KR101708412B1 - treatment equipment - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 열처리 장치는 내부에 기판 처리 공간을 가지는 공정 챔버, 공정 챔버 내부에 설치되어 상부에 기판이 안치되고, 공정 진행 방향으로 수평 이송되는 스테이지, 공정 챔버 외부에 설치되어 광을 출력하여, 상기 공정 챔버 내에 장입된 기판 상에 광을 조사하는 광원 및 공정 챔버 내부에서 스테이지의 상측에 설치되고, 광원으로부터 출사된 광과 불활성 가스가 통과하여 기판으로 인도될 수 있도록 하는 내부 공간을 가지는 가스 분사 모듈을 포함하고, 가스 분사 모듈은, 상기 가스 분사 모듈의 하부의 양 단부 중, 상기 스테이지의 이송 방향에 위치한 단부로부터 내측으로 연장되도록 마련된 제 1 관로를 포함하며, 제 1 관로의 양 단 중, 일단은 타단에 비해 외측에 위치하며, 상기 제 1 관로의 일단과 타단 사이를 연결하는 연장 라인의 내경이 상기 제 1 관로의 일단에 비해 작다.
따라서, 본 발명의 실시형태들에 의하면, 가스 분사 모듈의 하부에 관로를 마련함으로써, 기판 또는 가스 분사 모듈이 위치한 방향으로 흐르는 산소 및 불순물을 흡입하여, 상기 산소 및 불순물이 가스 분사 모듈과 기판 사이의 공간, 보다 구체적으로는 레이저가 조사되고 있는 기판 영역으로 침투하는 것을 사전에 차단할 수 있다.A heat treatment apparatus according to the present invention includes: a process chamber having a substrate processing space therein; a stage installed inside the process chamber and having a substrate placed thereon and horizontally transported in a process direction; A light source for irradiating light onto the substrate loaded in the process chamber, and a gas injection unit provided on the stage inside the process chamber and having an internal space through which the light emitted from the light source and the inert gas can pass, Wherein the gas injection module includes a first conduit extending inward from an end of the lower portion of the gas injection module located in the transport direction of the stage, Wherein the first channel is located on the outer side with respect to the other channel and the inner channel of the extension line connecting one end of the first channel to the other channel Is small relative to the end of the first conduit.
Therefore, according to the embodiments of the present invention, by providing the channel at the lower part of the gas injection module, oxygen and impurities flowing in the direction in which the substrate or the gas injection module is placed are sucked and the oxygen and impurities are introduced between the gas injection module and the substrate It is possible to prevent the laser light from penetrating into the space of the substrate, more specifically, into the substrate region to which the laser is irradiated.

Description

열처리 장치{treatment equipment}[0001]

본 발명은 열처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열처리를 위한 광이 조사되는 기판 영역이 산소 및 불순물에 노출되는 것을 방지 또는 억제하는 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heat treatment apparatus, and more particularly, to a heat treatment apparatus that prevents or suppresses exposure of substrate regions irradiated with light for heat treatment to oxygen and impurities.

액정디스플레이 장치, 태양광 장치 등을 제조하는데 있어서, 비정질 다결정 박막(예컨대, 비정질 다결정 실리콘 박막)을 결정화시키는 열처리 공정이 수반된다. 이때, 기판으로 유리(glass)를 사용할 경우, 레이저를 이용하여 비정질 다결정 박막을 결정화시키는데, 이때 비정질 다결정 박막이 산소(O2)와 반응하면, 산화되어 산화물 박막이 되는 문제가 발생된다.A liquid crystal display device, a photovoltaic device and the like, a heat treatment process for crystallizing an amorphous polycrystalline thin film (for example, an amorphous polycrystalline silicon thin film) is accompanied. At this time, when glass is used as the substrate, the amorphous polycrystalline thin film is crystallized by using a laser. At this time, when the amorphous polycrystalline thin film reacts with oxygen (O 2 ), a problem occurs that the thin film is oxidized to become an oxide thin film.

도 1은 종래의 레이저 열처리 장치를 도시한 개략도이다. 도 1을 참조하면, 종래의 레이저 열처리 장치는 내부에 기판(1)이 처리되는 공간을 가지는 공정 챔버(10), 공정 챔버(10) 내부에 설치되어 상부에 기판이 안치되며, 공정 진행 방향으로 이송하는 스테이지(2), 공정 챔버(10)의 상부에 설치되며, 레이저(8)의 투과가 가능한 투과창(40), 공정 챔버(10)의 외측에서 투과창(40)의 상측에 설치되어 레이저(8)를 출력하는 광원(30)을 포함한다. 이러한 레이저 열처리 장치에 의하면, 광원(30)으로부터 출력된 레이저(8)가 투과창(40)을 투과하여 수평 이동 중인 기판(1) 상에 조사된다.1 is a schematic view showing a conventional laser heat treatment apparatus. Referring to FIG. 1, a conventional laser annealing apparatus includes a process chamber 10 having a space in which a substrate 1 is processed, a substrate 10 disposed inside the process chamber 10, A transmission window 40 which is provided on the upper part of the process chamber 10 and through which the laser 8 can be transmitted and a transmission window 40 which is installed on the upper side of the transmission window 40 from the outside of the process chamber 10 And a light source (30) for outputting a laser (8). According to this laser heat treatment apparatus, the laser 8 outputted from the light source 30 is transmitted through the transmission window 40 and irradiated onto the substrate 1 which is being horizontally moved.

한편, 레이저(8)가 조사되는 기판(1) 상부 영역이 산소에 노출되면, 기판(1) 상부면에 증착되어 있는 다결정 박막(11)이 결정화되는 과정에서, 결정질 실리콘이 되지 못하고 산화물이 된다.On the other hand, when the region of the substrate 1 on which the laser 8 is irradiated is exposed to oxygen, the polycrystalline thin film 11 deposited on the upper surface of the substrate 1 is crystallized and becomes an oxide .

이러한 문제를 해결하기 위하여, 한국공개특허 2009-0042879에는 레이저 광이 조사되는 기판 근방에 불활성 가스를 분사하는 가스 분사 수단을 설치하여, 레이저가 조사되는 기판 상측을 불활성 분위기로 조성함으로써, 산소와의 노출을 방지하고자 하였다. 그런데 기판을 이송시키는 시료대 즉, 스테이지가 수평 이동하게 되면, 상기 스테이지가 이송하는 힘에 의해 공정 챔버 내부에 잔류하고 있는 기체 예컨대 산소가, 스테이지와 반대 방향으로 흐르게 된다. 그리고 스테이지의 이송 방향과 반대 방향으로 흐르는 산소는 가스 분사 수단과 기판 사이의 공간으로 침투되어, 레이저가 조사되고 있는 기판의 박막을 산화시킨다. 즉, 불활성 가스를 분사하는 가스 분사 수단을 마련하더라도, 스테이지 이송에 의해 가스 분사 수단 또는 기판으로 흐르는 산소가 상기 가스 분사 수단과 기판 사이 공간으로 침투하는 것을 차단 또는 차폐할 수 없다. 이러한 산소의 침투는 상술한 바와 같이 기판 상면에 형성된 박막을 산화시키며, 이는 제품의 불량을 야기시키는 요인이 된다.In order to solve such a problem, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2009-0042879 proposes a gas injection means for injecting an inert gas in the vicinity of a substrate to be irradiated with a laser beam so that the upper side of the substrate irradiated with the laser is formed into an inert atmosphere, To prevent exposure. However, when the stage is moved horizontally, the gas, such as oxygen, remaining in the process chamber flows in a direction opposite to the stage due to the force transferred by the stage. The oxygen flowing in the direction opposite to the transporting direction of the stage penetrates into the space between the gas injecting means and the substrate to oxidize the thin film of the substrate to which the laser is irradiated. That is, even if the gas injection means for injecting the inert gas is provided, oxygen flowing into the gas injection means or the substrate by the stage transfer can not be blocked or shielded from penetrating into the space between the gas injection means and the substrate. Such penetration of oxygen oxidizes the thin film formed on the upper surface of the substrate as described above, which causes the defective product.

한국공개특허 2009-0042879Korean Published Patent 2009-0042879

본 발명은 열처리를 위한 광이 조사되는 기판 영역이 산소 및 불순물에 노출되는 것을 방지 또는 억제하는 열처리 장치를 제공한다.The present invention provides a heat treatment apparatus for preventing or suppressing exposure of a substrate region irradiated with light for heat treatment to oxygen and impurities.

또한, 본 발명은 가스 분사 모듈과 기판 사이의 이격 공간으로 산소 및 불순물이 침투되는 것을 방지 또는 억제하는 열처리 장치를 제공한다.The present invention also provides a heat treatment apparatus for preventing or suppressing the penetration of oxygen and impurities into the spacing space between the gas injection module and the substrate.

