrounding the core, and a ligand surrounding the shell; An electron transport layer formed on the quantum luminescent layer; And a cathode formed on the electron transport layer, wherein the ligands of the red quantum dot, the green quantum dot, and the blue quantum dot are formed of materials having different HOMO levels from each other.
Description
본 발명은 양자 발광 소자에 관한 것으로, 특히, 크기가 다른 복수개의 양자점을 이용하여 백색을 구현하는 양자 발광 소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
정보화 사회에서 디스플레이(Display)는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 한층 강조되고 있으며, 향후 주요한 위치를 점하기 위해서는 저소비전력화, 박형화, 경량화, 고화질화 등의 요건을 충족시켜야 한다.In the information society, display has become more important as a visual information delivery medium, and it is necessary to meet requirements such as low power consumption, thinning, light weight, and high image quality in order to take a major position in the future.
이러한 디스플레이 중 발광 재료를 이용하여 표시가 가능하며, 슬림화가 가능하며, 색순도가 높고 또한, 장시간 구동이 가능한 양자 발광 소자가 근래 연구되고 있다.Among these displays, a quantum luminescent device capable of being displayed using a light emitting material, capable of being slim, having high color purity, and capable of being driven for a long time has been studied recently.
양자점(QD:Quantum Dot)은 반도체 나노입자이다. 직경이 나노미터 크기의 양자점은 불안정한 상태의 전자가 전도대에서 가전자대로 내려오면서 발광하는데, 양자점의 입자가 작을수록 짧은 파장의 빛이 발생하고, 입자가 클수록 긴 파장의 빛이 발생한다. 이는 기존의 반도체 물질과 다른 독특한 전기적이며 광학적인 특성이다. 따라서 양자점의 크기를 조절하면 원하는 파장의 가시광선을 표현하고, 여러 크기의 양자점과 양자점 성분을 달리하여 다양한 색을 동시에 구현할 수 있다.Quantum dots (QDs) are semiconductor nanoparticles. Quantum dots with a diameter of nanometer size emit electrons in an unstable state from a conduction band to a valence band. The smaller the quantum dots, the shorter wavelength light is generated. The larger the particle, the longer wavelength light is generated. This is a unique electrical and optical property that is different from conventional semiconductor materials. Therefore, by regulating the size of the quantum dots, the visible light of a desired wavelength can be expressed, and various colors can be simultaneously realized by different quantum dots and quantum dots.
일반적인 유기 발광 표시 소자는 발광층의 재료로 유기 발광 재료를 사용하며, 유기 발광 재료를 사용하는 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)는 소자의 종류에 따라 백색, 적색, 청색 등 단일색을 구현하는데, 많은 빛을 화려하게 표현하기에는 한계가 있다.An organic light emitting display device uses an organic light emitting material as a light emitting layer material, and an organic light emitting diode (OLED) using a light emitting material has a single color such as white, red, and blue depending on the type of device , There is a limit to expressing a lot of light spectacularly.
이에 반해, 양자점 발광 소자는 발광층의 재료로 양자점을 사용하는 표시 소자이며, 양자점의 크기를 제어하여 원하는 천연색을 구현할 수 있으며, 색재현율이 좋고 휘도 또한 발광다이오드에 뒤쳐지지 않아 차세대 광원으로 주목 받는 발광다이오드(LED: Light Emitting Diode)의 단점을 보완할 수 있는 소재로 각광받고 있으며, 크기가 다른 복수개의 양자점을 이용하여 백색을 구현할 수 있다.On the other hand, the quantum dot light emitting element is a display element using quantum dots as a material of the light emitting layer, and can control the size of quantum dots to realize a desired natural color, has good color reproducibility and luminance, and is not lagging behind the light emitting diode. The light emitting diodes (LEDs) are well-known as materials that can overcome the disadvantages of the light emitting diodes (LEDs) and can realize white light using a plurality of quantum dots having different sizes.
