KR101719037B1 - 블라인드 - Google Patents

Abstract

본 출원은, 블라인드를 제공한다. 본 출원의 블라인드는 전면 투과 및 전면 차단 모드는 물론 블라인드의 소정 부위에서만 투과 또는 차단 모드를 구현할 수 있으며, 투과 또는 차단 모드가 순차적 또는 일정한 주기를 가지면서 변경되도록 할 수도 있다. 본 출원에서는 투과 및 차단 모드는 물론 다양한 색을 구현하는 칼라 모드도 상기와 같은 방식으로 구현할 수 있다. 또한, 적절한 전극층 또는 광변조층의 설계에 따라서 저소비전력으로 구동 가능하고, 단열 기능 등이 부여된 블라인드도 제공할 수 있다.

Description

블라인드{BLIND}

본 출원은, 블라인드에 관한 것이다.

블라인드(blind)는 창문에 달아 햇빛을 가리거나 바깥에서 들여다볼 수 없도록 하는 용도로 사용된다. 통상적인 블라인드는 좁고 긴 비늘 모양의 뼈대 여러 개를 줄로 연결해 제조하고, 블라인드의 비늘 살은 줄로 움직여서 햇빛을 원하는 만큼 차단할 수 있으며 접어 올릴 수도 있도록 되어 있다. 최근에는 천으로 만든 커튼과 비슷한 분위기를 가지는 블라인드도 사용되고 있고, 예를 들면, 버티칼이라 호칭되는 장식용의 블라인드도 알려져 있다.

한국등록특허 제1413257호

본 출원은, 블라인드를 제공한다.

본 출원의 블라인드는, 대향 배치되어 있는 2개의 기판; 및 상기 2개의 기판의 사이에 위치하는 광변조층을 포함할 수 있다. 본 출원의 블라인드에서 상기 기판의 표면, 예를 들면 내측 표면에는 전극층이 형성되어 있다. 본 출원에서 기판의 내측은, 상기 기판의 상기 광변조층을 마주보는 측 표면을 의미할 수 있고, 외측은 그 반대측 표면을 의미할 수 있다. 따라서, 상기 전극층은 상기 기판과 상기 광변조층의 사이에 형성되어 있을 수 있다. 본 출원의 블라인드는 상기 전극층에 구동 신호를 인가할 수 있는 구동회로부를 추가로 포함할 수 있다.

도 1은, 예시적인 블라인드에 대한 도면이고, 기판(111, 121), 광변조층(130), 전극층(112, 122) 및 구동회로를 포함하는 구동부(140)를 보여주고 있다.

본 출원에서 상기 2개의 기판 각각의 내측에 형성되어 있는 전극층 중 적어도 하나는 패턴화되어 있다. 이와 같이 전극층의 적어도 하나를 패턴화함으로써, 광변조층으로의 신호 인가도 패턴화할 수 있다. 이에 따라서 본 출원의 블라인드는 전면은 물론 부분적인 광변조가 가능하다. 예를 들어, 광변조 모드가 투과 및 차단 모드라면, 전면 투과 및 전면 차단 모드는 물론 블라인드의 소정 부위에서만 투과 또는 차단 모드를 구현할 수 있다. 예를 들면, 상기 블라인드가 창문에 적용되었을 경우에, 창문의 상부 또는 기타 소정 부위에서만 광을 차단하고, 다른 부위, 예를 들면 사람의 눈높이 부위에서는 외부 전경을 관찰할 수 있는 투과 모드를 구현할 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 광변조층에 이방성 염료 등을 배합하여 색 변환 모드를 가지는 경우에 상기와 같은 패턴화된 색변환도 가능할 수 있다.

상기에서 전극층 및 그 전극층의 패턴의 형태는 특별히 제한되지 않고, 목적하는 광변조 형태에 따라서 결정될 수 있다.

하나의 예시에서 상기 블라인드에서는 2개의 기판 중 어느 하나의 내측에 형성되어 있는 전극층은 통전극층이고, 다른 하나의 내측에 배치되어 있는 전극층은 패턴화되어 있을 수 있다. 상기에서 전극층이 통전극층이라는 것은, 기판의 거의 전면, 적어도 광변조층과 접하는 표면에 모두 전극층이 형성되어 있는 형태를 의미할 수 있다.

다른 예시에서 상기 블라인드에서는 2개의 기판 내측에 형성되어 있는 전극층이 모두 패턴화되어 있을 수 있다.

전극층이 패턴화되는 형태도 특별히 제한되는 것은 아니다. 상기 전극층은, 예를 들면, 스트라이프 형태를 가지는 서브 전극층을 포함하는 형태로 패턴화되어 있을 수 있다. 예를 들면, 패턴화된 전극층은, 스트라이프 형태의 서브 전극층을 2개 이상 포함하고, 상기 각 서브 전극층은 서로 이격되어 배치되어 있을 수 있다. 이러한 경우에 상기 서브 전극층의 치수 및 이격 배치되는 간격 등은 목적하는 광변조 패턴을 고려하여 설정할 수 있다.

또한, 상기 2개의 전극층 모두가 패턴화되고, 그 패턴이 상기 스트라이프 형상의 서브 전극층을 포함하는 패턴인 경우에 상기 2개의 기판은 그 내측에 형성된 스트라이프 형상의 서브 전극층은 서로 크로스(cross) 상태, 즉 실질적으로 수직으로 엇갈리도록 배치될 수 있다.

도 2는, 블라인드의 하나의 기판(121)에는 통전극층(122)이 형성되어 있고, 다른 하나의 기판(111)에는 서브 전극층(112)을 포함하는 패턴이 형성되어 있는 경우를 예시적으로 나타낸다. 도 3은, 블라인드의 기판(111, 121) 모두의 내측에 서브 전극층(112, 122)을 포함하는 패턴이 형성되어 있고, 그 서브 전극층(112, 122)이 서로 크로스되어 배치되어 있는 경우를 보여준다.