본 발명에 따른 열처리 장치는, 내부에 기판 처리 공간을 가지는 공정 챔버;A heat treatment apparatus according to the present invention includes: a process chamber having a substrate processing space therein;

상기 공정 챔버 내부에 설치되어 상부에 기판이 안치되고, 공정 진행 방향으로 수평 이송되는 스테이지; 상기 공정 챔버 외부에 설치되어 광을 출력하여, 상기 공정 챔버 내에 장입된 기판 상에 광을 조사하는 광원; 및 상기 공정 챔버 내부에서 스테이지의 상측에 설치되고, 상기 광원으로부터 출사된 광과 불활성 가스가 통과하여 기판으로 인도될 수 있도록 하는 내부 공간을 가지는 가스 분사 모듈을 포함하고, 상기 가스 분사 모듈은, 상기 가스 분사 모듈의 하부의 양 단부 중, 상기 스테이지의 이송 방향에 위치한 단부로부터 내측으로 연장되도록 마련된 제 1 관로를 포함하며, 상기 제 1 관로의 양 단 중, 일단은 타단에 비해 외측에 위치하며, 상기 제 1 관로의 일단과 타단 사이를 연결하는 연장 라인의 내경이 상기 제 1 관로의 일단에 비해 작다.A stage installed inside the process chamber and having a substrate placed thereon and horizontally conveyed in a process progress direction; A light source provided outside the process chamber for outputting light and irradiating light onto a substrate charged in the process chamber; And a gas injection module provided on the stage inside the process chamber and having an inner space through which the light emitted from the light source and the inert gas can pass and be led to the substrate, And a first conduit extending inwardly from an end of the lower portion of the gas injection module, the conduit extending in a direction of conveyance of the stage, wherein one end of the first conduit is located on the outer side with respect to the other end, An inner diameter of an extension line connecting one end of the first channel and the other end is smaller than that of one end of the first channel.

상기 공정 챔버의 상부에 설치되어, 광원으로부터 출력된 광원이 투과하는 투과창을 포함하고, 상기 가스 분사 모듈은 투과창과 기판 사이에 설치된다.And a transmission window installed on the upper portion of the process chamber and through which a light source output from the light source transmits, wherein the gas injection module is installed between the transmission window and the substrate.

상기 가스 분사 모듈은, 상기 투과창과 기판 사이에 위치하며, 광 및 불활성 가스가 통과하는 내부 공간을 가지며, 하단부에 상기 광 및 불활성 가스가 통과하는 제 1 슬릿이 마련된 불활성 가스 챔버; 및 상기 불활성 가스 챔버와 기판 사이에 위치하며, 상기 제 1 슬릿과 연통되는 제 2 슬릿을 구비하고, 상기 불활성 가스 챔버의 외측으로 돌출되도록 연장 형성된 플레이트를 포함하고, 상기 제 1 관로는 상기 플레이트의 양 단부 중, 상기 스테이지의 이송 방향의 단부로부터 내측으로 연장되도록 마련된다.Wherein the gas injection module includes an inert gas chamber disposed between the transmission window and the substrate and having an inner space through which light and an inert gas pass and having a first slit through which the light and the inert gas pass, And a plate disposed between the inert gas chamber and the substrate and having a second slit communicating with the first slit and extending to protrude outward of the inert gas chamber, And is provided so as to extend inwardly from an end of the stage in the conveying direction.

상기 제 1 관로는 플레이트의 영역 중, 상기 불활성 가스 챔버의 외측으로 돌출된 영역에 마련된다.The first conduit is provided in a region of the plate protruding outside the inert gas chamber.

상기 제 1 관로의 일단 및 타단 각각은 개방되어 상기 공정 챔버 내부와 연통되도록 노출된다.One end and the other end of the first conduit are opened and exposed to communicate with the inside of the process chamber.

상기 제 1 관로의 일단은 상기 플레이트의 최외각 측면에 위치하고, 상기 제 1 관로의 타단은 상기 불활성 가스 챔버 외측에 위치하는 상기 플레이트의 상부면에서, 상기 제 1 관로의 일단에 비해 내측에 위치한다.One end of the first channel is located on the outermost side of the plate and the other end of the first channel is located on the inner side of the upper surface of the plate located outside the inert gas chamber relative to one end of the first channel .

상기 제 1 관로의 일단은 상기 플레이트의 하부면에 위치하고, 상기 제 1 관로의 타단은 상기 불활성 가스 챔버 외측에 위치하는 상기 플레이트의 상부면에서, 상기 제 1 관로의 일단에 비해 내측에 위치한다.One end of the first conduit is located on the lower surface of the plate and the other end of the first conduit is located on the upper surface of the plate located outside the inert gas chamber inwardly than the one end of the first conduit.

상기 제 1 관로의 일단은 상기 플레이트의 상부면에 위치하고, 상기 제 1 관로의 타단은 상기 불활성 가스 챔버 외측에 위치하는 상기 플레이트의 상부면에서, 상기 제 1 관로의 일단에 비해 내측에 위치한다.One end of the first conduit is located on the upper surface of the plate and the other end of the first conduit is located on the upper surface of the plate located outside the inert gas chamber inward relative to one end of the first conduit.

상기 제 1 관로의 일단과 타단 사이의 연장 라인은 곡선이다.The extension line between one end and the other end of the first channel is a curved line.

상기 제 1 관로는 일단과 타단 사이의 연장 라인의 내경이 상기 일단 및 타단에 비해 작다.The inner diameter of the extension line between one end and the other end of the first channel is smaller than that of the other end.

상기 관로는 상기 일단으로부터 연장 라인으로 갈수록 점차 내경이 좁아지다가, 상기 연장 라인으로부터 상기 타단으로 갈수록 내경이 커진다.The inner diameter gradually decreases from the one end to the extension line, and the inner diameter increases from the extension line to the other end.

상기 플레이트의 일부를 상하 방향으로 관통하도록 마련되어, 일단의 개구가 상기 플레이트의 하부면으로 노출되고, 타단이 상기 제 1 관로와 연결된 제 2 관로를 포함한다.And a second conduit provided so as to penetrate a part of the plate in the up and down direction, one end of the opening exposed to the lower surface of the plate and the other end connected to the first conduit.

본 발명의 실시형태들에 의하면, 가스 분사 모듈의 하부에 관로를 마련함으로써, 기판 또는 가스 분사 모듈이 위치한 방향으로 흐르는 산소 및 불순물을 흡입하여, 상기 산소 및 불순물이 가스 분사 모듈과 기판 사이의 공간, 보다 구체적으로는 레이저가 조사되고 있는 기판 영역으로 침투하는 것을 사전에 차단할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, by providing a channel at the lower part of the gas injection module, oxygen and impurities flowing in the direction of the substrate or the gas injection module are sucked, and the oxygen and impurities are introduced into the space , More specifically, penetration into the substrate region where the laser is irradiated can be prevented in advance.

또한, 기판 또는 가스 분사 모듈이 위치한 방향으로 흐르는 산소 및 불순물이 관로로 흡입된 후 배출되는 과정에 의해, 상기 산소 및 불순물이 다시 기판 또는 가스 분사 모듈과 반대 방향으로 흐르도록 유도할 수 있어, 산소 및 불순물의 침투를 효율적으로 차단할 수 있다.Further, the oxygen and the impurities can be guided to flow in a direction opposite to the substrate or the gas injection module by the process of sucking oxygen and impurities flowing in the direction of the substrate or the gas injection module, And penetration of impurities can be effectively blocked.

이로 인해, 레이저를 이용한 기판 열처리 과정에서, 산소 및 불순물의 침투에 따른 공정 불량 발생을 방지할 수 있다.Therefore, in the substrate heat treatment process using the laser, it is possible to prevent the occurrence of process defects due to penetration of oxygen and impurities.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 열처리 장치를 도시한 단면도
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 관로가 마련된 플레이트를 구비하는 열처리 장치의 일부를 확대 도시한 단면도
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 관로가 마련된 플레이트를 일부 확대 도시한 입체 도면
도 4a는 정면에서 바라본 입체도이며, 도 4b는 하측에서 바라본 입체도
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 관로가 마련된 플레이트를 도시한 단면도
도 6는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 관로가 마련된 플레이트를 도시한 단면도
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 관로가 마련된 플레이트를 도시한 단면도2 is a cross-sectional view showing a heat treatment apparatus according to the first embodiment of the present invention
3 is an enlarged cross-sectional view of a part of a heat treatment apparatus having a plate provided with a channel according to the first embodiment of the present invention
Fig. 4 is a three-dimensional drawing showing a part of the plate provided with the channel according to the first embodiment of the present invention
FIG. 4A is a stereoscopic view viewed from the front, and FIG. 4B is a stereoscopic view
5 is a cross-sectional view showing a plate provided with a channel according to the first embodiment of the present invention
6 is a cross-sectional view showing a plate provided with a channel according to a second embodiment of the present invention
7 is a cross-sectional view showing a plate provided with a channel according to the third embodiment of the present invention

이하, 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of other various forms of implementation, and that these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know completely.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 열처리 장치를 도시한 단면도이다. 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 관로가 마련된 플레이트를 구비하는 열처리 장치의 일부를 확대 도시한 단면도이다. 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 관로가 마련된 플레이트를 일부 확대 도시한 입체 도면이고, 도 4a는 정면에서 바라본 입체도이며, 도 4b는 하측에서 바라본 입체도이다. 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 관로가 마련된 플레이트를 도시한 단면도이다. 도 6는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 관로가 마련된 플레이트를 도시한 단면도이다. 도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 관로가 마련된 플레이트를 도시한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view illustrating a heat treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention. 3 is an enlarged cross-sectional view of a part of a heat treatment apparatus having a plate provided with a channel according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a three-dimensional view showing a part of the plate provided with the channel according to the first embodiment of the present invention in an enlarged scale, FIG. 4A being a three-dimensional view viewed from the front, and FIG. 4B being a three- 5 is a sectional view showing a plate provided with a channel according to the first embodiment of the present invention. 6 is a cross-sectional view showing a plate provided with a channel according to a second embodiment of the present invention. 7 is a cross-sectional view showing a plate provided with a channel according to a third embodiment of the present invention.

