KR101713946B1 - Liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정패널과; 상기 액정패널 하부 및 상부 각각에 위치하는 제 1 및 제 2 편광판과; 상기 제 1 편광판 하부에 위치하며 상기 액정패널에 빛을 공급하는 백라이트 유닛과; 상기 제 2 편광판과 상기 액정패널 사이에 위치하며, 제 1 층 및 제 2 층을 포함하는 적어도 이중층 구조의 선택 반사층을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 층은 서로 다른 굴절율을 갖는 물질로 이루어지고, 상기 백라이트 유닛이 빛을 공급하지 않는 경우 상기 선택 반사층에 의해 파장이 λ인 빛이 반사되는 것이 특징인 액정표시장치를 제공한다.The present invention relates to a liquid crystal display device, First and second polarizers positioned on the lower and upper portions of the liquid crystal panel; A backlight unit positioned below the first polarizer and supplying light to the liquid crystal panel; And a selective reflection layer disposed between the second polarizer and the liquid crystal panel and including at least a first layer and a second layer, wherein the first and second layers are made of a material having a different refractive index And when the backlight unit does not supply light, light having a wavelength of? Is reflected by the selective reflection layer.

Description

액정표시장치{Liquid crystal display device}[0001] Liquid crystal display device [0002]

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 반사특성을 가져 오프 상태에서 특정 색상을 나타낼 수 있는 액정표시장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, and more particularly to a liquid crystal display capable of exhibiting a specific color in an off state due to its reflection characteristic.

정보화 사회가 발전함에 따라 표시 장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점진적으로 증가하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 LCD(Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), VFD(Vacuum Fluorescent Display), ELD(Electro Luminescent Display) 등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고, 일부는 이미 여러 장비에서 표시장치로 활용되고 있다. As the information society has developed, demand for display devices has been gradually increasing in various forms. In response to this demand, in recent years, LCD (Liquid Crystal Display Device), PDP (Plasma Display Panel), VFD (Vacuum Fluorescent Display) Electro Luminescent Display) have been studied, and some of them have already been used as display devices in various devices.

그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 장점으로 인하여 이동형 화상 표시장치의 용도로 CRT(Cathode Ray Tube)를 대체하면서 액정표시장치가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 방송신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비전 및 컴퓨터의 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.Among them, liquid crystal display devices are mostly used while substituting CRT (Cathode Ray Tube) for the purpose of a portable image display device because of their excellent image quality, light weight, thinness and low power consumption. A monitor for receiving and displaying a broadcast signal, a monitor for a computer, and the like.

이러한 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용하는 바, 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.The driving principle of such a liquid crystal display device utilizes the optical anisotropy and the polarization property of the liquid crystal, and since the liquid crystal has a long structure, the liquid crystal has directionality in the arrangement of molecules, and an electric field is artificially applied to the liquid crystal to control the direction can do.

따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.Therefore, when the molecular alignment direction of the liquid crystal is arbitrarily adjusted, the molecular arrangement of the liquid crystal is changed, and light is refracted in the molecular alignment direction of the liquid crystal due to optical anisotropy, so that image information can be expressed.

현재에는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.Currently, active matrix liquid crystal display (AM-LCD), in which a thin film transistor and pixel electrodes connected to the thin film transistor are arranged in a matrix manner, has been receiving the most attention because of its excellent resolution and video realization capability.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 종래에 따른 액정표시장치에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, a conventional liquid crystal display device will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래에 따른 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 종래에 따른 액정표시장치(1)는 제 1 기판(5) 및 제 2 기판(10)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(5, 10)의 이격된 사이 공간에 개재된 액정층(15)과, 상기 제 1 기판(5)과 이격된 배면에 위치하는 백라이트 유닛(90)을 포함한다. 이 때, 상기 제 1 및 제 2 기판(5, 10)과 액정층(15)을 포함하여 액정 패널(30)이라 한다. 상기 제 1 및 제 2 기판(5, 10)은 투명한 유리 기판이 주로 이용된다.As shown in the figure, a conventional liquid crystal display device 1 includes a first substrate 5 and a second substrate 10, a first substrate 5 and a second substrate 5, A liquid crystal layer 15, and a backlight unit 90 positioned on the backside spaced apart from the first substrate 5. In this case, the liquid crystal panel 30 includes the first and second substrates 5 and 10 and the liquid crystal layer 15. A transparent glass substrate is mainly used for the first and second substrates 5 and 10.

상기 제 1 기판(5)은 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 수직 교차하여 정의하는 화소 영역(P)과 박막 트랜지스터(Tr)가 형성되는 스위칭 영역(S)으로 구분된다. The first substrate 5 is divided into a pixel region P defined by a gate line (not shown) and a data line (not shown) perpendicularly intersecting and a switching region S formed with a thin film transistor Tr.

상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점 별로는 스위칭 역할을 하는 박막 트랜지스터(Tr)가 형성된다. 상기 박막 트랜지스터(Tr)는 게이트 전극(25), 게이트 절연막(45), 반도체층(42)과 소스 및 드레인 전극(32, 34)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(25)은 상기 게이트 배선에 연결되며, 상기 게이트 절연막(45)은 상기 게이트 전극(25)을 덮고 있다. 상기 반도체층(42)은 상기 게이트 절연막(45) 상에 위치하며, 상기 게이트 전극(25)에 대응하여 위치하고 있다. 상기 반도체층(42)은 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 이루어진 액티브층과 불순물을 포함하는 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)으로 이루어진 오믹 콘택층을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(32)은 상기 데이터 배선에 연결되며, 상기 드레인 전극(34)은 상기 소스 전극(32)과 이격되어 있다. 상기 소스 전극(32) 및 상기 드레인 전극(34)은 상기 반도체층(42) 상에 위치하고 있다.A thin film transistor Tr serving as a switching is formed for each intersection of the gate line and the data line. The thin film transistor Tr may include a gate electrode 25, a gate insulating film 45, a semiconductor layer 42, and source and drain electrodes 32 and 34. The gate electrode 25 is connected to the gate wiring, and the gate insulating film 45 covers the gate electrode 25. The semiconductor layer 42 is located on the gate insulating layer 45 and is located corresponding to the gate electrode 25. The semiconductor layer 42 may include an active layer made of pure amorphous silicon (a-Si: H) and an ohmic contact layer made of amorphous silicon (n + a-Si: H) containing impurities. The source electrode 32 is connected to the data line and the drain electrode 34 is spaced apart from the source electrode 32. The source electrode 32 and the drain electrode 34 are located on the semiconductor layer 42.

상기 박막 트랜지스터(Tr)의 상부로는 상기 드레인 전극(34)을 노출하는 드레인 콘택홀(DCH)을 포함하는 보호막(55)이 형성된다. 상기 보호막(55)의 상부로는 상기 드레인 콘택홀(DCH)을 통해 상기 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(34)과 개별적으로 연결된 화소 전극(70)이 화소 영역(P)별로 형성된다.A protective layer 55 including a drain contact hole DCH exposing the drain electrode 34 is formed on the upper portion of the thin film transistor Tr. A pixel electrode 70 connected to the drain electrode 34 of the thin film transistor Tr through the drain contact hole DCH is formed on the protective film 55 for each pixel region P. [

상기 화소 전극(70)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide; ITO)와 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide; IZO)를 포함하는 투명한 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 형성될 수 있다.The pixel electrode 70 may be formed of one selected from a group of transparent conductive materials including indium-tin-oxide (ITO) and indium-zinc-oxide (IZO) .

한편, 상기 제 2 기판(10)에는 제 1 기판(5) 상의 게이트 및 데이터 배선과, 박막 트랜지스터(Tr)를 차폐하는 블랙 매트릭스(12)가 형성된다. 상기 블랙 매트릭스(12)의 하부로는 블랙 매트릭스(12)를 경계로 순차적으로 패턴된 적(R), 녹(G), 청(B) 서브 컬러필터(16a, 16b, 16c)를 포함하는 컬러필터층(16)이 형성된다. 또한, 상기 컬러필터층(16)의 하부 전면으로는 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 이루어진 공통 전극(80)이 형성된다.On the other hand, on the second substrate 10, a gate and a data wiring on the first substrate 5 and a black matrix 12 for shielding the thin film transistor Tr are formed. Color filters 16a, 16b, and 16c including red (R), green (G), and blue (B) sub-color filters sequentially patterned with the black matrix 12 as a boundary are formed below the black matrix 12. [ A filter layer 16 is formed. A common electrode 80 made of a transparent conductive material group including indium-tin-oxide (ITO) and indium-zinc-oxide (IZO) is formed on the lower surface of the color filter layer 16.