전극층은, 특별한 제한 없이 공지의 소재를 사용하여 형성할 수 있다. 블라인드로서 기능하기 위하여 전극층은 투명 전극층일 수 있다. 예를 들면, 상기 전극층은, 가시광 영역, 예를 들면, 약 400 nm 내지 700 nm 범위 내의 어느 한 파장 또는 550 nm 파장의 광에 대한 투과율이 80% 이상, 85% 이상 또는 90% 이상일 수 있다. 이러한 투명한 전극층을 형성할 수 있는 소재는 다양하게 알려져 있다. 예를 들면, 전극층은, 금속 합금, 전기 전도성 화합물 또는 상기 중 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 이러한 재료로는, 금 등의 금속, CuI, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), 알루미늄 또는 인듐이 도핑된 아연 옥사이드, 마그네슘 인듐 옥사이드, 니켈 텅스텐 옥사이드, ZnO, SnO₂ 또는 In₂O₃ 등의 산화물 재료나, 갈륨 니트라이드와 같은 금속 니트라이드, 아연 세레나이드 등과 같은 금속 세레나이드, 아연 설파이드와 같은 금속 설파이드 등이 예시될 수 있다. 투명한 정공 주입성 전극층은, 또한, Au, Ag 또는 Cu 등의 금속 박막과 ZnS, TiO₂ 또는 ITO 등과 같은 고굴절의 투명 물질의 적층체 등을 사용하여서도 형성할 수 있다.

전극층은, 증착, 스퍼터링, 화학 증착 또는 전기화학적 수단 등의 임의의 수단으로 형성될 수 있다. 전극층의 패턴화도 특별한 제한 없이 공지의 방식으로 가능하며, 예를 들면, 공지된 포토리소그래피나 새도우 마스크 등을 사용한 공정을 통하여 패턴화될 수도 있다.

전극층은, 단열 기능을 가지도록 설계될 수 있다. 즉, 전극층은 단열기능을 가지도록 적외선 영역, 예를 들면, 약 700 nm 내지 1000 nm 범위 내의 어느 한 파장 또는 780 nm 이상의 광에 대한 투과율이 70% 이하, 65% 이하 또는 60% 이하가 되도록 설계될 수 있다. 상기 수치범위를 만족하는 복합층은 적외선 영역의 열을 차단할 수 있으므로, 에너지 절감이 가능하다. 복합층의 적외선 영역의 광투과율의 하한은, 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면, 상기 복합층이 스마트 윈도우의 전극층으로 사용될 경우에는 하한이 0% 내지 5% 일 수 있다.

이와 같이 적외선에 대하여 낮은 투과율을 가지는 전극층은, 하나의 예시에서 하기와 같이 설계될 수 있다.

예를 들면, 상기 전극층은, 순차 형성되어 있는 제 1 산화물층, 금속층 및 제 2 산화물층을 포함하는 복합층 형태일 수 있다.

상기 복합층은, 복합층은, 광변조층에 외부 신호, 예를 들면, 전압을 인가할 수 있는 전극층의 역할을 수행할 수 있도록 낮은 면저항값 내지는 높은 전기 전도도가 요구된다.

따라서, 하나의 예시에서 복합층은 면저항 값이 20 Ω/□ 이하, 15 Ω/□ 이하 또는 10 Ω/□ 이하일 수 있고, 하한은 특별히 제한되지 않으나, 0.1 Ω/□ 이상일 수 있다. 상기 수치범위의 면저항 값을 가지는 복합층은 블라인드 구동 시에 소비 전력을 최소화할 수 있어서 효율 개선에도 기여할 수 있다.

상기와 같은 적외선에 대한 투과율, 면저항 및 가시광에 대한 우수한 투과율 등은, 예를 들면, 상기 제 1 산화물층, 금속층 및 제 2 산화물층의 굴절률, 두께, 전기전도도 또는 재료 등에 의하여 조절될 수 있다. 본 출원에서 산화물층은 산화물을 주성분으로 포함하는 층을 의미할 수 있고, 금속층은 금속을 주성분으로 포함하는 층을 의미할 수 있다. 하나의 예시에서, 산화물층은 산화물을 약 80 중량%이상 포함하는 층을 의미할 수 있고, 금속층은 금속을 약 80 중량%이상 포함하는 층을 의미할 수 있다.

하나의 예시에서, 제 1 산화물층의 굴절률은 제 2 산화물층에 비하여 높을 수 있고, 금속층의 굴절률은 제 2 산화물층의 굴절률에 비해 낮을 수 있다.

하나의 예시에서, 상기 금속층은 550 nm의 파장에 대한 굴절률이 0.1 내지 1의 범위 내일 수 있다. 또한, 상기 제 1 산화물층의 550 nm의 파장의 광에 대한 굴절률은 1.2 내지 2.8 또는 1.9 내지 2.75의 범위 내에 있고, 상기 제 2 산화물층의 550nm의 파장의 광에 대한 굴절률은 1.5 내지 2.5의 범위 내에 있을 수 있다. 상기 굴절률은, 예를 들면, M-2000 장치(제조사: J. A. Woollam Co., Inc. (USA))를 사용하여 측정할 수 있다.

금속층, 제 1 산화물층 및 제 2 산화물층이 각각 상기 굴절률 범위를 만족하는 경우에 복합층은 가시광 영역의 투과율은 높고 적외선 영역의 투과율은 낮다.

제 1 산화물층, 금속층 및 제 2 산화물층의 굴절률은, 예를 들면, 두께에 의하여 조절될 수 있다. 또는, 각 층의 증착 공정을 조절하는 것에 의하여 조절될 수 있다. 구체적으로, 각 층의 증착 조건을 조절하여 결정화도를 조절할 수 있으며, 이에 따라 동일한 두께 및 재료라고 하더라도 굴절률이 상이할 수 있게 된다. 상기 증착 공정은, 공지의 증착 방법에 의하여 수행될 수 있고, 예를 들면, 스퍼터 방식에 의하여 수행될 수 있다. 제 1 산화물층 및 제 2 산화물층은, 예를 들면, RF 스퍼터 방식에 의해 증착될 수 있고, 금속층은, 예를 들면, DC 스퍼터 방식에 의하여 증착될 수 있다.

하나의 예시에서, 금속층의 두께는 5 nm 내지 20 nm의 범위 내에 있을 수 있다. 금속층의 두께를 상기 범위로 하는 경우, 금속층의 굴절률을 상기 기술한 범위로 조절하는 것이 용이하다. 또한, 금속층의 두께를 상기 두께 범위로 하는 경우, 금속층의 연속적인 막이 형성되기 용이하므로 우수한 전기 전도도 및 낮은 저항을 구현할 수 있으며 광변조 장치의 가시광 영역에서 광투과율을 높일 수 있다.

하나의 예시에서, 금속층은 면저항 값이 20 Ω/□ 이하 또는 10 Ω/□ 이하인 전도성 금속을 포함할 수 있다. 금속층에 포함되는 전도성 금속의 전기 전도도가 상기 범위인 경우, 복합층의 면저항 값을 낮출 수 있으므로, 광변조 장치의 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.