도 2 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 열처리 장치는 기판(S)이 처리될 수 있는 내부 공간을 가지는 공정 챔버(100), 공정 챔버(100) 내부에 설치되어 상부에 기판(S)이 안치되며, 상기 기판(S)을 공정 진행 방향으로 수평 이송시키는 스테이지(200), 공정 챔버(100)의 외부에 배치되어 기판(S)을 처리하기 위한 광 예컨대, 레이저를 출력하는 광원(300), 공정 챔버(100)의 상부벽 일부에 설치되며, 광원(300)으로부터 출력된 레이저가 투과 가능한 투과창(400), 공정 챔버(100)의 내부에서 상부에 기판(S)이 안치된 스테이지(200)와 투과창(400) 사이에 위치하며, 투과창(400)을 투과한 레이저를 기판(S)을 향해 조사하고, 불활성 가스를 기판(S)을 향해 분사하는 가스 분사 모듈(500)을 포함한다.2 and 4, a thermal processing apparatus according to a first embodiment of the present invention includes a process chamber 100 having an inner space through which a substrate S can be processed, A stage 200 for horizontally transporting the substrate S in a process advancing direction on which a substrate S is placed and a laser for processing the substrate S disposed on the outside of the process chamber 100, A transmission window 400 that is installed in a part of the upper wall of the process chamber 100 and is capable of transmitting a laser output from the light source 300; And a gas which is positioned between the stage 200 and the transmission window 400 and irradiates the laser beam transmitted through the transmission window 400 toward the substrate S and injects the inert gas toward the substrate S, And an injection module 500.

공정 챔버(100)는 그 단면이 사각형인 통 형상이나, 이에 한정되지 않고 기판(S)과 대응하는 다양한 형상으로 변경 가능하다. 이러한 공정 챔버(100)의 상부벽에는 예컨대, 석영(quartz)으로 이루어진 투과창(400)이 설치되는데, 상기 투과창(400)은 공정 챔버(100)의 상부벽의 일부에 설치되되, 가스 분사 모듈(500)의 상부를 커버하도록 설치되는 것이 바람지하다. 물론 투과창(400)은 가스 분사 모듈(500)의 상부를 커버하거나, 공정 챔버(100)의 상부벽에 설치되는데 한정되지 않고, 광원(300)으로부터 출력된 레이저가 가스 분사 모듈(500) 내부로 인도될 수 있도록 하는 어떠한 위치에 설치되어도 무방하다.The process chamber 100 may have a tubular shape whose cross section is a quadrangle, but it is not limited thereto and can be changed into various shapes corresponding to the substrate S. A transmission window 400 made of, for example, quartz is installed on the upper wall of the process chamber 100. The transmission window 400 is installed on a part of the upper wall of the process chamber 100, It is desirable to install the module 500 so as to cover the upper portion of the module 500. Of course, the transmission window 400 is not limited to cover the upper part of the gas injection module 500 or to be installed on the upper wall of the process chamber 100, and the laser output from the light source 300 may be provided inside the gas injection module 500 Or any other location that allows it to be delivered to.

한편, 공정 챔버(100)는 밀폐되어 있는 구조이기는 하나, 그 내부에는 산소(O2) 또는 불순물이 잔류할 수 있다. 여기서 산소(O2)는 기판(S) 상에 형성된 박막(11)을 산화시키며, 불순물은 공정 중에 발생된 미립자 상태의 파우더 또는 기체 상태의 공정 부산물이거나 다른 오염 물질일 수 있으며, 이러한 불순물은 박막(11)의 품질을 저하시키거나 성질을 변화시켜, 불량 발생의 요인이 된다.On the other hand, although the process chamber 100 is a sealed structure, oxygen (O 2 ) or impurities may remain in the process chamber 100. Here, the oxygen (O 2 ) oxidizes the thin film 11 formed on the substrate S, and the impurities may be fine-state powder or gaseous process by-products generated during the process or other contaminants, Degrade the quality of the substrate 11 or change its properties, thereby causing defects.

이러한 산소(O2) 및 불순물의 침투에 따른 문제를 해결하기 위하여, 가스 분사 모듈(500)은 불활성 가스를 불어넣어 레이저가 조사되는 기판(S) 영역을 불활성 가스 분위기로 조성한다. 이러한 가스 분사 모듈(500)은 탈산소 모듈(oxygen partial degassing module, OPDM)로 명명될 수 있다.
In order to solve the problems caused by the penetration of oxygen (O 2 ) and impurities, the gas injection module 500 blows an inert gas to form an inert gas atmosphere in the region of the substrate S irradiated with the laser. This gas injection module 500 may be termed an oxygen partial degassing module (OPDM).

가스 분사 모듈(500)은 상부에 기판(S)이 안치된 스테이지(200)의 상측에 위치하는 바디(510)를 포함하고, 투과창(400)과 기판(S) 사이 영역에 대응하는 바디(510) 영역을 관통하도록 소정의 공간의 마련되며, 상기 소정의 공간으로 투과창(400)을 통과한 레이저가 기판(S)을 향해 조사되고, 불활성 가스가 기판(S) 상측으로 분사된다. 이에, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 투과창(400)과 기판(S) 사이 영역에 대응하는 바디(510) 영역을 관통하도록 형성되어, 레이저 및 불활성 가스가 통과하는 소정의 공간을 "불활성 가스 챔버(520)"라 명명한다.The gas injection module 500 includes a body 510 positioned on an upper side of a stage 200 on which a substrate S is placed and a body 510 corresponding to an area between the transmission window 400 and the substrate S The laser beam passing through the transmission window 400 is irradiated toward the substrate S and the inert gas is injected onto the substrate S in the predetermined space. Hereinafter, for convenience of explanation, a predetermined space through which the laser and the inert gas pass is referred to as an "inert gas chamber ", which is formed to penetrate the region of the body 510 corresponding to the region between the transmission window 400 and the substrate &Quot; 520 ".

이에, 가스 분사 모듈(500)에 대해 다시 설명하면, 본 발명에 따른 가스 분사 모듈(500)은 바디(510)와, 투과창(400)과 스테이지(200) 사이에 대응하는 바디(510)의 적어도 일부를 관통하도록 마련되어, 레이저 및 불활성 가스가 통과하는 내부 공간을 포함하는 불활성 가스 챔버(520)와, 바디(510) 내에 마련되며, 일단이 불활성 가스 챔버(520)의 내부와 연통되도록 연결되어 상기 불활성 가스 챔버(520)로 불활성 가스 예컨대 질소(N2) 가스를 공급하는 불활성 가스 공급관(530)과, 불활성 가스 챔버(520)의 하부에 연결되어 상기 불활성 가스 챔버(520)와 기판(S) 사이에 위치하는 판 형상의 플레이트(540), 플레이트(540)에 마련되며, 스테이지(200)의 이송 방향과 반대 방향으로 흐르는 산소 및 불순물을 통과시켜, 다시 스테이지(200)의 이송 방향으로 흐르도록 유도하는 1 및 제 2 관로(540c, 540d)를 포함한다.The gas injection module 500 according to the present invention includes a body 510 and a body 510 corresponding to the space between the transmission window 400 and the stage 200. [ An inert gas chamber 520 provided to penetrate at least a part of the inert gas chamber 520 and including an inner space through which a laser and an inert gas pass, An inert gas supply pipe 530 for supplying an inert gas such as N 2 gas to the inert gas chamber 520 and an inert gas supply pipe 530 connected to a lower portion of the inert gas chamber 520 to connect the inert gas chamber 520 and the substrate S Shaped plate 540 and plate 540 which are positioned between the stage 200 and the stage 200 and allow oxygen and impurities flowing in the direction opposite to the conveying direction of the stage 200 to pass therethrough so as to flow again in the conveying direction of the stage 200 1 < / RTI > 2 comprises a conduit (540c, 540d).