이하, 백색을 발광하는 일반적인 양자점 발광 소자의 구조를 설명한다.Hereinafter, the structure of a general quantum dot light emitting device which emits white light will be described.
도 1a는 일반적인 양자점 발광 소자의 단면도이며, 도 1b는 도 1a의 밴드갭 에너지 다이어그램도이며, 도 2는 양자 발광 소자의 색좌표를 나타낸 도면이다.FIG. 1A is a cross-sectional view of a general quantum dot light emitting device, FIG. 1B is a band gap energy diagram of FIG. 1A, and FIG. 2 is a color coordinate diagram of a quantum dot light emitting device.
도 1a를 참조하면, 양자점 발광 소자는, 기판(100) 상에 서로 대향된 양극(10) 및 음극(50)과, 상기 양극(10)과 음극(50) 사이에 형성된 양자 발광층(30)과, 상기 양극(10)과 양자 발광층(30) 사이에 형성된 정공 수송층(20)과, 상기 양자 발광층(30)과 음극(50) 사이에 형성된 전자 수송층(40)을 포함하여 이루어진다.1A, a quantum dot light emitting device includes a
여기서, 상기 양자 발광층(30)은 직경이 나노미터 크기인 복수개의 양자점들로 구성되며, 적색(Red) 양자점(30R), 녹색(Green) 양자점(30G) 및 청색(Blue) 양자점(30B)들을 혼합되어 백색을 구현할 수 있다.The quantum
상기 양자점은 그 중심에 빛을 내는 코어(Core) 성분이 있고, 상기 코어 표면에는 그 표면을 보호하기 위해 쉘(Shell)이 둘러싸고 있다. The quantum dot has a core component that emits light at its center, and a shell surrounds the core surface to protect the surface.
그리고, 상기 양자 발광층(30)은 용매에 복수개의 양자점들을 분산시킨 후, 용액 공정(Solution Process)으로 상기 정공 수송층(20) 상에 상기 복수개의 양자점들이 분산된 용매를 도포한 후 상기 용매를 휘발시켜 형성되므로, 상기 쉘(Shell) 표면에는 양자점이 용매에 잘 분산되도록 리간드(Ligand)가 둘러싸고 있다. The quantum
상기 정공 수송층(20)은 상기 양극(10)으로부터 정공 주입을 용이하게 해주고, 상기 양자점으로 정공을 전달하는 역할을 하며, 상기 전자 수송층(40)은 상기 음극(50)으로부터 전자 주입을 용이하게 해주고, 상기 양자점으로 전자를 전달하는 역할을 한다.The
상기 적색 양자점(30R), 녹색 양자점(30G) 및 청색 양자점(30B)은 빛을 내는 코어 성분만 다를 뿐, 쉘과 리간드는 같은 물질로 형성된다. 그런데, 상기 적색 양자점(30R), 녹색 양자점(30G) 및 청색 양자점(30B)의 코어의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 준위가 다르므로, 상기 양자점들의 구동 전압이 다르다.The red
구체적으로, 상기 적색 양자점(30R)의 HOMO 준위가 가장 높고 상기 청색 양자점(30B)의 HOMO 준위가 가장 낮다. 그리고, 양자점의 HOMO 준위가 높을수록 정공이 양자점으로 주입되기 쉬우므로, 적색 양자점(30R)의 구동 전압이 가장 낮고, 청색 양자점(30B)의 구동 전압이 가장 높다.Specifically, the HOMO level of the red
즉, 백색을 구현하기 위해 적색 양자점(30R), 녹색 양자점(30G) 및 청색 양자점(30B)이 혼합된 양자 발광층을 갖는 양자 발광 소자는 인가되는 전압에 따라 구현되는 백색이 다르다.That is, the quantum luminescent device having the quantum luminescent layer in which the red quantum dot 30R, the green
도 2를 참조하면, 높은 전압을 인가할수록 구현되는 백색의 색좌표가 청색쪽으로 이동한다. 낮은 전압을 인가하면 구동 전압이 가장 낮은 적색 양자점(도 1b의 30R)으로 전자와 정공이 먼저 주입되어 엑시톤(Exciton)이 형성되고, 높은 전압을 인가하면 구동 전압이 가장 높은 청색 양자점(도 1b의 30B)에서도 많은 엑시톤이 형성되므로, 양자 발광 소자에 인가되는 전압에 따라 구현되는 백색이 다르다.Referring to FIG. 2, as the high voltage is applied, the white color coordinates implemented are shifted to blue. When a low voltage is applied, electrons and holes are first injected into a red quantum dot (30R in FIG. 1B) having the lowest driving voltage to form an exciton, and when a high voltage is applied, a blue
