KR101704891B1 - Composition for film adhesives, method for producing same, film adhesive, semiconductor package using film adhesive and method for manufacturing semiconductor package using film adhesive - Google Patents

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epoxy resin
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미노루 모리타
히로유키 야노
신지 오히라
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 페녹시 수지(C), 및, 평균 입경 0.01 ~ 2.0μm의 구상 실리카 필러가 실란 커플링제로 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 함유하며, 또한, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 함유량이 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 페녹시 수지(C) 및 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 합계량에 대해서 30 ~ 70 질량%이며, 열경화 후의 200℃에서의 탄성률이 20 ~ 3000 MPa이며, 열경화 후의 포화 흡수율이 1.5 질량% 이하인, 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법이며, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 유기 용매 중에 분산시켜서 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정과, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B) 및 상기 페녹시 수지(C)를 혼합하여 필름 형상 접착제용 조성물을 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법. (D) an epoxy resin (A), an epoxy resin curing agent (B), a phenoxy resin (C) and a spherical silica filler having an average particle diameter of 0.01 to 2.0 탆 surface treated with a silane coupling agent , And the content of the surface-treated spherical silica filler (D) is in the range of the total amount of the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C) Wherein the modulus of elasticity at 200 ° C after heat curing is 20 to 3000 MPa and the rate of saturation after heat curing is 1.5 mass% or less, wherein the surface treated spherical silica A step of dispersing the filler (D) in an organic solvent to obtain a surface-treated spherical silica filler dispersion; and a step of adding the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B) and the phenoxy resin C) The method for the film-like adhesive composition characterized by mixing, including a step for obtaining a film-like adhesive composition.

Description

필름 형상 접착제용 조성물 및 그의 제조방법, 필름 형상 접착제, 및, 필름 형상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조방법{COMPOSITION FOR FILM ADHESIVES, METHOD FOR PRODUCING SAME, FILM ADHESIVE, SEMICONDUCTOR PACKAGE USING FILM ADHESIVE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE USING FILM ADHESIVE}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a composition for a film-form adhesive, a method for producing the same, a film-form adhesive, and a semiconductor package using the film-form adhesive and a method for producing the same. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention SEMICONDUCTOR PACKAGE USING FILM ADHESIVE}

본 발명은, 필름 형상 접착제용 조성물 및 그의 제조방법, 필름 형상 접착제, 및, 필름 형상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a composition for a film-form adhesive, a method for producing the same, a film-form adhesive, and a semiconductor package using the film-form adhesive and a method for producing the same.

종래, 반도체 패키지의 제조 과정에 있어서의 배선 기판과 반도체 칩과의 접착에는, 페이스트 상태의 접착제가 사용되어 왔다. 그러나, 최근에는 반도체 패키지의 고기능화에 수반하여 패키지 내부의 고밀도 실장화가 요구되고 있고, 수지 흐름이나 수지 올라옴 등에 의해서 반도체 칩이나 와이어 패드 등의 다른 부재가 오염되는 것을 방지하기 위해서, 필름 형상 접착제(다이 어테치 필름(die attach film))의 사용이 증가되고 있다. 특히, 아날로그 용도의 반도체 패키지로서는, 기억 기능으로서 작용하는 메모리 등의 디지탈 용도의 반도체 패키지와 비교하여, 보다 소형의 반도체 칩이 사용되고 있고, 패키지 내부의 배선 룰의 미세화가 더 진행되고 있기 때문에, 배선 기판이 한정된 영역 내에 반도체 칩을 높은 정밀도로 접착할 수 있는 필름 형상 접착제의 개발이 요구되고 있다. BACKGROUND ART Conventionally, paste adhesives have been used for bonding a wiring board and a semiconductor chip in a manufacturing process of a semiconductor package. However, in recent years, along with the enhancement of the functionality of the semiconductor package, there has been a demand for high-density packaging inside the package. In order to prevent contamination of other members such as semiconductor chips and wire pads by resin flow, Die attach film) has been increasingly used. Particularly, as a semiconductor package for analog use, a semiconductor chip of a smaller size is used as compared with a semiconductor package for digital use such as a memory serving as a memory function, and the wiring rule inside the package is further miniaturized. Development of a film-shaped adhesive capable of bonding a semiconductor chip with a high accuracy within a limited region of a substrate is required.

반도체 칩을 페이스업(face-up) 상태로 배선 기판에 접착시키는 경우, 통상, 배선 기판 및 반도체 칩은, 금, 은, 알루미늄 등의 금속으로 이루어지는 본딩 와이어에 의해 접속되는데, 근년의 금 가격 상승이 발단이 되어, 이들 본딩 와이어 중에서도 비교적 저비용인 구리 와이어의 사용이 증가되고 있다. 상기 본딩 와이어에 의한 접속은, 통상, 본딩 와이어를 100℃ 이상으로 가열하여 금속을 용융시키고, 배선 기판 및 반도체 칩과 금속 접합시키는데, 상기 구리 와이어를 이용하는 경우에는 특히 고온으로 가열하는 것이 필요하고, 또한, 배선 기판과 반도체 칩과의 사이의 접착이 불안정하면, 소형의 반도체 칩을 이용하는 경우에는 특히, 본딩 와이어의 접합 강도가 부족해지기 쉬워지는 경향이 있고, 경화 후의 고온에서의 탄성률이 보다 높은 필름 형상 접착제의 개발이 요구되고 있다. BACKGROUND ART When a semiconductor chip is adhered to a wiring board in a face-up state, usually, the wiring board and the semiconductor chip are connected by a bonding wire made of metal such as gold, silver and aluminum. And the use of relatively low cost copper wires among these bonding wires is increasing. The connection by the bonding wire is usually performed by heating the bonding wire at 100 ° C or higher to melt the metal and metal-bond the metal to the wiring board and the semiconductor chip. In the case of using the copper wire, If the bonding between the wiring board and the semiconductor chip is unstable, the bonding strength of the bonding wire tends to be shortened particularly when a small semiconductor chip is used. In addition, There has been a demand for development of a shape adhesive.

또한, 일반적으로, 반도체 패키지는, 그 배선 기판이 리드와 리플로우 방식에 의해 직접 납땜되어서 장치 등에 실장되는데, 이 때, 반도체 패키지 전체가 210 ~ 260℃의 고온에 노출되기 때문에, 경화 후의 필름 형상 접착제의 내부에 수분이 존재하고 있으면, 해당 수분이 폭발적으로 기화하여 패키지 크랙이 발생하는 일이 있다. 특히, 반도체 패키지 중의 반도체 칩이 소형화되어서 배선 기판과 반도체 칩과의 접착 면적이 작아짐에 따라서 패키지 크랙은 발생하기 쉬워지는 경향이 있기 때문에, 경화 후의 흡수율이 보다 낮은 필름 형상 접착제의 개발이 요구되고 있다. In general, the semiconductor package is soldered directly to the wiring board by a lead and a reflow method. At this time, since the entire semiconductor package is exposed to a high temperature of 210 to 260 ° C, If moisture is present in the adhesive, the moisture may explosively vaporize, resulting in package cracks. Particularly, since a semiconductor chip in a semiconductor package is miniaturized, a package crack tends to occur as the bonding area between the wiring board and the semiconductor chip becomes smaller, and therefore it is required to develop a film adhesive having a lower water absorption rate after curing .

이러한 패키지 크랙을 억제하는 것을 목적으로 한 필름 형상 접착제로서는, 예를 들면, 일본공개특허공보 2000-200794호(특허문헌 1)에 있어서, 흡수율이 1.5 체적% 이하인 필름 형상 접착제(다이 본딩재)가 기재되어 있다. 그러나, 동일 문헌에 기재된 필름 형상 접착제는, 고온에서의 탄성률이 낮고, 본딩 와이어를 충분한 강도로 접합하는 것이 곤란하다는 문제를 가지고 있었다. As a film-shaped adhesive for the purpose of suppressing such package cracks, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2000-200794 (Patent Document 1) discloses a film adhesive (die bonding material) having an absorption rate of 1.5% by volume or less . However, the film-shaped adhesive described in the same document has a low elastic modulus at a high temperature and has a problem that it is difficult to bond the bonding wire with sufficient strength.

또한, 필름 형상 접착제의 탄성률을 향상시켜서, 흡수율을 저하시키는 방법으로서는, 실리카 필러(silica filler)를 많이 함유시키는 기술이 알려져 있고, 예를 들면, 일본공개특허공보 2005-19516호(특허문헌 2)의 실시예에 있어서는, 에폭시 수지와 페놀 수지와 합성 고무를 함유하는 필름 형상 접착제(다이 본드용 접착 필름)에 있어서, 평균 입경(粒徑)이 0.5μm 구상(球狀) 융용 실리카를 필러로서 첨가하는 것으로 고온에 있어서의 탄성률이 높아지는 것이 기재되어 있다. Further, as a method of improving the elastic modulus of the film-form adhesive and lowering the water absorption rate, a technique of containing a large amount of silica filler is known, and Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2005-19516 (Patent Document 2) (Adhesive film for die bonding) comprising an epoxy resin, a phenolic resin and a synthetic rubber, spherical fused silica having an average particle diameter of 0.5 mu m is added as a filler And the elastic modulus at high temperature is increased.

그러나, 특허문헌 2에 기재되어 있는 구상 융용 실리카와 같이 입경이 작은 실리카 필러는, 그의 비표면적(比表面積)이 크기 때문에 실리카 필러끼리의 상호 작용이 강하고, 수지와 혼합시키면 응집하는 경향이 있고, 필름 형상 접착제의 두께를 얇게 하는 경우에는 특히, 필름 표면의 외관이 악화된다는 문제를 가지고 있었다. 또한, 실리카 필러 표면의 실라놀기가 물을 흡착하여, 오히려 흡수율의 상승이 일어나기 때문에, 경화 후의 필름 형상 접착제에 있어서의 흡수율을 충분히 저하시킬 수 없다는 문제도 가지고 있었다. However, since the silica filler having a small particle diameter such as the spherical fused silica described in Patent Document 2 has a large specific surface area (specific surface area), the silica filler has a strong interaction with each other and tends to aggregate when mixed with a resin, In particular, when the thickness of the film-form adhesive is reduced, the appearance of the film surface is deteriorated. In addition, since the silanol groups on the surface of the silica filler absorb water, the water absorption rate is rather increased, so that the water absorption rate of the film-shaped adhesive after curing can not be sufficiently lowered.

또한, 함유시키는 실리카 필러의 입경을 작게 하면, 일반적으로, 필름 형상 접착제의 유동성이 저하, 즉 용융 점도가 상승하는 경향이 있지만, 필름 형상 접착제의 피착체인 웨이퍼 이면이나 배선 기판의 표면은 꼭 평활면은 아니기 때문에, 필름 형상 접착제의 용융 점도가 상승하면, 피착체에 가열 밀착시킬 때에 필름 형상 접착제와 피착체의 사이의 밀착성이 저하하여 양자의 계면에 공기가 들어가고, 이것이 경화 후의 필름 형상 접착제의 접착력을 저하시키거나, 패키지 크랙을 발생시키는 원인이 된다는 문제가 있었다. When the particle diameter of the silica filler to be contained is made small, the flowability of the film adhesive generally decreases, that is, the melt viscosity tends to increase. However, the back surface of the wafer or the surface of the wiring substrate, When the melt viscosity of the film-form adhesive increases, the adhesiveness between the film-form adhesive and the adherend is lowered when the adhesive is heated and adhered to the adherend, so that air enters the interface of the film- Or cause cracks in the package.

일본공개특허공보 2000-200794호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-200794 일본공개특허공보 2005-19516호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-19516

본 발명은, 상기 종래 기술이 가지는 과제에 비추어서 이루어진 것으로, 표면 외관이 양호하고, 용융 점도가 충분히 낮고, 피착체와의 밀착성이 우수하고, 경화 후의 탄성률이 충분히 높고, 또한 흡수율이 충분히 낮은 필름 형상 접착제를 얻는 것이 가능한 필름 형상 접착제용 조성물 및 그의 제조방법, 필름 형상 접착제, 및, 필름 형상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. Disclosure of the Invention The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a film having a satisfactory surface appearance, a sufficiently low melt viscosity, an excellent adhesion with an adherend, a sufficiently high modulus of elasticity after curing, A composition for a film-form adhesive capable of obtaining an adhesive, a process for producing the same, a film-form adhesive, and a semiconductor package using the film-form adhesive and a process for producing the same.

본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, 필름 형상 접착제 조성물의 제조방법에 있어서, 먼저, 평균 입경 0.01 ~ 2.0μm의 구상(球狀) 실리카 필러가 실란 커플링제(silane coupling agent)로 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러를 유기 용매 중에 분산시켜서 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻어서, 다음에, 얻어진 상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 에폭시 수지, 에폭시 수지 경화제 및 페녹시 수지를, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러의 함유량이 특정의 범위 내가 되도록 혼합하는 것에 의해, 균일하게 구상 실리카 필러가 분산된 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제가 얻어지는 것을 발견했다. As a result of diligent research to achieve the above object, the present inventors have found that, in a method for producing a film-form adhesive composition, a spherical silica filler having an average particle diameter of 0.01 to 2.0 μm is first applied to a silane coupling agent treated surface-treated spherical silica filler was dispersed in an organic solvent to obtain a surface-treated spherical silica filler dispersion. Then, an epoxy resin, an epoxy resin curing agent and a phenoxy resin were added to the obtained surface-treated spherical silica filler dispersion , And that the content of the surface-treated spherical silica filler is within a specific range, thereby obtaining a film-like adhesive composition and a film-like adhesive in which spherical silica fillers are uniformly dispersed.

또한, 이와 같이 얻어진 필름 형상 접착제는, 구상 실리카 필러의 평균 입경이 0.01 ~ 2.0μm으로 작음에도 불구하고 필름 형성시에 응집하는 것이 없고, 두께를 얇게 해도 필름 표면 외관이 양호하고, 또한, 용융 점도가 충분히 낮기 때문에 피착체와의 밀착성에도 우수한 것을 발견했다. 또한, 상기 필름 형상 접착제는 경화 후의 탄성률을 200℃정도의 고온에 있어서도 충분히 높게 유지할 수 있기 때문에, 반도체 칩과 배선 기판을 안정적으로 접착시킬 수 있고, 본딩 와이어를 충분한 강도로 접합할 수 있는 것을 발견했다. 또한, 상기 필름 형상 접착제는 경화 후의 흡수율이 충분히 낮기 때문에, 반도체 패키지를 실장할 때의 패키지 크랙의 발생을 충분히 억제할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. The film-like adhesive thus obtained does not agglomerate at the time of film formation in spite of the fact that the average particle diameter of the spherical silica filler is as small as 0.01 to 2.0 mu m. Even if the thickness is thinned, the film surface appearance is good and the melt viscosity Is sufficiently low so that adhesion to an adherend is also excellent. Further, since the film-shaped adhesive can keep the elastic modulus after curing at a sufficiently high level even at a high temperature of about 200 캜, it is possible to stably bond the semiconductor chip and the wiring substrate and to bond the bonding wire with a sufficient strength did. Further, since the film-like adhesive has a sufficiently low water absorption rate after curing, occurrence of package cracks at the time of mounting the semiconductor package can be sufficiently suppressed, and the present invention has been accomplished.

즉, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법은, That is, the method for producing a composition for a film-

에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 페녹시 수지(C), 및, 평균 입경 0.01 ~ 2.0μm의 구상 실리카 필러가 실란 커플링제로 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 함유하며, 또한, (D) an epoxy resin (A), an epoxy resin curing agent (B), a phenoxy resin (C) and a spherical silica filler having an average particle diameter of 0.01 to 2.0 탆 surface treated with a silane coupling agent In addition,

상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 함유량이 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 페녹시 수지(C) 및 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 합계량에 대해서 30 ~ 70 질량%이며, The amount of the surface treated spherical silica filler (D) is in the range of 30 to 50 parts based on the total amount of the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C) 70% by mass,

열경화 후의 200℃에서의 탄성률이 20 ~ 3000 MPa이며, The modulus of elasticity at 200 DEG C after heat curing is 20 to 3000 MPa,

열경화 후의 포화 흡수율이 1.5 질량% 이하인, And a saturated water absorption after heat curing of 1.5%

필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법이며, A method for producing a composition for a film-form adhesive,

상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 유기 용매 중에 분산시켜서 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정과,A step of dispersing the surface treated spherical silica filler (D) in an organic solvent to obtain a surface treated spherical silica filler dispersion;

상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B) 및 상기 페녹시 수지(C)를 혼합하여 필름 형상 접착제용 조성물을 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법이다. (A), the epoxy resin curing agent (B) and the phenoxy resin (C) to the surface-treated spherical silica filler dispersion to obtain a composition for film adhesive Method.

본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 있어서는, 상기 실란 커플링제를 유기 용매 중에 용해시켜서 실란 커플링제 용액을 얻는 공정과, 상기 실란 커플링제 용액 중에 상기 구상 실리카 필러를 분산시켜서 상기 구상 실리카 필러를 상기 실란 커플링제로 표면 처리하고, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 상기 유기 용매 중에 분산된 상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정을 포함하는 공정이며, 또한, 상기 실란 커플링제의 배합량이 상기 구상 실리카 필러의 배합량 100 질량부에 대해서 1 ~ 5 질량부인 것이 바람직하다. In the method for producing a composition for a film adhesive of the present invention, there is a step of dissolving the silane coupling agent in an organic solvent to obtain a silane coupling agent solution, a step of dispersing the spherical silica filler in the silane coupling agent solution, Treating the surface-treated spherical silica filler (D) with the silane coupling agent to obtain the surface-treated spherical silica filler dispersion in which the surface-treated spherical silica filler (D) is dispersed in the organic solvent, Is preferably 1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the amount of the spherical silica filler.

또한, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 있어서는, 상기 실란 커플링제가, 하기 일반식 (1):Further, in the method for producing a composition for a film adhesive of the present invention, the silane coupling agent is preferably a silane coupling agent represented by the following general formula (1):

R3 -n-Si(CH3)n-CH=CH2 … (1)R 3 -n -Si (CH 3 ) n -CH = CH 2 - (One)

[식(1) 중, R은 메톡시기, 에톡시기, 2-메톡시에톡시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 가수 분해성 관능기를 나타내고, n은 0 또는 1의 정수를 나타낸다.]Wherein R represents any one of hydrolysable functional groups selected from the group consisting of a methoxy group, an ethoxy group and a 2-methoxyethoxy group, and n represents an integer of 0 or 1.

로 표현되는 비닐계 실란 커플링제인 것이 바람직하다. Based silane coupling agent.

본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물은, 상기 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 것이다. The composition for a film-form adhesive of the present invention is characterized by being obtained by the above-mentioned process for producing a composition for a film-form adhesive.