이 때, 도면으로 상세히 제시하지는 않았지만, 상기 화소 전극(70)과 상기 공통 전극(80)의 상부 및 하부면 각각에는 제 1 및 제 2 배향막(미도시)이 더 형성될 수 있다.In this case, first and second alignment layers (not shown) may be further formed on the upper and lower surfaces of the pixel electrode 70 and the common electrode 80, respectively, although not shown in detail in the drawings.

전술한 액정표시장치(1)는 박막 트랜지스터(T)가 개별적으로 연결된 화소 전극(70)을 제 1 전극으로, 제 2 기판(10)의 전면에 형성된 공통 전극(80)을 제 2 전극으로 이용하게 된다. 이러한 스위칭 역할을 하는 박막 트랜지스터(T)를 이용하여 선택적으로 해당 화소 영역별로 위치하는 화소 전극 및 공통 전극 간의 수직 전계를 이용하여 액정층(15)이 구동되며 상기 백라이트 유닛(90)으로부터 발광되는 빛의 투과량을 조절할 수 있게 된다. 이러한 액정층의 구동에 의한 온/오프에 컬러필터층을 통과하는 빛을 통해 원하는 영상을 구현하게 된다.The liquid crystal display 1 described above uses the pixel electrode 70 to which the thin film transistors T are individually connected as the first electrode and the common electrode 80 formed on the front surface of the second substrate 10 as the second electrode . The liquid crystal layer 15 is driven by using the vertical electric field between the pixel electrode and the common electrode which are selectively located in the corresponding pixel region by using the thin film transistor T serving as the switching and the light emitted from the backlight unit 90 It is possible to control the amount of permeation. The desired image is realized through the light passing through the color filter layer on / off by driving the liquid crystal layer.

특히, 상기 백라이트 유닛(90)의 광원으로는 냉음극 형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp: CCFL), 열음극 형광램프(Hot Cathode Fluorescent Lamp: HCFL), 외부 전극 형광램프(External Electrode Fluorescent Lamp: EEFL) 및 발광 다이오드(Light-Emitting Diode: LED) 중 선택된 어느 하나가 이용될 수 있다.
Particularly, as the light source of the backlight unit 90, a cold cathode fluorescent lamp (CCFL), a hot cathode fluorescent lamp (HCFL), an external electrode fluorescent lamp (EEFL) And a light-emitting diode (LED) may be used.

한편, 최근 들어 오프 시에 색상이 구현되는 액정표시장치에 대한 요구가 있다. 특히 휴대폰 등에 있어, 오프 시에 케이스의 색상과 조화를 이루도록 특정 색상이 구현되는 것이 요구되고 있다. 일반적으로, 액정표시장치는 그 모드에 따라 오프 시에 블랙 또는 화이트 색상을 구현하게 되는데, 휴대폰 케이스 등의 색상과 조화를 이룰 수 없게 된다.In recent years, there has been a demand for a liquid crystal display device in which colors are implemented at off-time. Particularly in mobile phones and the like, it is required that a specific color is implemented so as to harmonize with the color of the case at the time of off. In general, the liquid crystal display device implements black or white color at the time of off according to the mode, and it can not achieve harmony with the color of the cellular phone case and the like.

이러한 요구에 맞추어, 콜레스테릭 액정의 반사 특성을 이용한 액정표시장치가 제안되었다. 도 2는 종래 콜레스테릭 액정을 이용한 반사 특성의 액정표시장치의 단면도이다.In accordance with this demand, a liquid crystal display device using reflection characteristics of a cholesteric liquid crystal has been proposed. 2 is a cross-sectional view of a reflective liquid crystal display device using a conventional cholesteric liquid crystal.

도 1 및 도 2를 참조하면, 액정표시장치(50)는 액정패널(30)과, 상기 액정패널(30) 하부의 백라이트 유닛(90)과, 상기 액정패널(30) 상부의 콜레스테릭 액정필름(80)을 포함한다.1 and 2, a liquid crystal display 50 includes a liquid crystal panel 30, a backlight unit 90 under the liquid crystal panel 30, Film (80).

상기 액정패널(30)은 도 1에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터(Tr)와 화소전극(70) 등이 형성된 제 1 기판(5)과, 컬러필터층(16) 및 공통전극(75) 등이 형성된 제 2 기판(10) 및 상기 제 1 및 제 2 기판(5, 10) 사이에 개재된 액정층(15)을 포함하여 이루어진다.1, the liquid crystal panel 30 includes a first substrate 5 on which a thin film transistor Tr and a pixel electrode 70 are formed, a color filter layer 16 and a common electrode 75, And a liquid crystal layer 15 interposed between the second substrate 10 and the first and second substrates 5 and 10.

상기 액정패널(30)은 온(on) 구동시 상기 백라이트 유닛(90)의 광원으로부터 빛이 조사되고 상기 액정패널(30)의 구동에 의해 상기 콜레스테릭 액정필름(80)을 통해 컬러 영상을 구현하게 된다.The liquid crystal panel 30 is irradiated with light from a light source of the backlight unit 90 when the liquid crystal panel 30 is driven on and the color image is transmitted through the cholesteric liquid crystal film 80 by driving the liquid crystal panel 30 .

상기 콜레스테릭 액정필름(80)은 서로 마주보는 제 3 및 제 4 기판(82, 84)과, 상기 제 3 및 제 4 기판(82, 84) 사이에 위치하며 각 화소영역(P)의 경계에 형성된 격벽(88)과, 상기 제 3 및 제 4 기판(82, 84)과 상기 격벽(88)에 의해 정의된 공간에 위치하는 콜레스테릭 액정층(86)을 포함하여 이루어진다. The cholesteric liquid crystal film 80 is disposed between the third and fourth substrates 82 and 84 facing each other and between the third and fourth substrates 82 and 84, And a cholesteric liquid crystal layer 86 located in a space defined by the third and fourth substrates 82 and 84 and the barrier rib 88. [

상기 콜레스테릭 액정층(86)은 콜레스테릭 액정분자(87)를 포함하고 있다.The cholesteric liquid crystal layer 86 includes a cholesteric liquid crystal molecule 87.

한편, 액정표시장치(50)는 상기 액정패널(30)의 오프(off) 구동시에 상기 콜레스테릭 액정필름(80)에 의해 빛이 선택적으로 반사되어 특정 색상을 구현하게 된다.On the other hand, the liquid crystal display device 50 selectively reflects light by the cholesteric liquid crystal film 80 when the liquid crystal panel 30 is turned off, thereby realizing a specific color.

상기 콜레스테릭 액정분자(87)는 나선 형상으로 꼬인 상태로 배열되어 있다. 상기 콜레스테릭 액정분자(87)의 360°꼬인 형상을 단위 나선 피치(pitch)라고 하면, 단위 나선 피치와 나선 형상의 두께에 의해 반사되는 색상이 결정된다.The cholesteric liquid crystal molecules 87 are arranged in a twisted state in a twisted state. When a 360-degree twisted shape of the cholesteric liquid crystal molecules 87 is referred to as a unit helix pitch, a hue reflected by the unit helix pitch and the thickness of the helical shape is determined.

즉, 콜레스테릭 액정분자(87)는 우원편광된 빛은 투과하고 좌원편광된 빛 중 특정 파장을 갖는 빛만을 반사하게 되며, 콜레스테릭 액정분자(87)의 단위 나선 피치와 나선 형상의 두께에 의해 반사된 빛의 파장이 결정된다. 즉, 콜레스테릭 액정분자(87)의 단위 나선 피치와 나선 형상의 두께에 의해 반사된 빛의 색상이 결정된다. That is, the cholesteric liquid crystal molecules 87 reflect only the light having a specific wavelength among the light that has been transmitted through the right-handed polarized light and is left-handed, and the unit helix pitch of the cholesteric liquid crystal molecules 87 and the thickness The wavelength of the light reflected by the light source is determined. That is, the color of the light reflected by the unit helix pitch and the spiral thickness of the cholesteric liquid crystal molecules 87 is determined.

그런데, 위와 같이 콜레스테릭 액정필름(80)을 포함하는 종래 반사 액정표시장치(50)의 경우, 마주하는 두 기판(82, 84) 및 콜레스테릭 액정층(86)을 포함하는 콜레스테릭 액정필름(80)을 필요로 하기 때문에 그 제조 공정이 복잡하고 제조 원가 또한 상승하게 된다.In the case of the conventional reflective liquid crystal display device 50 including the cholesteric liquid crystal film 80 as described above, the thickness of the cholesteric liquid crystal layer 80 including the two opposing substrates 82 and 84 and the cholesteric liquid crystal layer 86 Since the liquid crystal film 80 is required, the manufacturing process is complicated and the manufacturing cost is also increased.