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 적색 양자점, 녹색 양자점 및 청색 양자점의 구동 전압을 맞추어 안정적인 백색을 구현하는 양자 발광 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a quantum luminescent device which realizes a stable white color by matching drive voltages of a red quantum dot, a green quantum dot and a blue quantum dot.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양자 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 양극; 상기 양극 상에 형성되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성되며, 코어, 상기 코어를 감싸는 쉘 및 상기 쉘을 감싸는 리간드로 구성된 적색 양자점, 녹색 양자점 및 청색 양자점이 혼합된 양자 발광층; 상기 양자 발광층 상에 형성되는 전자 수송층; 및 상기 전자 수송층 상에 형성된 음극을 포함하여 이루어지며, 상기 적색 양자점, 녹색 양자점 및 청색 양자점의 리간드들은 각각 HOMO 준위가 다른 물질로 형성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a quantum-emitting device including: a substrate; A positive electrode formed on the substrate; A hole transport layer formed on the anode; A quantum luminescent layer formed on the hole transport layer and comprising a red quantum dot, a green quantum dot, and a blue quantum dot, the core including a core, a shell surrounding the core, and a ligand surrounding the shell; An electron transport layer formed on the quantum luminescent layer; And a cathode formed on the electron transport layer, wherein the ligands of the red quantum dot, the green quantum dot, and the blue quantum dot are formed of materials having different HOMO levels from each other.
상기 적색 양자점의 리간드의 HOMO 준위가 상기 녹색 양자점의 리간드의 HOMO 준위보다 낮다.The HOMO level of the ligand of the red quantum dot is lower than the HOMO level of the ligand of the green quantum dot.
상기 청색 양자점의 리간드의 HOMO 준위가 상기 녹색 양자점의 리간드의 HOMO 준위보다 높다.The HOMO level of the ligand of the blue quantum dot is higher than the HOMO level of the ligand of the green quantum dot.
상기 적색 양자점의 리간드는 옥타데실아민(Octadecylamine)이다.The ligand of the red quantum dot is octadecylamine.
상기 녹색 양자점의 리간드는 옥틸아민(Octylamine)이다.The ligand of the green quantum dot is octylamine.
상기 청색 양자점의 리간드는 부틸아민(Butylamine)이다.The ligand of the blue quantum dot is butylamine.
또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양자 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 양극; 상기 양극 상에 형성되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성되며, 코어, 상기 코어를 감싸는 쉘 및 상기 쉘을 감싸는 리간드로 구성된 적색 양자점, 녹색 양자점 및 청색 양자점이 혼합된 양자 발광층; 상기 양자 발광층 상에 형성되는 전자 수송층; 및 상기 전자 수송층 상에 형성된 음극을 포함하여 이루어지며, 상기 적색 양자점, 녹색 양자점 및 청색 양자점의 쉘들은 각각 두께가 다르다.According to another aspect of the present invention, there is provided a quantum luminescent device comprising: a substrate; A positive electrode formed on the substrate; A hole transport layer formed on the anode; A quantum luminescent layer formed on the hole transport layer and comprising a red quantum dot, a green quantum dot, and a blue quantum dot, the core including a core, a shell surrounding the core, and a ligand surrounding the shell; An electron transport layer formed on the quantum luminescent layer; And a cathode formed on the electron transport layer, wherein the shells of the red quantum dot, the green quantum dot, and the blue quantum dot have different thicknesses.