또한, 본 발명의 필름 형상 접착제는, 상기 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물을 필름 형상으로 성형하여 이루어지는 필름 형상 접착제이며, 레오미터에서 20℃에서 10℃/분의 승온 속도로 가열하였을 때에 관측되는 80℃에 있어서의 용융 점도가 10000 Pa·s 이하인 것을 특징으로 하는 것이다. 본 발명의 필름 형상 접착제로서는, 두께가 1 ~ 50μm인 것이 바람직하다. The film adhesive of the present invention is a film adhesive obtained by molding the above composition for film adhesive of the present invention into a film and is a film adhesive which is observed when heated at 20 ° C at a rate of 10 ° C / And a melt viscosity at 80 DEG C of not more than 10,000 Pa.s. The film-shaped adhesive of the present invention preferably has a thickness of 1 to 50 μm.

본 발명의 반도체 패키지의 제조방법은, According to the present invention,

표면에 적어도 1개의 반도체 회로가 형성된 웨이퍼의 이면에, 상기 본 발명의 필름 형상 접착제를 열압착하여 접착제층을 마련하는 제1의 공정과,A first step of thermally pressing the film adhesive of the present invention onto the back surface of a wafer having at least one semiconductor circuit on its surface to form an adhesive layer,

상기 웨이퍼와 다이싱 테이프를 상기 접착제층을 개재하여 접착한 후에, 상기 웨이퍼와 상기 접착제층을 동시에 다이싱하는 것에 의해 상기 웨이퍼 및 상기 접착제층을 구비하는 접착제층 부가 반도체 칩을 얻는 제2의 공정과,A second step of bonding the wafer and the dicing tape via the adhesive layer and then dicing the wafer and the adhesive layer simultaneously to obtain the semiconductor chip with the adhesive layer including the wafer and the adhesive layer and,

상기 접착제층으로부터 상기 다이싱 테이프를 이탈시키고, 상기 접착제층 부가 반도체 칩과 배선 기판을 상기 접착제층을 개재하여 열압착시키는 제3의 공정과,A third step of releasing the dicing tape from the adhesive layer and thermally bonding the adhesive layer to the semiconductor chip and the wiring substrate via the adhesive layer;

상기 필름 형상 접착제를 열경화시키는 제4의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법이다. 또한, 본 발명의 반도체 패키지는, 상기 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 것이다. And a fourth step of thermally curing the film adhesive. Further, the semiconductor package of the present invention is characterized by being obtained by the above-described method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.

또한, 본 발명의 구성에 의해서 상기 목적이 달성되는 이유는 꼭 분명한 것은 아니지만, 본 발명자들은 이하와 같이 추측한다. 즉, 종래의 실리카 필러를 함유하는 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 있어서는, 수지 성분에 실리카 필러와 필요에 따라서 실란 커플링제를 직접 배합하는, 이른바 인테그런트법(INTEGRANT METHOD)이 간편하기 때문에 널리 이용되어 왔지만, 이러한 방법에서는 실리카 필러 표면의 실라놀기가 많이 잔존하기 때문에, 특히, 입경이 작은 실리카 필러를 이용했을 경우에는 실리카 필러끼리가 응집하기 쉬워지고, 얻어지는 필름 형상 접착제의 표면 외관이 악화되거나, 경화 후의 흡수율이 증가한다고 본 발명자들은 추측한다. 또한, 이러한 실리카 필러끼리의 응집에 의한 표면 외관의 악화 등을 방지하기 위해서, 강한 전단력(shearing force)을 걸어서 응집물을 해쇄(解碎)할 수 있는 롤 혼련(混鍊) 등의 공정을 상기 인테그런트법에 적용하는 것이 가능은 하지만, 공정수가 증가할 뿐만 아니라, 특히 입경이 작은 실리카 필러를 이용하는 경우에 충분한 품질의 필름 형상 접착제용 조성물을 얻는 것이 곤란해진다고 본 발명자들은 추측한다. The reason why the above object is achieved by the constitution of the present invention is not clear, but the present inventors presume as follows. That is, in the conventional method for producing a film-like adhesive composition containing a silica filler, the so-called INTEGRANT METHOD wherein the silica filler and, if necessary, the silane coupling agent are directly mixed with the resin component is simple However, in such a method, since a large amount of silanol groups on the surface of the silica filler remain, in particular, when a silica filler having a small particle diameter is used, the silica fillers tend to agglomerate each other and the surface appearance of the resulting film- Or increase the water absorption rate after curing. In order to prevent deterioration of the surface appearance due to agglomeration of these silica fillers, a process such as roll kneading in which aggregation can be broken by applying a strong shearing force, The present inventors presume that it is difficult to obtain a composition for a film-like adhesive having a sufficient quality when a silica filler having a small particle diameter is used, in addition to an increase in the number of steps.

이에 비하여, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 의하면, 실리카 필러로서 구상 실리카 필러가 실란 커플링제로 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러를 이용하기 때문에, 얻어지는 필름 형상 접착제용 조성물을 이용하는 것에 의해, 표면의 실라놀기가 상기 실란 커플링제에 의해서 충분히 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러를 함유하고, 흡수율의 증가에 의한 패키지 크랙의 발생이 충분히 억제된 필름 형상 접착제를 얻을 수 있다. On the other hand, according to the method for producing a composition for a film adhesive of the present invention, since the spherical silica filler as the silica filler uses the surface treated spherical silica filler surface-treated with the silane coupling agent, Treated film in which the silanol group on the surface contains the surface treated spherical silica filler sufficiently treated by the silane coupling agent and the generation of the package crack due to the increase of the water absorption is sufficiently suppressed.

또한, 충분히 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러는 유기 용매 중에 용이하게 분산되기 때문에, 이것을 유기 용매 중에 분산시킨 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 에폭시 수지, 에폭시 수지 경화제 및 페녹시 수지 등의 수지 성분을 혼합하는 것으로, 입경이 작은 구상 실리카 필러라도 수지 성분 중에 응집하는 일 없이 균일하게 분산시킬 수 있고, 얻어지는 필름 형상 접착제의 표면 외관이 양호해진다고 본 발명자들은 추측한다. 또한, 이러한 특정의 조합으로 수지 성분 중에 표면 처리 구상 실리카 필러를 분산시키는 것에 의해, 얻어지는 필름 형상 접착제의 용융 점도가 충분히 낮아진다고 본 발명자들은 추측한다. Further, since the surface-treated spherical silica filler that has been sufficiently surface-treated is easily dispersed in the organic solvent, a resin component such as an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, and a phenoxy resin is added to the surface-treated spherical silica filler dispersion in which the spherical silica filler is dispersed in an organic solvent The present inventors presume that spherical silica fillers having a small particle diameter can be uniformly dispersed in the resin component without aggregation and that the surface appearance of the resulting film-like adhesive becomes good. It is also presumed by the present inventors that the melt viscosity of the obtained film-form adhesive is sufficiently lowered by dispersing the surface-treated spherical silica filler in the resin component with such a specific combination.

또한, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 의하면, 응집이 억제되는 것에 의해 많은 구상 실리카 필러를 필름 형상 접착제 중에 함유시킬 수 있기 때문에, 경화 후의 고온에서의 탄성률을 고수준으로 유지할 수 있다고 본 발명자들은 추측한다. 따라서, 이러한 필름 형상 접착제는, 특히, 반도체 칩을 보다 박형화·소형화시키는 경우에 있어서도, 반도체 칩과 배선 기판을 높은 정밀도로 접착시킬 수 있고, 본딩 와이어의 접합 강도를 고수준으로 유지할 수 있고, 패키지 크랙을 충분히 억제할 수 있다고 본 발명자들은 추측한다. Further, according to the method for producing a composition for a film adhesive of the present invention, it is possible to contain a large amount of spherical silica filler in the film-like adhesive by suppressing the aggregation, so that the elastic modulus at a high temperature after curing can be maintained at a high level The inventors speculate. Therefore, even in the case of thinning and miniaturizing the semiconductor chip, the film-shaped adhesive can bond the semiconductor chip and the wiring board with high precision, can maintain the bonding strength of the bonding wire at a high level, Can be sufficiently suppressed.

본 발명에 의하면, 표면 외관이 양호하고, 용융 점도가 충분히 낮고, 피착체와의 밀착성이 우수하고, 경화 후의 탄성률이 충분히 높고, 또한 흡수율이 충분히 낮은 필름 형상 접착제를 얻는 것이 가능한 필름 형상 접착제용 조성물 및 그의 제조방법, 필름 형상 접착제, 및, 필름 형상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조방법을 제공하는 것이 가능해진다. According to the present invention, there is provided a film-form adhesive composition capable of obtaining a film-form adhesive agent having a good surface appearance, a sufficiently low melt viscosity, an excellent adhesion with an adherend, a sufficiently high modulus of elasticity after curing, And a semiconductor package using the film-shaped adhesive, and a method of manufacturing the same.

따라서, 본 발명에 의하면, 반도체 칩을 보다 박형화·소형화시키는 경우에 있어서도, 반도체 패키지의 제조 공정에 있어서, 반도체 칩과 배선 기판을 높은 정밀도로 접착시킬 수 있고, 본딩 와이어의 접합 강도를 고수준으로 유지할 수 있고, 패키지 크랙의 발생을 충분히 억제하는 것이 가능해진다. Therefore, according to the present invention, even when the semiconductor chip is made thinner and smaller, the semiconductor chip and the wiring board can be bonded with high precision in the manufacturing process of the semiconductor package, and the bonding strength of the bonding wire can be maintained at a high level And the occurrence of package cracks can be sufficiently suppressed.

도 1은 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법의 제1의 공정의 적합한 일실시 형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법의 제2의 공정의 적합한 일실시 형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 3은 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법의 제3의 공정의 적합한 일실시 형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 4는 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법의 본딩 와이어를 접속하는 공정의 적합한 일실시 형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 5는 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 의해 제조되는 반도체 패키지의 적합한 일실시 형태를 나타내는 개략 종단면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view showing a first embodiment of a method for manufacturing a semiconductor package according to a preferred embodiment of the present invention. FIG.
2 is a schematic longitudinal sectional view showing a preferred embodiment of the second step of the method of manufacturing the semiconductor package of the present invention.
3 is a schematic vertical sectional view showing a preferred embodiment of the third step of the method of manufacturing the semiconductor package of the present invention.
4 is a schematic longitudinal sectional view showing a preferred embodiment of a process for connecting a bonding wire in the method of manufacturing a semiconductor package of the present invention.
5 is a schematic longitudinal sectional view showing a preferred embodiment of a semiconductor package manufactured by the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.

이하, 본 발명을 그 적합한 실시 형태에 입각하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail based on its preferred embodiment.

먼저, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물 및 그의 제조방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법은, First, a composition for a film-form adhesive of the present invention and a method for producing the same will be described. The method for producing a composition for a film-

에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 페녹시 수지(C), 및, 평균 입경 0.01 ~ 2.0μm의 구상 실리카 필러가 실란 커플링제로 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 함유하며, 또한, (D) an epoxy resin (A), an epoxy resin curing agent (B), a phenoxy resin (C) and a spherical silica filler having an average particle diameter of 0.01 to 2.0 탆 surface treated with a silane coupling agent In addition,

상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 함유량이 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 페녹시 수지(C) 및 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 합계량에 대해서 30 ~ 70 질량%이며, The amount of the surface treated spherical silica filler (D) is in the range of 30 to 50 parts based on the total amount of the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C) 70% by mass,

열경화 후의 200℃에서의 탄성률이 20 ~ 3000 MPa이며, The modulus of elasticity at 200 DEG C after heat curing is 20 to 3000 MPa,

열경화 후의 포화 흡수율이 1.5 질량% 이하인, And a saturated water absorption after heat curing of 1.5%

필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 있어서, A method for producing a composition for a film-form adhesive,

상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 유기 용매 중에 분산시켜서 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정과,A step of dispersing the surface treated spherical silica filler (D) in an organic solvent to obtain a surface treated spherical silica filler dispersion;

상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B) 및 상기 페녹시 수지(C)를 혼합하여 필름 형상 접착제용 조성물을 얻는 공정을 포함하는 제조방법이다. And a step of mixing the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B) and the phenoxy resin (C) to the surface treated spherical silica filler dispersion to obtain a composition for a film adhesive.

본 발명에 대한 에폭시 수지(A)는, 에폭시기를 가지는 열경화성 수지이며, 이러한 에폭시 수지(A)로서는, 중량 평균 분자량이 300 ~ 2000인 것이 바람직하고, 300 ~ 1500인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한 미만이면 단량체나 2량체가 증가하여 결정성이 강해지기 때문에, 필름 형상 접착제가 취약해지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 필름 형상 접착제의 용융 점도가 높아지기 때문에, 배선 기판에 압착할 때에 기판 상의 요철을 매립하는 것이 충분히 이루어지지 않아서, 배선 기판과의 밀착성이 저하되는 경향이 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 중량 평균 분자량이라는 것은 겔 퍼미에이션(삼투) 크로마토그래피(GPC)(상품명: HLC-82A(토소카부시키가이샤(TOSOH CORPORATION)제), 용매: 테트라히드로푸란, 컬럼: TSKgelG2000HXL(토소카부시키가이샤제)(2개), G4000HXL(토소카부시키가이샤제)(1개), 온도: 38℃, 속도: 1.0ml/min)에 의해 측정되고, 표준 폴리스티렌(상품명: A-1000, 토소카부시키가이샤제)으로 환산한 값이다. The epoxy resin (A) according to the present invention is a thermosetting resin having an epoxy group. The epoxy resin (A) preferably has a weight average molecular weight of 300 to 2000, more preferably 300 to 1500. If the weight average molecular weight is less than the above lower limit, the monomer or dimer increases and crystallinity tends to become strong. Therefore, the film-type adhesive tends to become weak. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the melt viscosity of the film- It is not sufficient to embed unevenness on the substrate when the substrate is pressed onto the substrate, and the adhesion with the wiring substrate tends to be lowered. In the present invention, the weight average molecular weight is determined by Gel Permeation (GPC) (trade name: HLC-82A, manufactured by TOSOH CORPORATION), solvent: tetrahydrofuran, column: (2), G4000HXL (manufactured by Tosoh Corporation) (1), temperature: 38 占 폚, speed: 1.0 ml / min), and standard polystyrene (trade name: A-1000, manufactured by Tosoh Corporation).

상기 에폭시 수지(A)로서는, 액체, 고체 또는 반고체의 어느 것이라도 좋다. 본 발명에 있어서, 상기 액체라는 것은, 연화점(softening point)이 50℃ 미만인 것을 말하고, 상기 고체라는 것은, 연화점이 60℃ 이상인 것을 말하고, 상기 반고체라는 것은, 연화점이 상기 액체의 연화점과 고체의 연화점의 사이(50℃ 이상 60℃ 미만)에 있는 것을 말한다. 상기 에폭시 수지(A)로서는, 적합한 온도 범위(예를 들면 60 ~ 120℃)에서 저용융 점도에 도달할 수 있는 필름 형상 접착제를 얻을 수 있다는 관점으로부터, 연화점이 100℃ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서, 연화점이라는 것은, 연화점 시험(환구식(環球式))법(측정 조건: JIS-2817에 준거)에 의해 측정한 값이다. As the epoxy resin (A), any of liquid, solid or semi-solid may be used. In the present invention, the term "liquid" as used herein means that the softening point is less than 50 ° C., and the term "solid" means that the softening point is not lower than 60 ° C. and the term "semisolid" means that the softening point is the softening point (50 DEG C or more and less than 60 DEG C). The epoxy resin (A) preferably has a softening point of 100 DEG C or less from the viewpoint of obtaining a film-form adhesive capable of achieving a low melt viscosity in a suitable temperature range (e.g., 60 to 120 DEG C). Further, in the present invention, the softening point is a value measured by a softening point test (circular ball method) (measurement conditions: according to JIS-2817).

상기 에폭시 수지(A)에 있어서, 경화체(硬化體)의 가교 밀도가 높아지고, 결과적으로, 열경화 후의 탄성률이 보다 높아지고, 보다 소형의 반도체 칩을 사용한 경우에 있어서도 배선 기판과 반도체 칩의 사이의 본딩 와이어의 접합 강도가 고수준으로 유지되는 경향이 있다는 관점으로부터, 에폭시 당량(當量)은 500g/eq 이하인 것이 바람직하고, 150 ~ 450g/eq인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서, 에폭시 당량이라는 것은, 1그램 당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 그램수(g/eq)를 말한다. In the epoxy resin (A), the crosslinking density of the cured body (cured body) is increased, and as a result, the modulus of elasticity after thermal curing becomes higher, and even when a smaller semiconductor chip is used, From the viewpoint that the bonding strength of the wire tends to be maintained at a high level, the epoxy equivalent amount is preferably 500 g / eq or less, more preferably 150 to 450 g / eq. In the present invention, the epoxy equivalent means the number of grams (g / eq) of the resin containing one gram equivalent of epoxy group.

상기 에폭시 수지(A)의 골격으로서는, 페놀 노볼락형, 오르토 크레졸(ortho cresol) 노볼락형, 크레졸 노볼락형, 디시클로펜타디엔형, 비페닐형, 플루오렌 비스페놀형, 트리아진형, 나프톨형, 나프탈렌 디올형, 트리페닐 메탄형, 테트라 페닐형, 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 AD형, 비스페놀 S형, 트리 메틸올 메탄형 등을 들 수 있지만, 수지의 결정성이 낮고, 양호한 표면 외관을 가지는 필름 형상 접착제를 얻을 수 있다는 관점으로부터, 트리페닐 메탄형, 비스페놀 A형, 크레졸 노볼락형, 오르토 크레졸 노볼락형, 디시클로펜타디엔형인 것이 바람직하다. Examples of the skeleton of the epoxy resin (A) include phenol novolak type, ortho cresol novolak type, cresol novolak type, dicyclopentadiene type, biphenyl type, fluorene bisphenol type, triazine type, naphthol type , A naphthalene diol type, a triphenylmethane type, a tetraphenyl type, a bisphenol A type, a bisphenol F type, a bisphenol AD type, a bisphenol S type and a trimethylol methane type. From the viewpoint of obtaining a film-like adhesive having an appearance, it is preferable to use a triphenylmethane type, a bisphenol A type, a cresol novolak type, an orthocresol novolak type, and a dicyclopentadiene type.

상기 에폭시 수지(A)로서는 1종을 단독으로 이용해도 좋고 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용하는 경우에는, 예를 들면, 조성물의 점도의 조절을 하기 쉽고, 필름 형상 접착제와 웨이퍼를 열압착시키는 공정(웨이퍼 라미네이트 공정)을 저온(바람직하게는 40 ~ 80℃)에서 실시한 경우에 있어서도 웨이퍼와 필름 형상 접착제와의 밀착성이 충분히 발휘되는 경향이 있다는 관점으로부터, 연화점이 50 ~ 100℃인 에폭시 수지(a1)와 연화점이 50℃ 미만인 에폭시 수지(a2)를 조합하여 이용하는 것이 바람직하다. As the epoxy resin (A), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination. When two or more kinds are used in combination, for example, the viscosity of the composition is easily controlled, From the viewpoint that the adhesion between the wafer and the film-like adhesive tends to be sufficiently exhibited even when the step of thermocompression bonding of the adhesive and the wafer (wafer lamination step) is carried out at a low temperature (preferably 40 to 80 ° C) It is preferable to use an epoxy resin (a1) having a melting point of less than 50 deg. C and an epoxy resin (a2) having a softening point of less than 50 deg.