불활성 가스 챔버(520)는 상술한 바와 같이 투과창(400)과 기판(S) 사이에 대응하는 바디(510)를 관통하여 형성된 내부 공간을 가지는데, 도 2에 도시된 바와 같이, 바디(510)의 상하 방향(즉, 높이 방향)으로 관통되도록 형성되며, 소정의 폭을 가지도록 형성된다. 이때, 실시예에 따른 불활성 가스 챔버(520)는 상하 방향의 길이(또는 높이)가, 좌우 방향의 폭에 비해 길도록 형성된다. 이러한 불활성 가스 챔버(520)의 상측 개구는 투과창(400)에 의해 밀폐 또는 폐쇄되며, 불활성 가스 챔버(520)의 하부에는 라인 형태의 레이저 즉, 레이저 빔과 불활성 가스가 통과할 수 있는 슬릿(520a)(이하, 제 1 슬릿(520a))이 마련된다. 또한 불활성 가스 챔버(520)의 내벽 중 하부는 하측으로 갈수록 그 내경이 좁아지는 형상이 되도록 형성될 수 있다. 보다 구체적으로 설명하면, 도 2에 도시된 바와 같이 불활성 가스 챔버(520) 내부의 하부는 제 1 슬릿(520a)이 위치한 방향으로 갈수록 그 내경이 좁아지도록 형성되는데, 소정의 곡률을 가지거나 또는 만곡된 형상일 수 있다.The inert gas chamber 520 has an internal space formed between the transmission window 400 and the substrate S through a corresponding body 510 as described above. As shown in FIG. 2, the body 510 (That is, the height direction), and is formed to have a predetermined width. At this time, the inert gas chamber 520 according to the embodiment is formed such that the length (or height) in the vertical direction is longer than the width in the horizontal direction. The upper opening of the inert gas chamber 520 is closed or closed by the transmission window 400 and a laser beam in the form of a line, that is, a laser beam and a slit 520a (hereinafter referred to as a first slit 520a). In addition, the lower part of the inner wall of the inert gas chamber 520 may be formed so that its inner diameter becomes narrower toward the lower side. More specifically, as shown in FIG. 2, the lower part of the interior of the inert gas chamber 520 is formed so that its inner diameter becomes narrower toward the direction in which the first slit 520a is located. .

상기에서는 바디(510)와 불활성 가스 챔버(520)를 분리하여 설명하였지만, 바디(510)와 불활성 가스 챔버(520)는 일체형일 수 있다.Although the body 510 and the inert gas chamber 520 have been described above, the body 510 and the inert gas chamber 520 may be integrally formed.

불활성 가스 공급관(530)은 불활성 가스 챔버(520) 내부로 불활성 가스를 공급하는 수단으로서, 실시예에 따른 불활성 가스 공급관(530)은 불활성 가스 챔버(520)의 측방향에 연결되도록 바디(510)에 마련된다. 즉, 불활성 가스 공급관(530)은 바디(510) 내에서 연장 형성되며, 일단이 불활성 가스 챔버(520)의 측부에 연결되고, 타단이 불활성 가스가 저장된 가스 저장부(미도시)와 연결된다. 이러한 불활성 가스 공급관(530)은 파이프 형태의 관을 바디(510) 내에 삽입하여, 일단이 불활성 가스 챔버(520)의 측부와 연결되도록 설치하거나, 바디(510) 내부 자체를 가공하여 불활성 가스 챔버(520)의 측부와 연통되도록 마련할 수도 있다. 또한, 불활성 가스 공급관(530)은 예컨대, 최외곽 관 즉, 외관과, 외관의 내측에 위치하는 내관으로 이루어진 이중관 구조일 수도 있다. 이때, 불활성 가스 챔버(520)와 연결되어 상기 불활성 가스 챔버(520) 내부로 불활성 가스를 토출하는 불활성 가스 공급관(530)의 일단을 토출 슬릿이라 할 때, 토출 슬릿은 도 2에 도시된 바와 같이 라인 형태로서, 하방으로 경사지도록 마련될 수 있다. 또한 토출 슬릿 전단에 해당하는 불활성 가스 공급관(530)의 영역의 적어도 일부가 복수번 절곡된 다른 말로하면 복수번 굴곡진 유로 형태일 수 있다.The inert gas supply pipe 530 is a means for supplying an inert gas into the inert gas chamber 520. The inert gas supply pipe 530 according to the embodiment is connected to the body 510 so as to be laterally connected to the inert gas chamber 520. [ Respectively. That is, the inert gas supply pipe 530 is extended in the body 510, and one end of the inert gas supply pipe 530 is connected to the side of the inert gas chamber 520, and the other end thereof is connected to a gas storage (not shown) The inert gas supply pipe 530 may be formed by inserting a pipe-shaped pipe into the body 510 and connecting one end of the inert gas supply pipe 530 to the side of the inert gas chamber 520, 520, respectively. The inert gas supply pipe 530 may be, for example, a double pipe structure comprising an outermost pipe, that is, an outer pipe, and an inner pipe located inside the outer pipe. One end of the inert gas supply pipe 530, which is connected to the inert gas chamber 520 and discharges the inert gas into the inert gas chamber 520, is referred to as an ejection slit, In the form of a line, it may be provided so as to be inclined downward. Further, at least a part of the area of the inert gas supply pipe 530 corresponding to the front end of the discharge slit may be folded a plurality of times, or in other words, it may be in the form of a bent curved line.

물론 불활성 가스 공급관(530)의 형상은 상술한 형상에 한정되지 않고, 불활성 가스 챔버(520)로 불활성 가스를 공급할 수 있는 다양한 형상 및 구성으로 변경 가능하다.Of course, the shape of the inert gas supply pipe 530 is not limited to the above-described shape and can be changed into various shapes and configurations that can supply the inert gas to the inert gas chamber 520.

가스 분사 모듈(500)로부터 토출되어 기판(S)을 향해 분사되는 불활성 가스 예컨대 질소(N2) 가스는 기판(S) 상측, 보다 구체적으로는 레이저가 조사되고 있는 기판(S) 영역에 존재하는 산소(O2) 및 불순물을 외측으로 몰아내어, 가스 분사 모듈(500)과 기판(S) 사이의 공간을 불활성 가스 분위기로 조성한다. 이때, 불활성 가스 챔버(520)의 제 1 슬릿(520a)으로부터 토출된 불활성 가스가 기판(S) 상측의 전면으로 잘 퍼지도록, 플레이트(540)가 마련되며, 상기 플레이트(540)는 불활성 가스 챔버(520) 및 기판(S)의 좌우 방향(또는 폭 방향)으로 연장 형성된다.
An inert gas such as nitrogen (N 2 ) gas discharged from the gas injection module 500 and injected toward the substrate S is present on the upper side of the substrate S, more specifically in the region of the substrate S on which the laser is irradiated Oxygen (O 2 ) and impurities are driven outward to form a space between the gas injection module 500 and the substrate S in an inert gas atmosphere. A plate 540 is provided to spread the inert gas discharged from the first slit 520a of the inert gas chamber 520 to the front surface of the upper surface of the substrate S. The plate 540 is disposed in the inert gas chamber 520, (Or width direction) of the substrate 520 and the substrate S.

이하, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플레이트에 대해 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the plate according to the first embodiment of the present invention will be described in more detail.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 플레이트(540)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 바디(510) 및 불활성 가스 챔버(520)의 하부에 연결되며, 그 단면의 형상이 사각형인 판재 형상이고, 제 1 슬릿(520a)의 하측에 레이저 및 불활성 가스가 통과할 수 있는 슬릿(540a)(이하, 제 2 슬릿(540a))이 마련된다. 보다 상세하게 플레이트(540)는 불활성 가스 챔버(520)에 마련된 제 1 슬릿(520a)으로부터 양 방향으로 연장 형성된 판 형상일 수 있으며, 플레이트(540)의 좌우 방향의 길이 즉, 폭은 불활성 가스 챔버(520) 및 바디(510)의 폭에 비해 크다. 이에, 플레이트(540)의 양 단부 각각이 바디(510)의 외측으로 돌출된다.2 and 3, the plate 540 according to the first embodiment of the present invention is connected to the lower part of the body 510 and the inert gas chamber 520, and has a rectangular cross- And a slit 540a (hereinafter referred to as a second slit 540a) through which a laser and an inert gas can pass is provided below the first slit 520a. More specifically, the plate 540 may be in the form of a plate extending in both directions from the first slit 520a provided in the inert gas chamber 520, and the length or width of the plate 540 in the left- (520) and the body (510). Thus, both ends of the plate 540 protrude to the outside of the body 510.

한편, 스테이지(200)가 공정 진행 방향으로 이송되면, 상기 스테이지(200)가 이송하는 힘에 의해 공정 챔버(100) 내부에 잔류하고 있는 산소 및 불순물이 스테이지(200)와 반대 방향으로 흐르게 된다. 그리고 스테이지(200)의 이송 방향과 반대 방향으로 흐르는 산소는 플레이트(540)와 기판(S) 사이의 공간으로 침투되어, 레이저가 조사되고 있는 기판(S)의 박막(11)을 산화시킬 수 있으며, 불순물을 박막을 오염시키거나, 성질을 변화시킬 수 있다.When the stage 200 is transferred to the process direction, oxygen and impurities remaining in the process chamber 100 flow in a direction opposite to the stage 200 due to the force transferred by the stage 200. Oxygen flowing in a direction opposite to the conveying direction of the stage 200 can be penetrated into the space between the plate 540 and the substrate S to oxidize the thin film 11 of the substrate S on which the laser is irradiated , Impurities can contaminate the film or change its properties.