상기 적색 양자점의 쉘의 두께가 상기 녹색 양자점의 쉘의 두께보다 두껍다.The thickness of the shell of the red quantum dot is thicker than the thickness of the shell of the green quantum dot.
상기 청색 양자점의 쉘의 두께가 상기 녹색 양자점의 쉘의 두께보다 얇다.The shell thickness of the blue quantum dot is thinner than the shell thickness of the green quantum dot.
상기와 같은 본 발명의 양자 발광 소자는, 적색 양자점, 녹색 양자점 및 청색 양자점의 구동 전압을 맞추어, 인가되는 전압에 관계없이 안정적인 백색을 구현한다.The quantum-emitting device of the present invention as described above realizes stable white regardless of the applied voltage by matching the driving voltages of the red quantum dot, the green quantum dot, and the blue quantum dot.
도 1a는 일반적인 양자점 발광 소자의 단면도.
도 1b는 도 1a의 밴드갭 에너지 다이어그램도.
도 2는 양자 발광 소자의 색좌표를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 밴드갭 에너지 다이어그램도
도 4a, 4b 및 4c는 각각 본 발명의 제 1 실시예에 따른 적색(Red) 양자점, 녹색(Green) 양자점 및 청색(Blue) 양자점의 밴드갭 에너지 다이어그램도.
도 5a, 5b 및 5c는 각각 본 발명의 제 2 실시예에 따른 적색(Red) 양자점, 녹색(Green) 양자점 및 청색(Blue) 양자점의 밴드갭 에너지 다이어그램도.1A is a cross-sectional view of a general quantum dot light emitting device.
1B is a bandgap energy diagram of FIG. 1A. FIG.
2 is a view showing the color coordinates of a quantum-emitting device.
FIG. 3 is a bandgap energy diagram of a quantum dot light emitting device according to the first embodiment of the present invention
Figures 4a, 4b and 4c are bandgap energy diagrams of red, green, and blue quantum dots, respectively, according to the first embodiment of the present invention.
5a, 5b and 5c are bandgap energy diagrams of a red quantum dot, a green quantum dot and a blue quantum dot, respectively, according to a second embodiment of the present invention.
본 발명의 양자 발광 소자는, 양자 발광층을 구성하는 적색(Red) 양자점, 녹색(Green) 양자점 및 청색(Blue) 양자점이 각각 밸런스 밴드가 다른 리간드를 갖거나, 각각 두께가 다른 쉘을 가져 구동 전압이 동일하여 안정적인 백색을 구현할 수 있다.The quantum luminescent device of the present invention is characterized in that the red quantum dots, the green quantum dots and the blue quantum dots constituting the quantum luminescent layer have ligands different in balance band from each other, So that a stable white color can be realized.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 양자 발광 소자를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the quantum-emitting device of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
* 제 1 실시예 ** First Embodiment *
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 밴드갭 에너지 다이어그램도이며, 도 4a, 4b 및 4c는 각각 본 발명의 제 1 실시예에 따른 적색(Red) 양자점, 녹색(Green) 양자점 및 청색(Blue) 양자점의 밴드갭 에너지 다이어그램도이다.FIG. 3 is a bandgap energy diagram of the quantum dot light emitting device according to the first embodiment of the present invention. FIGS. 4A, 4B and 4C are diagrams illustrating a red quantum dot, a green (green) A quantum dot, and a blue quantum dot.