상기 에폭시 수지(a1)로서는, 실온에서 고체 또는 반고체이며, 연화점이 50 ~ 100℃인 것이 바람직하고, 50 ~ 80℃인 것이 보다 바람직하다. 연화점이 상기 하한 미만이면, 얻어지는 필름 형상 접착제의 점도가 저하하기 때문에, 상온에 있어서 필름 형상을 유지하는 것이 곤란해지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면, 얻어지는 필름 형상 접착제에 있어서, 적합한 온도 범위(예를 들면 60 ~ 120℃)에서 저용융 점도에 도달하는 것이 곤란해지는 경향이 있다. The epoxy resin (a1) is preferably a solid or a semi-solid at room temperature and preferably has a softening point of 50 to 100 캜, more preferably 50 to 80 캜. If the softening point is lower than the lower limit described above, the viscosity of the obtained film-like adhesive lowers and it tends to be difficult to keep the film shape at room temperature. On the other hand, if the upper limit is exceeded, It tends to be difficult to reach a low melt viscosity in a range (e.g., 60 to 120 ° C).

상기 에폭시 수지(a1)로서는, 중량 평균 분자량이 500을 초과하며 2000 이하인 것이 바람직하고, 600 ~ 1200인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한 미만이면 단량체나 2량체가 증가하여 결정성이 강해지기 때문에, 필름 형상 접착제가 취약해지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 필름 형상 접착제의 용융 점도가 높아지기 때문에, 배선 기판에 압착할 때에 기판 상의 요철을 매립하는 것이 충분히 이루어지지 않아서, 배선 기판과의 밀착성이 저하되는 경향이 있다. The epoxy resin (a1) preferably has a weight average molecular weight of more than 500 and not more than 2000, more preferably 600 to 1200. If the weight average molecular weight is less than the above lower limit, the monomer or dimer increases and crystallinity tends to become strong. Therefore, the film-type adhesive tends to become weak. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the melt viscosity of the film- It is not sufficient to embed unevenness on the substrate when the substrate is pressed onto the substrate, and the adhesion with the wiring substrate tends to be lowered.

이러한 에폭시 수지(a1)의 골격으로서는, 수지의 결정성이 낮고, 양호한 외관을 가지는 필름 형상 접착제를 얻을 수 있다는 관점으로부터, 트리페닐 메탄형, 비스페놀 A형, 크레졸 노볼락형, 오르토 크레졸 노볼락형, 디시클로펜타디엔형인 것이 바람직하고, 트리페닐 메탄형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. As the skeleton of the epoxy resin (a1), from the viewpoint of obtaining a film-like adhesive having a low crystallinity of the resin and a good appearance, it is preferable to use a triphenylmethane type, bisphenol A type, cresol novolak type, , A dicyclopentadiene type, and more preferably a triphenylmethane type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin and a cresol novolak type epoxy resin.

상기 에폭시 수지(a2)로서는, 필름 형상 접착제와 웨이퍼를 열압착시키는 공정(웨이퍼 라미네이트 공정)을 저온(바람직하게는 40 ~ 80℃)에서 실시한 경우에 있어서도 웨이퍼와 필름 형상 접착제와의 밀착성이 충분히 발휘되는 경향이 있다는 관점으로부터, 연화점이 50℃ 미만인 것이 바람직하고, 연화점이 40℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이러한 에폭시 수지(a2)로서는, 중량 평균 분자량이 300 ~ 500인 것이 바람직하고, 350 ~ 450인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한 미만이면 단량체가 증가하여 결정성이 강해지기 때문에, 필름 형상 접착제가 취약해지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 용융 점도가 높아지기 때문에, 웨이퍼 라미네이트 공정 시에 웨이퍼와 필름 형상 접착제와의 밀착성이 저하되는 경향이 있다. As the epoxy resin (a2), the adhesion between the wafer and the film-form adhesive is sufficiently exhibited even when the process of thermally pressing the film-shaped adhesive and the wafer (wafer lamination process) at a low temperature (preferably 40 to 80 ° C) It is preferable that the softening point is less than 50 占 폚 and the softening point is more preferably 40 占 폚 or less. The epoxy resin (a2) preferably has a weight average molecular weight of 300 to 500, more preferably 350 to 450. If the weight average molecular weight is less than the lower limit described above, the monomers increase and the crystallinity becomes strong, so that the film-like adhesive tends to become weak. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the melt viscosity becomes high, The adhesion with the shape adhesive tends to be lowered.

이러한 에폭시 수지(a2)의 골격으로서는, 수지의 결정성이 낮고, 양호한 외관을 가지는 필름 형상 접착제를 얻을 수 있다는 관점으로부터, 올리고머 타입의 액상 에폭시 수지인 비스페놀 A형, 비스페놀 A/F 혼합형, 비스페놀 F형, 프로필렌 옥사이드 변성 비스페놀 A형인 것이 바람직하고, 용융 점도가 낮고 보다 결정성이 낮다는 관점으로부터, 상기 에폭시 수지(a2)로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 A/F 혼합형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. As the skeleton of such an epoxy resin (a2), from the viewpoint of obtaining a film-like adhesive having a low crystallinity of the resin and a good appearance, it is preferable to use an oligomer type liquid epoxy resin such as bisphenol A type, bisphenol A / F mixed type, bisphenol F Type epoxy resin and a bisphenol A / F mixed-type epoxy resin are more preferable as the epoxy resin (a2) from the viewpoint that the epoxy resin is a propylene oxide-modified bisphenol A type and that the melting viscosity is low and the crystallinity is low .

상기 에폭시 수지(a1) 및 상기 에폭시 수지(a2)의 비율로서는, 질량비(a1:a2)가 95:5 ~ 30:70인 것이 바람직하고, 70:30 ~ 40:60인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지(a1)의 함유량이 상기 하한 미만이면, 필름 형상 접착제의 필름 점착성(stickiness)이 강해져서 커버 필름이나 다이싱 테이프로부터 박리하기 어려워지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 조성물의 점도가 높아져서, 얻어지는 필름 형상 접착제의 성상(性狀)이 취화되는 경향이 있다. The mass ratio (a1: a2) of the epoxy resin (a1) and the epoxy resin (a2) is preferably 95: 5 to 30:70, and more preferably 70:30 to 40:60. If the content of the epoxy resin (a1) is less than the lower limit described above, The stickiness tends to become difficult to peel off from the cover film or the dicing tape. On the other hand, if the upper limit is exceeded, the viscosity of the composition tends to be high, and the properties of the resulting film-like adhesive tends to be brittle .

본 발명에 대한 에폭시 수지 경화제(B)로서는, 아민류, 산무수물류, 다가(多價) 페놀류 등의 공지의 경화제를 이용할 수 있는데, 상기 에폭시 수지(A) 및 상기 페녹시 수지(C)가 저용융 점도가 되는 온도 범위를 초과하는 고온에서 경화성을 발휘하고, 빠른 경화성을 가지고, 또한 실온에서의 장기 보존이 가능한 보존 안정성이 높은 필름 형상 접착제용 조성물이 얻어진다는 관점으로부터, 잠재성 경화제를 이용하는 것이 바람직하다. 상기 잠재성 경화제로서는, 디시안 디아미드, 이미다졸류, 히드라지드류, 3 불화 붕소-아민 착체, 아민이미드, 폴리아민염, 및 이들의 변성물이나 마이크로 캅셀형의 것을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. As the epoxy resin curing agent (B) for the present invention, known curing agents such as amines, acid anhydrides and polyhydric phenols can be used. The epoxy resin (A) and the phenoxy resin (C) From the viewpoint that a composition for a film-form adhesive exhibiting curability at a high temperature exceeding a temperature range at which the melt viscosity becomes high, has a fast curability and can be stored for a long period at room temperature and has high storage stability, is obtained by using a latent curing agent desirable. Examples of the latent curing agent include dicyandiamide, imidazoles, hydrazides, boron trifluoride-amine complexes, amine imides, polyamine salts, and modifications thereof or microcapsules. These may be used singly or in combination of two or more.

본 발명에 대한 페녹시 수지(C)는, 중량 평균 분자량이 10000 이상의 열가소성 수지이다. 이러한 페녹시 수지(C)를 이용하는 것에 의해, 얻어지는 필름 형상 접착제에 있어서, 실온에 있어서의 태크성(tackiness)이나 취성 문제가 해소된다. The phenoxy resin (C) according to the present invention is a thermoplastic resin having a weight average molecular weight of 10,000 or more. By using such a phenoxy resin (C), the problem of tackiness or brittleness at room temperature is solved in the obtained film-form adhesive.

상기 페녹시 수지(C)로서는, 중량 평균 분자량이 30000 ~ 100000인 것이 바람직하고, 40000 ~ 70000인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한 미만이면 필름 형상 접착제의 지지성이 약해져서, 취약성이 강해지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 용융 점도가 높아지는 경향이 있다. 또한, 상기 페녹시 수지(C)로서는, 글래스 전이 온도(Tg)가 40 ~ 100℃인 것이 바람직하고, 50 ~ 90℃인 것이 보다 바람직하다. 글래스 전이 온도가 상기 하한 미만이면 필름 형상 접착제의 상온에 있어서의 필름 택크성이 강해져서, 커버 필름이나 다이싱 테이프로부터 박리하기 어려워지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 필름 형상 접착제의 용융 점도가 높아지기 때문에, 배선 기판에 압착할 때에 기판 상의 요철을 매립하는 것이 충분히 이루어지지 않아서, 배선 기판과의 밀착성이 저하되는 경향이 있다. The phenoxy resin (C) preferably has a weight average molecular weight of 30,000 to 100,000, and more preferably 40,000 to 70,000. If the weight average molecular weight is less than the lower limit described above, the supportability of the film-form adhesive tends to be weakened and the toughness tends to become strong. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the melt viscosity tends to be high. The phenoxy resin (C) preferably has a glass transition temperature (Tg) of 40 to 100 캜, more preferably 50 to 90 캜. If the glass transition temperature is lower than the lower limit described above, the film tackiness at room temperature of the film-form adhesive tends to become strong, and it tends to be difficult to peel off from the cover film or the dicing tape. On the other hand, The viscosity becomes high. Therefore, when pressing on the wiring board, the irregularities on the substrate are not sufficiently filled, and the adhesion with the wiring board tends to be lowered.

상기 페녹시 수지(C)의 골격으로서는, 비스페놀 A형, 비스페놀 A/F형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 비스페놀 A/S형, 카르도 골격(cardo-skeleton)형 등을 들 수 있는데, 상기 에폭시 수지(A)와 구조가 유사하기 때문에 상용성(相容性)이 좋고, 또한, 용융 점도가 낮고, 접착성도 좋다는 관점에서는, 비스페놀 A형인 것이 바람직하고, 적합한 온도 범위(예를 들면 60 ~ 120℃)에서 저용융 점도에 도달할 수 있는 필름 형상 접착제이 얻어진다는 관점에서는 비스페놀 A/F형인 것이 바람직하고, 고내열성을 가진다는 관점에서는 카르도 골격형인 것이 바람직하다. 이러한 페녹시 수지(C)로서는, 예를 들면, 비스페놀 A와 에피클로로히드린으로부터 얻어지는 비스페놀 A형 페녹시 수지, 비스페놀 A와 비스페놀 F와 에피클로로히드린으로부터 얻어지는 비스페놀 A/F형 페녹시 수지를 들 수 있다. 상기 페녹시 수지(C)로서는, 이 중 1종을 단독으로 이용해도 좋고 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋고, 또한, 예를 들면, YP-50S(비스페놀 A형 페녹시 수지, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤(新日化 EPOXY 製造株式會社)제), YP-70(비스페놀 A/F형 페녹시 수지, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제), FX-316(비스페놀 F형 페녹시 수지, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제), 및, FX-280S(카르도 골격형 페녹시 수지, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제) 등의 시판의 페녹시 수지를 상기 페녹시 수지(C)로서 이용해도 좋다. Examples of the skeleton of the phenoxy resin (C) include bisphenol A type, bisphenol A / F type, bisphenol F type, bisphenol S type, bisphenol A / S type and cardo-skeleton type. From the viewpoint of good compatibility with the epoxy resin (A) because of its similar structure, low melt viscosity and good adhesiveness, it is preferably a bisphenol A type and has a suitable temperature range (for example, 60 To 120 deg. C), a bisphenol A / F type is preferred, and a cardo-skeletal type is preferable from the viewpoint of having high heat resistance. Examples of such a phenoxy resin (C) include bisphenol A type phenoxy resins obtained from bisphenol A and epichlorohydrin, bisphenol A / F type phenoxy resins obtained from bisphenol A, bisphenol F and epichlorohydrin, . As the phenoxy resin (C), one kind or two or more kinds of them may be used in combination, and YP-50S (bisphenol A type phenoxy resin, Shin- YP-70 (bisphenol A / F phenoxy resin, Shin-Nika Epoxy Seizo Co., Ltd.), FX-316 (bisphenol F type phenoxy resin Commercially available phenoxy resin such as FX-280S (cardo-skeleton type phenoxy resin, Shin-Nika Epoxy Seiko Co., Ltd.) and the like are mixed with the phenoxy resin (C ).

본 발명에 대한 표면 처리 구상 실리카 필러(D)는, 평균 입경 0.01 ~ 2.0μm의 구상 실리카 필러가 실란 커플링제로 표면 처리된 것이다. The surface-treated spherical silica filler (D) of the present invention is a surface-treated spherical silica filler having an average particle diameter of 0.01 to 2.0 m with a silane coupling agent.

상기 구상 실리카 필러의 평균 입경은 0.01 ~ 2.0μm인 것이 필요하다. 평균 입경이 상기 하한 미만이면 실리카 필러의 비표면적(比表面積)이 보다 커지는 것으로, 배합하는 수지와의 상호 작용이 강해져서, 필름 형상 접착제의 용융 점도가 상승하여 피착체와의 밀착성이 저하하기 쉬워지고, 한편, 상기 상한을 초과하면 롤 나이프 코터 등의 도공기(塗工機)로 박형(薄型)의 필름 형상 접착제를 제조할 때에, 필름 표면 외관에 줄무늬가 발생하기 쉬워지거나, 필름 형상 접착제가 마련된 웨이퍼를 반도체 칩으로 절단하는 공정에 있어서 필름 형상 접착제에 의한 가공 블레이드(blade)의 마모율이 커진다. 또한, 상기 구상 실리카 필러의 평균 입경으로서는, 두께가 5μm 이하의 극박(極薄) 필름 형상 접착제를 형성한다는 관점으로부터, 1.0μm 이하인 것이 특히 바람직하다. The spherical silica filler preferably has an average particle diameter of 0.01 to 2.0 占 퐉. If the average particle diameter is less than the above lower limit, the specific surface area (specific surface area) of the silica filler becomes larger, so that the interaction with the resin to be blended becomes strong and the melt viscosity of the film- On the other hand, when the upper limit is exceeded, when a thin film-like adhesive is produced by a coating machine such as a roll knife coater, streaks tend to occur on the outer surface of the film surface, The abrasion rate of the processing blade by the film adhesive increases in the step of cutting the prepared wafer into semiconductor chips. The average particle diameter of the spherical silica filler is particularly preferably 1.0 탆 or less from the viewpoint of forming an extremely thin film-like adhesive having a thickness of 5 탆 or less.

또한, 본 발명에 있어서, 평균 입경이라는 것은, 입도 분포에 있어서 입자의 전체 체적을 100%로 했을 때에 50% 누적이 될 때의 입경을 말하고, 레이저 회절·산란법(측정 조건: 분산매(dispersion medium)-헥사메타 인산 나트륨, 레이저 파장: 780nm, 측정 장치: 마이크로 트랙 MT3300EX)에 의해 측정한 입경 분포의 입경의 체적분률의 누적 커브로부터 구할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 구상이라는 것은, 진구(眞球), 또는 실질적으로 각이 없이 둥근 대략 진구인 것을 말한다. In the present invention, the average particle diameter refers to the particle diameter when 50% of the total volume of the particles is taken as 100% in the particle size distribution. The particle diameter is measured by a laser diffraction / scattering method (measurement conditions: dispersion medium ) - sodium hexametaphosphate, laser wavelength: 780 nm, measurement apparatus: Microtrack MT3300EX). Further, in the present invention, the spherical shape means a true spherical shape, or a substantially spherical shape without a substantial angle.

이러한 구상 실리카 필러로서는, 특별히 제한되지 않지만, 얻어지는 실리카 입자의 형상이 대략 진구상이 되어서, 입경의 조정이 용이하다는 관점으로부터, VMC(Vaporized Material Combustion) 법에 의해 실리콘 분말을 연소하여 얻어진 것이 바람직하다. 상기 VMC법이라는 것은, 분진 폭발의 원리를 이용하는 것이며, 산소를 포함하는 분위기 중에서 버너에 의해 화학염(化學炎)을 형성하고, 이 화학염 중에 목적으로 하는 산화물 입자를 구성하는 금속 분말을 분진 구름이 형성될 정도의 양을 투입하여, 폭연(deflagration)을 일으켜서 산화물 입자를 얻는 방법이다. 이러한 VMC법에 의하면, 순식간에 대량의 산화물 입자(실리카 입자)가 얻어지고, 또한, 투입하는 실리콘 분말의 입경, 투입량, 화염 온도 등을 조정하는 것에 의해, 얻어지는 실리카 입자의 입경을 조정하는 것이 가능하다. Such a spherical silica filler is not particularly limited, but is preferably obtained by burning a silicon powder by VMC (Vaporized Material Combustion) method from the viewpoint that the shape of the obtained silica particles is approximately spherical, and the particle size can be easily adjusted. The VMC method is based on the principle of dust explosion. A chemical salt is formed by a burner in an atmosphere containing oxygen, and a metal powder constituting an objective oxide particle is added to a dust cloud And the oxide particles are obtained by causing deflagration. According to this VMC method, a large amount of oxide particles (silica particles) can be obtained in an instant, and the particle diameter of the silica particles to be obtained can be adjusted by adjusting the particle size, the amount of charge and the flame temperature of the silicon powder to be charged Do.