이에, 본 발명에서는 플레이트(540)에 제 1 및 제 2 관로(540c, 540d)를 마련하여, 벤투리(venturi) 방법으로 스테이지(200)의 이송 방향과 반대 방향 즉, 기판(S) 또는 가스 분사 모듈(500)이 위치한 방향으로 흐르는 산소 및 불순물을 흡입하여, 다시 배출함으로써, 상기 산소 및 불순물이 기판(S)과 플레이트(540) 사이의 공간으로 침투하는 것을 방지한다.Accordingly, in the present invention, the first and second channels 540c and 540d are provided on the plate 540 so as to be moved in the direction opposite to the conveying direction of the stage 200 by the venturi method, The oxygen and the impurities flowing in the direction of the injection module 500 are sucked and discharged again to prevent the oxygen and the impurities from penetrating into the space between the substrate S and the plate 540.

제 1 및 제 2 관로(540c, 540d)는 플레이트(540)의 양 단부 중, 스테이지(200)의 이송 방향에 위치한 단부로부터 플레이트(540) 내의 측 방향(즉, 좌우 방향)으로, 플레이트(540)의 일부를 관통하도록 마련된다. 이때, 제 1 및 제 2 관로(540c, 540d) 각각은 바디(510)의 외측으로 돌출된 플레이트(540)의 단부에 마련되며, 이에 따라 상기 제 1 및 제 2 관로(540c, 540d)는 레이저가 조사되는 위치인 제 2 슬릿(540a)의 외측에 위치하게 된다.The first and second conduits 540c and 540d extend from the end of the plate 540 located at the end of the stage 200 in the conveying direction to the side of the plate 540 in the lateral direction As shown in Fig. Each of the first and second conduits 540c and 540d is provided at an end of the plate 540 protruding outward of the body 510 so that the first and second conduits 540c and 540d are connected to a laser The second slit 540a is located outside the second slit 540a.

제 1 실시예에 따른 제 1 관로(540c)는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 플레이트(540)의 최외각 측면으로부터 플레이트(540)의 상부면으로 연장 형성되며, 그 연장 방향이 플레이트(540)의 최외각 측면에 위치하는 일단의 개구가 상기 플레이트(540)의 상부면에 위치하는 타단의 개구에 비해 외측에 위치하도록 플레이트의 좌우 방향(또는 폭 방향)으로 연장된다. 다시 말하면, 타단이 일단에 비해 내측 또는 안쪽에 위치하며, 불활성 가스 챔버(520)의 외측에 위치하도록 제 1 관로(540c)가 좌우 방향(또는 폭 방향)으로 연장 형성된다. 이때, 제 1 관로(540c)의 일단 및 타단 각각은 개방되어 있어, 상기 제 1 관로(540c)의 일단의 개구는 스테이지(200)의 측면으로 노출되어 산소 및 불순물이 흡입되는 흡입단(541c)이고, 제 1 관로(540c)의 타단의 개구는 스테이지(200)의 상부면으로 노출되어 흡입된 산소 및 불순물이 배출되는 배출단(542c)이다.The first channel 540c according to the first embodiment extends from the outermost side of the plate 540 to the upper surface of the plate 540 as shown in Figures 4 and 5, (Or width direction) of the plate so that one opening located at the outermost side of the plate 540 is located outside the opening of the other end located on the upper surface of the plate 540. [ In other words, the first conduit 540c is extended in the left-right direction (or the width direction) so that the other end is located inside or inside the first conduit, and is located outside the inert gas chamber 520. [ One end of the first conduit 540c is opened and the other end of the first conduit 540c is opened so that the opening at one end of the first conduit 540c is exposed to the side surface of the stage 200 and the suction end 541c, And the opening at the other end of the first conduit 540c is a discharge end 542c through which the oxygen and impurities are exposed and exposed to the upper surface of the stage 200. [

이하에서는 설명의 편의를 위하여, 제 1 관로(540c) 중 흡입단(541c)과 배출단(542c) 사이에 연장된 영역을 연장 라인(543c)이라고 명명한다. 이에, 본 발명의 실시예에 따른 제 1 관로(540c)는 산소 및 불순물이 제 1 관로(540c) 내로 흡입되는 흡입단(541c), 산소 및 불순물이 제 1 관로(540c) 외부로 배출되는 배출단(542c) 및 흡입단(541c)과 배출단(542c) 사이를 연결하는 배관 형태의 연장 라인(543c)을 포함한다. 이때, 제 1 관로(540c)의 흡입단(541c)은 배출단(542c)에 비해 상대적으로 플레이트(540)의 최외각 또는 최외각과 인접하도록 위치한다. 다른 말로 설명하면, 제 1 관로(540c)의 배출단(542c)은 불활성 가스 챔버(520) 및 바디(510)의 외측에 위치하되, 플레이트(540)의 좌우 방향(즉, 폭 방향)에서 흡입단(541c)에 비해 내측 또는 안쪽에 위치한다.Hereinafter, for convenience of description, an area extending between the suction end 541c and the discharge end 542c of the first channel 540c is referred to as an extension line 543c. Accordingly, the first conduit 540c according to the embodiment of the present invention includes a suction end 541c through which oxygen and impurities are sucked into the first conduit 540c, a second conduit 540c through which oxygen and impurities are discharged from the first conduit 540c And an extension line 543c in the form of a pipe connecting the suction end 541c and the discharge end 542c. At this time, the suction end 541c of the first channel 540c is located adjacent to the outermost or outermost edge of the plate 540 relative to the discharge end 542c. In other words, the discharge end 542c of the first conduit 540c is located outside the inert gas chamber 520 and the body 510, and is located in the left-right direction (i.e., width direction) of the plate 540, Is positioned inward or inward relative to the end 541c.

이러한 제 1 관로(540c)에 있어서, 연장 라인(543c)의 내경은 흡입단(541c) 의 내경에 비해 작도록 형성되며, 배출단(542c)의 내경은 흡입단(541c) 및 연장 라인(543c)의 내경에 비해 작거나, 크거나 같을 수 있다. 예컨대, 실시예에 따른 제 1 관로(540c)는 흡입단(541c)에서 연장 라인(543c)으로 갈수록 그 내경이 좁아지다가, 연장 라인(543c)에서 배출단(542c)으로 갈수록 다시 내경이 커지도록 형성되며, 배출단(542c)의 내경은 흡입단(541cO)의 내경에 비해 작도록 형성될 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 연장 라인(543c)의 내경이 흡입단(541c)의 내경에 비해 작은 다양한 사이즈 변경이 가능하다. 이와 같은 제 1 관로(540c)의 내경 차이에 의해, 제 1 관로(540c)와 플레이트(540)의 외측의 압력 차이가 발생되며, 상기 제 1 관로(540c) 내에서 압력 차이가 발생된다. 이에, 압력 차이를 이용하는 벤투리(venturi) 방법으로 스테이지(200)의 이송 방향과 반대 방향 즉, 기판(S) 또는 플레이트(540)가 위치한 방향으로 흐르는 산소 및 불순물 흡입하여, 다시 배출함으로써, 상기 산소 및 불순물이 기판(S)과 플레이트(540) 사이의 공간으로 침투하는 것을 방지한다.The inner diameter of the extension line 543c is formed to be smaller than the inner diameter of the suction end 541c and the inner diameter of the discharge end 542c is formed to be smaller than the suction end 541c and the extension line 543c Or may be equal to or greater than the inner diameter of the inner tube. For example, in the first conduit 540c according to the embodiment, the inner diameter becomes narrower from the suction end 541c to the extension line 543c, and the inner diameter becomes larger as it goes from the extension line 543c to the discharge end 542c And the inner diameter of the discharge end 542c may be formed to be smaller than the inner diameter of the suction end 541cO. The inner diameter of the extension line 543c is smaller than the inner diameter of the suction end 541c. Due to the difference in inner diameter of the first conduit 540c, a pressure difference occurs between the first conduit 540c and the outside of the plate 540, and a pressure difference is generated in the first conduit 540c. Thus, the oxygen and impurities flowing in the direction opposite to the conveying direction of the stage 200, that is, the direction in which the substrate S or the plate 540 is positioned, are sucked by the venturi method using the pressure difference, Oxygen and impurities from penetrating into the space between the substrate S and the plate 540.

또한, 흡입단(541c)에서 배출단(542c)을 연결하는 연장 라인(543c)은 소정의 경사를 가지는 곡선 형태일 수 있으며, 흡입단(541c)에서 배출단(542c) 방향으로 상향 경사 영역 및 하향 경사 영역 중 적어도 어느 하나를 가지는 형상일 수 있다.
The extension line 543c connecting the discharge end 542c at the suction end 541c may be in the form of a curved line having a predetermined inclination and may have an upward inclined area from the suction end 541c toward the discharge end 542c, And a downward inclined region.