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자 발광 소자는, 기판(미도시), 상기 기판(미도시) 상에 형성된 양극(110), 상기 양극(110) 상에 형성되는 정공 수송층(120), 상기 정공 수송층(120) 상에 형성되며, 코어(Core), 상기 코어를 감싸는 쉘(Shell) 및 상기 쉘을 감싸는 리간드(Ligand)로 구성된 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)이 혼합된 양자 발광층(130), 상기 양자 발광층(130) 상에 형성되는 전자 수송층(140), 그리고, 상기 전자 수송층(140) 상에 형성된 음극(150)을 이루어지며, 상기 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)의 리간드들은 각각 HOMO 준위가 다른 물질로 형성된다.3, a quantum luminescent device according to a first embodiment of the present invention includes a substrate (not shown), an
그리고, 도시하지는 않았지만, 상기 양극(110)과 정공 수송층(120) 사이에 정공 주입층이 더 형성될 수 있으며, 상기 전자 수송층(140)과 음극(150) 사이에 전자 주입층과 정공 억제층이 더 형성될 수 있다. 상기 정공 억제층은 상기 양자 발광층(130)으로 주입된 정공이 전자 수송층으로 이동하는 것을 방지하는 기능을 한다.Although not shown, a hole injection layer may be further formed between the
상기 기판(미도시)의 종류는 특별히 한정되지 않고 다양하게 가능하며, 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 실리콘 기판 등이 가능하다. The type of the substrate (not shown) is not particularly limited and may be various, and a glass substrate, a plastic substrate, a silicon substrate, or the like can be used.
그리고, 상기 양극(110)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide), 아연 산화물(Zinc Oxide), 인듐 산화물(Indium Oxide), 주석 산화물(Tin Oxide), 인듐 아연 산화물(Indium Tin Oxide)로부터 선택되는 투명 전극으로 이루어지며, 상기 음극(150)은 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 바륨(Ba) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 이루어진다.The
상기 양극(110) 상에 형성되는 정공 수송층(120)은 상기 양극(110)으로부터 정공 주입을 용이하게 해주고, 상기 양자 발광층(130)으로 정공을 전달하는 역할을 한다.The
상기 양자 발광층(130)은 1㎚ 내지 100㎚의 직경을 갖는 나노 크기의 양자점들로 구성되며, 상기 양자 발광층(130)은 백색을 구현하기 위해 크기가 다른 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)이 혼합된 구조이다.The quantum
상기 양자점은 그 중심에 빛을 내는 코어(Core) 성분이 있고, 상기 코어 표면에는 그 표면을 보호하기 위해 쉘(Shell)이 둘러싸고 있다. The quantum dot has a core component that emits light at its center, and a shell surrounds the core surface to protect the surface.
그리고, 상기 양자 발광층(130)은 용매에 복수개의 양자점들을 분산시킨 후, 용액 공정(Solution Process)으로 상기 정공 수송층(120) 상에 상기 복수개의 양자점들이 분산된 용매를 도포한 후 상기 용매를 휘발시켜 형성되므로, 상기 쉘(Shell) 표면에는 양자점이 용매에 잘 분산되도록 리간드(Ligand)가 둘러싸고 있다. The quantum
상기 코어와 쉘은 나노 크기의 무기반도체이며, 쉘은 코어보다 밴드갭이 큰 물질로 이루어진다.The core and the shell are nano-sized inorganic semiconductors, and the shell is made of a material having a band gap larger than that of the core.
예를 들어, 상기 양자점의 코어 또는 쉘은 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴설파이드(CdS), 카드뮴텔레라이드(CdTe), 징크셀레나이드(ZnSe), 징크텔레라이드(ZsTe), 징크설파이드(ZnS), 머큐리텔레라이드(HgTe)와 같은 2-6족 반도체 화합물 또는, 인듐 아세나이드(InAs), 인듐 포스파이드(InP)와 같은 3-5족 반도체 화합물 등으로부터 선택된다.For example, the cores or shells of the quantum dots may be made of cadmium selenide (CdSe), cadmium sulfide (CdS), cadmium teleide (CdTe), zinc selenide (ZnSe), zinc teleride (ZsTe), zinc sulfide , And mercury teleride (HgTe), or a 3-5 group semiconductor compound such as indium arsenide (InAs) or indium phosphide (InP).