상기 실란 커플링제로서는, 특별히 제한되지 않고, 실란 모노머계, 비닐 실란계, 메타크릴 실란계, 에폭시 실란계, 머캅토실란계, 설포실란계, 아미노 실란계, 우레이드 실란계, 이소시아네이트 실란계 등의 커플링제를 사용할 수 있는데, 경화 후의 필름 형상 접착제의 흡수율을 보다 저하시켜서, 패키지 크랙의 발생을 보다 억제할 수 있다는 관점으로부터, 물과의 친화성이 강한 관능기를 가지지 않는 실란 커플링제가 바람직하고, 하기 일반식 (1):Examples of the silane coupling agent include, but not limited to, silane monomer, vinylsilane, methacryl silane, epoxy silane, mercaptosilane, sulfosilane, aminosilane, ureide silane, isocyanate silane, A silane coupling agent having no functional group having a high affinity for water is preferable from the viewpoint of further lowering the absorption rate of the film-shaped adhesive after curing and further suppressing occurrence of package cracking, (1): < EMI ID =

R3 -n-Si(CH3)n-CH=CH2 … (1)R 3 -n -Si (CH 3 ) n -CH = CH 2 - (One)

[식(1) 중, R은 메톡시기, 에톡시기, 2-메톡시에톡시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 가수 분해성 관능기를 나타내고, n은 0 또는 1의 정수를 나타낸다.]Wherein R represents any one of hydrolysable functional groups selected from the group consisting of a methoxy group, an ethoxy group and a 2-methoxyethoxy group, and n represents an integer of 0 or 1.

로 표현되는 비닐계 실란 커플링제인 것이 보다 바람직하다. Based silane coupling agent is more preferable.

상기 구상 실리카 필러를 상기 실란 커플링제로 표면 처리하는 방법으로서는, 상기 구상 실리카 필러의 분체(粉體)를 교반하면서 여기에 기화시킨 상기 실란 커플링제를 반응시키는 처리 방법(처리 방법 I), 및, 유기 용매 중에 용해시킨 상기 구상 실리카 필러에 상기 실란 커플링제를 첨가하여 반응시키는 처리 방법(처리 방법 II)을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 유기 용매 중에 분산된 상태에서 본 발명에 대한 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 얻을 수 있고, 그대로 본 발명의 제조방법으로 이용할 수 있다는 관점으로부터, 상기 처리 방법 II를 채용하는 것이 바람직하다. Examples of the method of surface-treating the spherical silica filler with the silane coupling agent include a treatment method (treatment method I) in which the silane coupling agent vaporized therein is reacted while stirring the powder of the spherical silica filler, And a treatment method (treatment method II) in which the silane coupling agent is added to the spherical silica filler dissolved in an organic solvent and reacted. In the present invention, from the viewpoint that the surface-treated spherical silica filler (D) according to the present invention can be obtained in the state of being dispersed in an organic solvent and can be directly used as the production method of the present invention, desirable.

상기 처리 방법 II로서는, 상기 실란 커플링제를 유기 용매 중에 용해시켜서 실란 커플링제 용액을 얻는 공정과, 상기 실란 커플링제 용액 중에 상기 구상 실리카 필러를 분산시켜서 상기 구상 실리카 필러를 상기 실란 커플링제로 표면 처리하고, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 상기 유기 용매 중에 분산된 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. The treatment method II includes the steps of dissolving the silane coupling agent in an organic solvent to obtain a silane coupling agent solution, dispersing the spherical silica filler in the silane coupling agent solution, and subjecting the spherical silica filler to surface treatment with the silane coupling agent , And a step of obtaining a surface-treated spherical silica filler dispersion in which the surface-treated spherical silica filler (D) is dispersed in the organic solvent.

상기 유기 용매로서는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화 수소; 메틸이소부틸케톤(MIBK), 메틸에틸케톤(MEK) 등의 케톤류; 모노글림, 디글림 등의 에테르 종류; 및 이들의 혼합물을 들 수 있고, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물에 이용하는 수지에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 또한, 상기 실란 커플링제 용액 중의 실란 커플링제의 농도로서도, 특별히 제한되지 않지만, 20 ~ 90 질량%인 것이 바람직하다. The organic solvent is not particularly limited and includes, for example, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Ketones such as methyl isobutyl ketone (MIBK) and methyl ethyl ketone (MEK); Ether types such as monoglyme and diglyme; And mixtures thereof, and can be appropriately selected depending on the resin used in the composition for a film-form adhesive of the present invention. The concentration of the silane coupling agent in the silane coupling agent solution is not particularly limited, but is preferably 20 to 90% by mass.

상기 실란 커플링제 및 상기 구상 실리카 필러의 배합량으로서는, 통상, 이용하는 구상 실리카 필러의 비표면적과 실란 커플링제의 최소 피복 면적으로부터, 하기 식:The blending amount of the silane coupling agent and the spherical silica filler is generally from the specific surface area of the spherical silica filler to be used and the minimum coated area of the silane coupling agent to the following formula:

실란 커플링제 배합량[g] = (구상 실리카 필러 배합량[g]×구상 실리카 필러 비표면적[m2/g])/(실란 커플링제의 최소 피복 면적[m2/g])(Amount of spherical silica filler [g] x spherical silica filler specific surface area [m 2 / g]) / (minimum coverage area [m 2 / g] of silane coupling agent)

에 의해 산출할 수 있지만, 본 발명에 있어서는, 상기 구상 실리카 필러 표면의 실라놀기를 충분히 처리할 수 있다는 관점으로부터, 상기 실란 커플링제의 배합량을 과잉량으로 하는 것이 바람직하고, 상기 실란 커플링제의 배합량이 상기 구상 실리카 필러의 배합량 100 질량부에 대해서 1 ~ 5 질량부인 것이 보다 바람직하고, 1 ~ 3 질량부인 것이 더 바람직하다. 상기 실란 커플링제의 배합량이 상기 하한 미만이면 구상 실리카 필러 표면의 실라놀기가 충분히 처리되지 않는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 잉여의 실란 커플링제가 반도체 패키지의 제조 과정이나 그 실장 과정 등에 있어서의 가열에 의해 휘발하여, 반도체 칩이나 와이어 패드 등의 다른 부재를 오염시킬 우려가 생긴다. In the present invention, from the viewpoint that the silanol group on the surface of the spherical silica filler can be sufficiently treated, the blending amount of the silane coupling agent is preferably set to an excessive amount, and the blending amount of the silane coupling agent More preferably 1 to 5 parts by mass, further preferably 1 to 3 parts by mass based on 100 parts by mass of the amount of the spherical silica filler. When the amount of the silane coupling agent is less than the lower limit, the silanol groups on the surface of the spherical silica filler tend not to be sufficiently treated. On the other hand, if the amount exceeds the upper limit, the surplus silane coupling agent There is a possibility that other members such as semiconductor chips and wire pads are contaminated.

상기 실란 커플링제 용액 중에 상기 구상 실리카 필러를 분산시키는 방법으로서는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 기계식 교반기, 자기 고반기, 균질화기(homogenizer) 등을 이용하여 25 ~ 70℃의 온도에 있어서 1 ~ 100시간 정도 교반하는 방법을 들 수 있고, 이러한 방법에 의해, 본 발명에 대한 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 상기 유기 용매 중에 분산된 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻을 수 있다. The method of dispersing the spherical silica filler in the silane coupling agent solution is not particularly limited and may be carried out by using a mechanical stirrer, a magnetic stirrer, a homogenizer or the like at a temperature of 25 to 70 ° C for 1 And stirring for about 100 hours. By this method, a surface-treated spherical silica filler dispersion in which the surface-treated spherical silica filler (D) according to the present invention is dispersed in the organic solvent can be obtained.

본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법은, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 유기 용매 중에 분산시켜서 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정과, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B) 및 상기 페녹시 수지(C)를 혼합하여 필름 형상 접착제용 조성물을 얻는 공정을 포함한다. The method for producing a film-shaped adhesive composition of the present invention comprises the steps of: dispersing the surface-treated spherical silica filler (D) in an organic solvent to obtain a surface-treated spherical silica filler dispersion; And a step of mixing the resin (A), the epoxy resin curing agent (B) and the phenoxy resin (C) to obtain a composition for a film adhesive.

본 발명에 대한 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정에 있어서는, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 유기 용매 중에 분산시킨다. 이러한 분산 방법으로서는, 특별히 제한되지 않고, 미리 표면 처리가 실시된 구상 실리카 필러를 유기 용매 중에서 교반하는 것에 의해 분산시켜도, 유기 용매 중에서 구상 실리카 필러를 분산시키면서 표면 처리를 실시해도 좋지만, 공정수가 적다는 관점으로부터, 상기 구상 실리카 필러를 상기 실란 커플링제로 표면 처리하는 방법으로서, 상기 처리 방법 II를 채용하고, 얻어진 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 그대로 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 유기 용매로서는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 상기 처리 방법 II에 있어서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다. In the step of obtaining the surface-treated spherical silica filler dispersion according to the present invention, the surface-treated spherical silica filler (D) is dispersed in an organic solvent. The dispersion method is not particularly limited and the surface treatment may be carried out while dispersing the spherical silica filler in the organic solvent by dispersing the spherical silica filler subjected to the surface treatment in advance in the organic solvent by stirring, From the point of view, it is preferable that the above-mentioned treatment method II is employed as a method of surface-treating the spherical silica filler with the silane coupling agent, and the obtained surface-treated spherical silica filler dispersion is used as it is. The organic solvent is not particularly limited and, for example, the same solvents as those exemplified in the above-mentioned Process II can be mentioned.

상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에 있어서의 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 농도로서는, 특별히 제한되지 않지만, 유기 용매의 비율이 많아지면 필름 형상 접착제용 조성물의 점도가 저하하고, 필름 형상 접착제를 형성할 때에 '튕김'이나 '귤껍질 표면'이라고 하는 외관 불량이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다는 관점으로부터, 40 ~ 80 질량%인 것이 바람직하다. The concentration of the surface-treated spherical silica filler (D) in the surface-treated spherical silica filler dispersion is not particularly limited, but if the proportion of the organic solvent increases, the viscosity of the composition for a film- From 40 to 80 mass% from the viewpoint that there is a tendency that defective appearance such as "bounce" or "tangerine shell surface" tends to occur at the time of formation.

본 발명에 대한 필름 형상 접착제용 조성물을 얻는 공정에 있어서는, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B) 및 상기 페녹시 수지(C)를 혼합한다. 이러한 혼합 방법으로서는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 가온(加溫) 가능한 유성(planetary) 믹서, 기계식 교반기 등의 기계를 이용하여, 교반 날의 회전 속도 10 ~ 300 rpm의 조건에서 0.5 ~ 5.0시간 정도 교반하는 방법을 들 수 있다. In the step of obtaining the composition for a film adhesive according to the present invention, the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B) and the phenoxy resin (C) are mixed with the surface-treated spherical silica filler dispersion. Such a mixing method is not particularly limited and may be carried out by using a machine such as a planetary mixer or a mechanical stirrer capable of heating, for example, at a rotation speed of 10 to 300 rpm at a stirring speed of 0.5 to 5.0 Followed by stirring for about an hour.

상기 에폭시 수지(A)의 배합량으로서는, 얻어지는 필름 형상 접착제용 조성물에 있어서의 함유량이 10 ~ 60 질량%가 되는 양인 것이 바람직하고, 20 ~ 50 질량%가 되는 양인 것이 보다 바람직하다. 함유량이 상기 하한 미만이면 얻어지는 필름 형상 접착제의 접착력이 저하하는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 얻어지는 필름 형상 접착제의 주성분이 올리고머가 되기 때문에, 약간의 온도 변화에서도 필름 상태(필름 택크성 등)가 변화하기 쉬워지는 경향이 있다. The blending amount of the epoxy resin (A) is preferably such that the content in the resulting film-like adhesive composition is 10 to 60 mass%, more preferably 20 to 50 mass%. On the other hand, if the content exceeds the upper limit, the main component of the obtained film-like adhesive becomes an oligomer, so that even in a slight temperature change, the film state ) Tend to change easily.

상기 에폭시 수지 경화제(B)의 배합량으로서는, 통상, 상기 에폭시 수지(A) 100 질량부에 대해서 0.5 ~ 50 질량부이며, 1 ~ 10 질량부인 것이 바람직하다. 배합량이 상기 하한 미만이면 경화 시간이 길어지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 과잉의 경화제가 필름 형상 접착제 중에 남아서, 남은 경화제가 수분을 흡착하기 때문에, 필름 형상 접착제를 반도체 패키지에 조립한 후의 신뢰성 시험에 있어서 불량이 일어나기 쉬워지는 경향이 있다. The blending amount of the epoxy resin curing agent (B) is usually 0.5 to 50 parts by mass, preferably 1 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the epoxy resin (A). If the compounding amount is less than the above lower limit, the curing time tends to be long. On the other hand, if the amount exceeds the upper limit, excess curing agent remains in the film adhesive and the remaining curing agent adsorbs moisture. There is a tendency that defects tend to occur in later reliability tests.

상기 페녹시 수지(C)의 배합량으로서는, 얻어지는 필름 형상 접착제용 조성물에 있어서의 함유량이 1 ~ 30 질량%가 되는 양인 것이 바람직하고, 3 ~ 20 질량%가 되는 양인 것이 보다 바람직하다. 함유량이 상기 하한 미만이면 얻어지는 필름 형상 접착제의 필름 택크성이 강해져서, 커버 필름이나 다이싱 테이프로부터 박리하기 어려워지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 얻어지는 필름 형상 접착제의 용융 점도가 높아지기 때문에, 배선 기판에 압착할 때에 기판 상의 요철을 매립하는 것이 충분히 이루어지지 않아서, 배선 기판과의 밀착성이 저하되는 경향이 있다. The blending amount of the phenoxy resin (C) is preferably such that the content of the phenoxy resin (C) in the resulting film adhesive composition is from 1 to 30 mass%, more preferably from 3 to 20 mass%. If the content is lower than the lower limit described above, the film tack property of the resulting film-like adhesive tends to become strong, making it difficult to peel off from the cover film or the dicing tape. On the other hand, when the content exceeds the upper limit, the melt viscosity of the obtained film- , It is not sufficient to embed unevenness on the substrate when the wiring substrate is pressed against the wiring substrate, and the adhesion with the wiring substrate tends to be lowered.

상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 배합량으로서는, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 페녹시 수지(C) 및 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 합계량에 대한 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 함유량이 30 ~ 70 질량%가 되는 양인 것이 필요하다. 함유량이 상기 하한 미만이면 얻어지는 필름 형상 접착제의 흡수율이 상승하여 패키지 크랙이 발생하기 쉬워지고, 또한, 고온에 있어서의 경화 후의 탄성률이 저하하여 본딩 와이어의 접속 불량이 발생하기 쉬워져서 접합 강도가 저하한다. 한편, 상기 상한을 초과하면 수지 성분이 적어지기 때문에 피착체와의 접착력이 저하한다. 또한, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 함유량으로서는, 얻어지는 필름 형상 접착제의 흡수율을 저하시키고 또한 고온에 있어서의 경화 후의 탄성률을 높이는 한편, 배합하는 에폭시 수지에 의한 접착력 등의 특성을 향상시키는 관점으로부터, 35 ~ 50 질량%인 것이 특히 바람직하다. The amount of the surface-treated spherical silica filler (D) to be added is not particularly limited as long as the total amount of the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C) It is necessary that the amount of the surface treated spherical silica filler (D) is 30 to 70% by mass. If the content is less than the lower limit described above, the water absorption of the obtained film-like adhesive tends to increase to cause cracking of the package, and the elastic modulus after curing at a high temperature lowers, . On the other hand, if the upper limit is exceeded, the resin component becomes smaller and the adhesive force with the adherend decreases. As the content of the surface-treated spherical silica filler (D), it is preferable that the content of the obtained film-like adhesive be lowered, the elastic modulus after curing at a high temperature is increased, and the properties such as adhesion force by the epoxy resin , Particularly preferably 35 to 50 mass%.

이와 같이 하여, 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 균일 분산된 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물을 얻을 수 있다. 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물은, In this way, the composition for film adhesive of the present invention in which the surface-treated spherical silica filler (D) is uniformly dispersed can be obtained. The composition for a film-form adhesive of the present invention,

에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 페녹시 수지(C), 및, 평균 입경 0.01 ~ 2.0μm의 구상 실리카 필러가 실란 커플링제로 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 함유하며, 또한, (D) an epoxy resin (A), an epoxy resin curing agent (B), a phenoxy resin (C) and a spherical silica filler having an average particle diameter of 0.01 to 2.0 탆 surface treated with a silane coupling agent In addition,

상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 함유량이 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 페녹시 수지(C) 및 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 합계량에 대해서 30 ~ 70 질량%이며, The amount of the surface treated spherical silica filler (D) is in the range of 30 to 50 parts based on the total amount of the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C) 70% by mass,

열경화 후의 200℃에서의 탄성률이 20 ~ 3000 MPa이며, The modulus of elasticity at 200 DEG C after heat curing is 20 to 3000 MPa,

열경화 후의 포화 흡수율이 1.5 질량% 이하이다. The saturated water absorption after heat curing is 1.5% by mass or less.

또한, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물에 있어서는, 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 균일 분산되어 있기 때문에, 표면 외관이 양호한 필름 형상 접착제를 얻는 것이 가능하다. 이러한 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물에 있어서는, JISK5600-2-5(1999)에 규정되는 게이지(gauge)와 스크레이퍼(scraper)로부터 이루어지는 입도계(grind meter)를 이용하여, 상기 필름 형상 접착제용 조성물을 시료로서 상기 게이지의 홈에 두고, 상기 스크레이퍼를 당겨서 움직였을 때에 실질적으로 선이 관찰되지 않는 것이 바람직하고, 보다 구체적으로는, 10 ~ 100μm의 게이지를 이용했을 때에 실질적으로 선이 관찰되지 않는 것이 보다 바람직하고, 2.5 ~ 25μm의 게이지를 이용했을 때에 실질적으로 선이 관찰되지 않는 것이 특히 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서, 실질적으로 선이 관찰되지 않는다는 것은, 선이 전혀 관찰되지 않거나, 또는, 시료면에 나타난 선의 개시점의 게이지 깊이가 게이지 최소치 미만인 것을 말한다. Further, in the composition for a film adhesive of the present invention, since the surface-treated spherical silica filler (D) is uniformly dispersed, it is possible to obtain a film-form adhesive excellent in surface appearance. In the composition for a film adhesive of the present invention, a composition for a film-like adhesive is prepared by using a grind meter composed of a gauge and a scraper specified in JIS K5600-2-5 (1999) It is preferable that substantially no line is observed when the scraper is pulled and moved, and more specifically, it is preferable that no line is observed substantially when a gauge of 10 to 100 mu m is used It is particularly preferable that substantially no line is observed when a gauge of 2.5 to 25 mu m is used. In the present invention, substantially no line is observed means that no line is observed or the gage depth at the starting point of the line on the sample surface is less than the minimum value of the gauge.