또한, 정면 시야각에서는 원하는 색상이 구현되나 측면 시야각에서는 다른 색상이 관찰되는 문제가 있다.In addition, there is a problem that a desired color is realized at the front view angle but another color is observed at the side view angle.

또한, 액정패널(30)의 상,하에는 특정 선편광만을 투과시키는 편광판이 존재하며 상기 액정패널(30)의 상부에 위치하는 편광판을 통과한 빛은 좌원편광된 빛만을 투과시키는 콜레스테릭 액정필름(80)을 통과하면서 투과율이 크게 감소하게 된다. 결과적으로 액정표시장치(50)의 투과율이 감소하는 문제가 발생한다.
There is a polarizing plate for transmitting only a specific linearly polarized light above and below the liquid crystal panel 30 and light passing through the polarizing plate located above the liquid crystal panel 30 is transmitted through a cholesteric liquid crystal film The transmittance is greatly reduced while passing through the transparent substrate 80. As a result, the transmittance of the liquid crystal display device 50 is reduced.

본 발명은 위와 같이, 종래 액정표시장치의 제조 공정 및 제조 원가에서의 단점을 해결하고자 한다. 즉, 복잡한 구조의 콜레스테릭 액정필름을 대신하여 특정 색상을 반사시킬 수 있는 구성을 이용하고자 한다.As described above, the present invention aims to solve the disadvantages in the manufacturing process and manufacturing cost of the conventional liquid crystal display device. That is, in order to replace a cholesteric liquid crystal film having a complicated structure, a configuration capable of reflecting a specific color is used.

또한, 측면 시야각에서의 색상 변화 문제를 해결하고자 한다.
Also, the problem of color change at the side viewing angle is solved.

위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은 액정패널과; 상기 액정패널 하부 및 상부 각각에 위치하는 제 1 및 제 2 편광판과; 상기 제 1 편광판 하부에 위치하며 상기 액정패널에 빛을 공급하는 백라이트 유닛과; 상기 제 2 편광판과 상기 액정패널 사이에 위치하며, 제 1 층 및 제 2 층을 포함하는 적어도 이중층 구조의 선택 반사층을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 층은 서로 다른 굴절율을 갖는 물질로 이루어지고, 상기 백라이트 유닛이 빛을 공급하지 않는 경우 상기 선택 반사층에 의해 파장이 λ인 빛이 반사되는 것이 특징인 액정표시장치를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a liquid crystal display comprising: a liquid crystal panel; First and second polarizers positioned on the lower and upper portions of the liquid crystal panel; A backlight unit positioned below the first polarizer and supplying light to the liquid crystal panel; And a selective reflection layer disposed between the second polarizer and the liquid crystal panel and including at least a first layer and a second layer, wherein the first and second layers are made of a material having a different refractive index And when the backlight unit does not supply light, light having a wavelength of? Is reflected by the selective reflection layer.

상기 제 1 층은 산화티타늄(TiO2)으로 이루어지고, 상기 제 2 층은 산화실리콘(SiO2)으로 이루어지는 것이 특징이다.The first layer is made of titanium oxide (TiO 2 ), and the second layer is made of silicon oxide (SiO 2 ).

상기 액정패널은 서로 마주하는 제 1 및 제 2 기판과, 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 위치하는 액정층과, 상기 액정층을 구동하기 위한 화소전극과 공통전극을 포함하고, 상기 제 2 층은 상기 제 2 기판과 상기 제 1 층 사이에 위치하는 것이 특징이다.Wherein the liquid crystal panel includes first and second substrates facing each other, a liquid crystal layer positioned between the first and second substrates, a pixel electrode and a common electrode for driving the liquid crystal layer, Is located between the second substrate and the first layer.

상기 액정패널은, 마주하는 제 1 및 제 2 기판과; 상기 제 1 기판에 위치하는 박막트랜지스터와; 상기 제 1 기판에 위치하며 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극과; 상기 제 1 및 제 2 기판 중 어느 하나에 위치하는 공통전극과; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하는 것이 특징이다.The liquid crystal panel includes: first and second substrates facing each other; A thin film transistor located on the first substrate; A pixel electrode located on the first substrate and connected to the thin film transistor; A common electrode disposed on one of the first and second substrates; And a liquid crystal layer disposed between the first and second substrates.

상기 제 1 편광판은 제 1 편광축을 갖고, 상기 제 2 편광판은 상기 제 1 편광축에 수직한 제 2 편광축을 갖는 것이 특징이다.The first polarizing plate has a first polarizing axis and the second polarizing plate has a second polarizing axis perpendicular to the first polarizing axis.

상기 선택 반사층은 상기 제 1 및 제 2 층이 교대로 배열되는 2층 내지 30층 구조를 갖는 것이 특징이다.And the selective reflection layer has a two-layer to thirty-layer structure in which the first and second layers are alternately arranged.

상기 선택반사층은 상기 제 1 및 제 2 층이 교대로 배열되어 18층 구조를 갖고, 상기 제 1 층이 최하층에 위치하며 상기 제 2 층이 최상층에 위치하고, 상기 최상층에 위치하는 상기 제 2 층이 가장 큰 두께를 가지며, 상기 λ는 청색 파장대인 것이 특징이다.
Wherein the selective reflection layer is formed by alternately arranging the first and second layers to have an 18-layer structure, wherein the first layer is located at the lowest layer, the second layer is located at the uppermost layer, and the second layer located at the uppermost layer And has the largest thickness, and the above-mentioned? Is a blue wavelength band.

본 발명은 교대로 배열되는 산화티타늄층과 산화실리콘층을 이용하여 특정 파장을 빛을 반사함으로써 액정표시장치의 오프(off) 시에 특정 색상을 표시할 수 있게 된다.The present invention can display a specific color when the liquid crystal display device is turned off by reflecting light of a specific wavelength using alternately arranged titanium oxide layer and silicon oxide layer.

종래 콜레스테릭 액정필름에 비해 매우 간단한 구조를 갖기 때문에 제조 공정이 단순하고 제조 원가를 절감할 수 있다. 또한, 박형 액정표시장치를 제공할 수 있는 장점을 갖는다.Since it has a very simple structure as compared with the conventional cholesteric liquid crystal film, the manufacturing process is simple and the manufacturing cost can be reduced. Further, it has an advantage that a thin liquid crystal display device can be provided.

또한, 산화티타늄층과 산화실리콘층의 적층 구조를 상부 기판과 편광판 사이에 위치시킴으로써, 측면 시야각에서의 컬러 쉬프트 문제를 방지할 수 있다.
Further, by locating the laminated structure of the titanium oxide layer and the silicon oxide layer between the upper substrate and the polarizing plate, the color shifting problem at the side viewing angle can be prevented.

도 1은 종래에 따른 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 종래 콜레스테릭 액정을 이용한 반사 특성의 액정표시장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치에서의 컬러 쉬프트 현상을 보여주는 사진이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 6a 및 도 6b 각각은 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 액정표시장치에서의 컬러 쉬프트 현상을 보여주는 그래프이다.
1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional liquid crystal display device.
2 is a cross-sectional view of a reflective liquid crystal display device using a conventional cholesteric liquid crystal.
3 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
4 is a photograph showing a color shift phenomenon in the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
6A and 6B are graphs showing a color shift phenomenon in the liquid crystal display according to the first and second embodiments of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대해 자세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 액정표시장치(100)는 액정패널(110)과, 상기 액정패널(110) 하부 및 상부의 제 1 및 제 2 편광판(152, 154)과, 상기 제 1 편광판(152) 하부의 백라이트 유닛(120)과, 상기 제 2 편광판(154) 상부에 위치하는 제 3 기판(160)과, 상기 제 3 기판(160) 상에 위치하는 선택 반사층(170)을 포함한다.1, the liquid crystal display 100 includes a liquid crystal panel 110, first and second polarizers 152 and 154 below and above the liquid crystal panel 110, A third substrate 160 positioned above the second polarizing plate 154 and a selective reflection layer 170 disposed on the third substrate 160. The first polarizing plate 154 and the second polarizing plate 154 may have different polarities.

상기 액정패널(110)은 제 1 기판(101)과, 상기 제 1 기판(101)과 마주하는 제 2 기판(102)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 사이에 개재된 액정층(103)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 각각의 외측에 위치하는 제 1 및 제 2 편광판(152, 154)를 포함한다.The liquid crystal panel 110 includes a first substrate 101, a second substrate 102 facing the first substrate 101, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates 101 and 102. [ Layer 103 and first and second polarizers 152 and 154 located outside the first and second substrates 101 and 102, respectively.