그런데, 상기 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)은 코어의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 준위가 다르다. 상기 적색 양자점(30R)의 코어의 HOMO 준위가 가장 높고, 상기 청색 양자점(30B)의 코어의 HOMO 준위가 가장 낮다. 그리고, 양자점의 HOMO 준위가 높을수록 정공이 주입되기 쉬우므로, 적색 양자점(130R)의 구동 전압이 가장 낮고, 청색 양자점(130B)의 구동 전압이 가장 높다.The HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) level of the
즉, 상술한 바와 같이, 상기 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)의 구동 전압이 다르므로, 낮은 전압을 인가하면 구동 전압이 가장 낮은 적색 양자점(130R)으로 전자와 정공이 먼저 주입되어 엑시톤(Exciton)이 형성되고, 높은 전압을 인가하면 구동 전압이 가장 높은 청색 양자점(130B)에서도 많은 엑시톤이 형성되므로, 양자 발광 소자에 인가되는 전압에 따라 구현되는 백색이 다르다.As described above, since the drive voltages of the
따라서, 본 발명의 양자 발광 소자는, 상기 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)의 구동 전압을 동일하게 맞추기 위해 상기 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)의 리간드를 HOMO 준위가 다른 물질로 형성한다.Therefore, the quantum-efficiency light emitting device of the present invention is characterized in that the
상기 리간드는 상기 정공 수송층(120)에서 양자점으로 정공이 주입될 때, 상기 코어의 HOMO 준위보다 더 하측에 HOMO 준위를 갖게 되어, 상기 정공이 양자점으로 주입될 때, 에너지 배리어로 기능하게 된다.When the hole is injected into the quantum dot in the
즉, 구동 전압이 가장 낮은 적색 양자점(130R)의 리간드는 낮은 HOMO 준위를 갖는 물질로 형성하고, 구동 전압이 가장 높은 청색 양자점(130B)의 리간드는 높은 HOMO 준위를 갖는 물질로 형성하여, 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)의 구동 전압이 동일해지도록 한다.That is, the ligand of the
구체적으로, 도 4a와 같이, 구동 전압이 가장 낮은 적색 양자점(130R)의 리간드는 HOMO 준위가 낮은 물질로 형성하여, 상기 적색 양자점(130R)의 리간드가 적색 양자점(130R)으로 주입되는 정공에 대해 높은 에너지 장벽으로 기능한다. 따라서, 상기 적색 양자점(130R)의 구동 전압이 높아진다. 그리고, 도 4c와 같이, 구동 전압이 가장 높은 청색 양자점(130B)의 리간드는 HOMO 준위가 높은 물질로 형성한다. 따라서, 상기 청색 양자점(130B)으로 정공이 잘 주입되어 청색 양자점(130B)의 구동 전압이 낮아진다. 4A, the ligand of the
그리고, 도 4b와 같이, 녹색 양자점(130G)의 리간드는 상기 적색 양자점(도 4a의 130R)의 리간드의 HOMO 준위와 청색 양자점(도 4c의 130B)의 리간드의 HOMO 준위의 사이의 HOMO 준위를 갖는 물질로 형성한다.4B, the ligand of the
상술한 바와 같이, 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)의 구동 전압을 동일하게 맞추어주어 인가되는 전압에 따른 색변화 현상을 방지하여 안정적인 백색을 구현할 수 있다. As described above, the driving voltages of the
이 때, 상기 적색 양자점(130R)의 리간드는 옥타데실아민(Octadecylamine; ODA)이며, 상기 녹색 양자점(130G)의 리간드는 옥틸아민(Octylamine; OA)이며, 상기 청색 양자점(130B)의 리간드는 부틸아민(Butylamine; BA)인 것이 바람직하다.At this time, the ligand of the
상기 양자 발광층(130) 상에 형성된 전자 수송층(140)은 상기 음극(150)으로부터 전자 주입을 용이하게 해주고, 상기 양자 발광층(130)으로 전자를 전달하는 역할을 한다. 상기 정공 수송층(120)은, TPD(N,N'-Bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), PPV(poly(p-phenylene vinylene), PVK(Poly-N-Vinylcarbazole), NPD(N,N'-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), CBP(4, 4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl), DNA-CTMA(cetyl trimethylammonium-Deoxyribonucleic acid), mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl), PEDOT:PSS(poly(3,4 - ethylenedioxythiophene)- poly(styrene sulfonate) 등과 같은 물질로 형성되며, 상기 전자 수송층(140)은 TAZ(3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-t-butylphenyl-1,2,4-triazole), BCP(basocuproine), TPBI(1,3,5- tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene), Alq3(tris(8-quinolinolato)aluminium complex) 등과 같은 물질로 형성된다. The