하나의 예시에서, 금속층은 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 구리(Cu) 또는 금(Au) 등의 금속을 포함할 수 있다. 금속층은, 예를 들면, 은을 포함할 수 있다. 이 경우에, 복합층의 제조과정 또는 복합층이 광변조 장치에 포함되어 사용되는 과정에서 공기 및 수분과의 접촉에 의하여, 금속층 내에 은 산화물이 일부 포함될 수 있다. 금속층이 은 및 은 산화물을 포함하는 경우에, 상기 은 산화물은 상기 금속층 100 중량%에 대하여 0.1 중량% 이상 50 중량% 이하로 포함될 수 있다.

하나의 예시에서, 제 1 산화물층의 두께는 20 nm 내지 60 nm 또는 40 nm 내지 50 nm의 범위 내에 있을 수 있다. 제 1 산화물층의 두께를 상기 범위로 하는 경우, 제 1 산화물층의 광에 대한 투과율 또는 굴절률을 상기 기술한 범위로 조절하는 것이 용이하고, 제 1 산화물층 상에 형성되는 금속층의 증착의 불량률을 낮출 수 있다.

하나의 예시에서, 제 2 산화물층의 두께는 10 nm 내지 100 nm, 바람직하게는 20 nm 내지 60 nm의 범위 내에 있을 수 있다. 제 2 산화물층의 두께를 상기 범위로 하는 경우, 제 2 산화물층의 광에 대한 투과율 또는 굴절률을 상기 기술한 범위로 조절하는 것이 용이하고, 우수한 전기 전도도 및 낮은 저항값을 가질 수 있는 장점이 있다.

제 2 산화물층의 비저항 값은 1.0 x 10^-5 Ωcm 내지 1.0 x 10⁵ Ωcm 또는 1.0 x 10^-4 Ωcm 내지 1.0 x 10⁴ Ωcm 범위 내에 있을 수 있다. 제 2 산화물층의 비저항 값을 상기 범위로 하는 경우, 복합층의 면저항 값을 낮출 수 있으므로, 광변조 장치의 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.

제 1 산화물층 및 제 2 산화물층은 각각 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 인듐(In), 란티늄(La), 마그네슘(Mg), 셀렌(Se), 규소(Si), 탄탈(Ta), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 이트륨(Y), 아연(Zn) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 금속을 포함하는 금속 산화물을 포함할 수 있다.

제 2 산화물층은 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 인듐(In) 및 바나듐(V)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 제 2 금속을 추가로 포함할 수 있다.

제 2 산화물층에 포함되는 금속은 도핑 물질일 수 있다. 제 2 산화물층은 제 2 금속을 더 포함하여 광변조 장치에서 전극층으로 사용될 경우 전자 이동성을 향상시킬 수 있으며, 상기 제 1 산화물층과 마찬가지로 고굴절의 특성을 가지고 있으므로, 광학 설계를 통하여 상기 복합층의 가시광 영역의 광투과율을 높이고 적외선 영역의 광투과율을 낮출 수 있다. 또한, 제 2 산화물층은 전기 전도도를 가지고 있으므로 금속층의 전기 전도도를 저해하지 않으며 상기 복합층을 다양한 광변조 장치에서 저방사 기능을 하는 투명 전극으로서의 역할을 할 수 있게 한다.

하나의 예시에서, 제 2 금속의 제 2 산화물층 내에서의 함량은 0.1 내지 10 중량% 이하일 수 있다. 제 2 산화물층의 굴절률은, 예를 들면, 상기 제 2 금속의 함량에 의하여 변화할 수 있다. 따라서, 상기 복합층의 가시광 영역의 광투과율을 최대로 구현할 수 있도록 제 2 산화물층 내에 제 2 금속의 함량을 조절할 필요가 있다. 또한, 제 2 산화물층에 포함되는 제 2 금속은 제 2 산화물층의 전기 전도도에 영향을 미친다. 제 2 금속의 제 2 산화물층 내에서의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우, 제 2 산화물층은 최적의 굴절률 및 전기 전도도를 구현할 수 있다.

하나의 예시에서, 복합층의 두께는 목적하는 광변조 장치의 특성을 나타내기 위하여 적절히 조절될 수 있다. 복합층의 두께는, 예를 들면, 가시광 영역에서 높은 광투과율, 적외선 영역에서 낮은 광투과율, 우수한 전기 전도도 및 낮은 저항 특성을 나타내기 위하여, 50 nm 내지 300 nm 또는 70nm 내지 200 nm 범위 내로 조절될 수 있다.

상기와 같은 형태의 복합층을 전극층으로 사용함으로써 전술한 단열 효과를 가지는 블라인드가 형성될 수 있다. 복합층이 블라인드에 적용될 경우에 상기 제 2 산화물층이 제 1 산화물층에 비하여 광변조층에 인접 배치되어 있을 수 있다.

블라인드에서 상기와 같은 전극층에 표면에 형성되는 기판의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 유리 필름, 결정성 또는 비결정성 실리콘 필름, 석영 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 필름 등의 무기계 필름이나 플라스틱 필름 등을 기판으로 사용할 수 있다. 기판으로는, 광학적으로 등방성인 기판이나, 위상차층과 같이 광학적으로 이방성인 기판도 사용할 수 있다.

플라스틱 기판으로는, TAC(triacetyl cellulose); 노르보르넨 유도체 등의 COP(cyclo olefin copolymer); PMMA(poly(methyl methacrylate); PC(polycarbonate); PE(polyethylene); PP(polypropylene); PVA(polyvinyl alcohol); DAC(diacetyl cellulose); Pac(Polyacrylate); PES(poly ether sulfone); PEEK(polyetheretherketon); PPS(polyphenylsulfone), PEI(polyetherimide); PEN(polyethylenemaphthatlate); PET(polyethyleneterephtalate); PI(polyimide); PSF(polysulfone); PAR(polyarylate) 또는 비정질 불소 수지 등을 포함하는 기판을 사용할 수 있지만 이에 제한되는 것은 아니다. 기판에는, 필요에 따라서 금, 은, 이산화 규소 또는 일산화 규소 등의 규소 화합물의 코팅층이나, 반사 방지층 등의 코팅층이 존재할 수도 있다.