또한, 상기 본 발명의 제조방법에 있어서는, 상기 유기 용매를 제거하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 유기 용매를 제거하는 방법으로서는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 상기 필름 형상 접착제용 조성물을 더 가열하면서 교반하는 방법을 들 수 있다. 가열 조건으로서는, 필름 형상 접착제용 조성물의 경화 개시 온도 미만이며, 또한 필름 형상 접착제용 조성물 중에 있어서의 불(不)휘발분 농도가 소망의 농도가 되는 정도이면 좋고, 필름 형상 접착제의 제조방법이나, 이용하는 유기 용매 및 수지의 종류에 따라서도 다른 것이며, 일괄적으로 말할 수 있는 것은 아니지만, 예를 들면, 50 ~ 150℃에 있어서 0.1 ~ 10.0시간 정도인 것이 바람직하다. 또한, 이와 같이 하여 얻어지는 필름 형상 접착제용 조성물로서는, 불휘발분 농도가 40 ~ 90 질량% 정도인 것이 바람직하다. Further, in the manufacturing method of the present invention, it is preferable that the manufacturing method further includes a step of removing the organic solvent. The method of removing the organic solvent is not particularly limited and, for example, a method of stirring the composition for film-like adhesive while further heating can be mentioned. The heating conditions are not particularly limited as long as the temperature is lower than the curing initiation temperature of the composition for a film adhesive and the concentration of the nonvolatile matter in the composition for a film adhesive reaches a desired concentration. And the kind of the organic solvent and the resin. It is not to be collectively stated, but it is preferably about 0.1 to 10.0 hours at 50 to 150 ° C, for example. The film-like adhesive composition thus obtained preferably has a nonvolatile content of about 40 to 90% by mass.

본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물로서는, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 페녹시 수지(C), 및 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D) 외에, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 상기 유기 용매; 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D) 이외의 충전제, 점도 조정제, 산화 방지제, 난연제, 착색제, 부타디엔계 고무나 실리콘 고무 등의 응력 완화제 등의 첨가제를 더 함유하고 있어도 좋다. As the composition for a film adhesive of the present invention, it is preferable that the effect of the present invention is used in addition to the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C), and the surface treated spherical silica filler (D) In the range not inhibiting the reaction, the organic solvent; Additives such as fillers other than the surface-treated spherical silica fillers (D), viscosity modifiers, antioxidants, flame retardants, colorants, and stress relieving agents such as butadiene-based rubbers and silicone rubbers may be further contained.

상기 첨가제 중에서도, 얻어지는 필름 형상 접착제의 용융 점도가 너무 낮아 지면 웨이퍼를 배선 기판에 열압착시키는 경우에 수지 흐름이나 수지 올라옴 등에 의해서 다른 부재 등을 오염시키기 쉬워지는 경향이 있다는 관점으로부터, 점도 조정제를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 점도 조정제로서는, 폴리 카르복실산의 아마이드계, 변성 우레아계, 우레아 변성 우레탄계, 우레아 변성 폴리아마이드계, 우레아 변성 폴리아마이드계의 계면 활성제; 소수성 발연 실리카(hydrophobic fumed silica) 등을 들 수 있다. 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물에 이러한 첨가제를 함유시키는 경우, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B) 및 상기 페녹시 수지(C)와 동일한 타이밍에 첨가하는 것이 바람직하고, 그 배합량으로서는, 얻어지는 필름 형상 접착제용 조성물에 있어서의 첨가제의 함유량이 3 질량% 이하가 되는 양인 것이 바람직하다. Among the above additives, from the viewpoint that when the melt viscosity of the resulting film-like adhesive is too low, it tends to contaminate other members or the like by resin flow or resin overflow when the wafer is thermocompression bonded to the wiring board, . Examples of the viscosity adjuster include amide-based, modified urea-based, urea-modified urethane-based, urea-modified polyamide-based and urea-modified polyamide-based surfactants of polycarboxylic acid; Hydrophobic fumed silica, and the like. When such an additive is contained in the composition for film adhesive of the present invention, it is preferably added at the same timing as that of the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B) and the phenoxy resin (C) Is preferably such an amount that the content of the additive in the resulting film-like adhesive composition is 3% by mass or less.

다음에, 본 발명의 필름 형상 접착제에 대하여 설명한다. 본 발명의 필름 형상 접착제는, 상기 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물을 필름 형상으로 성형하여 이루어지는 필름 형상 접착제이며, 레오미터(rheometer)에서 20℃에서 10℃/분의 승온 속도로 가열하였을 때에 관측되는 80℃에 있어서의 용융 점도가 10000 Pa·s 이하인 것을 특징으로 하는 것이다. 또한, 본 발명의 필름 형상 접착제에 있어서는, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 균일 분산되어 있다. Next, the film adhesive of the present invention will be described. The film-shaped adhesive of the present invention is a film-shaped adhesive obtained by molding the composition for a film-form adhesive of the present invention into a film. When heated at 20 ° C at a rate of 10 ° C / minute in a rheometer, And a melt viscosity at 80 DEG C of not more than 10,000 Pa.s. Further, in the film adhesive of the present invention, the surface treated spherical silica filler (D) is uniformly dispersed.

본 발명의 필름 형상 접착제의 제조방법의 적합한 일실시 형태로서는, 상기 필름 형상 접착제용 조성물을 이형(離型) 처리된 기재 필름의 한 쪽의 면 위에 도공(塗工)하고, 가열 건조를 실시하는 방법을 들 수 있지만, 이 방법으로 특별히 제한되는 것은 아니다. As a preferred embodiment of the process for producing a film-form adhesive of the present invention, the above film-form adhesive composition is coated on one surface of a base film subjected to release treatment and heated and dried But there is no particular limitation in this method.

상기 이형 처리한 기재 필름으로서는, 얻어지는 필름 형상 접착제의 커버 필름으로서 기능하는 것이면 좋고, 공지의 것을 적절하게 채용할 수 있고, 예를 들면, 이형 처리된 폴리프로필렌(PP), 이형 처리된 폴리에틸렌(PE), 이형 처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 들 수 있다. 상기 도공 방법으로서는, 공지의 방법을 적절하게 채용할 수 있고, 예를 들면, 롤 나이프 코터, 그라비아 코터, 다이 코터, 리버스 코터 등을 이용한 방법을 들 수 있다. The base film subjected to the release treatment may be any film as long as it can function as a cover film of the obtained film-like adhesive. Known ones can be appropriately employed. For example, polypropylene (PP) subjected to release treatment, polyethylene ), And polyethylene terephthalate (PET) subjected to release treatment. As the coating method, a well-known method can be suitably employed, and examples thereof include a method using a roll knife coater, a gravure coater, a die coater, a reverse coater, and the like.

상기 가열 건조는, 상기 필름 형상 접착제용 조성물의 경화 개시 온도 미만의 온도로 행한다. 이러한 온도로서는, 사용하는 수지의 종류에 의해 다른 것이며, 일괄적으로 말할 수 있는 것은 아니지만, 예를 들면, 40 ~ 100℃인 것이 바람직하고, 60 ~ 100℃인 것이 보다 바람직하다. 온도가 상기 하한 미만이면 필름 형상 접착제에 잔존하는 용매량이 많아져서, 필름 택크성이 강해지는 경향이 있고, 한편, 경화 개시 온도 이상이 되면 상기 필름 형상 접착제용 조성물이 경화해 버려서, 필름 형상 접착제의 접착성이 저하하는 경향이 있다. 또한, 상기 가열 건조의 시간으로서는, 예를 들면, 10 ~ 60분간인 것이 바람직하다. 또한, 필름 형상 접착제로 했을 때의 불휘발분 농도는 95.0 ~ 99.8 질량% 정도인 것이 바람직하다. The heat drying is performed at a temperature lower than the curing start temperature of the composition for a film adhesive. This temperature differs depending on the kind of the resin to be used and is not to be collectively stated. For example, it is preferably from 40 to 100 캜, more preferably from 60 to 100 캜. If the temperature is lower than the lower limit described above, the amount of the solvent remaining in the film-form adhesive tends to increase and the film tack property tends to become strong. On the other hand, when the temperature exceeds the curing start temperature, The adhesiveness tends to deteriorate. The heating and drying time is preferably 10 to 60 minutes, for example. It is also preferable that the concentration of the non-volatile component in the film-form adhesive is 95.0 to 99.8 mass%.

이와 같이 얻어진 본 발명의 필름 형상 접착제로서는, 두께가 1 ~ 50μm인 것이 바람직하고, 배선 기판 표면의 요철을 보다 충분히 매립할 수 있다는 관점으로부터, 5 ~ 40μm인 것이 보다 바람직하고, 10 ~ 30μm인 것이 더 바람직하다. 두께가 상기 하한 미만이면 배선 기판 표면의 요철을 충분히 매립시키지 못하여, 충분한 밀착성을 담보할 수 없게 되는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 제조시에 있어서 유기 용매를 제거하는 것이 곤란해지기 때문에, 잔존 용매량이 많아져서, 필름 택크성이 강해지는 경향이 있다. 또한, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물에 있어서 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 균일 분산되어 있기 때문에, 본 발명의 필름 형상 접착제로서는, 두께를 1 ~ 10μm 정도로 해도 표면 외관을 양호하게 하는 것이 가능하다. The film-like adhesive of the present invention thus obtained preferably has a thickness of 1 to 50 m, more preferably 5 to 40 m, and more preferably 10 to 30 m, from the viewpoint that the unevenness of the surface of the wiring board can be sufficiently filled More preferable. If the thickness is less than the above lower limit, the irregularities on the surface of the wiring board can not be sufficiently filled up, and sufficient adhesion can not be ensured. On the other hand, if the thickness exceeds the upper limit, it becomes difficult to remove the organic solvent , The amount of the residual solvent is increased, and the film tack property tends to become strong. Furthermore, since the surface-treated spherical silica filler (D) is uniformly dispersed in the composition for a film adhesive of the present invention, the film-shaped adhesive of the present invention is required to have a good surface appearance even if the thickness is about 1 to 10 탆 It is possible.

이러한 본 발명의 필름 형상 접착제는 용융 점도가 충분히 낮고, 피착체와의 밀착성이 우수하다. 상기 용융 점도로서는, 구체적으로는, 레오미터에서 20℃에서 10℃/분의 승온 속도로 가열하였을 때에 관측되는 80℃에 있어서의 용융 점도가 10000 Pa·s 이하이다. 상기 용융 점도로서는, 10 ~ 10000 Pa·s인 것이 보다 바람직하다. 용융 점도가 상기 하한 미만이면, 웨이퍼 이면과 접착시킬 때에 수지 흐름이나 수지 올라옴 등에 의해서 다른 부재를 오염시키는 경향이 있고, 한편, 용융 점도가 상기 상한을 초과하면, 필름 형상 접착제를 웨이퍼 이면이나 요철이 있는 배선 기판의 표면에 접착시킬 때에 피착체와의 계면에 공기가 들어가기 쉬워지는 경향이 있다. Such a film-form adhesive of the present invention has a sufficiently low melt viscosity and excellent adhesion with an adherend. Specifically, the melt viscosity is 8000 Pa · s or less when heated at 20 ° C at a temperature raising rate of 10 ° C / minute in a rheometer at 80 ° C. The melt viscosity is more preferably 10 to 10000 Pa · s. If the melt viscosity is less than the above lower limit, there is a tendency to contaminate other members by resin flow or resin overflow when adhering to the back surface of the wafer. On the other hand, if the melt viscosity exceeds the upper limit, Air tends to enter the interface with the adherend when it is adhered to the surface of the wiring board.

본 발명의 필름 형상 접착제는, 이러한 용융 점도 특성을 가지기 때문에, 적합한 온도 범위(예를 들면 60 ~ 120℃)에서 피착체에 압착하는 것이 가능하고, 피착체에 대해서 우수한 밀착성을 발휘한다. 또한, 본 발명에 있어서, 용융 점도라는 것은, 용융 수지의 소정의 온도에 있어서의 점성 저항을 측정하는 것에 의해 얻어지는 값이며, 80℃에 있어서의 용융 점도라는 것은, 레오미터(상품명: RS150, HAAKE사제)를 이용하여, 온도 범위 20 ~ 100℃, 승온 속도 10℃/min에서의 점성 저항의 변화를 측정하고, 얻어진 온도-점성 저항 곡선에 있어서 온도가 80℃일 때의 점성 저항을 말한다. Since the film-form adhesive of the present invention has such a melt viscosity characteristic, it can be pressed onto an adherend in a suitable temperature range (for example, 60 to 120 ° C), and exhibits excellent adhesion to the adherend. In the present invention, the melt viscosity is a value obtained by measuring the viscosity resistance of the molten resin at a predetermined temperature, and the melt viscosity at 80 캜 is a rheometer (trade name: RS150, HAAKE Refers to a viscous resistance when the change in viscosity resistance is measured at a temperature range of 20 to 100 DEG C and a temperature rise rate of 10 DEG C /

또한, 본 발명의 필름 형상 접착제에 있어서는, 열경화 후의 200℃에서의 탄성률이 20 ~ 3000 MPa이다. 상기 탄성률로서는, 50 ~ 1000 MPa인 것이 보다 바람직하다. 탄성률이 상기 하한 미만이면, 배선 기판과 반도체 칩과의 사이의 접착이 불안정해지고, 반도체 칩을 소형화하는 경우에는 특히, 본딩 와이어의 접합 강도가 부족해지기 쉬워지는 경향이 있다. 한편, 상기 상한을 초과하면, 고온 조건하에 있어서의 응력 완화 능력이 저하하고, 신뢰성 시험시에 박리 불량이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 200℃에서의 탄성률이라는 것은, 동적 점탄성 측정 장치(상품명: Rheogel-E4000F, 카부시키가이샤유비엠(株式會社 UBM)제)를 이용하여, 측정 온도 범위 30 ~ 300℃, 승온 속도 5℃/min, 및 주파수 1 Hz의 조건하에서 측정했을 때의 200℃에 있어서의 값을 말한다. In the film adhesive of the present invention, the modulus of elasticity at 200 ° C after heat curing is 20 to 3000 MPa. The elastic modulus is more preferably 50 to 1000 MPa. When the modulus of elasticity is less than the above lower limit, the adhesion between the wiring board and the semiconductor chip becomes unstable, and in particular, when the semiconductor chip is downsized, the bonding strength of the bonding wire tends to become insufficient. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the stress relaxation ability under high temperature conditions is lowered, and the peeling failure tends to easily occur in the reliability test. In the present invention, the elastic modulus at 200 占 폚 is measured by using a dynamic viscoelasticity measuring device (trade name: Rheogel-E4000F, manufactured by Kabushiki Kaisha UBM) at a measurement temperature range of 30 to 300 占 폚, Temperature at a heating rate of 5 캜 / min, and a frequency of 1 Hz.

또한, 본 발명의 필름 형상 접착제에 있어서는, 열경화 후의 포화 흡수율이 1.5 질량% 이하이다. 상기 포화 흡수율로서는, 1.3 질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 포화 흡수율이 상기 상한치를 넘으면, 반도체 패키지를 리플로우 방식에 의해 납땜할 때에, 다이 어테치 필름 내부의 수분의 폭발적인 기화에 의해 패키지 크랙이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 포화 흡수율은, 항온 항습기(상품명: PR-1J, 에스펙크카부시키가이샤(ESPEC 株式會社)제)를 이용하여, 열경화 후의 필름 형상 접착제를 온도 85℃, 상대 습도 85%RH에 있어서 100시간 흡습시킨 전후의 질량을 측정하여 산출할 수 있다. In the film adhesive of the present invention, the saturated water absorption after heat curing is 1.5% by mass or less. The saturation absorption rate is more preferably 1.3 mass% or less. When the saturated water absorption rate exceeds the upper limit value, package cracking tends to occur due to explosive vaporization of moisture in the die attach film when the semiconductor package is soldered by the reflow method. In the present invention, the saturated water absorption rate is measured by using a thermosetting film-like adhesive at a temperature of 85 占 폚 and a relative humidity of 85 占 폚, using a thermo-hygrostat (product name: PR-1J, manufactured by ESPEC KK) % RH, the mass before and after the moisture absorption for 100 hours can be measured and calculated.

상기 열경화는, 상기 필름 형상 접착제용 조성물의 경화 개시 온도 이상의 온도로 가열하는 것에 의해 행한다. 이러한 온도로서는, 사용하는 수지의 종류에 의해 다른 것이며, 일괄적으로 말할 수 있는 것은 아니지만, 예를 들면, 120 ~ 180℃인 것이 바람직하고, 120 ~ 140℃인 것이 보다 바람직하다. 온도가 경화 개시 온도 미만이면 열경화가 충분히 진행되지 않아서, 열경화 후의 필름 형상 접착제의 강도가 저하하는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 경화 중에 필름 형상 접착제 중의 에폭시 수지나 경화제, 첨가제 등이 휘발하여 필름 형상 접착제가 발포하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 이러한 가열 시간으로서는, 예를 들면, 10 ~ 180분간인 것이 바람직하다. 또한, 상기 열경화에 있어서는, 0.1 ~ 10 MPa 정도의 압력을 가하는 것이 보다 바람직하다. The thermal curing is carried out by heating to a temperature equal to or higher than the curing initiation temperature of the composition for film adhesive. The temperature varies depending on the type of the resin to be used and is not to be collectively stated. For example, the temperature is preferably 120 to 180 占 폚, and more preferably 120 to 140 占 폚. When the temperature is lower than the curing initiation temperature, the thermosetting does not proceed sufficiently and the strength of the film-form adhesive after heat curing tends to decrease. On the other hand, if the upper limit is exceeded, the epoxy resin, the curing agent, The film-shaped adhesive tends to be easily foamed. The heating time is preferably 10 to 180 minutes, for example. Further, in the above-mentioned thermosetting, it is more preferable to apply a pressure of about 0.1 to 10 MPa.

다음에, 도면을 참조하면서 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법의 적합한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명 및 도면 중, 동일 또는 상당한 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복하는 설명은 생략한다. 도 1 ~ 도 5는, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법의 각 공정의 적합한 일실시 형태를 나타내는 개략 종단면도이다. Next, a preferred embodiment of a method of manufacturing a semiconductor package of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description and drawings, the same or equivalent elements are denoted by the same reference numerals, and duplicate descriptions are omitted. Figs. 1 to 5 are schematic longitudinal sectional views showing one preferred embodiment of each step of the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.

본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 있어서는, 먼저, 제1의 공정으로서, 도 1에 나타낸 바와 같이, 표면에 적어도 1개의 반도체 회로가 형성된 웨이퍼(1)의 이면에, 상기 본 발명의 필름 형상 접착제를 열압착하여 접착제층(2)을 마련한다. In the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, first, as shown in Fig. 1, as a first step, on the back surface of a wafer 1 having at least one semiconductor circuit on its surface, To form an adhesive layer (2).

웨이퍼(1)로서는, 표면에 적어도 1개의 반도체 회로가 형성된 웨이퍼를 적절하게 이용할 수 있고, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼, SiC 웨이퍼, GaS 웨이퍼를 들 수 있다. 접착제층(2)으로서는, 상기 본 발명의 필름 형상 접착제를 1층으로 단독으로 이용해도 좋고, 2층 이상을 적층하여 이용해도 좋다. As the wafer 1, a wafer on which at least one semiconductor circuit is formed on its surface can be suitably used, and examples thereof include a silicon wafer, a SiC wafer, and a GaS wafer. As the adhesive layer 2, the film adhesive of the present invention may be used alone, or two or more layers may be laminated.

