KR101723554B1 - Ｕｈｆ 전자 물품 감시 시스템들에서 사용하기 위한 금속 산화물 반도체 디바이스 - Google Patents

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Abstract

전자 물품 감시("EAS") 태그 및 비활성화 디바이스와 태그를 물리적으로 접촉시킬 필요 없이 EAS 태그들을 비활성화시키기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. EAS 태그는 주어진 브레이크다운 전압(breakdown voltage) 임계값을 갖는 금속-산화물-반도체("MOS") 커패시터와 같은 비-선형 디바이스로 기존 다이오드를 대체한다. MOS 커패시터를 통해 미리결정된 전압을 유도하게 되면 EAS 조회 시스템에서 EAS 태그가 감지불가능하게 되는 MOS 커패시터의 파손이 초래된다.

Description

ＵＨＦ 전자 물품 감시 시스템들에서 사용하기 위한 금속 산화물 반도체 디바이스{METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE FOR USE IN UHF ELECTRONIC ARTICLE SURVEILANCE SYSTEMS}
본 발명은 일반적으로 물품 조회(interrogation) 시스템들에 관한 것이고 보다 구체적으로는 비활성화 디바이스와 태그를 물리적으로 접촉시킬 필요 없이 초고주파수("UHF") 조회 시스템에서 태그를 비활성화시키기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.
혼합형(mixing) 라벨들 또는 혼합형 태그들은 초고주파수("UHF") 전자 물품 감시("EAS"; electronic article surveillance) 조회 시스템들에서 사용되고 주파수 혼합 원리에 기반한다. 전형적으로, 혼합형 태그들은 다이폴 안테나에 부착되는 다이오드를 포함한다. 상기 태그는 예를 들어 915 MHz와 같은 특정 마이크로파 주파수(fuhf)에 튜닝된다. 주파수 범위는 안테나의 다이폴 길이 및 다이오드의 접합 커패시턴스를 조정함으로써 수백 메가헤르츠 내지 수 기가헤르츠로 선택될 수 있다. 동작하는 마이크로파 주파수가 낮을수록, 더 긴 다이폴 길이가 요구되고 커패시턴스는 커진다.
그러나, 다이오드들을 갖는 태그들을 비활성화해야 하는 경우 비활성화 디바이스들에 고유의 제한들이 있다. 예를 들어, 미국 특허 제4,318,090호 및 4,574,274호는 직접 접촉 또는 비-직접(non-direct) 접촉을 위한 수단 및 다이오드 비-선형 엘리먼트들을 이용하는 UHF 혼합형 태그들을 제공하지만 제한된 범위로 그러하다. 다이오드의 브레이크다운(breakdown) 특성들은 비활성화를 달성하기 위해서 상당한 전류가 다이오드를 통해 구동될 것을 요구하고, 이에 의해 다이오드가 파손되도록 다이오드에 충분한 전기적 에너지를 공급하기 위해 태그와 직접 접촉을 유발하여 태그를 비활성화한다. 이러한 유형의 "접촉" 비활성화로 제한되는 것이 항상 가능하거나 경제적으로 가능한 것이 아니므로 이는 비실용적인 비활성화 시스템이 된다. 따라서, 이러한 유형의 태그 설계들은 태그의 비활성화가 소정 거리로부터 발생하는 상황들, 즉 비활성화 디바이스가 태그와 접촉하지 않는 상황들에서 비효율적이다. 다른 종래 기술 비활성화 시스템들(예를 들어 미국 특허 제5,608,379호에 개시된 시스템)은 비활성화 시스템에 스위치들 및 다른 하드웨어 디바이스들을 부가함으로써 이러한 문제를 회피하려 시도한다. 이는 비용이 많이 들고 불편함이 밝혀졌고 상당히 큰 자기장 소스 용도로는 비교적 짧은 비활성화 거리들을 유발한다.
상기 시도된 해결책들 중 어느 것도, 비활성화 디바이스가 EAS 태그와 직접 접촉할 필요 없이 그리고 EAS 태그에 추가적인 비활성화 엘리먼트들을 제공할 필요 없이 상당한 거리에서 EAS 태그들을 어떻게 효율적으로 비활성화해야 할지의 문제를 해결하지 못한다. 예측가능한 비-선형 동작을 갖는 다이오드들의 고유 특성들은, 이러한 유형의 EAS 태그들을 이용하는 EAS 비활성화 시스템들이 소정 거리로부터 태그들을 비활성화시키는 것에 관한 한 비효율적이 되도록 한다.