광변조층으로도 광의 변조, 예를 들면, 광의 투과 또는 차단이나 색의 변환이 가능한 것으로 알려진 공지의 층을 적용할 수 있다. 예를 들면, 상기 광변조층은, 전압, 예를 들면 수직 전계나 수평 전계의 온오프(on-off)에 의하여 확산 모드와 투과 모드 사이에서 스위칭되는 액정층이거나, 투과 모드와 차단 모드 사이에서 스위칭되는 액정층이거나, 투과 모드와 칼라 모드에서 스위칭되는 액정층 또는 서로 다른 색의 칼라 모드 사이를 스위칭하는 액정층일 수 있다. 상기에서 투과 모드와 차단 모드에서 스위칭되는 액정층의 사용을 위하여, 예를 들면, 상기 블라인드는 양측, 예를 들면 기판의 외측에 각각 배치되어 있는 편광층을 추가로 포함할 수 있다. 상기 편광층은 선형 편광층일 수 있고, 각 편광층의 광 투과측은 서로 크로스되어 배치되어 있거나, 혹은 서로 평행하게 배치되어 있을 수 있다.

칼라 모드는 광변조층에 의해 소정의 색이 구현되는 모드를 의미한다. 칼라 모드의 구현을 위하여 광변조층은 염료, 예를 들면 이방성 염료(dichroic dye)를 포함할 수 있다. 본 출원에서 용어 염료는, 가시광 영역, 예를 들면, 400 nm 내지 700 nm 파장 범위 내에서 적어도 일부 또는 전체 범위 내의 광을 집중적으로 흡수 및/또는 변형시킬 수 있는 물질을 의미할 수 있고, 용어 이방성 염료는 상기 가시광 영역의 적어도 일부 또는 전체 범위에서 광의 이방성 흡수가 가능한 물질을 의미할 수 있다. 예를 들면, 상기와 같은 염료로서, 게스트 호스트(guest host) 효과에 따라서 액정 화합물의 배향 방향에 따라 배향 가능한 것으로 알려진 이방성 염료를 광변조층에 포함시켜서 상기 칼라 모드를 구현할 수 있다. 사용될 수 있는 염료의 종류, 예를 들면, 최대 흡수 파장이나 이색비 등이나 액정층 내에서의 비율 등은 특별히 제한되지 않으며, 칼라 모드 시에 구현하고자 하는 색감 등을 고려하여 적절한 종류가 선택될 수 있다.

상기와 같은 작용을 수행할 수 있는 광변조층, 예를 들면, 액정층은 다양하게 공지되어 있다. 하나의 예시적인 광변조층으로는 통상적인 액정 디스플레이에 사용되는 액정층의 사용이 가능하다. 다른 예시에서, 광변조층은 다양한 형태의 고분자 분산형 액정층(Polymer Dispersed Liquid Crystal), 화소 고립형 액정층(Pixcel-isolated Liquid Crystal), 부유 입자 디바이스(Suspended Particle Deivice) 또는 전기변색 디스플레이(Electrochromic device)일 수도 있다.

본 출원에서 고분자 분산형 액정층(PDLC)은 소위 PILC(pixel isolated liquid crystal), PDLC(polymer dispersed liquid crystal), PNLC(Polymer Network Liquid Crystal) 또는 PSLC(Polymer Stablized Liquid Crystal) 등을 포함하는 상위 개념이다. 고분자 분산형 액정층(PDLC)은, 예를 들면, 고분자 네트워크 및 상기 고분자 네트워크와 상분리된 상태로 분산되어 있는 액정 화합물을 포함하는 액정 영역을 포함할 수 있다.

고분자 분산형 액정층 내에서 통상 액정 화합물은 배향되어 있지 않은 상태로 존재한다. 따라서. 고분자 분산형 액정층은 전압이 인가되지 않은 상태에서는 뿌연 불투명 상태이고, 이러한 상태는 소위 산란 모드로 호칭된다. 고분자 분산형 액정층에 전압이 인가되면, 액정 화합물이 그에 따라 정렬되어 투명한 상태가 되는데, 이를 이용하여 투과 모드와 산란 모드의 스위칭이 가능하다. 다른 예시에서는, 액정 화합물을 초기 상태에서 배향시킬 수도 있고, 이러한 경우에는, 예를 들면, 양측에 편광판을 배치하는 방식으로 투과 모드와 산란 모드를 구현할 수 있다.

본 출원에서는 예를 들면, 고분자분산형 액정층으로서, 폴리머 네트워크와 액정 화합물을 포함하는 액정층을 상기 광변조층을 사용할 수 있다. 상기에서 액정 화합물은 폴리머 네트워크 내에 분산된 상태로 존재할 수 있다. 상기에서 폴리머 네트워크는 규소 화합물을 포함하는 전구 물질(이하, 폴리머 네트워크 전구 물질이라 호칭할 수 있다.)의 폴리머 네트워크일 수 있다. 예를 들어, 폴리머 네트워크는 상가 전구 물질을 그 상태로 포함하거나, 혹은 상기 전구 물질의 반응물, 예를 들면 중합 반응물을 포함할 수 있다.

폴리머 네트워크 전구 물질은 규소 화합물을 포함할 수 있다. 상기 규소 화합물은 중합성 규소 화합물일 수 있다. 용어 중합성 규소 화합물은 하나 이상의 중합성 관능기를 포함하는 규소 화합물을 의미할 수 있다. 폴리머 네트워크는, 예를 들면, 상기 중합성 규소 화합물 또는 상기 규소 화합물과 다른 중합성 화합물이 가교 또는 중합되어 형성된 네트워크일 수 있다. 전구 물질은, 중합성 규소 화합물은 물론 비중합성의 규소 화합물도 포함할 수 있다.

전구 물질 내에서 상기 규소 화합물이 비율은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 5 중량% 이상, 10 중량% 이상, 15 중량% 이상, 20 중량% 이상, 25 중량% 이상, 30 중량% 이상, 35 중량% 이상, 40 중량% 이상, 45 중량% 이상 또는 50 중량% 이상일 수 있다. 전구 물질 내의 규소 화합물의 비율의 상한은 특별히 제한이 없으며, 예를 들면, 상기 비율은 상한은 100 중량%일 수 있다.

규소 화합물로는, 예를 들면, 하기 화학식 1 또는 2의 화합물이 사용될 수 있다.

[화학식 1]

[화학식 2]

화학식 1 또는 2에서, n은 0 내지 10의 범위 내의 수이고, m은 2 내지 8의 범위 내의 수이며, X는 -O-또는 -NW-이고, R₁ 내지 R₆는 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 중합성 관능기, -A-R₇ 또는 -L-Si(R₈)_p(R₉)_(3-p)이며, 상기 A 및 L은 각각 독립적으로 알킬렌기, 알키닐렌기, 아릴렌기, 알케닐렌기, 알킬리덴기, -O- 또는 -NW-이고, R₇은, 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 중합성 관능기이며, R₈은 중합성 관능기이고, R₉은 알킬기, 알콕시기 또는 아릴기이며, p는 0 내지 3의 수이고, W는 수소 또는 알킬기이다.