상기 제 1 기판(101) 상에는 게이트 전극(112)과, 상기 게이트 전극(112)에 연결되고 제 1 방향을 따라 연장된 게이트 배선(114)이 위치하고 있다. 상기 게이트 전극(112) 및 상기 게이트 배선(114) 각각은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 구리합금과 같은 금속물질의 단일층으로 이루어질 수 있다. 한편, 이와 달리 구리(Cu)로 이루어지는 제 1 층과, 상기 제 1 층 상부 및 하부에 위치하며 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi)으로 이루어지는 제 2 및 제 3 층을 갖는 삼중층 구조로 이루어질 수도 있다.A gate electrode 112 and a gate wiring 114 connected to the gate electrode 112 and extending along a first direction are disposed on the first substrate 101. Each of the gate electrode 112 and the gate wiring 114 may be formed of a single layer of a metal material such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), molybdenum (Mo), copper (Cu) On the other hand, it may alternatively have a triple layer structure having a first layer made of copper (Cu) and a second layer and a third layer made of molybdenum-titanium alloy (MoTi), which are located above and below the first layer.

상기 게이트 전극(112) 및 상기 게이트 배선(114)을 덮으며 게이트 절연막(116)이 위치하고 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(116)은 산화실리콘 또는 질화실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.A gate insulating layer 116 is disposed to cover the gate electrode 112 and the gate wiring 114. For example, the gate insulating layer 116 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride.

상기 게이트 절연막(116) 상에는 액티브층(120a)과 오믹콘택층(120b)을 포함하는 반도체층(120)이 위치한다. 상기 반도체층(120)은 상기 게이트 전극(112)에 대응하여 위치하고 있다. 상기 액티브층(120a)은 순수 비정질 실리콘으로 이루어지며, 상기 오믹콘택층(120b)은 불순물 비정질 실리콘으로 이루어진다.A semiconductor layer 120 including an active layer 120a and an ohmic contact layer 120b is disposed on the gate insulating layer 116. [ The semiconductor layer 120 is located corresponding to the gate electrode 112. The active layer 120a is made of pure amorphous silicon and the ohmic contact layer 120b is made of impurity amorphous silicon.

또한, 상기 게이트 절연막(116) 상에는 상기 화소영역(P)에 대응하여 판 형상을 갖는 화소전극(124)이 위치한다. 상기 화소전극(124)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다. 상기 화소전극(124)은 상기 반도체층(120)의 측면과 접촉할 수 있으며, 이와 달리 상기 반도체층(120)으로부터 일정 간격 이격되어 위치할 수도 있다. 상기 화소전극(124)은 상기 게이트 배선(114)의 일부와 중첩함으로써 스토리지 캐패시터(Cst)를 구성한다. 즉, 상기 게이트 배선(114)의 중첩된 부분이 제 1 전극이 되고, 상기 화소전극(124)의 중첩된 부분이 제 2 전극이 되며, 상기 화소전극(124)과 상기 게이트 배선(114) 사이의 상기 게이트 절연막(116)이 유전체층이 됨으로써, 스토리지 캐패시터(Cst)를 이룬다.A pixel electrode 124 having a plate shape corresponding to the pixel region P is located on the gate insulating film 116. The pixel electrode 124 is made of a transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO). The pixel electrode 124 may be in contact with a side surface of the semiconductor layer 120 or may be spaced apart from the semiconductor layer 120 by a predetermined distance. The pixel electrode 124 overlaps with a part of the gate line 114 to form a storage capacitor Cst. That is, the overlapped portion of the gate line 114 becomes the first electrode, the overlapped portion of the pixel electrode 124 becomes the second electrode, and the overlap between the pixel electrode 124 and the gate line 114 The gate insulating film 116 of the gate insulating film 116 becomes a dielectric layer, thereby forming a storage capacitor Cst.

또한, 상기 게이트 절연막(116) 상에는 상기 게이트 배선(114)과 교차하도록 제 2 방향으로 연장된 데이터 배선(130)이 위치한다. 상기 데이터 배선(130)과 상기 게이트 배선(114)의 교차에 의해 상기 화소영역(P)이 정의된다.A data line 130 extending in the second direction is disposed on the gate insulating layer 116 so as to intersect the gate line 114. The pixel region P is defined by the intersection of the data line 130 and the gate line 114.

상기 반도체층(120) 상에는 소스 전극(132)과 드레인 전극(134)이 위치하고 있다. 상기 소스 전극(132)은 상기 데이터 배선(130)에 연결되며, 상기 드레인 전극(134)은 상기 소스 전극(132)으로부터 이격되어 있다. 상기 드레인 전극(132)은 상기 화소전극(124)과 접촉하고 있다. 상기 소스 및 드레인 전극(132, 134) 사이의 이격 공간에 대응하여 상기 액티브층(120a)이 노출되어 있다.A source electrode 132 and a drain electrode 134 are positioned on the semiconductor layer 120. The source electrode 132 is connected to the data line 130 and the drain electrode 134 is spaced apart from the source electrode 132. The drain electrode 132 is in contact with the pixel electrode 124. The active layer 120a is exposed corresponding to a space between the source and drain electrodes 132 and 134. [

상기 데이터 배선(130), 상기 소스 전극(132) 및 상기 드레인 전극(134) 각각은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 구리합금과 같은 금속물질의 단일층으로 이루어질 수 있다. 한편, 이와 달리 구리(Cu)로 이루어지는 제 1 층과, 상기 제 1 층 상부 및 하부에 위치하며 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi)으로 이루어지는 제 2 및 제 3 층을 갖는 삼중층 구조로 이루어질 수도 있다.Each of the data line 130, the source electrode 132 and the drain electrode 134 is formed of a metal material such as aluminum (Al), an aluminum alloy (AlNd), molybdenum (Mo), copper (Cu) It can be made of a single layer. On the other hand, it may alternatively have a triple layer structure having a first layer made of copper (Cu) and a second layer and a third layer made of molybdenum-titanium alloy (MoTi), which are located above and below the first layer.

상기 게이트 전극(112), 상기 게이트 절연막(116), 상기 반도체층(120), 상기 소스 전극(132) 및 상기 드레인 전극(134)은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다. 상기 박막트랜지스터(Tr)는 상기 게이트 배선(114), 상기 데이터 배선(130) 및 상기 화소전극(124)과 연결되어 있다.The gate electrode 112, the gate insulating layer 116, the semiconductor layer 120, the source electrode 132, and the drain electrode 134 form a thin film transistor Tr which is a switching element. The thin film transistor Tr is connected to the gate line 114, the data line 130, and the pixel electrode 124.

상기 박막트랜지스터(Tr), 상기 데이터 배선(130) 및 상기 화소전극(124)을 덮으며 보호층(136)이 위치하고 있다. 상기 보호층(136)은 산화실리콘, 질화실리콘과 같은 무기절연물질 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)과 같은 유기절연물질로 이루어질 수 있다.A protective layer 136 is disposed to cover the thin film transistor Tr, the data line 130, and the pixel electrode 124. The passivation layer 136 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, or an organic insulating material such as benzocyclobutene (BCB) or photo acryl.

상기 보호층(136) 상에는 상기 화소전극(124)에 대응하여 적어도 하나의 홀(139)을 가지며 상기 제 1 기판(101) 전체에 대하여 판 형상을 갖는 공통전극(138)이 위치하고 있다. 상기 공통전극(138)은 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다. 상기 공통전극(138) 및 상기 화소전극(124)에 전압이 인가되면 프린지 필드(fringe field)가 형성된다.A common electrode 138 having at least one hole 139 corresponding to the pixel electrode 124 and having a plate shape with respect to the entire first substrate 101 is disposed on the passivation layer 136. The common electrode 138 is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO. When a voltage is applied to the common electrode 138 and the pixel electrode 124, a fringe field is formed.

상기 제 1 기판(101)과 마주하는 상기 제 2 기판(102)에는 블랙매트릭스(140)와, 컬러필터층(142)과 오버코트층(146)이 위치하고 있다. 상기 블랙매트릭스(140)는 상기 박막트랜지스터(Tr), 상기 데이터 배선(130) 및 상기 게이트 배선(114) 등에 대응하여 위치함으로써 빛샘을 방지한다. 상기 블랙매트릭스(140) 상에는 상기 화소영역(P)에 대응하여 상기 컬러필터층(142)이 형성된다. 예를 들어, 상기 컬러필터층(142)는 적색, 녹색, 청색 컬러필터 패턴(142a, 142b, 142c)를 포함한다. 또한, 상기 오버코트층(146)은 상기 블랙매트릭스(140) 및 상기 컬러필터층(142)을 덮으며 표면을 평탄화하게 된다.A black matrix 140, a color filter layer 142, and an overcoat layer 146 are disposed on the second substrate 102 facing the first substrate 101. The black matrix 140 is positioned corresponding to the thin film transistor Tr, the data line 130, and the gate line 114 to prevent light leakage. The color filter layer 142 is formed on the black matrix 140 in correspondence with the pixel region P. For example, the color filter layer 142 includes red, green, and blue color filter patterns 142a, 142b, and 142c. The overcoat layer 146 covers the black matrix 140 and the color filter layer 142 to planarize the surface.