이러한 접착제층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 마련하는 방법으로서는, 상기 필름 형상 접착제를 웨이퍼(1)의 이면에 적층시키는 것이 가능한 방법을 적절하게 채용할 수 있고, 웨이퍼(1)의 이면에 상기 필름 형상 접착제를 첩합(貼合)한 후, 2층 이상을 적층하는 경우에는 소망의 두께가 될 때까지 순차적으로 필름 형상 접착제를 적층시키는 방법이나, 필름 형상 접착제를 미리 목적의 두께로 적층한 후에 웨이퍼(1)의 이면에 첩합하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 이러한 접착제층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 마련할 때에 이용하는 장치로서는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 롤러 라미네이터, 매뉴얼 라미네이터와 같은 공지의 장치를 적절하게 이용할 수 있다. As a method of providing the adhesive layer 2 on the back surface of the wafer 1, a method capable of laminating the film-like adhesive on the back surface of the wafer 1 can be suitably employed. On the back surface of the wafer 1, In the case of laminating two or more layers after the film-shaped adhesive is laminated, there are a method of sequentially laminating a film type adhesive to a desired thickness, or a method of laminating a film type adhesive in advance to a desired thickness And a method of bonding the wafer 1 to the back surface of the wafer 1. The apparatus used when the adhesive layer 2 is provided on the back surface of the wafer 1 is not particularly limited and a known apparatus such as a roller laminator or a manual laminator can be suitably used.

접착제층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 마련할 때에는, 상기 필름 형상 접착제의 용융 점도가 10000 Pa·s 이하가 되는 온도 이상이며, 또한 상기 필름 형상 접착제의 열경화 개시 온도 미만인 온도 범위 내의 온도에 있어서 상기 필름 형상 접착제를 웨이퍼(1)의 이면에 붙이는 것이 바람직하다. 이러한 온도 조건으로서는, 사용하는 수지의 종류에 의해 다른 것이며, 일괄적으로 말할 수 있는 것은 아니지만, 예를 들면, 40 ~ 100℃인 것이 바람직하고, 40 ~ 80℃인 것이 보다 바람직하다. 온도가 상기 하한 미만이면, 접착제층(2)과 웨이퍼(1)의 계면에 공기가 들어가기 쉬워지는 경향이 있고, 접착제층(2)이 2층 이상 적층된 것인 경우에는, 상기 필름 형상 접착제의 층간의 접착이 불충분하게 되는 경향이 있다. 한편, 열경화 개시 온도 이상이 되면 상기 필름 형상 접착제가 경화해 버려서, 배선 기판에 접착할 때의 접착성이 저하하는 경향이 있다. 또한, 이러한 열압착의 시간으로서는, 예를 들면 1 ~ 180초간 정도인 것이 바람직하다. When the adhesive layer (2) is provided on the back surface of the wafer (1), it is preferable that the temperature is within a temperature range which is not lower than the temperature at which the melt viscosity of the film adhesive is not higher than 10,000 Pa · s, It is preferable to attach the film-like adhesive to the back surface of the wafer 1 at a temperature. The temperature conditions vary depending on the kind of the resin to be used and can not be collectively stated. For example, it is preferably 40 to 100 캜, more preferably 40 to 80 캜. If the temperature is lower than the lower limit described above, air tends to easily enter the interface between the adhesive layer 2 and the wafer 1. In the case where the adhesive layer 2 is a laminate of two or more layers, The adhesion between the layers tends to be insufficient. On the other hand, when the temperature exceeds the thermosetting initiation temperature, the film-form adhesive tends to be cured, and the adhesiveness at the time of bonding to the wiring substrate tends to decrease. The time of the thermocompression bonding is preferably about 1 to 180 seconds, for example.

또한, 접착제층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 마련할 때에는, 0.1 ~ 1 MPa 정도의 압력을 가하는 것이 바람직하다. 압력이 상기 하한 미만에서는, 접착제층(2)을 웨이퍼(1)와 첩합하기 위하여 시간이 걸리고, 또한 보이드의 발생을 충분히 방지할 수 없게 되는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면, 접착제층(2)의 삐져나옴을 제어할 수 없게 되는 경향이 있다. When the adhesive layer 2 is provided on the back surface of the wafer 1, it is preferable to apply a pressure of about 0.1 to 1 MPa. If the pressure is less than the lower limit described above, it takes time to bond the adhesive layer 2 with the wafer 1, and the occurrence of voids can not be sufficiently prevented. On the other hand, if the pressure exceeds the upper limit, There is a tendency that it is impossible to control the protrusion of the main body 2.

다음에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 있어서는, 제2의 공정으로서, 도 2에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(1)와 다이싱 테이프(3)와를 접착제층(2)을 개재하여 접착한 후에, 웨이퍼(1)와 접착제층(2)을 동시에 다이싱하는 것에 의해 웨이퍼(1)와 접착제층(2)을 구비하는 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 얻는다. Next, in the manufacturing method of the semiconductor package of the present invention, as a second step, as shown in Fig. 2, after the wafer 1 and the dicing tape 3 are bonded via the adhesive layer 2 The semiconductor chip 4 is obtained by dicing the wafer 1 and the adhesive layer 2 at the same time by the adhesive layer including the wafer 1 and the adhesive layer 2. [

다이싱 테이프(3)로서는 특별히 제한되지 않고, 적절하게 공지의 다이싱 테이프를 이용할 수 있다. 또한, 다이싱에 이용하는 장치도 특별히 제한되지 않고, 적절하게 공지의 다이싱 장치를 이용할 수 있다. The dicing tape 3 is not particularly limited, and a known dicing tape can be used suitably. The apparatus used for dicing is not particularly limited, and a known dicing apparatus can be suitably used.

다음에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 있어서는, 제3의 공정으로서, 도 3에 나타낸 바와 같이, 접착제층(2)으로부터 다이싱 테이프(3)를 이탈시키고, 접착제층 부가 반도체 칩(4)과 배선 기판(5)과를 접착제층(2)을 개재하여 열압착시켜서, 배선 기판(5)에 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 실장한다. 3, the dicing tape 3 is removed from the adhesive layer 2, and the adhesive layer is adhered to the semiconductor chip 4 (see FIG. 3) And the wiring board 5 are thermocompression bonded via the adhesive layer 2 to mount the semiconductor chip 4 on the wiring board 5 with the adhesive layer.

배선 기판(5)으로서는, 표면에 반도체 회로가 형성된 기판을 적절하게 이용할 수 있고, 예를 들면, 프린트 회로 기판(PCB), 각종 리드 프레임, 및, 기판 표면에 저항 소자나 콘덴서 등의 전자 부품이 탑재된 기판을 들 수 있다. 또한, 배선 기판(5)으로서 다른 반도체 칩을 이용하는 것에 의해, 접착제층(2)을 개재하여 반도체 칩을 복수 개 적층할 수도 있다. As the wiring substrate 5, a substrate on which a semiconductor circuit is formed can be appropriately used. For example, a printed circuit board (PCB), various lead frames, and electronic parts such as resistors and capacitors And a substrate mounted thereon. Further, by using another semiconductor chip as the wiring board 5, a plurality of semiconductor chips can be stacked via the adhesive layer 2. [

이러한 배선 기판(5)에 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 실장하는 방법으로서는 특별히 제한되지 않고, 접착제층(2)을 이용하여 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 배선 기판(5) 또는 배선 기판(5)의 표면 상에 탑재된 전자 부품에 접착시키는 것이 가능한 종래의 방법을 적절하게 채용할 수 있다. 이러한 실장 방법으로서는, 상부에서의 가열 기능을 가지는 플립칩 본더를 이용한 실장 기술을 이용하는 방법, 하부에서만의 가열 기능을 가지는 다이 본더를 이용하는 방법, 라미네이터를 이용하는 방법 등의 종래 공지의 가열, 가압 방법을 들 수 있다. The method for mounting the semiconductor chip 4 on the wiring board 5 is not particularly limited and the adhesive layer may be formed by using the adhesive layer 2 so that the semiconductor chip 4 is bonded to the wiring board 5, It is possible to appropriately employ a conventional method capable of adhering to an electronic component mounted on the surface of the substrate 5. Examples of such a mounting method include a conventionally known heating and pressing method such as a method using a mounting technique using a flip chip bonder having a heating function at an upper portion, a method using a die bonder having a heating function only at a lower portion, a method using a laminator, .

이와 같이, 본 발명의 필름 형상 접착제로 이루어지는 접착제층(2)을 개재하여 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 배선 기판(5) 상에 실장하는 것으로, 전자 부품에 의해 생기는 배선 기판(5) 상의 요철에 상기 필름 형상 접착제를 추종(追從)시킬 수 있기 때문에, 웨이퍼(1)와 배선 기판(5)을 밀착시켜서 고정하는 것이 가능해진다. As described above, the semiconductor chip 4 is mounted on the wiring board 5 through the adhesive layer 2 made of the film-like adhesive of the present invention, The film type adhesive can be followed in the unevenness, so that it becomes possible to fix the wafer 1 and the wiring board 5 in close contact with each other.

배선 기판(5)과 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 접착할 때에는, 상기 필름 형상 접착제의 용융 점도가 10000 Pa·s 이하가 되는 온도 이상이며, 또한 상기 필름 형상 접착제의 열경화 개시 온도 미만인 온도에 있어서 배선 기판(5)과 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 접착하는 것이 바람직하다. 이러한 온도 조건하에 있어서 배선 기판(5)과 반도체소자(4)를 접착하는 것으로, 접착제층(2)과 배선 기판(5)와의 계면에 공기가 들어가기 어려워지는 경향이 있다. 이러한 온도 조건, 시간 조건 및 압력 조건으로서는, 상기 제1의 공정에서 기술한 바와 같다. When bonding the semiconductor chip 4 with the wiring substrate 5 and the adhesive layer, the temperature at which the melt viscosity of the film adhesive is 10000 Pa · s or less, and which is lower than the thermal curing start temperature of the film adhesive It is preferable that the wiring board 5 and the adhesive layer portion adhere the semiconductor chip 4 to each other. Adhesion between the wiring board 5 and the semiconductor element 4 under such a temperature condition tends to make it difficult for air to enter the interface between the adhesive layer 2 and the wiring board 5. These temperature conditions, time conditions and pressure conditions are as described in the first step.

다음에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 있어서는, 제4의 공정으로서, 상기 필름 형상 접착제를 열경화시킨다. 상기 열경화의 온도로서는, 상기 필름 형상 접착제의 열경화 개시 온도 이상이면 특별히 제한이 없고, 사용하는 수지의 종류에 의해 다른 것이며, 일괄적으로 말할 수 있는 것은 아니지만, 예를 들면, 120 ~ 180℃인 것이 바람직하고, 120 ~ 130℃인 것이 보다 바람직하다. 온도가 열경화 개시 온도 미만이면, 열경화가 충분히 진행되지 않아서, 접착층(2)의 강도가 저하하는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 경화 과정 중에 필름 형상 접착제 중의 에폭시 수지, 경화제나 첨가제 등이 휘발하여 발포하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 상기 경화 처리의 시간으로서는, 예를 들면, 10 ~ 180분간인 것이 바람직하고, 또한, 상기 열경화에 있어서는, 0.1 ~ 10 MPa 정도의 압력을 가하는 것이 보다 바람직하다. 본 발명에 있어서는, 상기 필름 형상 접착제를 열경화시키는 것에 의해, 충분히 높은 탄성률 및 낮은 흡수율을 가지는 접착층(2)이 얻어지고, 배선 기판(5)과 웨이퍼(1)가 강고하게 접착된 반도체 패키지를 얻을 수 있다. Next, in the manufacturing method of the semiconductor package of the present invention, as the fourth step, the film adhesive is thermally cured. The temperature of the thermosetting is not particularly limited as long as it is not lower than the thermosetting initiation temperature of the film adhesive and varies depending on the kind of the resin to be used and can not be collectively stated. And more preferably 120 to 130 ° C. If the temperature is lower than the thermosetting initiation temperature, the thermosetting does not proceed sufficiently and the strength of the adhesive layer 2 tends to decrease. On the other hand, if the upper limit is exceeded, the epoxy resin, the curing agent, And the like tends to be easily volatilized. It is preferable that the time of the curing treatment is, for example, 10 to 180 minutes, and in the case of the above-mentioned thermosetting, a pressure of about 0.1 to 10 MPa is more preferable. In the present invention, by thermally curing the film adhesive, an adhesive layer 2 having a sufficiently high modulus of elasticity and a low water absorption rate is obtained, and a semiconductor package in which the wiring board 5 and the wafer 1 are firmly bonded is obtained .

다음에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 있어서는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 배선 기판(5)과 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 본딩 와이어(6)를 개재하여 접속하는 것이 바람직하다. 이러한 접속 방법으로서는 특별히 제한되지 않고, 종래 공지의 방법, 예를 들면, 와이어 본딩 방식의 방법, TAB(Tape Automated Bonding) 방식의 방법 등을 적절하게 채용할 수 있다. 본 발명의 필름 형상 접착제로 이루어지는 접착제층(2)은, 열경화 후에 충분히 높은 탄성률을 발휘하기 때문에, 1mm×1mm의 사이즈 이하의 소형의 반도체 칩을 이용한 경우라도, 안정적으로 본딩 와이어를 접속하는 것이 가능하고, 결과적으로, 충분한 본딩 와이어 접합 강도를 얻을 수 있다. Next, in the method of manufacturing the semiconductor package of the present invention, it is preferable that the wiring board 5 and the adhesive layer portion are connected to each other via the bonding wire 6, as shown in Fig. Such a connection method is not particularly limited, and conventionally known methods such as a wire bonding method, a TAB (tape automated bonding) method, and the like can be suitably employed. Since the adhesive layer 2 made of the film adhesive of the present invention exhibits a sufficiently high modulus of elasticity after thermal curing, even if a small semiconductor chip having a size of 1 mm x 1 mm or less is used, As a result, a sufficient bonding wire bonding strength can be obtained.

다음에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 있어서는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 밀봉 수지(7)에 의해 배선 기판(5)과 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 밀봉하는 것이 바람직하고, 이와 같이 하여 반도체 패키지(8)를 얻을 수 있다. 밀봉 수지(7)로서는 특별히 제한되지 않고, 반도체 패키지의 제조에 이용할 수 있는 공지의 밀봉 수지를 적절하게 이용할 수 있다. 또한, 밀봉 수지(7)에 의한 밀봉 방법으로서도 특별히 제한되지 않고, 적절하게 공지의 방법을 채용하는 것이 가능하다. Next, in the manufacturing method of the semiconductor package of the present invention, it is preferable that the wiring board 5 and the adhesive layer portion seal the semiconductor chip 4 with the sealing resin 7 as shown in Fig. 5 The semiconductor package 8 can be obtained in the same manner. The sealing resin 7 is not particularly limited, and a known sealing resin usable for manufacturing a semiconductor package can be suitably used. Also, the sealing method using the sealing resin 7 is not particularly limited, and a known method can be appropriately employed.

이러한 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 의하면, 웨이퍼(1)와의 계면 및 배선 기판(5) 상의 요철과의 계면을 필름 형상 접착제로 이루어지는 접착제층(2)에 의해서 충분히 매립할 수 있기 때문에, 웨이퍼(1)와 접착제층(2)의 사이 및 접착제층(2)과 배선 기판(5)의 사이에 공간이 생기는 일 없이 웨이퍼(1)를 배선 기판(5)에 고정할 수 있다. According to the manufacturing method of the semiconductor package of the present invention, since the interface between the wafer 1 and the irregularities on the wiring board 5 can be sufficiently filled with the adhesive layer 2 made of a film adhesive, It is possible to fix the wafer 1 to the wiring board 5 without creating a space between the adhesive layer 2 and the wiring board 5 between the adhesive layer 1 and the adhesive layer 2. [

또한, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 있어서는, 상기 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물로 이루어지는 본 발명의 필름 형상 접착제를 이용하기 때문에, 반도체 칩을 보다 박형화·소형화시켜도, 배선 기판(5)에 높은 정밀도로 접착시킬 수 있고, 또한, 충분한 본딩 와이어 접합 강도를 얻을 수 있다. 또한, 이러한 제조방법에 의해 얻어지는 본 발명의 반도체 패키지는, 웨이퍼(1)와 배선 기판(5)의 사이의 접착층(2)에 있어서의 흡수율이 충분히 낮기 때문에, 장치 등에 실장될 때에 리플로우 방식으로 납땜되어도, 패키지 크랙의 발생이 충분히 억제된다. Further, in the method of manufacturing a semiconductor package of the present invention, since the film adhesive of the present invention comprising the composition for film adhesive of the present invention is used, even if the semiconductor chip is made thinner and smaller, It can be bonded with high precision, and sufficient bonding wire bonding strength can be obtained. The semiconductor package of the present invention obtained by such a manufacturing method has a sufficiently low absorption rate in the adhesive layer 2 between the wafer 1 and the wiring board 5, Even when soldered, occurrence of package cracks is sufficiently suppressed.

[실시예][Example]

이하, 실시예 및 비교예에 근거하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시예 및 비교예에 있어서, 용융 점도, 탄성률, 포화 흡수율의 측정, 및 그라인드 게이지 평가, 필름 표면 외관 평가, 와이어 본드성 평가, 패키지 크랙 평가는, 각각 이하에 나타내는 방법에 의해 실시했다. Hereinafter, the present invention will be described more specifically based on examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples. In each of the Examples and Comparative Examples, the measurement of the melt viscosity, the elastic modulus, and the saturation absorptivity, the grind gauge evaluation, the film surface appearance evaluation, the wire bondability evaluation, and the package crack evaluation were carried out by the following methods .

(그라인드 게이지 평가)(Grind gauge evaluation)

각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 필름 형상 접착제용 조성물 2g를, 각각 JISK5600-2-5(1999)에 규정되는 10 ~ 100μm의 게이지와 스크레이퍼로부터 이루어지는 입도계(입도 게이지, 카부시키가이샤다이이치소쿠한세이사쿠쇼(株式會社第一測範製作所)제)의 게이지의 홈에 두고, 스크레이퍼를 당겨서 움직였을 때에 조성물 표면에 나타난 선의 개시점의 게이지의 깊이의 값을 측정했다. 2 g of the film-like adhesive composition obtained in each of the examples and the comparative examples was applied to a particle size meter (particle size gauge, manufactured by KABUSHIKI KAISHA, manufactured by Kabushiki Kaisha, Ltd.) consisting of a gauge having a size of 10 to 100 μm and a scraper specified in JIS K5600-2-5 The value of the depth of the gauge at the start point of the line shown on the composition surface was measured when the scraper was pulled and moved in the groove of the gauge of Kasei Shaishi Co., Ltd.