상기에서 중합성 관능기로는, 예를 들면, 알케닐기, 에폭시기, 시아노기, 카복실기, (메타)아크릴로일기 또는 (메타)아크릴로일옥시기 등이 예시될 수 있다. 본 명세서에서 용어 (메타)아크릴은, 아크릴 또는 메타크릴을 의미한다.

본 명세서에서 알킬기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 예를 들면, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기일 수 있다. 상기 알킬기는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.

본 명세서에서 알콕시기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 예를 들면, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 의미할 수 있다. 상기 알콕시기는, 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 상기 알콕시기는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.

본 명세서에서 아릴기 또는 아릴렌기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 벤젠을 포함하거나 또는 2개 이상의 벤젠이 2개 또는 1개의 탄소 원자를 공유하면서 축합되거나 결합되어 있는 구조를 포함하는 방향족 화합물 또는 그 유도체로부터 유래하는 1가 잔기 또는 2가 잔기를 의미할 수 있다. 상기 아릴기 또는 아릴렌기는, 예를 들면, 탄소수 6 내지 22, 탄소수 6 내지 20, 탄소수 6 내지 18, 탄소수 6 내지 16, 탄소수 6 내지 14 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 아릴렌기일 수 있으며, 상기 아릴기 또는 아릴렌기는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.

본 명세서에서 알킬렌기 또는 알킬리덴기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 예를 들면, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기 또는 알킬리덴기를 의미할 수 있다. 상기 알킬렌기 또는 알킬리덴기는, 예를 들면, 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 또한, 상기 알킬렌기 또는 알킬리덴기는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.

본 명세서에서 알케닐렌기 또는 알키닐덴기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 예를 들면, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알케닐렌기 또는 알키닐리덴기를 의미할 수 있다. 상기 알케닐렌기 또는 알키닐리덴기는, 예를 들면, 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 또한, 상기 알케닐렌기 또는 알키닐리덴기는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.

본 명세서에서 알케닐기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 예를 들면, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알케닐기일 수 있다. 상기 알케닐기는, 예를 들면, 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 또한, 상기 알케닐기는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.

본 명세서에서 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 알킬렌기, 알킬리덴기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, 아릴렌기 또는 중합성 관능기 등에 치환되어 있을 수 있는 치환기로는, 염소, 브롬 또는 요오드 등과 같은 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 에폭시기, 옥소기, 옥세타닐기, 티올기, 시아노기, 카복실기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일옥시기 또는 아릴기 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

화학식 1 또는 2의 화합물이 중합성 규소 화합물인 경우에는 상기 화학식 1 또는 2의 화합물은 상기 중합성 관능기를 적어도 1개 포함할 수 있고, 예를 들면, 2개 이상, 2개 내지 10개, 2개 내지 8개, 2개 내지 6개, 2개 내지 5개, 2개 내지 4개, 4개 또는 2개 포함할 수 있다. 중합성 관능기는 상기 언급한 종류 중에서 선택될 수 있으며, 통상적으로는 비닐기 또는 알릴기 등의 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알케닐기, (메타)아크릴로일기 또는 (메타)아크릴로일옥시기 등이 사용될 수 있다.

화학식 1 및 2에서 R₅ 내지 R₉ 등이 각각 복수인 경우에는 각각은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.

화학식 1에서 n은 다른 예시에서 0 내지 9, 0 내지 7, 0 내지 5, 0 내지 3의 범위 내의 수일 수 있다. 화학식 2에서 m은 다른 예시에서 2 내지 6의 범위 내의 수일 수 있다.

화학식 1 또는 2에서, X는 -O- 또는 -NW-이고, 상기에서 W는 수소 또는 알킬기일 수 있다.

화학식 1 또는 2에서는 R₁ 내지 R₆가 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 중합성 관능기, -A-R₇ 또는 -L-Si(R₈)_p(R₉)_(3-p)일 수 있고, 상기에서 A는 알킬렌기 또는 알킬리덴기이며, R₇은 알킬기 또는 중합성 관능기이고, 상기에서 L은 알킬렌기 또는 알킬리덴기이거나, -O-이며, p는 0 내지 2의 범위 내의 수이고, R₈은 중합성 관능기이며, R₉은 알킬기이고, 상기에서 중합성 관능기는 알케닐기, (메타)아크릴로일기 또는 (메타)아크릴로일옥시기로부터 선택될 수 있다.

화학식 1에서 R₁은 예를 들면, 알킬기, 중합성 관능기 또는 -A-R₇일 수 있고, 상기에서 A는 알킬렌기 또는 알킬리덴기이며, R₇은 중합성 관능기이고, 상기에서 중합성 관능기는 알케닐기, (메타)아크릴로일기 또는 (메타)아크릴로일옥시기로부터 선택될 수 있다.

화학식 1에서 R₂는 예를 들면, 알킬기, 알콕시기, 중합성 관능기, -A-R₇또는 -L-Si(R₈)_p(R₉)_(3-p)일 수 있고, 상기에서 A는 알킬렌기 또는 알킬리덴기이며, R₇은 중합성 관능기이고, 상기에서 L은 알킬렌기 또는 알킬리덴기이거나, -O-이며, p는 0 내지 2의 범위 내의 수이고, R₈은 중합성 관능기이고, R₉은 알킬기이며, 상기에서 중합성 관능기는 알케닐기, (메타)아크릴로일기 또는 (메타)아크릴로일옥시기로부터 선택될 수 있다.

화학식 1에서 R₃ 및 R₄는 예를 들면, 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 아릴기, -A-R₇또는 -L-Si(R₈)_p(R₉)_(3-p)일 수 있고, 상기에서 A는 알킬렌기 또는 알킬리덴기이며, R₇은 알킬기이고, L은 알킬렌기 또는 알킬리덴기이거나, -O-이며, p는 0 내지 2의 범위 내의 수이고, R₈은 중합성 관능기이고, R₉은 알킬기이며, 상기에서 중합성 관능기는 알케닐기, (메타)아크릴로일기 또는 (메타)아크릴로일옥시기로부터 선택될 수 있다.

화학식 1에서 n이 1 이상의 수인 경우에, R₅ 및 R₆는 예를 들면, 각각 독립적으로 알킬기이거나, 아릴기일 수 있다.