전술한 바와 같이, 상기 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 사이에는 액정층(103)이 위치하며, 상기 화소전극(124)과 상기 공통전극(138) 사이에 형성된 프린지 필드에 의해 상기 액정층(103)이 구동된다.A liquid crystal layer 103 is disposed between the first and second substrates 101 and 102 and a fringe field formed between the pixel electrode 124 and the common electrode 138, Layer 103 is driven.

한편, 상기 화소전극과 상기 공통전극 각각이 빗(comb) 형상을 가지며 서로 교대로 배열됨으로써 횡전계에 의해 상기 액정층이 구동될 수 있으며, 또한, 상기 공통전극이 제 2 기판(102)의 상기 오버코트층(146) 상에 위치함으로써 수직 전계에 의해 상기 액정층이 구동될 수도 있다.The liquid crystal layer may be driven by a transversal electric field by alternately arranging the pixel electrodes and the common electrodes in a comb shape, By positioning on the overcoat layer 146, the liquid crystal layer may be driven by a vertical electric field.

상기 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 각각의 외측에 위치하는 상기 제 1 및 제 2 편광판(152, 154)는 서로 수직한 편광축을 갖는다. 이에 의해 상기 제 1 편광판(152)은 상기 백라이트 유닛(120)으로부터 조사된 빛 중 제 1 편광축과 평행한 빛만을 투과시키며, 상기 제 2 편광판(154)은 상기 제 1 편광축과 수직인 제 2 편광축에 평행한 빛만을 투과시키게 된다.The first and second polarizers 152 and 154 located outside the first and second substrates 101 and 102 respectively have polarization axes perpendicular to each other. Accordingly, the first polarizer 152 transmits only the light parallel to the first polarizing axis of the light emitted from the backlight unit 120, and the second polarizer 154 transmits the second polarizing axis perpendicular to the first polarizing axis Only light that is parallel to the incident light is transmitted.

상기 제 2 편광판(154) 상에는 상기 제 3 기판(160)이 위치하고, 상기 제 3 기판(160) 상에는 제 1 박막층(172)과 제 2 박막층(174)으로 이루어지는 선택 반사층(170)이 위치한다. 상기 제 1 박막층(172)는 산화티타늄(TiO2)와 산화실리콘(SiO2) 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 제 2 박막층(174)은 산화티타늄(TiO2)와 산화실리콘(SiO2) 중 다른 하나로 이루어진다. 즉, 상기 제 1 박막층(172)과 상기 제 2 박막층(174)은 서로 다른 굴절률을 갖는 물질로 이루어진다. 도면에서 상기 선택 반사층(170)이 제 1 박막층(172)과 제 2 박막층(174)의 이중층으로 이루어지는 것을 보이고 있으나 제 1 박막층(172)과 제 2 박막층(174)이 교대로 적층되는 삼중층 이상의 구조를 가질 수 있다.The third substrate 160 is disposed on the second polarizer 154 and a selective reflection layer 170 including a first thin film layer 172 and a second thin film layer 174 is disposed on the third substrate 160. Wherein the other of the first thin film layer 172 is formed of any one of titanium oxide (TiO 2) and silicon oxide (SiO 2), the second thin film layer 174 is titanium oxide (TiO 2) and silicon oxide (SiO 2) It is done in one. That is, the first thin film layer 172 and the second thin film layer 174 are made of materials having different refractive indexes. Although the selective reflection layer 170 is shown as a double layer of a first thin film layer 172 and a second thin film layer 174 in the figure, the first and second thin film layers 172 and 174 may be alternately stacked, Structure.

상기 선택 반사층(170)은 서로 다른 굴절률을 갖는 박막층(172, 174)으로 이루어지며, 이에 의해 특정 파장의 빛을 반사시키는 특성을 갖는다.The selective reflection layer 170 is composed of thin film layers 172 and 174 having different refractive indexes, thereby reflecting light of a specific wavelength.

즉, 상기 백라이트 유닛(120)이 오프 상태인 경우, 외부의 광이 상기 선택 반사층(170)에 조사되면 이중 특정 파장의 빛은 반사시키고 나머지 파장의 빛은 투과시키게 된다. 따라서, 상기 백라이트 유닛(120)의 오프 상태에서, 액정표시장치(100)는 특정한 색상을 갖게 되며 액정표시장치(100)의 외부 케이스(미도시)와 색상 조화를 이룬다.That is, when the backlight unit 120 is in the off state, when the external light is irradiated on the selective reflection layer 170, the light of the specific wavelength is reflected and the light of the remaining wavelength is transmitted. Therefore, in the off state of the backlight unit 120, the liquid crystal display device 100 has a specific color and is in harmony with the outer case (not shown) of the liquid crystal display device 100.

종래 콜레스테릭 액정 필름을 이용하는 경우에 비해, 공정이 간단하기 때문에 제조 원가 및 공정 효율에서 장점을 갖는다. 또한, 상기 선택 반사층(170)의 두께가 얇기 때문에 박형 액정표시장치의 제공이 가능하다. Compared with the case of using a conventional cholesteric liquid crystal film, the process is simple and has advantages in manufacturing cost and process efficiency. In addition, since the thickness of the selective reflection layer 170 is thin, it is possible to provide a thin liquid crystal display device.

그런데, 전술한 제 1 실시예의 액정표시장치(100)는 시야각에 따른 컬러 쉬프트(color shift) 문제를 갖고 있다. 즉, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치에서의 컬러 쉬프트 현상을 보여주는 사진인 도 4를 참조하면, 정면 시야각(좌측)에서 측면으로 갈수록 색상이 변하는 것을 알 수 있다. (Δu'v' 증가)However, the liquid crystal display device 100 of the first embodiment described above has a problem of color shift depending on the viewing angle. 4, which is a photograph showing the color shift phenomenon in the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, the color changes from the front viewing angle (left side) to the side. (? U'v 'increase)

상기 선택 반사층(170)에서 반사되는 빛은 파장은 아래 식으로 표현된다.The wavelength of the light reflected by the selective reflection layer 170 is expressed by the following equation.

Figure 112010087142478-pat00001
Figure 112010087142478-pat00001

여기서, λ는 반사 파장, P는 제 1 박막층(172)과 제 2 박막층(174)의 두께의 합, m은 선택반사층(170)의 적층 수, n1은 제 1 박막층(172)의 굴절율, n2는 제 2 박막층의 굴절율, θ는 시야각이다.Where n is the refractive index of the first thin film layer 172, n2 is the refractive index of the second thin film layer 172, Is the refractive index of the second thin film layer, and [theta] is the viewing angle.

또한, na는 아래와 같다.In addition, n a is as follows.

Figure 112010087142478-pat00002
Figure 112010087142478-pat00002

따라서, 시야각(θ)에 따라 반사되는 빛의 파장(λ)이 변하는 컬러 쉬프트 현상이 발생한다.Therefore, a color shift phenomenon occurs in which the wavelength? Of the light reflected according to the viewing angle? Changes.

즉, 본 발명의 제 1 실시예에서는 제조 원가 및 공정 효율 등에서 장점을 갖는 선택 반사 특성의 액정표시장치를 제공할 수 있지만, 시야각에 따른 컬러 쉬프트 문제가 발생하고 있다.
That is, in the first embodiment of the present invention, it is possible to provide a liquid crystal display device having a selective reflection characteristic that has advantages in manufacturing cost and process efficiency, but a color shift problem occurs depending on the viewing angle.

이러한 문제를 해결하기 위한 선택 반사 특성의 액정표시장치를 제안한다. 도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.To solve such a problem, a liquid crystal display device of a selective reflection characteristic is proposed. 5 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 액정표시장치(200)는 액정패널(210)과, 상기 액정패널(210) 상부 및 하부의 제 1 및 제 2 편광판(252, 254)과, 상기 제 1 편광판(252) 하부의 백라이트 유닛(220)과, 상기 액정패널(210)과 상기 제 2 편광판(254) 사이에 위치하는 선택 반사층(270)을 포함한다.5, the liquid crystal display 200 includes a liquid crystal panel 210, first and second polarizers 252 and 254 on upper and lower sides of the liquid crystal panel 210, And a selective reflection layer 270 disposed between the liquid crystal panel 210 and the second polarizer 254. The backlight unit 220 includes a liquid crystal panel 210,

상기 액정패널(210)은 제 1 기판(201)과, 상기 제 1 기판(201)과 마주하는 제 2 기판(202)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(201, 202) 사이에 개재된 액정층(203)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(201, 202) 각각의 외측에 위치하는 제 1 및 제 2 편광판(252, 254)를 포함한다.The liquid crystal panel 210 includes a first substrate 201, a second substrate 202 facing the first substrate 201, and a liquid crystal layer 203 interposed between the first and second substrates 201 and 202. Layer 203 and first and second polarizers 252 and 254 located outside the first and second substrates 201 and 202, respectively.