그러므로 상당한 거리에서 신뢰할만한 비활성화가 성취되도록 매우 낮은 레벨의 브레이크다운을 나타내는 비-선형 엘리먼트를 이용하는 새로운 EAS 태그가 필요하다.
본 발명은 유리하게도 태그에 MOS 커패시터와 같은 비-선형 MOS 디바이스를 통합함으로써 UHF 조회 시스템들에서 태그들의 비활성화를 용이하게 하기 위한 시스템, 방법 및 장치를 제공한다. 본 발명의 일 양상에서, 전자 물품 감시("EAS") 태그가 제공되고, 이러한 태그는 안테나 회로 및 안테나 회로에 전기적으로 결합되는 비-선형 컴포넌트를 포함한다. 상기 비-선형 컴포넌트는 브레이크다운 전압(breakdown voltage) 임계값 미만의 전압에 대해서 비-선형 커패시턴스를 나타내고 상기 브레이크다운 전압 임계값 초과의 전압에 대해서는 선형 커패시턴스를 나타낸다.
다른 양상에서, 전자 물품 감시("EAS") 태그 비활성화 시스템이 제공되고 EAS 태그를 포함하며, 이러한 태그는 안테나 회로 및 안테나 회로에 전기적으로 결합되는 비-선형 컴포넌트를 포함한다. 상기 비-선형 컴포넌트는 브레이크다운 전압(breakdown voltage) 임계값 미만의 전압에 대해서 비-선형 커패시턴스를 나타내고 상기 브레이크다운 전압 임계값 초과의 전압에 대해서는 선형 커패시턴스를 나타낸다. 이러한 시스템은 EAS 태그에 접촉하지 않고 EAS 태그를 비활성화시키도록 적응되는 비활성화 디바이스를 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 양상에서, 전자 물품 감시("EAS") 태그를 비활성화시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은 안테나 회로 및 상기 안테나 회로에 전기적으로 결합되는 비-선형 컴포넌트를 포함하는 EAS 태그를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 비-선형 컴포넌트는 브레이크다운 전압 임계값 미만의 전압에 대해서 비-선형 커패시턴스를 나타내고 상기 브레이크다운 전압 임계값 초과의 전압에 대해서는 선형 커패시턴스를 나타낸다. 상기 방법은 상기 비-선형 컴포넌트를 통해 전압을 유도하는 단계를 더 포함하고, 상기 유도된 전압은 상기 비-선형 컴포넌트를 브레이크다운하도록 상기 브레이크다운 임계값보다 크다.
본 발명의 추가적인 양상들은 뒤따르는 설명에서 부분적으로 제시될 것이고, 부분적으로 이러한 설명으로부터 명백해 질 것이거나, 본 발명의 실시에 의해 학습될 수 있다. 본 발명의 양상들은 첨부된 청구 범위에서 특정된 엘리먼트들 및 조합들에 의해 실현 및 성취될 것이다. 이전의 일반적 설명 및 이후의 상세한 설명 양자 모두는 청구된 것처럼 예시적이고 설명적인 것일 뿐이고 본 발명을 제한하는 것이 아님을 이해해야 한다.
본 발명에 대한 보다 완벽한 이해 및 수반되는 장점들 및 특징들은 첨부된 도면들과 관련하여 고려될 때 다음의 상세한 설명을 참조하여 보다 손쉽게 이해될 것이고, 도면에서:
도 1은 다이오드 및 다이폴 안테나를 이용하는 종래 기술 태그 설계를 도시하는 UFH 혼합형 태그의 레이아웃이고;
도 2는 본 발명의 원리들을 통합하는 UHF 혼합형 EAS 시스템의 다이어그램이며;
도 3은 본 발명의 원리들에 따라 구성되는 비-선형 MOS 엘리먼트 및 다이폴 안테나를 이용하는 EAS 태그 설계의 다이어그램이고;
도 4는 EAS 태그와 함께 이용되고 본 발명의 원리들에 따라 구성되는 비-선형 MOS 커패시터의 측면도이며;
도 5는 본 발명의 원리들에 따라 구성되는 p-형 MOS 커패시터의 비-선형 커패시턴스 특성들을 도시하는 그래프이고; 그리고
도 6은 본 발명의 원리들에 따라 구성되는 EAS 태그의 비활성화 특성들을 개선하기 위해 이용되는 회로도이다.