화학식 2에서 R₅ 및 R₆는 예를 들면, 각각 독립적으로 알킬기이거나, 아릴기 또는 중합성 관능기일 수 있고, 상기에서 중합성 관능기는 알케닐기, (메타)아크릴로일기 또는 (메타)아크릴로일옥시기로부터 선택될 수 있다.

전구 물질은 화학식 1 또는 2의 규소 화합물을 1종 포함하거나, 혹은 2종 이상 포함할 수 있다.

2종 이상의 규소 화합물을 포함하는 경우에 전구 물질은 적어도 중합성 관능기가 2개인 2관능성 규소 화합물을 포함할 수 있다. 2종 이상의 규소 화합물이 포함되는 경우, 상기 2관능성 규소 화합물과 혼합되는 다른 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 2종의 2관능성 규소 화합물이 혼합되거나, 혹은 2관능성 규소 화합물과 2관능이 아닌 중합성 규소 화합물 또는 무관능성 규소 화합물이 혼합될 수 있다. 상기에서 2관능이 아닌 중합성 규소 화합물로는, 예를 들면, 4관능성 규소 화합물이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.

2종 이상의 규소 화합물을 포함하는 경우에 적합하게 사용될 수 있는 2관능성 규소 화합물로는, 예를 들면, 화학식 1에서 n이 0 내지 3이고, R₁ 및 R₂가 중합성 관능기이고, R₃ 내지 R₆가 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기이며, X가 -O-인 화합물이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.

2종 이상의 규소 화합물을 포함하는 경우에 상기 2관능성 규소 화합물과 함께 사용될 수 있는 화합물로는, 상기 기술한 2관능성 규소 화합물 중 이미 선택된 것과는 다른 2관능성 규소 화합물, 화학식 1에서 n이 0 내지 5이고, R₁이 알킬기 또는 -A-R₇(여기에서 A는 알킬렌기 또는 알킬리덴기이고, R₇은 중합성 관능기이다)이고, R₂ 내지 R₄가 각각 독립적으로 알킬기 또는 -L-Si(R₈)_p(R₉)_(3-p)이며(여기서, L은 알킬렌기, 알킬리덴기 또는 -O-이고, p는 0 내지 2이며, R₈은 중합성 관능기이고, R₉은 알킬기일 수 있다), R₅ 및 R₆가 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기이며, X가 -O-인 화합물; 또는 화학식 2에서 m이 2 내지 6이고, R₅ 및 R₆가 각각 독립적으로 알킬기 또는 중합성 관능기인 화합물 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.

전구 물질은 상기 규소 화합물 외에 다른 화합물, 예를 들면, 아크릴레이트 등과 같은 중합성 화합물을 추가로 포함할 수 있다. 본 출원에서 용어 아크릴레이트 화합물은, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 포함하는 화합물을 의미하고, 상기 관능기를 하나 포함하는 화합물은 단관능성 아크릴레이트 화합물이고, 2개 이상 포함하는 화합물은 다관능성 아크릴레이트 화합물이다. 이와 같은 전구 물질을 사용하여 전술한 고분자 분산형 액정층을 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않고, 통상적인 고분자분산형의 액정층의 제조 방법에 따라서 수행할 수 있고, 예를 들면, 상기 전구 물질과 액정 화합물, 필요한 경우에 이방성 염료 등을 포함하는 코팅액을 코팅하고, 필요한 경우에 배향 공정 등을 거친 상태에서 상기 코팅액을 중합시키는 방식 등이 적용될 수 있다.

블라인드는 또한 구동 회로, 예를 들면, 상기 패턴화된 전극층의 각 서브 전극층에 개별 구동 전압을 인가할 수 있는 구동 회로를 포함할 수 있다. 도 4는, 통전극층과 스트라이프 형태의 서브 전극층을 포함하는 전극층이 마주보도록 형성된 형태에서 각 전극에 개별 구동 전압을 인가할 수 있도록 형성된 구동 회로의 예시이고, 도 5는 양측이 모두 스트라이프 형태의 서브 전극층을 포함하는 형태에서 각 서브 전극층에 개별 구동 전압을 인가할 수 있도록 형성된 구동 전압을 보여주는 예시이다.

본 출원의 블라인드는 상기와 같은 구성을 통해서 전면 투과 및 전면 차단 모드는 물론 블라인드의 소정 부위에서만 투과 또는 차단 모드를 구현할 수 있다. 예를 들면, 상기 블라인드가 창문에 적용되었을 경우에, 창문의 상부 또는 기타 소정 부위에서만 광을 차단하고, 다른 부위, 예를 들면 사람의 눈높이 부위에서는 외부 전경을 관찰할 수 있는 투과 모드를 구현할 수 있다.

도 6은 상기 블라인드의 예시적인 구현 상태를 보여주는 도면으로서 가장 좌측부터 각각 전면을 광을 차단할 수 있는 모드로 구현하고 있는 상태, 상부만 광을 차단할 수 있는 모드로 구현하고 있는 상태, 전면을 광 투과 모드로 구현하고 있는 상태를 나타낸다.

상기와 같은 각 모드의 구현은 칼라 모드에서도 동일하게 적용될 수 있다.

상기 블라인드는 터치 기능을 가질 수 있도록 설치될 수도 있다. 이를 위해 상기 구동 회로는 이를 통해 터치 구동 신호를 인가할 수 있도록 형성할 수 있다. 이 상태에서 사용자가 기판 중 어느 하나를 터치하는 경우에 광변조층의 캐패시턴스(capacitance)의 변화에 기반하여 터치 여부를 감지할 수 있다. 따라서, 상기 블라인드는 터치 여부에 따라 전체적 또는 패턴화된 상태로 모드가 변경되도록 구현될 수 있다.

즉, 상기 블라인드는 양측에 배치된 전극층의 사이에 광변조층을 구비하기 때문에 정전식 터치 센서에 준하는 구조를 가지고, 이에 따라 정전식 터치 센서와 준하는 방식에 의해 터치 감지 기능을 부여할 수 있다.

다만, 블라인드의 경우, 그 블라인드가 차단 모드, 투과 모드 또는 칼라 모드 중 어느 모드인지 여부에 따라서, 혹은 전면 차단, 투과 또는 칼라 모드인지 여부나 일부 차단, 투과 또는 칼라 모드인지 여부에 따라서 내부의 액정 화합물의 배열 상태가 변경되고, 그에 따라 유전율이 달라지므로, 터치 감지 기능을 구현하기 위하여 각 상태에 따라서 초기 캐패시턴스의 값을 상이하게 설정할 수 있는 기능이 필요하다.