상기 제 1 기판(201) 상에는 게이트 전극(212)과, 상기 게이트 전극(212)에 연결되고 제 1 방향을 따라 연장된 게이트 배선(214)이 위치하고 있다. 상기 게이트 전극(212) 및 상기 게이트 배선(214) 각각은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 구리합금과 같은 금속물질의 단일층으로 이루어질 수 있다. 한편, 이와 달리 구리(Cu)로 이루어지는 제 1 층과, 상기 제 1 층 상부 및 하부에 위치하며 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi)으로 이루어지는 제 2 및 제 3 층을 갖는 삼중층 구조로 이루어질 수도 있다.A gate electrode 212 and a gate wiring 214 connected to the gate electrode 212 and extending along a first direction are disposed on the first substrate 201. Each of the gate electrode 212 and the gate wiring 214 may be formed of a single layer of a metal material such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), molybdenum (Mo), copper (Cu) On the other hand, it may alternatively have a triple layer structure having a first layer made of copper (Cu) and a second layer and a third layer made of molybdenum-titanium alloy (MoTi), which are located above and below the first layer.

상기 게이트 전극(212) 및 상기 게이트 배선(214)을 덮으며 게이트 절연막(216)이 위치하고 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(216)은 산화실리콘 또는 질화실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.And a gate insulating layer 216 covering the gate electrode 212 and the gate wiring 214. For example, the gate insulating layer 216 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride.

상기 게이트 절연막(216) 상에는 액티브층(220a)과 오믹콘택층(220b)을 포함하는 반도체층(220)이 위치한다. 상기 반도체층(220)은 상기 게이트 전극(212)에 대응하여 위치하고 있다. 상기 액티브층(220a)은 순수 비정질 실리콘으로 이루어지며, 상기 오믹콘택층(220b)은 불순물 비정질 실리콘으로 이루어진다.A semiconductor layer 220 including an active layer 220a and an ohmic contact layer 220b is disposed on the gate insulating layer 216. [ The semiconductor layer 220 is positioned corresponding to the gate electrode 212. The active layer 220a is made of pure amorphous silicon and the ohmic contact layer 220b is made of impurity amorphous silicon.

또한, 상기 게이트 절연막(216) 상에는 상기 화소영역(P)에 대응하여 판 형상을 갖는 화소전극(224)이 위치한다. 상기 화소전극(224)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다. 상기 화소전극(224)은 상기 반도체층(220)의 측면과 접촉할 수 있으며, 이와 달리 상기 반도체층(220)으로부터 일정 간격 이격되어 위치할 수도 있다. 상기 화소전극(224)은 상기 게이트 배선(214)의 일부와 중첩함으로써 스토리지 캐패시터(Cst)를 구성한다. 즉, 상기 게이트 배선(214)의 중첩된 부분이 제 1 전극이 되고, 상기 화소전극(224)의 중첩된 부분이 제 2 전극이 되며, 상기 화소전극(224)과 상기 게이트 배선(214) 사이의 상기 게이트 절연막(216)이 유전체층이 됨으로써, 스토리지 캐패시터(Cst)를 이룬다.A pixel electrode 224 having a plate shape corresponding to the pixel region P is located on the gate insulating film 216. The pixel electrode 224 is made of a transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO). The pixel electrode 224 may be in contact with a side surface of the semiconductor layer 220 or may be spaced apart from the semiconductor layer 220 by a predetermined distance. The pixel electrode 224 overlaps with a part of the gate wiring 214 to form a storage capacitor Cst. That is, the overlapped portion of the gate line 214 becomes the first electrode, the overlapped portion of the pixel electrode 224 becomes the second electrode, and the overlap between the pixel electrode 224 and the gate line 214 The gate insulating layer 216 of the gate insulating layer 216 becomes a dielectric layer, thereby forming a storage capacitor Cst.

또한, 상기 게이트 절연막(216) 상에는 상기 게이트 배선(214)과 교차하도록 제 2 방향으로 연장된 데이터 배선(230)이 위치한다. 상기 데이터 배선(230)과 상기 게이트 배선(214)의 교차에 의해 상기 화소영역(P)이 정의된다.A data line 230 extending in the second direction is disposed on the gate insulating layer 216 so as to intersect the gate line 214. The pixel region P is defined by the intersection of the data line 230 and the gate line 214.

상기 반도체층(220) 상에는 소스 전극(232)과 드레인 전극(234)이 위치하고 있다. 상기 소스 전극(232)은 상기 데이터 배선(230)에 연결되며, 상기 드레인 전극(234)은 상기 소스 전극(232)으로부터 이격되어 있다. 상기 드레인 전극(232)은 상기 화소전극(224)과 접촉하고 있다. 상기 소스 및 드레인 전극(232, 234) 사이의 이격 공간에 대응하여 상기 액티브층(220a)이 노출되어 있다.A source electrode 232 and a drain electrode 234 are disposed on the semiconductor layer 220. The source electrode 232 is connected to the data line 230 and the drain electrode 234 is spaced from the source electrode 232. The drain electrode 232 is in contact with the pixel electrode 224. The active layer 220a is exposed corresponding to the space between the source and drain electrodes 232 and 234.

상기 데이터 배선(230), 상기 소스 전극(232) 및 상기 드레인 전극(234) 각각은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 구리합금과 같은 금속물질의 단일층으로 이루어질 수 있다. 한편, 이와 달리 구리(Cu)로 이루어지는 제 1 층과, 상기 제 1 층 상부 및 하부에 위치하며 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi)으로 이루어지는 제 2 및 제 3 층을 갖는 삼중층 구조로 이루어질 수도 있다.Each of the data line 230, the source electrode 232 and the drain electrode 234 may be formed of a metal material such as aluminum (Al), an aluminum alloy (AlNd), molybdenum (Mo), copper (Cu) It can be made of a single layer. On the other hand, it may alternatively have a triple layer structure having a first layer made of copper (Cu) and a second layer and a third layer made of molybdenum-titanium alloy (MoTi), which are located above and below the first layer.

상기 게이트 전극(212), 상기 게이트 절연막(216), 상기 반도체층(220), 상기 소스 전극(232) 및 상기 드레인 전극(234)은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다. 상기 박막트랜지스터(Tr)는 상기 게이트 배선(214), 상기 데이터 배선(230) 및 상기 화소전극(224)과 연결되어 있다.The gate electrode 212, the gate insulating layer 216, the semiconductor layer 220, the source electrode 232, and the drain electrode 234 form a thin film transistor Tr that is a switching element. The thin film transistor Tr is connected to the gate line 214, the data line 230, and the pixel electrode 224.

상기 박막트랜지스터(Tr), 상기 데이터 배선(230) 및 상기 화소전극(224)을 덮으며 보호층(236)이 위치하고 있다. 상기 보호층(236)은 산화실리콘, 질화실리콘과 같은 무기절연물질 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)과 같은 유기절연물질로 이루어질 수 있다.A protective layer 236 is disposed to cover the thin film transistor Tr, the data line 230, and the pixel electrode 224. [ The passivation layer 236 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, or an organic insulating material such as benzocyclobutene (BCB) or photo acryl.

상기 보호층(236) 상에는 상기 화소전극(224)에 대응하여 적어도 하나의 홀(239)을 가지며 상기 제 1 기판(201) 전체에 대하여 판 형상을 갖는 공통전극(238)이 위치하고 있다. 상기 공통전극(238)은 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다. 상기 공통전극(238) 및 상기 화소전극(224)에 전압이 인가되면 프린지 필드(fringe field)가 형성된다.A common electrode 238 having at least one hole 239 corresponding to the pixel electrode 224 and having a plate shape with respect to the entire first substrate 201 is disposed on the passivation layer 236. The common electrode 238 is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO. When a voltage is applied to the common electrode 238 and the pixel electrode 224, a fringe field is formed.