본 발명에 따른 예시적인 실시예들을 상세하게 기술하기 전에, 이러한 실시예들은 주로 저 전압을 이용한 브레이크다운을 위해 적합한 비선형 MOS 디바이스를 태그 내에 포함시킴으로써 근접 비활성화 환경에서 EAS 태그들의 비활성화를 용이하게 하기 위한 시스템, 디바이스 및 방법의 구현에 관한 장치 컴포넌트들 및 처리 단계들의 조합들에 관한 것임이 주목된다. 따라서, 이러한 시스템 및 방법 컴포넌트들은 도면들에서 전통적인 기호(symbol)들에 의해 적절한 곳에 표시되고, 본원 설명의 이익을 취하는 당업자에게 명백할 세부사항들로 본 개시내용을 모호하게 하지 않도록 본 발명의 실시예들을 이해하기에 적절한 특정 세부사항들만을 도시한다.
본원에서 사용될 때, "제 1" 및 "제 2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 상관적인 용어들은 단지 하나의 엔티티 또는 엘리먼트를 다른 엔티티 또는 엘리먼트와 구별하기 위해 사용될 수 있으며, 엔티티들 또는 엘리먼트들 사이의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 필수적으로 요구하거나 함축하지는 않는다.
도 1은 전자 물품 감시("EAS") 시스템들에서 때때로 이용되는 혼합형 마커(2) 또는 혼합형 태그의 종래 기술 설계를 도시한다. 이러한 유형의 혼합형 마커들은 다이오드(전형적으로 견고하고 전압들을 정류 및 제어하도록 설계됨)를 파손(destroy)시키기 위해 필요한 에너지의 양 때문에 태그 비활성화 시스템들에 있어서 본질적으로 부족하다. 이러한 양상에서 고유(intrinsic) 커패시턴스의 비선형성 및 MOS 커패시터의 비교적 낮은 전압 브레이크다운 특성들은 다이오드보다 바람직하다. 도 1에서, 다이오드(4)는 안테나(6)의 2개의 부분들 사이에 제시된다. 이러한 유형의 태그 설계들은 태그의 비활성화가 소정 거리로부터 발생하는 상황들, 즉 비활성화 디바이스가 태그와 접촉하지 않는 상황들에 있어서 비효율적이다.
유사한 참조 지정(designator)들이 유사한 엘리먼트들을 참조하는 도면들을 이제 참조하면, 도 2에는 본 발명의 원리들에 따라 구성되고 일반적으로 "10"으로 지정된 EAS 조회 시스템이 도시된다. 도 2는 본 발명과 관련하여 이용되는 초고주파수("UHF") EAS 시스템을 도시한다. 이러한 시스템에서, UHF 캐리어 전자기장 이외에, 저 주파수(flf) 필드(전기 또는 자기장과 같은) 또한 요구된다. 저 주파수("LF") E-필드 생성기(12)는 혼합형 태그(14)에 저 주파수 에너지를 제공한다. UHF 전자기 신호가 혼합형 태그(14)를 위해 필드 소스들(12)을 제공하도록 LF 변조 신호와 함께 이용된다. 태그(14)는 비-선형 엘리먼트(이하 보다 상세히 기술됨) 및 다이폴 안테나를 포함한다. 태그의 다이오드 접합 커패시턴스가 전압의 함수로써 변화하기 때문에, 태그(14)는 일단 UHF 및 낮은 LF 에너지들의 조사(illumination) 하에 있다면 혼-변조된(inter-modulated) 컴포넌트(fuhf±flf)를 생성할 것이다. 이러한 혼-변조된 컴포넌트는 EAS 디바이스의 존재를 결정하기 위해 수신 및 처리된다.