제 2 관로(540d)의 일단 및 타단 각각은 개방되어 있으며, 일단의 개구는 플레이트(540)의 하부면으로 노출되고, 타단은 제 1 관로(540c)의 연장 라인(543c)과 연통되도록 상호 연결된다. 여기서, 제 2 관로(540d)의 일단 및 타단 중, 플레이트(540)의 하부면으로 노출되는 일단의 개구는 플레이트(540)의 하측의 산소 및 불순물 흡입되는 흡입단이다. 이에, 제 2 관로(540d)의 일단 즉, 흡입단으로 흡입된 산소 및 불순물은 제 1 관로(540c)의 연장 라인(543c)으로 유입된 후, 상기 제 1 관로(540c)의 배출단(542c)을 통해 외부로 배출된다. 실시예에 따른 제 2 관로(540d)는 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 직선 형태이나, 이에 한정되지 않고, 일단의 개구가 플레이트(540)의 하부면으로 노출되고 타단이 제 1 관로(540c)와 연결되는 다양한 형상으로 변경 가능하다.
One end and the other end of the second conduit 540d are open and the other end is exposed to the lower surface of the plate 540 and the other end is connected to the extension line 543c of the first conduit 540c. do. One end of the one end of the second channel 540d and the other end of the second channel 540d exposed to the lower surface of the plate 540 is a sucking end for sucking oxygen and impurities from the lower side of the plate 540. Oxygen and impurities adsorbed to one end of the second conduit 540d, that is, the suction end, flow into the extension line 543c of the first conduit 540c, and then the outlet end 542c of the first conduit 540c ). ≪ / RTI > The second channel 540d according to the embodiment may have a straight line shape as shown in FIGS. 2 to 5, but the present invention is not limited thereto, and the second channel 540d may be formed by exposing one opening at the lower surface of the plate 540, And may be changed into various shapes connected to the second electrode 540c.

이하, 도 5를 제 1 실시예에 따른 제 1 관로 및 제 2 관로(540d)로 산소 및 순물이 흡입되어 배출되고, 그 흐름이 바뀌는 과정을 설명한다.Hereinafter, FIG. 5 illustrates a process in which the oxygen and the pure material are sucked and discharged through the first channel and the second channel 540d according to the first embodiment, and the flow thereof is changed.

스테이지(200)가 예컨대, 좌측에서 우측으로 흐른다고 가정할 때, 상기 스테이지(200)의 수평 이송에 의해 공정 챔버(100) 내 산소 및 불순물이 플레이트(540) 및 불활성 가스 챔버(520)가 위치한 방향으로 흐르게 된다. 즉, 스테이지(200)가 좌측에서 우측으로 이송될 때, 적어도 일부의 산소 및 불순물은 우측에서 좌측으로의 흐른다. 이때, 플레이트(540)가 위치한 방향으로 흐르는 산소 및 불순물은 플레이트(540)의 측면에 위치하는 제 1 관로(540c)의 흡입단(541c)으로 흡입되어 연장 라인(543c)을 통과한 후, 배출단(542c)으로 배출된다. 또한, 플레이트(540)의 하측으로 흐르는 산소 및 불순물은 제 2 관로(540d)의 흡입단으로 흡입되어, 제 1 관로(540c)로 이송된 후, 상기 제 1 관로(540c)의 배출단(542c)을 통해 배출된다. 여기서, 산소 및 불순물이 제 1 관로(540c)로 흡입되는 것은, 제 1 관로(540c)와 플레이트(540) 외측 사이에서의 압력 차이 및 제 1 관로(540c) 자체에서의 압력 차이에 의한 것이다. 즉, 제 1 관로(540c)의 연장 라인(543c)의 내경이 흡입단(541c)의 내경에 비해 작기 때문이며, 이로 인해 압력 차이에 따른 흡입력이 발생되어, 제 1 관로(540c)의 흡입단(541c)으로 산소 및 불순물이 흡입된 후, 배출단(542c)으로 배출된다. 또한, 내경이 작은 제 1 관로(540c)의 연장 라인(543c)에 제 2 관로(540d)가 연결되어 있어, 제 1 관로(540c)의 연장 라인(543c)과 제 2 관로(540d) 간의 압력 차이에 의해 플레이트(540) 하측의 산소 및 불순물이 제 2 관로(540d)를 통해 흡입되어 제 1 관로(540c)의 연장 라인(543c)으로 이송된다. 제 1 관로(540c)의 배출단(542c)에 의해 플레이트(540)의 상측으로 배출된 산소 및 불순물이 상기 배출단(542c)에 비해 내측 또는 안쪽에 위치하는 바디(510)의 측벽에 의해 그 이동이 차단되어, 스테이지(200)의 이송 방향으로 흐름이 바뀐다. 이에, 제 1 관로(540c)의 배출단(542c)으로 배출된 산소 및 불순물은 플레이트(540)의 상측에서 스테이지(200)의 이송 방향으로 흘러, 플레이트(540)와 기판(S) 사이의 공간으로 산소 및 불순물이 침투하는 것을 차단할 수 있다.
The horizontal movement of the stage 200 causes the oxygen and impurities in the process chamber 100 to flow through the plate 540 and the inert gas chamber 520 at a position where the stage 200 flows from left to right, . That is, when the stage 200 is transported from left to right, at least a part of oxygen and impurities flow from right to left. At this time, the oxygen and impurities flowing in the direction in which the plate 540 is positioned are sucked into the suction end 541c of the first pipe 540c located on the side of the plate 540, passed through the extension line 543c, Stage 542c. Oxygen and impurities flowing to the lower side of the plate 540 are sucked into the suction end of the second conduit 540d and transferred to the first conduit 540c and then discharged to the discharge end 542c of the first conduit 540c . Here, oxygen and impurities are sucked into the first conduit 540c by the pressure difference between the first conduit 540c and the outside of the plate 540 and the pressure difference in the first conduit 540c itself. That is, the inner diameter of the extension line 543c of the first conduit 540c is smaller than the inner diameter of the suction end 541c. As a result, a suction force due to the pressure difference is generated and the suction end of the first conduit 540c 541c, and then discharged to the discharge end 542c. The second conduit 540d is connected to the extension line 543c of the first conduit 540c having a small inner diameter so that the pressure between the extension line 543c of the first conduit 540c and the second conduit 540d Oxygen and impurities on the lower side of the plate 540 are sucked through the second conduit 540d by the difference and transferred to the extension line 543c of the first conduit 540c. Oxygen and impurities discharged to the upper side of the plate 540 by the discharge end 542c of the first conduit 540c are separated by the side wall of the body 510 located inside or inside the discharge end 542c The movement is blocked, and the flow is changed in the conveying direction of the stage 200. Oxygen and impurities discharged to the discharge end 542c of the first conduit 540c flow in the transfer direction of the stage 200 from the upper side of the plate 540 so that the space between the plate 540 and the substrate S To prevent oxygen and impurities from penetrating.

상기에서는 제 1 관로(540c)의 흡입단(541c)이 플레이트(540)의 측면에 위치하는 경우를 설명하였다. 하지만 이에 한정되지 않고, 제 1 관로(540c)의 위치는 배출단(542c) 외측 영역의 다양한 위치에 마련될 수 있다.The case where the suction end 541c of the first conduit 540c is located on the side of the plate 540 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the position of the first channel 540c may be provided at various positions in the region outside the discharge end 542c.

예컨대, 도 6에 도시된 제 2 실시예에서와 같이, 제 1 관로(540c)의 흡입단(541c)이 플레이트(540)의 하부면에 위치하고, 배출단(542c)이 플레이트(540)의 상부면에 위치하되, 상기 흡입단(541c)이 배출단(542c)에 비해 외측에 위치하고, 배출단(542c)이 흡입단(541c)에 비해 내측 또는 안쪽에 위치한다.6, the suction end 541c of the first conduit 540c is located on the lower surface of the plate 540 and the discharge end 542c is located on the upper surface of the plate 540. In this case, The suction end 541c is positioned on the outer side of the discharge end 542c and the discharge end 542c is located on the inner side or the inner side of the suction end 541c.

그리고, 도 7에 도시된 제 3 실시예에서와 같이, 제 1 관로(540c)의 흡입단(541c) 및 배출단(542c) 각각이 플레이트(540)의 상부면에 위치하되, 흡입단(541c)이 배출단(542c)에 비해 플레이트(540)의 외측에 위치하고, 배출단(542c)이 흡입단(541c)에 비해 내측 또는 안쪽에 위치한다.
7, each of the suction end 541c and the discharge end 542c of the first channel 540c is positioned on the upper surface of the plate 540, and the suction end 541c Is located on the outer side of the plate 540 as compared to the discharge end 542c and the discharge end 542c is positioned inside or inside the suction end 541c.

이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 열처리 장치를 이용한 박막의 결정화 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of crystallizing a thin film using the heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 5. FIG.