광변조층의 유전율에 따라 초기 캐패시턴스의 값을 상이하게 설정하는 방식은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방식에 따라 수행할 수 있다.

이하에서, 하나의 예시로서 광변조층이 고분자분산형의 액정층이고, 상기 액정층 내의 액정이 수직 배향 또는 수평 배향 상태를 스위칭하는 경우에 초기 캐패시턴스의 값을 계산하는 방식을 설명한다.

예를 들어, 광변조층 내의 액정 화합물이 수평 배향되어 있는 경우에 그 변조층의 유전율은 다음 수식 1과 같이 계산될 수 있다.

[수식 1]

E_P = E_{LC -P} + E_Polymer

수식 1에서 E_P는 액정 화합물이 수평 배향되어 있는 광변조층의 유전율이고, E_{LC -P}는 수평 배향되어 있는 액정 화합물의 유전율이고, E_Polymer는 고분자분산형 액정층 내의 폴리머 네트워크의 유전율이다.

상기 수식 1에 따라서 초기 캐패시턴스의 값은 하기 수식 2와 같이 계산될 수 있다.

[수식 2]

C_P = (E_P×A)/t

수식 2에서 C_P는 초기 캐패시턴스이고, E_P는 상기 수식 1의 광변조층의 유전율이며, A는 블라인드 내의 전극층의 면적이고, t는 블라인드 내의 전극층간의 간격이다.

따라서 이러한 경우에 사용자에 의해 터치되기 전의 터치 구동 신호, 예를 들면 터치 센서 캐패시턴스(C_SBP)는 구동부에 의해 하기 수식 3과 같은 설정되고, 사용자에 의해 터치된 후의 터치 구동 신호, 즉 터치 센서 캐패시턴스(C_SAP)는 구동부에 의해 하기 수식 4와 같이 형성될 수 있다.

[수식 3]

C_SBP = C_P

[수식 4]

C_SAP = C_t + C_P

수식 3 및 4에서 C_SBP는 사용자에 의해 터치되기 전의 터치 구동 신호, 예를 들면 터치 센서 캐패시턴스이고, C_p는 수식 2의 초기 캐패시턴스이며, C_SAP는 사용자에 의해 터치된 후의 터치 구동 신호, 예를 들면 터치 센서 캐패시턴스이고, C_t는 사용자가 손으로 접촉한 때의 병렬로 형성되는 캐패시턴스이다.

한편, 광변조층 내의 액정 화합물이 수직 배향되어 있는 경우에 그 변조층의 유전율은 다음 수식 5와 같이 계산될 수 있다.

[수식 5]

E_V = E_{LC -V} + E_Polymer

수식 5에서 E_V는 액정 화합물이 수직 배향되어 있는 광변조층의 유전율이고, E_{LC -V}는 수직 배향되어 있는 액정 화합물의 유전율이고, E_Polymer는 고분자분산형 액정층 내의 폴리머 네트워크의 유전율이다.

수식 5에 따라서 초기 캐패시턴스의 값은 하기 수식 6과 같이 계산될 수 있다.

[수식 6]

C_V = (E_V×A)/t

수식 6에서 C_V는 초기 캐패시턴스이고, E_V는 상기 수식 5의 광변조층의 유전율이며, A는 블라인드 내의 전극층의 면적이고, t는 블라인드 내의 전극층간의 간격이다.

따라서 이러한 경우에 사용자에 의해 터치되기 전의 터치 구동 신호, 예를 들면 터치 센서 캐패시턴스(C_SBV)는 구동부에 의해 하기 수식 7과 같은 설정되고, 사용자에 의해 터치된 후의 터치 구동 신호, 즉 터치 센서 캐패시턴스(C_SAV)는 구동부에 의해 하기 수식 8과 같이 형성될 수 있다.

[수식 7]

C_SBV = C_V

[수식 8]

C_SAV = C_t + C_V

수식 7 및 8에서 C_SBV는 사용자에 의해 터치되기 전의 터치 구동 신호, 예를 들면 터치 센서 캐패시턴스이고, C_V는 수식 6의 초기 캐패시턴스이며, C_SAV는 사용자에 의해 터치된 후의 터치 구동 신호, 예를 들면 터치 센서 캐패시턴스이고, C_t는 사용자가 손으로 접촉한 때의 병렬로 형성되는 캐패시턴스이다.

구동부에 의해 광변조층의 각 상태에 따라서 터치 신호는 상기의 원리에 따라 제어될 수 있다. 물론 상기 계산값은 이론치이고, 실제 광변조층의 상태에 따른 유전율 등에 따른 초기 캐패시턴스는 상기 이론치와 어느 정도의 오차를 가질 수 있으므로, 세부적으로는 실험에 의해 적절한 구동 신호가 결정될 수 있다.

또한, 터치 기능이 부여되는 경우에, 인가되는 터치 구동 신호 및 광변조층의 모드의 변경을 위해 인가되는 구동 신호 상호간 간섭이 일어나지 않도록 제어되는 것이 요구될 수도 있다. 이와 같이 2종의 신호간 간섭이 일어나지 않을 수 있도록 하는 방식은 다양하게 공지이며, 이러한 방식은 모두 본 출원에 적용될 수 있다.

예를 들면, 구동부에 의해 터치 구동 신호와 광변조층의 모드 변경을 위한 구동 신호는 동일하도록 제어될 수 있다. 이러한 경우에 터치 구동 신호와 광변조층의 모드 변경을 위한 구동 신호는 동일하게 되므로, 각 신호는 서로에 대해 영향을 미치지 않을 수 있다.

다른 예시에서는 상기 언급한 광변조층의 모드에 따른 초기 캐패시턴스에 따라서 서로 상이한 터치 구동 신호를 복수의 소주기로 나누어 배치함으로써 광변조층의 모드 변경을 위한 구동 신호와 터치 구동 신호간의 갑섭을 배제할 수도 있다. 다른 예시에서는 초기 캐패시턴스에 따라서 로우 터치 구동 신호를 광변조층의 모드 변경을 위한 구동 신호와 합성하여 배치하거나, 혹은 로우 구동 신호만을 인가하여 구동 신호간의 간섭을 배제하거나, 광변조층의 모드 변경을 위한 구동 신호의 전 또는 후에 특정 시간 이하의 주기를 가지는 터치 구동 신호를 추가하여 배치함으로써 간섭을 제거하는 방식도 적용될 수 있다.