도 3은 본 발명의 혼합형 태그(14)의 레이아웃 설계를 도시한다. 본 발명은 EAS 태그 비활성화기가 태그(14)와 접촉할 필요 없이 EAS 태그(14)를 비활성화시키는 능력을 제공한다. 도 3에서 알 수 있는 것처럼, 태그(14)는 고유 브레이크다운 전압을 갖는 금속 산화물 반도체("MOS") 디바이스(16)와 같은 비-선형 엘리먼트, 및 다이폴 안테나(18)를 포함한다. 일 실시예에서, MOS 디바이스(16)는 다이폴 안테나(18)의 각 면 사이에 배치되고 그와 전기적으로 접촉한다. MOS 디바이스(16)의 낮은 임계 브레이크다운 전압은 원격 비활성화를 포함하는 보다 용이한 비활성화를 허용하고 EAS 태그(14)에 추가적인 비활성화 엘리먼트들을 부가하지 않는다. 부가적으로, 이러한 MOS 디바이스(16)의 고유의 비-선형성은 기존 다이오드보다 높을 수 있고, 따라서 개선된 감지 성능을 제공한다.
안테나(18)는 대략적으로 UHF 전자기 신호(예를 들어, 915 MHz)로 튜닝된다. LF 변조 주파수는 예를 들어 111 KHz일 수 있다. LF 전기장은 MOS 디바이스(16)의 비-선형 커패시턴스를 변조하고 f1±N*f2의 주파수 주기성을 갖는 UHF 신호를 중심으로 하는 일련의 혼합 신호들을 생성하고, 여기서 f1은 UHF 신호 주파수이고, f2는 LF 변조 신호 주파수이며, N은 측파대(sideband) 수이다. 혼합 신호 레벨은 UHF 공진 필드, LF 변조 필드, 혼합형 태그 안테나(18), 및 MOS 디바이스(16)의 비-선형 특성들의 함수이다. 이러한 혼합 신호에 영향을 주는 MOS 디바이스(16) 특성들은 이하 논의된다. 감지 시스템은 감지 회로 및 필드 소스들을 제공하는 전자기기들과 함께 UHF 및 변조 안테나들로 구성된다.
따라서, 종래 기술에서와 같이 비-선형 다이오드 엘리먼트를 갖는 EAS 태그들은 MOS 디바이스(16)를 이용하는 본 발명의 EAS 태그들에 의해 대치된다. 도 4는 혼합된 EAS 태그(14)의 컴포넌트들을 도시한다. 도 4에 도시된 설계는 일 실시예이고, 기존 제조 기술들에 적합하고 호환가능하도록 이러한 설계를 수정하는 것은 본 발명의 범위 내이다. 태그(14)는 상부 전극 층(20), 하부 전극 층(22), 반도체 영역(24) 및 절연 층(26)을 포함한다. 구조 내의 절연된 층(26) 때문에 디바이스는 커패시터처럼 동작한다.
도 5는 본 발명의 원리들에 따라 구성되는 디바이스(14)의 C-V(커패시터 대 전압) 특성들을 도시한다. 단자 전압(이 경우 게이트 전압 VG로도 알려짐)이 증가함에 따라, 추가적인 공간 전하 영역이 생성된다. 이는 기초적인 고유 커패시터(Ci)와 직렬 연결되어 있는 제 2 커패시터에 상응한다. 이러한 디바이스에 대한 최대 접합 커패시터는 Ci이고, 이는 전극들 간의 얇은 절연체(26)를 갖는 커패시터의 값들을 취하고 다음과 같이 표현될 수 있으며, 여기서
Figure 112014097193895-pct00001
이고 ε, A, d는 절연체의 유전 상수, 커패시터의 면적 및 두께를 나타낸다. p-형 반도체에 대해서, 게이트 전압이 음의 전압으로부터 양의 전압으로 증가함에 따라 절연체/반도체 계면으로부터 정공들이 떠밀리고(push away), 부동의 음 이온들의 벌크를 남겨 놓는다. 이는 갭을 효율적으로 증가시키고 따라서 전체 순 커패시턴스(total net capacitance)가 감소된다. 커패시턴스는 종국적으로 최소값에 다다른다. 부가적으로 전압을 증가시키는 것은 공핍 영역의 크기를 증가시키지 않을 것이다. 게이트 전압의 추가적인 증가는 인버전(inversion)을 생성할 것이고, 여기서 많은 수의 전자들이 계면쪽으로 당겨질 것이고, 결과적으로 유효 커패시턴스는 Ci 값으로 다시 복귀될 것이다. 그러나 이는 단지 저 주파수(<100 Hz) 영역에서 발생할 것이다. 전형적인 고 주파수 상태에서, 전하가 AC 필드에 신속하게 반응할 수는 없기 때문에(이는 인버전 층에서 소수 캐리어의 생성-재결합 레이트와 관련) 도 5에 표시된 것처럼 총 커패시턴스는 Cmin으로 측정될 것이다.