* 제 2 실시예 ** Second Embodiment *
도 5a, 5b 및 5c는 각각 본 발명의 제 2 실시예에 따른 적색(Red) 양자점, 녹색(Green) 양자점 및 청색(Blue) 양자점의 밴드갭 에너지 다이어그램도이다.FIGS. 5A, 5B, and 5C are band diagram energy diagrams of a red quantum dot, a green quantum dot, and a blue quantum dot, respectively, according to the second embodiment of the present invention.
이때, 중복된 설명을 피하기 위해, 앞서 설명한 도 3의 설명과 동일한 역할을 하는 동일 부분에 대해서는 동일 부호를 부여하며, 특징적인 내용만을 살펴보겠다.In order to avoid redundant explanations, the same reference numerals are assigned to the same parts that have the same functions as those in FIG. 3 described above, and only the characteristic contents will be described.
도 5a, 5b 및 5c을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양자점 발광 소자는 기판(미도시), 상기 기판(미도시) 상에 형성된 양극(110), 상기 양극(110) 상에 형성되는 정공 수송층(120), 상기 정공 수송층(120) 상에 형성되며, 코어(Core), 상기 코어를 감싸는 쉘(Shell) 및 상기 쉘을 감싸는 리간드(Ligand)로 구성된 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)이 혼합된 양자 발광층(130), 상기 양자 발광층(130) 상에 형성되는 전자 수송층(140), 그리고, 상기 전자 수송층(140) 상에 형성된 음극(150)을 이루어지며, 상기 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)의 쉘들은 각각 두께가 다르다.5A, 5B and 5C, the quantum dot light emitting device according to the second embodiment of the present invention includes a substrate (not shown), an
그리고, 도시하지는 않았지만, 상기 양극(110)과 정공 수송층(120) 사이에 정공 주입층이 더 형성될 수 있으며, 상기 전자 수송층(140)과 음극(150) 사이에 전자 주입층과 정공 억제층이 더 형성될 수 있다. 상기 정공 억제층은 상기 양자 발광층(130)으로 주입된 정공이 전자 수송층으로 이동하는 것을 방지하는 기능을 한다.Although not shown, a hole injection layer may be further formed between the
이와 같은 구성에서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양자 발광 소자는, 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)의 코어를 둘러싸는 쉘의 두께를 다르게 하여, 상기 각 쉘이 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)으로 주입되는 정공의 에너지 배리어로 기능하여, 상기 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)의 구동 전압을 동일하게 맞출 수 있다.In the quantum luminescent device according to the second embodiment of the present invention, the thickness of the shell surrounding the cores of the
구체적으로, 도 5a와 같이, 구동 전압이 가장 낮은 적색 양자점(130R)의 쉘이 두께가 가장 두껍다. 따라서, 상기 쉘이 적색 양자점(130R)으로 주입되는 정공의 높은 에너지 장벽으로 기능하여 상기 적색 양자점(130R)의 구동 전압이 높아진다. 그리고, 도 5c와 같이, 구동 전압이 가장 높은 청색 양자점(130B)의 쉘이 두께가 가장 얇아 상기 청색 양자점(130B)으로 정공이 잘 주입되어 청색 양자점(130B)의 구동 전압이 낮아진다. 그리고, 도 5b와 같이, 녹색 양자점(130G)의 쉘은 적색 양자점(도 5a의 130R)의 쉘의 두께보다 두껍고, 청색 양자점(도 5c의 130B)의 쉘의 두께보다 얇도록 형성한다.Specifically, as shown in FIG. 5A, the shell of the
따라서, 적색 양자점(130R), 녹색 양자점(130G) 및 청색 양자점(130B)의 구동 전압을 동일하게 맞추어 인가되는 전압에 따른 색변화 현상을 방지하여 안정적인 백색을 구현할 수 있다. Accordingly, the driving voltage of the
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Will be apparent to those of ordinary skill in the art.