상기 제 1 기판(201)과 마주하는 상기 제 2 기판(202)에는 블랙매트릭스(240)와, 컬러필터층(242)과 오버코트층(246)이 위치하고 있다. 상기 블랙매트릭스(240)는 상기 박막트랜지스터(Tr), 상기 데이터 배선(230) 및 상기 게이트 배선(214) 등에 대응하여 위치함으로써 빛샘을 방지한다. 상기 블랙매트릭스(240) 상에는 상기 화소영역(P)에 대응하여 상기 컬러필터층(242)이 형성된다. 예를 들어, 상기 컬러필터층(242)는 적색, 녹색, 청색 컬러필터 패턴(242a, 242b, 242c)를 포함한다. 또한, 상기 오버코트층(246)은 상기 블랙매트릭스(240) 및 상기 컬러필터층(242)을 덮으며 표면을 평탄화하게 된다.A black matrix 240, a color filter layer 242, and an overcoat layer 246 are disposed on the second substrate 202 facing the first substrate 201. The black matrix 240 is positioned corresponding to the thin film transistor Tr, the data line 230, and the gate line 214, thereby preventing light leakage. The color filter layer 242 is formed on the black matrix 240 to correspond to the pixel region P. [ For example, the color filter layer 242 includes red, green, and blue color filter patterns 242a, 242b, and 242c. The overcoat layer 246 covers the black matrix 240 and the color filter layer 242 to planarize the surface.

전술한 바와 같이, 상기 제 1 및 제 2 기판(201, 202) 사이에는 액정층(203)이 위치하며, 상기 화소전극(224)과 상기 공통전극(238) 사이에 형성된 프린지 필드에 의해 상기 액정층(203)이 구동된다.A liquid crystal layer 203 is positioned between the first and second substrates 201 and 202 and a fringe field formed between the pixel electrode 224 and the common electrode 238, Layer 203 is driven.

한편, 상기 화소전극과 상기 공통전극 각각이 빗(comb) 형상을 가지며 서로 교대로 배열됨으로써 횡전계에 의해 상기 액정층이 구동될 수 있으며, 또한, 상기 공통전극이 제 2 기판(202)의 상기 오버코트층(246) 상에 위치함으로써 수직 전계에 의해 상기 액정층이 구동될 수도 있다.The liquid crystal layer may be driven by a transversal electric field by alternately arranging the pixel electrodes and the common electrodes in a comb shape, By positioning on the overcoat layer 246, the liquid crystal layer may be driven by a vertical electric field.

상기 제 1 및 제 2 기판(201, 202) 각각의 외측에 위치하는 상기 제 1 및 제 2 편광판(252, 254)는 서로 수직한 편광축을 갖는다. 이에 의해 상기 제 1 편광판(252)은 상기 백라이트 유닛(220)으로부터 조사된 빛 중 제 1 편광축과 평행한 빛만을 투과시키며, 상기 제 2 편광판(254)은 상기 제 1 편광축과 수직인 제 2 편광축에 평행한 빛만을 투과시키게 된다.The first and second polarizers 252 and 254 located outside the first and second substrates 201 and 202 have polarization axes perpendicular to each other. The first polarizing plate 252 transmits only light parallel to the first polarizing axis of the light emitted from the backlight unit 220, and the second polarizing plate 254 transmits a second polarizing axis perpendicular to the first polarizing axis Only light that is parallel to the incident light is transmitted.

도 4의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치(100)에서는 상기 선택 반사층(170)이 상기 제2 편광판(154) 상에 위치함으로써, 외부의 빛은 상기 선택 반사층(170)에 직접 조사되었다. In the liquid crystal display 100 according to the first embodiment of FIG. 4, since the selective reflection layer 170 is disposed on the second polarizer 154, external light is directly irradiated onto the selective reflection layer 170.

그러나, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치(200)에서는 상기 선택 반사층(270)이 상기 제 2 편광판(254)과 상기 제 2 기판(202) 사이에 위치한다. 따라서, 외부의 빛은 상기 제 2 편광판(254)을 통과한 후 상기 선택 반사층(270)에 조사된다.However, in the liquid crystal display device 200 according to the second embodiment of the present invention, the selective reflection layer 270 is positioned between the second polarizer 254 and the second substrate 202. Therefore, the external light passes through the second polarizer 254, and then is irradiated onto the selective reflection layer 270.

상기 선택 반사층(270)은 서로 다른 굴절율을 갖는 제 1 박막층(272)과 제 2 박막층(274)을 포함한다. 상기 제 1 박막층(272)는 산화티타늄(TiO2)와 산화실리콘(SiO2) 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 제 2 박막층(274)은 산화티타늄(TiO2)와 산화실리콘(SiO2) 중 다른 하나로 이루어진다. 산화티타늄의 굴절율은 약 2.40, 산화실리콘의 굴절율은 약 1.45이다. 도면에서 상기 선택 반사층(270)이 제 1 박막층(272)과 제 2 박막층(274)의 이중층으로 이루어지는 것을 보이고 있으나 제 1 박막층(272)과 제 2 박막층(274)이 교대로 적층되는 삼중층 이상의 구조를 가질 수 있다.The selective reflection layer 270 includes a first thin film layer 272 and a second thin film layer 274 having different refractive indexes. Wherein the other of the first thin film layer 272 is formed of any one of titanium oxide (TiO 2) and silicon oxide (SiO 2), the second thin film layer 274 is titanium oxide (TiO 2) and silicon oxide (SiO 2) It is done in one. The refractive index of titanium oxide is about 2.40, and the refractive index of silicon oxide is about 1.45. Although the selective reflection layer 270 is shown as a double layer of a first thin film layer 272 and a second thin film layer 274 in the figure, the first and second thin film layers 272 and 274 may be stacked alternately. Structure.

예를 들어, 상기 선택 반사층(270)은 상기 제 1 박막층(272)과 상기 제 2 박막층(274)이 교대로 배열되는 2~30층 구조를 가질 수 있다.For example, the selective reflection layer 270 may have a 2- to 30-layer structure in which the first thin film layer 272 and the second thin film layer 274 are alternately arranged.

예를 들어, 아래 표 1의 샘플1의 적층 구조를 갖는 선택반사층(270)은 청색(blue) 빛을 반사시키며, 샘플2의 적층 구조를 갖는 선택반사층(270)은 거울 특성을 갖고, 샘플3의 적층 구조를 갖는 선택반사층(270)은 레드-와인 색의 빛을 반사시킨다.For example, a selective reflection layer 270 having a laminated structure of Sample 1 shown in Table 1 below reflects blue light, a selective reflection layer 270 having a laminated structure of Sample 2 has a mirror property, and Sample 3 A selective reflection layer 270 having a laminated structure of red-wine-colored light is reflected.

샘플1Sample 1 샘플2Sample 2 샘플3Sample 3 layer 두께[Å]Thickness [Å] layer 두께[Å]Thickness [Å] layer 두께[Å]Thickness [Å] SiO2SiO2 10951095 SiO2SiO2 697697 TiO2TiO2 398398 TiO2TiO2 194194 TiO2TiO2 721721 SiO2SiO2 1717 SiO2SiO2 222222 SiO2SiO2 12671267 TiO2TiO2 451451 TiO2TiO2 726726 TiO2TiO2 728728 SiO2SiO2 581581 SiO2SiO2 585585 SiO2SiO2 10481048 TiO2TiO2 1111 TiO2TiO2 318318 TiO2TiO2 531531 SiO2SiO2 433433 SiO2SiO2 673673 TiO2TiO2 142142 TiO2TiO2 328328 SiO2SiO2 564564 SiO2SiO2 10191019 TiO2TiO2 582582 SiO2SiO2 348348 TiO2TiO2 591591 SiO2SiO2 287287 TiO2TiO2 392392 SiO2SiO2 402402 TiO2TiO2 276276 SiO2SiO2 314314 TiO2TiO2 216216

예를 들어, 샘플1의 경우 산화티타늄층과 산화실리콘층이 교대로 적층된 18층 구조를 갖고, 산화티타늄층이 최하층에, 산화실리콘층이 최상층에 위치한다. 이때, 최상층인 산화실리콘층이 가장 큰 두께를 갖는다.For example, in the case of Sample 1, the titanium oxide layer and the silicon oxide layer are alternately stacked and have an 18-layer structure, with the titanium oxide layer being the lowest layer and the silicon oxide layer being the uppermost layer. At this time, the uppermost silicon oxide layer has the largest thickness.

또한, 상기 제 2 기판(202)과의 접촉 특성을 고려하여 상기 선택 반사층(270) 중 상기 제 2 기판(202)과 접촉하는 최하층은 산화실리콘으로 이루어질 수 있다.Also, considering the contact characteristics with the second substrate 202, the lowermost layer of the selective reflection layer 270 contacting the second substrate 202 may be made of silicon oxide.