MOS 디바이스(16)의 CV 특성은 반도체의 도핑 농도, 절연체(26)의 두께, 전극들(20 및 22)의 용도로 사용되는 물질들의 유형들에 의존한다. 본 발명의 설계는 비-선형성의 정도가 (종래 기술에서 사용되는 것과 같은) 다이오드의 그것을 초과하여 UHF EAS 시스템 성능을 더 개선할 수 있도록 변경될 수 있다. 또한 MOS 디바이스(16)는 다이오드들을 이용하는 이러한 EAS 디바이스들보다 뛰어나도록 비활성화기로부터 일정 거리들에서 비활성화될 수 있다. 이러한 배열은 일회용(disposable) EAS 태그들(14)을 이용하는 경우 유리하다. 다이오드와는 대조적으로, MOS 디바이스(16)는 전극들을 통해 충분히 높은 전압(VG)을 인가함으로써 파손될 수 있다. 결과적으로, EAS 기능은 효율적으로 제거되고/되거나 변경될 수 있어, 혼합 신호의 중단된(ceased) 생성을 유발하고, 즉 비활성화가 발생된다. MOS 디바이스(16)의 비교적 낮은 브레이크다운 전압을 이용하여, EAS 혼합형 태그(14)의 비-선형 엘리먼트(즉, MOS 디바이스(16))에 추가적인 특징들을 부가함이 없이 비활성화 거리를 생성하는 것이 가능하다.
비활성화를 용이하게 하기 위해서, EAS 태그(14)의 MOS 디바이스(16)의 브레이크다운 전압은 추가로 최소화될 수 있다. 이는 예를 들어 절연/유전 층(26)의 두께를 감소시킴으로써 성취될 수 있다. 보다 얇은 층을 이용하면, 브레이크다운을 유도하기 위해 높은 E-필드가 생성될 수 있다. 대안적으로, 보다 낮은 브레이크다운 전압들을 갖는 상이한 종류의 절연체들을 선택하는 것이 가능하다. 또 다른 실시예에서, 불순물 또는 결함 중심(center)들이 브레이크다운을 촉진하기 위해 유전 층들의 증착 동안 포함될 수 있다.
따라서 MOS 디바이스(16)는 혼합형 태그(14)에서 비활성화 특성들을 결정하는 일체형(built-in) 브레이크다운 전압 특성을 가진다. 비활성화기 디바이스는 결정된 동작 주파수에서 규정 제한들 내에서 E-필드 소스를 제공한다. E-필드는 MOS 디바이스(16)의 얇은 산화물 층의 필수적인 브레이크다운을 제공하기 위해 혼합형 태그(14)에 커플링(couple)된다. 이러한 브레이크다운 임계값 미만에서, MOS 디바이스(16)는 비-선형 커패시터로서 동작한다. 그러나 브레이크다운이 성취된 후, MOS 디바이스(16)는 다소 낮은 커패시턴스 값을 갖는 선형 커패시터로서 동작한다. 비-선형 특성의 부존재는 혼합형 태그(14)가 EAS 혼합형 시스템에서 감지불가능하게 되도록 한다.
도 6은 본 발명의 대안적 실시예를 도시한다. 이러한 실시예에서, 비활성화 성능을 개선하기 위해 MOS 디바이스(16)를 통해 비활성화 필드-유도 전압을 증폭하기 위해 승압(step-up) 전압 회로가 부가된다. 이러한 시나리오에서, 몇몇 전자 컴포넌트들이 MOS 디바이스(16)와 함께 추가될 수 있다. 이전에 기술된 것처럼, 다이폴 또는 루프 안테나와 같은 안테나가 비선형 MOS 커패시터 디바이스(16)와 연결되도록 포인트들(A 및 B)에 부착된다. 도 6의 예시적인 실시예에서, 코크로프트 월턴(Cockroft Walton) 전압 증배기가 Vin 피크 전압의 몇 배까지 DC 전압을 높이기 위해 이용된다. MOS 디바이스(16)를 통한 전압을 증가시키는 역할을 하는 다른 유형의 승압 회로들 또한 이용될 수 있음이 주목된다. 이러한 예에서, 커패시터들(28)(C1-C6) 및 다이오드들(30)(D1-D6)의 사다리형(ladder) 네트워크는 MOS 디바이스(16)를 통한 전압을 증폭시키는 역할을 한다. 그 후 최종 스테이지의 전압 출력은 MOSFET 스위치(32)를 통해 MOS 디바이스(16)로 다시 공급된다. 전압이 미리결정된 양까지 증가됨에 따라, MOSFET 스위치(32)는 스위치 온 되고, 높은 전압이 MOS 디바이스(16)의 파손에 이용가능하다. MOS 디바이스(16)를 통한 전압을 승압(step up)시킴으로써 비활성화 성능을 개선시키기 위해 다른 회로들이 통합될 수 있다.