상기 각 방식을 구현하는 방법은, 구동 회로를 구현하는 전자 분야에서 공지이며, 상기 방식 외에도 인가되는 두 신호간의 간섭을 제거할 수 있는 것으로 알려져 있는 다양한 방식이 모두 본 출원에서 적용될 수 있다.

본 출원의 블라인드는 전면 투과 및 전면 차단 모드는 물론 블라인드의 소정 부위에서만 투과 또는 차단 모드를 구현할 수 있으며, 투과 또는 차단 모드가 순차적 또는 일정한 주기를 가지면서 변경되도록 할 수도 있다. 본 출원에서는 투과 및 차단 모드는 물론 다양한 색을 구현하는 칼라 모드도 상기와 같은 방식으로 구현할 수 있다. 또한, 적절한 전극층 또는 광변조층의 설계에 따라서 저소비전력으로 구동 가능하고, 단열 기능 등이 부여된 블라인드도 제공할 수 있다.

도 1은 예시적인 블라인드를 보여주는 도면이다.
도 2 및 3은 예시적인 전극층의 형태를 보여주는 도면이다.
도 4 및 5는 예시적인 블라인드의 형태를 보여주는 도면이다.
도 6 내지 9는 스마트 블라인드의 예시적인 구동 형태를 보여준다.

이하 본 출원에 따른 실시예를 통해 상기 블라인드를 보다 구체적으로 설명하지만, 그 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.

실시예 1.

도 2에 나타난 것과 같은 형태의 전극층(112, 122)을 내측에 가지는 기판(111, 121)의 사이에 광을 산란시켜 차단할 수 있는 확산 모드와 광을 투과시킬 수 있는 투과 모드의 사이를 스위칭할 수 있는 공지의 고분자분산형 액정층을 개재시키고, 도 4에 나타난 것과 같이 각 전극층에 개별 신호를 인가할 수 있도록 구동 회로를 연결하여 블라인드를 제조하였다. 도 7은 상기와 같이 제조된 블라인드의 구동 양식을 보여준다.

실시예 2.

광변조층으로서, 적정한 색을 발현하는 이방성 염료를 도입한 공지의 고분자분산형 액정층을 광변조층으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 블라인드를 제조하였다. 도 8은 상기와 같이 제조된 블라인드의 구동 양식을 보여준다.

실시예 3.

광변조층으로서, 투과 및 차단 모드의 사이를 구동할 수 있는 공지의 액정층을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 블라인드를 제조하였다. 도 9는 상기와 같이 제조된 블라인드의 구동 양식을 보여준다.

111, 121: 기판
112, 122: 전극층
130: 광변조층
140: 구동부

Claims (16)

1. 대향 배치되어 있는 2개의 기판; 상기 2개의 기판의 사이에 위치하는 광변조층; 및 상기 2개의 기판 각각의 내측에 형성되어 있는 전극층을 포함하고,
   상기 2개의 기판 중 어느 하나의 기판의 내측에 형성되어 있는 전극층은 통전극층이며, 다른 하나의 기판의 내측에 배치되어 있는 전극층은 패턴화되어 있거나, 또는 상기 2개의 기판 모두의 내측에 형성되어 있는 전극층은 각각 2개 이상의 이격 배치된 스트라이프 형상의 서브 전극층을 포함하고, 상기 기판 중에서 어느 하나의 기판에 형성되어 있는 스트라이프 형상의 서브 전극층과 다른 하나의 기판에 형성되어 있는 스트라이프 형상의 서브 전극층은 서로 크로스된 상태로 배치되어 있으며,
   상기 광변조층을 1층만 포함하는 블라인드.
2. 삭제
3. 삭제
4. 제 1 항에 있어서, 2개의 기판 중 어느 하나의 내측에 형성되어 있는 전극층은 통전극층이고, 다른 하나의 내측에 배치되어 있는 전극층은, 2개 이상의 이격 배치된 스트라이프 형상의 서브 전극층을 포함하는 패턴화 상태인 블라인드.
5. 삭제
6. 제 1 항에 있어서, 2개의 기판의 내측에 형성되어 있는 전극층 중 적어도 하나는 780 nm 이상의 파장의 광에 대한 투과율이 70% 이하인 블라인드.
7. 제 6 항에 있어서, 전극층은, 순차 형성되어 있는 제 1 산화물층, 금속층 및 제 2 산화물층을 포함하는 블라인드.
8. 제 1 항에 있어서, 광변조층은, 액정층, 고분자분산형 액정층, 화소 고립형 액정층, 부유 입자 디바이스 또는 전기변색 디스플레이인 블라인드.
9. 제 1 항에 있어서, 광변조층은 이방성 염료를 포함하는 블라인드.
10. 제 1 항에 있어서, 광변조층은, 규소 화합물을 포함하는 전구 물질의 네트워크 및 상기 네트워크 내에 분산된 상태로 존재하는 액정 화합물을 포함하는 액정층인 블라인드.
11. 제 10 항에 있어서, 규소 화합물은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 블라인드:
    [화학식 1]
    

    

    
    [화학식 2]
    

    

    
    화학식 1 또는 2에서, n은 0 내지 10의 범위 내의 수이고, m은 2 내지 8의 범위 내의 수이며, X는 -O-또는 -NW-이고, R₁ 내지 R₆는 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 중합성 관능기, -A-R₇ 또는 -L-Si(R₈)_p(R₉)_(3-p)이며, 상기 A 및 L은 각각 독립적으로 알킬렌기, 알키닐렌기, 아릴렌기, 알케닐렌기, 알킬리덴기, -O- 또는 -NW-이고, R₇은, 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 중합성 관능기이며, R₈은 중합성 관능기이고, R₉은 알킬기, 알콕시기 또는 아릴기이며, p는 0 내지 3의 수이고, W는 수소 또는 알킬기이다.
12. 제 1 항에 있어서, 기판의 외측에 배치된 편광층을 추가로 포함하는 블라인드.
13. 제 1 항에 있어서, 패턴화되어 있는 전극층에 개별 구동 전압을 인가할 수 있도록 설치된 구동 회로를 추가로 포함하는 블라인드.
14. 제 1 항에 있어서, 터치 기능을 가지는 블라인드.
15. 제 14 항에 있어서, 터치에 따른 광변조층의 커패시턴스의 변화에 따라 터치 구동 신호를 인가할 수 있도록 설치된 구동 회로를 추가로 포함하는 블라인드.
16. 제 15 항에 있어서, 구동 회로는 광변조층의 상태에 따라 상기 광변조층의 초기 커패시턴스가 다르게 설정할 수 있도록 설치되어 있는 블라인드.
    

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