(필름 표면 외관 평가)(Film surface appearance evaluation)

각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 필름 형상 접착제용 조성물을, 두께 50μm의 이형 처리된 PET 필름 상에 도포하여 온도 100℃에 있어서 10분간 가열하여 건조시키고, 두께가 5μm인 필름 형상 접착제를 제작했다. 얻어진 필름 형상 접착제 표면의 외관을 눈으로 보아 관찰하고, 다음의 기준:The film-like adhesive composition obtained in each of the examples and the comparative examples was coated on a release-treated PET film having a thickness of 50 탆 and heated at 100 캜 for 10 minutes to be dried to produce a film-like adhesive having a thickness of 5 탆 . The appearance of the obtained film-like adhesive surface was visually observed, and the following criteria were used:

A: 표면에 줄무늬, 응집물이 보이지 않는다A: Streaks and aggregates are not visible on the surface.

B: 표면에 줄무늬, 응집물이 보인다B: Streaks and aggregates are visible on the surface.

에 따라서 평가했다. .

(용융 점도의 측정)(Measurement of melt viscosity)

각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 필름 형상 접착제를 2.5cm×2.5 cm의 사이즈로 잘라내서 적층하고, 진공 라미네이터 장치(상품명: MVLP-500, 카부시키가이샤메이키세이사쿠쇼(株式會社名機製作所)제)를 이용하여 온도 50℃, 압력 0.3 MPa에 있어서 10초간 첩합하여, 두께가 300μm인 시험편을 얻었다. 이 시험편에 대해서, 레오미터(RS150, Haake사제)를 이용하여, 온도 범위 20 ~ 100℃, 승온 속도 10℃/min에서의 점성 저항의 변화를 측정하고, 얻어진 온도-점성 저항 곡선으로부터 80℃에 있어서의 용융 점도(Pa·s)를 산출했다. The film-like adhesive obtained in each of the Examples and Comparative Examples was cut into a size of 2.5 cm x 2.5 cm and laminated. The laminated film was laminated by a vacuum laminator apparatus (trade name: MVLP-500, manufactured by Kabushiki Kaisha, Ltd.) for 10 seconds at a temperature of 50 占 폚 and a pressure of 0.3 MPa to obtain a test piece having a thickness of 300 占 퐉. The test piece was measured for the change in viscosity resistance at a temperature range of 20 to 100 ° C and a temperature raising rate of 10 ° C / min using a rheometer (RS150, manufactured by Haake), and the temperature- (Pa 占 퐏) in the case where the melt viscosity (?

(탄성률의 측정)(Measurement of elastic modulus)

각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 필름 형상 접착제를 5mm×17mm의 사이즈로 잘라내고, 건조기를 이용하여 온도 180℃에 있어서 1시간 가열하는 것에 의해 필름 형상 접착제를 열경화시켰다. 열경화 후의 필름 형상 접착제에 대해서, 동적 점탄성 측정 장치(상품명: Rheogel-E4000F, 카부시키가이샤유비엠제)를 이용하여, 측정 온도 범위 30 ~ 300℃, 승온 속도 5℃/min, 및 주파수 1 Hz의 조건하에서 측정을 행하고, 100℃, 200℃, 250℃에서의 각 탄성률의 값을 구했다. The film-shaped adhesive obtained in each of the Examples and Comparative Examples was cut into a size of 5 mm x 17 mm and heated at 180 ° C for 1 hour using a drier to thermally cure the adhesive film. The film-shaped adhesive after the heat curing was measured for the film-shaped adhesive using a dynamic viscoelasticity measuring device (trade name: Rheogel-E4000F, manufactured by UBE Mfr.) At a measurement temperature range of 30 to 300 占 폚, a temperature raising rate of 5 占 폚 / , And the values of the respective elastic moduli at 100 DEG C, 200 DEG C, and 250 DEG C were obtained.

(포화 흡수율의 측정)(Measurement of saturation absorption rate)

각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 필름 형상 접착제를 1변이 50mm 이상의 사각편으로 잘라내고, 두께가 5mm 이상이 되도록 적층하여 직경 50mm, 두께 3mm의 원반(圓盤) 형상 금형 상에 배치하고, 압축 프레스 성형기(상품명: ETA-D, 카부시키가이샤신도킨조쿠코교쇼(株式會社神藤金屬工業所)제)를 이용하여 온도 150℃, 압력 2 MPa에 있어서 10분간 가열한 후, 이것을 열건조기 중에 배치하여 온도 180℃에서 1시간 더 가열하는 것에 의해 필름 형상 접착제를 열경화시키고, 직경 50mm, 두께 3mm의 원반 형상 시험편을 얻었다. 이 시험편의 질량(W1), 및 항온 항습기(상품명: PR-1J, 에스펙크카부시키가이샤제)를 이용하여, 온도 85℃, 상대 습도 85%RH에 있어서 100시간 흡수시킨 후의 질량(W2)을 각각 측정하고, 하기 식:The film-like adhesive obtained in each of the examples and the comparative examples was cut into square pieces each having a width of 50 mm or more on one side and laminated so as to have a thickness of 5 mm or more, placed on a disc mold having a diameter of 50 mm and a thickness of 3 mm, After heating for 10 minutes at a temperature of 150 占 폚 and a pressure of 2 MPa using a press molding machine (trade name: ETA-D, manufactured by Shinto Kankoku Kogyo Co., Kabushiki Kaisha), this was placed in a heat drier And further heated at a temperature of 180 캜 for one hour to thermally cure the film-shaped adhesive to obtain a disk-shaped test piece having a diameter of 50 mm and a thickness of 3 mm. The mass (W2) after being absorbed at a temperature of 85 DEG C and a relative humidity of 85% RH for 100 hours was measured using a mass (W1) of the test piece and a constant temperature and humidity chamber (trade name: PR-1J, manufactured by ESPEC CORPORATION) Respectively, and the following formula:

포화 흡수율(질량%) = {(W2-W1)/W1}×100Saturation absorption rate (mass%) = {(W2-W1) / W1} x100

에 의해 포화 흡수율을 구했다. The saturation absorption rate was obtained.

(와이어 본드성 평가)(Evaluation of wire bondability)

각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 필름 형상 접착제를, 먼저, 매뉴얼 라미네이터(상품명: FM-114, 테크노비전사제)를 이용하여 온도 70℃, 압력 0.3 MPa에 있어서 더미 실리콘 웨이퍼(알루미늄 증착 실리콘 웨이퍼, 8 inch 사이즈, 두께 100μm)의 한 쪽의 면에 접착시킨 후, 상기 매뉴얼 라미네이터를 이용하여 실온, 압력 0.3 MPa에 있어서 필름 형상 접착제의 상기 더미 실리콘 웨이퍼와는 반대측의 면 위에 다이싱 테이프(상품명: G-11, 린텍카부시키가이샤(LINTEC 株式會社)제) 및 다이싱 프레임(상품명: DTF2-8-1H001, DISCO사제)을 접착시켰다. 그 다음에, 2축의 다이싱 블레이드(Z1: NBC-ZH2030-SE(DD), DISCO사제 / Z2: NBC-ZH127F-SE(BB), DISCO사제)가 설치된 다이싱 장치(상품명: DFD-6340, DISCO사제)를 이용하여 0.5mm×0.5mm의 사이즈가 되도록 다이싱을 실시하여 반도체 칩을 얻었다. First, a film-like adhesive obtained in each of the Examples and Comparative Examples was dummy silicon wafers (aluminum deposited silicon wafers, manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd.) at a temperature of 70 DEG C and a pressure of 0.3 MPa using a manual laminator (trade name: FM- 8 inch size and thickness 100 mu m), and then the dummy silicon wafer was peeled off from the dummy silicon wafer at room temperature under a pressure of 0.3 MPa using the manual laminator, G-11, manufactured by LINTEC Co., Ltd.) and a dicing frame (trade name: DTF2-8-1H001, manufactured by DISCO) were bonded. Subsequently, a dicing apparatus (trade name: DFD-6340, manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.) equipped with a biaxial dicing blade (Z1: NBC-ZH2030-SE (DD), manufactured by DISCO / Z2: NBC-ZH127F- Manufactured by DISCO Co., Ltd.) so as to have a size of 0.5 mm x 0.5 mm to obtain a semiconductor chip.

다음에, 다이 본더(상품명: SPA-300, 카부시키가이샤신카와(株式會社新川)제)에서 온도 120℃, 압력 4.1 MPa(하중 100gf), 시간 1.0초의 조건에 있어서 상기 반도체 칩을 리드 프레임 기판(42Arroy계, 톳판인사츠카부시키가이샤(凸版印刷株式會社)제)에 열압착하고, 이것을 건조기 중에 배치하여 온도 120℃에서 1시간 가열하는 것에 의해 필름 형상 접착제를 열경화시켰다. 다음에, 와이어 본더(상품명: UTC-3000, 카부시키가이샤신카와)를 이용하여, 스테이지 온도 200℃에서 상기 반도체 칩 및 상기 리드 프레임 기판을 금 와이어(상품명: AT시리즈, 25 umΦ, 신닛테츠마테리얼즈카부시키가이샤(新日鐵 MATERIALS 株式會社)제)에 의해 접속하고, 상기 반도체 칩 표면의 볼 쉐어(ball shear) 강도를 본드 테스터(상품명: 시리즈 5000, 데이지(주))를 이용하여 측정하고, 이하의 기준:Next, the semiconductor chip was placed on a lead frame substrate (not shown) under the conditions of a temperature of 120 占 폚, a pressure of 4.1 MPa (load of 100 gf) and a time of 1.0 second in a die bonder (trade name: SPA-300 manufactured by Shinkawa Kagaku Co., (42Arroy series, manufactured by Toppan Printing Co., Ltd.), placed in a dryer, and heated at a temperature of 120 ° C for 1 hour to thermally cure the adhesive film. Next, the semiconductor chip and the lead frame substrate were bonded to a gold wire (trade name: AT series, 25 umΦ, Sinnets Tetsumate) at a stage temperature of 200 ° C using a wire bonder (trade name: UTC-3000, (Manufactured by Nippon Steel Corporation), and the ball shear strength of the surface of the semiconductor chip was measured using a bond tester (trade name: Series 5000, Daisy Co., Ltd.) And the following criteria:

A: 볼 쉐어 강도 10 mg/m2 이상A: Bole shear strength 10 mg / m 2 or more

B: 볼 쉐어 강도 10 ~ 5 mg/m2 B: Bole shear strength 10 to 5 mg / m 2

C: 볼 쉐어 강도 5 mg/m2 이하C: Ball Shorter Strength 5 mg / m 2 or less

에 따라서 평가했다. .

(패키지 크랙 평가)(Package crack evaluation)

상기 와이어 본드성 평가의 방법과 동일하게 반도체 칩 및 배선 기판이 금 와이어로 접속된 시험편을 제작하고, 몰드 장치(상품명: V1R, TOWA(주)제)를 이용하여, 몰드제(쿄세라(KYOSERA)제, KE-3000F5-2)에 의해 시험편을 밀봉하고, 온도 180℃에 있어서 5시간 가열하여 열경화시켜서, 반도체 패키지를 얻었다. 항온 항습기(상품명: PR-1J, 에스펙크카부시키가이샤제)를 이용하여, 얻어진 반도체 패키지를 온도 85℃, 상대 습도 85%RH에 있어서 100시간 흡수시킨 후, IR 리플로우 로(爐)에서 온도 240℃에 있어서 10초간 가열했다. 가열 후의 반도체 패키지를 다이아몬드 커터로 절단하고, 현미경으로 관찰하여 패키지 크랙이 발생하고 있는지 아닌지를 관찰했다. 반도체 패키지는 30개 조립하고, 이하의 기준:A test piece having a semiconductor chip and a wiring board connected to each other by a gold wire was produced in the same manner as in the wire bondability evaluation method described above and molded using a molding machine (KYOSERA (trade name), manufactured by V1R, TOWA Co., ), KE-3000F5-2) and heated at 180 캜 for 5 hours for thermal curing, thereby obtaining a semiconductor package. The obtained semiconductor package was absorbed for 100 hours at a temperature of 85 캜 and a relative humidity of 85% RH using a thermo-hygrostat (trade name: PR-1J, manufactured by Espec Kabushiki Kaisha) And heated at 240 캜 for 10 seconds. The semiconductor package after heating was cut with a diamond cutter and observed with a microscope to see whether or not a package crack occurred. 30 semiconductor packages are assembled, and the following criteria:

A: 모든 반도체 패키지에 있어서 패키지 크랙의 발생이 보이지 않는다A: There is no occurrence of package cracks in all semiconductor packages

B: 1개 이상의 반도체 패키지에 있어서 패키지 크랙이 발생했다B: Package cracks occurred in one or more semiconductor packages

에 따라서 평가했다. .

먼저, 100ml의 세퍼러블 플라스크 중에 있어서, 3-글리시독시프로필 트리메톡시 실란(상품명: KBM-403, 신에츠실리콘카부시키가이샤(信越 SILICONE 株式會社)제) 1.5 질량부(구상 실리카 필러 100 질량부에 대해서 2 질량부)를 칭량(秤量)하여 용매로서의 메틸이소부틸케톤(MIBK) 32 질량부 중에서 온도 50℃에 있어서 2시간 교반했다. 여기에 구상 실리카 필러(상품명: SO-C2, 평균 입경 0.5μm, 카부시키가이샤아드마텍스(株式會社 ADMATECHS)제)를 74 질량부를 칭량하여 배합하고, 또한 2시간 교반하여 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻었다. First, in a 100 ml separable flask, 1.5 parts by mass of 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (trade name: KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Silicones Co., Ltd.) (100 parts by mass of spherical silica filler 2 parts by weight based on 100 parts by weight of methyl isobutyl ketone (MIBK) was weighed and stirred for 2 hours at a temperature of 50 占 폚 in 32 parts by weight of methyl isobutyl ketone (MIBK) as a solvent. 74 parts by mass of a spherical silica filler (trade name: SO-C2, average particle size: 0.5 m, manufactured by Kabushiki Kaisha ADMATECHS) was weighed and mixed, and further stirred for 2 hours to obtain a surface-treated spherical silica filler dispersion ≪ / RTI >

다음에, 얻어진 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 고형 비스페놀 A형 에폭시 수지(상품명: YD-011, 중량 평균 분자량: 1000, 연화점: 70℃, 고체, 에폭시 당량: 450, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제) 55 질량부, 액체 비스페놀 A형 에폭시 수지(상품명: YD-128, 중량 평균 분자량: 400, 연화점: 25℃ 이하, 액체, 에폭시 당량: 190, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제) 49 질량부, 비스페놀 A형 페녹시 수지(상품명: YP-50S, 중량 평균 분자량: 60000, Tg: 84℃, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제) 28 질량부, 및 용매로서의 메틸이소부틸케톤 40 질량부를 칭량하여 배합하고, 500ml의 세퍼러블 플라스크 중, 온도 110℃에 있어서 2시간 가열 교반하여 수지 혼합물을 얻었다. Next, to the obtained surface-treated spherical silica filler dispersion was added a solid bisphenol A type epoxy resin (trade name: YD-011, weight average molecular weight: 1000, softening point: 70 캜, solid, epoxy equivalent: 450, (Trade name: YD-128, weight average molecular weight: 400, softening point: 25 占 폚 or less, liquid, epoxy equivalent: 190, Shin-Nika Epoxy Seize Co., Ltd.) 55 parts by mass , 28 parts by mass of a bisphenol A phenoxy resin (trade name: YP-50S, weight average molecular weight: 60000, Tg: 84 ° C, Shin-Nika Epoxy Seize Co., Ltd.) and 40 parts by mass of methyl isobutyl ketone as a solvent And the mixture was heated and stirred in a 500 ml separable flask at 110 캜 for 2 hours to obtain a resin mixture.

다음에, 이 수지 혼합물 280 질량부를 800ml의 유성 믹서로 옮기고, 이미다졸형 경화제(상품명: 2PHZ-PW, 시코쿠카세이카부시키가이샤(四國化成株式會社)제) 9 질량부를 더하고, 실온에 있어서 1시간 교반 혼합한 후, 진공 탈포(脫泡)하여 필름 형상 접착제용 조성물을 얻었다. 다음에, 얻어진 필름 형상 접착제용 조성물을 두께 50μm의 이형 처리된 PET 필름 상에 도포하여 온도 100℃에 있어서 10분간 가열하여 건조시키고, 200mm×300mm, 두께가 5μm인 필름 형상 접착제를 얻었다. Next, 280 parts by mass of this resin mixture was transferred to an 800 ml oil-based mixer, and 9 parts by mass of an imidazole-type curing agent (trade name: 2PHZ-PW, manufactured by Shikoku Kasei Kikai Co., Ltd.) The mixture was stirred for 1 hour and then defoamed by vacuum to obtain a composition for a film adhesive. Next, the composition for a film-form adhesive obtained was coated on a mold-treated PET film having a thickness of 50 mu m and dried by heating at 100 DEG C for 10 minutes to obtain a film-like adhesive having a size of 200 mm x 300 mm and a thickness of 5 mu m.

3-글리시독시프로필 트리메톡시 실란 대신에 비닐 트리메톡시 실란(상품명; KBM-1003, 신에츠실리콘카부시키가이샤제)을 이용한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다. Except that vinyltrimethoxysilane (trade name: KBM-1003, manufactured by Shin-Etsu Silicones Co., Ltd.) was used in place of 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, a composition for a film- An adhesive was obtained.

3-글리시독시프로필 트리메톡시 실란 대신에 비닐 트리에톡시 실란(상품명; KBE-1003, 신에츠실리콘카부시키가이샤제)을 이용한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다. Except that vinyltriethoxysilane (trade name: KBE-1003, manufactured by Shin-Etsu Silicones Co., Ltd.) was used in place of 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane to prepare a composition for a film- An adhesive was obtained.

고형 비스페놀 A형 에폭시 수지 대신에 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(상품명: ECON-1020-80, 중량 평균 분자량: 1200, 연화점: 80℃, 고체, 에폭시 당량: 200, 니폰카야쿠카부시키가이샤(日本化藥株式會社)제)을 이용한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다. A cresol novolac epoxy resin (trade name: ECON-1020-80, weight average molecular weight: 1200, softening point: 80 占 폚, solid, epoxy equivalent: 200, Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha A film-like adhesive composition and a film-shaped adhesive were obtained in the same manner as in Example 2,

고형 비스페놀 A형 에폭시 수지 대신에 트리페닐 메탄형 에폭시 수지(상품명: EPPN-501H, 중량 평균 분자량: 1000, 연화점: 55℃, 고체, 에폭시 당량: 167, 니폰카야쿠카부시키가이샤제)을 이용한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다. (Trade name: EPPN-501H, weight average molecular weight: 1000, softening point: 55 占 폚, solid, epoxy equivalent: 167, manufactured by Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha) instead of solid bisphenol A type epoxy resin A film-like adhesive composition and a film-like adhesive were obtained in the same manner as in Example 2.