따라서, 안테나(18)는 포인트들(A 및 B)에 전기적으로 연결되고 MOS 디바이스(16)는 도 6에 도시된 회로를 포함할 수 있으며, 이는 충분한 비활성화 E 필드가 안테나(18)에 인가되는 경우 인가된 전압을 승압시킴으로써 비활성화 성능을 개선시킨다. 통상적인 감지 모드 하에서, 수동 다이오드 및 트랜지스터 디바이스들이 승압 전압 회로를 활성화시키기 위해 필요한 턴-온(turn-on)의 요구되는 범위 아래에 있으므로 승압 전압 회로는 개방 회로로서 나타난다.
본 발명은 유리하게도 주로 저 전압을 이용한 브레이크다운을 위해 적합한 비선형 MOS 디바이스를 태그 내에 포함시킴으로써 근접 비활성화 환경에서 EAS 태그들의 비활성화를 용이하게 하기 위한 시스템, 디바이스 및 방법을 제공하고 규정한다.
부가적으로, 위에서 이에 반하여 언급되지 않은 경우, 모든 첨부된 도면들이 일정한 비례로 도시되지는 않음에 주목해야 한다. 중요하게도, 본 발명은 본 발명의 사상 또는 본질적 속성들로부터 벗어나지 않고 다른 특정 형태들로 구현될 수 있고, 따라서 본 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이전의 명세서 보다는 다음의 청구 범위에 대한 참조가 이루어져야 한다.

Claims (20)

  1. 전자 물품 감시("EAS"; electronic article surveillance) 태그로서,
    안테나 회로; 및
    상기 안테나 회로에 전기적으로 결합되는 비-선형 컴포넌트
    를 포함하고, 상기 비-선형 컴포넌트는 브레이크다운 전압(breakdown voltage) 임계값 미만의 전압에 대해서 비-선형 커패시턴스를 나타내고 상기 브레이크다운 전압 임계값 초과의 전압에 대해서는 비가역 선형 커패시턴스(irreversible linear capacitance)를 나타내고,
    상기 비-선형 컴포넌트는 금속-산화물-반도체("MOS") 디바이스이고,
    상기 MOS 디바이스에 미리결정된 전압의 인가는 상기 MOS 디바이스의 파손을 유발하고, 이에 의해 상기 EAS 태그가 EAS 조회(interrogation) 시스템에 의해 감지불가능하게 되고,
    상기 EAS 태그는 상기 MOS 디바이스에 전기적으로 결합되는 승압(step-up) 회로를 더 포함하고, 상기 승압 회로는 상기 MOS 디바이스에 인가되는 상기 전압을 증가시키고, 상기 승압 회로는, 미리결정된 전압에서 활성화되어 상기 증가된 전압이 상기 MOS 디바이스에 이용가능하게 되도록 하는 스위치를 포함하는,
    전자 물품 감시("EAS") 태그.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 MOS 디바이스는 절연체 층을 포함하고, 상기 MOS 디바이스에 상기 미리결정된 전압의 인가는 절연층의 전기 브레이크다운을 유발하는,
    전자 물품 감시("EAS") 태그.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 안테나 회로는 다이폴(dipole) 안테나를 포함하는,
    전자 물품 감시("EAS") 태그.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 안테나 회로는 제 1 부분 및 제 2 부분을 포함하고, 상기 비-선형 컴포넌트는 상기 안테나 회로의 상기 제 1 부분과 상기 안테나 회로의 상기 제 2 부분 사이에 위치되는,
    전자 물품 감시("EAS") 태그.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 EAS 태그는 고 주파수 및 저 주파수 신호들의 조합에 의해 변조되는 혼합형(mixing) 태그인,
    전자 물품 감시("EAS") 태그.