110: 양극 120: 정공 수송층
130R: 적색 양자점 130G: 녹색 양자점
130B: 청색 양자점 130: 양자 발광층
140: 전자 수송층 150: 음극110: anode 120: hole transport layer
130R: red
130B: blue quantum dot 130: quantum luminescent layer
140: electron transport layer 150: cathode
Claims (9)
상기 기판 상에 형성된 양극;
상기 양극 상에 형성되는 정공 수송층;
상기 정공 수송층 상에 형성되며, 코어, 상기 코어를 감싸는 쉘 및 상기 쉘을 감싸는 리간드로 구성된 적색 양자점, 녹색 양자점 및 청색 양자점이 혼합된 양자 발광층;
상기 양자 발광층 상에 형성되는 전자 수송층; 및
상기 전자 수송층 상에 형성된 음극을 구비하며,
상기 적색 양자점의 리간드의 HOMO 준위가 상기 녹색 양자점의 리간드의 HOMO 준위보다 낮고, 상기 청색 양자점의 리간드의 HOMO 준위가 상기 녹색 양자점의 리간드의 HOMO 준위보다 높거나,
상기 적색 양자점의 쉘의 두께가 상기 녹색 양자점의 쉘의 두께보다 두껍고, 상기 청색 양자점의 쉘의 두께가 상기 녹색 양자점의 쉘의 두께보다 얇은 양자 발광 소자.Board;
A positive electrode formed on the substrate;
A hole transport layer formed on the anode;
A quantum luminescent layer formed on the hole transport layer and comprising a red quantum dot, a green quantum dot, and a blue quantum dot, the core including a core, a shell surrounding the core, and a ligand surrounding the shell;
An electron transport layer formed on the quantum luminescent layer; And
And a cathode formed on the electron transporting layer,
Wherein the HOMO level of the ligand of the red quantum dot is lower than the HOMO level of the ligand of the green quantum dot and the HOMO level of the ligand of the blue quantum dot is higher than the HOMO level of the ligand of the green quantum dot,
Wherein the shell of the red quantum dot is thicker than the shell of the green quantum dot and the shell of the blue quantum dot is thinner than the shell of the green quantum dot.
상기 적색 양자점의 리간드의 HOMO 준위가 상기 녹색 양자점의 리간드의 HOMO 준위보다 낮고, 상기 청색 양자점의 리간드의 HOMO 준위가 상기 녹색 양자점의 리간드의 HOMO 준위보다 높을 때,
상기 적색 양자점의 리간드는 옥타데실아민(Octadecylamine)이며,
상기 녹색 양자점의 리간드는 옥틸아민(Octylamine)이며,
상기 청색 양자점의 리간드는 부틸아민(Butylamine)인 양자 발광 소자.The method according to claim 1,
When the HOMO level of the ligand of the red quantum dot is lower than the HOMO level of the ligand of the green quantum dot and the HOMO level of the ligand of the blue quantum dot is higher than the HOMO level of the ligand of the green quantum dot,
The ligand of the red quantum dot is octadecylamine,
The ligand of the green quantum dot is octylamine,
And the ligand of the blue quantum dot is butylamine.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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