먼저, 유리(glass) 기판(S) 상에 비정질 다결정 박막(11), 예컨대 비정질 다결정 실리콘 박막을 형성한다. 그리고, 비정질 다결정의 실리콘 박막이 형성된 기판(S)을 열처리 장치의 공정 챔버(100) 내로 장입시켜, 스테이지(200) 상에 안착시킨다.First, an amorphous polycrystalline thin film 11, for example, an amorphous polycrystalline silicon thin film is formed on a glass substrate S. Then, the substrate S on which the amorphous polycrystalline silicon thin film is formed is charged into the process chamber 100 of the heat treatment apparatus, and is placed on the stage 200.

스테이지(200) 상에 기판(S)이 안착되면, 상기 스테이지(200)를 공정 진행 방향으로 수평 이송시키면서, 상기 기판(S) 상에 형성된 박막(11) 상에 레이저를 조사한다. 즉, 광원(300)을 동작시켜 상기 광원(300)으로부터 광원 즉, 레이저를 출력하고, 출력된 레이저는 투과창(400)을 통해 불활성 가스 챔버(520) 내부와, 제 1 슬릿(520a) 및 제 2 슬릿(540a)을 통과하여 기판(S) 상에 형성된 박막(11)에 조사된다. 이에, 기판(S) 상에 형성된 비정질 다결정의 실리콘 박막이 레이저와 반응하여 결정질 실리콘 박막이 된다.When the substrate S is placed on the stage 200, a laser beam is irradiated onto the thin film 11 formed on the substrate S while horizontally moving the stage 200 in the process advancing direction. That is, the light source 300 operates to output a light source, that is, a laser, from the light source 300. The output laser passes through the transmission window 400 in the inert gas chamber 520, the first slit 520a, Passes through the second slit 540a and is irradiated onto the thin film 11 formed on the substrate S. [ The amorphous polycrystalline silicon thin film formed on the substrate S reacts with the laser to form a crystalline silicon thin film.

기판(S)을 향해 레이저를 조사하는 동안, 기판(S) 또는 박막(11) 상측으로 불활성 가스를 분사한다. 이를 위해, 불활성 가스 공급관(530)을 통해 불활성 가스 챔버(520)로 불활성 가스 예컨대, 질소(N2) 가스를 공급하면, 상기 질소 가스는 불활성 가스 챔버(520)의 제 1 슬릿(520a)을 거쳐 플레이트(540)에 마련된 제 2 슬릿(540a)을 통해 기판(S) 상측으로 분사된다. 그리고 제 2 슬릿(540a)을 통해 기판(S) 상측으로 토출된 질소 가스는 상기 제 2 슬릿(540a)을 중심으로 측 방향으로 퍼지며, 이때 플레이트(540)와 기판(S) 사이에 존재할 수 있는 산소 및 불순물이 측 방향으로 밀려, 기판(S) 외측으로 빠져 나간다.An inert gas is injected onto the substrate (S) or the thin film (11) while irradiating the laser beam toward the substrate (S). For this, when an inert gas such as nitrogen (N 2 ) gas is supplied to the inert gas chamber 520 through the inert gas supply pipe 530, the nitrogen gas flows through the first slit 520a of the inert gas chamber 520 And is sprayed onto the substrate S through the second slit 540a provided on the plate 540. [ Nitrogen gas discharged onto the substrate S through the second slit 540a spreads laterally around the second slit 540a and may be present between the plate 540 and the substrate S Oxygen, and impurities are pushed in the lateral direction to escape to the outside of the substrate (S).

이와 같이 기판 상에 형성된 박막에 레이저를 조사시켜 결정화하는 과정에 있어서, 스테이지를 수평 이송시키면서 공정을 진행하여, 상기 기판 상에 형성된 박막 전체를 결정화시킨다.In the process of crystallizing the thin film formed on the substrate by laser irradiation, the entire thin film formed on the substrate is crystallized by moving the stage horizontally.

그런데, 스테이지(200)가 이송되는 동안, 공정 챔버(100) 내부에 잔류하고 있는 산소 및 불순물의 적어도 일부가 스테이지(200)의 이송 방향과 반대 방향으로 흐르게 된다. 이렇게 흐르는 산소 및 불순물 특히, 플레이트(540) 방향으로 흐르는 산소 및 불순물은 제 1 및 제 2 관로(540c, 540d)로 흡입된다. 도 5에 도시된 제 1 실시예를 예로 들어 설명하면, 플레이트(540)의 측 방향에서, 상기 플레이트(540)가 위치한 방향으로 흐르는 산소 및 불순물이 제 1 관로(540c)의 흡입단(541c)으로 흡입되어 연장 라인(543c)을 통과한 후, 배출단(542c)으로 배출된다. 또한, 플레이트(540)의 하측으로 흐르는 산소 및 불순물이 제 2 관로(540d)의 흡입단으로 흡입되어, 제 1 관로(540c)의 연장 라인(543c)으로 이송된 후, 상기 제 1 관로(540c)의 배출단(542c)을 통해 배출된다. 제 1 관로(540c)의 배출단(542c)에 의해 플레이트(540)의 상측으로 배출된 산소 및 불순물이 상기 배출단(542c)에 비해 내측 또는 안쪽에 위치하는 바디(510)의 측벽에 의해 그 이동이 차단되어, 스테이지(200)의 이송 방향으로 흐름이 바뀐다. 이에, 제 1 관로(540c)의 배출단(542c)으로 배출된 산소 및 불순물은 플레이트(540)의 상측에서 스테이지(200)의 이송 방향으로 흘러, 플레이트(540)와 기판(S) 사이의 공간으로 산소 및 불순물이 침투하는 것을 차단할 수 있다.However, during the transfer of the stage 200, at least a part of oxygen and impurities remaining in the process chamber 100 flow in a direction opposite to the conveying direction of the stage 200. Oxygen and impurities flowing in the direction of the plate 540, and particularly oxygen and impurities flowing in this manner, are sucked into the first and second conduits 540c and 540d. 5, oxygen and impurities flowing in the direction of the plate 540 in the lateral direction of the plate 540 are introduced into the suction end 541c of the first conduit 540c, Then passes through the extension line 543c, and is discharged to the discharge end 542c. Oxygen and impurities flowing to the lower side of the plate 540 are sucked into the suction end of the second conduit 540d and transferred to the extension line 543c of the first conduit 540c and then introduced into the first conduit 540c And is discharged through a discharge end 542c. Oxygen and impurities discharged to the upper side of the plate 540 by the discharge end 542c of the first conduit 540c are separated by the side wall of the body 510 located inside or inside the discharge end 542c The movement is blocked, and the flow is changed in the conveying direction of the stage 200. Oxygen and impurities discharged to the discharge end 542c of the first conduit 540c flow in the transfer direction of the stage 200 from the upper side of the plate 540 so that the space between the plate 540 and the substrate S To prevent oxygen and impurities from penetrating.

도 6에 도시된 제 2 실시예에 따른 제 1 및 제 2 관로(540c, 540d)와, 도 7에 도시된 제 3 실시예에 따른 제 1 및 제 2 관로(540c, 540d)의 경우에서도, 스테이지(200)의 이송 방향과 반대 방향 즉, 플레이트(540)가 위치한 방향으로 흐르는 산소 및 불순물이 제 1 관로(540c)의 흡입단(541c)으로 흡입되어 연장 라인(543c)을 통과한 후, 배출단(542c)으로 배출된다. 또한, 플레이트(540)의 하측으로 흐르는 산소 및 불순물은 제 2 관로(540d)으로 흡입되어, 제 1 관로(540c)의 연장 라인(543c)으로 이송된 후, 상기 제 1 관로(540c)의 배출단(542c)을 통해 배출된다.
In the case of the first and second conduits 540c and 540d according to the second embodiment shown in FIG. 6 and the first and second conduits 540c and 540d according to the third embodiment shown in FIG. 7, Oxygen and impurities flowing in the direction opposite to the conveying direction of the stage 200, that is, in the direction in which the plate 540 is positioned, are sucked into the suction end 541c of the first conduit 540c and pass through the extension line 543c, And is discharged to the discharge end 542c. The oxygen and impurities flowing to the lower side of the plate 540 are sucked into the second conduit 540d and transferred to the extension line 543c of the first conduit 540c and then discharged to the outlet 540c of the first conduit 540c And is discharged through the stage 542c.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에서는 플레이트에 제 1 및 제 2 관로(540c, 540d)를 마련함으로써, 플레이트(540) 또는 기판(S)이 위치한 방향으로 흐르는 산소 및 불순물을 흡입하여, 상기 산소 및 불순물이 플레이트(540)와 기판(S) 사이의 공간, 보다 구체적으로는 레이저가 조사되고 있는 기판(S) 영역으로 침투하는 것을 사전에 차단할 수 있다.As described above, in the embodiments of the present invention, the first and second conduits 540c and 540d are provided on the plate to suck oxygen and impurities flowing in the direction of the plate 540 or the substrate S, And impurities from penetrating into the space between the plate 540 and the substrate S, more specifically, into the region of the substrate S where the laser is being irradiated.