고형 비스페놀 A형 에폭시 수지 대신에 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(상품명: XD-1000, 중량 평균 분자량: 1200, 연화점: 70℃, 고체, 에폭시 당량: 250, 니폰카야쿠카부시키가이샤제)을 이용한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다. (Trade name: XD-1000, weight average molecular weight: 1200, softening point: 70 占 폚, solid, epoxy equivalent: 250, manufactured by Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha) instead of solid bisphenol A type epoxy resin A film-like adhesive composition and a film-like adhesive were obtained in the same manner as in Example 2.

표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 첨가제로서 소수성 발연 실리카(상품명: RY-200, 니폰아엘로질카부시키가이샤(日本 AEROSIL 株式會社)제)를 3 질량부 더 배합한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다. Except that 3 parts by mass of hydrophobic fuming silica (trade name: RY-200, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) was further added as an additive to the surface-treated spherical silica filler dispersion, as in Example 2 To obtain a composition for a film-form adhesive and a film-form adhesive.

표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에 이용하는 비닐 트리메톡시 실란의 배합량을 2.8 질량부, 메틸이소부틸케톤의 배합량을 60 질량부, 구상 실리카 필러의 배합량을 137 질량부로 한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다. The procedure of Example 2 was repeated except that the amount of vinyltrimethoxysilane used in the surface-treated spherical silica filler dispersion was 2.8 parts by mass, the amount of methylisobutylketone was 60 parts by mass, and the amount of spherical silica filler was 137 parts by mass A composition for a film-form adhesive and a film-form adhesive were obtained.

표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에 이용하는 비닐 트리메톡시 실란의 배합량을 4.2 질량부, 메틸이소부틸케톤의 배합량을 90 질량부, 구상 실리카 필러의 배합량을 206 질량부로 한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다. The procedure of Example 2 was repeated except that the amount of vinyltrimethoxysilane used in the surface-treated spherical silica filler dispersion was changed to 4.2 parts by mass, the amount of methylisobutylketone was 90 parts by mass, and the amount of the spherical silica filler was changed to 206 parts by mass A composition for a film-form adhesive and a film-form adhesive were obtained.

표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에 이용하는 비닐 트리메톡시 실란의 배합량을 6.5 질량부, 메틸이소부틸케톤의 배합량을 140 질량부, 구상 실리카 필러의 배합량을 320 질량부로 한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다. The procedure of Example 2 was repeated except that the amount of vinyltrimethoxysilane used in the surface-treated spherical silica filler dispersion was changed to 6.5 parts by mass, the amount of methylisobutylketone was changed to 140 parts by mass, and the amount of the spherical silica filler was changed to 320 parts by mass A composition for a film-form adhesive and a film-form adhesive were obtained.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

먼저, 500ml의 세퍼러블 플라스크 중에, 비닐 트리메톡시 실란(이름; KBM-1003, 신에츠실리콘카부시키가이샤제) 1.5 질량부(구상 실리카 필러 100 질량부에 대해서 2 질량부), 구상 실리카 필러(상품명: SO-C2, 평균 입경 0.5μm, 카부시키가이샤아드마텍스제)를 74 질량부, 고형 비스페놀 A형 에폭시 수지(상품명: YD-011, 중량 평균 분자량: 1000, 연화점: 70℃, 고체, 에폭시 당량: 450, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제) 55 질량부, 액체 비스페놀 A형 에폭시 수지(상품명: YD-128, 중량 평균 분자량: 400, 연화점: 25℃ 이하, 액체, 에폭시 당량: 190, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제) 49 질량부, 비스페놀 A형 페녹시 수지(상품명: YP-50S, 중량 평균 분자량: 60000, Tg: 84℃, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제) 28 질량부, 이미다졸형 경화제(상품명: 2PHZ-PW, 시코쿠카세이카부시키가이샤제) 9 질량부, 및 메틸이소부틸케톤 40 질량부를 칭량하여 배합하고, 온도 110℃에 있어서 2시간 가열 교반하여 수지 혼합물을 얻었다. First, 1.5 parts by mass (2 parts by mass relative to 100 parts by mass of the spherical silica filler) of a vinyltrimethoxysilane (name: KBM-1003, manufactured by Shin-Etsu Silicones Co., Ltd.), a spherical silica filler (Product name: YD-011, weight average molecular weight: 1000, softening point: 70 占 폚, solids, epoxy resin (trade name: SO-C2, average particle diameter 0.5 .mu.m, manufactured by Kabushiki Kaisha Admatex Co., 55, a liquid bisphenol A type epoxy resin (trade name: YD-128, weight average molecular weight: 400, softening point: 25 占 폚 or less, liquid, epoxy equivalent: 190, equivalent: 450, Shin-Nika Epoxy Seize Co., (Trade name: YP-50S, weight average molecular weight: 60000, Tg: 84 占 폚, Shin-Nika Epoxy Seize Co., Ltd.), 49 mass parts of bisphenol A type phenoxy resin , An imidazole type curing agent (trade name: 2PHZ-PW, Shikoku Kasei Kaibu Co., Ltd.) and 40 parts by mass of methyl isobutyl ketone were weighed and mixed, and the mixture was heated and stirred at a temperature of 110 DEG C for 2 hours to obtain a resin mixture.

다음에, 얻어진 수지 혼합물 280 질량부를 800ml의 유성 믹서로 옮기고, 실온에 있어서 1시간 교반 혼합한 후, 진공 탈포하여 필름 형상 접착제용 조성물을 얻었다. 다음에, 얻어진 필름 형상 접착제용 조성물을 두께 50μm의 이형 처리된 PET 필름 상에 도포하여 온도 100℃에 있어서 10분간 가열하여 건조시키고, 200mm×300mm, 두께가 5μm인 필름 형상 접착제를 얻었다. Next, 280 parts by mass of the obtained resin mixture was transferred to an 800 ml oil-based mixer, stirred and mixed at room temperature for 1 hour, and then subjected to vacuum defoaming to obtain a composition for a film adhesive. Next, the composition for a film-form adhesive obtained was coated on a mold-treated PET film having a thickness of 50 mu m and dried by heating at 100 DEG C for 10 minutes to obtain a film-like adhesive having a size of 200 mm x 300 mm and a thickness of 5 mu m.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

비닐 트리메톡시 실란의 배합량을 11질량부, 메틸이소부틸케톤의 배합량을 100 질량부, 구상 실리카 필러의 배합량을 549 질량부로 한 것 외에는 비교예 1과 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다. A composition for a film-shaped adhesive and a film-shaped adhesive composition were prepared in the same manner as in Comparative Example 1, except that 11 parts by mass of vinyltrimethoxysilane, 100 parts by mass of methylisobutylketone, and 549 parts by mass of a spherical silica filler were used. An adhesive was obtained.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에 배합하는 비닐 트리메톡시 실란의 배합량을 0.3 질량부, 메틸이소부틸케톤의 배합량을 7 질량부, 구상 실리카 필러의 배합량을 15 질량부로 한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다. The procedure of Example 2 was repeated except that the amount of vinyltrimethoxysilane compounded in the surface-treated spherical silica filler dispersion was changed to 0.3 parts by mass, the amount of methylisobutylketone was 7 parts by mass, and the amount of spherical silica filler was 15 parts by mass To obtain a composition for a film-form adhesive and a film-form adhesive.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에 배합하는 비닐 트리메톡시 실란의 배합량을 0.7 질량부, 메틸이소부틸케톤의 배합량을 15 질량부, 구상 실리카 필러의 배합량을 34 질량부로 한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다. The procedure of Example 2 was repeated except that the amount of vinyltrimethoxysilane compounded in the surface-treated spherical silica filler dispersion was changed to 0.7 parts by mass, the amount of methylisobutylketone was 15 parts by mass, and the amount of spherical silica filler was changed to 34 parts by mass To obtain a composition for a film-form adhesive and a film-form adhesive.

실시예 1 ~ 10 및 비교예 1 ~ 4에 있어서 얻어진 필름 형상 접착제용 조성물을 이용한 그라인드 게이지 평가, 필름 표면 외관 평가, 및, 얻어진 필름 형상 접착제의 용융 점도, 탄성률, 포화 흡수율의 측정, 및 와이어 본드성 평가, 패키지 크랙 평가를 실시한 결과를 필름 형상 접착제용 조성물의 조성과 함께 표 1에 나타낸다. 또한, 그라인드 게이지 평가에 있어서 「<10」은, 선이 관찰되지 않았던 것을 나타낸다. Evaluation of grind gauge using the film-like adhesive composition obtained in Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4, evaluation of film surface appearance, measurement of melt viscosity, elastic modulus and saturation absorptivity of the obtained film- And the results of evaluation of the package cracks are shown in Table 1 together with the composition of the film-form adhesive composition. In the grind gauge evaluation, &quot; &lt; 10 &quot; indicates that no line was observed.

Figure 112015034747959-pct00007
Figure 112015034747959-pct00007

*1: 표면 처리 구상 실리카 필러, 에폭시 수지, 페녹시 수지 및 에폭시 수지 경화제의 합계량에 대한 함유량* 1: Content to total amount of surface treated spherical silica filler, epoxy resin, phenoxy resin and epoxy resin curing agent

*2: 구상 실리카 필러, 비닐 트리메톡시 실란, 에폭시 수지, 페녹시 수지 및 에폭시 수지 경화제의 합계량에 대한 구상 실리카 필러 및 비닐 메톡시 실란의 합계의 함유량* 2: The total content of spherical silica filler and vinyl methoxy silane to the total amount of spherical silica filler, vinyl trimethoxy silane, epoxy resin, phenoxy resin and epoxy resin curing agent

표 1에 나타낸 결과로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1 ~ 10에서 얻어진 필름 형상 접착제용 조성물은 표면 처리 구상 실리카 필러가 극히 균일하게 분산되어 있고, 또한, 이것을 이용하여 얻어진 필름 형상 접착제용 조성물로 이루어지는 필름 형상 접착제는 표면 외관이 양호하고, 80℃에 있어서의 용융 점도가 충분히 낮은 것이 확인되었다. 또한, 열경화 후의 탄성률이 충분히 높고 또한 흡수율이 충분히 낮고, 반도체 패키지의 제조 공정에 있어서의 본딩 와이어의 접합 강도도 고수준이며, 패키지 크랙의 발생이 충분히 억제되는 것이 확인되었다. As is evident from the results shown in Table 1, the film-like adhesive composition obtained in Examples 1 to 10 exhibited a surface-treated spherical silica filler dispersed extremely uniformly, and a film made of the composition for film- It was confirmed that the shape adhesive had a good surface appearance and a sufficiently low melt viscosity at 80 캜. Further, it was confirmed that the elastic modulus after heat curing was sufficiently high, the water absorption rate was sufficiently low, the bonding strength of the bonding wire in the manufacturing process of the semiconductor package was also high, and generation of package cracks was sufficiently suppressed.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 표면 외관이 양호하고, 용융 점도가 충분히 낮고, 피착체와의 밀착성이 우수하고, 경화 후의 탄성률이 충분히 높고, 또한 흡수율이 충분히 낮은 필름 형상 접착제를 얻는 것이 가능한 필름 형상 접착제용 조성물 및 그의 제조방법, 필름 형상 접착제, 및, 필름 형상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조방법을 제공하는 것이 가능해진다. INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a film-like adhesive having a good surface appearance, a sufficiently low melt viscosity, an excellent adhesion with an adherend, a sufficiently high modulus of elasticity after curing, It becomes possible to provide a composition for a film-form adhesive, a method for producing the same, a film-form adhesive, and a semiconductor package using the film-form adhesive and a method for producing the same.

따라서, 본 발명에 의하면, 반도체 칩을 보다 박형화·소형화시키는 경우에 있어서도, 반도체 패키지의 제조 공정에 있어서, 반도체 칩과 배선 기판을 높은 정밀도로 접착시킬 수 있고, 본딩 와이어의 접합 강도를 고수준으로 유지할 수 있고, 패키지 크랙의 발생을 충분히 억제하는 것이 가능해지기 때문에, 본 발명은, 반도체 패키지 내의 반도체 칩과 배선 기판의 사이나 반도체 칩과 반도체 칩의 사이를 접합하기 위한 기술로서 매우 유용하다. Therefore, according to the present invention, even when the semiconductor chip is made thinner and smaller, the semiconductor chip and the wiring board can be bonded with high precision in the manufacturing process of the semiconductor package, and the bonding strength of the bonding wire can be maintained at a high level And it is possible to sufficiently suppress generation of package cracks. Therefore, the present invention is very useful as a technique for bonding a semiconductor chip and a wiring board in a semiconductor package or a semiconductor chip and a semiconductor chip.

1: 웨이퍼,
2: 접착제층,
3: 다이싱 테이프,
4: 접착제층 부가 반도체 칩,
5: 배선 기판,
6: 본딩 와이어,
7: 밀봉 수지,
8: 반도체 패키지. 1: wafer,
2: adhesive layer,
3: Dicing tape,
4: Adhesive layer added semiconductor chip,
5: wiring board,
6: bonding wire,
7: sealing resin,
8: Semiconductor package.

Claims (8)

에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 페녹시 수지(C), 및, 평균 입경(粒徑) 0.01 ~ 2.0μm의 구상 실리카 필러(silica filler)가 실란 커플링제(silane coupling agent)로 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 함유하며, 또한,
상기 표면 처리 구상(球狀) 실리카 필러(D)의 함유량이 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 페녹시 수지(C) 및 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 합계량에 대해서 35 ~ 50 질량%이며,
열경화 후의 200℃에서의 탄성률이 20 ~ 3000 MPa이며,
열경화 후의 포화 흡수율이 1.5 질량% 이하인,
필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법으로서,
상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 유기 용매 중에 분산시켜서 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정과,
상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B) 및 상기 페녹시 수지(C)를 혼합하여 필름 형상 접착제용 조성물을 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법. The epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C) and the spherical silica filler having an average particle diameter of 0.01 to 2.0 m are silane coupling agents Treated surface-treated spherical silica filler (D), and further,
Wherein the content of the surface-treated spherical silica filler (D) is less than the total amount of the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C) By mass to 35% by mass to 50% by mass,
The modulus of elasticity at 200 DEG C after heat curing is 20 to 3000 MPa,
And a saturated water absorption after heat curing of 1.5%
A method for producing a composition for a film-form adhesive,
A step of dispersing the surface treated spherical silica filler (D) in an organic solvent to obtain a surface treated spherical silica filler dispersion;
(A), the epoxy resin curing agent (B) and the phenoxy resin (C) to the surface-treated spherical silica filler dispersion to obtain a film-like adhesive composition A method for producing a composition for a shape adhesive. 제 1 항에 있어서,
상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정이,
상기 실란 커플링제를 유기 용매 중에 용해시켜서 실란 커플링제 용액을 얻는 공정과,
상기 실란 커플링제 용액 중에 상기 구상 실리카 필러를 분산시켜서 상기 구상 실리카 필러를 상기 실란 커플링제로 표면 처리하고, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 상기 유기 용매 중에 분산된 상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정을 포함하는 공정이며, 또한,
상기 실란 커플링제의 배합량이 상기 구상 실리카 필러의 배합량 100 질량부에 대해서 1 ~ 5 질량부인 것을 특징으로 하는 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법. The method according to claim 1,
Wherein the step of obtaining the surface-treated spherical silica filler dispersion comprises:
Dissolving the silane coupling agent in an organic solvent to obtain a silane coupling agent solution;
The spherical silica filler is dispersed in the silane coupling agent solution to surface-treat the spherical silica filler with the silane coupling agent, and the surface-treated spherical silica filler (D) is dispersed in the organic solvent, And a step of forming a film on the substrate,
Wherein the compounding amount of the silane coupling agent is 1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the spherical silica filler. 제 1 항에 있어서,
상기 실란 커플링제가, 하기 일반식 (1):
R3-n-Si(CH3)n-CH=CH2 … (1)
[식(1) 중, R은 메톡시기, 에톡시기, 2-메톡시에톡시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 가수 분해성 관능기를 나타내고, n은 0 또는 1의 정수를 나타낸다.]
로 표현되는 비닐계 실란 커플링제인 것을 특징으로 하는 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법. The method according to claim 1,
Wherein the silane coupling agent is represented by the following general formula (1):
R 3-n -Si (CH 3 ) n -CH = CH 2 - (One)
Wherein R represents any one of hydrolysable functional groups selected from the group consisting of a methoxy group, an ethoxy group and a 2-methoxyethoxy group, and n represents an integer of 0 or 1.
Wherein the silane coupling agent is a vinyl silane coupling agent represented by the following formula (1). 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 필름 형상 접착제용 조성물. A composition for a film-form adhesive, characterized by being obtained by the process for producing a film-form adhesive composition according to any one of claims 1 to 3. 제 4 항에 기재된 필름 형상 접착제용 조성물을 필름 형상으로 성형하여 이루어지는 필름 형상 접착제이며,
레오미터(rheometer)에서 20℃에서 10℃/분의 승온 속도로 가열하였을 때에 관측되는 80℃에 있어서의 용융 점도가 10000 Pa·s 이하인 것을 특징으로 하는 필름 형상 접착제. A film-like adhesive obtained by molding the composition for a film-form adhesive according to claim 4 into a film,
Wherein the melt viscosity at 80 DEG C of not higher than 10,000 Pa.s when observed at a temperature rising rate of 20 DEG C / 10 DEG C / minute in a rheometer. 제 5 항에 있어서,
두께가 1 ~ 50μm인 것을 특징으로 하는 필름 형상 접착제. 6. The method of claim 5,
And a thickness of 1 to 50 占 퐉. 표면에 적어도 1개의 반도체 회로가 형성된 웨이퍼의 이면에, 제 5 항에 기재된 필름 형상 접착제를 열압착하여 접착제층을 마련하는 제1의 공정과,
상기 웨이퍼와 다이싱 테이프를 상기 접착제층을 개재하여 접착한 후에, 상기 웨이퍼와 상기 접착제층을 동시에 다이싱하는 것에 의해 상기 웨이퍼 및 상기 접착제층을 구비하는 접착제층 부가 반도체 칩을 얻는 제2의 공정과,
상기 접착제층으로부터 상기 다이싱 테이프를 이탈시키고, 상기 접착제층 부가 반도체 칩과 배선 기판을 상기 접착제층을 개재하여 열압착시키는 제3의 공정과,
상기 접착제층을 열경화시키는 제4의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법. A first step of thermally pressing the film-shaped adhesive according to claim 5 on the back surface of a wafer having at least one semiconductor circuit formed on its surface to form an adhesive layer;
A second step of bonding the wafer and the dicing tape via the adhesive layer and then dicing the wafer and the adhesive layer simultaneously to obtain the semiconductor chip with the adhesive layer including the wafer and the adhesive layer and,
A third step of releasing the dicing tape from the adhesive layer and thermally bonding the adhesive layer to the semiconductor chip and the wiring substrate via the adhesive layer;
And a fourth step of thermally curing the adhesive layer. 제 7 항에 기재된 제조방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지. A semiconductor package obtained by the manufacturing method according to claim 7.
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