상기 선택 반사층(270)은 서로 다른 굴절률을 갖는 박막층(272, 274)으로 이루어지며, 이에 의해 특정 파장의 빛을 반사시키는 특성을 갖는다.The selective reflection layer 270 is composed of thin film layers 272 and 274 having different refractive indices, thereby reflecting light of a specific wavelength.

즉, 상기 백라이트 유닛(220)이 오프 상태인 경우, 외부의 광이 상기 선택 반사층(270)에 조사되면 이중 특정 파장의 빛은 반사시키고 나머지 파장의 빛은 투과시키게 된다. 따라서, 상기 백라이트 유닛(220)의 오프 상태에서, 액정표시장치(200)는 특정한 색상을 갖게 되며 액정표시장치(200)의 외부 케이스(미도시)와 색상 조화를 이룬다.That is, when the backlight unit 220 is in the off state, when the external light is irradiated on the selective reflection layer 270, the light of the specific wavelength is reflected and the light of the remaining wavelength is transmitted. Therefore, in the off state of the backlight unit 220, the liquid crystal display device 200 has a specific hue and color harmony with the outer case (not shown) of the liquid crystal display device 200.

특히, 외부 광이 상기 제 2 편광판(254)을 통과한 후 상기 선택 반사층(270)에 조사되기 때문에, 상기 선택 반사층(270)에 의해 반사되는 빛은 시야각에 따른 컬러 쉬프트 현상이 최소화된다.Particularly, since the external light is irradiated to the selective reflection layer 270 after passing through the second polarizer 254, the color reflection of the light reflected by the selective reflection layer 270 is minimized according to the viewing angle.

본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 액정표시장치에서의 컬러 쉬프트 현상을 각각 보여주는 그래프인 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 제 2 실시예와 같이 선택반사층(270)을 상기 제 2 편광판(254)과 상기 제 2 기판(202) 사이에 위치시킴으로써 제 1 실시예에 비해 컬러 쉬프트 현상(Δu'v')을 최대 0.05까지 낮출 수 있다. 즉, 일반적인 액정표시장치(LCM) 구조, 원판 유리 기판(bare GLS), 청색 빛의 선택반사층(M/L(Blue)), 금색 빛의 선택반사층(M/L(Gold)), 핑크색 빛의 선택반사층(M/L(Pink)), 녹색 빛의 선택반사층(M/L(Green)) 모두에서 컬러 쉬프트 현상이 개선되었다.
6A and 6B, which are graphs showing the color shift phenomenon in the liquid crystal display device according to the first and second embodiments of the present invention, 2 'polarizing plate 254 and the second substrate 202, the color shift phenomenon? U'v' can be lowered up to 0.05 compared with the first embodiment. That is to say, a conventional liquid crystal display (LCM) structure, a bare GLS plate, a selective reflection layer of blue light (M / L), a selective reflection layer of gold light (M / L) The color shift phenomenon was improved in both the selective reflection layer (M / L (Pink)) and the selective reflection layer (M / L (Green)) of the green light.

본 발명에 따른 액정표시장치는 서로 다른 굴절율을 갖는 산화티타늄층과 산화실리콘층이 적층된 선택 반사층을 포함하여, 백라이트 유닛의 오프 상태에서 특정 색상을 갖게 된다. 따라서 액정표시장치의 외부 케이스와 색상 조화를 이룰 수 있다.The liquid crystal display device according to the present invention includes a selective reflection layer in which a titanium oxide layer and a silicon oxide layer having different refractive indices are stacked, and has a specific color in an off state of the backlight unit. Therefore, color matching with the outer case of the liquid crystal display device can be achieved.

또한, 본 발명의 액정표시장치의 선택반사층은 산화티타늄과 산화실리콘이 적층된 구조를 갖기 때문에, 제조 공정이 간단하고 제조 원가 및 공정 효율에서 장점을 갖는다. 또한, 상기 선택 반사층의 두께가 얇기 때문에 박형 액정표시장치의 제공이 가능하다. In addition, since the selective reflection layer of the liquid crystal display of the present invention has a structure in which titanium oxide and silicon oxide are laminated, the manufacturing process is simple and has advantages in manufacturing cost and process efficiency. In addition, since the thickness of the selective reflection layer is thin, it is possible to provide a thin liquid crystal display device.

또한, 선택 반사층을 액정패널의 상부기판과 상부 편광판 사이에 위치시킴으로써, 시야각에 따른 컬러 쉬프트 현상이 최소화된다.
Further, by locating the selective reflection layer between the upper substrate and the upper polarizer of the liquid crystal panel, the color shift phenomenon according to the viewing angle is minimized.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It can be understood that

110, 210: 액정패널
120, 220: 백라이트 유닛
252, 254: 편광판
270: 선택 반사층
110, 210: liquid crystal panel
120, 220: Backlight unit
252, 254: polarizer
270: selective reflection layer

Claims (7)

액정패널과;
상기 액정패널 하부 및 상부 각각에 위치하는 제 1 및 제 2 편광판과;
상기 제 1 편광판 하부에 위치하며 상기 액정패널에 빛을 공급하는 백라이트 유닛과;
상기 제 2 편광판과 상기 액정패널 사이에 위치하며, 제 1 층 및 제 2 층을 포함하는 적어도 이중층 구조의 선택 반사층을 포함하며,
상기 제 1 및 제 2 층은 서로 다른 굴절율을 갖는 물질로 이루어지고, 상기 백라이트 유닛이 빛을 공급하지 않는 경우 상기 선택 반사층에 의해 파장이 λ인 빛이 반사되는 것이 특징인 액정표시장치.
A liquid crystal panel;
First and second polarizers positioned on the lower and upper portions of the liquid crystal panel;
A backlight unit positioned below the first polarizer and supplying light to the liquid crystal panel;
And a selective reflection layer disposed between the second polarizer and the liquid crystal panel and including at least a first layer and a second layer,
Wherein the first and second layers are made of a material having a different refractive index, and when the backlight unit does not supply light, light having a wavelength of? Is reflected by the selective reflection layer.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 층은 산화티타늄(TiO2)으로 이루어지고, 상기 제 2 층은 산화실리콘(SiO2)으로 이루어지는 것이 특징인 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first layer is made of titanium oxide (TiO 2 ), and the second layer is made of silicon oxide (SiO 2 ).
제 2 항에 있어서,
상기 액정패널은 서로 마주하는 제 1 및 제 2 기판과, 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 위치하는 액정층과, 상기 액정층을 구동하기 위한 화소전극과 공통전극을 포함하고,
상기 제 2 층은 상기 제 2 기판과 상기 제 1 층 사이에 위치하는 것이 특징인 액정표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the liquid crystal panel includes first and second substrates facing each other, a liquid crystal layer positioned between the first and second substrates, a pixel electrode and a common electrode for driving the liquid crystal layer,
And the second layer is located between the second substrate and the first layer.
제 1 항에 있어서,
상기 액정패널은,
마주하는 제 1 및 제 2 기판과;
상기 제 1 기판에 위치하는 박막트랜지스터와;
상기 제 1 기판에 위치하며 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극과;
상기 제 1 및 제 2 기판 중 어느 하나에 위치하는 공통전극과;
상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하는 것이 특징인 액정표시장치.
The method according to claim 1,
In the liquid crystal panel,
A first substrate and a second substrate facing each other;
A thin film transistor located on the first substrate;
A pixel electrode located on the first substrate and connected to the thin film transistor;
A common electrode disposed on one of the first and second substrates;
And a liquid crystal layer disposed between the first and second substrates.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 편광판은 제 1 편광축을 갖고, 상기 제 2 편광판은 상기 제 1 편광축에 수직한 제 2 편광축을 갖는 것이 특징인 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first polarizing plate has a first polarizing axis and the second polarizing plate has a second polarizing axis perpendicular to the first polarizing axis.
제 1 항에 있어서,
상기 선택 반사층은 상기 제 1 및 제 2 층이 교대로 배열되는 2층 내지 30층 구조를 갖는 것이 특징인 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the selective reflection layer has a two-layer to thirty-layer structure in which the first and second layers are alternately arranged.
제 6항에 있어서,
상기 선택반사층은 상기 제 1 및 제 2 층이 교대로 배열되어 18층 구조를 갖고, 상기 제 1 층이 최하층에 위치하며 상기 제 2 층이 최상층에 위치하고, 상기 최상층에 위치하는 상기 제 2 층이 가장 큰 두께를 가지며, 상기 λ는 청색 파장대인 것이 특징인 액정표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the selective reflection layer is formed by alternately arranging the first and second layers to have an 18-layer structure, wherein the first layer is located at the lowest layer, the second layer is located at the uppermost layer, and the second layer located at the uppermost layer And has a largest thickness, and the lambda is a blue wavelength band.
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