또한, 플레이트(540) 또는 기판(S)이 위치한 방향으로 흐르는 산소 및 불순물이 제 1 및 제 2 관로(540c, 540d)로 흡입된 후 배출되는 과정에 의해, 상기 산소 및 불순물이 다시 플레이트(540) 또는 기판(S)과 반대 방향으로 흐르도록 할 수 있어, 산소 및 불순물의 침투를 효율적으로 차단할 수 있다.
Oxygen and impurities flowing in the direction of the plate 540 or the substrate S are sucked into the first and second conduits 540c and 540d and discharged, ) Or in the direction opposite to the substrate (S), thereby effectively preventing the penetration of oxygen and impurities.

540: 플레이트 540c: 제 1 관로
541c: 흡입단 541c: 배출단
543c: 연장라인 540d: 제 2 관로540: plate 540c: first channel
541c: suction port 541c: discharge port
543c: extension line 540d: second line

Claims (12)

내부에 기판 처리 공간을 가지는 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내부에 설치되어 상부에 기판이 안치되고, 공정 진행 방향으로 수평 이송되는 스테이지;
상기 공정 챔버 외부에 설치되어 광을 출력하여, 상기 공정 챔버 내에 장입된 기판 상에 광을 조사하는 광원; 및
상기 공정 챔버 내부에서 스테이지의 상측에 설치되고, 상기 광원으로부터 출사된 광과 불활성 가스가 통과하여 기판으로 인도될 수 있도록 하는 내부 공간을 가지는 가스 분사 모듈을 포함하고,
상기 가스 분사 모듈은, 상기 가스 분사 모듈의 하부의 양 단부 중, 상기 스테이지의 이송 방향에 위치한 단부로부터 내측으로 연장되도록 마련된 제 1 관로를 포함하며,
상기 제 1 관로의 양 단 중, 일단은 타단에 비해 외측에 위치하며, 상기 제 1 관로의 일단과 타단 사이를 연결하는 연장 라인의 내경이 상기 제 1 관로의 일단에 비해 작은 열처리 장치.A processing chamber having a substrate processing space therein;
A stage installed inside the process chamber and having a substrate placed thereon and horizontally conveyed in a process progress direction;
A light source provided outside the process chamber for outputting light and irradiating light onto a substrate charged in the process chamber; And
And a gas injection module provided on the stage inside the process chamber and having an inner space through which the light emitted from the light source and the inert gas can be led to the substrate,
Wherein the gas injection module includes a first conduit extending inward from an end of the lower portion of the gas injection module located in the conveying direction of the stage,
Wherein an inner diameter of an extension line connecting one end of the first conduit and the other end of the first conduit is smaller than that of one end of the first conduit. 청구항 1에 있어서,
상기 공정 챔버의 상부에 설치되어, 광원으로부터 출력된 광원이 투과하는 투과창을 포함하고,
상기 가스 분사 모듈은 투과창과 기판 사이에 설치되는 열처리 장치.The method according to claim 1,
And a transmission window provided above the process chamber and through which the light source output from the light source passes,
Wherein the gas injection module is installed between the transmission window and the substrate. 청구항 2에 있어서,
상기 가스 분사 모듈은,
상기 투과창과 기판 사이에 위치하며, 광 및 불활성 가스가 통과하는 내부 공간을 가지며, 하단부에 상기 광 및 불활성 가스가 통과하는 제 1 슬릿이 마련된 불활성 가스 챔버; 및
상기 불활성 가스 챔버와 기판 사이에 위치하며, 상기 제 1 슬릿과 연통되는 제 2 슬릿을 구비하고, 상기 불활성 가스 챔버의 외측으로 돌출되도록 연장 형성된 플레이트를 포함하고,
상기 제 1 관로는 상기 플레이트의 양 단부 중, 상기 스테이지의 이송 방향의 단부로부터 내측으로 연장되도록 마련된 열처리 장치.The method of claim 2,
The gas injection module includes:
An inert gas chamber disposed between the transmission window and the substrate and having an inner space through which light and an inert gas pass, and a first slit through which the light and the inert gas pass; And
And a plate disposed between the inert gas chamber and the substrate and having a second slit communicating with the first slit, the plate extending to project outward from the inert gas chamber,
Wherein the first conduit extends inward from an end of the stage in the conveying direction, of the both ends of the plate. 청구항 3에 있어서,
상기 제 1 관로는 플레이트의 영역 중, 상기 불활성 가스 챔버의 외측으로 돌출된 영역에 마련되는 열처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the first conduit is provided in a region of the plate protruding outward from the inert gas chamber. 청구항 4에 있어서,
상기 제 1 관로의 일단 및 타단 각각은 개방되어 상기 공정 챔버 내부와 연통되도록 노출되는 열처리 장치.The method of claim 4,
Wherein one end and the other end of the first conduit are opened and exposed to communicate with the inside of the process chamber. 청구항 5에 있어서,
상기 제 1 관로의 일단은 상기 플레이트의 최외각 측면에 위치하고, 상기 제 1 관로의 타단은 상기 불활성 가스 챔버 외측에 위치하는 상기 플레이트의 상부면에서, 상기 제 1 관로의 일단에 비해 내측에 위치하는 열처리 장치.The method of claim 5,
Wherein one end of the first channel is located on the outermost side of the plate and the other end of the first channel is located on the upper surface of the plate located outside the inert gas chamber inward relative to one end of the first channel Heat treatment apparatus. 청구항 5에 있어서,
상기 제 1 관로의 일단은 상기 플레이트의 하부면에 위치하고, 상기 제 1 관로의 타단은 상기 불활성 가스 챔버 외측에 위치하는 상기 플레이트의 상부면에서, 상기 제 1 관로의 일단에 비해 내측에 위치하는 열처리 장치.The method of claim 5,
Wherein one end of the first conduit is located on the lower surface of the plate and the other end of the first conduit is located on the upper surface of the plate located outside the inert gas chamber, Device. 청구항 5에 있어서,
상기 제 1 관로의 일단은 상기 플레이트의 상부면에 위치하고, 상기 제 1 관로의 타단은 상기 불활성 가스 챔버 외측에 위치하는 상기 플레이트의 상부면에서, 상기 제 1 관로의 일단에 비해 내측에 위치하는 열처리 장치.The method of claim 5,
Wherein one end of the first channel is located on the upper surface of the plate and the other end of the first channel is located on the upper surface of the plate located outside the inert gas chamber, Device. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제 1 관로의 일단과 타단 사이의 연장 라인은 곡선인 열처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the extension line between one end and the other end of the first channel is curved. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제 1 관로는 일단과 타단 사이의 연장 라인의 내경이 상기 일단 및 타단에 비해 작은 열처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein an inner diameter of an extension line between one end and the other end of the first conduit is smaller than that of the one end and the other end. 청구항 10에 있어서,
상기 제 1 관로는 상기 일단으로부터 연장 라인으로 갈수록 점차 내경이 좁아지다가, 상기 연장 라인으로부터 상기 타단으로 갈수록 내경이 커지는 열처리 장치.The method of claim 10,
Wherein the first conduit has an inner diameter gradually narrowed from the one end to an extension line, and an inner diameter increases from the extension line to the other end. 청구항 3 내지 청구항 8 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 플레이트의 일부를 상하 방향으로 관통하도록 마련되어, 일단의 개구가 상기 플레이트의 하부면으로 노출되고, 타단이 상기 제 1 관로와 연결된 제 2 관로를 포함하는 열처리 장치.The method according to any one of claims 3 to 8,
And a second conduit provided so as to penetrate a part of the plate in a vertical direction and having an opening at one end exposed at the lower surface of the plate and the other end connected to the first conduit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030061991A1 (en) * 2001-08-24 2003-04-03 Asml Us, Inc. Protective shield and system for gas distribution
KR20080000642A (en) 2005-04-21 2008-01-02 니뽄 신야쿠 가부시키가이샤 Phthalazinone derivative and pharmaceutical comprising the same
US20070084408A1 (en) * 2005-10-13 2007-04-19 Applied Materials, Inc. Batch processing chamber with diffuser plate and injector assembly
KR20080056524A (en) * 2006-12-18 2008-06-23 엘지디스플레이 주식회사 An crystallizing apparatus for si including blowing machine to nitrogen
JP4947646B2 (en) * 2007-05-23 2012-06-06 株式会社日本製鋼所 Gas injection means for laser processing apparatus
KR100897356B1 (en) * 2007-10-02 2009-05-15 세메스 주식회사 Method and apparatus of cleaning a substrate
KR101063245B1 (en) * 2008-09-17 2011-09-07 에이피시스템 주식회사 Injection unit and deposition apparatus
KR101089625B1 (en) * 2009-07-03 2011-12-06 에이피시스템 주식회사 Laser annealing apparatus having oxygen partial degassing module
KR101243782B1 (en) * 2010-03-22 2013-03-18 주식회사 코윈디에스티 Thin metal film depositing apparatus

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