  10. 전자 물품 감시("EAS") 태그 비활성화 시스템으로서,
    EAS 태그 ― 상기 EAS 태그는:
    안테나 회로, 및
    상기 안테나 회로에 전기적으로 결합되는 비-선형 컴포넌트
    를 포함하고, 상기 비-선형 컴포넌트는 브레이크다운 전압 임계값 미만의 전압에 대해서 비-선형 커패시턴스를 나타내고 상기 브레이크다운 전압 임계값 초과의 전압에 대해서는 비가역 선형 커패시턴스를 나타냄 ―; 및
    상기 EAS 태그와 접촉하지 않고 상기 EAS 태그를 비활성화시키도록 적응되는 비활성화 디바이스
    를 포함하고,
    상기 비-선형 컴포넌트는 금속-산화물-반도체("MOS") 디바이스이고, 상기 비활성화 디바이스는 MOS 양단에 미리결정된 전압을 인가하여 상기 MOS 디바이스의 파손을 유발하고, 이에 의해 상기 EAS 태그가 EAS 조회 시스템에 의해 감지불가능하게 되고,
    상기 EAS 태그는 상기 MOS 디바이스에 전기적으로 결합되는 승압 회로를 더 포함하고, 상기 승압 회로는 상기 MOS 디바이스에 인가되는 상기 전압을 증가시키고, 상기 승압 회로는, 미리결정된 전압에서 활성화되어 상기 증가된 전압이 상기 MOS 디바이스에 이용가능하게 되도록 하는 스위치를 포함하는,
    전자 물품 감시("EAS") 태그 비활성화 시스템.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 MOS 디바이스는 절연체 층을 포함하고, 상기 MOS 디바이스에 대한 상기 미리결정된 전압의 인가는 절연층의 브레이크다운을 유발하는,
    전자 물품 감시("EAS") 태그 비활성화 시스템.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 안테나 회로는 다이폴 안테나를 포함하는,
    전자 물품 감시("EAS") 태그 비활성화 시스템.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 안테나 회로는 제 1 부분 및 제 2 부분을 포함하고, 상기 비-선형 컴포넌트는 상기 안테나 회로의 상기 제 1 부분과 상기 안테나 회로의 상기 제 2 부분 사이에 위치되는,
    전자 물품 감시("EAS") 태그 비활성화 시스템.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 EAS 태그는 고 주파수 및 저 주파수 신호들의 조합에 의해 변조되는 혼합형 태그인,
    전자 물품 감시("EAS") 태그 비활성화 시스템.
  19. 전자 물품 감시("EAS") 태그를 비활성화시키는 방법으로서,
    안테나 회로 및 상기 안테나 회로에 전기적으로 결합되는 비-선형 컴포넌트를 가지는 EAS 태그를 제공하는 단계 ― 상기 비-선형 컴포넌트는 브레이크다운 전압 임계값 미만의 전압에 대해서 비-선형 커패시턴스를 나타내고 상기 브레이크다운 전압 임계값 초과의 전압에 대해서는 비가역 선형 커패시턴스를 나타냄 ―; 및
    상기 비-선형 컴포넌트 양단에 전압을 유도하는 단계 ― 유도된 전압은 상기 비-선형 컴포넌트를 브레이크다운하도록 상기 브레이크다운 전압 임계값보다 더 큼 ―
    를 포함하고,
    상기 비-선형 컴포넌트는 금속-산화물-반도체("MOS") 디바이스이고, 상기 MOS 디바이스에 미리결정된 전압의 인가는 상기 MOS 디바이스의 파손을 유발하고, 이에 의해 상기 EAS 태그가 EAS 조회(interrogation) 시스템에 의해 감지불가능하게 되고,
    상기 EAS 태그는 상기 MOS 디바이스에 전기적으로 결합되는 승압(step-up) 회로를 더 포함하고, 상기 승압 회로는 상기 MOS 디바이스에 인가되는 상기 전압을 증가시키고, 상기 승압 회로는, 미리결정된 전압에서 활성화되어 상기 증가된 전압이 상기 MOS 디바이스에 이용가능하게 되도록 하는 스위치를 포함하는,
    전자 물품 감시("EAS") 태그를 비활성화시키는 방법.
  20. 삭제
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